JPH10218364A - Stage for wafer holding - Google Patents
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Jigs For Machine Tools (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハを処理する
ために当該ウエハを吸着保持するためのウエハ保持用ス
テージに関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a wafer holding stage for attracting and holding a wafer for processing the wafer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えばＩＣ、ＬＳＩ等の製造工程におい
ては、半導体ウエハの表面に感光性のレジストを塗布
し、この塗布層をマスクを介して露光して現像すること
により、ウエハの表面に回路パターンを形成するが、ウ
エハの表面にレジストを塗布した後、回路パターンを形
成する前に、当該ウエハの周辺部に塗布された不要レジ
ストを露光して現像することにより、当該不要レジスト
を除去することが行われている。そして、ウエハの周辺
部に塗布された不要レジストを露光する露光装置におい
ては、ウエハを保持して回転させるウエハ保持用ステー
ジが用いられている。このようなウエハ保持用ステージ
においては、ウエハとの接触面積が小さいことが肝要で
ある。これは、ウエハとの接触面積が大きいと、ウエハ
に塵埃が付着する量が多くなるからである。また、ウエ
ハを保持する手段としては、一般に、吸着による手段が
採用されている。2. Description of the Related Art In the process of manufacturing ICs and LSIs, for example, a photosensitive resist is applied to the surface of a semiconductor wafer, and this coating layer is exposed and developed through a mask to develop a circuit on the surface of the wafer. After the pattern is formed, after the resist is applied to the surface of the wafer, and before the circuit pattern is formed, the unnecessary resist applied to the peripheral portion of the wafer is exposed and developed to remove the unnecessary resist. That is being done. In an exposure apparatus that exposes unnecessary resist applied to a peripheral portion of a wafer, a wafer holding stage that holds and rotates the wafer is used. In such a wafer holding stage, it is important that the contact area with the wafer is small. This is because when the contact area with the wafer is large, the amount of dust adhering to the wafer increases. As means for holding the wafer, means by suction is generally employed.
【０００３】図６は、従来のウエハ保持用ステージの一
例における構成を示す説明用断面図である。このウエハ
保持用ステージ８０は、全体が円板状の形状を有し、そ
の上面には、ウエハ１を吸着するための吸着用凹所８１
が形成されていると共に、当該ウエハ保持用ステージ８
０をその厚み方向に貫通して吸着用凹所８１に連通する
吸引路８２が形成されており、このウエハ保持用ステー
ジ８０の上面にウエハ１が載置されてその中央部が吸着
されることによって当該ウエハ１が保持されている。ウ
エハ保持用ステージ８０の下面には、当該ウエハ保持用
ステージ８０に対して垂直に伸びる回転軸８５が設けら
れており、この回転軸８５には、その軸方向に沿って伸
び、一端が吸引路８２に連通し、他端が当該回転軸８５
の外周面に開口する空気通路８６が形成されており、空
気通路８６の他端には、適宜の吸引装置（図示省略）が
接続されている。また、回転軸８５の下端には、モータ
８７が設けられている。２は、露光装置の光出射部であ
り、この光出射部２には、導光ファイバ４からの光線束
をウエハ１の周辺部に結像するための投影レンズ３が設
けられている。FIG. 6 is an explanatory sectional view showing the structure of an example of a conventional wafer holding stage. The wafer holding stage 80 has a disk-like shape as a whole, and has a suction recess 81 for sucking the wafer 1 on its upper surface.
Are formed, and the wafer holding stage 8 is formed.
0 is formed in the thickness direction so as to communicate with the suction recess 81. The wafer 1 is placed on the upper surface of the wafer holding stage 80 and the central portion thereof is sucked. Holds the wafer 1. A rotating shaft 85 extending perpendicular to the wafer holding stage 80 is provided on the lower surface of the wafer holding stage 80. The rotating shaft 85 extends in the axial direction and has one end connected to the suction passage. 82 and the other end of the rotating shaft 85
An air passage 86 is formed on the outer peripheral surface of the air passage 86, and an appropriate suction device (not shown) is connected to the other end of the air passage 86. Further, a motor 87 is provided at a lower end of the rotating shaft 85. Reference numeral 2 denotes a light emitting unit of the exposure apparatus. The light emitting unit 2 is provided with a projection lens 3 for forming an image of a light beam from the light guide fiber 4 on a peripheral portion of the wafer 1.
【０００４】このようなウエハ保持用ステージ８０によ
れば、ウエハ１の中央部のみが吸着されることによって
当該ウエハが保持されるので、ウエハ１との接触面積が
小さく、これにより、ウエハ１に付着する塵埃の量を少
なくすることができる。According to such a wafer holding stage 80, only the central portion of the wafer 1 is attracted to hold the wafer, so that the contact area with the wafer 1 is small. The amount of attached dust can be reduced.
【０００５】しかしながら、上記のウエハ保持用ステー
ジ８０においては、以下のような問題がある。ウエハ１
は厳密には平らなものではなく、例えば直径が２００ｍ
ｍ程度のウエハには、その周辺部において例えば±６０
〜７０μｍの反りが生じている。そして、図７に示すよ
うに、反りが生じたウエハ１の中央部をウエハ保持用ス
テージ８０に保持した状態で、当該ウエハ保持用ステー
ジ８０をモータ８６により回転させると、光出射部２
と、この光出射部２の直下におけるウエハ１の周辺部と
の距離が変動する。従って、投影レンズ３によって、導
光ファイバからの光線束をウエハ１の周辺部に安定に結
像することができず、そのため、ウエハ１の周辺部をシ
ャープに露光することが困難となる。However, the above-described wafer holding stage 80 has the following problems. Wafer 1
Is not strictly flat, for example, 200m in diameter
For example, a wafer of about m
Warpage of ~ 70 µm has occurred. Then, as shown in FIG. 7, when the wafer holding stage 80 is rotated by the motor 86 in a state where the warped wafer 1 is held on the wafer holding stage 80, the light emitting unit 2
And the distance to the peripheral portion of the wafer 1 immediately below the light emitting portion 2 varies. Therefore, the projection lens 3 cannot stably form an image of the light beam from the light guide fiber on the peripheral portion of the wafer 1, which makes it difficult to sharply expose the peripheral portion of the wafer 1.
【０００６】一方、ウエハとの接触面積が小さいウエハ
保持用ステージとしては、ウエハの周辺部を吸着するこ
とによって当該ウエハを保持する構成のものが考えられ
る。このようなウエハ保持用ステージの構成例を図８に
示す。このウエハ保持用ステージ９０は、円板状の基台
９１と、この基台９１の全周縁から上方に突出するウエ
ハ保持部９２とを有し、このウエハ保持部９２には、ウ
エハを吸着するための吸着用溝９３が形成されており、
基台９１には、当該基台９１の径方向に伸び、両端の各
々が吸着用溝９３に連通するよう、吸引路９４が形成さ
れている。そして、ウエハ保持部９２にウエハ１の周辺
部が吸着されることによって当該ウエハ１が保持されて
いる。このような構成のウエハ保持用ステージ９０にお
いては、ウエハ保持部９２によってウエハ１の周辺部が
吸着されるので、当該ウエハ保持部９２の吸引力によ
り、ウエハ１の周辺部における反りが矯正されることが
期待される。On the other hand, a wafer holding stage having a small contact area with a wafer may be configured to hold the wafer by sucking a peripheral portion of the wafer. FIG. 8 shows a configuration example of such a wafer holding stage. The wafer holding stage 90 has a disk-shaped base 91 and a wafer holding portion 92 protruding upward from the entire peripheral edge of the base 91, and the wafer holding portion 92 sucks a wafer. Groove 93 for suction is formed,
A suction path 94 is formed in the base 91 so that the suction path 94 extends in the radial direction of the base 91 and each of both ends communicates with the suction groove 93. Then, the wafer 1 is held by the peripheral portion of the wafer 1 being attracted to the wafer holding portion 92. In the wafer holding stage 90 having such a configuration, the peripheral portion of the wafer 1 is sucked by the wafer holding portion 92, so that the warp in the peripheral portion of the wafer 1 is corrected by the suction force of the wafer holding portion 92. It is expected.
【０００７】しかしながら、このような構成のウエハ保
持用ステージ９０においても、以下のような問題がある
ことが判明した。ウエハ１の裏面は鏡面処理されていな
いため、当該裏面には微細な凹凸が形成されている。こ
のようなウエハ１をウエハ保持用ステージ９０に保持さ
せると、ウエハ１とウエハ保持部９２との間に僅かな間
隙が存在し、この間隙を介して、ウエハ保持部９２によ
って囲まれた、ウエハ１と基台９１との間の空間Ｓに存
在する空気が吸引され、これにより、当該空間Ｓが減圧
状態となるので、ウエハ１の中央部が下方にへこみ、当
該ウエハ１に、より大きい反りが発生するため、所期の
露光処理を達成することができない。However, it has been found that the wafer holding stage 90 having such a configuration also has the following problems. Since the rear surface of the wafer 1 is not mirror-finished, fine irregularities are formed on the rear surface. When such a wafer 1 is held on the wafer holding stage 90, there is a slight gap between the wafer 1 and the wafer holding section 92, and the wafer surrounded by the wafer holding section 92 through this gap. The air existing in the space S between the base 1 and the base 91 is sucked, whereby the space S is decompressed, so that the central portion of the wafer 1 is depressed downward, and the wafer 1 is more warped. , The desired exposure process cannot be achieved.
【０００８】また、図９に示すように、基台９１の中央
部に、ウエハ保持部９２と同等の高さに突出する支持部
９５を設けることにより、ウエハ１の中央部を支持する
構成のウエハ保持用ステージ９０も考えられるが、ウエ
ハ１におけるウエハ保持部９２と支持部９５との間の部
分が下方にへこむため、結局、ウエハ１の反りを矯正す
ることはできない。Further, as shown in FIG. 9, a supporting portion 95 is provided at the center of the base 91 so as to protrude at the same height as the wafer holding portion 92, so that the center of the wafer 1 is supported. Although a wafer holding stage 90 is conceivable, a portion between the wafer holding portion 92 and the support portion 95 of the wafer 1 is dented downward, so that the warpage of the wafer 1 cannot be corrected after all.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上のよう
な事情に基づいてなされたものであって、その目的は、
ウエハとの接触面積が小さく、しかも、ウエハの周辺部
の反りを確実に矯正した状態で、当該ウエハを吸着保持
することのできるウエハ保持用ステージを提供すること
にある。DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention has been made based on the above circumstances, and its object is to provide:
An object of the present invention is to provide a wafer holding stage capable of holding a wafer by suction in a state where the area of contact with the wafer is small and the warpage of the peripheral portion of the wafer is reliably corrected.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明のウエハ保持用ス
テージは、ウエハを処理するために当該ウエハを吸着保
持するためのウエハ保持用ステージであって、円板状の
基台と、この基台の周縁に沿って当該基台から上方に突
出するよう形成された、載置されたウエハの周辺部を吸
着することによって当該ウエハを保持するウエハ保持部
とを有してなり、ウエハの周辺部が前記ウエハ保持部に
吸着された状態において、当該ウエハ保持部によって囲
まれた、当該ウエハと前記基台との間の空間を外気と連
通させる開放用通路が形成されていることを特徴とす
る。SUMMARY OF THE INVENTION A wafer holding stage of the present invention is a wafer holding stage for suction-holding a wafer for processing the wafer, and comprises a disk-shaped base, A wafer holder configured to protrude upward from the base along the periphery of the table, and to hold the wafer by sucking the peripheral portion of the placed wafer, and In a state where the portion is attracted to the wafer holding portion, an opening passage for forming a space surrounded by the wafer holding portion and communicating a space between the wafer and the base with outside air is formed. I do.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。図１は、本発明のウエハ保持用ステ
ージの一例を示す説明用平面図、図２は、図１のウエハ
保持用ステージにおけるＡ−Ａ断面図、図３は、図１の
ウエハ保持用ステージにおけるＢ−Ｂ断面図であり、例
えば、ウエハ上の周辺部における不要レジストを露光す
るための露光装置に用いられるものである。Embodiments of the present invention will be described below in detail. FIG. 1 is an explanatory plan view showing an example of the wafer holding stage of the present invention, FIG. 2 is a sectional view taken along line AA of the wafer holding stage of FIG. 1, and FIG. 3 is a view of the wafer holding stage of FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along a line BB, for example, used for an exposure apparatus for exposing an unnecessary resist in a peripheral portion on a wafer.
【００１２】このウエハ保持用ステージ１０は、円板状
の基台１１と、この基台１１の周縁から上方に突出する
ウエハ保持部１２とを有し、このウエハ保持部１２に、
ウエハ１の周辺部が吸着保持されている。具体的に説明
すると、ウエハ保持部１２は、基台１１の周縁に沿って
その全周にわたって伸びるよう形成され、このウエハ保
持部１２には、ウエハを吸着するための吸着用溝１３が
形成されている。基台１１には、当該基台１１の径方向
に伸び、両端の各々が吸着用溝１３に連通するよう、吸
引路１４が形成されている。そして、基台１１には、ウ
エハ保持部１２によって囲まれた、ウエハ１と基台１１
との間の空間Ｓを外気と連通させるための開放用通路１
５が、基台１１の厚み方向に貫通するよう形成されてい
る。The wafer holding stage 10 has a disk-shaped base 11 and a wafer holding portion 12 protruding upward from a peripheral edge of the base 11.
A peripheral portion of the wafer 1 is held by suction. More specifically, the wafer holding unit 12 is formed to extend along the entire periphery of the base 11, and the wafer holding unit 12 has a suction groove 13 for sucking a wafer. ing. A suction path 14 is formed in the base 11 so as to extend in the radial direction of the base 11 and to communicate with the suction groove 13 at both ends. The wafer 1 and the base 11 surrounded by the wafer holding unit 12 are provided on the base 11.
Opening passage 1 for communicating the space S between
5 is formed so as to penetrate in the thickness direction of the base 11.
【００１３】ウエハ保持用ステージ１０における基台１
１の下面には、当該基台１１に対して垂直に伸びる回転
軸２０が設けられており、この回転軸２０には、その軸
方向に沿って伸び、一端が吸引路１４に連通し、他端が
当該回転軸２０の外周面に開口する空気流路２１が形成
されており、空気通路２１の他端には、適宜の吸引装置
（図示省略）が接続されている。また、回転軸２０の下
端には、モータ３０が設けられている。Base 1 of wafer holding stage 10
A rotating shaft 20 extending perpendicular to the base 11 is provided on the lower surface of the base 1. The rotating shaft 20 extends in the axial direction, and one end communicates with the suction passage 14. An air passage 21 whose end is open to the outer peripheral surface of the rotary shaft 20 is formed, and an appropriate suction device (not shown) is connected to the other end of the air passage 21. Further, a motor 30 is provided at a lower end of the rotating shaft 20.
【００１４】上記のウエハ保持用ステージ１０において
は、ウエハ保持部１２上にウエハ１が載置された状態で
吸引装置を作動させると、回転軸２０の空気通路２１お
よび吸引路１４を介して吸着用溝１３に負圧が作用さ
れ、この負圧による吸引力により、ウエハ１の周辺部が
ウエハ保持部１２に吸着されることによって当該ウエハ
１が保持される。ここで、吸着用溝１３に作用される負
圧の大きさは、例えば５００ｍｍＨｇ（絶対圧として２
６０ｍｍＨｇ）である。以上において、吸着用溝１３に
負圧が作用されることにより、ウエハ１の裏面とウエハ
保持部１２の上面との間の僅かな間隙を介して、ウエハ
１と基台１１との間の空間Ｓに存在する空気が吸引され
るが、この空間Ｓは、基台１１に形成された開放用通路
１５によって外気と連通しているので、ウエハ１と基台
１１との間の空間Ｓが減圧状態となることが確実に防止
される。In the above-described wafer holding stage 10, when the suction device is operated while the wafer 1 is mounted on the wafer holding portion 12, the suction is performed via the air passage 21 of the rotary shaft 20 and the suction passage 14. A negative pressure is applied to the groove 13, and the peripheral portion of the wafer 1 is attracted to the wafer holding portion 12 by the suction force of the negative pressure, thereby holding the wafer 1. Here, the magnitude of the negative pressure applied to the suction groove 13 is, for example, 500 mmHg (2 absolute pressure).
60 mmHg). In the above, by applying a negative pressure to the suction groove 13, the space between the wafer 1 and the base 11 is formed through a slight gap between the back surface of the wafer 1 and the upper surface of the wafer holding unit 12. Although the air existing in S is sucked, since this space S is communicated with the outside air by the opening passage 15 formed in the base 11, the space S between the wafer 1 and the base 11 is decompressed. The state is reliably prevented.
【００１５】そして、このようなウエハ保持用ステージ
１０によれば、ウエハ保持部１２にウエハ１の周辺部の
みが吸着されることによって当該ウエハ１が保持される
ので、ウエハ１との接触面積が小さく、これにより、ウ
エハ１に付着する塵埃の量を少なくすることができる。
しかも、基台１１には、ウエハ保持部１２によって囲ま
れた、ウエハ１と基台１１との間の空間Ｓを外気と連通
させる開放用通路１５が形成されているため、ウエハ１
と基台１１との間の空間Ｓが減圧状態となることが防止
され、その結果、吸着用溝１３に作用される負圧による
吸引力により、ウエハ１の周辺部の反りを確実に矯正し
た状態で当該ウエハ１を吸着保持することができる。According to such a wafer holding stage 10, only the peripheral portion of the wafer 1 is attracted to the wafer holding portion 12 to hold the wafer 1, so that the contact area with the wafer 1 is reduced. The size is small, so that the amount of dust adhering to the wafer 1 can be reduced.
In addition, since the base 11 is provided with an opening passage 15 for communicating the space S between the wafer 1 and the base 11 with the outside air, the opening 15 is surrounded by the wafer holding unit 12.
The space S between the wafer 1 and the base 11 is prevented from being in a reduced pressure state. As a result, the warpage of the peripheral portion of the wafer 1 is reliably corrected by the suction force caused by the negative pressure applied to the suction groove 13. In this state, the wafer 1 can be held by suction.
【００１６】以上、本発明の実施の一形態について説明
したが、本発明は上記のウエハ保持用ステージに限定さ
れるものではなく、種々の変更を加えることが可能であ
る。例えば、開放用通路は、ウエハ保持部１２によって
囲まれた、ウエハ１と基台１１との間の空間Ｓを外気と
連通させるものであれば、当該ウエハ保持用ステージの
適宜の個所に形成されていればよく、図４および図５に
示すように、基台１１の周縁に沿って伸びるウエハ保持
部１２の一部を切り欠くことにより、開放用通路１６を
形成することもできる。また、本発明のウエハ保持用ス
テージの用途は、ウエハ上の周辺部における不要レジス
トを露光する露光装置に限定されず、種々のウエハ処理
装置に利用することができる。Although an embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above-described wafer holding stage, and various modifications can be made. For example, the opening passage is formed at an appropriate position of the wafer holding stage as long as the space S between the wafer 1 and the base 11 surrounded by the wafer holding unit 12 communicates with the outside air. The opening passage 16 can be formed by cutting out a part of the wafer holding portion 12 extending along the peripheral edge of the base 11 as shown in FIGS. 4 and 5. Further, the application of the wafer holding stage of the present invention is not limited to an exposure apparatus that exposes an unnecessary resist in a peripheral portion on a wafer, but can be used for various wafer processing apparatuses.
【００１７】[0017]
【実施例】以下、本発明のウエハ保持用ステージの具体
的な実施例について説明するが、本発明はこれに限定さ
れるものではない。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, specific embodiments of the wafer holding stage of the present invention will be described, but the present invention is not limited to these embodiments.
【００１８】〈実施例〉図１〜図３に示す構成に従い、
下記の条件により、本発明に係るウエハ保持用ステージ
を作製した。 基台（１１）：直径１２０ｍｍ，厚み２０ｍｍ， ウエハ保持部（１２）：突出高さ１ｍｍ，幅６ｍｍ， 吸着用溝（１３）：深さ１ｍｍ，幅１ｍｍ， 開放用通路（１５）：直径２ｍｍ<Embodiment> According to the structure shown in FIGS.
The wafer holding stage according to the present invention was manufactured under the following conditions. Base (11): diameter 120 mm, thickness 20 mm, wafer holding part (12): protrusion height 1 mm, width 6 mm, suction groove (13): depth 1 mm, width 1 mm, opening passage (15): diameter 2 mm
【００１９】直径が１５０ｍｍ、厚みが０．６７５ｍｍ
で、周辺部における初期の反りの大きさが±５０μｍで
あるシリコンウエハを用い、吸引装置によって上記のウ
エハ保持用ステージにおける吸着用溝に５００ｍｍＨｇ
の負圧を作用させることにより、ウエハ保持部にシリコ
ンウエハを吸着させ、この状態で、当該シリコンウエハ
の周辺部における反りの大きさを測定したところ、±
２．５μｍであった。この値は、ウエハ保持部の上面の
平面精度と同等であり、ウエハの周辺部の反りを確実に
矯正した状態で、当該ウエハを吸着保持することができ
ることが確認された。The diameter is 150 mm and the thickness is 0.675 mm
Then, a silicon wafer having an initial warpage of ± 50 μm in the peripheral portion was used, and 500 mmHg was inserted into the suction groove of the wafer holding stage by a suction device.
The silicon wafer was attracted to the wafer holding portion by applying a negative pressure of .times .. In this state, the magnitude of the warpage in the peripheral portion of the silicon wafer was measured.
It was 2.5 μm. This value is equivalent to the planar accuracy of the upper surface of the wafer holding unit, and it has been confirmed that the wafer can be suction-held in a state in which the warpage of the peripheral portion of the wafer is reliably corrected.
【００２０】〈比較例〉基台に開放用通路を形成しなか
ったこと以外は実施例と同様の条件により、比較用のウ
エハ保持用ステージを作製し、このウエハ保持用ステー
ジに実施例１と同様のシリコンウエハを吸着保持させた
ところ、ウエハと基台との間の空間が減圧されて、ウエ
ハが約１ｍｍ（ウエハの中心部を測定）へこんでしま
い、ウエハの周辺部の反りを矯正した状態で、当該ウエ
ハを吸着保持することができなかった。Comparative Example A comparative wafer holding stage was manufactured under the same conditions as in the embodiment except that the opening passage was not formed in the base. When a similar silicon wafer was sucked and held, the space between the wafer and the base was reduced, and the wafer was recessed by about 1 mm (measured at the center of the wafer) to correct the warpage of the periphery of the wafer. In this state, the wafer could not be held by suction.
【００２１】[0021]
【発明の効果】本発明のウエハ保持用ステージによれ
ば、ウエハ保持部にウエハの周辺部のみが吸着されるこ
とによって当該ウエハが保持されるので、ウエハとの接
触面積が小さく、これにより、ウエハに付着する塵埃の
量を少なくすることができる。しかも、ウエハ保持部に
よって囲まれた、ウエハと基台との間の空間を外気と連
通させる開放用通路が形成されているため、ウエハと基
台との間の空間が減圧状態となることが防止され、その
結果、ウエハ保持部の吸引力により、ウエハの周辺部の
反りを確実に矯正した状態で当該ウエハを吸着保持する
ことができる。According to the wafer holding stage of the present invention, only the peripheral portion of the wafer is attracted to the wafer holding portion and the wafer is held, so that the contact area with the wafer is small. The amount of dust adhering to the wafer can be reduced. In addition, since an opening passage is formed to allow the space between the wafer and the base surrounded by the wafer holder to communicate with the outside air, the space between the wafer and the base may be in a reduced pressure state. As a result, the wafer can be suction-held in a state in which the warpage of the peripheral portion of the wafer is reliably corrected by the suction force of the wafer holding portion.
【図１】本発明のウエハ保持用ステージの一例を示す説
明用平面図である。FIG. 1 is an explanatory plan view showing an example of a wafer holding stage of the present invention.
【図２】図１に示すウエハ保持用ステージにおけるＡ−
Ａ断面図である。FIG. 2 is a sectional view of the wafer holding stage shown in FIG.
It is A sectional drawing.
【図３】図１に示すウエハ保持用ステージにおけるＢ−
Ｂ断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of the wafer holding stage shown in FIG.
It is B sectional drawing.
【図４】本発明のウエハ保持用ステージの他の例を示す
説明用平面図である。FIG. 4 is an explanatory plan view showing another example of the wafer holding stage of the present invention.
【図５】図４に示すウエハ保持用ステージにおけるＣ−
Ｃ断面図である。FIG. 5 is a diagram illustrating C- in the wafer holding stage shown in FIG. 4;
It is C sectional drawing.
【図６】従来のウエハ保持用ステージの一例を示す説明
用断面図である。FIG. 6 is an explanatory sectional view showing an example of a conventional wafer holding stage.
【図７】ウエハの反りの状態を示す説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram showing a warped state of a wafer.
【図８】ウエハの周辺部を吸着保持するウエハ保持用ス
テージの構成例を示す説明用断面図である。FIG. 8 is an explanatory cross-sectional view showing a configuration example of a wafer holding stage that suction-holds a peripheral portion of a wafer.
【図９】ウエハの中央部を支持する支持部が設けられた
ウエハ保持用ステージの構成例を示す説明用断面図であ
る。FIG. 9 is an explanatory cross-sectional view showing a configuration example of a wafer holding stage provided with a supporting portion for supporting a central portion of a wafer.
１ ウエハ ２ 光照射部 ３ 投影レンズ ４ 導光ファイバ １０ ウエハ保持用ステージ １１ 基台 １２ ウエハ保持部 １３ 吸着用溝 １４ 吸引路 １５，１６ 開放用通路 ２０ 回転軸 ２１ 空気通路 ３０ モータ ８０ ウエハ保持用ステージ ８１ 吸着用凹所 ８２ 吸引路 ８５ 回転軸 ８６ 空気通路 ８７ モータ ９０ ウエハ保持用ステージ ９１ 基台 ９２ ウエハ保持部 ９３ 吸着用溝 ９４ 吸引路 ９５ 支持部 Ｓ 空間 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wafer 2 Light irradiation part 3 Projection lens 4 Light guide fiber 10 Wafer holding stage 11 Base 12 Wafer holding part 13 Suction groove 14 Suction path 15, 16 Opening path 20 Rotation axis 21 Air path 30 Motor 80 Wafer holding Stage 81 Suction recess 82 Suction path 85 Rotating shaft 86 Air passage 87 Motor 90 Wafer holding stage 91 Base 92 Wafer holding section 93 Suction groove 94 Suction path 95 Support section S Space
Claims (1)
着保持するためのウエハ保持用ステージであって、 円板状の基台と、 この基台の周縁に沿って当該基台から上方に突出するよ
う形成された、載置されたウエハの周辺部を吸着するこ
とによって当該ウエハを保持するウエハ保持部とを有し
てなり、 ウエハの周辺部が前記ウエハ保持部に吸着された状態に
おいて、当該ウエハ保持部によって囲まれた、当該ウエ
ハと前記基台との間の空間を外気と連通させる開放用通
路が形成されていることを特徴とするウエハ保持用ステ
ージ。1. A wafer holding stage for sucking and holding a wafer for processing the wafer, comprising a disk-shaped base, and protruding upward from the base along a peripheral edge of the base. And a wafer holding portion configured to hold the wafer by sucking the peripheral portion of the placed wafer, wherein the wafer holding portion is sucked by the wafer holding portion. A stage for holding a wafer, wherein an opening passage for communicating a space between the wafer and the base surrounded by the wafer holding portion with outside air is formed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2034997A JPH10218364A (en) | 1997-02-03 | 1997-02-03 | Stage for wafer holding |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2034997A JPH10218364A (en) | 1997-02-03 | 1997-02-03 | Stage for wafer holding |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10218364A true JPH10218364A (en) | 1998-08-18 |
Family
ID=12024657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2034997A Pending JPH10218364A (en) | 1997-02-03 | 1997-02-03 | Stage for wafer holding |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10218364A (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1997
- 1997-02-03 JP JP2034997A patent/JPH10218364A/en active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020122 |