JPH10237637A - Target material for sputtering device and production of magnetic recording medium using this - Google Patents
Target material for sputtering device and production of magnetic recording medium using thisInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、加速したイオンを
ターゲットの表面に衝突させて、ターゲットから原子を
弾き出させ、この弾き出された原子を基板に付着させる
ことにより、基板上への成膜を行うスパッタリング装置
にて、ターゲットとして用いられるスパッタリング装置
用ターゲット材に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a film on a substrate by causing accelerated ions to collide with the surface of a target to eject atoms from the target and attaching the ejected atoms to a substrate. The present invention relates to a target material for a sputtering device used as a target in a sputtering device to be performed.
【０００２】更に、本発明は、基板上に下地層を形成
後、この下地層上にスパッタリング装置を用いて磁性層
を成膜し、更に磁性層の表面を保護層で覆うことによ
り、磁気記録媒体を製造する磁気記録媒体の製造方法に
関する。Further, the present invention provides a magnetic recording method comprising: forming a base layer on a substrate, forming a magnetic layer on the base layer by using a sputtering device, and further covering the surface of the magnetic layer with a protective layer. The present invention relates to a magnetic recording medium manufacturing method for manufacturing a medium.
【０００３】[0003]
【従来の技術】スパッタリング装置は、電子部品やデバ
イスにおける薄膜形成には不可欠の装置であり、図９に
示すように、加速したイオン１をターゲット２の表面に
衝突させて、ターゲット２から原子３を弾き出させ、こ
の弾き出された原子３を基板４に付着させることによ
り、基板４上へ薄膜５を形成するものである。2. Description of the Related Art A sputtering apparatus is an indispensable apparatus for forming a thin film in an electronic component or a device. As shown in FIG. The thin film 5 is formed on the substrate 4 by causing the ejected atoms 3 to adhere to the substrate 4.
【０００４】このスパッタリング装置で用いられるター
ゲット材には（本明細書では、スパッタリング装置に組
み込まれた状態のものを「ターゲット」と呼び、単体で
扱う場合には「ターゲット材」と呼ぶ）、溶解・焼結、
圧延、機械加工を経て所定の寸法に仕上げた後、表面を
洗浄しただけのターゲット材と、溶解・焼結、圧延、機
械加工を経て所定の寸法に仕上げた後、Ａｌ2Ｏ3やＳi
Ｃ等のブラスト材でもって表面をブラスト処理したター
ゲット材とがある。[0004] The target material used in the sputtering apparatus is referred to as a "target" in the present specification, and the target material is referred to as a "target material" when used alone.・ Sintering,
After finishing to a predetermined size through rolling and machining, a target material whose surface has just been cleaned, and after finishing to a predetermined size through melting, sintering, rolling and machining, Al 2 O 3 or Si
There is a target material whose surface is blasted with a blast material such as C.
【０００５】スパッタリング装置は磁気記録媒体の製造
に際しても用いられる。ここで、磁気記録媒体は、例え
ば、アルミニウム等でなる基板と、基板上に形成された
下地層と、下地層上に成膜された磁性層と、磁性層の表
面を覆う保護層と、保護層上にコーティングされた潤滑
層とで構成される。[0005] Sputtering apparatuses are also used when manufacturing magnetic recording media. Here, the magnetic recording medium includes, for example, a substrate made of aluminum or the like, an underlayer formed on the substrate, a magnetic layer formed on the underlayer, a protective layer covering the surface of the magnetic layer, and a protective layer. And a lubricating layer coated on the layer.
【０００６】磁気記録媒体の磁性層は、大きな再生出力
を得るという観点から、残留磁束密度の増大と膜厚の増
大が求められ、高い記録分解能を得るという観点から、
保磁力の増大と膜厚の低減が求められ、ノイズを低減す
るという観点から、薄膜結晶粒の微細化が求められる。[0006] The magnetic layer of the magnetic recording medium is required to have an increased residual magnetic flux density and an increased film thickness from the viewpoint of obtaining a large reproduction output, and from the viewpoint of obtaining a high recording resolution.
An increase in coercive force and a reduction in film thickness are required, and from the viewpoint of reducing noise, finer crystal grains of the thin film are required.
【０００７】このような要求に応えるために、磁性層と
して、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ等のＣｏ合金でなる薄膜が採用
されている。又、この磁性層の下地層にはＣｒが用いら
れ、保護層にはＳiＯ2やＣが用いられている。このよう
な膜構造の場合、磁性層は勿論のこと、下地層や保護層
も、スパッタにより形成される。In order to meet such requirements, a thin film made of a Co alloy such as Co-Cr-Ta is used as the magnetic layer. Cr is used for the underlayer of this magnetic layer, and SiO 2 or C is used for the protective layer. In the case of such a film structure, not only the magnetic layer but also the underlayer and the protective layer are formed by sputtering.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】スパッタリング装置に
おいて、ターゲットから弾き出された原子の一部は、タ
ーゲットに再付着して膜を形成する。この再付着膜がタ
ーゲットから剥離すると、塵となって浮遊し、基板表面
に付着することになる。In a sputtering apparatus, some of the atoms ejected from the target adhere to the target again to form a film. When the redeposited film is separated from the target, it becomes dust and floats and adheres to the substrate surface.
【０００９】ここで、表面を洗浄しただけのターゲット
材を用いた場合、その表面が平坦で滑らかなため、再付
着膜のターゲットからの剥離が頻繁に発生し、その分、
多くの再付着膜が基板上にも付着し、基板上の膜に、再
付着膜に起因する欠陥が多発することになる。Here, when a target material whose surface is merely cleaned is used, since the surface is flat and smooth, the re-adhesion film frequently peels off from the target.
Many redeposited films also adhere to the substrate, and the film on the substrate often has defects caused by the redeposited film.
【００１０】これに対して、表面をブラスト処理したタ
ーゲット材を用いた場合、その表面が粗くなるため、再
付着膜の剥離頻度は低く、基板上の膜に、再付着膜の剥
離に起因する欠陥は生じ難くなる。しかし、表面をブラ
スト処理したターゲット材を用いた場合には、再付着膜
の剥離防止が図れるものの、新たな問題が生じる。On the other hand, when a target material whose surface is blasted is used, the frequency of peeling of the redeposited film is low because the surface is roughened. Defects are less likely to occur. However, when a target material whose surface is blasted is used, a new problem arises although the separation of the re-adhesion film can be prevented.
【００１１】即ち、Ａｌ2Ｏ3やＳiＣ等のブラスト材で
もってターゲット材の表面をブラスト処理すると、ブラ
スト材の粒子（砥粒）の一部がターゲット材に強固に打
つ込まれた状態で、ブラスト処理後もターゲット材の表
面部分に残ってしまう。図１０はブラスト処理後のター
ゲット材の表面の顕微鏡写真を示す図で、図中のＭで示
した部分が砥粒である。この結果、上記ターゲット材を
ターゲットとして用いて、スパッタにより成膜を行う
と、基板上の膜内にブラスト材の原子が混入し、高純度
の膜を形成できないという問題が生じる。That is, when the surface of the target material is blasted with a blast material such as Al 2 O 3 or SiC, a part of the particles (abrasive grains) of the blast material is firmly driven into the target material. It remains on the surface of the target material even after blasting. FIG. 10 is a diagram showing a micrograph of the surface of the target material after the blast treatment, and the portion indicated by M in the figure is abrasive grains. As a result, when a film is formed by sputtering using the above-described target material as a target, there is a problem that atoms of the blast material are mixed into the film on the substrate, and a high-purity film cannot be formed.
【００１２】又、従来の磁気記録媒体の製造方法におい
ては、下地層上にスパッタリング装置を用いて磁性層を
成膜する場合、そのターゲット材として、溶解・焼結、
圧延、機械加工を経て所定の寸法に仕上げた後、表面を
洗浄しただけのターゲット材や、溶解・焼結、圧延、機
械加工を経て所定の寸法に仕上げた後、Ａｌ2Ｏ3やＳi
Ｃ等のブラスト材でもって表面をブラスト処理したスパ
ッタリング装置用ターゲット材を用いている。このた
め、ターゲットから剥離した再付着膜が基板上に付着し
たり、磁気記録媒体の磁性層中にブラスト材の原子が混
入したりして、製造した磁気記録媒体における欠陥発生
率が高いという問題があった。In a conventional method of manufacturing a magnetic recording medium, when a magnetic layer is formed on an underlayer by using a sputtering apparatus, melting and sintering is performed as a target material.
After finishing to predetermined dimensions through rolling and machining, the target material whose surface has just been cleaned, and after finishing to predetermined dimensions through melting, sintering, rolling and machining, Al 2 O 3 and Si
A target material for a sputtering apparatus whose surface is blasted with a blast material such as C is used. For this reason, the problem that the defect occurrence rate in the manufactured magnetic recording medium is high due to the fact that the redeposited film peeled off from the target adheres to the substrate or atoms of the blast material are mixed into the magnetic layer of the magnetic recording medium. was there.
【００１３】ターゲット材に関する本発明の目的は、再
付着膜のターゲットからの剥離頻度を低くでき、しか
も、高純度の膜形成が可能になるスパッタリング装置用
ターゲット材を実現することにある。An object of the present invention relating to a target material is to realize a target material for a sputtering apparatus which can reduce the frequency of peeling of a re-deposited film from the target and can form a high-purity film.
【００１４】磁気記録媒体の製造方法に関する本発明
は、低い欠陥発生率で磁気記録媒体を製造できる磁気記
録媒体の製造方法を実現することにある。An object of the present invention relating to a method for manufacturing a magnetic recording medium is to realize a method for manufacturing a magnetic recording medium capable of manufacturing a magnetic recording medium with a low defect rate.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、加速したイオンをターゲットの表面に衝突させて、
前記ターゲットから原子を弾き出させ、この弾き出され
た原子を基板に付着させることにより、基板上への成膜
を行うスパッタリング装置にて、前記ターゲットとして
用いられるスパッタリング装置用ターゲット材におい
て、前記ターゲットの表面となる部分を、内部と同質材
料でなる熔射膜で構成したことを特徴とするものであ
る。According to the first aspect of the present invention, accelerated ions are made to collide with the surface of a target,
In a sputtering apparatus for ejecting atoms from the target and attaching the ejected atoms to a substrate to form a film on a substrate, a target material for a sputtering apparatus used as the target is used. Is formed of a sprayed film made of the same material as the inside.
【００１６】ターゲットの表面となる部分を熔射膜で構
成すると、熔射膜の表面が粗いことから、再付着膜のタ
ーゲットからの剥離頻度を低くできる。しかもターゲッ
トの表面となる部分を内部と同質材料でなる熔射膜で構
成するため、ターゲット材に不純物は存在せず、高純度
の膜形成が可能になる。When the portion to be the surface of the target is formed of a sprayed film, the frequency of peeling of the re-deposited film from the target can be reduced because the surface of the sprayed film is rough. Moreover, since the target surface is formed of a sprayed film made of the same material as the inside, no impurities are present in the target material, and a high-purity film can be formed.
【００１７】請求項２に記載の発明は、加速したイオン
をターゲットの表面に衝突させて、前記ターゲットから
原子を弾き出させ、この弾き出された原子を基板に付着
させることにより、基板上への成膜を行うスパッタリン
グ装置にて、前記ターゲットとして用いられるスパッタ
リング装置用ターゲット材において、前記ターゲットの
表面となる部分を、放電加工により形成したことを特徴
とするものである。According to a second aspect of the present invention, the accelerated ions collide with the surface of the target to eject atoms from the target, and the ejected atoms are attached to the substrate, thereby forming the ions on the substrate. In a sputtering apparatus for forming a film, in a target material for a sputtering apparatus used as the target, a portion to be a surface of the target is formed by electric discharge machining.
【００１８】ターゲットの表面となる部分を放電加工に
より形成すると、ターゲット材の表面が粗くなることか
ら、再付着膜のターゲットからの剥離頻度を低くでき
る。しかもターゲット材各部は同質材料で構成されてい
るため、ターゲット材に不純物は存在せず、高純度の膜
形成が可能になる。If the portion to be the surface of the target is formed by electric discharge machining, the surface of the target material becomes rough, so that the frequency of peeling off the re-deposited film from the target can be reduced. Moreover, since each part of the target material is made of the same material, no impurities are present in the target material, and a high-purity film can be formed.
【００１９】請求項３に記載の発明は、加速したイオン
をターゲットの表面に衝突させて、前記ターゲットから
原子を弾き出させ、この弾き出された原子を基板に付着
させることにより、基板上への成膜を行うスパッタリン
グ装置にて、前記ターゲットとして用いられるスパッタ
リング装置用ターゲット材において、前記ターゲットの
表面となる部分を、酸によるエッチングで形成したこと
を特徴とするものである。According to a third aspect of the present invention, the accelerated ions collide with the surface of the target to eject atoms from the target, and the ejected atoms are attached to the substrate, thereby forming the ions on the substrate. In a sputtering apparatus for forming a film, in a target material for a sputtering apparatus used as the target, a portion to be a surface of the target is formed by etching with an acid.
【００２０】ターゲットの表面となる部分を酸によるエ
ッチングで形成すると、ターゲット材の表面が粗くなる
ことから、再付着膜のターゲットからの剥離頻度を低く
できる。しかもターゲット材各部は同質材料で構成され
ているため、ターゲット材に不純物は存在せず、高純度
の膜形成が可能になる。When the portion to be the surface of the target is formed by etching with an acid, the surface of the target material becomes rough, so that the frequency of detachment of the redeposition film from the target can be reduced. Moreover, since each part of the target material is made of the same material, no impurities are present in the target material, and a high-purity film can be formed.
【００２１】請求項４に記載の発明は、基板上に下地層
を形成後、この下地層上にスパッタリング装置を用いて
磁性層を成膜し、更に磁性層の表面を保護層で覆うこと
により、磁気記録媒体を製造する磁気記録媒体の製造方
法において、請求項１〜３の何れかに記載のスパッタリ
ング装置用ターゲット材であって前記磁性層と同一の磁
性材料からなるターゲット材を用いてターゲットを構成
し、このターゲットの表面に、加速したイオンを衝突さ
せて、ターゲットから原子を弾き出させ、この弾き出さ
れた原子を前記下地層に付着させ、前記下地層上への前
記磁性層の成膜を行うことを特徴とするものである。According to a fourth aspect of the present invention, after forming an underlayer on a substrate, a magnetic layer is formed on the underlayer by using a sputtering device, and the surface of the magnetic layer is further covered with a protective layer. 4. A method for manufacturing a magnetic recording medium for manufacturing a magnetic recording medium, comprising using the target material for a sputtering apparatus according to claim 1, wherein the target material is made of the same magnetic material as the magnetic layer. And bombard the surface of the target with accelerated ions to eject atoms from the target, attach the ejected atoms to the underlayer, and form the magnetic layer on the underlayer. Is performed.
【００２２】請求項１〜３の何れかに記載のスパッタリ
ング装置用ターゲット材を用いたことにより、再付着膜
のターゲットからの剥離頻度を低くできると共に、高純
度の磁性層の形成が可能になる。このため、低い欠陥発
生率で磁気記録媒体を製造できる。By using the target material for a sputtering apparatus according to any one of claims 1 to 3, the frequency of peeling off the re-deposited film from the target can be reduced, and a high-purity magnetic layer can be formed. . Therefore, a magnetic recording medium can be manufactured with a low defect occurrence rate.
【００２３】[0023]
（形態例１）形態例１は、請求項１に記載の発明に関す
るもので、図１の断面図に示すように、ターゲット材１
１におけるターゲットの表面となる部分を、ターゲット
材１１の内部と同質材料でなる熔射膜１１ａで構成した
ものである。例えば、ターゲット材１１の内部と熔射膜
１１ａとをＣｏ合金（Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ等）で構成した
ものである。(Embodiment 1) Embodiment 1 relates to the invention described in claim 1, and as shown in the sectional view of FIG.
In FIG. 1, a portion serving as the surface of the target is formed of a sprayed film 11a made of the same material as the inside of the target material 11. For example, the inside of the target material 11 and the sprayed film 11a are made of a Co alloy (such as Co-Cr-Ta).
【００２４】このターゲット材１１では、熔射膜１１ａ
の表面がターゲット材１１の表面を形成しており、この
表面は、例えば図２のようになっている。ここで、図２
は形態例１のターゲット材１１（熔射膜１１ａ）の表面
の顕微鏡写真を示す図である。In this target material 11, the sprayed film 11a
Forms the surface of the target material 11, and this surface is, for example, as shown in FIG. Here, FIG.
FIG. 3 is a diagram showing a micrograph of the surface of a target material 11 (sprayed film 11a) of Embodiment 1.
【００２５】熔射膜１１ａの形成に先立って、ターゲッ
ト材１１は、溶解・焼結、圧延、機械加工を経て所定の
寸法に仕上げられている。この状態でのターゲット材１
１の表面は、図１に表現されているように、平坦で滑ら
かである。ターゲット材１１への熔射膜１１ａの形成
は、例えば、ノズルを用いて金属粉末を噴霧し、噴霧さ
れた金属粉末を溶かしてターゲット材１１の表面に付着
させることにより行う。Prior to the formation of the thermal spray film 11a, the target material 11 is finished to predetermined dimensions through melting, sintering, rolling, and machining. Target material 1 in this state
1 is flat and smooth, as represented in FIG. The formation of the sprayed film 11a on the target material 11 is performed, for example, by spraying metal powder using a nozzle, dissolving the sprayed metal powder, and attaching the melted metal powder to the surface of the target material 11.
【００２６】このように、ターゲットの表面となる部分
を熔射膜１１ａで構成すると、熔射膜１１ａの表面が粗
いことから、再付着膜のターゲットからの剥離頻度を低
くできる。しかもターゲットの表面となる部分を内部と
同質材料でなる熔射膜１１ａで構成するため、ターゲッ
ト材１１に図１０中のＭのような不純物は存在せず、基
板上に高純度の薄膜を形成できる。As described above, when the portion to be the surface of the target is formed of the sprayed film 11a, the frequency of peeling off the re-adhesive film from the target can be reduced because the surface of the sprayed film 11a is rough. In addition, since the target surface is formed by the sprayed film 11a made of the same material as the inside, the target material 11 does not have impurities such as M in FIG. 10, and a high-purity thin film is formed on the substrate. it can.
【００２７】（形態例２）形態例２は、請求項２に記載
の発明に関するもので、図３の断面図に示すように、Ｃ
ｏ合金（Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ等）からなるターゲット材２
１におけるターゲットの表面となる部分を、放電加工に
より形成したものである。(Embodiment 2) Embodiment 2 relates to the invention described in claim 2, and as shown in the sectional view of FIG.
target material 2 made of o-alloy (Co-Cr-Ta, etc.)
The part which becomes the surface of the target in 1 was formed by electric discharge machining.
【００２８】このターゲット材２１では、放電加工によ
り削られて現れた露出面がターゲット材２１の表面２１
ａを形成しており、この表面２１ａは、例えば、図４の
ようになっている。ここで、図４は形態例２のターゲッ
ト材２１の表面２１ａの顕微鏡写真を示す図である。In this target material 21, the exposed surface that has been cut off by the electric discharge machining appears on the surface 21 of the target material 21.
a, and this surface 21a is, for example, as shown in FIG. Here, FIG. 4 is a diagram illustrating a micrograph of the surface 21a of the target material 21 according to the second embodiment.
【００２９】この形態例２においても、放電加工前のタ
ーゲット材２１は、溶解・焼結、圧延、機械加工を経て
所定の寸法に仕上げられている。この状態でのターゲッ
ト材２１の表面は平坦で滑らかである。しかし、放電加
工後は、表面が不均一に削られた結果、図３に示すよう
に、ターゲット材２１の表面２１ａは粗くなる。Also in the embodiment 2, the target material 21 before the electric discharge machining is finished to a predetermined size through melting, sintering, rolling, and machining. The surface of the target material 21 in this state is flat and smooth. However, after the electric discharge machining, as a result of the non-uniform surface shaving, the surface 21a of the target material 21 becomes rough as shown in FIG.
【００３０】このように、ターゲットの表面となる部分
を放電加工で形成すると、ターゲット材２１の表面２１
ａが粗いことから、再付着膜のターゲットからの剥離頻
度を低くできる。しかもターゲット材２１各部は同質材
料で構成されているため、ターゲット材２１に図１０中
のＭのような不純物は存在せず、基板上に高純度の薄膜
を形成できる。As described above, when the portion to be the surface of the target is formed by electric discharge machining, the surface 21 of the target material 21 is formed.
Since a is rough, the frequency of peeling of the redeposition film from the target can be reduced. Moreover, since each part of the target material 21 is made of the same material, the target material 21 does not contain impurities such as M in FIG. 10, and a high-purity thin film can be formed on the substrate.
【００３１】（形態例３）形態例３は、請求項３に記載
の発明に関するもので、形態例２との構成上の相違点
は、ターゲット材におけるターゲットの表面となる部分
を、放電加工ではなく、酸によるエッチングで形成した
点である。従って、断面図は形態例２と同様である。(Embodiment 3) Embodiment 3 relates to the third aspect of the present invention. The difference between Embodiment 2 and Embodiment 2 is that the portion of the target material which is to be the surface of the target is formed by electric discharge machining. However, it was formed by etching with an acid. Therefore, the sectional view is the same as that of the second embodiment.
【００３２】ここで、酸によるエッチングの処理手順の
一例を示したのが、図５のフロー図である。この処理手
順では、まず、酸によるエッチング前のターゲット材
を、溶解・焼結、圧延、機械加工を経て所定の寸法に仕
上げておく（Ｓ１）。この状態でのターゲット材の表面
は、平坦で滑らかである。FIG. 5 is a flow chart showing an example of the procedure of the etching process using an acid. In this processing procedure, first, a target material before etching with an acid is finished to predetermined dimensions through melting, sintering, rolling, and machining (S1). The surface of the target material in this state is flat and smooth.
【００３３】次に、アルカリを用いてターゲット材の表
面の油脂分を取り除いた後（Ｓ２）、流水にて洗浄する
（Ｓ３）。この洗浄後、常温の塩酸溶液への浸漬（Ｓ
４）と流水洗浄（Ｓ５）、加熱した硫酸溶液への浸漬
（Ｓ６）と流水洗浄（Ｓ７）、加熱したリン酸溶液への
浸漬（Ｓ８）と流水洗浄（Ｓ９）を行い、乾燥する（Ｓ
１０）。Next, after removing the grease on the surface of the target material using an alkali (S2), the target material is washed with running water (S3). After this washing, immersion in a hydrochloric acid solution at normal temperature (S
4), washing with running water (S5), immersion in a heated sulfuric acid solution (S6), washing with running water (S7), immersion in a heated phosphoric acid solution (S8), washing with running water (S9), and drying (S5).
10).
【００３４】このようにして得られたターゲット材で
は、エッチングにより削られた部分がターゲット材の表
面を形成しており、この表面は、例えば図６のようにな
っている。ここで、図６は形態例３のターゲット材の表
面の顕微鏡写真を示す図である。In the target material obtained in this way, the portion shaved by etching forms the surface of the target material, and this surface is, for example, as shown in FIG. Here, FIG. 6 is a diagram showing a micrograph of the surface of the target material of Embodiment 3.
【００３５】この形態例３においても、エッチングによ
りその表面が不均一に削られた結果、ターゲット材の表
面は粗くなる。このため、再付着膜のターゲットからの
剥離頻度を低くできる。しかもターゲット各部は同質材
料で構成されているため、ターゲット材に図１０中のＭ
のような不純物は存在せず、基板上に高純度の薄膜を形
成できる。Also in the third embodiment, the surface of the target material becomes rough as a result of the non-uniform shaving by etching. For this reason, the frequency of peeling of the redeposition film from the target can be reduced. In addition, since each part of the target is made of the same material, the target material shown in FIG.
And a high-purity thin film can be formed on the substrate.
【００３６】尚、酸によるエッチングで使用するエッチ
液は、この形態例３で示した組み合わせに限る必要はな
いし、必ずしも複数の酸を使用する必要はない。エッチ
液の使用順序についても、この形態例３の順序に限る必
要はない。The etchant used in the etching with an acid is not limited to the combination shown in the third embodiment, and it is not always necessary to use a plurality of acids. The use order of the etchant is not limited to the order of the third embodiment.
【００３７】又、このエッチング後に、上記形態例１又
は２で説明したターゲット材表面の粗面化処理を施して
もよく、上記形態例１〜３で説明したターゲット材表面
の粗面化処理を、組み合わせて使用することも可能であ
る。After this etching, the surface roughening treatment of the target material surface described in the first or second embodiment may be performed. , Can be used in combination.
【００３８】（形態例４）形態例４は、磁気記録媒体の
製造方法、即ち、請求項４に記載の発明に関するもので
ある。(Embodiment 4) Embodiment 4 relates to a method for manufacturing a magnetic recording medium, that is, the invention described in claim 4.
【００３９】この形態例４での製造工程は図７で示され
る。この製造工程では、まず、アルミニウム等でなる基
板を作製する（Ｓ１１）。その後、基板の表面にテクス
チャーを形成後（Ｓ１２）、基板上にＣｒ等でなる下地
層をスパッタにより形成する（Ｓ１３）。The manufacturing process in the fourth embodiment is shown in FIG. In this manufacturing process, first, a substrate made of aluminum or the like is manufactured (S11). Then, after forming a texture on the surface of the substrate (S12), an underlayer made of Cr or the like is formed on the substrate by sputtering (S13).
【００４０】更に、この下地層上にスパッタにより磁性
層を成膜する（Ｓ１４）。ここで、スパッタによる磁性
層の成膜時には、前述の形態例１〜３の何れかのターゲ
ット材を用いる。ターゲット材の材料としては、Ｃｏ合
金（Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ等）を用いる。Further, a magnetic layer is formed on the underlayer by sputtering (S14). Here, at the time of forming the magnetic layer by sputtering, any one of the target materials according to the first to third embodiments is used. As a material of the target material, a Co alloy (such as Co-Cr-Ta) is used.
【００４１】次に、磁性層の表面にＳiＯ2やＣでなる保
護層をスパッタにより形成し（Ｓ１５）、更に、保護層
上に潤滑層をスピンコート等により形成し、磁気記録媒
体が完成する。Next, a protective layer made of SiO 2 or C is formed on the surface of the magnetic layer by sputtering (S15), and a lubricating layer is further formed on the protective layer by spin coating or the like to complete a magnetic recording medium. .
【００４２】この形態例４の製造方法においては、形態
例１〜３の何れかのスパッタリング装置用ターゲット材
を用いたことにより、再付着膜のターゲットからの剥離
頻度を低くできると共に、高純度の磁性層の形成が可能
になる。このため、低い欠陥発生率で磁気記録媒体を製
造できる。In the manufacturing method according to the fourth embodiment, by using the target material for a sputtering apparatus according to any one of the first to third embodiments, the frequency of peeling off the re-deposited film from the target can be reduced, and high-purity can be obtained. A magnetic layer can be formed. Therefore, a magnetic recording medium can be manufactured with a low defect occurrence rate.
【００４３】上記形態例１〜３のターゲット材を用いて
磁気記録媒体を製造した場合は、従来のブラスト処理し
たターゲット材を用いて磁気記録媒体を製造した場合に
比べて、図８に示すように、磁気記録媒体における欠陥
の発生率が格段に改善される。When the magnetic recording medium is manufactured using the target materials of Embodiments 1 to 3, the magnetic recording medium is manufactured as shown in FIG. 8 as compared with the case where the magnetic recording medium is manufactured using the conventional blasted target material. In addition, the occurrence rate of defects in the magnetic recording medium is remarkably improved.
【００４４】即ち、ブラスト処理したターゲット材を用
いて磁気記録媒体を製造した場合は、に示すように、
欠陥の発生率が極めて高く、その欠陥内訳では、ブラス
ト材の存在に起因する欠陥が約８割を占めている。That is, when a magnetic recording medium is manufactured using a blasted target material, as shown in FIG.
The incidence of defects is extremely high, and among the defects, about 80% of the defects are caused by the presence of the blast material.
【００４５】これに対して、ターゲットの表面となる部
分を熔射膜で構成したターゲット材を用いて磁気記録媒
体を製造した場合（参照）、ターゲットの表面となる
部分を放電加工により形成したターゲット材を用いて磁
気記録媒体を製造した場合（参照）、並びに、ターゲ
ットの表面となる部分を酸によるエッチングにより形成
したターゲット材を用いて磁気記録媒体を製造した場合
（参照）は、欠陥の発生率が大幅に低下する。即ち、
低い欠陥発生率で磁気記録媒体を製造できる。On the other hand, when a magnetic recording medium is manufactured using a target material in which a portion to be the surface of the target is formed by a sprayed film (see Reference), the target to be formed by the electric discharge machining is used to form the portion to be the surface of the target. In the case where the magnetic recording medium is manufactured using the material (see) and the case where the magnetic recording medium is manufactured using the target material in which the target surface is formed by etching with an acid (see), defects are generated. The rate drops significantly. That is,
A magnetic recording medium can be manufactured with a low defect occurrence rate.
【００４６】尚、この形態例４において、磁性層のみを
スパッタで形成し、下地層や保護層はスパッタ以外の方
法で形成することも可能である。In the fourth embodiment, only the magnetic layer can be formed by sputtering, and the underlayer and the protective layer can be formed by a method other than sputtering.
【００４７】[0047]
【発明の効果】以上説明したように、請求項１に記載の
発明では、ターゲットの表面となる部分を、内部と同質
材料でなる熔射膜で構成している。このように、ターゲ
ットの表面となる部分を熔射膜で構成すると、熔射膜の
表面が粗いことから、再付着膜のターゲットからの剥離
頻度を低くできる。しかもターゲットの表面となる部分
を内部と同質材料でなる熔射膜で構成するため、ターゲ
ットに不純物は存在せず、高純度の膜形成が可能にな
る。As described above, according to the first aspect of the present invention, the portion to be the surface of the target is constituted by the sprayed film made of the same material as the inside. In this manner, when the portion to be the surface of the target is formed of the sprayed film, the frequency of peeling of the re-deposited film from the target can be reduced because the surface of the sprayed film is rough. In addition, since the target surface is formed of a sprayed film made of the same material as the inside, no impurities are present in the target, and a high-purity film can be formed.
【００４８】請求項２に記載の発明では、ターゲットの
表面となる部分を放電加工により形成している。このよ
うに、ターゲットの表面となる部分を放電加工により形
成すると、ターゲット材の表面が粗くなることから、再
付着膜のターゲットからの剥離頻度を低くできる。しか
もターゲット各部は同質材料で構成されているため、タ
ーゲットに不純物は存在せず、高純度の膜形成が可能に
なる。According to the second aspect of the present invention, the portion to be the surface of the target is formed by electric discharge machining. When the target surface is formed by electric discharge machining as described above, the surface of the target material becomes rough, so that the frequency of peeling of the redeposited film from the target can be reduced. Moreover, since each part of the target is made of the same material, no impurities are present in the target, and a high-purity film can be formed.
【００４９】請求項３に記載の発明では、ターゲットの
表面となる部分を酸によるエッチングで形成している。
このように、ターゲットの表面となる部分を酸によるエ
ッチングで形成すると、ターゲット材の表面が粗くなる
ことから、再付着膜のターゲットからの剥離頻度を低く
できる。しかもターゲット各部は同質材料で構成されて
いるため、ターゲットに不純物は存在せず、高純度の膜
形成が可能になる。According to the third aspect of the present invention, the portion to be the surface of the target is formed by etching with an acid.
In this manner, when the target surface is formed by etching with an acid, the surface of the target material becomes rough, so that the frequency of peeling of the re-deposited film from the target can be reduced. Moreover, since each part of the target is made of the same material, no impurities are present in the target, and a high-purity film can be formed.
【００５０】請求項４に記載の発明では、請求項１〜３
の何れかに記載のスパッタリング装置用ターゲット材で
あって磁性層と同一の磁性材料からなるターゲット材を
用いて、下地層上に磁性層をスパッタしている。よっ
て、再付着膜のターゲットからの剥離頻度を低くできる
と共に、高純度の磁性層の形成が可能になる。このた
め、低い欠陥発生率で磁気記録媒体を製造できる。According to the fourth aspect of the invention, the first to third aspects are provided.
The magnetic layer is sputtered on the underlayer using the target material for a sputtering apparatus according to any one of the above, wherein the target material is made of the same magnetic material as the magnetic layer. Therefore, the frequency of peeling the re-adhesion film from the target can be reduced, and a high-purity magnetic layer can be formed. Therefore, a magnetic recording medium can be manufactured with a low defect occurrence rate.
【図１】形態例１でのターゲット材の断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a target material according to a first embodiment.
【図２】形態例１でのターゲット材の表面の顕微鏡写真
を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a micrograph of the surface of a target material in Embodiment 1.
【図３】形態例２でのターゲット材の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of a target material according to a second embodiment.
【図４】形態例２でのターゲット材の表面の顕微鏡写真
を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a micrograph of the surface of a target material in Embodiment 2.
【図５】酸によるエッチングの処理手順の一例を示すフ
ロー図である。FIG. 5 is a flowchart showing an example of a procedure of etching with an acid.
【図６】形態例３でのターゲット材の表面の顕微鏡写真
を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a micrograph of the surface of a target material in a third embodiment.
【図７】磁気記録媒体の製造工程を示すフロー図であ
る。FIG. 7 is a flowchart showing a manufacturing process of the magnetic recording medium.
【図８】磁気記録媒体における欠陥の発生率を示す図で
ある。FIG. 8 is a diagram showing the incidence of defects in a magnetic recording medium.
【図９】スパッタリング装置の原理を示す説明図であ
る。FIG. 9 is an explanatory view showing the principle of a sputtering apparatus.
【図１０】ブラスト処理後のターゲット材の表面の顕微
鏡写真を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a micrograph of the surface of the target material after the blast processing.
１：イオン ２：ターゲット ３：原子 ４：基板 ５：薄膜 １１，２１：ターゲット材 １１ａ：熔射膜 ２１ａ：表面 1: ion 2: target 3: atom 4: substrate 5: thin film 11, 21: target material 11a: sprayed film 21a: surface
Claims (4)
突させて、前記ターゲットから原子を弾き出させ、この
弾き出された原子を基板に付着させることにより、基板
上への成膜を行うスパッタリング装置にて、前記ターゲ
ットとして用いられるスパッタリング装置用ターゲット
材において、 前記ターゲットの表面となる部分を、内部と同質材料で
なる熔射膜で構成したことを特徴とするスパッタリング
装置用ターゲット材。1. A sputtering apparatus for forming a film on a substrate by causing accelerated ions to collide with a surface of a target to eject atoms from the target and attaching the ejected atoms to a substrate. A target material for a sputtering apparatus, wherein a portion to be a surface of the target is formed of a sprayed film made of the same material as the inside of the target material for a sputtering apparatus used as the target.
突させて、前記ターゲットから原子を弾き出させ、この
弾き出された原子を基板に付着させることにより、基板
上への成膜を行うスパッタリング装置にて、前記ターゲ
ットとして用いられるスパッタリング装置用ターゲット
材において、 前記ターゲットの表面となる部分を、放電加工により形
成したことを特徴とするスパッタリング装置用ターゲッ
ト材。2. A sputtering apparatus for forming a film on a substrate by colliding accelerated ions with a surface of a target to eject atoms from the target and attaching the ejected atoms to a substrate. A target material for a sputtering device, wherein a portion to be a surface of the target is formed by electric discharge machining in the target material for a sputtering device used as the target.
突させて、前記ターゲットから原子を弾き出させ、この
弾き出された原子を基板に付着させることにより、基板
上への成膜を行うスパッタリング装置にて、前記ターゲ
ットとして用いられるスパッタリング装置用ターゲット
材において、 前記ターゲットの表面となる部分を、酸によるエッチン
グで形成したことを特徴とするスパッタリング装置用タ
ーゲット材。3. A sputtering apparatus for forming a film on a substrate by causing accelerated ions to collide with the surface of a target to eject atoms from the target and attaching the ejected atoms to a substrate. A target material for a sputtering device used as the target, wherein a portion to be a surface of the target is formed by etching with an acid;
にスパッタリング装置を用いて磁性層を成膜し、更に磁
性層の表面を保護層で覆うことにより、磁気記録媒体を
製造する磁気記録媒体の製造方法において、 請求項１〜３の何れかに記載のスパッタリング装置用タ
ーゲット材であって前記磁性層と同一の磁性材料からな
るターゲット材を用いてターゲットを構成し、このター
ゲットの表面に、加速したイオンを衝突させて、ターゲ
ットから原子を弾き出させ、この弾き出された原子を前
記下地層に付着させ、前記下地層上への前記磁性層の成
膜を行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。4. A magnetic recording medium is manufactured by forming a base layer on a substrate, forming a magnetic layer on the base layer using a sputtering apparatus, and further covering the surface of the magnetic layer with a protective layer. A method for manufacturing a magnetic recording medium, comprising: forming a target using the target material for the sputtering apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the target material is made of the same magnetic material as the magnetic layer. Colliding the accelerated ions with the surface to eject atoms from a target, attaching the ejected atoms to the underlayer, and forming the magnetic layer on the underlayer. A method for manufacturing a magnetic recording medium.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3899097A JPH10237637A (en) | 1997-02-24 | 1997-02-24 | Target material for sputtering device and production of magnetic recording medium using this |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3899097A JPH10237637A (en) | 1997-02-24 | 1997-02-24 | Target material for sputtering device and production of magnetic recording medium using this |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10237637A true JPH10237637A (en) | 1998-09-08 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3899097A Withdrawn JPH10237637A (en) | 1997-02-24 | 1997-02-24 | Target material for sputtering device and production of magnetic recording medium using this |
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|---|---|
| JP (1) | JPH10237637A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010101051A1 (en) * | 2009-03-03 | 2010-09-10 | 日鉱金属株式会社 | Sputtering target and process for producing same |
| CN113846299A (en) * | 2021-07-26 | 2021-12-28 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | Method for processing tantalum target material reverse sputtering layer |
-
1997
- 1997-02-24 JP JP3899097A patent/JPH10237637A/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2010101051A1 (en) * | 2009-03-03 | 2010-09-10 | 日鉱金属株式会社 | Sputtering target and process for producing same |
| JP4846872B2 (en) * | 2009-03-03 | 2011-12-28 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | Sputtering target and manufacturing method thereof |
| US9034154B2 (en) | 2009-03-03 | 2015-05-19 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target and process for producing same |
| CN113846299A (en) * | 2021-07-26 | 2021-12-28 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | Method for processing tantalum target material reverse sputtering layer |
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