JPH1013194A - Oscillation circuit and pll circuit - Google Patents

Oscillation circuit and pll circuit

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JPH1013194A
JPH1013194A JP8158592A JP15859296A JPH1013194A JP H1013194 A JPH1013194 A JP H1013194A JP 8158592 A JP8158592 A JP 8158592A JP 15859296 A JP15859296 A JP 15859296A JP H1013194 A JPH1013194 A JP H1013194A
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JP
Japan
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circuit
signal
terminal
delay
output signal
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JP8158592A
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Kuniyoshi Naito
邦好 内藤
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To change a duty ratio of an oscillation signal from the oscillation circuit or the PLL circuit by providing an R.S flip-flop circuit, a leading or trailing detection circuit and a delay circuit to the oscillation circuit or the PLL circuit. SOLUTION: An rd circuit 12 detects the leading of an output Q of an R.S flip-flop circuit 10, to provide an output of a pulse rd.O. A delay circuit 14 delays the pulse rd.O by a delay time td2, to provide an output of a pulse R. The S.R FF circuit 10 is reset by the pulse R, and its output Q descends from 'H' to 'L'. According to the trailing of the output Q of the S.R FF circuit 10, an fD circuit 11 detects it to provide an output of a pulse fD.O. A delay circuit 13 provides an output of a pulse S, delaying the pulse fD.O by a delay time td1. The S.R FF circuit 10 is set by the pulse D, and the output Q rises from 'L' to 'H'. The rD circuit 12 again detects the leading and generates the pulse R, and the oscillation frequency is attained by repeating the operations above.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、電圧制御発振回路(以
下、VCOと呼ぶ)等の発振回路と、これを有するPL
L回路(位相同期ループ回路)に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an oscillating circuit such as a voltage controlled oscillating circuit (hereinafter referred to as VCO) and a PL having the same.
It relates to an L circuit (phase locked loop circuit).

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、次のような文献に記載されるものがあった。 文献;IEEE JOURNAL OF SOLID−
STATE CIRCUITS、27、1992年、I
EEE、(米)、Ian A.Young 他著、「A PLL Clock Ge
nerator with 5 to 110 MHz of Lock Range for Microp
rocessors 」、P.1599−1607 図2は、前記文献に記載された従来のVCOの回路図で
ある。このVCOでは、奇数段のインバータ1−k(k
=1〜2n+1)により、遅延時間tdの遅延回路を構
成し、最終段のインバータ1−(2n+1)の出力信号
を初段のインバータ1−1に入力して、td/2の周期
の発振回路を構成している。発振周波数は、インバータ
1−kを構成するNチャネル型電界効果トランジスタ
(以下、NMOSと呼ぶ)のソースに接続され、ソース
がGNDに接続されたNMOS2−k、及びインバータ
1−kを構成する(Pチャネル型電界効果トランジスタ
(以下、PMOSと呼ぶ)のソースにドレインが接続さ
れ、ソースが電源電位に接続されたPMOS3−kのゲ
ート電圧制御回路4によりゲート電圧を変化させること
によりインバータ1−kの遅延時間を変動させることに
より制御している。
2. Description of the Related Art Conventionally, techniques in such a field include:
For example, there is one described in the following literature. Literature; IEEE JOURNAL OF SOLID-
STATE CIRCUITS, 27 , 1992, I
EEE, (USA), Ian A. Young et al., "A PLL Clock Ge
nerator with 5 to 110 MHz of Lock Range for Microp
rocessors ", p. 1599-1607 FIG. 2 is a circuit diagram of a conventional VCO described in the above document. In this VCO, odd-numbered inverters 1-k (k
= 1 to 2n + 1), a delay circuit with a delay time td is formed, and the output signal of the last-stage inverter 1- (2n + 1) is input to the first-stage inverter 1-1, and an oscillation circuit having a period of td / 2 Make up. The oscillation frequency is connected to the source of an N-channel field-effect transistor (hereinafter referred to as NMOS) constituting the inverter 1-k, and constitutes the NMOS 2-k whose source is connected to GND and the inverter 1-k ( The drain is connected to the source of a P-channel field-effect transistor (hereinafter referred to as PMOS), and the gate voltage is changed by the gate voltage control circuit 4 of the PMOS 3-k whose source is connected to the power supply potential. Is controlled by varying the delay time of

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
発振回路においては、次のような課題があった。図3
は、図2のタイムチャートである。図3に示すように、
従来のVCOの出力信号波形は、常にデューティが50
%となるため、発振周波数の制御は可能であるが、パル
スの“H”レベル領域と“L”レベル領域の幅の制御、
つまりデューティの制御を行うことができなかった。
However, the conventional oscillation circuit has the following problems. FIG.
Is a time chart of FIG. As shown in FIG.
The output signal waveform of the conventional VCO always has a duty of 50
%, The oscillation frequency can be controlled, but the widths of the pulse “H” level region and “L” level region can be controlled,
That is, the duty cannot be controlled.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために、発振回路において、R端子より入力され
るリセット信号により“L”レベル、S端子より入力さ
れるセット信号により“H”レベルの信号を出力するR
・Sフリップフロップ回路(リセット・セットフリップ
フロップ回路)と、前記R・Sフリップフロップの出力
信号波形の立ち下がりを検出する立ち下がり検出回路
と、前記立ち下がり検出回路の出力信号よりも所定の第
1の遅延時間だけ遅延した出力信号を前記S端子に出力
する第1の遅延回路と、前記R・Sフリップフロップの
出力信号波形の立ち上がりを検出する立ち上がり検出回
路と、前記立ち上がり検出回路の出力信号よりも所定の
第2の遅延時間だけ遅延した出力信号を前記R端子に出
力する第2の遅延回路とを備えている。
According to the present invention, in order to solve the above-mentioned problems, in an oscillation circuit, a reset signal inputted from an R terminal is set to an "L" level, and a set signal inputted from an S terminal is set to an "H" level. R to output "level signal"
An S flip-flop circuit (reset / set flip-flop circuit), a fall detection circuit for detecting the fall of the output signal waveform of the RS flip-flop, and a predetermined signal which is lower than the output signal of the fall detection circuit. A first delay circuit that outputs an output signal delayed by one delay time to the S terminal, a rise detection circuit that detects a rise of an output signal waveform of the RS flip-flop, and an output signal of the rise detection circuit And a second delay circuit for outputting an output signal delayed by a predetermined second delay time to the R terminal.

【0005】本発明によれば、以上のように発振回路を
構成したので、R・Sフリップフロップ回路の立ち下が
りを立ち下がり検出回路により検出する。第1の遅延回
路によってその立ち下がり時点よりも所定の遅延時間だ
け遅延した信号をR・Sフリップフロップ回路のS端子
に入力して、“H”レベルを出力する。つまり、R・S
フリップフロップ回路の“L”領域の期間は、第1の遅
延回路の遅延時間にほぼ等しくなる。R・Sフリップフ
ロップ回路の立ち上がりを立上がり検出回路により検出
する。第2の遅延回路により、その立ち上がり時点より
も所定の遅延時間だけ遅延した信号をR・Sフリップフ
ロップ回路のR端子に入力して、“L”レベルを出力す
る。つまり、R・Sフリップフロップ回路の“H”領域
の期間は、第2の遅延回路の遅延時間にほぼ等しくな
る。また、発振周期は、第1と第2の遅延回路の遅延時
間の和にほぼ等しくなる。従って、前記課題を解決でき
るのである。
According to the present invention, since the oscillation circuit is configured as described above, the fall of the RS flip-flop circuit is detected by the fall detection circuit. A signal delayed by a predetermined delay time from its falling point by the first delay circuit is input to the S terminal of the RS flip-flop circuit to output an “H” level. That is, R · S
The period of the "L" region of the flip-flop circuit is substantially equal to the delay time of the first delay circuit. The rise of the RS flip-flop circuit is detected by a rise detection circuit. A signal delayed by a predetermined delay time from the rising point by the second delay circuit is input to the R terminal of the RS flip-flop circuit to output an “L” level. That is, the period of the “H” region of the RS flip-flop circuit is substantially equal to the delay time of the second delay circuit. Further, the oscillation cycle is substantially equal to the sum of the delay times of the first and second delay circuits. Therefore, the above problem can be solved.

【0006】[0006]

【発明の実施の形態】第1の実施形態 図1は、本発明の第1の実施形態を示す発振回路の回路
図である。この発振回路は、発振周波数のデューティを
変えられるようになっており、R・Sフリップフロップ
回路(以下、R・SFF回路と呼ぶ)10、立ち下がり
検出回路(以下、fD回路と呼ぶ)11、立ち上がり検
出回路(以下、rD回路と呼ぶ)12、及び遅延回路1
3、14により構成されている。R・SFF回路10の
S端子には、遅延回路13の出力信号が入力され、R端
子には、遅延回路14の出力信号が入力され、Q端子よ
り出力する。R・SFF回路10は、S端子に“H”レ
ベルが入力されると“H”レベル、R端子に“H”レベ
ルが入力されると“L”レベルをQ端子より出力する。
fD回路11の入力端子Iには、R・SFF回路10の
Q端子より入力されて、fD・O端子より遅延回路13
に出力する。遅延回路13は、遅延時間設定端子C1、
及びfD回路11より入力されて、R・SFF回路10
のS端子に出力する。rD回路12の入力端子Iには、
R・SFF回路10のQ端子より入力されて、rD・O
端子より遅延回路14に出力する。遅延回路14は、遅
延時間設定端子C2、及びrD回路12より入力され
て、R・SFF回路10のR端子に出力する。td1
は、遅延回路13の遅延時間であり、td2は、遅延回
路14の遅延時間である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First Embodiment FIG. 1 is a circuit diagram of an oscillation circuit showing a first embodiment of the present invention. This oscillation circuit can change the duty of the oscillation frequency, and includes an R / S flip-flop circuit (hereinafter, referred to as an R / SFF circuit) 10, a falling detection circuit (hereinafter, referred to as an fD circuit) 11, Rise detection circuit (hereinafter referred to as rD circuit) 12 and delay circuit 1
3 and 14. The output signal of the delay circuit 13 is input to the S terminal of the R / SFF circuit 10, the output signal of the delay circuit 14 is input to the R terminal, and output from the Q terminal. The R / SFF circuit 10 outputs an “H” level from the Q terminal when an “H” level is input to the S terminal and an “L” level when an “H” level is input to the R terminal.
The input terminal I of the fD circuit 11 is inputted from the Q terminal of the R / SFF circuit 10 and is inputted from the fD / O terminal to the delay circuit 13.
Output to The delay circuit 13 includes a delay time setting terminal C1,
Input from the fD circuit 11 and the R / SFF circuit 10
To the S terminal. The input terminal I of the rD circuit 12
It is input from the Q terminal of the R / SFF circuit 10 and
The signal is output from the terminal to the delay circuit 14. The delay circuit 14 is input from the delay time setting terminal C2 and the rD circuit 12 and outputs to the R terminal of the R / SFF circuit 10. td1
Is the delay time of the delay circuit 13, and td2 is the delay time of the delay circuit 14.

【0007】図4は、図1のタイムチャートである。以
下、図4を参照しつつ図1の発振回路の動作の説明をす
る。R・SFF10のQ端子の立ち上がりにしたがっ
て、rD回路12がそれを感知して、パルスrD・Oを
遅延回路14に出力する。遅延回路14は、パルスrD
・Oに対して、遅延時間td2だけ遅延したパルスRを
S・RFF10のR端子に出力する。S・RFF回路1
0のR端子に入力されたパルスRにより、S・RFF回
路10は、リセットされて、Q端子は“H”レベルから
“L”レベルに立ち下がり、このS・RFF回路10の
Q端子の“H”レベルの期間がほぼ遅延回路14の遅延
時間td2となる。次に、S・RFF回路10のQ端子
の立ち下がりにしたがって、fD回路11がそれを感知
して、パルスfD・Oを遅延回路13に出力する。遅延
回路13で、パルスfD・Oに対して、遅延時間td1
だけ遅延したパルスSをS・RFF10のS端子に出力
する。S・RFF回路10のS端子に入力されたパルス
Sにより、S・RFF回路10は、セットされて、Q端
子は“L”レベルから“H”レベルに立ち上がる。この
S・RFF回路10のQ端子の“L”レベルの期間はほ
ぼtd1となる。
FIG. 4 is a time chart of FIG. Hereinafter, the operation of the oscillation circuit of FIG. 1 will be described with reference to FIG. The RD circuit 12 senses the rising of the Q terminal of the R · SFF 10 and outputs a pulse rDO to the delay circuit 14. The delay circuit 14 outputs the pulse rD
A pulse R delayed by a delay time td2 with respect to O is output to the R terminal of the S-RFF10. S / RFF circuit 1
The S / RFF circuit 10 is reset by the pulse R input to the R terminal of 0, the Q terminal falls from the “H” level to the “L” level, and the “Q” terminal of the S / RFF circuit 10 “ The period of the H level is substantially equal to the delay time td2 of the delay circuit 14. Next, as the Q terminal of the S / RFF circuit 10 falls, the fD circuit 11 senses this and outputs a pulse fD · O to the delay circuit 13. In the delay circuit 13, a delay time td1
The pulse S delayed by only S is output to the S terminal of the S-RFF 10. The S / RFF circuit 10 is set by the pulse S input to the S terminal of the S / RFF circuit 10, and the Q terminal rises from “L” level to “H” level. The "L" level period of the Q terminal of the S-RFF circuit 10 is substantially equal to td1.

【0008】再び、rD回路12が立ち上がりを検知し
てパルスRを発生して、上記動作を繰り返すことにより
発振機能を達成する。以上のようにして、周期がtd1
+td2、“H”レベルの期間がtd2、“L”レベル
の期間がtd1の発振パルスが出力される。また、遅延
回路13の遅延時間td1及び遅延回路14の遅延時間
td2は、遅延時間設定端子C1及びC2により入力さ
れる遅延時間設定信号により制御される。以上のよう
に、本第1の実施形態では、安定した発振が得られると
共に、立ち上がり検出パルスrD・Oの遅延時間td1
と立ち下がり検出パルスfD・Oの遅延時間td2の各
々の値を遅延回路13、14により別々に設定できるの
で、発振波形の“H”レベルの時間幅と“L”レベルの
時間幅を制御でき、発振周波数を制御すると共に発振パ
ルスのデューティを自由に設定できるという利点があ
る。
[0008] Again, the rD circuit 12 detects the rise, generates a pulse R, and repeats the above operation to achieve the oscillation function. As described above, the period is td1
An oscillation pulse of + td2, an “H” level period is td2, and an “L” level period is td1 is output. Further, the delay time td1 of the delay circuit 13 and the delay time td2 of the delay circuit 14 are controlled by a delay time setting signal input from delay time setting terminals C1 and C2. As described above, in the first embodiment, stable oscillation is obtained, and the delay time td1 of the rising detection pulse rD · O is obtained.
And the delay time td2 of the falling detection pulse fDO can be set separately by the delay circuits 13 and 14, so that the "H" level time width and the "L" level time width of the oscillation waveform can be controlled. This has the advantage that the oscillation frequency can be controlled and the duty of the oscillation pulse can be set freely.

【0009】第2の実施形態 図5(a),(b)は、本発明の第2の実施形態を示す
図1中のrD回路12及びfD回路11の回路図であ
り、同図(a)はrD回路12、同図(b)はfD回路
11であり、図1中の要素と共通の要素には共通の符号
を付してある。図5(a)に示すように、rD回路12
は、遅延回路21、インバータ22、2入力NANDゲ
ート23、及びインバータ24により構成されている。
遅延回路21には、入力信号Iが入力される。遅延回路
21の出力側に、インバータ22が接続され、さらにイ
ンバータ22の出力側に、NANDゲート23の一方の
入力端子が接続されている。また、NANDゲート23
の他方の入力端子には、入力信号Iが入力される。NA
NDゲート23の出力側に、インバータ24が接続さ
れ、さらにインバータ24の出力側に、出力端子Oが接
続されている。図5(b)に示すように、fD回路11
は、インバータ30とrD回路12とで構成されてい
る。即ち、インバータ30には、入力信号Iが入力され
る。インバータ30の出力側は、遅延回路31及びAN
Dゲート33の一方の入力端子に接続されている。遅延
回路31の出力側に、インバータ32が接続され、さら
にインバータ32の出力側に、NANDゲート33の他
方の入力端子が接続されている。NANDゲート33の
出力側に、インバータ34が接続され、さらにインバー
タ34の出力側に、出力端子Oが接続されている。
Second Embodiment FIGS. 5A and 5B are circuit diagrams of an rD circuit 12 and an fD circuit 11 in FIG. 1 showing a second embodiment of the present invention. ) Indicates an rD circuit 12, and FIG. 2B indicates an fD circuit 11. Elements common to those in FIG. 1 are denoted by common reference numerals. As shown in FIG. 5A, the rD circuit 12
Is composed of a delay circuit 21, an inverter 22, a two-input NAND gate 23, and an inverter 24.
The input signal I is input to the delay circuit 21. The inverter 22 is connected to the output side of the delay circuit 21, and one input terminal of the NAND gate 23 is connected to the output side of the inverter 22. Also, the NAND gate 23
The input signal I is input to the other input terminal of the input terminal. NA
An inverter 24 is connected to the output side of the ND gate 23, and an output terminal O is connected to the output side of the inverter 24. As shown in FIG. 5B, the fD circuit 11
Is composed of an inverter 30 and an rD circuit 12. That is, the input signal I is input to the inverter 30. The output side of the inverter 30 is connected to the delay circuit 31 and the AN
It is connected to one input terminal of the D gate 33. The inverter 32 is connected to the output side of the delay circuit 31, and the other input terminal of the NAND gate 33 is connected to the output side of the inverter 32. An inverter 34 is connected to an output side of the NAND gate 33, and an output terminal O is connected to an output side of the inverter 34.

【0010】図6(a),(b)は、図5のタイムチャ
ートであり、同図(a)は、rD回路12のタイムチャ
ート、同図(b)は、fD回路11のタイムチャートで
ある。図6(a)に示すように、rD回路12の遅延回
路21に入力された入力信号Iは、所定の遅延時間だけ
遅延したパルスを発生して、このパルスはインバータ2
2により反転される。インバータ22の出力信号S22
及び入力信号Iは、入力信号Iの立ち上がりから遅延回
路21の遅延時間だけ、共に“H”レベルとなるため、
NANDゲート23及びインバータ24により、入力信
号Iの立ち上がりから遅延時間だけ“H”レベルの出力
信号Oが出力される。つまり、このrD回路12により
入力信号Iの立ち上がりが検出される。一方、図6
(b)に示すように、fD回路11のインバータ30よ
り出力された入力信号Iの反転信号S30は、遅延回路
31及びNANDゲート33に入力される。遅延回路3
1では、所定の遅延時間だけ遅延したパルスを発生す
る。このパルスはインバータ32により反転されて、反
転信号S32がNANDゲート33に入力される。NA
NDゲート33に入力される二つの信号は、入力信号I
が立ち下がってから遅延時間だけ、共に“H”レベルに
なる。NANDゲート33及びインバータ34により、
入力信号Iの立ち下がりから遅延時間だけ“H”レベル
の出力信号Oが出力される。つまり、このfD回路11
により入力信号Iの立ち下がりが検出される。以上説明
したように、本第2の実施形態によれば、遅延回路2
1,31、インバータ22,24,32,34、及びN
ANDゲート23,33という簡単で安定な回路によっ
て、rD回路12及びfD回路11を構成できると共
に、これらのrD回路12とfD回路11はほぼ同じ回
路で構成することができる。
FIGS. 6A and 6B are time charts of FIG. 5, wherein FIG. 6A is a time chart of the rD circuit 12 and FIG. 6B is a time chart of the fD circuit 11. is there. As shown in FIG. 6A, the input signal I input to the delay circuit 21 of the rD circuit 12 generates a pulse delayed by a predetermined delay time, and this pulse is
2 inverted. Output signal S22 of inverter 22
And the input signal I both become “H” level for the delay time of the delay circuit 21 from the rise of the input signal I.
The NAND gate 23 and the inverter 24 output an output signal O of “H” level for a delay time from the rising of the input signal I. That is, the rising of the input signal I is detected by the rD circuit 12. On the other hand, FIG.
As shown in (b), the inverted signal S30 of the input signal I output from the inverter 30 of the fD circuit 11 is input to the delay circuit 31 and the NAND gate 33. Delay circuit 3
At 1, a pulse delayed by a predetermined delay time is generated. This pulse is inverted by the inverter 32, and the inverted signal S32 is input to the NAND gate 33. NA
The two signals input to the ND gate 33 are input signals I
Fall to the “H” level for the delay time only. By the NAND gate 33 and the inverter 34,
An output signal O of "H" level is output for a delay time from the fall of the input signal I. That is, the fD circuit 11
As a result, the falling of the input signal I is detected. As described above, according to the second embodiment, the delay circuit 2
1, 31, inverters 22, 24, 32, 34, and N
The rD circuit 12 and the fD circuit 11 can be constituted by simple and stable circuits such as the AND gates 23 and 33, and the rD circuit 12 and the fD circuit 11 can be constituted by substantially the same circuit.

【0011】第3の実施形態 図7は、本発明の第3の実施形態を示す遅延素子の回路
図である。この遅延素子は、第1のPMOS41、第1
のNMOS42、第2のPMOS43、及び第2のNM
OS44により構成されている。PMOS41の第2の
電極としてのドレインとNMOS42の第4の電極とし
てのドレインが接続され、さらに出力端子Oに接続され
ている。PMOS41の第1の制御電極としてのゲート
及びNMOS42の第2の制御電極としてのゲートは、
入力端子Iに接続されている。PMOS41の第1の電
極としてのソースは、NMOS43の第6の電極として
のソースに接続されている。NMOS43の第5の電極
としてのドレインは、第1の電源電位である電源に接続
され、第3の制御電極としてのゲートは遅延制御端子S
Pに接続されている。NMOS42の第3の電極として
のソースはPMOS44の第8の電極としてのソースに
接続されている。PMOS44の第7の電極としてのド
レインは、第2の電源電位としてのGNDに接続され、
第4の制御電極としてのゲートは遅延制御端子SNに接
続されている。出力端子OとGNDとの間に負荷容量C
1が接続されている。そして、図1中の遅延回路13、
14は、この遅延素子をn(n≧1の整数)段直列に接
続することにより構成される。
Third Embodiment FIG. 7 is a circuit diagram of a delay element showing a third embodiment of the present invention. This delay element includes a first PMOS 41, a first PMOS
NMOS 42, second PMOS 43, and second NM
It is composed of an OS 44. The drain as the second electrode of the PMOS 41 and the drain as the fourth electrode of the NMOS 42 are connected, and further connected to the output terminal O. The gate of the PMOS 41 as a first control electrode and the gate of the NMOS 42 as a second control electrode are:
Connected to input terminal I. The source of the PMOS 41 as the first electrode is connected to the source of the NMOS 43 as the sixth electrode. The drain of the NMOS 43 as a fifth electrode is connected to a power supply which is a first power supply potential, and the gate as a third control electrode is a delay control terminal S
Connected to P. The source of the NMOS 42 as the third electrode is connected to the source of the PMOS 44 as the eighth electrode. A drain as a seventh electrode of the PMOS 44 is connected to GND as a second power supply potential,
The gate as the fourth control electrode is connected to the delay control terminal SN. Load capacitance C between output terminal O and GND
1 is connected. Then, the delay circuit 13 in FIG.
Reference numeral 14 denotes a configuration in which the delay elements are connected in series in n (n ≧ 1 integer) stages.

【0012】以下、図7の動作の説明をする。PMOS
41及びNMOS42の相補接続によりインバータを構
成して、電源電圧はNMOS43を通して供給され、G
NDはPMOS44を通して供給される。入力端子Iの
信号が“H”から“L”、あるいは“L”から“H”に
変化すると、出力端子Oはインバータ機能により“L”
から“H”、あるいは“H”から“L”に変化する。出
力端子Oには、負荷容量C1が接続されており、出力端
子Oのレベルが“L”から“H”に変化するときには、
負荷容量C1に電源からNMOS43を通して充電する
時間が必要となる。また、出力端子Oのレベルが“H”
から“L”に変化するときには、負荷容量C1に充電さ
れていた電荷をPMOS44を通して放電する時間が必
要となる。つまり、入力端子Iの信号が“H”から
“L”、あるいは“L”から“H”に変化した時、出力
端子Oのレベルが“L”から“H”、あるいは“H”か
ら“L”に変化するまでには、特定の遅延時間(負荷容
量C1の容量が大きければそれだけ遅延時間が余計に必
要となる)が発生する。
The operation of FIG. 7 will be described below. PMOS
An inverter is constituted by the complementary connection of the NMOS transistor 41 and the NMOS 42. The power supply voltage is supplied through the NMOS 43,
ND is supplied through PMOS 44. When the signal at the input terminal I changes from "H" to "L" or from "L" to "H", the output terminal O is set to "L" by the inverter function.
From “H” to “H” or from “H” to “L”. The load capacitance C1 is connected to the output terminal O. When the level of the output terminal O changes from “L” to “H”,
It takes time to charge the load capacitance C1 from the power supply through the NMOS 43. The level of the output terminal O is "H".
When it changes from "L" to "L", a time is required to discharge the charge charged in the load capacitance C1 through the PMOS 44. That is, when the signal at the input terminal I changes from “H” to “L” or from “L” to “H”, the level of the output terminal O changes from “L” to “H” or from “H” to “L”. Until "", a specific delay time (the longer the load capacity C1 is, the longer the delay time is required) occurs.

【0013】さらに、電源あるいはGNDを供給してい
るNMOS43、PMOS44のゲート電圧をSP,S
N端子より変化させることにより、NMOS43、PM
OS44のオン抵抗が変化するため、NMOS43、P
MOS44から供給する電源電流を制御して、負荷容量
C1への充放電電流を制御する。例えば、NMOS43
には、SP端子よりゲートに印加する正の電圧を低くす
ることにより、NMOS43のオン抵抗が大きくなり、
充電電流が少なくなり、負荷容量C1への充電時間が余
計に必要となり、遅延時間が大きくなる。そして、この
遅延素子をn段直列に接続した遅延回路の遅延時間は、
各遅延素子の遅延時間の和となる。また、NMOS43
のソースを正の電源に接続しているので、電源電圧が変
動しても、その変動を相殺するようにNMOS43の抵
抗が変動するように動作する(例えば、電源電圧が高く
なった時には、NMOS43の抵抗が大きくなるように
変化する)ため、ドレインの電位が電源電圧の変動の影
響を受けない。同様に、PMOS44のソースをGND
に接続しているので、ドレインの電位がGNDの電圧の
変動の影響を受けない。以上説明したように、本第3の
実施形態によれば、正の電源の供給をNMOS43を通
して行い、GNDの供給をPMOS44を通して行って
いるために、電源電圧、GND電圧のノイズ変動に対し
て、安定した遅延時間を発生する遅延回路を実現するこ
とができるという利点がある。
Further, the gate voltages of the NMOS 43 and the PMOS 44 which supply the power or GND are changed to SP, S
By changing from the N terminal, the NMOS 43, PM
Since the on-resistance of the OS 44 changes, the NMOS 43, P
The power supply current supplied from the MOS 44 is controlled to control the charge / discharge current to the load capacitance C1. For example, NMOS 43
The on-resistance of the NMOS 43 increases by lowering the positive voltage applied to the gate from the SP terminal,
The charging current decreases, the charging time for the load capacitance C1 becomes longer, and the delay time increases. Then, the delay time of a delay circuit in which this delay element is connected in n stages in series is
This is the sum of the delay times of the delay elements. In addition, NMOS 43
Is connected to the positive power supply, so that even if the power supply voltage fluctuates, the NMOS 43 operates so that the resistance is changed so as to cancel the fluctuation (for example, when the power supply voltage becomes high, the NMOS 43 The resistance of the drain is not affected by the fluctuation of the power supply voltage. Similarly, the source of the PMOS 44 is connected to GND.
, The potential of the drain is not affected by the fluctuation of the GND voltage. As described above, according to the third embodiment, since the positive power is supplied through the NMOS 43 and the GND is supplied through the PMOS 44, the power supply voltage and the noise fluctuation of the GND voltage can be reduced. There is an advantage that a delay circuit that generates a stable delay time can be realized.

【0014】第4の実施形態 図8は、本発明の第4の実施形態を示す発振回路の回路
図であり、図1中の要素と共通の要素には、共通の符号
を付してある。本第4の実施形態の発振回路が第1の実
施形態の発振回路と異なる点は、R・SFF回路10の
S端子への入力信号をfD回路11の出力から取る代わ
りに、外部端子より直接入力するようにしたことであ
る。図9は、図8のタイムチャートである。以下、図9
を参照しつつ図8の動作の説明をする。R・SFF回路
10のS端子には、入力端子を通して入力パルスIが一
定の周期tdで入力される。S端子への入力パルスIに
したがって、R・SFF回路10がセットされて、出力
信号Oが立ち上がる。rD回路12はその立ち上がりを
検知して検出パルスrD・Oを発生する。この検出パル
スrD・Oは遅延回路14を経由することにより、遅延
時間td2の遅延を発生して、その出力信号がR・SF
F回路10のR端子に入力される。R端子に入力された
パルスによりR・SFF回路10はリセットされ、Q端
子は“H”から“L”に立ち下がる。この時、Q端子の
“H”レベルの期間は、td2となる。
Fourth Embodiment FIG. 8 is a circuit diagram of an oscillation circuit showing a fourth embodiment of the present invention. Elements common to those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. . The difference between the oscillation circuit of the fourth embodiment and the oscillation circuit of the first embodiment is that the input signal to the S terminal of the R / SFF circuit 10 is not directly taken from the output of the fD circuit 11 but from an external terminal. That is to input. FIG. 9 is a time chart of FIG. Hereinafter, FIG.
The operation of FIG. 8 will be described with reference to FIG. An input pulse I is input to the S terminal of the R / SFF circuit 10 at a constant cycle td through an input terminal. The R / SFF circuit 10 is set according to the input pulse I to the S terminal, and the output signal O rises. The rD circuit 12 detects the rise and generates a detection pulse rD · O. The detection pulse rD · O passes through the delay circuit 14 to generate a delay of a delay time td2, and the output signal is R · SF
The signal is input to the R terminal of the F circuit 10. The R / SFF circuit 10 is reset by the pulse input to the R terminal, and the Q terminal falls from “H” to “L”. At this time, the “H” level period of the Q terminal is td2.

【0015】次に、再び、S端子に入力パルスIが印加
されると、出力信号Oが立ち上がる。この時、出力信号
Oの“L”レベルの期間は、td−td2となる。以
後、上記動作を繰り返す事によりS端子入力に同期した
発振を達成する。つまり、周期がtd、“H”レベルの
期間がtd2、“L”領域の期間がt−td2の発振波
形が得られる。以上説明したように、本第4の実施形態
によれば、S端子入力に同期して“L”レベルから
“H”レベルに立ち上がり、遅延回路14にて設定した
“H”レベル領域を持つ波形を得ることができるという
利点がある。
Next, when the input pulse I is applied again to the S terminal, the output signal O rises. At this time, the period during which the output signal O is at the “L” level is td−td2. Thereafter, the above operation is repeated to achieve oscillation synchronized with the S terminal input. That is, an oscillation waveform having a period of td, a period of the "H" level at td2, and a period of the "L" region at t-td2 is obtained. As described above, according to the fourth embodiment, the waveform rising from the “L” level to the “H” level in synchronization with the S terminal input and having the “H” level region set by the delay circuit 14 There is an advantage that can be obtained.

【0016】第5の実施形態 図10は、本発明の第5の実施形態を示す発振回路の回
路図であり、図1中の要素と共通の要素には、共通の符
号を付してある。本第5の実施形態の発振回路が第1の
実施形態の発振回路と異なる点は、R・SFF回路10
のR端子への入力信号をrD回路12の出力から取る代
わりに、外部端子より直接入力するようにしたことであ
る。図11は、図10のタイムチャートである。R・S
FF回路10のR端子には、入力端子を通して入力パル
スIが一定の周期tdで入力される。R端子への入力パ
ルスIにしたがって、R・SFF回路10がリセットさ
れて、出力信号Oが立ち下がる。fD回路12はその立
ち下がりを検知して検出パルスfD・Oを発生する。こ
の検出パルスfD・Oは遅延回路13を経由することに
より、遅延時間td1の遅延を発生して、その出力信号
がR・SFF回路10のS端子に入力される。S端子に
入力されたパルスによりR・SFF回路10はセットさ
れ、Q端子は“H”から“L”に立ち上がる。この時、
出力信号Oの“L”レベルの期間は、td1となる。
Fifth Embodiment FIG. 10 is a circuit diagram of an oscillation circuit showing a fifth embodiment of the present invention. Elements common to those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. . The difference between the oscillation circuit of the fifth embodiment and the oscillation circuit of the first embodiment is that the R / SFF circuit 10
Instead of taking the input signal to the R terminal from the output of the rD circuit 12, the input signal is directly input from an external terminal. FIG. 11 is a time chart of FIG. R ・ S
An input pulse I is input to the R terminal of the FF circuit 10 at a constant cycle td through an input terminal. The R / SFF circuit 10 is reset according to the input pulse I to the R terminal, and the output signal O falls. The fD circuit 12 detects the fall and generates a detection pulse fD · O. The detection pulse fDO passes through the delay circuit 13 to generate a delay of a delay time td1, and its output signal is input to the S terminal of the R / SFF circuit 10. The R / SFF circuit 10 is set by the pulse input to the S terminal, and the Q terminal rises from “H” to “L”. At this time,
The period during which the output signal O is at the “L” level is td1.

【0017】次に、再び、R端子に入力パルスIが印加
されると、出力信号Oが立ち下がる。この時、出力信号
Oの“H”レベルの期間は、td−td1となる。以
後、上記動作を繰り返す事によりR端子入力に同期した
発振を達成する。つまり、周期がtd、“L”レベルの
期間がtd1、“H”レベルの期間がt−td1の発振
波形が得られる。以上説明したように、本第5の実施形
態によれば、R端子入力に同期して“H”レベルから
“L”レベルに立ち上がり、遅延回路13にて設定した
“L”レベル領域を持つ波形を得ることができるという
利点がある。
Next, when the input pulse I is applied again to the R terminal, the output signal O falls. At this time, the period of the “H” level of the output signal O is td−td1. Thereafter, the above operation is repeated to achieve oscillation synchronized with the R terminal input. In other words, an oscillation waveform having a period of td, a period of "L" level at td1, and a period of "H" level at t-td1 is obtained. As described above, according to the fifth embodiment, the waveform having the “L” level region set by the delay circuit 13 rises from the “H” level to the “L” level in synchronization with the R terminal input. There is an advantage that can be obtained.

【0018】第6の実施形態 図12は、本発明の第6の実施形態を示すPLL回路の
構成図である。このPLL回路は、PLL回路本体50
と、パルス幅比較器60と、第4又は第5の実施形態の
発振回路70とを、備えている。PLL回路本体50
は、位相差検出器(以下、PDと呼ぶ)51、ループフ
ィルタ(以下、LPFと呼ぶ)52、及びVCO53に
より構成されている。PD51は、外部クロックと発振
回路70からクロックを入力する。PD51の出力側
に、LPF52が接続され、さらにLPF52の出力側
に、VCO53が接続されている。パルス幅比較器60
は、外部クロックと、発振回路70からクロックを入力
する。発振回路70は、VCO53より入力信号Iを入
力し、パルス幅比較器60より遅延時間設定信号Cを入
力する。発振回路70の出力端子Oは、PD51及びパ
ルス幅比較器60に接続されている。
Sixth Embodiment FIG. 12 is a block diagram of a PLL circuit showing a sixth embodiment of the present invention. This PLL circuit comprises a PLL circuit main body 50.
, A pulse width comparator 60, and the oscillation circuit 70 of the fourth or fifth embodiment. PLL circuit body 50
Comprises a phase difference detector (hereinafter, referred to as PD) 51, a loop filter (hereinafter, referred to as LPF) 52, and a VCO 53. The PD 51 inputs an external clock and a clock from the oscillation circuit 70. The LPF 52 is connected to the output side of the PD 51, and the VCO 53 is connected to the output side of the LPF 52. Pulse width comparator 60
Inputs an external clock and a clock from the oscillation circuit 70. The oscillation circuit 70 receives the input signal I from the VCO 53 and receives the delay time setting signal C from the pulse width comparator 60. The output terminal O of the oscillation circuit 70 is connected to the PD 51 and the pulse width comparator 60.

【0019】以下、図12のPLL回路の動作を説明す
る。PD51、LPF52、及びVCO53により外部
クロックの位相に同期したクロックを発生して、発振回
路70に出力する。発振回路70では、上述した第4又
は第5の実施形態の発振回路と同様の動作にしたがっ
て、パルス幅比較器60より出力される遅延時間設定信
号Cにより制御される遅延時間により、入力信号Iの
“H”レベル領域又は“L”レベル領域の期間を設定し
て、クロックをPD51及びパルス幅比較器60に出力
する。発振回路70のクロックの周波数及び立ち上がり
と立ち下がりの位相は、VCO53の出力信号に一致す
る。パルス幅比較器60では、外部クロックと発振回路
70のクロックとのパルス幅を比較して、そのパルス幅
が一致するように遅延時間設定信号Cを出力する。例え
ば、外部クロックの“H”レベル領域が発振回路70の
“H”レベル領域よりも長ければ、第4の実施形態では
遅延時間td2を長く、第5の実施形態では遅延時間t
d1を短くするような遅延時間設定信号Cとする。
The operation of the PLL circuit shown in FIG. 12 will be described below. A clock synchronized with the phase of the external clock is generated by the PD 51, the LPF 52, and the VCO 53 and output to the oscillation circuit 70. In the oscillation circuit 70, the input signal I is controlled by the delay time controlled by the delay time setting signal C output from the pulse width comparator 60 according to the same operation as the oscillation circuit of the fourth or fifth embodiment described above. The clock is output to the PD 51 and the pulse width comparator 60 by setting the period of the “H” level area or the “L” level area. The frequency of the clock of the oscillation circuit 70 and the rising and falling phases coincide with the output signal of the VCO 53. The pulse width comparator 60 compares the pulse widths of the external clock and the clock of the oscillation circuit 70, and outputs a delay time setting signal C so that the pulse widths match. For example, if the "H" level region of the external clock is longer than the "H" level region of the oscillation circuit 70, the delay time td2 is longer in the fourth embodiment, and the delay time td in the fifth embodiment.
It is assumed that the delay time setting signal C shortens d1.

【0020】以上の動作を繰り返すことにより、PD5
1、LPF52及びVCO53により、外部クロックに
対して周波数の一致、位相同期機能を持たせ、パルス幅
比較器60と発振回路70により、外部クロックのデュ
ーティを一致させることができる。以上説明したよう
に、本第6の実施形態によれば、PLL回路本体50に
パルス幅比較器60と発振回路70とを付加することに
より、外部クロックに対して、周波数の一致、位相同期
機能に加えて、クロック波形のデューティを一致させる
ことができるという利点がある。なお、本発明は、上記
実施形態に限定されず種々の変形が可能である。その変
形例としては、例えば次のようなものがある。 (1) 第2の実施形態では、遅延回路21と、インバ
ータ22、NANDゲート23及びインバータ24から
なる論理回路とにより、rD回路12を構成した例を示
したが、遅延回路と論理回路の別の組み合わせにより構
成することも可能である。また、fD回路11の構成も
同様である。 (2) 第3の実施形態では、MOSFETを用いた構
成例を示したが、MESFETを用いて構成してもよ
い。
By repeating the above operation, the PD5
1. The LPF 52 and the VCO 53 allow the external clock to have a frequency matching function and a phase synchronization function, and the pulse width comparator 60 and the oscillation circuit 70 can match the duty of the external clock. As described above, according to the sixth embodiment, by adding the pulse width comparator 60 and the oscillating circuit 70 to the PLL circuit main body 50, the frequency matching and the phase synchronization function with respect to the external clock can be achieved. In addition to this, there is an advantage that the duty of the clock waveform can be matched. Note that the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications are possible. For example, there are the following modifications. (1) In the second embodiment, the example in which the rD circuit 12 is configured by the delay circuit 21 and the logic circuit including the inverter 22, the NAND gate 23, and the inverter 24 has been described. It is also possible to configure by a combination of. The same applies to the configuration of the fD circuit 11. (2) In the third embodiment, the configuration example using the MOSFET is shown, but the configuration may be made using a MESFET.

【0021】[0021]

【発明の効果】以上詳細に説明したように、第1〜第8
の発明によれば、R・Sフリップフロップ回路と、立ち
上がり検出回路又は立ち下がり検出回路と、遅延回路と
を設けたので、発振回路又はPLL回路の発振信号のデ
ューティを変化させることができる。
As described in detail above, the first to eighth embodiments
According to the invention, since the RS flip-flop circuit, the rise detection circuit or the fall detection circuit, and the delay circuit are provided, the duty of the oscillation signal of the oscillation circuit or the PLL circuit can be changed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施形態の発振回路の回路図で
ある。
FIG. 1 is a circuit diagram of an oscillation circuit according to a first embodiment of the present invention.

【図2】従来のVCOの回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram of a conventional VCO.

【図3】図2のタイムチャートである。FIG. 3 is a time chart of FIG. 2;

【図4】図1のタイムチャートである。FIG. 4 is a time chart of FIG. 1;

【図5】本発明の第2の実施形態のrD回路及びfD回
路の回路図である。
FIG. 5 is a circuit diagram of an rD circuit and an fD circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図6】図5のタイムチャートである。FIG. 6 is a time chart of FIG. 5;

【図7】本発明の第3の実施形態の遅延素子の回路図で
ある。
FIG. 7 is a circuit diagram of a delay element according to a third embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第4の実施形態の発振回路の回路図で
ある。
FIG. 8 is a circuit diagram of an oscillation circuit according to a fourth embodiment of the present invention.

【図9】図8のタイムチャートである。FIG. 9 is a time chart of FIG. 8;

【図10】本発明の第5の実施形態の発振回路の回路図
である。
FIG. 10 is a circuit diagram of an oscillation circuit according to a fifth embodiment of the present invention.

【図11】図10のタイムチャートである。FIG. 11 is a time chart of FIG.

【図12】本発明の第6の実施形態のPLL回路の回路
図である。
FIG. 12 is a circuit diagram of a PLL circuit according to a sixth embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 R・SFF回路 11 fD回路(立ち下
がり検出回路) 12 rD回路(立ち上
がり検出回路) 13,14,21,31 遅延回路 51 PD(位相差検出
器) 52 LPF(ループフ
ィルタ) 53 VCO(電圧制御
発振回路) 60 パルス幅比較器 70 発振回路
Reference Signs List 10 R · SFF circuit 11 fD circuit (falling detection circuit) 12 rD circuit (rising detection circuit) 13, 14, 21, 31 delay circuit 51 PD (phase difference detector) 52 LPF (loop filter) 53 VCO (voltage control) Oscillation circuit) 60 pulse width comparator 70 oscillation circuit

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 R端子より入力されるリセット信号によ
り“L”レベル、S端子より入力されるセット信号によ
り“H”レベルの信号を出力するR・Sフリップフロッ
プ回路と、 前記R・Sフリップフロップ回路の出力信号波形の立ち
下がりを検出する立ち下がり検出回路と、 前記立ち下がり検出回路の出力信号よりも所定の第1の
遅延時間だけ遅延した出力信号を前記S端子に出力する
第1の遅延回路と、 前記R・Sフリップフロップ回路の出力信号波形の立ち
上がりを検出する立ち上がり検出回路と、 前記立ち上がり検出回路の出力信号よりも所定の第2の
遅延時間だけ遅延した出力信号を前記R端子に出力する
第2の遅延回路とを、 備えたことを特徴とする発振回路。
An R / S flip-flop circuit for outputting a signal at an “L” level according to a reset signal input from an R terminal and an “H” level according to a set signal input from an S terminal; A falling edge detecting circuit for detecting a falling edge of an output signal waveform of the loop circuit; and a first output terminal for outputting to the S terminal an output signal delayed by a predetermined first delay time from the output signal of the falling edge detecting circuit. A delay circuit; a rising detection circuit for detecting a rising edge of an output signal waveform of the RS flip-flop circuit; and an R terminal which delays an output signal delayed by a predetermined second delay time from an output signal of the rising detection circuit. And a second delay circuit that outputs the signal to the oscillator.
【請求項2】 R端子より入力されるリセット信号によ
り“L”レベル、外部よりS端子に入力されるパルス信
号により“H”レベルの信号を出力するR・Sフリップ
フロップ回路と、 前記R・Sフリップフロップ回路の出力信号波形の立ち
上がりを検出する立ち上がり検出回路と、 前記立ち上がり検出回路の出力信号よりも遅延した出力
信号を前記R端子に出力する遅延回路とを、 備えたことを特徴とする発振回路。
2. An RS flip-flop circuit that outputs a signal of an “L” level by a reset signal input from an R terminal and an “H” level by a pulse signal externally input to an S terminal; A rising edge detection circuit that detects a rising edge of an output signal waveform of the S flip-flop circuit; and a delay circuit that outputs an output signal delayed from the output signal of the rising edge detection circuit to the R terminal. Oscillator circuit.
【請求項3】 外部よりR端子に入力されるパルス信号
により“L”レベル、S端子に入力されるセット信号に
より“H”レベルの信号を出力するR・Sフリップフロ
ップ回路と、 前記R・Sフリップフロップ回路の出力信号波形の立ち
下がりを検出する立ち下がり検出回路と、 前記立ち下がり検出回路の出力信号よりも遅延した出力
信号を前記S端子に出力する遅延回路とを、 備えたことを特徴とする発振回路。
3. An RS flip-flop circuit which outputs a signal at an "L" level by a pulse signal externally input to an R terminal and an "H" level by a set signal input to an S terminal; A falling edge detection circuit for detecting a falling edge of an output signal waveform of the S flip-flop circuit; and a delay circuit for outputting an output signal delayed from the output signal of the falling edge detection circuit to the S terminal. Characteristic oscillation circuit.
【請求項4】 請求項1記載の第1又は第2の遅延回
路、請求項2又は3記載の遅延回路は、 第1の電極、導通を制御する第1の制御電極、及び第2
の電極を有する第1のPチャネル型電界効果トランジス
タと、 第3の電極、導通を制御する第2の制御電極、及び前記
第2の電極に接続された第4の電極を有する第1のNチ
ャネル型電界効果トランジスタと、 第1の電源電位に接続された第5の電極、導通を制御す
る第3の制御電極、及び前記第1の電極に接続された第
6の電極を有する第2のNチャネル型電界効果トランジ
スタと、 第2の電源電位に接続された第7の電極、導通を制御す
る第4の制御電極、及び前記第3の電極に接続された第
8の電極を有する第2のPチャネル型電界効果トランジ
スタと、 前記第2の電源電位と前記第2の電極との間に接続され
た負荷容量とを、 備えたことを特徴とする発振回路。
4. The first or second delay circuit according to claim 1, wherein the delay circuit according to claim 2 or 3 is a first electrode, a first control electrode for controlling conduction, and a second control circuit.
A first P-channel field effect transistor having a first electrode, a third electrode, a second control electrode for controlling conduction, and a first N having a fourth electrode connected to the second electrode. A channel-type field-effect transistor, a fifth electrode connected to a first power supply potential, a third control electrode for controlling conduction, and a second electrode having a sixth electrode connected to the first electrode. A second electrode including an N-channel field-effect transistor, a seventh electrode connected to a second power supply potential, a fourth control electrode for controlling conduction, and an eighth electrode connected to the third electrode An oscillation circuit comprising: a P-channel field-effect transistor according to claim 1; and a load capacitor connected between the second power supply potential and the second electrode.
【請求項5】 前記立ち上がり検出回路は、 所定の遅延時間だけ遅延した信号を出力する遅延回路
と、 入力信号と前記遅延回路の出力信号に基づいて、該入力
信号の“H”レベルへの立ち上がりから前記遅延時間だ
け“H”レベル又は“L”レベルの信号を出力する論理
回路とを、 備えたことを特徴とする請求項1又は2記載の発振回
路。
5. The rising detection circuit includes: a delay circuit that outputs a signal delayed by a predetermined delay time; and a rising of the input signal to an “H” level based on an input signal and an output signal of the delay circuit. 3. The oscillation circuit according to claim 1, further comprising: a logic circuit that outputs a signal at an “H” level or an “L” level for the delay time.
【請求項6】 前記立ち下がり検出回路は、 所定の遅延時間だけ遅延した信号を出力する遅延回路
と、 入力信号と前記遅延回路の出力信号に基づいて、該入力
信号の“L”レベルへの立ち下がりから前記遅延時間だ
け“H”レベル又は“L”レベルの信号を出力する論理
回路とを、 備えたことを特徴とする請求項1又は3記載の発振回
路。
6. The falling detection circuit includes: a delay circuit that outputs a signal delayed by a predetermined delay time; and an input signal and an output signal of the delay circuit, the input signal and an output signal of the delay circuit being set to “L” level. 4. The oscillation circuit according to claim 1, further comprising: a logic circuit that outputs a signal of an "H" level or an "L" level for the delay time from the fall.
【請求項7】 外部クロックと電圧制御発振回路の出力
信号との位相差を検出して、それに比例した電圧を出力
する位相差検出回路と、 前記位相差検出回路の出力電圧を平滑し、前記位相差に
比例した電圧成分を取り出すループフィルタと、 前記ループフィルタにより出力される電圧に基づいて、
発振周波数が変化する電圧制御発振回路と、 R端子より入力されるリセット信号により“L”レベ
ル、前記電圧制御発振回路の出力信号をS端子に入力し
て“H”レベルの信号を出力するR・Sフリップフロッ
プ回路と、 前記R・Sフリップフロップ回路の出力信号波形の立ち
上がりを検出する立ち上がり検出回路と、 遅延時間が遅延時間制御信号により制御され、前記立ち
上がり検出回路の出力信号よりも前記遅延時間だけ遅延
した出力信号を前記R端子に出力する遅延回路と、 前記R・Sフリップフロップ回路の出力信号と前記外部
クロックの“H”レベル又は“L”レベルのパルス幅を
比較して、前記遅延回路に前記遅延時間制御信号を出力
するパルス幅比較回路とを、 備えたことを特徴とするPLL回路。
7. A phase difference detection circuit for detecting a phase difference between an external clock and an output signal of a voltage controlled oscillation circuit and outputting a voltage proportional thereto, and smoothing an output voltage of the phase difference detection circuit, A loop filter for extracting a voltage component proportional to the phase difference, and a voltage output by the loop filter,
A voltage-controlled oscillation circuit whose oscillation frequency changes; an R signal which outputs an "H" level signal by inputting an output signal of the voltage-controlled oscillation circuit to an S terminal by a reset signal input from an R terminal; An S flip-flop circuit, a rise detection circuit for detecting the rise of the output signal waveform of the RS flip-flop circuit, and a delay time controlled by a delay time control signal, wherein the delay is greater than the output signal of the rise detection circuit. A delay circuit that outputs an output signal delayed by a time to the R terminal, and compares an output signal of the RS flip-flop circuit with an “H” level or “L” level pulse width of the external clock. And a pulse width comparison circuit for outputting the delay time control signal to a delay circuit.
【請求項8】 外部クロックと電圧制御発振回路の出力
信号との位相差を検出して、それに比例した電圧を出力
する位相差検出回路と、 前記位相差検出回路の出力電圧を平滑し、前記位相差に
比例した電圧成分を取り出すループフィルタと、 前記ループフィルタにより出力される電圧に基づいて、
発振周波数が変化する電圧制御発振回路と、 前記電圧制御発振回路の出力信号をR端子に入力して
“L”レベル、S端子より入力されるセット信号により
“H”レベルの信号を出力するR・Sフリップフロップ
回路と、 前記R・Sフリップフロップ回路の出力信号波形の立ち
下がりを検出する立ち下がり検出回路と、 遅延時間が遅延時間制御信号により制御され、前記立ち
下がり検出回路の出力信号よりも前記遅延時間だけ遅延
した出力信号を前記S端子に出力する遅延回路と、 前記R・Sフリップフロップ回路の出力信号と前記外部
クロックの“H”レベル又は“L”レベルのパルス幅を
比較して、前記遅延回路に前記遅延時間制御信号を出力
するパルス幅比較回路とを、 備えたことを特徴とするPLL回路。
8. A phase difference detection circuit for detecting a phase difference between an external clock and an output signal of a voltage controlled oscillation circuit and outputting a voltage proportional thereto, and smoothing an output voltage of the phase difference detection circuit, A loop filter for extracting a voltage component proportional to the phase difference, and a voltage output by the loop filter,
A voltage-controlled oscillation circuit whose oscillation frequency changes, an R signal for inputting an output signal of the voltage-controlled oscillation circuit to an R terminal and outputting an "H" level signal by a set signal input from an S terminal; An S flip-flop circuit, a fall detection circuit for detecting a fall of the output signal waveform of the RS flip-flop circuit, and a delay time controlled by a delay time control signal, and the output signal of the fall detection circuit A delay circuit that outputs an output signal delayed by the delay time to the S terminal, and compares the output signal of the RS flip-flop circuit with the “H” level or “L” level pulse width of the external clock. And a pulse width comparison circuit that outputs the delay time control signal to the delay circuit.
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KR100801740B1 (en) 2006-06-29 2008-02-11 주식회사 하이닉스반도체 Circuit for contolling dll

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