JPH10102244A - Sputtering device - Google Patents
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- JPH10102244A JPH10102244A JP8316702A JP31670296A JPH10102244A JP H10102244 A JPH10102244 A JP H10102244A JP 8316702 A JP8316702 A JP 8316702A JP 31670296 A JP31670296 A JP 31670296A JP H10102244 A JPH10102244 A JP H10102244A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
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- C23C14/34—Sputtering
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は半導体の製造工程中
で発生した粒子（Particle）による素子不良を防止でき
るスパッタリング装置に係り、より具体的には、スパッ
タリング工程において工程中または工程完了後、スパッ
タリング装置のチャンバ内で発生する粒子が高真空ポン
ブに流入され、後続工程の進行中に素子不良を発生させ
ることを防止するためのスパッタリング装置に関するも
のである。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a sputtering apparatus capable of preventing an element failure due to particles generated in a semiconductor manufacturing process, and more specifically, to a sputtering method during or after completion of a sputtering process. The present invention relates to a sputtering apparatus for preventing particles generated in a chamber of the apparatus from flowing into a high-vacuum pump and causing an element defect during a subsequent process.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般的に半導体素子の蒸着方法として
は、一定温度でナンリフレクトリメタル（Non Refracto
ry Metal）を蒸着するメタル蒸着方法を用いているが、
このような蒸着方法はステップカバレージ（Step cover
age）に限界があった。したがって、近来にはタングス
テン（Tungsten）のようなメタルをＣＶＤ方法により蒸
着させ、コンタクトにおいて発生するメタルの断線現象
を防止して、スパッタ（Sputter）装置を利用してアル
ミニウム（Al）のようなメタルを蒸着させる２重構造を
持つメタル配線を利用した蒸着方法が用いられている。2. Description of the Related Art Generally, as a method of depositing a semiconductor element, a non-reflector metal (Non Refracto metal) is used at a constant temperature.
ry Metal) is used.
Such a deposition method is called step coverage.
age) had a limit. Therefore, recently, a metal such as tungsten (Tungsten) is deposited by a CVD method to prevent a disconnection phenomenon of a metal generated at a contact, and a metal such as aluminum (Al) is formed using a sputter device. A vapor deposition method using a metal wiring having a double structure for vapor deposition is used.
【０００３】図１は一般的なスパッタリング装置の概要
図である。図１に示すようにスパッタ装置は、真空チャ
ンバ１内のテーブル（Table）４上にウェーハ（Wafer）
２を位置させて、その上部に蒸着しようとするアルミニ
ウム等の金属ターゲット（Target）３を設置してターゲ
ットに電源を印加させた後、アルゴン（Ar）ガスが真空
チャンバ（Chamber）１に供給されると、プラズマ（Pla
sma）が形成され、陽（＋）に帯電されたアルゴンイオ
ンがターゲット３と衝突しながらターゲット金属がウェ
ーハに蒸着される。FIG. 1 is a schematic view of a general sputtering apparatus. As shown in FIG. 1, the sputtering apparatus has a wafer (Wafer) on a table 4 in a vacuum chamber 1.
2, a metal target 3 such as aluminum to be vapor-deposited thereon is placed thereon, and power is applied to the target. Argon (Ar) gas is supplied to the vacuum chamber 1. Then, plasma (Pla
sma) is formed, and the target metal is deposited on the wafer while the positively (+) charged argon ions collide with the target 3.
【０００４】この時、スパッタ装置が正常に動作する
と、前記真空チャンバ１と連通された高真空ポンプ（Cr
yo Pump）５が、真空チャンバ１内の真空状態を維持す
るため作動される。図２にはこのような高真空ポンプの
部分切開斜視図が図示されている。At this time, when the sputtering device operates normally, a high vacuum pump (Cr) connected to the vacuum chamber 1 is used.
The yo pump 5 is operated to maintain the vacuum state in the vacuum chamber 1. FIG. 2 shows a partially cutaway perspective view of such a high vacuum pump.
【０００５】図示されるように、高真空ポンプの真空容
器１２内には多数のアセンブリ組立体が形成されて、真
空容器１２の一側端部は開口されこの開口部の円周上に
は、取付けフランジ（Mounting Flange）１０が形成さ
れている。さらに、真空容器の内部には長手方向に１／
２部分まで一端部は開口されて他端部は閉鎖された放射
遮蔽体１７が挿入されている。As shown, a number of assembly assemblies are formed in a vacuum vessel 12 of a high vacuum pump, and one end of the vacuum vessel 12 is opened. A mounting flange (Mounting Flange) 10 is formed. Furthermore, 1 /
A radiation shield 17 having one end opened and the other end closed to two portions is inserted.
【０００６】また、放射遮蔽体１７（Radiation Shiel
d）の内部の最上部にはコンデンシングアレイ（Condens
ing Array）１１が同軸的に配置されていて、その下部
には中空円板形のチャコールアレイ（Charcoal Array）
１６が積み重ねて配置されている。積み重ねたチャコー
ルアレイの内部にはコールドヘッダシリンダ（Cold Hea
d Cylinder）１３が挿入され放射遮蔽体１７の閉鎖端部
を貫通して真空容器内の下部まで連結されている。The radiation shield 17 (Radiation Shiel)
d) At the top inside the condensing array (Condens
Ining Array) 11 is coaxially arranged, and a hollow disk-shaped charcoal array (Charcoal Array) is provided below.
16 are arranged in a stack. Inside the stacked charcoal array is a cold header cylinder (Cold Hea
d Cylinder) 13 is inserted and penetrates through the closed end of the radiation shield 17 and is connected to the lower portion in the vacuum vessel.
【０００７】また、真空容器１２の下端にはラッピング
（roughing）弁１８及び空気抜き（Purge）弁１９のよ
うな弁類及び各種配管が設置されている。未説明符号１
４はヒーター（Heater）を示し、１５はスタンドパイプ
フィルタ（Stand Pipe Filter）を示す。このような構
造の高真空ポンプが付着されたスパッタリング装置を利
用してスパッタリングする方法を詳細に説明すると次の
とおりである。At the lower end of the vacuum vessel 12, valves such as a wrapping valve 18 and an air purge valve 19 and various pipes are provided. Unexplained code 1
Reference numeral 4 denotes a heater, and reference numeral 15 denotes a stand pipe filter. A method of performing sputtering using a sputtering apparatus to which a high vacuum pump having such a structure is attached will be described in detail below.
【０００８】反応ガスは真空チャンバ（Chamber）１の
注入口（図示せず）を経由して真空チャンバ１内に注入
されてから排出口（図示せず）を経由して排出され、ま
た、ターゲット３には陰電圧が印加されて、テーブル４
には陽電圧が印加される。このように電圧が印加される
と、アルゴンのような反応ガスはプラズマが形成されて
陽（＋）に帯電された反応イオンがターゲット３と衝突
しながらアルミニウム等のターゲット金属がウェーハに
蒸着される。また、このような正常動作中にスパッタリ
ング状態を高真空に維持するため、高真空ポンプ５は継
続的に作動する。The reaction gas is injected into the vacuum chamber 1 through an inlet (not shown) of a vacuum chamber (Chamber) 1 and then discharged through an outlet (not shown). A negative voltage is applied to 3 and the table 4
Is applied with a positive voltage. When a voltage is applied in this manner, a reactive gas such as argon forms a plasma, and a positively charged reactive ion collides with the target 3 to deposit a target metal such as aluminum on the wafer. . In order to maintain the sputtering state at a high vacuum during such a normal operation, the high vacuum pump 5 operates continuously.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】しかし、この時、高真
空ポンプは、単にガスケット（図示せず）を介在して真
空チャンバ装置に連通されているから、ウェーハの静電
現象による貼り付き（Sticking）、移送アーム（Arm）
上のウェーハのミスアライン（Misalign）、または、ク
ランピング（Clamping）不良等によりウェーハが破損さ
れる現象が発生する場合があり、この場合にウェーハの
破損により発生する粒子は、高真空ポンプの作動により
ポンプ内に吸引されてしまう。However, at this time, since the high vacuum pump is simply connected to the vacuum chamber device via a gasket (not shown), the high vacuum pump sticks due to the electrostatic phenomenon of the wafer (Sticking). ), Transfer arm (Arm)
The wafer may be broken due to misalignment of the upper wafer or mis-clamping, etc. In this case, the particles generated by the breakage of the wafer may be damaged by the operation of the high vacuum pump. It is sucked into the pump.
【００１０】このように吸引された粒子は後続工程で新
しい粒子原として作用して素子不良を発生させる問題点
があった。即ち、工程を停止してスパッタリング装置を
掃除する場合には、真空チャンバの内部の粒子は完全に
除去できるが、真空容器の場合は内部コンデンシングア
レイかチャコールアレイのようなアセンブリ（Assembl
y）と放射遮蔽体の間隔が１ｃｍ程度にしかならないた
め内部に残留する粒子を完全に除去できないから粒子原
が常在するようになる。There is a problem that the particles thus sucked act as a new particle source in a subsequent process to cause an element defect. That is, when the process is stopped and the sputtering apparatus is cleaned, particles inside the vacuum chamber can be completely removed. However, in the case of a vacuum vessel, an assembly such as an internal condensing array or a charcoal array is used.
Since the distance between y) and the radiation shield is only about 1 cm, the particles remaining inside cannot be completely removed, so that the particle source is always present.
【００１１】また、真空容器内部の粒子を完全除去する
ためには、高真空ポンプ自体を完全分解しなければなら
ないから多大な時間がかかる問題点があった。したがっ
て、本発明は、上記のような問題点を解決すべくなされ
たもので、粒子が発生する場合にも発生した粒子が後続
工程に対して新しい粒子として作用しないようにする構
造を有する粒子除去装置を提供することを目的とする。Also, in order to completely remove particles inside the vacuum vessel, the high vacuum pump itself must be completely disassembled, so that it takes a long time. Accordingly, the present invention has been made in order to solve the above-described problems, and has a structure in which, even when particles are generated, the generated particles do not act as new particles in a subsequent process. It is intended to provide a device.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに本発明は、ターゲット及びこれに対向して形成され
たウェーハ支持用のテーブルが設置されている真空チャ
ンバと、前記真空チャンバに連通設置された高真空ポン
プとを包含するスパッタリング装置において、前記高真
空ポンプは、粒子フィルタ手段を介在して前記真空チャ
ンバに連通されたことを特徴とする。In order to achieve the above object, the present invention provides a vacuum chamber in which a target and a wafer supporting table formed opposite to the target are installed, and a communication with the vacuum chamber. In a sputtering apparatus including an installed high vacuum pump, the high vacuum pump is connected to the vacuum chamber via a particle filter.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】以下、添付図面によって本発明の
具体的な実施形態を詳細に説明する。但し、同一部分に
ついては同一符号を付与する。まず、本発明の基本的な
概念について説明すると次のようである。スパッタリン
グ装置を掃除する場合、真空チャンバの内部の粒子は完
全に除去できるが、真空容器の場合は内部の構造的問題
により粒子を完全に除去できない。したがって、最初か
ら粒子のポンプへの流入を遮断することにより構造的問
題による問題点を源泉的に除去できる。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the same parts are given the same reference numerals. First, the basic concept of the present invention will be described as follows. When cleaning the sputtering apparatus, particles inside the vacuum chamber can be completely removed, but in the case of a vacuum vessel, particles cannot be completely removed due to internal structural problems. Therefore, by blocking the flow of particles into the pump from the beginning, problems due to structural problems can be removed at the source.
【００１４】図３は本発明によるスパッタリング装置の
分解斜視図であり、図４は本発明による網形ガスケット
の詳細図である。一般的に、反応ガスは真空チャンバ１
の注入口（図示せず）を経由して真空チャンバ１内に注
入されてから排出口（図示せず）を経由して排出され
て、また、ターゲット３には陰電圧が印加されてテーブ
ル４には陽電圧が印加される。このように電圧が印加さ
れると、アルゴンのような反応ガスは、プラズマが形成
されて、陽（＋）に帯電された反応イオンがターゲット
３と衝突しながらターゲット金属のウェーハに蒸着され
る。このような正常動作中、スパッタリング状態を高真
空で維持するために、高真空ポンプ５は継続的に作動す
る。FIG. 3 is an exploded perspective view of a sputtering apparatus according to the present invention, and FIG. 4 is a detailed view of a mesh gasket according to the present invention. Generally, the reaction gas is in a vacuum chamber 1
Is injected into the vacuum chamber 1 through an inlet (not shown), and then discharged through an outlet (not shown). Is applied with a positive voltage. When a voltage is applied in this manner, a reactive gas such as argon forms a plasma, and positively (+) reactive ions collide with the target 3 and are deposited on a target metal wafer. During such a normal operation, the high vacuum pump 5 operates continuously to maintain the sputtering state at a high vacuum.
【００１５】この時、図３に示すように、真空チャンバ
１とこれと連通された高真空ポンプとの間には網形ガス
ケット（Mesh Type Gasket）が介在されている。また、
図４に示すように、網形ガスケット４０は、所定厚さの
環形フレーム４２と、このフレーム４２に固定された複
数の金属線４４が網形状に相互に交差されて形成された
流入防止板４６とを包含する。網孔の大きさはシリコン
（Silicon）粒子をフィルタリングできる程度であれば
よい。このような構造のガスケットを高真空ポンプの取
付けフランジと真空チャンバ側のフランジ間に介装して
相互結合させると設置が完了される。At this time, as shown in FIG. 3, a mesh gasket is interposed between the vacuum chamber 1 and the high vacuum pump connected thereto. Also,
As shown in FIG. 4, the net-shaped gasket 40 has an inflow prevention plate 46 formed by forming an annular frame 42 having a predetermined thickness and a plurality of metal wires 44 fixed to the frame 42 so as to cross each other in a net shape. And The size of the mesh hole may be of a size that can filter silicon particles. The installation is completed when the gasket having such a structure is interposed between the mounting flange of the high vacuum pump and the flange on the vacuum chamber side to be interconnected.
【００１６】この実施形態では、流入防止板が環形フレ
ームに固定された形態として説明しているが、実際には
二つの環形フレームと所定の流入防止板を別に組み立て
ることも可能である。即ち、高真空ポンプの取付けフラ
ンジに第１環形フレームを組み立てて、流入防止板を介
在して第２環形フレームを組み立ててから真空チャンバ
側のフランジに組み立てることによりガスケットを設置
することもできる。In this embodiment, the inflow prevention plate is described as being fixed to the annular frame. However, in practice, two annular frames and a predetermined inflow prevention plate can be assembled separately. That is, the gasket can be installed by assembling the first annular frame on the mounting flange of the high vacuum pump, assembling the second annular frame with the inflow prevention plate therebetween, and then assembling the flange on the vacuum chamber side.
【００１７】また、流入防止板は必ず網形には限定しな
い。例えば、図５に示すように、一体に製造された六角
形状の貫通孔を持つ流入防止板を使用しても同一な効果
が得られる。The inflow prevention plate is not necessarily limited to a net shape. For example, as shown in FIG. 5, the same effect can be obtained by using an inflow prevention plate having a hexagonal through hole integrally manufactured.
【００１８】環形フレームの材質はこれらフランジ間に
介装され露出されないから通常銅等が使用されて、網形
状の流入防止板の材料としては配線用に一般的に使用さ
れるアルミニウムが用いられる。これはスパッタリング
の工程中、網材料によるウェーハ上の悪影響を最大に減
らすためのである。The material of the annular frame is interposed between the flanges and is not exposed, so that copper or the like is usually used. As a material of the net-shaped inflow prevention plate, aluminum generally used for wiring is used. This is to minimize the adverse effect of the mesh material on the wafer during the sputtering process.
【００１９】前記のような構造を有する本発明によるガ
スケットの作用について説明する。真空チャンバ内でス
パッタリング工程が進行される中で、高真空状態を継続
的に維持するために、真空チャンバと連通された高真空
ポンプが作動される。この時、ウェーハの静電現象によ
る貼り付き、移送アーム上のウェーハのミスアライン、
またはクランピング不良等によりウェーハが破損される
とシリコン粒子が発生して高真空ポンプの吸引力により
ポンプ側に流入される。しかし、前記シリコン粒子は、
真空チャンバと高真空ポンプ間に介在された網形ガスケ
ットにより妨害を受けてポンプへの流入が抵止されて、
抵止された粒子は真空チャンバの下部面に蓄積される。The operation of the gasket according to the present invention having the above-described structure will be described. As the sputtering process proceeds in the vacuum chamber, a high vacuum pump connected to the vacuum chamber is operated to maintain a high vacuum state continuously. At this time, sticking due to the electrostatic phenomenon of the wafer, misalignment of the wafer on the transfer arm,
Alternatively, when the wafer is damaged due to defective clamping or the like, silicon particles are generated and flow into the pump side by the suction force of the high vacuum pump. However, the silicon particles
Obstructed by the mesh gasket interposed between the vacuum chamber and the high vacuum pump, the flow into the pump is blocked,
Retained particles accumulate on the lower surface of the vacuum chamber.
【００２０】したがって、現工程を進行する中で、粒子
の発生を感知した場合には、後続工程を進行する前工程
を中断して真空チャンバ内の粒子を除去することによ
り、現工程の粒子が後続工程に対する新しい粒子原とし
て作用しないようにすることができる。また、この時、
網前面に付着された一部の粒子も容易に除去できる。Therefore, when the generation of particles is sensed during the current process, the particles in the current process are removed by interrupting the previous process in the subsequent process and removing the particles in the vacuum chamber. It can be prevented from acting as a new particle source for the subsequent process. Also, at this time,
Some of the particles attached to the front of the net can also be easily removed.
【００２１】[0021]
【発明の効果】以上のように本発明は、真空チャンバと
これと連通する高真空ポンプ間に網形ガスケットを介在
することにより、粒子のポンプ内への流入を抵止して現
工程で発生した粒子が後続工程の新しい粒子原になるこ
とが防止できる。また、本発明では網形ガスケットにつ
いて記述しているが、必ず網形に限定されることはな
い。さらに、環形フレーム及び網材料は工程中のウェー
ハに対して悪影響を及ぼさない範囲内で自由に選択でき
る。As described above, according to the present invention, the mesh gasket is interposed between the vacuum chamber and the high vacuum pump communicating therewith, thereby preventing the inflow of particles into the pump and generating particles in the present process. It is possible to prevent the generated particles from being used as a new particle source in the subsequent process. Further, although the present invention describes a net-shaped gasket, the present invention is not necessarily limited to a net-shaped gasket. In addition, the annular frame and the net material can be freely selected within a range that does not adversely affect the wafer being processed.
【図１】 一般的なスパッタリング装置の概要図であ
る。FIG. 1 is a schematic diagram of a general sputtering apparatus.
【図２】 通常的な高真空ポンプの部分切開斜視図であ
る。FIG. 2 is a partially cutaway perspective view of a typical high vacuum pump.
【図３】 本発明によるスパッタリング装置の分解斜視
図である。FIG. 3 is an exploded perspective view of a sputtering apparatus according to the present invention.
【図４】 本発明の一実施例による網形ガスケットの詳
細図である。FIG. 4 is a detailed view of a mesh gasket according to one embodiment of the present invention.
【図５】 本発明の他の実施例によるガスケットの詳細
図である。FIG. 5 is a detailed view of a gasket according to another embodiment of the present invention.
１ 真空チャンバ ２ ウェーハ ３ ターゲット ４ テーブル ５ 高真空ボンプ １０ 取付けフランジ １１ コンデンシングアレイ １２ 真空容器 １３ コールドヘッダシリンダ １４ ヒーター １５ スタンドパイプフィルタ １６ チャコールアレイ １７ 放射遮蔽体 １８ ラッピング弁 １９ 空気抜き弁 ４０ ガスケット ４２ 環形フレーム ４４ 網 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vacuum chamber 2 Wafer 3 Target 4 Table 5 High vacuum pump 10 Mounting flange 11 Condensing array 12 Vacuum container 13 Cold header cylinder 14 Heater 15 Stand pipe filter 16 Charcoal array 17 Radiation shield 18 Wrapping valve 19 Air vent valve 40 Gasket 42 Ring type Frame 44 net
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鄭 龍哲 大韓民国京畿道龍仁市起興邑口▲ガル▼里 （番地なし）風林アパート102−304号 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Jeong Long-cheong Korea-Gyeonggi-do, Yongin-si, Kiheungup-eup ▲ Gal ▼ ri (No address) Furin Apartment No. 102-304
Claims (8)
たウェーハ支持用テーブルが設置されている真空チャン
バと、前記真空チャンバに連通設置された高真空ポンプ
とを含むスパッタリング装置において、 前記高真空ポンプは、粒子フィルタ手段を介在して前記
真空チャンバに連通されたことを特徴とするスパッタリ
ング装置。1. A sputtering apparatus, comprising: a vacuum chamber in which a target and a wafer supporting table formed to face the target are installed; and a high vacuum pump communicated with the vacuum chamber. Is a sputtering apparatus, which is connected to the vacuum chamber via a particle filter means.
環形フレームと流入防止板とを含むことを特徴とする請
求項１に記載のスパッタリング装置。2. The sputtering apparatus according to claim 1, wherein the filter unit includes at least one annular frame and an inflow prevention plate.
入固定されることを特徴とする請求項２に記載のスパッ
タリング装置。3. The sputtering apparatus according to claim 2, wherein an edge of the inflow prevention plate is inserted and fixed between the first ring-shaped frame and the second ring-shaped frame.
とする請求項２または請求項３に記載のスパッタリング
装置。4. The sputtering apparatus according to claim 2, wherein said annular frame is made of copper.
とを特徴とする請求項４に記載のスパッタリング装置。5. The sputtering apparatus according to claim 4, wherein the inflow prevention plate is made of aluminum.
徴とする請求項２に記載のスパッタリング装置。6. The sputtering apparatus according to claim 2, wherein the inflow prevention plate has a net shape.
角形状の貫通孔を持つことを特徴とする請求項２に記載
のスパッタリング装置。7. The sputtering apparatus according to claim 2, wherein the inflow prevention plate is integrally formed and has a hexagonal through hole.
れた粒子であることを特徴とする請求項１に記載のスパ
ッタリング装置。8. The sputtering apparatus according to claim 1, wherein the particles are particles formed in the vacuum chamber.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960039927A KR100212716B1 (en) | 1996-09-13 | 1996-09-13 | Sputtering device |
| KR199639927 | 1996-09-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10102244A true JPH10102244A (en) | 1998-04-21 |
Family
ID=19473791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8316702A Withdrawn JPH10102244A (en) | 1996-09-13 | 1996-11-27 | Sputtering device |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10102244A (en) |
| KR (1) | KR100212716B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100911746B1 (en) | 2007-10-08 | 2009-08-10 | 세메스 주식회사 | Plate generating apparatus |
-
1996
- 1996-09-13 KR KR1019960039927A patent/KR100212716B1/en not_active IP Right Cessation
- 1996-11-27 JP JP8316702A patent/JPH10102244A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100911746B1 (en) | 2007-10-08 | 2009-08-10 | 세메스 주식회사 | Plate generating apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100212716B1 (en) | 1999-08-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040203 |