JPH10160912A - Production of light scattering plate - Google Patents

Production of light scattering plate

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JPH10160912A
JPH10160912A JP8317493A JP31749396A JPH10160912A JP H10160912 A JPH10160912 A JP H10160912A JP 8317493 A JP8317493 A JP 8317493A JP 31749396 A JP31749396 A JP 31749396A JP H10160912 A JPH10160912 A JP H10160912A
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JP
Japan
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reaction
substrate
light scattering
scatterer
scattering plate
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Application number
JP8317493A
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Japanese (ja)
Inventor
Sumuto Shimizu
澄人 清水
Toru Nakamura
徹 中村
Kajiro Ushio
嘉次郎 潮
Tetsuya Oshino
哲也 押野
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a process for producing a light scattering plate having a desired light scattering characteristic. SOLUTION: This light scattering plate has at least a substrate 1 and plural scattering bodies 3 arranged in the form of patterns on this substrate 1 and scatters incident light. This process for production consists in forming the material of the substrate 1 of a reaction initiation material which is the catalyst for an electroless plating reaction or providing the surface of the substrate with a reaction initiation layer 1b and further forming non-reaction initiation layers 4 which have plural apertures 1a and are not the catalysts for the electroless plating reaction on its surface. Plating films 3' are respectively grown by an electroless plating method on the respective apertures 1a, by which the scattering bodies 3 described above are formed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、入射した光を散乱
させる光散乱板の製造方法に関するものであり、特に、
試料に光を照射したときの散乱光の強度から微小なゴミ
を検知する検査装置におけるキャリブレーション用の光
散乱板として好適な光散乱板を製造する方法に関するも
のである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a light-scattering plate for scattering incident light.
The present invention relates to a method for manufacturing a light scattering plate suitable as a light scattering plate for calibration in an inspection device for detecting minute dust from the intensity of scattered light when a sample is irradiated with light.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体素子の作製工程等で用いられるフ
ォトマスクやシリコンウエハ等の基板部材上に存在する
ゴミの大きさや個数を検査するゴミ検査装置は、試料に
光を照射したときの散乱光の強度から微小なゴミを検知
する検査装置であり、その感度等の調整にはキャリブレ
ーション用の光散乱板が用いられる。
2. Description of the Related Art A dust inspection apparatus for inspecting the size and the number of dusts present on a substrate member such as a photomask or a silicon wafer used in a manufacturing process of a semiconductor element or the like is a scattered light generated when a sample is irradiated with light. This is an inspection device that detects minute dust from the intensity of light, and a light scattering plate for calibration is used to adjust the sensitivity and the like.

【0003】光散乱板は、例えば基板上に散乱部材を設
けたものである。散乱部材は検査するゴミと同等の散乱
特性を示すことが好ましく、例えばゴミと同程度の大き
さで比較的等方散乱特性を有する微粒子(散乱体)を基
板上に複数配列したものが好ましい。従来の光散乱板
は、例えば図3に示すような、ガラス等の基板11上に
大きさがμmオーダーまたはそれ以下の微粒子12(例
えばポリスチレン等からなる真球ビーズの散乱体)を付
着したものが用いられてきた。
The light scattering plate is, for example, one in which a scattering member is provided on a substrate. The scattering member preferably exhibits the same scattering characteristics as the dust to be inspected. For example, it is preferable that a plurality of fine particles (scatterers) having the same size as the dust and having relatively isotropic scattering characteristics are arranged on the substrate. As shown in FIG. 3, a conventional light-scattering plate has fine particles 12 (for example, scatterers of true spherical beads made of polystyrene or the like) adhered on a substrate 11 of glass or the like as shown in FIG. Has been used.

【0004】真球ビーズ(散乱体)12はその形状が球
形であるため、入射した光は等方的に散乱される。従来
の光散乱板は、真球ビーズ(散乱体)12を基板11に
スプレー等により吹き付けることで製造していた。ま
た、従来の光散乱板の製造方法としては、真球ビーズ
(散乱体)を基板上に吹きつける前記方法以外に、エッ
チング加工により散乱体を基板上に形成して光散乱板と
する方法がある。その製造工程の一例を図4に示す。
Since the spherical beads (scatterers) 12 have a spherical shape, incident light is isotropically scattered. The conventional light scattering plate has been manufactured by spraying true spherical beads (scatterers) 12 onto the substrate 11 by spraying or the like. As a conventional method of manufacturing a light scattering plate, in addition to the method of spraying true spherical beads (scattering body) onto a substrate, there is a method of forming a scattering body on a substrate by etching to form a light scattering plate. is there. FIG. 4 shows an example of the manufacturing process.

【0005】基板11上に薄膜層13’を形成して、そ
の表面にレジストパターン層14を形成する(図4
a)。さらに、エッチング法により薄膜層13’の一部
を取り除き(図3b)、最後にレジストパターン層14
を除去することにより基板11上に散乱体13を配列し
た光散乱板が得られる。ところで、前記キャリブレーシ
ョン用の光散乱板には、所定の散乱特性が要求され、さ
らに複数の光散乱板を製造する場合には、その全てが同
じ散乱特性を、或いはほぼ同等の散乱特性を有すること
が要求される。
[0005] A thin film layer 13 'is formed on a substrate 11, and a resist pattern layer 14 is formed on the surface thereof.
a). Further, a part of the thin film layer 13 'is removed by an etching method (FIG. 3B).
Is obtained, a light scattering plate in which the scatterers 13 are arranged on the substrate 11 is obtained. By the way, the light scattering plate for calibration is required to have a predetermined scattering characteristic, and when manufacturing a plurality of light scattering plates, all of them have the same scattering characteristic, or have substantially the same scattering characteristics. Is required.

【0006】かかる要求を満たすためには、基板上に設
ける散乱体の形状、大きさ、及び分布密度を同等または
略同等にする必要がある。また、基板面内における光散
乱特性の分布も均一であるか、或いは所望の分布である
必要がある。
[0006] In order to satisfy such requirements, it is necessary to make the shape, size, and distribution density of the scatterers provided on the substrate equal or substantially equal. Further, the distribution of the light scattering characteristics in the substrate surface must be uniform or have a desired distribution.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記真
球ビーズを用いた光散乱板は、散乱体である真球ビーズ
をスプレーで吹き付けていたため、基板への単位面積当
たりの真球ビーズの付着量を制御することが困難であっ
た。即ち、付着量の制御困難性から基板上に付着する真
球ビーズの個数(総数)または単位面積当たりの個数
(密度)が所望の値とは異なってしまい、光散乱特性が
ばらつくことが多いという問題点があった。
However, since the light scattering plate using the spherical beads sprays the spherical beads, which are the scatterers, with a spray, the amount of the spherical beads adhered to the substrate per unit area. Was difficult to control. That is, the number (total number) of true spherical beads or the number per unit area (density) differs from a desired value due to the difficulty in controlling the amount of adhesion, and the light scattering characteristics often vary. There was a problem.

【0008】また、スプレーによる付着は付着量分布の
制御が困難であるため、例えば均一に分布させようとし
ても、微粒子の単位面積当たりの個数は基板上の各点で
異なり、均一な光散乱特性が得られないという問題点
や、さらにスプレーによる付着では所望の分布を得るこ
とも困難であるという問題点があった。次に、散乱体は
その形状が所望の形状であることが好ましく、例えば、
等方的な光散乱特性が求められる場合は、散乱体の形状
を球形にする必要があった。
In addition, since it is difficult to control the distribution of the amount of the adhered particles by spraying, the number of fine particles per unit area differs at each point on the substrate even if the distribution is to be uniform. And it is difficult to obtain a desired distribution by spraying. Next, the scatterer preferably has a desired shape, for example,
When isotropic light scattering characteristics are required, the shape of the scatterer needs to be spherical.

【0009】しかしなら、前記エッチング加工により製
造した光散乱板の場合は、散乱体の断面形状が長方形、
三角形、または台形形状等になる場合が多く、特に球形
に加工することは困難であるという問題点や、さらに散
乱体の形状を制御することが困難であるために、光散乱
特性がばらつくという問題点を有していた。このように
従来の製造方法により製造された光散乱板は、光散乱特
性が所望の値と異なっている場合が多く、この光散乱板
を用いてキャリブレーションを行ったゴミの検査装置は
測定感度のばらつきが大きいという問題点を有してい
た。
However, in the case of the light scattering plate manufactured by the etching process, the cross-sectional shape of the scatterer is rectangular,
In many cases, the shape becomes triangular, trapezoidal, etc., and it is particularly difficult to work into a spherical shape, and furthermore, it is difficult to control the shape of the scatterer, so that the light scattering characteristics vary. Had a point. As described above, the light scattering plate manufactured by the conventional manufacturing method often has a light scattering characteristic different from a desired value, and the dust inspection apparatus calibrated using the light scattering plate has a measurement sensitivity. Has a problem that the variation in the size is large.

【0010】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
ものであり、所望の光散乱特性を有する光散乱板を製造
する方法を提供することを目的としている。
The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide a method for manufacturing a light scattering plate having desired light scattering characteristics.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】そのため、本発明は第一
に「少なくとも、基板と、該基板上にパターン状に配置
されてなる複数の散乱体とを備え、入射した光を散乱さ
せる光散乱板を製造する方法において、前記基板の材料
を無電解メッキ反応の触媒となる反応開始物質とする
か、或いは前記基板の表面に反応開始物質層を設け、さ
らにその表面に複数の開口部を有し無電解メッキ反応の
触媒とならない非反応開始物質層を前記パターンに対応
させて形成し、各開口部に無電解メッキ法によりメッキ
膜をそれぞれ成長させて前記散乱体を形成することを特
徴とする光散乱板の製造方法(請求項1)」を提供す
る。
Therefore, the present invention firstly provides a light scattering device which comprises at least a substrate and a plurality of scatterers arranged in a pattern on the substrate, and scatters incident light. In the method of manufacturing a board, the material of the substrate may be a reaction starting material serving as a catalyst for an electroless plating reaction, or a reaction starting material layer may be provided on the surface of the substrate, and the surface may have a plurality of openings. A non-reaction starting material layer that does not become a catalyst for the electroless plating reaction is formed in correspondence with the pattern, and the scatterer is formed by growing a plating film in each opening by an electroless plating method. To provide a light scattering plate manufacturing method (Claim 1).

【0012】また、本発明は第二に「前記メッキ膜の材
料をAg、Au、Co、Cu、Fe、Ir、Ni、O
s、Pd、Pt、Rh、またはRuとしたことを特徴と
する請求項1記載の製造方法(請求項2)」を提供す
る。また、本発明は第三に「前記開口部の形状を円形ま
たは概円形とすることにより、該開口部に球形、概球
形、半球形または概半球形の散乱体を形成することを特
徴とする請求項1または2記載の製造方法(請求項
3)」を提供する。
[0012] The present invention also provides a second method, wherein "the material of the plating film is Ag, Au, Co, Cu, Fe, Ir, Ni, O
s, Pd, Pt, Rh, or Ru; and a manufacturing method according to claim 1 (claim 2). Further, the present invention is characterized in that the third aspect is that “a spherical, roughly spherical, hemispherical or roughly hemispherical scatterer is formed in the opening by making the shape of the opening circular or roughly circular. The manufacturing method according to claim 1 or 2 (claim 3) "is provided.

【0013】また、本発明は第四に「前記開口部の大き
さを前記散乱体の大きさよりも小さくしたことを特徴と
する請求項3記載の製造方法(請求項4)」を提供す
る。また、本発明は第五に「前記非反応開始物質層を単
数または複数の層で形成し、少なくとも一層はレジスト
材料または酸化珪素を主成分とする材料により形成する
ことを特徴とする請求項1〜4記載の製造方法(請求項
5)」を提供する。
Further, the present invention fourthly provides "a manufacturing method according to claim 3 (claim 4), wherein the size of the opening is smaller than the size of the scatterer." Further, the present invention fifthly provides that "the non-reaction starting material layer is formed of one or more layers, and at least one layer is formed of a resist material or a material containing silicon oxide as a main component. To (4) (Claim 5). "

【0014】また、本発明は第六に「前記反応開始物質
層を単数または複数の層で形成し、或いは前記基板を反
応開始物質により構成して、少なくとも反応開始物質と
してPd、Co、Fe、Ir、Ni、Os、Pt、R
h、またはRuを用いることを特徴とする請求項1〜5
記載の製造方法(請求項6)」を提供する。また、本発
明は第七に「前記散乱体の大きさを、前記開口部の大き
さ、メッキの電流量、メッキ液浸漬時間、メッキ液組成
のうちの少なくとも一つにより制御することを特徴とす
る請求項1〜6記載の製造方法(請求項7)」を提供す
る。
The present invention is also directed to a sixth aspect of the present invention in which "the reaction starting material layer is formed of one or more layers, or the substrate is made of a reaction starting material, and at least Pd, Co, Fe, Ir, Ni, Os, Pt, R
h or Ru is used.
The manufacturing method (claim 6) described above "is provided. Further, the present invention seventhly provides a feature that `` the size of the scatterer is controlled by at least one of the size of the opening, the amount of plating current, the plating solution immersion time, and the plating solution composition. The manufacturing method according to claims 1 to 6 (claim 7) "is provided.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】本発明にかかる、少なくとも、基
板と、該基板上にパターン状に配置されてなる複数の散
乱体とを備え、入射した光を散乱させる光散乱板を製造
する方法によれば、基板の材料を無電解メッキ反応の触
媒となる反応開始物質とするか、或いは前記基板の表面
に反応開始物質層を設け、さらにその表面に複数の開口
部を有し無電解メッキ反応の触媒とならない非反応開始
物質層を前記パターンに対応させて形成し、各開口部に
無電解メッキ法によりメッキ膜をそれぞれ成長させて前
記散乱体を形成している。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention relates to a method for producing a light-scattering plate comprising at least a substrate and a plurality of scatterers arranged in a pattern on the substrate and scattering incident light. According to the present invention, the material of the substrate is used as a reaction starting material serving as a catalyst for the electroless plating reaction, or a reaction starting material layer is provided on the surface of the substrate, and the surface thereof has a plurality of openings and the electroless plating reaction is performed. The non-reaction starting material layer which does not become a catalyst is formed corresponding to the pattern, and a plating film is grown in each opening by an electroless plating method to form the scatterer.

【0016】即ち、本発明にかかる光散乱板の製造方法
によれば、前記複数の開口部を所望パターンに形成して
各開口部に無電解メッキ法により散乱体を形成するの
で、散乱体を基板上に所望の個数、分布、大きさ、形状
にて設けることが可能であり、その結果、所望の光散乱
特性を有する光散乱板を製造することができる(請求項
1)。
That is, according to the method of manufacturing the light scattering plate of the present invention, the plurality of openings are formed in a desired pattern, and the scatterers are formed in each of the openings by electroless plating. A desired number, distribution, size, and shape can be provided on the substrate, and as a result, a light scattering plate having desired light scattering characteristics can be manufactured (claim 1).

【0017】本発明にかかる基板は少なくともその表面
が前記反応開始物質により構成されていれば、無電解メ
ッキ法によるメッキ膜を容易に成長させることができ
る。このとき、基板全体を反応開始物質により構成して
もよいし、基板の表面に反応開始物質層を形成してもよ
い。図1に、本発明にかかる光散乱板の製造方法(一
例)の一部工程を示す。なお、図1では光散乱板の一部
が拡大されて、その断面が示されている。
The substrate according to the present invention can easily grow a plating film by an electroless plating method as long as at least the surface thereof is made of the above-mentioned reaction initiating substance. At this time, the entire substrate may be composed of a reaction initiating substance, or a reaction initiating substance layer may be formed on the surface of the substrate. FIG. 1 shows some steps of a method (one example) of manufacturing a light scattering plate according to the present invention. In FIG. 1, a part of the light scattering plate is enlarged and its cross section is shown.

【0018】まず、少なくとも表面が反応開始物質から
なる基板1上(反応開始物質層1b上)に非反応開始物
質層4をパターン状に形成する(図1(a))。さら
に、無電解メッキ法により反応開始物質層1bが露出す
る部分1a(開口部)にメッキ膜3’を成長させて(図
1(b))、散乱体3を形成する(図1(c))。この
ように、本発明にかかる散乱体は無電解メッキ法により
形成されるが、無電解メッキ法による散乱体の形成(大
きさ、形状)を制御性よく行うために、メッキ膜の材料
をAg、Au、Co、Cu、Fe、Ir、Ni、Os、
Pd、Pt、Rh、またはRuとすることが好ましい
(請求項2)。
First, a non-reaction-initiating substance layer 4 is formed in a pattern on the substrate 1 (at least on the reaction-initiating substance layer 1b) whose surface is at least made of a reaction-initiating substance (FIG. 1A). Further, a plating film 3 'is grown on the portion 1a (opening) where the reaction starting material layer 1b is exposed by the electroless plating method (FIG. 1B) to form the scatterer 3 (FIG. 1C). ). As described above, the scatterer according to the present invention is formed by the electroless plating method. In order to control the formation (size and shape) of the scatterer by the electroless plating method with good controllability, the material of the plating film is made of Ag. , Au, Co, Cu, Fe, Ir, Ni, Os,
Pd, Pt, Rh or Ru is preferable (claim 2).

【0019】本発明にかかる散乱体は、光を等方的に散
乱させることができるように、前記開口部の形状を円形
または概円形とすることにより、該開口部に球形、概球
形、半球形または概半球形の散乱体を形成することが好
ましい(請求項3)。本発明にかかる散乱体は各開口部
に無電解メッキ法により形成されるが、この際に各開口
部において、メッキ膜3’を例えば図1(b)に示すよ
うに、その厚さが非反応開始物質層4の厚さと同等にな
るまで成長させた後、さらに図1(c)に示すように等
方的に成長させることにより、各開口部に概球形または
概半球形の散乱体3を容易に形成することができる。
In the scatterer according to the present invention, the shape of the opening is circular or approximately circular so that light can be scattered isotropically. It is preferable to form a scatterer of a shape or a substantially hemisphere (claim 3). The scatterer according to the present invention is formed in each opening by an electroless plating method. At this time, in each opening, the thickness of the plating film 3 ′ is non-uniform as shown in FIG. After growing until the thickness becomes equal to the thickness of the reaction-initiating substance layer 4, it is further grown isotropically as shown in FIG. Can be easily formed.

【0020】このとき、散乱体3は非反応開始物質層4
の開口部1aより大きくなるため、開口部1aの大きさ
は、散乱体3の所望の大きさよりも小さくすることが好
ましい。即ち、各開口部に球形、概球形、半球形または
概半球形の散乱体が容易に形成されるように開口部の大
きさを散乱体の大きさよりも小さくすることが好ましい
(請求項4)。
At this time, the scatterer 3 is composed of the non-reaction starting material layer 4
It is preferable that the size of the opening 1 a be smaller than the desired size of the scatterer 3. That is, it is preferable that the size of the opening is smaller than the size of the scatterer so that a spherical, roughly spherical, hemispherical or roughly hemispherical scatterer is easily formed in each opening (claim 4). .

【0021】本発明においては、非反応開始物質層を単
数または複数の層で形成し、少なくとも一層はレジスト
材料または酸化珪素を主成分とする材料により形成する
ことが好ましい(請求項5)。本発明にかかる非反応開
始物質層は単層でもよいし、或いは開口のパターン形成
が容易となるように複数の層で構成してもよい。
In the present invention, it is preferable that the non-reaction starting material layer is formed of one or more layers, and at least one layer is formed of a resist material or a material containing silicon oxide as a main component. The non-reaction-initiating substance layer according to the present invention may be a single layer, or may be composed of a plurality of layers so as to facilitate the pattern formation of the openings.

【0022】また、非反応開始物質層を構成する層のう
ち少なくとも一層をレジスト材料により形成すると、リ
ソグラフィープロセスにより容易に開口パターンが形成
できるので好ましい(請求項5)。或いは、非反応開始
物質層を構成する層のうち少なくとも一層を酸化珪素を
主成分とする材料により形成すると、エッチングプロセ
ス等により容易に開口パターンが形成できるので好まし
い(請求項5)。
It is preferable that at least one of the layers constituting the non-reaction-initiating substance layer is formed of a resist material because an opening pattern can be easily formed by a lithography process. Alternatively, it is preferable that at least one of the layers constituting the non-reaction starting material layer is formed of a material containing silicon oxide as a main component, because an opening pattern can be easily formed by an etching process or the like (claim 5).

【0023】請求項5にかかる構成にすると、開口部の
位置、大きさ及び形状を容易に制御可能であり、さらに
散乱体は開口部にのみ形成されるので、散乱体の個数、
分布(位置及び密度)、大きさ及び形状を容易に制御す
ることができる。本発明においては、反応開始物質層を
単数または複数の層で形成し、或いは前記基板を反応開
始物質により構成して、少なくとも反応開始物質として
Pd、Co、Fe、Ir、Ni、Os、Pt、Rh、ま
たはRuを用いることが好ましい(請求項6)。
According to the fifth aspect of the present invention, the position, size and shape of the opening can be easily controlled, and the scatterers are formed only in the openings.
The distribution (position and density), size and shape can be easily controlled. In the present invention, the reaction starting material layer is formed of one or a plurality of layers, or the substrate is formed of a reaction starting material, and at least Pd, Co, Fe, Ir, Ni, Os, Pt, It is preferable to use Rh or Ru (claim 6).

【0024】本発明にかかる反応開始物質層は単層でも
よいし、或いは基板との密着性を向上させるための層等
を加えた複数の層で構成してもよい。また、反応開始物
質として、例えば、Pd、Co、Fe、Ir、Ni、O
s、Pt、Rh、またはRuを用いると、メッキ膜3’
が容易に成長するので好ましい(請求項6)。
The reaction-initiating substance layer according to the present invention may be a single layer, or may be composed of a plurality of layers including a layer for improving the adhesion to the substrate. Further, as a reaction starting material, for example, Pd, Co, Fe, Ir, Ni, O
When s, Pt, Rh, or Ru is used, the plating film 3 ′
Is preferable because it grows easily.

【0025】本発明によれば、散乱体の大きさも容易に
制御することが可能である。例えば、開口部の大きさ
(または面積)、メッキの電流量、メッキ液浸漬時間、
メッキ液組成のうち少なくとも一つを制御することによ
り、所望の大きさの散乱体を得ることができる(請求項
7)。なお、形成される散乱体の大きさは特に、メッキ
時の浸漬時間(メッキ液浸漬時間)またはメッキ液組成
に大きく依存する。
According to the present invention, the size of the scatterer can be easily controlled. For example, the size (or area) of the opening, the amount of plating current, the plating solution immersion time,
By controlling at least one of the plating solution compositions, a scatterer having a desired size can be obtained (claim 7). In addition, the size of the formed scatterer largely depends on the immersion time during plating (plating solution immersion time) or the plating solution composition.

【0026】以下、本発明を実施例によりさらに詳細に
説明するが、本発明は以下の例に限定されるものではな
い。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to the following examples.

【0027】[0027]

【実施例1】図1に、本実施例にかかる光散乱板の製造
方法の一部工程を示す。なお、図1では光散乱板の一部
が拡大されて、その断面が示されている。まず、大きさ
が5インチの石英ガラスからなる基板1上に、無電解メ
ッキ反応の触媒となる反応開始物質層1bとしてPtの
薄膜層をスパッタリング法により形成した。さらに、P
t薄膜層の表面にレジストを塗布した後、電子線描画工
程によりレジストをパターン状に加工してレジストパタ
ーン4を形成した(図1(a))。
Embodiment 1 FIG. 1 shows some steps of a method for manufacturing a light scattering plate according to this embodiment. In FIG. 1, a part of the light scattering plate is enlarged and its cross section is shown. First, a thin film layer of Pt was formed as a reaction starting material layer 1b serving as a catalyst for an electroless plating reaction on a substrate 1 made of quartz glass having a size of 5 inches by a sputtering method. Furthermore, P
After applying a resist on the surface of the thin film layer, the resist was processed into a pattern by an electron beam drawing process to form a resist pattern 4 (FIG. 1A).

【0028】このとき、レジストパターン4は直径0.2
μm以上の複数の円形開口が配列するように形成した。
また、レジストパターン4は無電解メッキ反応の触媒と
ならない非反応開始物質層である。次に、レジストパタ
ーン4をステンシルマスクにして無電解メッキ法により
レジストパターン4の各開口部1aにNiメッキ膜3’
を成長させた(図1(b))結果、直径0.5 μm以上の
概球形の散乱体3が開口1aのパターンに応じて、所望
分布のパターン状に形成された(図1(c))。
At this time, the resist pattern 4 has a diameter of 0.2
It was formed so that a plurality of circular openings of μm or more were arranged.
The resist pattern 4 is a non-reaction starting material layer that does not act as a catalyst for the electroless plating reaction. Next, using the resist pattern 4 as a stencil mask, a Ni plating film 3 ′ is formed in each opening 1a of the resist pattern 4 by an electroless plating method.
Was grown (FIG. 1 (b)). As a result, a roughly spherical scatterer 3 having a diameter of 0.5 μm or more was formed in a desired distribution pattern according to the pattern of the aperture 1a (FIG. 1 (c)).

【0029】この際、散乱体3の大きさは、メッキ面積
(開口の面積)、メッキの電流量、メッキ液浸漬時間、
またはメッキ液組成を制御することにより0.05μm以下
の誤差に抑えることができた。この結果、所望の形状
(概球形または概半球形)及び大きさの散乱体3を得る
ことができた。なお、ステンシルマスクとして用いたレ
ジストパタ−ン4は必要に応じて剥離してもよい。ま
た、前記無電解メッキに用いたメッキ液は、塩化ニッケ
ル30g/l、次亜リン酸ナトリウム10g/l、クエ
ン酸ナトリウム10g/lの水溶液であり、無電解メッ
キ条件は、メッキ浴pH4〜6、浴温90°Cとした。
At this time, the size of the scatterer 3 depends on the plating area (the area of the opening), the plating current, the plating solution immersion time,
Alternatively, the error could be suppressed to 0.05 μm or less by controlling the composition of the plating solution. As a result, a scatterer 3 having a desired shape (generally spherical or approximately hemispherical) and size could be obtained. Incidentally, the resist pattern 4 used as the stencil mask may be peeled off if necessary. The plating solution used for the electroless plating is an aqueous solution of 30 g / l of nickel chloride, 10 g / l of sodium hypophosphite, and 10 g / l of sodium citrate. The bath temperature was 90 ° C.

【0030】以上の工程により、光散乱板を複数枚製造
してその光散乱特性を調べたところ、すべて同等の光散
乱特性を示し、その特性値は所望の光散乱特性であっ
た。この光散乱板を用いてゴミ検査装置における感度の
キャリブレーションを行なったところ、所望の検出感度
に調整することができた。
When a plurality of light-scattering plates were manufactured through the above steps and their light-scattering characteristics were examined, they all exhibited the same light-scattering characteristics, and the characteristic values were the desired light-scattering characteristics. When the sensitivity of the dust inspection apparatus was calibrated using the light scattering plate, the sensitivity could be adjusted to a desired value.

【0031】[0031]

【実施例2】図2に、本実施例にかかる光散乱板の製造
方法の一部工程を示す。なお、図2では光散乱板の一部
が拡大されて、その断面が示されている。まず、大きさ
が5インチの石英ガラスからなる基板1上に、無電解メ
ッキ反応の触媒となる反応開始物質層1bとしてPdの
薄膜層をスパッタリング法により形成した(図2
(a))。
Embodiment 2 FIG. 2 shows some steps of a method for manufacturing a light scattering plate according to this embodiment. In FIG. 2, a part of the light scattering plate is enlarged and a cross section is shown. First, a thin film layer of Pd was formed on a substrate 1 made of quartz glass having a size of 5 inches as a reaction starting material layer 1b serving as a catalyst of an electroless plating reaction by a sputtering method (FIG. 2).
(A)).

【0032】Pd薄膜層の表面に無電解メッキ反応の触
媒とならない非反応開始物質層2として酸化珪素の薄膜
層2’をスパッタリング法により形成し、さらに酸化珪
素の薄膜層2’の表面にレジストを塗布した後、電子線
描画工程によりレジストをパターン状に加工してレジス
トパターン4を形成した(図2(b))。このとき、レ
ジストパターン4は直径0.2 μm以上の複数の円形開口
が配列するように形成した。次に、レジストパターン4
を反応性イオンエッチング法により酸化珪素の薄膜層2
に転写して、開口1aのパターンを形成した(図2
(c))。この後、必要に応じてレジストパターン4を
剥離してもよいし、或いはそのまま残してもよい。
On the surface of the Pd thin film layer, a silicon oxide thin film layer 2 'is formed by a sputtering method as a non-reaction starting material layer 2 which does not act as a catalyst for the electroless plating reaction, and a resist is formed on the surface of the silicon oxide thin film layer 2'. Then, the resist was processed into a pattern by an electron beam drawing process to form a resist pattern 4 (FIG. 2B). At this time, the resist pattern 4 was formed such that a plurality of circular openings having a diameter of 0.2 μm or more were arranged. Next, resist pattern 4
By a reactive ion etching method.
To form a pattern of the opening 1a (see FIG. 2).
(C)). Thereafter, the resist pattern 4 may be peeled off if necessary, or may be left as it is.

【0033】さらに、無電解メッキ法により酸化硅素の
薄膜層2の各開口部1aにNiメッキ膜を成長させた結
果、直径0.5 μm以上の概球形の散乱体3が開口1aの
パターンに応じて、所望分布のパターン状に形成され
た。この際、散乱体3の大きさは、メッキ面積(開口の
面積)、メッキの電流量、メッキ液浸漬時間、またはメ
ッキ液組成を制御することにより0.05μm以下の誤差に
抑えることができた。この結果、所望の形状(球または
概球の一部を有する形状)及び大きさの散乱体3を得る
ことができた。
Further, as a result of growing a Ni plating film in each opening 1a of the silicon oxide thin film layer 2 by electroless plating, a roughly spherical scatterer 3 having a diameter of 0.5 μm or more is formed according to the pattern of the opening 1a. , In a desired distribution pattern. At this time, the size of the scatterer 3 could be suppressed to an error of 0.05 μm or less by controlling the plating area (the area of the opening), the plating current, the plating solution immersion time, or the plating solution composition. As a result, a scatterer 3 having a desired shape (a shape having a part of a sphere or a sphere) and a size could be obtained.

【0034】なお、ステンシルマスクとして用いた酸化
珪素の薄膜層2は必要に応じて剥離してもよい。また、
前記無電解メッキに用いたメッキ液は、塩化ニッケル3
0g/l、次亜リン酸ナトリウム10g/l、クエン酸
ナトリウム10g/lの水溶液であり、無電解メッキ条
件は、メッキ浴pH4〜6、浴温90°Cとした。以上
の工程により、光散乱板を複数枚製造してその光散乱特
性を調べたところ、すべて同等の光散乱特性を示し、そ
の特性値は所望の光散乱特性であった。この光散乱板を
用いてゴミ検査装置における感度のキャリブレーション
を行なったところ、所望の検出感度に調整することがで
きた。
The silicon oxide thin film layer 2 used as a stencil mask may be peeled off as required. Also,
The plating solution used for the electroless plating was nickel chloride 3
It was an aqueous solution of 0 g / l, sodium hypophosphite 10 g / l, and sodium citrate 10 g / l. The electroless plating conditions were a plating bath pH of 4 to 6 and a bath temperature of 90 ° C. When a plurality of light-scattering plates were manufactured through the above steps and the light-scattering characteristics thereof were examined, they all exhibited the same light-scattering characteristics, and the characteristic values were the desired light-scattering characteristics. When the sensitivity of the dust inspection apparatus was calibrated using the light scattering plate, the sensitivity could be adjusted to a desired value.

【0035】[0035]

【発明の効果】以上の如く、本発明によれば、散乱体を
基板上に所望の個数、分布、大きさ、形状にて設けるこ
とが可能であり、その結果、所望の光散乱特性を有する
光散乱板を高い歩留まりにて製造することができる。ま
た、本発明の製造方法により製造した光散乱板を用いて
ゴミ検査装置における感度のキャリブレーションを行な
うと、該装置を所望の感度に感度校正することができ
る。
As described above, according to the present invention, it is possible to provide a desired number, distribution, size, and shape of scatterers on a substrate, and as a result, the scatterers have desired light scattering characteristics. The light scattering plate can be manufactured with a high yield. Further, when the sensitivity of the dust inspection device is calibrated using the light scattering plate manufactured by the manufacturing method of the present invention, the sensitivity of the device can be calibrated to a desired sensitivity.

【0036】本発明によれば、球形、概球形、半球形ま
たは概半球形の散乱体を有する光散乱板を容易に作製す
ることができる。さらに、その散乱体の大きさも容易に
制御することができるため、所望の散乱特性を有する光
散乱板を高い歩留まりで作製できる。また、本発明によ
り製造した光散乱板を用いることでゴミ検査装置のフォ
トマル感度のキャリブレーション用試料として用いるこ
とが可能であり、各装置間でもフォトマル感度のばらつ
きを極力抑制することが可能である。
According to the present invention, a light scattering plate having a spherical, approximately spherical, hemispherical or approximately hemispherical scatterer can be easily produced. Further, since the size of the scatterer can be easily controlled, a light scattering plate having desired scattering characteristics can be manufactured with a high yield. In addition, by using the light scattering plate manufactured according to the present invention, it is possible to use the light scattering plate as a sample for calibrating the photomultiplier sensitivity of a dust inspection device, and it is possible to minimize variations in photomal sensitivity between devices. It is.

【0037】また、本発明により製造した光散乱板は、
従来の真球ビーズを利用した光散乱板と比較して、光散
乱板の取り扱いにより散乱体が落ちたり移動したりとい
ったことは極めて起こりにくいため、ゴミ検査装置のフ
ォトマル感度の経時変化評価用としても十分利用するこ
とができる。
The light scattering plate manufactured according to the present invention is:
Compared to the conventional light scattering plate using spherical beads, it is extremely unlikely that the scatterer will fall or move due to the handling of the light scattering plate. Can be used as well.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】は、実施例1にかかる光散乱板の製造方法(一
例)の一部工程を示す工程図である。
FIG. 1 is a process chart showing some steps of a method (one example) of manufacturing a light scattering plate according to Example 1.

【図2】は、実施例2にかかる光散乱板の製造方法(一
例)の一部工程を示す工程図である。
FIG. 2 is a process diagram illustrating some steps of a method (an example) of manufacturing a light scattering plate according to Example 2.

【図3】は、真球ビーズ(散乱体)を基板上に吹きつけ
て製造した従来の光散乱板を示す側面図である。
FIG. 3 is a side view showing a conventional light scattering plate manufactured by spraying true spherical beads (scatterers) on a substrate.

【図4】は、エッチング加工により散乱体を基板上に形
成して光散乱板とする方法の工程(一部)を示す工程図
である。
FIG. 4 is a process chart showing steps (part) of a method of forming a scatterer on a substrate by etching to form a light scattering plate.

【主要部分の符号の説明】[Description of Signs of Main Parts]

1・・・基板 1a・・・開口部 1b・・・反応開始物質層 2・・・パターン化された非反応開始物質層 2’・・非反応開始物質層 3・・・散乱体(無電解メッキ法により形成) 3’・・メッキ膜 4・・・パターン化されたレジスト層 11・・・基板 12・・・真球ビーズ 13・・・散乱体(エッチングにより形成) 13’・・薄膜層 14・・・パターン化されたレジスト層 以上 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate 1a ... Opening 1b ... Reaction initiation material layer 2 ... Patterned non-reaction initiation material layer 2 '... Non-reaction initiation material layer 3 ... Scattering body (electroless 3 ′ ·· Plating film 4 ··· Patterned resist layer 11 ··· Substrate 12 ·· Spherical beads 13 ··· Scatterer (formed by etching) 13 ′ ··· Thin film layer 14 ... patterned resist layer

フロントページの続き (72)発明者 押野 哲也 東京都千代田区丸の内3丁目2番3号 株 式会社ニコン内Continued on the front page (72) Inventor Tetsuya Oshino Nikon Corporation, 2-3-2 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも、基板と、該基板上にパター
ン状に配置されてなる複数の散乱体とを備え、入射した
光を散乱させる光散乱板を製造する方法において、 前記基板の材料を無電解メッキ反応の触媒となる反応開
始物質とするか、或いは前記基板の表面に反応開始物質
層を設け、さらにその表面に複数の開口部を有し無電解
メッキ反応の触媒とならない非反応開始物質層を前記パ
ターンに対応させて形成し、各開口部に無電解メッキ法
によりメッキ膜をそれぞれ成長させて前記散乱体を形成
することを特徴とする光散乱板の製造方法。
1. A method for manufacturing a light-scattering plate that includes at least a substrate and a plurality of scatterers arranged in a pattern on the substrate, and that scatters incident light. A non-reaction starting material which is used as a reaction starting material serving as a catalyst for an electroplating reaction, or a reaction starting material layer is provided on the surface of the substrate and further has a plurality of openings on the surface thereof and does not serve as a catalyst for the electroless plating reaction. A method for manufacturing a light-scattering plate, comprising: forming a layer corresponding to the pattern; and forming a scatterer by growing a plating film in each opening by an electroless plating method.
【請求項2】 前記メッキ膜の材料をAg、Au、C
o、Cu、Fe、Ir、Ni、Os、Pd、Pt、R
h、またはRuとしたことを特徴とする請求項1記載の
製造方法。
2. The material of the plating film is made of Ag, Au, C
o, Cu, Fe, Ir, Ni, Os, Pd, Pt, R
The method according to claim 1, wherein h or Ru is used.
【請求項3】 前記開口部の形状を円形または概円形と
することにより、該開口部に球形、概球形、半球形また
は概半球形の散乱体を形成することを特徴とする請求項
1または2記載の製造方法。
3. A scatterer having a spherical shape, a substantially spherical shape, a hemispherical shape, or a substantially hemispherical shape is formed in the opening by making the shape of the opening circular or substantially circular. 2. The production method according to 2.
【請求項4】 前記開口部の大きさを前記散乱体の大き
さよりも小さくしたことを特徴とする請求項3記載の製
造方法。
4. The method according to claim 3, wherein the size of the opening is smaller than the size of the scatterer.
【請求項5】 前記非反応開始物質層を単数または複数
の層で形成し、少なくとも一層はレジスト材料または酸
化珪素を主成分とする材料により形成することを特徴と
する請求項1〜4記載の製造方法。
5. The method according to claim 1, wherein the non-reaction starting material layer is formed of one or more layers, and at least one layer is formed of a resist material or a material containing silicon oxide as a main component. Production method.
【請求項6】 前記反応開始物質層を単数または複数の
層で形成し、或いは前記基板を反応開始物質により構成
して、少なくとも反応開始物質としてPd、Co、F
e、Ir、Ni、Os、Pt、Rh、またはRuを用い
ることを特徴とする請求項1〜5記載の製造方法。
6. The reaction-initiating substance layer is formed of one or more layers, or the substrate is composed of a reaction-initiating substance, and at least Pd, Co, and F are used as the reaction-initiating substance.
The method according to claim 1, wherein e, Ir, Ni, Os, Pt, Rh, or Ru is used.
【請求項7】 前記散乱体の大きさを、前記開口部の大
きさ、メッキの電流量、メッキ液浸漬時間、メッキ液組
成のうちの少なくとも一つにより制御することを特徴と
する請求項1〜6記載の製造方法。
7. The method according to claim 1, wherein the size of the scatterer is controlled by at least one of the size of the opening, the amount of plating current, the immersion time of the plating solution, and the composition of the plating solution. 7. The method according to any one of claims 1 to 6.
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