JPH10242179A - Manufacture of semiconductor package - Google Patents

Manufacture of semiconductor package

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Publication number
JPH10242179A
JPH10242179A JP3874397A JP3874397A JPH10242179A JP H10242179 A JPH10242179 A JP H10242179A JP 3874397 A JP3874397 A JP 3874397A JP 3874397 A JP3874397 A JP 3874397A JP H10242179 A JPH10242179 A JP H10242179A
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JP
Japan
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resin
semiconductor package
package
lsi
semiconductor
Prior art date
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Application number
JP3874397A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hideko Ando
英子 安藤
Hiroshi Kikuchi
広 菊地
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To increase the work efficiency on the occasion of injecting resin, by injecting the resin at an ordinary temperature without warming a semiconductor package and the resin, and filling up between the semiconductor chip and a wiring board with resin by primary baking after that. SOLUTION: When a semiconductor package are manufactured by filling up between a semiconductor chip 1 flip-chip-mounted and a wiring board 3 with a resin 7, on the occasion of filling with the resin 7, the resin 7 is injected at a normal temperature without warming semiconductor packages 1-3 and the resin 7. After that, between the semiconductor chip 1 and the wiring board 3 is filled up with the resin 7 by primary baking being preparatory baking for making the resin 7 and the members 1-3 get to fit. For example, the needle 5 of a resin injecting syringe 4 is thrusted into the gap between the LSI ship 1 of an LSI package and the wiring board 3 downwards from the vertical upside, and the resin 7 is injected. Next, they are all put into a baking furnace 10 together with a product case 9 at the time of injection with the bottom surface of the LSI package horizontal, and resin 7 filling and primary baking are performed simultaneously.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップをフ
リップチップ実装した半導体パッケージを製造する半導
体パッケージ製造方法に関し、特に、LSIチップをフ
リップチップ実装をしたLSIパッケージに接続補強用
樹脂を注入する半導体パッケージ製造方法に適用して有
効な技術に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor package manufacturing method for manufacturing a semiconductor package in which a semiconductor chip is flip-chip mounted, and more particularly to a semiconductor in which a connection reinforcing resin is injected into an LSI package in which an LSI chip is flip-chip mounted. The present invention relates to a technology effective when applied to a package manufacturing method.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の半導体パッケージ製造方法では、
バンプ電極を介して半導体チップを配線基板の表面上に
実装している。
2. Description of the Related Art In a conventional semiconductor package manufacturing method,
A semiconductor chip is mounted on the surface of the wiring board via bump electrodes.

【0003】前記の様に半導体チップを配線基板上にフ
リップチップ実装した場合には、半導体チップと配線基
板の熱膨張係数の差により半導体チップと配線基板とを
接続するバンプに応力が発生する。
[0003] When a semiconductor chip is flip-chip mounted on a wiring board as described above, stress is generated in a bump connecting the semiconductor chip and the wiring board due to a difference in thermal expansion coefficient between the semiconductor chip and the wiring board.

【0004】そこで、この応力によるバンプ接続寿命の
低下を防ぐ為に、半導体チップと配線基板との隙間に樹
脂を充填し、バンプの補強を行う技術が実用化されてき
た(アンダーフィル技術)。
Therefore, in order to prevent the life of the bump connection from being shortened by the stress, a technique of filling the gap between the semiconductor chip and the wiring board with a resin to reinforce the bump has been put to practical use (underfill technique).

【0005】また、前記の様に半導体チップと配線基板
との隙間に樹脂を充填してバンプの補強を行った後に、
半導体チップに放熱体を固着して半導体装置の放熱効果
を高めることも行われている。
[0005] Further, as described above, after filling the gap between the semiconductor chip and the wiring board with resin to reinforce the bumps,
It is also practiced to fix a heat radiator to a semiconductor chip to enhance the heat radiation effect of the semiconductor device.

【0006】例えば、配線基板の一表面上にバンプ電極
を介在して半導体チップが実装され、前記配線基板の一
表面と前記半導体チップの主面との間の間隙領域に樹脂
が充填されたパッケージ構造を有する半導体装置の放熱
効果を高める実装方法については、本願出願人が先に出
願した特願平8−124156号に記載されている。
For example, a package in which a semiconductor chip is mounted on one surface of a wiring substrate with a bump electrode interposed, and a resin is filled in a gap region between one surface of the wiring substrate and a main surface of the semiconductor chip. A mounting method for improving the heat radiation effect of a semiconductor device having a structure is described in Japanese Patent Application No. 8-124156 previously filed by the present applicant.

【0007】その概要は、配線基板の一表面上に第1バ
ンプ電極を介在して半導体チップが実装され、前記配線
基板の一表面と前記半導体チップの主面との間の間隙領
域に樹脂が充填されたパッケージ構造を有し、更に、前
記半導体チップの主面と対向するその裏面上に、前記半
導体チップの平面サイズに比べて大きい平面サイズで形
成され、かつ窒化アルミニウム材で形成された平板部材
が配置され、前記半導体チップの裏面にこの半導体チッ
プの裏面と対向する前記平板部材の一表面の固着領域が
ろう材を介在して固着された半導体装置を準備する工程
と、前記平板部材の一表面と対向するその裏面上に柔軟
層を介在して放熱フィン部材を固定する工程と、実装基
板の一表面上に第2バンプ電極を介在して前記半導体装
置を実装する工程を備えるものである。
[0007] The outline is that a semiconductor chip is mounted on one surface of a wiring substrate with a first bump electrode interposed therebetween, and resin is filled in a gap region between one surface of the wiring substrate and a main surface of the semiconductor chip. A flat plate having a filled package structure, and further having a plane size larger than the plane size of the semiconductor chip on its back surface facing the main surface of the semiconductor chip, and made of aluminum nitride material A step of preparing a semiconductor device in which a member is disposed, and a fixing region on one surface of the flat plate member facing the back surface of the semiconductor chip is fixed to the back surface of the semiconductor chip via a brazing material; A step of fixing the heat radiation fin member with a flexible layer interposed on the back surface facing one surface, and a step of mounting the semiconductor device with a second bump electrode interposed on one surface of the mounting substrate It is as it has.

【0008】前記の様に、半導体チップと配線基板との
隙間に樹脂を充填してバンプの補強を行うアンダーフィ
ル技術では、従来、樹脂の充填速度を高める為、半導体
パッケージ及び樹脂注入用のシリンジの針を温めること
で樹脂の粘度を低下させて樹脂の注入を行っている。
As described above, in the underfill technique of filling the gap between the semiconductor chip and the wiring board with a resin to reinforce the bump, conventionally, in order to increase the filling rate of the resin, a semiconductor package and a syringe for resin injection are used. The resin is injected by lowering the viscosity of the resin by warming the needle.

【0009】図5は、従来の半導体パッケージ製造方法
のアンダーフィル型LSIパッケージへの樹脂充填の一
例を示す図である。図5において、1はLSIチップ、
2ははんだバンプ、3は配線基板、4はシリンジ、5は
針、6は温度調節器、7は樹脂、8はヒーターである。
FIG. 5 is a view showing an example of filling a resin into an underfill type LSI package in a conventional semiconductor package manufacturing method. In FIG. 5, 1 is an LSI chip,
2 is a solder bump, 3 is a wiring board, 4 is a syringe, 5 is a needle, 6 is a temperature controller, 7 is resin, and 8 is a heater.

【0010】図5に示す様に、従来の半導体パッケージ
製造方法のアンダーフィル型LSIパッケージへの樹脂
充填では、はんだバンプ2により配線基板3上に搭載さ
れたLSIチップ1の辺近傍にシリンジ4に入れた樹脂
7を塗布しており、前記塗布された樹脂7は、毛管現象
によりLSIチップ1と配線基板3と間に侵入し、LS
Iチップ1と配線基板3との隙間に充填される。
As shown in FIG. 5, in filling a resin into an underfill type LSI package according to a conventional method of manufacturing a semiconductor package, a syringe 4 is provided near a side of an LSI chip 1 mounted on a wiring board 3 by solder bumps 2. The applied resin 7 is applied, and the applied resin 7 penetrates between the LSI chip 1 and the wiring board 3 by capillary action, and
The gap between the I chip 1 and the wiring board 3 is filled.

【0011】このとき、前記従来の半導体パッケージ製
造方法では、樹脂7の充填速度を高める為、シリンジ4
の針5に付けた温度調節器6により樹脂7を温めたり、
ヒーター8上によりLSIパッケージ全体を温めたりし
ている。
At this time, in the conventional method of manufacturing a semiconductor package, the syringe 4 has to be filled in order to increase the filling speed of the resin 7.
Warming the resin 7 with the temperature controller 6 attached to the needle 5 of
The entire LSI package is heated by the heater 8.

【0012】これは、前記充填される樹脂7は、温度を
上げるとその粘度が下がる傾向を示すことを利用したも
ので、粘度が下がると充填速度が上がり、樹脂7の充填
効率が向上する。
This is based on the fact that the viscosity of the resin 7 to be charged tends to decrease when the temperature is increased. When the viscosity is decreased, the filling speed is increased, and the efficiency of filling the resin 7 is improved.

【0013】前記従来の半導体パッケージ製造方法にお
いて、自動樹脂注入等でLSIパッケージに樹脂7の注
入を行う場合には、注入が終了したLSIパッケージを
LSIパッケージサイズだけ移動させた後、未注入のL
SIパッケージへの樹脂注入を行っているが、LSIパ
ッケージをヒーター8上で加熱しながら樹脂注入する
為、LSIパッケージをヒーター8上に水平置きにした
状態で移動させている。
In the conventional method for manufacturing a semiconductor package, when the resin 7 is injected into the LSI package by automatic resin injection or the like, the LSI package after the injection is moved by the size of the LSI package, and then the un-injected LSI package is moved.
Although the resin is injected into the SI package, the LSI package is moved horizontally on the heater 8 in order to inject the resin while heating the LSI package on the heater 8.

【0014】また、前記従来の半導体パッケージ製造方
法において、LSIチップ1に放熱体を固着したLSI
パッケージに樹脂7を充填しようとすると、放熱体が邪
魔をして、樹脂7を充填することが困難となる。
In the conventional semiconductor package manufacturing method, an LSI in which a heat radiator is fixed to the LSI chip 1 is provided.
If the package is to be filled with the resin 7, the heat dissipating body hinders the filling of the resin 7.

【0015】従って、前記従来の半導体パッケージ製造
方法では、樹脂7を充填してから放熱体を固着してお
り、この場合には、充填済みの樹脂7にダメージを与え
ない(高温を加えない)固着方法が行われている。
Therefore, in the above-described conventional semiconductor package manufacturing method, the radiator is fixed after the resin 7 is filled. In this case, the filled resin 7 is not damaged (no high temperature is applied). An anchoring method has been implemented.

【0016】また、前記従来の半導体パッケージ製造方
法では、LSIチップ1、はんだバンプ2及び配線基板
3と樹脂7との濡れ性を向上させる為に、樹脂7と各部
材とを馴染ませる予備的ベークである1次ベークを行
い、LSIチップ1と配線基板3との隙間に樹脂7を充
填した後、樹脂硬化用のベーク炉により樹脂7を硬化さ
せる2次ベークを行っており、前記1次ベークは2次ベ
ークよりも低い温度で行われている。
Further, in the conventional method of manufacturing a semiconductor package, in order to improve the wettability between the LSI chip 1, the solder bumps 2, the wiring board 3 and the resin 7, a preliminary bake for accommodating the resin 7 and each member is performed. After the first baking is performed, the gap between the LSI chip 1 and the wiring board 3 is filled with the resin 7, and then the second baking is performed to cure the resin 7 by a baking furnace for curing the resin. Is performed at a lower temperature than the secondary bake.

【0017】[0017]

【発明が解決しようとする課題】本発明者は、前記従来
技術を検討した結果、以下の問題点を見い出した。
The present inventor has found the following problems as a result of studying the above prior art.

【0018】すなわち、前記従来の半導体パッケージ製
造方法では、自動樹脂注入等で半導体パッケージに樹脂
注入を行う場合、注入が終了した半導体パッケージから
未注入の半導体パッケージまで半導体パッケージサイズ
だけ移動させなければならないが、半導体パッケージを
加熱しながら注入する為、半導体パッケージは水平置き
になり、半導体パッケージが大きくなる傾向にある中、
一度に搬送出来る半導体パッケージ数が限られてくると
いう問題があった。
That is, in the conventional method of manufacturing a semiconductor package, when resin is injected into the semiconductor package by automatic resin injection or the like, the semiconductor package must be moved by a size corresponding to the size of the semiconductor package from the semiconductor package after the injection to the semiconductor package not injected. However, since the semiconductor package is injected while being heated, the semiconductor package is placed horizontally and the semiconductor package tends to become larger.
There has been a problem that the number of semiconductor packages that can be transported at one time is limited.

【0019】また、前記従来の半導体パッケージ製造方
法では、半導体チップに放熱体を固着した半導体パッケ
ージを水平に置いた状態で樹脂を充填しようとすると、
シリンジの針先を放熱体と半導体パッケージの配線基板
との間の狭い隙間に差し込む時の位置決めが困難となる
為、樹脂を充填してから放熱体を固着することになり、
その固着方法は、樹脂にダメージを与えない(高温を加
えない)固着方法に限られてしまうという問題があっ
た。
Further, in the conventional semiconductor package manufacturing method, when the semiconductor package in which the heat radiator is fixed to the semiconductor chip is placed horizontally and the resin is to be filled,
Since it is difficult to position the syringe when inserting the needle tip into the narrow gap between the radiator and the wiring board of the semiconductor package, the radiator is fixed after filling with resin.
The fixing method has a problem that it is limited to a fixing method that does not damage the resin (does not apply a high temperature).

【0020】前記従来の半導体パッケージ製造方法で充
填される樹脂では、温度を上げるとその粘度が下がる傾
向を示すので、樹脂を温めることで粘度を下げ、充填速
度を上げているが、樹脂を温めながら使用すると、その
粘度が下がる一方で樹脂の硬化反応速度が上昇する為、
シリンジ中の未使用の樹脂も速く硬化(劣化)が進み、
樹脂の使用可能時間が短くなってしまうという問題があ
った。
The viscosity of the resin filled by the conventional semiconductor package manufacturing method tends to decrease when the temperature is increased. Therefore, the viscosity is decreased by heating the resin, and the filling speed is increased. While using, while the viscosity decreases, the curing reaction speed of the resin increases,
Unused resin in the syringe also cures (degrades) quickly,
There is a problem that the usable time of the resin is shortened.

【0021】例えば、前記半導体パッケージ製造方法で
充填される樹脂として、エポキシ樹脂を用いた場合で
は、エポキシ基が有機酸により開環後、他のエポキシ基
の開環を行い、これやエポキシ樹脂間での重合により三
次元構造が生じてベーク時に樹脂が硬化するが、常温に
おいてもこれらの反応は少しづつ進み、特に注入時にヒ
ーターで加熱されている状態では、たとえベーク温度
(例えば150℃)に達していない温度でも前記の反応
が進む。
For example, when an epoxy resin is used as the resin to be filled in the semiconductor package manufacturing method, the epoxy group is opened with an organic acid, and then another epoxy group is opened. The polymerization causes a three-dimensional structure and the resin hardens during baking. However, even at room temperature, these reactions progress little by little, especially in a state where the resin is heated by a heater at the time of pouring, even if the baking temperature (for example, 150 ° C.) The reaction proceeds even at temperatures not reached.

【0022】本発明の目的は、樹脂を注入する際の作業
効率を向上させることが可能な技術を提供することにあ
る。
An object of the present invention is to provide a technique capable of improving work efficiency when injecting a resin.

【0023】本発明の他の目的は、放熱効率の良い半導
体パッケージを実現することが可能な技術を提供するこ
とにある。
Another object of the present invention is to provide a technology capable of realizing a semiconductor package having good heat radiation efficiency.

【0024】本発明の他の目的は、加熱による樹脂の劣
化を防ぐことが可能な技術を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a technique capable of preventing deterioration of a resin due to heating.

【0025】本発明の前記並びにその他の目的と新規な
特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明かにな
るであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0026】[0026]

【課題を解決するための手段】本願によって開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
SUMMARY OF THE INVENTION Among the inventions disclosed by the present application, the outline of a representative one will be briefly described.
It is as follows.

【0027】(1)フリップチップ実装を行った半導体
チップと配線基板との間に樹脂を充填する半導体パッケ
ージ製造方法において、半導体チップをフリップチップ
実装した半導体パッケージを鉛直方向に立て、半導体チ
ップと配線基板との隙間に樹脂注入用の針を鉛直上方か
ら下向きに入れて樹脂を注入するものである。
(1) In a semiconductor package manufacturing method in which a resin is filled between a flip-chip mounted semiconductor chip and a wiring board, a semiconductor package in which a semiconductor chip is flip-chip mounted is set in a vertical direction, and the semiconductor chip and the wiring are connected. The resin is injected by inserting a needle for injecting the resin into the gap with the substrate from vertically upward and downward.

【0028】前記半導体パッケージ製造方法では、半導
体チップをフリップチップ実装した半導体パッケージを
鉛直方向に立てた後、半導体チップと配線基板との隙間
に樹脂注入用のシリンジの針を鉛直上方から下向きに入
れて樹脂を注入する。
In the method of manufacturing a semiconductor package, a semiconductor package on which a semiconductor chip is flip-chip mounted is set up vertically, and a needle of a syringe for resin injection is inserted into a gap between the semiconductor chip and the wiring board vertically downward from above. And inject resin.

【0029】前記注入された樹脂は、毛管現象により半
導体チップと配線基板との間に侵入し、半導体チップと
配線基板との隙間に充填される。
The injected resin penetrates between the semiconductor chip and the wiring board by capillary action and fills a gap between the semiconductor chip and the wiring board.

【0030】特定の半導体パッケージへの樹脂の注入が
終了したら、注入が終了した半導体パッケージから未注
入の半導体パッケージまで注入を行う位置を移動させ、
未注入の半導体パッケージへの樹脂の注入を行う。
When the injection of the resin into the specific semiconductor package is completed, the injection position is moved from the injected semiconductor package to the uninjected semiconductor package,
A resin is injected into an uninjected semiconductor package.

【0031】前記半導体パッケージ製造方法では、半導
体パッケージを鉛直方向に立てた状態で移動を行うの
で、注入の完了した半導体パッケージから次の半導体パ
ッケージの移動を最小限にし、また、一度に搬送する半
導体パッケージ数を従来より増やすことで、半導体チッ
プと配線基板との隙間に樹脂を注入する作業効率を向上
(取り扱い製品数の増大)させることが可能である。
In the method of manufacturing a semiconductor package, the semiconductor package is moved in a state where the semiconductor package is set upright, so that the movement of the next semiconductor package from the semiconductor package in which injection has been completed is minimized, and the semiconductor package to be transported at one time is provided. By increasing the number of packages as compared with the related art, it is possible to improve the work efficiency of injecting the resin into the gap between the semiconductor chip and the wiring board (increase the number of products handled).

【0032】以上の様に、前記半導体パッケージ製造方
法によれば、半導体チップをフリップチップ実装した半
導体パッケージを鉛直方向に立てて樹脂を注入するの
で、樹脂を注入する際の作業効率を向上させることが可
能である。
As described above, according to the method of manufacturing a semiconductor package, the semiconductor package in which the semiconductor chip is flip-chip mounted is vertically set and the resin is injected, so that the work efficiency at the time of injecting the resin is improved. Is possible.

【0033】(2)前記(1)に記載された半導体パッ
ケージ製造方法において、前記樹脂の注入を行う前に半
導体チップに放熱体を固着するものである。
(2) In the method of manufacturing a semiconductor package described in (1), a radiator is fixed to the semiconductor chip before the resin is injected.

【0034】前記半導体パッケージ製造方法では、樹脂
注入を行う前に、まず、半導体チップをフリップチップ
実装した半導体パッケージの半導体チップに放熱体を固
着する。
In the method of manufacturing a semiconductor package, a radiator is first fixed to a semiconductor chip of a semiconductor package in which a semiconductor chip is flip-chip mounted before resin injection.

【0035】次に、半導体チップに放熱体が固着された
半導体パッケージを鉛直方向に立てた後、放熱体が固着
された半導体チップと配線基板との隙間に樹脂注入用の
シリンジの針を鉛直上方から下向きに入れて樹脂を注入
する。
Next, after the semiconductor package having the radiator fixed to the semiconductor chip is erected vertically, a needle of a syringe for resin injection is vertically inserted into a gap between the semiconductor chip to which the radiator is fixed and the wiring board. Put the resin downward and inject the resin.

【0036】前記注入された樹脂は、毛管現象により半
導体チップと配線基板との間に侵入し、半導体チップと
配線基板との隙間に充填される。
The injected resin penetrates between the semiconductor chip and the wiring board by capillary action and fills a gap between the semiconductor chip and the wiring board.

【0037】特定の半導体パッケージへの樹脂の注入が
終了したら、注入が終了した半導体パッケージから未注
入の半導体パッケージまで注入を行う位置を移動させ、
未注入の半導体パッケージへの樹脂の注入を行う。
When the injection of the resin into the specific semiconductor package is completed, the injection position is moved from the injected semiconductor package to the uninjected semiconductor package.
A resin is injected into an uninjected semiconductor package.

【0038】前記従来の半導体パッケージ製造方法で
は、放熱体が固着された半導体パッケージを鉛直方向に
立てた後に鉛直方向から樹脂を注入するので、樹脂注入
用シリンジの針先を放熱体と半導体パッケージの配線基
板との間の狭い隙間に差し込む時の位置決めが容易とな
る。
In the above-described conventional semiconductor package manufacturing method, the resin is injected from the vertical direction after the semiconductor package to which the heat radiator is fixed is set in the vertical direction, so that the tip of the resin injection syringe is connected to the heat radiator and the semiconductor package. Positioning when inserting into a narrow gap with the wiring board is facilitated.

【0039】前記半導体パッケージ製造方法では、樹脂
充填前に放熱体を固着するので、その固着方法は、樹脂
にダメージを与えない固着方法に限る必要が無くなり、
例えばはんだによる固着方法を使用した場合でも固着時
の熱履歴による樹脂の劣化を防ぐことが出来る。
In the semiconductor package manufacturing method, since the heat radiator is fixed before filling the resin, the fixing method does not need to be limited to a fixing method that does not damage the resin.
For example, even when a fixing method using solder is used, it is possible to prevent the resin from deteriorating due to heat history at the time of fixing.

【0040】また、前記の様に放熱体をはんだにより固
着すると、半導体チップから放熱体への熱伝達を効率良
く行うことが可能となり、放熱効率の良い半導体パッケ
ージを実現することが出来る。
When the heat radiator is fixed by soldering as described above, heat can be efficiently transmitted from the semiconductor chip to the heat radiator, and a semiconductor package having high heat radiation efficiency can be realized.

【0041】以上の様に、前記半導体パッケージ製造方
法によれば、放熱体を固着してから樹脂を充填するの
で、放熱効率の良い半導体パッケージを実現することが
可能である。
As described above, according to the semiconductor package manufacturing method, the resin is filled after the heat radiator is fixed, so that a semiconductor package having good heat radiation efficiency can be realized.

【0042】(3)前記(1)または(2)に記載され
た半導体パッケージ製造方法において、前記樹脂の注入
を行う際に半導体パッケージ及び樹脂を温めることなく
常温で注入し、前記樹脂の注入を行った後に樹脂と部材
とを馴染ませる予備的ベークである1次ベークにより半
導体チップと配線基板との間に樹脂を充填するものであ
る。
(3) In the method of manufacturing a semiconductor package described in the above (1) or (2), when the resin is injected, the semiconductor package and the resin are injected at room temperature without warming. After that, the resin is filled between the semiconductor chip and the wiring board by a primary bake which is a preliminary bake for accommodating the resin and the member.

【0043】前記半導体パッケージ製造方法では、樹脂
の注入効率を上げ、かつ樹脂を劣化させない方法とし
て、常温中で樹脂を半導体チップと配線基板との間にポ
ッティングし、その後1次ベーク(樹脂と部材を馴染ま
せる為の予備的ベーク)中に樹脂の充填を行う。
In the method of manufacturing a semiconductor package, as a method of increasing the resin injection efficiency and not deteriorating the resin, the resin is potted between the semiconductor chip and the wiring board at room temperature, and then the first bake (the resin and the member) are performed. The resin is filled during preliminary baking to acclimatize the resin.

【0044】そして、1次ベークで半導体チップと配線
基板との間に樹脂を充填した後、前記半導体チップと配
線基板との間に充填した樹脂を2次ベークにより硬化さ
せる。
After filling the resin between the semiconductor chip and the wiring board in the first bake, the resin filled between the semiconductor chip and the wiring board is cured by the second bake.

【0045】前記半導体パッケージ製造方法では、半導
体チップと配線基板との間に樹脂を注入する際に樹脂を
温めることがないので、加熱による樹脂の劣化を防ぐこ
とが可能であり、樹脂劣化防止による材料費削減を行う
ことが出来る。
In the method of manufacturing a semiconductor package, since the resin is not heated when the resin is injected between the semiconductor chip and the wiring board, it is possible to prevent the deterioration of the resin due to heating, and to prevent the deterioration of the resin. Material costs can be reduced.

【0046】また、前記半導体パッケージ製造方法で
は、シリンジの針先で樹脂を温める温度調節器や、半導
体パッケージを温めるヒーター等の加熱設備が不要であ
り、設備投資縮小を行うことが可能である。
In the method of manufacturing a semiconductor package, a heating device such as a temperature controller for heating the resin at the tip of the syringe or a heater for heating the semiconductor package is not required, and the capital investment can be reduced.

【0047】更に、前記半導体パッケージ製造方法で
は、1次ベーク中に樹脂の充填も同時に行うので、作業
効率が良い。
Further, in the method of manufacturing a semiconductor package, since the resin is simultaneously filled during the primary baking, the working efficiency is high.

【0048】以上の様に、前記半導体パッケージ製造方
法によれば、半導体チップと配線基板との間に樹脂を注
入する際に樹脂を温めることがないので、加熱による樹
脂の劣化を防ぐことが可能である。
As described above, according to the method of manufacturing a semiconductor package, the resin is not heated when the resin is injected between the semiconductor chip and the wiring board, so that deterioration of the resin due to heating can be prevented. It is.

【0049】[0049]

【発明の実施の形態】以下に、本発明の半導体パッケー
ジ製造方法において、フリップチップ実装をしたLSI
パッケージに接続補強用樹脂を注入する一実施形態の半
導体パッケージ製造方法について説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the following, a method of manufacturing a semiconductor package according to the present invention will be described.
An embodiment of a method of manufacturing a semiconductor package in which a connection reinforcing resin is injected into a package will be described.

【0050】図1は、本実施形態の半導体パッケージ製
造方法のLSIパッケージへの樹脂充填の一例を示す図
である。図1において、9は製品ケースである。
FIG. 1 is a view showing an example of filling a LSI package with a resin in the semiconductor package manufacturing method of the present embodiment. In FIG. 1, reference numeral 9 denotes a product case.

【0051】図1に示す様に、本実施形態の半導体パッ
ケージ製造方法のLSIパッケージへの樹脂充填では、
LSIチップ1をフリップチップ実装したLSIパッケ
ージを鉛直方向に立て、鉛直上方から樹脂7を注入して
いる。
As shown in FIG. 1, in the method of manufacturing a semiconductor package according to the present embodiment, in filling an LSI package with resin,
The LSI package in which the LSI chip 1 is flip-chip mounted is set up vertically, and the resin 7 is injected from above vertically.

【0052】本実施形態の半導体パッケージ製造方法で
は、まず、LSIチップ1を配線基板3にフリップチッ
プ実装したLSIパッケージを、LSIパッケージの底
面が鉛直面となる方向に製品ケース9にセッティングす
る。
In the semiconductor package manufacturing method of this embodiment, first, an LSI package in which the LSI chip 1 is flip-chip mounted on the wiring board 3 is set in the product case 9 in a direction in which the bottom surface of the LSI package is vertical.

【0053】このLSIパッケージのLSIチップ1と
配線基板3との隙間に鉛直上方から下向きに樹脂注入用
のシリンジ4の針5を差し込み、LSIチップ1と配線
基板3との間に充填するのに必要な分量の樹脂7を注入
する。
The needle 5 of the syringe 4 for resin injection is inserted into the gap between the LSI chip 1 of the LSI package and the wiring board 3 from above vertically to fill the space between the LSI chip 1 and the wiring board 3. A required amount of the resin 7 is injected.

【0054】この時、LSIパッケージへ注入する樹脂
7は常温のままであり、前記注入された樹脂7は、毛管
現象によりLSIチップ1と配線基板3との間に侵入
し、LSIチップ1と配線基板3との隙間に充填され
る。
At this time, the resin 7 injected into the LSI package remains at room temperature, and the injected resin 7 penetrates between the LSI chip 1 and the wiring substrate 3 by capillary action, and It is filled in the gap with the substrate 3.

【0055】特定のLSIパッケージへの樹脂7の注入
が終了したら、注入が終了したLSIパッケージから未
注入のLSIパッケージまで注入を行う位置を移動さ
せ、未注入のLSIパッケージへの樹脂7の注入を行
う。
When the injection of the resin 7 into the specific LSI package is completed, the injection position is moved from the injected LSI package to the uninjected LSI package, and the injection of the resin 7 into the uninjected LSI package is started. Do.

【0056】製品ケース9中の全てのLSIパッケージ
への樹脂7の注入が終了すると、樹脂7を注入したLS
Iパッケージを、注入時の製品ケース9ごと或いは製品
ケース9から取り出した状態で、LSIパッケージ底面
を水平にして1次ベークを行うベーク炉に入れる。
When the injection of the resin 7 into all the LSI packages in the product case 9 is completed, the LS
The I-package is placed in a baking furnace for primary baking with the bottom surface of the LSI package horizontal, with or without the product case 9 at the time of pouring.

【0057】図2は、本実施形態の半導体パッケージ製
造方法の1次ベークを行う工程の一例を示す図である。
図2において、10はベーク炉である。
FIG. 2 is a diagram showing an example of a step of performing a primary bake in the method of manufacturing a semiconductor package according to the present embodiment.
In FIG. 2, reference numeral 10 denotes a baking furnace.

【0058】図2に示す様に、本実施形態の半導体パッ
ケージ製造方法の1次ベークを行う工程では、樹脂7の
注入が終了したLSIパッケージを、注入時の製品ケー
ス9ごとLSIパッケージ底面を水平にして1次ベーク
を行うベーク炉10に入れている。
As shown in FIG. 2, in the step of performing the first bake of the semiconductor package manufacturing method of the present embodiment, the LSI package in which the resin 7 has been injected is placed on the bottom of the LSI package together with the product case 9 at the time of injection. And then put in a baking furnace 10 for performing primary baking.

【0059】樹脂7の注入を終了したLSIパッケージ
を入れたベーク炉10では、樹脂7の充填と1次ベーク
を同時に行い、1次ベーク終了後、2次ベークを行って
樹脂7を硬化させる。
In the baking furnace 10 containing the LSI package into which the resin 7 has been injected, the filling of the resin 7 and the primary baking are performed simultaneously, and after the completion of the primary baking, the secondary baking is performed to cure the resin 7.

【0060】前記の様に本実施形態の半導体パッケージ
製造方法では、LSIパッケージを鉛直方向に立てた状
態で移動を行うので、注入の完了したLSIパッケージ
から次のLSIパッケージの移動を最小限にし、また、
一度に搬送するLSIパッケージ数を従来より増やすこ
とで、LSIチップ1と配線基板3との隙間に樹脂7を
充填する作業効率を向上(取り扱い製品数の増大)させ
ることが可能である。
As described above, in the method of manufacturing a semiconductor package according to the present embodiment, the LSI package is moved while standing in the vertical direction, so that the movement of the next LSI package from the injected LSI package is minimized. Also,
By increasing the number of LSI packages to be transported at one time, it is possible to improve the work efficiency of filling the resin 7 into the gap between the LSI chip 1 and the wiring board 3 (increase the number of products handled).

【0061】図3は、本実施形態の半導体パッケージ製
造方法の放熱体固着済みLSIパッケージへの樹脂充填
の一例を示す図である。図3において、11はLSIチ
ップ固着材、12は放熱体である。
FIG. 3 is a diagram showing an example of resin filling in the LSI package to which the heat radiator is fixed in the semiconductor package manufacturing method of the present embodiment. In FIG. 3, reference numeral 11 denotes an LSI chip fixing material, and reference numeral 12 denotes a radiator.

【0062】図3に示す様に、本実施形態の半導体パッ
ケージ製造方法の放熱体固着済みLSIパッケージへの
樹脂充填では、LSIチップ1をフリップチップ実装
し、放熱体12を固着したLSIパッケージを鉛直方向
に立て、鉛直上方から樹脂7を注入している。
As shown in FIG. 3, in the method of manufacturing a semiconductor package according to the present embodiment, when filling the LSI package with the heat sink fixed thereto, the LSI package in which the LSI chip 1 is flip-chip mounted and the heat sink 12 is fixed is mounted vertically. The resin 7 is injected vertically upward.

【0063】本実施形態の半導体パッケージ製造方法で
は、まず、LSIチップ1を配線基板3にフリップチッ
プ実装したLSIパッケージのLSIチップ1にLSI
チップ固着材11により放熱体12を固着する。
In the semiconductor package manufacturing method of this embodiment, first, the LSI chip 1 is mounted on the wiring board 3 by flip-chip mounting.
The radiator 12 is fixed by the chip fixing material 11.

【0064】次に、放熱体12を固着したLSIパッケ
ージを、LSIパッケージの底面が鉛直面となる方向に
製品ケース9にセッティングする。
Next, the LSI package to which the heat radiator 12 is fixed is set in the product case 9 in a direction in which the bottom surface of the LSI package is vertical.

【0065】このLSIパッケージのLSIチップ1と
配線基板3との隙間に鉛直上方から下向きに樹脂注入用
のシリンジ4の針5を差し込み、LSIチップ1と配線
基板3との間に充填するのに必要な分量の樹脂7を注入
する。
The needle 5 of the syringe 4 for resin injection is inserted into the gap between the LSI chip 1 of the LSI package and the wiring board 3 vertically downward from above to fill the space between the LSI chip 1 and the wiring board 3. A required amount of the resin 7 is injected.

【0066】この時、LSIパッケージへ注入する樹脂
7は常温のままであり、前記注入された樹脂7は、毛管
現象によりLSIチップ1と配線基板3との間に侵入
し、LSIチップ1と配線基板3との隙間に充填され
る。
At this time, the resin 7 injected into the LSI package is kept at room temperature, and the injected resin 7 penetrates between the LSI chip 1 and the wiring substrate 3 by capillary action, and It is filled in the gap with the substrate 3.

【0067】特定のLSIパッケージへの樹脂7の注入
が終了したら、注入が終了したLSIパッケージから未
注入のLSIパッケージまで注入を行う位置を移動さ
せ、未注入のLSIパッケージへの樹脂7の注入を行
う。
When the injection of the resin 7 into the specific LSI package is completed, the injection position is moved from the injected LSI package to the uninjected LSI package, and the injection of the resin 7 into the uninjected LSI package is started. Do.

【0068】製品ケース9中の全てのLSIパッケージ
への樹脂7の注入が終了すると、樹脂7を注入したLS
Iパッケージを、注入時の製品ケース9ごと或いは製品
ケース9から取り出した状態で、LSIパッケージ底面
を水平にして1次ベークを行うベーク炉10に入れる。
When the injection of the resin 7 into all the LSI packages in the product case 9 is completed, the LS
The I-package is placed in a baking furnace 10 for primary baking with the bottom of the LSI package horizontal with the product case 9 taken out of the product case 9 together with or taken out of the product case 9.

【0069】図4は、本実施形態の半導体パッケージ製
造方法の放熱体固着済みLSIパッケージの1次ベーク
を行う工程の一例を示す図である。
FIG. 4 is a view showing an example of a step of performing the first bake of the LSI package with the heat radiator fixed thereto in the semiconductor package manufacturing method of the present embodiment.

【0070】図4に示す様に、本実施形態の半導体パッ
ケージ製造方法の放熱体固着済みLSIパッケージの1
次ベークを行う工程では、樹脂7の注入が終了したLS
Iパッケージを、注入時の製品ケース9ごとLSIパッ
ケージ底面を水平にして1次ベークを行うベーク炉10
に入れている。
As shown in FIG. 4, one of the LSI packages to which the heat radiator is fixed in the semiconductor package manufacturing method of the present embodiment.
In the step of performing the next baking, the LS after the injection of the resin 7 is completed.
A baking furnace 10 for performing primary baking of the I package with the bottom of the LSI package horizontal together with the product case 9 at the time of injection.
Put in.

【0071】樹脂7の注入を終了したLSIパッケージ
を入れたベーク炉10では、樹脂7の充填と1次ベーク
を同時に行い、1次ベーク終了後、2次ベークを行って
樹脂7を硬化させる。
In the baking furnace 10 containing the LSI package into which the resin 7 has been injected, the filling of the resin 7 and the primary baking are performed simultaneously, and after the completion of the primary baking, the secondary baking is performed to cure the resin 7.

【0072】前記の様に本実施形態の半導体パッケージ
製造方法では、樹脂充填前に放熱体12を固着するの
で、その固着方法は、樹脂7にダメージを与えない固着
方法に限る必要が無くなり、例えばLSIチップ固着材
11としてはんだを使用した場合でも固着時の熱履歴に
よる樹脂7の劣化を防ぐことが出来る。
As described above, in the method of manufacturing a semiconductor package according to the present embodiment, the radiator 12 is fixed before filling with the resin. Therefore, the fixing method need not be limited to a fixing method that does not damage the resin 7. Even when solder is used as the LSI chip fixing material 11, the deterioration of the resin 7 due to heat history at the time of fixing can be prevented.

【0073】また、前記の様に放熱体12をLSIチッ
プ固着材11であるはんだにより固着すると、LSIチ
ップ1から放熱体12への熱伝達を効率良く行うことが
可能となり、放熱効率の良いLSIパッケージを実現す
ることが出来る。
Further, when the radiator 12 is fixed by the solder as the LSI chip fixing material 11 as described above, heat can be efficiently transmitted from the LSI chip 1 to the radiator 12, so that the LSI having good heat radiation efficiency can be obtained. Package can be realized.

【0074】従来の半導体パッケージ製造方法における
樹脂塗布では、LSIパッケージを水平にし、LSIチ
ップ1の一辺にそってシリンジ4を移動させながら必要
量の樹脂7をポッティングしている。
In the resin application in the conventional semiconductor package manufacturing method, the LSI package is leveled, and the required amount of resin 7 is potted while the syringe 4 is moved along one side of the LSI chip 1.

【0075】この時1個のLSIパッケージから次のL
SIパッケージまでの移動に、例えば約5秒かかり、ま
た、ポッティングは、例えば4.00kgf/cm2
圧力で20〜30秒間行う。
At this time, the next L is transferred from one LSI package.
For example, it takes about 5 seconds to move to the SI package, and the potting is performed at a pressure of, for example, 4.00 kgf / cm 2 for 20 to 30 seconds.

【0076】このポッティングでは、約20〜30秒で
丁度LSIチップ1の一辺に樹脂7が塗布できる様、シ
リンジ移動のための速度調整を行う必要がある。
In this potting, it is necessary to adjust the speed for moving the syringe so that the resin 7 can be applied to one side of the LSI chip 1 in about 20 to 30 seconds.

【0077】これは一ヶ所に樹脂7を溜めると樹脂7の
皮膜が大きく残り、部品搭載不可能な面積が増加する為
である。
This is because if the resin 7 is stored in one place, a large film of the resin 7 remains and the area where components cannot be mounted increases.

【0078】また、前記従来の半導体パッケージ製造方
法のポッティング時には製品全体をヒーター8で例えば
約80℃に温め、樹脂7が素早く充填される様にしてい
る。
At the time of potting in the conventional semiconductor package manufacturing method, the whole product is heated to, for example, about 80 ° C. by the heater 8 so that the resin 7 is quickly filled.

【0079】これに対し本実施形態の半導体パッケージ
製造方法では、LSIパッケージを鉛直方向に置くこと
によりLSIパッケージの間隔が狭くなり、LSIパッ
ケージからLSIパッケージへの移動は例えば約2秒で
済む。
On the other hand, in the semiconductor package manufacturing method according to the present embodiment, the space between the LSI packages is reduced by placing the LSI packages in the vertical direction, and the movement from the LSI package to the LSI package can be completed in about 2 seconds, for example.

【0080】更に、ポッティング時はシリンジ4を一ヶ
所に固定したまま作業を行うことができるので、シリン
ジ移動のための速度調整は不要である。
Further, at the time of potting, since the work can be performed while the syringe 4 is fixed at one place, speed adjustment for moving the syringe is unnecessary.

【0081】また、ポッティング時は温度調節器6に使
用せずに室温で行い、その後の樹脂7の充填はヒーター
8を用いること無く1次ベーク時に行う。これにより、
温度調節器6やヒーター8の熱がシリンジ4にも伝搬す
ることによる樹脂7の劣化を防ぐことが出来る。
The potting is performed at room temperature without using the temperature controller 6, and the filling of the resin 7 is performed at the time of the first baking without using the heater 8. This allows
The deterioration of the resin 7 due to the heat of the temperature controller 6 and the heater 8 being transmitted to the syringe 4 can be prevented.

【0082】以上説明した様に、本実施形態の半導体パ
ッケージ製造方法によれば、半導体チップをフリップチ
ップ実装した半導体パッケージを鉛直方向に立てて樹脂
を注入するので、樹脂を注入する際の作業効率を向上さ
せることが可能である。
As described above, according to the method of manufacturing a semiconductor package of the present embodiment, the semiconductor package on which the semiconductor chip is flip-chip mounted is vertically set and the resin is injected. Can be improved.

【0083】また、本実施形態の半導体パッケージ製造
方法によれば、放熱体を固着してから樹脂を充填するの
で、放熱効率の良い半導体パッケージを実現することが
可能である。
Further, according to the semiconductor package manufacturing method of the present embodiment, the resin is filled after the heat radiator is fixed, so that a semiconductor package having good heat radiation efficiency can be realized.

【0084】また、本実施形態の半導体パッケージ製造
方法によれば、半導体チップと配線基板との間に樹脂を
注入する際に樹脂を温めることがないので、加熱による
樹脂の劣化を防ぐことが可能である。
According to the semiconductor package manufacturing method of the present embodiment, the resin is not heated when the resin is injected between the semiconductor chip and the wiring board, so that the deterioration of the resin due to heating can be prevented. It is.

【0085】以上、本発明を前記実施形態に基づき具体
的に説明したが、本発明は、前記実施形態に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々
変更可能であることは勿論である。
Although the present invention has been specifically described based on the above embodiment, the present invention is not limited to the above embodiment, and it is needless to say that various modifications can be made without departing from the gist of the present invention. It is.

【0086】[0086]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
The effects obtained by the representative ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【0087】(1)放熱体を固着してから樹脂を充填す
るので、放熱効率の良い半導体パッケージを実現するこ
とが可能である。
(1) Since the resin is filled after the radiator is fixed, a semiconductor package with good heat radiation efficiency can be realized.

【0088】(2)半導体チップと配線基板との間に樹
脂を注入する際に樹脂を温めることがないので、加熱に
よる樹脂の劣化を防ぐことが可能である。
(2) Since the resin is not heated when the resin is injected between the semiconductor chip and the wiring board, it is possible to prevent deterioration of the resin due to heating.

【0089】(3)半導体チップをフリップチップ実装
した半導体パッケージを鉛直方向に立てて樹脂を注入す
るので、樹脂を注入する際の作業効率を向上させること
が可能である。
(3) Since the semiconductor package on which the semiconductor chip is flip-chip mounted is vertically set and the resin is injected, the work efficiency at the time of injecting the resin can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本実施形態の半導体パッケージ製造方法のLS
Iパッケージへの樹脂充填の一例を示す図である。
FIG. 1 shows an LS of a semiconductor package manufacturing method according to an embodiment;
It is a figure showing an example of resin filling to an I package.

【図2】本実施形態の半導体パッケージ製造方法の1次
ベークを行う工程の一例を示す図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating an example of a step of performing a primary bake in the semiconductor package manufacturing method according to the embodiment.

【図3】本実施形態の半導体パッケージ製造方法の放熱
体固着済みLSIパッケージへの樹脂充填の一例を示す
図である。
FIG. 3 is a diagram showing an example of resin filling in a heat sink fixed LSI package in the semiconductor package manufacturing method of the present embodiment.

【図4】本実施形態の半導体パッケージ製造方法の放熱
体固着済みLSIパッケージの1次ベークを行う工程の
一例を示す図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a step of performing a primary bake of the LSI package with the heat radiator fixed thereto in the semiconductor package manufacturing method according to the embodiment.

【図5】従来の半導体パッケージ製造方法のアンダーフ
ィル型LSIパッケージへの樹脂充填の一例を示す図で
ある。
FIG. 5 is a diagram showing an example of filling a resin into an underfill LSI package in a conventional semiconductor package manufacturing method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…LSIチップ、2…はんだバンプ、3…配線基板、
4…シリンジ、5…針、6…温度調節器、7…樹脂、8
…ヒーター、9…製品ケース、10…ベーク炉、11…
LSIチップ固着材、12…放熱体。
1. LSI chip, 2. Solder bump, 3. Wiring board,
4: Syringe, 5: Needle, 6: Temperature controller, 7: Resin, 8
... heater, 9 ... product case, 10 ... bake oven, 11 ...
LSI chip fixing material, 12: heat radiator.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 フリップチップ実装を行った半導体チッ
プと配線基板との間に樹脂を充填する半導体パッケージ
製造方法において、 樹脂を充填する際に、半導体パッケージ及び樹脂を温め
ることなく常温で注入し、樹脂の注入を行った後に樹脂
と部材とを馴染ませる予備的ベークである1次ベークに
より半導体チップと配線基板との間に樹脂を充填するこ
とを特徴とする半導体パッケージ製造方法。
1. A method of manufacturing a semiconductor package in which a resin is filled between a semiconductor chip on which flip-chip mounting has been performed and a wiring board, wherein the semiconductor package and the resin are injected at room temperature without warming the resin. A method of manufacturing a semiconductor package, comprising: filling a resin between a semiconductor chip and a wiring board by a primary bake, which is a preliminary bake for accommodating a resin and a member after injecting the resin.
【請求項2】 請求項1に記載の半導体パッケージ製造
方法において、 前記半導体パッケージに樹脂の注入を行う前に半導体チ
ップに放熱体を固着することを特徴とする半導体パッケ
ージ製造方法。
2. The method of manufacturing a semiconductor package according to claim 1, wherein a radiator is fixed to the semiconductor chip before resin is injected into the semiconductor package.
【請求項3】 請求項1に記載の半導体パッケージ製造
方法において、 前記半導体パッケージに樹脂を充填する際に、半導体パ
ッケージを鉛直方向に立て、半導体チップと配線基板と
の隙間に樹脂注入用の針を鉛直上方から下向きに入れて
樹脂を注入することを特徴とする半導体パッケージ製造
方法。
3. The method of manufacturing a semiconductor package according to claim 1, wherein when filling the semiconductor package with a resin, the semiconductor package is set upright and a needle for injecting the resin into a gap between the semiconductor chip and the wiring board. A semiconductor package manufacturing method, wherein a resin is injected while vertically downward from above vertically.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012015248A (en) * 2010-06-30 2012-01-19 Sae Magnetics (Hk) Ltd Method for manufacturing semiconductor device, and jig for filling resin for forming underfill
JP2017123410A (en) * 2016-01-07 2017-07-13 トヨタ自動車株式会社 Method of manufacturing semiconductor device

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JP2012015248A (en) * 2010-06-30 2012-01-19 Sae Magnetics (Hk) Ltd Method for manufacturing semiconductor device, and jig for filling resin for forming underfill
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