JPH10112506A - Circuit design supporting method/device - Google Patents
Circuit design supporting method/deviceInfo
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- JPH10112506A JPH10112506A JP8266130A JP26613096A JPH10112506A JP H10112506 A JPH10112506 A JP H10112506A JP 8266130 A JP8266130 A JP 8266130A JP 26613096 A JP26613096 A JP 26613096A JP H10112506 A JPH10112506 A JP H10112506A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、回路設計支援方法
および装置に関し、特に、ASIC(Applicat
ion Specific IC)用のMOSトランジ
スタにおける回路定数の最適化に適用して有効な技術に
関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a circuit design support method and apparatus, and more particularly, to an ASIC (Application).
The present invention relates to a technology effective when applied to optimization of circuit constants in a MOS transistor for an ion specific IC.
【0002】[0002]
【従来の技術】本発明者が検討したところによれば、特
定用途向けの半導体装置、すなわち、ASICでは、製
造プロセスの変更、電源電圧の変更および機能ブロック
の性能仕様変更などを行う場合、回路方式の大幅な変更
は希であるので新規設計を行わず、既存の回路を再利用
し、CAD(Computer Aided Desi
gn)などによって、回路定数最適化プログラムを用い
て再設計している。2. Description of the Related Art According to studies made by the present inventors, in a semiconductor device for a specific application, that is, an ASIC, when a manufacturing process is changed, a power supply voltage is changed, and a performance specification of a functional block is changed, a circuit is changed. Since a major change in the system is rare, a new design is not performed, an existing circuit is reused, and a CAD (Computer Aided Design) is used.
gn) and the like, the circuit is redesigned using a circuit constant optimization program.
【0003】なお、この種の半導体装置について詳しく
述べてある例としては、1996年5月10日、日経P
B社発行、神保進一(著)、「最新マイクロプロセッサ
テクノロジ」P187があり、この文献には、ASIC
およびそのアーキテクチャなどが記載されている。[0003] As an example describing this type of semiconductor device in detail, see Nikkei P. May 10, 1996.
Published by Company B, Shinichi Jimbo (author), “Latest Microprocessor Technology”, P187.
And its architecture.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
なASICの再設計では、次のような問題点があること
が本発明者により見い出された。However, the inventor of the present invention has found that the above-described ASIC redesign has the following problems.
【0005】すなわち、ASICのMOSトランジスタ
における再設計では、製造プロセスのみが変更される場
合であっても電源電圧や性能仕様などのすべての変更を
行う場合と同様に、回路性能と回路性能に対する設計仕
様値との差を評価関数とする最適化手法をとっていたた
めに、処理時間が増大してしまうという問題がある。That is, in the redesign of the MOS transistor of the ASIC, even if only the manufacturing process is changed, the design for the circuit performance and the circuit performance is performed in the same manner as when all the changes such as the power supply voltage and the performance specification are made. Since the optimization method using the difference from the specification value as the evaluation function is employed, there is a problem that the processing time increases.
【0006】また、回路定数最適化における評価関数に
入れる回路性能の選定ならびに最適解が得られなかった
場合の対策が困難であるという問題もある。Another problem is that it is difficult to select circuit performance to be included in an evaluation function in circuit constant optimization and to take measures when an optimum solution cannot be obtained.
【0007】本発明の目的は、シミュレーションの処理
時間を大幅に短縮し、効率よく回路設計を行うことので
きる回路設計支援方法および装置を提供することにあ
る。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a circuit design support method and apparatus which can greatly reduce the simulation processing time and can efficiently design a circuit.
【0008】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。SUMMARY OF THE INVENTION Among the inventions disclosed in the present application, the outline of a representative one will be briefly described.
It is as follows.
【0010】すなわち、本発明の回路設計支援方法は、
入力された回路設計データに基づいて、新しく設計を行
う設計回路の基になる既存回路におけるMOSトランジ
スタの動作点特性ならびにゲート幅、ゲート長を設計回
路における対応するそれぞれのMOSトランジスタに設
定し、設計回路の回路動作シミュレーションを行う工程
と、その回路動作シミュレーションの結果に基づいて、
設計回路におけるMOSトランジスタのゲート長および
ゲート幅が最小加工寸法以下であるか否かを判断する工
程と、設計回路におけるMOSトランジスタのゲート長
およびゲート幅が最小加工寸法以上と判断されると、設
計回路のMOSトランジスタにおけるゲート長、ゲート
幅を最小加工寸法以下に修正する工程と、設計回路にお
けるMOSトランジスタの動作点特性と既存回路におけ
るMOSトランジスタの動作点特性との差が設定範囲内
であるか否かを判断する工程と、設計回路におけるMO
Sトランジスタの動作点特性と既存回路におけるMOS
トランジスタの動作点特性との差が設定範囲内であると
判断されると、設計回路の回路図および設計回路におけ
るMOSトランジスタのゲート長およびゲート幅を表示
する工程とを有したものである。That is, the circuit design support method of the present invention
Based on the input circuit design data, set the operating point characteristics, gate width, and gate length of the MOS transistor in the existing circuit, which is the basis of the design circuit to be newly designed, for each corresponding MOS transistor in the design circuit. Based on the step of performing a circuit operation simulation of the circuit and the result of the circuit operation simulation,
Determining whether or not the gate length and gate width of the MOS transistor in the design circuit are equal to or smaller than a minimum processing size; and determining that the gate length and gate width of the MOS transistor in the design circuit are equal to or larger than the minimum processing size. Correcting the gate length and gate width of the MOS transistor of the circuit to be equal to or less than the minimum processing size, and whether the difference between the operating point characteristic of the MOS transistor in the design circuit and the operating point characteristic of the MOS transistor in the existing circuit is within the set range Determining whether or not the MO
Operating point characteristics of S transistors and MOS in existing circuits
A step of displaying a circuit diagram of the design circuit and a gate length and a gate width of the MOS transistor in the design circuit when it is determined that the difference from the operating point characteristic of the transistor is within the set range.
【0011】また、本発明の回路設計支援方法は、設計
回路におけるMOSトランジスタの動作点特性と既存回
路におけるMOSトランジスタの動作点特性との差が設
定範囲外であると判断されると、設定範囲外と判断され
た設計回路のMOSトランジスタを表示する工程を有し
たものである。Further, the circuit design support method according to the present invention, when it is determined that the difference between the operating point characteristic of the MOS transistor in the design circuit and the operating point characteristic of the MOS transistor in the existing circuit is out of the setting range, The step of displaying the MOS transistor of the design circuit determined to be outside is provided.
【0012】さらに、本発明の回路設計支援方法は、前
記既存回路のMOSトランジスタおよび前記設計回路の
MOSトランジスタにおける動作点特性が、ドレイン・
ソース間バイアス電圧および相互コンダクタンスよりな
るものである。Further, in the circuit design support method according to the present invention, the operating point characteristics of the MOS transistor of the existing circuit and the MOS transistor of the design circuit may be determined by determining whether the operating point
It consists of a source-to-source bias voltage and transconductance.
【0013】また、本発明の回路設計支援装置は、様々
な回路設計データを入力する入力部と、該入力部により
入力された回路設計データに基づいて、既存回路におけ
るMOSトランジスタのゲート・ソース間バイアス電
圧、ドレイン・ソース間バイアス電圧、相互コンダクタ
ンスならびにゲート幅、ゲート長を抽出し、設計回路に
おける対応するそれぞれのMOSトランジスタに設定す
る抽出設定部と、回路設計データおよび抽出設定部によ
り設定された設計回路の回路動作シミュレーションを行
う回路シミュレーション部と、該回路シミュレーション
部によるシミュレーション結果に基づいて、設計回路に
おけるMOSトランジスタのゲート長およびゲート幅が
最小加工寸法以下であるか否かを判断し、最小加工寸法
以上であると、設計回路のMOSトランジスタにおける
ゲート長、ゲート幅を最小加工寸法以下に修正する回路
定数修正部と、設計回路におけるMOSトランジスタの
ゲート・ソース間バイアス電圧、ドレイン・ソース間バ
イアス電圧ならびに相互コンダクタンスと既存回路にお
けるMOSトランジスタのゲート・ソース間バイアス電
圧、ドレイン・ソース間バイアス電圧および相互コンダ
クタンスとの差が設定範囲内であるか否かを判断する一
致判定部と、該一致判定部による判定結果、設定範囲内
であると判定された設計回路におけるMOSトランジス
タのゲート長、ゲート幅ならびに設計回路の回路図を表
示する表示部とよりなるものである。A circuit design support apparatus according to the present invention further comprises an input unit for inputting various circuit design data, and a gate-source connection of a MOS transistor in an existing circuit based on the circuit design data input by the input unit. An extraction setting unit that extracts a bias voltage, a drain-source bias voltage, a mutual conductance, a gate width, and a gate length, and sets the corresponding MOS transistor in the design circuit, and a circuit design data and an extraction setting unit. A circuit simulation unit for simulating a circuit operation of the design circuit; and, based on a simulation result by the circuit simulation unit, determining whether a gate length and a gate width of the MOS transistor in the design circuit are equal to or smaller than a minimum processing dimension. If it is larger than the processing dimension, Circuit constant correction unit that corrects the gate length and gate width of the MOS transistor in the path to be equal to or less than the minimum processing size, and the gate-source bias voltage, drain-source bias voltage and the mutual conductance of the MOS transistor in the design circuit and the existing circuit. A match judging unit for judging whether or not a difference between a gate-source bias voltage, a drain-source bias voltage, and a mutual conductance of the MOS transistor is within a set range; And a display unit for displaying a gate length and a gate width of the MOS transistor in the design circuit determined to be and a circuit diagram of the design circuit.
【0014】以上のことにより、新しく設計を行う設計
回路の基になる既存回路のトポロジを変更せずに回路定
数のみを変更して設計を行うASICの設計回路におけ
る設計時間を大幅に短縮化することができる。As described above, the design time for an ASIC design circuit that changes the circuit constants alone without changing the topology of the existing circuit on which the new design circuit is based is significantly reduced. be able to.
【0015】[0015]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【0016】図1は、本発明の一実施の形態による回路
設計支援装置のブロック図、図2は、本発明の一実施の
形態による回路設計支援装置の動作フローチャート図、
図3は、本発明の一実施の形態による既存回路の回路定
数を示した回路図、図4は、本発明の一実施の形態によ
る回路設計支援装置によって設計された回路定数を示し
た設計回路の回路図、図5は、本発明の一実施の形態に
よる回路定数最適化されないトランジスタを回路図の表
示例を示した説明図である。図6は、本発明者が検討し
た回路設計支援装置のブロック図、図7は、本発明者が
検討した回路設計支援装置の動作フローチャート図であ
る。FIG. 1 is a block diagram of a circuit design support apparatus according to one embodiment of the present invention, FIG. 2 is an operation flowchart of the circuit design support apparatus according to one embodiment of the present invention,
FIG. 3 is a circuit diagram showing circuit constants of an existing circuit according to one embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a design circuit showing circuit constants designed by a circuit design support apparatus according to one embodiment of the present invention. FIG. 5 is an explanatory diagram showing a display example of a circuit diagram of a transistor whose circuit constant is not optimized according to an embodiment of the present invention. FIG. 6 is a block diagram of a circuit design support device studied by the present inventors, and FIG. 7 is an operation flowchart of the circuit design support device studied by the present inventors.
【0017】本実施の形態において、ASICの設計支
援を行う回路設計支援装置1は、設計回路の基になる既
存回路の回路データやパラメータなどの様々なデータを
入力する入力部2が設けられている。In this embodiment, a circuit design support apparatus 1 for supporting design of an ASIC is provided with an input unit 2 for inputting various data such as circuit data and parameters of an existing circuit on which a design circuit is based. I have.
【0018】また、回路設計支援装置1には、既存回路
におけるMOSトランジスタのドレイン・ソース間バイ
アス電圧および相互コンダクタンスからなる動作点特性
を抽出し、新たに設計される設計回路の対応するMOS
トランジスタに設定する抽出設定部3およびMOSトラ
ンジスタの動作点解析の回路シミュレーションを行う回
路シミュレーション部4が設けられている。The circuit design support apparatus 1 extracts operating point characteristics including a drain-source bias voltage and a mutual conductance of a MOS transistor in an existing circuit, and extracts a corresponding MOS of a newly designed circuit.
An extraction setting unit 3 for setting a transistor and a circuit simulation unit 4 for performing a circuit simulation for operating point analysis of a MOS transistor are provided.
【0019】回路シミュレーション部は回路シミュレー
タを用いる。回路シミュレータとして知られているもの
にカリフォルニア大学バークレー校で開発されたSPI
CEがある。これは回路データよりキルヒホッフの法
則、オームの法則に関する方程式をたてて解くことによ
り回路中の節点電位、素子電流を計算するものである。The circuit simulator uses a circuit simulator. SPI developed at the University of California, Berkeley on what is known as a circuit simulator
There is CE. This is to calculate node potential and element current in a circuit by solving equations based on Kirchhoff's law and Ohm's law from circuit data.
【0020】さらに、回路設計支援装置1は、MOSト
ランジスタのゲート幅とゲート長の修正を行う回路定数
修正部5、MOSトランジスタの動作点特性の一致判定
を行う一致判定部6ならびに回路図などの文字や図形を
表示する表示部7が設けられている。Further, the circuit design support device 1 includes a circuit constant correction unit 5 for correcting the gate width and gate length of the MOS transistor, a coincidence determination unit 6 for determining the coincidence of the operating point characteristics of the MOS transistors, and a circuit diagram. A display unit 7 for displaying characters and figures is provided.
【0021】そして、回路設計支援装置1には、該回路
設計支援装置1のすべての制御を司る制御部8が設けら
れている。また、この制御部8には、入力部2から入力
された所定のデータを格納する記憶部が設けられてい
る。The circuit design support apparatus 1 is provided with a control unit 8 that controls all the operations of the circuit design support apparatus 1. Further, the control unit 8 is provided with a storage unit for storing predetermined data input from the input unit 2.
【0022】次に、本実施の形態の作用について、図
1、図2の回路設計支援装置1における動作フローチャ
ート図、図3の設計の基になる既存回路の回路図および
図4の設計された設計回路の回路図を用いて説明する。Next, the operation of the present embodiment will be described with reference to the operation flowchart of the circuit design support apparatus 1 shown in FIGS. 1 and 2, the circuit diagram of an existing circuit on which the design shown in FIG. 3 is based, and the design shown in FIG. This will be described with reference to the circuit diagram of the design circuit.
【0023】まず、図3において既存回路はオペアンプ
の回路図であり、この回路は、MOSトランジスタであ
るトランジスタT1〜T14、コンデンサC1,C2な
らびに抵抗R1,R2から構成されている。また、図3
において、それぞれのトランジスタT1〜T14は、そ
れぞれゲート幅W1〜W14およびゲート長L1〜L1
4といった寸法を有しており、各々のトランジスタT1
〜T14の近傍に示されている。First, in FIG. 3, the existing circuit is a circuit diagram of an operational amplifier. This circuit includes transistors T1 to T14 which are MOS transistors, capacitors C1 and C2, and resistors R1 and R2. FIG.
, Each of the transistors T1 to T14 has a gate width W1 to W14 and a gate length L1 to L1.
4 and each transistor T1
TT14.
【0024】そして、この既存回路に基づいてトポロジ
を変更せずに回路定数のみを変更し、設計を行う場合に
ついて説明する。A case will be described in which only the circuit constants are changed without changing the topology based on the existing circuit and the design is performed.
【0025】まず、入力部2により、たとえば、しきい
値電圧、不純物濃度やフィッティングパラメータなどの
既存回路のトランジスタにおける製造プロセスのパラメ
ータであるデータ(回路設計データ)D1と、同じくし
きい値電圧、不純物濃度やフィッティングパラメータな
どの新しく設計される設計回路のトランジスタにおける
製造プロセスのパラメータであるデータ(回路設計デー
タ)D2と、トランジスタの前述した動作点特性、すな
わち、ドレイン・ソース間バイアス電圧、相互コンダク
タンスの許容誤差からなるデータ(回路設計データ)D
3と、MOSトランジスタのゲート幅およびゲート長に
対する収束判定基準値であるデータ(回路設計データ)
D4とを入力する(ステップS101)。First, data (circuit design data) D1, which is a parameter of a manufacturing process in a transistor of an existing circuit, such as a threshold voltage, an impurity concentration, and a fitting parameter, and a threshold voltage, Data (circuit design data) D2, which is a parameter of a manufacturing process in a transistor of a newly designed design circuit such as an impurity concentration and a fitting parameter, and the above-described operating point characteristics of the transistor, that is, a drain-source bias voltage and a mutual conductance (Circuit design data) D consisting of the allowable error of
3 and data as a convergence determination reference value for the gate width and gate length of the MOS transistor (circuit design data)
D4 is input (step S101).
【0026】ここで、MOSトランジスタのゲート幅お
よびゲート長に対する収束判定基準値であるデータD4
はユーザが入力するが、この値を決める方法は次の通り
である。Here, data D4, which is a convergence judgment reference value for the gate width and gate length of the MOS transistor, is shown.
Is input by the user, and the method of determining this value is as follows.
【0027】一般にMOSトランジスタに配置する場
合、LSI製造装置の加工精度から設計ルールが決めら
れており、その設計ルールの中にMOSトランジスタ寸
法の最小値が存在する。そこでMOSトランジスタ寸法
のゲート幅およびゲート長に対する収束判定基準として
は設計ルールにおけるMOSトランジスタ寸法の最小値
に対し充分小さい値を用い、設計ルールにおけるMOS
トランジスタ寸法の最小値の1/10の値を用いる。In general, in the case of arranging MOS transistors, design rules are determined based on the processing accuracy of the LSI manufacturing apparatus, and the minimum values of the MOS transistor dimensions are included in the design rules. Therefore, as a criterion for determining the convergence of the gate width and the gate length of the MOS transistor size, a value sufficiently smaller than the minimum value of the MOS transistor size in the design rule is used.
A value of 1/10 of the minimum value of the transistor size is used.
【0028】次に、同様に入力部2によって、既存回路
におけるトランジスタの動作点特性などの回路定数や既
存回路のトポロジなどからなるデータ(回路設計デー
タ)D5を入力する(ステップS102)。Next, similarly, data (circuit design data) D5 including circuit constants such as operating point characteristics of transistors in the existing circuit and topology of the existing circuit is input from the input unit 2 (step S102).
【0029】ここでは、既存回路におけるトランジスタ
T1〜T14のゲート幅W1〜W14およびゲート長L
1〜L14を対応する設計回路のトランジスタゲート幅
ゲート長とし、最適化の初期値として設定している。Here, the gate widths W1 to W14 and the gate lengths L of the transistors T1 to T14 in the existing circuit are shown.
1 to L14 are the transistor gate width and the gate length of the corresponding design circuit, and are set as initial values for optimization.
【0030】そして、これらデータD1〜D5に基づい
て、設計回路における動作点解析の回路動作シミュレー
ションを回路シミュレーション部4が行う(ステップS
103)。Then, based on the data D1 to D5, the circuit simulation unit 4 performs a circuit operation simulation of operating point analysis in the design circuit (step S5).
103).
【0031】次に、この回路動作シミュレーションの結
果に基づいて、回路定数修正部5が設計回路におけるそ
れぞれのトランジスタにおけるゲート幅およびゲート長
の収束判定を行う(ステップS104)。Next, based on the result of the circuit operation simulation, the circuit constant correction unit 5 determines whether the gate width and the gate length of each transistor in the design circuit have converged (step S104).
【0032】収束判定の方法は次の通りである。図4に
示す設計回路の各MOSトランジスタのゲート幅および
ゲート長Wg1〜Wg14,Lg1〜Lg14に対し、
現在の反復における値をWg1’〜Wg14,Lg1’
〜Lg14’とし、前回の反復における値をWg1”〜
Wg14”,Lg1”〜Lg14”とする。The convergence determination method is as follows. With respect to the gate width and gate length Wg1 to Wg14 and Lg1 to Lg14 of each MOS transistor of the design circuit shown in FIG.
The values in the current iteration are represented by Wg1 ′ to Wg14, Lg1 ′
~ Lg14 'and the value in the previous iteration Wg1 "~
Wg14 ″, Lg1 ″ to Lg14 ″.
【0033】また、MOSトランジスタのゲート幅およ
びゲート長に対する収束判定基準であるデータD4をδ
とする。このとき収束判定条件は、|Wg1”−Wg
1’|<δ〜|Wg14”−Wg14’|<δ,|Lg
1”−Lg1’|<δ〜|Lg14”−Lg14’|<
δとする。The data D4, which is a convergence criterion for the gate width and gate length of the MOS transistor, is set to δ.
And At this time, the convergence determination condition is | Wg1 ″ −Wg
1 ′ | <δ to | Wg14 ″ −Wg14 ′ | <δ, | Lg
1 ″ −Lg1 ′ | <δ to | Lg14 ″ −Lg14 ′ | <
δ.
【0034】δは前述の通り設計ルールにおけるMOS
トランジスタの寸法の最小値に対して充分小さい値なの
で、MOSトランジスタにおけるゲート幅およびゲート
長をこの値より小さい量で修正しても効果はなく収束判
定として充分な値である。Δ is the MOS in the design rule as described above.
Since the value is sufficiently small with respect to the minimum value of the size of the transistor, even if the gate width and the gate length of the MOS transistor are corrected by an amount smaller than these values, there is no effect and the convergence judgment is a sufficient value.
【0035】このステップS104において、設計回路
のトランジスタにおけるゲート幅およびゲート長が収束
されたと判定されると、ステップS101で入力された
データD3に基づいて、設計回路のトランジスタの動作
点特性が既存回路のトランジスタT1〜T14と同一か
否か判定する(ステップS105)。If it is determined in step S104 that the gate width and gate length of the transistors in the design circuit have converged, the operating point characteristics of the transistors in the design circuit are changed based on the data D3 input in step S101. (Step S105).
【0036】この判定に際しては基準値を用い、設計回
路のトランジスタの動作点特性と既存回路の動作点特性
の差が2乗和が基準値を下回った場合に同一と判定す
る。つまり、基準値をεとし、回路設計および既存回路
のMOSトランジスタおよびTiの設計回路のMOSト
ランジスタにおける相互コンダクタンスをgmgi、同
様に設計回路のMOSトランジスタTriおよび既存回
路のMOSトランジスタTiにおける相互コンダクタン
スをそれぞれgmgi,gmi、同様にそれぞれのドレ
イン・ソース間バイアス電圧をvdsiとするとき(た
だし、iは1〜14)の収束判定条件は次にようにな
る。In this determination, the reference value is used, and it is determined that the difference between the operating point characteristic of the transistor of the design circuit and the operating point characteristic of the existing circuit is the same when the sum of squares is smaller than the reference value. In other words, the reference value is ε, the mutual conductance of the MOS transistor of the circuit design and the existing circuit and the MOS transistor of the design circuit of Ti is gmgi, and the mutual conductance of the MOS transistor Tri of the design circuit and the MOS transistor Ti of the existing circuit are respectively gmgi, gmi, and similarly, when the respective drain-source bias voltages are vdsi (where i is 1 to 14), the convergence determination conditions are as follows.
【0037】ここで、基準値の設定は十分小さい値であ
る必要があるが,使用者がたとえば既存回路のMOSト
ランジスタの動作点特性の値のそれぞれ100分の1の
値などと決める。Here, the setting of the reference value needs to be a sufficiently small value, but the user decides, for example, each of the values of the operating point characteristics of the MOS transistor of the existing circuit to 1/100.
【0038】また、既存回路においてトランジスタT1
〜T14の製造ばらつきや使用環境の変動に関するモン
テカルロ法を使った回路シミュレーションを行い、動作
点特性の変動量を基準値に設定することもできる。In the existing circuit, the transistor T1
A circuit simulation using the Monte Carlo method with respect to manufacturing variations and changes in the use environment from T14 to T14 may be performed, and the amount of change in operating point characteristics may be set to a reference value.
【0039】次に、ステップS104において未収束と
判定されると、回路定数修正部5によって設計回路のト
ランジスタの動作点特性が既存回路の動作点特性に近づ
くように、設計回路の各MOSトランジスタにおける動
作点特性と既存回路の動作点特性の差の2乗和を評価関
数とする非線形最小化手法を用いて設計回路中の全MO
Sトランジスタのゲート幅およびゲート長の修正を行う
(ステップS106)。Next, if it is determined in step S104 that the convergence has not been achieved, the circuit constant correcting unit 5 sets the MOS transistor of the design circuit so that the operating point characteristics of the transistors of the designed circuit approach those of the existing circuit. All MOs in a design circuit are calculated using a nonlinear minimization method that uses the sum of squares of the difference between the operating point characteristics and the operating point characteristics of the existing circuit as an evaluation function.
The gate width and the gate length of the S transistor are corrected (Step S106).
【0040】非線形最小化手法は評価関数の微係数を用
いて評価関数値の小さくなる方向を割り出し、その方向
に向かって評価関数の最小点を逐次的に探索する手法で
ある。代表的なものに最急降下法、準ニュートン法、逐
次二次計画法などがあり、この種のアルゴリズムについ
て詳しく述べてある例としては、1990年、日科技連
発行、今野浩、山下浩(著)「非線形計画法」や199
1年、日刊工業新聞社発行、ASNOP研究会(著)
「非線形最適化プログラミング」に記載されている。The non-linear minimization method is a method in which the direction in which the value of the evaluation function becomes smaller is determined using the differential coefficient of the evaluation function, and the minimum point of the evaluation function is sequentially searched in the direction. Representative examples include the steepest descent method, the quasi-Newton method, and the sequential quadratic programming method. Examples of this type of algorithm are described in detail in 1990, published by Nisshin Gijutsu, Hiroshi Konno, Hiroshi Yamashita (Author) ) "Nonlinear programming" and 199
One year, published by Nikkan Kogyo Shimbun, ASNOP Study Group (author)
It is described in “Nonlinear Optimization Programming”.
【0041】そして、ステップS105において、設計
回路のトランジスタの動作点特性と既存回路のトランジ
スタT1〜T14の動作点特性とが同一であると判断さ
れると、図4に示すように、設計されたトランジスタT
r1〜Tr14のゲート幅Wg1〜Wg14およびゲー
ト長Lg1〜Lg14のデータや回路図などが図1に示
す設計回路の回路データD6として出力され、表示部7
に表示される(ステップS107)。なお、表示部7に
表示された回路図、すなわち、図4におけるトポロジは
図3の既存回路と同一である。If it is determined in step S105 that the operating point characteristics of the transistors of the designed circuit and the operating points of the transistors T1 to T14 of the existing circuit are the same, the circuit is designed as shown in FIG. Transistor T
The data and circuit diagrams of the gate widths Wg1 to Wg14 and the gate lengths Lg1 to Lg14 of r1 to Tr14 are output as circuit data D6 of the design circuit shown in FIG.
Is displayed (step S107). The circuit diagram displayed on the display unit 7, that is, the topology in FIG. 4 is the same as the existing circuit in FIG.
【0042】また、ステップS105において、設計回
路のトランジスタの動作点特性と既存回路の動作点特性
とが同一でないものがあると判定された場合には、図5
に示すように、その合わせこめなかったトランジスタ
を、たとえば、色反転表示などによって表示部7に表示
する(ステップS108)。If it is determined in step S105 that the operating point characteristics of the transistors in the design circuit are not identical to the operating point characteristics of the existing circuit,
As shown in (5), the unmatched transistor is displayed on the display unit 7 by, for example, color inversion display (step S108).
【0043】たとえば、図5においては、設計された設
計回路において、既存回路の動作点特性が同一でないト
ランジスタTr2,Tr9が表示部7に色反転表示され
ている例を示している。この表示によって、ユーザはト
ランジスタTr2、Tr9において相互コンダクタンス
の変動が既存回路のそれより大きくなっていることを知
ることができる。For example, FIG. 5 shows an example in which in the designed circuit, the transistors Tr2 and Tr9 having the same operating point characteristics of the existing circuit are displayed in color inversion on the display unit 7. This display allows the user to know that the variation in the transconductance of the transistors Tr2 and Tr9 is larger than that of the existing circuit.
【0044】次に、本発明者が検討した従来の回路設計
支援装置30を図6に示す。FIG. 6 shows a conventional circuit design support apparatus 30 studied by the present inventors.
【0045】まず、回路設計支援装置30は、任意のデ
ータなどを入力する入力部31、回路定数最適化の初期
設定を行う初期設定部32、入力された所定のデータに
基づいて回路シミュレーションを行う回路シミュレーシ
ョン部33ならびにトランジスタのゲート幅とゲート長
の変更について収束判定を行う変更回路定数修正部34
が設けられている。First, the circuit design support apparatus 30 has an input section 31 for inputting arbitrary data and the like, an initial setting section 32 for initial setting of circuit constant optimization, and performs a circuit simulation based on the input predetermined data. A circuit simulation unit 33 and a change circuit constant correction unit 34 for performing convergence determination on changes in gate width and gate length of a transistor
Is provided.
【0046】また、回路設計支援装置30には、制御部
35が設けられ、該回路設計支援装置30におけるすべ
ての制御を司っている。The control unit 35 is provided in the circuit design support device 30 and controls all the control in the circuit design support device 30.
【0047】次に、この回路設計支援装置30を、図6
および図7の動作フローチャートによって説明する。Next, this circuit design support device 30 is
This will be described with reference to the operation flowchart of FIG.
【0048】まず、トランジスタのゲイン、周波数帯
域、入力電圧範囲などの既存回路の仕様データD30、
設計回路のトランジスタにおける製造プロセスのパラメ
ータであるデータD31ならびに既存回路におけるトラ
ンジスタの動作点特性などの回路定数や既存回路のトポ
ロジなどからなるデータD32を入力部31によって入
力し(ステップS301)、回路定数最適化を行うため
に回路定数の初期値を設定する(ステップS302)。First, the specification data D30 of the existing circuit, such as the transistor gain, the frequency band, and the input voltage range,
Data D31, which is a parameter of a manufacturing process in the transistor of the design circuit, and circuit constants such as the operating point characteristics of the transistor in the existing circuit and data D32 including the topology of the existing circuit are input through the input unit 31 (step S301). Initial values of circuit constants are set to perform optimization (step S302).
【0049】ここでは、既存回路において対応するトラ
ンジスタのゲート幅およびゲート長の値を最適化の初期
値として設定している。Here, the values of the gate width and gate length of the corresponding transistor in the existing circuit are set as initial values for optimization.
【0050】そして、回路定数最適化を行うために回路
シミュレーション部33によって設計回路のゲインを測
定するための回路シミュレーションを行う(ステップS
303)。Then, in order to optimize the circuit constants, a circuit simulation for measuring the gain of the design circuit is performed by the circuit simulation section 33 (step S).
303).
【0051】次に、設計回路の周波数帯域を測定するた
めの回路シミュレーションを同じく回路シミュレーショ
ン部33により行い(ステップS304)、その後、設
計回路の入力電圧範囲を測定するための回路シミュレー
ションを回路シミュレーション部33により行う(ステ
ップS305)。Next, a circuit simulation for measuring the frequency band of the design circuit is also performed by the circuit simulation section 33 (step S304). Thereafter, a circuit simulation for measuring the input voltage range of the design circuit is performed by the circuit simulation section. 33 (step S305).
【0052】そして、すべてのトランジスタのゲート幅
とゲート長の変更について収束判定を変更回路定数修正
部34により行う(ステップS306)。この収束判定
には変更量に対し基準を設定し,基準を下回る変更の場
合に収束と判定する。Then, convergence judgment is performed by the change circuit constant correction unit 34 for the change of the gate width and the gate length of all the transistors (step S306). In this convergence determination, a criterion is set for the amount of change, and if the change is less than the criterion, convergence is determined.
【0053】このステップS306において、未収束と
判定された場合、トランジスタのゲート幅ならびにゲー
ト長を設計回路のゲイン・帯域・入力電圧範囲が仕様に
近づくように変更回路定数修正部34により修正する
(ステップS307)。ここでも、修正には逐次二次計
画法といった非線形最適化手法を用いる。If it is determined in step S306 that the convergence is not achieved, the changing circuit constant correcting unit 34 corrects the gate width and the gate length of the transistor so that the gain, band, and input voltage range of the design circuit are close to the specifications ( Step S307). Here, a nonlinear optimization method such as a sequential quadratic programming method is used for the correction.
【0054】また、ステップS306において、収束と
判定された場合には、最適化のループから抜けて、最適
化されたトランジスタのゲート幅およびゲート長のデー
タD31を設計回路の回路データD33として出力する
(ステップS308)。If it is determined in step S306 that convergence has occurred, the process exits the optimization loop and outputs the optimized gate width and gate length data D31 of the transistor as circuit data D33 of the design circuit. (Step S308).
【0055】ここで、図6、図7より、本発明者が検討
した回路設計支援装置30では、ステップS303〜ス
テップS305において、複数のシミュレーションを行
わなければならず、且つユーザがこれらシミュレーショ
ンに必要な様々なデータをその都度設定しなければなら
ないので処理時間が長時間化してしまうことになる。Here, from FIGS. 6 and 7, in the circuit design support device 30 examined by the present inventor, in steps S303 to S305, a plurality of simulations must be performed, and the user needs to perform these simulations. Since various kinds of data must be set each time, the processing time becomes longer.
【0056】しかし、本実施の形態に示す回路設計支援
装置1では、回路トポロジーのみを再利用だけでなく、
既存回路のトランジスタT1〜T14の動作点特性を再
利用することにより,回路定数最適化において仕様とし
て考慮すべき性能の種類だけ必要だった回路シミュレー
ションをステップS103(図2)における動作点解析
だけとすることができる。However, the circuit design support apparatus 1 according to the present embodiment not only reuses the circuit topology but also reuses the circuit topology.
By reusing the operating point characteristics of the transistors T1 to T14 of the existing circuit, the circuit simulation, which requires only the types of performance to be considered as specifications in the optimization of the circuit constants, can be changed to only the operating point analysis in step S103 (FIG. 2). can do.
【0057】それにより、本実施の形態では、トランジ
スタT1〜T14の動作点特性を1回の回路シミュレー
ションの動作点解析によって得られるので回路定数最適
化の処理時間を大幅に短縮化することができる。Thus, in this embodiment, the operating point characteristics of the transistors T1 to T14 can be obtained by operating point analysis of one circuit simulation, so that the processing time for optimizing the circuit constant can be greatly reduced. .
【0058】また、最適寸法が得られなかったトランジ
スタを表示するので,回路定数最適化において問題のあ
る箇所を把握でき対策を立てやすくなり、作業を効率化
することができる。Further, since the transistors for which the optimum dimensions have not been obtained are displayed, locations having problems in optimizing the circuit constants can be grasped, countermeasures can be easily taken, and the work can be made more efficient.
【0059】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。Although the invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiments of the present invention, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications may be made without departing from the gist of the invention. Needless to say, it can be changed.
【0060】[0060]
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。Advantageous effects obtained by typical ones of the inventions disclosed by the present application will be briefly described as follows.
It is as follows.
【0061】(1)本発明によれば、回路定数最適化の
処理時間を大幅に短縮することができる。(1) According to the present invention, the processing time for circuit constant optimization can be greatly reduced.
【0062】(2)また、本発明では、回路動作シミュ
レーションにおける評価関数が動作点特性だけであるの
で設計者による選定が不要となり、シミュレーションに
よる作業を容易に行うことができる。(2) In the present invention, since the evaluation function in the circuit operation simulation is only the operating point characteristic, selection by the designer is unnecessary, and the work by the simulation can be easily performed.
【0063】(3)さらに、本発明においては、トポロ
ジを変更しないASICにおける回路設計を短期間で行
うことができ、且つ設計コストを削減することができ
る。(3) Further, in the present invention, circuit design in an ASIC without changing the topology can be performed in a short period of time, and the design cost can be reduced.
【図1】本発明の一実施の形態による回路設計支援装置
のブロック図である。FIG. 1 is a block diagram of a circuit design support device according to an embodiment of the present invention.
【図2】本発明の一実施の形態による回路設計支援装置
の動作フローチャート図である。FIG. 2 is an operation flowchart of the circuit design support apparatus according to the embodiment of the present invention;
【図3】本発明の一実施の形態による既存回路の回路定
数を示した回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing circuit constants of an existing circuit according to one embodiment of the present invention.
【図4】本発明の一実施の形態による回路設計支援装置
によって設計された回路定数を示した設計回路の回路図
である。FIG. 4 is a circuit diagram of a design circuit showing circuit constants designed by the circuit design support apparatus according to one embodiment of the present invention.
【図5】本発明の一実施の形態による回路定数最適化さ
れないトランジスタを回路図の表示例を示した説明図で
ある。FIG. 5 is an explanatory diagram showing a display example of a circuit diagram of a transistor whose circuit constant is not optimized according to an embodiment of the present invention.
【図6】本発明者が検討した回路設計支援装置のブロッ
ク図である。FIG. 6 is a block diagram of a circuit design support device studied by the present inventors.
【図7】本発明者が検討した回路設計支援装置の動作フ
ローチャート図である。FIG. 7 is an operation flowchart of the circuit design support apparatus studied by the present inventors.
1 回路設計支援装置 2 入力部 3 抽出設定部 4 回路シミュレーション部 5 回路定数修正部 6 一致判定部 7 表示部 8 制御部 T1〜T14 トランジスタ C1,C2 コンデンサ R1,R2 抵抗 W1〜W14 ゲート幅 L1〜L14 ゲート長 D1〜D5 データ(回路設計データ) D6 データ Tr1〜Tr14 トランジスタ Wg1〜Wg14 ゲート幅 Lg1〜Lg14 ゲート長 30 回路設計支援装置 31 入力部 32 初期設定部 33 回路シミュレーション部 34 変更回路定数修正部 35 制御部 D30 仕様データ D31 データ D32 データ D33 回路データ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Circuit design support apparatus 2 Input part 3 Extraction setting part 4 Circuit simulation part 5 Circuit constant correction part 6 Matching determination part 7 Display part 8 Control part T1-T14 Transistor C1, C2 Capacitor R1, R2 Resistance W1-W14 Gate width L1- L14 Gate length D1 to D5 Data (circuit design data) D6 Data Tr1 to Tr14 Transistors Wg1 to Wg14 Gate width Lg1 to Lg14 Gate length 30 Circuit design support device 31 Input unit 32 Initial setting unit 33 Circuit simulation unit 34 Change circuit constant correction unit 35 Control unit D30 Specification data D31 data D32 data D33 Circuit data
Claims (4)
存回路のトポロジを変更せずに回路定数のみを変更して
前記設計回路の設計を行う回路設計支援方法であって、 入力された回路設計データに基づいて、前記既存回路に
おけるMOSトランジスタの動作点特性ならびにゲート
幅、ゲート長を前記設計回路における対応するそれぞれ
のMOSトランジスタに設定し、前記設計回路の回路動
作シミュレーションを行う工程と、 前記回路動作シミュレーションの結果に基づいて、前記
設計回路におけるMOSトランジスタのゲート長および
ゲート幅が最小加工寸法以下であるか否かを判断する工
程と、 前記設計回路におけるMOSトランジスタのゲート長お
よびゲート幅が最小加工寸法以上と判断されると、前記
設計回路のMOSトランジスタにおけるゲート長、ゲー
ト幅を最小加工寸法以下に修正する工程と、 前記設計回路におけるMOSトランジスタの動作点特性
と前記既存回路におけるMOSトランジスタの動作点特
性との差が設定範囲内であるか否かを判断する工程と、 前記設計回路におけるMOSトランジスタの動作点特性
と前記既存回路におけるMOSトランジスタの動作点特
性との差が設定範囲内であると判断されると、前記設計
回路の回路図および前記設計回路におけるMOSトラン
ジスタのゲート長およびゲート幅を表示する工程とを有
したことを特徴とする回路設計支援方法。1. A circuit design support method for designing a design circuit by changing only circuit constants without changing the topology of an existing circuit on which a new design circuit is based, comprising: Setting an operating point characteristic, a gate width, and a gate length of a MOS transistor in the existing circuit for each corresponding MOS transistor in the design circuit based on the design data, and performing a circuit operation simulation of the design circuit; Judging whether or not the gate length and the gate width of the MOS transistor in the design circuit are equal to or smaller than a minimum processing size based on the result of the circuit operation simulation; If it is determined that the minimum processing dimension is exceeded, the MOS transistor of the design circuit Correcting the gate length and the gate width to be equal to or smaller than the minimum processing size in the above-mentioned process; and determining whether the difference between the operating point characteristics of the MOS transistor in the design circuit and the operating point characteristics of the MOS transistor in the existing circuit is within a set range. Determining that the difference between the operating point characteristic of the MOS transistor in the design circuit and the operating point characteristic of the MOS transistor in the existing circuit is within a set range; and Displaying a gate length and a gate width of a MOS transistor in a design circuit.
て、 前記設計回路におけるMOSトランジスタの動作点特性
と前記既存回路におけるMOSトランジスタの動作点特
性との差が設定範囲外であると判断されると、設定範囲
外と判断された前記設計回路のMOSトランジスタを表
示する工程を有したことを特徴とする回路設計支援方
法。2. The circuit design support method according to claim 1, wherein a difference between an operating point characteristic of the MOS transistor in the design circuit and an operating point characteristic of the MOS transistor in the existing circuit is determined to be out of a set range. Displaying a MOS transistor of the design circuit determined to be out of the setting range.
法において、 前記既存回路のMOSトランジスタおよび前記設計回路
のMOSトランジスタにおける動作点特性が、ドレイン
・ソース間バイアス電圧および相互コンダクタンスであ
ることを特徴とする回路設計支援方法。3. The circuit design support method according to claim 1, wherein the operating point characteristics of the MOS transistor of the existing circuit and the MOS transistor of the design circuit are a drain-source bias voltage and a mutual conductance. Characteristic circuit design support method.
存回路のトポロジを変更せずに回路定数のみを変更して
前記設計回路の設計を行う回路設計支援装置であって、 様々な回路設計データを入力する入力部と、 前記入力部により入力された回路設計データに基づい
て、前記既存回路におけるMOSトランジスタのゲート
・ソース間バイアス電圧、ドレイン・ソース間バイアス
電圧、相互コンダクタンスならびにゲート幅、ゲート長
を抽出し、前記設計回路における対応するそれぞれのM
OSトランジスタに設定する抽出設定部と、 前記回路設計データおよび抽出設定部により設定された
設計回路の回路動作シミュレーションを行う回路シミュ
レーション部と、 前記回路シミュレーション部によるシミュレーション結
果に基づいて、前記設計回路におけるMOSトランジス
タのゲート長およびゲート幅が最小加工寸法以下である
か否かを判断し、最小加工寸法以上であると、前記設計
回路のMOSトランジスタにおけるゲート長、ゲート幅
を加工寸法設定値内に修正する回路定数修正部と、 前記設計回路におけるMOSトランジスタのゲート・ソ
ース間バイアス電圧、ドレイン・ソース間バイアス電圧
ならびに相互コンダクタンスと前記既存回路におけるM
OSトランジスタのゲート・ソース間バイアス電圧、ド
レイン・ソース間バイアス電圧および相互コンダクタン
スとの差が設定範囲内であるか否かを判断する一致判定
部と、 前記一致判定部による判定結果、設定範囲内であると判
定された前記設計回路におけるMOSトランジスタのゲ
ート長、ゲート幅ならびに前記設計回路の回路図を表示
する表示部とよりなることを特徴とする回路設計支援装
置。4. A circuit design supporting apparatus for designing a design circuit by changing only circuit constants without changing the topology of an existing circuit on which a new design circuit is based, comprising: An input unit for inputting data, and a gate-source bias voltage, a drain-source bias voltage, a mutual conductance and a gate width, a gate width of the MOS transistor in the existing circuit, based on the circuit design data input by the input unit. Length and extract the corresponding M in the design circuit.
An extraction setting unit for setting the OS transistor; a circuit simulation unit for performing a circuit operation simulation of the design circuit set by the circuit design data and the extraction setting unit; and a circuit simulation unit based on a simulation result by the circuit simulation unit. It is determined whether or not the gate length and gate width of the MOS transistor are smaller than the minimum processing size. If the gate length and gate width are larger than the minimum processing size, the gate length and gate width of the MOS transistor of the design circuit are corrected to the processing size setting values. A circuit constant correction unit that performs a bias voltage between a gate and a source, a bias voltage between a drain and a source, and a mutual conductance of a MOS transistor in the design circuit;
A match determining unit that determines whether a difference between the gate-source bias voltage, the drain-source bias voltage, and the transconductance of the OS transistor is within a set range; And a display unit for displaying a gate length and a gate width of a MOS transistor and a circuit diagram of the design circuit in the design circuit determined to be:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8266130A JPH10112506A (en) | 1996-10-07 | 1996-10-07 | Circuit design supporting method/device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8266130A JPH10112506A (en) | 1996-10-07 | 1996-10-07 | Circuit design supporting method/device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10112506A true JPH10112506A (en) | 1998-04-28 |
Family
ID=17426754
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8266130A Pending JPH10112506A (en) | 1996-10-07 | 1996-10-07 | Circuit design supporting method/device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10112506A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004078564A (en) * | 2002-08-19 | 2004-03-11 | Toshiba Corp | Set value change method for controller, and maintenance device used therein |
JP2019040590A (en) * | 2017-08-22 | 2019-03-14 | 株式会社ジーダット | Circuit design apparatus, circuit design method, and program |
-
1996
- 1996-10-07 JP JP8266130A patent/JPH10112506A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004078564A (en) * | 2002-08-19 | 2004-03-11 | Toshiba Corp | Set value change method for controller, and maintenance device used therein |
JP2019040590A (en) * | 2017-08-22 | 2019-03-14 | 株式会社ジーダット | Circuit design apparatus, circuit design method, and program |
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