JPH10270564A - Manufacture of semiconductor integrated circuit device - Google Patents

Manufacture of semiconductor integrated circuit device

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JPH10270564A
JPH10270564A JP9076018A JP7601897A JPH10270564A JP H10270564 A JPH10270564 A JP H10270564A JP 9076018 A JP9076018 A JP 9076018A JP 7601897 A JP7601897 A JP 7601897A JP H10270564 A JPH10270564 A JP H10270564A
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JP
Japan
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macro
delay
delay time
cell
time data
Prior art date
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Application number
JP9076018A
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Japanese (ja)
Inventor
Yasuo Kamiya
泰夫 神谷
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To facilitate the logic simulation more easily when the macro having the different design rule is embedded. SOLUTION: This manufacturing method performs the logic simulation of a total logic circuit in accordance with the combined delay-time data, by combining the delay time data of the entire logic circuit and the delay time data in a macro obtained by the following processes: the characterizing process, which obtains the first delay parameters P1 for the input terminals in the macro connected to the input terminals of the macro 16 including a logic circuit therein and the second delay parameter P3 for the output terminals in the macro cell connected to the output terminals of the macro; and the process for obtaining the delay time data of the entire logic circuit in accordance with the delay parameter of the macro 16, wherein the first delay parameters P1 are made to be the delay parameters of input terminals IN and the second delay parameters P3 are made to be the delay parameters of the output terminals OUT, the delay parameters of a plurality of cells (20-35), and the net liest of the entire logic circuit.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路の
製造方法に関し、特に半導体ウエハへの製造の前に行わ
れる設計工程の中の論理シミュレーションの方法に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit, and more particularly, to a method of logic simulation in a design process performed before manufacturing a semiconductor wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体集積回路は、高集積化の一途をた
どっている。そして、ゲートアレイ、埋込み型ゲートア
レイ、スタンダードセル等のASIC(Application Sp
ecificIntegrated Circuit )は、それに伴って更に複
雑化している。
2. Description of the Related Art Semiconductor integrated circuits are becoming ever more highly integrated. ASICs (Application Sp.) For gate arrays, embedded gate arrays, standard cells, etc.
ecificIntegrated Circuit) is becoming more complicated.

【0003】通常のASICの設計では、あるデザイン
ルールの下にデザインされた複数のセルやマクロセルの
論理データ、それに対するパターンデータ等の物理デー
タをライブラリ化して、そのライブラリであらかじめ提
供されたセルやマクロセルを利用して論理設計を行う。
従って、その論理設計後に行われる遅延時間の演算工程
や論理シミュレーション工程では、そのデザインルール
の下に提供された演算ツールや論理シミュレーションツ
ールが利用される。
In a normal ASIC design, logical data of a plurality of cells and macro cells designed under a certain design rule and physical data such as pattern data corresponding to the logical data are made into a library, and cells or cells provided in advance in the library are used. Perform logic design using macro cells.
Therefore, in a delay time calculation process and a logic simulation process performed after the logic design, a calculation tool and a logic simulation tool provided under the design rule are used.

【0004】以上の様なデータライブラリやプログラム
ツールを利用したデザインオートメーションにより半導
体集積回路が設計され、その動作確認が行われる。その
後、その設計データに従って実際のチップを形成するた
めの実パターンの設計が行われ、半導体ウエハへの実際
の製造工程へと進められる。
A semiconductor integrated circuit is designed by design automation using a data library and a program tool as described above, and its operation is confirmed. After that, an actual pattern for forming an actual chip is designed according to the design data, and the process proceeds to an actual manufacturing process for a semiconductor wafer.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年に
おいて、第三者のデザインルールの下に設計された大規
模のマクロをチップ内に埋め込んだASICの手法が提
案されてきた。すなわち、提供されたライブラリ内のセ
ルやマクロセル(大規模なセル)だけでなく、全く異な
るデザインルールのもとに設計された、例えばALU、
CPUさらにMPU等の大規模なマクロも、同じチップ
内に埋め込んで利用する手法である。かかる大規模なマ
クロは、ASICのベンダーから通常のセルと共にライ
ブラリ内に登録して提供される場合もあれば、顧客側で
入手した第三者のマクロをライブラリ内の通常のセルと
混在して使用する場合もある。
However, in recent years, an ASIC method has been proposed in which a large-scale macro designed under a design rule of a third party is embedded in a chip. In other words, not only cells and macro cells (large cells) in the provided library, but also ALUs designed based on completely different design rules,
In this method, a large-scale macro such as a CPU and an MPU is embedded and used in the same chip. Such a large-scale macro may be provided in the library together with the normal cell from the ASIC vendor, or may be provided by mixing a third-party macro obtained by the customer with the normal cell in the library. May be used.

【0006】市場において一定の評価を受けて準標準化
したマクロ等は、むしろ頻繁に使用されるであろうし、
市場で評価を受けていなくとも、顧客の設計工数を節約
する為に既存のマクロや第三者が設計したマクロ等を使
用したい要求がある。
[0006] Semi-standardized macros and the like that have received a certain evaluation in the market will be used rather frequently,
Even if they are not evaluated in the market, there is a demand to use existing macros or macros designed by third parties to save design man-hours for customers.

【0007】その場合、チップ全体の動作の確認を行う
論理シミュレーションをどのようにして行うかは大きな
問題である。特に、論理シミュレーションを行う為に必
要な回路網内の遅延時間の計算工程では、デザインルー
ルが異なるマクロと通常のセルとのマージ(融合または
合体)をどのように行うかは深刻な問題である。
In that case, how to perform a logic simulation for confirming the operation of the entire chip is a major problem. In particular, in the process of calculating a delay time in a circuit network required for performing a logic simulation, how to merge (merge or merge) a macro with different design rules with a normal cell is a serious problem. .

【0008】単純な方法としては、サードパーティのマ
クロの内部のセル全てについて、それぞれの遅延パラメ
ータを求めるキャラクタライズ工程を最初から行い、そ
のキャラクタライズされた遅延パラメータを利用して、
チップ全体の遅延時間の計算工程を行うことが考えられ
る。しかし、大規模なマクロ内の全てのセルに対して、
1からキャラクタライズ工程を施していく方法は、途方
もなく工数を要するものであり、既存の第三者のマクロ
を利用する目的に整合しない。従って、上記問題を解決
する方法が期待されている。
[0008] As a simple method, a characterization step for obtaining delay parameters for all cells inside a third-party macro is performed from the beginning, and the characterized delay parameters are used to perform the characterization step.
It is conceivable to perform a process of calculating the delay time of the entire chip. However, for every cell in a large macro,
The method of performing the characterization step from step 1 requires tremendous man-hours, and is not compatible with the purpose of using an existing third-party macro. Therefore, a method for solving the above problem is expected.

【0009】そこで、本発明の目的は、上記問題点を解
決し、少ない工数でマクロを有するASICのチップレ
ベルでの論理シミュレーションを行う方法を提供するこ
とにある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to solve the above-mentioned problems and to provide a method of performing a logic simulation at a chip level of an ASIC having a macro with a small number of steps.

【0010】更に、本発明の目的は、マクロを有するA
SICに対して少ない工数で行うことができる論理シミ
ュレーション工程を有する半導体集積回路の製造方法を
提供することにある。
Further, an object of the present invention is to provide an A
It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit having a logic simulation step that can be performed on an SIC with a small number of steps.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、複数のセルを有するチップ内に内部に
論理回路が形成されたマクロを埋め込んだ半導体集積回
路装置の製造方法において、前記マクロの入力端子に接
続されたマクロ内セルの入力端子についての第一の遅延
パラメータと、該マクロの出力端子に接続されたマクロ
内セルの出力端子についての第二の遅延パラメータとを
求めるキャラクタライズ工程と、前記第一の遅延パラメ
ータを入力端子の遅延パラメータとし、前記第二の遅延
パラメータを出力端子の遅延パラメータとする前記マク
ロの当該遅延パラメータと、前記複数のセルの遅延パラ
メータと、該複数のセルとマクロによって構成される全
体論理回路の接続データにしたがって、該全体論理回路
の遅延時間データを求める工程と、該求めた全体論理回
路の遅延時間データと前記マクロ内の遅延時間データと
を合体し、その合体された遅延時間データにしたがって
前記全体論理回路の論理シミュレーションを行う工程と
を有することを特徴とする。
According to the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device in which a macro having a logic circuit formed therein is embedded in a chip having a plurality of cells. Determining a first delay parameter for the input terminal of the macro cell connected to the input terminal of the macro and a second delay parameter for the output terminal of the macro cell connected to the output terminal of the macro. Characterization step, the first delay parameter as the delay parameter of the input terminal, the second delay parameter of the macro and the delay parameter of the output terminal, the delay parameter of the plurality of cells, According to the connection data of the whole logic circuit constituted by the plurality of cells and the macro, the delay time data of the whole logic circuit Obtaining the delay time data of the entire logic circuit and the delay time data in the macro, and performing a logic simulation of the entire logic circuit according to the combined delay time data. It is characterized by.

【0012】複数のセルとは異なるデザインルールのも
とに設計されたマクロをチップ内に埋め込む時、マクロ
がもつ遅延時間データと、マクロを通常のセルとみなし
て求めた全体の論理回路の遅延時間データとを合体する
ことで、チップ全体の遅延時間データを少ない工数で求
めることができる。したがって、それを利用した論理シ
ミュレーション工程を短手番で行うことができる。デザ
インルールが異なっていても、IEEEにより標準化さ
れたSDF(Standard Delay Format )により記述され
た遅延時間データであれば互換性を有するので、上記合
体が可能になる。但し、マクロの入力端子と出力端子に
おける遅延時間については、キャラクタライズ工程で遅
延パラメータを求め、それを利用して全体論理回路内で
の遅延時間が求められる。
When a macro designed under a different design rule from a plurality of cells is embedded in a chip, the delay time data of the macro and the delay of the entire logic circuit obtained by regarding the macro as a normal cell are obtained. By combining the time data, the delay time data of the entire chip can be obtained with a small number of steps. Therefore, a logic simulation process using the same can be performed in a short turn. Even if the design rules are different, since the delay time data described in the SDF (Standard Delay Format) standardized by IEEE has compatibility, the above-described merging becomes possible. However, regarding the delay time at the input terminal and the output terminal of the macro, a delay parameter is obtained in the characterization step, and the delay time in the entire logic circuit is obtained by using the parameter.

【0013】より具体的には、上記の第一の遅延パラメ
ータが入力スルーレートに依存するパラメータであり、
論理回路による該入力スルーレートと前記第一の遅延パ
ラメータとから入力遅延時間が求められる。
More specifically, the first delay parameter is a parameter dependent on an input slew rate,
An input delay time is obtained from the input slew rate by the logic circuit and the first delay parameter.

【0014】また、上記の第二の遅延パラメータが出力
の負荷容量に依存するパラメータであり、論理回路によ
る該負荷容量と前記第二の遅延パラメータとから出力遅
延時間が求められる。
The second delay parameter is a parameter dependent on the output load capacitance, and the output delay time is obtained from the load capacitance by the logic circuit and the second delay parameter.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面に従って説明する。しかしながら、本発明の技術
的範囲がその実施の形態に限定されるものではない。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. However, the technical scope of the present invention is not limited to the embodiment.

【0016】図1は、本発明の実施の形態例の半導体集
積回路の製造工程のフローチャート図である。このフロ
ーチャート例では、最初に論理ライブラリ内にあらかじ
め登録されているセル等を使用してチップ全体の論理設
計を行う(S10)。この時、本実施の形態例では、論
理ライブラリ内の通常のセルに加えて、サードパーティ
から提供されるマクロも同時に利用される。このマクロ
は、既に論理設計、論理シミュレーションを経て実際の
マスクパターンのレベルまで設計が終了している。この
論理設計の結果、論理回路の回路網についてのネットリ
ストが作成される。
FIG. 1 is a flow chart of a manufacturing process of a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention. In this flowchart example, first, the logic of the entire chip is designed using cells and the like registered in advance in the logic library (S10). At this time, in the present embodiment, a macro provided by a third party is simultaneously used in addition to the normal cells in the logic library. This macro has already been designed to the level of the actual mask pattern through logic design and logic simulation. As a result of this logic design, a netlist for the network of the logic circuit is created.

【0017】次に、設計された論理回路に対して、回路
網内の遅延時間の計算が行われる(S11)。この遅延
時間は、例えば、回路網内に設けられたセルの入力端子
での遅延時間、セル自身の遅延時間、出力端子での遅延
時間等を含む。一般に、入力端子での遅延時間は、その
前段のセルの駆動能力と配線容量により求められる入力
スルーレートに依存して求められる。また、出力端子で
の遅延時間は、その後段のセルまでの配線の負荷容量や
セルの入力端子の容量等の駆動容量に依存して求められ
る。従って、論理ライブラリ内に登録されているセルに
は、入力スルーレートへの依存を示す遅延パラメータ
と、出力負荷への依存を示す遅延パラメータとがキャラ
クタライズデータとして与えられている。
Next, a delay time in the circuit network is calculated for the designed logic circuit (S11). The delay time includes, for example, a delay time at an input terminal of a cell provided in the network, a delay time of the cell itself, a delay time at an output terminal, and the like. Generally, the delay time at the input terminal is determined depending on the input slew rate determined by the driving capability and the wiring capacity of the preceding cell. Further, the delay time at the output terminal is determined depending on the driving capacity such as the load capacity of the wiring to the subsequent cell and the capacity of the input terminal of the cell. Therefore, a delay parameter indicating dependence on the input slew rate and a delay parameter indicating dependence on the output load are given to the cells registered in the logic library as characterization data.

【0018】従って、工程S10で求めたネットリスト
と遅延パラメータに基づいて、回路網内の遅延時間が計
算される(S11)。この遅延時間は、IEEEにより
標準化されているSDF(Standard Delay Format )に
従って記述されることが好ましい。このSDFは、異な
るデザインルールで形成された論理回路であっても、回
路網内での遅延時間を標準化された構文で標準化された
遅延時間によって表現することができる。従って、SD
Fに従って記述された遅延時間のデータに対して、種々
の論理シミュレーションプログラムを使用することがで
きる。
Therefore, the delay time in the circuit network is calculated based on the net list and the delay parameter obtained in step S10 (S11). This delay time is preferably described in accordance with SDF (Standard Delay Format) standardized by IEEE. This SDF can express a delay time in a circuit network with a standardized delay time using a standardized syntax, even for a logic circuit formed by different design rules. Therefore, SD
Various logic simulation programs can be used for the delay time data described in accordance with F.

【0019】次に、各セルの論理機能(Functio
n)、SDFによる遅延時間データ及びテストパターン
を使用して、論理シミュレーションが行われる(S1
2)。この論理シミュレーションでは、所定のテストパ
ターンを入力した時に期待した出力パターンが期待した
タイミングで出力されるか否か等の論理回路の動作が正
常に行われることが確認される。
Next, the logical function of each cell (Function)
n), a logic simulation is performed using the delay time data and the test pattern by the SDF (S1).
2). In this logic simulation, it is confirmed that the operation of the logic circuit, such as whether an expected output pattern is output at an expected timing when a predetermined test pattern is input, is performed normally.

【0020】論理シミュレーション工程にて、一応論理
回路として正常に動作することが確認されると、チップ
上の各セルや配線についてのレイアウト工程が行われる
(S13)。
In the logic simulation step, if it is confirmed that the circuit operates normally as a logic circuit, a layout step is performed for each cell and wiring on the chip (S13).

【0021】そして、再度そのレイアウトに基づいて上
記した遅延時間計算(S14)と論理シミュレーション
(S15)とが行われ、再度チップ上のレイアウト状態
での動作確認が行われる。それが終了すると、いよいよ
半導体ウエハへの製造工程に進む(S16)。
Then, the delay time calculation (S14) and the logic simulation (S15) are performed again based on the layout, and the operation in the layout state on the chip is checked again. When this is completed, the process finally proceeds to the manufacturing process for a semiconductor wafer (S16).

【0022】以上が、半導体集積回路の製造工程の概略
である。そこで、マクロを有するASICの論理シミュ
レーションを行うための上記した遅延時間計算を説明す
る前に、一般的な通常セルのキャラクタライズ、遅延パ
ラメータ、通常セルのデータ例、及び論理回路のネット
リストと遅延時間計算について、以下簡単に説明する。
The above is the outline of the manufacturing process of the semiconductor integrated circuit. Therefore, before describing the above-described delay time calculation for performing a logic simulation of an ASIC having a macro, a general normal cell characterization, a delay parameter, a normal cell data example, a logic circuit netlist and a delay The time calculation will be briefly described below.

【0023】[通常セルのデータ例]図2は、通常のセ
ルのデータ構造の例を示す図である。この例では、セル
Xのデータ構造である。セルXの属性データは、セルが
有する論理機能(Function)のデータ、遅延パラメータ
P1,t2,P3、入力端子の容量と出力端子の容量を
少なくとも有する。ここで遅延パラメータP1,t2,
P3について説明する。
[Example of Data of Normal Cell] FIG. 2 is a diagram showing an example of the data structure of a normal cell. In this example, the data structure of the cell X is shown. The attribute data of the cell X has at least the data of the logic function (Function) of the cell, the delay parameters P1, t2, P3, the capacity of the input terminal and the capacity of the output terminal. Here, the delay parameters P1, t2,
P3 will be described.

【0024】[通常セルのキャラクタライズと遅延パラ
メータ]図3は、通常セルのキャラクタライズを説明す
る為の図である。図3には、セルXの例が示されてい
る。セルXの論理機能は例えばフリップフロップであっ
たり、論理積、論理和または排他的論理和等である。こ
のセルXは、入力端子での入力スルーレートTsinに
依存した入力端子での遅延時間と、セル自身が有する遅
延時間t2と、セルの駆動能力と駆動される負荷容量C
Lに依存した出力端子での遅延時間等を有する。
[Characterization of Normal Cell and Delay Parameter] FIG. 3 is a diagram for explaining characterization of a normal cell. FIG. 3 shows an example of the cell X. The logic function of the cell X is, for example, a flip-flop, a logical product, a logical sum, or an exclusive logical sum. The cell X has a delay time at the input terminal that depends on an input slew rate Tsin at the input terminal, a delay time t2 of the cell itself, a driving capability of the cell, and a load capacitance C to be driven.
The delay time at the output terminal depends on L.

【0025】入力スルーレートTsinは、例えば入力
信号の立ち上がりの傾きであり、前段のセルの出力駆動
能力と配線等の負荷容量に依存する。この傾きが急峻で
あれば入力スルーレートは小さく、入力端子での遅延時
間は短くなる。負荷容量CLは、出力端子と次段のセル
までの配線等に付加される容量である。
The input slew rate Tsin is, for example, the rising slope of the input signal, and depends on the output driving capability of the preceding cell and the load capacity of the wiring and the like. If this slope is steep, the input slew rate is small, and the delay time at the input terminal is short. The load capacitance CL is a capacitance added to an output terminal and a wiring to a next cell.

【0026】セルXの入力端子での遅延時間は、上記し
た入力スルーレートTsinに依存し、一般に入力スル
ーレートが小さければ遅延時間は短くなる。そこで、セ
ルXの入力端子に遅延パラメータP1を与えて、論理回
路が設計されてその論理回路から入力スルーレートが与
えられると、その遅延パラメータP1と入力スルーレー
トTsinから入力端子での遅延時間t1が求められ
る。従って、セルXの属性データとして遅延パラメータ
P1が与えられる。
The delay time at the input terminal of the cell X depends on the input slew rate Tsin described above. Generally, the shorter the input slew rate, the shorter the delay time. Thus, when a delay circuit P1 is given to the input terminal of the cell X to design a logic circuit and an input slew rate is given from the logic circuit, the delay time t1 at the input terminal is calculated from the delay parameter P1 and the input slew rate Tsin. Is required. Therefore, the delay parameter P1 is given as the attribute data of the cell X.

【0027】また、セルXの出力端子での遅延時間は、
上記した負荷容量CLに依存し、一般に負荷容量CLが
大きいと遅延時間は長くなる。そこで、セルXの出力端
子に遅延パラメータP3を与えて、論理回路が設計され
てその論理回路から負荷容量CLが与えられると、その
遅延パラメータP3と負荷容量CLから出力端子での遅
延時間t3が求められる。
The delay time at the output terminal of cell X is
The delay time depends on the load capacitance CL described above. Generally, the larger the load capacitance CL, the longer the delay time. Therefore, when the delay parameter P3 is given to the output terminal of the cell X and a logic circuit is designed and the load capacitance CL is given from the logic circuit, the delay time t3 at the output terminal is obtained from the delay parameter P3 and the load capacitance CL. Desired.

【0028】図4は、遅延パラメータと論理回路の入力
スルーレートと負荷容量から遅延時間が求められること
を説明する図である。上記した通り、セルXの属性デー
タのうち、遅延パラメータ(P1,t2,P3)を論理
ライブラリから抽出し、論理回路から与えられる入力ス
ルーレートTsinと負荷容量CLに従って、入力端子
の遅延時間t1、セル自身の遅延時間t2、そして出力
端子の遅延時間t3が求められる。この求められた遅延
時間は、上述のSDFに従って記述される。
FIG. 4 is a diagram for explaining that the delay time is obtained from the delay parameter, the input slew rate of the logic circuit, and the load capacitance. As described above, of the attribute data of the cell X, the delay parameters (P1, t2, P3) are extracted from the logic library, and the delay time t1, t1 of the input terminal is determined according to the input slew rate Tsin and the load capacitance CL given from the logic circuit. The delay time t2 of the cell itself and the delay time t3 of the output terminal are obtained. The obtained delay time is described according to the above-mentioned SDF.

【0029】図3において説明した遅延パラメータは、
セルXのキャラクタライズ工程にて求められる。このキ
ャラクタライズ工程は、例えばメタソフト社製のHsp
ice(商品名)等のspiceシュミレータにより行
われる。このシュミレータでは、セルを構成するトラン
ジスタの特性パラメータとそのトランジスタの接続関係
を示すネットリストを与えることにより、上記遅延パラ
メータP1,P3が求められる。より具体的には、与え
られたトランジスタの特性パラメータとネットリストを
もとに、例えば入力スルーレートTsinを変化させた
時の入力端子の遅延時間から入力端子の遅延パラメータ
P1が求められる。また、出力端子に接続される負荷容
量CLを変化させた時の出力端子の遅延時間から出力端
子の遅延パラメータP3が求められる。
The delay parameter described in FIG.
It is determined in the cell X characterization process. This characterization step is performed, for example, using Hsp manufactured by Metasoft.
This is performed by a spice simulator such as ice (trade name). In this simulator, the delay parameters P1 and P3 are obtained by providing a characteristic parameter of a transistor constituting a cell and a netlist indicating a connection relation of the transistor. More specifically, the delay parameter P1 of the input terminal is obtained from the delay time of the input terminal when the input slew rate Tsin is changed, based on the given transistor characteristic parameters and netlist. Further, the delay parameter P3 of the output terminal is obtained from the delay time of the output terminal when the load capacitance CL connected to the output terminal is changed.

【0030】通常セルは、論理ライブラリに登録される
に際し、あらかじめそのセルについてのトランジスタの
特性パラメータとネットリストを与えてspiceシュ
ミレータにより遅延パラメータ(P1、t2、P3)が
求められる。この遅延パラメータは、上記した通りセル
の属性データとして与えられる。
Normally, when a cell is registered in a logic library, a delay parameter (P1, t2, P3) is obtained by a spice simulator by giving a transistor characteristic parameter and a netlist for the cell in advance. This delay parameter is given as cell attribute data as described above.

【0031】[ネットリスト]図5は、論理回路の例を
示す図である。そして、図6は、図5に示した論理回路
のネットリストの例を示す図である。図5に示した論理
回路の例では、セルXとセルYとが論理回路の入力端子
A,Bと出力端子Cとの間に図示される通り接続され
る。セルXは、入力端子(port)a、出力端子bを
有し、セルYは、入力端子a,b、出力端子cを有す
る。そして、それらを配線Net−1〜Net−4が接
続する。
[Net List] FIG. 5 is a diagram showing an example of a logic circuit. FIG. 6 is a diagram showing an example of a netlist of the logic circuit shown in FIG. In the example of the logic circuit shown in FIG. 5, a cell X and a cell Y are connected as shown between input terminals A and B and an output terminal C of the logic circuit. The cell X has an input terminal (port) a and an output terminal b, and the cell Y has input terminals a and b and an output terminal c. Then, these are connected by wirings Net-1 to Net-4.

【0032】図5に示した論理回路の例に対して、ネッ
トリストは、例えば図6の如く記述される。すなわち、
入力端子と出力端子のポート(Port)は、A,B,
Cからなり、それらのポートpA,pB、pCと各セル
の入力端子と出力端子とがXpa、Ypb等の様に記述
される。そして、それぞれの配線Net−1〜Net−
4が図示される通り記述される。この例では、それぞれ
の配線の両端のポート名が記述される。このネットリス
トは、論理設計(図1中のS10)が終了すると論理回
路の属性データとなる。
With respect to the example of the logic circuit shown in FIG. 5, the net list is described, for example, as shown in FIG. That is,
The ports (Port) of the input terminal and the output terminal are A, B,
The ports pA, pB, and pC, and the input and output terminals of each cell are described as Xpa, Ypb, and the like. Then, each of the wirings Net-1 to Net-
4 are described as shown. In this example, port names at both ends of each wiring are described. This netlist becomes attribute data of the logic circuit when the logic design (S10 in FIG. 1) is completed.

【0033】上記の説明により理解される様に、先ずセ
ルのキャラクタライズ工程により遅延パラメータが求め
られて、それがセルの属性データとして登録される。そ
して、論理設計の結果、論理回路のネットリストが形成
される。そのネットリストから各セルに対して入力スル
ーレートと負荷容量とが求められる。そして、遅延パラ
メータとそれらの入力スルーレート及び負荷容量とか
ら、論理回路の遅延時間が求められる。そして、セルの
論理機能と上記求めた遅延時間(SDFのフォーマッ
ト)のデータをもとにして、論理シミュレーションが行
われる。
As can be understood from the above description, first, a delay parameter is obtained by a cell characterization step, and the obtained delay parameter is registered as cell attribute data. Then, as a result of the logic design, a netlist of the logic circuit is formed. The input slew rate and the load capacity are obtained for each cell from the netlist. Then, the delay time of the logic circuit is obtained from the delay parameter and their input slew rate and load capacity. Then, a logic simulation is performed based on the data of the logic function of the cell and the delay time (SDF format) obtained above.

【0034】[マクロ付きASIC]図7は、マクロ付
きのASICのチップ全体の構成例を示す図である。こ
の例は、チップ10内にゲートアレイの固まりSOG
(Sea of Gates)14とメモリのセル12そして第三者
から提供されたマクロ16が形成される。チップ10の
周辺には、入出力セル18が複数設けられる。
[ASIC with Macro] FIG. 7 is a diagram showing an example of the configuration of an entire ASIC chip with a macro. In this example, a gate array block SOG
(Sea of Gates) 14, a memory cell 12, and a macro 16 provided by a third party are formed. A plurality of input / output cells 18 are provided around the chip 10.

【0035】この様に、チップ内に第三者から提供され
たマクロ16が混在する場合に、上記してきた論理シミ
ュレーション工程に必要な遅延時間演算をいかにして行
うかが問題となる。すなわち、異なる設計思想のもとに
作成されたマクロでは、そのマクロ内のセルについての
遅延パラメータを得ることができないので、各セルの遅
延パラメータとマクロのネットリストからの入力スルー
レート及び負荷容量を利用した遅延時間演算を行うこと
ができない。
As described above, when the macro 16 provided by a third party is mixed in the chip, how to calculate the delay time necessary for the above-described logic simulation process becomes a problem. That is, in a macro created based on a different design concept, it is not possible to obtain delay parameters for the cells in the macro. Therefore, the delay parameter of each cell and the input slew rate and load capacity from the macro netlist are calculated. The used delay time calculation cannot be performed.

【0036】図8は、本実施の形態例による論理シミュ
レーション工程を説明する為のマクロと通常のセルが混
在した構成を示す図である。この例では、マクロ16内
には、マクロの入力端子IN1、IN2,IN3にそれ
ぞれ接続される内部のセル161,162,163を有
する。また、マクロの出力端子OUT4,OUT5,O
UT6にそれぞれ接続される内部のセル164,16
5,166を有する。更に、マクロ16内には、内部の
セル167,168,169を有する。図8に示した実
線と破線は接続例である。次に、ゲートアレイ14内に
は、通常のセル20〜35を有する。これらを結ぶ破線
の配線は、単なる一例に過ぎない。
FIG. 8 is a diagram showing a configuration in which macros and normal cells are mixed for explaining the logic simulation process according to the present embodiment. In this example, the macro 16 has internal cells 161, 162, and 163 connected to the macro input terminals IN1, IN2, and IN3, respectively. Also, macro output terminals OUT4, OUT5, O
Internal cells 164 and 16 respectively connected to UT 6
5,166. Further, the macro 16 has internal cells 167, 168, and 169. The solid line and the broken line shown in FIG. 8 are connection examples. Next, normal cells 20 to 35 are provided in the gate array 14. The dashed lines connecting these are merely examples.

【0037】図8に示された構成は、図1の全体の論理
設計の工程(S10)を終えた時点で得られている。従
って、この構成はマクロ16を含めたネットリストによ
り記述される。
The configuration shown in FIG. 8 is obtained at the time when the overall logic design step (S10) in FIG. 1 is completed. Therefore, this configuration is described by a netlist including the macro 16.

【0038】上記した様に、このマクロ16内のセル1
61〜169についてのキャラクタライズされた遅延パ
ラメータを知ることは通常不可能である。そこで、セル
それぞれのトランジスタの特性パラメータとネットリス
トを利用してSpiceシュミレータを利用して、全て
の内部のセルのキャラクタライズすることが考えられ
る。その結果、例えば、図9に示されたように、マクロ
16内のセル161〜169もゲートアレイ14内のセ
ル20〜35も同様のレベルにして、それらの遅延パラ
メータと全てのセルのネットリストを利用して、チップ
10内の遅延時間を演算で求めることができる。しかし
ながら、マクロ16はそれ自身膨大な数のセルを有する
ので、上記のマクロ内部の全てのセル161〜169の
キャラクタライズを行うことは、膨大な工数を要するこ
とになり、現実的でない。
As described above, the cell 1 in the macro 16
Knowing the characterized delay parameters for 61-169 is usually not possible. Therefore, it is conceivable to characterize all the internal cells using a Spice simulator using the characteristic parameters of the transistors of each cell and a netlist. As a result, for example, as shown in FIG. 9, the cells 161 to 169 in the macro 16 and the cells 20 to 35 in the gate array 14 are set to the same level, and their delay parameters and the netlist of all cells are set. , The delay time in the chip 10 can be obtained by calculation. However, since the macro 16 itself has an enormous number of cells, characterization of all the cells 161 to 169 inside the macro requires an enormous number of man-hours, which is not practical.

【0039】そこで、本実施の形態例では、マクロ16
の内部をブラックボックスと見なし、マクロ16を通常
のセルと同等のセルとして扱うことにより、論理シミュ
レーションに必要な遅延時間の演算工程の工数を大幅に
減らす。
Therefore, in this embodiment, the macro 16
Is regarded as a black box, and the macro 16 is treated as a cell equivalent to a normal cell, thereby greatly reducing the man-hour of the operation process of the delay time required for the logic simulation.

【0040】マクロは、第三者から提供されるものであ
るので、その内部のセルの遅延パラメータを得ることは
できない。たとえ、その遅延パラメータを得ることがで
きたとしても、その遅延パラメータは異なるデザインル
ールのもとでのデータであり、通常のセルの遅延パラメ
ータとの間では整合性はない。しかしながら、マクロは
既に論理シミュレーションによりその動作が確認され、
マスクパターンまで完成したある種のLSIである。従
って、マクロの属性データとしてSDFに従った遅延時
間が提供可能である。
Since the macro is provided by a third party, it is not possible to obtain the delay parameter of the cell inside the macro. Even if the delay parameter can be obtained, the delay parameter is data under different design rules, and there is no consistency with the delay parameter of a normal cell. However, the operation of the macro has already been confirmed by logic simulation,
This is a kind of LSI completed up to the mask pattern. Therefore, a delay time according to the SDF can be provided as attribute data of the macro.

【0041】このマクロのSDFによる遅延時間のデー
タと、ゲートアレイ14内の通常セルの論理回路から演
算されるSDFによる遅延時間のデータとを合体あるい
はマージさせることで、論理シミュレーションに必要な
チップ全体の遅延時間の演算工程の工数を大幅に減らす
ことができる。
By combining or merging the data of the delay time by the SDF of this macro with the data of the delay time by the SDF calculated from the logic circuit of the normal cell in the gate array 14, the whole chip necessary for the logic simulation is obtained. In this case, the number of man-hours for calculating the delay time can be greatly reduced.

【0042】図10は、マクロの属性データの例を示す
図である。この例では、マクロ内のネットリスト、マク
ロ内の回路網の遅延時間をSDFに基づいて記述したデ
ータ、内部のセルの論理機能(Function)、内
部セルのトランジスタのデータ、そして、マクロの実パ
ターンを属性データとして有する。このSDFに従う遅
延時間のデータは、通常セルによる論理回路内の遅延時
間をSDFに従って記述したデータと整合する。このS
DFは、遅延時間の記述フォーマットとしてIEEEに
より標準化されているからである。
FIG. 10 is a diagram showing an example of macro attribute data. In this example, the netlist in the macro, the data describing the delay time of the circuit network in the macro based on the SDF, the logical function (Function) of the internal cell, the data of the transistor in the internal cell, and the actual pattern of the macro As attribute data. The data of the delay time according to the SDF matches the data describing the delay time of the normal circuit in the logic circuit according to the SDF. This S
This is because the DF is standardized by the IEEE as a delay time description format.

【0043】従って、マクロ16内のSDFによる遅延
時間と、ゲートアレイ14内の通常セルの論理回路のS
DFによる遅延時間とを合体させる。その場合、図8に
示した通り、チップ内にマクロ16がゲートアレイ14
内の通常セルと混在すると、マクロ16の入力端子IN
1,IN2,IN3への入力スルーレートTsinは、
チップ全体の論理回路を設計しなければ得ることができ
ない。すなわち、入力スルーレートは、その前段のセル
20,21,22とそれらとの間の配線の負荷容量など
に依存するからである。同様に、マクロ16の出力端子
OUT4〜6への負荷容量CLも同様に、チップ全体の
論理回路を設計しなければ得ることができない。つま
り、出力端子の負荷容量CLは後段のセルとの間の配線
長等に依存するからである。
Accordingly, the delay time due to the SDF in the macro 16 and the S of the logic circuit of the normal cell in the gate array 14
The delay time by the DF is combined. In such a case, as shown in FIG.
, The input terminal IN of the macro 16
The input slew rate Tsin to 1, IN2 and IN3 is
This cannot be obtained unless the logic circuit of the entire chip is designed. That is, the input slew rate depends on the load capacity of the preceding cells 20, 21, 22 and the wiring between them. Similarly, the load capacitance CL to the output terminals OUT4 to OUT6 of the macro 16 cannot be obtained unless the logic circuit of the entire chip is designed. That is, the load capacitance CL of the output terminal depends on the wiring length between the output cell and the subsequent cell.

【0044】従って、マクロ16の入力端子と出力端子
での遅延時間は、ゲートアレイ内の論理回路に依存する
ので、マクロの属性データとして与えられるSDFによ
る遅延時間のデータをそのまま使用することはできな
い。
Therefore, since the delay time at the input terminal and the output terminal of the macro 16 depends on the logic circuit in the gate array, the data of the delay time by the SDF given as the attribute data of the macro cannot be used as it is. .

【0045】そこで、本実施の形態例では、マクロ16
内のセルのうち、入力端子と出力端子に接続されるセル
161〜166の入力端子161a〜163aと出力端
子164b〜166bの遅延パラメータだけを、Spi
ceシュミレータを利用してキャラクタライズ工程によ
り求める。入力側のセル161〜163の入力端子の遅
延パラメータだけでよく、そのセル161〜163の自
身の遅延時間や出力の遅延パラメータを求める必要はな
い。同様に、出力側のセル164〜166の出力端子の
遅延パラメータだけでよい。従って、これらのキャラク
タライズ工程はそれほどの工数を要しない。
Therefore, in this embodiment, the macro 16
Only the delay parameters of the input terminals 161 a to 163 a and the output terminals 164 b to 166 b of the cells 161 to 166 connected to the input terminal and the output terminal among the cells in
Determined by a characterization process using a ce simulator. Only the delay parameters of the input terminals of the cells 161 to 163 on the input side are sufficient, and it is not necessary to calculate the delay time of the cells 161 to 163 and the delay parameter of the output. Similarly, only the delay parameters of the output terminals of the output cells 164 to 166 are required. Therefore, these characterization steps do not require much man-hour.

【0046】その様にして求めた入力側のセル161〜
163の入力端子の遅延パラメータを、マクロ16の入
力端子IN1〜IN3の遅延パラメータとして与える。
同様に、出力側のセル164〜166の出力端子の遅延
パラメータを、マクロ16の出力端子OUT4〜6の遅
延パラメータとして与える。
The input-side cells 161 to 161 thus obtained
The delay parameter of the input terminal 163 is given as the delay parameter of the input terminals IN1 to IN3 of the macro 16.
Similarly, the delay parameters of the output terminals of the cells 164 to 166 on the output side are given as the delay parameters of the output terminals OUT4 to OUT6 of the macro 16.

【0047】図11は、マクロ16をセルとして取り扱
った時のチップ内の論理回路を示す図である。上記の通
り、マクロ16の入力端子IN1〜3と出力端子OUT
4〜6に遅延パラメータP11,P12,P13,P3
4,P35,P36を与えて、内部をブラックボックス
化している。そして、ゲートアレイ14内の通常のセル
20〜35には、それぞれ遅延パラメータP1,P3が
論理ライブラリから抽出される。かかる論理回路の構成
において、そのネットリストからそれぞれの入力スルー
レートTsinと容量負荷CLを求め、所定の遅延時間
演算プログラムにより、各セルの入力端子での遅延時間
t1、出力端子での遅延時間t3を求めることができ
る。
FIG. 11 is a diagram showing a logic circuit in a chip when the macro 16 is handled as a cell. As described above, the input terminals IN1 to IN3 and the output terminal OUT of the macro 16
4 to 6, delay parameters P11, P12, P13, P3
4, P35 and P36 are given to make the inside a black box. Then, in the normal cells 20 to 35 in the gate array 14, delay parameters P1 and P3 are respectively extracted from the logic library. In the configuration of such a logic circuit, the input slew rate Tsin and the capacitance load CL are obtained from the net list, and the delay time t1 at the input terminal and the delay time t3 at the output terminal of each cell are calculated by a predetermined delay time calculation program. Can be requested.

【0048】そして、チップ内での遅延時間のデータと
マクロ内での遅延時間のデータをマージすることで、チ
ップ全体の遅延時間のデータを求めることができる。た
だし、その時に、上記で求めたマクロ16の入力端子I
N1〜3での遅延時間を、再度マクロ16の入力側のセ
ル161〜163の入力端子161a〜163aでの遅
延時間として与える必要がある。同様に、上記で求めた
マクロ16の出力端子OUT4〜6での遅延時間を、再
度マクロ16の出力側のセル164〜166の出力端子
164b〜166bでの遅延時間として与える。すなわ
ち、マクロ16のSDFによる遅延時間のデータに、そ
れらの遅延時間のデータを加えるのである。
Then, the delay time data in the entire chip can be obtained by merging the delay time data in the chip and the delay time data in the macro. However, at that time, the input terminal I of the macro 16 obtained above
It is necessary to give the delay times at N1 to N3 again as the delay times at the input terminals 161a to 163a of the cells 161 to 163 on the input side of the macro 16. Similarly, the delay times at the output terminals OUT4 to OUT6 of the macro 16 determined above are given as the delay times at the output terminals 164b to 166b of the cells 164 to 166 on the output side of the macro 16 again. That is, the data of the delay time is added to the data of the delay time by the SDF of the macro 16.

【0049】そこで、留意すべき点は、マクロ16のS
DFによる遅延時間のデータを生成する工程で、入力段
のセル161〜163の入力端子161a〜163aに
対する入力スルーレートTsinをゼロにして演算して
おくことが必要である。同様に、出力段のセル164〜
166の出力端子164b〜166bに対する負荷容量
CLもゼロにして演算しておくことが必要である。即
ち、入力段のセル161〜163の遅延時間のデータ
は、例えば(0,t2,t3)となり、出力段のセル1
64〜166の遅延時間のデータは、例えば、(t1,
t2,0)となる。
Therefore, it should be noted that the macro 16
In the process of generating the delay time data by the DF, it is necessary to calculate the input slew rate Tsin for the input terminals 161a to 163a of the cells 161 to 163 of the input stage to zero. Similarly, cells 164 to 164 of the output stage
It is necessary that the load capacitance CL for the output terminals 164b to 166b of 166 is also set to zero and the calculation is performed in advance. That is, the data of the delay time of the cells 161 to 163 of the input stage is (0, t2, t3), for example, and the cell 1 of the output stage is
The data of the delay time of 64-166 is, for example, (t1,
t2,0).

【0050】こうすることで、上記のチップ全体で遅延
時間を演算してマクロ16の入力端子と出力端子にそれ
ぞれ求めた遅延時間t11,t12,t13、t34,
t35,t36を、対応するセルの入力端子161a〜
163aと出力端子164b〜166bの遅延時間とし
て与えても、遅延時間が重複することが避けられる。即
ち、セル161〜166の遅延時間のデータは、例え
ば、 セル161=(t11,t2,t3) セル162=(t12,t2,t3) セル163=(t13,t2,t3) セル164=(t1,t2,t34) セル165=(t1,t2,t35) セル166=(t1,t2,t36) となる。
In this way, the delay times t11, t12, t13, t34, t34,
t35 and t36 are set to the input terminals 161a to 161a of the corresponding cell.
Even if the delay time is given as the delay time between the output terminal 163a and the output terminals 164b to 166b, the delay time can be prevented from overlapping. That is, the data of the delay time of the cells 161 to 166 is, for example, cell 161 = (t11, t2, t3) cell 162 = (t12, t2, t3) cell 163 = (t13, t2, t3) cell 164 = (t1) , T2, t34) Cell 165 = (t1, t2, t35) Cell 166 = (t1, t2, t36)

【0051】図12は、上記説明した、マクロを有する
チップの論理回路の論理シミュレーションまでの工程を
示すフローチャート図である。即ち、図1における工程
S10から工程S12までのフローチャートである。或
いは、図1における工程S14とS15のフローチャー
トでもある。
FIG. 12 is a flowchart showing steps up to the above-described logic simulation of a logic circuit of a chip having a macro. That is, it is a flowchart from step S10 to step S12 in FIG. Alternatively, it is also a flowchart of steps S14 and S15 in FIG.

【0052】先ず、マクロが埋め込まれたチップ全体の
論理設計が行われる(S20)。図8に示された論理回
路の設計である。この結果、チップ内の論理回路のネッ
トリストが作成される。尚、通常セル20〜35の論理
機能と遅延パラメータ等は、あらかじめ論理ライブラリ
に登録されている。更に、マクロ16のデータはマクロ
と共に与えられる。このデータには、図10に示したS
DFによる遅延時間データ等を有する。ただし、この遅
延時間データは、入力側のセルの入力端子では入力スル
ーレートがゼロとして求めたものが好ましい。更に、遅
延時間データは、出力側のセルの出力端子では負荷容量
がゼロとして求めたものが好ましい。
First, the logic of the entire chip in which the macro is embedded is designed (S20). 9 is a design of the logic circuit shown in FIG. 8. As a result, a netlist of the logic circuits in the chip is created. The logic functions and delay parameters of the normal cells 20 to 35 are registered in the logic library in advance. Further, the data of the macro 16 is provided together with the macro. This data includes S shown in FIG.
It has delay time data by DF. However, it is preferable that the delay time data is obtained assuming that the input slew rate is zero at the input terminal of the cell on the input side. Further, it is preferable that the delay time data is obtained assuming that the load capacitance is zero at the output terminal of the cell on the output side.

【0053】次に、マクロ16を通常セルと同等に取り
扱う為に、最低限必要な入出力端子のキャラクタライズ
を行う(S21)。即ち、入力端子INの入力スルーレ
ート依存についての遅延パラメータP1と、出力端子O
UTの負荷容量CL依存についての遅延パラメータP3
とを求める。このキャラクタライズ工程は、入力端子に
接続される内部のセル161〜162の入力端子につい
て、Spiceシミュレータにより遅延パラメータを求
め、更に、出力端子に接続される内部のセル164〜1
66の出力端子についてもSpiceシミュレータによ
り遅延パラメータを求めることで行われる。
Next, in order to handle the macro 16 in the same manner as a normal cell, the minimum necessary input / output terminal characterization is performed (S21). That is, the delay parameter P1 regarding the input slew rate dependence of the input terminal IN and the output terminal O
Delay parameter P3 for UT load capacitance CL dependence
And ask. In this characterization step, delay parameters are obtained by a Spice simulator for the input terminals of the internal cells 161 to 162 connected to the input terminals, and further, the internal cells 164 to 1 connected to the output terminals are determined.
For the output terminals 66, the delay parameter is obtained by a Spice simulator.

【0054】そして、マクロ16を内部の構造をブラッ
クボックス化し、入出力端子に上記の求めた遅延パラメ
ータP1,P3を与えて、他の通常セルと同等の取り扱
って、チップ全体の論理回路内の遅延時間の演算を行う
(S22)。その結果、SDFに従う遅延時間データが
得られる。この遅延時間の演算は、チップ全体の論理回
路のネットリスト、通常セルの登録済み遅延パラメー
タ、マクロ16の入出力端子の遅延パラメータ等を使用
して行われる。
Then, the internal structure of the macro 16 is made into a black box, and the above-mentioned obtained delay parameters P1 and P3 are given to the input / output terminals, and the macro 16 is handled in the same manner as other normal cells. The delay time is calculated (S22). As a result, delay time data according to the SDF is obtained. The calculation of the delay time is performed using a netlist of the logic circuit of the entire chip, a registered delay parameter of a normal cell, a delay parameter of an input / output terminal of the macro 16, and the like.

【0055】次に、工程S23において、マクロ16の
SDFによる遅延時間データに、工程S22で求めたマ
クロの入出力端子の遅延時間のデータを、入力側の内部
セル161〜163の入力端子の遅延時間及び出力側の
内部セル164〜166の出力端子の遅延時間として与
える。そして、チップ全体のSDFによる遅延時間デー
タとマクロのSDFによる遅延時間データとをマージ
(合体)させる(S24)。
Next, at step S23, the delay time data of the macro input / output terminal obtained at step S22 is added to the delay time data of the macro 16 by the SDF, and the delay time of the input terminals of the internal cells 161 to 163 on the input side. It is given as the time and the delay time of the output terminals of the internal cells 164 to 166 on the output side. Then, the delay time data based on the SDF of the entire chip and the delay time data based on the SDF of the macro are merged (S24).

【0056】その後、チップ全体のネットリスト、通常
セルの論理機能、マクロ内のネットリスト、内部セルの
論理機能と上記の合体させた遅延時間データとを利用し
て、論理シミュレーションを行う(S25)。この論理
シミュレーションは、例えば、VerilogーXLL
(CADENCE社商品名)等のシミュレーションプロ
グラムにより行われる。
Thereafter, a logic simulation is performed by using the netlist of the entire chip, the logic function of the normal cell, the netlist in the macro, the logic function of the internal cell, and the combined delay time data (S25). . This logic simulation is performed, for example, by using Verilog-XLL.
(CADENCE product name) or the like.

【0057】上記した工程S24において、埋め込まれ
たマクロの遅延時間データと、チップ内の通常セルの論
理回路のSDFによる遅延時間データとをマージした。
しかしながら、第三者から提供されるマクロの設計工程
が完了している場合と、完了していない場合とが考えら
れる。特に、一部のマクロの設計工程が未完了の場合
は、そのマクロの設計工程が完了するまで、マクロ内の
遅延時間データが与えられない。
In step S24, the delay time data of the embedded macro and the delay time data of the logic circuit of the normal cell in the chip by the SDF are merged.
However, there are cases where the design process of the macro provided by the third party is completed and cases where it is not completed. In particular, when the design process of some macros is not completed, the delay time data in the macro is not given until the design process of the macro is completed.

【0058】この場合、全てのマクロの遅延時間データ
が与えられるまで、チップ全体の論理シミュレーション
工程を待機させると、結局全体の製造工程に長期間を要
することになる。そこで、マクロ内の遅延時間データを
求める場合、実際のレイアウトが完了している場合は、
その実レイアウトに従って求めた遅延時間データを使用
するが、実レイアウトが完成していないマクロに対して
は、仮想配線に従って求めた遅延時間データが利用され
る。その結果、マクロの設計工程とチップ全体の設計工
程とを平行に行うことができ、製造工程を短くすること
ができる。
In this case, if the logic simulation process of the whole chip is made to wait until the delay time data of all the macros is given, the whole manufacturing process eventually takes a long time. Therefore, when calculating the delay time data in the macro, and when the actual layout is completed,
The delay time data obtained according to the actual layout is used. For a macro for which the actual layout is not completed, the delay time data obtained according to the virtual wiring is used. As a result, the macro designing process and the entire chip designing process can be performed in parallel, and the manufacturing process can be shortened.

【0059】また、チップ内に埋め込まれる複数のマク
ロのSDFによる遅延時間データが、所定の規定電源電
圧で求められている場合に、チップ内に埋め込まれた状
態でそれと異なる電源電圧がマクロに与えられる場合が
ある。その様な場合は、規定電源での遅延時間データ
に、電源電圧の割合に応じた係数を積算することによ
り、チップ内の電源電圧での遅延時間データを求めるこ
とができる。電源電圧以外に、内部クロックの周波数等
が異なる場合も、同様にマクロと共に与えられたSDF
による遅延時間データを修正することが望ましい。
Further, when the delay time data by the SDF of a plurality of macros embedded in a chip is obtained at a predetermined specified power supply voltage, a different power supply voltage is applied to the macro in a state of being embedded in the chip. May be In such a case, the delay time data at the power supply voltage in the chip can be obtained by multiplying the delay time data at the specified power supply by a coefficient corresponding to the ratio of the power supply voltage. When the frequency of the internal clock is different besides the power supply voltage, similarly, the SDF given together with the macro
It is desirable to correct the delay time data due to.

【0060】図13は、上記のLSIの設計システムの
全体構成図である。この設計システムを利用して、図1
2の各工程が実行される。或いは、図1の工程S10か
らS15までの各工程が実行される。
FIG. 13 is an overall configuration diagram of the above-described LSI design system. Using this design system, Figure 1
2 are performed. Alternatively, each of the steps S10 to S15 in FIG. 1 is executed.

【0061】このシステムでは、CPU10に、論理ラ
イブラリを格納したファイル11,物理ライブラリを格
納したファイル12、設計された回路データを格納する
ファイル13,テストパターンを格納したファイル1
4、そしてレイアウトデータが格納されたファイル15
が接続される。更に、設計の為のツールとして、キャラ
クタライズの為のSpiceシミュレータのプログラ
ム、遅延時間計算プログラム、論理シミュレーションプ
ログラム、レイアウトプログラム等がファイル16に格
納される。
In this system, a file 11 storing a logical library, a file 12 storing a physical library, a file 13 storing designed circuit data, and a file 1 storing a test pattern are stored in the CPU 10.
4, and a file 15 in which layout data is stored
Is connected. Further, a Spice simulator program for characterizing, a delay time calculation program, a logic simulation program, a layout program, and the like are stored in the file 16 as a design tool.

【0062】物理ライブラリ11には、通常セルやマク
ロセルの論理機能、各遅延パラメータ、各端子容量など
の属性データが登録される。物理ライブラリ12には、
各セルの回路パターンが登録される。また、論理ライブ
ラリに登録されたセルを使用して論理回路が設計される
と、その設計されたネットリスト等の回路データがファ
イル14に格納される。テストパターンは論理シミュレ
ーションにおいて使用される入力データのパターン及び
その出力データなどである。
In the physical library 11, attribute data such as logic functions of normal cells and macro cells, respective delay parameters, and respective terminal capacities are registered. In the physical library 12,
The circuit pattern of each cell is registered. When a logic circuit is designed using the cells registered in the logic library, the designed circuit data such as a netlist is stored in the file 14. The test pattern is a pattern of input data used in the logic simulation and output data thereof.

【0063】そして、マスクデータを有するレイアウト
データを使用して、チップ内の実際の回路のレイアウト
を設計することができる。
The layout of the actual circuit in the chip can be designed using the layout data having the mask data.

【0064】[0064]

【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、第
三者から提供されるデザインルールが異なるマクロを埋
め込むゲートアレイ等のASICにおいて、マクロのS
DFに従う遅延時間データを利用することにより、論理
シミュレーションを少ない工数で行うことができる。
As described above, according to the present invention, in an ASIC such as a gate array which embeds macros having different design rules provided by a third party, the macro S
By using the delay time data according to the DF, the logic simulation can be performed with a small number of steps.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態例の半導体集積回路の製造
工程のフローチャート図である。
FIG. 1 is a flowchart of a manufacturing process of a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention.

【図2】通常のセルのデータ構造の例を示す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating an example of a data structure of a normal cell.

【図3】通常セルのキャラクタライズを説明する為の図
である。
FIG. 3 is a diagram for explaining characterization of a normal cell.

【図4】遅延パラメータと論理回路の入力スルーレート
と負荷容量から遅延時間が求められることを説明する図
である。
FIG. 4 is a diagram illustrating that a delay time is obtained from a delay parameter, an input slew rate of a logic circuit, and a load capacitance;

【図5】論理回路の例を示す図である。FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a logic circuit.

【図6】図5に示した論理回路のネットリストの例を示
す図である。
6 is a diagram illustrating an example of a netlist of the logic circuit illustrated in FIG. 5;

【図7】マクロ付きのASICのチップ全体の構成例を
示す図である。
FIG. 7 is a diagram illustrating a configuration example of an entire ASIC chip with a macro;

【図8】本実施の形態例による論理シミュレーション工
程を説明する為のマクロと通常のセルが混在した構成を
示す図である。
FIG. 8 is a diagram illustrating a configuration in which macros and normal cells are mixed for explaining a logic simulation process according to the embodiment;

【図9】本実施の形態例による論理シミュレーション工
程を説明する為のマクロと通常のセルが混在した構成を
示す図である。
FIG. 9 is a diagram illustrating a configuration in which macros and normal cells are mixed for describing a logic simulation process according to the embodiment;

【図10】マクロの属性データの例を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating an example of attribute data of a macro.

【図11】マクロ16をセルとして取り扱った時のチッ
プ内の論理回路を示す図である。
FIG. 11 is a diagram showing a logic circuit in a chip when the macro 16 is handled as a cell.

【図12】マクロを有するチップの論理回路の論理シミ
ュレーションまでの工程を示すフローチャート図であ
る。
FIG. 12 is a flowchart showing steps up to logic simulation of a logic circuit of a chip having a macro.

【図13】LSIの設計システムの全体構成図である。FIG. 13 is an overall configuration diagram of an LSI design system.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 チップ 14 複数のセル領域 16 マクロ P1,P3 遅延パラメータ t1,t3 遅延時間 IN マクロの入力端子 OUT マクロの出力端子 10 chip 14 plural cell areas 16 macro P1, P3 delay parameter t1, t3 delay time IN macro input terminal OUT macro output terminal

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】複数のセルを有するチップ内に内部に論理
回路が形成されたマクロを埋め込んだ半導体集積回路装
置の製造方法において、 前記マクロの入力端子に接続されたマクロ内セルの入力
端子についての第一の遅延パラメータと、該マクロの出
力端子に接続されたマクロ内セルの出力端子についての
第二の遅延パラメータとを求めるキャラクタライズ工程
と、 前記第一の遅延パラメータを入力端子の遅延パラメータ
とし、前記第二の遅延パラメータを出力端子の遅延パラ
メータとする前記マクロの当該遅延パラメータと、前記
複数のセルの遅延パラメータと、該複数のセルとマクロ
によって構成される全体論理回路の接続データにしたが
って、該全体論理回路の遅延時間データを求める工程
と、 該求めた全体論理回路の遅延時間データと前記マクロ内
の遅延時間データとを合体し、その合体された遅延時間
データにしたがって前記全体論理回路の論理シミュレー
ションを行う工程とを有することを特徴とする半導体集
積回路装置の製造方法。
1. A method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device in which a macro having a logic circuit formed therein is embedded in a chip having a plurality of cells, wherein an input terminal of a cell in the macro connected to an input terminal of the macro is provided. Characterizing a first delay parameter and a second delay parameter for the output terminal of the macro cell connected to the output terminal of the macro; and And the delay parameter of the macro with the second delay parameter as the delay parameter of the output terminal, the delay parameter of the plurality of cells, and the connection data of the entire logic circuit configured by the plurality of cells and the macro. Therefore, a step of obtaining the delay time data of the entire logic circuit; The method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device characterized by a step of performing a logic simulation of the entire logic circuit united with the delay time data in the macro, according to the combined delay time data.
【請求項2】請求項1において、 前記第一の遅延パラメータが入力スルーレートに依存す
るパラメータであり、論理回路による該入力スルーレー
トと前記第一の遅延パラメータとから入力遅延時間が求
められることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方
法。
2. The method according to claim 1, wherein the first delay parameter is a parameter dependent on an input slew rate, and an input delay time is obtained from the input slew rate and the first delay parameter by a logic circuit. A method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device, comprising:
【請求項3】請求項1において、 前記第二の遅延パラメータが出力の負荷容量に依存する
パラメータであり、論理回路による該負荷容量と前記第
二の遅延パラメータとから出力遅延時間が求められるこ
とを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
3. The method according to claim 1, wherein the second delay parameter is a parameter dependent on an output load capacity, and an output delay time is obtained from the load capacity and the second delay parameter by a logic circuit. A method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device, comprising:
【請求項4】複数のセルを有するチップ内に内部に論理
回路が形成され内部の遅延時間データが与えられたマク
ロを埋め込んだ半導体集積回路装置の製造方法におい
て、 前記マクロの入力端子に接続された入力側マクロ内セル
の入力端子についての入力スルーレートに依存する第一
の遅延パラメータと、該マクロの出力端子に接続された
出力側マクロ内セルの出力端子についての出力負荷容量
に依存する第二の遅延パラメータとを求めるキャラクタ
ライズ工程と、 前記第一の遅延パラメータを前記入力端子の遅延パラメ
ータとし、前記第二の遅延パラメータを前記出力端子の
遅延パラメータとする前記マクロの当該遅延パラメータ
と、前記複数のセルの遅延パラメータと、該複数のセル
とマクロによって構成される全体論理回路の接続データ
にしたがって、前記マクロの入力端子と出力端子の遅延
時間データと前記複数のセルの遅延時間データを含む該
全体論理回路の遅延時間データを求める工程と、 前記マクロ内の遅延時間データに、前記マクロの入力端
子と出力端子の遅延時間データを、それぞれ前記入力側
マクロ内セルの入力端子の遅延時間データ及び前記出力
側マクロ内セルの出力端子の遅延時間データとして与え
る工程と、 該求めた全体論理回路の遅延時間データと前記マクロ内
の遅延時間データとを合体する工程と、 その合体された遅延時間データにしたがって前記全体論
理回路の論理シミュレーションを行う工程とを有するこ
とを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
4. A method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device in which a macro in which a logic circuit is formed inside a chip having a plurality of cells and to which internal delay time data is given is embedded, wherein the macro is connected to an input terminal of the macro. A first delay parameter depending on the input slew rate of the input terminal of the input side macro cell, and a second delay parameter depending on the output load capacity of the output terminal of the output side macro cell connected to the output terminal of the macro. A characterization step of obtaining a second delay parameter; and the macro delay parameter, wherein the first delay parameter is a delay parameter of the input terminal, and the second delay parameter is a delay parameter of the output terminal. The delay parameters of the plurality of cells and the connection data of the entire logic circuit constituted by the plurality of cells and the macro. Obtaining the delay time data of the entire logic circuit including the delay time data of the input terminal and the output terminal of the macro and the delay time data of the plurality of cells; Providing the input terminal and output terminal delay time data as the input terminal delay time data of the input-side macro cell and the output terminal delay time data of the output-side macro cell, respectively. A semiconductor integrated circuit comprising: a step of combining delay time data of a circuit and delay time data in the macro; and a step of performing a logic simulation of the entire logic circuit according to the combined delay time data. Device manufacturing method.
【請求項5】請求項4において、 前記マクロ内の遅延時間データ及び前記全体論理回路の
遅延時間データは共に、SDF(Standard Delay Forma
t )にしたがって記述されていることを特徴とする半導
体集積回路装置の製造方法。
5. The system according to claim 4, wherein the delay time data in the macro and the delay time data of the entire logic circuit are both SDF (Standard Delay Format).
A method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device described according to (t).
【請求項6】請求項4において、 前記マクロ内の遅延時間データは、前記入力側マクロ内
セルの入力端子への入力スルーレートがゼロとして、及
び前記出力側マクロ内セルの出力端子への負荷容量がゼ
ロとして求めら、当該マクロに予め与えられることを特
徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
6. The delay time data in the macro according to claim 4, wherein an input slew rate to an input terminal of the input-side macro cell is zero, and a load to an output terminal of the output-side macro cell is set. A method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device, wherein a capacity is obtained as zero and is given to the macro in advance.
【請求項7】請求項4において、 前記遅延時間を求める工程において、前記複数のセルが
入力スルーレートに依存する第一の遅延パラメータと出
力容量負荷に依存する第二の遅延パラメータとを少なく
とも有し、 前記全体論理回路に従うそれぞれの入力スルーレートと
前記セルの第一の遅延パラメータ及び前記マクロの入力
端子の遅延パラメータから、該セル及びマクロの入力端
子の遅延時間を求め、 前記全体論理回路に従うそれぞれの負荷容量と前記セル
の第二の遅延パラメータ及び前記マクロの出力端子の遅
延パラメータから、該セル及びマクロの出力端子の遅延
時間を求めることを特徴とする半導体集積回路装置の製
造方法。
7. The method according to claim 4, wherein, in the step of obtaining the delay time, the plurality of cells have at least a first delay parameter dependent on an input slew rate and a second delay parameter dependent on an output capacitance load. Then, the delay time of the input terminal of the cell and the macro is obtained from the input slew rate according to the entire logic circuit, the first delay parameter of the cell, and the delay parameter of the input terminal of the macro. A method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device, comprising: determining a delay time of an output terminal of a cell and a macro from a load capacitance, a second delay parameter of the cell, and a delay parameter of an output terminal of the macro.
【請求項8】請求項4において、 前記マクロを複数有し、それぞれのマクロに与えられた
遅延時間データを前記全体論理回路内での該マクロの電
源電圧に応じて補正することを特徴とする半導体集積回
路装置の製造方法。
8. The apparatus according to claim 4, wherein said plurality of macros are provided, and delay time data given to each macro is corrected in accordance with a power supply voltage of said macro in said overall logic circuit. A method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device.
【請求項9】請求項4において、 前記マクロと前記複数のセルとが異なるデザインルール
で論理設計されていることを特徴とする半導体集積回路
装置の製造方法。
9. The method according to claim 4, wherein the macro and the plurality of cells are logically designed according to different design rules.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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