JPH10163109A - Light beam annealing method - Google Patents

Light beam annealing method

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JPH10163109A
JPH10163109A JP409898A JP409898A JPH10163109A JP H10163109 A JPH10163109 A JP H10163109A JP 409898 A JP409898 A JP 409898A JP 409898 A JP409898 A JP 409898A JP H10163109 A JPH10163109 A JP H10163109A
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JP
Japan
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annealed
energy
light beam
annealing
hydrogen
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JP409898A
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Japanese (ja)
Inventor
Toshiyuki Samejima
俊之 鮫島
Takashi Tomita
尚 冨田
Masateru Hara
昌輝 原
Setsuo Usui
節夫 碓井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication of JPH10163109A publication Critical patent/JPH10163109A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To avoid the explosive emission of hydrogen in the annealing of a body to be annealed containing hydrogen, and to perform surely crystallization by annealing. SOLUTION: In a light beam annealing method for performing annealing by the sweeping application of light beams, a first process for applying light beams with a first energy to a hydrogenated body 1 to be annealed and for evaporating hydrogen contained in the body 1 to be annealed, and a second process for crystallizing the body 1 to be annealed by applying light beams with a second energy that is larger than the first energy to the body 1 to be annealed after the first process is conducted.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は光ビームアニーリン
グ法、特に揮発性物質を含む被アニーリング体、すなわ
ち水素化されたシリコン非晶質(a−Si:H)薄膜等
の結晶化アニーリングに用いて好適な光ビームアニーリ
ング法に係わる。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical beam annealing method, and more particularly to a method for annealing a crystal-containing object containing a volatile substance, that is, a crystallization annealing of a hydrogenated silicon amorphous (a-Si: H) thin film or the like. It relates to a preferred light beam annealing method.

【0002】[0002]

【従来の技術】プラズマCVD(Chemical Vapor Depos
ition)によって形成した水素原子を例えば10原子%含
む水素化非晶質シリコン(以下、a−Si:Hと記す)
膜を高エネルギーの得られるパルスレーザー照射によっ
て常温雰囲気下で、結晶化することによりキャリアの移
動度の高い良質の多結晶シリコン膜を低温で作製するこ
とが可能になった。このような技術の適用により多結晶
シリコン薄膜による薄膜トランジスタ(TFT)が30
0℃以下の低温工程で実現できるようになった(T,Same
shima and S,Usui;Materials Research Society Sympos
ium ProceedingsVol.71(1986)P435〜440 参照)。
2. Description of the Related Art Plasma CVD (Chemical Vapor Depos)
hydrogenated amorphous silicon (hereinafter, referred to as a-Si: H) containing 10 atomic% of hydrogen atoms formed by the above-described method.
By crystallizing the film under normal temperature atmosphere by pulsed laser irradiation with high energy, a high-quality polycrystalline silicon film having high carrier mobility can be manufactured at low temperature. By applying such a technique, a thin film transistor (TFT) made of a polycrystalline silicon thin film becomes 30
(T, Same)
shima and S, Usui; Materials Research Society Sympos
ium Proceedings Vol. 71 (1986) pp. 435-440).

【0003】上述したパルスレーザー照射による光ビー
ムアニールを行う場合、そのアニール例えば非晶質薄膜
に対する結晶化、或いは多結晶薄膜に対する再結晶化の
ためのアニールは、例えば図1に示すように、被アニー
ル体1、例えばガラス基板1上にa−Si:H非晶質層
3が形成されたウェファに対し、パルスレーザー光のス
ポットsを、a−Si:H薄膜上に、そのアニール処
理、すなわち例えば結晶化処理を施すべき領域の全域に
亘って例えばジグザグパターンに矢印をもって示すよう
に掃引することによって行う。この場合、その表面から
所要の深さ(厚さ)に亘ってその結晶化或いは再結晶化
等のアニール効果を得るには、表面を結晶化、或いは再
結晶化、すなわちアニールできるエネルギー以上の充分
大きなエネルギーを必要とする。ところがその被アニー
ル体が上述したa−Si:Hのように揮発性物質特に水
素を含むような材料である場合、急激に大きなエネルギ
ーのパルスレーザー照射を行うときは、その揮発性物質
の水素の爆発的放出が生じ、良好な結晶化或いは再結晶
化を阻害する。したがって、このような材料に対するア
ニールは、通常複数回、例えば5回の掃引作業を繰返し
て行い、各回の掃引で図6に示すように、目的とする深
さに亘るアニール処理を行うことのできるレーザーエネ
ルギー例えば230mJ/cm2 まで、順次上昇させる
という方法が採られる。
In the case of performing the above-described light beam annealing by pulsed laser irradiation, annealing such as crystallization for an amorphous thin film or annealing for recrystallization of a polycrystalline thin film is performed, as shown in FIG. 1, for example. The spot s of the pulsed laser light is applied to the annealed body 1, for example, a wafer having the a-Si: H amorphous layer 3 formed on the glass substrate 1, by annealing the a-Si: H thin film on the a-Si: H thin film. For example, it is performed by sweeping over the entire region to be subjected to the crystallization process, for example, as shown by an arrow in a zigzag pattern. In this case, in order to obtain an annealing effect such as crystallization or recrystallization over a required depth (thickness) from the surface, the surface must be crystallized or recrystallized, that is, sufficient energy equal to or more than the energy that can be annealed. Requires great energy. However, when the object to be annealed is a material containing a volatile substance, particularly hydrogen, such as the above-described a-Si: H, when pulse laser irradiation with a large energy is performed rapidly, hydrogen of the volatile substance hydrogen Explosive emissions occur, hindering good crystallization or recrystallization. Therefore, annealing of such a material is usually performed a plurality of times, for example, five times, and a sweeping operation is repeated, and as shown in FIG. A method of sequentially increasing the laser energy to, for example, 230 mJ / cm 2 is employed.

【0004】しかしながら、このように、光ビームのエ
ネルギーを順次変えて複数回の掃引を繰返し行うこと
は、アニール処理時間が長くなり、またパルス数の増大
を生じるなど、工業的な課題がある。
[0004] However, repeating the sweeping a plurality of times while sequentially changing the energy of the light beam as described above has an industrial problem such as an increase in the annealing time and an increase in the number of pulses.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した水
素化された被アニール体のアニール処理における水素の
爆発的放出を回避し、しかも光ビームの掃引を繰返して
行うことによる作業の煩雑さ、作業時間、パルス数等の
課題の解決をはかることを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention avoids the explosive release of hydrogen during the above-described annealing treatment of the hydrogenated object to be annealed, and further complicates the operation by repeatedly sweeping the light beam. The purpose of the present invention is to solve problems such as work time and pulse number.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明による光ビームア
ニーリング法においては、光ビームの掃引照射によりア
ニールを行う光ビームアニーリング法であって水素化さ
れた被アニール体に対し第1のエネルギーの光ビームを
照射し、この被アニール体中に含有される水素を蒸発さ
せる第1工程と、この第1工程の後、被アニール体に対
し第1のエネルギーより大きい第2のエネルギーの光ビ
ームを照射し、被アニール体を結晶化する第2工程とを
有する。
The light beam annealing method according to the present invention is a light beam annealing method in which annealing is performed by sweeping irradiation of a light beam. A first step of irradiating a beam to evaporate hydrogen contained in the object to be annealed, and after the first step, irradiating the object to be annealed with a light beam having a second energy larger than the first energy And a second step of crystallizing the object to be annealed.

【0007】上述の本発明方法によれば、光ビームの掃
引につれ、その第1工程、第2工程のエネルギーによっ
て漸次、目的とする所要の深さのアニールを行い得るエ
ネルギーの大きさまで高められていくので、漸次被アニ
ール体1中の揮発性物質、特に水素の蒸発が進行するこ
とによる爆発的噴出が回避されて、これに基づくアニー
ルによる結晶化の不均一特性の結晶性の低下を回避でき
ると共に、従来における光ビームの多数回の繰返し掃引
を、1回または少数回にとどめることができ、作業時間
の短縮化と、例えば光ビームのパルス照射によるときも
パルス数の減少をはかることができる。
According to the above-described method of the present invention, as the light beam is swept, the energy of the first step and the second step is gradually increased to the level of the energy capable of performing the desired annealing at the desired depth. As a result, the explosive ejection due to the progressive evaporation of volatile substances, particularly hydrogen, in the object 1 to be annealed is avoided, and a decrease in the crystallinity of the non-uniform crystallization characteristics due to the annealing can be avoided. At the same time, the conventional repeated sweeping of the light beam a large number of times can be limited to one or a small number of times, so that the working time can be shortened and the number of pulses can be reduced even when the light beam is irradiated with pulses. .

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】本発明方法においては、水素化さ
れた被アニール体に対して第1のエネルギーの光ビーム
を照射し、この被アニール体中に含む水素を蒸発させる
工程と、その後の被アニール体に対し第1のエネルギー
より大きい第2のエネルギーの光ビームを照射して被ア
ニール体を結晶化する工程とを採る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the method of the present invention, a step of irradiating a hydrogenated object to be annealed with a light beam having a first energy to evaporate hydrogen contained in the object to be annealed, Irradiating the object to be annealed with a light beam having a second energy larger than the first energy to crystallize the object to be annealed.

【0009】例えばTFTの製造工程におけるシリコン
多結晶層を形成する場合の一例を説明する。この場合、
図1および図2に示すように、ガラス板等の各種の基板
2上にCVD法によって形成したa−Si:H層等の非
晶質層3を生成した被アニール体1が用意される。
An example in which a polycrystalline silicon layer is formed in a TFT manufacturing process will be described. in this case,
As shown in FIG. 1 and FIG. 2, an object to be annealed 1 having an amorphous layer 3 such as an a-Si: H layer formed by a CVD method on various substrates 2 such as a glass plate is prepared.

【0010】そして、この被アニール体1の非晶質層
3、すなわちa−Si:H層に、例えば図1に示すよう
に、例えばXeClエキシマレーザーからのレーザー光
による光ビームスポットsを、図1において矢印をもっ
て示すように左右にジグザグパターンの軌跡を描いて平
行線上に沿うように1回だけ掃引する。
Then, as shown in FIG. 1, for example, a light beam spot s by a laser beam from a XeCl excimer laser is formed on the amorphous layer 3 of the object 1 to be annealed, ie, the a-Si: H layer. In FIG. 1, the trajectory of the zigzag pattern is drawn left and right as indicated by an arrow, and sweeping is performed only once along a parallel line.

【0011】この場合の光ビームスポットsのエネルギ
ー分布は、スポットsの掃引方向の先方側から後方側に
向って、複数段階、例えば7段階に、a−Si:H層2
の表面を結晶化、すなわち溶融する1400℃に達する
エネルギーE1 例えば170mJ/cm2 から、所要の
厚さ例えば1000Åに亘って結晶化することのできる
エネルギーE7 例えば250mJ/cm2 までを例えば
ほぼ等分割したエネルギーE1 〜E7 に分布させる。そ
して、今光ビームの掃引を図1におけるように、奇数番
目の掃引線b1 ,b3 ,b5 ‥‥に対しては同図におい
て左から右へ、偶数番目の掃引線b2 ,b4 ,b6 ‥‥
に関しては、スポットsの上下左右関係を変えずに逆の
右から左へ行うように、往復2方向の掃引を行うとき
は、図3に示すように、両方向に関して対称的な分布と
する。しかしながら、光ビームの掃引方向が特定の一方
向である場合、例えば図3中実線矢印方向の左から右向
きである場合は、そのエネルギー分布は実線図示のよう
に、スポットsの先方、つまり掃引によって、被アニー
ル体1のすなわち、非晶質層2上の各位置にスポット照
射が始まる側が低いエネルギーを示し後方に向ってエネ
ルギーが高くなる分布のみとし、掃引方向が逆方向であ
る場合は、非線図示の逆傾斜の分布のみとする。
In this case, the energy distribution of the light beam spot s is divided into a plurality of stages, for example, seven stages, from the front side to the rear side in the sweep direction of the spot s, and the a-Si: H layer 2 is formed.
Crystallized surface, i.e. from the energy E 1 for example 170 mJ / cm 2 reaches 1400 ° C. to melt, substantially for example up energy E 7 for example 250 mJ / cm 2 can be crystallized over the required thickness for example 1000Å The energy is distributed to the equally divided energies E 1 to E 7 . Then, as shown in FIG. 1, the sweep of the light beam is performed from left to right with respect to odd-numbered sweep lines b 1 , b 3 , b 5 }, and even-numbered sweep lines b 2 , b 4 , b 6 ‥‥
As shown in FIG. 3, when the reciprocating sweeping is performed in two directions such that the spot s is changed from right to left without changing the vertical and horizontal relationship of the spot s, the distribution is symmetrical in both directions. However, when the sweep direction of the light beam is one specific direction, for example, from left to right in the direction of the solid arrow in FIG. 3, the energy distribution is in front of the spot s, that is, In other words, when only the distribution where the spot irradiation starts at each position on the amorphous layer 2 of the body 1 to be annealed has low energy and the energy increases toward the rear, and the sweep direction is reverse, the non- Only the distribution of the reverse inclination shown in the line diagram is assumed.

【0012】このようなエネルギー分布を有するスポッ
トsを得るには、レーザー光を、このレーザー光の波長
に対する光透過率が掃引方向に沿って中心から両側に向
って1次元的に変化するか、同心円的に変化する光学フ
ィルタFに通過させることによって得ることができる。
In order to obtain a spot s having such an energy distribution, the laser beam is generated by changing the light transmittance with respect to the wavelength of the laser beam one-dimensionally from the center to both sides in the sweep direction. It can be obtained by passing through an optical filter F that changes concentrically.

【0013】このフィルタFとしては、例えば図4に示
すように、得ようとするエネルギー分布の段数に応じた
フィルタ枚数のフィルタ板f(f1 ,f2 ‥‥)の積層
によって構成し得る。例えば今図3に示した左右対称の
7段階のエネルギー分布を得ようとする場合は、図4に
示すように、スポット幅Wsに対応する幅(直径)W1
の高光透過率部h1 を中心部に有し、両側もしくは周辺
が低光透過率部b1 を有するフィルタ板f1 と、その高
光透過率部h1 の内縁から、図3で示した第1段のエネ
ルギーE1 のステップ幅に対応する幅だけ内方に突出す
る高光透過率部h2 を有しその両側もしくは周辺が低光
透過率部b2 を有するフィルタ板f2 と、順次各段のス
テップ幅に対応する幅だけ内方に突出する高光透過率部
3 ‥‥h7 を有しその両側もしくは周辺に低光透過率
部b3 ‥‥b7 を有するフィルタf3 ‥‥f7 とを積層
した光学フィルタFを用い得る。
As shown in FIG. 4, for example, this filter F can be formed by laminating filter plates f (f 1 , f 2 ‥‥) of the number of filters corresponding to the number of steps of the energy distribution to be obtained. For example, when it is desired to obtain the seven-stage energy distribution symmetrical as shown in FIG. 3, the width (diameter) W 1 corresponding to the spot width Ws as shown in FIG.
Has a high light transmittance portion h 1 in the center, the sides or around the filter plates f 1 having a low light transmittance portion b 1, shown from the inner edge of its high light transmittance portion h 1, in FIG. 3 high light transmittance portion h 2 a has both sides or peripheral projecting inwardly by the width corresponding to the step width of the energy E 1 of the first stage is a filter plate f 2 having a low light transmittance portion b 2, successively each A filter f 3を having a high light transmittance portion h 3 ‥‥ h 7 protruding inward by a width corresponding to the step width of the step and having a low light transmittance portion b 3 ‥‥ b 7 on both sides or around the same. It may use an optical filter F by laminating a f 7.

【0014】この光学フィルタFのフィルタ板f1 〜f
7 の各低光通過率部b1 ,b2 ,b3 ‥‥b7 は、それ
ぞれその透過率を例えば93%に選定する。このフィル
タFに、アニール用の所要のエネルギーの光ビームL例
えばXeClエキシマーレーザー光を透過させれば、フ
ィルタFの透過後のスポットに、図3に示した段階的エ
ネルギー分布を得ることができる。
The filter plates f 1 to f of this optical filter F
Each low light passing rate of 7 b 1, b 2, b 3 ‥‥ b 7 are respectively selecting the transmittance for example, 93%. When a light beam L having a required energy for annealing, for example, a XeCl excimer laser beam is transmitted through the filter F, a stepwise energy distribution shown in FIG.

【0015】このエネルギー分布を有するレーザービー
ムを、図1で示した掃引パターンをもってその掃引速度
を例えば5mm/秒で掃引し、この掃引速度に比し充分
小さい例えば30×10-9secのパルス幅およびピッ
チを有するパルスレーザー光を照射した。このようにし
てa−Si:Hによる非晶質層2をアニールしたとこ
ろ、水素の噴出による結晶化の阻害、不均一性が回避さ
れ、良好な結晶化がなされ、緻密で均一な結晶粒の生成
がなされた良好なキャリアの移動度の高い多結晶Si層
が得られた。このSi層に対して電界効果トランジスタ
を作製したいわゆる薄膜トランジスタTFTの、そのド
レイン電圧VD をパラメータとするドレイン電流ID
ゲート電圧VG 特性の測定結果は、図5で示すように優
れた特性を示した。
The laser beam having this energy distribution is swept at a sweep speed of, for example, 5 mm / sec according to the sweep pattern shown in FIG. 1, and a pulse width of, for example, 30 × 10 -9 sec, which is sufficiently smaller than the sweep speed. And a pulsed laser beam having a pitch. When the amorphous layer 2 is annealed with a-Si: H in this manner, the inhibition of crystallization and non-uniformity due to the ejection of hydrogen are avoided, excellent crystallization is performed, and fine and uniform crystal grains are formed. The generated polycrystalline Si layer having good carrier mobility was obtained. A drain current I D − of a so-called thin film transistor TFT in which a field-effect transistor is manufactured on the Si layer, using the drain voltage V D as a parameter.
Measurement of the gate voltage V G characteristics exhibited excellent properties as shown in Figure 5.

【0016】尚、上述した例では光ビームのエネルギー
を段階的分布とした場合であるが、或る場合は、連続的
に変化する分布とすることもできる。
In the above-described example, the energy of the light beam has a stepwise distribution. However, in some cases, the energy may be a distribution that changes continuously.

【0017】また上述した例では、a−Si:Hの非晶
質層2に対する結晶化のアニールに本発明を適用した場
合であるが、そのほか同様に水素等の揮発性物質を含む
シリコンゲルマニウム、シリコンカーバイトの各非晶質
層の結晶化、或いは微結晶シリコン層等の微結晶多結晶
の再結晶化アニール等の各種アニールに本発明を適用す
ることができる。
In the above-described example, the present invention is applied to the annealing for crystallization of the amorphous layer 2 of a-Si: H. In addition, silicon germanium containing a volatile substance such as hydrogen, The present invention can be applied to various anneals such as crystallization of each amorphous layer of silicon carbide or recrystallization annealing of microcrystalline polycrystal such as a microcrystalline silicon layer.

【0018】[0018]

【発明の効果】上述の本発明方法によれば、被アニール
体1側からみて、そのアニールされるべき各位置で、光
ビームスポットsの掃引につれ、そのエネルギー分布に
よって漸次、段階的或いは連続的に各部において目的と
する所要の深さのアニールを行い得るエネルギーの大き
さまで高められていくので、各位置で一回の掃引で暫時
被アニール体1中の揮発性物質の水素蒸発が進行するこ
とによる水素の爆発的噴出が回避されて、アニール処理
による結晶化の不均一性率の結晶性の低下を回避できる
と共に、従来における光ビームの多数回の繰返し掃引
を、1回または少数回にとどめることができ、作業時間
の短縮化、更に例えば光ビームのパルス照射によるとき
はそのパルス数の減少をはかることができる。
According to the above-described method of the present invention, as viewed from the object 1 to be annealed, at each position to be annealed, as the light beam spot s is swept, its energy distribution gradually, stepwise or continuously. In each part, the energy is increased to the extent that the desired required depth of annealing can be performed, so that the hydrogen evaporation of the volatile substance in the annealed object 1 progresses temporarily by one sweep at each position. Explosive ejection of hydrogen by heat treatment can be avoided, and a reduction in the crystallinity of the crystallization non-uniformity rate due to the annealing treatment can be avoided, and the conventional multiple repetitive sweeps of the light beam can be limited to one or a few. The working time can be shortened, and the number of pulses can be reduced, for example, when the light beam is pulsed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明方法の一例の光ビーム掃引の態様を示す
平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of a light beam sweep of an example of the method of the present invention.

【図2】図1の側面図である。FIG. 2 is a side view of FIG.

【図3】本発明方法の一例の光ビームエネルギー分布図
である。
FIG. 3 is a light beam energy distribution diagram of an example of the method of the present invention.

【図4】光学フィルタの一例の断面図である。FIG. 4 is a sectional view of an example of an optical filter.

【図5】本発明方法を用いて得たTFTのID −VG
性曲線図である。
5 is a I D -V G characteristic diagram of the obtained a TFT by using the present invention method.

【図6】従来方法の説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram of a conventional method.

【符号の説明】 1‥‥被アニール体、F‥‥光学フィルタ[Description of Signs] 1) Annealed object, F} Optical filter

フロントページの続き (72)発明者 碓井 節夫 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内Continuation of the front page (72) Inventor Setsuo Usui 6-7-35 Kita Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Inside Sony Corporation

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 光ビームの掃引照射によりアニールを行
う光ビームアニーリング法において、 水素化された被アニール体に対し第1のエネルギーの光
ビームを照射し、該被アニール体中に含有される水素を
蒸発させる第1工程と、 上記第1工程の後、上記被アニール体に対し上記第1の
エネルギーより大きい第2のエネルギーの光ビームを照
射し、上記被アニール体を結晶化する第2工程とを有す
ることを特徴とする光ビームアニーリング法。
In a light beam annealing method in which annealing is performed by sweeping irradiation of a light beam, a hydrogenated object to be annealed is irradiated with a first energy light beam, and hydrogen contained in the object to be annealed is A second step of irradiating the object to be annealed with a light beam having a second energy larger than the first energy to crystallize the object to be annealed after the first step And a light beam annealing method.
JP409898A 1998-01-12 1998-01-12 Light beam annealing method Pending JPH10163109A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002299233A (en) * 2001-03-29 2002-10-11 Toshiba Corp Semiconductor thin-film forming method
US6990561B2 (en) 2000-05-23 2006-01-24 Ntt Comware Corporation Data sharing method, terminal, and medium on which program is recorded

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6990561B2 (en) 2000-05-23 2006-01-24 Ntt Comware Corporation Data sharing method, terminal, and medium on which program is recorded
JP2002299233A (en) * 2001-03-29 2002-10-11 Toshiba Corp Semiconductor thin-film forming method

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