JPH10255233A - Manufacture of magnetoresistive head - Google Patents

Manufacture of magnetoresistive head

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Publication number
JPH10255233A
JPH10255233A JP6146697A JP6146697A JPH10255233A JP H10255233 A JPH10255233 A JP H10255233A JP 6146697 A JP6146697 A JP 6146697A JP 6146697 A JP6146697 A JP 6146697A JP H10255233 A JPH10255233 A JP H10255233A
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JP
Japan
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magnetic
film
layer
head
manufacturing
Prior art date
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Application number
JP6146697A
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Japanese (ja)
Inventor
Akio Hori
昭男 堀
Hiroaki Yoda
博明 與田
Yuichi Osawa
裕一 大沢
Masahisa Yoshikawa
将寿 吉川
Masashi Sahashi
政司 佐橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH10255233A publication Critical patent/JPH10255233A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress decreasing of GMR film (giant magnetoresistive film) characteristic, etc., caused by unevenness of a substrate surface in the case that unevenness is formed inevitably on the surface of a magnetic shield layer, a magnetic yoke or the like which becomes a substrate of a GMR film of a shield-type GMR head or a yoke-type GMR head. SOLUTION: In a shield-type GMR head, smoothing processing is applied to, at least, one surface of a lower magnetic shield layer 23 and a lower magnetic gap film 24 to make a smoothed surface 24a from a GMR film substrate. And in a yoke-type GMR head, smoothing processing is applied to a main surface of a flat magnetic yoke. The surface smoothing processing is performed by low-angle ion milling processing, etchback processing using fluidity material, or smooth surface forming processing through inorganic insulating material such as SOG, etc.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
等の磁気記録再生装置に使用される磁気抵抗効果ヘッド
の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a magnetoresistive head used in a magnetic recording / reproducing apparatus such as a magnetic disk drive.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、磁気記録の高密度化が進み、例え
ばハードディスクドライブ(HDD)では 1Gbpsi/inch
2 というような高記録密度システムが実用化されおり、
またさらなる高記録密度化が望まれている。このような
高記録密度システムにおける再生ヘッドにおいては、再
生感度向上の観点から、ある種の磁性薄膜や磁性多層薄
膜等の電気抵抗が外部磁界によって変化するという磁気
抵抗効果を利用した磁気ヘッド(以下、MRヘッドと記
す)に対する期待が高まっている。MRヘッドでは外部
磁界の変化、すなわち記録媒体に記録された信号磁界の
変化を抵抗変化に変換して出力される。
2. Description of the Related Art In recent years, the density of magnetic recording has been increasing. For example, in a hard disk drive (HDD), 1 Gbpsi / inch
High-density systems such as 2 have been put into practical use,
Further, higher recording density is desired. In a read head in such a high recording density system, from the viewpoint of improving read sensitivity, a magnetic head (hereinafter, referred to as a magnetic head) utilizing a magnetoresistive effect in which the electric resistance of a certain magnetic thin film or a magnetic multilayer thin film is changed by an external magnetic field. , MR head). In the MR head, a change in an external magnetic field, that is, a change in a signal magnetic field recorded on a recording medium is converted into a resistance change and output.

【0003】従来、磁気抵抗効果膜(MR膜)には、N
iFe合金等の異方性磁気抵抗効果(AMR)を示す強
磁性材料が用いられてきたが、AMR膜の磁気抵抗変化
率(MR変化率)は高々3%程度であり、小型・大容量化
されたHDD用としてはMR変化率が不十分である。そ
こで、大きなMR変化率が得られる巨大磁気抵抗効果膜
(GMR膜)が注目されており、これを用いた磁気ヘッ
ド(GMRヘッド)の実用化が進められている。特に、
強磁性層/非磁性層/強磁性層構造のサンドイッチ膜を
有するスピンバルブタイプのGMR膜が注目され、多く
の積層構造を有するGMR膜が開発されている。
Conventionally, a magnetoresistive film (MR film) has
Ferromagnetic materials exhibiting an anisotropic magnetoresistive effect (AMR) such as iFe alloys have been used, but the magnetoresistance change rate (MR change rate) of the AMR film is at most about 3%, and the size and capacity are increased The MR ratio is insufficient for the HDD used. Therefore, a giant magnetoresistive film (GMR film) capable of obtaining a large MR ratio has attracted attention, and a magnetic head (GMR head) using this film has been put into practical use. Especially,
Attention has been paid to a spin valve type GMR film having a sandwich film having a ferromagnetic layer / non-magnetic layer / ferromagnetic layer structure, and many GMR films having a multilayer structure have been developed.

【0004】図9に、従来のシールド型MRヘッドの一
構成例を示す。ヘッドを構成するAl2 3 ・TiC基
板(アルチック基板)等からなる基板1の主表面上に
は、Al2 3 等からなる絶縁層2が形成されており、
このAl2 3 絶縁層2上に例えばNiFe系合金膜や
FeAlSi系合金膜等の結晶質軟磁性膜やCoZrN
b系合金膜等の非晶質軟磁性膜からなる下側磁気シール
ド層3が形成されている。
FIG. 9 shows a configuration example of a conventional shield type MR head. An insulating layer 2 made of Al 2 O 3 or the like is formed on a main surface of a substrate 1 made of an Al 2 O 3 .TiC substrate (altic substrate) or the like constituting the head.
The Al 2 O 3 crystalline soft magnetic film and CoZrN such on the insulating layer 2, for example NiFe alloy film and FeAlSi alloy film
A lower magnetic shield layer 3 made of an amorphous soft magnetic film such as a b-based alloy film is formed.

【0005】下側磁気シールド層3上には、Al2 3
等の非磁性絶縁材料からなる下側磁気ギャップ膜4を介
して、所望形状のMR膜5が形成されている。このMR
膜5の上部両端には、MR膜5にセンス電流を供給する
一対の電極(リード)6が接続されている。さらに、上
側磁気ギャップ膜7を介して上側磁気シールド層8が形
成されており、これらによりシールド型MRヘッド9が
構成されている。
[0005] On the lower magnetic shield layer 3, Al 2 O 3
An MR film 5 having a desired shape is formed via a lower magnetic gap film 4 made of a non-magnetic insulating material such as the above. This MR
A pair of electrodes (leads) 6 for supplying a sense current to the MR film 5 are connected to both upper ends of the film 5. Further, an upper magnetic shield layer 8 is formed with an upper magnetic gap film 7 interposed therebetween, and these constitute a shield type MR head 9.

【0006】上述した従来のシールド型MRヘッド9に
おいては、以下に示すような各層の表面凹凸が問題とな
っている。図10は図9におけるMR膜5までの積層部
分を拡大して示すモデル図である。図10に示すよう
に、ヘッドを構成するAl2 3 ・TiC基板1は焼結
体であるため、例えば表面粗さRmax で 0.8μm 程度の
大きな表面凹凸を有しており、その上に被覆形成される
Al2 3 絶縁層2の表面には、その大きな表面凹凸が
転写される。このAl2 3 絶縁層2表面の大きな凹凸
は研磨加工等により除去しているが、その際に表面粗さ
max で 6nm程度の微小凹凸10が残ることは避けられ
ない。ここで、本発明における表面凹凸は例えば原子間
力顕微鏡(AFM)、透過型電子顕微鏡(TEM)、高
分解能走査型電子顕微鏡(高分解能SEM)等で、下地
表面の表面凹凸を所定範囲について測定し、その測定範
囲から通常の方法でRmax を決定するものとする。
In the conventional shield type MR head 9 described above, surface irregularities of each layer as described below are problematic. FIG. 10 is an enlarged model diagram showing a laminated portion up to the MR film 5 in FIG. As shown in FIG. 10, since the Al 2 O 3 .TiC substrate 1 constituting the head is a sintered body, it has large surface irregularities, for example, with a surface roughness R max of about 0.8 μm. The large surface irregularities are transferred to the surface of the Al 2 O 3 insulating layer 2 to be formed by coating. Although the large irregularities on the surface of the Al 2 O 3 insulating layer 2 are removed by polishing or the like, it is inevitable that minute irregularities 10 having a surface roughness R max of about 6 nm remain. Here, the surface irregularities in the present invention are measured by, for example, an atomic force microscope (AFM), a transmission electron microscope (TEM), a high-resolution scanning electron microscope (high-resolution SEM), or the like, for a predetermined range. Then, Rmax is determined from the measurement range by a usual method.

【0007】このような微小凹凸10を有するAl2
3 絶縁層2上に下側磁気シールド層3を形成すると、そ
の微小凹凸10が核となって異常成長が発生する。この
異常成長は表面凹凸に起因するコアストラクチャーで有
り、下地の微小凹凸が誇張されて、Al2 3 絶縁層2
の表面凹凸10より下側磁気シールド層3の表面凹凸1
1は大きくなり、例えば表面粗さRmax で12nmにもな
る。このとき、下側磁気シールド層3に結晶質の軟磁気
材料を選択した場合には、その結晶粒より表面粗さの方
が大きくなることは必然的である。さらに、下側磁気シ
ールド層3上に形成する下側磁気ギャップ膜4にも、当
然ながら表面凹凸11′は転写される。
Al 2 O having such fine irregularities 10
(3) When the lower magnetic shield layer 3 is formed on the insulating layer 2, abnormal growth occurs due to the fine irregularities 10 serving as nuclei. This abnormal growth is a core structure caused by surface irregularities, and the minute irregularities of the underlying layer are exaggerated to form the Al 2 O 3 insulating layer 2.
Surface irregularities 1 of the magnetic shield layer 3 below the surface irregularities 10
1 increases, it becomes 12nm, for example surface roughness R max. At this time, when a crystalline soft magnetic material is selected for the lower magnetic shield layer 3, it is inevitable that the surface roughness is larger than the crystal grains. Further, the surface irregularities 11 ′ are naturally transferred to the lower magnetic gap film 4 formed on the lower magnetic shield layer 3.

【0008】上述したような表面凹凸11′を有する下
地上に、MR膜5としてスピンバルブ膜等のGMR膜を
形成した場合、GMR膜を構成する各層の厚さは 2〜10
nm程度と極めて薄いことから、GMR膜が形成される下
地表面、すなわち下地の表面凹凸11′を均一に被覆で
きないおそれが高い。このように、いわゆるカバーレジ
が悪い状態(図中12で示す)が生じると、多層積層構
造のGMR膜に段切れが発生したり、また層間分離が損
われる等して、GMR膜のMR変化率が低下するという
ような問題が生じる。
When a GMR film such as a spin-valve film is formed as the MR film 5 on the base having the surface irregularities 11 'as described above, the thickness of each layer constituting the GMR film is 2 to 10
Since it is extremely thin, on the order of nm, there is a high possibility that the surface of the base on which the GMR film is formed, that is, the surface irregularities 11 'of the base cannot be uniformly covered. As described above, when a so-called poor cover registration state (indicated by reference numeral 12 in the figure) occurs, the GMR film having a multilayered structure has a step breakage, and the interlayer separation is impaired. This causes a problem such as a decrease in

【0009】一方、記録密度の向上に対応するために、
接触記録再生方式を実現可能とするヨーク型MRヘッド
も検討されている。これはヘッド内部に配置されたMR
素子に、媒体対向面側に磁気ギャップ膜を介在させた磁
気ヨークにより信号磁界を導くものである。従来のヨー
ク型MRヘッドとしては、例えば平面型磁気ヨークの上
側に、MR膜をストライプ方向がバックギャップをまた
ぐように形成した構造が提案されている。このようなヨ
ーク型MRヘッドにおいては、磁気ヨークの表面凹凸が
問題となり、GMR膜を適用する場合には上述したシー
ルド型MRヘッドと同様な問題が生じている。
On the other hand, in order to cope with an increase in recording density,
A yoke type MR head that can realize a contact recording / reproducing method is also being studied. This is the MR located inside the head
The signal magnetic field is guided to the element by a magnetic yoke having a magnetic gap film interposed on the medium facing surface side. As a conventional yoke type MR head, for example, a structure has been proposed in which an MR film is formed above a planar magnetic yoke so that the stripe direction extends over a back gap. In such a yoke type MR head, the surface unevenness of the magnetic yoke becomes a problem, and when a GMR film is applied, the same problem as the above-mentioned shield type MR head occurs.

【0010】さらに、平面型磁気ヨークを適用したヨー
ク型MRヘッドは、従来の薄膜磁気ヘッドに比べて製造
工程数が多く、製造コストが高くなるという問題を有し
ている。図11および図12は従来の平面型磁気ヨーク
の製造工程を示している。
Further, the yoke type MR head to which the plane type magnetic yoke is applied has a problem that the number of manufacturing steps is larger and the manufacturing cost is higher than the conventional thin film magnetic head. FIG. 11 and FIG. 12 show a manufacturing process of a conventional planar magnetic yoke.

【0011】すなわち、まず図11(a)に示すよう
に、基板13上に平面型磁気ヨークを構成する一方の軟
磁性体層14を形成する。この際に、成膜工程、PEP
工程およびエッチング工程を各 1回ずつ要する。次い
で、図11(b)に示すように、第1の軟磁性体層13
上を含めて磁気ギャップ膜15および第2の軟磁性体層
16を成膜する( 1成膜工程)。図11(c)に示すよ
うに、これらの表面をエッチバック等により平滑化( 1
PEP、 1エッチング工程)した後、図12(a)に示
すように、バックギャップ17部分をPEP工程および
エッチング工程により形成する( 1PEP工程、 1エッ
チング工程)。エッチングにより形成したバックギャッ
プ17部分に絶縁膜18を成膜(図12(b): 1成膜
工程)した後に、図12(c)に示すように、その表面
を平滑化する( 1PEP工程、 1エッチング工程)。こ
れらの工程を経て平面型磁気ヨーク19が得られる。
That is, first, as shown in FIG. 11A, one soft magnetic layer 14 constituting a planar magnetic yoke is formed on a substrate 13. At this time, the film forming process, PEP
One process and one etching process are required. Next, as shown in FIG. 11B, the first soft magnetic layer 13 is formed.
The magnetic gap film 15 and the second soft magnetic layer 16 including the above are formed (1 film forming step). As shown in FIG. 11C, these surfaces are smoothed by etchback or the like (1).
After PEP, one etching step), as shown in FIG. 12A, a back gap 17 is formed by a PEP step and an etching step (1 PEP step, one etching step). After the insulating film 18 is formed on the back gap 17 formed by etching (FIG. 12B: one film forming step), the surface is smoothed as shown in FIG. 12C (1 PEP step, 1 etching process). Through these steps, the planar magnetic yoke 19 is obtained.

【0012】このように、従来の平面型磁気ヨーク19
の製造方法では、 3回の成膜工程、4回のPEP工程お
よび 4回のエッチング工程が必要であり、製造工程数の
増大が問題となっている。
As described above, the conventional planar magnetic yoke 19
The manufacturing method of (1) requires three film forming steps, four PEP steps, and four etching steps, and thus increases the number of manufacturing steps.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のシールド型MRヘッドにおいては、基板表面の表面凹
凸が磁気シールド層や磁気ギャップ膜で増幅され、MR
膜の下地表面に大きな表面凹凸の存在が避けられないと
いう問題がある。このような表面凹凸を有する下地上に
MR膜、特に積層構造のGMR膜を形成すると、段切れ
や層間分離不良等が発生しやすく、これがGMR膜のM
R変化率等の特性低下原因となっている。ヨーク型MR
ヘッドの場合についても同様であり、磁気ヨークの表面
凹凸によりシールド型MRヘッドと同様な問題が生じて
いる。さらに、ヨーク型MRヘッドについては、従来の
薄膜磁気ヘッド等に比べて製造工程数が多く、製造コス
トの増大も問題となっている。
As described above, in the conventional shield type MR head, the surface irregularities on the substrate surface are amplified by the magnetic shield layer and the magnetic gap film, and
There is a problem that the presence of large surface irregularities on the underlayer surface of the film is unavoidable. If an MR film, particularly a GMR film having a laminated structure, is formed on a base having such surface irregularities, disconnection of the steps, poor interlayer separation, and the like are likely to occur.
This is a cause of deterioration in characteristics such as an R change rate. Yoke type MR
The same applies to the case of the head, and the same problem as the shield type MR head occurs due to the surface unevenness of the magnetic yoke. Furthermore, the yoke type MR head requires more manufacturing steps than conventional thin-film magnetic heads and the like, and increases the manufacturing cost.

【0014】本発明は、このような課題に対処するため
になされたもので、磁気シールド層や磁気ヨーク等のG
MR膜の下地表面に必然的に凹凸が形成される場合であ
っても、GMR膜の特性低下等を抑制することを可能に
した磁気抵抗効果ヘッドの製造方法を提供することを目
的としている。また、ヨーク型MRヘッドの製造工程数
を削減することによって、製造コストの増大を抑制する
ことを可能にした磁気抵抗効果ヘッドの製造方法を提供
することを目的としている。
The present invention has been made to address such a problem, and has been made in consideration of a magnetic shield layer and a magnetic yoke.
It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a magnetoresistive effect head capable of suppressing deterioration of characteristics of a GMR film even when irregularities are necessarily formed on a base surface of an MR film. It is another object of the present invention to provide a method of manufacturing a magnetoresistive head capable of suppressing an increase in manufacturing cost by reducing the number of manufacturing steps of a yoke type MR head.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明の磁気抵抗効果ヘ
ッドの製造方法は、請求項1に記載したように、下側磁
気シールド層と、前記下側磁気シールド層上に下側磁気
ギャップ膜を介して形成され、強磁性層と非磁性層との
磁性多層膜を有する磁気抵抗効果素子部と、前記磁気抵
抗効果素子部上に上側磁気ギャップ膜を介して形成され
た上側磁気シールド層とを具備する磁気抵抗効果ヘッド
の製造方法において、前記下側磁気シールド層および下
側磁気ギャップ膜の少なくとも一方の表面に処理を施し
て、前記表面を平滑化する工程を有することを特徴とし
ている。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a magnetoresistive head, comprising: a lower magnetic shield layer; and a lower magnetic gap film on the lower magnetic shield layer. A magnetoresistive element having a magnetic multilayer film of a ferromagnetic layer and a nonmagnetic layer, and an upper magnetic shield layer formed on the magnetoresistive element with an upper magnetic gap film interposed therebetween. The method of manufacturing a magnetoresistive head comprising the step of: performing a treatment on at least one surface of the lower magnetic shield layer and the lower magnetic gap film to smooth the surface.

【0016】上記平滑化工程としては、例えば請求項2
に記載したように、前記下側磁気シールド層および下側
磁気ギャップ膜の少なくとも一方の表面を、ひの表面へ
のイオン照射角度を変化させつつ、低角度でイオンミリ
ングする工程が挙げられる。あるいは、請求項3に記載
したように、前記平滑化工程は前記下側磁気シールド層
および下側磁気ギャップ膜の少なくとも一方の表面を流
動性材料で覆い、前記流動性材料を硬化させた後、前記
硬化させた流動性材料を介して前記下側磁気シールド層
および下側磁気ギャップ膜の少なくとも一方の一部をエ
ッチングする工程であってもよい。また、これら以外の
表面平滑化工程を適用することも可能である。
In the smoothing step, for example,
As described in above, a step of ion-milling at least one surface of at least one of the lower magnetic shield layer and the lower magnetic gap film at a low angle while changing the ion irradiation angle on the surface of the lower magnetic shield layer. Alternatively, as described in claim 3, the smoothing step covers at least one surface of the lower magnetic shield layer and the lower magnetic gap film with a fluid material, and after curing the fluid material, A step of etching at least a part of at least one of the lower magnetic shield layer and the lower magnetic gap film through the cured fluid material may be performed. In addition, it is also possible to apply a surface smoothing step other than these.

【0017】上述した磁気抵抗効果ヘッドの製造方法に
おいては、下側磁気シールド層および下側磁気ギャップ
膜の少なくとも一方の表面に対して、上述したような表
面平滑化処理を施している。従って、下側磁気シールド
層の成膜表面に凹凸が必然的に形成されるような場合に
おいても、強磁性層と非磁性層との磁性多層膜からなる
磁気抵抗効果膜に対しては平滑な下地表面を提供するこ
とができ、磁気抵抗効果膜の特性低下等を抑制すること
が可能となる。
In the above-described method of manufacturing a magnetoresistive head, at least one surface of the lower magnetic shield layer and the lower magnetic gap film is subjected to the above-described surface smoothing treatment. Therefore, even when irregularities are inevitably formed on the deposition surface of the lower magnetic shield layer, the magnetoresistive effect film composed of the magnetic multilayer film of the ferromagnetic layer and the nonmagnetic layer is smooth. An underlayer surface can be provided, and it is possible to suppress a decrease in characteristics of the magnetoresistive film.

【0018】本発明の他の磁気抵抗効果ヘッドの製造方
法は、請求項4に記載したように、媒体対向面側に磁気
ギャップが介在された平面型磁気ヨークと、前記平面型
磁気ヨークの主表面上に形成され、強磁性層と非磁性層
との磁性多層膜を有する磁気抵抗効果素子部とを具備す
る磁気抵抗効果ヘッドの製造方法において、前記平面型
磁気ヨークの主表面に処理を施して、前記主表面を平滑
化する工程を有することを特徴としている。
According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a magnetoresistive head, comprising: a planar magnetic yoke having a magnetic gap on a medium facing surface side; In a method for manufacturing a magnetoresistive effect head including a magnetoresistive element portion formed on a surface and having a magnetic multilayer film of a ferromagnetic layer and a nonmagnetic layer, a process is performed on a main surface of the planar magnetic yoke. And a step of smoothing the main surface.

【0019】この磁気抵抗効果ヘッドの製造方法におい
ても、平面型磁気ヨークの表面に凹凸が必然的に形成さ
れるような場合においても、強磁性層と非磁性層との磁
性多層膜からなる磁気抵抗効果膜に対しては平滑な下地
表面を提供することができる。従って、磁気抵抗効果膜
の特性低下等を抑制することが可能となる。
In this method of manufacturing a magnetoresistive effect head, even in the case where irregularities are inevitably formed on the surface of a planar magnetic yoke, a magnetic layer comprising a ferromagnetic layer and a nonmagnetic layer is used. A smooth underlayer surface can be provided for the resistance effect film. Accordingly, it is possible to suppress a decrease in the characteristics of the magnetoresistive film.

【0020】本発明のさらに他の磁気抵抗効果ヘッドの
製造方法は、請求項5に記載したように、基板上に形成
された一対の磁性体層からなる平面型磁気ヨークと、前
記平面型磁気ヨークの媒体対向面側に介在された磁気ギ
ャップと、前記平面型磁気ヨーク上に形成され、強磁性
層と非磁性層との磁性多層膜を有する磁気抵抗効果素子
部とを具備する磁気抵抗効果ヘッドの製造方法におい
て、前記基板上に、非磁性絶縁材料からなる島状凸部を
形成する工程と、前記島状凸部を有する基板上に、前記
平面型磁気ヨークを構成する一方の磁性体層を形成する
と共に、前記一方の磁性体層の少なくとも前記磁気ギャ
ップ形成部を加工する工程と、前記一方の磁性体層を有
する基板上に、前記磁気ギャップおよび前記平面型磁気
ヨークを構成する他方の磁性体層を形成すると共に、こ
れら一対の磁性体層の表面を平滑化する工程とを有する
ことを特徴としている。
According to still another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a magnetoresistive head, comprising: a planar magnetic yoke comprising a pair of magnetic layers formed on a substrate; A magnetoresistive effect comprising: a magnetic gap interposed on the medium facing surface side of the yoke; and a magnetoresistive effect element formed on the planar magnetic yoke and having a magnetic multilayer film of a ferromagnetic layer and a nonmagnetic layer. In the method of manufacturing a head, a step of forming an island-shaped convex portion made of a nonmagnetic insulating material on the substrate, and one of the magnetic members constituting the planar magnetic yoke on the substrate having the island-shaped convex portion Forming a layer and processing at least the magnetic gap forming portion of the one magnetic layer; and forming the magnetic gap and the planar magnetic yoke on a substrate having the one magnetic layer. To form a magnetic layer, it is characterized by a step of smoothing the surface of the pair of magnetic layers.

【0021】上記した本発明の磁気抵抗効果ヘッドの製
造方法においては、従来の製造工程に比べて、平面型磁
気ヨークを作製する際のPEP工程数およびエッチング
工程数を削減することができるため、ヨーク型磁気抵抗
効果ヘッドにおける製造コストの増大を抑制することが
可能となる。
In the above-described method of manufacturing a magnetoresistive head according to the present invention, the number of PEP steps and the number of etching steps for manufacturing a planar magnetic yoke can be reduced as compared with the conventional manufacturing steps. It is possible to suppress an increase in manufacturing cost in the yoke type magnetoresistive head.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】以下、本発明を実施するための形
態について図面を参照して説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0023】図1は、本発明の磁気抵抗効果ヘッドの製
造方法を適用して作製したシールド型GMRヘッドの一
構成例を示す断面図である。なお、図1は媒体対向面か
ら見た断面図であり、その垂直方向が記録媒体の走査方
向となる。このシールド型GMRヘッドは、例えば録再
一体型ヘッドの再生ヘッド部等として使用されるもので
ある。
FIG. 1 is a sectional view showing an example of the configuration of a shield type GMR head manufactured by applying the method for manufacturing a magnetoresistive head of the present invention. FIG. 1 is a cross-sectional view as viewed from the medium facing surface, and the vertical direction is the scanning direction of the recording medium. This shield type GMR head is used, for example, as a reproducing head of a recording / reproducing integrated head.

【0024】同図において、21はAl2 3 絶縁層2
2をその主表面上に有するAl2 3 ・TiC基板であ
る。このAl2 3 ・TiC基板21の表面は研磨され
ているものの、前述したようにAl2 3 絶縁層22上
には微小凹凸10が残存している。このような微小凹凸
10を有するAl2 3 絶縁層22上には、NiFe系
合金膜やFeAlSi系合金膜等の結晶質軟磁性膜やC
oZrNb系合金膜等の非晶質軟磁性膜等からなる下側
磁気シールド層23が形成されている。
In the figure, reference numeral 21 denotes an Al 2 O 3 insulating layer 2
2 is an Al 2 O 3 .TiC substrate having No. 2 on its main surface. Although the surface of the Al 2 O 3 .TiC substrate 21 is polished, the fine irregularities 10 remain on the Al 2 O 3 insulating layer 22 as described above. On Al 2 O 3 insulating layer 22 having such fine irregularities 10, the crystalline soft magnetic film such as NiFe alloy film and FeAlSi alloy film and C
A lower magnetic shield layer 23 made of an amorphous soft magnetic film such as an oZrNb-based alloy film is formed.

【0025】この下側磁気シールド層23には例えばイ
オン照射角度を振った低角度イオンミリングによる表面
処理が施されており、その表面23aは平滑化されてい
る。表面平滑化工程については後に詳述するが、上記し
た低角度イオンミリング以外に、例えば平滑化する層に
流動性材料を流し込んで微小凹凸を埋めてから、流動性
材料を硬化させて被覆し、その後硬化させた流動性材料
を介して平滑化する層の一部をエッチングして平滑化す
る方法(流動性材料を用いたエッチバック処理)等を適
用することもできる。また、表面平滑化工程を施す層は
後述する下側磁気ギャップ膜24であってもよい。
The lower magnetic shield layer 23 is subjected to a surface treatment by, for example, low-angle ion milling in which the ion irradiation angle is changed, and the surface 23a is smoothed. Although the surface smoothing step will be described in detail later, in addition to the above-described low angle ion milling, for example, a flowable material is poured into a layer to be smoothed to fill fine irregularities, and the flowable material is cured and coated, Thereafter, a method of etching and smoothing a part of the layer to be smoothed through the hardened flowable material (etchback treatment using the flowable material) or the like can be applied. The layer to be subjected to the surface smoothing step may be a lower magnetic gap film 24 described later.

【0026】さらに、上記したような表面加工による平
滑化工程に限らず、例えば下側磁気シールド層23、も
しくは下側磁気ギャップ膜24上にスピンオンガラス
(SOG)を塗布し、これを溶融焼結させることによっ
て、ガラスの表面平滑性を利用して下側磁気シールド層
23や下側磁気ギャップ膜24の表面を平滑化すること
も可能である。なお、ガラス層は下側磁気ギャップ膜2
4として利用することができるため、下側磁気シールド
層23に対してガラスによる表面平滑化工程を施すこと
が好ましい。
Further, the present invention is not limited to the above-described smoothing process by surface processing. For example, spin-on glass (SOG) is applied on the lower magnetic shield layer 23 or the lower magnetic gap film 24 and melt-sintered. By doing so, it is also possible to smooth the surfaces of the lower magnetic shield layer 23 and the lower magnetic gap film 24 by utilizing the surface smoothness of the glass. The glass layer is the lower magnetic gap film 2
Therefore, the lower magnetic shield layer 23 is preferably subjected to a surface smoothing step using glass.

【0027】平滑化された表面23aを有する下側磁気
シールド層23上には、Al2 3等の非磁性絶縁材料
からなる下側磁気ギャップ膜24が形成されている。下
側磁気ギャップ膜24の表面24aも、下側磁気シール
ド層23の表面平滑性を反映して平滑状態が維持されて
いる。そして、このような平滑表面24aを有する下側
磁気ギャップ膜24上に、強磁性層と非磁性層との磁性
多層膜を有するGMR膜25が所望形状に形成されてい
る。
On the lower magnetic shield layer 23 having the smoothed surface 23a, a lower magnetic gap film 24 made of a non-magnetic insulating material such as Al 2 O 3 is formed. The surface 24a of the lower magnetic gap film 24 also maintains a smooth state reflecting the surface smoothness of the lower magnetic shield layer 23. On the lower magnetic gap film 24 having such a smooth surface 24a, a GMR film 25 having a magnetic multilayer film of a ferromagnetic layer and a non-magnetic layer is formed in a desired shape.

【0028】GMR膜25の両端部上側には、GMR膜
25にセンス電流を供給する、CuやCu合金等の良導
性材料からなる一対の電極(リード)26が形成されて
いる。ここで、一対の電極26の間隙幅がトラック幅を
規定している。また、GMR膜25の幅方向両端部下側
には、GMR膜25にバイアス磁界を付与するCoPt
合金等からなる一対の硬磁性膜27が形成されている。
これらによって、GMR素子部28が構成されている。
Above both ends of the GMR film 25, a pair of electrodes (leads) 26 for supplying a sense current to the GMR film 25 and made of a conductive material such as Cu or a Cu alloy are formed. Here, the gap width between the pair of electrodes 26 defines the track width. A CoPt for applying a bias magnetic field to the GMR film 25 is provided below both ends in the width direction of the GMR film 25.
A pair of hard magnetic films 27 made of an alloy or the like are formed.
These constitute the GMR element section 28.

【0029】上記したGMR素子部28上には、下側磁
気ギャップ膜24と同様な非磁性絶縁材料からなる上側
磁気ギャップ膜29が形成されており、さらにその上に
は下側磁気シールド層23と同様な軟磁性材料からなる
上側磁気シールド層30が形成されている。これら各層
によって、この実施形態のシールド型GMRヘッド31
が構成されている。なお、シールド型GMRヘッド31
を録再一体型ヘッドの再生ヘッド部として使用する場合
には、上側磁気シールド層30は記録ヘッド部の下側記
録磁極を兼ねるものである。
An upper magnetic gap film 29 made of a non-magnetic insulating material similar to the lower magnetic gap film 24 is formed on the above-mentioned GMR element portion 28, and further thereon, the lower magnetic shield layer 23 is formed. An upper magnetic shield layer 30 made of the same soft magnetic material as described above is formed. With these layers, the shield type GMR head 31 of this embodiment is used.
Is configured. The shield type GMR head 31
Is used as the reproducing head of the integrated recording / reproducing head, the upper magnetic shield layer 30 also serves as the lower recording magnetic pole of the recording head.

【0030】上記したシールド型GMRヘッド31にお
いては、下側磁気シールド層23と上側磁気シールド層
30に挟まれたGMR膜25が記録媒体からの信号磁束
を検知する。下側磁気シールド層23および上側磁気シ
ールド層30は、検知しているビットの磁束以外の磁束
を吸収し、再生ビット間の分解能を高めるものである。
下側磁気ギャップ膜24と上側磁気ギャップ膜29の厚
さ方向が再生ビット長に相当し、センス電流を流す一対
の電極26の間隙がトラック幅に相当する。
In the above-mentioned shield type GMR head 31, the GMR film 25 sandwiched between the lower magnetic shield layer 23 and the upper magnetic shield layer 30 detects a signal magnetic flux from the recording medium. The lower magnetic shield layer 23 and the upper magnetic shield layer 30 absorb magnetic flux other than the magnetic flux of the bit being detected, and increase the resolution between reproduced bits.
The thickness direction of the lower magnetic gap film 24 and the upper magnetic gap film 29 corresponds to the reproduction bit length, and the gap between the pair of electrodes 26 through which the sense current flows corresponds to the track width.

【0031】ここで、GMR膜25は例えば強磁性層/
非磁性層/強磁性層構造のサンドイッチ膜を有するスピ
ンバルブ膜であり、このスピンバルブGMR膜25の一
例を図2に示す。図2に示すスピンバルブGMR膜25
は、平滑表面24aを有する下側磁気ギャップ膜24上
に順に積層形成した、CoZrNb磁性下地膜251(1
0nm)/NiFe磁性下地膜252(2nm) /CoFe強磁
性層(磁化フリー層)253(3nm) /Cu非磁性層25
4(3nm) /CoFe強磁性層(磁化固着層)255(2n
m) /IrMn反強磁性層256(8nm) /Ta保護膜2
57(20nm)構造の積層膜を有しており、これの積層膜を
所望の形状に加工したものである。なお、下側磁気ギャ
ップ膜24上には、予め所望の形状に加工された一対の
硬磁性膜27が形成されている。
Here, the GMR film 25 is, for example, a ferromagnetic layer /
FIG. 2 shows an example of the spin valve GMR film 25 having a sandwich film having a nonmagnetic layer / ferromagnetic layer structure. Spin valve GMR film 25 shown in FIG.
Are sequentially formed on the lower magnetic gap film 24 having the smooth surface 24a, and the CoZrNb magnetic underlayer 251 (1
0 nm) / NiFe magnetic underlayer 252 (2 nm) / CoFe ferromagnetic layer (magnetic free layer) 253 (3 nm) / Cu nonmagnetic layer 25
4 (3 nm) / CoFe ferromagnetic layer (magnetized pinned layer) 255 (2n
m) / IrMn antiferromagnetic layer 256 (8 nm) / Ta protective film 2
It has a laminated film having a 57 (20 nm) structure, and this laminated film is processed into a desired shape. In addition, on the lower magnetic gap film 24, a pair of hard magnetic films 27 that have been processed into a desired shape in advance are formed.

【0032】次に、上記したシールド型GMRヘッド3
1の製造工程の一実施例およびその評価結果について、
図3および図4を参照して述べる。ここで説明する製造
工程は本発明の磁気抵抗効果ヘッドの製造方法の一実施
形態に相当するものである。まず、Al2 3 絶縁層2
2を有するAl2 3 ・TiC基板(厚さ 1.2mm、直径
76.2mm)21を用意した。このAl2 3 ・TiC基板
21の主表面は研磨されているものの、Al2 3 絶縁
層22上には微小凹凸10が残存していた。その上に、
下側磁気シールド層として厚さ 1.6μm のCo87Zr5
Nb8 組成の非晶質軟磁性膜23′をスパッタリング法
により成膜した(図3(a))。なお、以下の成膜工程
には全てスパッタリング法を用いた。
Next, the above-mentioned shield type GMR head 3
Regarding one example of the manufacturing process of 1 and the evaluation result,
This will be described with reference to FIGS. The manufacturing process described here corresponds to an embodiment of the method of manufacturing a magnetoresistive head according to the present invention. First, the Al 2 O 3 insulating layer 2
Al 2 O 3 .TiC substrate having a thickness of 1.2 mm (diameter 1.2 mm, diameter
76.2 mm) 21 were prepared. Although the main surface of the Al 2 O 3 .TiC substrate 21 was polished, the fine irregularities 10 remained on the Al 2 O 3 insulating layer 22. in addition,
1.6 μm thick Co 87 Zr 5 as the lower magnetic shield layer
The amorphous soft magnetic film 23 'of nb 8 composition was formed by sputtering (Figure 3 (a)). Note that a sputtering method was used in all of the following film formation steps.

【0033】このとき、下側磁気シールド層に非晶質軟
磁性膜23′を用いたため、Al23 絶縁層22表面
の微小凹凸10の影響はあまり受けないものの、それで
も非晶質軟磁性膜23′の成膜表面23a′の表面粗さ
はRmax で 8nmであった。このような非晶質軟磁性膜2
3′の成膜表面23a′に対して以下に示す表面平滑化
加工を施した。
At this time, since the amorphous soft magnetic film 23 'is used for the lower magnetic shield layer, the influence of the minute unevenness 10 on the surface of the Al 2 O 3 insulating layer 22 is not so much affected. surface roughness of 'the film formation surface 23a' of the film 23 was 8nm in R max. Such an amorphous soft magnetic film 2
A surface smoothing process described below was performed on the film forming surface 23a 'of 3'.

【0034】すなわち、図3(b)に示すように、イオ
ンミリング装置(図示せず)の自公回転が可能な基板ホ
ルダ32上に、非晶質軟磁性膜23′を形成したAl2
3付Al2 3 ・TiC基板21を取付け、装置内を
真空に排気した後、イオンガンにArガスを導入し、加
速電圧500V、イオン電流密度1mA/cm2 のArイオン33
で非晶質軟磁性膜23′の成膜表面23a′をミリング
した。
[0034] That is, FIG. 3 (b), the ion milling device on the substrate holder 32 New Komeito rotation possible (not shown), Al 2 forming the amorphous soft magnetic film 23 '
Install the O 3 with Al 2 O 3 · TiC substrate 21, after evacuating the inside of the apparatus in a vacuum, Ar gas was introduced into the ion gun, the acceleration voltage 500V, Ar ions 33 of the ion current density 1 mA / cm 2
Thus, the film forming surface 23a 'of the amorphous soft magnetic film 23' was milled.

【0035】ここで、非晶質軟磁性膜23′にArイオ
ン33を照射する角度θは 5〜20゜とし、かつこの範囲
で照射角度を走査させた。このように、低角度でArイ
オン33を照射すると共に、その照射角度を走査するこ
とによって、微小な凹凸は遅く、一方大きな凹凸は早く
ミリングすることができる。すなわち、短時間で平滑な
表面を得ることができる。この際、Arイオン33の照
射角度θが20゜を超えると、逆に凹凸を増長するように
ミリングが進行するおそれがあるため、Arイオン33
の照射角度θは20゜以下とすることが好ましい。一方、
照射角度θが5゜未満であると、十分なミリング効果を
えることができない。
Here, the angle θ at which the amorphous soft magnetic film 23 ′ is irradiated with the Ar ions 33 is 5 to 20 °, and the irradiation angle is scanned within this range. As described above, by irradiating the Ar ions 33 at a low angle and scanning the irradiation angle, minute irregularities can be milled quickly while large irregularities can be milled quickly. That is, a smooth surface can be obtained in a short time. At this time, if the irradiation angle θ of the Ar ions 33 exceeds 20 °, the milling may proceed to increase the concavities and convexities.
Is preferably 20 ° or less. on the other hand,
If the irradiation angle θ is less than 5 °, a sufficient milling effect cannot be obtained.

【0036】また、上記したような方法でイオンミリン
グを実施すると、Al2 Ο3 付Al2 3 ・TiC基板
21の研磨工程で発生した大きな引っ掻き傷であるスク
ラッチ等も一緒に平滑化することができる。このような
イオンミリングを実施した後に、非晶質軟磁性膜23′
の表面粗さを測定したところ、Rmax は 3nmと加工前に
比べて半減以下とすることができた。
Further, when an ion milling method as described above, be smoothed with even a scratch or the like is large scratches generated in the polishing step of the Al 2 Omicron with 3 Al 2 O 3 · TiC substrate 21 Can be. After performing such ion milling, the amorphous soft magnetic film 23 '
When the surface roughness was measured, R max was 3 nm, which was less than half that before processing.

【0037】上記したイオンミリング工程によって、非
晶質軟磁性膜23′の表面は平滑化されると共にその厚
さが若干薄くなり、表面粗さRmax が 3nm、厚さが 1.5
μmの下側磁気シールド層23が得られた。このように
して、表面23aを平滑化した下側磁気シールド層23
上に、図3(c)に示すように、下側磁気ギャップ膜2
4として厚さ 100nmのAl2 3 膜を積層形成した。こ
の下側磁気ギャップ膜24の表面24aも、表面粗さR
max が 4nmと平滑性に優れるものであった。このように
して、GMR膜25の平滑な下地を得た。
By the above-described ion milling process, the surface of the amorphous soft magnetic film 23 'is smoothed and slightly thinned, and the surface roughness Rmax is 3 nm and the thickness is 1.5.
A μm lower magnetic shield layer 23 was obtained. Thus, the lower magnetic shield layer 23 whose surface 23a is smoothed
As shown in FIG. 3C, the lower magnetic gap film 2
As No. 4, an Al 2 O 3 film having a thickness of 100 nm was laminated. The surface 24a of the lower magnetic gap film 24 also has a surface roughness R.
The max was 4 nm, which was excellent in smoothness. Thus, a smooth underlayer of the GMR film 25 was obtained.

【0038】次に、平滑表面24aを有する下側磁気ギ
ャップ膜24上に、厚さ20nmのCo80Pt20膜を成膜
し、これをPΕΡ工程およびイオンミリング工程で所望
の形状に加工して、一対の硬磁性膜27を形成した。続
いて、図2に詳細を示したスピンバルブGMR膜25の
各層を順次成膜し、同様な加工工程を経て所望の形状に
加工した(図4(a))。さらに、スピンバルブGMR
膜25上に、Ta(10nm)/Cu(100nm) /Ta(10nm)積
層膜を形成し、これを同様な加工工程を経て所望の形状
に加工して、一対の電極26とした(図4(b))。
Next, a Co 80 Pt 20 film having a thickness of 20 nm is formed on the lower magnetic gap film 24 having the smooth surface 24a, and is processed into a desired shape by a PΕΡ step and an ion milling step. Then, a pair of hard magnetic films 27 were formed. Subsequently, each layer of the spin valve GMR film 25 shown in detail in FIG. 2 was sequentially formed, and processed into a desired shape through a similar processing step (FIG. 4A). Furthermore, spin valve GMR
A Ta (10 nm) / Cu (100 nm) / Ta (10 nm) laminated film is formed on the film 25, and is processed into a desired shape through a similar processing step to form a pair of electrodes 26 (FIG. 4). (B)).

【0039】上記した各工程の後に、上側磁気ギャップ
膜29として厚さ 100nmのAl2 3 膜と上側磁気シー
ルド層30として厚さ 1.5μm のCo87Ζr5 Nb8
晶質軟磁性体膜を順に成膜し、シールド型MRヘッド3
1を得た。
After the above steps, an Al 2 O 3 film having a thickness of 100 nm as the upper magnetic gap film 29 and a Co 87 Ζr 5 Nb 8 amorphous soft magnetic film having a thickness of 1.5 μm as the upper magnetic shield layer 30. Are sequentially formed, and the shield type MR head 3
1 was obtained.

【0040】上述したシールド型MRヘッド31の製造
工程によれば、下側磁気シールド層23となる非晶質軟
磁性膜23′の成膜表面23a′に低角度のイオンミリ
ング処理を施し、下側磁気シールド層23の表面23a
を平滑化しているため、基板21の表面凹凸の影響を受
けて成膜表面23a′ではRmax が 8nmであったのに対
して、加工後にはRmax 3nmと表面平滑性を大幅に高め
ることが可能であった。そして、このような平滑な下地
上にスピンバルブGMR膜25を形成することによっ
て、表面凹凸の影響による段切れや層間分離不良等の発
生を大幅に抑制することができる。従って、スピンバル
ブGMR膜25のMR変化率等の特性を安定して得るこ
とが可能となる。
According to the above-described manufacturing process of the shield type MR head 31, the film forming surface 23a 'of the amorphous soft magnetic film 23' serving as the lower magnetic shield layer 23 is subjected to a low-angle ion milling treatment, and Surface 23a of side magnetic shield layer 23
Since the are smooth, whereas R max in the film forming surface 23a 'under the influence of surface irregularities of the substrate 21 was 8 nm, greatly enhance the R max 3 nm and the surface smoothness after processing Was possible. Then, by forming the spin valve GMR film 25 on such a smooth underlayer, it is possible to greatly suppress the occurrence of step disconnection, interlayer separation failure, and the like due to the influence of surface irregularities. Therefore, it is possible to stably obtain the characteristics such as the MR change rate of the spin valve GMR film 25.

【0041】本発明における表面平滑化工程には、前述
したように、磁気ギャップ膜24に対して施してもよ
く、また具体的な処理方法についても流動性材料を用い
たエッチバック処理等を適用することができる。以下
に、磁気ギャップ膜24に対して流動性材料を用いたエ
ッチバック処理による表面平滑化加工を施した実施例に
ついて、図5を参照して述べる。
As described above, the surface smoothing step in the present invention may be performed on the magnetic gap film 24, and a specific processing method such as an etch-back processing using a fluid material is applied. can do. An embodiment in which the magnetic gap film 24 is subjected to a surface smoothing process by an etch-back process using a fluid material will be described below with reference to FIG.

【0042】まず、前述した実施例と同様なAl2 3
付Al2 3 ・TiC基板21の主表面上に、下側磁気
シールド層23として厚さ 2μm のNi80Fe20結晶質
軟磁性膜を成膜した。図5(a)に示すように、この下
側磁気シールド層23上に、後の平滑化工程でエッチン
グされる目減り分を含めて、下側磁気ギャップ膜として
厚さ 200nmのAl2 3 膜24′を積層形成した。
First, the same Al 2 O 3 as in the above embodiment was used.
On the main surface of the attached Al 2 O 3 .TiC substrate 21, a Ni 80 Fe 20 crystalline soft magnetic film having a thickness of 2 μm was formed as the lower magnetic shield layer 23. As shown in FIG. 5A, an Al 2 O 3 film having a thickness of 200 nm is formed on the lower magnetic shield layer 23 as a lower magnetic gap film, including a reduced portion etched in a later smoothing step. 24 'was laminated.

【0043】このときのAl2 3 膜24′の表面24
a′は、表面粗さRmax が15nmであった。次に、このA
2 3 膜24′が形成されたAl2 3 付Al2 3
・TiC基板21をスピンナで回転させ、流動性材料と
して微小凹凸を覆いやすいスチレン換算分子量が2500の
低分子量液状フォトレジストをAl2 3 膜24′の表
面に塗布した後、 423〜493Kまで徐々に加熱するベーキ
ング処理を施して硬化させ、厚さ 0.5μm のレジスト被
覆層34を形成した(図5(b))。
At this time, the surface 24 of the Al 2 O 3 film 24 ′
a ′ had a surface roughness R max of 15 nm. Next, this A
Al 2 O 3 with Al 2 O 3 formed with l 2 O 3 film 24 ′
After rotating the TiC substrate 21 with a spinner and applying a low-molecular-weight liquid photoresist having a styrene-equivalent molecular weight of 2500 as a flowable material, which easily covers minute irregularities, on the surface of the Al 2 O 3 film 24 ′, gradually from 423 to 493 K. Then, a heating baking treatment was performed to cure the resist, thereby forming a resist coating layer 34 having a thickness of 0.5 μm (FIG. 5B).

【0044】この際、Al2 3 付Al2 3 ・TiC
基板21の研磨工程で発生した大きな引っ掻き傷である
スクラッチ等も、レジスト被覆層34によりAl2 3
膜24′の微細な凹凸と共に覆われ、図5(b)に示し
たように、平滑な面34aが得られた。なお、フォトレ
ジストに代えて紫外線硬化型アクリル樹脂を用いて、紫
外線照射により硬化させても同様な平滑な面が得られ
る。
At this time, Al 2 O 3 .TiC with Al 2 O 3
Scratch such a large scratch generated in the polishing process of the substrate 21, Al 2 O 3 by the resist coating layer 34
The film 24 'was covered with the fine irregularities, and a smooth surface 34a was obtained as shown in FIG. 5B. It should be noted that a similar smooth surface can be obtained by using an ultraviolet curable acrylic resin instead of the photoresist and curing by ultraviolet irradiation.

【0045】次に、フォトレジストとAl2 3 とのエ
ッチング選択比を 1とするために、CF4 ガスとCHF
3 ガスとの混合ガスを用いた反応性イオンエッチングに
よって、レジスト被覆層34とAl2 3 膜24′を連
続してエッチングした。Al2 3 膜24′が下側磁気
ギャップ膜24としての所定の厚さ 100nmとなるまでエ
ッチングすると、微小な凹凸とスクラッチは図5(c)
に示すように平滑化され、平滑な表面24aを有する下
側磁気ギャップ膜24が得られた。
Next, in order to set the etching selectivity between the photoresist and Al 2 O 3 to 1, CF 4 gas and CHF
By reactive ion etching using 3 mixed gas of the gas, and sequentially etching the resist coating layer 34 and the Al 2 O 3 film 24 '. When the Al 2 O 3 film 24 ′ is etched to a predetermined thickness of 100 nm as the lower magnetic gap film 24, fine irregularities and scratches are obtained as shown in FIG.
As shown in FIG. 7, the lower magnetic gap film 24 having a smooth surface 24a was obtained.

【0046】上記した流動性材料を用いたエッチバック
処理による平滑化工程を実施した下側磁気ギャップ膜2
4の表面粗さはRmax 5nmであり、表面の平滑性は大き
く向上した。このようにして得たGMR膜25の平滑な
下地上に、前述した実施例と同様にして、スピンバルブ
GMR膜25(GMR素子部28)、上側磁気ギャップ
膜29および上側磁気シールド層30を順に形成して、
シールド型GMRヘッド31を得た。
The lower magnetic gap film 2 which has been subjected to a smoothing step by an etch-back process using the above-mentioned fluid material.
The surface roughness of No. 4 was R max 5 nm, and the surface smoothness was greatly improved. On the smooth underlayer of the GMR film 25 thus obtained, the spin valve GMR film 25 (GMR element section), the upper magnetic gap film 29 and the upper magnetic shield layer 30 are sequentially formed in the same manner as in the above-described embodiment. Forming
A shield type GMR head 31 was obtained.

【0047】上述したシールド型MRヘッド31の製造
工程によれば、下側磁気ギャップ膜24となるAl2
3 膜24′の成膜表面23a′を、微小凹凸を埋めるレ
ジスト被覆層34を介してエッチバックして、下側磁気
ギャップ膜24の表面24aを平滑化しているため、基
板21の表面凹凸の影響を受けて成膜表面24a′では
max が15nmであったのに対して、加工後にはRmax 5
nmと表面平滑性を大幅に高めることが可能であった。そ
して、このような平滑な下地上にスピンバルブGMR膜
25を形成することによって、表面凹凸の影響による段
切れや層間分離不良等の発生を大幅に抑制することがで
きる。従って、スピンバルブGMR膜25のMR変化率
等の特性を安定して得ることが可能となる。
According to the manufacturing process of the shield type MR head 31 described above, Al 2 O to be the lower magnetic gap film 24 is formed.
3 The film forming surface 23a 'of the film 24' is etched back via the resist coating layer 34 for filling the minute unevenness to smooth the surface 24a of the lower magnetic gap film 24. Under the influence, R max was 15 nm on the film forming surface 24 a ′, whereas R max 5
It was possible to greatly improve the surface smoothness in nm. Then, by forming the spin valve GMR film 25 on such a smooth underlayer, it is possible to greatly suppress the occurrence of step disconnection, interlayer separation failure, and the like due to the influence of surface irregularities. Therefore, it is possible to stably obtain the characteristics such as the MR change rate of the spin valve GMR film 25.

【0048】次に、本発明の磁気抵抗効果ヘッドの製造
方法をヨーク型GMRヘッドに適用した実施形態につい
て説明する。
Next, an embodiment in which the method of manufacturing a magnetoresistive head of the present invention is applied to a yoke type GMR head will be described.

【0049】図6は、この実施形態で作製したヨーク型
GMRヘッドの要部を示す斜視図である。同図におい
て、21は前述した実施形態と同様なAl2 3 付Al
2 3・TiC基板である。このAl2 3 付Al2
3 ・TiC基板21の主表面上には、前述したように微
小凹凸(図示省略)が残っている。このようなAl2
3 付Al2 3 ・TiC基板21上に、一対の磁気コア
(磁性体層)41、42からなる平面型磁気ヨーク43
が形成されている。
FIG. 6 is a perspective view showing a main part of the yoke type GMR head manufactured in this embodiment. In the figure, reference numeral 21 denotes Al with Al 2 O 3 similar to that of the above-described embodiment.
2 O 3 .TiC substrate. This Al 2 O 3 with Al 2 O
3. On the main surface of the TiC substrate 21, fine irregularities (not shown) remain as described above. Such Al 2 O
3. A planar magnetic yoke 43 comprising a pair of magnetic cores (magnetic layers) 41 and 42 on an Al 2 O 3 .TiC substrate 21 with
Are formed.

【0050】この平面型磁気ヨーク43は、その主表面
43aが基板21の表面と略平行となるように形成され
ている。平面型磁気ヨーク43の媒体対向面S側には、
一対の磁気コア41、42の間に磁気ギャップ44が介
在されている。すなわち、媒体対向面Sには、磁気ギャ
ップ44を介して配置された一対の磁気コア41、42
からなる平面型磁気ヨーク43のみが露出している。
The planar magnetic yoke 43 is formed such that its main surface 43a is substantially parallel to the surface of the substrate 21. On the medium facing surface S side of the planar magnetic yoke 43,
A magnetic gap 44 is interposed between the pair of magnetic cores 41 and 42. That is, a pair of magnetic cores 41 and 42 disposed on the medium facing surface S with the magnetic gap 44 interposed therebetween.
Is exposed only.

【0051】上述した平面型磁気ヨーク43の主表面4
3a上には、前述した実施形態と同様なスピンバルブG
MR膜25が形成される。そこで、平面型磁気ヨーク4
3の主表面43aは、スピンバルブGMR膜25の特性
に影響を及ぼすため、この実施形態では平面型磁気ヨー
ク43の主表面43a上に表面平滑用の非磁性絶縁層4
5を形成している。
The main surface 4 of the above-mentioned flat magnetic yoke 43
3a, a spin valve G similar to the above-described embodiment is provided.
An MR film 25 is formed. Therefore, the planar magnetic yoke 4
3 has an effect on the characteristics of the spin valve GMR film 25. In this embodiment, the main surface 43a of the planar magnetic yoke 43 has a non-magnetic insulating layer 4 for smoothing the surface.
5 are formed.

【0052】この表面平滑用非磁性絶縁層45の構成は
以下の通りとした。まず、磁性体層41、42および磁
気ギャップ44に対する密着性とSOGの濡れ性を向上
させる絶縁性Si膜を形成し、その上に溶融焼結して表
面を平滑化したSOGを形成し、さらにSOGの吸湿性
および次工程のオーバーエッチング防止のためにAl2
3 膜を形成した。この絶縁性Si膜/SOG/Al2
3 膜の積層膜を表面平滑用非磁性絶縁層45として用
いた。
The structure of the non-magnetic insulating layer 45 for smoothing the surface was as follows. First, an insulating Si film for improving the adhesion to the magnetic layers 41 and 42 and the magnetic gap 44 and the wettability of the SOG is formed, and SOG whose surface is smoothed by melt-sintering is formed thereon. Al 2 O 3 for moisture absorption of SOG and prevention of over-etching in the next step
An O 3 film was formed. This insulating Si film / SOG / Al 2
The laminated film of the O 3 film was used as the non-magnetic insulating layer 45 for smoothing the surface.

【0053】上述した表面平滑用非磁性絶縁層45の表
面粗さはRmax で 5nmであった。スピンバルブGMR膜
25はこのような平滑な下地上に形成されている。また
スピンバルブGMR膜25は、媒体対向面Sから後退し
たヘッド内部の位置に形成されており、その両端部に一
対の電極26が形成されている。
[0053] The surface roughness of the smooth surface for the non-magnetic insulating layer 45 described above was 5nm at R max. The spin valve GMR film 25 is formed on such a smooth underlayer. The spin valve GMR film 25 is formed at a position inside the head receding from the medium facing surface S, and a pair of electrodes 26 is formed at both ends thereof.

【0054】平面型磁気ヨーク43の媒体対向面Sから
見て後方部側、すなわちバックギャップ46上には、非
磁性絶縁層45を一部除去して、一対の磁気コア41、
42と磁気的に結合させたバックコア47が形成されて
おり、これらは記録磁気ループを形成している。この記
録磁気ループを横切るように、記録コイル48が平面的
に巻かれている。このように、図6は録再一体型磁気ヘ
ッドとして用いられるヨーク型GMRヘッドを示してい
る。記録媒体は磁気コア41、42を横切る方向で走査
される。すなわち、トラック幅は磁気コア41、42の
厚さに相当し、記録および再生ビット長はギャップ44
の幅に相当する。
The non-magnetic insulating layer 45 is partially removed on the rear side of the flat magnetic yoke 43 when viewed from the medium facing surface S, that is, on the back gap 46, and a pair of magnetic cores 41 is
A back core 47 that is magnetically coupled to 42 is formed, and these form a recording magnetic loop. A recording coil 48 is wound in a plane so as to cross the recording magnetic loop. FIG. 6 shows a yoke type GMR head used as a recording / reproducing integrated magnetic head. The recording medium is scanned in a direction crossing the magnetic cores 41 and 42. That is, the track width is equivalent to the thickness of the magnetic cores 41 and 42, and the recording and reproducing bit length is the gap 44.
Corresponds to the width of

【0055】上述したヨーク型MRヘッドおよびその製
造工程によれば、基板21の表面凹凸の影響を受けて平
面型磁気ヨーク43の主表面43aに凹凸が存在してい
ても、その上に表面平滑用非磁性絶縁層45を設けて平
滑化しているため、スピンバルブGMR膜25の下地の
表面平滑性を大幅に高めることができる。そして、この
ような平滑な下地上にスピンバルブGMR膜25を形成
することによって、表面凹凸の影響による段切れや層間
分離不良等の発生を大幅に抑制することができる。従っ
て、スピンバルブGMR膜25のMR変化率等の特性を
安定して得ることが可能となる。
According to the above-described yoke type MR head and its manufacturing process, even if the main surface 43a of the planar magnetic yoke 43 has irregularities due to the influence of the surface irregularities of the substrate 21, the surface is smoothed thereon. Since the non-magnetic insulating layer 45 is provided for smoothing, the surface smoothness of the base of the spin valve GMR film 25 can be greatly improved. Then, by forming the spin valve GMR film 25 on such a smooth underlayer, it is possible to greatly suppress the occurrence of step disconnection, interlayer separation failure, and the like due to the influence of surface irregularities. Therefore, it is possible to stably obtain the characteristics such as the MR change rate of the spin valve GMR film 25.

【0056】なお、平面型磁気ヨーク43の主表面43
aの平滑化には、レジスト材料やポリイミド樹脂等の有
機絶縁材料を使用することも可能であるが、これら有機
絶縁材料は吸水性を有し、この吸水性がGMRヘッドの
特性に対して悪影響を及すことから、上述したSOG等
の無機絶縁材料を使用することが好ましい。表面平滑用
非磁性絶縁層が吸水性を有していると、ヘッド製造工程
中の洗浄に用いられる水や大気中の湿気の侵入が避けら
れず、ヘッドの製造段階でMR素子を劣化させ、また電
気的絶縁耐圧も低下する。さらに、製造が終了したヘッ
ドには磁界中熱処理が施されるが、その加熱により一旦
吸湿された水分が蒸気となって封印され、その加圧によ
り膜の剥離が起り、最悪の場合はヘッドが破壊される。
The main surface 43 of the planar magnetic yoke 43
For the smoothing of a, it is possible to use an organic insulating material such as a resist material or a polyimide resin, but these organic insulating materials have water absorption, and this water absorption has an adverse effect on the characteristics of the GMR head. Therefore, it is preferable to use the above-mentioned inorganic insulating material such as SOG. If the non-magnetic insulating layer for smoothing the surface has a water absorbing property, it is inevitable that water used for cleaning in the head manufacturing process and moisture in the air invade, and the MR element is deteriorated in the head manufacturing stage, In addition, the electrical withstand voltage also decreases. Further, the completed head is subjected to a heat treatment in a magnetic field, and the heated moisture is sealed as vapor once absorbed moisture, and the pressure causes the film to peel off. In the worst case, the head is damaged. Destroyed.

【0057】また、上述した平面型磁気ヨークの表面平
滑化工程には、前述した実施形態で示した低角度のイオ
ンミリング処理や流動性材料を用いたエッチバック処理
等を適用することも可能である。
Further, in the above-mentioned surface smoothing step of the flat type magnetic yoke, it is possible to apply the low-angle ion milling processing or the etch-back processing using a fluid material shown in the above-described embodiment. is there.

【0058】上述した実施形態で用いた平面型磁気ヨー
クは、以下のようにして作製したものである。この平面
型磁気ヨークの製造工程について、図7および図8を参
照して説明する。
The flat magnetic yoke used in the above-described embodiment is manufactured as follows. The manufacturing process of the planar magnetic yoke will be described with reference to FIGS.

【0059】まず、図7(a)に示すように、基板21
の主表面上にSiOx 等の非磁性絶縁材料からなる島状
凸部51をバックギャップの形状にほぼ対応させて形成
する。この際に、成膜工程、PEP工程およびエッチン
グ工程を各 1回ずつ要する。また、このPEP工程およ
びエッチング工程において、ヨーク形成位置を規定する
ように、周囲にもSiOx 層52を残しておく。これら
の上に、第1の磁気コアとなる軟磁性膜53を形成(図
7(b): 1成膜工程)し、この軟磁性膜53の少なく
とも磁気ギャップ形成部53aを加工する((図7
(c): 1PEP工程、 1エッチング工程)。
First, as shown in FIG.
Island-shaped convex portions 51 made of a non-magnetic insulating material such as SiO x are formed on the main surface of the main surface of the main surface so as to substantially correspond to the shape of the back gap. At this time, a film forming step, a PEP step, and an etching step are required once each. In the PEP step and the etching step, the SiO x layer 52 is also left around so as to define the yoke formation position. On these, a soft magnetic film 53 serving as a first magnetic core is formed (FIG. 7B: one film forming step), and at least a magnetic gap forming portion 53a of the soft magnetic film 53 is processed (FIG. 7
(C): 1 PEP step, 1 etching step).

【0060】次に、図8(a)に示すように、磁気ギャ
ップ膜となる非磁性絶縁膜54および第2の磁気コアと
なる軟磁性膜55を成膜( 1成膜工程)し、これらの表
面をエッチバック等により平滑化( 1PEP工程、 1エ
ッチング工程)することによって、図8(b)に示すよ
うに、媒体対向面側に磁気ギャップ44(54)が介在
された一対の磁気コア41(53)、42(55)から
なる平面型磁気ヨーク43が得られる。
Next, as shown in FIG. 8A, a nonmagnetic insulating film 54 serving as a magnetic gap film and a soft magnetic film 55 serving as a second magnetic core are formed (one film forming step). The surfaces of the magnetic cores are smoothed by etch back or the like (1 PEP step, 1 etching step), as shown in FIG. A planar magnetic yoke 43 composed of 41 (53) and 42 (55) is obtained.

【0061】上述した実施形態の製造工程では、 3回の
成膜工程、 3回のPEP工程および3回のエッチング工
程で平面型磁気ヨーク43が得られており、従来の 3回
の成膜工程、 4回のPEP工程および 4回のエッチング
工程を要していた製造方法に比べて製造工程数を削減す
ることができる。従って、ヨーク型MRヘッドの製造コ
ストを低減することが可能となる。
In the manufacturing process of the above-described embodiment, the planar magnetic yoke 43 is obtained by three film forming processes, three PEP processes, and three etching processes. The number of manufacturing steps can be reduced as compared with a manufacturing method that requires four PEP steps and four etching steps. Therefore, the manufacturing cost of the yoke type MR head can be reduced.

【0062】なお、上記実施形態で作製した平面型磁気
ヨーク43上に表面平滑用非磁性絶縁層45を形成する
ことによって、上述した実施形態のヨーク型MRヘッド
に使用することができる。また、最終工程の平滑化工程
に低角度イオンミリング等を適用することによって、そ
のままヨーク型MRヘッドに使用することができる。
By forming the non-magnetic insulating layer 45 for smoothing the surface on the flat magnetic yoke 43 manufactured in the above embodiment, it can be used for the yoke type MR head of the above embodiment. Also, by applying low angle ion milling or the like to the final smoothing step, it can be used as it is for a yoke type MR head.

【0063】[0063]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気抵抗
効果ヘッドの製造方法によれば、磁気シールド層や磁気
ヨーク等のGMR膜の下地表面に必然的に凹凸が形成さ
れたとしても、平滑化工程により下地表面の平滑性を大
幅に高めることができるため、GMR膜の特性低下等を
抑制することが可能となる。また、本発明の他の磁気抵
抗効果ヘッドの製造方法によれば、ヨーク型の磁気抵抗
効果ヘッドを低コストで作製することが可能となる。
As described above, according to the method of manufacturing a magnetoresistive head of the present invention, even if irregularities are necessarily formed on the underlying surface of a GMR film such as a magnetic shield layer and a magnetic yoke, Since the smoothness of the underlayer surface can be greatly improved by the smoothing step, it is possible to suppress the deterioration of the characteristics of the GMR film and the like. According to another method of manufacturing a magnetoresistive head according to the present invention, a yoke-type magnetoresistive head can be manufactured at low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の製造方法を適用したシールド型GM
Rヘッドの一実施形態の概略構造を示す断面図である。
FIG. 1 shows a shield type GM to which the manufacturing method of the present invention is applied.
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a schematic structure of an embodiment of an R head.

【図2】 図1に示すシールド型GMRヘッドに用いた
スピンバルブGMR膜の一構造例を示す断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing one structural example of a spin valve GMR film used in the shield type GMR head shown in FIG.

【図3】 図1に示すシールド型GMRヘッドの一実施
例による製造工程の要部を示す断面図である。
FIG. 3 is a sectional view showing a main part of a manufacturing process according to the embodiment of the shield type GMR head shown in FIG. 1;

【図4】 図3に示した製造工程に続くシールド型GM
Rヘッドの製造工程を示す断面図である。
4 is a shield type GM following the manufacturing process shown in FIG.
It is sectional drawing which shows the manufacturing process of an R head.

【図5】 図1に示すシールド型GMRヘッドの他の実
施例による製造工程の要部を示す断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a main part of a manufacturing process according to another embodiment of the shield type GMR head shown in FIG. 1;

【図6】 本発明の製造方法を適用したヨーク型GMR
ヘッドの一実施形態の概略構造を示す斜視図である。
FIG. 6 is a yoke type GMR to which the manufacturing method of the present invention is applied.
FIG. 2 is a perspective view illustrating a schematic structure of an embodiment of a head.

【図7】 図6に示すヨーク型GMRヘッドに用いた平
面型磁気ヨークの製造工程の要部を示す断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a main part of a manufacturing process of a planar magnetic yoke used in the yoke type GMR head shown in FIG.

【図8】 図7に示した製造工程に続く平面型磁気ヨー
クの製造工程を示す断面図である。
8 is a cross-sectional view showing a manufacturing step of the planar magnetic yoke subsequent to the manufacturing step shown in FIG. 7;

【図9】 従来のシールド型MRヘッドの概略構造を示
す断面図である。
FIG. 9 is a sectional view showing a schematic structure of a conventional shield type MR head.

【図10】 図9に示すシールド型GMRヘッドの要部
を拡大して示すモデル図である。
FIG. 10 is an enlarged model diagram showing a main part of the shield type GMR head shown in FIG. 9;

【図11】 従来の平面型磁気ヨークの製造工程の要部
を示す断面図である。
FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating a main part of a manufacturing process of a conventional planar magnetic yoke.

【図12】 図11に続く従来の平面型磁気ヨークの製
造工程を示す断面図である。
FIG. 12 is a cross-sectional view showing a manufacturing step of the conventional planar magnetic yoke following FIG. 11;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

23……下側磁気シールド層 24……下側磁気ギャップ膜 23a、24a……平滑表面 25……スピンバルブGMR膜 29……上側磁気ギャップ膜 30……上側磁気シールド層 43……平面型磁気ヨーク 44……磁気ギャップ 23 Lower magnetic shield layer 24 Lower magnetic gap film 23a, 24a Smooth surface 25 Spin valve GMR film 29 Upper magnetic gap film 30 Upper magnetic shield layer 43 Planar magnetism Yoke 44 ... magnetic gap

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉川 将寿 神奈川県川崎市幸区堀川町72 株式会社東 芝川崎事業所内 (72)発明者 佐橋 政司 神奈川県川崎市幸区堀川町72 株式会社東 芝川崎事業所内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Masahisa Yoshikawa 72 Horikawa-cho, Saiwai-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture Inside the Shiba-Kawasaki Office (72) Inventor Masaji Sabashi 72 Horikawa-cho, Saiwai-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture Shibakawasaki Office

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 下側磁気シールド層と、前記下側磁気シ
ールド層上に下側磁気ギャップ膜を介して形成され、強
磁性層と非磁性層との磁性多層膜を有する磁気抵抗効果
素子部と、前記磁気抵抗効果素子部上に上側磁気ギャッ
プ膜を介して形成された上側磁気シールド層とを具備す
る磁気抵抗効果ヘッドの製造方法において、 前記下側磁気シールド層および下側磁気ギャップ膜の少
なくとも一方の表面に処理を施して、前記表面を平滑化
する工程を有することを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド
の製造方法。
1. A magnetoresistive element portion comprising: a lower magnetic shield layer; and a magnetic multilayer film of a ferromagnetic layer and a nonmagnetic layer formed on the lower magnetic shield layer via a lower magnetic gap film. And a method of manufacturing a magnetoresistive effect head comprising: an upper magnetic shield layer formed on the magnetoresistive element portion via an upper magnetic gap film; wherein the lower magnetic shield layer and the lower magnetic gap film A method for manufacturing a magnetoresistive head, comprising a step of performing a treatment on at least one surface to smooth the surface.
【請求項2】 請求項1記載の磁気抵抗効果ヘッドの製
造方法において、 前記平滑化工程は、前記下側磁気シールド層および下側
磁気ギャップ膜の少なくとも一方の表面を、この表面へ
のイオン照射角度を変化させつつ、低角度でイオンミリ
ングする工程であることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッ
ドの製造方法。
2. The method of manufacturing a magnetoresistive head according to claim 1, wherein said smoothing step includes irradiating at least one surface of said lower magnetic shield layer and said lower magnetic gap film with ions. A method for manufacturing a magnetoresistive effect head, comprising a step of performing ion milling at a low angle while changing the angle.
【請求項3】 請求項1記載の磁気抵抗効果ヘッドの製
造方法において、 前記平滑化工程は、前記下側磁気シールド層および下側
磁気ギャップ膜の少なくとも一方の表面を流動性材料で
覆い、前記流動性材料を硬化させた後、前記硬化させた
流動性材料を介して前記下側磁気シールド層および下側
磁気ギャップ膜の少なくとも一方の一部をエッチングす
る工程であることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッドの製
造方法。
3. The method of manufacturing a magnetoresistive head according to claim 1, wherein in the smoothing step, at least one surface of the lower magnetic shield layer and the lower magnetic gap film is covered with a fluid material. A step of, after curing the fluid material, etching at least a part of at least one of the lower magnetic shield layer and the lower magnetic gap film through the cured fluid material. Manufacturing method of effect head.
【請求項4】 媒体対向面側に磁気ギャップが介在され
た平面型磁気ヨークと、前記平面型磁気ヨークの主表面
上に形成され、強磁性層と非磁性層との磁性多層膜を有
する磁気抵抗効果素子部とを具備する磁気抵抗効果ヘッ
ドの製造方法において、 前記平面型磁気ヨークの主表面に処理を施して、前記主
表面を平滑化する工程を有することを特徴とする磁気抵
抗効果ヘッドの製造方法。
4. A magnetic device comprising: a planar magnetic yoke having a magnetic gap on a medium facing surface side; and a magnetic multilayer film formed on a main surface of the planar magnetic yoke and composed of a ferromagnetic layer and a nonmagnetic layer. A method of manufacturing a magnetoresistive head comprising a resistance effect element portion, comprising a step of performing a treatment on a main surface of the planar magnetic yoke to smooth the main surface. Manufacturing method.
【請求項5】 基板上に形成された一対の磁性体層から
なる平面型磁気ヨークと、前記平面型磁気ヨークの媒体
対向面側に介在された磁気ギャップと、前記平面型磁気
ヨーク上に形成され、強磁性層と非磁性層との磁性多層
膜を有する磁気抵抗効果素子部とを具備する磁気抵抗効
果ヘッドの製造方法において、 前記基板上に、非磁性絶縁材料からなる島状凸部を形成
する工程と、 前記島状凸部を有する基板上に、前記平面型磁気ヨーク
を構成する一方の磁性体層を形成すると共に、前記一方
の磁性体層の少なくとも前記磁気ギャップ形成部を加工
する工程と、 前記一方の磁性体層を有する基板上に、前記磁気ギャッ
プおよび前記平面型磁気ヨークを構成する他方の磁性体
層を形成すると共に、これら一対の磁性体層の表面を平
滑化する工程とを有することを特徴とする磁気抵抗効果
ヘッドの製造方法。
5. A planar magnetic yoke comprising a pair of magnetic layers formed on a substrate, a magnetic gap interposed on the medium facing surface side of the planar magnetic yoke, and formed on the planar magnetic yoke. And a method of manufacturing a magnetoresistive head including a magnetoresistive element having a magnetic multilayer film of a ferromagnetic layer and a nonmagnetic layer, comprising: forming an island-shaped convex portion made of a nonmagnetic insulating material on the substrate; Forming, forming one magnetic layer constituting the planar magnetic yoke on the substrate having the island-shaped convex portions, and processing at least the magnetic gap forming portion of the one magnetic layer. Forming the magnetic gap and the other magnetic layer constituting the planar magnetic yoke on the substrate having the one magnetic layer, and smoothing the surfaces of the pair of magnetic layers. When A method for manufacturing a magnetoresistive effect head, comprising:
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Cited By (4)

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