JPH10206872A - Liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal display device

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JPH10206872A
JPH10206872A JP9014196A JP1419697A JPH10206872A JP H10206872 A JPH10206872 A JP H10206872A JP 9014196 A JP9014196 A JP 9014196A JP 1419697 A JP1419697 A JP 1419697A JP H10206872 A JPH10206872 A JP H10206872A
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JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
display device
crystal display
electrode
film layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP9014196A
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Japanese (ja)
Inventor
Osamu Kimura
修 木村
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Casio Computer Co Ltd
Original Assignee
Casio Computer Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH10206872A publication Critical patent/JPH10206872A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the aperture ratio of a TFT(thin film transistor) liquid crystal device and to effectively prevent noises caused by a cold-cathode fluorescent tube of a back light unit. SOLUTION: An ITO thin layer 31 is formed on a glass substrate 30 where a TFT 13, etc., of the liquid crystal display device is formed, and a thin insulating film layer 32 is formed thereupon. Then the TFT 13, a display electrode, etc., are formed on the insulating film layer 32. Further, the ITO film layer 31 is connected to the ground GND side of an inverter substrate 35 which drives the back light (cold-cathode fluorescent tube) 28. Consequently, electric charges can be held between an electrode of the TFT 13 and a display electrode, and the ITO film layer 31 and this part operates as an auxiliary capacitor. Therefore, a storage capacitor is removed from the TFT liquid crystal display device to improve the aperture ratio. The ITO layer 31, on the other hand, operates as a shield for noise caused by the back light to a liquid crystal module.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、補助容量を必要と
するアクティブ・マトリクス方式の液晶表示装置に関す
る。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to an active matrix type liquid crystal display device requiring an auxiliary capacitor.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、アクティブ・マトリクス方式の
液晶表示装置では、図4に概略を示すように、各画素の
画素部1において、共通電極1と表示電極2との間に液
晶3が配置されるとともに、表示電極2がアクティブ素
子4によりスイッチングされるようになっている。ま
た、アクティブ・マトリクス方式の液晶表示装置では、
電荷が画素容量に保持され、この画素容量とは普通液晶
3そのものであるが、これだけでは値が小さく保持動作
が不十分であったり、アクティブ素子4で生じる寄生容
量の影響を受けることが多いので、例えば、図4に示す
ように、画素部1に、補助容量として蓄積容量5を設け
るようになっている。
2. Description of the Related Art Generally, in an active matrix type liquid crystal display device, a liquid crystal 3 is arranged between a common electrode 1 and a display electrode 2 in a pixel portion 1 of each pixel, as schematically shown in FIG. In addition, the display electrode 2 is switched by the active element 4. In an active matrix type liquid crystal display device,
The electric charge is held in the pixel capacitance, and the pixel capacitance is usually the liquid crystal 3 itself. However, the pixel capacitance alone has a small value and the holding operation is insufficient, and is often affected by the parasitic capacitance generated in the active element 4. For example, as shown in FIG. 4, the pixel unit 1 is provided with a storage capacitor 5 as an auxiliary capacitor.

【0003】さらに、具体的に説明すると、液晶表示装
置の各画素10においては、図5aに示すように、縦横
に配置されたデータ線(ソース線)11及びゲート線
(ゲート電極)12で囲まれた中に、例えば、アクティ
ブ素子となるアモーファスSiTFT(thin film tran
sistor)13が設けられ、該TFT13のドレイン電極
14に表示電極(画素電極)15が接続され、また、上
述のように補助容量として専用の配線16aを有する蓄
積容量(電極)16が配置されている。
More specifically, each pixel 10 of the liquid crystal display device is surrounded by data lines (source lines) 11 and gate lines (gate electrodes) 12 arranged vertically and horizontally as shown in FIG. For example, an amorphous silicon TFT (thin film tran
A storage electrode (pixel electrode) 15 is connected to a drain electrode 14 of the TFT 13, and a storage capacitor (electrode) 16 having a dedicated wiring 16 a as an auxiliary capacitor is arranged as described above. I have.

【0004】なお、TFT13には、アモーファスSi
膜18、n+型アモーファスSi膜19、ソース電極2
0、上記ゲート電極12、上記ドレイン電極14等が形
成されている。また、このような構造を有する液晶表示
装置のうちの表示に寄与するのは、基本的に、TFT1
3、配線11、12、補助容量(蓄積容量16)の部分
を除く、透明電極(ITO(Indium Tin Oxide))から
なる表示電極15の部分(開口部21)であり、図5b
に一つの画素10中に締める開口部21を図示した。
The TFT 13 includes an amorphous Si.
Film 18, n + type amorphous Si film 19, source electrode 2
0, the gate electrode 12, the drain electrode 14, and the like. Also, the liquid crystal display device having such a structure basically contributes to display by the TFT 1
3, a portion (opening 21) of the display electrode 15 made of a transparent electrode (ITO (Indium Tin Oxide)) excluding the portions of the wirings 11, 12 and the storage capacitor (storage capacitor 16), and FIG.
1 illustrates an opening 21 to be fastened in one pixel 10.

【0005】また、図6は、上記液晶表示装置の一つの
画素10に対応する等価回路を示しているが、図6に示
すように、液晶層22において、画素容量として電荷が
保持されるとともに、蓄積容量16に補助容量として電
荷が保持されるようになっている。また、液晶表示装置
においては、ゲート電極12とドレイン電極14との間
や、ソース電極20とドレイン電極14との間や、表示
電極20とデータ線11との間などに、寄生容量(Cg
d)23、寄生容量(Cds)24及び寄生容量25等
が生じるので、これら寄生容量23、24、25の影響
を避けるためにも上述の蓄積容量16が必要となる。
FIG. 6 shows an equivalent circuit corresponding to one pixel 10 of the above-mentioned liquid crystal display device. As shown in FIG. The storage capacitor 16 holds an electric charge as an auxiliary capacitance. In the liquid crystal display device, the parasitic capacitance (Cg) is present between the gate electrode 12 and the drain electrode 14, between the source electrode 20 and the drain electrode 14, between the display electrode 20 and the data line 11, and the like.
d) 23, a parasitic capacitance (Cds) 24, a parasitic capacitance 25, and the like are generated. Therefore, the above-described storage capacitance 16 is required to avoid the influence of the parasitic capacitances 23, 24, and 25.

【0006】また、上述のような液晶表示装置において
は、表示画面を背面側から照らすバックライトユニット
を用いるのが一般的であり、バックライトユニットの光
源としては、冷陰極蛍光管が多く用いられている。そし
て、液晶表示装置においては、例えば、図7に示すよう
に、液晶モジュール26の背面側に、拡散板27を介し
てバックライト(冷陰極蛍光管)28が配置されてい
る。
In the above liquid crystal display device, a backlight unit for illuminating a display screen from the back side is generally used, and a cold cathode fluorescent tube is often used as a light source of the backlight unit. ing. In the liquid crystal display device, for example, as shown in FIG. 7, a backlight (cold cathode fluorescent tube) 28 is disposed on the back side of the liquid crystal module 26 via a diffusion plate 27.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記蓄積容
量16を有する液晶表示装置においては、上述のように
蓄積容量16の部分が上述の図5bに示される表示に寄
与する開口部21に含まれず、さらに、蓄積容量16の
一画素10中に締める面積が比較的大きいので、開口部
21の面積と一つの画素10の総面積との比である開口
率が低くなるという問題点がある。
By the way, in the liquid crystal display device having the storage capacitor 16, the portion of the storage capacitor 16 is not included in the opening 21 contributing to the display shown in FIG. Furthermore, since the area of the storage capacitor 16 to be closed in one pixel 10 is relatively large, there is a problem that the aperture ratio, which is the ratio of the area of the opening 21 to the total area of one pixel 10, is reduced.

【0008】なお、液晶表示装置の補助容量としては、
専用の配線16aを有した上記蓄積容量16を設ける蓄
積容量型以外に、表示電極15と前段のゲート線12と
を重ねる付加容量型があり、付加容量型は、蓄積容量型
に比較して大きな開口率を得ることができる。しかし、
付加容量型には、ゲート線12につながる容量が増加
し、配線遅延が大きくなるなどの問題があり、液晶表示
装置の大型化、高精細化等を考慮した場合に、蓄積容量
型の方が優れており、単に開口率の問題だけで付加容量
型を選択することができない。
[0008] The auxiliary capacitance of the liquid crystal display device is as follows.
In addition to the storage capacitance type in which the storage capacitance 16 having the dedicated wiring 16a is provided, there is an additional capacitance type in which the display electrode 15 and the preceding gate line 12 are overlapped. The additional capacitance type is larger than the storage capacitance type. An aperture ratio can be obtained. But,
The additional capacitance type has problems such as an increase in capacitance connected to the gate line 12 and an increase in wiring delay, and the storage capacitance type is more suitable when the size and definition of the liquid crystal display device are considered. It is excellent, and it is not possible to select the additional capacitance type simply due to the problem of the aperture ratio.

【0009】また、上述のように冷陰極蛍光管を有する
バックライトユニットを用いた液晶表示装置において
は、冷陰極蛍光管によりノイズが生じるといった問題が
あり、図7に示すように、バックライトユニットの冷陰
極蛍光管からのノイズを防止するために、接地されたI
TOシート29を液晶モジュール26とバックライト2
8との間に介在させるのが一般的であるが、ITOシー
ト29が薄型実装を行う際の悪要因になったり、表示ム
ラの要因になったりする可能性があり、完全な対策とは
成り得なかった。
Further, in the liquid crystal display device using the backlight unit having the cold cathode fluorescent tube as described above, there is a problem that noise is generated by the cold cathode fluorescent tube, and as shown in FIG. Grounded to prevent noise from the cold cathode fluorescent tubes
The TO sheet 29 is connected to the liquid crystal module 26 and the backlight 2
However, there is a possibility that the ITO sheet 29 may be a bad factor when the thin mounting is performed, or may be a cause of display unevenness. I didn't get it.

【0010】本発明の課題は、補助容量を必要とするア
クティブ・マトリクス方式の液晶表示装置において、開
口率の向上を図るとともに、冷陰極蛍光管によるノイズ
を防止することである。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to improve the aperture ratio in an active matrix type liquid crystal display device requiring an auxiliary capacitor and to prevent noise from a cold cathode fluorescent tube.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項1記載の
液晶表示装置は、基板上に画素毎にアクティブ素子及び
該アクティブ素子に接続された表示電極を有するアクテ
ィブ・マトリクス方式のものであり、上記基板上に、上
記アクティブ素子及び表示電極との間に透明絶縁層を介
して透明電極層が設けられ、かつ、上記透明電極層が接
地されていることを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device of an active matrix type having an active element for each pixel and a display electrode connected to the active element on a substrate. A transparent electrode layer is provided on the substrate between the active element and the display electrode via a transparent insulating layer, and the transparent electrode layer is grounded.

【0012】上記構成によれば、上記基板上に(例え
ば、上記基板と上記アクティブ素子及び上記表示電極の
うちの少なくとも一方との間に)、上記アクティブ素子
及び表示電極に対して絶縁された状態の透明電極層が設
けられているので、上記アクティブ素子の電極及び表示
電極のうちの少なくとも一方と上記透明電極層とが対向
配置された状態となり、この部分に電荷を保持すること
ができ、この部分を従来の蓄積容量に代えて、補助容量
として利用することができる。
According to the above configuration, a state in which the active element and the display electrode are insulated on the substrate (for example, between the substrate and at least one of the active element and the display electrode). Since the transparent electrode layer is provided, at least one of the electrode of the active element and the display electrode and the transparent electrode layer are arranged to face each other, and charges can be held in this portion. The portion can be used as an auxiliary capacitor instead of the conventional storage capacitor.

【0013】また、上記アクティブ素子の電極及び表示
電極のうちの少なくとも一方と上記透明電極層との間に
電荷を保持するようにした場合に、画素と透明な補助容
量とが上下に重なった状態となり、透明電極層が画素の
開口部を狭めることがなく、従来、蓄積容量があった部
分を開口部とすることにより、液晶表示装置の開口率を
向上することができる。
In a case where charge is held between at least one of the electrode of the active element and the display electrode and the transparent electrode layer, a state in which the pixel and the transparent auxiliary capacitance are vertically overlapped. Thus, the aperture ratio of the liquid crystal display device can be improved by making the portion where the storage capacitor has conventionally been used as the opening without the transparent electrode layer narrowing the opening of the pixel.

【0014】本発明の請求項2記載の上記透明電極層
が、上記基板のほぼ全面にわたって設けられるととも
に、上記透明電極層がバックライトユニットの蛍光管用
のインバータ回路のグランドに接続されることにより接
地されていることを特徴とする。上記構成によれば、基
板上の設けられた透明電極層が、基板とアクティブ素子
や表示電極との間に設けられた場合、アクティブ素子、
表示電極、液晶からなる実質的な液晶表示ユニットと、
バックライトユニットとの間に配置されるとともに、上
記透明電極層がインバータ回路のグランドに接続されて
接地されているので、透明電極層がバックライトユニッ
トの蛍光のノイズに対するシールドとして効率的に作用
する。従って、液晶表示装置において、蛍光管のノイズ
による影響を防止できるとともに、ガラス基板上にシー
ルドとなる透明電極層が直接形成されているので、シー
ルドが液晶表示装置の薄型実装を図る際の邪魔になるこ
とがなく、また、シールドとなる透明電極層により表示
ムラが生じるようなことがない。
According to a second aspect of the present invention, the transparent electrode layer is provided over substantially the entire surface of the substrate, and the transparent electrode layer is connected to the ground of an inverter circuit for a fluorescent tube of a backlight unit to be grounded. It is characterized by having been done. According to the above configuration, when the transparent electrode layer provided on the substrate is provided between the substrate and the active element or the display electrode, the active element
A display electrode, a substantial liquid crystal display unit comprising liquid crystal,
Since the transparent electrode layer is disposed between the backlight unit and the ground, and the transparent electrode layer is connected to the ground of the inverter circuit, the transparent electrode layer efficiently functions as a shield against the fluorescence noise of the backlight unit. . Therefore, in the liquid crystal display device, the influence of the noise of the fluorescent tube can be prevented, and since the transparent electrode layer serving as the shield is directly formed on the glass substrate, the shield hinders the thin mounting of the liquid crystal display device. And display unevenness due to the transparent electrode layer serving as a shield does not occur.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態の一
例の液晶表示装置を図面を参照して説明する。図1は、
この一例の液晶表示装置の一画素10のアクティブ素子
部分の断面図であり、この一例において、従来の液晶表
示装置と同様の構成要素は同一の符号付してその説明を
省略する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a liquid crystal display according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG.
FIG. 2 is a cross-sectional view of an active element portion of one pixel 10 of a liquid crystal display device of this example. In this example, components similar to those of a conventional liquid crystal display device are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

【0016】図1に示すように、この一例の液晶表示装
置は、ガラス基板30上に、透明電極層となるITO膜
層31を形成し、その上に薄い絶縁膜層32を形成した
後に、TFT13及び表示電極15(図3に図示)を形
成したものである。すなわち、従来、ガラス基板30上
にTFT13及び表示電極15が形成されていたのに対
して、この一例においては、TFT13及び表示電極1
5とガラス基板30との間に、絶縁膜層32によりTF
T13及び表示電極15に対して絶縁された状態でIT
O膜層31が設けられた状態となっている。
As shown in FIG. 1, in this example of the liquid crystal display device, an ITO film layer 31 serving as a transparent electrode layer is formed on a glass substrate 30 and a thin insulating film layer 32 is formed thereon. The TFT 13 and the display electrode 15 (shown in FIG. 3) are formed. That is, while the TFT 13 and the display electrode 15 are conventionally formed on the glass substrate 30, in this example, the TFT 13 and the display electrode 1 are formed.
5 and the glass substrate 30, the insulating film layer 32
IT insulated from T13 and display electrode 15
It is in a state where the O film layer 31 is provided.

【0017】なお、この一例において、アクティブ素子
となるTFT13は、周知のアモーファスSiTFT1
3であり、上記絶縁膜層32とITO膜層31とを有す
るガラス基板30上に、ゲート電極12、ゲート絶縁膜
33、アモーファスSi膜18、チャネル保護膜34、
n+型アモーファスSi膜19、ソース電極20、ドレ
イン電極14が形成されている。また、アクティブ素子
は、アモーファスSiTFT13に限られるものではな
く、周知のアクティブ・マトリックス方式に用いられる
アクティブ素子ならば、どのような素子を用いても良
い。
In this example, the TFT 13 serving as an active element is a well-known amorphous Si TFT 1.
3, a gate electrode 12, a gate insulating film 33, an amorphous Si film 18, a channel protective film 34, and a glass substrate 30 having the insulating film layer 32 and the ITO film layer 31.
An n + type amorphous Si film 19, a source electrode 20, and a drain electrode 14 are formed. Further, the active element is not limited to the amorphous Si TFT 13, but may be any active element used in a known active matrix system.

【0018】上記ITO膜層31は、基本的に液晶表示
装置の周知の共通電極(図示略)や、表示電極15と同
様のものであり、これら共通電極や表示電極と同様に形
成されるものである。また、ITO膜層31の部分は、
透明な導電体であれば良く、ITO以外の金属酸化物か
らなる透明電極やその他の材質のものを用いることがで
きる。そして、ITO膜層31は、後述するようにバッ
クライトユニットのバックライト(冷陰極蛍光管)28
を駆動するためのインバータ基板35のグランドGND
側に接続されて接地されている。
The ITO film layer 31 is basically the same as the well-known common electrode (not shown) of the liquid crystal display device and the display electrode 15, and is formed similarly to the common electrode and the display electrode. It is. Also, the portion of the ITO film layer 31 is
A transparent conductor may be used, and a transparent electrode made of a metal oxide other than ITO or another material may be used. The ITO film layer 31 is provided with a backlight (cold cathode fluorescent tube) 28 of a backlight unit as described later.
GND of the inverter board 35 for driving the
Side and grounded.

【0019】また、上記絶縁膜層32は、膜状とされた
場合に透明で絶縁性が高いものならば良く、例えば、上
記ゲート絶縁膜33と同様のものを用いるとともに、ゲ
ート絶縁膜33と同様に形成することができる。また、
図1は、液晶モジュールの下部基板側だけを図示してお
り、実際の液晶表示装置においては、下部基板上に液晶
22(図2に図示)が配置され、その上に、例えば、共
通電極(図示略)等が形成された上部基板が配置される
ことになる。
The insulating film layer 32 only needs to be transparent and highly insulating when formed into a film. For example, the same insulating film layer as the above-described gate insulating film 33 is used. It can be formed similarly. Also,
FIG. 1 shows only the lower substrate side of the liquid crystal module. In an actual liquid crystal display device, a liquid crystal 22 (shown in FIG. 2) is arranged on the lower substrate, and for example, a common electrode ( An upper substrate on which (not shown) and the like are formed is disposed.

【0020】そして、上記ガラス基板30の背面側に
は、バックライトユニットとして、従来と同様に拡散板
27とバックライト28とが配置されている。また、バ
ックライト28には、冷陰極蛍光管を駆動する電源とし
てインバータ基板35が設けられるとともに、該インバ
ータ基板35のグランド(GND)に上記ITO膜層3
1が接続されて接地されている。従って、ITO膜層3
1と、TFT13の電極、例えば、ゲート電極12とが
近接した状態で対向配置されるとともに、ITO膜層3
1とドレイン電極14に接続された表示電極15とが近
接して対向配置されるようになっており、ゲート電極1
2及び表示電極15に電圧が印加された際に、互いに絶
縁膜により絶縁された状態のゲート電極12及び表示電
極15とITO膜層31とに間に、電荷を保持できるよ
うになっており、この部分が補助容量36(図2に図
示)として作動するようになっている。
On the back side of the glass substrate 30, a diffusion plate 27 and a backlight 28 are disposed as a backlight unit as in the conventional case. The backlight 28 is provided with an inverter board 35 as a power supply for driving the cold cathode fluorescent tubes, and the ITO film layer 3 is connected to the ground (GND) of the inverter board 35.
1 is connected and grounded. Therefore, the ITO film layer 3
1 and an electrode of the TFT 13, for example, the gate electrode 12 are opposed to each other in a state of being close to each other, and the ITO film layer 3
1 and the display electrode 15 connected to the drain electrode 14 are arranged close to and opposed to each other.
When a voltage is applied to the gate electrode 12 and the display electrode 15, charges can be held between the gate electrode 12 and the display electrode 15 and the ITO film layer 31, which are insulated from each other by an insulating film, This portion operates as an auxiliary capacitor 36 (shown in FIG. 2).

【0021】すなわち、図2のこの一例の液晶表示装置
の一画素に対応する等価回路に示すように、表示電極1
5と共通電極(Vcom)との間に配置される液晶22が
画素容量として作用するとともに、互いに絶縁されたI
TO膜層31と表示電極15(及びTFT13の電極)
とが補助容量36として作用するようになっている。ま
た、ITO膜層31は、図1に示すように、上記TFT
13、表示電極15及び液晶(図2に図示)22と、バ
ックライト28との間に配置されるとともに、上述のよ
うに、ITO膜層31がバックライト28のインバータ
基板35のグランドGND側に接続されて接地されてい
るので、ITO膜層は31、液晶モジュールに対するバ
ックライト28のノイズのシールドとして効率的に作用
し、バックライト28のノイズによる液晶表示装置への
影響を防止するようになっている。また、図3に示すよ
うに、データ線11とゲート線12とに囲まれる一画素
10において、TFT13、データ線11及びゲート線
12の部分を除く部分のほぼ全体を占めるように、表示
電極15が配置され、この部分が開口部となる。
That is, as shown in an equivalent circuit corresponding to one pixel of the liquid crystal display device of this example in FIG.
5 and a common electrode (Vcom) serve as a pixel capacitor and are insulated from each other.
TO film layer 31 and display electrode 15 (and electrode of TFT 13)
Function as the auxiliary capacitance 36. Further, as shown in FIG. 1, the ITO film layer 31
13, the display electrode 15, the liquid crystal (shown in FIG. 2) 22 and the backlight 28, and the ITO film layer 31 is placed on the ground GND side of the inverter substrate 35 of the backlight 28 as described above. Since the ITO film layer 31 is connected and grounded, the ITO film layer 31 effectively functions as a shield for the noise of the backlight 28 with respect to the liquid crystal module, thereby preventing the noise of the backlight 28 from affecting the liquid crystal display device. ing. Further, as shown in FIG. 3, in one pixel 10 surrounded by the data line 11 and the gate line 12, the display electrode 15 is formed so as to occupy almost the entire portion except for the TFT 13, the data line 11 and the gate line 12. Are arranged, and this portion becomes an opening.

【0022】次に、上記構成を有するこの一例の液晶表
示装置の作用について説明する。上記液晶表示装置にお
いては、上述のようにガラス基板30上にITO膜層3
1と薄い絶縁膜層32とが形成され、該絶縁膜層32上
に、TFT13及び表示電極15が形成されている。従
って、TFT13の電極(ゲート電極12)及び表示電
極15とITO膜層31との間に電荷を保持することが
可能となっており、この部分を補助容量36として用い
ることができるようになっているので、従来のように蓄
積容量を設ける必要がない。
Next, the operation of this example of the liquid crystal display device having the above configuration will be described. In the above liquid crystal display device, as described above, the ITO film layer 3 is formed on the glass substrate 30.
1 and a thin insulating film layer 32 are formed, and the TFT 13 and the display electrode 15 are formed on the insulating film layer 32. Therefore, it is possible to hold charges between the electrode (gate electrode 12) of the TFT 13 and the display electrode 15 and the ITO film layer 31, and this portion can be used as the auxiliary capacitor. Therefore, there is no need to provide a storage capacitor as in the related art.

【0023】また、絶縁膜層32及びITO膜層31は
ともに透明となっており、液晶表示装置の開口率を狭め
ることがなく、従来蓄積容量があった部分も開口部とし
て用いることができるので、液晶表示装置の開口率を大
幅に向上することができる。また、ITO膜層31は、
バックライト28を駆動するためのインバータ基板35
のグランドGND側に接続されて接地されるとともに、
バックライト28とガラス基板30上のTFT13や液
晶22層からなる実質的な液晶モジュールとの間に配置
されているので、ITO膜層31はバックライト28の
ノイズに対する液晶モジュールのシールドとして作用す
る。
Further, the insulating film layer 32 and the ITO film layer 31 are both transparent, so that the aperture ratio of the liquid crystal display device is not reduced, and the portion where the storage capacitor has been conventionally can be used as the aperture. Thus, the aperture ratio of the liquid crystal display device can be greatly improved. In addition, the ITO film layer 31
Inverter board 35 for driving backlight 28
Connected to the ground GND side of the
Since the ITO film layer 31 is disposed between the backlight 28 and a substantial liquid crystal module including the TFT 13 and the liquid crystal 22 layer on the glass substrate 30, the ITO film layer 31 functions as a shield of the liquid crystal module against noise of the backlight 28.

【0024】そして、ITO膜層31は、上述のように
ガラス基板30上に形成されているので、ITO膜層3
1が液晶表示装置の薄型実装の際の邪魔になるようなこ
とがなく、また、ガラス基板30の全面に一様に均一な
厚さでITO膜層31を形成するものとすれば、表示ム
ラ等が生じるのを防止することができる。
Since the ITO film layer 31 is formed on the glass substrate 30 as described above, the ITO film layer 3
If the ITO film layer 1 does not interfere with the thin mounting of the liquid crystal display device and the ITO film layer 31 is formed to have a uniform thickness on the entire surface of the glass substrate 30, display unevenness can be obtained. And the like can be prevented.

【0025】なお、上記例においては、基本的に、IT
O膜層31をガラス基板30の全面に形成するものとし
たが、例えば、画素10毎に形成するものとしたり、各
画素の表示電極15に対応する部分毎に設けるものとし
たりしても良い。この場合には、ITO膜層31が多数
形成されることになるので、各ITO膜層31をガラス
基板30上に形成される配線でグランドGND側に接続
する必要がある。
In the above example, basically, the IT
Although the O film layer 31 is formed on the entire surface of the glass substrate 30, for example, the O film layer 31 may be formed for each pixel 10 or may be provided for each portion corresponding to the display electrode 15 of each pixel. . In this case, since a large number of ITO film layers 31 are formed, it is necessary to connect each ITO film layer 31 to the ground GND by a wiring formed on the glass substrate 30.

【0026】[0026]

【発明の効果】本発明の請求項1記載の液晶表示装置に
よれば、上記アクティブ素子の電極及び表示電極のうち
の少なくとも一方と上記透明電極層とが対向配置された
状態となり、この部分に電荷を保持することができ、こ
の部分を従来の蓄積容量に代えて、補助容量として利用
することができる。この部分が透明となっていることに
より、基板上に光が透過可能な部分の面積が狭められる
ことがなく、従来の蓄積容量がなくなった分だけ開口率
を向上することができる。
According to the liquid crystal display device of the first aspect of the present invention, at least one of the electrode of the active element and the display electrode and the transparent electrode layer are arranged to face each other. The charge can be retained, and this portion can be used as an auxiliary capacitor instead of the conventional storage capacitor. Since this portion is transparent, the area of the portion through which light can be transmitted on the substrate is not reduced, and the aperture ratio can be improved by the amount of the conventional storage capacitor.

【0027】また、本発明の請求項2記載の液晶表示装
置によれば、ガラス基板上の設けられた透明電極層は、
アクティブ素子、表示電極、液晶からなる実質的な液晶
表示ユニットと、バックライトユニットとの間に全面に
わたって配置されるとともに、上記透明電極層がインバ
ータ回路のグランドに接続されて接地されているので、
透明電極層がバックライトユニットの蛍光のノイズに対
するシールドとして効率的に作用することができる。ま
た、シールドが基板上に形成されることになり、上記透
明電極層からなるシールドが液晶表示装置の薄型実装を
図る際の邪魔になることがない。また、ガラス基板上に
一様に均一な厚さで透明電極層を形成することにより、
表示ムラ等が生じるのを防止することができる。
According to the liquid crystal display device of the second aspect of the present invention, the transparent electrode layer provided on the glass substrate is
An active element, a display electrode, a substantial liquid crystal display unit composed of liquid crystal, and the backlight unit are arranged over the entire surface, and the transparent electrode layer is connected to the ground of the inverter circuit and grounded.
The transparent electrode layer can effectively act as a shield against the fluorescence noise of the backlight unit. In addition, since the shield is formed on the substrate, the shield made of the transparent electrode layer does not hinder thin mounting of the liquid crystal display device. In addition, by forming a transparent electrode layer with a uniform thickness on a glass substrate,
It is possible to prevent display unevenness or the like from occurring.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の液晶表示装置の下部基板の一画素のT
FT部分及びバックライトを示す断面図である。
FIG. 1 shows T of one pixel of a lower substrate of a liquid crystal display device of the present invention.
It is sectional drawing which shows FT part and a backlight.

【図2】本発明の液晶表示装置の一画素に対応する等価
回路を示す回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing an equivalent circuit corresponding to one pixel of the liquid crystal display device of the present invention.

【図3】本発明の液晶表示装置の下部基板の一画素を示
す平面図である。
FIG. 3 is a plan view showing one pixel of a lower substrate of the liquid crystal display device of the present invention.

【図4】従来の液晶表示装置の一画素の概略構成を示す
ブロック図である。
FIG. 4 is a block diagram illustrating a schematic configuration of one pixel of a conventional liquid crystal display device.

【図5】従来の液晶表示装置の下部基板を示す平面図で
ある。
FIG. 5 is a plan view showing a lower substrate of a conventional liquid crystal display device.

【図6】従来の液晶表示装置の一画素に対応する等価回
路を示す回路図である。
FIG. 6 is a circuit diagram showing an equivalent circuit corresponding to one pixel of a conventional liquid crystal display device.

【図7】従来の液晶表示装置の液晶モジュールとバック
ライトとの関係を示す概略断面図である。
FIG. 7 is a schematic sectional view showing a relationship between a liquid crystal module and a backlight of a conventional liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 画素 13 TFT(アクティブ素子) 15 表示電極 28 バックライト(蛍光管) 30 ガラス基板(基板) 31 ITO膜層(透明電極層) 32 絶縁膜層 35 インバータ基板(インバータ回路) Reference Signs List 10 pixel 13 TFT (active element) 15 display electrode 28 backlight (fluorescent tube) 30 glass substrate (substrate) 31 ITO film layer (transparent electrode layer) 32 insulating film layer 35 inverter substrate (inverter circuit)

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に画素毎にアクティブ素子及び該
アクティブ素子に接続された表示電極を有するアクティ
ブ・マトリクス方式の液晶表示装置であって、 上記基板上に、上記アクティブ素子及び表示電極との間
に透明絶縁層を介して透明電極層が設けられ、かつ、上
記透明電極層が接地されていることを特徴とする液晶表
示装置。
1. An active matrix type liquid crystal display device having an active element for each pixel and a display electrode connected to the active element on a substrate, wherein the active element and the display electrode are provided on the substrate. A liquid crystal display device, wherein a transparent electrode layer is provided via a transparent insulating layer therebetween, and the transparent electrode layer is grounded.
【請求項2】 上記透明電極層が、上記基板のほぼ全面
にわたって設けられるとともに、上記透明電極層がバッ
クライトユニットの蛍光管駆動用のインバータ回路のグ
ランドに接続されることにより接地されていることを特
徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
2. The method according to claim 1, wherein the transparent electrode layer is provided over substantially the entire surface of the substrate, and the transparent electrode layer is grounded by being connected to a ground of an inverter circuit for driving a fluorescent tube of a backlight unit. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein:
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001305971A (en) * 2000-04-19 2001-11-02 Seiko Epson Corp Display device
KR100559968B1 (en) * 1998-11-26 2006-06-13 삼성전자주식회사 Liquid Crystal Display for Reducing Radiation Noise Effect
US7077543B2 (en) 1998-11-27 2006-07-18 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display
CN100432795C (en) * 2006-06-20 2008-11-12 友达光电股份有限公司 Cold cathode fluorescent lamp system
KR100878218B1 (en) * 2001-09-22 2009-01-13 삼성전자주식회사 Liquid crystal display device
JP2010044337A (en) * 2008-08-18 2010-02-25 Nec Lcd Technologies Ltd Display device and its production method
CN107219667A (en) * 2017-06-26 2017-09-29 上海天马微电子有限公司 Curved face display panel and display device

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100559968B1 (en) * 1998-11-26 2006-06-13 삼성전자주식회사 Liquid Crystal Display for Reducing Radiation Noise Effect
US7077543B2 (en) 1998-11-27 2006-07-18 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display
US7283194B2 (en) 1998-11-27 2007-10-16 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display
US7473021B2 (en) 1998-11-27 2009-01-06 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display
JP2001305971A (en) * 2000-04-19 2001-11-02 Seiko Epson Corp Display device
KR100878218B1 (en) * 2001-09-22 2009-01-13 삼성전자주식회사 Liquid crystal display device
CN100432795C (en) * 2006-06-20 2008-11-12 友达光电股份有限公司 Cold cathode fluorescent lamp system
JP2010044337A (en) * 2008-08-18 2010-02-25 Nec Lcd Technologies Ltd Display device and its production method
US8884868B2 (en) 2008-08-18 2014-11-11 Nlt Technologies, Ltd. Display device and manufacturing method thereof
CN107219667A (en) * 2017-06-26 2017-09-29 上海天马微电子有限公司 Curved face display panel and display device

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