JPH10216558A - Pulse charged gas treating device - Google Patents

Pulse charged gas treating device

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Publication number
JPH10216558A
JPH10216558A JP1829097A JP1829097A JPH10216558A JP H10216558 A JPH10216558 A JP H10216558A JP 1829097 A JP1829097 A JP 1829097A JP 1829097 A JP1829097 A JP 1829097A JP H10216558 A JPH10216558 A JP H10216558A
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JP
Japan
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gas
pulse
unit
processing
voltage
Prior art date
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Pending
Application number
JP1829097A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Sadaji Obata
貞二 小畑
Yutaka Nakao
豊 中尾
Hiroyuki Kishida
寛之 岸田
Hiroki Fujihira
弘樹 藤平
Yoshikazu Sakakibara
嘉一 榊原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Takuma Co Ltd
Original Assignee
Takuma Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Takuma Co Ltd filed Critical Takuma Co Ltd
Priority to JP1829097A priority Critical patent/JPH10216558A/en
Publication of JPH10216558A publication Critical patent/JPH10216558A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To contrive a low electric power consumption while stable gas treating capacity is maintained without depending on fluctuation in a water content concentration in treating gas by a method wherein the water content concentration is estimated based on detection values of a peak voltage value and a peak current value when high tension pulse is applied, and the high tension pulse is controlled. SOLUTION: A pulse charged gas treating device has a gas treating part 1 wherein dust, nitrogen oxides, dioxin, etc., in gas are removed by generating plasma with high tension pulse charge, and high tension pulse from a pulse power source part 2 is applied thereto. In order to control variably a frequency of an output pulse of the pulse power source part 2, a data processing system 3 containing a frequency variably controlling part 4 is provided. The system 3 retrieves I-V characteristic data of each gas water content concentration in an I-V characteristic memory part 7 with a water content concentration estimation part 8 based on detection values of a peak voltage value and a peak current value when the high tension pulse is applied, estimates a water content concentration of the treating gas, and controls the high tension pulse.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、高電圧パルス荷電
によりプラズマを発生させてガス中のダスト、有害ガス
等の除去を行うパルス荷電ガス処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pulse charged gas processing apparatus for generating plasma by high voltage pulse charging to remove dust, harmful gas and the like in a gas.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のこの種のパルス荷電ガス処理装置
は、高電圧パルス荷電によりプラズマを発生させてガス
中のダスト、有害ガス等の除去を行うガス処理部と、前
記ガス処理部に高電圧パルスを印加するパルス電源部と
から構成されており、図2に示すように、処理ガスに高
電圧パルスを印加するときのピーク電圧値とピーク電流
値のI−V特性は処理ガス中の水分量の割合を表す水分
濃度と密接な関係があり、水分濃度が低い方が低いピー
ク電圧で大きなピーク電流が流れ、同じピーク電圧値で
水分濃度が高いときは前記ピーク電流値が低下するとい
う特性を有している。尚、処理ガスの水分濃度は概ね1
0%〜30%の範囲で変動する。従来のパルス荷電ガス
処理装置においては、処理ガスの水分濃度の変動に即応
して処理ガスに印加する高電圧パルスを制御する特別な
技術はなく、処理ガスの水分濃度を別途を観測して、そ
の水分濃度が変動した場合に印加する高電圧パルスの電
圧を手動で変更していた。
2. Description of the Related Art A conventional pulse-charged gas processing apparatus of this type includes a gas processing section for generating plasma by high-voltage pulse charging to remove dust, harmful gas, and the like in a gas, and a high-pressure gas processing section. And a pulse power supply unit for applying a voltage pulse. As shown in FIG. 2, the IV characteristics of the peak voltage value and the peak current value when the high voltage pulse is applied to the processing gas are different from those in the processing gas. There is a close relationship with the water concentration that represents the ratio of the amount of water, the lower the water concentration is, the larger the peak current flows at the lower peak voltage, and the higher the water concentration is at the same peak voltage value, the lower the peak current value is. Has characteristics. The water concentration of the processing gas is approximately 1
It varies in the range of 0% to 30%. In the conventional pulse charged gas processing apparatus, there is no special technique for controlling the high-voltage pulse applied to the processing gas in response to the fluctuation of the water concentration of the processing gas. The voltage of the high voltage pulse applied when the moisture concentration fluctuates has been manually changed.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来のパルス荷電ガス処理装置では、処理ガスの水分
濃度を別途観測して、手動で処理ガスに荷電する高電圧
パルスの電圧を変更していたため、前記水分濃度の変動
に即応できず、前記処理ガスへの注入エネルギを一定に
維持することが困難であった。経験により、ガス処理シ
ステムの性能は処理ガス中に注入するエネルギの大きさ
に比例して向上することが判明しており、従来のパルス
荷電ガス処理装置では、前記水分濃度の変動によって注
入エネルギが変動し、ガス処理性能を一定に維持するこ
とが困難であった。
However, in the conventional pulse charged gas processing apparatus described above, the voltage of the high-voltage pulse charged into the processing gas is manually changed by separately observing the moisture concentration of the processing gas. In addition, it was difficult to immediately respond to the fluctuation of the water concentration, and it was difficult to keep the energy injected into the processing gas constant. Experience has shown that the performance of a gas processing system improves in proportion to the amount of energy injected into the processing gas.In a conventional pulsed charged gas processing apparatus, the injection energy is reduced by the fluctuation of the water concentration. Therefore, it was difficult to keep the gas processing performance constant.

【0004】例えば、一定の電圧及び周波数でパルス荷
電中に前記水分濃度が増加した場合は、従来の方法では
前記処理ガスへの平均注入エネルギが低下し、その平均
注入エネルギの低下状態が直ぐに回復せず、所定のガス
処理能力を精度良く一定に維持するのが困難であった。
For example, when the moisture concentration increases during pulse charging at a constant voltage and frequency, the conventional method reduces the average injection energy into the processing gas, and the average injection energy decreases immediately. However, it has been difficult to maintain a predetermined gas processing capacity accurately and constant.

【0005】また、前記水分濃度が低下し、前記処理ガ
スへの平均注入エネルギが処理すべきガス量に必要な注
入エネルギ以上に増加した場合は、ガス処理で消費され
ない注入エネルギが無駄に消費され、ガス処理効率が低
下し、且つ、省電力化が十分に図れないという問題もあ
った。
If the water concentration decreases and the average energy injected into the processing gas increases beyond the energy required for the amount of gas to be processed, the energy that is not consumed in the gas processing is wasted. In addition, there has been a problem that the gas processing efficiency is reduced and power saving cannot be sufficiently achieved.

【0006】更に、従来は、水分濃度が変動した場合に
印加電圧を手動で補正する際に、処理ガスの温度変動幅
はさほど大きくはなく、従って、温度変化の前記I−V
特性への影響は水分濃度が変動による場合に比べて小さ
く、温度補償を特に考慮するものではなかったが、例え
ば、窒素酸化物やダイオキシン等の除去を目的とする、
特に高精度処理が必要とされる公害対策関連装置等への
適用に当たっては、温度変化に対する前記I−V特性の
変動を反映させて、より処理効果を高めることが必要と
なる。
Further, conventionally, when the applied voltage is manually corrected when the water concentration fluctuates, the fluctuation range of the temperature of the processing gas is not so large.
The effect on the characteristics is small compared to the case where the moisture concentration fluctuates, and temperature compensation was not particularly considered.For example, for the purpose of removing nitrogen oxides and dioxins,
In particular, when applied to pollution control-related devices or the like that require high-precision processing, it is necessary to further increase the processing effect by reflecting the change in the IV characteristics with respect to a temperature change.

【0007】本発明の目的は、上述の問題点を解消し、
処理ガス中の水分濃度の変動によらず安定したガス処理
能力を維持でき、且つ、低消費電力化を図れるパルス荷
電ガス処理装置を提供し、更に、そのガス処理性能の高
性能化を図る点にある。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems,
Provide a pulse charged gas processing apparatus that can maintain a stable gas processing capacity irrespective of fluctuations in the moisture concentration in the processing gas and achieve low power consumption, and further improve the performance of the gas processing performance. It is in.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
の本発明によるパルス荷電ガス処理装置の第一の特徴構
成は、特許請求の範囲の欄の請求項1に記載した通り、
高電圧パルス荷電によりプラズマを発生させてガス中の
ダスト、有害ガス等の除去を行うガス処理部と、前記ガ
ス処理部に高電圧パルスを印加するパルス電源部と、前
記ガス処理部に印加される前記高電圧パルスのピーク電
圧値とピーク電流値のI−V特性を処理ガスの属性別に
記憶するI−V特性記憶部と、前記ガス処理部に印加さ
れる前記高電圧パルスのピーク電圧値とピーク電流値を
検出する電流電圧検出部と、前記電流電圧検出部が検出
したピーク電圧値とピーク電流値に基づいて、前記I−
V特性記憶部に少なくとも前記処理ガスの水分濃度別に
予め記憶されたI−V特性データを検索して、前記処理
ガスの水分濃度を推定する水分濃度推定部とを備えてな
る点にある。
A first characteristic configuration of the pulse charged gas processing apparatus according to the present invention for achieving this object is as described in claim 1 of the claims.
A gas processing unit that generates plasma by high-voltage pulse charging to remove dust and harmful gases in the gas, a pulse power supply unit that applies a high-voltage pulse to the gas processing unit, and a gas processing unit that is applied to the gas processing unit. An IV characteristic storage unit for storing an IV characteristic of a peak voltage value and a peak current value of the high voltage pulse for each attribute of a processing gas; and a peak voltage value of the high voltage pulse applied to the gas processing unit. And a current / voltage detecting unit for detecting a peak current value, and the I-current based on the peak voltage value and the peak current value detected by the current / voltage detecting unit.
A water concentration estimating unit for estimating the water concentration of the processing gas by retrieving at least the IV characteristic data stored in advance in the V characteristic storage unit for each of the water concentrations of the processing gas.

【0009】同第二の特徴構成は、特許請求の範囲の欄
の請求項2に記載した通り、上述の第一の特徴構成に加
えて、前記ガス処理部の処理ガス温度を検出する温度セ
ンサを備え、前記水分濃度推定部が、前記温度センサが
検出した温度と前記電流電圧検出部が検出したピーク電
圧値とピーク電流値に基づいて、前記I−V特性記憶部
に前記処理ガスの水分濃度と温度別に予め記憶されたI
−V特性データを検索して、前記処理ガスの水分濃度を
推定する点にある。
A second characteristic configuration according to the present invention is a temperature sensor for detecting a processing gas temperature of the gas processing section in addition to the first characteristic configuration as described in claim 2 of the claims. Wherein the moisture concentration estimating unit stores the moisture of the processing gas in the IV characteristic storage unit based on the temperature detected by the temperature sensor and the peak voltage value and the peak current value detected by the current / voltage detecting unit. I stored in advance for each concentration and temperature
-V characteristic data is searched to estimate the moisture concentration of the processing gas.

【0010】同第三の特徴構成は、特許請求の範囲の欄
の請求項3に記載した通り、上述の第一または第二の特
徴構成に加えて、前記パルス電源部から前記ガス処理部
に注入される注入エネルギの平均値を所定値に維持する
ように、前記水分濃度推定部が推定した処理ガスの水分
濃度に応じて、前記パルス電源部の出力パルスの周波数
を可変制御する周波数可変制御部を備える点にある。
[0010] The third characteristic configuration is, as described in claim 3 of the claims, in addition to the above-mentioned first or second characteristic configuration, the pulse power supply unit is connected to the gas processing unit. Frequency variable control for variably controlling the frequency of the output pulse of the pulse power supply unit according to the moisture concentration of the processing gas estimated by the moisture concentration estimating unit so as to maintain the average value of the injected energy to be maintained at a predetermined value. It is in the point that a part is provided.

【0011】同第四の特徴構成は、特許請求の範囲の欄
の請求項4に記載した通り、上述の第三の特徴構成に加
えて、前記周波数可変制御部が、前記水分濃度と前記周
波数とが正の相関関係にある所定の計算式に基づいて、
前記水分濃度に対応した最適周波数を算出して、前記周
波数の可変制御を実行する点にある。
According to a fourth feature configuration, as described in claim 4 of the claims, in addition to the third feature configuration described above, the frequency variable control unit controls the water concentration and the frequency. Is based on a predetermined formula that has a positive correlation with
The point is that the optimum frequency corresponding to the moisture concentration is calculated and the variable control of the frequency is executed.

【0012】以下に、作用並びに効果について説明す
る。第一の特徴構成によれば、所定のガス処理を実行す
べく、前記パルス電源部から所定の周波数及び所定の電
圧の高電圧パルスを前記ガス処理部に印加する場合に、
予めまたは一定時間間隔で前記電流電圧検出部が前記高
電圧パルスを印加したときのピーク電圧値とピーク電流
値を検出することで、その検出したピーク電圧値とピー
ク電流値に基づいて、前記水分濃度推定部が前記I−V
特性記憶部に予め記憶された前記処理ガスの水分濃度別
のI−V特性データを検索して、前記処理ガスの水分濃
度を推定することができるのである。
The operation and effect will be described below. According to the first characteristic configuration, in order to perform a predetermined gas processing, when applying a high-voltage pulse of a predetermined frequency and a predetermined voltage from the pulse power supply unit to the gas processing unit,
By detecting the peak voltage value and the peak current value when the high voltage pulse is applied by the current / voltage detection unit in advance or at regular time intervals, the water content is determined based on the detected peak voltage value and peak current value. The density estimating unit is configured to use the IV
It is possible to estimate the moisture concentration of the processing gas by searching the IV characteristic data for each moisture concentration of the processing gas previously stored in the characteristic storage unit.

【0013】尚、前記水分濃度の頻繁な変動が予想され
る場合は、その予想される変動状況に応じて、前記電流
電圧検出部による前記ピーク電圧値とピーク電流値の検
出間隔を短期間に調整すればよい。
If the moisture concentration is expected to fluctuate frequently, the interval between the detection of the peak voltage value and the peak current value by the current / voltage detection unit may be shortened in accordance with the expected fluctuation situation. Adjust it.

【0014】ここで、前記I−V特性記憶部に前記処理
ガスの属性別に記憶されるI−V特性における属性と
は、その属性値の変化が前記I−V特性に影響を与える
前記処理ガスの属性であって、例えば、上記したよう
に、その主たるものとして、水分濃度であり、温度であ
る。本特徴構成の場合は、最も前記I−V特性に与える
影響が大きい水分濃度をその属性として使用している。
Here, the attribute in the IV characteristic stored for each attribute of the processing gas in the IV characteristic storage unit is the processing gas whose change in the attribute value affects the IV characteristic. For example, as described above, the main attributes are the moisture concentration and the temperature. In the case of this characteristic configuration, the moisture concentration that has the greatest effect on the IV characteristics is used as its attribute.

【0015】よって、本特徴構成によれば、前記処理ガ
スの前記ガス処理部内の水分濃度を推定することで、前
記水分濃度の変動を即座に察知することができ、前記高
電圧パルスの制御を前記水分濃度の変動に追従させて実
行できるため、前記処理ガスに注入されるエネルギ量を
一定に維持する制御が可能となり、結果として、前記所
定ガス処理の処理能力を高精度に維持でき、また、不必
要に注入エネルギ量が増大することもないため、装置の
低消費電力化も合わせて図れるのである。
Therefore, according to this characteristic configuration, by estimating the water concentration of the processing gas in the gas processing section, the fluctuation of the water concentration can be immediately detected, and the control of the high voltage pulse can be performed. Since the process can be performed by following the fluctuation of the moisture concentration, it is possible to control to keep the amount of energy injected into the processing gas constant, and as a result, the processing capability of the predetermined gas processing can be maintained with high accuracy. In addition, since the amount of injected energy is not unnecessarily increased, the power consumption of the device can be reduced.

【0016】更に、前記水分濃度が推定という一種の演
算処理で求められるので、湿度センサ等を前記ガス処理
部内に設けて前記水分濃度を別途物理的に検出する必要
がなく、別途湿度センサ等を過酷な条件下のガス処理部
内に設けることによる制御系全体の信頼性の低下、及
び、製造コスト高騰が回避できるのである。
Further, since the moisture concentration is obtained by a kind of arithmetic processing of estimation, there is no need to provide a humidity sensor or the like in the gas processing unit to separately physically detect the moisture concentration. It is possible to avoid a decrease in the reliability of the entire control system and an increase in manufacturing cost due to the provision in the gas processing section under severe conditions.

【0017】第二の特徴構成によれば、前記水分濃度の
変動のみならず処理ガス温度の変動があっても、前記温
度センサが検出した温度と前記電流電圧検出部が検出し
たピーク電圧値とピーク電流値に基づいて、前記水分濃
度推定部が正確に前記処理ガスの水分濃度を推定するこ
とができるのである。
According to the second characteristic configuration, the temperature detected by the temperature sensor and the peak voltage value detected by the current / voltage detection unit are changed even when the processing gas temperature fluctuates as well as the water concentration fluctuation. The water concentration estimating unit can accurately estimate the water concentration of the processing gas based on the peak current value.

【0018】よって、前記水分濃度の変動の有無に関わ
らず、前記処理ガス温度の変動によって前記高電圧パル
スのピーク電流値が変化して各印加パルス毎に荷電する
電力量が変化しても、ガス処理部に係る平均の注入エネ
ルギ量を一定に維持することができるのである。
Therefore, irrespective of the fluctuation of the moisture concentration, even if the peak current value of the high voltage pulse changes due to the fluctuation of the processing gas temperature and the amount of electric power charged for each applied pulse changes, It is possible to keep the average injection energy amount related to the gas processing unit constant.

【0019】結果として、処理ガスの水分濃度及び温度
が変動してもガス処理部に注入する平均エネルギ量を一
定に維持することができるため、前記所定ガス処理の処
理能力を一定に維持することがより高精度に実行でき、
更に、装置の低消費電力化の向上も図れるのである。
As a result, even if the water concentration and the temperature of the processing gas fluctuate, the average amount of energy injected into the gas processing section can be kept constant, so that the processing capacity of the predetermined gas processing is kept constant. Can be executed with higher precision,
Further, the power consumption of the device can be reduced.

【0020】第三の特徴構成によれば、前記水分濃度の
変動によって前記高電圧パルスのピーク電流値が変化し
て各印加パルス毎に荷電する電力量が変化しても、前記
ガス処理部に印加する高電圧パルスの周波数を自動的に
処理ガスの水分濃度に応じた適正値に調整することがで
き、結果として、処理ガスの水分濃度及び温度に関わら
ず自動的にガス処理部に注入する平均エネルギ量を一定
に維持することができる。
According to the third characteristic configuration, even if the peak current value of the high-voltage pulse changes due to the fluctuation of the water concentration and the amount of electric power charged for each applied pulse changes, the gas processing unit can be operated. The frequency of the high voltage pulse to be applied can be automatically adjusted to an appropriate value according to the moisture concentration of the processing gas, and as a result, the gas is automatically injected into the gas processing unit regardless of the moisture concentration and the temperature of the processing gas. The average amount of energy can be kept constant.

【0021】尚、前記パルス電源部において、周波数を
変更する場合は、パルス発生に関わるスイッチング素子
のオン・オフ制御のタイミングを調整することで実現で
きるが、出力電圧の変更を前記パルス電源部の回路構成
部品の回路定数または回路構成自体を変更せずに行うに
は、前記パルス電源部に備えられた直流電圧電源の出力
電圧を可変にしなければならず、定電圧電源を使用でき
なくなり、製造コスト高騰の要因となることに注意を要
する。
In the pulse power supply section, the frequency can be changed by adjusting the on / off control timing of the switching element related to the pulse generation. However, the output voltage can be changed by the pulse power supply section. In order to perform the operation without changing the circuit constants of the circuit components or the circuit configuration itself, the output voltage of the DC voltage power supply provided in the pulse power supply unit must be variable, and a constant voltage power supply cannot be used. It should be noted that this may cause the cost to rise.

【0022】更に、第四の特徴構成によれば、前記パル
ス電源部から前記ガス処理部に注入される注入エネルギ
の平均値を一定値に維持することが容易に実現できるの
である。つまり、上記したように、処理ガスに高電圧パ
ルスを印加するときのピーク電圧値とピーク電流値のI
−V特性は処理ガス中の水分濃度と密接な関係があり、
水分濃度が低い方が低いピーク電圧で大きなピーク電流
が流れ、注入エネルギが増加し、同じピーク電圧値で水
分濃度が高いときは前記ピーク電流値が低下して、注入
エネルギも低下するという特性を有しているため、予め
前記計算式によって算出される周波数と前記I−V特性
と負荷特性から導出されるパルス一回当たりの電力とが
比例関係になるように前記計算式を設定することによっ
て、水分濃度が低いときは、前記パルス電源部から低い
周波数の高電圧パルスが出力され、逆に水分濃度が高い
ときは、前記パルス電源部から高い周波数の高電圧パル
スが出力され、結果として、処理ガスの水分濃度及び温
度に関わらず自動的にガス処理部に注入する平均エネル
ギ量を一定に維持することができるのである。
Further, according to the fourth characteristic configuration, it is possible to easily maintain the average value of the energy injected from the pulse power supply unit into the gas processing unit at a constant value. That is, as described above, the peak voltage value and the peak current value when a high voltage pulse is
The -V characteristic is closely related to the moisture concentration in the processing gas,
The lower the water concentration is, the larger the peak current flows at the lower peak voltage and the injection energy increases. When the water concentration is higher at the same peak voltage value, the peak current value decreases, and the injection energy also decreases. Therefore, by setting the calculation formula so that the frequency calculated by the calculation formula in advance and the power per pulse derived from the IV characteristics and the load characteristics are proportional to each other. When the moisture concentration is low, a high-frequency pulse of a low frequency is output from the pulse power supply unit. Conversely, when the moisture concentration is high, a high-voltage pulse of a high frequency is output from the pulse power supply unit. The average amount of energy injected automatically into the gas processing section can be kept constant irrespective of the moisture concentration and temperature of the processing gas.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図1に示すように、本発明に係わ
るパルス荷電ガス処理装置(以下、本発明装置という)
は、高電圧パルス荷電によりプラズマを発生させてガス
中のダスト、窒素酸化物やダイオキシンといった有害ガ
ス等の除去を行うガス処理部1と、前記ガス処理部1に
高電圧パルスを印加するパルス電源部2と、前記パルス
電源部2の出力パルスの周波数を可変制御する周波数可
変制御部4を内蔵するデータ処理システム3を備えた構
成となっている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. As shown in FIG. 1, a pulse charged gas processing apparatus according to the present invention (hereinafter, referred to as the present apparatus)
A gas processing unit 1 for generating plasma by high-voltage pulse charging to remove dust and harmful gases such as nitrogen oxides and dioxins in the gas; and a pulse power supply for applying a high-voltage pulse to the gas processing unit 1. It has a configuration including a unit 2 and a data processing system 3 having a built-in frequency variable control unit 4 for variably controlling the frequency of the output pulse of the pulse power supply unit 2.

【0024】前記ガス処理部1の入力端子10と前記パ
ルス電源部2の出力端子2aが必要な絶縁処理を施され
て電気的に接続されている。更に、前記ガス処理部1内
には、処理ガス温度を検出する温度センサ11が設けら
れており、その出力信号が前記データ処理システム3へ
送信されるようになっている。また、前記ガス処理部1
の入力端子10と前記パルス電源部2の出力端子間を配
線される導線20の途中には前記パルス電源部2から前
記ガス処理部1へ出力される高電圧パルスのピーク電圧
値とピーク電流値を検出する電流電圧検出部を形成する
電圧・電流プローブ5が設けられ、その出力信号5aが
シンクロスコープ6に入力され、前記シンクロスコープ
6で増幅及び信号処理された前記ピーク電圧値とピーク
電流値データが前記データ処理システム3に入力され
る。
The input terminal 10 of the gas processing unit 1 and the output terminal 2a of the pulse power supply unit 2 are electrically connected after being subjected to necessary insulation processing. Further, a temperature sensor 11 for detecting a processing gas temperature is provided in the gas processing unit 1, and an output signal thereof is transmitted to the data processing system 3. In addition, the gas processing unit 1
A peak voltage value and a peak current value of a high-voltage pulse output from the pulse power supply unit 2 to the gas processing unit 1 in the middle of a conducting wire 20 connected between the input terminal 10 and the output terminal of the pulse power supply unit 2. And a voltage / current probe 5 forming a current / voltage detecting unit for detecting the peak voltage and the peak current value, the output signal 5a of which is input to a synchroscope 6 and amplified and signal-processed by the synchroscope 6 Data is input to the data processing system 3.

【0025】前記データ処理システム3は、前記周波数
可変制御部4に加えて、前記ガス処理部1に印加される
前記高電圧パルスのピーク電圧値とピーク電流値のI−
V特性を処理ガスの水分濃度と温度別に記憶したI−V
特性記憶部7と、前記温度センサ11が検出した温度と
前記電圧・電流プローブ5が検出し前記シンクロスコー
プ6で増幅及び信号処理されたピーク電圧値とピーク電
流値に基づいて、前記I−V特性記憶部7に記憶された
前記処理ガスの水分濃度と温度別に予め測定されたI−
V特性データを検索して、前記処理ガスの水分濃度を推
定する水分濃度推定部8とを備え、前記周波数可変制御
部4が、前記パルス電源部2から前記ガス処理部1に注
入される注入エネルギの平均値を一定値に維持するよう
に、前記水分濃度推定部8が推定した処理ガスの水分濃
度に対応した最適周波数を算出して、その最適周波数に
基づいて前記パルス電源部2に対し同期パルス4aを出
力して前記パルス電源部2の出力パルスの周波数を可変
制御する。
The data processing system 3 includes, in addition to the frequency variable control unit 4, a peak voltage value and a peak current value of the high voltage pulse applied to the gas processing unit 1.
I-V in which V characteristics are stored for each moisture concentration and temperature of the processing gas
Based on the characteristic storage unit 7 and the temperature detected by the temperature sensor 11 and the peak voltage value and the peak current value detected by the voltage / current probe 5 and amplified and signal-processed by the synchroscope 6, the I-V I- measured in advance for each moisture concentration and temperature of the processing gas stored in the characteristic storage unit 7
A moisture concentration estimating unit 8 for retrieving V characteristic data and estimating the moisture concentration of the processing gas, wherein the frequency variable control unit 4 The water concentration estimating unit 8 calculates an optimum frequency corresponding to the water concentration of the processing gas estimated by the water concentration estimating unit 8 so as to maintain the average value of the energy at a constant value. By outputting the synchronization pulse 4a, the frequency of the output pulse of the pulse power supply unit 2 is variably controlled.

【0026】尚、前記I−V特性記憶部7、前記水分濃
度推定部8、及び、前記周波数可変制御部4を含む前記
データ処理システム3は、具体的には、マイクロコンピ
ュータ、半導体メモリ、不揮発性記憶媒体、及び、必要
なインターフェース回路等で構成される。
The data processing system 3 including the IV characteristic storage unit 7, the water concentration estimating unit 8, and the frequency variable control unit 4 is, specifically, a microcomputer, a semiconductor memory, It is composed of a storage medium and necessary interface circuits.

【0027】図3に示すように、処理ガスはダクト18
aから放電室内12aに誘引され、前記放電室内12a
を前記長手方向に沿って進行し、前記放電室内12aで
集塵されたり、窒素酸化物の場合は酸化還元反応により
脱硝されたり、ダイオキシンの場合は分解処理され、ダ
クト18bから次の処理装置へ吐出される。図3に示す
ように、線状の前記放電電極13は矩形で導電性の放電
電極フレーム13aの対向する上下2辺間に複数本が張
設されており、前記各放電電極13は互いに短絡されて
おり、同電位にある。更に、図4に示すように、3枚の
前記放電電極フレーム13aと4枚の接地電極14が、
放電室内12aに、前記放電電極フレーム13aが前記
接地電極14に一定距離を隔てて挟まれ、夫々の長手方
向が前記放電室内12aの排ガスの進行方向(図4中、
紙面垂直方向)となるように設置されている。尚、3枚
の前記放電電極フレーム13aは前記放電室内12aで
夫々短絡されている。また、図3に示すように、前記放
電電極フレーム13aは放電室壁部12cから絶縁分離
されるように上部両端部が支持碍子17で前記放電室壁
部12cの天井部から釣支されている。
As shown in FIG. 3, the processing gas is supplied to the duct 18.
a to the discharge chamber 12a,
Proceeds along the longitudinal direction, and is collected in the discharge chamber 12a, denitrated by an oxidation-reduction reaction in the case of nitrogen oxide, and decomposed in the case of dioxin, and is processed from the duct 18b to the next processing apparatus. Discharged. As shown in FIG. 3, a plurality of the linear discharge electrodes 13 are formed in a rectangular shape and are extended between two opposing upper and lower sides of a conductive discharge electrode frame 13a, and the discharge electrodes 13 are short-circuited to each other. And at the same potential. Further, as shown in FIG. 4, three discharge electrode frames 13a and four ground electrodes 14
In the discharge chamber 12a, the discharge electrode frame 13a is sandwiched by the ground electrode 14 at a fixed distance, and the longitudinal direction of each of the discharge electrode frames 13a is the direction in which the exhaust gas flows in the discharge chamber 12a (in FIG. 4,
(Vertical direction on the paper). The three discharge electrode frames 13a are short-circuited in the discharge chamber 12a. As shown in FIG. 3, both ends of the upper portion of the discharge electrode frame 13a are supported by the support insulator 17 from the ceiling of the discharge chamber wall 12c so as to be insulated from the discharge chamber wall 12c. .

【0028】図3及び図4に示すように、前記パルス電
源部2の出力端子2aは、前記導線20で前記放電室内
12aの3枚の前記放電電極フレーム13aと電気的に
接続されている。尚、前記導線20は、前記放電室壁部
12cの天井部に設けられた1個の貫通碍子16を通し
て配線されている。
As shown in FIGS. 3 and 4, the output terminal 2a of the pulse power supply unit 2 is electrically connected to the three discharge electrode frames 13a in the discharge chamber 12a by the conducting wire 20. The conductive wire 20 is wired through one through insulator 16 provided on the ceiling of the discharge chamber wall 12c.

【0029】以下、前記データ処理システム3各部の機
能並びに動作について説明する。前記I−V特性記憶部
7に記憶されている前記高電圧パルスのピーク電圧値と
ピーク電流値のI−V特性は、本発明装置を本格稼働す
る前に、種々の異なる水分濃度と温度の処理ガスを前記
放電室内12aに供給し、各処理ガス毎に、前記パルス
電源部2から前記放電電極13に高電圧パルスを印加
し、その時の電圧ピーク値及び電流ピーク値の瞬時デー
タを前記電圧・電流プローブ5で検出し前記シンクロス
コープ6で増幅及び信号処理された後、その高電圧パル
スを印加したときの処理ガスの水分濃度と温度データと
ともにディジタル化して前記I−V特性記憶部7を構成
する不揮発性メモリの所定領域に記憶される。
The function and operation of each part of the data processing system 3 will be described below. The IV characteristic of the peak voltage value and the peak current value of the high-voltage pulse stored in the IV characteristic storage unit 7 can be used to determine various moisture concentrations and temperatures before the full-scale operation of the apparatus of the present invention. A processing gas is supplied to the discharge chamber 12a, and a high voltage pulse is applied from the pulse power supply unit 2 to the discharge electrode 13 for each processing gas, and the instantaneous data of the voltage peak value and the current peak value at that time is converted to the voltage. After being detected by the current probe 5 and amplified and signal-processed by the synchroscope 6, the data is digitized together with the moisture concentration and temperature data of the processing gas when the high-voltage pulse is applied, and the IV characteristic storage unit 7 is stored. It is stored in a predetermined area of a nonvolatile memory to be constituted.

【0030】前記水分濃度推定部8は、前記シンクロス
コープ6から入力されたI−V特性データと、前記温度
センサ11から入力された処理ガス温度に対応する前記
I−V特性記憶部7に記憶されているI−V特性データ
とを比較して、一致または近似するI−V特性データの
水分濃度を抽出して、必要に応じて補間処理を施して水
分濃度を推定する。
The water concentration estimating unit 8 stores the IV characteristic data input from the synchroscope 6 and the IV characteristic storage unit 7 corresponding to the processing gas temperature input from the temperature sensor 11. The extracted IV characteristic data is compared with the extracted IV characteristic data to extract the moisture concentration of the IV characteristic data that matches or approximates the extracted IV characteristic data, and performs an interpolation process as necessary to estimate the moisture concentration.

【0031】前記ガス処理部1のガス処理量から決定さ
れる最適な平均注入エネルギと特定のI−V特性データ
と前記放電電極13の負荷特性から導出される一回のパ
ルス当たりの電力量から逆算される最適周波数は、処理
ガスの水分濃度と温度が分かれば一義的に定まるため、
前記I−V特性データに基づいて、処理ガスの水分濃度
と温度を変数とする最適周波数を計算する計算式を予め
作成しておき、前記周波数可変制御部4の不揮発性メモ
リの所定領域に記憶しておく。
From the optimum average injection energy determined from the gas processing amount of the gas processing unit 1, specific IV characteristic data, and the amount of power per pulse derived from the load characteristics of the discharge electrode 13. The optimal frequency to be calculated backward is uniquely determined if the moisture concentration and temperature of the processing gas are known.
Based on the IV characteristic data, a calculation formula for calculating an optimum frequency using the moisture concentration and the temperature of the processing gas as variables is created in advance and stored in a predetermined area of the nonvolatile memory of the frequency variable control unit 4. Keep it.

【0032】前記周波数可変制御部4は、前記温度セン
サ11から入力された処理ガス温度と前記水分濃度推定
部8が推定した処理ガスの水分濃度を前記計算式に代入
して最適周波数を算出し、その最適周波数と同じ周波数
の同期パルス4aを前記パルス電源部2に出力する。前
記パルス電源部2は前記同期パルス4aの立ち上がりま
たは立ち下がりエッジで、内部のスイッチング素子のタ
イミング制御を行うことで、同最適周波数で高電圧パル
スを出力することができる。尚、前記計算式は、処理ガ
ス温度をパラメータとして複数用意されたものでも構わ
ない。
The variable frequency control section 4 calculates the optimum frequency by substituting the processing gas temperature input from the temperature sensor 11 and the water concentration of the processing gas estimated by the water concentration estimating section 8 into the above-mentioned equation. , And outputs a synchronization pulse 4 a having the same frequency as the optimum frequency to the pulse power supply unit 2. The pulse power supply unit 2 can output a high-voltage pulse at the same optimal frequency by controlling the timing of the internal switching element at the rising or falling edge of the synchronization pulse 4a. Note that the calculation formula may be a plurality of formulas prepared using the processing gas temperature as a parameter.

【0033】前記放電室内12aのガス処理は、前記放
電電極13と前記接地電極14間でのコロナ放電により
行われる。前記コロナ放電は前記パルス電源部2の出力
電圧が50kV付近から開始し、アーク放電領域まで到
達しないように制御される。
The gas treatment in the discharge chamber 12a is performed by corona discharge between the discharge electrode 13 and the ground electrode 14. The corona discharge is controlled so that the output voltage of the pulse power supply unit 2 starts around 50 kV and does not reach the arc discharge region.

【0034】以下、別の実施形態について説明する。 (1)本実施形態では、最大ガス処理量の大きなガス処
理部1を想定しているが、ガス処理部1の仕様に応じ
て、前記パルス電源部2の構成及び電気的仕様は適宜変
更可能であり、本実施形態に限定されるものではなく、
複数のパルス電源装置で構成しても構わない。複数のパ
ルス電源装置で前記パルス電源部2を構成する場合、前
記パルス電源部2の複数台のパルス電源の各出力パルス
は相互に同じ周波数で、且つ、同期するように制御され
る。つまり、各パルス電源装置に同じ前記同期パルス4
aが入力されるように構成する。また、前記パルス電源
部2の実際のパルス波形は前記導線20等の漂遊インダ
クタンス成分によってオーバーシュートやリンギングが
発生するが、前記パルス電源部2の各パルス電源装置間
において機種を統一し、前記各パルス電源装置の各出力
端子を並列接続して前記パルス電源部2の出力端子2a
とし、上述のように出力パルスを同周波数で同期させる
ことで、前記各放電電極13には同一パルス波形の電圧
が印加されるように構成するのが好ましい。
Hereinafter, another embodiment will be described. (1) In the present embodiment, the gas processing unit 1 having a large maximum gas processing amount is assumed. However, the configuration and the electrical specifications of the pulse power supply unit 2 can be appropriately changed according to the specifications of the gas processing unit 1. Is not limited to this embodiment,
A plurality of pulse power supplies may be used. When the pulse power supply unit 2 is constituted by a plurality of pulse power supply devices, the output pulses of the plurality of pulse power supplies of the pulse power supply unit 2 are controlled so as to have the same frequency and to be synchronized with each other. That is, the same synchronous pulse 4 is applied to each pulse power supply device.
A is configured to be input. Although the actual pulse waveform of the pulse power supply unit 2 causes overshoot or ringing due to the stray inductance component of the conducting wire 20 or the like, the type of the pulse power supply unit 2 is unified between the pulse power supply units, The output terminals of the pulse power supply unit 2 are connected by connecting the respective output terminals of the pulse power supply device in parallel.
It is preferable that the output pulses are synchronized at the same frequency as described above, so that a voltage having the same pulse waveform is applied to each of the discharge electrodes 13.

【0035】(2)本実施形態では、前記I−V特性記
憶部7には前記処理ガスの水分濃度と温度別に前記高電
圧パルスのピーク電圧値とピーク電流値のI−V特性を
記憶していたが、所定の標準処理ガス温度における前記
I−V特性だけを水分濃度別に記憶しても構わない。こ
の場合、処理ガス温度が標準処理ガス温度に対して大き
く変動する場合は、前記温度センサ11が検出した温度
に基づいて、前記水分濃度推定部8が推定する水分濃度
を補正するように構成するのも好ましい実施の形態であ
る。また、処理ガス温度が標準処理ガス温度に対して大
きく変動せず、温度変動の補正が必要でない場合は、前
記周波数可変制御部4が前記パルス電源部2から前記ガ
ス処理部1に注入される注入エネルギの平均値を一定値
に維持するように、前記水分濃度推定部8が推定した処
理ガスの水分濃度を補正せずに使用して、その水分濃度
に対応した最適周波数を算出し、その最適周波数に基づ
いて前記パルス電源部2に対し同期パルス4aを出力し
て前記パルス電源部2の出力パルスの周波数を可変制御
するように構成しても構わない。
(2) In the present embodiment, the IV characteristic storage unit 7 stores the IV characteristics of the peak voltage value and the peak current value of the high voltage pulse for each moisture concentration and temperature of the processing gas. However, only the above-mentioned IV characteristic at a predetermined standard processing gas temperature may be stored for each moisture concentration. In this case, when the processing gas temperature greatly fluctuates with respect to the standard processing gas temperature, the water concentration estimated by the water concentration estimating unit 8 is corrected based on the temperature detected by the temperature sensor 11. Is also a preferred embodiment. In addition, when the processing gas temperature does not largely fluctuate with respect to the standard processing gas temperature and correction of the temperature fluctuation is not necessary, the frequency variable control unit 4 is injected from the pulse power supply unit 2 into the gas processing unit 1. The moisture concentration estimating unit 8 uses the moisture concentration of the processing gas estimated by the moisture concentration estimating unit 8 without correction so as to maintain the average value of the injected energy at a constant value, and calculates an optimum frequency corresponding to the moisture concentration. A configuration may be adopted in which the synchronization pulse 4a is output to the pulse power supply unit 2 based on the optimum frequency, and the frequency of the output pulse of the pulse power supply unit 2 is variably controlled.

【0036】(3)前記ガス処理部1の構造も本実施形
態に限定されるものではない。前記放電電極13、前記
放電電極フレーム13a、前記接地電極14、前記導線
20、前記貫通碍子16、前記支持碍子17の数量並び
に形状等も本実施形態に限定されるものではない。
(3) The structure of the gas processing section 1 is not limited to this embodiment. The number and shape of the discharge electrode 13, the discharge electrode frame 13a, the ground electrode 14, the conductor 20, the penetrating insulator 16, and the supporting insulator 17 are not limited to the present embodiment.

【0037】(4)本実施形態では、前記シンクロスコ
ープ6は前記電圧・電流プローブ5が検出したピーク電
圧値とピーク電流値を前記データ処理システム3が処理
可能に信号処理する点で前記データ処理システム3に対
しては電流電圧検出部の一部として機能しているが、前
記データ処理システム3内で同様の処理を行うように構
成しても構わない。
(4) In this embodiment, the synchroscope 6 performs the signal processing on the peak voltage value and the peak current value detected by the voltage / current probe 5 so that the data processing system 3 can process the signal. Although it functions as a part of the current / voltage detection unit for the system 3, the same processing may be performed in the data processing system 3.

【0038】[0038]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
処理ガス中の水分濃度及び処理ガス温度の変動によらず
安定したガス処理能力を高精度に維持でき、且つ、低消
費電力化を図れるパルス荷電ガス処理装置を提供できる
ようになった。
As described above, according to the present invention,
It has become possible to provide a pulse-charged gas processing apparatus capable of maintaining a stable gas processing ability with high accuracy regardless of fluctuations in the moisture concentration in the processing gas and the processing gas temperature and achieving low power consumption.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係るパルス荷電ガス処理装置の一実施
形態を示すブロック構成図
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a pulse charged gas processing apparatus according to the present invention.

【図2】高電圧パルスのピーク電圧値とピーク電流値の
I−V特性図
FIG. 2 is an IV characteristic diagram of a peak voltage value and a peak current value of a high voltage pulse.

【図3】本発明に係るパルス荷電ガス処理装置のガス処
理部の長手方向に沿った放電電極を含む放電室の鉛直断
面における放電室内における放電電極の設置状態と放電
室外に設けられたパルス電源部を示す模式構成図
FIG. 3 shows the installation state of the discharge electrodes in the discharge chamber in a vertical cross section of the discharge chamber including the discharge electrodes along the longitudinal direction of the gas processing unit of the pulse charged gas processing apparatus according to the present invention, and a pulse power supply provided outside the discharge chamber. Schematic configuration diagram showing parts

【図4】本発明に係るパルス荷電ガス処理装置のガス処
理部の図3中のA−Aを結ぶ鉛直断面での模式構成図
FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a gas processing unit of the pulse charged gas processing apparatus according to the present invention in a vertical section connecting AA in FIG. 3;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ガス処理部 2 パルス電源部 3 データ処理システム 4 周波数可変制御部 4a 同期パルス 5 電流電圧検出部 5a 出力信号 6 シンクロスコープ 7 I−V特性記憶部 8 水分濃度推定部 10 入力端子 11 温度センサ 20 導線 REFERENCE SIGNS LIST 1 gas processing unit 2 pulse power supply unit 3 data processing system 4 variable frequency control unit 4a synchronization pulse 5 current / voltage detection unit 5a output signal 6 synchroscope 7 IV characteristic storage unit 8 moisture concentration estimation unit 10 input terminal 11 temperature sensor 20 Conductor

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤平 弘樹 兵庫県高砂市荒井町新浜1丁目2番1号 株式会社タクマ中央研究所内 (72)発明者 榊原 嘉一 京都府乙訓郡大山崎町下植野宮脇1の55 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing from the front page (72) Inventor Hiroki Fujihira 1-2-1, Shinhama, Arai-machi, Takasago-shi, Hyogo Inside Takuma Central Research Laboratory Co., Ltd. (72) Inventor Kaichi Sakakibara 55

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 高電圧パルス荷電によりプラズマを発生
させてガス中のダスト、有害ガス等の除去を行うガス処
理部と、前記ガス処理部に高電圧パルスを印加するパル
ス電源部と、前記ガス処理部に印加される前記高電圧パ
ルスのピーク電圧値とピーク電流値のI−V特性を処理
ガスの属性別に記憶するI−V特性記憶部と、前記ガス
処理部に印加される前記高電圧パルスのピーク電圧値と
ピーク電流値を検出する電流電圧検出部と、前記電流電
圧検出部が検出したピーク電圧値とピーク電流値に基づ
いて、前記I−V特性記憶部に少なくとも前記処理ガス
の水分濃度別に予め記憶されたI−V特性データを検索
して、前記処理ガスの水分濃度を推定する水分濃度推定
部とを備えてなるパルス荷電ガス処理装置。
A gas processing unit for generating plasma by high-voltage pulse charging to remove dust, harmful gas, and the like in the gas; a pulse power supply unit for applying a high-voltage pulse to the gas processing unit; An IV characteristic storage unit for storing the IV characteristics of the peak voltage value and the peak current value of the high voltage pulse applied to the processing unit for each attribute of the processing gas; and the high voltage applied to the gas processing unit. A current-voltage detection unit that detects a peak voltage value and a peak current value of a pulse; and based on the peak voltage value and the peak current value detected by the current-voltage detection unit, at least the processing gas is stored in the IV characteristic storage unit. A pulse charged gas processing apparatus comprising: a water concentration estimating unit that searches for IV characteristic data stored in advance for each water concentration and estimates the water concentration of the processing gas.
【請求項2】 前記ガス処理部の処理ガス温度を検出す
る温度センサを備え、前記水分濃度推定部が、前記温度
センサが検出した温度と前記電流電圧検出部が検出した
ピーク電圧値とピーク電流値に基づいて、前記I−V特
性記憶部に前記処理ガスの水分濃度と温度別に予め記憶
されたI−V特性データを検索して、前記処理ガスの水
分濃度を推定することを特徴とする請求項1記載のパル
ス荷電ガス処理装置。
2. A temperature sensor for detecting a processing gas temperature of the gas processing unit, wherein the moisture concentration estimating unit detects a temperature detected by the temperature sensor, a peak voltage value detected by the current voltage detecting unit, and a peak current. Based on the value, the IV characteristic data is pre-stored in the IV characteristic storage unit for each of the moisture concentration of the processing gas and the temperature, and the moisture concentration of the processing gas is estimated. The pulse charged gas processing apparatus according to claim 1.
【請求項3】 前記パルス電源部から前記ガス処理部に
注入される注入エネルギの平均値を所定値に維持するよ
うに、前記水分濃度推定部が推定した処理ガスの水分濃
度に応じて、前記パルス電源部の出力パルスの周波数を
可変制御する周波数可変制御部を備える請求項1または
2記載のパルス荷電ガス処理装置。
3. The method according to claim 2, wherein the average value of the energy injected from the pulse power supply unit into the gas processing unit is maintained at a predetermined value in accordance with the water concentration of the processing gas estimated by the water concentration estimating unit. The pulse charged gas processing apparatus according to claim 1 or 2, further comprising a frequency variable control unit that variably controls a frequency of an output pulse of the pulse power supply unit.
【請求項4】 前記周波数可変制御部が、前記水分濃度
と前記周波数とが正の相関関係にある所定の計算式に基
づいて、前記水分濃度に対応した最適周波数を算出し
て、前記周波数の可変制御を実行することを特徴とする
請求項3記載のパルス荷電ガス処理装置。
4. The frequency variable control unit calculates an optimum frequency corresponding to the moisture concentration based on a predetermined calculation formula in which the moisture concentration and the frequency have a positive correlation, and The pulse charged gas processing apparatus according to claim 3, wherein variable control is performed.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6955041B2 (en) 2001-03-08 2005-10-18 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Exhaust gas purifying apparatus for internal combustion engine
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