JPH10261903A - Magnetostatic wave resonator - Google Patents
Magnetostatic wave resonatorInfo
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- JPH10261903A JPH10261903A JP34323897A JP34323897A JPH10261903A JP H10261903 A JPH10261903 A JP H10261903A JP 34323897 A JP34323897 A JP 34323897A JP 34323897 A JP34323897 A JP 34323897A JP H10261903 A JPH10261903 A JP H10261903A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、静磁波発振器を構成す
るプレーナ型静磁波共振子に関する。特に本発明は、入
力電磁波と静磁波との結合係数が低周波数で大きく、か
つ高次の共振モードを抑制可能な電極構造を設けた静磁
波共振子に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a planar magnetostatic wave resonator constituting a magnetostatic wave oscillator. In particular, the present invention relates to a magnetostatic wave resonator provided with an electrode structure having a large coupling coefficient between an input electromagnetic wave and a magnetostatic wave at a low frequency and capable of suppressing a high-order resonance mode.
【０００２】[0002]
【従来技術】プレーナ型構造の静磁波共振子としては、
特開平1-233822号公報に開示された構造が知られてい
る。この公開特許公報に開示された共振子と同様なもの
として、例えば、図８に示す構造が知られている。この
図８に示す共振子は、矩形形状のＧＧＧ基板上２７上に
形成された矩形形状の磁性ガーネット膜２６と、該磁性
ガーネット膜２６上に形成された単一のストリップ電極
２３とからなる。矩形形状の磁性ガーネット膜２６は平
行な２辺２６ａを有し、ストリップ電極２３は磁性ガー
ネット膜２６の平行な２辺２６ａに対し平行に延びる一
対の側縁２３ａを有する。ストリップ電極２３の一方の
端２３ｂは接地され、他方の端２３ｃは入出力端子とし
て使用される。2. Description of the Related Art Planar type magnetostatic wave resonators include:
The structure disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-233822 is known. For example, a structure shown in FIG. 8 is known as a resonator similar to the resonator disclosed in this publication. The resonator shown in FIG. 8 includes a rectangular magnetic garnet film 26 formed on a rectangular GGG substrate 27, and a single strip electrode 23 formed on the magnetic garnet film 26. The rectangular magnetic garnet film 26 has two parallel sides 26a, and the strip electrode 23 has a pair of side edges 23a extending parallel to the two parallel sides 26a of the magnetic garnet film 26. One end 23b of the strip electrode 23 is grounded, and the other end 23c is used as an input / output terminal.
【０００３】入出力端子にはＲＦ信号が入力され、この
ＲＦ信号は、ストリップ電極の接地された端部をＲＦ磁
界最大とする定在波となり、磁性ガーネット膜中に励振
される静磁波と激しく結合する。励振された静磁波は、
ストリップ電極の左右に伝播し磁性ガーネット膜の端辺
で反射するので、磁性ガーネット膜の対向する端辺間の
距離の２倍の波長を主モードとする定在波が磁性ガーネ
ット膜中に生じて共鳴吸収が起こる。このとき、図８に
示すように、ストリップ電極の幅を磁性ガーネット膜の
平行な２辺間の距離ＷG の1/3 以上とすることにより、
波長の短い高次の不要定在波の発生を効果的に抑制でき
る。ここで、入力電磁波から静磁波への変換に関与する
結合線路長は、ストリップ電極の長さ、すなわち磁性ガ
ーネット膜上のストリップ電極の長手方向の一辺の長さ
Ｌに相当する。An RF signal is input to an input / output terminal, and the RF signal becomes a standing wave having a maximum RF magnetic field at a grounded end of the strip electrode, and violently interacts with a magnetostatic wave excited in the magnetic garnet film. Join. The excited magnetostatic wave is
Since the light propagates to the left and right of the strip electrode and is reflected at the edge of the magnetic garnet film, a standing wave having a wavelength twice as long as the main mode in the magnetic garnet film is generated in the magnetic garnet film. Resonant absorption occurs. At this time, as shown in FIG. 8, by 1/3 or more of the distance W G between two parallel sides of the magnetic garnet film the width of the strip electrode,
Generation of a high-order unnecessary standing wave having a short wavelength can be effectively suppressed. Here, the length of the coupling line involved in the conversion from the input electromagnetic wave to the magnetostatic wave corresponds to the length of the strip electrode, that is, the length L of one side in the longitudinal direction of the strip electrode on the magnetic garnet film.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の静磁波
共振子において小型化を図ろうとすると、入力電磁波か
ら静磁波への変換距離が短くなるため、低い周波数では
結合が弱くなる。一般に、結合の強さを表す結合係数
は、共振時の共振子のインピーダンスと共振子に接続さ
れる伝送線路の特性インピーダンスの比で表される。こ
の特性インピーダンスとしては、ＲＦ領域では５０Ωが
使用される。そして、静磁波共振子を用いた発振器を設
計する場合、この結合係数はできるだけ高い方がよい。
しかし、従来の静磁波共振子では、１ＧＨｚ以下の低周
波数で動作する静磁波発振器を得るのが困難であった。
本発明は、上記した問題点に着目して得られたもので、
低周波数でも結合係数が高く、かつ高次モードの共振を
効果的に抑制でき、小型化が容易な静磁波共振子を得る
ことを解決すべき課題とする。In order to reduce the size of the above-described conventional magnetostatic wave resonator, the conversion distance from the input electromagnetic wave to the magnetostatic wave becomes short, so that the coupling becomes weak at a low frequency. In general, a coupling coefficient representing the strength of coupling is represented by a ratio between the impedance of a resonator at the time of resonance and the characteristic impedance of a transmission line connected to the resonator. As the characteristic impedance, 50Ω is used in the RF region. When designing an oscillator using a magnetostatic wave resonator, the higher the coupling coefficient, the better.
However, it has been difficult to obtain a magnetostatic wave oscillator operating at a low frequency of 1 GHz or less with a conventional magnetostatic wave resonator.
The present invention has been obtained by focusing on the above problems,
It is an object to solve the problem of obtaining a magnetostatic wave resonator that has a high coupling coefficient even at a low frequency, can effectively suppress higher-order mode resonance, and can be easily reduced in size.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は、ＧＧＧ基板と、該ＧＧＧ基板上に形成さ
れた少なくとも２辺がほぼ平行な形状の磁性ガーネット
膜と、該磁性ガーネット膜にＲＦ信号を供給する電極
と、を備える静磁波共振子に改良を加える。すなわち、
本発明による静磁波共振子においては、電極は、磁性ガ
ーネット膜の平行な２辺にほぼ平行に延びる少なくとも
一対の主ストリップラインと、該主ストリップラインの
延びる方向にみて磁性ガーネット膜の外側に位置する領
域において該一対の主ストリップラインの一端部を互い
に接続する補助ストリップラインとを備える。そして、
該主ストリップラインの一方の他端が接地導体に、他方
の主ストリップラインの他端が入出力端子に、それぞれ
接続される。In order to solve the above problems, the present invention provides a GGG substrate, a magnetic garnet film formed on the GGG substrate and having at least two sides substantially parallel to each other, and a magnetic garnet film. And an electrode for supplying an RF signal to the magnetostatic wave resonator. That is,
In the magnetostatic wave resonator according to the present invention, the electrodes are at least a pair of main strip lines extending substantially parallel to two parallel sides of the magnetic garnet film, and the electrodes are located outside the magnetic garnet film as viewed in the direction in which the main strip lines extend. And an auxiliary strip line that connects one ends of the pair of main strip lines to each other in a region where the main strip lines are connected. And
One end of the main strip line is connected to a ground conductor, and the other end of the other main strip line is connected to an input / output terminal.
【０００６】本発明の他の態様においては、静磁波共振
子の電極は、磁性ガーネット膜の前記平行な２辺にほぼ
平行に延びる複数本の主ストリップラインと、該複数本
の主ストリップラインの互いに隣接する端部を、該主ス
トリップラインが延びる方向にみて磁性ガーネット膜の
外側に位置する領域でジグザグ状に接続する補助ライン
とを備えるメアンダライン電極として形成される。そし
て、該メアンダライン電極の一端は接地導体に、他端は
入出力端子に、それぞれ接続される。本発明のこの基本
的な特徴によれば、低周波数でも結合係数を高くするこ
とが可能になる。本発明においては、電極の主ストリッ
プラインは磁性ガーネット膜上に重ねて形成し、補助ラ
インは該磁性ガーネット膜が形成されている側でＧＧＧ
基板の面上に形成することが好ましい。また、上記電極
を誘電体基板上に形成し、磁性ガーネット膜は、電極の
主ストリップラインを覆うように該誘電体基板上に密着
固定する構造としてもよい。In another aspect of the present invention, the electrodes of the magnetostatic wave resonator include a plurality of main strip lines extending substantially parallel to the two parallel sides of the magnetic garnet film, and a plurality of main strip lines. Ends adjacent to each other are formed as meander line electrodes including auxiliary lines that are connected in a zigzag manner in a region located outside the magnetic garnet film when viewed in the direction in which the main strip line extends. One end of the meander line electrode is connected to the ground conductor, and the other end is connected to the input / output terminal. According to this basic feature of the present invention, it is possible to increase the coupling coefficient even at a low frequency. In the present invention, the main strip line of the electrode is formed so as to overlap the magnetic garnet film, and the auxiliary line is GGG on the side where the magnetic garnet film is formed.
Preferably, it is formed on the surface of the substrate. Further, the electrode may be formed on a dielectric substrate, and the magnetic garnet film may be tightly fixed on the dielectric substrate so as to cover a main strip line of the electrode.
【０００７】さらに、本発明の別の態様による静磁波共
振子においては、磁性ガーネット膜上に形成された電極
の主ストリップラインと同一本数で、ほぼ同一幅及びほ
ぼ同一ピッチの主ストリップラインと、該主ストリップ
ラインの互いに隣接する端部を接続する補助ラインとを
有する電極をＧＧＧ基板とは別の誘電体基板上に形成
し、磁性ガーネット膜上の電極の主ストリップラインと
誘電体基板上の電極の主ストリップラインとが重なるよ
うに誘電体基板をＧＧＧ基板に重ねて配置し、両基板上
の主ストリップラインを密着融合させる。この場合、誘
電体基板はＧＧＧ基板上の磁性ガーネット膜に接着剤等
により接合固定する。この構成によれば、接地導体や入
出力端子に接続されるライン電極の接続部位、及び主ス
トリップライン間を接続する補助ラインから漏れる高周
波磁界によって磁性ガーネット膜に不要な静磁波が励振
させられることがないようにして、共鳴吸収周波数にご
く接近した領域内の不要モードの共振を抑制することが
可能になる。Further, in a magnetostatic wave resonator according to another aspect of the present invention, a main strip line having the same number, substantially the same width, and substantially the same pitch as the main strip lines of the electrodes formed on the magnetic garnet film is provided. An electrode having an auxiliary line connecting the adjacent ends of the main strip line is formed on a dielectric substrate different from the GGG substrate, and the main strip line of the electrode on the magnetic garnet film and the electrode on the dielectric substrate are formed. The dielectric substrate is placed on the GGG substrate so as to overlap with the main strip line of the electrode, and the main strip lines on both substrates are closely bonded. In this case, the dielectric substrate is bonded and fixed to the magnetic garnet film on the GGG substrate with an adhesive or the like. According to this configuration, unnecessary magnetostatic waves are excited in the magnetic garnet film by the high-frequency magnetic field leaking from the connection portion of the line electrode connected to the ground conductor or the input / output terminal and the auxiliary line connecting between the main strip lines. As a result, it is possible to suppress the resonance of the unnecessary mode in a region very close to the resonance absorption frequency.
【０００８】本発明においては、電極の前記主ストリッ
プラインの各々の幅は、磁性ガーネット膜の平行な２辺
間の距離の1/10から1/3 の間、好ましくは1/6 から1/3
の間の値とすることが好ましい。また、電極の前記主ス
トリップライン間のピッチが磁性ガーネット膜の平行な
２辺の一つとこれに隣接する主ストリップラインとの距
離の２倍であり、かつ、前記磁性ガーネット膜の前記平
行な２辺間の距離の、１／（主ストリップラインの本
数）とすることが好ましい。この構成に加えて、あるい
はこの構成とは別に、磁性ガーネット膜の厚さが１μｍ
から１００μｍの範囲にある場合に、電極の主ストリッ
プラインの各々は、その幅を１００μｍから３５０μｍ
の範囲とすることが好ましい。本発明においては、さら
に、磁性ガーネット膜の厚さが１７μｍから９５μｍの
範囲にある場合において、電極の主ストリップラインの
各々は、その幅を１２０μｍから３４０μｍの範囲とす
ることが特に好ましい。In the present invention, the width of each of the main strip lines of the electrode is between 1/10 and 1/3 of the distance between two parallel sides of the magnetic garnet film, preferably between 1/6 and 1/1. Three
It is preferable to set the value to between. The pitch between the main strip lines of the electrode is twice the distance between one of the two parallel sides of the magnetic garnet film and the adjacent main strip line, and It is preferable that the distance between the sides is 1 / (the number of main strip lines). In addition to or separate from this configuration, the thickness of the magnetic garnet film is 1 μm.
Each of the main strip lines of the electrodes, when in the range from 100 μm to 100 μm, has a width of 100 μm to 350 μm
It is preferable to be within the range. In the present invention, when the thickness of the magnetic garnet film is in the range of 17 μm to 95 μm, it is particularly preferable that each of the main strip lines of the electrode has a width of 120 μm to 340 μm.
【０００９】また、本発明においては、電極の主ストリ
ップラインの各々は、磁性ガーネット膜の厚さが２０μ
ｍから６０μｍの範囲にある場合において、幅を１８０
μｍから３３０μｍの範囲とするか、磁性ガーネット膜
の厚さが５５μｍから１００μｍの範囲にある場合にお
いて、幅を１００μｍから２６０μｍの範囲とすること
で好結果が得られる。ここで、上述の各寸法関係の元に
おける好結果は、磁性ガーネット膜の寸法を１mm x１mm
としたときに顕著に現れる。In the present invention, each of the main strip lines of the electrodes has a magnetic garnet film thickness of 20 μm.
When the width is in the range from m to 60 μm, the width is 180
Good results can be obtained by setting the width in the range of 100 μm to 260 μm when the thickness is in the range of μm to 330 μm or when the thickness of the magnetic garnet film is in the range of 55 μm to 100 μm. Here, a good result under the above dimensional relationships is that the dimension of the magnetic garnet film is 1 mm × 1 mm.
And appear remarkably.
【００１０】[0010]
【実施例】以下、本発明の実施例を図について説明す
る。先ず、図１に示すように、ほぼ矩形形状すなわち直
角四辺形のＧＧＧ基板７の上に磁性ガーネット膜６が形
成された薄片を準備する。この薄片は、ウエハからの切
り出しにより形成することができる。この薄片とは別
に、誘電体基板８上に、それぞれ一端に電極パッド１、
２を有する２本の平行な主ストリップライン３、４を形
成し、該主ストリップライン３、４の各他端間を補助ス
トリップライン５により接続して、ほぼＵ字形の電極を
形成する。磁性ガーネット膜６とＧＧＧ基板７とからな
る薄片を、磁性ガーネット膜６が誘電体基板８上の主ス
トリップライン３、４と補助ストリップライン５からな
る電極に面し、該電極を覆うように重ねる。この場合、
図１に破線で示すように、矩形形状の磁性ガーネット膜
６の平行な２辺９ａ、９ｂが電極の主ストリップライン
３、４に対しほぼ平行で、該主ストリップライン３、４
より外側に位置し、該辺９ａ、９ｂに直角な辺１０ａ、
１０ｂが主ストリップライン３、４を横切るように配置
し、磁性ガーネット膜６を接着剤で誘電体基板８上に固
定する。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. First, as shown in FIG. 1, a thin piece having a magnetic garnet film 6 formed on a GGG substrate 7 having a substantially rectangular shape, that is, a rectangular quadrilateral is prepared. This flake can be formed by cutting from a wafer. Separately from the flakes, the electrode pad 1 is provided on one end of the dielectric substrate 8.
Two parallel main strip lines 3 and 4 having two are formed, and the other end of each of the main strip lines 3 and 4 is connected by an auxiliary strip line 5 to form a substantially U-shaped electrode. A thin piece composed of the magnetic garnet film 6 and the GGG substrate 7 is overlapped so that the magnetic garnet film 6 faces the electrode composed of the main strip lines 3 and 4 and the auxiliary strip line 5 on the dielectric substrate 8 and covers the electrode. . in this case,
As shown by broken lines in FIG. 1, two parallel sides 9a and 9b of the rectangular magnetic garnet film 6 are substantially parallel to the main strip lines 3 and 4 of the electrodes.
A side 10a, which is located further outside and is perpendicular to the sides 9a and 9b,
10b is arranged so as to cross the main striplines 3 and 4, and the magnetic garnet film 6 is fixed on the dielectric substrate 8 with an adhesive.
【００１１】このようにして得られる共振子は、一方の
主ストリップライン３の端部の電極パッド１を接地し、
他方の主ストリップライン４の端部の電極パッド２を入
出力端子として使用する。本実施例において、電極パッ
ド１から電極パッド２までの電極の長さは、該経路上の
電磁波の波長の1/4 以内とする。この関係により、低い
周波数でも入力電磁波と静磁波の結合を高めることがで
きる。また、この構成により、電極パッド１、２及び補
助ストリップライン５から漏れる高周波磁界による磁性
ガーネット膜の長さ方向すなわち主ストリップライン
３、４に平行な方向の不要な静磁波の励振を抑制できる
ので、主共鳴周波数のごく近傍に発生する不要モードを
抑さえることが可能になる。図２は、図８に示す構造の
共振子と図１に示す構造の共振子において、結合係数が
１となる共鳴周波数と結合線路長との関係を示す実験デ
ータである。図から明らかなように、本発明の実施例の
方が、従来の共振子におけるよりも低い周波数で強い結
合を示す。In the resonator thus obtained, the electrode pad 1 at the end of one main strip line 3 is grounded,
The electrode pad 2 at the end of the other main strip line 4 is used as an input / output terminal. In this embodiment, the length of the electrode from the electrode pad 1 to the electrode pad 2 is set to within 1/4 of the wavelength of the electromagnetic wave on the path. Due to this relationship, the coupling between the input electromagnetic wave and the magnetostatic wave can be enhanced even at a low frequency. Further, with this configuration, it is possible to suppress the excitation of unnecessary magnetostatic waves in the length direction of the magnetic garnet film, that is, the direction parallel to the main strip lines 3 and 4 due to the high frequency magnetic field leaking from the electrode pads 1 and 2 and the auxiliary strip line 5. In addition, it is possible to suppress an unnecessary mode generated in the vicinity of the main resonance frequency. FIG. 2 is experimental data showing the relationship between the resonance frequency at which the coupling coefficient is 1 and the coupling line length in the resonator having the structure shown in FIG. 8 and the resonator having the structure shown in FIG. As can be seen, embodiments of the present invention exhibit stronger coupling at lower frequencies than in conventional resonators.
【００１２】本発明の実施例においては、上述したよう
に、補助ストリップライン５と電極パッド１、２は磁性
ガーネット膜６と重ならないように配置される。図３は
この配置の効果を示すものである。図３(a) は、電極パ
ッド１、２と補助ストリップライン５が図３(c) に示す
ように磁性ガーネット膜６に重なるように配置された場
合における静磁波共振子の反射特性を示し、図３(b) は
図１に示す配置の実施例における反射特性を示す。図３
(a) 、図３(b) の対比から明らかなように、本発明の実
施例においては、主共鳴周波数近傍の不要な共鳴モード
が十分に抑制される。したがって、本実施例の構造は、
磁性ガーネット膜の不要共振モードの抑制に効果的であ
る。本発明においては、電極の主ストリップライン３、
４の幅ｗを特定の範囲に定めることが好ましい。すなわ
ち、一つの好ましい態様においては、主ストリップライ
ン３、４の幅ｗは、磁性ガーネット膜６の長さ方向端辺
９ａ、９ｂ間の距離の1/10から1/3 までの範囲、好まし
くは1/6 から1/3 の範囲とする。In the embodiment of the present invention, the auxiliary strip line 5 and the electrode pads 1 and 2 are arranged so as not to overlap the magnetic garnet film 6 as described above. FIG. 3 shows the effect of this arrangement. FIG. 3A shows the reflection characteristics of the magnetostatic wave resonator when the electrode pads 1 and 2 and the auxiliary strip line 5 are arranged so as to overlap the magnetic garnet film 6 as shown in FIG. FIG. 3B shows the reflection characteristics in the embodiment having the arrangement shown in FIG. FIG.
As is clear from the comparison between (a) and FIG. 3 (b), in the embodiment of the present invention, unnecessary resonance modes near the main resonance frequency are sufficiently suppressed. Therefore, the structure of this embodiment is
This is effective in suppressing unnecessary resonance modes of the magnetic garnet film. In the present invention, the main strip line 3 of the electrode,
It is preferable to set the width w of the fourth member in a specific range. That is, in one preferred embodiment, the width w of the main strip lines 3, 4 is in the range of 1/10 to 1/3 of the distance between the longitudinal edges 9a, 9b of the magnetic garnet film 6, and is preferably. The range is 1/6 to 1/3.
【００１３】他の好ましい態様においては、磁性ガーネ
ット膜の厚さが１μｍから１００μｍの範囲、好ましく
は１７μｍから９５μｍの範囲内で、電極の主ストリッ
プラインの各々は、その幅を１００μｍから３５０μｍ
の範囲、好ましくは１２０μｍから３４０μｍの範囲内
とする。さらに、電極の主ストリップライン３、４の各
々は、磁性ガーネット膜の厚さが２０μｍから６０μｍ
の範囲であるとき、その幅を１８０μｍから３３０μｍ
の範囲とすることが好ましく、磁性ガーネット膜の厚さ
が５５μｍから１００μｍの範囲であるとき、その幅を
１００μｍから２６０μｍの範囲とすることにより好結
果が得られる。また、本発明のさらに好ましい態様にお
いては、電極の主ストリップライン間のピッチが磁性ガ
ーネット膜の平行な２辺９ａ、９ｂの一つとこれに隣接
する主ストリップラインとの距離の２倍となり、かつ、
前記磁性ガーネット膜の前記平行な２辺間の距離の、１
／（主ストリップラインの本数）となるように均等に主
ストリップライン３、４を配置する。In another preferred embodiment, the thickness of the magnetic garnet film is in the range of 1 μm to 100 μm, preferably 17 μm to 95 μm, and each of the main strip lines of the electrodes has a width of 100 μm to 350 μm.
, Preferably in the range of 120 μm to 340 μm. Further, each of the main strip lines 3 and 4 of the electrode has a magnetic garnet film thickness of 20 μm to 60 μm.
When the width is 180 μm to 330 μm
When the thickness of the magnetic garnet film is in the range of 55 μm to 100 μm, good results can be obtained by setting the width in the range of 100 μm to 260 μm. In a further preferred aspect of the present invention, the pitch between the main strip lines of the electrodes is twice the distance between one of the two parallel sides 9a and 9b of the magnetic garnet film and the main strip line adjacent thereto, and ,
The distance between the two parallel sides of the magnetic garnet film, 1
/ (Number of main strip lines) Main strip lines 3 and 4 are evenly arranged.
【００１４】本発明においては、電極は図１の実施例に
示すようなほぼＵ字形とは限らず、複数本の主ストリッ
プラインを互いに平行に配置し、互いの隣接する端部を
補助ラインによりジグザグ状になるように接続してメア
ンダ電極の形に形成することもできる。たとえば、対の
主ストリップライン３、４を有するＵ字形の電極構造を
複数組、補助ストリップライン５が縦方向に互いに同一
の側に位置するように磁性ガーネット膜に対して配置
し、隣接する組の主ストリップラインの補助ストリップ
ライン５とは反対側の端部を別の補助ストリップライン
により接続して、ストリップラインがジクザグ状に延び
るメアンダ電極形状とする構造も本発明の範囲に含まれ
る。この構成においても、ストリップラインの厚さや
幅、ピッチ等については上述した関係を維持することが
好ましい。In the present invention, the electrodes are not limited to a substantially U-shape as shown in the embodiment of FIG. 1, but a plurality of main strip lines are arranged in parallel with each other, and adjacent ends are connected by auxiliary lines. They can be connected in a zigzag shape to form a meander electrode. For example, a plurality of sets of U-shaped electrode structures having a pair of main striplines 3 and 4 are arranged on the magnetic garnet film so that the auxiliary striplines 5 are located on the same side in the longitudinal direction, and adjacent sets are formed. The structure in which the end of the main strip line opposite to the auxiliary strip line 5 is connected by another auxiliary strip line to form a meander electrode shape in which the strip line extends in a zigzag shape is also included in the scope of the present invention. Also in this configuration, it is preferable to maintain the above-described relationship regarding the thickness, width, pitch, and the like of the strip line.
【００１５】図４(a) (b) は、図１に示す構造の共振子
において、静磁波共振子の磁性ガーネット膜６のサイズ
が１mm×１mmの場合の主ストリップラインの寸法の影響
を示す実験データである。図４(a) は、磁性ガーネット
膜の高次モードの最も強い値とストリップラインの幅と
の関係を示すもので、値が小さいほど高次モードが抑制
されていることを表している。図４(b) は、高次モード
を最も抑制した時のストリップラインの幅と磁性ガーネ
ット膜の厚さの関係を示す実験データであり、この場
合、実験に使用した磁性ガーネット膜の厚さは１７μ
ｍ、２３μｍ、３０μｍ、３２μｍ、４０μｍ、５６μ
ｍ、９５μｍとした。図から、全体的には、主ストリッ
プライン３、４の幅ｗは、磁性ガーネット膜６の幅方向
端辺９ａ、９ｂ間の距離の1/６から1/3 までの範囲で高
次モードを抑制できることが分かる。さらに、ストリッ
プラインの幅と磁性ガーネット膜の厚さ幅の関係でみる
と、電磁性ガーネット膜の厚さを１μｍから１００μｍ
の範囲内、好ましくは１７μｍから９５μｍの範囲内と
した場合、電極の主ストリップラインの各々において、
その幅を１００μｍから３５０μｍの範囲内、好ましく
は１２０μｍから３４０μｍの範囲内としたとき、高次
モードの抑制効果が高まることが分かる。また、上述し
たように、電極の主ストリップライン３、４の各々は、
磁性ガーネット膜の厚さが２０μｍから６０μｍの範囲
であるとき、その幅を１８０μｍから３３０μｍの範囲
とし、磁性ガーネット膜の厚さが５５μｍから１００μ
ｍの範囲であるとき、幅を１００μｍから２６０μｍの
範囲とすることにより好結果が得られることが分かる。FIGS. 4A and 4B show the influence of the size of the main strip line when the size of the magnetic garnet film 6 of the magnetostatic wave resonator is 1 mm × 1 mm in the resonator having the structure shown in FIG. Experimental data. FIG. 4A shows the relationship between the strongest value of the higher-order mode of the magnetic garnet film and the width of the strip line. The smaller the value, the more the higher-order mode is suppressed. FIG. 4B is experimental data showing the relationship between the width of the strip line and the thickness of the magnetic garnet film when the higher-order mode is suppressed most. In this case, the thickness of the magnetic garnet film used in the experiment is 17μ
m, 23 μm, 30 μm, 32 μm, 40 μm, 56 μ
m and 95 μm. From the figure, as a whole, the width w of the main strip lines 3 and 4 is set to a higher order mode within a range of 1 / to 1 / of the distance between the widthwise side edges 9 a and 9 b of the magnetic garnet film 6. It can be seen that it can be suppressed. Further, in view of the relationship between the width of the strip line and the thickness of the magnetic garnet film, the thickness of the electromagnetic garnet film is from 1 μm to 100 μm.
, Preferably in the range of 17 μm to 95 μm, in each of the main strip lines of the electrodes:
It can be seen that when the width is in the range of 100 μm to 350 μm, preferably in the range of 120 μm to 340 μm, the effect of suppressing higher-order modes increases. Also, as described above, each of the main strip lines 3, 4 of the electrode
When the thickness of the magnetic garnet film is in the range of 20 μm to 60 μm, the width is in the range of 180 μm to 330 μm, and the thickness of the magnetic garnet film is 55 μm to 100 μm.
When the width is in the range of m, it can be seen that good results can be obtained by setting the width in the range of 100 μm to 260 μm.
【００１６】図５は、磁性ガーネット膜６の膜面に垂直
な方向に外部磁界を印加したときの磁性ガーネット膜６
中に立つ静磁波の定在波を、磁性ガーネット膜６と主ス
トリップライン３、４との関係で示すものである。この
図は、主ストリップライン３、４の幅ｗを適当に選ぶこ
とによって磁性ガーネット膜６の幅ＷG 方向の高次のモ
ードを抑制できることを説明するもので、(a) は最も低
次のモードが立った場合を、(b) (c) (d) は順に高次の
モードが立った場合を、それぞれ示す。ここでは、膜厚
モードを一様モードとし、電磁波が入力される方向に立
つモードを1/2波長のモードとして表してある。ここ
で、磁性ガーネット膜６の幅をＷG としたとき、電極の
主ストリップライン３、４の幅を1/6 ＷG 未満とする
と、図５(c) から明らかなように、主ストリップライン
３、４上の電磁波の位相と一致する６次の高次モードが
存在し得ることになる。しかし、図５(b) (d) に示すよ
うに、４次及び８次の高次共振モードは、ストリップラ
イン３、４が４次及び８次のモードの定在波の節に相当
する位置にくるので、定在波として存在し難くなる。FIG. 5 shows the magnetic garnet film 6 when an external magnetic field is applied in a direction perpendicular to the film surface of the magnetic garnet film 6.
The standing wave of the magnetostatic wave standing inside is shown by the relationship between the magnetic garnet film 6 and the main strip lines 3 and 4. This figure is intended to illustrate the ability to suppress the higher modes of the width W G direction of the magnetic garnet film 6 by choosing the width w of the main strip line 3 and 4 appropriately, (a) represents the lowest-order (B), (c) and (d) show the cases where the higher-order modes are set in order. Here, the film thickness mode is defined as a uniform mode, and a mode standing in a direction in which an electromagnetic wave is input is represented as a half wavelength mode. Here, when the width of the magnetic garnet film 6 was W G, and the width of the main strip line 3 and 4 of the electrode is less than 1/6 W G, as it is clear from FIG. 5 (c), the main strip line There will be a sixth higher mode that matches the phase of the electromagnetic waves on 3 and 4. However, as shown in FIGS. 5 (b) and 5 (d), the fourth and eighth higher-order resonance modes correspond to the positions where the strip lines 3 and 4 correspond to the nodes of the standing waves of the fourth and eighth modes. Therefore, it is difficult to exist as a standing wave.
【００１７】主ストリップライン３、４の幅を1/3 ＷG
以上とすると、４次及び８次の高次モードは、主ストリ
ップライン３、４の下に位相の異なる定在波の腹がくる
ことになるので、実質的に打ち消しあって抑制される。
しかし、この場合にも６次の高次モードは抑制できない
ことがある。その理由は、ストリップライン３、４の下
に、電極上の電磁波の位相と合致する静磁定在波の腹の
数が差し引きで実質的に一つ存在し得るからである。そ
こで、主ストリップライン３、４の幅を磁性ガーネット
膜６の幅ＷG の1/6 から1/3 の範囲に選定して、６次の
高次モードがストリップライン３、４の下の位相の異な
る一方の定在波の腹に対して互いに打ち消し合うように
すると、実質的に６次の高次モードが生じないようにす
ることができる。すなわち、高次の共振モードを抑制す
る、という観点からは、電極の主ストリップライン３、
４の幅を磁性ガーネット膜６の幅ＷG の1/6 から1/3 迄
の範囲とし、主ストリップライン３、４を、その幅方向
の中心間間隔を磁性ガーネット膜６の両側の縁の間の距
離の１／２とし、かつ、両側の縁から均等な距離に配置
することが好ましい。The width of the main strip lines 3 and 4 is set to 1/3 W G
In this case, the fourth-order and eighth-order higher-order modes are suppressed because the antinodes of the standing waves having different phases come below the main striplines 3 and 4.
However, also in this case, the sixth-order mode may not be suppressed. The reason is that, under the strip lines 3 and 4, there can be substantially one antinode of the magnetostatic standing wave that matches the phase of the electromagnetic wave on the electrode. Therefore, the width of the main strip line 3 and 4 selected from 1/6 of the width W G of the magnetic garnet film 6 in the range of 1/3, sixth higher order modes under the strip line 3 and 4 of the phase When the antinodes of one standing wave different from each other are canceled each other, it is possible to substantially prevent a sixth-order higher-order mode from occurring. That is, from the viewpoint of suppressing higher-order resonance modes, the main strip line 3 of the electrode,
4 the width of the range of up to 1/3 from 1/6 of the width W G of the magnetic garnet film 6, a main strip line 3 and 4, the center-to-center spacing in the width direction on both sides of the magnetic garnet film 6 edge of It is preferable that the distance is set to の of the distance between them and arranged at an equal distance from both edges.
【００１８】なお、本発明の実施例では、１０次以上の
高次モードが発生する可能性はあるが、この高次のモー
ドの共振は、ストリップライン３、４上の電磁波の位相
と合致し難くなるので、共鳴吸収エネルギは十分に小さ
くなる。また、この高次モードは、主たる最低次のモー
ドに比べて、その共振周波数が十分に離れているので実
用上問題は生じない。以上、本発明の実施例を短形形状
の磁性ガーネット膜について説明してきたが、本発明は
短形形状に限定されない。すなわち、少なくともほぼ平
行な２辺をもつ磁性ガーネット膜の他の２辺は、湾曲し
ている２辺でもよく、あるいは、鋸状に折れ曲がった１
組の辺を２辺とする形状でもよい。図６は、本発明の他
の実施例を示す図１と同様な分解斜視図である。この実
施例では、誘電体基板８上に形成される主ストリップラ
イン３、４と、該主ストリップラインの互いに隣接する
一方向端部を接続する補助ライン５の他に、ＧＧＧ基板
７上の磁性ガーネット膜６上に、主ストリップライン
３、４の幅ｗ0 とほぼ同一の幅ｗ1 のストリップライン
１２、１３が、主ストリップライン３、４の中心間間隔
Ｌ20と同じ中心間間隔Ｌ21で形成されている。この場
合、ストリップライン１２、１３の幅方向中心から磁性
ガーネット膜６の縁までの距離の２倍は、主ストリップ
ライン３、４の間隔Ｌ20及びストリップライン１２、１
３間の間隔と同一である。すなわち、磁性ガーネット膜
の端辺９ａとストリップライン１３の幅方向中心との間
の距離の２倍、または、磁性ガーネット膜の端辺９ｂと
ストリップライン１２の幅方向中心との間の距離の２
倍、およびストリップライン１２、１３の幅方向中心間
距離は、磁性ガーネット膜６の幅方向端辺９ａ、９ｂ間
の幅の１／（磁性ガーネット膜上の主ストリップライン
の本数）とする。そして、ＧＧＧ基板７は、ストリップ
ライン１２、１３が主ストリップライン３、４にそれぞ
れ重なるように誘電体基板８上に置かれる。先の実施例
におけると同様に、本実施例においても、磁性ガーネッ
ト膜６が誘電体基板８に接着される。In the embodiment of the present invention, there is a possibility that a higher-order mode of 10th or higher occurs, but the resonance of this higher-order mode matches the phase of the electromagnetic waves on the strip lines 3 and 4. This makes the resonance absorption energy sufficiently small. In addition, the higher-order mode does not cause any practical problem since its resonance frequency is sufficiently far away from the main lowest-order mode. Although the embodiments of the present invention have been described with reference to the magnetic garnet film having a rectangular shape, the present invention is not limited to the rectangular shape. That is, the other two sides of the magnetic garnet film having at least two substantially parallel sides may be two curved sides, or may be a saw-tooth-shaped one side.
A shape having two sides of the set may be used. FIG. 6 is an exploded perspective view similar to FIG. 1 showing another embodiment of the present invention. In this embodiment, in addition to the main strip lines 3 and 4 formed on the dielectric substrate 8 and the auxiliary lines 5 connecting the adjacent one-directional ends of the main strip lines, the magnetic strips on the GGG substrate 7 on garnet film 6, the width w 0 and approximately strip line 12, 13 of the same width w 1 is the center-to-center spacing L 20 between the same center as the interval L 21 of the main strip line 3 and 4 of the main strip line 3,4 It is formed with. In this case, twice the distance from the widthwise center of the strip line 12 and 13 to the edge of the magnetic garnet film 6, the distance L 20 and the strip line of the main strip line 3,4 12,1
The interval between the three is the same. That is, twice the distance between the edge 9a of the magnetic garnet film and the center of the strip line 13 in the width direction, or two times the distance between the edge 9b of the magnetic garnet film and the center of the strip line 12 in the width direction.
The double and the distance between the centers of the strip lines 12 and 13 in the width direction are set to 1 / (the number of the main strip lines on the magnetic garnet film) of the width between the width side edges 9a and 9b of the magnetic garnet film 6. The GGG substrate 7 is placed on the dielectric substrate 8 such that the strip lines 12 and 13 overlap the main strip lines 3 and 4, respectively. As in the previous embodiment, the magnetic garnet film 6 is also adhered to the dielectric substrate 8 in this embodiment.
【００１９】図７は、本発明のさらに別の実施例を示す
ものである。この実施例では、ＧＧＧ基板７上に矩形形
状の磁性ガーネット膜６が形成され、その上に主ストリ
ップライン３、４と補助ストリップライン５とからなる
電極が形成される。補助ストリップライン５は磁性ガー
ネット膜６から外れてＧＧＧ基板７上に直接形成され
る。また、補助ストリップライン５とは反対側の主スト
リップライン３、４の端部は、ＧＧＧ基板７上に直接形
成された電極パッド１、２に接続される。その他の点で
は、本実施例の構造は先の実施例におけると同様であ
る。FIG. 7 shows still another embodiment of the present invention. In this embodiment, a rectangular magnetic garnet film 6 is formed on a GGG substrate 7, on which electrodes composed of the main strip lines 3, 4 and the auxiliary strip line 5 are formed. The auxiliary strip line 5 is formed directly on the GGG substrate 7 outside the magnetic garnet film 6. The ends of the main strip lines 3 and 4 opposite to the auxiliary strip line 5 are connected to electrode pads 1 and 2 formed directly on the GGG substrate 7. In other respects, the structure of this embodiment is similar to that of the previous embodiment.
【図１】本発明の一実施例を示す静磁波共振子の分解斜
視図である。FIG. 1 is an exploded perspective view of a magnetostatic wave resonator showing one embodiment of the present invention.
【図２】結合係数１における共鳴周波数を本発明の実施
例と比較例とで比較した比較実験データを示す図表であ
る。FIG. 2 is a table showing comparative experimental data in which a resonance frequency at a coupling coefficient of 1 is compared between an example of the present invention and a comparative example.
【図３】本発明の実施例における不要モード抑制効果を
示す図表であり、(a) は比較例における静磁波反射特性
を、(b) は本発明の実施例における静磁波反射特性を、
それぞれ示し、(c) は(a) の実験データを得るのに使用
した共振子の構成を示す平面図である。3A and 3B are tables showing the effect of suppressing unnecessary modes in an example of the present invention, wherein FIG. 3A shows magnetostatic wave reflection characteristics in a comparative example, and FIG. 3B shows magnetostatic wave reflection characteristics in an example of the present invention.
(C) is a plan view showing the configuration of the resonator used to obtain the experimental data of (a).
【図４】主ストリップラインの幅が高次モード抑制効果
に及ぼす影響を示すもので、(a) は主ストリップライン
の幅の影響を、(b) は主ストリップラインの幅と磁性ガ
ーネット膜の厚さの関係をそれぞれ示す図表である。FIGS. 4A and 4B show the effect of the width of the main strip line on the higher-order mode suppression effect. FIG. 4A shows the effect of the width of the main strip line, and FIG. It is a table | surface which shows the relationship of thickness, respectively.
【図５】磁性ガーネット膜の膜面に垂直方向に外部磁界
を印加した場合の静磁波の発生状態を示す概略図であ
る。FIG. 5 is a schematic diagram showing a state of generation of a magnetostatic wave when an external magnetic field is applied in a direction perpendicular to the film surface of the magnetic garnet film.
【図６】本発明の他の実施例を示す図１と同様な分解斜
視図である。FIG. 6 is an exploded perspective view similar to FIG. 1, showing another embodiment of the present invention.
【図７】本発明のさらに他の実施例を示す平面図であ
る。FIG. 7 is a plan view showing still another embodiment of the present invention.
【図８】従来の静磁波共振子を示す平面図である。FIG. 8 is a plan view showing a conventional magnetostatic wave resonator.
１、２ 電極パッド ３、４ 主ストリップライン ５ 補助ストリップライン ６ 磁性ガーネット膜 ７ ＧＧＧ基板 ８ 誘電体基板 1, 2 electrode pad 3, 4 main strip line 5 auxiliary strip line 6 magnetic garnet film 7 GGG substrate 8 dielectric substrate
Claims (12)
れた少なくとも２辺がほぼ平行な形状の磁性ガーネット
膜と、該磁性ガーネット膜にＲＦ信号を供給する電極
と、を備える静磁波共振子であって、 前記電極は、前記磁性ガーネット膜の前記平行な２辺に
ほぼ平行に延びる少なくとも一対の主ストリップライン
と、前記主ストリップラインの延びる方向にみて前記磁
性ガーネット膜の外側に位置する領域において前記一対
の主ストリップラインの一端部を互いに接続する補助ス
トリップラインとを備え、 一方の前記主ストリップラインの他端が接地導体に、他
方の前記主ストリップラインの他端が入出力端子に、そ
れぞれ接続された、ことを特徴とする静磁波共振子。1. A magnetostatic wave resonator comprising: a GGG substrate; a magnetic garnet film formed on the GGG substrate and having at least two sides substantially parallel to each other; and an electrode for supplying an RF signal to the magnetic garnet film. The electrode, at least one pair of main strip lines extending substantially parallel to the two parallel sides of the magnetic garnet film, and a region located outside the magnetic garnet film as viewed in a direction in which the main strip line extends. An auxiliary strip line that connects one end of the pair of main strip lines to each other, the other end of one main strip line to a ground conductor, the other end of the other main strip line to an input / output terminal, A magnetostatic wave resonator which is connected to each other.
れた少なくとも２辺がほぼ平行な形状の磁性ガーネット
膜と、該磁性ガーネット膜にＲＦ信号を供給する電極
と、を備える静磁波共振子であって、 前記電極は、前記磁性ガーネット膜の前記平行な２辺に
ほぼ平行に延びる複数本の主ストリップラインと、前記
複数本の主ストリップラインの互いに隣接する端部を、
該主ストリップラインが延びる方向にみて前記磁性ガー
ネット膜の外側に位置する領域でジグザグ状に接続する
補助ラインとを備えるメアンダライン電極として形成さ
れ、 前記メアンダライン電極の一端は接地導体に、他端は入
出力端子に、それぞれ接続された、ことを特徴とする静
磁波共振子。2. A magnetostatic wave resonator comprising: a GGG substrate; a magnetic garnet film formed on the GGG substrate and having at least two sides substantially parallel to each other; and an electrode for supplying an RF signal to the magnetic garnet film. The electrode, a plurality of main strip lines extending substantially parallel to the two parallel sides of the magnetic garnet film, and mutually adjacent ends of the plurality of main strip lines,
An auxiliary line connected in a zigzag manner in a region located outside the magnetic garnet film as viewed in a direction in which the main strip line extends, one end of the meander line electrode being a ground conductor, and one end being a ground conductor. Is a magnetostatic wave resonator connected to the input and output terminals, respectively.
共振子であって、前記電極のうち、前記主ストリップラ
インは前記磁性ガーネット膜上に重ねて形成され、前記
補助ラインは該磁性ガーネット膜が形成されている側で
前記ＧＧＧ基板の面上に形成されたことを特徴とする静
磁波共振子。3. The magnetostatic wave resonator according to claim 1, wherein, of the electrodes, the main strip line is formed on the magnetic garnet film and the auxiliary line is formed of the magnetic garnet film. A magnetostatic wave resonator formed on a surface of the GGG substrate on a side where a garnet film is formed.
共振子であって、前記電極は誘電体基板上に形成され、
前記磁性ガーネット膜は、前記電極の前記主ストリップ
ラインを覆うように前記誘電体基板上に密着固定された
ことを特徴とする静磁波共振子。4. The magnetostatic wave resonator according to claim 1, wherein the electrode is formed on a dielectric substrate.
The magnetostatic wave resonator is characterized in that the magnetic garnet film is tightly fixed on the dielectric substrate so as to cover the main strip line of the electrode.
共振子であって、前記磁性ガーネット膜上に形成された
電極の主ストリップラインと同一本数で、ほぼ同一幅及
びほぼ同一ピッチの主ストリップラインと、該主ストリ
ップラインの互いに隣接する端部を接続する補助ライン
を有する電極が誘電体基板上に形成され、前記磁性ガー
ネット膜上の電極の前記主ストリップラインと前記誘電
体基板上の電極の前記主ストリップラインとが重なるよ
うに前記誘電体基板を前記磁性ガーネット膜に重ねて両
方の主ストリップラインを密着融合させたことを特徴と
する静磁波共振子。5. The magnetostatic wave resonator according to claim 1, wherein the number of electrodes formed on the magnetic garnet film is the same as the number of main strip lines, and the electrodes have substantially the same width and substantially the same pitch. An electrode having a main strip line and an auxiliary line connecting adjacent ends of the main strip line is formed on a dielectric substrate, and an electrode on the magnetic garnet film is formed on the main strip line and on the dielectric substrate. A magnetostatic wave resonator, wherein the dielectric substrate is superimposed on the magnetic garnet film such that the main strip line of the electrode overlaps with the main strip line, and both main strip lines are closely bonded to each other.
項に記載した静磁波共振子であって、前記電極の前記主
ストリップラインの各々の幅は、前記磁性ガーネット膜
の前記平行な２辺間の距離の1/10から1/3 の間の値であ
ることを特徴とする静磁波共振子。6. Any one of claims 1 to 5
The width of each of the main strip lines of the electrode is a value between 1/10 and 1/3 of a distance between the two parallel sides of the magnetic garnet film. A magnetostatic wave resonator characterized in that:
て、前記電極の前記主ストリップラインの各々の幅は、
前記磁性ガーネット膜の前記平行な２辺間の距離の1/6
から1/3 の間の値であることを特徴とする静磁波共振
子。7. The magnetostatic wave resonator according to claim 6, wherein the width of each of the main strip lines of the electrode is:
1/6 of the distance between the two parallel sides of the magnetic garnet film
A magnetostatic wave resonator characterized in that the value is between 1 and 1/3.
項に記載した静磁波共振子であって、前記電極の前記主
ストリップライン間のピッチが前記磁性ガーネット膜の
前記平行な２辺の一つとこれに隣接する主ストリップラ
インとの距離の２倍であり、かつ、前記磁性ガーネット
膜の前記平行な２辺間の距離の、１／（主ストリップラ
インの本数）であることを特徴とする静磁波共振子。8. Any one of claims 1 to 5
The pitch between the main strip lines of the electrode is twice the distance between one of the two parallel sides of the magnetic garnet film and the main strip line adjacent thereto. A magnetostatic wave resonator, wherein the distance between the two parallel sides of the magnetic garnet film is 1 / (the number of main strip lines).
項に記載した静磁波共振子であって、前記磁性ガーネッ
ト膜の厚さが１μｍから１００μｍの範囲にある場合に
おいて、前記電極の前記主ストリップラインの各々は、
幅が１００μｍから３５０μｍの範囲にあることを特徴
とする静磁波共振子。9. Any one of claims 1 to 8
In the magnetostatic wave resonator according to the item, when the thickness of the magnetic garnet film is in the range of 1 μm to 100 μm, each of the main strip lines of the electrode,
A magnetostatic wave resonator having a width in a range of 100 μm to 350 μm.
って、前記磁性ガーネット膜の厚さが１７μｍから９５
μｍの範囲にある場合において、前記電極の前記主スト
リップラインの各々は、幅が１２０μｍから３４０μｍ
の範囲にあることを特徴とする静磁波共振子。10. The magnetostatic wave resonator according to claim 9, wherein said magnetic garnet film has a thickness of 17 μm to 95 μm.
μm, each of the main strip lines of the electrode has a width of 120 μm to 340 μm.
A magnetostatic wave resonator characterized by the following range:
１項に記載した静磁波共振子であって、前記磁性ガーネ
ット膜の厚さが２０μｍから６０μｍの範囲にある場合
において、前記電極の前記主ストリップラインの各々
は、幅が１８０μｍから３３０μｍの範囲であることを
特徴とする静磁波共振子。11. The magnetostatic wave resonator according to claim 1, wherein the thickness of the magnetic garnet film is in a range of 20 μm to 60 μm. A magnetostatic wave resonator, wherein each of the main strip lines has a width in a range of 180 μm to 330 μm.
１項に記載した静磁波共振子であって、前記磁性ガーネ
ット膜の厚さが５５μｍから１００μｍの範囲にある場
合において、前記電極の前記主ストリップラインの各々
は、幅が１００μｍから２６０μｍの範囲であることを
特徴とする静磁波共振子。12. The magnetostatic wave resonator according to claim 1, wherein the thickness of the magnetic garnet film is in a range of 55 μm to 100 μm. A magnetostatic wave resonator, wherein each of the main strip lines has a width in a range of 100 μm to 260 μm.
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|---|---|---|---|
| JP09343238A JP3130853B2 (en) | 1997-01-20 | 1997-12-12 | Magnetostatic wave resonator |
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|---|---|---|---|
| JP735197 | 1997-01-20 | ||
| JP9-7351 | 1997-01-20 | ||
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10261903A true JPH10261903A (en) | 1998-09-29 |
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| JP (1) | JP3130853B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100329369B1 (en) * | 1999-12-21 | 2002-03-22 | 오길록 | Magnetostatic wave devices for high frequency signal processing |
| JP2014045355A (en) * | 2012-08-27 | 2014-03-13 | Kyocera Corp | Magnetostatic-wave element and magnetostatic-wave device |
-
1997
- 1997-12-12 JP JP09343238A patent/JP3130853B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100329369B1 (en) * | 1999-12-21 | 2002-03-22 | 오길록 | Magnetostatic wave devices for high frequency signal processing |
| JP2014045355A (en) * | 2012-08-27 | 2014-03-13 | Kyocera Corp | Magnetostatic-wave element and magnetostatic-wave device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20001023 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |