JPH10163531A - Light-emitting diode having electrode at periphery - Google Patents

Light-emitting diode having electrode at periphery

Info

Publication number
JPH10163531A
JPH10163531A JP33165996A JP33165996A JPH10163531A JP H10163531 A JPH10163531 A JP H10163531A JP 33165996 A JP33165996 A JP 33165996A JP 33165996 A JP33165996 A JP 33165996A JP H10163531 A JPH10163531 A JP H10163531A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
emitting diode
light emitting
peripheral
semiconductor layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP33165996A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3244010B2 (en
Inventor
Motokazu Yamada
元量 山田
Original Assignee
Nichia Chem Ind Ltd
日亜化学工業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Chem Ind Ltd, 日亜化学工業株式会社 filed Critical Nichia Chem Ind Ltd
Priority to JP33165996A priority Critical patent/JP3244010B2/en
Publication of JPH10163531A publication Critical patent/JPH10163531A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3244010B2 publication Critical patent/JP3244010B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Application status is Expired - Fee Related legal-status Critical

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To minimize the reduction of the light-emitting output and lower the forward voltage.
SOLUTION: A light-emitting diode having an electrode at the periphery comprises a nitride semiconductor layer, including a light-emitting layer on a square flat substrate, and a pair of p and n-electrodes 5, 4, formed on the surface on which the nitride semiconductor layer, is formed. The diode has a square flat shape, as seen from the electrodes disposed at the corners of the diode along its diagonal line. One of the paired p and n-electrodes 5, 4 is connected to a peripheral electrode 7 disposed at the periphery of the diode, and the other is connected to a transparent electrode 6 disposed inside the peripheral electrode 7.
COPYRIGHT: (C)1998,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体発光ダイオードに関し、とくに、動作電圧を低くできる発光ダイオードに関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a semiconductor light emitting diode, in particular, to a light emitting diode can be lowered the operating voltage. 本明細書において、「発光ダイオード」はレーザーダイオードを含む広い意味に使用する。 As used herein, "light emitting diode" is used in a broad sense to include laser diodes.

【0002】 [0002]

【従来の技術】絶縁性基板の同じ面に、p電極とn電極を設けた窒化物半導体層を有する発光ダイオードの平面図を図1に、断面図を図2に示す。 On the same surface of the Related Art insulating substrate, a plan view of a light emitting diode having a nitride semiconductor layer having a p-electrode and the n electrode 1 is a cross sectional view in FIG. この図の発光ダイオードは、絶縁性基板1の上にn型窒化物半導体層2とp Light emitting diode in this figure, the n-type nitride semiconductor layer 2 on the insulating substrate 1 p
型窒化物半導体層3とを積層している。 And laminating the type nitride semiconductor layer 3. p型窒化物半導体層3は、n電極4を設ける隅部を除いた部分に設け、 p-type nitride semiconductor layer 3 is provided in a portion excluding the corners providing the n-electrode 4,
p型窒化物半導体層3のない隅部にn電極4を配設している。 It is provided an n-electrode 4 in the corners without the p-type nitride semiconductor layer 3. p型窒化物半導体層3は、表面に透明電極6を積層し、この透明電極6の隅部にp電極5を接続している。 p-type nitride semiconductor layer 3, a transparent electrode 6 are laminated on the surface, it connects the p electrode 5 in the corner portion of the transparent electrode 6.

【0003】この図に示す発光ダイオードは、p電極5 [0003] emitting diode shown in this figure, p electrode 5
から供給される電流を、透明電極6でp型窒化物半導体層3の全面に拡散して流すことができる。 The current supplied from can flow spread over the entire surface of the p-type nitride semiconductor layer 3 in the transparent electrode 6. このため、p For this reason, p
n接合で発光する光を、透明電極6から外部に効率よく取り出しできる特長がある。 The light emitted from the n junction, there is a feature that can be taken out outside efficiently from the transparent electrode 6. ただ、発光層を窒化物半導体層とする発光ダイオードは、規定の電流を流すためにp電極とn電極とに加える電圧、すなわち、順方向電圧Vfが高い。 However, light-emitting diodes for the light-emitting layer and the nitride semiconductor layer, the voltage applied to flow the specified current to the p electrode and the n electrode, i.e., a high forward voltage Vf. 赤色の発光ダイオードは、20mA定格電流を流す順方向電圧Vfが約2Vである。 Red light-emitting diodes, the forward voltage Vf passing a 20mA rated current is about 2V. これに対して、窒化物半導体層の発光ダイオードは、同じ電流を流す順方向電圧Vfが、約3.5Vである。 In contrast, the light emitting diode of the nitride semiconductor layer, the forward voltage Vf to flow a same current is about 3.5 V. 順方向電圧V Forward voltage V
fが高いことは、たとえば、電池駆動の用途に著しく制約を受けることがある。 It f is high, for example, may be subject to significantly constrained applications battery driving. このため、窒化物半導体層の発光ダイオードは、順方向電圧Vfをできる限り低くすることが切望されている。 Therefore, the light emitting diode of the nitride semiconductor layer has been desired to be as low as possible the forward voltage Vf.

【0004】発光ダイオードの順方向電圧Vfは、たとえば、特開昭54−6787号公報に記載されるように、外周に沿って電極を設ける構造で低くできる。 [0004] The forward voltage Vf of the light-emitting diodes, for example, as described in JP-A-54-6787, can be lowered in the structure providing an electrode along the outer circumference. この公報に記載される発光ダイオードは、図3に示すように、外周の全体と、その中心部とに一対の電極を配設している。 Light emitting diode described in this publication, as shown in FIG. 3, the overall and the outer circumference, are disposed a pair of electrodes on its center. この電極構造の発光ダイオードは、絶縁性基板1を四角い平面形状として、その片面に、リング状の周縁電極7と、この周縁電極7の中心に他方の電極8を配設している。 Light emitting diode of the electrode structure, as square planar shape an insulating substrate 1, on one side thereof, are disposed a ring-shaped rim electrode 7, and the other electrode 8 in the center of the peripheral electrode 7.

【0005】 [0005]

【発明が解決しようとする課題】この構造の発光ダイオードは、順方向電圧Vfを低くできるが、絶縁性基板1 Emitting diode INVENTION Problems to be Solved] This structure can reduce the forward voltage Vf, the insulating substrate 1
の四隅部を発光できないので、全体として発光出力が小さくなる欠点がある。 Since the can not emit four corners, there is a disadvantage that light emission output is reduced as a whole. さらに、周縁電極7を幅の狭いリング状とするので、ワイヤーボンドを確実に接続できない欠点がある。 Further, since the peripheral electrode 7 and the narrow ring, there is a drawback that can not be reliably connected to wire bonds. さらにまた、ワイヤーボンドするために、中心の電極8を大きくすると、発光面積が小さくなって、全体としての発光出力が低下する欠点がある。 Furthermore, in order to wire bonding, increasing the electrode 8 of the central, light-emitting area becomes smaller, the light emission output as a whole has a disadvantage to decrease.

【0006】すなわち、図1に示すように、ワイヤーボンドする電極を対角線上に配設する発光ダイオードは、 Namely, as shown in FIG. 1, a light emitting diode disposed an electrode for wire bonding on the diagonal,
発光領域を広くして発光出力を大きくできるが、順方向電圧Vfが高くなる。 A light emitting region broadly to possible increased light output, but the forward voltage Vf becomes higher. 図3に示すように、中心とその周縁に電極を配設すると、順方向電圧Vfを低くできるが、発光領域が狭くなって発光出力が弱くなる欠点がある。 As shown in FIG. 3, when disposing the electrode at the center and the periphery, may lower the forward voltage Vf, there is a disadvantage that light emission output emission region becomes narrower becomes weak.

【0007】本発明は、これ等の欠点を解消することを目的に開発されたものである。 [0007] The present invention has been developed to solve this such drawbacks of. 本発明の重要な目的は、 It is a primary object of the present invention,
互いに相反する特性である、発光出力の低下を最小にして、しかも順方向電圧Vfを低くできる発光ダイオードを提供することにある。 They are conflicting properties from each other, with minimal reduction in light output, moreover to provide a light-emitting diode can be lowered forward voltage Vf.

【0008】 [0008]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に記載する発光ダイオードは、前述の目的を達成するために下記の構成を備える。 Light emitting diode according to claim 1 of the present invention, in order to solve the problems] includes the following configuration in order to achieve the foregoing objects. 発光ダイオードは、四角い平面形状の基板1の上に、発光層を含む窒化物半導体層が積層されており、その窒化物半導体層の同一面側に、p電極5 Emitting diodes, on a substrate 1 of rectangular plane shape, the nitride semiconductor layer including a light emitting layer are stacked, on the same side of the nitride semiconductor layer, p electrode 5
とn電極4からなる一対の電極を形成している。 Forming a pair of electrodes consisting of n-electrode 4 and.

【0009】さらに、本発明の発光ダイオードは、電極側から見て四角い平面形状をしており、p電極5とn電極4を、四角い発光ダイオードの隅部に位置して対角線上に配設している。 Furthermore, the light emitting diode of the present invention, as viewed from the electrode side has a square planar shape, the p electrode 5 and the n-electrode 4, arranged diagonally located corners of the square light-emitting diode ing. p電極5とn電極4からなる一対の電極は、一方の電極に周縁電極7を接続し、他方の電極には透明電極6を接続している。 A pair of electrodes made of the p-electrode 5 and the n-electrode 4 is connected to peripheral electrodes 7 to one electrode, the other electrode is connected to the transparent electrode 6. 周縁電極7は、発光ダイオードの外周縁に沿って設けられ、透明電極6は、周縁電極7の内側に設けられている。 Peripheral electrode 7 is provided along the outer peripheral edge of the light-emitting diode, the transparent electrode 6 is provided on the inner side of the peripheral electrode 7.

【0010】請求項1に記載される発光ダイオードの平面図を図4に、断面図を図5に示す。 [0010] Figure 4 is a plan view of a light emitting diode as claimed in claim 1, shows a cross-sectional view in FIG. これ等の図に示す発光ダイオードは、四角い平面形状の隅部に位置して、 Emitting diode shown in figure this like, located in the corners of the rectangular plane shape,
対角線上にワイヤーボンドするためのp電極5とn電極4を配設している。 It is arranged a p-electrode 5 and the n-electrode 4 for wire bonding diagonally. n電極4には周縁電極7を接続し、 The n electrode 4 is connected to peripheral electrodes 7,
p電極5には透明電極6を接続している。 Connecting the transparent electrode 6 to the p electrode 5. 周縁電極7 Peripheral electrodes 7
は、四角い発光ダイオードの外周縁に設けられ、透明電極6は、この周縁電極7の内側に配設されている。 Is provided on the outer peripheral edge of the square light-emitting diode, the transparent electrode 6 is disposed inside the peripheral electrode 7.

【0011】この電極構造の発光ダイオードは、p電極5とn電極4の面積を大きくして、確実にワイヤーボンドできる。 [0011] emitting diode of the electrode structure is to increase the area of ​​the p-electrode 5 and the n-electrode 4 can be reliably wire bonding. また、発光層の発光を透明電極6から外部に効率よく放射できる特長がある。 Further, there is a feature that light emission of the light-emitting layer can be efficiently emitted from the transparent electrode 6 to the outside. さらに、全周に周縁電極7を設けているので、順方向電圧Vfを低くできる特長もある。 Further, since the provided peripheral electrodes 7 all around, there is also advantage that can reduce the forward voltage Vf.

【0012】ただ、この構造の発光ダイオードは、図1 [0012] However, the light emitting diode of this structure, FIG. 1
に示す発光ダイオードに比較すると、p型窒化物半導体層3と透明電極6の面積が小さくなって、全体としての発光出力が低下する欠点がある。 In comparison to the light emitting diode shown in, smaller the area of ​​the p-type nitride semiconductor layer 3 and the transparent electrode 6, the light output as a whole has a disadvantage to decrease. すなわち、図1に示すように、p型窒化物半導体層3と透明電極6の面積を大きくすると、発光出力は大きくなるが順方向電圧Vfが高くなり、図4に示すように、周縁に周縁電極7を設けると順方向電圧Vfは低下するが、発光出力が低下する欠点がある。 Peripheral That is, as shown in FIG. 1, a large area of ​​the p-type nitride semiconductor layer 3 and the transparent electrode 6, the light emitting output increases but the higher the forward voltage Vf, as shown in FIG. 4, the peripheral edge the forward voltage Vf when providing an electrode 7 is reduced, but there is a disadvantage that light emission output is decreased.

【0013】さらに、この欠点を解消する発光ダイオードが請求項2に記載する発光ダイオードである。 Furthermore, the light emitting diode to overcome this drawback is a light emitting diode according to claim 2. 請求項2に記載する発光ダイオードは、前述の目的を達成するために、図6に示すように、周縁電極を独特の構成としている。 Light emitting diode according to claim 2, in order to achieve the object described above, as shown in FIG. 6, it has a peripheral electrode and the unique configuration. 周縁電極7は、透明電極6に電気接続される電極を設けている隅部で切欠しており、透明電極6に接続される電極を設けられた隅部を除く外周部に設けている。 Peripheral electrodes 7 are notched at the corners is provided with the electrode to be electrically connected to the transparent electrode 6 is provided on the outer peripheral portion excluding the corner portions provided with electrodes connected to the transparent electrode 6.

【0014】さらにまた、本発明の請求項3に記載する発光ダイオードは、周縁電極7をn電極4に接続し、透明電極6をp電極5に接続している。 [0014] Furthermore, the light emitting diode according to claim 3 of the present invention connects a peripheral electrode 7 to an n-electrode 4 is connected to the transparent electrode 6 to the p-electrode 5.

【0015】また、本発明の請求項4に記載する発光ダイオードは、n電極4とp電極5との形状が、互いに異なる平面形状を有する。 [0015] The light emitting diode according to claim 4 of the present invention, the shape of the n-electrode 4 and the p electrode 5, has a planar shape different from each other.

【0016】 [0016]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, will be explained based on the embodiment of the present invention with reference to the drawings. ただし、以下に示す実施例は、本発明の技術思想を具体化するための発光ダイオードを例示するものであって、本発明は発光ダイオードを下記のものに特定しない。 However, embodiments described below are intended to illustrate the light emitting diode for a concrete form to technical ideas of the present invention, the present invention does not specify what the light-emitting diode below.

【0017】さらに、この明細書は、特許請求の範囲を理解し易いように、実施例に示される部材に対応する番号を、「特許請求の範囲の欄」、および「課題を解決するための手段の欄」に示される部材に付記している。 Furthermore, this specification, for ease of understanding the scope of the appended claims, the number corresponding to the members shown in the examples, "in the claims section", and "to solve the problem It is appended to members shown in the column "means. ただ、特許請求の範囲に示される部材を、実施例の部材に特定するものでは決してない。 However, the members shown in the claims, is in no way intended to identify the members of Examples.

【0018】図4ないし図7は、本発明の実施例の発光ダイオードを示す。 [0018] FIGS. 4-7, showing the LED of the embodiment of the present invention. これ等の図に示す発光ダイオードは、四角い平面形状の絶縁性基板1の上に、発光層を含む窒化物半導体層を積層しており、窒化物半導体層の同一面側、図5と図7において上面に、p電極5とn電極4からなる一対の電極を設けている。 The light-emitting diode shown in figure this like, on the insulating substrate 1 of rectangular plane shape, and stacking a nitride semiconductor layer including a light emitting layer, the same surface side of the nitride semiconductor layer, FIGS. 5 and 7 the upper surface in, is provided with a pair of electrodes made of the p-electrode 5 and the n-electrode 4. p電極5とn電極4は、互いに異なる平面形状をしている。 p electrode 5 and the n-electrode 4 is in a different plane shape. p電極5は方形状で、n電極4は、図において右下のコーナー部を湾曲させる形状としている。 In the p-electrode 5 is square-shaped, n electrode 4 has a shape of bending the corner of the lower right in FIG.

【0019】さらに、図に示す発光ダイオードは、電極側である上面から見て、図4と図6に示すように、四角い平面形状をしている。 Furthermore, the light emitting diode shown in FIG., When viewed from the top surface is an electrode side, as shown in FIG. 4 and FIG. 6, has a square planar shape. また、p電極5とn電極4を、 Further, a p-electrode 5 and the n-electrode 4,
四角い発光ダイオードの隅部に位置して対角線上に配設している。 They are arranged diagonally located corners of the square light-emitting diode. 図の発光ダイオードは、n電極4を左上の隅部に、p電極5を右下の隅部に配設している。 Emitting diode figure the n electrode 4 at the corner of the upper left, it is arranged a p electrode 5 to the corner of the lower right.

【0020】基板1に積層される、発光層を含む窒化物半導体層は、バッファ層9を介して基板1に積層されるn型窒化物半導体層2と、このn型窒化物半導体層2に積層される多重半導体層10とからなっている。 [0020] is laminated on the substrate 1, the nitride semiconductor layer including a light emitting layer, an n-type nitride semiconductor layer 2 stacked on the substrate 1 via the buffer layer 9, on the n-type nitride semiconductor layer 2 It consists multiple semiconductor layers 10 for laminated. バッファ層9とn型窒化物半導体層2とは、四角い平面形状の絶縁性基板1の全面に設けられている。 The buffer layer 9 and the n-type nitride semiconductor layer 2 is provided on the entire surface of the insulating substrate 1 rectangular planar shape. したがって、これ等の層は、基板1と同じ外形の四角い平面形状をしている。 Therefore, this such layer is in a square planar shape of the same outer shape as the substrate 1.

【0021】多重半導体層10は、n電極4と周縁電極7を設ける平面を除く部分に設けられている。 [0021] Multiple semiconductor layer 10 is provided in a portion excluding the plane providing the n-electrode 4 and the peripheral electrode 7. さらに、 further,
多重半導体層10は、n電極4に接触しないように、n Multiple semiconductor layer 10, so as not to contact the n-electrode 4, n
電極4と周縁電極7から多少離して積層されている。 They are stacked slightly away from the electrode 4 and the peripheral electrode 7. 図6の発光ダイオードは、左上の隅部にn電極4を、右下の隅部を除く外周縁に周縁電極7を設けている。 Light emitting diode of FIG. 6, the n electrode 4 at the corner of the upper left, and a peripheral electrode 7 provided on the outer periphery except for the corner portion of the lower right. このため、多重半導体層10は、n電極4が設けられる左上の隅部と、周縁電極7が設けられる周縁部との平面を除く部分に積層されている。 Accordingly, multiple semiconductor layers 10, and the corner of the upper left n electrode 4 is provided, the peripheral electrode 7 are laminated in a portion except for the plane of the peripheral portion provided. さらに、図7に示す発光ダイオードは、多重半導体層10を、n型窒化物半導体層2の外周縁よりも多少内側に位置する外形に形成して、その外周面をSiO 2の保護膜11で被覆している。 Further, the light emitting diode shown in FIG. 7, the multi-semiconductor layer 10, forming the outer shape located slightly inward from the outer peripheral edge of the n-type nitride semiconductor layer 2, the outer peripheral surface of SiO 2 protective film 11 coated to have.

【0022】p電極5とn電極4からなる一対の電極は、一方の電極であるn電極4に周縁電極7を接続している。 The pair of electrodes made of the p-electrode 5 and the n-electrode 4 is connected to peripheral electrodes 7 in the n-electrode 4 is one of the electrodes. 他方の電極となるp電極5には透明電極6を接続している。 The p electrode 5 serving as the other electrode is connected to the transparent electrode 6. 周縁電極7は、発光ダイオードの外周縁に沿って設けられ、透明電極6は、周縁電極7の内側に設けられている。 Peripheral electrode 7 is provided along the outer peripheral edge of the light-emitting diode, the transparent electrode 6 is provided on the inner side of the peripheral electrode 7. 図に示す発光ダイオードは、周縁電極7をn型窒化物半導体層2の外周縁に沿って設けているが、 Emitting diode shown in figure are provided along a peripheral electrode 7 to the outer periphery of the n-type nitride semiconductor layer 2,
n電極4とn型窒化物半導体層2の外周縁をぴったりと一致させる形状としていない。 Not a shape which closely conforms to the n-electrode 4 and the outer peripheral edge of the n-type nitride semiconductor layer 2. n電極4の外側縁は、n Outer edge of the n-electrode 4, n
型窒化物半導体層2の外側にほぼ一致しているが、多少内側に位置するように配設している。 Although substantially matches the outside of the mold nitride semiconductor layer 2, it is arranged so as slightly located inside. 周縁電極7に加えて、n電極4とp電極5も、発光ダイオードの外周縁よりも多少内側に配設している。 In addition to the peripheral electrode 7, n electrode 4 and the p-electrode 5 are also disposed slightly inside the outer peripheral edge of the light emitting diode.

【0023】さらに、図4の発光ダイオードは、周縁に配設される周縁電極7を全周に設けているが、図6の発光ダイオードは、周縁電極7を、全周には設けていない。 Furthermore, the light emitting diode of FIG. 4 is a peripheral electrode 7 disposed on the periphery are provided on the entire periphery, the light emitting diode of FIG. 6, a peripheral electrode 7 is not provided in the entire circumference. 周縁電極7は、p電極5を設けている右下の隅部で切欠して、p電極5を設けている隅部を除く外周部に設けられる。 Peripheral electrodes 7 are notched at the corners of the lower right is provided with the p-electrode 5 is provided on the outer peripheral portion except for the corner portion is provided with the p electrode 5. 図6の発光ダイオードは、右下の隅部にp電極5を設け、左上の隅部にn電極4を設け、p電極5とn電極4を設けている隅部を除く周縁に沿って周縁電極7を設けている。 Light emitting diode of FIG. 6, a p-electrode 5 is provided at a corner of the lower right, the n-electrode 4 is provided at a corner of the upper left, along the periphery except for the corner portion is provided with the p electrode 5 and the n-electrode 4 periphery the electrode 7 is provided. 周縁電極7は、p電極5に接触しないように、p電極5から離して、n電極4に接続して設けている。 Peripheral electrodes 7 so as not to contact with the p electrode 5, apart from the p-electrode 5 is provided connected to the n electrode 4.

【0024】n電極4と周縁電極7は、n型窒化物半導体層2に、AlとTi、あるいはAlとWを2μmの膜厚に蒸着して設けられる。 The n-electrode 4 and the peripheral electrode 7, the n-type nitride semiconductor layer 2 is provided by depositing Al and Ti, or Al and W and a film thickness of 2 [mu] m.

【0025】透明電極6は、多重半導体層10の最表面に、例えばPd(パラジウム)を30オングストロームの膜厚で蒸着して設けられる。 The transparent electrode 6 is on the outermost surface of the multi-semiconductor layer 10, for example provided by depositing Pd (palladium) with a thickness of 30 angstroms. 蒸着後、Pd膜は透光性を示す。 After the deposition, Pd films exhibit translucency. 透明電極6は、多重半導体層10のほぼ全面に形成して、良好なオーミック接触を得るとともに、電流を多重半導体層10全体に均一に広げる。 The transparent electrode 6 is formed on substantially the entire surface of the multi-semiconductor layer 10, together with obtaining a good ohmic contact, it spreads the current uniformly throughout the multi-semiconductor layer 10. 透明電極6を設けた後、透明電極6の右下の隅部に、AuとNiを含むp電極5を2μmの膜厚で形成する。 After a transparent electrode 6, the corner of the lower right of the transparent electrode 6, to form a p electrode 5 comprising Au and Ni with a thickness of 2 [mu] m. n電極4は、透明電極6とp電極5を蒸着した後、露出したn型窒化物半導体層2に蒸着して設けられる。 n electrode 4 may be formed by depositing a transparent electrode 6 and the p-electrode 5 is provided by depositing the n-type nitride semiconductor layer 2 exposed. 透明電極6とp電極5とn電極4は、最後にアニール装置で400℃以上で熱処理して、合金化させる。 Transparent electrode 6 and the p electrode 5 and the n-electrode 4 is finally heat-treated at 400 ° C. or higher in an annealing apparatus, thereby alloying.

【0026】透明電極6には、NiとAuを含む金属の他、Pdに加えて、白金(Pt)、ロジウム(Rh)、 The transparent electrode 6, other metals including Ni and Au, in addition to Pd, platinum (Pt), rhodium (Rh),
ルテニウム(Ru)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)、ニッケル(Ni)、金(Au)よりなる群から選択された少なくともー種の金属を含むことできる。 Ruthenium (Ru), osmium (Os), iridium (Ir), can be including nickel (Ni), at least over of metals selected from the group consisting of gold (Au).
これらの元素をPdに添加する透明電極6は、多重半導体層10とのオーミック性を損なうことなく、電極の透光性を保つことができる。 Transparent electrode 6 that adding these elements to Pd, without compromising the ohmic property between the multiple semiconductor layers 10, it is possible to maintain the translucency of the electrode. なお添加した後の電極構造としては、薄膜を積層した積層構造でも良いし、積層構造が熱アニールされて合金化された状態でも良く、また最初から合金の状態としても良い。 Note The electrode structure after the addition may be a laminate structure obtained by laminating a thin film may be in a state laminated structure is alloyed been thermally annealed, or may be a state of the first alloy. 中でも、PdにAuを添加する透明電極は、Auを含むポンディングパッド電極と接着性が良いので、非常に好ましい。 Above all, a transparent electrode of adding Au to Pd, since a bonding pad electrode and the adhesive is good including Au, highly preferred. 透明電極6 A transparent electrode 6
は、膜厚を50nm以下、さらに好ましくは20nm以下として、好ましい透光性を示す。 Is, 50 nm thickness or less, more preferably as a 20nm or less, show a preferred light-transmitting.

【0027】多重半導体層10が積層されるn型窒化物半導体層2は、n型クラッド層兼n型コンタクト層である。 The n-type nitride semiconductor layer 2 multi-semiconductor layer 10 are stacked, an n-type cladding layer and the n-type contact layer. この層に積層される多重半導体層10は、単一量子井戸、もしくは多重量子井戸構造を有する窒化物半導体層の活性層10Aと、p型窒化物半導体層のp型クラッド層10Bと、p型GaNのp型コンタクト層10Cとからなり、このp型コンタクト層10のほぼ全面(70 Multiple semiconductor layer 10 stacked on this layer, the active layer 10A of the nitride semiconductor layer having a single quantum well or multiple quantum well structure, a p-type cladding layer 10B of p-type nitride semiconductor layer, p-type consists of a GaN p-type contact layer 10C, substantially the entire (70 of the p-type contact layer 10
%以上の面積)に透明電極6を積層している。 And laminating the transparent electrode 6 to the percent of the area).

【0028】基板1は、サファイア(Al 23 、A面、 The substrate 1 is a sapphire (Al 2 0 3, A plane,
R面、C面を含む)基板である。 R face, a C face) substrate. ただ、サファイア基板の他、スピネル(MgAl 24 )、SiC(6H、4 However, other sapphire substrate, a spinel (MgAl 2 0 4), SiC (6H, 4
H、3Cを含む)、ZnS、Zn0、GaAs、GaN H, including 3C), ZnS, Zn0, GaAs, GaN
等、窒化物半導体を成長できる全ての材料を使用することもできるが、通常はサファイアが用いられることが多い。 Etc., it can also be used any material capable of growing a nitride semiconductor, usually is often used sapphire.

【0029】バッファ層9は、基板1の全面に積層される。 The buffer layer 9 is laminated on the entire surface of the substrate 1. バッファ層9は、基板1と窒化物半導体層との間に積層されて、窒化物半導体層の結晶性を改善する。 Buffer layer 9 is laminated between the substrate 1 and the nitride semiconductor layer, to improve the crystallinity of the nitride semiconductor layer. バッファ層9は、例えばGaN、AlN、GaAlN、Zn Buffer layer 9 is, for example GaN, AlN, GaAlN, Zn
O等である。 It is O and the like. バッファ層9は、絶縁性基板1と窒化物半導体層との格子不整合を緩和するために、通常、5nm Buffer layer 9, in order to relax the lattice mismatch between the insulating substrate 1 and the nitride semiconductor layer, typically, 5 nm
〜0.5 μmの膜厚で成長される。 0.5 is grown to the thickness of μm. 絶縁性基板に、窒化物半導体層と格子定数の近いもの、あるいは、格子定数の一致した基板を用いる場合には、バッファ層は必ずしも必要としない。 An insulating substrate, close the nitride semiconductor layer and the lattice constant, or, in the case of using the matched substrate lattice constant, a buffer layer is not necessarily required. 絶縁性基板の表面に格子欠陥の少ない窒化物半導体層が成長できるからである。 Less nitride semiconductor layer lattice defects on the surface of the insulating substrate is because it grow.

【0030】n型クラッド層兼n型コンタクト層も、基板1の全面に成長される。 The n-type cladding layer and the n-type contact layer is also grown on the entire surface of the substrate 1. この層は、In a Al b Ga This layer, In a Al b Ga
1-ab N(0≦a、0≦b、a+b≦1)で表される窒化物半導体層である。 1-ab N (0 ≦ a , 0 ≦ b, a + b ≦ 1) is a nitride semiconductor layer represented by. この層は、好ましくは、GaN、 This layer is preferably, GaN,
a値を0.5以下とするIn a Ga 1-a N、またはb値を0.5以下とするAl b Ga lb Nである。 In a Ga 1-a N to the a value of 0.5 or less, or b values of a Al b Ga lb N to 0.5 or less. n型クラッド層の膜厚は特に限定するものではないが、n型コンタクト層として兼用するためには、0.5μm〜5μm程度の膜厚で成長させることが望ましい。 The film thickness of the n-type cladding layer is not particularly limited, but to also as the n-type contact layer is preferably grown to a thickness of about 0.5 m to 5 m. 窒化物半導体層は、ノンドープの状態で結晶中にできる窒素空孔のためにn型となる性質がある。 Nitride semiconductor layer has a property to be an n-type for nitrogen vacancies can be performed while the crystal undoped state. ただ、通常は、Si、Ge、 But, usually, Si, Ge,
Se等のドナ一不純物を結晶成長中にドープする。 Donna one impurities such as Se doped during crystal growth. キヤリア濃度の高い好ましいn型とするためである。 Carrier is because the high concentration of the preferred n-type.

【0031】活性層10Aは、単一量子井戸(SQW: The active layer 10A may be a single quantum well (SQW:
Single-Quantum-Well)構造、もしくは、多重量子井戸(MQW:Multi-Quantum-Well)構造を有する、In x Single-Quantum-Well) structure or multiple quantum well (MQW: having a Multi-Quantum-Well) structure, an In x
Ga 1 -x N(0<X≦1)である。 Ga 1 a -x N (0 <X ≦ 1 ). SQW構造、もしくはMQW構造とすると、非常に出力の高い発光素子が得られる。 SQW structure or when an MQW structure, having a very high output light emitting device can be obtained. SQW、MQWとは、InGaNのバンドエネルギーによる、量子準位間の発光が得られる活性層である。 SQW, The MQW, by band energy of InGaN, an active layer in which light is obtained between quantum levels. 例えば、SQWでは、活性層を単一組成のIn x For example, the SQW, an active layer of a single composition an In x G
1-x N(0<X≦1)で構成した層である。 is a layer which is composed of a 1-x N (0 < X ≦ 1). この層は、膜厚を10nm以下、さらに好ましくは7nm以下として量子準位間の強い発光が得られる。 This layer has a thickness of 10nm or less, more preferably a strong light emission between quantum levels is obtained as a 7nm or less. MQWは、組成比の異なるIn x Ga 1-X N(この場合X=0、X=1 MQW is different in composition ratio In x Ga 1-X N (in this case X = 0, X = 1
を含む)の薄膜を、複数積層した多層膜である。 A thin film of comprising) a multilayer film in which a plurality of stacked. 活性層10AをSQW、MQWとする発光ダイオードは、量子準位間発光で、約365nm〜660nmの発光を実現する。 Emitting diode to the active layer 10A SQW, a MQW is a quantum level between the light emitting, to realize emission of about 365Nm~660nm.

【0032】活性層10Aに接するp型クラッド層10 [0032] p-type cladding layer 10 in contact with the active layer 10A
Bは、p型Al Y Ga 1-Y N(0<Y≦1)である。 B is a p-type Al Y Ga 1-Y N ( 0 <Y ≦ 1). この層は、好ましくは、Y値を0.05以上とする。 This layer is preferably a Y value is 0.05 or more. 高出力の素子とするためである。 This is because the high output of the device. さらに、AlGaNは高キャリア濃度のp型が得やすい。 Furthermore, AlGaN is easy to obtain a p-type high carrier concentration. また、成長時に分解しにくく、InGaN活性層の分解を抑える作用がある。 Moreover, hardly decomposed during the growth, an effect of suppressing the degradation of the InGaN active layer. さらに、この層は、InGaN活性層に対し、バンドオフセットおよび屈折率差を他の窒化物半導体に比べて大きくできる。 Furthermore, this layer is to InGaN active layer can be larger than the band offset and refractive index difference to other nitride semiconductor.

【0033】p型クラッド層10Bの膜厚は、1nm以上、2μm以下、さらに好ましくは5nm以上、0.5 The thickness of the p-type cladding layer 10B is, 1 nm or more, 2 [mu] m or less, more preferably 5nm or more, 0.5
μm以下である。 μm is less than or equal to. 1nmよりも薄いと、p型クラッド層が存在しない状態に近くなり、発光出力が低下する。 When thinner than 1 nm, it becomes close to a state where the p-type cladding layer is not present, the light emitting output decreases. 2
μmより厚いと、結晶成長中にp型クラッド層自体にクラックが入りやすくなる。 When thicker than [mu] m, cracks tend to enter the p-type cladding layer itself during the crystal growth. 窒化物半導体層をp型とするには、結晶成長中に、Mg、Zn、C、Be、Ca、B The nitride semiconductor layer on the p-type, in the crystal growth, Mg, Zn, C, Be, Ca, B
a等のアクセプター不純物をドープする。 Doped with an acceptor impurity of a like. さらに、高キャリア濃度のp層を得るために、アクセプター不純物をドーブした後、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気中で、400℃以上でアニーリングする。 Furthermore, in order to obtain a p-layer of high carrier concentration, after dove acceptor impurity, nitrogen, in an inert gas atmosphere such as argon, annealing at 400 ° C. or higher. また、アニーリングに代わって電子線照射してキャリヤ濃度を高くすることもできる。 It is also possible to increase the carrier concentration and electron beam irradiation in place of annealing.

【0034】p型コンタクト層10Cは、p型GaN、 [0034] p-type contact layer 10C is, p-type GaN,
好ましくはMgドーブp型GaNである。 Preferably is Mg dove p-type GaN. p型コンタクト層10Cは、透明電極6と接する層であるので、透明電極6にオーミック接触することが大切である。 p-type contact layer 10C has, since it is a layer in contact with the transparent electrode 6, it is important to ohmic contact with the transparent electrode 6. p型G p-type G
aNは、多くの金属とオーミックが取りやすく、コンタクト層として最も好ましい。 aN is likely to take a lot of metal and ohmic, most preferably as a contact layer.

【0035】以上の構造の窒化物半導体層は、有機金属気相成長法(MOVPE)、ハライド気相成長法(HD [0035] The above nitride semiconductor layer structures, metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE), hydride vapor phase epitaxy (HD
VPE)、分子線気相成長法(MBE)等の気相成長法によって絶縁性基板1に成長できる。 VPE), molecular beam vapor deposition (MBE) vapor deposition method or the like can grow on the insulating substrate 1. その中でもMOV MOV Among them
PE法によると、迅速に結晶性の良いものが得られる。 According to PE method, as quickly good crystallinity can be obtained.
MOVPE法では、GaソースとしてはTMG(トリメチルガリウム)、TEG(トリエチルガリウム)、Al The MOVPE method, the Ga source TMG (trimethylgallium), TEG (triethyl gallium), Al
ソースとしてはTMA(トリメチルアルミニウム)、T The source TMA (trimethyl aluminum), T
EA(トリエチルアルミニウム)、Inソースとしては、TMI(トリメチルインジウム)、TEI(トリエチルインジウム)等のトリアルキル金属化合物が多く用いられ、窒素源としてはアンモニア、ヒドラジン等のガスが用いられる。 EA (triethylaluminum), as the In source, TMI (trimethyl indium), trialkyl metal compound such as TEI (triethyl indium) is often used, ammonia, a gas such as hydrazine is used as the nitrogen source. また不純物ソースとしてはSiであればシランガス、Geであればゲルマンガス、MgであればCp 2 Mg(シクロペンタジエニルマグネシウム)、 The silane, if Si as an impurity source, if Ge germane gas, if Mg Cp 2 Mg (cyclopentadienyl magnesium),
ZnであればDEZ(ジエチルジンク)等のガスが用いられる。 If Zn DEZ gas (diethylzinc) is used. MOVPE法ではこれらのガスを、例えば60 The MOVPE method these gases, for example 60
0℃以上に加熱された基板の表面に供給して、ガスを分解することにより、In x Al Y Ga 1-xY N(0≦X、 0 ℃ is supplied to the heated surface of the substrate above, by decomposing gas, In x Al Y Ga 1- xY N (0 ≦ X,
0≦Y、X+Y≦1)をエピタキシャル成長させることができる。 0 ≦ Y, X + Y ≦ 1) and can be epitaxially grown.

【0036】 [0036]

【実施例】よく洗浄したサファイア基板を反応容器内にセットし、反応容器内を水素で十分置換した後、水素を流しながら、基板の温度を1050℃まで上昇させサファイア基板のクリーニングを行う。 EXAMPLE was set well washed sapphire substrate into the reaction vessel, the reaction vessel was sufficiently replaced by hydrogen, while flowing hydrogen, to clean the sapphire substrate to raise the temperature of the substrate to 1050 ° C..

【0037】続いて、温度を510℃まで下げ、キャリアガスに水素、原料ガスにアンモニアとTMG(トリメチルガリウム)とを用い、サファイア基板上にGaNよりなるバッファ層9を20nmの膜厚で成長させる。 [0037] Subsequently, the temperature was lowered to 510 ° C., hydrogen in the carrier gas, with the raw material gas into ammonia and TMG (trimethylgallium), growing a buffer layer 9 made of GaN on a sapphire substrate with a thickness of 20nm .

【0038】バッファ層9成長後、TMGのみ止めて、 [0038] After the buffer layer 9 growth, it stopped only TMG,
温度を1030℃まで上昇させる。 Raising the temperature to 1030 ° C.. 1030℃になったら、同じく原料ガスにTMGとアンモニアガス、ドーパントガスにシランガスを用い、n型クラッド層として、 When turned 1030 ° C., using a silane TMG and ammonia gas, a dopant gas also to the raw material gas, as a n-type cladding layer,
Siを1×10 20 /cm 3ドープしたn型GaN層を4 1 × a Si 10 20 / cm 3 doped n-type GaN layer 4
μm成長させる。 To μm growth.

【0039】n型GaN層成長後、原料ガス、ドーパントガスを止め、温度を800℃にして、原料ガスにTM The n-type GaN layer after growth, the raw material gas, a dopant gas stopped, and the temperature to 800 ℃, TM to the raw material gas
GとTMI(トリメチルインジウム)とアンモニアを用い、単一量子井戸構造の活性層10AとしてIn 0.43 Using G and TMI (trimethyl indium) and ammonia, an In 0.43 G as the active layer 10A of the single quantum well structure
0.57 N層を3nmの膜厚に成長させる。 The a 0.57 N layer is grown to a thickness of 3 nm.

【0040】次に、原料ガス、ドーパントガスを止め、 Next, stop the raw material gas, a dopant gas,
再び温度を1020℃まで上昇させ、原料ガスにTM It was raised to 1020 ° C. The temperature again, TM source gas
G、TMA(トリメチルアルミニウム)、アンモニア、 G, TMA (trimethyl aluminum), ammonia,
ドーパントガスにGp 2 Mg(シクロペンタジエニルマグネシウム)を用い、p型クラッド層10BとしてMg With Gp 2 Mg (cyclopentadienyl magnesium) as a dopant gas, Mg as a p-type cladding layer 10B
を1×10 19 /cm 3ドーブした、p型Al 0.3 Ga 0.7 Was 1 × 10 19 / cm 3 Dove, p-type Al 0.3 Ga 0.7
N層を50nm成長させる。 The N layer is 50nm growth.

【0041】TMAガスを止め、続いてp型コンタクト層10Cとして、Mgを1×10 19 /cm 3ドーブしたp型GaN層を1μm成長させる。 The stopped TMA gas, followed by a p-type contact layer 10C, is 1μm grow a p-type GaN layer 1 × 10 19 / cm 3 Dove the Mg.

【0042】p型GaN層成長後、基板を反応容器から取り出し、アニーリング装置にて窒素雰囲気中、700 [0042] p-type GaN layer after the growth, the substrate is taken out of the reaction vessel in a nitrogen atmosphere at an annealing device, 700
℃で20分間アニーリングを行い、p型クラッド層10 ℃ in for 20 minutes annealing, p-type cladding layer 10
B、p型コンタクト層10Cをさらに低抵抗化する。 B, and further reduce the resistance of the p-type contact layer 10C.

【0043】以上のようにして得られたウエハーのp型コンタクト層10C、p型クラッド層10B、および活性層10Aからなる多重半導体層10の一部をエッチングにより取り除き、n型窒化物半導体層2を露出させ、 The above wafer obtained as a p-type contact layer 10C, p-type clad layer 10B, and removing a portion of the multi-semiconductor layer 10 composed of the active layer 10A by etching, n-type nitride semiconductor layer 2 to expose the,
多重半導体層10に、PdとAuよりなる透明電極6を20nmとAuよりなるp電極5を2μmの膜厚で設け、n型窒化物半導体層2にTiとAlよりなるn電極4を2μmの膜厚で設け、350μm角のチップにカットした後、カップ形状を有するリードフレームに設置し、エポキシ樹脂でモールドして、発光ダイオードとする。 The multiple semiconductor layers 10, provided the p electrode 5 and the transparent electrode 6 made of Pd and Au formed of 20nm and Au with a thickness of 2 [mu] m, n-type nitride semiconductor layer 2 to the n-electrode 4 made of Ti and Al 2 [mu] m of provided in a thickness, after cutting the tip of 350μm square, it was placed on a lead frame having a cup-shaped, molded by epoxy resin, a light emitting diode.

【0044】そのスペクトルを測定したところ、発光ピーク525nm、半値幅45nmの純緑色発光を示し、 [0044] was measured the spectrum, the emission peak 525nm, shows a pure green light emission of the half-width 45nm,
図4と図5に示す電極構造の発光ダイオードは、If Light emitting diode of the electrode structure shown in FIG. 4 and FIG. 5, If
(順方向電流)20mAにおいて、順方向電圧Vfは3.1V、図6と図7に示す電極構造の発光ダイオードは、3.2Vに低下した。 In (forward current) 20 mA, the forward voltage Vf 3.1 V, the light emitting diode of the electrode structure shown in FIGS. 6 and 7 was reduced to 3.2 V. ちなみに、図1に示す従来の電極構造の発光ダイオードは、電極構造を変更する以外は、実施例1と同様にして製作して、順方向電圧VfがIf(順方向電流)20mAにおいて、3.5Vであった。 Incidentally, the light emitting diodes of the conventional electrode structure shown in Figure 1, except for changing the electrode structure, and fabricated in the same manner as in Example 1, the forward voltage Vf If (forward current) 20 mA, 3. was 5V.

【0045】 [0045]

【発明の効果】本発明の、周縁に電極を有する発光ダイオードは、発光出力の低下を最小にして順方向電圧Vf Of the present invention, a light emitting diode having an electrode at the peripheral, the forward voltage Vf by the lowering of emission output to a minimum
を低下できる特長がある。 There is an advantage that can reduce the. それは、本発明の発光ダイオードが、対角線上にp電極とn電極からなる一対の電極を配設すると共に、一方の電極に周縁電極を接続し、他方の電極には透明電極を接続し、さらに、周縁電極を発光ダイオードの外周縁に沿って設け、透明電極を、周縁電極の内側に設けているからである。 It emitting diode of the present invention, together with arranging a pair of electrodes made of the p-electrode and the n electrode on the diagonal, connecting the peripheral electrode to one electrode, the other electrode is connected to the transparent electrode, further , provided along a peripheral electrode to the outer peripheral edge of the light emitting diodes, because the transparent electrode is provided on the inner side of the peripheral electrode.

【0046】さらに、請求項2に記載する発光ダイオードは、周縁電極を、透明電極に電気接続される電極が設けられた隅部で切欠して、透明電極に接続される電極が設けられた隅部を除く外周部に設けているので、順方向電圧Vfを低くして、請求項1に記載する発光ダイオードよりもさらに、発光出力を大きくできる特長がある。 [0046] Further, the light emitting diode according to claim 2, corners of the peripheral electrode, and cutaway at the corners of the electrode to be electrically connected is provided on the transparent electrode, electrode connected to the transparent electrodes are provided since is provided on the outer peripheral portion excluding the part, by lowering the forward voltage Vf, further than the light emitting diode according to claim 1, there is a feature that can increase the luminous output.

【0047】この特長を図4に基づいて説明する。 [0047] will be described on the basis of this feature in Figure 4. 図4 Figure 4
に示す発光ダイオードは、周縁のほぼ全体に周縁電極7 Peripheral electrode 7 to the light-emitting diodes, almost the entire circumference as shown in
を設けているので、順方向電圧Vfを最も低くできる。 Since the is provided, it can be the lowest forward voltage Vf.
n電極4をn型窒化物半導体層2に広い面積で接触させて、n電極4とn型窒化物半導体層2との電気抵抗を小さくできるからである。 The n-electrode 4 in contact with a wide area in the n-type nitride semiconductor layer 2, because the electrical resistance of the n electrode 4 and the n-type nitride semiconductor layer 2 can be reduced. ただ、この構造の発光ダイオードは、順方向電圧Vfを低下させるために設けた周縁電極7によって、発光領域が狭くなって、全体としての発光出力が多少は低下する傾向にある。 However, the light emitting diode of this structure, the peripheral electrodes 7 provided in order to lower the forward voltage Vf, the emission region is narrowed, there is a tendency that the light emission output is somewhat reduced as a whole.

【0048】請求項2に記載する発光ダイオードは、順方向電圧Vfと発光出力とからなる総合的な発光特性を改善できる特長がある。 The light emitting diode according to claim 2 has a feature that can improve the overall emission characteristics consisting of a forward voltage Vf and emission output. それは、発光領域を拡大するために、周縁電極7の右下隅部をカットして、実線位置に設けられたp電極5を、鎖線位置に移動させているからである。 It, in order to enlarge the light-emitting region, by cutting the right lower corner of the peripheral electrodes 7, a p electrode 5 provided on the solid line position, since is moved to the dashed line position. p電極5を実線位置から鎖線位置に移動させることにより、本発明の発光ダイオードは、発光領域が拡大されて発光出力は向上する。 By moving to the dashed line position to the p-electrode 5 from the solid line position, the light emitting diode of the present invention, the light emitting output light emitting region is enlarged is improved. ただ、この電極構造の発光ダイオードは、周縁電極の全長が短くなるので、順方向電圧Vfが高くなるように推測される。 However, the light emitting diode of this electrode structure, since the total length of the peripheral electrode is shortened, is estimated as the forward voltage Vf becomes higher. ところが、この構造の発光ダイオードは、周縁電極の全長を短くするにもかかわらず、順方向電圧Vfはほとんど変化しない。 However, the light emitting diode of this structure, despite shortening the overall length of the peripheral electrode, the forward voltage Vf is hardly changed. それは、p電極の周縁に設けた周縁電極が、他の部分に比較して、順方向電圧Vfを低下させる作用する割合が少ないからである。 It peripheral electrode provided on the periphery of the p electrode, as compared with other parts, because the small proportion acting to lower the forward voltage Vf. 透明電極とp電極とを積層しているp型コンタクト層は、p電極で被覆される部分の電気抵抗が、p電極に被覆されない部分に比較して相当に大きくなる。 p-type contact layer are laminated a transparent electrode and the p electrode, the electrical resistance of the portion to be coated with the p-electrode is made considerably larger than the portion that is not covered by the p-electrode. p電極に被覆される部分でp型コンタクト層の電気抵抗が大きいと、p電極とその周縁に設けた周縁電極との間で電流はほとんど流れない。 When the portion to be coated to the p-electrode electrical resistance of the p-type contact layer is high, current hardly flows between the peripheral electrode provided on the periphery with the p-electrode. p電極と周縁電極との間で有効に電流が流れないと、順方向電圧Vf When enabled current does not flow between the p-electrode and the peripheral electrode, the forward voltage Vf
は低下しない。 Not drop. このため、p電極の近傍に周縁電極を設けて、順方向電圧Vfを低下できる割合は少ない。 Therefore, a peripheral electrode provided in the vicinity of the p-electrode, the proportion that can reduce the forward voltage Vf is small. p型コンタクト層のp電極で被覆される部分の電気抵抗が大きくなるのは、アニーリングするときに、p型層、とくに、最上層のp型コンタクト層から水素が除去されるのが、膜厚の厚いp電極で阻止されるからである。 The electrical resistance of the portion to be coated with the p-electrode of the p-type contact layer is increased, when the annealing, a p-type layer, especially, the hydrogen from the uppermost layer of the p-type contact layer is removed, the film thickness because it blocked by the thick p electrode having. p型コンタクト層を成長させるときに、この層に含まれる水素は、p型コンタクト層にドープされるドーパントと結合して、p型コンタクト層の電気抵抗を大きくしている。 When growing the p-type contact layer, hydrogen contained in the layer is combined with a dopant to be doped in the p-type contact layer, and increasing the electrical resistance of the p-type contact layer.
水素は、透明電極とp電極を積層した状態で、アニーリングするときにp型コンタクト層から除去される。 Hydrogen, while laminating a transparent electrode and a p electrode is removed from the p-type contact layer at the time of annealing. ただ、厚いp電極で被覆される部分は、p電極を水素が透過し難いので、水素が有効に除去されない。 However, the portion to be coated with a thick p electrode, since the p electrode is hydrogen hardly permeable, hydrogen is not effectively removed. このため、 For this reason,
p電極で被覆される部分は電気抵抗が大きくなってしまう。 Portion to be coated with the p-electrode is thus electrical resistance increases.

【0049】請求項2の発光ダイオードは、順方向電圧Vfを低下させるために有効に作用させるのが難しい周縁電極の一部をカットし、この部分に電極を配設している。 The light emitting diode of claim 2 cuts a portion of the difficult peripheral electrodes to thereby effectively act to lower the forward voltage Vf, are disposed electrodes in this portion. このため、周縁電極を短くするにもかかわらず順方向電圧Vfを低くでき、しかも、発光面積を拡大して発光出力を大きくできる極めて優れた特長を実現する。 Therefore, it can be lowered forward voltage Vf despite shortening the peripheral electrode, moreover, to achieve a very good advantage that can increase the light output by enlarging the light emitting area.

【0050】さらに、本発明の請求項4に記載される発光ダイオードは、p電極とn電極異なる平面形状としている。 [0050] Furthermore, the light-emitting diode as described in claim 4 of the present invention is directed to the p-electrode and the n electrode different planar shape. この構造の発光ダイオードは、電極にワイヤーボンドする装置でp電極とn電極とを間違えずに正確に識別できる特長がある。 Light emitting diode of this structure has a feature that can be accurately identified without mistake and p electrode and n electrode device for wire bonding to the electrode. ワイヤーボンドする装置は、画像認識してp電極とn電極とを識別するので、両電極が同じ形状をしていると、p電極とn電極とを正確に識別するのが難しいが、p電極とn電極の平面形状が異なると、正確に識別して、ワイヤーボンドできる特長がある。 Apparatus for wire bonding, so to identify the p electrode and the n electrode and the image recognition, when both electrodes are the same shape, it is difficult to accurately identify the p electrode and the n electrode, the p-electrode and the planar shape of the n-electrode are different, are accurately identified, there is a feature that can be wire-bonded.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】従来の発光ダイオードの平面図 Figure 1 is a plan view of a conventional light emitting diode

【図2】図1に示す発光ダイオードの断面図 2 is a cross-sectional view of the light emitting diode shown in FIG. 1

【図3】従来の他の発光ダイオードの平面図 Figure 3 is a plan view of another conventional light emitting diode

【図4】本発明の実施例の発光ダイオードの平面図 Plan view of a light emitting diode of the embodiment of the present invention; FIG

【図5】図4に示す発光ダイオードの断面図 FIG. 5 is a cross-sectional view of a light emitting diode shown in FIG. 4

【図6】本発明の実施例の発光ダイオードの平面図 Plan view of a light emitting diode of the embodiment of the present invention; FIG

【図7】図6に示す発光ダイオードの断面図 7 is a cross-sectional view of the light emitting diode shown in FIG. 6

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1…基板 2…n型窒化物半導体層 3…p型窒化物半導体層 4…n電極 5…p電極 6…透明電極 7…周縁電極 8…電極 9…バッファ層 10…多重半導体層 10A…活性層 10 1 ... substrate 2 ... n-type nitride semiconductor layer 3 ... p-type nitride semiconductor layer 4 ... n electrode 5 ... p electrode 6 ... transparent electrode 7 ... peripheral electrodes 8 ... electrode 9 ... buffer layer 10 ... multiplex the semiconductor layer 10A ... activity layer 10
B…p型クラッド層 10C…p型コンタクト層 11…保護膜 B ... p-type cladding layer 10C ... p-type contact layer 11 ... protection film

Claims (4)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 四角い平面形状の基板(1)の上に、発光層を含む窒化物半導体層が積層されており、その窒化物半導体層の同一面側に、p電極(5)とn電極(4)からなる一対の電極が形成されてなる発光ダイオードにおいて、 前記発光ダイオードは、電極側から見て四角い平面形状をしていると共に、p電極(5)とn電極(4)が、四角い発光ダイオードの隅部に位置して対角線上に配設されており、p電極(5)とn電極(4)からなる一対の電極は、一方の電極に周縁電極(7)が接続され、他方の電極には透明電極(6)が接続され、周縁電極(7)は発光ダイオードの外周縁に沿って設けられ、透明電極(6)は、周縁電極(7)の内側に設けられてなることを特徴とする周縁に電極を有する発光ダイオード。 To 1. A on the square substrates of flat shape (1), a nitride semiconductor layer including a light emitting layer are stacked, on the same side of the nitride semiconductor layer, p electrode (5) and the n electrode in a pair of electrodes consisting of (4) is formed comprising a light emitting diode, the light emitting diode, as well has a rectangular planar shape as viewed from the electrode side, p electrode (5) and the n-electrode (4) is square is disposed diagonally located corners of the light emitting diode, a pair of electrodes made of the p-electrode (5) and the n-electrode (4) is the peripheral electrode (7) on one of the electrodes is connected, the other the electrode is a transparent electrode (6) is connected, the peripheral electrode (7) is provided along the outer peripheral edge of the light emitting diode, a transparent electrode (6), be provided inside the peripheral electrode (7) light emitting diode having an electrode on the periphery, characterized in.
  2. 【請求項2】 四角い平面形状の基板(1)の上に、発光層を含む窒化物半導体層が積層されており、その窒化物半導体層の同一面側に、p電極(5)とn電極(4)からなる一対の電極が形成されてなる発光ダイオードにおいて、 前記発光ダイオードは、電極側から見て四角い平面形状をしていると共に、p電極(5)とn電極(4)が、四角い発光ダイオードの隅部に位置して対角線上に配設されており、p電極(5)とn電極(4)からなる一対の電極は、一方の電極に周縁電極(7)が接続され、他方の電極には透明電極(6)が接続され、周縁電極(7)は発光ダイオードの外周縁に沿って設けられ、透明電極(6)は、周縁電極(7)の内側に設けられており、 さらに、周縁電極(7)は、透明電極(6)に電気接続される電極が設けられた隅部で切欠されて、透明電極(6)に接続される電極 To 2. A on the substrate (1) of square planar shape, the nitride semiconductor layer including a light emitting layer are stacked, on the same side of the nitride semiconductor layer, p electrode (5) and the n electrode in a pair of electrodes consisting of (4) is formed comprising a light emitting diode, the light emitting diode, as well has a rectangular planar shape as viewed from the electrode side, p electrode (5) and the n-electrode (4) is square is disposed diagonally located corners of the light emitting diode, a pair of electrodes made of the p-electrode (5) and the n-electrode (4) is the peripheral electrode (7) on one of the electrodes is connected, the other the electrode is a transparent electrode (6) is connected, the peripheral electrode (7) is provided along the outer peripheral edge of the light emitting diode, a transparent electrode (6) is provided on the inner side of the peripheral electrode (7), further, the peripheral electrode (7) is being cutout in the electrode that is electrically connected to the transparent electrode (6) is provided a corner, are connected to the transparent electrode (6) electrode 設けられた隅部を除く外周部に設けられてなることを特徴とする周縁に電極を有する発光ダイオード。 Light emitting diode having an electrode on the periphery, characterized in that thus provided on the outer peripheral portion excluding the corner portions provided.
  3. 【請求項3】 周縁電極(7)がn電極(4)に接続され、透明電極(6)がp電極(5)に接続されてなる請求項1または2に記載される周縁に電極を有する発光ダイオード。 3. A peripheral electrode (7) is connected to the n electrode (4), a transparent electrode (6) has an electrode on the peripheral as claimed in claim 1 or 2 which are connected to the p-electrode (5) light-emitting diode.
  4. 【請求項4】 n電極(4)とp電極(5)との形状が、互いに異なる平面形状を有する請求項1または3に記載される周縁に電極を有する発光ダイオード。 Wherein the shape of the n electrode (4) and the p-electrode (5), a light emitting diode having an electrode on the peripheral as set forth in claim 1 or 3 having a planar shape different from each other.
JP33165996A 1996-11-26 1996-11-26 Light emitting diode having an electrode on the peripheral Expired - Fee Related JP3244010B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33165996A JP3244010B2 (en) 1996-11-26 1996-11-26 Light emitting diode having an electrode on the peripheral

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33165996A JP3244010B2 (en) 1996-11-26 1996-11-26 Light emitting diode having an electrode on the peripheral

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10163531A true JPH10163531A (en) 1998-06-19
JP3244010B2 JP3244010B2 (en) 2002-01-07

Family

ID=18246150

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP33165996A Expired - Fee Related JP3244010B2 (en) 1996-11-26 1996-11-26 Light emitting diode having an electrode on the peripheral

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3244010B2 (en)

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001237458A (en) * 1999-12-22 2001-08-31 Lumileds Lighting Us Llc Manufacturing method for iii-nitride led with enhanced light generating capability
WO2001073858A1 (en) 2000-03-31 2001-10-04 Toyoda Gosei Co., Ltd. Group-iii nitride compound semiconductor device
US6307218B1 (en) 1998-11-20 2001-10-23 Lumileds Lighting, U.S., Llc Electrode structures for light emitting devices
JP2002353503A (en) * 2001-05-29 2002-12-06 Seiwa Electric Mfg Co Ltd Gallium-nitride based compound semiconductor light- emitting element
WO2002103811A1 (en) * 2001-06-15 2002-12-27 Nichia Corporation Nitride semiconductor light emitting device
US6969873B2 (en) 2000-02-03 2005-11-29 Sharp Kabushiki Kaisha Nitride gallium compound semiconductor light emission device
US7109529B2 (en) 1998-05-13 2006-09-19 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device using group III nitride compound
KR100631975B1 (en) 2005-03-30 2006-09-27 삼성전기주식회사 Nitride semiconductor light emitting device
US7183136B2 (en) 2002-06-24 2007-02-27 Toyoda Gosei Co., Ltd. Semiconductor element and method for producing the same
US7645689B2 (en) 2005-01-19 2010-01-12 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Gallium nitride-based light emitting device having ESD protection capacity and method for manufacturing the same
JP2010225771A (en) * 2009-03-23 2010-10-07 Toyoda Gosei Co Ltd Semiconductor light emitting element
JP2011258671A (en) * 2010-06-07 2011-12-22 Toshiba Corp Semiconductor light-emitting device and method for producing the same
WO2012005252A1 (en) * 2010-07-09 2012-01-12 昭和電工株式会社 Semiconductor light emitting element, lamp, electronic device, and machine
JP2013191900A (en) * 2013-07-05 2013-09-26 Toshiba Corp Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same
US9084328B2 (en) 2006-12-01 2015-07-14 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US9297503B2 (en) 2006-04-18 2016-03-29 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US9353917B2 (en) 2012-09-14 2016-05-31 Cree, Inc. High efficiency lighting device including one or more solid state light emitters, and method of lighting
US9417478B2 (en) 2006-04-18 2016-08-16 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US9441793B2 (en) 2006-12-01 2016-09-13 Cree, Inc. High efficiency lighting device including one or more solid state light emitters, and method of lighting

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007214276A (en) 2006-02-08 2007-08-23 Mitsubishi Chemicals Corp The light-emitting element

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7109529B2 (en) 1998-05-13 2006-09-19 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device using group III nitride compound
DE19953160B4 (en) * 1998-11-20 2009-01-22 Philips Lumileds Lighting Company, LLC, San Jose Improved electrode structures for light emitting devices
US6307218B1 (en) 1998-11-20 2001-10-23 Lumileds Lighting, U.S., Llc Electrode structures for light emitting devices
JP2001237458A (en) * 1999-12-22 2001-08-31 Lumileds Lighting Us Llc Manufacturing method for iii-nitride led with enhanced light generating capability
US6969873B2 (en) 2000-02-03 2005-11-29 Sharp Kabushiki Kaisha Nitride gallium compound semiconductor light emission device
WO2001073858A1 (en) 2000-03-31 2001-10-04 Toyoda Gosei Co., Ltd. Group-iii nitride compound semiconductor device
US6777805B2 (en) 2000-03-31 2004-08-17 Toyoda Gosei Co., Ltd. Group-III nitride compound semiconductor device
US7042089B2 (en) 2000-03-31 2006-05-09 Toyoda Gosei Co., Ltd. Group III nitride compound semiconductor device
JP2002353503A (en) * 2001-05-29 2002-12-06 Seiwa Electric Mfg Co Ltd Gallium-nitride based compound semiconductor light- emitting element
WO2002103811A1 (en) * 2001-06-15 2002-12-27 Nichia Corporation Nitride semiconductor light emitting device
US7183136B2 (en) 2002-06-24 2007-02-27 Toyoda Gosei Co., Ltd. Semiconductor element and method for producing the same
US7645689B2 (en) 2005-01-19 2010-01-12 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Gallium nitride-based light emitting device having ESD protection capacity and method for manufacturing the same
KR100631975B1 (en) 2005-03-30 2006-09-27 삼성전기주식회사 Nitride semiconductor light emitting device
US9417478B2 (en) 2006-04-18 2016-08-16 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US9297503B2 (en) 2006-04-18 2016-03-29 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US10018346B2 (en) 2006-04-18 2018-07-10 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US9441793B2 (en) 2006-12-01 2016-09-13 Cree, Inc. High efficiency lighting device including one or more solid state light emitters, and method of lighting
US9084328B2 (en) 2006-12-01 2015-07-14 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
JP2010225771A (en) * 2009-03-23 2010-10-07 Toyoda Gosei Co Ltd Semiconductor light emitting element
US9343630B2 (en) 2009-03-23 2016-05-17 Toyoda Gosei Co., Ltd. Semiconductor light emitting element
JP2011258671A (en) * 2010-06-07 2011-12-22 Toshiba Corp Semiconductor light-emitting device and method for producing the same
US8835966B2 (en) 2010-07-09 2014-09-16 Toyoda Gosei Co., Ltd. Semiconductor light-emitting element, lamp, electronic device and machine
WO2012005252A1 (en) * 2010-07-09 2012-01-12 昭和電工株式会社 Semiconductor light emitting element, lamp, electronic device, and machine
US9353917B2 (en) 2012-09-14 2016-05-31 Cree, Inc. High efficiency lighting device including one or more solid state light emitters, and method of lighting
JP2013191900A (en) * 2013-07-05 2013-09-26 Toshiba Corp Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP3244010B2 (en) 2002-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100753147B1 (en) Nitride semiconductor device
KR100688240B1 (en) Nitride Semiconductor Device
US7057212B2 (en) Flip chip nitride semiconductor light emitting diode
CN1194425C (en) Semiconductor lighting device and making meking method thereof
JP3795007B2 (en) The semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof
US6649942B2 (en) Nitride-based semiconductor light-emitting device
JP4307113B2 (en) The semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof
JP4148264B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR100551364B1 (en) Gallium nitride-based group compound light-emitting element and its electrode forming method
CN1211867C (en) Luminous element
JP3912044B2 (en) Method for producing Iii nitride compound semiconductor light-emitting device
JP3905521B2 (en) Nitride semiconductor device
EP1810351B1 (en) Gan compound semiconductor light emitting element
JP5232970B2 (en) Semiconductor light emitting device manufacturing method, semiconductor light emitting device, and lamp including the same
US7291865B2 (en) Light-emitting semiconductor device
JP4604488B2 (en) The nitride semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof
US6921928B2 (en) Nitride semiconductor element
JP3424629B2 (en) Nitride semiconductor device
JP4507594B2 (en) Semiconductor light-emitting element
KR101221281B1 (en) Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same
JP3680558B2 (en) Nitride semiconductor device
JPWO2008153130A1 (en) The nitride semiconductor light emitting device and a method of manufacturing a nitride semiconductor
JP4449405B2 (en) The nitride semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof
CN1555101A (en) The nitride semiconductor device
JP3135041B2 (en) The nitride semiconductor light emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081026

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081026

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091026

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091026

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091026

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101026

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101026

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111026

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111026

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121026

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121026

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131026

Year of fee payment: 12

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees