JPH10173059A - Method of verifying wiring of integrated circuit - Google Patents

Method of verifying wiring of integrated circuit

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Publication number
JPH10173059A
JPH10173059A JP8332265A JP33226596A JPH10173059A JP H10173059 A JPH10173059 A JP H10173059A JP 8332265 A JP8332265 A JP 8332265A JP 33226596 A JP33226596 A JP 33226596A JP H10173059 A JPH10173059 A JP H10173059A
Authority
JP
Japan
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wiring
data
node
verification
power supply
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP8332265A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kouhei Nagaya
公平 永屋
Masahito Uechi
將人 植地
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Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu VLSI Ltd, Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu VLSI Ltd
Priority to JP8332265A priority Critical patent/JPH10173059A/en
Publication of JPH10173059A publication Critical patent/JPH10173059A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of verifying the wiring of an integrated circuit whereby an error point of the wiring is identifiable. SOLUTION: Node names Vcc, GND are added to two wirings of a cell 46. Node names Vcc, GND are added to two wirings of a cell 47. Pattern data of four cells 46 and four cells 47 are developed to result in a flat data structure of a block 45. The node name of a wiring connected to a wiring 48 of the block 45 is Vcc about the cell 46 and GND about the cell 47 and different node name is extracted about the wiring 48. The node name of a wiring connected to a wiring 49 of the block 45 is GND about the cell 46 and Vcc about the cell 47 is GND and different node name is extracted about the wiring 49. Thus the wirings 48, 49 are regarded each as an error wiring.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置やプリ
ント配線基板等の集積回路の配線検証方法に関する。半
導体装置やプリント配線基板等の集積回路はパターンを
用いてレイアウト設計が行われるが、回路パターンの中
でも電源配線やクロック配線、バイアス配線のように複
雑な配線のエラー箇所を的確に検証できることが必要で
ある。
The present invention relates to a method for verifying wiring of an integrated circuit such as a semiconductor device and a printed wiring board. Layout design is performed on integrated circuits such as semiconductor devices and printed wiring boards using patterns, but it is necessary to accurately verify error locations in complicated wiring such as power supply wiring, clock wiring, and bias wiring in circuit patterns. It is.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体装置(以下、LSIとい
う)のパターンを製造するためのマスクの作成用データ
は、数種類〜数十種類の基本素子パターンのデータを用
いて中規模の機能ブロックを作成し、さらにこれらの機
能ブロックを組み合わせて目的の機能を持つチップとな
るように設計されている。
2. Description of the Related Art Generally, data for forming a mask for manufacturing a pattern of a semiconductor device (hereinafter, referred to as an LSI) is a medium-sized functional block using data of several to several tens of basic element patterns. In addition, these functional blocks are designed to be combined into a chip having a desired function.

【0003】このため、マスク作成用データに変換する
前のレイアウトデータは、図12に示すように階層構造
を持つ。例えば、図12において、最上位階層TOPで
あるチップは下位階層に機能ブロックBLK−A,BL
K−B,・・・を備える。機能ブロックBLK−Aは下
位階層に1つのインバータセルINV、2つのNOR回
路セルNOR、及び1つのNAND回路セルNANDを
備える。機能ブロックBLK−Bは下位階層に3つのフ
リップフロップセルFF、及び1つのNAND回路セル
NANDを備える。フリップフロップセルFFは下位階
層に1つのインバータセルINV、1つのNAND回路
セルNAND、及び1つのスイッチSWを備える。
For this reason, layout data before being converted into mask creation data has a hierarchical structure as shown in FIG. For example, in FIG. 12, a chip that is a top layer TOP is a functional block BLK-A, BL in a lower layer.
KB,... The functional block BLK-A includes one inverter cell INV, two NOR circuit cells NOR, and one NAND circuit cell NAND in the lower hierarchy. The functional block BLK-B includes three flip-flop cells FF and one NAND circuit cell NAND in the lower hierarchy. The flip-flop cell FF includes one inverter cell INV, one NAND circuit cell NAND, and one switch SW in the lower hierarchy.

【0004】また、LSIに設計通りの回路を作成する
ためには、上記マスク作成用データの検証は欠かせな
い。この検証にはERC(electric rule check) と呼ば
れる検証方法や、LVS(layout versus schematic) と
呼ばれる検証方法がある。ERCは、マスク作成用のパ
ターンデータから配線のパターンデータを抽出して、電
気的接続を認識する処理を行い、最上位階層データ上に
設定した1つの配線データに2つ以上の異なるノード名
が与えられているか否かによって、異なる配線間のショ
ートエラーを発見するものである。LVSは、論理回路
図に基づいて得られた回路接続記述(ネットリスト)
と、マスク作成用のパターンデータから抽出した素子接
続データ(ネットリスト)とを比較して、パターンデー
タ上のエラーを発見するものである。
In order to create a circuit as designed in an LSI, verification of the mask creation data is indispensable. This verification includes a verification method called ERC (electric rule check) and a verification method called LVS (layout versus schematic). The ERC performs a process of extracting wiring pattern data from pattern data for creating a mask and recognizing an electrical connection, and two or more different node names are assigned to one wiring data set on the highest hierarchical data. It is to find a short error between different wirings depending on whether or not it is given. LVS is a circuit connection description (netlist) obtained based on a logic circuit diagram.
And an element connection data (netlist) extracted from the pattern data for creating a mask to find an error in the pattern data.

【0005】従来、配線の結線チェックはERC又はL
VSで行われており、詳細なエラーの解析はLVSにて
行われている。ERCの配線抽出時、又はLVS用のネ
ットリストを抽出する際には、検証を行うパターンデー
タの最上位階層のデータを指定して一括処理が行われ、
階層構造が展開されてフラットなデータ構造にされるの
が一般的であった。
Conventionally, wiring connection check is performed by ERC or L
This is performed by the VS, and detailed error analysis is performed by the LVS. When extracting the wiring of the ERC or extracting the netlist for the LVS, batch processing is performed by designating the data of the highest hierarchy of the pattern data to be verified,
It was common for the hierarchical structure to be expanded to a flat data structure.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ERC、LVSにて配線の検証を行う場合、電源配線な
どチップの全面に行き渡っている配線にエラーがあると
きには、チップのどの部分の配線にエラーがあるを見つ
け出すのは非常にむずかしかった。すなわち、エラー箇
所の表示はネット単位で行われるため、フラットなデー
タ構造であると電源配線は1つのネットと扱われ、チッ
プ全面がエラー箇所となってしまうためである。
However, when the wiring is verified by the conventional ERC and LVS, if there is an error in the wiring extending over the entire surface of the chip such as the power supply wiring, the error is detected in any part of the chip. It was very difficult to find out. That is, since the display of the error location is performed in units of nets, if the data structure is flat, the power supply wiring is treated as one net, and the entire chip becomes the error location.

【0007】例えば、図13に示すように、最上位階層
のデータであるチップ100が4つのブロック101〜
104を備えているとする。4つのブロック101〜1
04は電源VCCが供給される外部パッド105に接続さ
れた電源配線106に接続されている。また、4つのブ
ロック101〜104はグランドGNDが供給される外
部パッド107に接続された電源配線108に接続され
ている。ブロック101〜104は展開されてフラット
なデータ構造となるため、電源配線106及び階層展開
後のブロック101〜104内の電源VCC用の電源配線
は1つのネットとなり、電源配線108及び階層展開後
のブロック101〜104内のグランドGND用の電源
配線は1つのネットとなる。
For example, as shown in FIG. 13, a chip 100, which is data of the highest hierarchy, includes four blocks 101-101.
104 is provided. Four blocks 101-1
Reference numeral 04 is connected to a power supply wiring 106 connected to an external pad 105 to which the power supply V CC is supplied. Further, the four blocks 101 to 104 are connected to a power supply wiring 108 connected to an external pad 107 to which the ground GND is supplied. Since the blocks 101 to 104 are developed into a flat data structure, the power supply wiring 106 and the power supply wiring for the power supply V CC in the blocks 101 to 104 after the hierarchical development become one net, and the power supply wiring 108 and the power supply wiring after the hierarchical development The power supply wiring for ground GND in the blocks 101 to 104 is one net.

【0008】その結果、配線のエラーの解析に時間を要
するという問題があった。本発明は上記問題点を解決す
るためになされたものであって、その目的は、配線のエ
ラー箇所を特定することができる集積回路の配線検証方
法を提供することにある。
As a result, there has been a problem that it takes time to analyze wiring errors. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problem, and an object of the present invention is to provide a wiring verification method for an integrated circuit that can specify a wiring error location.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、請求項1の発明は、階層構造をなす集積回路のレイ
アウトデータの各階層における配線のパターンデータに
ノード名を付加する工程と、レイアウトデータを最下位
階層のデータから順次上位の階層のデータへと展開する
工程と、展開された階層のデータにおける配線と接続関
係のある下位階層の素子における配線のノード名を抽出
し、各配線について複数の異なるノード名が抽出された
とき、該配線をエラー配線と判定する検証工程とを含
む。
In order to achieve the above object, the invention of claim 1 includes a step of adding a node name to wiring pattern data at each level of layout data of an integrated circuit having a hierarchical structure; A step of sequentially expanding the layout data from the data of the lowest hierarchical level to data of a higher hierarchical level; extracting node names of wirings in lower-level elements having connection relations with wirings in the expanded hierarchical data; And when a plurality of different node names are extracted, the wiring is determined to be an error wiring.

【0010】請求項2の発明は、レイアウトデータにお
いて展開すべき階層を指定する設定工程を含み、展開工
程において、設定工程にて設定された階層のデータまで
展開するようにした。
[0010] The invention of claim 2 includes a setting step of designating a layer to be expanded in the layout data, and in the expansion step, data is expanded up to the data of the layer set in the setting step.

【0011】請求項3の発明は、検証工程において配線
ノード名を読み替えるべき階層を指定する設定工程を含
み、検証工程において、設定工程にて設定された階層に
て配線のノード名を読み替えるようにした。
[0011] The invention of claim 3 includes a setting step of designating a hierarchy to be replaced with a wiring node name in a verification step. In the verification step, the wiring node name is read in the hierarchy set in the setting step. did.

【0012】(作用)請求項1の発明では、展開された
階層の配線について複数の異なるノード名が抽出される
と、その配線はエラー配線と判定される。
According to the first aspect of the present invention, when a plurality of different node names are extracted from the expanded hierarchical wiring, the wiring is determined to be an error wiring.

【0013】請求項2の発明では、レイアウトデータは
指定された階層まで展開され、その階層までの配線検証
が行われる。請求項3の発明では、配線の検証が指定さ
れた階層まで行われると、配線のノード名が読み替えら
れる。
According to the second aspect of the present invention, the layout data is expanded to a specified hierarchy, and wiring verification is performed up to the specified hierarchy. According to the third aspect of the invention, when the wiring verification is performed up to the designated hierarchy, the wiring node name is read.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

[第1の実施の形態]以下、本発明を具体化した第1の
実施の形態を図1〜図10に従って説明する。
[First Embodiment] A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

【0015】図1は、本形態の配線検証装置10を示
す。配線検証装置10は、パターンデータ作成装置1
1、配線ノード検証装置12、条件設定装置13を備え
るとともに、パターンデータファイル14、配線ノード
検証結果ファイル15及びプログラムファイル16を備
える。
FIG. 1 shows a wiring verification device 10 of the present embodiment. The wiring verification device 10 includes the pattern data creation device 1
1, a wiring node verification device 12, a condition setting device 13, and a pattern data file 14, a wiring node verification result file 15, and a program file 16.

【0016】パターンデータ作成装置11は製造すべき
LSIの論理回路情報18を入力するとともに、セルラ
イブラリ19から各論理回路に対応したセルのデータを
入力する。パターンデータ作成装置11は論理回路情報
18に基づいてセル及び配線をレイアウトして、図12
に示すように階層構造をなすマスク作成用データを作成
し、作成したマスク作成用データをパターンデータファ
イル14に格納する。
The pattern data creating device 11 inputs the logic circuit information 18 of the LSI to be manufactured and also inputs the data of the cell corresponding to each logic circuit from the cell library 19. The pattern data creating apparatus 11 lays out cells and wiring based on the logic circuit information 18 and
As shown in (1), mask creation data having a hierarchical structure is created, and the created mask creation data is stored in the pattern data file 14.

【0017】パターンデータ作成装置11はセルのレイ
アウトを行う際、セル内の配線についてノード名を付加
する。ノード名のデータもマスク作成用データとともに
パターンデータファイル14に格納される。例えば、図
2に示すセル21について、pMOSトランジスタ22
のソース22aはアルミニウムよりなる電源配線24に
接続され、nMOSトランジスタ23のソース23aは
アルミニウムよりなる電源配線25に接続されている。
pMOSトランジスタ22のドレイン22b及びnMO
Sトランジスタ23のドレイン23bはアルミニウムよ
りなる信号配線26を介して互いに接続されている。ポ
リシリコンよりなるゲート配線27はpMOSトランジ
スタ22及びnMOSトランジスタ23上を通過するよ
うに設けられている。パターンデータ作成装置11は電
源配線22に対してノード名VCCを付加し、電源配線2
5に対してノード名GNDを付加し、さらに、ゲート配
線27に対してノード名CKを付加する。
When laying out a cell, the pattern data creating apparatus 11 adds a node name to a wiring in the cell. The node name data is also stored in the pattern data file 14 together with the mask creation data. For example, for the cell 21 shown in FIG.
Are connected to a power supply line 24 made of aluminum, and the source 23a of the nMOS transistor 23 is connected to a power supply line 25 made of aluminum.
The drain 22b of the pMOS transistor 22 and the nMO
The drains 23b of the S transistors 23 are connected to each other via a signal wiring 26 made of aluminum. The gate wiring 27 made of polysilicon is provided so as to pass over the pMOS transistor 22 and the nMOS transistor 23. The pattern data creating apparatus 11 adds the node name V CC to the power supply wiring 22 and
5, the node name GND is added, and further, the node name CK is added to the gate wiring 27.

【0018】また、パターンデータ作成装置11はDR
C(デザインルールチェック)結果、回路シミュレーシ
ョン結果、及び配線ノード検証結果ファイル15の配線
ノード検証結果を受けて、レイアウトしたパターンの修
正も行うようになっている。
Further, the pattern data creating device 11 has a DR
Receiving the C (design rule check) result, the circuit simulation result, and the wiring node verification result in the wiring node verification result file 15, the laid-out pattern is also corrected.

【0019】配線ノード検証装置12はプログラムファ
イル16に記録された配線ノード検証処理プログラムに
基づき、パターンデータ作成装置11にて作成されたマ
スク作成用データの配線検証を行う。プログラムファイ
ル16には配線ノード検証装置12が実行する配線検証
のための配線ノード検証処理プログラムが格納されてい
る。条件設定装置13は配線ノード検証処理プログラム
に配線ノード検証における処理条件を設定するものであ
る。この処理条件にはマスク作成用データにおいて処理
すべき最上位階層の設定や、配線ノード名を読み替える
ための階層の設定等がある。
The wiring node verification device 12 verifies the wiring of the mask creation data created by the pattern data creation device 11 based on the wiring node verification processing program recorded in the program file 16. The wiring file verification processing program for wiring verification executed by the wiring node verification device 12 is stored in the program file 16. The condition setting device 13 sets processing conditions in wiring node verification in a wiring node verification processing program. The processing conditions include the setting of the highest hierarchy to be processed in the mask creation data, the setting of the hierarchy for replacing the wiring node name, and the like.

【0020】配線ノード検証装置12はパターンデータ
作成装置11にて作成されたマスク作成用データにおけ
る各セルの配線のノード名に基づいて、各セルにおける
配線を認識することができる。
The wiring node verification device 12 can recognize the wiring in each cell based on the node name of the wiring of each cell in the mask creation data created by the pattern data creation device 11.

【0021】図3はパターンデータ作成装置11にて作
成されたマスク作成用データにおけるインバータセル3
0を示す。p型基板31内にn型ウェル32が形成さ
れ、n型ウェル32内にpMOSトランジスタ33が設
けられている。p型基板31内にnMOSトランジスタ
34が設けられている。n型ウェル32はpMOSトラ
ンジスタ33のバックゲートであり、p型基板31はn
MOSトランジスタ34のバックゲートである。pMO
Sトランジスタ33のソース33a及びn型ウェル32
はアルミニウムよりなる電源配線35に接続され、nM
OSトランジスタ34のソース34a及びp型基板31
はアルミニウムよりなる電源配線36に接続されてい
る。pMOSトランジスタ33のドレイン33b及びn
MOSトランジスタ34のドレイン34bはアルミニウ
ムよりなる信号配線37を介して互いに接続されてい
る。ポリシリコンよりなるゲート配線39はpMOSト
ランジスタ33及びnMOSトランジスタ34上を通過
するように設けられるとともに、信号配線38に接続さ
れている。電源配線33にはノード名VCCが付加され、
電源配線34にはノード名GNDが付加され、さらに、
信号配線38にはノード名CKが付加されている。
FIG. 3 shows the inverter cell 3 in the mask creation data created by the pattern data creation device 11.
Indicates 0. An n-type well 32 is formed in a p-type substrate 31, and a pMOS transistor 33 is provided in the n-type well 32. An nMOS transistor 34 is provided in a p-type substrate 31. The n-type well 32 is the back gate of the pMOS transistor 33, and the p-type substrate 31 is
This is the back gate of the MOS transistor 34. pMO
Source 33a of S transistor 33 and n-type well 32
Is connected to a power supply line 35 made of aluminum, and nM
Source 34a of OS transistor 34 and p-type substrate 31
Are connected to a power supply line 36 made of aluminum. The drain 33b and n of the pMOS transistor 33
The drains 34b of the MOS transistors 34 are connected to each other via signal lines 37 made of aluminum. A gate wiring 39 made of polysilicon is provided so as to pass over the pMOS transistor 33 and the nMOS transistor 34, and is connected to a signal wiring 38. A node name V CC is added to the power supply wiring 33,
A node name GND is added to the power supply wiring 34.
The node name CK is added to the signal wiring 38.

【0022】従って、配線ノード検証装置12は図3に
示すインバータセル30のデータから配線の接続関係に
基づいて、図4〜図7に示すように、同電位の配線及び
領域を認識することができる。図4に示すように、信号
配線38及びゲート配線37がノード名CKと認識され
る。図5に示すように、電源配線35、pMOSトラン
ジスタ33のソース33a及びn型ウェル(バックゲー
ト)32がノード名V CCとして認識される。図6に示す
ように、電源配線36、nMOSトランジスタ34のソ
ース34a及びp型基板(バックゲート)31がノード
名GNDとして認識される。さらに、図7に示すよう
に、信号配線37、pMOSトランジスタ33のドレイ
ン33b及びnMOSトランジスタ34のドレイン34
bが同電位として認識される。
Accordingly, the wiring node verification device 12 is shown in FIG.
From the data of the inverter cell 30 shown in FIG.
4 to FIG. 7, wirings having the same potential and
The area can be recognized. As shown in FIG.
The wiring 38 and the gate wiring 37 are recognized as the node name CK.
You. As shown in FIG. 5, the power supply line 35 and the pMOS transistor
The source 33a and the n-type well (back gate) of the
G) 32 is the node name V CCWill be recognized as Shown in FIG.
As described above, the power supply wiring 36 and the source
Source 34a and p-type substrate (back gate) 31 are nodes
Recognized as name GND. Further, as shown in FIG.
And the drain of the signal wiring 37 and the pMOS transistor 33
33b and the drain 34 of the nMOS transistor 34
b is recognized as the same potential.

【0023】配線ノード検証装置12は、階層構造をな
すマクロ作成用データを最下位階層のセルから順次上位
の階層のブロックへと展開する。そして、配線ノード検
証装置12は、ブロックにおける1つの配線に対して2
つ以上の異なるノード名が抽出されるか否かに基づいて
配線の検証を行う。すなわち、ブロックにおける1つの
配線について同一のノード名が抽出される場合には、そ
のノード名がこのブロックにおける配線のノード名に設
定される。また、ブロックにおける1つの配線について
2つ以上の異なるノード名が抽出される場合には、この
配線をショートのあるエラー配線と見なす。そして、配
線ノード検証装置12は、検証結果を配線ノード検証結
果ファイル15に格納するとともに、LVS検証装置1
7に出力する。
The wiring node verification device 12 sequentially expands the macro-forming data having a hierarchical structure from the cells in the lowest hierarchy to the blocks in the higher hierarchy. Then, the wiring node verification device 12 determines that 2
The wiring is verified based on whether or not at least one different node name is extracted. That is, when the same node name is extracted for one wiring in the block, the node name is set as the node name of the wiring in this block. If two or more different node names are extracted for one wiring in the block, this wiring is regarded as an error wiring having a short circuit. Then, the wiring node verification device 12 stores the verification result in the wiring node verification result file 15, and the LVS verification device 1
7 is output.

【0024】この階層の展開において、例えば、図8
(a)に示すように、ブロック40内に4つのセル41
と4つのセル42のパターンデータが展開されることに
よりブロック40内はフラットなデータ構造になる。ブ
ロック40の配線43に接続される配線のノード名はす
べてのセル41,42について同一のVCCであり、配線
44に接続される配線のノード名はすべてのセル41,
42について同一のGNDである。そのため、図8
(b)に示すように、ブロック40の配線43のノード
名はVCCに設定され、配線44のノード名はGNDに設
定される。
In the development of this hierarchy, for example, FIG.
As shown in FIG.
By expanding the pattern data of the four cells 42, the inside of the block 40 has a flat data structure. The node name of the wiring connected to the wiring 43 of the block 40 is the same V CC for all the cells 41 and 42, and the node name of the wiring connected to the wiring 44 is all the cells 41 and 42.
42 are the same GND. Therefore, FIG.
As shown in (b), the node name of the wiring 43 of the block 40 is set to V CC, and the node name of the wiring 44 is set to GND.

【0025】また、階層の展開において、例えば、図9
(a)に示すように、ブロック45内に4つのセル46
と4つのセル47のパターンデータが展開されることに
よりブロック45内はフラットなデータ構造になる。ブ
ロック45の配線48に接続される配線のノード名は4
つのセル46についてはVCCであり4つのセル47につ
いてはGNDであり、配線48について2つの異なるノ
ード名が抽出される。また、ブロック45の配線49に
接続される配線のノード名は4つのセル46については
GNDであり4つのセル47についてはVCCであり、配
線49について2つの異なるノード名が抽出される。そ
のため、図9(b)に示すように、ブロック45の配線
48,49は共にエラー配線と見なされる。
In the development of the hierarchy, for example, FIG.
As shown in FIG.
By expanding the pattern data of the four cells 47, the inside of the block 45 has a flat data structure. The node name of the wiring connected to the wiring 48 of the block 45 is 4
One cell 46 is at V CC and four cells 47 are at GND, and two different node names are extracted for wiring 48. Also, the four cells 47 be a GND for the node name of the four cells 46 of the wiring connected to the wiring 49 of the block 45 is V CC, 2 different node names for wiring 49 is extracted. Therefore, as shown in FIG. 9B, the wirings 48 and 49 of the block 45 are both regarded as error wirings.

【0026】配線ノード検証装置12は、条件設定装置
13によって指定された最上位階層のデータに達するま
で、マスク作成用データの階層構造に従ってすべての階
層及びデータについて階層展開及び配線の検証を行う。
この際、展開した階層のデータにエラー配線がなけれ
ば、配線ノード検証装置12は指定された最上位階層の
データまでフラットにする。展開した階層のデータにエ
ラー配線があれば、配線ノード検証装置12はその階層
のデータまでしかフラットにしない。その結果、配線の
エラー箇所はフラットになった部分に限定される。
The wiring node verifying device 12 performs hierarchical development and wiring verification for all hierarchies and data according to the hierarchical structure of the mask creation data until the data of the highest hierarchy specified by the condition setting device 13 is reached.
At this time, if there is no error wiring in the data of the expanded hierarchy, the wiring node verification device 12 flattens the data to the specified highest hierarchy. If there is an error wiring in the data of the expanded hierarchy, the wiring node verification device 12 flattens only the data of that hierarchy. As a result, the error location of the wiring is limited to a flat portion.

【0027】例えば、マスク作成用データが図10に示
すように、最上位階層のデータであるチップ100が4
つのブロック101〜104を備えているとする。4つ
のブロック101〜104は電源VCCが供給される外部
パッド105に接続された電源配線106に接続されて
いる。また、4つのブロック101〜104はグランド
GNDが供給される外部パッド107に接続された電源
配線108に接続されている。ブロック103における
部分103Aが配線のエラー箇所であるとすると、部分
103Aの上位の階層のデータはフラットにされないた
め、部分103Aをエラー箇所として特定することがで
きる。
For example, as shown in FIG. 10, the data for the mask creation is the chip 100 which is the data of the highest hierarchical level.
It is assumed that two blocks 101 to 104 are provided. The four blocks 101 to 104 are connected to a power supply wiring 106 connected to an external pad 105 to which a power supply V CC is supplied. Further, the four blocks 101 to 104 are connected to a power supply wiring 108 connected to an external pad 107 to which the ground GND is supplied. Assuming that the portion 103A in the block 103 is an error portion of the wiring, the data of the layer higher than the portion 103A is not flattened, so that the portion 103A can be specified as the error portion.

【0028】本実施の形態はこのように構成されている
ので、以下の効果がある。 (1)パターンデータ作成装置11はセルのレイアウト
を行うとともに、セル内の配線についてノード名を付加
した階層構造をなすマスク作成用データを作成する。配
線ノード検証装置12は、マクロ作成用データを最下位
階層のセルから順次上位の階層のブロックへと展開し、
ブロックにおける1つの配線に対して2つ以上の異なる
ノード名が抽出される場合には、この配線をショートの
あるエラー配線とする。そして、配線ノード検証装置1
2は展開した階層のデータにエラー配線があれば、その
階層のデータまでしかフラットにしない。そのため、配
線ノード検証装置12は広範囲な配線のエラー箇所を、
ネットリストや素子認識処理を行うことなく、配線認識
処理のみを行うことによって容易かつ短時間で特定する
ことができる。
The present embodiment is configured as described above, and has the following effects. (1) The pattern data creation device 11 lays out cells and creates mask creation data having a hierarchical structure with node names added to the wiring in the cells. The wiring node verification device 12 sequentially expands the macro creation data from the lowest hierarchical cell to the upper hierarchical block,
If two or more different node names are extracted for one wiring in the block, this wiring is regarded as an error wiring having a short circuit. Then, the wiring node verification device 1
If the data of the expanded layer has an error wiring, only the data of that layer is flattened. Therefore, the wiring node verification device 12 can detect a wide range of error locations in the wiring,
By performing only the wiring recognition processing without performing the netlist or element recognition processing, it is possible to easily and quickly specify the wiring list.

【0029】[第2の実施の形態]次に、第2の実施の
形態を図11に従って説明する。図11は前記パターン
データ作成装置11にて作成された別のマスク作成用デ
ータを示す。最上位階層のデータであるチップ60はそ
の下位階層に同一構成のブロック61,63と、同一構
成のブロック62,64とを備える。ブロック61,6
3はそれぞれその下位階層に4つのセル65〜68を備
え、ブロック62,64はそれぞれその下位階層に4つ
のセル69〜72を備える。また、チップ60は、電源
CC1 が供給される外部パッド73に接続された電源配
線74及びグランドGND1が供給される外部パッド7
5に接続された電源配線76からなる電源系統と、電源
CC2が供給される外部パッド77に接続された電源配
線78及びグランドGND2が供給される外部パッド7
9に接続された電源配線80からなる電源系統との2つ
の電源系統を備える。ブロック61,62は電源配線7
4,76の電源系統に接続されており、ブロック63,
64は電源配線78,80の電源系統に接続されてい
る。
[Second Embodiment] Next, a second embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 11 shows another mask creation data created by the pattern data creation device 11. The chip 60, which is the data of the highest hierarchy, has blocks 61 and 63 of the same configuration and blocks 62 and 64 of the same configuration in the lower hierarchy. Blocks 61 and 6
3 includes four cells 65 to 68 in its lower hierarchy, and blocks 62 and 64 each include four cells 69 to 72 in its lower hierarchy. The chip 60 includes a power supply wiring 74 connected to an external pad 73 to which the power supply V CC1 is supplied and an external pad 7 to which the ground GND1 is supplied.
5 and a power supply line 78 connected to an external pad 77 to which the power supply V CC2 is supplied and an external pad 7 to which the ground GND2 is supplied.
9 and a power supply system including a power supply line 80 connected to the power supply line 9. Blocks 61 and 62 are power supply wiring 7
4,76 power supply system, block 63,
Reference numeral 64 is connected to a power supply system of power supply wires 78 and 80.

【0030】本形態において図11のマスク作成用デー
タの配線検証を行うには、条件設定装置13によってマ
スク作成用データにおいて配線ノード名VCCをVCC1
CC 2 に読み替えるとともに、配線ノード名GNDをG
ND1,GND2に読み替えるための階層がブロック6
1〜64の階層に設定される。ブロック61,63は同
一構成であり、ブロック62,64は同一構成であるた
め、パターンデータ作成装置11はセルのレイアウトを
行う際、電源配線についてノード名VCC及びノード名G
NDを付加したセル65〜68及びセル69〜72のデ
ータのみを用意すればよくなる。
In this embodiment, in order to verify the wiring of the mask creation data in FIG. 11, the condition setting device 13 changes the wiring node name V CC to V CC1 ,
V CC 2 and replace the wiring node name GND with G
The layer for reading ND1 and GND2 is block 6
1 to 64 levels are set. Block 61, 63 have the same configuration, since the block 62 and 64 have the same configuration, when the pattern data generating apparatus 11 for performing the layout of the cell, the node name for the power wiring V CC and node name G
It is only necessary to prepare the data of cells 65 to 68 and cells 69 to 72 to which ND has been added.

【0031】配線ノード検証装置12は、ブロック61
内にセル65〜68を展開することによりブロック61
内をフラットなデータ構造にするとともに、ブロック6
2内にセル69〜72を展開することによりブロック6
2内をフラットなデータ構造にする。このとき、電源配
線74に接続される電源配線のノード名はブロック6
1,62のすべてのセル65〜72について同一のVCC
であり、電源配線76に接続される配線のノード名はブ
ロック61,62のすべてのセル65〜72について同
一のGNDである。また、配線ノード検証装置12は、
ブロック63内にセル65〜68を展開することにより
ブロック63内をフラットなデータ構造にするととも
に、ブロック64内にセル69〜72を展開することに
よりブロック64内をフラットなデータ構造にする。こ
のとき、電源配線78に接続される電源配線のノード名
はブロック63,64のすべてのセル65〜72につい
て同一のVCCであり、電源配線80に接続される配線の
ノード名はブロック63,64のすべてのセル65〜7
2について同一のGNDである。
The wiring node verification device 12 includes a block 61
Block 61 by deploying cells 65-68 within
Inside with a flat data structure and block 6
Block 6 by expanding cells 69-72 in 2
2 has a flat data structure. At this time, the node name of the power supply wiring connected to the power supply wiring 74 is block 6
The same V CC for all cells 65-72
The node name of the wiring connected to the power supply wiring 76 is the same GND for all the cells 65 to 72 in the blocks 61 and 62. In addition, the wiring node verification device 12
By expanding the cells 65 to 68 in the block 63, the inside of the block 63 has a flat data structure, and by expanding the cells 69 to 72 in the block 64, the inside of the block 64 has a flat data structure. At this time, the node name of the power supply line connected to the power supply line 78 is the same V CC for all the cells 65 to 72 in the blocks 63 and 64, and the node name of the line connected to the power supply line 80 is All 64 cells 65-7
2 are the same GND.

【0032】次に、配線ノード検証装置12は、条件設
定装置13によって設定された条件に基づいてブロック
61,62の電源配線のノード名VCC,GNDをそれぞ
れV CC1 ,GND1に読み替えるとともに、ブロック6
3,64の電源配線のノード名VCC,GNDをそれぞれ
CC2 ,GND2に読み替える。
Next, the wiring node verification device 12 sets conditions.
Block based on the conditions set by the
Node names V of power supply wirings 61 and 62CC, GND
Re V CC1, GND1 and block 6
Node name V of 3,64 power supply wiringCC, GND respectively
VCC2, GND2.

【0033】そして、配線ノード検証装置12は、フラ
ットなデータ構造になったブロック61〜64を最上位
階層のデータであるチップ60に展開することにより、
チップ60をフラットなデータ構造にする。電源配線7
8,80の検証を行う。
Then, the wiring node verification device 12 expands the blocks 61 to 64 having the flat data structure into the chip 60 which is the data of the highest hierarchy,
The chip 60 has a flat data structure. Power supply wiring 7
Verification of 8,80 is performed.

【0034】一般に、多くのチップは複数の電源系統を
備えており、設計要求としてそれらの配線は完全に分離
されていなければならないことが多い。このようなチッ
プでは、ノード名のみ異なり実際のパターンデータは同
一となるセルを、電源の種類だけ用意しなければなら
ず、処理すべきデータ量が増加する。
In general, many chips have a plurality of power supply systems, and their wirings must often be completely separated as a design requirement. In such a chip, cells having only the node name but the same actual pattern data must be prepared for only the type of power supply, and the amount of data to be processed increases.

【0035】これに対して、本形態では、条件設定装置
13によって指定された階層において、電源配線のノー
ド名を読み替えるようにしている。そのため、本形態
も、第1の実施形態と同様の効果に加えて、同一のセル
を用いながら少ないデータ量で複数系統の電源の検証を
行うことができる。
On the other hand, in the present embodiment, the node name of the power supply wiring is read in the hierarchy specified by the condition setting device 13. Therefore, in this embodiment, in addition to the same effects as those of the first embodiment, it is possible to verify the power supplies of a plurality of systems with a small data amount using the same cell.

【0036】なお、上記各実施形態に限定されるもので
はなく、次のように任意に変更して具体化することも可
能である。 (1)配線ノード検証装置12が行う検証対象のデータ
における配線とその階層以下のデータにおける配線との
結線情報を、セルの配置位置、配置角度、倍率などの情
報を基にデータを参照して得るようにしてもよい。この
場合には、データの階層構造は保たれ展開されないた
め、処理すべきデータ量の増加を抑制して検証時間を短
縮化することができる。
The present invention is not limited to the above embodiments, but can be arbitrarily changed and embodied as follows. (1) The connection information between the wiring in the data to be verified performed by the wiring node verification device 12 and the wiring in the data below the hierarchy is referred to by referring to the data based on the information such as the cell arrangement position, the arrangement angle, and the magnification. It may be obtained. In this case, since the data hierarchical structure is not maintained and expanded, the increase in the amount of data to be processed can be suppressed and the verification time can be shortened.

【0037】(2)第2の形態では、条件設定装置13
によって配線のノード名を読み替える階層を指定した
が、データ上の座標値を指定することによって任意の範
囲内の配線のノード名を読み替えるようにしてもよい。
(2) In the second embodiment, the condition setting device 13
Although the hierarchy in which the node name of the wiring is replaced is specified by the, the node name of the wiring within an arbitrary range may be replaced by specifying the coordinate value on the data.

【0038】(3)上記各形態はLSIの配線検証に具
体化したが、プリント配線基板の配線検証に具体化して
もよい。
(3) Each of the above embodiments has been embodied in LSI wiring verification, but may be embodied in printed wiring board wiring verification.

【0039】[0039]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明は、レイア
ウトデータにおける配線のエラー箇所を容易かつ短時間
で特定することができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to easily and swiftly specify a wiring error portion in layout data.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】第1の実施の形態の配線検証装置を示す構成図FIG. 1 is a configuration diagram illustrating a wiring verification device according to a first embodiment;

【図2】配線ノード名の設定を示す説明図FIG. 2 is an explanatory diagram showing setting of wiring node names;

【図3】一例のセルを示すレイアウト図FIG. 3 is a layout diagram showing an example of a cell;

【図4】配線ノードの抽出を示す説明図FIG. 4 is an explanatory diagram showing extraction of a wiring node;

【図5】配線ノードの抽出を示す説明図FIG. 5 is an explanatory diagram showing extraction of a wiring node;

【図6】配線ノードの抽出を示す説明図FIG. 6 is an explanatory diagram showing extraction of a wiring node;

【図7】配線ノードの抽出を示す説明図FIG. 7 is an explanatory diagram showing extraction of a wiring node;

【図8】電源配線の検証例を示す説明図FIG. 8 is an explanatory diagram showing a verification example of power supply wiring;

【図9】電源配線の検証例を示す説明図FIG. 9 is an explanatory diagram showing a verification example of power supply wiring;

【図10】電源配線の検証結果を示す説明図FIG. 10 is an explanatory diagram showing a verification result of a power supply wiring;

【図11】第2の実施の形態の検証例を示す説明図FIG. 11 is an explanatory diagram showing a verification example of the second embodiment.

【図12】マスク作成用データの階層構造を示す説明図FIG. 12 is an explanatory diagram showing a hierarchical structure of mask creation data.

【図13】従来の電源配線の検証結果を示す説明図FIG. 13 is an explanatory diagram showing a verification result of a conventional power supply wiring.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 パターンデータ作成装置 12 配線ノード検証装置 13 条件設定装置 14 パターンデータファイル 15 配線ノード検証結果ファイル 16 配線ノード検証プログラムファイル DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Pattern data creation device 12 Wiring node verification device 13 Condition setting device 14 Pattern data file 15 Wiring node verification result file 16 Wiring node verification program file

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 階層構造をなす集積回路のレイアウトデ
ータの各階層における配線のパターンデータにノード名
を付加する工程と、 前記レイアウトデータを最下位階層のデータから順次上
位の階層のデータへと展開する工程と、 展開された階層のデータにおける配線と接続関係のある
下位階層の素子における配線のノード名を抽出し、各配
線について複数の異なるノード名が抽出されたとき、該
配線をエラー配線と判定する検証工程とを含む集積回路
の配線検証方法。
1. A step of adding a node name to wiring pattern data of each layer of layout data of an integrated circuit having a hierarchical structure, and expanding the layout data from data of the lowest hierarchy to data of a higher hierarchy. And extracting a node name of a wiring in a lower hierarchical element having a connection relationship with the wiring in the expanded hierarchical data, and when a plurality of different node names are extracted for each wiring, the wiring is referred to as an error wiring. A wiring verification method for an integrated circuit including a verification step of determining.
【請求項2】 前記レイアウトデータにおいて展開すべ
き階層を指定する設定工程を含み、 前記展開工程において、設定工程にて設定された階層の
データまで展開するようにした請求項1に記載の集積回
路の配線検証方法。
2. The integrated circuit according to claim 1, further comprising a setting step of designating a layer to be expanded in the layout data, wherein the expanding step expands data up to the layer set in the setting step. Wiring verification method.
【請求項3】 前記検証工程において配線ノード名を読
み替えるべき階層を指定する設定工程を含み、 前記検証工程において、設定工程にて設定された階層に
て配線のノード名を読み替えるようにした請求項1に記
載の集積回路の配線検証方法。
3. The method according to claim 2, further comprising the step of designating a hierarchy to be replaced with a wiring node name in the verification step, wherein in the verification step, the wiring node name is replaced with the hierarchy set in the setting step. 2. The wiring verification method for an integrated circuit according to claim 1.
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