JPH10140336A - Vacuum device - Google Patents
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- JPH10140336A JPH10140336A JP29637496A JP29637496A JPH10140336A JP H10140336 A JPH10140336 A JP H10140336A JP 29637496 A JP29637496 A JP 29637496A JP 29637496 A JP29637496 A JP 29637496A JP H10140336 A JPH10140336 A JP H10140336A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電子ビームを被蒸
発材料上に照射し、この材料を溶融させて蒸発させるよ
うにした真空蒸着装置等の真空装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum apparatus such as a vacuum evaporation apparatus which irradiates an electron beam onto a material to be evaporated and melts and vaporizes the material.
【０００２】[0002]
【従来の技術】電子ビーム蒸着装置では、真空に排気さ
れたチャンバー内に被蒸発材料と蒸発した材料が蒸着さ
れる基板とを配置し、被蒸発材料に電子銃からの電子ビ
ームを照射するようにしている。この場合、被蒸発材料
の電子ビームの照射された部分は、電子ビームによって
高温に加熱され溶融し蒸発する。蒸発した材料は基板に
向かい、基板に付着することから真空蒸着が達成され
る。2. Description of the Related Art In an electron beam evaporation apparatus, a material to be evaporated and a substrate on which the evaporated material is deposited are arranged in a chamber evacuated to a vacuum, and the material to be evaporated is irradiated with an electron beam from an electron gun. I have to. In this case, the portion of the material to be evaporated irradiated with the electron beam is heated to a high temperature by the electron beam, melts and evaporates. Vacuum deposition is achieved because the evaporated material is directed to the substrate and adheres to the substrate.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】上記した電子ビームを
熱源とした真空蒸着において、被蒸発材料が磁性体の場
合、電子ビームを被蒸発材料に照射するために形成する
偏向磁場がこの磁性体によって影響を受け、その結果、
電子ビームの軌道が変化して、電子ビームの照射位置が
目標点から外れてしまう現象が発生する。In the above-described vacuum deposition using an electron beam as a heat source, when the material to be evaporated is a magnetic material, a deflection magnetic field formed for irradiating the material with the electron beam with this magnetic material is used. Affected, and as a result,
A phenomenon occurs in which the trajectory of the electron beam changes and the irradiation position of the electron beam deviates from the target point.
【０００４】従来、このための修正操作は、主として目
視により電子ビームの照射点を確認し、手動で電子ビー
ムの偏向手段を操作して行っていた。このような目視に
よる修正作業は面倒であり、また、正確に電子ビームの
照射位置を確認できないという問題もある。Heretofore, the correction operation for this has been performed mainly by visually confirming the irradiation point of the electron beam and manually operating the electron beam deflecting means. Such a visual correction work is troublesome, and there is also a problem that the irradiation position of the electron beam cannot be confirmed accurately.
【０００５】そのため、電子ビームの照射位置を目視に
よらないで測定し、この測定された位置に応じて電子ビ
ームの照射位置の修正を自動的にフィードバック制御す
る方式が試みられている。For this reason, a system has been attempted in which the irradiation position of the electron beam is measured without visual observation, and the correction of the irradiation position of the electron beam is automatically feedback-controlled in accordance with the measured position.
【０００６】図１は最近試みられているＸ線による電子
ビーム照射位置の検出方式を示したものである。図中１
は被蒸発材料であり、被蒸発材料１には電子ビームＥＢ
が集束されて照射される。この被蒸発材料１への電子ビ
ームＥＢの照射により、電子ビーム照射点からはＸ線ｘ
が発生する。FIG. 1 shows a method of detecting an electron beam irradiation position by X-ray which has been recently attempted. 1 in the figure
Is the material to be evaporated, and the material to be evaporated 1 has an electron beam EB.
Are focused and irradiated. By irradiating the material 1 to be evaporated with the electron beam EB, the X-ray x
Occurs.
【０００７】被蒸発材料１から発生したＸ線ｘは、光軸
上に配置されたピンホール２を通過し、Ｘ線検出器３に
入射して検出される。Ｘ線検出器３は２次元的に配置さ
れた多数のＸ線検出素子から構成されており、したがっ
て、Ｘ線が入射したＸ線検出素子からＸ線の入射位置情
報が得られる。[0007] X-rays x generated from the material to be evaporated 1 pass through a pinhole 2 arranged on the optical axis, enter an X-ray detector 3 and are detected. The X-ray detector 3 is composed of a large number of X-ray detecting elements arranged two-dimensionally, and therefore, X-ray incident position information can be obtained from the X-ray detecting element on which X-rays are incident.
【０００８】ここで、ピンホール２により、被蒸発材料
１上の電子ビームＥＢの照射点Ｐ1とＸ線検出器３のＸ
線入射点Ｐ2とは一対一に対応しており、Ｘ線検出器３
のＸ線入射点情報から、被蒸発材料１上の電子ビームの
照射位置が判明する。この判明した電子ビームの照射位
置情報に基づいて、被蒸発材料上の電子ビームの照射位
置の補正制御が可能となる。Here, the irradiation point P 1 of the electron beam EB on the material 1 to be evaporated and the X-ray of the X-ray detector 3 are
The line incident point P 2 corresponds to the one-to-one, X-rays detector 3
The irradiation position of the electron beam on the material 1 to be evaporated is determined from the X-ray incident point information. Correction control of the electron beam irradiation position on the material to be evaporated can be performed based on the determined electron beam irradiation position information.
【０００９】上記した被蒸発材料上の電子ビーム照射位
置の測定は、Ｘ線システムを用いており、システム全体
が高価となる欠点を有している。本発明は、このような
点に鑑みてなされたもので、その目的は、安価に精度良
く被蒸発材料上の電子ビームの照射位置の測定を可能と
する真空装置を実現するにある。The measurement of the electron beam irradiation position on the material to be evaporated uses an X-ray system, and has a disadvantage that the whole system is expensive. The present invention has been made in view of such a point, and an object of the present invention is to realize a vacuum apparatus that can accurately and inexpensively measure an irradiation position of an electron beam on a material to be evaporated.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に基づく
真空装置は、真空中で被蒸発材料に電子ビームを照射
し、被蒸発材料を蒸発させる真空装置において、被蒸発
材料表面を撮像する撮像手段と、撮像手段の前面に設け
られ、被蒸発材料表面からの光の内、特定波長領域の光
を透過させるフィルターとを備えており、撮像手段から
の被蒸発材料表面の像信号に基づき、電子ビームの照射
位置を求めるようにしたことを特徴としている。According to a first aspect of the present invention, there is provided a vacuum apparatus for irradiating a material to be evaporated with an electron beam in a vacuum and evaporating the material to be evaporated. An imaging unit and a filter provided on a front surface of the imaging unit and transmitting light in a specific wavelength region out of light from the surface of the material to be evaporated, based on an image signal of the surface of the material to be evaporated from the imaging unit. In addition, the irradiation position of the electron beam is obtained.
【００１１】請求項１の発明では、被蒸発材料表面から
の光の内、特定波長領域の光を選択して撮像し、撮像し
た像信号に基づいて電子ビームの照射位置を求める。請
求項２の発明に基づく真空装置は、請求項１の発明にお
いて、フィルターによって透過させる光の波長域を、可
視光の短波長側とした。According to the first aspect of the present invention, light of a specific wavelength region is selected and picked up from light from the surface of the material to be evaporated, and the irradiation position of the electron beam is obtained based on the picked-up image signal. According to a second aspect of the present invention, in the vacuum apparatus according to the first aspect, the wavelength range of light transmitted by the filter is set to a shorter wavelength side of visible light.
【００１２】請求項３の発明に基づく真空装置は、請求
項１の発明において、求められた電子ビームの照射位置
情報に基づき、電子ビームを偏向して被蒸発材料上の電
子ビームの照射位置を補正するようにした。According to a third aspect of the present invention, in the vacuum apparatus according to the first aspect of the present invention, the electron beam is deflected based on the obtained electron beam irradiation position information to determine the irradiation position of the electron beam on the material to be evaporated. It was corrected.
【００１３】請求項４の発明に基づく真空装置は、請求
項１の発明において、撮像手段としてＣＣＤカメラを用
いた。請求項５の発明に基づく真空装置は、請求項１の
発明において、撮像手段からの像信号を２値化し、２値
化画像信号から電子ビーム照射部位に対応する像のエッ
ジ抽出を行い、エッジ位置から電子ビームの照射位置を
求める。According to a fourth aspect of the present invention, in the vacuum apparatus of the first aspect, a CCD camera is used as an image pickup means. According to a fifth aspect of the present invention, in the vacuum apparatus according to the first aspect, the image signal from the imaging unit is binarized, and an edge of an image corresponding to the electron beam irradiation site is extracted from the binarized image signal. The irradiation position of the electron beam is obtained from the position.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図２は本発明に基づく真空
蒸着装置を示したもので、１１は内部が真空に排気され
ている真空チャンバーである。チャンバー１１内の下部
には、被蒸発材料１２が入れられたルツボ１３が配置さ
れ、また、上部には、蒸発した材料が付着される基板１
４が配置されている。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 2 shows a vacuum deposition apparatus according to the present invention. Reference numeral 11 denotes a vacuum chamber whose inside is evacuated to a vacuum. A crucible 13 containing a material to be evaporated 12 is arranged in a lower portion of the chamber 11, and a substrate 1 on which the evaporated material is adhered is arranged in an upper portion.
4 are arranged.
【００１５】チャンバー１１の側部には、電子発生源１
５が設けられている。この電子発生源１５には、電子ビ
ームを発生する電子銃と、電子銃から発生した電子ビー
ムを偏向する偏向コイル等が含まれている。The side of the chamber 11 has an electron source 1
5 are provided. The electron source 15 includes an electron gun for generating an electron beam, a deflection coil for deflecting the electron beam generated from the electron gun, and the like.
【００１６】電子発生源１５から発生した電子ビームＥ
Ｂは、図示していない偏向磁場により、例えば、９０°
偏向され被蒸発材料１２上に照射される。なお、この電
子発生源１５からの電子ビームＥＢを９０°偏向するよ
うにしたが、１８０°や２７０°偏向して被蒸発材料１
２に電子ビームを照射するように構成しても良い。The electron beam E generated from the electron source 15
B is, for example, 90 ° by a deflection magnetic field (not shown).
It is deflected and irradiated onto the material to be evaporated 12. The electron beam EB from the electron source 15 is deflected by 90 °. However, the electron beam EB is deflected by 180 ° or 270 ° to deflect the material 1 to be evaporated.
2 may be configured to be irradiated with an electron beam.
【００１７】チャンバー１１の上部斜め方向には観察窓
１６が取り付けられており、この窓１６の外側には、Ｃ
ＣＤカメラ、例えばＣＣＤビデオカメラ１７が設けられ
ている。また、窓１６とＣＣＤビデオカメラ１７との間
には、光学フィルター１８が配置されている。なお、Ｃ
ＣＤビデオカメラ１７は窓１６を介してチャンバー１１
内部の被蒸発材料１２の表面がのぞめるような位置に配
置されている。An observing window 16 is mounted obliquely on the upper part of the chamber 11, and a C
A CD camera, for example, a CCD video camera 17 is provided. An optical filter 18 is disposed between the window 16 and the CCD video camera 17. Note that C
The CD video camera 17 is connected to the chamber 11 through the window 16.
It is arranged at a position where the surface of the material to be evaporated 12 can be viewed.
【００１８】ＣＣＤビデオカメラ１７からの映像信号
は、コンピュータ１９に供給される。コンピュータ１９
は、この映像信号により後述するアルゴリズムによって
被蒸発材料１２上の電子ビームの照射位置を求める。A video signal from the CCD video camera 17 is supplied to a computer 19. Computer 19
Calculates the irradiation position of the electron beam on the material to be evaporated 12 by the algorithm described later based on this video signal.
【００１９】コンピュータ１９は、求めた電子ビームの
照射位置と、予め入力されている設定照射位置との差を
求め、電子ビームが被蒸発材料１２上の所定位置に照射
されるように、電子発生源１５の偏向制御回路２０を制
御する。このような構成の動作を次に説明する。The computer 19 calculates a difference between the calculated irradiation position of the electron beam and a previously set irradiation position, and generates an electron so that the electron beam is irradiated onto a predetermined position on the material 12 to be evaporated. The deflection control circuit 20 of the source 15 is controlled. The operation of such a configuration will now be described.
【００２０】通常の真空蒸着動作では、ルツボ１３の中
に所望の被蒸発材料１２を入れ、チャンバー１１内に配
置する。また、蒸着を行う基板１４を所定の位置にセッ
トし、その後、チャンバー１１内部を真空に排気する。In a normal vacuum vapor deposition operation, a desired material to be evaporated 12 is placed in a crucible 13 and placed in a chamber 11. Further, the substrate 14 on which the evaporation is performed is set at a predetermined position, and then the inside of the chamber 11 is evacuated to a vacuum.
【００２１】上記前準備の後、電子発生源１５から電子
ビームＥＢを発生させ、図示していない偏向磁場により
９０°偏向して被蒸発材料１２上に照射する。被蒸発材
料１２の電子ビームの照射領域は、電子ビームによって
加熱され、溶融して蒸発する。蒸発した材料は、チャン
バー１１上部の基板１４に向かい、基板１４表面に付着
して真空蒸着が実行される。After the preparation described above, an electron beam EB is generated from the electron source 15 and deflected by 90 ° by a deflection magnetic field (not shown) to irradiate the material 12 to be evaporated. The irradiation area of the material to be evaporated 12 with the electron beam is heated by the electron beam, melts and evaporates. The evaporated material moves toward the substrate 14 above the chamber 11 and adheres to the surface of the substrate 14 to perform vacuum deposition.
【００２２】さて、被蒸発材料１２の表面から放出され
る熱放射Ｔによる光は観察窓１６と光学フィルター１８
を透過してＣＣＤビデオカメラ１７に入射する。ＣＣＤ
ビデオカメラ１７によって検出された被蒸発材料１２表
面の像信号は、コンピュータ１９に供給される。Now, the light due to the thermal radiation T emitted from the surface of the material to be evaporated 12 is transmitted to the observation window 16 and the optical filter 18.
And enters the CCD video camera 17. CCD
An image signal of the surface of the material to be evaporated 12 detected by the video camera 17 is supplied to a computer 19.
【００２３】図３はコンピュータ１９における信号処理
の概要のフローを示す図である。ＣＣＤビデオカメラ１
７からの撮像信号は、コンピュータ１９の拡張スロット
に装着されている画像処理ボード２１に画像信号の形で
送信される。画像信号は最初に２値化処理が施され、そ
の後ボード２１内のＲＡＭ２２に２階調画像データとし
て記録される。なお、２値化処理の目的は、後述する画
像解析を容易にし、処理時間を短縮することである。FIG. 3 is a diagram showing a general flow of signal processing in the computer 19. CCD video camera 1
The imaging signal from 7 is transmitted in the form of an image signal to the image processing board 21 mounted on the expansion slot of the computer 19. The image signal is first subjected to a binarization process, and is thereafter recorded in the RAM 22 in the board 21 as two-tone image data. The purpose of the binarization processing is to facilitate image analysis described later and to shorten the processing time.
【００２４】２階調画像データに対してはコンピュータ
１９内のＣＰＵ２３で画像解析処理が行われる。この画
像解析は、最初にエッジ処理が施され、電子ビームの照
射部位に対応する像の外形が抽出される。このエッジ処
理された画像は、適宜コンピュータ１９に付属している
ディスプレイ、例えば陰極線管（ＣＲＴ）上に表示され
る。Image analysis processing is performed on the two-tone image data by the CPU 23 in the computer 19. In this image analysis, edge processing is first performed to extract an outer shape of an image corresponding to an electron beam irradiation site. The edge-processed image is displayed on a display attached to the computer 19, for example, a cathode ray tube (CRT) as appropriate.
【００２５】ＣＰＵ２３内では、更に、エッジ処理され
て抽出された画像について、陰極線管座標から実寸座標
への座標変換処理が行われる。座標変換された後、電子
ビームの照射部位の実際のエッジの位置が求められる。
求められたエッジの実位置データから、電子ビームの照
射部位の中心位置（座標）Ｃや両端の位置（座標）
Ｅ 1 ，Ｅ2 等が判明する。In the CPU 23, edge processing is further performed.
Actual image coordinates from the cathode ray tube coordinates
Is performed. After coordinate transformation,
The actual edge position of the beam irradiation site is determined.
From the obtained actual position data of the edge,
Center position (coordinates) C and positions (coordinates) of both ends of the projectile
E 1, ETwoAnd so on.
【００２６】コンピュータ１９では、判明した実際の電
子ビームの照射部位の位置と、予め設定してある電子ビ
ームの照射部位の位置との比較を行い、その差を求め
る。差が生じている場合には、コンピュータ１９はその
差を補正するように、偏向制御回路２０を制御し、電子
発生源１５内の偏向手段により、電子ビームを偏向す
る。このようにして、電子ビームは被蒸発材料１２の所
定の位置に常に照射されることになる。The computer 19 compares the determined actual position of the irradiated portion of the electron beam with a preset position of the irradiated portion of the electron beam, and obtains the difference. If there is a difference, the computer 19 controls the deflection control circuit 20 to correct the difference, and deflects the electron beam by the deflecting means in the electron source 15. In this way, the electron beam is always applied to the predetermined position of the material 12 to be evaporated.
【００２７】ところで、黒体の分光放射輝度は、ある波
長以下においては波長が短くなるにしたがって減少する
が、異なる温度間の黒体の分光放射輝度の比は、ある波
長以下においては波長が短くなれば増加する。この様子
を図４に示す。図４で横軸は波長、縦軸は分光放射輝度
の相対値である。Incidentally, the spectral radiance of a black body decreases as the wavelength becomes shorter below a certain wavelength, but the ratio of the spectral radiance of the black body between different temperatures becomes shorter at a certain wavelength or less. Will increase if it becomes. This is shown in FIG. In FIG. 4, the horizontal axis represents the wavelength, and the vertical axis represents the relative value of the spectral radiance.
【００２８】この図から明らかなように、検出器の感度
が十分、或いは熱放射の強度が十分であれば、熱放射の
短波長成分のみを検出することによって、形成される画
像のコントラストを増加させることができる。すなわ
ち、異なる温度の識別が容易となる。As is apparent from this figure, if the sensitivity of the detector is sufficient or the intensity of the heat radiation is sufficient, the contrast of the formed image can be increased by detecting only the short wavelength component of the heat radiation. Can be done. That is, it is easy to identify different temperatures.
【００２９】以上本発明の実施の形態を詳述したが、本
発明はこの形態に限定されない。例えば、真空蒸着装置
を例に説明したが、イオンプレーティング装置で成膜材
料を蒸発させる場合などにも本発明を適用することがで
きる。Although the embodiment of the present invention has been described in detail, the present invention is not limited to this embodiment. For example, a vacuum evaporation apparatus has been described as an example, but the present invention can be applied to a case where a film forming material is evaporated by an ion plating apparatus.
【００３０】[0030]
【発明の効果】請求項１，請求項２の発明では、真空装
置は、真空中で被蒸発材料に電子ビームを照射し、被蒸
発材料を蒸発させる真空装置において、被蒸発材料表面
を撮像する撮像手段と、撮像手段の前面に設けられ、被
蒸発材料表面からの光の内、特定波長領域の光を透過さ
せるフィルターとを備えており、撮像手段からの被蒸発
材料表面の像信号に基づき、電子ビームの照射位置を求
めるようにしており、安価に精度良く被蒸発材料上の電
子ビームの照射位置の測定が可能となる。According to the first and second aspects of the present invention, the vacuum device irradiates the material to be evaporated with an electron beam in a vacuum and evaporates the material to be evaporated. An imaging unit and a filter provided on a front surface of the imaging unit and transmitting light in a specific wavelength region out of light from the surface of the material to be evaporated, based on an image signal of the surface of the material to be evaporated from the imaging unit. In addition, the irradiation position of the electron beam is determined, so that the irradiation position of the electron beam on the material to be evaporated can be accurately measured at low cost.
【００３１】請求項３の発明では、請求項１の効果に加
えて、求められた電子ビームの照射位置情報に基づき、
電子ビームを偏向して被蒸発材料上の電子ビームの照射
位置を補正するようにしているので、安価に正確に被蒸
発材料上の電子ビームの照射位置の測定が可能となると
共に、被蒸発材料上の所定の位置に電子ビームを照射で
きるので、所望の真空蒸着動作等を行うことができる。According to the third aspect of the invention, in addition to the effect of the first aspect, based on the obtained irradiation position information of the electron beam,
Since the electron beam irradiation position on the material to be evaporated is corrected by deflecting the electron beam, it is possible to accurately and inexpensively measure the irradiation position of the electron beam on the material to be evaporated, Since the upper predetermined position can be irradiated with the electron beam, a desired vacuum deposition operation or the like can be performed.
【００３２】請求項４の発明では、請求項１の発明にお
いて、撮像手段としてＣＣＤカメラを用いたので、Ｘ線
を検出する方式に比べて検出システムを著しく安価に構
成することができる。According to the fourth aspect of the present invention, since the CCD camera is used as the imaging means in the first aspect of the present invention, the detection system can be configured at a significantly lower cost than the X-ray detecting method.
【００３３】請求項５の発明では、請求項１の発明にお
いて、撮像手段からの像信号を２値化し、２値化画像信
号から電子ビーム照射部位に対応する像のエッジ抽出を
行い、エッジ位置から電子ビームの照射位置を求めるよ
うに構成したので、精度良く電子ビームの照射位置が求
められる。According to a fifth aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the image signal from the imaging means is binarized, and the edge of the image corresponding to the electron beam irradiation site is extracted from the binarized image signal to determine the edge position. Thus, the irradiation position of the electron beam can be obtained with high accuracy.
【図１】Ｘ線を用いて電子ビームの照射位置を検出する
システムの概念図である。FIG. 1 is a conceptual diagram of a system that detects an irradiation position of an electron beam using X-rays.
【図２】本発明に基づく真空装置の一例を示す図であ
る。FIG. 2 is a diagram showing an example of a vacuum device according to the present invention.
【図３】コンピュータにおける画像信号処理の概念を示
す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating the concept of image signal processing in a computer.
【図４】波長に応じた黒体の分光放射輝度の相対値を示
す図である。FIG. 4 is a diagram showing relative values of spectral radiance of a black body according to a wavelength.
１１ 真空チャンバー １２ 被蒸発材料 １３ ルツボ １４ 基板 １５ 電子発生源 １６ 観察窓 １７ ＣＣＤビデオカメラ １８ 光学フィルター １９ コンピュータ ２０ 偏向制御回路 Reference Signs List 11 vacuum chamber 12 material to be evaporated 13 crucible 14 substrate 15 electron source 16 observation window 17 CCD video camera 18 optical filter 19 computer 20 deflection control circuit
Claims (5)
し、被蒸発材料を蒸発させる真空装置において、被蒸発
材料表面を撮像する撮像手段と、撮像手段の前面に設け
られ、被蒸発材料表面からの光の内、特定波長領域の光
を透過させるフィルターとを備えており、撮像手段から
の被蒸発材料表面の像信号に基づき、電子ビームの照射
位置を求めるようにした真空装置。1. A vacuum device for irradiating an electron beam on a material to be evaporated in a vacuum and evaporating the material to be evaporated, an imaging means for imaging the surface of the material to be evaporated, and a material provided on a front surface of the imaging means, A vacuum apparatus comprising: a filter that transmits light of a specific wavelength region out of light from the surface; and obtaining an irradiation position of the electron beam based on an image signal of the surface of the material to be evaporated from an imaging unit.
域は、可視光の短波長側であることを特徴とする請求項
１記載の真空装置。2. The vacuum apparatus according to claim 1, wherein the wavelength range of light transmitted by the filter is on the short wavelength side of visible light.
基づき、電子ビームを偏向して被蒸発材料上の電子ビー
ムの照射位置を補正するようにした請求項１記載の真空
装置。3. The vacuum apparatus according to claim 1, wherein the electron beam is deflected to correct the irradiation position of the electron beam on the material to be evaporated based on the obtained irradiation position information of the electron beam.
記載の真空装置。4. The image pickup means is a CCD camera.
The vacuum device as described.
化画像信号から電子ビーム照射部位に対応する像のエッ
ジ抽出を行い、エッジ位置から電子ビームの照射位置を
求める請求項１記載の真空装置。5. An image signal from an imaging means is binarized, an edge of an image corresponding to an electron beam irradiation site is extracted from the binarized image signal, and an electron beam irradiation position is obtained from the edge position. Vacuum equipment.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29637496A JPH10140336A (en) | 1996-11-08 | 1996-11-08 | Vacuum device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29637496A JPH10140336A (en) | 1996-11-08 | 1996-11-08 | Vacuum device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10140336A true JPH10140336A (en) | 1998-05-26 |
Family
ID=17832732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29637496A Withdrawn JPH10140336A (en) | 1996-11-08 | 1996-11-08 | Vacuum device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10140336A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100780310B1 (en) | 2007-03-14 | 2007-11-28 | 대교엔지니어링(주) | Liquid metal observing device of a vacuum tank |
| JP2012207310A (en) * | 2012-07-13 | 2012-10-25 | Ulvac Japan Ltd | Vapor deposition method of metal oxide film, and method for manufacturing plasma display panel |
-
1996
- 1996-11-08 JP JP29637496A patent/JPH10140336A/en not_active Withdrawn
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Legal Events
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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