JPH0963497A - Color cathode-ray tube - Google Patents

Color cathode-ray tube

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Publication number
JPH0963497A
JPH0963497A JP21509795A JP21509795A JPH0963497A JP H0963497 A JPH0963497 A JP H0963497A JP 21509795 A JP21509795 A JP 21509795A JP 21509795 A JP21509795 A JP 21509795A JP H0963497 A JPH0963497 A JP H0963497A
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JP
Japan
Prior art keywords
phosphor
phosphor screen
panel
long side
electron beam
Prior art date
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Pending
Application number
JP21509795A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Katsutoshi Sugiyama
勝利 杉山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPH0963497A publication Critical patent/JPH0963497A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cathode-ray tube which eliminates generation of color shear by setting an arrangement pitch of three-colored phosphor unit bodies in a long side of a panel and the rate of an interval from the center of a blue phosphor element to the center of a red phosphor element to specific values. SOLUTION: Electron beams emitted from an electron gun 11 move by local doming on a shadow mask 6 or moving of a panel 5 inside to a fluorescent screen 1 side by thermal expansion. The respective red, green, and blue electron beams 50 passing through an aperture 13 of the shadow mask 6 move while holding the relation of the BM alignment rate and the beam alignment rate. The moving distance of the electron beam caused by the local doming is the longest in the region from the center PO of the fluorescent screen 1, where the thermal deformation of the shadow mask 6 by the local doming is the largest, to 3/4P of the effective diameter (P). The intervals of phosphor elements 2 from red to blue becomes 2/3 of the arrangement pitch of the phosphor elements 2 or less by setting it to 95% BM alignment rate 97% in this region.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、ストライプ状の
3色蛍光体素子の間に光吸収層を配してなる蛍光面と、
赤、緑、青、それぞれの電子銃と、シャドウマスクとを
備えたカラーブラウン管の蛍光面構造に関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a phosphor screen in which a light absorption layer is arranged between stripe-shaped three-color phosphor elements,
The present invention relates to a fluorescent screen structure of a color CRT equipped with a red, green, and blue electron gun and a shadow mask.

【0002】[0002]

【従来の技術】図8は従来のカラーブラウン管の一部破
断側面図であり、同図において、5は長方形をなすパネ
ル、9はファンネルで、パネル5のスカート部5aに溶
接ガラス8を介して接合し一体化されている。パネル5
とファンネル9の内部は真空に保持され、カラーブラウ
ン管14を構成する。1はパネル5の内面に形成された
蛍光面で、この蛍光面1は図2に示すように、赤R、緑
G、青Bの3色の蛍光体素子2がパネル5の短辺方向に
ストライプ状に形成配列されているとともに、各蛍光体
素子2の間にグラファイトからなる光吸収層3が形成さ
れる。6はシャドウマスクで、ファンネル9のネック部
9aに設けられた電子銃11より発射された電子ビーム
50が通過する、長方形パネル5の短辺方向に長軸を特
つスロット形状の開孔13を有しており、蛍光面1とは
所定の間隔を隔てて配置され、シャドウマスク6の周縁
スカート部6aがフレーム12に溶接にて支持され、か
つ、フレーム12はパネル5のスカート部5aの内面に
設けられたピン7を介してパネル5に支持されている。
15は偏向ヨークで、電子銃11から発射された電子ビ
ーム50を偏向してシャドウマスク6の全面を走査させ
る。10は内部磁気シールドで、カラーブラウン管14
の動作中に、例えば地磁気などの外部磁界により電子銃
11から発射された電子ビーム50が偏向されるのを阻
止する。
2. Description of the Related Art FIG. 8 is a partially cutaway side view of a conventional color cathode ray tube. In FIG. 8, 5 is a rectangular panel, 9 is a funnel, and a skirt portion 5a of the panel 5 has a welded glass 8 interposed therebetween. Joined and integrated. Panel 5
The inside of the funnel 9 is maintained in a vacuum to form a color cathode ray tube 14. Reference numeral 1 denotes a phosphor screen formed on the inner surface of the panel 5. As shown in FIG. 2, the phosphor screen 1 has phosphor elements 2 of three colors of red R, green G, and blue B in the short side direction of the panel 5. The light absorption layers 3 made of graphite are formed between the phosphor elements 2 while being formed and arranged in a stripe shape. Reference numeral 6 denotes a shadow mask, which has a slot-shaped opening 13 having a long axis in the short side direction of the rectangular panel 5 through which an electron beam 50 emitted from an electron gun 11 provided in a neck portion 9a of the funnel 9 passes. The shadow mask 6 is disposed at a predetermined distance from the fluorescent screen 1, the peripheral skirt portion 6a of the shadow mask 6 is supported by the frame 12 by welding, and the frame 12 is the inner surface of the skirt portion 5a of the panel 5. It is supported by the panel 5 via a pin 7 provided on the panel.
A deflection yoke 15 deflects the electron beam 50 emitted from the electron gun 11 to scan the entire surface of the shadow mask 6. 10 is an internal magnetic shield, and a color cathode ray tube 14
During the operation of, the electron beam 50 emitted from the electron gun 11 is prevented from being deflected by an external magnetic field such as geomagnetism.

【0003】次に、上記構成の動作について説明する。
電子銃11から発射された赤R、緑G、青Bの電子ビー
ム50は、偏向ヨーク15により偏向され、シャドウマ
スク6の全面を走査しながら、開孔13を通過してパネ
ル5の内面の蛍光面1に射突し、ストライプ状に配列さ
れた蛍光体素子2をそれぞれ励起し発光させる。このと
き、各電子ビーム50は蛍光面1上において図3で示す
ような間隔に並んでいる。上記の電子ビーム間隔が長辺
方向の配列ピッチWp2に対してどれだけの割合を占め
ているかは下記式により表される。下記式により求
められた値を一般にビーム並び率と呼んでいる。図3に
おいて、電子ビーム50の青Bから赤Rまでの間隔をW
BR2、長辺方向の配列ピッチをWp2としたとき、 ビーム並び率=WBR2/WP2×150(%)・・・ となる。また、シャドウマスク6の開孔13を通過する
赤R、緑G、青Bの電子ビーム50が蛍光面1上に射突
する位置での赤R、緑G、青Bの蛍光体素子2それぞれ
において、図2に示すように、パネル5の内面上に所定
の間隔で並んでいる蛍光体素子2の間隔が蛍光面の長辺
方向のトリオピッチWplに対してどれだけの割合を占
めているかは下記式により表される。下記の式で求
められた値を一般にBM並び率と呼んでいる。
Next, the operation of the above configuration will be described.
The red R, green G, and blue B electron beams 50 emitted from the electron gun 11 are deflected by the deflection yoke 15, scan the entire surface of the shadow mask 6, pass through the apertures 13, and pass through the inner surface of the panel 5. The phosphor elements 2 which are projected on the phosphor screen 1 and are arranged in stripes are excited to emit light. At this time, the electron beams 50 are arranged on the phosphor screen 1 at intervals as shown in FIG. The ratio of the electron beam interval to the arrangement pitch Wp2 in the long side direction is represented by the following formula. The value obtained by the following formula is generally called the beam alignment rate. In FIG. 3, the interval from blue B to red R of the electron beam 50 is W
When BR2 and the arrangement pitch in the long side direction are Wp2, beam alignment rate = WBR2 / WP2 × 150 (%). Further, the red R, green G, and blue B phosphor elements 2 at positions where the red R, green G, and blue B electron beams 50 passing through the apertures 13 of the shadow mask 6 impinge on the phosphor screen 1, respectively. In FIG. 2, as shown in FIG. 2, how much the interval between the phosphor elements 2 arranged at a predetermined interval on the inner surface of the panel 5 occupies the trio pitch Wpl in the long side direction of the phosphor screen. Is represented by the following formula. The value obtained by the following formula is generally called the BM arrangement rate.

【0004】図2において、蛍光体素子2の赤Rから青
Bまでの間隔をWBR1、長辺方向の蛍光体素子2の配
列ピッチをWP1としたとき、 BM並び率=WBR1/WP1×150(%)・・・ で表される。シャドウマスク6の電子ビーム50の透過
率は通常15〜30%であり、電子ビーム50の70〜
85%はシャドウマスク6に射突して熱に変換されるた
め、シャドウマスク6は全体的に加熱されて熱膨張を起
こし、変形を生じる。これを一般にドーミングと呼んて
いる。このドーミングはカラーブラウン管14の動作状
態が数分続くと一定状態に達する。一方、画面内の特に
明るい部分はその部分からの電子ビームエネルギーが高
いため、シャドウマスク6は局部的に加熱されて局部変
形を起こす。この局部的なドーミングを局部ドーミング
と呼んでいる。
In FIG. 2, when the spacing from red R to blue B of the phosphor elements 2 is WBR1 and the arrangement pitch of the phosphor elements 2 in the long side direction is WP1, BM arrangement ratio = WBR1 / WP1 × 150 ( %) ... The transmittance of the electron beam 50 of the shadow mask 6 is usually 15 to 30%, and the transmittance of the electron beam 50 is 70 to 70%.
Since 85% of the shadow mask 6 strikes the shadow mask 6 and is converted into heat, the shadow mask 6 is heated as a whole to cause thermal expansion and deformation. This is generally called doming. This doming reaches a constant state when the operating state of the color CRT 14 continues for several minutes. On the other hand, since the electron beam energy from a particularly bright portion in the screen is high, the shadow mask 6 is locally heated and locally deformed. This local doming is called local doming.

【0005】次に、局部ドーミングの発生原因につい
て、図10を参照にしながら説明する。同図において、
破線6bで示した個所は局部ドーミングの原因になるシ
ャドウマスク6の熱膨張にともなう熱変形が生じた部分
を示している。このような局部ドーミングの生じた部分
をその発生から順に幾何学的に説明する。電子銃11の
A点から発射された電子ビーム50は、偏向ヨーク15
の偏向中心B点より偏向されてシャドウマスク6の全面
を走査する。例えば、電子ビーム50aは偏向中心B点
からシャドウマスク6のC点を通り蛍光面1上のD点に
達し射突する。電子ビーム50の70〜85%はシャド
ウマスク6に射突して熱に変換されるために、数秒後に
はシャドウマスク6は破線6bのように熱変形を起こ
し、上記C点がE点に移動する。
Next, the cause of the occurrence of local doming will be described with reference to FIG. In the figure,
The portion indicated by the broken line 6b indicates the portion where thermal deformation occurs due to thermal expansion of the shadow mask 6 which causes local doming. The portion where such local doming occurs will be described geometrically in order from the occurrence thereof. The electron beam 50 emitted from the point A of the electron gun 11 receives the deflection yoke 15
The entire surface of the shadow mask 6 is scanned by being deflected from the deflection center B of the above. For example, the electron beam 50a passes through the deflection center B, the point C of the shadow mask 6 and the point D on the phosphor screen 1, and strikes. Since 70 to 85% of the electron beam 50 strikes the shadow mask 6 and is converted into heat, the shadow mask 6 undergoes thermal deformation as shown by a broken line 6b after a few seconds, and the point C moves to the point E. To do.

【0006】これによって、蛍光面1上の電子ビーム5
0bの射突点がD点から、B点とE点を結ぶ直線の延長
線上のF点に移動し、本来とは異なった点に射突(以下
ミスランディングと称す)し色ずれ現象を起こす。上記
のような局部ドーミングにより、電子ビーム50は蛍光
面1の長辺方向において、図7(a)の矢印の示すよう
に、蛍光面1の中心PO点に向かって移動する。また、
シャドウマスク6に局部ドーミングが起きると、パネル
5の内面の蛍光面1とシャドウマスク6との間隔が狭く
なることにより、図7(d)に示すように、電子銃11
から発射されシャドウマスク6の開孔13を通過した赤
R、緑G、青Bそれぞれの電子ビーム50の蛍光面1上
での間隔は小さくなるために、BM並び率とビーム並び
率の関係は通常の状態において、蛍光面1全面でBM並
び率<ビーム並び率としている。BM並び率とビーム並
び率の関係は上記で述べたとおりBM並び率<ビーム並
び率であり、図7(b)の矢印が示すように蛍光面1上
において、電子ビーム50の赤Rと青Bの間隔は蛍光体
素子2の赤Rと青Bの間隔に対して大きくなる。従っ
て、局部ドーミングが発生した場合に図7(a)及び
(b)で示すような2つの電子ビーム50の移動の組み
合わせにより、蛍光面1上の長辺方向において、この蛍
光面上の電子ビーム50の移動量は図7(c)に示すよ
うになる。即ち、局部ドーミングによる電子ビーム50
の移動量は蛍光面1上の左半分においてR<G<Bとな
り、また、右半分においてR>G>Bとなり、蛍光面1
上にて、蛍光面1上の左半分では青Bの電子ビーム50
が蛍光面1の中心PO方向に向かって位置する赤Rの蛍
光体素子2に射突し、蛍光面1上の右半分では赤Rの電
子ビーム50が蛍光面1の中心PO方向に位置する青B
の蛍光体素子2に射突して、青B、赤Rそれぞれの蛍光
体素子2が発光し、ミスランディングを起こす。
As a result, the electron beam 5 on the phosphor screen 1
The collision point of 0b moves from the point D to the point F on the extension of the straight line connecting the points B and E, and collides with a point different from the original point (hereinafter referred to as mislanding) to cause a color shift phenomenon. . Due to the local doming as described above, the electron beam 50 moves in the long side direction of the phosphor screen 1 toward the center PO point of the phosphor screen 1 as shown by the arrow in FIG. Also,
When the local doming occurs in the shadow mask 6, the distance between the fluorescent screen 1 on the inner surface of the panel 5 and the shadow mask 6 becomes narrower, and as shown in FIG.
Since the distances between the red R, green G, and blue B electron beams 50 emitted from the electron beam 50 on the phosphor screen 1 are small, the relationship between the BM alignment rate and the beam alignment rate is In a normal state, BM alignment rate <beam alignment rate over the entire phosphor screen 1. The relationship between the BM alignment rate and the beam alignment rate is BM alignment rate <beam alignment rate as described above, and red R and blue of the electron beam 50 on the phosphor screen 1 are indicated by the arrows in FIG. 7B. The interval of B is larger than the interval of red R and blue B of the phosphor element 2. Therefore, when local doming occurs, the electron beam on the fluorescent screen is moved in the long side direction on the fluorescent screen 1 by the combination of the movements of the two electron beams 50 as shown in FIGS. 7A and 7B. The movement amount of 50 is as shown in FIG. That is, the electron beam 50 by local doming
The amount of movement of R is G <B <B in the left half on the phosphor screen 1, and R>G> B in the right half.
Above, on the left half on the phosphor screen 1, the blue B electron beam 50
Irradiates the red R phosphor element 2 located in the center PO direction of the phosphor screen 1, and the red R electron beam 50 is located in the center PO direction of the phosphor screen 1 in the right half on the phosphor screen 1. Blue B
Then, each of the blue B and red R phosphor elements 2 emits light, and mislanding occurs.

【0007】長方形をなすファンネル9に設けられた電
子銃11から発射された赤R、緑G、青Bそれぞれの電
子ビーム50は、偏向ヨーク15により偏向され、シャ
ドウマスク6の全面を走査しながら、シャドウマスク6
が有する開孔13を通過して蛍光面1に射突し、ストラ
イプ状に配列された赤R、緑G、青Bそれぞれの蛍光体
素子2をそれぞれ励起し発光させる。シャドウマスク6
が有する開孔13を通過した赤R、緑G、青Bそれぞれ
の電子ビーム50が、蛍光面1に射突したときの電子ビ
ーム50において、図6に示すように電子ビーム50を
パネル5の長辺方向での電子ビーム密度分布に表したと
きに、上記電子ビーム密度分布の頂点を100%とする
とき、上記電子ビーム密度分布の5%での電子ビーム5
0の幅WBを、蛍光面1に射突したときのパネル5の長
辺方向での電子ビーム50の幅とすると、これは蛍光面
1に配列された赤R、緑G、青Bそれぞれのストライブ
状の蛍光体素子2のパネル5の長辺方向の幅より大き
く、図5に示すように、パネル5の内面に形成された蛍
光面1上での赤R、緑G、青Bそれぞれの電子ビーム5
0の一部は、パネル5内面に配列している光吸収層3に
射突している。
The red R, green G, and blue B electron beams 50 emitted from the electron gun 11 provided on the rectangular funnel 9 are deflected by the deflection yoke 15 and scan the entire surface of the shadow mask 6. , Shadow mask 6
To pass through the apertures 13 of the above and project on the phosphor screen 1 to excite each of the red R, green G, and blue B phosphor elements 2 arranged in stripes to emit light. Shadow mask 6
Of the red R, green G, and blue B electron beams 50 that have passed through the apertures 13 of the electron beam 50 when they strike the phosphor screen 1, as shown in FIG. When expressed as the electron beam density distribution in the long side direction, when the vertex of the electron beam density distribution is 100%, the electron beam 5 at 5% of the electron beam density distribution
When the width WB of 0 is the width of the electron beam 50 in the long side direction of the panel 5 when the phosphor screen 1 is bombarded, the red WB, the green G, and the blue B arranged on the phosphor screen 1 respectively. The stripe-shaped phosphor element 2 has a width larger than the width of the panel 5 in the long side direction, and as shown in FIG. 5, each of red R, green G, and blue B on the phosphor screen 1 formed on the inner surface of the panel 5 Electron beam 5
A part of 0 is projected to the light absorption layer 3 arranged on the inner surface of the panel 5.

【0008】赤R、緑G、青Bの蛍光体素子2のパネル
5の長辺方向の幅をWS、蛍光面1上のパネル5の長辺
方向での電子ビーム50の幅をWBとするとき、光吸収
層3に射突している電子ビーム50の幅は下記式によ
って求められる。 (WB一WS)/2 ・・・ 上記式によって求められた電子ビーム50の一部分の
幅を、一般に欠け裕度と呼んでいる。また、欠け裕度の
幅をWK、光吸収層3のパネル5の長辺方向での幅をW
BMとするとき、下記式によって求められる光吸収層
3の電子ビーム50が射突していない一部分の幅WTを
一般に他色打裕度と呼んでいる。 WBM一WK ・・・ 一般には欠け裕度WKと他色打裕度WTの関係は、図1
1に示すようにパネル5内面に形成した蛍光面1全域で
ある領域S3において、光吸収層3のパネル5の長辺方
向での幅を100%とするときに、欠け裕度WKと他色
打裕度WTの割合は下記のとおりである。 領域S3 WK:WT=45%:55% カラーブラウン管14の動作中において、上記で述べた
ドーミングが発生する。ドーミングは上記で述べたシャ
ドウマスク6が熱膨張によって局部的な変形を起こす局
部ドーミングと、シャドウマスク6全体が熱膨張によっ
て変形する全体ドーミングがある。全体ドーミングの発
生過程は上記で述べた局部ドーミングと同様である。
WS is the width of the red R, green G, and blue B phosphor elements 2 in the long side direction of the panel 5, and WB is the width of the electron beam 50 in the long side direction of the panel 5 on the phosphor screen 1. At this time, the width of the electron beam 50 impinging on the light absorption layer 3 is obtained by the following formula. (WB-WS) / 2 ... The width of a part of the electron beam 50 obtained by the above equation is generally called a chip tolerance. The width of the chip tolerance is WK, and the width of the light absorption layer 3 in the long side direction of the panel 5 is WK.
In the case of BM, the width WT of a portion of the light absorption layer 3 where the electron beam 50 does not impinge, which is obtained by the following equation, is generally called the other-color hitting margin. WBM-WK ・ ・ ・ Generally, the relationship between the chipping tolerance WK and the other color striking tolerance WT is shown in FIG.
As shown in FIG. 1, in the region S3 that is the entire phosphor screen 1 formed on the inner surface of the panel 5, when the width of the light absorption layer 3 in the long side direction of the panel 5 is 100%, the chip tolerance WK and other colors The ratio of the batting margin WT is as follows. Area S3 WK: WT = 45%: 55% While the color CRT 14 is operating, the above-mentioned doming occurs. The doming includes the local doming in which the shadow mask 6 locally deforms due to thermal expansion and the entire doming in which the entire shadow mask 6 deforms due to thermal expansion. The whole doming process is similar to the local doming described above.

【0009】シャドウマスク6に局部ドーミング、また
は全体ドーミングが発生すると、シャドウマスク6が上
記で述べたように熱膨張により熱変形を起こし、シャド
ウマスク6がパネル5の内面側に移動するために、パネ
ル5内面とシャドウマスク6との間隔が狭くなり、電子
ビーム50が図7(a)に示す方向に移動する。上記の
現象により、パネル5の内面に形成している蛍光面1上
の赤R、緑G、青Bの蛍光体素子2に、赤R、緑G、青
Bの電子ビーム50が正確に射突しなくなり、ミスラン
ディングを起こす。また、カラーテレビを設置する場合
にカラーブラウン管14のパネル5の向きなどによっ
て、地磁気により電子銃1から発射された電子ビーム5
0が偏向され、パネル5の内面に形成した蛍光面1上で
の射突する位置が変わり、図9に示すように蛍光体素子
2上より電子ビーム50の欠けが発生することがある。
カラーブラウン管14内には、地磁気などの外部磁界に
より、電子銃11から発射された電子ビーム50の偏向
を防ぐために内部磁気シールド10を備えているが、地
磁気などの外部磁界による影響を全て防ぐことはできな
いために上記現象が発生する。
When the local doming or the total doming occurs in the shadow mask 6, the shadow mask 6 undergoes thermal deformation due to thermal expansion as described above, and the shadow mask 6 moves to the inner surface side of the panel 5, The space between the inner surface of the panel 5 and the shadow mask 6 becomes narrower, and the electron beam 50 moves in the direction shown in FIG. Due to the above phenomenon, the red R, green G, and blue B electron beams 50 are accurately emitted to the red R, green G, and blue B phosphor elements 2 on the phosphor surface 1 formed on the inner surface of the panel 5. It will not collide and will cause a mislanding. Further, when a color television is installed, the electron beam 5 emitted from the electron gun 1 by geomagnetism depends on the orientation of the panel 5 of the color CRT 14.
When 0 is deflected, the position of projection on the phosphor screen 1 formed on the inner surface of the panel 5 is changed, and the electron beam 50 may be chipped from above the phosphor element 2 as shown in FIG.
The color cathode ray tube 14 is provided with an internal magnetic shield 10 for preventing deflection of the electron beam 50 emitted from the electron gun 11 by an external magnetic field such as terrestrial magnetism. However, it is necessary to prevent any influence of the external magnetic field such as terrestrial magnetism. Therefore, the above phenomenon occurs.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】従来のカラーブラウン
管は以上のように構成されているために、ドーミング、
地磁気などの外部磁界などの影響によって、電子銃から
発射された電子ビームの軌道が変わり、パネル内面に形
成した蛍光面上の赤、緑、青の蛍光体素子に、赤、緑、
青の電子ビームが正確に射突せず、蛍光体素子上より電
子ビームが欠けたり、色ずれなどが生じ、画像の品質が
低下するという問題があった。
Since the conventional color cathode ray tube is constructed as described above, the doming,
The trajectory of the electron beam emitted from the electron gun changes due to the influence of the external magnetic field such as the earth's magnetism, and red, green, red, green, and
There is a problem that the blue electron beam does not strike accurately, the electron beam is missing from the phosphor element, color shift occurs, and the image quality deteriorates.

【0011】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、シャドウマスクのドーミン
グ、地磁気などの外部磁界による電子ビームの偏向など
にともなう色ずれ、電子ビームの蛍光体素子上よりの欠
けなどの発生を防止することができるカラーブラウン管
の蛍光面構造を提供することを目的とする。
The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and is a phosphor element for an electron beam, which is a color shift due to the doming of a shadow mask, the deflection of an electron beam by an external magnetic field such as geomagnetism, and the like. It is an object of the present invention to provide a phosphor screen structure of a color cathode ray tube capable of preventing the occurrence of cracks and the like from above.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】この発明に係るカラーブ
ラウン管は、ストライプ状に形成された赤、緑、青の各
蛍光体素子が光吸収層を介して並設された3色蛍光体単
位体を複数列配置した蛍光面を有する長方形のパネル、
ネック部に赤、緑、青の電子銃を有するファンネル、及
び電子銃から発射された電子ビームの透過用開孔を有す
るシャドウマスクを備えたカラーブラウン管において、
パネルの長辺方向における3色蛍光体単位体の配列ピッ
チをWp1、3色蛍光体単位体における青の蛍光体素子
の中心から赤の蛍光体素子の中心までの間隔をWBR1
としたときに、BM並び率=WBR1/Wp1×150
(%)によって求められたBM並び率を、蛍光面の中心
部では95%≦BM並び率≦97%、蛍光面の長辺の両
端付近では97%<BM並び率<100%にしたもので
ある。
A color cathode-ray tube according to the present invention is a three-color phosphor unit in which red, green and blue phosphor elements formed in stripes are arranged side by side through a light absorption layer. A rectangular panel having a fluorescent screen in which a plurality of columns are arranged,
In a color CRT equipped with a funnel having red, green, and blue electron guns in the neck, and a shadow mask having apertures for transmitting electron beams emitted from the electron guns,
The arrangement pitch of the three-color phosphor units in the long side direction of the panel is Wp1, and the distance from the center of the blue phosphor element to the center of the red phosphor element in the three-color phosphor unit is WBR1.
Then, the BM arrangement rate = WBR1 / Wp1 × 150
The BM arrangement ratio obtained by (%) is 95% ≦ BM arrangement ratio ≦ 97% in the central part of the phosphor screen, and 97% <BM arrangement ratio <100% near both ends of the long side of the phosphor screen. is there.

【0013】また、長方形をなすパネル内面に形成され
た蛍光面の中心から上記蛍光面の長辺端までの距離の3
/4を半径とした円の外側の領域におけるBM並び率
を、97%<BM並び率<100%にしたものである。
また、長方形をなすパネル内面に形成された蛍光面の中
心から上記蛍光面の長辺端までの距離の3/4を半径と
した円の内側の領域におけるBM並び率を、95%<B
M並び率<97%にしたものである。
The distance from the center of the phosphor screen formed on the inner surface of the rectangular panel to the long side end of the phosphor screen is 3
The BM arrangement ratio in the region outside the circle having a radius of / 4 is set to 97% <BM arrangement ratio <100%.
Further, the BM arrangement rate in the region inside the circle having a radius of 3/4 of the distance from the center of the phosphor screen formed on the inner surface of the rectangular panel to the long side end of the phosphor screen is 95% <B
The M arrangement rate is <97%.

【0014】また、ストライプ状に形成された赤、緑、
青の各蛍光体素子が光吸収層を介して並設された3色蛍
光体単位体を複数列配置した蛍光面を有する長方形のパ
ネル、ネック部に赤、緑、青の電子銃を有するファンネ
ル、及び電子銃から発射された電子ビームの透過用開孔
を有するシャドウマスクを備えたカラーブラウン管にお
いて、電子銃より発射された電子ビームがシャドウマス
クに設けた開孔を通過し、蛍光面に射突するとき、電子
ビームをパネルの長辺方向での電子ビーム密度分布に表
し、この電子ビーム密度分布の頂点を100%とすると
きに電子ビーム密度分布の5%での上記電子ビームの幅
をWB、ストライプ状蛍光体素子のパネルの長辺方向で
の幅をWSとし、WK=(WB−WS)/2によって求
められた蛍光面上での上記電子ビーム幅を欠け裕度W
K、また光吸収層のパネルの長辺方向の幅をWBMと
し、WT=WBM一WKによって求められた上記光吸収
層幅を他色打裕度WTとするとき、欠け裕度WKと他色
打裕度WTの関係を、蛍光面の中心部ではWK<WT、
蛍光面の長辺の両端付近ではWK>WTにしたものであ
る。
Also, red, green, and
A rectangular panel having a phosphor screen in which a plurality of rows of three-color phosphor units in which blue phosphor elements are arranged side by side through a light absorption layer are arranged, and a funnel having red, green, and blue electron guns in the neck portion , And in a color cathode-ray tube equipped with a shadow mask having an aperture for transmitting an electron beam emitted from the electron gun, the electron beam emitted from the electron gun passes through the aperture provided in the shadow mask and is projected onto the phosphor screen. When striking, the electron beam is represented in the electron beam density distribution in the long side direction of the panel, and the width of the electron beam at 5% of the electron beam density distribution is defined as 100% at the apex of the electron beam density distribution. WB, the width of the striped phosphor element in the long side direction of the panel is WS, and the electron beam width on the phosphor screen obtained by WK = (WB-WS) / 2
K, the width of the light absorption layer in the long side direction of the panel is WBM, and the width of the light absorption layer obtained by WT = WBM-WK is another color hitting tolerance WT. The relationship of the hitting margin WT is WK <WT at the center of the phosphor screen,
In the vicinity of both ends of the long side of the phosphor screen, WK> WT.

【0015】また、パネル内面に形成された蛍光面の中
心から上記蛍光面の長辺端までの距離の3/4を半径と
した円の外側の領域ではWK>WTにしたものである。
また、パネル内面に形成された蛍光面の中心から上記蛍
光面の長辺端までの距離の3/4を半径とした円の内側
の領域ではWK<WTにしたものである。
Further, WK> WT is set in a region outside a circle having a radius of 3/4 of the distance from the center of the phosphor screen formed on the inner surface of the panel to the long side end of the phosphor screen.
Further, WK <WT is set in a region inside a circle whose radius is 3/4 of the distance from the center of the phosphor screen formed on the inner surface of the panel to the long side end of the phosphor screen.

【0016】また、パネル内面に形成された蛍光面の中
心部では、パネルの長辺方向での光吸収層の幅を100
%としたときの欠け裕度と他色打裕度の割合を20%≦
(WT一WK)≦25%とし、上記蛍光面の長辺の両端
付近では欠け裕度と他色打裕度の割合を20%≦(WK
一WT)≦25%にしたものである。
Further, in the central portion of the phosphor screen formed on the inner surface of the panel, the width of the light absorption layer in the long side direction of the panel is 100.
%, The ratio of the chip tolerance and the tolerance of other colors is 20% ≦
(WT-1WK) ≦ 25%, and the ratio of the chip tolerance and the other-color striking tolerance in the vicinity of both ends of the long side of the phosphor screen is 20% ≦ (WK
One WT) ≦ 25%.

【0017】[0017]

【実施の形態】[Embodiment]

実施の形態1.以下、この発明の実施の形態を図面にも
とづいて説明する。図1はこの発明の実施の形態1によ
るカラーブラウン管14のパネル5内面に形成した蛍光
面1構造におけるBM並び率の変化率を示す特性図であ
る。なお、カラーブラウン管の全体構成及び蛍光面の配
列構成は図2、図3及び図8で示す従来例と同一である
ため、説明を省くとともに、以下の説明においては、図
2、図3及び図8で用いた符号をそのまま使用する。図
1において、蛍光面1構造における蛍光体素子2の間隔
の関係を示すBM並び率を、蛍光面1の長辺方向におい
て、その蛍光面1の中心POから有効径Pの3/4Pの
点に変曲点が形成されるように変化させて構成したもの
である。具体的には図4において、パネル5の長辺方向
でパネル5の内面に形成した蛍光面1の中心POから蛍
光面1の有効径P端までの距離の3/4Pを半径とした
円の範囲内領域S1では、95%≦BM並び率≦97%
とし、上記範囲外領域S2では、97%<BM並び率<
100%に設定したものである。
Embodiment 1. Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a characteristic diagram showing the rate of change in the BM alignment rate in the structure of the phosphor screen 1 formed on the inner surface of the panel 5 of the color cathode-ray tube 14 according to Embodiment 1 of the present invention. The overall configuration of the color cathode ray tube and the arrangement configuration of the phosphor screen are the same as those of the conventional example shown in FIGS. 2, 3 and 8, and therefore the description thereof will be omitted, and in the following description, FIGS. The code used in 8 is used as it is. In FIG. 1, the BM arrangement ratio indicating the relationship between the intervals of the phosphor elements 2 in the structure of the phosphor screen 1 is defined as a point 3 / 4P of the effective diameter P from the center PO of the phosphor screen 1 in the long side direction of the phosphor screen 1. It is configured by changing so that an inflection point is formed. Specifically, in FIG. 4, a circle having a radius of 3 / 4P of the distance from the center PO of the phosphor screen 1 formed on the inner surface of the panel 5 in the long side direction of the panel 5 to the end of the effective diameter P of the phosphor screen 1 In the range area S1, 95% ≦ BM arrangement rate ≦ 97%
In the area S2 outside the range, 97% <BM arrangement rate <
It is set to 100%.

【0018】次に、上記構成の動作について説明する。
シャドウマスク6に局部ドーミングが起きること、及び
シャドウマスク6が熱膨張によってパネル5の内面の蛍
光面1側に移動することにより、電子銃11より発射さ
れシャドウマスク6の開孔13を通過した赤R、緑G、
青Bそれぞれの電子ビーム50は、上記で述べたBM並
び率とビーム並び率の関係により図7(c)に示すよう
に移動する。一般に局部ドーミングによる電子ビーム5
0の移動量は、局部ドーミングによるシャドウマスク6
の熱変形量が最も大きい蛍光面1の中心POから有効径
Pの3/4Pまでの範囲内領域S1にて最も大きくな
る。従って、図1に示す実施の形態のように、蛍光面1
の中心POから有効径Pの3/4Pまでの範囲内領域S
1を95%≦BM並び率≦97%とすることにより、蛍
光面1上において蛍光体素子2の赤Rから青Bまでの間
隔WBR1が蛍光体素子2の配列ピッチWP1の2/3
以下となる。
Next, the operation of the above configuration will be described.
Due to the local doming of the shadow mask 6 and the thermal expansion of the shadow mask 6 to the phosphor screen 1 side of the inner surface of the panel 5, the red light emitted from the electron gun 11 has passed through the aperture 13 of the shadow mask 6. R, green G,
The respective electron beams 50 of blue B move as shown in FIG. 7C due to the relationship between the BM alignment rate and the beam alignment rate described above. Electron beam 5 typically by local doming
The movement amount of 0 is the shadow mask 6 by the local doming.
The maximum amount of thermal deformation is the maximum in the area S1 within the range from the center PO of the phosphor screen 1 to 3/4 P of the effective diameter P. Therefore, as in the embodiment shown in FIG.
Area S within the range from the center PO to the 3/4 P of the effective diameter P
By setting 1 to 95% ≦ BM arrangement ratio ≦ 97%, the interval WBR1 from the red R to the blue B of the phosphor elements 2 on the phosphor surface 1 is 2/3 of the arrangement pitch WP1 of the phosphor elements 2.
It becomes the following.

【0019】従って、蛍光面1の長辺方向において赤
R、緑G、青Bそれぞれの蛍光体素子2の幅を一定とす
るときに、赤Rと緑Gの蛍光体素子2間の光吸収層3の
幅及び緑Gと青Bの蛍光体素子2間の光吸収層3の幅に
対し、赤Rと青Bの蛍光体素子2間の光吸収層3の幅が
最も大きくなる。長辺方向において赤Rと青Bの蛍光体
素子2間の光吸収層3の幅を最も大きく設定することに
より、シャドウマスク6に局部ドーミングが起き、図7
(c)に示すように移動したとしても、蛍光面1の長辺
方向において、赤R、緑G、青Bの電子ビーム50のト
リオにおける蛍光面1の中心PO方向に位置する最も大
きく移動する電子ビーム50、具体的には、蛍光面の左
半分においては青Bの電子ビーム50、右半分において
は赤Rの電子ビーム50の移動量より、赤Rと青Bの蛍
光体素子2間の光吸収層の蛍光面1の長辺方向での幅が
大きくなっているので、色ずれが発生しない。
Therefore, when the widths of the red R, green G, and blue B phosphor elements 2 are constant in the long side direction of the phosphor screen 1, light absorption between the red R and green G phosphor elements 2 is performed. The width of the light absorption layer 3 between the red R and blue B phosphor elements 2 is the largest with respect to the width of the layer 3 and the width of the light absorption layer 3 between the green G and blue B phosphor elements 2. By setting the width of the light absorption layer 3 between the red R and blue B phosphor elements 2 to be the largest in the long side direction, local doming occurs in the shadow mask 6, and FIG.
Even if it moves as shown in (c), it moves the largest in the direction of the center PO of the phosphor screen 1 in the trio of the electron beams 50 of red R, green G, and blue B in the long side direction of the phosphor screen 1. Depending on the amount of movement of the electron beam 50, specifically, the blue B electron beam 50 in the left half of the phosphor screen and the red R electron beam 50 in the right half of the phosphor screen, the distance between the red R and blue B phosphor elements 2 is determined. Since the width of the light absorption layer in the long side direction of the phosphor screen 1 is large, color misregistration does not occur.

【0020】また、パネル5の短辺部周辺では、地磁気
などの外部磁界による電子ビーム50の偏向を受けやす
く、蛍光面1の中心POから有効径Pの3/4Pの範囲
外領域S2では、地磁気による電子ビーム50の偏向量
が最も大きくなる。図1の実施の形態のように、蛍光面
1の中心POから有効径Pの3/4Pまでの範囲外領域
S2を97%<BM並び率<100%にすることによ
り、蛍光面1上において蛍光体素子2の赤Rから青Bま
での間隔WBR1が蛍光体素子2の配列ピッチWP1の
ほぼ2/3となる。従って、蛍光面1の長辺方向におい
て赤R、緑G、青Bそれぞれの蛍光体素子2の幅を一定
とするときに、赤Rと緑Gの蛍光体素子2間の光吸収層
3の幅、緑Gと青Bの蛍光体素子2間の光吸収層3の
幅、及び赤Rと青Bの蛍光体素子2間の光吸収層3がほ
ぼ等しく設定される。赤R、緑G、青Bそれぞれの蛍光
体素子2間の光吸収層3の蛍光面1の長辺方向における
幅がほぼ等しく構成されるので、外部磁界により電子ビ
ーム50が偏向されても色ずれが発生しない。従って、
品質の高い映像を得ることができる。
In addition, in the vicinity of the short side portion of the panel 5, the electron beam 50 is easily deflected by an external magnetic field such as geomagnetism, and in the area S2 outside the range 3 / 4P of the effective diameter P from the center PO of the phosphor screen 1. The amount of deflection of the electron beam 50 due to geomagnetism is the largest. As in the embodiment of FIG. 1, by setting the out-of-range region S2 from the center PO of the phosphor screen 1 to 3/4 P of the effective diameter P to 97% <BM arrangement ratio <100%, on the phosphor screen 1. The interval WBR1 from red R to blue B of the phosphor elements 2 is approximately 2/3 of the arrangement pitch WP1 of the phosphor elements 2. Therefore, when the widths of the red R, green G, and blue B phosphor elements 2 are constant in the long side direction of the phosphor screen 1, the light absorption layer 3 between the red R and green G phosphor elements 2 is formed. The width, the width of the light absorption layer 3 between the green G and blue B phosphor elements 2, and the light absorption layer 3 between the red R and blue B phosphor elements 2 are set to be substantially equal. Since the widths in the long side direction of the phosphor screen 1 of the light absorption layer 3 between the phosphor elements 2 of red R, green G, and blue B are substantially equal to each other, even if the electron beam 50 is deflected by the external magnetic field, No deviation occurs. Therefore,
It is possible to obtain high quality images.

【0021】実施の形態2.以下、この発明の別の実施
の形態を説明する。図4において、パネル5の長辺方向
でパネル5の内面に形成した蛍光面1の中心POから蛍
光面1の有効径P端までの距離の3/4Pを半径とした
円の範囲内領域S1では欠け裕度WKと他色打裕度WT
の割合をWK < WTとし、この範囲外領域S2では
欠け裕度WKと他色打裕度WTの割合をWK>WTに構
成したものである。
Embodiment 2 FIG. Hereinafter, another embodiment of the present invention will be described. In FIG. 4, an area S1 within a circle whose radius is 3 / 4P of the distance from the center PO of the fluorescent screen 1 formed on the inner surface of the panel 5 in the long side direction of the panel 5 to the end of the effective diameter P of the fluorescent screen 1. Then, chip margin WK and other color striking margin WT
Is set to WK <WT, and in the out-of-range area S2, the ratio of the chipping tolerance WK to the other-color hitting tolerance WT is set to WK> WT.

【0022】また、パネル5内面に形成した蛍光面1全
域において、パネル5の長辺方向での光吸収層3の幅を
100%とするときに、領域S1と領域S2での欠け裕
度WKと他色打裕度WTの割合については、一例として
次のとおりに構成する。 領域S1 WK:WT 40%:60% 領域S2 WK:WT 60%:40%
When the width of the light absorption layer 3 in the long side direction of the panel 5 is 100% in the entire phosphor screen 1 formed on the inner surface of the panel 5, the chip margin WK in the regions S1 and S2 is set. The ratio of the other color hitting tolerance WT is configured as follows as an example. Area S1 WK: WT 40%: 60% Area S2 WK: WT 60%: 40%

【0023】次に、上記構成の動作について説明する。
シャドウマスク6にドーミングまたは局部ドーミングが
起きると、パネル5の内面の蛍光面1とシャドウマスク
6との間隔が変化する。特にパネル5の長辺方向におけ
る蛍光面1の中心POから蛍光面1の有効径P端までの
距離の3/4Pの点を半径とした円の範囲内領域S1で
パネル5内面の蛍光面1とシャドウマスク6との間隔の
変化が最も大きい。シャドウマスク6に局部ドーミング
が起きると、電子銃11から発射された電子ビーム50
が蛍光面1上において、上記にて説明したとおり、図7
(c)に示すように変化する。蛍光面1上において、領
域S1については上記のように欠け裕度WKをパネル5
の長辺方向での光吸収層3の幅の40%と電子ビーム5
0の幅を小さくしているので、蛍光面1の長辺方向にお
いて、赤R、緑G、青Bの電子ビーム50のトリオにお
ける蛍光面1の中心PO方向に位置する最も大きく移動
する電子ビーム50、具体的には、蛍光面の左半分にお
いては青の電子ビーム50、右半分においては赤の電子
ビーム50が蛍光面1の中心PO方向に移動しても、2
0%≦(WT一WK)≦25%としているので色ずれが
発生しない。
Next, the operation of the above configuration will be described.
When the shadow mask 6 is subjected to doming or local doming, the space between the fluorescent screen 1 on the inner surface of the panel 5 and the shadow mask 6 changes. Particularly, in the area S1 within a circle having a radius of 3 / 4P of the distance from the center PO of the phosphor screen 1 to the end of the effective diameter P of the phosphor screen 1 in the long side direction of the panel 5, the phosphor screen 1 on the inner surface of the panel 5 The change in the distance between the shadow mask 6 and the shadow mask 6 is the largest. When the local doming occurs in the shadow mask 6, the electron beam 50 emitted from the electron gun 11 is emitted.
On the phosphor screen 1 as described above.
It changes as shown in FIG. On the fluorescent screen 1, for the region S1, the chip margin WK is set on the panel 5 as described above.
40% of the width of the light absorption layer 3 in the long side direction of the electron beam 5
Since the width of 0 is made small, the electron beam that moves most in the direction of the center PO of the phosphor screen 1 in the trio of the electron beams 50 of red R, green G, and blue B in the long side direction of the phosphor screen 1. 50, specifically, even if the blue electron beam 50 in the left half of the phosphor screen and the red electron beam 50 in the right half move toward the center PO of the phosphor screen 1,
Since 0% ≦ (WT-1WK) ≦ 25%, no color misregistration occurs.

【0024】また、パネル5の短辺部周辺では、地磁気
などの外部磁界による電子ビーム50の偏向を受けやす
く、領域S2にて地磁気による電子ビーム50の偏向量
が最も大きい。これに対して、領域S2にて上記一例の
ように20%≦(WK一WT)≦25%に構成するの
で、外部磁界により電子ビーム50が偏向されても、赤
R、緑G、青Bそれぞれの蛍光体素子2上にて図9に示
すように電子ビーム50の欠けが発生しない。従って、
品質の高い映像を得ることができる。
In the vicinity of the short side of the panel 5, the electron beam 50 is easily deflected by an external magnetic field such as geomagnetism, and the amount of deflection of the electron beam 50 by geomagnetism is the largest in the region S2. On the other hand, in the region S2, as in the above example, 20% ≦ (WK1WT) ≦ 25%, so that even if the electron beam 50 is deflected by the external magnetic field, red R, green G, and blue B No chipping of the electron beam 50 occurs on each phosphor element 2 as shown in FIG. Therefore,
It is possible to obtain high quality images.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 この発明の実施の形態1に係るカラーブラウ
ン管の蛍光面構造におけるBM並び率を示す特性図であ
る。
FIG. 1 is a characteristic diagram showing a BM arrangement rate in a fluorescent screen structure of a color cathode-ray tube according to Embodiment 1 of the present invention.

【図2】 蛍光面を形成する蛍光体素子の配列図であ
る。
FIG. 2 is an array diagram of phosphor elements forming a phosphor screen.

【図3】 電子ビームの蛍光面上での配列図である。FIG. 3 is an array diagram of electron beams on a fluorescent screen.

【図4】 この発明の実施の形態2に係るカラーブラウ
ン管のパネル内面に形成した蛍光面の構造を示す説明図
である。
FIG. 4 is an explanatory view showing a structure of a fluorescent screen formed on the inner surface of the panel of the color CRT according to the second embodiment of the present invention.

【図5】 実施の形態2のパネル内面に形成している蛍
光面を構成している蛍光体素子、光吸収層、及び電子ビ
ームの一般的な関係を示す説明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram showing a general relationship among a phosphor element forming a phosphor screen formed on an inner surface of a panel, a light absorption layer, and an electron beam according to a second embodiment.

【図6】 電子ビームの密度分布を示す特性図である。FIG. 6 is a characteristic diagram showing a density distribution of an electron beam.

【図7】 シャドウマスクのドーミングによる電子ビー
ムの移動方向を示す説明図である。
FIG. 7 is an explanatory diagram showing a moving direction of an electron beam due to doming of a shadow mask.

【図8】 一般的なカラーブラウン管の一部破断側面図
である。
FIG. 8 is a partially cutaway side view of a general color CRT.

【図9】 電子ビームの欠けの状態を示す説賜図であ
る。
FIG. 9 is a persuasive diagram showing a state where an electron beam is missing.

【図10】 ドーミングの発生原理の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram of a doming occurrence principle.

【図11】 従来のカラーブラウン管のパネル内面に形
成した蛍光面の構造を示す説明図である。
FIG. 11 is an explanatory diagram showing a structure of a phosphor screen formed on the inner surface of a panel of a conventional color CRT.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 蛍光面、2 蛍光体素子、3 光吸収層、5 パネ
ル、6 シャドウマスク、9 ファンネル、9a ネッ
ク部、13 開孔、14 カラーブラウン管、50 電
子ビーム。
1 phosphor screen, 2 phosphor element, 3 light absorption layer, 5 panel, 6 shadow mask, 9 funnel, 9a neck part, 13 aperture, 14 color cathode ray tube, 50 electron beam.

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ストライプ状に形成された赤、緑、青の
各蛍光体素子が光吸収層を介して並設された3色蛍光体
単位体を複数列配置した蛍光面を有する長方形のパネ
ル、ネック部に赤、緑、青の電子銃を有するファンネ
ル、及び上記電子銃から発射された電子ビームの透過用
開孔を有するシャドウマスクを備えたカラーブラウン管
において、上記パネルの長辺方向における上記3色蛍光
体単位体の配列ピッチをWp1、上記3色蛍光体単位体
における青の蛍光体素子の中心から赤の蛍光体素子の中
心までの間隔をWBR1としたときに、BM並び率=W
BR1/Wp1×150(%)によって求められたBM
並び率を、上記蛍光面の中心部では95%≦BM並び率
≦97%、上記蛍光面の長辺の両端付近では97%<B
M並び率<100%にしたことを特徴とするカラーブラ
ウン管。
1. A rectangular panel having a phosphor screen in which a plurality of rows of three-color phosphor units in which stripe-shaped phosphor elements of red, green, and blue are arranged in parallel via a light absorption layer are arranged. A funnel having red, green, and blue electron guns in the neck portion, and a color cathode-ray tube having a shadow mask having apertures for transmitting electron beams emitted from the electron guns, in the long side direction of the panel. When the arrangement pitch of the three-color phosphor unit is Wp1 and the distance from the center of the blue phosphor element to the center of the red phosphor element in the three-color phosphor unit is WBR1, the BM arrangement ratio = W
BM calculated by BR1 / Wp1 × 150 (%)
The arrangement ratio is 95% ≦ BM arrangement ratio ≦ 97% in the central part of the phosphor screen, and 97% <B near both ends of the long side of the phosphor screen.
A color cathode ray tube characterized by having an M arrangement rate of <100%.
【請求項2】 長方形をなすパネル内面に形成された蛍
光面の中心から上記蛍光面の長辺端までの距離の3/4
を半径とした円の外側の領域におけるBM並び率を、9
7%<BM並び率<100%にしたことを特徴とする請
求項1記載のカラーブラウン管。
2. 3/4 of the distance from the center of the phosphor screen formed on the inner surface of the rectangular panel to the end of the long side of the phosphor screen.
The BM arrangement ratio in the area outside the circle whose radius is
The color cathode ray tube according to claim 1, wherein 7% <BM arrangement ratio <100%.
【請求項3】 長方形をなすパネル内面に形成された蛍
光面の中心から上記蛍光面の長辺端までの距離の3/4
を半径とした円の内側の領域におけるBM並び率を、9
5%<BM並び率<97%にしたことを特徴とする請求
項1記載のカラーブラウン管。
3. 3/4 of the distance from the center of the phosphor screen formed on the inner surface of the rectangular panel to the end of the long side of the phosphor screen.
The BM arrangement ratio in the area inside the circle whose radius is
The color cathode ray tube according to claim 1, wherein 5% <BM arrangement ratio <97%.
【請求項4】 ストライプ状に形成された赤、緑、青の
各蛍光体素子が光吸収層を介して並設された3色蛍光体
単位体を複数列配置した蛍光面を有する長方形のパネ
ル、ネック部に赤、緑、青の電子銃を有するファンネ
ル、及び上記電子銃から発射された電子ビームの透過用
開孔を有するシャドウマスクを備えたカラーブラウン管
において、電子銃より発射された電子ビームが上記シャ
ドウマスクに設けた開孔を通過し、上記蛍光面に射突す
るとき、上記電子ビームをパネルの長辺方向での電子ビ
ーム密度分布に表し、この電子ビーム密度分布の頂点を
100%とするときに上記電子ビーム密度分布の5%で
の上記電子ビームの幅をWB、ストライプ状蛍光体素子
のパネルの長辺方向での幅をWSとし、WK=(WB−
WS)/2によって求められた蛍光面上での上記電子ビ
ーム幅を欠け裕度をWK、また光吸収層のパネルの長辺
方向の幅をWBMとし、WT=WBM−WKによって求
められた上記光吸収層幅を他色打裕度WTとするとき、
欠け裕度WKと他色打裕度WTの関係を、蛍光面の中心
部ではWK<WT、蛍光面の長辺の両端付近ではWK>
WTにしたことを特徴とするカラーブラウン管。
4. A rectangular panel having a phosphor screen in which a plurality of three-color phosphor unit bodies in which stripe-shaped red, green, and blue phosphor elements are arranged in parallel through a light absorption layer are arranged. An electron beam emitted from an electron gun in a color cathode-ray tube having a funnel having red, green, and blue electron guns at the neck and a shadow mask having an aperture for transmitting the electron beam emitted from the electron gun. When passing through the aperture provided in the shadow mask and impinging on the phosphor screen, the electron beam is represented by an electron beam density distribution in the long side direction of the panel, and the apex of this electron beam density distribution is 100%. Where WB is the width of the electron beam at 5% of the electron beam density distribution, WS is the width of the striped phosphor element in the long side direction of the panel, and WK = (WB-
WS) / 2, where the electron beam width on the phosphor screen is lacking, the margin is WK, and the width of the light absorption layer in the long side direction of the panel is WBM. WT = WBM-WK When the width of the light absorption layer is set to the other color hitting tolerance WT,
The relationship between the chip tolerance WK and the tolerance for hitting another color WT is WK <WT at the center of the phosphor screen, and WK> near both ends of the long side of the phosphor screen.
Color cathode ray tube characterized by being WT.
【請求項5】 パネル内面に形成された蛍光面の中心か
ら上記蛍光面の長辺端までの距離の3/4を半径とした
円の外側の領域ではWK>WTとしたことを特徴とする
請求項4記載のカラーブラウン管。
5. A region outside a circle whose radius is 3/4 of the distance from the center of the phosphor screen formed on the inner surface of the panel to the end of the long side of the phosphor screen is WK> WT. The color cathode ray tube according to claim 4.
【請求項6】 パネル内面に形成された蛍光面の中心か
ら上記蛍光面の長辺端までの距離の3/4を半径とした
円の内側の領域ではWK<WTとしたことを特徴とする
請求項4記載のカラーブラウン管。
6. A region inside a circle whose radius is 3/4 of the distance from the center of the phosphor screen formed on the inner surface of the panel to the long side edge of the phosphor screen is WK <WT. The color cathode ray tube according to claim 4.
【請求項7】 パネル内面に形成された蛍光面の中心部
では、パネルの長辺方向での光吸収層の幅を100%と
したときの欠け裕度と他色打裕度の割合を20%≦(W
T一WK)≦25%とし、上記蛍光面の長辺の両端付近
では欠け裕度と他色打裕度の割合を20%≦(WK一W
T)≦25%にしたことをを特徴する請求項4記載のカ
ラーブラウン管。
7. The center of the phosphor screen formed on the inner surface of the panel has a ratio of the chip tolerance to the other color striking tolerance when the width of the light absorption layer in the long side direction of the panel is 100%. % ≤ (W
T1 WK) ≦ 25%, and in the vicinity of both ends of the long side of the phosphor screen, the ratio of the chip tolerance and the tolerance of other colors is 20% ≦ (WK-1W
The color cathode ray tube according to claim 4, wherein T) ≤ 25%.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100418169B1 (en) * 1999-06-16 2004-02-11 가부시끼가이샤 도시바 Color Cathode Ray Tube

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