JPH10101688A - Organic bismuth derivative - Google Patents

Organic bismuth derivative

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Publication number
JPH10101688A
JPH10101688A JP26071596A JP26071596A JPH10101688A JP H10101688 A JPH10101688 A JP H10101688A JP 26071596 A JP26071596 A JP 26071596A JP 26071596 A JP26071596 A JP 26071596A JP H10101688 A JPH10101688 A JP H10101688A
Authority
JP
Japan
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group
formula
compound
alkyl group
organic bismuth
Prior art date
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Pending
Application number
JP26071596A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hitomi Suzuki
仁美 鈴木
Katsuaki Miyaji
克明 宮地
Shigemasa Sasako
滋正 笹子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissan Chemical Corp
Original Assignee
Nissan Chemical Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Nissan Chemical Corp filed Critical Nissan Chemical Corp
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Publication of JPH10101688A publication Critical patent/JPH10101688A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a new triaryl bismuth derivative useful as a raw material for various functional materials, drug delivery agents capable of being traced with X-rays, dendrimers containing bismuth as a central atom, etc. SOLUTION: A new organic bismuth derivative of formula I X is a group of the formula: SO2 NR<1> R<2> (R<1> , R<2> are each a 1-6C alkyl which may be substituted by one or two hydroxyl groups protective or not protected); Y is H, a 1-6C alkyl, a group of the formula: SO2 NR<1> R<2> ; Z<1> -Z<3> are H, a group of formula II [X' is H, a group of the formula: SO2 NR<1> 'R<2> ' (R<1> ', R<2> ' are each the same as R<1> ); Y' is H, a 1-6C alkyl, a group of the formula: SO2 NR<1> 'R<2> '}. The derivative of formula I is useful as a functional material for nano-scale catalysts, reaction vessels, MRI contrast media, chemical sensors, information- having materials, adhesives, coatings, separating media, light energy-absorbing materials, radiation-shielding materials, X-ray contrast media, drug delivery agents, etc., and further as an intermediate for synthesizing organic bismuth polymers, etc.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は中心原子をビスマス
とする優れた機能性を有するデンドリマーを与える有機
ビスマス誘導体に関する。
[0001] The present invention relates to an organic bismuth derivative having a bismuth as a central atom to give a dendrimer having excellent functionality.

【0002】[0002]

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】デンド
リマー(デンドロンとも呼ばれる)は完全な球形に近い
高分子であり均一な分子量を示し、直径が環境に影響さ
れず一定の化合物群で1985年Tomaliら(Po
lymer Journal17巻、117頁、198
5年)により発表されたものである。
2. Description of the Related Art Dendrimers (also called dendrons) are macromolecules close to perfect spheres and exhibit a uniform molecular weight. (Po
lymer Journal vol. 17, p. 117, 198
5 years).

【0003】デンドリマーはナノスケールの触媒あるい
は反応容器、MRI造影剤、化学センサー、情報所有材
料、接着あるいはコーティーング材料、分離媒体、光エ
ネルギー吸収材料等の機能性材料として期待されてい
る。また、さらに高分子量を有する分子を合成するため
の合成中間体としても使用される。一方、ビスマスは、
元素周期律表V族、第6周期に属する原子番号83に位
置する元素であり安定に存在する元素としては最も重い
元素であり放射線遮蔽能を有している。
[0003] Dendrimers are expected as functional materials such as nanoscale catalysts or reaction vessels, MRI contrast agents, chemical sensors, information possessing materials, adhesive or coating materials, separation media, and light energy absorbing materials. It is also used as a synthetic intermediate for synthesizing a molecule having a higher molecular weight. Bismuth, on the other hand,
It is an element located at atomic number 83 belonging to Group V of the Periodic Table of the Elements, sixth period, and is the heaviest element as a stably existing element and has radiation shielding ability.

【0004】有機ビスマス化合物はトリアルキルビスマ
ス類に代表される様に一般的に化学的に不安定となる
が、トリフェニルビスマス類はこれに比べて安定な化合
物も報告されている。
Organic bismuth compounds are generally chemically unstable as represented by trialkylbismuths, but triphenylbismuths have been reported to be more stable compounds.

【0005】a)Vestn.Leenigrad.U
niv.,Fiz.,Khim.,4号、113〜11
6頁、1971年;Chemical Abstrac
ts,76巻(20号)、1119603にはベンゼン
環のパラ位にスルホアミド基ん又はメトキシ基を有する
トリス(p−置換フェニル)ビスマス化合物の記載があ
る。
A) Vestn. Leenigrad. U
niv. , Fiz. , Khim. , No. 4, 113-11
6, 1971; Chemical Abstract
ts, Vol. 76 (No. 20), 1119603 describes a tris (p-substituted phenyl) bismuth compound having a sulfoamide group or a methoxy group at the para position of the benzene ring.

【0006】b)Phosphorus Sulfu
r.,14巻(2号),253〜260頁、1983年
にはベンゼン環の2,6−位にそれぞれメトキシ基又は
エトキシ基を有するトリス(2、6ージアルコキシフェ
ニル)化合物の記載がある。
B) Phosphorus Sulfu
r. , Vol. 14, No. 2, pp. 253-260, 1983 describes a tris (2,6-dialkoxyphenyl) compound having a methoxy group or an ethoxy group at the 2,6-position of the benzene ring, respectively.

【0007】c)J.Coord.Chem.,12
巻,53〜57頁、1982年には、ベンゼン環のオル
ト位にメトキシ基、メチルチオ基又はジメチルアミノ基
を有するトリス(o−置換フェニル)ビスマス化合物の
記載がある。
C) J. Coord. Chem. , 12
Vol. 53-57, 1982, describes a tris (o-substituted phenyl) bismuth compound having a methoxy, methylthio or dimethylamino group at the ortho position of the benzene ring.

【0008】しかし、いずれの文献にもそれらビスマス
化合物についてもデンドリマー様にする記述がなされて
いない。
[0008] However, none of these documents describes a dendrimer-like bismuth compound.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明者は鋭意検討を行
なった結果、我々が以前に発明した有機ビスマス誘導体
(WO96/19487号公報)等を利用することによ
って中心原子をビスマスとする全く新規な構造を有し優
れた機能性を有するデンドリマーを与える有機ビスマス
誘導体を発明するに至った。本化合物群は従来のデンド
リマーで期待される機能性に加えて中心にビスマス原子
を有することから新しい機能性を有する。
Means for Solving the Problems As a result of diligent studies, the present inventor has found that a completely new organic bismuth derivative (WO96 / 19487), which has been previously invented by us, having a central atom of bismuth can be obtained. The present invention has led to the invention of an organic bismuth derivative which provides a dendrimer having a simple structure and excellent functionality. This compound group has a new functionality because it has a bismuth atom at the center in addition to the functionality expected of conventional dendrimers.

【0010】特に放射線遮蔽材料として使用可能であ
り、また水溶性を付加すればX線造影剤やX線で追跡可
能なドラッグデリバリー剤としても使用出来ることを見
い出し本発明を完成した。
In particular, they have found that they can be used as radiation shielding materials, and that they can be used as X-ray contrast agents or X-ray traceable drug delivery agents if added with water solubility, and completed the present invention.

【0011】すなわち、本発明は、式(I)That is, the present invention provides a compound of the formula (I)

【0012】[0012]

【化3】 [式中Xは、SO2NR12(R1及びR2は、独立してC
1-6アルキル基を示し、保護されていても良い1又は2
個の水酸基で置換されていても良い)を示す。Yは水素
原子、C1-6アルキル基又はSO2NR12(R1及びR2
は、独立してC 1-6アルキル基を示し、保護されていても
良い1又は2個の水酸基で置換されていても良い)を示
す。
Embedded image[Where X is SOTwoNR1RTwo(R1And RTwoIs independently C
1-6Represents an alkyl group and may be protected 1 or 2
May be substituted with a single hydroxyl group). Y is hydrogen
Atom, C1-6Alkyl group or SOTwoNR1RTwo(R1And RTwo
Is independently C 1-6Represents an alkyl group, even if protected
(May be substituted with one or two good hydroxyl groups)
You.

【0013】Z1、Z2及びZ3は、水素原子又は式(I
I)
Z 1 , Z 2 and Z 3 represent a hydrogen atom or a compound of the formula (I
I)

【0014】[0014]

【化4】 [式中X’は、水素原子又はSO2NR1’R2’(R1
及びR2’はC1-6アルキル基を示し、保護されていても
良い1又は2個の水酸基で置換されていても良い)を示
す。Y’は水素原子、C1-6アルキル基又はSO2NR1
2’(R1’、R 2’はC1-6アルキル基を示し、保護さ
れていても良い1又は2個の水酸基で置換されていても
良い)を示す]を示すが、少なくとも1つは式(II)を
示す〕で表される有機ビスマス誘導体に関する。
Embedded image[Wherein X ′ is a hydrogen atom or SOTwoNR1'RTwo’(R1
And RTwo’Is C1-6Represents an alkyl group, even if protected
(May be substituted with one or two good hydroxyl groups)
You. Y 'is a hydrogen atom, C1-6Alkyl group or SOTwoNR1
RTwo’(R1’, R Two’Is C1-6Represents an alkyl group and is protected
May be substituted with one or two hydroxyl groups
Good)), at least one of which has the formula (II)
The organic bismuth derivative represented by the following formula:

【0015】以下、本発明化合物の置換基について説明
する。
Hereinafter, substituents of the compound of the present invention will be described.

【0016】C1-6アルキル基は、直鎖、分枝鎖及び環状
のいずれでもよく、メチル、エチル、n−プロピル、i
−プロピル、c−プロピル、n−ブチル、i−ブチル、
s−ブチル、t−ブチル、c−ブチル、n−ペンチル、
i−ペンチル、s−ペンチル、ネオペンチル、c−ペン
チル、1−メチルブチル、1,2−ジメチルプロピル、
n−ヘキシル、c−ヘキシル、1−メチルペンチル及び
2−エチルブチル等が挙げられる。
The C 1-6 alkyl group may be linear, branched or cyclic, and may be methyl, ethyl, n-propyl, i-
-Propyl, c-propyl, n-butyl, i-butyl,
s-butyl, t-butyl, c-butyl, n-pentyl,
i-pentyl, s-pentyl, neopentyl, c-pentyl, 1-methylbutyl, 1,2-dimethylpropyl,
n-hexyl, c-hexyl, 1-methylpentyl, 2-ethylbutyl and the like.

【0017】このアルキル基は任意の位置で1又は2個
の水酸基で置換されていてもよい前記水酸基は保護され
ていても良く、水酸基の保護基としては、トリメチルシ
リル基、トリエチルシリル基、t−ブチルジメチルシリ
ル基及びt−ブチルジフェニルシリル基等のシリル基、
メトキシメチル基に代表される置換メチル基、1−エト
キシエチル基及びアリル基に代表される置換エチル基、
ベンジル基、p−メトキシベンジル基及びp−フェニル
ベンジル基に代表される置換ベンジル基が挙げられる。
又、保護基として、2個の水酸基を同時に保護すること
の出来る保護基を含んでいても良く、その例としてメチ
レンアセタール、エチレンアセタール、1ーt−ブチル
エチリデンケタール、イソプロピリデンケタール、ベン
ジリデンアセタール、メトキシメチレンアセタール、エ
トキシエチレンアセタール、ジ−t−ブチルシリレン、
テトラーt−ブトキシ−ジシロキサン、1、3ージイリ
デン、エチルボロネエート及びフェニルボロネート等が
あげられる。
The alkyl group may be substituted at any position with one or two hydroxyl groups. The hydroxyl group may be protected. Examples of the hydroxyl-protecting group include a trimethylsilyl group, a triethylsilyl group and a tert-silyl group. Silyl groups such as butyldimethylsilyl group and t-butyldiphenylsilyl group,
Substituted methyl group represented by methoxymethyl group, substituted ethyl group represented by 1-ethoxyethyl group and allyl group,
And substituted benzyl groups represented by benzyl group, p-methoxybenzyl group and p-phenylbenzyl group.
Further, as a protecting group, a protecting group capable of simultaneously protecting two hydroxyl groups may be contained, and examples thereof include methylene acetal, ethylene acetal, 1-t-butylethylidene ketal, isopropylidene ketal, benzylidene acetal, and the like. Methoxymethylene acetal, ethoxyethylene acetal, di-t-butylsilylene,
Tetra-t-butoxy-disiloxane, 1,3 diylidene, ethyl boronate and phenyl boronate.

【0018】なお、本明細書中、nはノルマル、iはイ
ソ、sはセカンダリー、tはターシャリー、Meはメチ
ル基、Etはエチル基をそれぞれ表す。
In the present specification, n represents normal, i represents iso, s represents secondary, t represents tertiary, Me represents a methyl group, and Et represents an ethyl group.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、本発明化合物の製造法につ
いて説明する本発明化合物の式(I)で表される有機ビ
スマス誘導体は以下の反応式で示される方法によって製
造できる。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The organic bismuth derivative represented by the formula (I) of the compound of the present invention, which explains the method for producing the compound of the present invention, can be prepared by the method represented by the following reaction formula.

【0020】[0020]

【化5】 〔式中、X、Y、Z、X’及びY’は、前記と同じ意味
を表す。Mは、アルカリ金属を、Qは、ハロゲン原子を
表す。〕 すなわち式(III)で示されるトリアルキルビスマスに
対してn−ブチルリチウム、s−ブチルリチウム、t−
ブチルリチウム、フェニルリチウム又はナトリウムアミ
ド等のアルカリ金属塩基を反応させ、置換基Xのオルト
位の水素原子をアルカリ金属原子と置換させ、置換フェ
ニルアルカリ金属誘導体(IV)を生成させた後、ジフェ
ニルハロビスマス誘導体(V)を作用させることにより
本発明化合物(I)は、製造できる。
Embedded image [Wherein, X, Y, Z, X ′ and Y ′ represent the same meaning as described above. M represents an alkali metal, and Q represents a halogen atom. That is, n-butyllithium, s-butyllithium, and t-butyllithium represented by the formula (III)
After reacting an alkali metal base such as butyllithium, phenyllithium, or sodium amide to replace the hydrogen atom at the ortho position of the substituent X with an alkali metal atom to generate a substituted phenylalkali metal derivative (IV), The compound (I) of the present invention can be produced by reacting the bismuth derivative (V).

【0021】トリアルキルビスマス(III)は、WO9
6/19487号公報に記載の方法により製造すること
ができる。ジフェニルハロビスマス誘導体(V)は、例
えば、Q=ヨウ素の場合は、以下のように合成する。
The trialkylbismuth (III) can be obtained from WO9
It can be produced by the method described in JP-A-6 / 19487. For example, when Q = iodine, the diphenylhalobismuth derivative (V) is synthesized as follows.

【0022】[0022]

【化6】 Embedded image

【0023】〔式中、p−Tolは、p−トルイルを表
す〕 上記反応における原料のモル比は、通常化合物(III)
に対してアルカリ金属塩基は1〜10当量、好ましくは
1〜4当量が望ましい。反応温度としては−78℃から
40℃までの範囲を採用できる。化合物(V)は化合物
(III)に対して1〜10当量、好ましくは1〜4当量
が望ましい。
[In the formula, p-Tol represents p-toluyl]
The alkali metal base is used in an amount of 1 to 10 equivalents, preferably 1 to 4 equivalents. The reaction temperature can be in the range of -78 ° C to 40 ° C. Compound (V) is used in an amount of 1 to 10 equivalents, preferably 1 to 4 equivalents, relative to compound (III).

【0024】反応溶媒としてはジエチルエーテル、テト
ラヒドロフラン(THF)、1,4−ジオキサン、ジイ
ソプロピルエーテル等のエーテル系溶媒ないしそれ等の
混合溶媒や、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチ
ルピロリドン等のアミド系溶媒及びエーテル系溶媒との
混合溶媒系を採用できる。
Examples of the reaction solvent include ether solvents such as diethyl ether, tetrahydrofuran (THF), 1,4-dioxane and diisopropyl ether, and mixed solvents thereof, and amides such as N, N-dimethylformamide and N-methylpyrrolidone. A mixed solvent system with a system solvent and an ether solvent can be employed.

【0025】水酸基を有する化合物の脱保護の方法とし
ては一般的に用いられる方法が用いられるが、シリル基
の場合は、フルオライドイオン型化合物及び酸触媒が用
いられる。フルオライドイオン型化合物としてはテトラ
ブチルアンモニウムフルオライドの様なテトラアルキル
アンモニウムフルオライド類、フッ化リチウム、フッ化
ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム等のアル
カリ金属フルオライド塩またはピリジンフッ化水素酸塩
等をもちいる。酸触媒としては塩酸、硫酸等の鉱酸、酢
酸、クエン酸等の有機酸、p−トルエンスルホン酸、ピ
リジニウムp−トルエンスルホン酸、酸性のイオン交換
樹脂等が用いられる。
As a method for deprotecting a compound having a hydroxyl group, a commonly used method is used. In the case of a silyl group, a fluoride ion type compound and an acid catalyst are used. Examples of the fluoride ion type compound include tetraalkylammonium fluorides such as tetrabutylammonium fluoride, alkali metal fluoride salts such as lithium fluoride, sodium fluoride, potassium fluoride and cesium fluoride, and pyridine hydrofluoride. With Examples of the acid catalyst include mineral acids such as hydrochloric acid and sulfuric acid, organic acids such as acetic acid and citric acid, p-toluenesulfonic acid, pyridinium p-toluenesulfonic acid, and acidic ion exchange resins.

【0026】保護基が、置換メチル基、置換エチル基、
置換ベンジル基、アセタール、ケタールの場合は、多く
は前記で示した酸性触媒が用いられるが、その他の方法
も用いることができ、たとえば置換ベンジル基やベンジ
ルケタールの場合は水添条件下やバーチ還元条件下でも
良い。ボロネートの場合はアセトン−水又は水−エタノ
ール等が用いられる。
When the protecting group is a substituted methyl group, a substituted ethyl group,
In the case of a substituted benzyl group, acetal or ketal, the above-mentioned acidic catalyst is often used, but other methods can also be used.For example, in the case of a substituted benzyl group or benzyl ketal, hydrogenation conditions or birch reduction Conditions may be used. In the case of boronate, acetone-water or water-ethanol is used.

【0027】反応に用いられる溶媒としては、反応に関
与しないものであれば何でも良く幅広く選択できる。
As the solvent used in the reaction, any solvent can be used as long as it does not participate in the reaction.

【0028】反応温度としては、−20℃〜溶媒の沸点
までの間を通常設定することができる。
[0028] The reaction temperature can be usually set between -20 ° C and the boiling point of the solvent.

【0029】本発明化合物(I)を単離精製する方法と
しては、再結晶または、シリカゲルを用いた各種クロマ
トグラフィー、液体クロマトグラフィー等に加えて、特
に水溶性の場合には、イオン交換クロマトグラフィー、
アフィニティークロマトグラフィー等の方法が有効なこ
ともある。
The method of isolating and purifying the compound (I) of the present invention includes recrystallization, various types of chromatography using silica gel, liquid chromatography and the like. ,
A method such as affinity chromatography may be effective.

【0030】[0030]

【実施例】以下、本発明について実施例を挙げて詳述す
るが、本発明はこれらに 以下、本発明について、実施
例(参考例、合成例)を挙げて詳述するが、本発明はこ
れらの実施例に何ら限定されるものではない。尚、参考
例、合成例中の「NMR」、及び「MS」の各記号はそ
れぞれ「核磁気共鳴スペクトル」、「マススペクトル」
を表わす。又特別の記載がない場合は核磁気共鳴スペク
トルにおいては重水素クロロホルム中で測定している。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to Examples, but the present invention will be described in detail below with reference to Examples (Reference Examples and Synthesis Examples). The present invention is not limited to these embodiments. In addition, each symbol of "NMR" and "MS" in Reference Examples and Synthesis Examples is "nuclear magnetic resonance spectrum" and "mass spectrum", respectively.
Represents Unless otherwise specified, nuclear magnetic resonance spectra are measured in deuterated chloroform.

【0031】実施例1Embodiment 1

【0032】[0032]

【化7】 423mg(0.5mmol)のトリアリールビスマス
(VI)のTHF7ml溶液に−78℃で1当量のt−B
uLiを滴下した。無色透明の溶液が黄色溶液に変化し
た。−78℃で30分攪拌した後、380mg(0.5
mmol)のジアリールビスマスアイオダイド(VII)
のTHF3ml溶液を滴下した。濃い黄色溶液が一旦橙
色になった後薄い黄色に変色した。75分後飽和食塩水
10mlでクエンチして酢酸エチル10mlで2回抽出し
た。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後ろ過濃縮す
ると740mgの白色固体が得られた。これをシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー(溶出ヘキサン:酢酸エチ
ル=6:1)によって精製したところ原料のトリアリー
ルビスマス(VI)が25%、ジビスマス体(VIII)が3
7%、トリビスマス体(IX)が18%及びテトラビスマ
ス体(X)が7%得られた。
Embedded image A solution of 423 mg (0.5 mmol) of triarylbismuth (VI) in 7 ml of THF was added at −78 ° C. with 1 equivalent of tB.
uLi was added dropwise. The clear, colorless solution turned into a yellow solution. After stirring at −78 ° C. for 30 minutes, 380 mg (0.5 mg
mmol) of diarylbismuth iodide (VII)
Was added dropwise in a THF (3 ml) solution. The dark yellow solution once turned orange and then turned pale yellow. After 75 minutes, the mixture was quenched with 10 ml of saturated saline and extracted twice with 10 ml of ethyl acetate. The organic layer was dried over anhydrous magnesium sulfate and concentrated by filtration to obtain 740 mg of a white solid. This was purified by silica gel column chromatography (elution hexane: ethyl acetate = 6: 1) to find that the starting material triarylbismuth (VI) was 25% and the dibismuth compound (VIII) was 3%.
7%, tribismuth (IX) 18% and tetrabismuth (X) 7% were obtained.

【0033】分析データ ジビスマス体(VIII)1 H−NMR(200MHz),δ ppm;1.13
(30H,t,J=7.2Hz),3.26(16H,
q,J=7.2Hz),3.37(4H,q,J=7.
3Hz),7.14(1H,t,J=7.3Hz),
7.35(4H,td,J=7.4Hz,1.5H
z),7.48(4H,td,J=7.5Hz,1.3
Hz),7.73(4H,dd,J=7.3Hz,0.
8Hz),7.82(2H,d,J=7.3Hz),
7.98(4H,dd,J=7.7Hz,1.1Hz) MS;M+−C64SO2NEt2=1265 IR;νmax/cm-1;3048〜2874,146
8,1320,1148,1015,932,737,
677,583. 元素分析;実測値 C:40.58%,H:4.61%,N:4.56% 計算値 C:40.62%,H:4.70%,N:4.74% 融点;143℃
Analytical data Dibismuth compound (VIII) 1 H-NMR (200 MHz), δ ppm; 1.13
(30H, t, J = 7.2 Hz), 3.26 (16H,
q, J = 7.2 Hz), 3.37 (4H, q, J = 7.
3 Hz), 7.14 (1H, t, J = 7.3 Hz),
7.35 (4H, td, J = 7.4Hz, 1.5H
z), 7.48 (4H, td, J = 7.5 Hz, 1.3)
Hz), 7.73 (4H, dd, J = 7.3 Hz, 0.
8 Hz), 7.82 (2H, d, J = 7.3 Hz),
7.98 (4H, dd, J = 7.7 Hz, 1.1 Hz) MS; M + -C 6 H 4 SO 2 NEt 2 = 1265 IR; ν max / cm -1 ; 3048-2874,146
8, 1320, 1148, 1015, 932, 737,
677,583. Elemental analysis; Found C: 40.58%, H: 4.61%, N: 4.56% Calculated C: 40.62%, H: 4.70%, N: 4.74% Melting point: 143 ° C

【0034】トリビスマス体(IX)1 H−NMR(200MHz),δ ppm;1.07
〜1.20(42H,m),3.18〜3.32(28
H,m),7.15(2H,t,J=7.3Hz),
7.36(5H,t,J=7.3Hz),7.47(5
H,t,J=7.3Hz),7.70(4H,d,J=
7.3Hz),7.74(1H,d,J=7.6H
z),7.81(2H,d,J=7.2Hz),7.8
6(2H,d,J=7.1Hz),7.96(1H,
d,J=7.6Hz),7.97(4H,d,J=7.
6Hz) MS;M+=2109 IR;νVmax/cm-1;3048〜2874,146
6,1320,1148,1013,930,737,
677,583. 元素分析;実測値 C:39.64%,H:4.66%,N:4.53% 計算値 C:39.83%,H:4.58%,N:4.64% 融点;132℃
Tribismuth (IX) 1 H-NMR (200 MHz), δ ppm; 1.07
-1.20 (42H, m), 3.18-3.32 (28
H, m), 7.15 (2H, t, J = 7.3 Hz),
7.36 (5H, t, J = 7.3 Hz), 7.47 (5
H, t, J = 7.3 Hz), 7.70 (4H, d, J =
7.3 Hz), 7.74 (1H, d, J = 7.6H)
z), 7.81 (2H, d, J = 7.2 Hz), 7.8
6 (2H, d, J = 7.1 Hz), 7.96 (1H,
d, J = 7.6 Hz), 7.97 (4H, d, J = 7.
6 Hz) MS; M + = 2109 IR; νV max / cm -1 ; 3048-2874,146
6,1320,1148,1013,930,737,
677,583. Elemental analysis; Found C: 39.64%, H: 4.66%, N: 4.53% Calculated C: 39.83%, H: 4.58%, N: 4.64% Melting point: 132 ° C

【0035】テトラビスマス体(X)1 H−NMR(200MHz);δ ppm;1.13
(54H,t,J=7.0Hz),3.27(36H,
q,J=7.0Hz),7.16(3H,t,J=7.
3Hz),7.30(6H,t,J=6.7Hz),
7.45(6H,t,J=6.7Hz),7.67(6
H,d,J=7.2Hz),7.80(3H,d,J=
7.0Hz),7.89(3H,d,J=7.0H
z),7.97(6H,d,J=7.7Hz) IR;νmax/cm-1;2975〜2874,147
0,1320,1148,1013,928,735,
675,581. 元素分析;実測値 C:39.63%,H:4.61%,N:4.50% 計算値 C:39.40%,H:4.52%,N:4.59% 融点;162〜164℃
Tetrabismuth compound (X) 1 H-NMR (200 MHz); δ ppm; 1.13
(54H, t, J = 7.0 Hz), 3.27 (36H,
q, J = 7.0 Hz), 7.16 (3H, t, J = 7.
3 Hz), 7.30 (6H, t, J = 6.7 Hz),
7.45 (6H, t, J = 6.7 Hz), 7.67 (6
H, d, J = 7.2 Hz), 7.80 (3H, d, J =
7.0Hz), 7.89 (3H, d, J = 7.0H)
z), 7.97 (6H, d, J = 7.7 Hz) IR; ν max / cm -1 ; 2975-2874,147
0,1320,1148,1013,928,735,
675,581. Elemental analysis; Found C: 39.63%, H: 4.61%, N: 4.50% Calculated C: 39.40%, H: 4.52%, N: 4.59% Melting point: 162 ~ 164 ° C

【0036】実施例2 170mg(0.2mmol)のトリアリールビスマス
(VI)のTHF3ml溶液に−78℃で3.5当量のt
−BuLiを滴下した。−78℃で数分攪拌した後、0
℃まで昇温し1時間攪拌した。再び−78℃に冷却後、
460mg(0.6mmol)のジアリールビスマスア
イオダイド(VII)のTHF3ml溶液を滴下した。溶
液を1晩かけて室温まで昇温した。水10mlでクエン
チしてジクロロメタン10mlで3回抽出した。有機層
を無水硫酸マグネシウムで乾燥後ろ過濃縮すると740
mgの白色固体が得られた。これをシリカゲルカラムク
ロマトグラフィー(溶出ヘキサン:酢酸エチル=6:
1)によって精製したところ原料のトリアリールビスマ
ス(VI)が9%、ジビスマス体(VIII)が2%、トリビ
スマス体(IX)が10%及びテトラビスマス体(X)が
31%得られた。
Example 2 A solution of 170 mg (0.2 mmol) of triarylbismuth (VI) in 3 ml of THF at -78.degree.
-BuLi was added dropwise. After stirring at −78 ° C. for several minutes,
C. and the mixture was stirred for 1 hour. After cooling again to -78 ° C,
A solution of 460 mg (0.6 mmol) of diarylbismuth iodide (VII) in 3 ml of THF was added dropwise. The solution was warmed to room temperature overnight. Quenched with 10 ml of water and extracted three times with 10 ml of dichloromethane. The organic layer was dried over anhydrous magnesium sulfate and concentrated by filtration.
mg of a white solid were obtained. This was subjected to silica gel column chromatography (elution hexane: ethyl acetate = 6:
Purification according to 1) yielded 9% of the starting material triarylbismuth (VI), 2% of dibismuth (VIII), 10% of tribismuth (IX) and 31% of tetrabismuth (X).

【0037】得られた各化合物の分析データは実施例1
のそれぞれのものと一致した。
The analytical data of each compound obtained is shown in Example 1.
Of each of the matches.

【0038】実施例3Embodiment 3

【0039】[0039]

【化8】 340mg(0.4mmol)のトリアリールビスマ
ス;化合物(VI)のTHF3ml溶液に−78℃で3.
5当量のt−BuLiを滴下した。−78℃で数分攪拌
した後、0℃まで昇温し1時間攪拌した。一方、tri
s(p−tolyl)bismuthane0.39g
(0.81mmol)をTHF5mLに溶解した溶液に0
℃でトリクロロビスマス130mg(0.4mmol)
を加え、数分後混合溶液を室温まで昇温しこれを2時間
攪拌した化合物(XI)を調製し、これを先程の溶液に−
78℃で滴下した。溶液を1晩かけて室温まで昇温し
た。水10mlでクエンチしてジクロロメタン10ml
で3回抽出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥
後ろ過濃縮すると740mgの白色固体が得られた。こ
れをシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶出ヘキサ
ン:酢酸エチル=6:1)によって精製したところ原料
のトリアリールビスマスが2%、ジビスマス体;化合物
(XII)2%、トリビスマス体;化合物(XIII)6%及
びテトラビスマス体;化合物(XIV)11%が得られ
た。
Embedded image 340 mg (0.4 mmol) of triarylbismuth; a solution of compound (VI) in 3 ml of THF at -78 ° C.
Five equivalents of t-BuLi were added dropwise. After stirring at -78 ° C for several minutes, the temperature was raised to 0 ° C and the mixture was stirred for 1 hour. Meanwhile, tri
0.39 g of s (p-tolyl) bismuthane
(0.81 mmol) was dissolved in 5 mL of THF.
130 ° C (0.4 mmol) of trichlorobismuth at ℃
After a few minutes, the mixed solution was heated to room temperature and stirred for 2 hours to prepare a compound (XI), which was added to the previous solution.
It was added dropwise at 78 ° C. The solution was warmed to room temperature overnight. Quench with water 10ml and dichloromethane 10ml
Extracted three times. The organic layer was dried over anhydrous magnesium sulfate and concentrated by filtration to obtain 740 mg of a white solid. This was purified by silica gel column chromatography (elution hexane: ethyl acetate = 6: 1) to find that the starting material triarylbismuth was 2%, dibismuth compound; compound (XII) 2%, tribismuth compound; compound (XIII) 6% and Tetrabismuth compound; 11% of compound (XIV) was obtained.

【0040】分析データ ジビスマス体(XII)1 H−NMR(200MHz);δ ppm;1.05
(6H,t,J=7.1Hz),1.14(12H,
t,J=7.1Hz),2.31(6H,s),3.2
7(12H,m),7.15(1H,t,J=7.2H
z),7.21(4H,d,J=7.8Hz),7.3
4(2H,td,J=7.3Hz,1.1Hz),7.
48(2H,td,J=7.4Hz,J=1.3H
z),7.59(4H,d,J=7.7Hz),7.7
2(2H,dd,J=7.4Hz,1.3Hz),7.
76(1H,dd,J=7.3Hz,J=1.2H
z),7.98(2H,dd,J=7.8Hz,J=
1.3Hz),8.11(1H,dd,J=7.2H
z,1.3Hz) IR;νmax/cm-1;2973〜2872,132
0,1148,1011,926,791,735,6
75,581,478. 元素分析;実測値 C:42.82%,H:4.49%,N:3.28% 計算値 C:42.75%,H:4.48%,N:3.40% 融点;95〜100℃
Analysis data Dibismuth compound (XII) 1 H-NMR (200 MHz); δ ppm; 1.05
(6H, t, J = 7.1 Hz), 1.14 (12H,
t, J = 7.1 Hz), 2.31 (6H, s), 3.2
7 (12H, m), 7.15 (1H, t, J = 7.2H
z), 7.21 (4H, d, J = 7.8 Hz), 7.3
4 (2H, td, J = 7.3 Hz, 1.1 Hz);
48 (2H, td, J = 7.4 Hz, J = 1.3H
z), 7.59 (4H, d, J = 7.7 Hz), 7.7
2 (2H, dd, J = 7.4 Hz, 1.3 Hz);
76 (1H, dd, J = 7.3 Hz, J = 1.2H
z), 7.98 (2H, dd, J = 7.8 Hz, J =
1.3 Hz), 8.11 (1H, dd, J = 7.2H)
z, 1.3 Hz) IR; ν max / cm -1 ; 2973-2872,132
0,1148,1011,926,791,735,6
75, 581, 478. Elemental analysis; Found C: 42.82%, H: 4.49%, N: 3.28% Calculated C: 42.75%, H: 4.48%, N: 3.40% Melting point: 95 ~ 100 ° C

【0041】トリビスマス体(XIII)1 H−NMR(200MHz);δ ppm;1.03
(12H,t,J=7.2Hz),1.12(6H,
t,J=7.1Hz),2.31(12H,s),3.
23(8H,q,J=7.3Hz),3.27(4H,
q,J=7.1Hz),7.16(2H,t,J=7.
3Hz),7.20(8H,d,J=7.0Hz),
7.34(1H,td,J=7.1,J=1.6H
z),7.47(1H,td,J=7.6Hz,J=
1.3Hz),7.59(8H,d,J=7.1H
z),7.76(1H,dd,J=7.6Hz,J=
1.2Hz),7.80(2H,d,J=7.4H
z),7.96(1H,dd,J=7.9Hz,J=
1.1Hz),8.11(2H,d,J=7.3Hz) IR;νmax/cm-1;2961〜2932,129
1,1146,1073,791,739,673,5
83,480. 元素分析;実測値 C:42.97%,H:4.22%,N:2.52% 計算値 C:42.83%,H:4.21%,N:2.58% 融点;102〜108℃
Tribismuth compound (XIII) 1 H-NMR (200 MHz); δ ppm; 1.03
(12H, t, J = 7.2 Hz), 1.12 (6H,
t, J = 7.1 Hz), 2.31 (12H, s), 3.
23 (8H, q, J = 7.3 Hz), 3.27 (4H,
q, J = 7.1 Hz), 7.16 (2H, t, J = 7.
3 Hz), 7.20 (8H, d, J = 7.0 Hz),
7.34 (1H, td, J = 7.1, J = 1.6H
z), 7.47 (1H, td, J = 7.6 Hz, J =
1.3Hz), 7.59 (8H, d, J = 7.1H)
z), 7.76 (1H, dd, J = 7.6 Hz, J =
1.2Hz), 7.80 (2H, d, J = 7.4H)
z), 7.96 (1H, dd, J = 7.9 Hz, J =
1.1 Hz), 8.11 (2H, d, J = 7.3 Hz) IR; ν max / cm −1 ; 2961 to 2932, 129
1,1146,1073,791,739,673,5
83,480. Elemental analysis; Found C: 42.97%, H: 4.22%, N: 2.52% Calculated C: 42.83%, H: 4.21%, N: 2.58% Melting point: 102 ~ 108 ° C

【0042】テトラビスマス体(XIV)1 H−NMR(200MHz),δ ppm,1.01
(18H,t,J=7.0Hz),2.30(18H,
s),3.22(12H,q,J=7.0Hz),7.
17(3H,t,J=7.3Hz),7.19(12
H,d,J=7.8Hz),7.58(12,d,J=
7.8Hz),7.85(3H,dd,J=7.3H
z,J=1.4Hz),8.11(3H,dd,J=
7.3Hz,J=1.3Hz) IR;νmax/cm-1;2969〜2870,129
3,1146,1011,907,791,741,6
73,602,480. 元素分析;実測値 C:43.03%,H:4.00%,N:2.03% 計算値 C:42.88%,H:4.05%,N:2.08% 融点;111℃
Tetrabismuth form (XIV) 1 H-NMR (200 MHz), δ ppm, 1.01
(18H, t, J = 7.0 Hz), 2.30 (18H, t, J = 7.0 Hz)
s), 3.22 (12H, q, J = 7.0 Hz), 7.
17 (3H, t, J = 7.3 Hz), 7.19 (12
H, d, J = 7.8 Hz), 7.58 (12, d, J =
7.8 Hz), 7.85 (3H, dd, J = 7.3H)
z, J = 1.4 Hz), 8.11 (3H, dd, J =
7.3 Hz, J = 1.3 Hz) IR; ν max / cm -1 ; 2969-2870,129
3,1146,1011,907,791,741,6
73,602,480. Elemental analysis; Found C: 43.03%, H: 4.00%, N: 2.03% Calculated C: 42.88%, H: 4.05%, N: 2.08% Melting point: 111 ° C

【0043】実施例4Embodiment 4

【0044】[0044]

【化9】 810mg(0.5mmol)のトリアリールビスマス
(XV)のTHF7ml溶液に−78℃で1当量のt−B
uLiを滴下した。無色透明の溶液が黄色溶液に変化し
た。−78℃で30分攪拌した後、640mg(0.5
mmol)のジアリールビスマスアイオダイド(XVI)
のTHF3mL溶液を滴下した。濃い黄色溶液が一旦橙色
になった後薄い黄色に変色した。75分後、飽和食塩水
10mLでクエンチして酢酸エチル10mLで2回抽出し
た。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、ろ過濃縮
すると740mgの白色固体が得られた。これをシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー(溶出ヘキサン:酢酸エ
チル=6:1)によって精製したところ原料のトリアリ
ールビスマス(XV)が29%及びジビスマス体(XVII)
30%が得られた。
Embedded image A solution of 810 mg (0.5 mmol) of triarylbismuth (XV) in 7 ml of THF was added at −78 ° C. with 1 equivalent of t-B.
uLi was added dropwise. The clear, colorless solution turned into a yellow solution. After stirring at -78 ° C for 30 minutes, 640 mg (0.5
mmol) of diarylbismuth iodide (XVI)
Was added dropwise in a THF (3 mL) solution. The dark yellow solution once turned orange and then turned pale yellow. 75 minutes later, saturated saline
Quenched with 10 mL and extracted twice with 10 mL of ethyl acetate. The organic layer was dried over anhydrous magnesium sulfate and concentrated by filtration to obtain 740 mg of a white solid. This was purified by silica gel column chromatography (elution hexane: ethyl acetate = 6: 1) to find that the raw material triarylbismuth (XV) was 29% and the dibismuth compound (XVII)
30% was obtained.

【0045】分析データ ジビスマス体(XVII)1 H−NMR(200MHz);δ ppm;0.01
(60H,s),0.87(90H),3.45(20
H,brt),3.71(20H,brt),7.11
(1H,t,J=7.7Hz),7.33(4H,t,
J=7.2Hz),7.47(4H,t,J=7.2H
z),7.66(4H,d,J=7.3Hz),8.0
1(4H,d,J=8.1Hz)
Analytical data Dibismuth compound (XVII) 1 H-NMR (200 MHz); δ ppm; 0.01
(60H, s), 0.87 (90H), 3.45 (20
H, brt), 3.71 (20H, brt), 7.11.
(1H, t, J = 7.7 Hz), 7.33 (4H, t,
J = 7.2 Hz), 7.47 (4H, t, J = 7.2H)
z), 7.66 (4H, d, J = 7.3 Hz), 8.0
1 (4H, d, J = 8.1 Hz)

【0046】実施例5Embodiment 5

【0047】[0047]

【化10】 実施例4で得られたジビスマス体(XVII)377mg
(0.136mmolの8mLのTHF溶液に−30℃
で、1.0MTBAF(テトラブチルアンモニウムフル
オライド)/THF溶液1.5mL溶液をゆっくり滴下
した。淡黄色溶液が無色溶液に変化した。20分後室温
に昇温し、2時間撹拌した。飽和塩化アンモニウム溶液
を加えTHFを留去した。クロロホルムで4回抽出し、
濃縮後2gの油状物が得られた。これを、シリカゲルク
ロマトグラフィーによって精製したところ、油状物とし
て化合物(XVIII)が100g得られた。(収率45
%) 分析データ1 H−NMR(200MHz);δ ppm;2.69
(20H,broad),3.66(20H,broa
d),5.11(10H,broad),7.03(1
H,t),7.24(4H,t),7.42(4H,
t,J=7.4Hz),7.58(4H,d,J=7.
4Hz),7.67(2H,d,J=7.3Hz),
7.88(4H,d,J=7.4Hz)
Embedded image 377 mg of the dibismuth compound (XVII) obtained in Example 4
(−36 ° C. in an 8 mL THF solution of 0.136 mmol)
Then, a 1.5 mL solution of 1.0 MTBAF (tetrabutylammonium fluoride) / THF solution was slowly added dropwise. The pale yellow solution turned into a colorless solution. After 20 minutes, the temperature was raised to room temperature, and the mixture was stirred for 2 hours. A saturated ammonium chloride solution was added, and THF was distilled off. Extract four times with chloroform,
After concentration, 2 g of an oil was obtained. This was purified by silica gel chromatography to obtain 100 g of compound (XVIII) as an oil. (Yield 45
%) Analysis data 1 H-NMR (200 MHz); δ ppm; 2.69
(20H, broad), 3.66 (20H, broad)
d), 5.11 (10H, broad), 7.03 (1
H, t), 7.24 (4H, t), 7.42 (4H,
t, J = 7.4 Hz), 7.58 (4H, d, J = 7.
4 Hz), 7.67 (2H, d, J = 7.3 Hz),
7.88 (4H, d, J = 7.4 Hz)

【0048】[0048]

【発明の効果】本発明化合物は、ナノスケールの触媒あ
るいは反応容器、MRI造影剤、化学センサー、情報所
有材料、接着あるいはコーティーング材料、分離媒体、
光エネルギー吸収材料等の機能性材料として用いること
ができる。又、さらに高分子量を有する有機ビスマス分
子を合成するための合成中間体としても使用される。本
発明化合物は、特に放射線遮蔽材料として使用可能であ
り、またX線造影剤やX線で追跡可能なドラッグデリバ
リー剤としても使用出来る。
The compound of the present invention can be used as a nanoscale catalyst or reaction vessel, MRI contrast agent, chemical sensor, information possessing material, adhesive or coating material, separation medium,
It can be used as a functional material such as a light energy absorbing material. It is also used as a synthetic intermediate for synthesizing an organic bismuth molecule having a higher molecular weight. The compound of the present invention can be used particularly as a radiation shielding material, and can also be used as an X-ray contrast agent or an X-ray traceable drug delivery agent.

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 式(I) 【化1】 〔式中Xは、SO2NR12(R1及びR2は、独立してC
1-6アルキル基を示し、保護されていても良い1又は2
個の水酸基で置換されていても良い)を示す。Yは水素
原子、C1-6アルキル基又はSO2NR12(R1及びR2
は、独立してC 1-6アルキル基を示し、保護されていても
良い1又は2個の水酸基で置換されていても良い)を示
す。Z1、Z2及びZ3は、水素原子又は式(II) 【化2】 [式中X’は、水素原子又はSO2NR1’R2’(R1
及びR2’はC1-6アルキル基を示し、保護されていても
良い1又は2個の水酸基で置換されていても良い)を示
す。Y’は水素原子、C1-6アルキル基又はSO2NR1
2’(R1’、R 2’はC1-6アルキル基を示し、保護さ
れていても良い1又は2個の水酸基で置換されていても
良い)を示す]を示すが、少なくとも1つは式(II)を
示す〕で表される有機ビスマス誘導体。
1. A compound of the formula (I)[Where X is SOTwoNR1RTwo(R1And RTwoIs independently C
1-6Represents an alkyl group and may be protected 1 or 2
May be substituted with a single hydroxyl group). Y is hydrogen
Atom, C1-6Alkyl group or SOTwoNR1RTwo(R1And RTwo
Is independently C 1-6Represents an alkyl group, even if protected
(May be substituted with one or two good hydroxyl groups)
You. Z1, ZTwoAnd ZThreeIs a hydrogen atom or a compound of formula (II)[Wherein X ′ is a hydrogen atom or SOTwoNR1'RTwo’(R1
And RTwo’Is C1-6Represents an alkyl group, even if protected
(May be substituted with one or two good hydroxyl groups)
You. Y 'is a hydrogen atom, C1-6Alkyl group or SOTwoNR1
RTwo’(R1’, R Two’Is C1-6Represents an alkyl group and is protected
May be substituted with one or two hydroxyl groups
Good)), at least one of which has the formula (II)
Organic bismuth derivative represented by the following formula:
【請求項2】 Y’が、水素原子又はC1-6アルキル基で
ある請求項1記載の有機ビスマス誘導体。
2. The organic bismuth derivative according to claim 1, wherein Y ′ is a hydrogen atom or a C 1-6 alkyl group.
【請求項3】 Yが、水素原子又はC1-6アルキル基であ
る請求項1記載の有機ビスマス誘導体。
3. The organic bismuth derivative according to claim 1, wherein Y is a hydrogen atom or a C 1-6 alkyl group.
【請求項4】 Yが、水素原子又はC1-6アルキル基であ
る請求項2記載の有機ビスマス誘導体。
4. The organic bismuth derivative according to claim 2, wherein Y is a hydrogen atom or a C 1-6 alkyl group.
【請求項5】 X’が、水素原子である請求項2記載の
有機ビスマス誘導体。
5. The organic bismuth derivative according to claim 2, wherein X ′ is a hydrogen atom.
【請求項6】 X’が、水素原子である請求項4記載の
有機ビスマス誘導体。
6. The organic bismuth derivative according to claim 4, wherein X ′ is a hydrogen atom.
【請求項7】 R1及びR2が、独立してC1-6アルキル基
である請求項1記載の有機ビスマス誘導体。
7. The organic bismuth derivative according to claim 1, wherein R 1 and R 2 are independently a C 1-6 alkyl group.
【請求項8】 R1及びR2が、独立してC1-6アルキル基
である請求項2記載の有機ビスマス誘導体。
8. The organic bismuth derivative according to claim 2, wherein R 1 and R 2 are independently a C 1-6 alkyl group.
【請求項9】 R1及びR2が、独立してC1-6アルキル基
である請求項3記載の有機ビスマス誘導体。
9. The organic bismuth derivative according to claim 3, wherein R 1 and R 2 are independently a C 1-6 alkyl group.
【請求項10】 R1及びR2が、独立してC1-6アルキル
基である請求項4記載の有機ビスマス誘導体。
10. The organic bismuth derivative according to claim 4, wherein R 1 and R 2 are independently a C 1-6 alkyl group.
【請求項11】 R1及びR2が、独立してC1-6アルキル
基である請求項5記載の有機ビスマス誘導体。
11. The organic bismuth derivative according to claim 5, wherein R 1 and R 2 are independently a C 1-6 alkyl group.
【請求項12】 R1及びR2が、独立してC1-6アルキル
基である請求項6記載の有機ビスマス誘導体。
12. The organic bismuth derivative according to claim 6, wherein R 1 and R 2 are independently a C 1-6 alkyl group.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20030009201A (en) * 2001-07-19 2003-01-29 소니 인터내셔널(유로파) 게엠베하 Chemical sensors comprising nanoparticle/dendrimer composite materials

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