JPH10256716A - Manufacture of semiconductor device and its manufacturing apparatus - Google Patents

Manufacture of semiconductor device and its manufacturing apparatus

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JPH10256716A
JPH10256716A JP5366697A JP5366697A JPH10256716A JP H10256716 A JPH10256716 A JP H10256716A JP 5366697 A JP5366697 A JP 5366697A JP 5366697 A JP5366697 A JP 5366697A JP H10256716 A JPH10256716 A JP H10256716A
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JP
Japan
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semiconductor device
solder
injection
bump
pressure
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Application number
JP5366697A
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Japanese (ja)
Inventor
Satoshi Fukuyama
聡 福山
Tsuneo Kobayashi
恒雄 小林
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Priority to JP5366697A priority Critical patent/JPH10256716A/en
Publication of JPH10256716A publication Critical patent/JPH10256716A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3457Solder materials or compositions; Methods of application thereof

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To easily form columnar bumps by CGA at a low cost and greatly improve the connection reliability. SOLUTION: A pressure adjuster 4 feeds a nitrogen gas at a specified pressure to an injection pressure vessel 5 to lower a syringe 7 by this pressure to inject molten solder D of fixed amt. from injection nozzles 8a of an injection plate 8, thereby forming columnar bumps at the electrodes of a semiconductor device. A stage 17 has a cooling mechanism for cooling semiconductor device during forming of the bumps, thereby reliably forming the columnar bumps without deforming them.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法および装置に関し、特に、半導体装置における接続
用のバンプの形成に適用して有効な技術に関するもので
ある。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a technique which is effective when applied to formation of connection bumps in a semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】本発明者が検討したところによれば、B
GA(Ball Grid Array)やフリップチ
ップなどの半導体装置では、球状のはんだなどにより形
成された金属バンプをリードの代わりとして電気的な接
続が行われている。
2. Description of the Related Art According to studies made by the present inventor, B
2. Description of the Related Art In semiconductor devices such as a ball grid array (GA) and a flip chip, electrical connection is performed by using a metal bump formed by a spherical solder instead of a lead.

【0003】この金属バンプは、はんだを蒸着させてバ
ンプを形成する蒸着法、予め形成したはんだボールを半
導体チップに設けるはんだボール付け法や金(Au)な
どのめっきによりバンプを形成するめっき法などにより
形成されている。
The metal bumps are formed by a vapor deposition method of forming a bump by vapor deposition of a solder, a solder ball attaching method of providing a pre-formed solder ball on a semiconductor chip, a plating method of forming a bump by plating with gold (Au), or the like. Is formed.

【0004】なお、この種の半導体装置について詳しく
述べてある例としては、1993年5月31日、日経B
P社発行、香山晋、成瀬邦彦(監修)、「実践講座 V
LSIパッケージング技術(下)」P173、P174
があり、この文献には、BGAの構成などが記載されて
いる。
[0004] As an example describing this type of semiconductor device in detail, see Nikkei B on May 31, 1993.
Published by Company P, Susumu Kayama, Kunihiko Naruse (supervised), "Practical Course V
LSI Packaging Technology (Bottom) "P173, P174
This document describes the configuration of a BGA and the like.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な金属バンプによる半導体装置の電気的な接続では、次
のような問題点があることが本発明者により見い出され
た。
However, the present inventors have found that there are the following problems in the electrical connection of the semiconductor device by the metal bumps as described above.

【0006】すなわち、蒸着法では、処理時間が長時間
化してしまい、半導体チップと配線基板との熱膨張率の
整合が取れない場合に接続信頼性が低下してしまうとい
う問題がある。
That is, in the vapor deposition method, there is a problem that the processing time is lengthened, and when the thermal expansion coefficients of the semiconductor chip and the wiring board cannot be matched, the connection reliability is reduced.

【0007】また、はんだボール付け法は、ボールピッ
チの微細化に伴い、歩留まりが低下してしまうという問
題がある。
[0007] In addition, the solder ball attaching method has a problem that the yield decreases as the ball pitch becomes finer.

【0008】さらに、めっき法では、設備や使用部材が
高価であるので、コストが高くなってしまうという問題
がある。
[0008] Furthermore, the plating method has a problem that the cost is high because the equipment and the members used are expensive.

【0009】本発明の目的は、円柱状のバンプを設けた
CGA(Column GridArray)により、
低コストで容易にかつ接続信頼性を大幅に向上すること
のできる半導体装置の製造方法および装置を提供するこ
とにある。
An object of the present invention is to provide a CGA (Column Grid Array) provided with columnar bumps.
An object of the present invention is to provide a method and an apparatus for manufacturing a semiconductor device which can be easily manufactured at low cost and can greatly improve connection reliability.

【0010】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
SUMMARY OF THE INVENTION Among the inventions disclosed in the present application, the outline of a representative one will be briefly described.
It is as follows.

【0012】すなわち、本発明の半導体装置の製造方法
は、溶融させたはんだを射出する射出ノズルから半導体
装置の電極部に一定量のはんだを射出し、接続用のバン
プを形成するものである。
That is, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, a certain amount of solder is injected into an electrode portion of the semiconductor device from an injection nozzle for injecting molten solder to form connection bumps.

【0013】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
半導体装置を載置する載置手段に設けられた冷却機構に
より、当該半導体装置を冷却しながら該バンプを形成す
るものである。
Further, a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention
The bumps are formed while cooling the semiconductor device by a cooling mechanism provided on a mounting means for mounting the semiconductor device.

【0014】さらに、本発明の半導体製造装置は、半導
体装置を載置する載置手段と、溶融したはんだを貯蔵す
るはんだ槽と、該載置手段に載置された半導体装置にお
ける電極部にはんだ槽のはんだを所定の圧力により一定
量だけ吐出し、円柱状のバンプを形成するバンプ形成手
段とよりなるものである。
Further, according to the present invention, there is provided a semiconductor manufacturing apparatus comprising: a mounting means for mounting a semiconductor device; a solder tank for storing molten solder; and a soldering device for an electrode portion of the semiconductor device mounted on the mounting means. It comprises a bump forming means for forming a columnar bump by discharging a fixed amount of solder in a bath under a predetermined pressure.

【0015】また、本発明の半導体製造装置は、前記バ
ンプ形成手段が、はんだ槽の上部に設けられた供給口か
ら射出用ガスを供給し、はんだ槽内に所定の圧力を加え
るガス供給手段と、はんだ槽に内設され、はんだ槽内の
はんだと前記射出用ガスとを分離し、はんだ槽内のはん
だに均一の圧力を加えて一定量のはんだを吐出する仕切
り板と、はんだ槽の底部に設けられ、該仕切り板により
吐出されたはんだを射出する複数の射出ノズルが半導体
装置の電極と一致する間隔に形成された射出板とにより
構成されるものである。
Further, in the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, the bump forming means may supply gas for injection from a supply port provided at an upper part of the solder bath, and apply a predetermined pressure to the inside of the solder bath. A partition plate installed in the solder bath to separate the solder in the solder bath from the injection gas, apply a uniform pressure to the solder in the solder bath, and discharge a certain amount of solder, and a bottom portion of the solder bath. And a plurality of injection nozzles for injecting the solder discharged from the partition plate are formed at intervals corresponding to the electrodes of the semiconductor device.

【0016】さらに、本発明の半導体製造装置は、前記
射出板が、半導体装置の電極位置に合わせて射出板を交
換できる着脱自在の構造よりなるものである。
Further, in the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, the injection plate has a detachable structure in which the injection plate can be replaced according to the electrode position of the semiconductor device.

【0017】また、本発明の半導体製造装置は、前記載
置手段に、半導体装置を冷却する冷却機構を設けたもの
である。
Further, in the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, the mounting means is provided with a cooling mechanism for cooling the semiconductor device.

【0018】以上のことにより、半導体装置に円柱状の
バンプを低コストで容易にかつ確実に形成することがで
きるので、CGAなどの半導体装置における接続信頼性
を大幅に向上することができる。
As described above, the columnar bumps can be easily and reliably formed at low cost on the semiconductor device, so that the connection reliability in the semiconductor device such as CGA can be greatly improved.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0020】図1は、本発明の一実施の形態によるバン
プ形成装置の説明図、図2,図3は、本発明の一実施の
形態によるバンプ形成装置によるバンプ形成の工程説明
図である。
FIG. 1 is an explanatory view of a bump forming apparatus according to one embodiment of the present invention, and FIGS. 2 and 3 are explanatory views of a bump forming process by the bump forming apparatus according to one embodiment of the present invention.

【0021】本実施の形態において、CGAの円柱状の
バンプを形成するバンプ形成装置(半導体製造装置)1
は、窒素(N2)ガスなどの不活性ガス(射出用ガス)が
充填された圧力容器2が設けられている。
In the present embodiment, a bump forming apparatus (semiconductor manufacturing apparatus) 1 for forming a columnar bump of CGA
Is provided with a pressure vessel 2 filled with an inert gas (injection gas) such as nitrogen (N 2 ) gas.

【0022】また、バンプ形成装置1には、窒素ガスの
逆流を防止する整流弁3および圧力容器2から出力され
る窒素ガスの圧力を可変する圧力調整機構4が設けられ
ている。そして、これら圧力容器2、整流弁3ならびに
圧力調整機構4によりガス供給手段GKが構成されてい
る。
The bump forming apparatus 1 is provided with a rectifying valve 3 for preventing backflow of nitrogen gas and a pressure adjusting mechanism 4 for varying the pressure of nitrogen gas output from the pressure vessel 2. The pressure vessel 2, the rectifying valve 3, and the pressure adjusting mechanism 4 constitute a gas supply unit GK.

【0023】さらに、バンプ形成装置1は、たとえば、
ステンレス製の射出圧力容器(はんだ槽)5が設けら
れ、射出圧力容器5の外周部にははんだを加熱溶融する
ヒータも設けられ、この射出圧力容器5内に溶融したは
んだDが充填される。
Further, the bump forming apparatus 1 includes, for example,
An injection pressure vessel (solder tank) 5 made of stainless steel is provided, and a heater for heating and melting the solder is also provided on the outer peripheral portion of the injection pressure vessel 5, and the injection pressure vessel 5 is filled with the molten solder D.

【0024】そして、圧力容器2、整流弁3ならびに圧
力調整機構4は、配管6により射出圧力容器5の上部に
設けられた供給口5aと接続され、所定の圧力の窒素ガ
スが射出圧力容器5の内部に供給されることになる。
The pressure vessel 2, the rectifying valve 3, and the pressure adjusting mechanism 4 are connected to a supply port 5a provided at an upper portion of the injection pressure vessel 5 by a pipe 6, and nitrogen gas of a predetermined pressure is supplied to the injection pressure vessel 5 Will be supplied inside.

【0025】また、射出圧力容器5の内部には、供給口
5aから供給された窒素ガスと溶融したはんだDとを分
離し、この溶融したはんだDに均一に一定の圧力をかけ
るためのステンレス製などのシュリンジ(仕切り板)7
が設けられている。そして、供給された窒素ガスの圧力
により、このシュリンジ7が押し下げられ、射出圧力容
器5内のはんだDが後述する射出ノズルから吐出される
ことになる。
Further, inside the injection pressure vessel 5, a stainless steel for separating the nitrogen gas supplied from the supply port 5a and the molten solder D and applying a constant pressure to the molten solder D uniformly is used. Syringe (partition plate) 7
Is provided. Then, the syringe 7 is pushed down by the pressure of the supplied nitrogen gas, and the solder D in the injection pressure vessel 5 is discharged from an injection nozzle described later.

【0026】さらに、射出圧力容器5の底部には、ステ
ンレス製の射出用プレート(射出板)8が設けられ、こ
の射出用プレート8は所定のピッチ毎に円形の孔からな
る射出ノズル8aが形成されている。また、射出用プレ
ート8は、取り外し自在な構造となっており、製造する
半導体装置の品種のピッチに合った任意の射出用プレー
トを選択することができる。
Further, an injection plate (injection plate) 8 made of stainless steel is provided at the bottom of the injection pressure vessel 5, and the injection plate 8 has an injection nozzle 8a formed of a circular hole at a predetermined pitch. Have been. Further, the injection plate 8 has a detachable structure, and an arbitrary injection plate suitable for the pitch of the type of semiconductor device to be manufactured can be selected.

【0027】そして、前述したガス供給手段GK、シュ
リンジ7および射出ノズル8aが形成された射出用プレ
ート8によりバンプ形成手段BKが構成されている。
The above-mentioned gas supply means GK, the injection plate 8 on which the syringe 7 and the injection nozzle 8a are formed constitute the bump formation means BK.

【0028】次に、バンプ形成装置1は、射出圧力容器
5に溶融したはんだDを補充するステンレス製などの補
充槽9が設けられ、この補充槽9の外周部にもはんだD
を加熱溶融するヒータが設けられている。
Next, in the bump forming apparatus 1, a replenishing tank 9 made of stainless steel or the like for replenishing the molten solder D into the injection pressure vessel 5 is provided.
Is provided.

【0029】そして、補充槽9は、配管10を介して射
出圧力容器5と接続されており、配管10には補充する
はんだDの供給停止を行うバルブ11が設けられてい
る。また、バルブ11には、補充槽9内のはんだDの供
給停止を行う場合に自動的にバルブ11を開閉するモー
タ12が設けられている。
The replenishing tank 9 is connected to the injection pressure vessel 5 via a pipe 10, and the pipe 10 is provided with a valve 11 for stopping supply of the replenished solder D. Further, the valve 11 is provided with a motor 12 that automatically opens and closes the valve 11 when the supply of the solder D in the replenishing tank 9 is stopped.

【0030】さらに、バンプ形成装置1には、同じく窒
素ガスなどの不活性ガスが充填された圧力容器13、窒
素ガスの逆流を防止する整流弁14および圧力容器13
から出力される窒素ガスの圧力を可変する圧力調整機構
15が設けられいる。
Further, the bump forming apparatus 1 includes a pressure vessel 13 also filled with an inert gas such as nitrogen gas, a rectifying valve 14 for preventing backflow of nitrogen gas, and a pressure vessel 13.
A pressure adjusting mechanism 15 for varying the pressure of the nitrogen gas output from the controller is provided.

【0031】そして、圧力容器13、整流弁14ならび
に圧力調整機構15は、配管16により補充槽9の上部
に設けられた供給口9aと接続され、所定の圧力の窒素
ガスが補充槽9の内部に供給されることにより、射出圧
力容器5に溶融したはんだDを補充する。
The pressure vessel 13, the rectifying valve 14, and the pressure adjusting mechanism 15 are connected to a supply port 9 a provided at an upper portion of the replenishing tank 9 by a pipe 16. To supply the molten solder D to the injection pressure vessel 5.

【0032】また、バンプ形成装置1は、バンプの形成
時に後述する半導体装置を載置するステージ(載置手
段)17が設けられ、このステージ17には載置された
半導体装置を冷却する冷却機構ならびにステージ17を
上下方向に移動させる駆動機構が設けられている。
The bump forming apparatus 1 is provided with a stage (mounting means) 17 on which a semiconductor device described later is mounted at the time of bump formation, and a cooling mechanism for cooling the mounted semiconductor device is provided on the stage 17. In addition, a drive mechanism for moving the stage 17 in the vertical direction is provided.

【0033】次に、本実施の形態の作用について説明す
る。
Next, the operation of the present embodiment will be described.

【0034】まず、図2に示すように、搬送機構などに
よりバンプが形成される電極上にフラックスFが塗布さ
れた半導体装置HSが搬送され、ステージ17の所定の
位置に載置される。
First, as shown in FIG. 2, the semiconductor device HS having the flux F applied on the electrodes on which the bumps are formed is transported by a transport mechanism or the like, and is mounted at a predetermined position on the stage 17.

【0035】ここで、半導体装置HSは、ベアチップの
実装技術の一種であり、前述した電極は半導体チップに
形成され、この電極に形成されたバンプを実装されるプ
リント配線基板の電極に押しつけて電気的に接続するベ
アチップである。
Here, the semiconductor device HS is a kind of bare chip mounting technology, in which the above-mentioned electrodes are formed on a semiconductor chip, and the bumps formed on the electrodes are pressed against the electrodes of the printed wiring board to be mounted, and the electrical connection is made. It is a bare chip that is connected to the other.

【0036】また、この時、射出圧力容器5(図1)内
のはんだDは前述したヒータにより加熱され溶融してい
る。
At this time, the solder D in the injection pressure vessel 5 (FIG. 1) is heated and melted by the above-described heater.

【0037】そして、図3に示すように、前述した駆動
機構によって射出用プレート8との間が所定のクリアラ
ンスとなるまでステージ17が上方に移動される。
Then, as shown in FIG. 3, the stage 17 is moved upward by the above-described drive mechanism until a predetermined clearance is formed between the stage 17 and the injection plate 8.

【0038】次に、圧力調整機構4が所定の圧力の窒素
ガスを射出圧力容器5内に供給し、その圧力によってシ
ュリンジ7を押し下げ、一定量のはんだDを射出用プレ
ート8の各々の射出ノズル8aから射出し、半導体装置
HSの電極部にバンプBを形成する。
Next, the pressure adjusting mechanism 4 supplies a nitrogen gas at a predetermined pressure into the injection pressure vessel 5, presses down the syringe 7 by the pressure, and applies a certain amount of solder D to each injection nozzle of the injection plate 8. Emitting from 8a, a bump B is formed on the electrode portion of the semiconductor device HS.

【0039】また、この時ステージ17の冷却機構によ
り、半導体装置HSは冷却されながらバンプBが形成さ
れるのでバンプBの円柱形状を崩すことなく確実に形成
することができる。
At this time, the semiconductor device HS is formed with the bumps B while being cooled by the cooling mechanism of the stage 17, so that the bumps B can be reliably formed without breaking the columnar shape.

【0040】そして、バンプBを円柱状とすることによ
り、接続されるプリント配線基板などと半導体装置HS
の熱膨張率の整合が取れない場合でも、バンプBが応力
を吸収するので接続信頼性を向上することができる。
By forming the bumps B in a columnar shape, the printed circuit board or the like to be connected is connected to the semiconductor device HS.
Even if the thermal expansion coefficients cannot be matched, the connection reliability can be improved because the bumps B absorb the stress.

【0041】そして、上記した動作を繰り返すことによ
り、半導体装置HSの円柱状のバンプ、すなわち、コラ
ムバンプを形成するが、たとえば、1バッチ毎に1回程
度の試験的なはんだの吐出を行い、射出ノズル8aの目
詰まりを防止する。
By repeating the above operation, a columnar bump, ie, a column bump, of the semiconductor device HS is formed. For example, a test solder is discharged about once per batch, The clogging of the injection nozzle 8a is prevented.

【0042】その後、半導体装置HSにバンプBを形成
するとステージ17は駆動機構によって下方に駆動さ
れ、その後、搬送機構によって所定の位置まで搬送され
る。さらに、射出圧力容器5内のはんだDの量が減った
場合には、バルブ11を開放し、圧力調整機構15の調
節により所定の圧力を補充槽9内に加えることにより、
射出圧力容器5にはんだDを補充する。
After that, when the bumps B are formed on the semiconductor device HS, the stage 17 is driven downward by the drive mechanism, and then is transported to a predetermined position by the transport mechanism. Further, when the amount of the solder D in the injection pressure container 5 decreases, the valve 11 is opened, and a predetermined pressure is applied to the replenishing tank 9 by adjusting the pressure adjusting mechanism 15.
The injection pressure vessel 5 is refilled with the solder D.

【0043】それにより、本実施の形態においては、半
導体装置HSに円柱状のバンプBを低コストで容易にか
つ確実に形成することができ、接続信頼性を大幅に向上
することができる。
Thus, in the present embodiment, the columnar bumps B can be easily and reliably formed at low cost on the semiconductor device HS, and the connection reliability can be greatly improved.

【0044】また、半導体装置HS毎にバンプBを形成
するので、任意の半導体装置HSだけにバンプBを形成
することができ、多品種少量生産の半導体装置HSの生
産効率を向上することができる。
Further, since the bump B is formed for each semiconductor device HS, the bump B can be formed only on an arbitrary semiconductor device HS, and the production efficiency of the semiconductor device HS of a large variety of small production can be improved. .

【0045】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。
As described above, the invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiments of the invention. However, the invention is not limited to the above embodiments, and various modifications may be made without departing from the gist of the invention. Needless to say, it can be changed.

【0046】たとえば、前記実施の形態では、CGAの
フリップチップ半導体装置について記載したが、コラム
バンプは、BGA(Ball Grid Array)
などの球状のバンプが用いられる半導体装置やPGA
(Pin Grid Array)などのピンの代わり
として用いても接続信頼性を大幅に向上することができ
る。
For example, in the above-described embodiment, a CGA flip-chip semiconductor device is described.
Semiconductor devices and PGA using spherical bumps such as
(Pin Grid Array) can be used as a substitute for a pin to greatly improve connection reliability.

【0047】[0047]

【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
Advantageous effects obtained by typical ones of the inventions disclosed by the present application will be briefly described as follows.
It is as follows.

【0048】(1)本発明によれば、半導体装置に円柱
状のバンプを低コストで容易にかつ確実に形成すること
ができる。
(1) According to the present invention, a columnar bump can be easily and reliably formed at low cost on a semiconductor device.

【0049】(2)また、本発明では、上記(1)によ
り、CGAなどの半導体装置における接続信頼性を大幅
に向上することにでき、かつ選択的にバンプを半導体装
置に形成することができるので多品種少量生産の半導体
装置の生産効率を向上することができる。
(2) In the present invention, according to the above (1), connection reliability in a semiconductor device such as a CGA can be greatly improved, and bumps can be selectively formed in the semiconductor device. Therefore, it is possible to improve the production efficiency of a semiconductor device of high-mix low-volume production.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態によるバンプ形成装置の
説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram of a bump forming apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施の形態によるバンプ形成装置に
よるバンプ形成の工程説明図である。
FIG. 2 is an explanatory view of a process of forming a bump by a bump forming apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施の形態によるバンプ形成装置に
よるバンプ形成の工程説明図である。
FIG. 3 is an explanatory view of a process of forming a bump by a bump forming apparatus according to an embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 バンプ形成装置(半導体製造装置) 2 圧力容器 3 整流弁 4 圧力調整機構 5 射出圧力容器(はんだ槽) 5a 供給口 6 配管 7 シュリンジ(仕切り板) 8 射出用プレート(射出板) 8a 射出ノズル 9 補充槽 9a 供給口 10 配管 11 バルブ 12 モータ 13 圧力容器 14 整流弁 15 圧力調整機構 16 配管 17 ステージ(載置手段) BK バンプ形成手段 GK ガス供給手段 HS 半導体装置 D はんだ B バンプ F フラックス DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Bump forming apparatus (semiconductor manufacturing apparatus) 2 Pressure vessel 3 Rectifier valve 4 Pressure adjustment mechanism 5 Injection pressure vessel (solder tank) 5a Supply port 6 Piping 7 Syringe (partition plate) 8 Injection plate (injection plate) 8a Injection nozzle 9 Refill tank 9a Supply port 10 Pipe 11 Valve 12 Motor 13 Pressure vessel 14 Rectifier valve 15 Pressure adjustment mechanism 16 Pipe 17 Stage (mounting means) BK bump forming means GK Gas supply means HS Semiconductor device D Solder B Bump F Flux

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 溶融させたはんだを射出する射出ノズル
から半導体装置の電極部に一定量のはんだを射出し、接
続用のバンプを形成することを特徴とする半導体装置の
製造方法。
1. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: injecting a fixed amount of solder from an injection nozzle for injecting molten solder into an electrode portion of the semiconductor device to form a connection bump.
【請求項2】 前記半導体装置を載置する載置手段に設
けられた冷却機構により前記半導体装置を冷却しながら
前記バンプを形成することを特徴とする半導体装置の製
造方法。
2. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein said bump is formed while cooling said semiconductor device by a cooling mechanism provided on a mounting means for mounting said semiconductor device.
【請求項3】 半導体装置を載置する載置手段と、溶融
したはんだを貯蔵するはんだ槽と、前記載置手段に載置
された前記半導体装置における電極部に前記はんだ槽の
はんだを所定の圧力により一定量だけ吐出し、円柱状の
バンプを形成するバンプ形成手段とよりなることを特徴
とする半導体製造装置。
3. A mounting means for mounting a semiconductor device, a solder bath for storing molten solder, and a solder in the solder bath being applied to an electrode portion of the semiconductor device mounted on the mounting means in a predetermined manner. A semiconductor manufacturing apparatus comprising: a bump forming means for discharging a predetermined amount by pressure to form a columnar bump.
【請求項4】 請求項3記載の半導体製造装置におい
て、前記バンプ形成手段が、前記はんだ槽の上部に設け
られた供給口から射出用ガスを供給し、前記はんだ槽内
に所定の圧力を加えるガス供給手段と、前記はんだ槽に
内設され、前記はんだ槽内のはんだと前記射出用ガスと
を分離し、前記はんだ槽内のはんだに均一の圧力を加え
て一定量のはんだを吐出する仕切り板と、前記はんだ槽
の底部に設けられ、前記仕切り板により吐出されたはん
だを射出する複数の射出ノズルが前記半導体装置の電極
と一致する間隔に形成された射出板とにより構成される
ことを特徴とする半導体製造装置。
4. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 3, wherein said bump forming means supplies an injection gas from a supply port provided at an upper portion of said solder bath, and applies a predetermined pressure to said solder bath. Gas supply means, a partition provided in the solder bath, separating the solder in the solder bath and the injection gas, and applying a uniform pressure to the solder in the solder bath to discharge a fixed amount of solder; A plurality of injection nozzles provided at the bottom of the solder bath and for injecting the solder discharged by the partition plate are formed at intervals corresponding to the electrodes of the semiconductor device. Characteristic semiconductor manufacturing equipment.
【請求項5】 請求項3または4記載の半導体製造装置
において、前記射出板が、前記半導体装置の電極位置に
合わせて前記射出板を交換できる着脱自在の構造よりな
ることを特徴とする半導体製造装置。
5. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 3, wherein said injection plate has a detachable structure capable of replacing said injection plate in accordance with an electrode position of said semiconductor device. apparatus.
【請求項6】 請求項3〜5のいずれか1項に記載の半
導体製造装置において、前記載置手段に、前記半導体装
置を冷却する冷却機構を設けたことを特徴とする半導体
製造装置。
6. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 3, wherein said mounting means is provided with a cooling mechanism for cooling said semiconductor device.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008178892A (en) * 2007-01-23 2008-08-07 Canon Machinery Inc Solder feeding device and solder feeding method

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