JPH10104665A - Manufacture of active substrate for liquid crystal display device - Google Patents
Manufacture of active substrate for liquid crystal display deviceInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置用アク
ティブ基板の製造方法に関し、とくに基板に第1の電極
と第2の電極を有し、第1の電極上に形成する膜厚の厚
い第1の非線形抵抗層と第2の電極上に形成する膜厚の
薄い第2の非線形抵抗層を設け、第2の非線形抵抗層を
用いて非線形抵抗素子を構成し、第1の非線形抵抗層の
絶縁性を用いて第1の電極と交差する第4の電極との絶
縁性を向上するためのものである。また非線形抵抗層と
しては、第1の電極あるいは第2の電極の陽極酸化膜を
利用するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an active substrate for a liquid crystal display device, and more particularly to a method for forming an active substrate having a first electrode and a second electrode on a substrate and having a thick film formed on the first electrode. A second nonlinear resistance layer having a small thickness formed on the first nonlinear resistance layer and the second electrode; a nonlinear resistance element is formed using the second nonlinear resistance layer; This is for improving the insulating property between the first electrode and the fourth electrode which intersects by using the insulating property. As the non-linear resistance layer, an anodic oxide film of the first electrode or the second electrode is used.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、液晶パネルを用いた液晶表示装置
の表示容量は、大容量化の一途をたどっている。そし
て、単純マトリクス構成の液晶表示装置にマルチプレク
ス駆動を用いる手段は、高時分割化するに従ってコント
ラストの低下あるいは応答速度の低下が生じ、200本
程度の走査線を有する場合では、充分なコントラストを
得ることが難しくなる。2. Description of the Related Art In recent years, the display capacity of a liquid crystal display device using a liquid crystal panel has been steadily increasing. Means using multiplex driving in a liquid crystal display device having a simple matrix configuration causes a decrease in contrast or a decrease in response speed as time division is increased. In the case of having about 200 scanning lines, sufficient contrast is obtained. It becomes difficult to obtain.
【0003】そこで、このような欠点を除去するため
に、個々の画素にスイッチング素子を設けるアクティブ
マトリクスの液晶表示パネルが採用されている。このア
クティブマトリクスの液晶表示パネルには、大別すると
薄膜トランジスタを用いる三端子系と、非線系抵抗素子
を用いる二端子系とがある。これらのうち構造や製造方
法が簡単な点で、二端子系が優れている。In order to eliminate such a drawback, an active matrix liquid crystal display panel in which switching elements are provided in individual pixels has been employed. The active matrix liquid crystal display panel is roughly classified into a three-terminal system using a thin film transistor and a two-terminal system using a non-linear resistance element. Among them, the two-terminal system is superior in that the structure and the manufacturing method are simple.
【0004】この二端子系のスイッチング素子として
は、ダイオード型や、バリスタ型や、薄膜ダイオード
(TFD)型などが開発されている。このうちTFD型
は、とくに構造が簡単で、そのうえ製造工程が短いとい
う特徴を備えている。As the two-terminal switching element, a diode type, a varistor type, a thin film diode (TFD) type, and the like have been developed. Among them, the TFD type has a feature that the structure is particularly simple and the manufacturing process is short.
【0005】さらに液晶表示パネルは高密度でしかも高
精細化が要求され、スイッチング素子の占有面積を小さ
くする必要がある。その微細化の手段として、半導体製
造技術であるフォトリソグラフィー技術とエッチング技
術がある。しかしながら大面積で微細加工を行いしかも
低コストを実現するには、非常に困難な技術である。Further, the liquid crystal display panel is required to have high density and high definition, and it is necessary to reduce the area occupied by the switching elements. As means for the miniaturization, there are a photolithography technique and an etching technique which are semiconductor manufacturing techniques. However, it is a very difficult technique to perform fine processing on a large area and achieve low cost.
【0006】ここで、大面積で微細化加工が可能で、し
かもコスト低減に有効な薄膜ダイオード素子(TFD)
構造を、図24と図25を用いて説明する。図24は非
線形抵抗素子を用いた液晶表示装置の画素部を示す平面
図である。さらに図25は、図24の平面図におけるA
−A線での断面を示す断面図である。以下図24と図2
5とを交互に用いて従来技術を説明する。Here, a thin-film diode element (TFD) that can be miniaturized in a large area and is effective in reducing costs.
The structure will be described with reference to FIGS. FIG. 24 is a plan view showing a pixel portion of a liquid crystal display device using a nonlinear resistance element. FIG. 25 is a plan view of FIG.
It is sectional drawing which shows the cross section in the -A line. FIG. 24 and FIG.
The prior art will be described using 5 and 5 alternately.
【0007】第1の基板11の上には、いずれもタンタ
ル(Ta)膜からなる下部電極61と、島状パターンの
第1の電極13と、下部電極61と第1の電極13とを
一時接続するエッチング除去部50を設ける。さらに下
部電極61と第1の電極13上には、第1の非線形抵抗
層15としてタンタル膜21の陽極酸化膜である酸化タ
ンタル膜(Ta2 O5 )を設ける。On the first substrate 11, a lower electrode 61 made of a tantalum (Ta) film, a first electrode 13 having an island pattern, and the lower electrode 61 and the first electrode 13 are temporarily provided. An etching removal unit 50 to be connected is provided. Further, on the lower electrode 61 and the first electrode 13, a tantalum oxide film (Ta2 O5), which is an anodic oxide film of the tantalum film 21, is provided as the first nonlinear resistance layer 15.
【0008】タンタル膜を陽極酸化するときには、下部
電極61と第1の電極13とは、エッチング除去部50
により接続している。その陽極酸化処理後、エッチング
除去部50は第1の基板11上より除去する。When the tantalum film is anodized, the lower electrode 61 and the first electrode 13 are separated from each other by the etching removal portion 50.
Connected by After the anodic oxidation, the etching removing section 50 is removed from the first substrate 11.
【0009】さらに透明導電性膜である酸化インジウム
スズ膜(ITO)からなる上部電極62を下部電極61
上に設ける。上部電極62には、ITO膜からなる第3
の電極18が接続し、第1の電極13上の非線形抵抗層
15上をオーバーラップしている。このITO膜と非線
形抵抗層15と島状の第1の電極13とにより第1の非
線形抵抗素子38を構成する。Further, an upper electrode 62 made of an indium tin oxide film (ITO), which is a transparent conductive film, is
Provided above. A third electrode made of an ITO film is
Are connected, and overlap on the nonlinear resistance layer 15 on the first electrode 13. The ITO film, the nonlinear resistance layer 15 and the island-shaped first electrode 13 form a first nonlinear resistance element 38.
【0010】さらにITO膜からなる表示電極63を第
1の基板1上に設ける。さらにまた表示電極63に接続
し、かつ第1の電極13上の非線形抵抗層15上をオー
バーラップする第2の電極17を設ける。第2の電極1
7と非線形抵抗層15と島状の第1の電極13により第
2の非線形抵抗素子39を構成する。第1の非線形抵抗
素子38と第2の非線形抵抗素子39とは、直列に接続
している。Further, a display electrode 63 made of an ITO film is provided on the first substrate 1. Further, a second electrode 17 connected to the display electrode 63 and overlapping the nonlinear resistance layer 15 on the first electrode 13 is provided. Second electrode 1
7, the nonlinear resistance layer 15 and the island-shaped first electrode 13 constitute a second nonlinear resistance element 39. The first nonlinear resistance element 38 and the second nonlinear resistance element 39 are connected in series.
【0011】さらにまた、液晶表示装置を構成するため
に第1の基板11と対向して設ける第2の基板10上に
は、第1の基板11に形成する表示電極63の隙間から
の光の漏れを防止するために、クロム膜からなるブラッ
クマトリクス71を設ける。Further, on a second substrate 10 provided to face the first substrate 11 to constitute a liquid crystal display device, light from a gap between display electrodes 63 formed on the first substrate 11 is provided. In order to prevent leakage, a black matrix 71 made of a chromium film is provided.
【0012】さらに第2の基板10には、表示電極63
と対向するように透明導電性膜である酸化インジウムス
ズ膜(ITO)からなる対向電極72を、ブラックマト
リクス71と接触して短絡しないようにポリイミド樹脂
からなる絶縁膜73を介して設ける。さらにまた対向電
極72には、外部回路の信号を印加するための第1の配
線電極(図示せず)を接続している。Further, a display electrode 63 is provided on the second substrate 10.
A counter electrode 72 made of an indium tin oxide film (ITO), which is a transparent conductive film, is provided via an insulating film 73 made of a polyimide resin so as to be in contact with the black matrix 71 and not to be short-circuited. Furthermore, a first wiring electrode (not shown) for applying a signal of an external circuit is connected to the counter electrode 72.
【0013】表示電極63は、液晶81を介して対向電
極72と重なり合うように配置することにより、液晶表
示装置の表示画素部となる。さらに第1の基板11と第
2の基板10とは、液晶81の分子を規則的に並べるた
めの処理層として、それぞれ配向膜82を設ける。The display electrode 63 is arranged so as to overlap with the counter electrode 72 via the liquid crystal 81, thereby forming a display pixel portion of the liquid crystal display device. Further, each of the first substrate 11 and the second substrate 10 is provided with an alignment film 82 as a processing layer for regularly arranging the molecules of the liquid crystal 81.
【0014】さらにスペーサー(図示せず)によって、
第1の基板11と第2の基板10とを所定の間隙寸法を
もって対向させ、第1の基板11と第2の基板10との
間には、液晶81を封入している。Further, by means of a spacer (not shown),
The first substrate 11 and the second substrate 10 are opposed to each other with a predetermined gap size, and a liquid crystal 81 is sealed between the first substrate 11 and the second substrate 10.
【0015】さらに、第1の基板11上に偏光板83を
設け、さらに第2の基板10上に偏光板84と光源部
(図示せず)を設ける。液晶表示装置は自己発光しない
ため、外部の光源である光源部が必要となる。そして液
晶表示装置は、この光源部からの光を利用し、さらに液
晶81の光学特性変化を利用して所定の表示を行う。Further, a polarizing plate 83 is provided on the first substrate 11, and a polarizing plate 84 and a light source unit (not shown) are provided on the second substrate 10. Since the liquid crystal display device does not emit light by itself, a light source unit as an external light source is required. The liquid crystal display device performs a predetermined display using the light from the light source unit and further using the change in the optical characteristics of the liquid crystal 81.
【0016】このように第1の基板11の表示電極63
と第2の基板10の対向電極72とは、液晶81を介し
て対向している。この表示電極63と対向電極72間に
電圧を印加し液晶81の光学変化を起こし、偏光板83
を利用して表示に利用する。As described above, the display electrode 63 of the first substrate 11
And the opposing electrode 72 of the second substrate 10 are opposed via the liquid crystal 81. A voltage is applied between the display electrode 63 and the counter electrode 72 to cause an optical change in the liquid crystal 81, and the polarizing plate 83
Use for display by using.
【0017】[0017]
【発明が解決しようとする課題】ところで、液晶表示装
置を見る方向によりコントラストなどの表示品質が変化
する、いわゆる表示品質の視野角依存性が発生する。こ
の現象は、液晶層の分子の方向と観察者の見る方向の関
係により発生する。By the way, display quality such as contrast changes depending on the viewing direction of the liquid crystal display device, that is, so-called viewing angle dependency of display quality occurs. This phenomenon occurs due to the relationship between the direction of the molecules in the liquid crystal layer and the direction viewed by the observer.
【0018】この視野角依存性を改善する方法として
は、位相補償板を利用して液晶表示装置の分子の方向の
位相差を補正する手段や、あるいは分子の配向方向を工
夫する手段がある。しかしながら位相補償板を利用する
手段は、視野角依存性の改善が小さい。また分子の配向
方向を工夫する手段は、分子の配向安定性がよくない。As a method of improving the viewing angle dependency, there is a means for correcting the phase difference in the direction of the molecules of the liquid crystal display device using a phase compensator, or a means for devising the orientation direction of the molecules. However, means using a phase compensator has a small improvement in viewing angle dependency. Means for devising the orientation direction of the molecules do not have good orientation stability of the molecules.
【0019】そのため非線形抵抗素子を形成するアクテ
ィブ基板上に1組の櫛歯型電極を設け、櫛歯型電極間に
電圧を印加し、液晶分子の方向を制御する手段がある。
この手段を図26を用いて説明する。図26に示すよう
に、第1の基板上に第1の櫛歯型電極12と第2の櫛歯
型電極20を一定の間隙を設けて配置する。Therefore, there is a means for providing a set of comb-shaped electrodes on an active substrate on which a non-linear resistance element is formed and applying a voltage between the comb-shaped electrodes to control the direction of liquid crystal molecules.
This means will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 26, a first comb-shaped electrode 12 and a second comb-shaped electrode 20 are arranged on a first substrate with a certain gap.
【0020】第1の櫛歯型電極12と第2の櫛歯型電極
20の間に小さい電圧が印加すると液晶分子91は、図
20に示すように第1の櫛歯型電極12と第2の櫛歯型
電極20の間に水平になる。大きな電圧が印加すると液
晶分子92は第1の櫛歯型電極12と第2の櫛歯型電極
20と45゜の角度を保ち回転する。液晶分子91と液
晶分子92は、第1の基板1とのほとんどプレチルトを
もたず第1の基板1に平行な動きをする。When a small voltage is applied between the first comb-shaped electrode 12 and the second comb-shaped electrode 20, the liquid crystal molecules 91 cause the first comb-shaped electrode 12 and the second comb-shaped electrode 12, as shown in FIG. Between the comb-shaped electrodes 20. When a large voltage is applied, the liquid crystal molecules 92 rotate while maintaining an angle of 45 ° between the first comb-shaped electrode 12 and the second comb-shaped electrode 20. The liquid crystal molecules 91 and the liquid crystal molecules 92 move in parallel with the first substrate 1 with almost no pretilt with the first substrate 1.
【0021】しかしこの櫛歯電極を有する手段を2端子
型非線形抵抗素子を形成するアクティブ基板に用いる場
合には、第1の櫛歯型電極12と第2の櫛歯型電極20
の2種類の電極が相互に交差する必要がある。2端子型
非線形抵抗素子の場合には、従来技術に示すように電極
の交差がない。そのため、交差部を工夫し、2種類の電
極間での電気的短絡を防止する必要がある。However, when the means having the comb-tooth electrode is used for an active substrate on which a two-terminal nonlinear resistance element is formed, the first and second comb-tooth electrodes 20 and 20 are used.
Need to cross each other. In the case of a two-terminal nonlinear resistance element, there is no intersection of the electrodes as shown in the prior art. Therefore, it is necessary to devise an intersection to prevent an electrical short circuit between the two types of electrodes.
【0022】本発明の目的は、櫛歯型電極を利用し視野
角依存性を改善する手段を2端子型非線形抵抗素子に採
用する場合に、電気的短絡を防止することが可能な液晶
表示装置用アクティブ基板の製造方法を提供することで
ある。An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device capable of preventing an electric short circuit when a means for improving the viewing angle dependency using a comb-shaped electrode is employed in a two-terminal nonlinear resistance element. To provide a method of manufacturing an active substrate.
【0023】[0023]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の液晶表示装置用アクティブ基板において
は、下記記載の製造方法を採用する。Means for Solving the Problems In order to achieve the above object, the following manufacturing method is adopted for the active substrate for a liquid crystal display device of the present invention.
【0024】本発明の液晶表示装置用アクティブ基板の
製造方法は、基板上に第1の櫛歯電極と第1の櫛歯電極
に接続する第1の配線電極と島状の第1の電極とを第1
のフォトレジストをエッチングマスクにしてパターン形
成する工程と、基板上の全面に第1の非線形抵抗層を形
成する工程と、第1の配線電極上に第2の非線形抵抗層
を第2のフォトレジストをエッチングマスクにしてパタ
ーン形成する工程と、第1の電極に第1の非線形抵抗層
を介して接続する第2の電極と第2の電極に接続しかつ
第1の櫛歯電極に近接する第2の櫛歯電極と、第1の電
極に第1の非線形抵抗層を介して接続する第3の電極と
第3の電極に接続しかつ第1の配線電極と第2の非線形
抵抗層を介して交差する第2の配線電極とを第3のフォ
トレジストをエッチングマスクにしてパターン形成する
工程とを有する。According to the method of manufacturing an active substrate for a liquid crystal display device of the present invention, a first comb-shaped electrode, a first wiring electrode connected to the first comb-shaped electrode, and an island-shaped first electrode are formed on the substrate. The first
Forming a pattern using the first photoresist as an etching mask, forming a first non-linear resistive layer over the entire surface of the substrate, and forming a second non-linear resistive layer on the first wiring electrode using a second photo resist. Forming a pattern by using as an etching mask, a second electrode connected to the first electrode via the first non-linear resistance layer, and a second electrode connected to the second electrode and close to the first comb-shaped electrode. A second comb electrode, a third electrode connected to the first electrode via the first nonlinear resistance layer, a third electrode connected to the third electrode, and a first wiring electrode and the second nonlinear resistance layer via the second nonlinear resistance layer. Forming a pattern using the third photoresist as an etching mask.
【0025】本発明の液晶表示装置用アクティブ基板の
製造方法は、基板上に第1の櫛歯電極と第1の櫛歯電極
に接続する第1の配線電極と島状の第1の電極とを第1
のフォトレジストをエッチングマスクにしてパターン形
成する工程と、基板上の全面に第1の非線形抵抗層を形
成し第2のフォトレジストを用いて第1の電極上に第1
の非線形抵抗層よりも薄い第2の非線形抵抗層を形成す
る工程と、第1電極に第1の非線形抵抗層を介して接続
する第2の電極と第2の電極に接続しかつ第1の櫛歯電
極に近接する第2の櫛歯電極と、第1の電極に第1の非
線形抵抗層を介して接続する第3の電極と第3の電極に
接続しかつ第1の配線電極と第2の非線形抵抗層を介し
て交差する第2の配線電極とを第3のフォトレジストを
エッチングマスクにしてパターン形成する工程とを有す
る。According to the method of manufacturing an active substrate for a liquid crystal display device of the present invention, a first comb-shaped electrode, a first wiring electrode connected to the first comb-shaped electrode, and an island-shaped first electrode are formed on the substrate. The first
Forming a pattern using the first photoresist as an etching mask, forming a first non-linear resistance layer on the entire surface of the substrate, and forming a first non-linear resistance layer on the first electrode using a second photoresist.
Forming a second non-linear resistance layer thinner than the first non-linear resistance layer; and a second electrode connected to the first electrode via the first non-linear resistance layer; a second electrode connected to the second electrode; A second comb electrode adjacent to the comb electrode; a third electrode connected to the first electrode via the first nonlinear resistance layer; a third electrode connected to the third electrode; Forming a pattern with the second wiring electrode crossing via the second nonlinear resistance layer using the third photoresist as an etching mask.
【0026】本発明の液晶表示装置用アクティブ基板の
製造方法は、基板上に第1の櫛歯電極と第1の櫛歯電極
に接続する第1の配線電極と第1の櫛歯電極に一時接続
する第1の電極とを第1のフォトレジストをエッチング
マスクにしてパターン形成する工程と、第1の櫛歯電極
と第1の櫛歯電極に接続する第1の配線電極と第1の電
極上に第1の非線形抵抗層を陽極酸化法により形成する
工程と、第1の櫛歯電極と第1の電極とを第2のフォト
レジストをエッチングマスクにして島状に分離する工程
と、第1の配線電極上に第2の非線形抵抗層を第3のフ
ォトレジストをエッチングマスクにしてパターン形成す
る工程と、第1電極に第1の非線形抵抗層を介して接続
する第2の電極と第2の電極に接続しかつ第1の櫛歯電
極に近接する第2の櫛歯電極と、第1の電極に第1の非
線形抵抗層を介して接続する第3の電極と第3の電極に
接続しかつ第1の配線電極と第2の非線形抵抗層を介し
て交差する第2の配線電極とを第4のフォトレジストを
エッチングマスクにしてパターン形成する工程とを有す
る。According to the method of manufacturing an active substrate for a liquid crystal display device of the present invention, a first comb-shaped electrode, a first wiring electrode connected to the first comb-shaped electrode, and a first comb-shaped electrode are temporarily formed on the substrate. A step of forming a pattern with the first electrode to be connected using the first photoresist as an etching mask; a first comb-shaped electrode; a first wiring electrode connected to the first comb-shaped electrode; and a first electrode Forming a first non-linear resistance layer thereon by anodic oxidation, separating the first comb-shaped electrode and the first electrode into islands using the second photoresist as an etching mask, Forming a second non-linear resistance layer on the first wiring electrode by using the third photoresist as an etching mask; and forming a second electrode connected to the first electrode via the first non-linear resistance layer. A second electrode connected to the second electrode and in proximity to the first comb electrode. A comb electrode, a third electrode connected to the first electrode via the first nonlinear resistance layer, a third electrode connected to the third electrode, and an intersection with the first wiring electrode via the second nonlinear resistance layer; Forming a pattern using the second wiring electrode and the fourth photoresist as an etching mask.
【0027】本発明の液晶表示装置用アクティブ基板の
製造方法は、基板上に第1の櫛歯電極と第1の櫛歯電極
に接続する第1の配線電極と第1の櫛歯電極に一時接続
する第1の電極とを第1のフォトレジストをエッチング
マスクに使用してパターン形成する工程と、第1の櫛歯
電極と第1の櫛歯電極に接続する第1の配線電極と第1
の電極上に第1の非線形抵抗層を陽極酸化法により形成
する工程と、第1の櫛歯電極と第1の電極とを第2のフ
ォトレジストをエッチングマスクにして島状に分離する
工程と、第1の電極上の第1の非線形抵抗層上に3のフ
ォトレジストを形成する工程と、基板上の全面に第2の
非線形抵抗層を形成する工程と、第1の電極上の第3の
フォトレジストを第2の非線形抵抗層とともにリフトオ
フする工程と、第1電極に第1の非線形抵抗層を介して
接続する第2の電極と第2の電極に接続しかつ第1の櫛
歯電極に近接する第2の櫛歯電極と、第1の電極に第1
の非線形抵抗層を介して接続する第3の電極と第3の電
極に接続しかつ第1の配線電極と第2の非線形抵抗層を
介して交差する第2の配線電極とを第4のフォトレジス
トをエッチングマスクにしてパターン形成する工程とを
有する。According to the method of manufacturing an active substrate for a liquid crystal display device of the present invention, a first comb-shaped electrode, a first wiring electrode connected to the first comb-shaped electrode, and a first comb-shaped electrode are temporarily formed on the substrate. Forming a pattern with a first electrode to be connected using a first photoresist as an etching mask; and forming a first comb-shaped electrode and a first wiring electrode connected to the first comb-shaped electrode.
Forming a first non-linear resistance layer on the first electrode by an anodic oxidation method, and separating the first comb-tooth electrode and the first electrode into islands using the second photoresist as an etching mask. Forming a third photoresist on the first non-linear resistive layer on the first electrode, forming a second non-linear resistive layer on the entire surface of the substrate; Lifting off the photoresist together with the second non-linear resistance layer, and connecting the second electrode to the first electrode via the first non-linear resistance layer, the first electrode connected to the second electrode, and the first comb-tooth electrode And a second comb-tooth electrode close to the first electrode and a first electrode
A third electrode connected to the third wiring via the non-linear resistance layer and a second wiring electrode connected to the third electrode and crossing the first wiring electrode via the second non-linear resistance layer are connected to the fourth photo. Forming a pattern using the resist as an etching mask.
【0028】本発明の液晶表示装置用アクティブ基板の
製造方法は、基板上に第2の配線電極と第2の配線電極
に接続する第3の電極と、第3の電極に一時接続する第
2の電極と第2の電極に接続する第2の櫛歯電極を第1
のフォトレジストをエッチングマスクにしてパターン形
成する工程と、基板上の全面に第1の非線形抵抗層を形
成し第2のフォトレジストを用いて第2の電極上と第3
の電極上に第2の非線形抵抗層よりも薄い第1の非線形
抵抗層を形成する工程と、第2の電極上の第1の非線形
抵抗層と第3の電極上の第1の非線形抵抗層の両方を介
して接続する第1の電極と、第2の櫛歯電極に近接する
第1の櫛歯電極と第1の櫛歯電極に接続しかつ第2の配
線電極上の第2の非線形抵抗層を介して交差する第1の
配線電極を第3のフォトレジストをエッチングマスクに
してパターン形成する工程とを有する。According to the method of manufacturing an active substrate for a liquid crystal display device of the present invention, a second wiring electrode, a third electrode connected to the second wiring electrode, and a second wiring temporarily connected to the third electrode are formed on the substrate. And the second comb-tooth electrode connected to the second electrode
Forming a pattern using the first photoresist as an etching mask, forming a first non-linear resistance layer on the entire surface of the substrate, and forming a third non-linear resistance layer on the second electrode using the second photoresist.
Forming a first non-linear resistance layer thinner than the second non-linear resistance layer on the second electrode, and a first non-linear resistance layer on the second electrode and a first non-linear resistance layer on the third electrode And a second non-linear electrode on the second wiring electrode connected to the first comb electrode and the first comb electrode adjacent to the second comb electrode and connected to the first wiring via both of the first and second comb electrodes. Patterning the first wiring electrodes that intersect via the resistive layer using the third photoresist as an etching mask.
【0029】本発明の液晶表示装置用アクティブ基板の
製造方法は、基板上に第2の配線電極と第2の配線電極
に接続する第3の電極と第2の電極と第2の電極に接続
する第2の櫛歯電極を第1のフォトレジストをエッチン
グマスクにしてパターン形成する工程と、基板の全面に
第1の非線形抵抗層を形成する工程と、第2の配線電極
上に第2の非線形抵抗層を第2のフォトレジストをエッ
チングマスクにしてパターン形成する工程と、第2の電
極上の第1の非線形抵抗層と第3の電極上の第1の非線
形抵抗層の両方を介して接続する第1の電極と、第2の
櫛歯電極に近接する第1の櫛歯電極と第1の櫛歯電極に
接続しかつ第2の配線電極上の第2の非線形抵抗層を介
して交差する第1の配線電極を第3のフォトレジストを
エッチングマスクにしてパターン形成する工程とを有す
る。According to the method of manufacturing an active substrate for a liquid crystal display device of the present invention, a second wiring electrode, a third electrode connected to the second wiring electrode, a second electrode, and a connection to the second electrode are formed on the substrate. Forming a second comb-tooth electrode using the first photoresist as an etching mask, forming a first non-linear resistance layer on the entire surface of the substrate, and forming a second non-linear resistance layer on the second wiring electrode. Patterning the non-linear resistive layer using the second photoresist as an etching mask, and via both the first non-linear resistive layer on the second electrode and the first non-linear resistive layer on the third electrode A first electrode to be connected, a first comb electrode adjacent to the second comb electrode, and a second non-linear resistance layer connected to the first comb electrode and on the second wiring electrode; Intersecting first wiring electrode and third photoresist as etching mask And a step of patterning by.
【0030】本発明の液晶表示装置用アクティブ基板の
製造方法は、基板上に第2の配線電極と第2の配線電極
に接続する第3の電極と、第3の電極に一時接続する第
2の電極と第2の電極に接続する第2の櫛歯電極を第1
のフォトレジストをエッチングマスクにしてパターン形
成する工程と、第2の電極と第3の電極上に第1の非線
形抵抗層を陽極酸化法により形成する工程と、第2の電
極と第3の電極とを第2のフォトレジストをエッチング
マスクにして分離する工程と、第2の配線電極上に第2
の非線形抵抗層を第3のフォトレジストをエッチングマ
スクにしてパターン形成する工程と、第2の電極上の第
1の非線形抵抗層と第3の電極上の第1の非線形抵抗層
の両方を介して接続する第1の電極と、第2の櫛歯電極
に近接する第1の櫛歯電極と第1の櫛歯電極に接続しか
つ第2の配線電極上の第2の非線形抵抗層を介して交差
する第1の配線電極を第4のフォトレジストをエッチン
グマスクにしてパターン形成する工程とを有する。In the method of manufacturing an active substrate for a liquid crystal display device according to the present invention, a second wiring electrode, a third electrode connected to the second wiring electrode, and a second electrode temporarily connected to the third electrode are formed on the substrate. And the second comb-tooth electrode connected to the second electrode
Forming a pattern using the photoresist as an etching mask, forming a first non-linear resistance layer on the second electrode and the third electrode by anodic oxidation, and forming a second electrode and a third electrode. Separating the second wiring using the second photoresist as an etching mask;
Patterning the non-linear resistive layer using the third photoresist as an etching mask, and via both the first non-linear resistive layer on the second electrode and the first non-linear resistive layer on the third electrode. A first electrode connected to the first comb electrode, a first comb electrode adjacent to the second comb electrode, and a second non-linear resistance layer on the second wiring electrode connected to the first comb electrode. Patterning the first wiring electrodes that intersect with each other using the fourth photoresist as an etching mask.
【0031】本発明の液晶表示装置用アクティブ基板の
製造方法は、基板上に第2の配線電極と第2の配線電極
に接続する第3の電極と、第3の電極に一時接続する第
2の電極と第2の電極に接続する第2の櫛歯電極を第1
のフォトレジストをエッチングマスクに使用してパター
ン形成する工程と、第2の電極と第3の電極上に第1の
非線形抵抗層を陽極酸化法により形成する工程と、第2
の電極と第3の電極とを第2のフォトレジストをエッチ
ングマスクにして分離する工程と、第2の電極と第3の
電極上の第1の非線形抵抗層上に第3のフォトレジスト
を形成する工程と、基板上の全面に第2の非線形抵抗層
を形成する工程と、第3のフォトレジストを第2の電極
と第3の電極上の第2の非線形抵抗層とともにリフトオ
フする工程と、第2の電極上の第1の非線形抵抗層と第
3の電極上の第1の非線形抵抗層の両方を介して接続す
る第1の電極と、第2の櫛歯電極に近接する第1の櫛歯
電極と第1の櫛歯電極に接続しかつ第2の配線電極上の
第2の非線形抵抗層を介して交差する第1の配線電極を
第4のフォトレジストをエッチングマスクにしてパター
ン形成する工程とを有する。According to the method of manufacturing an active substrate for a liquid crystal display device of the present invention, a second wiring electrode, a third electrode connected to the second wiring electrode, and a second electrode temporarily connected to the third electrode are formed on the substrate. And the second comb-tooth electrode connected to the second electrode
Forming a pattern by using the photoresist as an etching mask, forming a first non-linear resistance layer on the second electrode and the third electrode by an anodic oxidation method,
Separating the third electrode from the third electrode using the second photoresist as an etching mask, and forming a third photoresist on the first non-linear resistance layer on the second electrode and the third electrode Performing a step of forming a second non-linear resistance layer on the entire surface of the substrate, a step of lifting off the third photoresist together with the second electrode and the second non-linear resistance layer on the third electrode, A first electrode connected through both the first non-linear resistance layer on the second electrode and the first non-linear resistance layer on the third electrode, and a first electrode close to the second comb electrode The first wiring electrode connected to the comb electrode and the first comb electrode and intersecting via the second non-linear resistance layer on the second wiring electrode is patterned using the fourth photoresist as an etching mask. And
【0032】[0032]
【発明の実施の形態】以下に本発明の液晶表示装置用ア
クティブ基板の製造方法を実施するための最良の形態に
おける液晶表示装置の製造方法を、図面を使用して説明
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A method for manufacturing a liquid crystal display device in the best mode for carrying out the method for manufacturing an active substrate for a liquid crystal display device according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0033】はじめに本発明の第1の実施形態における
液晶表示装置用アクティブ基板の製造方法の実施形態
を、図1から図13とを用いて説明する。図13は非線
形抵抗素子の周辺領域を示す平面図である。図1,図
3,図5,図6,図8,図9,図11は、図13の平面
図のA−A線における断面を示す断面図を、図2,図
4,図7,図10,図12は図13のB−B線における
断面を示す断面図である。First, an embodiment of a method for manufacturing an active substrate for a liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 13 is a plan view showing a peripheral region of the nonlinear resistance element. FIGS. 1, 3, 5, 6, 8, 9, and 11 are cross-sectional views showing cross sections taken along line AA of the plan view of FIG. 13. 10 and 12 are cross-sectional views showing cross sections taken along line BB of FIG.
【0034】まずはじめに図1と図2に示すように、ス
パッタリング法を用いて、第1の基板11上に膜厚25
0nmのタンタル膜21を形成する。First, as shown in FIGS. 1 and 2, a film having a thickness of 25
A 0 nm tantalum film 21 is formed.
【0035】その後、ポジ型のフォトレジストをタンタ
ル膜21上の全面に回転塗布法により形成し、第1のフ
ォトマスクを用いて露光処理と現像処理を行いフォトレ
ジストのパターニングを行い、第1のフォトレジスト2
2を形成する。Thereafter, a positive photoresist is formed on the entire surface of the tantalum film 21 by a spin coating method, and exposure and development are performed using a first photomask to pattern the photoresist. Photoresist 2
Form 2
【0036】つぎに図1と図2に示すように、第1のフ
ォトレジスト22をエッチングマスクにして、乾式エッ
チング法を用い、平行平板型電極構造エッチング装置の
エッチングチャンバー内に六フッ化イオウを200cc
/分、ヘリウムを20cc/分、酸素を30cc/分導
入し、圧力を50mTorrに保ち高周波電力1KW投
入し、タンタル21をパターンニングし、図3に示すよ
うに、第1の櫛歯電極12と第1の電極13と、第1の
櫛歯電極12と第1の電極13とを一時接続するエッチ
ング除去部31と、図4に示すような第1の櫛歯電極1
2に接続する第1の配線電極14を形成する。第1の櫛
歯電極12と第2の配線電極14、第1の電極13の平
面パターン形状は、図13の実線41に示すようなF字
型の形状と島状の形状であり、またエッチング除去部3
1は図13の破線50に示すような形状であるNext, as shown in FIGS. 1 and 2, sulfur hexafluoride is placed in an etching chamber of a parallel plate type electrode structure etching apparatus using a first photoresist 22 as an etching mask and using a dry etching method. 200cc
/ Min, helium at 20 cc / min, oxygen at 30 cc / min, the pressure is maintained at 50 mTorr, high frequency power of 1 kW is applied, the tantalum 21 is patterned, and as shown in FIG. A first electrode 13, an etching removal portion 31 for temporarily connecting the first comb-teeth electrode 12 and the first electrode 13, and a first comb-teeth electrode 1 as shown in FIG.
2 is formed. The planar pattern shape of the first comb-tooth electrode 12, the second wiring electrode 14, and the first electrode 13 is an F-shaped shape and an island shape as shown by a solid line 41 in FIG. Removal unit 3
1 has a shape as shown by a broken line 50 in FIG.
【0037】つぎに図3と図4とに示すように、陽極酸
化法を利用し、陽極酸化溶液として1%のクエン酸水溶
液を用いて、陽極酸化電圧として18Vを印加して、第
1の櫛歯電極12と第1の電極13と第2の配線電極1
4上に膜厚35nmの厚さで酸化タンタル膜(Ta2 O
5 )により第1の非線形抵抗層15を形成する。Next, as shown in FIG. 3 and FIG. 4, a 1% citric acid aqueous solution was used as an anodizing solution, and an anodic oxidation voltage of 18 V was applied to the first anodizing solution. Comb electrode 12, first electrode 13, and second wiring electrode 1
Tantalum oxide film (Ta2 O) having a thickness of 35 nm
5) to form the first nonlinear resistance layer 15.
【0038】つぎに図3と図4に示すように、ポジ型の
フォトレジストを全面に回転塗布法により形成し、第2
のフォトマスクを用いて露光処理と現像処理を行いフォ
トレジストのパターニングを行い、第1の電極上に第2
のフォトレジスト23を形成する。Next, as shown in FIGS. 3 and 4, a positive type photoresist is formed on the entire surface by a spin coating method.
Exposure processing and development processing are performed by using a photomask, and the photoresist is patterned, and the second pattern is formed on the first electrode.
Is formed.
【0039】つぎに図3と図4に示すように、第2のフ
ォトレジスト23をエッチングマスクにして、乾式エッ
チング法を用い、平行平板型電極構造エッチング装置の
エッチングチャンバー内に六フッ化イオウを200cc
/分、ヘリウムを20cc/分、酸素を30cc/分導
入し、圧力を50mTorrに保ち高周波電力1KW投
入し、タンタル21をパターンニングし、図5に示すよ
うに、第1の櫛歯電極12と第1の電極13とを分離し
エッチング除去部31を除去する。Next, as shown in FIGS. 3 and 4, sulfur hexafluoride is introduced into the etching chamber of the parallel plate type electrode structure etching apparatus by using the second photoresist 23 as an etching mask and using a dry etching method. 200cc
/ Min, helium is introduced at 20 cc / min, oxygen is introduced at 30 cc / min, the pressure is maintained at 50 mTorr, and high-frequency power of 1 kW is applied, the tantalum 21 is patterned, and as shown in FIG. The first electrode 13 is separated and the etching removal part 31 is removed.
【0040】つぎに図5に示すように、ポジ型のフォト
レジストを全面に回転塗布法により形成し、第3のフォ
トマスクを用いて露光処理と現像処理を行いフォトレジ
ストのパターニングを行い、第1の電極上に第3のフォ
トレジスト24を形成する。Next, as shown in FIG. 5, a positive photoresist is formed on the entire surface by a spin coating method, and exposure and development are performed using a third photomask to pattern the photoresist. A third photoresist 24 is formed on one electrode.
【0041】つぎに図6と図7とに示すように、スパッ
タリング法を用いて、全面に膜厚が200〜300nm
の酸化タンタル膜(Ta2 O5 )25を形成する。Next, as shown in FIGS. 6 and 7, the film thickness is 200 to 300 nm over the entire surface by using a sputtering method.
A tantalum oxide film (Ta2 O5) 25 is formed.
【0042】つぎに図8に示すように、リフトオフ法を
用いて、第3のフォトレジスト24と上層の酸化タンタ
ル膜(Ta2 O5 )25を、硫酸、過酸化水素を重量比
12:1で混合し、温度100℃に加熱した剥離液を用
いて剥離し、第2の非線形抵抗層16形成する。この第
2の非線形抵抗層の平面パターンは、図13の2点鎖線
42に囲まれた部分を除いた形状である。Next, as shown in FIG. 8, the third photoresist 24 and the upper tantalum oxide film (Ta 2 O 5) 25 are mixed with sulfuric acid and hydrogen peroxide at a weight ratio of 12: 1 using a lift-off method. Then, peeling is performed using a peeling solution heated to a temperature of 100 ° C. to form a second nonlinear resistance layer 16. The plane pattern of the second nonlinear resistance layer has a shape excluding a portion surrounded by a two-dot chain line 42 in FIG.
【0043】つぎに図9と図10に示すように、スパッ
タリング法を用いて、全面に膜厚が100nmのクロム
膜(Cr)26を形成する。Next, as shown in FIGS. 9 and 10, a chromium film (Cr) 26 having a thickness of 100 nm is formed on the entire surface by sputtering.
【0044】その後、ポジ型のフォトレジストをクロム
膜(Cr)26上の全面に回転塗布法により形成し、第
3のフォトマスクを用いて露光処理と現像処理を行いフ
ォトレジストのパターニングを行い、第3のフォトレジ
スト27を形成する。Thereafter, a positive type photoresist is formed on the entire surface of the chromium film (Cr) 26 by a spin coating method, and is exposed and developed using a third photomask to pattern the photoresist. A third photoresist 27 is formed.
【0045】つぎに図9と図10に示すように、第3の
フォトレジスト27をエッチングマスクにして、湿式エ
ッチング法により、過塩素酸と硝酸セリウムアンモニウ
ムの混合液を用いてクロム膜(Cr)26をパターニン
グし、図11に示すような第2の電極17と第3の電極
18と図12に示すような第3の電極18に接続する第
2の配線電極19と図13に示すような第2の電極17
と接続する第2の櫛歯電極20を形成する。第2の電極
17と第2の櫛歯電極20、および第3の電極18と第
2の配線電極19の平面パターン形状は、図13の一点
鎖線43と一点鎖線44に示すようなL字型とトの字型
の形状である。Next, as shown in FIGS. 9 and 10, using the third photoresist 27 as an etching mask, a chromium film (Cr) is formed by wet etching using a mixed solution of perchloric acid and cerium ammonium nitrate. 26 is patterned to form a second wiring electrode 19 and a third electrode 18 as shown in FIG. 11 and a second wiring electrode 19 connected to the third electrode 18 as shown in FIG. Second electrode 17
To form a second comb-tooth electrode 20 connected to the second electrode. The planar pattern shapes of the second electrode 17 and the second comb electrode 20 and the third electrode 18 and the second wiring electrode 19 are L-shaped as shown by dashed lines 43 and 44 in FIG. It has a shape of a triangle.
【0046】第1の櫛歯型電極12と第2の櫛歯型電極
20は6μmのギャップを開けて形成する。以上説明し
た製造方法により、本発明の第1の実施形態に示す液晶
表示装置用アクティブ基板を形成できる。The first comb-shaped electrode 12 and the second comb-shaped electrode 20 are formed with a gap of 6 μm. By the manufacturing method described above, the active substrate for a liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention can be formed.
【0047】つぎに本発明の第2の実施形態における液
晶表示装置用アクティブ基板の製造方法の実施形態を、
図14〜図23を用いて説明する。図23は非線形抵抗
素子の周辺領域を示す平面図である。図14,図16,
図18,図19,図21は、図23の平面図のA−A線
における断面を示す断面図を示し、図15,図17,図
20,図22は図23のB−B線における断面を示す断
面図である。Next, an embodiment of a method for manufacturing an active substrate for a liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention will be described.
This will be described with reference to FIGS. FIG. 23 is a plan view showing a peripheral region of the nonlinear resistance element. 14, 16,
18, 19, and 21 are cross-sectional views showing cross sections taken along line AA of the plan view of FIG. 23, and FIGS. 15, 17, 20, and 22 are cross sections taken along line BB of FIG. FIG.
【0048】はじめに図14と図15に示すように、ス
パッタリング法を用いて、第1の基板11上に膜厚25
0nmのタンタル膜21を形成する。First, as shown in FIGS. 14 and 15, a film thickness of 25 is formed on the first substrate 11 by using a sputtering method.
A 0 nm tantalum film 21 is formed.
【0049】その後、ポジ型のフォトレジストをタンタ
ル膜21上の全面に回転塗布法により形成し、第1のフ
ォトマスクを用いて露光処理と現像処理を行いフォトレ
ジストのパターニングを行い、第1のフォトレジスト2
2を形成する。Thereafter, a positive photoresist is formed on the entire surface of the tantalum film 21 by a spin coating method, and exposure and development are performed using a first photomask to pattern the photoresist. Photoresist 2
Form 2
【0050】つぎに図14と図15とに示すように、第
1のフォトレジスト22をエッチングマスクにして、乾
式エッチング法を用い、平行平板型電極構造エッチング
装置のエッチングチャンバー内に六フッ化イオウを20
0cc/分、ヘリウムを20cc/分、酸素を30cc
/分導入し、圧力を50mTorrに保ち高周波電力1
KW投入し、タンタル21をパターンニングし、図16
に示すような第1の櫛歯電極12と第1の電極13と図
17に示すような第1の櫛歯電極12に接続する第1の
配線電極14を形成する。第1の櫛歯電極12、および
第1の電極13と第1の配線電極14の平面パターン形
状は、図23の実線41に示すようなF字型の形状と島
形の形状である。Next, as shown in FIGS. 14 and 15, using the first photoresist 22 as an etching mask, a dry etching method is used to install sulfur hexafluoride in an etching chamber of a parallel plate type electrode structure etching apparatus. 20
0cc / min, helium 20cc / min, oxygen 30cc
/ Min, the pressure is maintained at 50 mTorr and the high frequency power 1
KW is input and the tantalum 21 is patterned, and FIG.
A first comb electrode 12 and a first electrode 13 as shown in FIG. 17 and a first wiring electrode 14 connected to the first comb electrode 12 as shown in FIG. 17 are formed. The first comb electrode 12 and the planar pattern of the first electrode 13 and the first wiring electrode 14 have an F-shaped shape and an island shape as shown by a solid line 41 in FIG.
【0051】その後、図16と図17に示すように、ス
パッタリング法を用いて、全面に厚さ200nm〜30
0nmの酸化タンタル膜(Ta2 O5 )27を形成す
る。Thereafter, as shown in FIGS. 16 and 17, the entire surface is formed to a thickness of 200 nm to 30 nm by sputtering.
A 0 nm tantalum oxide film (Ta2 O5) 27 is formed.
【0052】その後、ポジ型のフォトレジストを酸化タ
ンタル膜(Ta2 O5 )27上の全面に、回転塗布法に
より形成し、第2のフォトマスクを用いて露光、現像処
理を行いフォトレジストのパターンニングを行い、第2
のフォトレジスト23を形成する。Thereafter, a positive type photoresist is formed on the entire surface of the tantalum oxide film (Ta 2 O 5) 27 by a spin coating method, and is exposed and developed using a second photomask to perform patterning of the photoresist. And the second
Is formed.
【0053】その後、図16と図17に示すように、第
2のフォトレジスト23をエッチングマスクにして、乾
式エッチング法を用い、平行平板型電極構造エッチング
装置のエッチングチャンバー内に六フッ化イオウを20
0cc/分、ヘリウムを20cc/分、酸素を30cc
/分導入し、圧力を50mTorrに保ち高周波電力1
KW投入し、酸化タンタル膜(Ta2 O5 )27をパタ
ーンニングし、図18に示したような厚さ35nmの第
1の非線形抵抗層15と非エッチング部である厚さ20
0〜300nmの第2の非線形抵抗層16を形成する。
この第1の非線形抵抗層15と第2の非線形抵抗層16
の平面パターン形状は、図23の二点鎖線42に示すよ
うな長方形の形状である。Then, as shown in FIG. 16 and FIG. 17, sulfur hexafluoride is placed in an etching chamber of a parallel plate type electrode structure etching apparatus using a dry etching method with the second photoresist 23 as an etching mask. 20
0cc / min, helium 20cc / min, oxygen 30cc
/ Min, the pressure is maintained at 50 mTorr and the high frequency power 1
KW is applied, the tantalum oxide film (Ta2 O5) 27 is patterned, and the first non-linear resistance layer 15 having a thickness of 35 nm as shown in FIG.
A second nonlinear resistance layer 16 having a thickness of 0 to 300 nm is formed.
The first nonlinear resistance layer 15 and the second nonlinear resistance layer 16
Is a rectangular shape as shown by a two-dot chain line 42 in FIG.
【0054】つぎに図19と図20に示すように、スパ
ッタリング法を用いて、全面に厚さ100nmのクロム
膜(Cr)25を形成する。Next, as shown in FIGS. 19 and 20, a chromium film (Cr) 25 having a thickness of 100 nm is formed on the entire surface by sputtering.
【0055】その後、ポジ型のフォトレジストをクロム
膜(Cr)25上の全面に回転塗布法により形成し、第
3のフォトマスクを用いて露光処理と現像処理を行いフ
ォトレジストのパターニングを行い、第3のフォトレジ
スト24を形成する。Thereafter, a positive type photoresist is formed on the entire surface of the chromium film (Cr) 25 by a spin coating method, and is exposed and developed using a third photomask to pattern the photoresist. A third photoresist 24 is formed.
【0056】つぎに図19と図20に示すように、第3
のフォトレジスト24をエッチングマスクにして、湿式
エッチング法により、過塩素酸と硝酸セリウムアンモニ
ウムの混合液を用いてクロム膜(Cr)25をパターニ
ングし、図21に示すような第2の電極17と第3の電
極18と図22に示すような第3の電極18に接続する
第2の配線電極19と図23に示すような第2の電極1
7と接続する第2の櫛歯電極20を形成する。第2の電
極17と第2の櫛歯電極20、および第3の電極18と
第2の配線電極19の平面パターン形状は、図23の一
点鎖線43と一点鎖線44に示すようなL字型とトの字
型の形状である。Next, as shown in FIG. 19 and FIG.
Using the photoresist 24 as an etching mask, the chrome film (Cr) 25 is patterned by a wet etching method using a mixed solution of perchloric acid and cerium ammonium nitrate to form the second electrode 17 as shown in FIG. The second wiring electrode 19 connected to the third electrode 18 and the third electrode 18 as shown in FIG. 22, and the second electrode 1 as shown in FIG.
The second comb-tooth electrode 20 connected to the second electrode 7 is formed. The planar pattern shapes of the second electrode 17 and the second comb electrode 20 and the third electrode 18 and the second wiring electrode 19 are L-shaped as shown by dashed lines 43 and 44 in FIG. It has a shape of a triangle.
【0057】第1の櫛歯型電極12と第2の櫛歯型電極
20は6μmのギャップを開けて形成する。以上説明し
た製造方法により、本発明の第2の実施形態に示す液晶
表示装置用アクティブ基板を形成できる。The first comb-shaped electrode 12 and the second comb-shaped electrode 20 are formed with a gap of 6 μm. The active substrate for a liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention can be formed by the manufacturing method described above.
【0058】そして本発明の実施形態により形成する液
晶表示装置用アクティブ基板と対向電極を有する第2の
基板10を所定の隙間を確保するように張り合わせ、液
晶を封入することにより液晶表示装置を形成できる。表
示には第1の櫛歯型電極12と第2の櫛歯型電極20の
間に電圧を印加し、この電圧を可変し液晶分子の方向を
変えることにより行う。Then, the liquid crystal display device is formed by laminating an active substrate for a liquid crystal display device formed according to the embodiment of the present invention and a second substrate 10 having a counter electrode so as to secure a predetermined gap, and sealing the liquid crystal. it can. The display is performed by applying a voltage between the first comb-shaped electrode 12 and the second comb-shaped electrode 20, and changing the voltage to change the direction of the liquid crystal molecules.
【0059】なお以上説明した本発明の第1の実施形態
において、第1の非線形抵抗層を陽極酸化法により形成
したが、スパッタリング法や化学気相成長(CVD)法
を用いて形成しても、同様の効果が得られる。またその
場合、用いる材料は酸化アルミ(Al2 O3 )やナイト
ライド(SiOx)などの非線形抵抗層を用いても同様
の効果が得られる。Although the first non-linear resistance layer is formed by the anodic oxidation method in the first embodiment of the present invention described above, the first non-linear resistance layer may be formed by the sputtering method or the chemical vapor deposition (CVD) method. The same effect can be obtained. In this case, the same effect can be obtained even if a nonlinear resistance layer such as aluminum oxide (Al2 O3) or nitride (SiOx) is used.
【0060】なお本発明の第1の実施形態においては、
第1の電極と第1の櫛歯電極と第2の配線電極にタンタ
ル膜を用いたが、スパッタリング法やCVD法を用いて
第1の非線形抵抗層を形成するときは、金属材料を用い
ても同様の効果が得られる。In the first embodiment of the present invention,
Although a tantalum film is used for the first electrode, the first comb-tooth electrode, and the second wiring electrode, a metal material is used when the first nonlinear resistance layer is formed by a sputtering method or a CVD method. Has the same effect.
【0061】なお以上説明した本発明の第1の実施形態
において、第2の非線形抵抗層に酸化タンタル(Ta2
O5 )を用いたが、用いる材料は酸化アルミ(Al2 O
3 )や窒化シリコン(SiNx)などの非線形抵抗層を
用いても同様の効果が得られる。In the first embodiment of the present invention described above, tantalum oxide (Ta2
O5) was used, but the material used was aluminum oxide (Al2O).
The same effect can be obtained by using a non-linear resistance layer such as 3) or silicon nitride (SiNx).
【0062】なお本発明の第1の実施形態においては、
第2の電極と第2の櫛歯電極と第1の配線電極にクロム
膜を用いたが、金属材料を用いても同様の効果が得られ
る。In the first embodiment of the present invention,
Although the chromium film is used for the second electrode, the second comb electrode, and the first wiring electrode, the same effect can be obtained by using a metal material.
【0063】なお本発明の第2の実施形態においては、
第1の電極と第一の櫛歯電極と第2の配線電極にタンタ
ル膜を用いたが金属材料を用いても同様の効果が得られ
る。In the second embodiment of the present invention,
Although a tantalum film is used for the first electrode, the first comb-shaped electrode, and the second wiring electrode, the same effect can be obtained by using a metal material.
【0064】なお本発明の第2の実施形態において、第
1の非線形抵抗層をスパッタリング法により形成した
が、陽極酸化法を用いて形成しても、同様の効果が得ら
れる。Although the first non-linear resistance layer is formed by the sputtering method in the second embodiment of the present invention, the same effect can be obtained by forming the first non-linear resistance layer by the anodic oxidation method.
【0065】なお以上説明した本発明の第2の実施形態
において、第2の非線形抵抗層に酸化タンタル(Ta2
O5 )を用いたが、用いる材料は酸化アルミ(Al2 O
3 )や窒化シリコン(SiNx)などの非線形抵抗層を
用いても同様の効果が得られる。In the second embodiment of the present invention described above, tantalum oxide (Ta 2) is added to the second nonlinear resistance layer.
O5) was used, but the material used was aluminum oxide (Al2O).
The same effect can be obtained by using a non-linear resistance layer such as 3) or silicon nitride (SiNx).
【0066】なお本発明の第1の実施形態においては、
第2の電極と第2の櫛歯電極と第1の配線電極にクロム
膜を用いたが金属材料を用いても同様の効果が得られ
る。In the first embodiment of the present invention,
Although a chromium film is used for the second electrode, the second comb electrode, and the first wiring electrode, the same effect can be obtained by using a metal material.
【0067】[0067]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の液晶表示装置用アクティブ基板の製造方法を用いるこ
とによって、第1の櫛歯型電極と第2の櫛歯型電極を有
し電気的短絡を防止することが可能なる液晶表示装置ア
クティブ基板を得ることができる。As is apparent from the above description, by using the method for manufacturing an active substrate for a liquid crystal display device of the present invention, an electric device having a first comb-shaped electrode and a second comb-shaped electrode is provided. It is possible to obtain a liquid crystal display active substrate capable of preventing a short circuit.
【0068】さらに、第1の実施形態のように第1の非
線形抵抗層を形成するのにリフトオフ法を用いることに
より、従来エッチング法を用いてパターニングを行って
いた製造工程を簡略化でき、生産効率を向上させること
ができる。Further, by using the lift-off method to form the first non-linear resistance layer as in the first embodiment, it is possible to simplify the manufacturing process which has been conventionally performed by patterning using an etching method, and Efficiency can be improved.
【0069】さらに、第2の実施形態のように、第1の
非線形抵抗層と第2の非線形抵抗層を同一の膜により形
成することにより、膜形成工程を省略でき、製造工程も
単純化できるため生産効率を向上させることができる。
また、画素電極には従来、透明導電膜を使用せざるおえ
なかったが、アルミやクロムなどの金属物質を使用する
ことができ、配線抵抗を下げることができる。Further, by forming the first nonlinear resistance layer and the second nonlinear resistance layer from the same film as in the second embodiment, the film forming step can be omitted and the manufacturing process can be simplified. Therefore, production efficiency can be improved.
Conventionally, a transparent conductive film had to be used for the pixel electrode. However, a metal material such as aluminum or chromium can be used, and the wiring resistance can be reduced.
【図1】本発明の第1の実施形態における液晶表示装置
用アクティブ基板の製造方法を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing an active substrate for a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の第1の実施形態における液晶表示装置
用アクティブ基板の製造方法を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing an active substrate for a liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention.
【図3】本発明の第1の実施形態における液晶表示装置
用アクティブ基板の製造方法を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing an active substrate for a liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention.
【図4】本発明の第1の実施形態における液晶表示装置
用アクティブ基板の製造方法を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing an active substrate for a liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention.
【図5】本発明の第1の実施形態における液晶表示装置
用アクティブ基板の製造方法を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing an active substrate for a liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention.
【図6】本発明の第1の実施形態における液晶表示装置
用アクティブ基板の製造方法を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the active substrate for a liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention.
【図7】本発明の第1の実施形態における液晶表示装置
用アクティブ基板の製造方法を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the active substrate for a liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention.
【図8】本発明の第1の実施形態における液晶表示装置
用アクティブ基板の製造方法を示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the active substrate for a liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention.
【図9】本発明の第1の実施形態における液晶表示装置
用アクティブ基板の製造方法を示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the active substrate for a liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention.
【図10】本発明の第2の実施形態における液晶表示装
置用アクティブ基板の製造方法を示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing an active substrate for a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.
【図11】本発明の第1の実施形態における液晶表示装
置用アクティブ基板の製造方法を示す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating the method of manufacturing the active substrate for a liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention.
【図12】本発明の第1の実施形態における液晶表示装
置用アクティブ基板の製造方法を示す断面図である。FIG. 12 is a sectional view illustrating the method for manufacturing the active substrate for a liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention.
【図13】本発明の第1の実施の形態における液晶表示
装置用アクティブ基板の製造方法を示す平面図である。FIG. 13 is a plan view illustrating the method for manufacturing the active substrate for the liquid crystal display device in the first embodiment of the present invention.
【図14】本発明の第2の実施形態における液晶表示装
置用アクティブ基板の製造方法を示す断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing an active substrate for a liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention.
【図15】本発明の第2の実施形態における液晶表示装
置用アクティブ基板の製造方法を示す断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing an active substrate for a liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention.
【図16】本発明の第2の実施形態における液晶表示装
置用アクティブ基板の製造方法を示す断面図である。FIG. 16 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing an active substrate for a liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention.
【図17】本発明の第2の実施形態における液晶表示装
置用アクティブ基板の製造方法を示す断面図である。FIG. 17 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing an active substrate for a liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention.
【図18】本発明の第2の実施形態における液晶表示装
置用アクティブ基板の製造方法を示す断面図である。FIG. 18 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing an active substrate for a liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention.
【図19】本発明の第2の実施形態における液晶表示装
置用アクティブ基板の製造方法を示す断面図である。FIG. 19 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing an active substrate for a liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention.
【図20】本発明の第2の実施形態における液晶表示装
置用アクティブ基板の製造方法を示す断面図である。FIG. 20 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing an active substrate for a liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention.
【図21】本発明の第2の実施形態における液晶表示装
置用アクティブ基板の製造方法を示す断面図である。FIG. 21 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing an active substrate for a liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention.
【図22】本発明の第2の実施形態における液晶表示装
置用アクティブ基板の製造方法を示す断面図である。FIG. 22 is a sectional view illustrating the method for manufacturing the active substrate for a liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention.
【図23】本発明の第2の実施形態における液晶表示装
置用アクティブ基板の製造方法を示す平面図である。FIG. 23 is a plan view illustrating a method for manufacturing an active substrate for a liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention.
【図24】従来技術における液晶表示装置を示す平面図
である。FIG. 24 is a plan view showing a liquid crystal display device according to the related art.
【図25】従来技術における液晶表示装置を示す断面図
である。FIG. 25 is a cross-sectional view showing a liquid crystal display device according to the related art.
【図26】櫛歯型電極を用いる液晶表示装置の一部領域
を示す平面図である。FIG. 26 is a plan view showing a partial region of a liquid crystal display device using a comb-shaped electrode.
【符号の説明】 12 第1の櫛歯型電極 13 第1の電極 14 第1の配線電極 15 第1の非線形抵抗層 16 第2の非線形抵抗層 17 第2の電極 19 第2の配線電極 20 第2の櫛歯型電極DESCRIPTION OF SYMBOLS 12 First comb-tooth electrode 13 First electrode 14 First wiring electrode 15 First nonlinear resistance layer 16 Second nonlinear resistance layer 17 Second electrode 19 Second wiring electrode 20 Second comb-shaped electrode
Claims (8)
極に接続する第1の配線電極と島状の第1の電極とを第
1のフォトレジストをエッチングマスクにしてパターン
形成する工程と、基板上の全面に第1の非線形抵抗層を
形成する工程と、第1の配線電極上に第2の非線形抵抗
層を第2のフォトレジストをエッチングマスクにしてパ
ターン形成する工程と、第1の電極に第1の非線形抵抗
層を介して接続する第2の電極と第2の電極に接続しか
つ第1の櫛歯電極に近接する第2の櫛歯電極と、第1の
電極に第1の非線形抵抗層を介して接続する第3の電極
と第3の電極に接続しかつ第1の配線電極と第2の非線
形抵抗層を介して交差する第2の配線電極とを第3のフ
ォトレジストをエッチングマスクにしてパターン形成す
る工程とを有することを特徴とする液晶表示装置用アク
ティブ基板の製造方法。1. A pattern of a first comb-shaped electrode, a first wiring electrode connected to the first comb-shaped electrode, and an island-shaped first electrode on a substrate using a first photoresist as an etching mask. Forming, forming a first non-linear resistance layer on the entire surface of the substrate, and forming a pattern on the first wiring electrode using the second photoresist as an etching mask for the second non-linear resistance layer A second comb electrode connected to the first electrode via the first non-linear resistance layer, a second comb tooth electrode connected to the second electrode and proximate to the first comb tooth electrode; And a second wiring electrode connected to the third electrode via the first nonlinear resistance layer, and a second wiring electrode connected to the third electrode and crossing the first wiring electrode via the second nonlinear resistance layer. Forming a pattern using the third photoresist as an etching mask. And a method for manufacturing an active substrate for a liquid crystal display device.
極に接続する第1の配線電極と島状の第1の電極とを第
1のフォトレジストをエッチングマスクにしてパターン
形成する工程と、基板上の全面に第1の非線形抵抗層を
形成し第2のフォトレジストを用いて第1の電極上に第
1の非線形抵抗層よりも薄い第2の非線形抵抗層を形成
する工程と、第1電極に第1の非線形抵抗層を介して接
続する第2の電極と第2の電極に接続しかつ第1の櫛歯
電極に近接する第2の櫛歯電極と、第1の電極に第1の
非線形抵抗層を介して接続する第3の電極と第3の電極
に接続しかつ第1の配線電極と第2の非線形抵抗層を介
して交差する第2の配線電極とを第3のフォトレジスト
をエッチングマスクにしてパターン形成する工程とを有
することを特徴とする液晶表示装置用アクティブ基板の
製造方法。2. A first comb-shaped electrode, a first wiring electrode connected to the first comb-shaped electrode, and an island-shaped first electrode are patterned on a substrate by using a first photoresist as an etching mask. Forming a first non-linear resistance layer over the entire surface of the substrate and forming a second non-linear resistance layer thinner than the first non-linear resistance layer on the first electrode using a second photoresist A second electrode connected to the first electrode via the first nonlinear resistance layer, a second comb electrode connected to the second electrode and adjacent to the first comb electrode, A third electrode connected to the first electrode via the first nonlinear resistance layer, and a second wiring electrode connected to the third electrode and crossing the first wiring electrode via the second nonlinear resistance layer Forming a pattern using the third photoresist as an etching mask. Of manufacturing an active substrate for a liquid crystal display device.
極に接続する第1の配線電極と第1の櫛歯電極に一時接
続する第1の電極とを第1のフォトレジストをエッチン
グマスクにしてパターン形成する工程と、第1の櫛歯電
極と第1の櫛歯電極に接続する第1の配線電極と第1の
電極上に第1の非線形抵抗層を陽極酸化法により形成す
る工程と、第1の櫛歯電極と第1の電極とを第2のフォ
トレジストをエッチングマスクにして島状に分離する工
程と、第1の配線電極上に第2の非線形抵抗層を第3の
フォトレジストをエッチングマスクにしてパターン形成
する工程と、第1電極に第1の非線形抵抗層を介して接
続する第2の電極と第2の電極に接続しかつ第1の櫛歯
電極に近接する第2の櫛歯電極と、第1の電極に第1の
非線形抵抗層を介して接続する第3の電極と第3の電極
に接続しかつ第1の配線電極と第2の非線形抵抗層を介
して交差する第2の配線電極とを第4のフォトレジスト
をエッチングマスクにしてパターン形成する工程とを有
することを特徴とする液晶表示装置用アクティブ基板の
製造方法。3. A first photo-electrode comprising a first comb-shaped electrode, a first wiring electrode connected to the first comb-shaped electrode, and a first electrode temporarily connected to the first comb-shaped electrode on a substrate. Forming a pattern using a resist as an etching mask, anodizing a first non-linear resistance layer on the first comb-tooth electrode, a first wiring electrode connected to the first comb-tooth electrode, and the first electrode; Forming the first comb-shaped electrode and the first electrode in an island shape using the second photoresist as an etching mask; and forming a second non-linear resistance layer on the first wiring electrode. Forming a pattern using a third photoresist as an etching mask, a second electrode connected to the first electrode via a first nonlinear resistance layer, and a first comb tooth connected to the second electrode. A second comb-shaped electrode close to the electrode, and a first non-linear resistance layer connected to the first electrode. The third electrode connected to the third electrode and the second wiring electrode connected to the third electrode and intersecting with the first wiring electrode via the second nonlinear resistance layer are formed using the fourth photoresist as an etching mask. Forming an active substrate for a liquid crystal display device.
極に接続する第1の配線電極と第1の櫛歯電極に一時接
続する第1の電極とを第1のフォトレジストをエッチン
グマスクにしてパターン形成する工程と、第1の櫛歯電
極と第1の櫛歯電極に接続する第1の配線電極と第1の
電極上に第1の非線形抵抗層を陽極酸化法により形成す
る工程と、第1の櫛歯電極と第1の電極とを第2のフォ
トレジストをエッチングマスクにして島状に分離する工
程と、第1の電極上の第1の非線形抵抗層上に3のフォ
トレジストを形成する工程と、基板上の全面に第2の非
線形抵抗層を形成する工程と、第1の電極上の第3のフ
ォトレジストを第2の非線形抵抗層とともにリフトオフ
する工程と、第1電極に第1の非線形抵抗層を介して接
続する第2の電極と第2の電極に接続しかつ第1の櫛歯
電極に近接する第2の櫛歯電極と、第1の電極に第1の
非線形抵抗層を介して接続する第3の電極と第3の電極
に接続しかつ第1の配線電極と第2の非線形抵抗層を介
して交差する第2の配線電極とを第4のフォトレジスト
をエッチングマスクにしてパターン形成する工程とを有
することを特徴とする液晶表示装置用アクティブ基板の
製造方法。4. A first photo-electrode comprising: a first comb-shaped electrode; a first wiring electrode connected to the first comb-shaped electrode; and a first electrode temporarily connected to the first comb-shaped electrode, on a substrate. Forming a pattern using a resist as an etching mask, anodizing a first non-linear resistance layer on the first comb-tooth electrode, a first wiring electrode connected to the first comb-tooth electrode, and the first electrode; Forming the first comb-tooth electrode and the first electrode in an island shape using the second photoresist as an etching mask; and forming the island on the first nonlinear resistance layer on the first electrode. Forming a second non-linear resistance layer on the entire surface of the substrate, and lifting off the third photoresist on the first electrode together with the second non-linear resistance layer And a second electrode connected to the first electrode via a first nonlinear resistance layer. A second comb electrode connected to the second electrode and adjacent to the first comb electrode; a third electrode and a third electrode connected to the first electrode via a first non-linear resistance layer; And forming a pattern between the first wiring electrode and the second wiring electrode intersecting via the second nonlinear resistance layer using the fourth photoresist as an etching mask. A method for manufacturing an active substrate for a liquid crystal display device.
極に接続する第3の電極と、第3の電極に一時接続する
第2の電極と第2の電極に接続する第2の櫛歯電極を第
1のフォトレジストをエッチングマスクにしてパターン
形成する工程と、基板上の全面に第1の非線形抵抗層を
形成し第2のフォトレジストを用いて第2の電極上と第
3の電極上に第2の非線形抵抗層よりも薄い第1の非線
形抵抗層を形成する工程と、第2の電極上の第1の非線
形抵抗層と第3の電極上の第1の非線形抵抗層の両方を
介して接続する第1の電極と、第2の櫛歯電極に近接す
る第1の櫛歯電極と第1の櫛歯電極に接続しかつ第2の
配線電極上の第2の非線形抵抗層を介して交差する第1
の配線電極を第3のフォトレジストをエッチングマスク
にしてパターン形成する工程とを有することを特徴とす
る液晶表示装置用アクティブ基板の製造方法。5. A second wiring electrode, a third electrode connected to the second wiring electrode, a second electrode temporarily connected to the third electrode, and a second electrode connected to the second electrode on the substrate. Forming a pattern using the first photoresist as an etching mask, forming a first non-linear resistance layer on the entire surface of the substrate, and forming a second resist on the second electrode using a second photoresist. Forming a first nonlinear resistance layer thinner than the second nonlinear resistance layer on the third electrode; and a first nonlinear resistance layer on the second electrode and a first nonlinear resistance on the third electrode. A first electrode connected through both of the layers, a first comb electrode adjacent to the second comb electrode, and a second electrode connected to the first comb electrode and on the second wiring electrode. First crossing through a non-linear resistance layer
Forming a pattern of the wiring electrodes using the third photoresist as an etching mask.
極に接続する第3の電極と第2の電極と第2の電極に接
続する第2の櫛歯電極を第1のフォトレジストをエッチ
ングマスクにしてパターン形成する工程と、基板の全面
に第1の非線形抵抗層を形成する工程と、第2の配線電
極上に第2の非線形抵抗層を第2のフォトレジストをエ
ッチングマスクにしてパターン形成する工程と、第2の
電極上の第1の非線形抵抗層と第3の電極上の第1の非
線形抵抗層の両方を介して接続する第1の電極と、第2
の櫛歯電極に近接する第1の櫛歯電極と第1の櫛歯電極
に接続しかつ第2の配線電極上の第2の非線形抵抗層を
介して交差する第1の配線電極を第3のフォトレジスト
をエッチングマスクにしてパターン形成する工程とを有
することを特徴とする液晶表示装置用アクティブ基板の
製造方法。6. A second wiring electrode, a third electrode connected to the second wiring electrode, a second electrode, and a second comb-tooth electrode connected to the second electrode on a substrate, the first photo-electrode being provided on the substrate. Forming a pattern using the resist as an etching mask, forming a first non-linear resistance layer over the entire surface of the substrate, and forming a second non-linear resistance layer on the second wiring electrode using a second photoresist as an etching mask Forming a pattern, and a first electrode connected via both the first nonlinear resistance layer on the second electrode and the first nonlinear resistance layer on the third electrode;
A first comb electrode adjacent to the first comb electrode and a first wiring electrode connected to the first comb electrode and intersecting via a second non-linear resistance layer on the second wiring electrode; Forming a pattern using the photoresist as an etching mask.
極に接続する第3の電極と、第3の電極に一時接続する
第2の電極と第2の電極に接続する第2の櫛歯電極を第
1のフォトレジストをエッチングマスクにしてパターン
形成する工程と、第2の電極と第3の電極上に第1の非
線形抵抗層を陽極酸化法により形成する工程と、第2の
電極と第3の電極とを第2のフォトレジストをエッチン
グマスクにして分離する工程と、第2の配線電極上に第
2の非線形抵抗層を第3のフォトレジストをエッチング
マスクにしてパターン形成する工程と、第2の電極上の
第1の非線形抵抗層と第3の電極上の第1の非線形抵抗
層の両方を介して接続する第1の電極と、第2の櫛歯電
極に近接する第1の櫛歯電極と第1の櫛歯電極に接続し
かつ第2の配線電極上の第2の非線形抵抗層を介して交
差する第1の配線電極を第4のフォトレジストをエッチ
ングマスクにしてパターン形成する工程とを有すること
を特徴とする液晶表示装置用アクティブ基板の製造方
法。7. A second wiring electrode, a third electrode connected to the second wiring electrode, a second electrode temporarily connected to the third electrode, and a second electrode connected to the second electrode on the substrate. Forming a pattern using the first photoresist as an etching mask, forming a first non-linear resistance layer on the second electrode and the third electrode by an anodic oxidation method, Separating the third electrode from the third electrode using the second photoresist as an etching mask, and forming a second non-linear resistance layer on the second wiring electrode using the third photoresist as an etching mask. A first electrode connected through both the first nonlinear resistance layer on the second electrode and the first nonlinear resistance layer on the third electrode; A first comb electrode and a second wiring electrode connected to the first comb electrode Forming a pattern using a fourth photoresist as an etching mask with the first wiring electrode intersecting via the second non-linear resistance layer above. .
極に接続する第3の電極と、第3の電極に一時接続する
第2の電極と第2の電極に接続する第2の櫛歯電極を第
1のフォトレジストをエッチングマスクにしてパターン
形成する工程と、第2の電極と第3の電極上に第1の非
線形抵抗層を陽極酸化法により形成する工程と、第2の
電極と第3の電極とを第2のフォトレジストをエッチン
グマスクにして分離する工程と、第2の電極と第3の電
極上の第1の非線形抵抗層上に第3のフォトレジストを
形成する工程と、基板上の全面に第2の非線形抵抗層を
形成する工程と、第3のフォトレジストを第2の電極と
第3の電極上の第2の非線形抵抗層とともにリフトオフ
する工程と、第2の電極上の第1の非線形抵抗層と第3
の電極上の第1の非線形抵抗層の両方を介して接続する
第1の電極と、第2の櫛歯電極に近接する第1の櫛歯電
極と第1の櫛歯電極に接続しかつ第2の配線電極上の第
2の非線形抵抗層を介して交差する第1の配線電極を第
4のフォトレジストをエッチングマスクにしてパターン
形成する工程とを有することを特徴とする液晶表示装置
用アクティブ基板の製造方法。8. A second wiring electrode, a third electrode connected to the second wiring electrode, a second electrode temporarily connected to the third electrode, and a second electrode connected to the second electrode on the substrate. Forming a pattern using the first photoresist as an etching mask, forming a first non-linear resistance layer on the second electrode and the third electrode by an anodic oxidation method, Separating the third electrode from the third electrode using the second photoresist as an etching mask, and forming a third photoresist on the first non-linear resistance layer on the second electrode and the third electrode Performing a step of forming a second non-linear resistance layer on the entire surface of the substrate, a step of lifting off the third photoresist together with the second electrode and the second non-linear resistance layer on the third electrode, A first nonlinear resistance layer on the second electrode and a third
A first electrode connected through both of the first non-linear resistance layers on the first electrode, a first comb electrode adjacent to the second comb electrode, and a first electrode connected to the first comb electrode and Forming a pattern using a fourth photoresist as an etching mask with a first wiring electrode intersecting via a second non-linear resistance layer on the second wiring electrode. Substrate manufacturing method.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26047096A JPH10104665A (en) | 1996-10-01 | 1996-10-01 | Manufacture of active substrate for liquid crystal display device |
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---|---|---|---|
JP26047096A JPH10104665A (en) | 1996-10-01 | 1996-10-01 | Manufacture of active substrate for liquid crystal display device |
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---|---|
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JP26047096A Pending JPH10104665A (en) | 1996-10-01 | 1996-10-01 | Manufacture of active substrate for liquid crystal display device |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JPH10104665A (en) |
-
1996
- 1996-10-01 JP JP26047096A patent/JPH10104665A/en active Pending
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