JPH10253476A - Capacitance type pressure sensor - Google Patents

Capacitance type pressure sensor

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JPH10253476A
JPH10253476A JP5766197A JP5766197A JPH10253476A JP H10253476 A JPH10253476 A JP H10253476A JP 5766197 A JP5766197 A JP 5766197A JP 5766197 A JP5766197 A JP 5766197A JP H10253476 A JPH10253476 A JP H10253476A
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pressure sensor
pressure
heat
sensor chip
resistant
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Yoshikazu Kaneko
嘉一 金子
Shigeo Nakazawa
茂夫 中澤
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Nagano Keiki Co Ltd
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Nagano Keiki Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pressure sensor that, although of a simple structure, has a dielectric strength capable of withstanding high voltages of lighting surges, etc., and does not leak a gas to be measured to the outside even at a high temperature. SOLUTION: A bottom case 10A, in which an insulating part 50 made of a resin and a heat resistant part 40 made of a metal are integrated together, is provided, a pressure inlet 15 is bored in the heat resistant part 40 of the bottom case 10A, a groove 18 provided in the heat resistant part 40 is covered with a base 4 made of ceramics, and a pressure inlet passage is formed. A pressure sensor chip 2 and an IC chip 3 are mounted on top of the base 4. Therefore the part with which a gas to be measured makes contact is made from metal or ceramics and does not leak the gas to be measured to the outside even at high temperatures. The insulating part 50 made of resin and the base 4 made of ceramics electrically isolate circuit parts including the pressure sensor chip 2 and the IC chip 3 from high voltages applied to the case 10A.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、測定圧力を受ける
ダイアフラムの変位を静電容量の変化として検出する静
電容量式の圧力センサに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a capacitance type pressure sensor for detecting a displacement of a diaphragm receiving a measured pressure as a change in capacitance.

【0002】[0002]

【背景技術】従来より、静電容量式の圧力センサは圧力
測定分野において一般的に利用されている。この静電容
量式の圧力センサは、測定圧力を受けて変位するダイア
フラムと、このダイアフラムの変位を静電容量の変化と
して検出するための電極と、電極の静電容量の変化を所
定の電気信号に変換する電気回路とを含んで構成された
圧力変換部を有し、この圧力変換部で測定圧力を電気信
号に変換している。このような静電容量式の圧力センサ
は、浮遊容量や外部電界による影響を受けると、正確な
測定が行えない。例えば、圧力変換部の近傍に浮遊容量
があると、浮遊容量による電界が圧力変換部の電極に蓄
積される電荷量を変動させるので、ダイアフラムが受け
た圧力に応じた静電容量を正確に検出することが困難と
なり、圧力の正確な測定が行えなくなる。このため、特
開平7−286925号公報の図23に示されるよう
に、圧力センサ全体をシールド板で覆う、あるいは、同
公報の図1、2に示されるように、圧力変換部の電極の
みをシールド板で覆い、これにより、浮遊容量や外部電
界が電極に影響を及ぼさないようにし、正確な圧力測定
を可能としている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a capacitance type pressure sensor has been generally used in the field of pressure measurement. The capacitance-type pressure sensor includes a diaphragm that is displaced by a measurement pressure, an electrode for detecting the displacement of the diaphragm as a change in capacitance, and a change in the capacitance of the electrode that is detected by a predetermined electric signal. And a pressure conversion unit configured to convert the measured pressure into an electric signal. Such a capacitance type pressure sensor cannot perform accurate measurement when affected by stray capacitance or an external electric field. For example, if there is a stray capacitance near the pressure converter, the electric field due to the stray capacitance fluctuates the amount of charge stored in the electrodes of the pressure converter, so that the capacitance corresponding to the pressure received by the diaphragm can be accurately detected. And pressure cannot be accurately measured. For this reason, as shown in FIG. 23 of JP-A-7-286925, the entire pressure sensor is covered with a shield plate, or as shown in FIGS. It is covered with a shield plate, which prevents stray capacitance and external electric field from affecting the electrodes, and enables accurate pressure measurement.

【0003】ここで、圧力センサの圧力変換部を覆うケ
ースを金属製にすれば、ケース自体がシールド効果を備
えることとなり、別個にシールド板を設けなくとも、浮
遊容量や外部電界の影響を受けず、正確な圧力測定が行
えるようになる。しかも、金属製のケースは、熱に強
く、金属製のケースを採用すれば、火災などの熱によっ
て、内部の圧力変換部が破壊されても、被測定気体の外
部漏洩を防止することができる。例えば、ガスメータの
ガス圧力測定等のために、圧力センサを設ける場合、圧
力センサのケースとして金属製のものを採用すれば、火
災が生じても、ガス漏れが防止され、ガス爆発や、ガス
中毒等の二次災害を防止することができる。
Here, if the case that covers the pressure conversion portion of the pressure sensor is made of metal, the case itself will have a shielding effect, and will be affected by stray capacitance and an external electric field without providing a separate shield plate. And accurate pressure measurement can be performed. Moreover, the metal case is resistant to heat, and if a metal case is employed, even if the internal pressure conversion unit is destroyed by heat such as fire, external leakage of the gas to be measured can be prevented. . For example, when a pressure sensor is provided for gas pressure measurement of a gas meter, if a metal pressure sensor case is adopted, even if a fire occurs, gas leakage can be prevented, and gas explosion and gas poisoning can be prevented. And other secondary disasters can be prevented.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】このような金属製のケ
ースを有する圧力センサでは、ケース自身に電気絶縁性
が全くないことから、ケースに瞬間的な高電圧が加わる
と、内部の圧力変換部が絶縁破壊されるので、高電圧が
加わるおそれのある場所には、取付けることができない
という問題がある。このため、金属製ケース付の圧力セ
ンサは、雷サージ等の瞬間的な高電圧が加わるおそれの
ある金属配管に取付けられるガスメータ用の部品として
使用する場合には、高電圧に対して充分な絶縁対策を施
す必要がある。一方、合成樹脂製のケースを有する圧力
センサでは、ケース自身で充分な絶縁耐圧が確保される
ので、高電圧が加わるおそれのある場所にも取付けるこ
とができるが、金属製ケース付の圧力センサとは異な
り、前述したような耐熱性能を充分確保できないという
問題がある。なお、絶縁耐圧および耐熱性能の両方を向
上させるために、圧力センサの構造を複雑にすると、工
場での組立工数が増え、圧力センサの生産性が阻害され
るという問題が生じる。
In such a pressure sensor having a metal case, since the case itself has no electrical insulation, when an instantaneous high voltage is applied to the case, an internal pressure conversion unit is formed. Has a problem that it cannot be mounted in a place where high voltage may be applied. For this reason, a pressure sensor with a metal case must be sufficiently insulated against high voltage when it is used as a gas meter component that is attached to metal piping where instantaneous high voltage such as lightning surge may be applied. It is necessary to take measures. On the other hand, in a pressure sensor having a case made of a synthetic resin, a sufficient withstand voltage is secured by the case itself, so that the pressure sensor can be installed in a place where high voltage may be applied. However, there is a problem that the heat resistance as described above cannot be sufficiently secured. If the structure of the pressure sensor is complicated in order to improve both the withstand voltage and the heat resistance, there is a problem that the number of assembly steps in a factory increases and the productivity of the pressure sensor is hindered.

【0005】本発明の目的は、簡単な構造でありなが
ら、雷サージ等の高電圧に耐えうる絶縁耐圧を有し、高
温下でも被測定気体を外部に漏洩させない静電容量式の
圧力センサを提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a capacitance type pressure sensor which has a withstand voltage capable of withstanding a high voltage such as a lightning surge, and which does not leak a gas to be measured even at a high temperature, while having a simple structure. To provide.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、半導体および
金属のいずれか一方からなるダイアフラムの中央部分が
変位可能となるように空隙を形成した状態で、当該ダイ
アフラムの周縁部分を両側から狭持する一対の絶縁物が
設けられ、前記一対の絶縁物の一方には、測定圧を導入
する測定圧導入孔が形成され、前記一対の絶縁物の他方
には、基準圧を導入する基準圧導入孔が形成され、か
つ、これらの一対の絶縁物の少なくとも一方の絶縁物に
は、前記ダイアフラムとの対向面に電極が形成され、前
記測定圧による前記ダイアフラムの変位を、当該ダイア
フラムと前記電極との間の静電容量の変化から検出する
ための圧力センサチップと、この圧力センサチップを収
納するとともに、その内部に前記測定圧を導入するため
の圧力導入孔が設けられたケースと、前記圧力センサチ
ップの静電容量を所定の電気信号に変換する信号処理回
路とを備えた静電容量式の圧力センサであって、前記ケ
ースは、樹脂製の絶縁部および金属製の耐熱部を一体化
したボトムケースを有し、このボトムケースの耐熱部に
前記圧力導入孔が設けられ、前記圧力センサチップは、
前記圧力導入孔からはずれた位置に配置されるととも
に、セラミック製の耐熱基板を介して前記ボトムケース
に固定され、前記ボトムケースの耐熱部と前記耐熱基板
との間には、前記圧力導入孔から前記圧力センサチップ
にまで延びる圧力導入路が形成されていることを特徴と
する。
SUMMARY OF THE INVENTION According to the present invention, a peripheral portion of a diaphragm made of one of a semiconductor and a metal is sandwiched from both sides in a state where a gap is formed so that the central portion can be displaced. A pair of insulators are provided, and one of the pair of insulators is formed with a measurement pressure introduction hole for introducing a measurement pressure, and the other of the pair of insulators has a reference pressure introduction hole for introducing a reference pressure. A hole is formed, and an electrode is formed on at least one of the pair of insulators on a surface facing the diaphragm, and the displacement of the diaphragm due to the measurement pressure is changed by the diaphragm and the electrode. A pressure sensor chip for detecting from a change in capacitance between the pressure sensor chip and a pressure introducing hole for accommodating the pressure sensor chip and for introducing the measurement pressure therein is provided. And a signal processing circuit that converts the capacitance of the pressure sensor chip into a predetermined electric signal, wherein the case includes a resin insulating portion and a metal. The bottom case has a bottom case integrated with a heat-resistant portion made of, the pressure-introducing hole is provided in the heat-resistant portion of the bottom case, the pressure sensor chip,
Along with being disposed at a position off the pressure introduction hole, and fixed to the bottom case via a ceramic heat-resistant substrate, between the heat-resistant portion of the bottom case and the heat-resistant substrate, from the pressure introduction hole. A pressure introduction path extending to the pressure sensor chip is formed.

【0007】このような本発明では、ボトムケースの耐
熱部に圧力導入孔が設けられ、この圧力導入孔から被測
定気体が導入される。そして、圧力導入孔から導入され
た被測定気体は、ボトムケースの耐熱部と耐熱基板との
間に形成された圧力導入路を通って圧力センサチップに
到達する。ここで、被測定気体が接する部分は、金属お
よびセラミックのいずれかから形成されているうえ、圧
力センサチップの絶縁物は、セラミックや耐熱性を有す
るガラス等で形成可能なので、被測定気体が接する部分
のすべてが充分な耐熱性を確保している。これにより、
簡単な構造でありながら、高温下でも被測定気体を外部
に漏洩させることがない。また、ボトムケースの樹脂製
の絶縁部およびセラミック製の耐熱基板は、絶縁耐圧に
優れ、ケースに加わる高電圧から圧力センサチップおよ
び信号処理回路を保護するので、雷サージ等の高電圧に
耐えうる絶縁耐圧が確保される。
In the present invention, a pressure introducing hole is provided in the heat-resistant portion of the bottom case, and the gas to be measured is introduced from the pressure introducing hole. Then, the gas to be measured introduced from the pressure introduction hole reaches the pressure sensor chip through a pressure introduction path formed between the heat-resistant portion of the bottom case and the heat-resistant substrate. Here, the portion to be contacted by the gas to be measured is formed of either metal or ceramic, and the insulator of the pressure sensor chip can be made of ceramic, glass having heat resistance, or the like. All parts have sufficient heat resistance. This allows
Even with a simple structure, the gas to be measured does not leak outside even at high temperatures. In addition, the resin insulating portion of the bottom case and the heat-resistant substrate made of ceramic have excellent withstand voltage and protect the pressure sensor chip and the signal processing circuit from the high voltage applied to the case, so that they can withstand high voltage such as lightning surge. Dielectric strength is ensured.

【0008】以上において、前記ボトムケースの絶縁部
の材質は、熱可塑性樹脂、特に、結晶性ポリマーを採用
することが好ましい。このようにすれば、予め前記耐熱
部となる金属部品を金型内に入れて成形を行うインサー
ト成形により、絶縁部および耐熱部を一体したボトムケ
ースの成形が容易となり、圧力センサの生産性が向上さ
れるようになる。しかも、熱可塑性樹脂製の絶縁部は、
高温下で膨張しても、熱で柔らかくなって流動化しやす
く、ボトムケースの耐熱部や耐熱基板に対し、これらを
引き離す力を発生しないので、この点からも、圧力セン
サは、高温下でも被測定気体を外部に漏洩させなくな
る。また、前記圧力センサチップは、前記電極と平行に
配置された一対の導電性シールド面の間に配置され、か
つ、これら一対の導電性シールド面の一方は、前記耐熱
基板の表面に形成された金属膜であり、他方は、前記基
板に立設された支柱部に支持される金属板であることが
好ましい。このようにすれば、圧力センサチップを覆う
シールドが形成され、このシールドにより、圧力センサ
チップが浮遊容量や外部電界による影響を受けなくな
り、正確な圧力測定が可能となる。
In the above, it is preferable that the material of the insulating portion of the bottom case is a thermoplastic resin, particularly a crystalline polymer. By doing so, the bottom case in which the insulating part and the heat resistant part are integrated can be easily formed by insert molding in which the metal part serving as the heat resistant part is put in a mold in advance and the productivity of the pressure sensor is increased. Will be improved. Moreover, the insulating part made of thermoplastic resin is
Even when expanded at high temperatures, it becomes soft and easily fluidized by heat, and does not generate a force to separate them from the heat-resistant part or heat-resistant substrate of the bottom case. The measurement gas does not leak outside. The pressure sensor chip is disposed between a pair of conductive shield surfaces disposed in parallel with the electrodes, and one of the pair of conductive shield surfaces is formed on a surface of the heat-resistant substrate. It is preferable that the metal plate is a metal film, and the other is a metal plate supported by a column standing on the substrate. In this way, a shield that covers the pressure sensor chip is formed. With this shield, the pressure sensor chip is not affected by stray capacitance or an external electric field, and accurate pressure measurement can be performed.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の一形態を図
面に基づいて説明する。図1および図2には、本発明の
一実施形態に係る静電容量式の圧力センサ1が示されて
いる。圧力センサ1は、燃料ガス会社から供給されるガ
スの圧力を測定するものであり、当該ガスの使用量を計
量するガスメータの一部品として利用される。この圧力
センサ1には、ガスの圧力を検出するための圧力センサ
チップ2と、この圧力センサチップ2で得た圧力信号を
電気的に処理するための信号処理回路としてのICチッ
プ3と、これらの圧力センサチップ2およびICチップ
3を収納するためのケース10とが備えられている。この
うち、圧力センサチップ2およびICチップ3は、電気
絶縁性のあるセラミック製の耐熱基板である基板4の上
に並んで取付けられている。ケース10は、基板4が固定
されたボトムケース10A を備えたものである。このボト
ムケース10A には、必要に応じて、図中上面を覆う図示
しない略箱状のアッパーケースが取付可能となってい
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 and 2 show a capacitance-type pressure sensor 1 according to an embodiment of the present invention. The pressure sensor 1 measures the pressure of a gas supplied from a fuel gas company, and is used as a part of a gas meter that measures the usage of the gas. The pressure sensor 1 includes a pressure sensor chip 2 for detecting gas pressure, an IC chip 3 as a signal processing circuit for electrically processing a pressure signal obtained by the pressure sensor chip 2, And a case 10 for accommodating the pressure sensor chip 2 and the IC chip 3. Among these, the pressure sensor chip 2 and the IC chip 3 are mounted side by side on a substrate 4 which is a heat-resistant substrate made of ceramic having electrical insulation. The case 10 includes a bottom case 10A to which the substrate 4 is fixed. A substantially box-shaped upper case (not shown) that covers the upper surface in the figure can be attached to the bottom case 10A as necessary.

【0010】ボトムケース10A は、図中下方の面11の中
心位置近傍に、継手部12が突設されたものである。継手
部12は、被測定流体であるガスが流通する配管等に接続
するためのものである。ボトムケース10A の長手方向の
両端は、ガスメータ等への取付のための取付部13となっ
ている。この取付部13には、ボルトが挿通されるボルト
挿通孔14が設けられている。ボトムケース10A の継手部
12の中心には、ガスの圧力を圧力センサ1の内部に導入
するための圧力導入孔15が設けられている。ボトムケー
ス10A の図中上方の面16には、基板4の周囲を囲むよう
に、高低二種類の立ち上がり部17A, 17Bが立設されてい
る。ここで、圧力センサチップ2は、ボトムケース10A
の中心から周縁方向へ片寄った位置に配置されている。
ボトムケース10A の立ち上がり部17A, 17Bに囲まれた底
面には、溝18が設けられいる。この溝18は、圧力導入孔
15から圧力センサチップ2の直下にまで延び、かつ、図
中上方に配置された基板4に覆われている。この溝18が
圧力導入孔15から圧力センサチップ2にまで延びる圧力
導入路となっている。
The bottom case 10A has a joint portion 12 protruding near the center of a lower surface 11 in the figure. The joint section 12 is for connecting to a pipe or the like through which a gas to be measured flows. Both ends in the longitudinal direction of the bottom case 10A serve as attachment portions 13 for attachment to a gas meter or the like. The mounting portion 13 is provided with a bolt insertion hole 14 through which a bolt is inserted. Joint of bottom case 10A
At the center of 12, a pressure introduction hole 15 for introducing gas pressure into the pressure sensor 1 is provided. On the upper surface 16 of the bottom case 10A in the figure, two types of rising portions 17A and 17B are provided so as to surround the periphery of the substrate 4. Here, the pressure sensor chip 2 is a bottom case 10A
Are arranged at positions offset from the center in the peripheral direction.
A groove 18 is provided on the bottom surface of the bottom case 10A surrounded by the rising portions 17A and 17B. This groove 18 is
It extends from 15 to just below the pressure sensor chip 2 and is covered by a substrate 4 arranged above in the figure. The groove 18 serves as a pressure introduction path extending from the pressure introduction hole 15 to the pressure sensor chip 2.

【0011】基板4には、圧力センサチップ2の直下と
なる位置に設けられた連通孔19が設けられている。この
基板4は、溝18に導かれるガスの圧力に耐えうるように
ボトムケース10A に接合されている。また、基板4に
は、図3ないし図5示されるように、複数の外部接続端
子20が設けられている。これらの外部接続端子20は、圧
力センサ1の外部との信号の送受信や、電源電圧を受け
るために設けられたものである。これらの外部接続端子
20のうち、圧力センサチップ2に最寄りの端子20A は、
接地用の端子となっている。この端子20A には、圧力セ
ンサチップ2を覆う金属製のシールド板21が、基板4と
平行となるように取付けられている。ここにおいて、外
部接続端子20A は、金属製のシールド板21を支持する支
柱部となっている。
The substrate 4 is provided with a communication hole 19 provided at a position directly below the pressure sensor chip 2. The substrate 4 is joined to the bottom case 10A so as to withstand the pressure of the gas introduced into the groove 18. In addition, the substrate 4 is provided with a plurality of external connection terminals 20, as shown in FIGS. These external connection terminals 20 are provided for transmitting and receiving signals to and from the outside of the pressure sensor 1 and for receiving a power supply voltage. These external connection terminals
Of the 20 terminals, the terminal 20A closest to the pressure sensor chip 2 is:
It is a ground terminal. A metal shield plate 21 covering the pressure sensor chip 2 is attached to the terminal 20A so as to be parallel to the substrate 4. Here, the external connection terminal 20A is a column supporting the metal shield plate 21.

【0012】基板4の圧力センサチップ2側の面4Aは、
二層構造となっている。圧力センサチップ2の面4Aの表
面には、厚膜印刷によりパターン配線22が設けられてい
る。圧力センサチップ2、ICチップ3および外部接続
端子20の相互間の電気配線は、主にパターン配線22によ
って形成されている。パターン配線22は、図6に示され
るように、基板4の面4Aを覆うように設けられた絶縁膜
22A の上に形成されている。絶縁膜22A の図中下方に
は、厚膜印刷によるシールド層23が形成されている。シ
ールド層23は、図3および図5の如く、圧力センサチッ
プ2に応じた位置に配置され、圧力センサチップ2を覆
うように形成されている。このシールド層23およびシー
ルド板21は、互いに電気的に導通されており、これらの
シールド層23およびシールド板21の間に、圧力センサチ
ップ2が配置され、これにより、圧力センサチップ2が
静電遮蔽されている。
The surface 4A of the substrate 4 on the pressure sensor chip 2 side is
It has a two-layer structure. The pattern wiring 22 is provided on the surface 4A of the pressure sensor chip 2 by thick film printing. The electrical wiring between the pressure sensor chip 2, the IC chip 3, and the external connection terminal 20 is mainly formed by the pattern wiring 22. As shown in FIG. 6, the pattern wiring 22 is an insulating film provided so as to cover the surface 4A of the substrate 4.
Formed on 22A. A shield layer 23 formed by thick film printing is formed below the insulating film 22A in the drawing. The shield layer 23 is disposed at a position corresponding to the pressure sensor chip 2 as shown in FIGS. 3 and 5, and is formed so as to cover the pressure sensor chip 2. The shield layer 23 and the shield plate 21 are electrically connected to each other, and the pressure sensor chip 2 is disposed between the shield layer 23 and the shield plate 21. Shielded.

【0013】圧力センサチップ2は、図6の如く、中央
部分が表裏とも凹んだダイアフラム31の表側および裏側
の両方に、図示しない電極が形成された面状の絶縁物3
2, 33を一体化したものである。この圧力センサチップ
2の絶縁物33側の面が、接着剤34により基板4に接着さ
れている。絶縁物32, 33の電極は、基板4と平行とさ
れ、これにより、前述のシールド層23およびシールド板
21とも平行となっている。ダイアフラム31は、半導体
(シリコン単結晶)から形成されたものある。ダイアフ
ラム31の周縁部分は、両側から絶縁物32, 33に挟持され
ている。この際、ダイアフラム31の中央部分は、その凹
みにより、絶縁物32, 33との間に空隙が設けられ、図中
上下方向に変位可能となっている。絶縁物32, 33の各々
は、耐熱ガラスで形成されたものである。ここで、絶縁
物32, 33を形成する耐熱ガラスおよび基板4を形成する
セラミックは、熱膨張係数が互いに近似したものが採用
されている。これにより、高温下において、圧力センサ
チップ2と基板4との間に作用する、熱膨張による力が
小さくなる。絶縁物32, 33の各々には、ダイアフラム31
との対向面に前述の電極が形成されている。なお、これ
らの電極は、ボンディングワイヤ35により基板4のパタ
ーン配線22と電気的に接続されている。
As shown in FIG. 6, a pressure sensor chip 2 has a planar insulator 3 having electrodes (not shown) formed on both front and back sides of a diaphragm 31 having a central portion recessed on both sides.
2, 33 are integrated. The surface of the pressure sensor chip 2 on the insulator 33 side is adhered to the substrate 4 with an adhesive 34. The electrodes of the insulators 32 and 33 are made parallel to the substrate 4 so that the shield layer 23 and the shield
21 is also parallel. The diaphragm 31 is formed from a semiconductor (silicon single crystal). The periphery of the diaphragm 31 is sandwiched between insulators 32 and 33 from both sides. At this time, a void is provided between the central portion of the diaphragm 31 and the insulators 32 and 33 due to the recess, so that the diaphragm 31 can be displaced vertically in the drawing. Each of the insulators 32 and 33 is formed of heat-resistant glass. Here, as the heat-resistant glass forming the insulators 32 and 33 and the ceramic forming the substrate 4, those having similar thermal expansion coefficients to each other are employed. Thereby, the force due to thermal expansion acting between the pressure sensor chip 2 and the substrate 4 at a high temperature is reduced. Each of the insulators 32 and 33 has a diaphragm 31
The above-mentioned electrode is formed on the surface facing the substrate. These electrodes are electrically connected to the pattern wiring 22 of the substrate 4 by bonding wires 35.

【0014】絶縁物32, 33のうち、図中下方の絶縁物33
には、測定圧を導入するための測定圧導入孔36が形成さ
れ、図中上方の絶縁物32には、基準圧を導入するための
基準圧導入孔37が形成されている。ここで、圧力センサ
チップ2を基板4に接着する接着剤34は、高温下におい
ても、基板4および絶縁物32の間の空間を、基板4の連
通孔19および絶縁物32の測定圧導入孔36の全周に渡って
完全に密閉するものとなっている。これにより、圧力導
入孔15から導入される測定圧がダイアフラム31まで確実
に伝達され、測定圧による変位でダイアフラム31と絶縁
物32, 33の電極との間の静電容量が変化し、測定圧が正
確に検出可能となっている。
Of the insulators 32 and 33, the insulator 33 at the bottom of the figure
A measurement pressure introduction hole 36 for introducing a measurement pressure is formed in the insulator 32, and a reference pressure introduction hole 37 for introducing a reference pressure is formed in the upper insulator 32 in the figure. Here, the adhesive 34 for bonding the pressure sensor chip 2 to the substrate 4 allows the space between the substrate 4 and the insulator 32 to be connected to the communication hole 19 of the substrate 4 and the measurement pressure introduction hole of the insulator 32 even at a high temperature. It is completely sealed over the entire circumference of 36. As a result, the measurement pressure introduced from the pressure introduction hole 15 is reliably transmitted to the diaphragm 31, and the displacement caused by the measurement pressure changes the capacitance between the diaphragm 31 and the electrodes of the insulators 32 and 33, and the measurement pressure is changed. Can be accurately detected.

【0015】ボトムケース10A は、図7ないし図9に示
されるように、アルミダイカスト製の耐熱部40と、合成
樹脂製の絶縁部50とを一体化したものである。耐熱部40
の平面形状は、圧力センサ1の長手方向の両端まで延び
た細長い短冊の角を丸めたものとなっている。耐熱部40
の中央部分は、その肉厚が最も厚くされた厚肉部41とな
っている。厚肉部41は、ボトムケース10A の面16側に露
出する平面42を有している。この露出した平面42の形状
は、小判型となっている。この平面42に、基板4が接着
されるとともに、前述の溝18が形成されている。耐熱部
40の厚肉部41には、ボトムケース10A の面11側に、前述
の継手部12および圧力導入孔15が形成されている。ここ
において、ボトムケース10A に基板4を接着すると、溝
18により、耐熱部40と基板4との間に、圧力導入孔15か
ら圧力センサチップ2にまで延びる圧力導入路が形成さ
れるようになっている(図1参照)。耐熱部40の両端部
分は、肉厚が厚肉部41に次いで厚い肉厚を有し、その表
面および裏面の両方が絶縁部50から露出しており、この
部分が前述の取付部13となっている。耐熱部40の中央部
分および両端部分の間の部分は、肉厚の最も薄い薄肉部
43となっている。
As shown in FIGS. 7 to 9, the bottom case 10A is formed by integrating a heat-resistant portion 40 made of aluminum die-casting and an insulating portion 50 made of synthetic resin. Heat resistant part 40
Is formed by rounding the corners of an elongated strip extending to both ends in the longitudinal direction of the pressure sensor 1. Heat resistant part 40
Is a thick portion 41 whose thickness is the thickest. The thick portion 41 has a flat surface 42 exposed on the surface 16 side of the bottom case 10A. The shape of the exposed flat surface 42 is an oval shape. The substrate 4 is bonded to the flat surface 42 and the above-described groove 18 is formed. Heat resistant part
In the thick portion 41 of 40, the joint portion 12 and the pressure introducing hole 15 described above are formed on the surface 11 side of the bottom case 10A. Here, when the substrate 4 is bonded to the bottom case 10A, the groove is formed.
Due to 18, a pressure introducing passage extending from the pressure introducing hole 15 to the pressure sensor chip 2 is formed between the heat resistant portion 40 and the substrate 4 (see FIG. 1). Both end portions of the heat-resistant portion 40 have the second largest thickness after the thick portion 41, and both the front surface and the back surface are exposed from the insulating portion 50. ing. The part between the center part and both ends of the heat-resistant part 40 is the thinnest part
43.

【0016】絶縁部50は、ボトムケース10A のほぼ全体
に広がったものであり、耐熱部40の長手方向に延びる側
面全体を覆うとともに、ボトムケース10A の面11とは反
対側において、耐熱部40の薄肉部43の表面を覆ってい
る。絶縁部50の表面には、前述の高低二種類の立ち上が
り部17A, 17Bが一体に形成されている。ここで、ボトム
ケース10A は、予め耐熱部40となる金属部品を金型内に
入れた後、当該金型内に溶融した結晶性ポリマーを充填
するインサート成形により、耐熱部40および絶縁部50を
一体成形したものである。この際、耐熱部40の側面に
は、絶縁部50へ向かって突出する突片44と、内側に凹ん
だ凹部45とが設けられている。これらの突片44および凹
部45により、絶縁部50を形成する樹脂の、耐熱部40への
付着強度が高められ、耐熱部40と絶縁部50とが強固に一
体化している。
The insulating portion 50 extends over substantially the entire bottom case 10A, covers the entire side surface of the heat-resistant portion 40 extending in the longitudinal direction, and has a heat-resistant portion 40 on the side opposite to the surface 11 of the bottom case 10A. Cover the surface of the thin portion 43. On the surface of the insulating portion 50, the above-described two types of rising portions 17A and 17B are integrally formed. Here, the bottom case 10A is configured such that after a metal component to be the heat-resistant part 40 is put in a mold in advance, the heat-resistant part 40 and the insulating part 50 are formed by insert molding in which the crystalline polymer filled in the mold is filled. It is integrally molded. At this time, on the side surface of the heat resistant portion 40, a protruding piece 44 protruding toward the insulating portion 50 and a concave portion 45 concaved inward are provided. The protruding pieces 44 and the concave portions 45 increase the adhesive strength of the resin forming the insulating portion 50 to the heat-resistant portion 40, and the heat-resistant portion 40 and the insulating portion 50 are firmly integrated.

【0017】前述のような本実施形態によれば、次のよ
うな効果が得られる。すなわち、ボトムケース10A のア
ルミダイカスト製の耐熱部40に圧力導入孔15を設け、ア
ルミダイカスト製の耐熱部40およびセラミック製の基板
4の間に、圧力導入孔15から圧力センサチップ2に至る
圧力導入路を設け、さらに、圧力センサチップの絶縁物
32, 33を耐熱ガラスで形成し、かつ、ダイアフラム31を
半導体(シリコン単結晶)で形成し、これにより、圧力
センサ1のガスが接する部分のすべてに充分な耐熱性を
確保させたので、簡単な構造でありながら、高温下でも
ガスの外部への漏洩を防止できる。
According to the above-described embodiment, the following effects can be obtained. That is, the pressure introducing hole 15 is provided in the heat-resistant portion 40 made of aluminum die-casting of the bottom case 10A, and the pressure from the pressure introducing hole 15 to the pressure sensor chip 2 is provided between the heat-resistant portion 40 made of aluminum die-casting and the ceramic substrate 4. Providing an introduction path, and an insulator for the pressure sensor
Since 32 and 33 are made of heat-resistant glass, and the diaphragm 31 is made of semiconductor (single-crystal silicon), sufficient heat resistance is ensured in all parts of the pressure sensor 1 where gas contacts. Although having a simple structure, it is possible to prevent the gas from leaking to the outside even at a high temperature.

【0018】また、ボトムケース10A の絶縁部50を絶縁
耐圧に優れた合成樹脂で形成し、さらに、絶縁耐圧に優
れたセラミック製の基板4の上に、圧力センサチップ2
およびICチップ3を設け、これらの絶縁部50および基
板4により、導電性のあるダイカスト製のボトムケース
10A から、圧力センサチップ2、および、ICチップ3
を含む回路部分を、電気的に隔離したので、ケース10に
加わる高電圧から圧力センサチップ2、および、ICチ
ップ3を含む回路部分が保護されるようになり、雷サー
ジ等の高電圧に耐えうる絶縁耐圧を確保することができ
る。
Further, the insulating portion 50 of the bottom case 10A is formed of a synthetic resin having excellent withstand voltage, and the pressure sensor chip 2 is mounted on a ceramic substrate 4 having excellent withstand voltage.
And an IC chip 3, and a conductive die-cast bottom case is formed by the insulating portion 50 and the substrate 4.
From 10A, pressure sensor chip 2 and IC chip 3
Is electrically isolated, the circuit portion including the pressure sensor chip 2 and the IC chip 3 is protected from high voltage applied to the case 10, and withstands high voltage such as lightning surge. High dielectric strength can be ensured.

【0019】さらに、熱膨張係数が互いに近似した材料
で、絶縁物32, 33および基板4の各々を形成し、高温下
において、圧力センサチップ2と基板4との間に、熱膨
張による力が作用しないようにしたので、熱により、圧
力センサチップ2が基板4から外れることがなく、この
点からも、高温下において、ガスの外部への漏洩を防止
できる。
Further, the insulators 32 and 33 and the substrate 4 are formed of materials having similar thermal expansion coefficients to each other, and a force due to thermal expansion is applied between the pressure sensor chip 2 and the substrate 4 at a high temperature. Since it does not act, the pressure sensor chip 2 does not come off the substrate 4 due to the heat, and from this point, it is possible to prevent the gas from leaking to the outside at high temperatures.

【0020】また、ボトムケース10A の絶縁部50の材料
として、結晶性ポリマーを採用したので、インサート成
形により、ボトムケース10A の絶縁部50および耐熱部40
を容易に一体成形することができ、圧力センサ1の生産
性を向上できるうえ、絶縁部50に熱が加わると、絶縁部
50は、柔らかくなって流動化するので、高温下で膨張し
ても、ボトムケース10A の耐熱部40や基板4に対し、こ
れらを引き離す力を発生せず、圧力センサ1の高温下に
おける気密性が確保され、この点からも、高温下におい
て、ガスの外部漏洩を防止できる。
Since a crystalline polymer is used as the material of the insulating portion 50 of the bottom case 10A, the insulating portion 50 and the heat-resistant portion 40 of the bottom case 10A are formed by insert molding.
Can be easily integrally formed, the productivity of the pressure sensor 1 can be improved, and when heat is applied to the insulating portion 50, the insulating portion
50 is softened and fluidized, so that even when expanded at high temperatures, it does not generate a force to separate them from the heat-resistant portion 40 of the bottom case 10A or the substrate 4, and the airtightness of the pressure sensor 1 at high temperatures. This also prevents gas leakage to the outside at high temperatures.

【0021】さらに、圧力センサチップ2を、その電極
と平行に配置されたシールド層23およびシールド板21の
間に配置したので、圧力センサチップ2が浮遊容量や外
部電界による影響を受けなくなり、正確な圧力測定を行
うことができる。
Further, since the pressure sensor chip 2 is arranged between the shield layer 23 and the shield plate 21 arranged in parallel with its electrodes, the pressure sensor chip 2 is not affected by stray capacitance or an external electric field, so that the pressure sensor chip 2 can be accurately measured. Pressure measurement can be performed.

【0022】また、耐熱部40の側面に、絶縁部50へ向か
って突出する突片44と、内側に凹んだ凹部45とを設け、
これらの突片44および凹部45により、絶縁部50を形成す
る樹脂の、耐熱部40への付着強度を高めたので、材質の
異なる耐熱部40と絶縁部50とが強固に一体化され、堅牢
なボトムケース10A を得ることができる。
On the side surface of the heat-resistant portion 40, a protruding piece 44 protruding toward the insulating portion 50 and a concave portion 45 depressed inward are provided.
The protruding pieces 44 and the concave portions 45 increase the adhesive strength of the resin forming the insulating portion 50 to the heat-resistant portion 40, so that the heat-resistant portion 40 and the insulating portion 50, which are made of different materials, are firmly integrated, and are robust. A simple bottom case 10A can be obtained.

【0023】以上、本発明について好適な実施形態を挙
げて説明したが、本発明は、この実施形態に限られるも
のでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々
の改良並びに設計の変更が可能である。例えば、耐熱部
としては、アルミダイカスト製のものに限らず、他の金
属からなるものでもよい。ここで、耐熱部を成形するに
あたり、鋳型を用いる鋳造法に限らず、プレス成形や機
械切削加工等他の方法を用いてもよい。
Although the present invention has been described with reference to the preferred embodiment, the present invention is not limited to this embodiment, and various improvements and design changes may be made without departing from the scope of the present invention. It is possible. For example, the heat-resistant portion is not limited to the one made of aluminum die-cast, and may be made of another metal. Here, in forming the heat-resistant portion, not only a casting method using a mold, but also other methods such as press forming and mechanical cutting may be used.

【0024】また、セラミック製の耐熱基板としては、
圧力センサチップおよび信号処理回路の両方が取り付け
可能な大きさのものに限らず、圧力センサチップのみが
取り付けられる大きさのものとし、信号処理回路は、耐
熱基板ではなく、樹脂製の絶縁部に取付けてもよい。さ
らに、ボトムケースとしては、インサート成形により、
金属製の耐熱部と樹脂製の絶縁部とを一体成形したもの
に限らず、耐熱部と絶縁部とを接着剤で接着したもので
もよい。
Further, as the ceramic heat-resistant substrate,
The signal processing circuit is not limited to a size that can be mounted with both the pressure sensor chip and the signal processing circuit, but can be mounted with only the pressure sensor chip. May be attached. Furthermore, as the bottom case, by insert molding,
The invention is not limited to the one in which the heat-resistant metal part and the insulating part made of resin are integrally formed, but may be one in which the heat-resistant part and the insulating part are bonded with an adhesive.

【0025】また、圧力センサチップのダイアフラムと
しては、半導体からなるものに限らず、金属製のもので
もよい。さらに、圧力センサチップの絶縁物としては、
耐熱ガラスからなるものに限らず、他のガラスやセラミ
ックス製のものでもよい。また、圧力センサチップとし
ては、ダイアフラムを挟む両方の絶縁物に電極を設けた
ものに限らず、ダイアフラムを挟む一対の絶縁物のうち
の一方のみに電極を設けたものでもよい。さらに、圧力
センサチップの基板4への取付は、接着剤による接着に
限らず、ねじ等にる機械的な結合でもよい。なお、本発
明は、ガスメータの一部品として使用される圧力センサ
に限らず、他の用途に使用される圧力センサにも適用で
きる。
The diaphragm of the pressure sensor chip is not limited to the one made of a semiconductor, but may be a metal one. Furthermore, as an insulator for the pressure sensor chip,
The material is not limited to the one made of heat-resistant glass, but may be made of another glass or ceramic. Further, the pressure sensor chip is not limited to one in which electrodes are provided on both insulators sandwiching the diaphragm, and may be one in which electrodes are provided only in one of a pair of insulators sandwiching the diaphragm. Further, the attachment of the pressure sensor chip to the substrate 4 is not limited to the bonding using an adhesive, but may be a mechanical connection using a screw or the like. The present invention is not limited to a pressure sensor used as a part of a gas meter, but can be applied to a pressure sensor used for other purposes.

【0026】[0026]

【発明の効果】前述のように本発明によれば、簡単な構
造でありながら、雷サージ等の高電圧に耐えうる絶縁耐
圧を確保できるうえ、高温下でも被測定気体を外部に漏
洩させないようにすることができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to ensure a dielectric strength withstanding a high voltage such as a lightning surge while having a simple structure, and to prevent the gas to be measured from leaking outside even at a high temperature. Can be

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施形態に係る圧力センサを示す断面
図である。
FIG. 1 is a sectional view showing a pressure sensor according to an embodiment of the present invention.

【図2】前記実施形態の圧力センサを示す異なる断面図
である。
FIG. 2 is a different sectional view showing the pressure sensor of the embodiment.

【図3】前記実施形態の圧力センサの耐熱基板を示す平
面図である。
FIG. 3 is a plan view showing a heat-resistant substrate of the pressure sensor of the embodiment.

【図4】前記実施形態の圧力センサの耐熱基板を示す側
面図である。
FIG. 4 is a side view showing a heat-resistant substrate of the pressure sensor of the embodiment.

【図5】前記実施形態の圧力センサの耐熱基板を示す底
面図である。
FIG. 5 is a bottom view showing a heat-resistant substrate of the pressure sensor of the embodiment.

【図6】前記実施形態の圧力センサチップを示す拡大断
面図である。
FIG. 6 is an enlarged sectional view showing the pressure sensor chip of the embodiment.

【図7】前記実施形態のケースの要部を示す平面図であ
る。
FIG. 7 is a plan view showing a main part of the case of the embodiment.

【図8】図7のVIII−VIII線における断面図である。FIG. 8 is a sectional view taken along line VIII-VIII in FIG. 7;

【図9】図7のIX−IX線における断面図である。9 is a sectional view taken along line IX-IX in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 圧力センサ 2 圧力センサチップ 3 信号処理回路を構成するICチップ 4 耐熱基板としての基板 10 ケース 10A ボトムケース 15 圧力導入孔 18 圧力導入路を形成する溝 20A 支柱部となる外部接続端子 21 導電性シールド面を形成する金属板としてのシール
ド板 23 導電性シールド面を形成する金属膜としてのシール
ド層 31 ダイアフラム 32, 33 絶縁物 36 測定圧導入孔 37 基準圧導入孔 40 耐熱部 50 絶縁部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Pressure sensor 2 Pressure sensor chip 3 IC chip which constitutes a signal processing circuit 4 Substrate as heat-resistant substrate 10 Case 10A Bottom case 15 Pressure introduction hole 18 Groove forming pressure introduction passage 20A External connection terminal which becomes support 21 Conductivity Shield plate as metal plate forming shield surface 23 Shield layer as metal film forming conductive shield surface 31 Diaphragm 32, 33 Insulator 36 Measurement pressure introduction hole 37 Reference pressure introduction hole 40 Heat resistant part 50 Insulation part

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】半導体および金属のいずれか一方からなる
ダイアフラムの中央部分が変位可能となるように空隙を
形成した状態で、当該ダイアフラムの周縁部分を両側か
ら狭持する一対の絶縁物が設けられ、前記一対の絶縁物
の一方には、測定圧を導入する測定圧導入孔が形成さ
れ、前記一対の絶縁物の他方には、基準圧を導入する基
準圧導入孔が形成され、かつ、これらの一対の絶縁物の
少なくとも一方の絶縁物には、前記ダイアフラムとの対
向面に電極が形成され、前記測定圧による前記ダイアフ
ラムの変位を、当該ダイアフラムと前記電極との間の静
電容量の変化から検出するための圧力センサチップと、 この圧力センサチップを収納するとともに、その内部に
前記測定圧を導入するための圧力導入孔が設けられたケ
ースと、 前記圧力センサチップの静電容量を所定の電気信号に変
換する信号処理回路とを備えた静電容量式の圧力センサ
であって、 前記ケースは、樹脂製の絶縁部および金属製の耐熱部を
一体化したボトムケースを有し、このボトムケースの耐
熱部に前記圧力導入孔が設けられ、 前記圧力センサチップは、前記圧力導入孔からはずれた
位置に配置されるとともに、セラミック製の耐熱基板を
介して前記ボトムケースに固定され、 前記ボトムケースの耐熱部と前記耐熱基板との間には、
前記圧力導入孔から前記圧力センサチップにまで延びる
圧力導入路が形成されていることを特徴とする静電容量
式の圧力センサ。
1. A pair of insulators which sandwich a peripheral edge portion of a diaphragm from both sides in a state where a gap is formed so that a central portion of a diaphragm made of one of a semiconductor and a metal can be displaced. In one of the pair of insulators, a measurement pressure introduction hole for introducing a measurement pressure is formed, and in the other of the pair of insulators, a reference pressure introduction hole for introducing a reference pressure is formed, and An electrode is formed on at least one of the pair of insulators on the surface facing the diaphragm, and the displacement of the diaphragm due to the measurement pressure changes the capacitance between the diaphragm and the electrode. A pressure sensor chip for detecting from the pressure sensor case, a case in which the pressure sensor chip is housed, and a pressure introduction hole for introducing the measurement pressure is provided therein; A signal processing circuit that converts the capacitance of the sensor chip into a predetermined electric signal, wherein the case integrates a resin insulating part and a metal heat resistant part. The bottom case has a pressure-introducing hole provided in a heat-resistant portion of the bottom case, and the pressure sensor chip is disposed at a position deviated from the pressure-introducing hole, and the pressure sensor chip is disposed via a ceramic heat-resistant substrate. Fixed to the bottom case, between the heat-resistant portion of the bottom case and the heat-resistant substrate,
A capacitance-type pressure sensor, wherein a pressure introduction path extending from the pressure introduction hole to the pressure sensor chip is formed.
【請求項2】請求項1に記載の静電容量式の圧力センサ
において、前記ボトムケースの絶縁部の材質は、熱可塑
性樹脂であることを特徴とする静電容量式の圧力セン
サ。
2. The capacitance type pressure sensor according to claim 1, wherein a material of an insulating portion of said bottom case is a thermoplastic resin.
【請求項3】請求項2に記載の静電容量式の圧力センサ
において、前記ケースの絶縁部を形成する熱可塑性樹脂
は、結晶性ポリマーからなることを特徴とする静電容量
式の圧力センサ。
3. The capacitance-type pressure sensor according to claim 2, wherein the thermoplastic resin forming the insulating portion of the case is made of a crystalline polymer. .
【請求項4】請求項1ないし請求項3のいずれかに記載
の静電容量式の圧力センサにおいて、前記ボトムケース
は、予め前記耐熱部となる金属部品を金型内に入れて成
形を行うインサート成形により、前記絶縁部および前記
耐熱部を一体に成形したものであることを特徴とする静
電容量式の圧力センサ。
4. A capacitance type pressure sensor according to claim 1, wherein said bottom case is formed by previously placing a metal part to be said heat resistant part in a mold. A capacitance-type pressure sensor, wherein the insulating section and the heat-resistant section are integrally formed by insert molding.
【請求項5】請求項1ないし請求項4のいずれかに記載
の静電容量式の圧力センサにおいて、当該圧力センサ
は、ガスメータの部品として用いられることを特徴とす
る静電容量式の圧力センサ。
5. A capacitance type pressure sensor according to claim 1, wherein said pressure sensor is used as a component of a gas meter. .
【請求項6】請求項1ないし請求項5のいずれかに記載
の静電容量式の圧力センサにおいて、前記圧力センサチ
ップは、前記電極と平行に配置された一対の導電性シー
ルド面の間に配置され、これら一対の導電性シールド面
の一方は、前記耐熱基板の表面上に形成された金属膜で
あり、他方は、前記基板に立設された支柱部に支持され
る金属板であることを特徴とする静電容量式の圧力セン
サ。
6. A capacitance type pressure sensor according to claim 1, wherein said pressure sensor chip is provided between a pair of conductive shield surfaces arranged in parallel with said electrode. And one of the pair of conductive shield surfaces is a metal film formed on the surface of the heat-resistant substrate, and the other is a metal plate supported by a supporting column erected on the substrate. A capacitance type pressure sensor characterized by the above-mentioned.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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