JPH10160978A - Optical signal transmission and reception module and its production - Google Patents
Optical signal transmission and reception module and its productionInfo
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- JPH10160978A JPH10160978A JP8315217A JP31521796A JPH10160978A JP H10160978 A JPH10160978 A JP H10160978A JP 8315217 A JP8315217 A JP 8315217A JP 31521796 A JP31521796 A JP 31521796A JP H10160978 A JPH10160978 A JP H10160978A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光データ伝送装置
に使用される、電気信号/光信号変換機能をもつ光送信
機と、光信号/電気信号変換機能をもつ光受信機を、別
々または一体化した光送受信モジュールの構造及びその
製造方法に関するものである。The present invention relates to an optical transmitter having an electric signal / optical signal conversion function and an optical receiver having an optical signal / electric signal conversion function, which are used in an optical data transmission apparatus. The present invention relates to a structure of an integrated optical transceiver module and a method of manufacturing the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、文献名:1995年 電子情報通信学会エレク
トロニクスソサイエティ大会 SC−1−12、331
〜332頁に開示されるものがあった。図5はかかる従
来のLDチップ実装状態を示す全体斜視図、図6は図5
のA−A線断面図、図7は従来の光送信モジュールのS
i基板の平面図、図8は従来の光送信モジュールのLD
チップの搭載面を示す平面図、図9は従来の光送信モジ
ュールのLDチップの搭載面の認識マークを示す図であ
る。2. Description of the Related Art Conventionally, techniques in such a field include:
For example, the document title: 1995 IEICE Electronics Society Conference SC-1-12, 331
On page 332. FIG. 5 is an overall perspective view showing such a conventional LD chip mounted state, and FIG.
7 is a sectional view taken along line AA of FIG. 7, and FIG.
FIG. 8 is a plan view of an i-substrate, and FIG.
FIG. 9 is a plan view showing a mounting surface of a chip, and FIG. 9 is a diagram showing recognition marks on a mounting surface of an LD chip of a conventional optical transmission module.
【0003】これらの図において、1はLDチップ、2
はシリコン基板(以下、Si基板)、3はV溝、4はは
んだ、5aはSi基板側認識マーク、5bはLDチップ
側認識マーク、6aはSi基板側電極パターン、6bは
LDチップ側電極パターンを示している。Si基板2へ
のLDチップ1の搭載は、ビジュアル方式により、図7
に示すように、Si基板平面図に示すSi基板側認識マ
ーク5aに対して、図8に示すように、LDチップ搭載
面に設けたLDチップ側認識マーク5bを、赤外線によ
り検出および位置決め調整を行うことにより、Si基板
2に対してLDチップ1を搭載し、Si基板2に設けた
Si基板側電極パターン6aと、LDチップ搭載面に設
けられたLDチップ側電極パターン6bをはんだ4にて
接続を行う構造であった。In these figures, 1 is an LD chip, 2
Is a silicon substrate (hereinafter, Si substrate), 3 is a V-groove, 4 is a solder, 5a is a Si substrate side recognition mark, 5b is an LD chip side recognition mark, 6a is a Si substrate side electrode pattern, and 6b is an LD chip side electrode pattern. Is shown. The mounting of the LD chip 1 on the Si substrate 2 is performed by a visual method as shown in FIG.
As shown in FIG. 8, with respect to the Si substrate side recognition mark 5a shown in the Si substrate plan view, as shown in FIG. As a result, the LD chip 1 is mounted on the Si substrate 2, and the Si substrate side electrode pattern 6 a provided on the Si substrate 2 and the LD chip side electrode pattern 6 b provided on the LD chip mounting surface are soldered 4. The connection was made.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の光送受信モジュールのチップ搭載構造では下記
に示すような問題点があった。 (1)チップ搭載時の位置決め調整が必要なため、工程
が複雑になり、その製作に多くの工数・コストが必要で
あった。However, the above-described conventional chip mounting structure of the optical transceiver module has the following problems. (1) Since the positioning adjustment at the time of mounting the chip is required, the process becomes complicated, and the manufacturing thereof requires many man-hours and costs.
【0005】(2)位置決めのための認識マークが認識
し難いため、正確な位置決めが難しい。 (3)高さ軸方向において高精度に位置出しができな
い。 本発明は、上記問題点を除去し、チップ搭載時の位置決
めの無調整化により、工程が単純になり、工数の削減化
が図れるとともに、コストを低減することができる光送
受信モジュール及びその製造方法を提供することを目的
とする。(2) Accurate positioning is difficult because the recognition mark for positioning is difficult to recognize. (3) Positioning cannot be performed with high accuracy in the height axis direction. The present invention eliminates the above problems and simplifies the process by eliminating the need for positioning at the time of chip mounting, thereby reducing the number of steps and reducing the cost, and a method of manufacturing the same. The purpose is to provide.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 (1)光送受信モジュールにおいて、表面に平坦部分を
残して端面に向かって漸次深さが深くなるV溝を有する
Si基板と、このSi基板の平坦部分の一方側のみに、
はんだバンプを有し、はんだバンプのない側は前記V溝
上に位置し、かつ前記Si基板の表面にコンタクトする
光半導体素子と、この光半導体素子のはんだバンプのな
い側に対応して位置決めされるように、前記V溝に配置
される光ファイバとを設けるようにしたものである。In order to achieve the above object, the present invention provides: (1) an optical transceiver module having a V-groove whose depth gradually increases toward an end surface while leaving a flat portion on the surface. On the Si substrate and only one side of the flat portion of the Si substrate,
The side having no solder bumps is positioned on the V-groove, and is positioned corresponding to the optical semiconductor element contacting the surface of the Si substrate, and the side of the optical semiconductor element having no solder bumps. Thus, the optical fiber disposed in the V-groove is provided.
【0007】(2)上記(1)記載の光送受信モジュー
ルにおいて、前記V溝は幅を端面に向かって漸次広くな
るように形成してなる。 (3)光送受信モジュールの製造方法において、表面に
平坦部分を残して端面に向かって漸次深さが深くなるV
溝を有するSi基板を用意する工程と、前記Si基板の
平坦部分の一方側のみに、光半導体素子のはんだバンプ
を配置し、はんだバンプのない側をSi基板上にコンタ
クトする工程と、前記光半導体素子のはんだバンプのな
い側の端面に対応して位置決めされるように、前記V溝
に光ファイバを配置する工程とを施すようにしたもので
ある。(2) In the optical transceiver module according to the above (1), the V-groove is formed so that the width gradually increases toward the end face. (3) In the method for manufacturing an optical transceiver module, V gradually increases in depth toward the end face while leaving a flat portion on the surface.
A step of preparing a Si substrate having a groove, a step of arranging a solder bump of an optical semiconductor element only on one side of a flat portion of the Si substrate, and contacting a side without the solder bump on the Si substrate; Arranging an optical fiber in the V-groove so as to be positioned corresponding to the end face of the semiconductor element on the side where the solder bump is not provided.
【0008】(4)光送受信モジュールにおいて、表面
に平坦部分を残して一端面に向かって欠所と、もう一方
の端面に向かってV溝とを有するSi基板と、このSi
基板の欠所にはんだバンプを有し、もう一方の端面側に
ははんだバンプをなくし、このはんだバンプのない側を
前記Si基板の平坦部分にコンタクトする光半導体素子
と、この光半導体素子のはんだバンプのない側の端面に
位置決めされるように、前記V溝に配置される光ファイ
バを設けるようにしたものである。(4) In the optical transmitting and receiving module, a Si substrate having a recess toward one end surface except for a flat portion on the surface and a V-groove toward the other end surface;
An optical semiconductor element having a solder bump in a defect of the substrate, eliminating the solder bump on the other end face side, and contacting the side without the solder bump with a flat portion of the Si substrate; An optical fiber arranged in the V-groove is provided so as to be positioned on the end face on the side without the bump.
【0009】(5)光送受信モジュールの製造方法にお
いて、表面に平坦部分を残して一端面に向かって欠所
と、もう一方の端面に向かってV溝とを有するSi基板
を用意する工程と、このSi基板の欠所にはんだバンプ
を配置し、もう一方の端面側にははんだバンプをなく
し、このはんだバンプのない側を前記Si基板の平坦部
分に光半導体素子をコンタクトする工程と、前記端面発
光型光半導体素子のはんだバンプのない側に位置決めさ
れるように、光ファイバを前記V溝に配置する工程とを
施すようにしたものである。(5) In a method of manufacturing an optical transceiver module, a step of preparing a Si substrate having a recess toward one end surface and a V-groove toward the other end surface, leaving a flat portion on the surface; Placing a solder bump in a defect of the Si substrate, eliminating the solder bump on the other end surface side, and contacting the side without the solder bump with an optical semiconductor element to a flat portion of the Si substrate; Arranging the optical fiber in the V-groove so as to be positioned on the side of the light-emitting type optical semiconductor element where there is no solder bump.
【0010】上記のように構成したので、 (A)チップ搭載時の位置決めの無調整化により、工程
が単純になり、工数の削減化が図れるとともに、コスト
を低減することができる。 (B)チップの搭載、接続をX−Z平面方向において
は、Si基板とチップをフリップチップ実装とし、セル
フアライン効果により高精度搭載、接続が可能である。
これにより安定した光送受信モジュール等の光半導体素
子実装を図ることができる。[0010] With the above configuration, (A) the process is simplified by eliminating the adjustment of the positioning when mounting the chip, the man-hour can be reduced, and the cost can be reduced. (B) Chip mounting and connection in the XZ plane direction is achieved by flip chip mounting of the Si substrate and the chip, and high precision mounting and connection are possible by the self-alignment effect.
This makes it possible to stably mount an optical semiconductor element such as an optical transceiver module.
【0011】(C)チップの搭載、接続をY軸方向にお
いてはSi基板上にはんだバンプのない発光面側をコン
タクト状態とすることにより高さが一定となり、高精度
搭載、接続が可能である。これにより安定した光送受信
モジュール等の光半導体素子を実装することができる。(C) Mounting and connecting the chip in the Y-axis direction makes the light emitting surface side where there is no solder bump on the Si substrate a contact state, so that the height becomes constant and high precision mounting and connection are possible. . Thus, a stable optical semiconductor element such as an optical transceiver module can be mounted.
【0012】[0012]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図1は本発明の第1
実施例を示す光送信モジュールの平面図、図2は図1の
A−A断面図である。これらの図において、11はLD
チップ、12はSi基板、13ははんだバンプ、14は
V溝、15は光ファイバを示す。LDチップ11は、S
i基板12上にフリップチップ実装されている。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows the first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view of an optical transmission module showing an embodiment, and FIG. 2 is a sectional view taken along line AA of FIG. In these figures, 11 is LD
A chip, 12 is a Si substrate, 13 is a solder bump, 14 is a V groove, and 15 is an optical fiber. LD chip 11 is S
It is flip-chip mounted on the i-substrate 12.
【0013】この第1実施例のSi基板12は、表面に
平坦部分を残して端面に向かって漸次深さが深くなるV
溝14を有している。LDチップ11は、このSi基板
12の平坦部分の一方側に、はんだバンプ13を有し、
片側にははんだバンプのない側は、V溝14上に位置
し、かつSi基板12の表面にコンタクトする。そし
て、このLDチップ11の片側に対応して位置決めさ
れ、光ファイバ15をV溝14に配置する。The Si substrate 12 of the first embodiment has a V which gradually increases in depth toward the end surface, leaving a flat portion on the surface.
It has a groove 14. The LD chip 11 has a solder bump 13 on one side of the flat portion of the Si substrate 12,
The side having no solder bump on one side is located on the V groove 14 and contacts the surface of the Si substrate 12. Then, the optical fiber 15 is positioned corresponding to one side of the LD chip 11 and the optical fiber 15 is arranged in the V groove 14.
【0014】このように、はんだバンプ13のない発光
面側をSi基板12上にコンタクトさせることにより、
斜めにフリップチップ実装されている。光半導体素子を
傾けて実装すると、光軸も傾く。この状態で、光ファイ
バ15との光整合を行うと、光結合効率が減少してしま
う。そこで、光ファイバ15をLDチップ11の傾きと
同様な傾きを持たせるため、Si基板12上のV溝14
を斜めに形成する。光ファイバ15は、端面が斜めに角
度付けされた光ファイバを用いることにより、光ファイ
バ15端面での反射戻り光を減少させることができるの
は言うまでもない。As described above, by contacting the light emitting surface without the solder bumps 13 on the Si substrate 12,
It is flip-chip mounted diagonally. When the optical semiconductor element is mounted with a tilt, the optical axis also tilts. If optical matching with the optical fiber 15 is performed in this state, the optical coupling efficiency decreases. Therefore, in order to make the optical fiber 15 have the same inclination as the inclination of the LD chip 11, the V-groove 14 on the Si substrate 12 is formed.
Are formed obliquely. It goes without saying that the use of the optical fiber 15 whose end face is obliquely angled can reduce the return light reflected at the end face of the optical fiber 15.
【0015】ここで、重要なことは、LDチップ11の
実装にあたり、はんだバンプ13を片側にのみ配置し、
もう一方側にははんだバンプを設けることなく、発光面
側をSi基板12上にコンタクトさせることにより、L
Dチップ11の位置決め(LDチップの傾き)を正確に
行うようにした点にある。すなわち、従来のように、L
Dチップの裏面にはんだによりダイボンディング(図6
参照)したり、LDチップの両側をはんだバンプにより
接続すると、そのLDチップを位置決めすることが困難
であり、光ファイバへの光結合効率が劣化することにな
る。Here, what is important is that when mounting the LD chip 11, the solder bumps 13 are arranged only on one side,
By providing the light emitting surface side on the Si substrate 12 without providing a solder bump on the other side,
The point is that the positioning of the D chip 11 (the inclination of the LD chip) is performed accurately. That is, as in the conventional case, L
Die bonding with solder on the back of D chip (Fig. 6
), Or when both sides of the LD chip are connected by solder bumps, it is difficult to position the LD chip, and the efficiency of optical coupling to the optical fiber is degraded.
【0016】その点、本発明では、LDチップ11の実
装にあたり、はんだバンプ13を片側にのみ配置し、も
う一方側にははんだバンプを設けることなく、発光面側
をSi基板12上にコンタクトさせることにより、一方
側のはんだバンプ接続だけですむために、LDチップ1
1の位置決め(LDチップの傾き)を一方側のはんだバ
ンプ13の高さを考慮するだけで、正確に行うことがで
きる。In this regard, in the present invention, when mounting the LD chip 11, the solder bumps 13 are arranged on only one side, and the light emitting surface is brought into contact with the Si substrate 12 without providing solder bumps on the other side. As a result, the LD chip 1
Positioning 1 (tilt of the LD chip) can be accurately performed only by considering the height of the solder bump 13 on one side.
【0017】このような構造をとることで、LDチップ
11は片側のはんだバンプ13により、X−Z平面には
位置精度良く自己整合され、かつ発光面側をSi基板1
2にコンタクトさせることにより、LDチップ11の発
光部分は高さ(Y軸)方向一定の高さとなる。また、光
ファイバ15も同様な傾きを持たせることにより、光結
合効率の減少も防ぐことができる。By adopting such a structure, the LD chip 11 is self-aligned with good positional accuracy on the XZ plane by the solder bumps 13 on one side, and the light emitting surface side is the Si substrate 1.
By making contact with 2, the light emitting portion of the LD chip 11 has a constant height in the height (Y-axis) direction. Also, by giving the optical fiber 15 a similar inclination, a decrease in the optical coupling efficiency can be prevented.
【0018】次に、本発明の第2実施例について説明す
る。図3は本発明の第2実施例を示す光送信モジュール
の平面図、図4は図3のA−A断面図である。これらの
図において、21はLDチップ、22はSi基板、23
ははんだバンプ、24はV溝、25は光ファイバを示
す。LDチップ21はSi基板22上でフリップチップ
実装されている。Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 3 is a plan view of an optical transmission module according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a sectional view taken along line AA of FIG. In these figures, 21 is an LD chip, 22 is a Si substrate, 23
Denotes a solder bump, 24 denotes a V groove, and 25 denotes an optical fiber. The LD chip 21 is flip-chip mounted on the Si substrate 22.
【0019】このように、LDチップ21は、はんだバ
ンプ23を片側にのみ配置し、かつSi基板22の欠所
(低い)部分22Bに配置されている。また、LDチッ
プ21は、はんだバンプ23のない発光面側を、Si基
板22上の凸部(高い)部分22Aにコンタクトさせる
ことにより、水平にフリップチップ実装される。光ファ
イバ25は、V溝24により、水平に搭載される。な
お、22CはSi基板22の欠所(低い)部分22Bか
ら凸部(高い)部分22Aへの遷移する傾斜部である。As described above, the LD chip 21 has the solder bumps 23 arranged only on one side and the missing (low) portion 22 B of the Si substrate 22. The LD chip 21 is horizontally flip-chip mounted by contacting the light emitting surface side without the solder bumps 23 with the protruding (high) portion 22A on the Si substrate 22. The optical fiber 25 is mounted horizontally by the V-groove 24. Reference numeral 22C denotes an inclined portion that transitions from the missing (low) portion 22B of the Si substrate 22 to the convex (high) portion 22A.
【0020】この実施例においても、LDチップ21の
片側のはんだバンプ23の高さのみを考慮するだけで、
LDチップ21の位置(水平度)を決定することがで
き、光ファイバへの光結合効率を高めることができる。
このような構造をとることで、LDチップ21は片側の
はんだバンプ23により、X−Z平面には位置精度良く
自己整合され、かつ発光面側をSi基板22にコンタク
トさせることにより、LDチップ21の発光部分の高さ
(Y軸)方向は一定の高さとなる。Also in this embodiment, only the height of the solder bump 23 on one side of the LD chip 21 is considered,
The position (horizontality) of the LD chip 21 can be determined, and the efficiency of optical coupling to an optical fiber can be increased.
By adopting such a structure, the LD chip 21 is self-aligned with good positional accuracy on the XZ plane by the solder bumps 23 on one side, and the light emitting surface side is brought into contact with the Si substrate 22 so that the LD chip 21 The height (Y-axis) direction of the light emitting portion is constant.
【0021】なお、上記実施例では、送信素子としての
LDチップの実装について述べたが、受信素子としての
PD素子の実装についても同様に適用することができ
る。その意味で、本発明は、光半導体素子(チップ)の
実装に係わるものであり、光送受信モジュールに関する
ものである。また、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。In the above embodiment, the mounting of the LD chip as the transmitting element has been described. However, the same can be applied to the mounting of the PD element as the receiving element. In this sense, the present invention relates to the mounting of an optical semiconductor element (chip), and relates to an optical transceiver module. Further, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications are possible based on the gist of the present invention, and these are not excluded from the scope of the present invention.
【0022】[0022]
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 (A)チップ搭載時の位置決めの無調整化により、工程
が単純になり、工数の削減化が図れるとともに、コスト
を低減することができる。As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained. (A) The non-adjustment of the positioning at the time of mounting the chip simplifies the process, reduces man-hours, and reduces costs.
【0023】(B)チップの搭載、接続をX−Z平面方
向においては、Si基板とチップをフリップチップ実装
とし、セルフアライン効果により高精度搭載、接続が可
能である。これにより安定した光送受信モジュール等の
光半導体素子実装を図ることができる。 (C)チップの搭載、接続をY軸方向においてはSi基
板上にはんだバンプのない発光面側をコンタクト状態と
することにより高さが一定となり、高精度搭載、接続が
可能である。これにより安定した光送受信モジュール等
の光半導体素子を実装することができる。(B) Mounting and connecting the chip in the XZ plane direction, the Si substrate and the chip are flip-chip mounted, so that high-precision mounting and connection are possible by the self-alignment effect. This makes it possible to stably mount an optical semiconductor element such as an optical transceiver module. (C) In mounting and connecting the chip in the Y-axis direction, the light emitting surface side where there is no solder bump on the Si substrate is in a contact state, so that the height is constant, and high precision mounting and connection are possible. Thus, a stable optical semiconductor element such as an optical transceiver module can be mounted.
【図1】図1は本発明の第1実施例を示す光送信モジュ
ールの平面図である。FIG. 1 is a plan view of an optical transmission module according to a first embodiment of the present invention.
【図2】図1のA−A断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line AA of FIG.
【図3】本発明の第2実施例を示す光送信モジュールの
平面図である。FIG. 3 is a plan view of an optical transmission module according to a second embodiment of the present invention.
【図4】図3のA−A断面図である。FIG. 4 is a sectional view taken along line AA of FIG. 3;
【図5】従来のLDチップ実装状態を示す全体斜視図で
ある。FIG. 5 is an overall perspective view showing a conventional LD chip mounted state.
【図6】図5のA−A線断面図である。FIG. 6 is a sectional view taken along line AA of FIG. 5;
【図7】従来の光送信モジュールのSi基板の平面図で
ある。FIG. 7 is a plan view of a Si substrate of a conventional optical transmission module.
【図8】従来の光送信モジュールのLDチップの搭載面
を示す平面図である。FIG. 8 is a plan view showing a mounting surface of an LD chip of a conventional optical transmission module.
【図9】従来の光送信モジュールのLDチップの搭載面
の認識マークを示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a recognition mark on a mounting surface of an LD chip of a conventional optical transmission module.
11,21 LDチップ 12,22 Si基板 13,23 はんだバンプ 14,24 V溝 15,25 光ファイバ 22A Si基板上の凸部(高い)部分 22B Si基板の欠所(低い)部分 22C Si基板の傾斜部 11, 21 LD chip 12, 22 Si substrate 13, 23 Solder bump 14, 24 V groove 15, 25 Optical fiber 22A Convex (high) portion on Si substrate 22B Missing (low) portion of Si substrate 22C On Si substrate Inclined part
Claims (5)
面に平坦部分を残して端面に向かって漸次深さが深くな
るV溝を有するSi基板と、(b)該Si基板の平坦部
分の一方側のみにはんだバンプを有し、はんだバンプの
ない側は前記V溝上に位置し、かつ前記Si基板の表面
にコンタクトする光半導体素子と、(c)該光半導体素
子のはんだバンプのない側に対応して位置決めされるよ
うに、前記V溝に配置される光ファイバとを具備するこ
とを特徴とする光送受信モジュール。1. An optical transceiver module comprising: (a) a Si substrate having a V-groove whose depth gradually increases toward an end surface while leaving a flat portion on the surface; and (b) one side of the flat portion of the Si substrate. An optical semiconductor device having solder bumps only on the V-groove and contacting the surface of the Si substrate with no solder bumps; and (c) corresponding to the optical semiconductor device without solder bumps. An optical fiber disposed in the V-groove so as to be positioned as described above.
いて、前記V溝は幅を端面に向かって漸次広くなるよう
に形成してなる光送受信モジュール。2. The optical transceiver module according to claim 1, wherein said V-groove is formed so that a width thereof is gradually increased toward an end face.
て、(a)表面に平坦部分を残して端面に向かって漸次
深さが深くなるV溝を有するSi基板を用意する工程
と、(b)前記Si基板の平坦部分の一方側のみに光半
導体素子のはんだバンプを配置し、はんだバンプのない
側をSi基板上にコンタクトする工程と、(c)前記光
半導体素子のはんだバンプのない側の端面に対応して位
置決めされるように、前記V溝に光ファイバを配置する
工程とを施すことを特徴とする光送受信モジュールの製
造方法。3. A method for manufacturing an optical transceiver module, comprising: (a) preparing a Si substrate having a V-groove whose depth gradually increases toward an end surface while leaving a flat portion on the surface; and (b) forming the Si substrate. Placing a solder bump of the optical semiconductor element on only one side of the flat portion of the substrate, and contacting the side without the solder bump on the Si substrate; and (c) placing the solder bump on the end face of the optical semiconductor element without the solder bump. Arranging an optical fiber in the V-groove so as to be positioned correspondingly.
面に平坦部分を残して一端面に向かって欠所と、もう一
方の端面に向かってV溝とを有するSi基板と、(b)
該Si基板の欠所にはんだバンプを有し、前記もう一方
の端面側にははんだバンプをなくし、該はんだバンプの
ない側を前記Si基板の平坦部分にコンタクトする光半
導体素子と、(c)該光半導体素子のはんだバンプのな
い側の端面に位置決めされるように、前記V溝に配置さ
れる光ファイバを具備することを特徴とする光送受信モ
ジュール。4. An optical transceiver module, comprising: (a) a Si substrate having a recess toward one end surface, leaving a flat portion on the surface, and a V-groove toward the other end surface;
(C) an optical semiconductor element having a solder bump in a defect of the Si substrate, eliminating the solder bump on the other end face side, and contacting the side without the solder bump with a flat portion of the Si substrate; An optical transceiver module comprising: an optical fiber disposed in the V-groove so as to be positioned on an end surface of the optical semiconductor element on a side where no solder bump is provided.
て、(a)表面に平坦部分を残して一端面に向かって欠
所と、もう一方の端面に向かってV溝とを有するSi基
板を用意する工程と、(b)該Si基板の欠所にはんだ
バンプを配置し、前記もう一方の端面側にははんだバン
プをなくし、該はんだバンプのない側を前記Si基板の
平坦部分に光半導体素子をコンタクトする工程と、
(c)前記端面発光型光半導体素子のはんだバンプのな
い側に位置決めされるように、光ファイバを前記V溝に
配置する工程とを施すことを特徴とする光送受信モジュ
ールの製造方法。5. A method for manufacturing an optical transceiver module, comprising: (a) preparing a Si substrate having a recess toward one end surface and a V-groove toward the other end surface, leaving a flat portion on the surface; (B) arranging a solder bump in a defect of the Si substrate, eliminating the solder bump on the other end surface side, and contacting the optical semiconductor element with a flat portion of the Si substrate on the side without the solder bump. The process of
(C) arranging an optical fiber in the V-groove so as to be positioned on the side of the edge-emitting optical semiconductor element where no solder bump is provided.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8315217A JPH10160978A (en) | 1996-11-26 | 1996-11-26 | Optical signal transmission and reception module and its production |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8315217A JPH10160978A (en) | 1996-11-26 | 1996-11-26 | Optical signal transmission and reception module and its production |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10160978A true JPH10160978A (en) | 1998-06-19 |
Family
ID=18062814
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8315217A Withdrawn JPH10160978A (en) | 1996-11-26 | 1996-11-26 | Optical signal transmission and reception module and its production |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10160978A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015170701A (en) * | 2014-03-06 | 2015-09-28 | 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所 | optical integrated circuit device |
-
1996
- 1996-11-26 JP JP8315217A patent/JPH10160978A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015170701A (en) * | 2014-03-06 | 2015-09-28 | 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所 | optical integrated circuit device |
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