JPH10190115A - Multi-beam writing device - Google Patents

Multi-beam writing device

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JPH10190115A
JPH10190115A JP34116896A JP34116896A JPH10190115A JP H10190115 A JPH10190115 A JP H10190115A JP 34116896 A JP34116896 A JP 34116896A JP 34116896 A JP34116896 A JP 34116896A JP H10190115 A JPH10190115 A JP H10190115A
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JP
Japan
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laser
reference voltage
laser light
semiconductor lasers
semiconductor
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Application number
JP34116896A
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Japanese (ja)
Inventor
Akihiro Shibata
章弘 柴田
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Publication of JPH10190115A publication Critical patent/JPH10190115A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To produce uneven concentration in a picture due to the characteristic variation between two semiconductor lasers, by controlling the APC of the semiconductor lasers with one reference voltage. SOLUTION: A multi-beam writing device is provided with a plurality of laser light sources 2 and 3, and is constituted to optically perform writing by simultaneously scanning a photosensitive drum with a plurality of laser beams emitted from the laser light sources 2 and 3 in accordance with picture signals. The writing device is provided with photodetectors 4 which detect part of the laser beams emitted from the laser light sources, and reference voltage generating circuits which generate reference voltages V3 and V4 independently adjusted in advance at every laser source. The device controls the light quantity of each laser light source to a desired value, by comparing the output signals of the photodetectors with the reference voltages of their corresponding reference voltage generating circuits.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザビームプリ
ンタやデジタル複写機などに使用される光書込装置、特
に、複数の光ビームを用いて光書き込みを行うマルチビ
ーム書込装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical writing apparatus used for a laser beam printer, a digital copying machine, etc., and more particularly to a multi-beam writing apparatus for performing optical writing using a plurality of light beams. .

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、複数のレーザ光源を用い、各々の
レーザ光源のレーザビームを感光体上に同時に走査する
ことによって光書き込みを行うマルチビーム書込方式が
研究されている。このようなマルチビーム書込方式は、
複数の走査線を同時に感光体に照射するため、高速印字
が可能であるばかりでなく、回転多面鏡の回転速度を遅
くできるので、スキャナモータの速度制御を容易に行う
ことができるなどの利点がある。
2. Description of the Related Art In recent years, a multi-beam writing system for performing optical writing by using a plurality of laser light sources and simultaneously scanning laser beams of the respective laser light sources on a photosensitive member has been studied. Such a multi-beam writing method,
By irradiating the photosensitive member with a plurality of scanning lines simultaneously, not only high-speed printing is possible, but also the rotational speed of the rotating polygon mirror can be reduced, so that the speed of the scanner motor can be easily controlled. is there.

【0003】図2はこのようなマルチビーム書込方式の
一例を示している。図2において、1は2つの半導体レ
ーザ2,3を有する半導体レーザアレー、4は半導体レ
ーザ2,3のレーザビームを検知するフォトダイオード
などの光検知器である。半導体レーザアレー1と光検出
器4は図3に示すようにレーザチップとして一体化され
ており、半導体レーザアレー1及び光検出器4は各々基
台5上に近接して配置されている。
FIG. 2 shows an example of such a multi-beam writing system. In FIG. 2, reference numeral 1 denotes a semiconductor laser array having two semiconductor lasers 2 and 3, and 4 denotes a photodetector such as a photodiode for detecting the laser beams of the semiconductor lasers 2 and 3. The semiconductor laser array 1 and the photodetector 4 are integrated as a laser chip as shown in FIG. 3, and the semiconductor laser array 1 and the photodetector 4 are respectively arranged on the base 5 in close proximity.

【0004】半導体レーザアレー1は所定間隔を置いて
形成された2つの半導体レーザ2,3からなっていて、
半導体レーザ2,3から発したバックビーム2b,3b
は各々光検出器4で検出される。レーザ駆動回路11,
12は各々MPU13から供給される画像信号に応じて
半導体レーザ2,3を駆動する回路であり、半導体レー
ザ2,3から発したレーザ光2a,3aを回転多面鏡
(図示せず)で直線状に走査し、感光ドラム(図示せ
ず)に照射することによって、潜像を形成し光書き込み
を行う。
A semiconductor laser array 1 comprises two semiconductor lasers 2 and 3 formed at a predetermined interval.
Back beams 2b, 3b emitted from semiconductor lasers 2, 3
Are respectively detected by the photodetector 4. Laser drive circuit 11,
Numeral 12 is a circuit for driving the semiconductor lasers 2 and 3 according to the image signals supplied from the MPU 13, respectively. The laser beams 2a and 3a emitted from the semiconductor lasers 2 and 3 are linearly formed by a rotary polygon mirror (not shown). , And irradiates a photosensitive drum (not shown) to form a latent image and perform optical writing.

【0005】また、増幅器6、サンプルホールド回路
7,8、比較器9,10は半導体レーザ2,3の光量を
一定に制御するための回路である。半導体レーザ2,3
の光量の検知は光書き込みを行わないブランキング期間
(非画像領域)にMPU13の制御によって行う。具体
的には、MPU13は非画像領域でレーザ駆動回路11
と12を順次制御して半導体レーザ2,3を時系列的に
発光させる。半導体レーザ2が発光すると、そのバック
ビーム2bが光検知器4で検知され、電気信号に変換さ
れる。光検知器4の出力信号は増幅器6で増幅された
後、サンプルホールド回路7に出力される。
The amplifier 6, the sample and hold circuits 7, 8, and the comparators 9, 10 are circuits for controlling the light amounts of the semiconductor lasers 2, 3 to be constant. Semiconductor lasers 2, 3
Is detected by the control of the MPU 13 during a blanking period (non-image area) in which optical writing is not performed. Specifically, the MPU 13 controls the laser drive circuit 11 in the non-image area.
And 12 are sequentially controlled to cause the semiconductor lasers 2 and 3 to emit light in time series. When the semiconductor laser 2 emits light, its back beam 2b is detected by the photodetector 4 and converted into an electric signal. The output signal of the photodetector 4 is amplified by the amplifier 6 and then output to the sample and hold circuit 7.

【0006】比較器9ではサンプルホールド回路7の出
力電圧V1と予め可変抵抗器によって調整された基準電
圧Vsを比較し、その差に応じた制御信号をレーザ駆動
回路11に出力する。レーザ駆動回路11では制御信号
に応じて半導体レーザ2の駆動電流を増減し、半導体レ
ーザ2の光量が基準電圧として与えられた目標の光量と
なるように制御を行う。即ち、サンプルホールド回路7
の出力電圧V1が基準電圧Vsよりも大きければ半導体
レーザ2の駆動電流を小さくし、出力電圧V1が基準電
圧Vsよりも小さければ半導体レーザ2の駆動電流を大
きくすることによって半導体レーザ2の光量を一定に制
御する。
The comparator 9 compares the output voltage V1 of the sample and hold circuit 7 with a reference voltage Vs adjusted by a variable resistor in advance, and outputs a control signal corresponding to the difference to the laser drive circuit 11. The laser drive circuit 11 increases or decreases the drive current of the semiconductor laser 2 according to the control signal, and performs control so that the light amount of the semiconductor laser 2 becomes the target light amount given as the reference voltage. That is, the sample hold circuit 7
If the output voltage V1 is higher than the reference voltage Vs, the drive current of the semiconductor laser 2 is reduced, and if the output voltage V1 is lower than the reference voltage Vs, the drive current of the semiconductor laser 2 is increased to reduce the light amount of the semiconductor laser 2. Control to constant.

【0007】また、半導体レーザ3が発光すると、同様
にそのバックビーム3bが光検知器4で検知され、電気
信号に変換して増幅器6に出力される。増幅器の出力信
号は同様にサンプルホールド回路8に出力される。比較
器10ではサンプルホールド回路8の出力電圧V2と基
準電圧Vsを比較し、その差に応じた制御信号をレーザ
駆動回路12に出力する。レーザ駆動回路12では同様
に制御信号に応じて半導体レーザ3の駆動電流で増減
し、半導体レーザ3の光量が一定となるように制御を行
う。
When the semiconductor laser 3 emits light, the back beam 3b is similarly detected by the photodetector 4, converted into an electric signal, and output to the amplifier 6. The output signal of the amplifier is similarly output to the sample and hold circuit 8. The comparator 10 compares the output voltage V2 of the sample and hold circuit 8 with the reference voltage Vs, and outputs a control signal corresponding to the difference to the laser drive circuit 12. Similarly, the laser drive circuit 12 increases or decreases the drive current of the semiconductor laser 3 according to the control signal, and performs control so that the light amount of the semiconductor laser 3 becomes constant.

【0008】このようにして非画像領域において各々の
半導体レーザ2、3を時分割で点灯してAPC制御(Au
tomatic Power Contorol)を行う。一方、画像領域にお
いては、サンプルホールド回路7,8にそれぞれ半導体
レーザ2,3の光量信号がホールドされており、レーザ
駆動回路11,12では各々ホールドされた光量信号を
用いて半導体レーザ2,3の光量を目標の光量に制御す
る。このように従来においては、2つの半導体レーザ
2,3の光量を周囲の温度変化などによらず、一定に制
御している。
In this manner, in the non-image area, each of the semiconductor lasers 2 and 3 is turned on in a time-division manner to perform APC control (Au
tomatic Power Control). On the other hand, in the image area, the sample and hold circuits 7 and 8 hold the light quantity signals of the semiconductor lasers 2 and 3 respectively, and the laser drive circuits 11 and 12 use the held light quantity signals and respectively use the semiconductor lasers 2 and 3. Is controlled to a target light amount. As described above, in the related art, the light amounts of the two semiconductor lasers 2 and 3 are controlled to be constant regardless of a change in ambient temperature.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】従来の技術において
は、以上の説明のように1つの基準電圧Vsを用いて各
々の半導体レーザのAPC制御を行っている。ところ
で、基準電圧Vsを決定するには、2つの半導体レーザ
のうちいずれか1つの半導体レーザの特性に合わせて基
準電圧Vsを調整し、以後調整された基準電圧で2つの
半導体レーザのAPC制御を行っている。従って、もう
1つの半導体レーザは、他方の半導体レーザの特性に合
わせて調整された基準電圧でAPC制御を行っている。
しかしながら、このような調整方法では、2つの半導体
レーザの特性が異なるので、一方の半導体レーザの特性
に合わせて調整された基準電圧を用いて2つの半導体レ
ーザのAPC制御を行うと、半導体レーザの特性の違い
によって画像濃度にバラツキを生じる。
In the prior art, as described above, APC control of each semiconductor laser is performed using one reference voltage Vs. Incidentally, in order to determine the reference voltage Vs, the reference voltage Vs is adjusted according to the characteristics of one of the two semiconductor lasers, and the APC control of the two semiconductor lasers is performed with the adjusted reference voltage. Is going. Therefore, another semiconductor laser performs APC control with a reference voltage adjusted according to the characteristics of the other semiconductor laser.
However, in such an adjustment method, since the characteristics of the two semiconductor lasers are different, if APC control of the two semiconductor lasers is performed using a reference voltage adjusted according to the characteristics of one of the semiconductor lasers, The image density varies due to the difference in characteristics.

【0010】例えば、2つの半導体レーザの発光波長は
必ずしも同じではないので、発光波長に対して感度特性
を有する感光ドラムに光書き込みを行うと、感光ドラム
表面に形成される潜像の電荷量に差を生じ、印字された
画像に半導体レーザの間隔で画像濃度の違い現われ、濃
度ムラを生じる。また、半導体レーザのレーザ光は出射
したときの広がりに差があるので、レーザ光を光学系で
絞り込むと、個々の半導体レーザのレーザ光の広がりの
違いによってビームスポット径にバラツキを生じる。従
って、このような場合も、ビームスポット径のバラツキ
によって印字された画像に濃度ムラを生じるという問題
があった。
For example, since the emission wavelengths of the two semiconductor lasers are not always the same, when optical writing is performed on a photosensitive drum having sensitivity characteristics with respect to the emission wavelength, the charge amount of the latent image formed on the photosensitive drum surface is reduced. A difference occurs, and a difference in image density appears at an interval between semiconductor lasers in a printed image, resulting in uneven density. Further, since the spread of the laser light of the semiconductor laser is different when the laser light is emitted, if the laser light is narrowed down by the optical system, the beam spot diameter varies due to the difference of the spread of the laser light of each semiconductor laser. Therefore, also in such a case, there is a problem that density unevenness occurs in the printed image due to the variation of the beam spot diameter.

【0011】本発明は、上記従来の問題点に鑑み、レー
ザ光源の固有特性によらず、濃度ムラのない良質の画像
を得ることができるマルチビーム書込装置を提供するこ
とを目的としたものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and has as its object to provide a multi-beam writing apparatus capable of obtaining a high-quality image without density unevenness regardless of the inherent characteristics of a laser light source. It is.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明の目的は、複数の
レーザ光源を備え、各々のレーザ光源を画像信号に応じ
て駆動し、各々のレーザ光源から発した複数のレーザ光
を像担持体上に同時に走査することによって、像担持体
上に光書き込みを行うマルチビーム書込装置において、
前記各々のレーザ光源から発したレーザ光の一部を検出
するための検出素子と、各々のレーザ光源に対応して設
けられ、各レーザ光源ごとに予め独立して調整された基
準電圧を発生する基準電圧発生回路とを備え、各々のレ
ーザ光源ごとに前記検出素子の出力信号と対応する基準
電圧発生回路の基準電圧を比較することによって、各々
のレーザ光源の光量を所望の光量に制御することを特徴
とするマルチビーム書込装置によって達成される。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a plurality of laser light sources, each of which is driven in accordance with an image signal, and a plurality of laser lights emitted from each of the laser light sources are used as an image carrier. In a multi-beam writing device that performs optical writing on an image carrier by simultaneously scanning on the
A detection element for detecting a part of the laser light emitted from each of the laser light sources, and a reference voltage which is provided corresponding to each of the laser light sources and is adjusted independently for each of the laser light sources. A reference voltage generation circuit, and controlling the light amount of each laser light source to a desired light amount by comparing the output signal of the detection element and the reference voltage of the corresponding reference voltage generation circuit for each laser light source. This is achieved by a multi-beam writing device characterized by the following.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図1は本発明のマル
チビーム書込装置の一実施形態の構成を示したブロック
図である。なお、図1においては図2の従来装置と同一
部分は同一符号を付している。図1において、1は2つ
の半導体レーザ2,3を有する半導体レーザアレー、4
はフォトダイオードなどの光検出器である。半導体レー
ザアレー1と光検出器4は図3のように一体化されたも
のを用いている。即ち、図3に示すように基台5上に半
導体レーザアレー1が固着され、その背面に光検出器4
が固着されている。半導体レーザ2,3のバックビーム
2b,3bはそれぞれ光検出器4で検出され、詳しく後
述するように光検出器4の出力信号を用いて半導体レー
ザ2,3のAPC制御を行う。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of an embodiment of the multi-beam writing apparatus according to the present invention. In FIG. 1, the same parts as those of the conventional apparatus of FIG. 2 are denoted by the same reference numerals. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a semiconductor laser array having two semiconductor lasers 2 and 3;
Is a photodetector such as a photodiode. The semiconductor laser array 1 and the photodetector 4 are integrated as shown in FIG. That is, as shown in FIG. 3, a semiconductor laser array 1 is fixed on a base 5 and a photodetector 4
Is fixed. The back beams 2b and 3b of the semiconductor lasers 2 and 3 are respectively detected by the photodetector 4, and APC control of the semiconductor lasers 2 and 3 is performed using an output signal of the photodetector 4 as described later in detail.

【0014】また、増幅器6、サンプルホールド回路
7,8、比較器9,10、レーザ駆動回路11,12は
いずれも図2のものと同じである。増幅器6は光検出器
4の出力信号を増幅し、サンプルホールド回路7,8で
はそれぞれ増幅器6で増幅された半導体レーザ2,3の
光量信号をサンプルホールドし、比較器9,10では各
々サンプルホールド回路7,8の出力信号と所定の基準
電圧を比較し、その差に応じた制御信号をレーザ駆動回
路11,12に出力する。
The amplifier 6, the sample and hold circuits 7, 8, the comparators 9, 10, and the laser driving circuits 11, 12 are all the same as those in FIG. The amplifier 6 amplifies the output signal of the photodetector 4, the sample and hold circuits 7 and 8 sample and hold the light intensity signals of the semiconductor lasers 2 and 3 amplified by the amplifier 6, respectively, and the comparators 9 and 10 sample and hold, respectively. The output signals of the circuits 7 and 8 are compared with a predetermined reference voltage, and a control signal corresponding to the difference is output to the laser drive circuits 11 and 12.

【0015】レーザ駆動回路11,12では各々制御信
号に応じて半導体レーザ2,3の光量が目標の光量とな
るように駆動電流を制御する。MPU13は装置全体を
制御するプロセッサ回路であり、非画像領域においては
2つの半導体レーザ2,3を時分割で点灯し、各々の半
導体レーザのAPC制御を行う。一方、画像領域におい
ては、レーザ駆動回路11,12に画像データを供給
し、感光ドラム(図示せず)に光書き込みを行う。画像
領域においては、サンプルホールド回路7,8に半導体
レーザ2,3の光量信号がホールドされていて、ホール
ドされた光量信号を用いてAPC制御を行う。
The laser drive circuits 11 and 12 control the drive current according to the control signals so that the light amounts of the semiconductor lasers 2 and 3 become the target light amounts. The MPU 13 is a processor circuit for controlling the entire apparatus. In the non-image area, the MPU 13 turns on the two semiconductor lasers 2 and 3 in a time-division manner and performs APC control of each semiconductor laser. On the other hand, in the image area, image data is supplied to the laser drive circuits 11 and 12, and optical writing is performed on a photosensitive drum (not shown). In the image area, the light intensity signals of the semiconductor lasers 2 and 3 are held in the sample hold circuits 7 and 8, and APC control is performed using the held light intensity signals.

【0016】また、本実施形態では、半導体レーザ2,
3に各々対応して基準電圧を発生する基準電圧発生回路
を設けている。半導体レーザ2の基準電圧発生回路は、
可変抵抗器15,16、MOSトランジスタなどのスイ
ッチ素子18の直列回路からなっていて、予め安定化さ
れた電源電圧Vを可変抵抗器15,16で調整してい
る。そして、調整された基準電圧V3を半導体レーザ2
のAPC制御の基準電圧として比較器9に入力してい
る。また、半導体レーザ3の基準電圧発生回路は、可変
抵抗器15,17、MOSトランジスタなどのスイッチ
素子19の直列回路から構成され、電源電圧Vを可変抵
抗器17で調整することによって所望の基準電圧V4を
得ている。調整された基準電圧V4は半導体レーザ3の
目標の光量として比較器10へ入力される。
In this embodiment, the semiconductor lasers 2 and
3 are provided with reference voltage generating circuits for generating reference voltages. The reference voltage generation circuit of the semiconductor laser 2
The variable resistor 15, 16 comprises a series circuit of variable resistors 15, 16 and a switch element 18 such as a MOS transistor, and regulates a previously stabilized power supply voltage V by the variable resistors 15, 16. Then, the adjusted reference voltage V3 is applied to the semiconductor laser 2
Is input to the comparator 9 as a reference voltage for the APC control. The reference voltage generating circuit of the semiconductor laser 3 is composed of a series circuit of variable resistors 15 and 17 and a switch element 19 such as a MOS transistor. The power supply voltage V is adjusted by the variable resistor 17 so that a desired reference voltage is obtained. V4 has been obtained. The adjusted reference voltage V4 is input to the comparator 10 as a target light amount of the semiconductor laser 3.

【0017】ここで、基準電圧V3とV4は、装置の調
整時に予め半導体レーザ2,3の個々の特性に合わせて
独立して調整されている。具体的に説明すると、まず、
半導体レーザ2の光量を調整する場合は、MPU13の
制御によってスイッチ素子18をオン、スイッチ素子1
9をオフとしておく。この状態で、MPU13の制御に
よってレーザ駆動回路11を稼動状態とし、半導体レー
ザ2を点灯する。このとき、可変抵抗器15,16を調
整して半導体レーザ2の光量が所望の光量となるように
調整する。即ち、半導体レーザ2を点灯するとAPC制
御が働き、半導体レーザ2の光量信号が比較器9にフィ
ードバックされるので、このときに可変抵抗器15,1
6を調整することによって、半導体レーザ2の光量が所
望の光量となるように基準電圧V3を調整している。
Here, the reference voltages V3 and V4 are independently adjusted in advance according to the individual characteristics of the semiconductor lasers 2 and 3 when adjusting the apparatus. Specifically, first,
When adjusting the light quantity of the semiconductor laser 2, the switch element 18 is turned on under the control of the MPU 13 and the switch element 1 is turned on.
9 is turned off. In this state, the laser drive circuit 11 is activated by the control of the MPU 13, and the semiconductor laser 2 is turned on. At this time, the variable resistors 15 and 16 are adjusted so that the light amount of the semiconductor laser 2 becomes a desired light amount. That is, when the semiconductor laser 2 is turned on, the APC control is activated, and the light quantity signal of the semiconductor laser 2 is fed back to the comparator 9. At this time, the variable resistors 15, 1
6, the reference voltage V3 is adjusted so that the light amount of the semiconductor laser 2 becomes a desired light amount.

【0018】基準電圧V3の調整を終了すると、スイッ
チ素子18をオフし、スイッチ素子19をオンする。こ
の状態で、レーザ駆動回路12を稼動状態とし、半導体
レーザ3を点灯する。このとき、同様の方法で可変抵抗
器17を調整することによって、半導体レーザ3の光量
が所望の光量となるように基準電圧V4を調整する。こ
のように本実施形態では、半導体レーザ2,3の基準電
圧を半導体レーザ2,3ごとに特性に合わせて独立して
調整している。
When the adjustment of the reference voltage V3 is completed, the switch element 18 is turned off and the switch element 19 is turned on. In this state, the laser drive circuit 12 is activated, and the semiconductor laser 3 is turned on. At this time, by adjusting the variable resistor 17 in the same manner, the reference voltage V4 is adjusted so that the light amount of the semiconductor laser 3 becomes a desired light amount. As described above, in the present embodiment, the reference voltages of the semiconductor lasers 2 and 3 are independently adjusted according to the characteristics of each of the semiconductor lasers 2 and 3.

【0019】次に、本実施形態のマルチビーム書込装置
の具体的な動作について説明する。まず、MPU13は
光書き込みを行わない非画像領域でレーザ駆動回路1
1,12を制御し、半導体レーザ2,3を一定時間づつ
時分割で点灯する。また、これに同期してスイッチ素子
18,19を時分割でオンさせる。半導体レーザ2が点
灯すると、光検出器4でそのバックビームが検出され、
光検出器4の出力信号は増幅器6、サンプルホールド回
路7を介して比較器9に入力される。
Next, a specific operation of the multi-beam writing apparatus according to the present embodiment will be described. First, the MPU 13 operates the laser drive circuit 1 in a non-image area where optical writing is not performed.
By controlling the semiconductor lasers 1 and 12, the semiconductor lasers 2 and 3 are turned on in a time-division manner for a predetermined time. Further, in synchronization with this, the switch elements 18 and 19 are turned on in a time sharing manner. When the semiconductor laser 2 is turned on, its back beam is detected by the photodetector 4,
The output signal of the photodetector 4 is input to the comparator 9 via the amplifier 6 and the sample hold circuit 7.

【0020】一方、このとき、スイッチ素子18がオン
しており(スイッチ素子19はオフ)、前述のように半
導体レーザ2の特性に合わせて調整された基準電圧V3
が比較器9に入力される。比較器9ではサンプルホール
ド回路7の出力信号と基準電圧V3を比較してその差に
応じた制御信号を出力し、レーザ駆動回路11では制御
信号に応じて半導体レーザ2の駆動電流を制御する。こ
のようにしてAPC制御が働き、このときの半導体レー
ザ2の光量信号はサンプルホールド回路7にホールドさ
れる。
On the other hand, at this time, the switching element 18 is on (the switching element 19 is off), and the reference voltage V3 adjusted according to the characteristics of the semiconductor laser 2 as described above.
Is input to the comparator 9. The comparator 9 compares the output signal of the sample hold circuit 7 with the reference voltage V3 and outputs a control signal according to the difference, and the laser drive circuit 11 controls the drive current of the semiconductor laser 2 according to the control signal. The APC control operates in this manner, and the light intensity signal of the semiconductor laser 2 at this time is held by the sample hold circuit 7.

【0021】また、半導体レーザ3が点灯すると、同様
に光検出器4でバックビームが検知され、検知された光
量信号は増幅器6、サンプルホールド回路8を介して比
較器10に入力される。一方、このとき、MPU13の
制御によってスイッチ素子19がオンしており(スイッ
チ素子18はオフ)、半導体レーザ3の特性に合わせて
調整された基準電圧V4が比較器10に入力される。比
較器10ではその差に応じた制御信号を出力し、レーザ
駆動回路12では制御信号に応じて半導体レーザ3の駆
動電流を制御する。このようにしてAPC制御が働き、
このときの光量信号は同様にサンプルホールド回路8に
ホールドされる。
When the semiconductor laser 3 is turned on, a back beam is similarly detected by the photodetector 4, and the detected light amount signal is input to the comparator 10 via the amplifier 6 and the sample hold circuit 8. On the other hand, at this time, the switch element 19 is on (the switch element 18 is off) under the control of the MPU 13, and the reference voltage V 4 adjusted according to the characteristics of the semiconductor laser 3 is input to the comparator 10. The comparator 10 outputs a control signal according to the difference, and the laser drive circuit 12 controls the drive current of the semiconductor laser 3 according to the control signal. APC control works in this way,
The light amount signal at this time is similarly held in the sample hold circuit 8.

【0022】画像領域になると、MPU13はレーザ駆
動電流11,12にそれぞれ画像データを供給する。ま
た、MPU13はスイッチ素子18,19を各々画像デ
ータに同期してオンさせる。これによって、半導体レー
ザ2,3は各々画像データに応じて駆動され、半導体レ
ーザ2,3からの画像データに応じて変調されたレーザ
光は各々偏向器(図示せず)によって直線状に感光ドラ
ム(図示せず)に照射される。
In the image area, the MPU 13 supplies image data to the laser drive currents 11 and 12, respectively. The MPU 13 turns on the switch elements 18 and 19 in synchronization with the image data. As a result, the semiconductor lasers 2 and 3 are driven in accordance with the image data, respectively, and the laser beams modulated in accordance with the image data from the semiconductor lasers 2 and 3 are linearly moved by the deflectors (not shown) to the photosensitive drums. (Not shown).

【0023】また、この場合、前述のようにサンプルホ
ールド回路7,8に光量信号がホールドされており、一
方スイッチ素子18,19は画像データに同期してオン
するので、ホールドされた光量信号と各スイッチ素子1
8,19がオンしたときに供給される基準電圧V3,V
4によってAPC制御が働き、半導体レーザ2,3の光
量はそれぞれ目標の光量に制御される。このようにして
MPU13は順次レーザ駆動回路11,12に画像デー
タを供給し、感光ドラム上にレーザ光を走査することに
よって光書き込みを行い、感光ドラム上に1頁分の潜像
を形成する。この後、潜像をトナーを用いて現像し、ト
ナー像を記録紙に転写し、転写されたトナー像を定着す
ることによってプリントを行う。
In this case, the light quantity signal is held in the sample and hold circuits 7 and 8 as described above, while the switch elements 18 and 19 are turned on in synchronization with the image data. Each switch element 1
Reference voltages V3, V supplied when 8, 19 are turned on
4, the APC control is activated, and the light amounts of the semiconductor lasers 2 and 3 are respectively controlled to target light amounts. In this way, the MPU 13 supplies the image data to the laser drive circuits 11 and 12 sequentially, scans the photosensitive drum with laser light to perform optical writing, and forms a one-page latent image on the photosensitive drum. Thereafter, printing is performed by developing the latent image using toner, transferring the toner image to a recording sheet, and fixing the transferred toner image.

【0024】[0024]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、各
々のレーザ光源ごとにレーザ光源の特性に応じて独立し
て基準電圧を調整するようにしたので、レーザ光源の波
長のバラツキやレーザ光の広がりのバラツキなどを、レ
ーザ光源ごとの特性に応じた基準電圧の調整によって吸
収することができる。従って、レーザ光源の特性のバラ
ツキによって生じる画像の濃度ムラを防止することがで
き、レーザ光源の固有特性によらず、濃度ムラのない良
質の画像を得ることができる。また、各レーザ光源の基
準電圧を個別に調整できるので、感光ドラムの交換時な
どに感光ドラムの感度に応じて調整することによって、
感光ドラムの感度バラツキに対しても一定の画質を得る
ことができる。
As described above, according to the present invention, the reference voltage is independently adjusted for each laser light source in accordance with the characteristics of the laser light source. Variations in the spread of light and the like can be absorbed by adjusting the reference voltage according to the characteristics of each laser light source. Therefore, it is possible to prevent the density unevenness of the image caused by the variation in the characteristics of the laser light source, and it is possible to obtain a high-quality image without the density unevenness regardless of the inherent characteristics of the laser light source. In addition, since the reference voltage of each laser light source can be adjusted individually, by adjusting according to the sensitivity of the photosensitive drum when replacing the photosensitive drum,
A constant image quality can be obtained even with respect to variations in the sensitivity of the photosensitive drum.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のマルチビーム書込装置の一実施形態を
示した回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of a multi-beam writing device according to the present invention.

【図2】従来例のマルチビーム書込装置を示した回路図
である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a conventional multi-beam writing device.

【図3】図2の半導体レーザと光検出器の構成を示した
斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view showing a configuration of a semiconductor laser and a photodetector of FIG. 2;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体レーザアレー 2,3 半導体レーザ 4 光検出器 6 増幅器 7、8 サンプルホールド回路 9,10 比較器 11,12 レーザ駆動回路 13 MPU 15〜17 可変抵抗器 18〜19 スイッチ素子 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor laser array 2, 3 Semiconductor laser 4 Photodetector 6 Amplifier 7, 8 Sample hold circuit 9, 10 Comparator 11, 12 Laser drive circuit 13 MPU 15-17 Variable resistor 18-19 Switch element

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数のレーザ光源を備え、各々のレーザ
光源を画像信号に応じて駆動し、各々のレーザ光源から
発した複数のレーザ光を像担持体上に同時に走査するこ
とによって、像担持体上に光書き込みを行うマルチビー
ム書込装置において、前記各々のレーザ光源から発した
レーザ光の一部を検出するための検出素子と、各々のレ
ーザ光源に対応して設けられ、各レーザ光源ごとに予め
独立して調整された基準電圧を発生する基準電圧発生回
路とを備え、各々のレーザ光源ごとに前記検出素子の出
力信号と対応する基準電圧発生回路の基準電圧を比較す
ることによって、各々のレーザ光源の光量を所望の光量
に制御することを特徴とするマルチビーム書込装置。
An image carrier is provided by driving a plurality of laser light sources according to an image signal and simultaneously scanning a plurality of laser beams emitted from each laser light source on an image carrier. In a multi-beam writing apparatus for performing optical writing on a body, a detecting element for detecting a part of laser light emitted from each of the laser light sources and a laser light source provided for each of the laser light sources are provided. A reference voltage generation circuit that generates a reference voltage independently adjusted in advance for each laser light source, by comparing the output signal of the detection element for each laser light source and the reference voltage of the corresponding reference voltage generation circuit, A multi-beam writing device wherein the light amount of each laser light source is controlled to a desired light amount.
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