JPH0982230A - Ion source - Google Patents
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- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、固体試料加熱用
のオーブンを有し、イオン種としてオーブンからの蒸気
を使用することができるようにしたイオン源に関し、よ
り具体的には、オーブンの試料室中心部分に充填された
試料の昇温速度の向上を図り、金属蒸気など使用時のイ
オン源の高速立上げを可能にする手段に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ion source having an oven for heating a solid sample so that vapor from the oven can be used as an ion species, and more specifically, an oven sample. The present invention relates to a means for improving the rate of temperature rise of a sample filled in the central part of a chamber and enabling high-speed startup of an ion source when using metal vapor or the like.
【0002】[0002]
【従来の技術】昨今、イオン照射による表面改質、半導
体への不純物注入など、高速イオンを用いた物質制御が
盛んになってきた。これらのイオンは、ガス又は固体試
料を電離することによって得られる。特に、プラズマを
生成し、イオンを引き出すタイプのイオン源では、気体
を電子によって電離するため、常温で固体である金属な
どの固体試料は、気化した状態、すなわち金属蒸気など
をプラズマ生成質に導入する必用がある。2. Description of the Related Art In recent years, material control using fast ions such as surface modification by ion irradiation and impurity injection into semiconductors has become popular. These ions are obtained by ionizing a gas or solid sample. In particular, in an ion source of a type that generates plasma and draws out ions, a gas is ionized by electrons, so a solid sample such as a metal that is solid at room temperature is in a vaporized state, that is, metal vapor is introduced into the plasma product. There is a necessity to do it.
【0003】このような金属蒸気などの発生には、通
常、中空の試料室を持ち、その周りに固体試料を加熱し
気化するための熱源であるヒータを設けたオーブンが用
いられている。An oven having a hollow sample chamber and a heater as a heat source for heating and vaporizing a solid sample is usually used to generate such metal vapor.
【0004】この種のイオン源の従来例を図2に示す。
このイオン源は、フリーマン型イオン源と呼ばれるもの
であり、導入されたイオン種を用いてプラズマ(図示省
略)を発生させるプラズマ生成部1と、試料室21に充
填された固体試料22を、例えばシースヒータなどのヒ
ータ23により加熱して蒸気24を発生させるオーブン
2とを備えている。前記プラズマ生成部1は、イオン源
フランジ3から支持されており、オーブン2は、前記イ
オン源フランジ3に取付けられたオーブンフランジ25
から支持されている。26は、前記ヒータ23用の電流
導入端子である。A conventional example of this type of ion source is shown in FIG.
This ion source is called a Freeman type ion source, and includes a plasma generation unit 1 that generates plasma (not shown) using the introduced ion species and a solid sample 22 filled in a sample chamber 21, for example. An oven 2 is provided which is heated by a heater 23 such as a sheath heater to generate steam 24. The plasma generation unit 1 is supported by an ion source flange 3, and the oven 2 is an oven flange 25 attached to the ion source flange 3.
Is supported by. 26 is a current introducing terminal for the heater 23.
【0005】プラズマ生成部1は、その前面部にスリッ
ト11が設けられたプラズマ生成容器12を有してお
り、その内部に前記スリット11に沿ってカソードとし
ての棒状のフィラメント13が配設されている。また、
プラズマ生成容器12の側壁部にはガス導入口14が、
底部には蒸気導入口15を有する蒸気導入部16が、そ
れぞれ設けられている。The plasma generating part 1 has a plasma generating container 12 having a slit 11 on the front surface thereof, and a rod-shaped filament 13 as a cathode is disposed inside the plasma generating container 12 along the slit 11. There is. Also,
A gas inlet 14 is provided on the side wall of the plasma generating container 12,
Steam inlets 16 each having a steam inlet 15 are provided at the bottom.
【0006】ガス導入口14には、図示しないガス源か
ら開閉弁41を経由して、ガスイオン種としてのガス
4、例えばヒ素が供給される。A gas 4, which is a gas ion species, such as arsenic, is supplied to the gas inlet 14 from a gas source (not shown) via an opening / closing valve 41.
【0007】オーブン2は、試料室21内に収納した粒
状あるいはペレット状の固体試料22、例えばリン、金
属などを試料室21の外部に設けたヒータ23で加熱し
て固体イオン種としての蒸気24を発生するものであ
り、試料室21の前方部に蒸気導入ノズル27を有して
いる。この蒸気導入ノズル27は、その先端部分がプラ
ズマ生成部1の蒸気導入部16内に挿入されており、し
たがって蒸気24は、この蒸気導入ノズル27および蒸
気導入部16を経由してプラズマ生成容器12内に導入
される。前記試料室21の底部には、熱電対またはその
他の測温装置28が設置され、これからの信号によって
ヒータ22へ供給する電流を制御し、試料室21の温度
を一定に保っている。29は、前記蒸気導入ノズル27
を押えるノズル押えである。The oven 2 heats a granular or pellet-shaped solid sample 22 contained in the sample chamber 21, for example, phosphorus or metal, by a heater 23 provided outside the sample chamber 21, and vapor 24 as a solid ion species. And a vapor introducing nozzle 27 is provided in the front part of the sample chamber 21. The tip portion of the vapor introducing nozzle 27 is inserted into the vapor introducing portion 16 of the plasma generating portion 1. Therefore, the vapor 24 passes through the vapor introducing nozzle 27 and the vapor introducing portion 16 and the plasma generating container 12 Will be introduced in. A thermocouple or other temperature measuring device 28 is installed at the bottom of the sample chamber 21, and the current supplied to the heater 22 is controlled by a signal from the thermocouple 28 to keep the temperature of the sample chamber 21 constant. 29 is the vapor introducing nozzle 27
It is a nozzle retainer that can press.
【0008】なお、プラズマ生成容器12のスリット1
1の前方には、通常、複数枚の電極で構成された引出し
電極系が設けられるが、ここではその図示を省略してい
る。The slit 1 of the plasma generating container 12
An extraction electrode system composed of a plurality of electrodes is usually provided in front of 1, but the illustration thereof is omitted here.
【0009】次に、動作例について説明すると、まず、
イオン種として固体試料22を用いる場合は、試料室2
1の外部に設けたヒータ23に図示しない電源から電流
導入端子26を介して電力を供給し、ヒータ23を加熱
して試料室21に充填されている固体試料22を気化す
る。Next, an operation example will be described. First,
When the solid sample 22 is used as the ion species, the sample chamber 2
Electric power is supplied from a power source (not shown) to the heater 23 provided outside 1 to heat the heater 23 to vaporize the solid sample 22 filled in the sample chamber 21.
【0010】また、図示しない電源につながれた電流導
入端子17を介してフィラメント13に電力を供給し、
フィラメント13を加熱するとともに、このフィラメン
ト13とプラズマ生成容器12との間に図示しない電源
からアーク電圧を印加し、かつプラズマ生成容器12内
にイオン種として、前記オーブン2からの蒸気24を導
入してフィラメント13とプラズマ生成容器12との間
でアーク放電を起させると、プラズマ生成容器12内に
プラズマが生成される。Further, power is supplied to the filament 13 through a current introducing terminal 17 connected to a power source (not shown),
While heating the filament 13, an arc voltage is applied between the filament 13 and the plasma generation container 12 from a power source (not shown), and the vapor 24 from the oven 2 is introduced into the plasma generation container 12 as an ion species. When an arc discharge is generated between the filament 13 and the plasma generation container 12, plasma is generated in the plasma generation container 12.
【0011】そして、このプラズマからスリット11を
通して、図示しない引出し電極系に印加された電界の作
用でイオンビーム5を引出すことができる。The ion beam 5 can be extracted from this plasma through the slit 11 by the action of the electric field applied to the extraction electrode system (not shown).
【0012】次に、イオン種をガス42に切換える場合
は、オーブン2のヒータ23への通電を切り、その代り
に開閉弁41を開いてガス源からガス導入口14を介し
てプラズマ生成容器12内にガス4を導入し、上述の固
体試料22を用いた場合と同様、フィラメント13を加
熱するとともに、フィラメント13とプラズマ生成容器
12との間でアーク放電を起させると、プラズマ生成容
器12内にプラズマが生成される。Next, when the ion species is switched to the gas 42, the heater 23 of the oven 2 is de-energized, and the on-off valve 41 is opened instead, and the plasma generation chamber 12 is opened from the gas source through the gas inlet 14. When the gas 4 is introduced into the plasma generation container 12 and the filament 13 is heated and an arc discharge is generated between the filament 13 and the plasma generation container 12 as in the case of using the solid sample 22 described above, Plasma is generated in the.
【0013】このようなイオン源は、固体イオン種とガ
スイオン種との切替えを短時間で行うことができるとい
う長所を有している。Such an ion source has an advantage that it is possible to switch between a solid ion species and a gas ion species in a short time.
【0014】[0014]
【発明が解決しょうとする課題】ところが、上述のよう
な構成のイオン源においては、所望の物質である固体試
料22を気化するために、試料室21の外部に設けたヒ
ータ23によって固体試料22を加熱するわけである
が、このとき試料室21内部の固体試料22は、ある温
度分布を持って加熱される。すなわち、熱源であるヒー
タ23に近い試料室21の内壁に近接する部分にある固
体試料22は、昇温速度は速いが、ヒータ23より遠い
部分、例えば試料室23の形状が円筒形の場合であれ
ば、その中心部分にある固体試料22は、昇温速度が遅
い。However, in the ion source having the above-mentioned structure, the solid sample 22 is heated by the heater 23 provided outside the sample chamber 21 in order to vaporize the solid sample 22 which is a desired substance. At this time, the solid sample 22 inside the sample chamber 21 is heated with a certain temperature distribution. That is, the solid sample 22 in the portion close to the inner wall of the sample chamber 21 close to the heater 23, which is a heat source, has a high temperature rising rate, but the solid sample 22 is far from the heater 23, for example, when the shape of the sample chamber 23 is cylindrical. If so, the solid sample 22 in the central portion has a slow temperature rising rate.
【0015】これは、固体試料22が通常、小さい粒状
あるいはペレット状であり、固体試料22同士の接触面
積が小さく、熱伝達が極めて悪いことに起因していると
考えられる。It is considered that this is because the solid sample 22 is usually in the form of small particles or pellets, the contact area between the solid samples 22 is small, and the heat transfer is extremely poor.
【0016】このように、試料室21に充填された固体
試料22の昇温速度に不均一が生じると、イオン源から
所定のイオンビーム量を引き出す場合、プラズマ生成部
1への蒸気流量が不足し、イオン源の立ち上げ時間が長
くなるなどといった不都合があった。As described above, when the temperature rising rate of the solid sample 22 filled in the sample chamber 21 becomes nonuniform, the vapor flow rate to the plasma generating section 1 is insufficient when a predetermined ion beam amount is extracted from the ion source. However, there are inconveniences such as a long startup time of the ion source.
【0017】この傾向は、近年特に長時間使用すること
が望まれており、このために試料室を大きくした場合、
特に顕著に現れ、その改善が強く望まれているところで
ある。This tendency has been desired in recent years to be used particularly for a long time. For this reason, when the sample chamber is enlarged,
Particularly noticeable, and its improvement is strongly desired.
【0018】そこでこの発明は、試料室内の熱が伝達し
にくい部分にある固体試料にも、速やかに熱を伝達し、
これを加熱して速やかに気化し、短時間で所定の蒸発流
量を確保し、高速立ち上げを図ることができるイオン源
を提供することを主たる目的とする。Therefore, according to the present invention, the heat is rapidly transferred to the solid sample in the portion where the heat is difficult to transfer in the sample chamber,
The main purpose of the present invention is to provide an ion source that can be heated and vaporized quickly, can secure a predetermined evaporation flow rate in a short time, and can be quickly started up.
【0019】[0019]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明のイオン源は、固体試料を気化するオーブ
ンの試料室内部に、前記固体試料に接するように熱伝導
用ロッドを立設したことを特徴とする。In order to achieve the above object, in the ion source of the present invention, a heat conduction rod is erected in a sample chamber of an oven for vaporizing a solid sample so as to be in contact with the solid sample. It is characterized by
【0020】上記構成によれば、試料室内の熱が伝達し
にくい部分にある固体試料への熱伝達が、従来の外側か
らの接触面積の少ない試料同士からの熱伝達にとどまら
ず、試料室を経由して熱伝導率のよい熱伝導用ロッドか
らも熱が伝達されるため、固体試料を外側と内側の両方
から速やかに加熱することができ、従って短時間で必用
な蒸気流量に達し、金属蒸気などのような蒸気を使用す
る際のイオン源の高速立ち上げが可能になる。According to the above structure, the heat transfer to the solid sample in the portion where the heat is difficult to transfer in the sample chamber is not limited to the conventional heat transfer between the samples having a small contact area from the outside, and the heat transfer to the sample chamber Since heat is also transferred from the heat transfer rod with good thermal conductivity via the solid sample, the solid sample can be rapidly heated from both the outside and the inside, so that the required vapor flow rate can be reached in a short time, and It enables high-speed start-up of the ion source when using steam such as steam.
【0021】[0021]
【発明の実施の形態】図1は、この発明の一実施例に係
るイオン源のオーブン部分を示す要部断面図である。な
お、図2の従来例と同じ符号を付した部分は、同一また
は対応する部分を示す。以下においては当該従来例との
相違点を主に説明する。1 is a sectional view of an essential part showing an oven portion of an ion source according to an embodiment of the present invention. In addition, the same reference numerals as those in the conventional example of FIG. 2 indicate the same or corresponding parts. In the following, differences from the conventional example will be mainly described.
【0022】この実施例においては、前述したオーブン
2の円筒状の試料室21に充填された固体試料22の熱
が特に伝達しにくい部分に、すなわち中心部分に、試料
室21の底部から丸棒状の熱伝導用ロッド6を、試料室
21の軸方向に沿うように延設している。このようにし
て、熱伝導用ロッド6を試料室21の底部にそれと一体
的に立設している。従って、熱伝導用ロッド6は試料室
21と同一材料で形成している。In this embodiment, the solid sample 22 filled in the cylindrical sample chamber 21 of the oven 2 described above has a round bar shape from the bottom of the sample chamber 21 to a portion where heat is not particularly transmitted to the solid sample 22, that is, the central portion. The heat conducting rod 6 is extended along the axial direction of the sample chamber 21. In this way, the heat conduction rod 6 is erected integrally with the bottom of the sample chamber 21. Therefore, the heat conduction rod 6 is made of the same material as the sample chamber 21.
【0023】この熱伝導用ロッド6の材質は、特に限定
されるものでないが、要は、高温時に使用する固体試料
22と化学反応を起さないもので、熱伝導率の優れたも
のがよく、例えば、ステンレスや銀などを用いることが
できる。The material of the heat conducting rod 6 is not particularly limited, but the point is that it does not cause a chemical reaction with the solid sample 22 used at high temperature, and it is preferable that it has excellent heat conductivity. For example, stainless steel or silver can be used.
【0024】上述の実施例では、熱伝導用ロッド6を試
料室21と同一材料で一体的に立設するように形成して
あるが、これに代えて、試料室21と同一又は異なる材
料で、試料室21の底部にネジ孔を形成し、これに一端
部にネジ山を形成した熱伝導用ロッド6を螺合するよう
にしてもよく、また、溶接などの手段を用いて試料室2
1の底部に、熱伝導用ロッド6を立設してもよいのは勿
論である。In the above-mentioned embodiment, the heat conducting rod 6 is made of the same material as the sample chamber 21 so as to stand upright, but instead of this, it is made of the same or different material as the sample chamber 21. A screw hole may be formed at the bottom of the sample chamber 21, and the heat conduction rod 6 having a thread at one end may be screwed into the screw hole. Alternatively, the sample chamber 2 may be welded.
Needless to say, the heat conducting rod 6 may be provided upright on the bottom portion of 1.
【0025】また、前記熱伝導用ロッド6を立設する位
置は、試料室21の中心部が通常は好ましいけれどもそ
れに限られることなく、試料室21に充填された固体試
料22の熱が伝達しにくい部分で、固体試料22に接す
るようにすればよい。したがって、スペース的に余裕が
あれば、複数本立設してもよく、このようにすれば、さ
らに固体試料22を効率的に加熱することができ、都合
がよい。The position at which the heat conducting rod 6 is erected is preferably the center of the sample chamber 21, but the position is not limited to this. The heat of the solid sample 22 filled in the sample chamber 21 is transferred. The hard sample may be in contact with the solid sample 22. Therefore, if there is a space in the space, a plurality of pieces may be installed upright, which is convenient because the solid sample 22 can be further efficiently heated.
【0026】前記熱伝導用ロッド6の形状は、特に限定
されるものではなく、固体試料22の形状や大きさ、さ
らには熱伝達などを考慮して決定すればよく、棒状、三
角柱状、多角柱状、板状や放射状に広がった鍔部を形成
したものなどとすることができる。The shape of the heat conducting rod 6 is not particularly limited, and may be determined in consideration of the shape and size of the solid sample 22, heat transfer, etc., and may be rod-shaped, triangular prism-shaped or polygonal. It may be formed into a columnar shape, a plate shape, or a shape in which a brim portion that spreads radially is formed.
【0027】動作例を説明すると、オーブン2を使用す
るときは、ヒータ22に通電する。それによって、試料
室21の壁面および熱伝導用ロッド6を介して試料室2
1内の固体試料22をその外側と内側の両方から加熱す
ることができる。したがって、オーブン2の試料室21
の固体試料22は、速やかに気化し、発生された蒸気2
4は、蒸気導入ノズル27および蒸気導入部16の蒸気
導入口15を通じてプラズマ生成部1内に導入される。
勿論、このときガスラインの開閉弁41は閉じておく。To explain an operation example, when the oven 2 is used, the heater 22 is energized. As a result, the sample chamber 2 passes through the wall surface of the sample chamber 21 and the heat conduction rod 6.
The solid sample 22 in 1 can be heated from both outside and inside. Therefore, the sample chamber 21 of the oven 2
The solid sample 22 of is rapidly vaporized, and the generated vapor 2
4 is introduced into the plasma generation unit 1 through the vapor introduction nozzle 27 and the vapor introduction port 15 of the vapor introduction unit 16.
Of course, at this time, the on-off valve 41 of the gas line is closed.
【0028】なお、上述した実施例では、試料室21と
して円筒形状の場合について説明したが、これに限られ
ることはなく、角形や多角形でもよいのは勿論である。In the above-mentioned embodiment, the case where the sample chamber 21 has a cylindrical shape has been described, but the present invention is not limited to this, and it is needless to say that it may be a polygonal shape or a polygonal shape.
【0029】また、上述した実施例では、いずれもヒー
タ23として、シースヒータを用いたが、この発明は、
これに限られることはなく、例えばニクロム線や、他の
金属線をヒータ23として用いたオーブンにも適用でき
るのは勿論である。In each of the above-mentioned embodiments, the sheath heater is used as the heater 23.
Of course, the present invention is not limited to this, and can be applied to, for example, an oven using a nichrome wire or another metal wire as the heater 23.
【0030】[0030]
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、試料室
内の熱が伝達しにくい部分にある固体試料への熱伝達
が、従来の接触面積の少ない試料同士からの熱伝達にと
どまらず、試料室を経由して熱伝導率のよい熱伝導用ロ
ッドからも熱が伝達されるため、固体試料を外側と内側
の両方から加熱することができ、従って短時間で必用な
蒸気流量に達する。その結果、金属蒸気などのような蒸
気を使用する際のイオン源の高速立ち上げが可能にな
る。As described above, according to the present invention, the heat transfer to the solid sample in the portion where the heat is difficult to transfer in the sample chamber is not limited to the conventional heat transfer between the samples having a small contact area, Since heat is also transferred from the heat-conducting rod having a high thermal conductivity through the sample chamber, the solid sample can be heated from both the outside and the inside, so that the required vapor flow rate is reached in a short time. As a result, it is possible to quickly start up the ion source when using vapor such as metal vapor.
【図1】この発明の一実施例に係るイオン源のオーブン
部分を示す要部断面図である。FIG. 1 is a sectional view of an essential part showing an oven portion of an ion source according to an embodiment of the present invention.
【図2】従来のイオン源の一例を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing an example of a conventional ion source.
1 プラズマ生成部 2 オーブン 21 試料室 22 固体試料 23 ヒータ 24 蒸気 6 熱伝導用ロッド DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Plasma generation part 2 Oven 21 Sample chamber 22 Solid sample 23 Heater 24 Vapor 6 Heat conduction rod
Claims (1)
発生させるものであって蒸気導入口を有するプラズマ生
成部と、試料室内部に充填された固体試料をヒータによ
り加熱して蒸気を発生させるオーブンとを備え、前記プ
ラズマ生成部内にイオン種としてオーブンからの蒸気を
導入するようにしたイオン源において、前記試料室内部
に、前記固体試料に接するように熱伝導用ロッドを立設
していることを特徴とするイオン源。1. A plasma generation part for generating plasma using the introduced ion species and a plasma generation part having a vapor introduction port, and a solid sample filled in the sample chamber is heated by a heater to generate vapor. In an ion source including an oven and introducing steam from the oven as an ion species into the plasma generation unit, a heat conduction rod is erected in the sample chamber so as to be in contact with the solid sample. An ion source characterized by that.
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP7256855A JPH0982230A (en) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | Ion source |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7256855A JPH0982230A (en) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | Ion source |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0982230A true JPH0982230A (en) | 1997-03-28 |
Family
ID=17298358
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7256855A Pending JPH0982230A (en) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | Ion source |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0982230A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6593580B2 (en) | 2001-04-24 | 2003-07-15 | Nissin Electric Co., Ltd. | Ion source vaporizer |
-
1995
- 1995-09-07 JP JP7256855A patent/JPH0982230A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6593580B2 (en) | 2001-04-24 | 2003-07-15 | Nissin Electric Co., Ltd. | Ion source vaporizer |
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