JPH0963478A - Manufacture of panel for cathode-ray tube - Google Patents
Manufacture of panel for cathode-ray tubeInfo
- Publication number
- JPH0963478A JPH0963478A JP23349495A JP23349495A JPH0963478A JP H0963478 A JPH0963478 A JP H0963478A JP 23349495 A JP23349495 A JP 23349495A JP 23349495 A JP23349495 A JP 23349495A JP H0963478 A JPH0963478 A JP H0963478A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- panel
- film
- ray tube
- cathode ray
- cathode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、優れた電磁波遮蔽性を
有する陰極線管用パネルの製造方法に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a cathode ray tube panel having excellent electromagnetic wave shielding properties.
【0002】[0002]
【従来の技術】陰極線管は、画像が映し出されるパネル
と、その背後を形成するファンネル及びネック管から構
成される。2. Description of the Related Art A cathode ray tube is composed of a panel on which an image is displayed, and a funnel and a neck tube which are formed behind the panel.
【0003】陰極線管は、ネック管内に装着した電子銃
から出る電子ビームをファンネル周りに取り付けた偏向
コイルにより偏向させているが、特にこの偏向コイルか
ら発生する不要電磁波が漏洩することにより、陰極線管
の周囲にある他の電子機器を誤動作させたり、或いは人
体に悪影響を及ぼす虞れがある。In a cathode ray tube, an electron beam emitted from an electron gun mounted in a neck tube is deflected by a deflection coil attached around a funnel. Particularly, an unnecessary electromagnetic wave generated from this deflection coil leaks to cause a cathode ray tube. There is a risk that other electronic devices around the device may malfunction or may adversely affect the human body.
【0004】そこで、従来の陰極線管においては、電磁
波を遮蔽する性能を付与するために、パネルの外表面
に、SnO2 等からなる透明導電膜が形成されている。Therefore, in the conventional cathode ray tube, a transparent conductive film made of SnO 2 or the like is formed on the outer surface of the panel in order to impart the performance of shielding electromagnetic waves.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながらSnO2
等からなる透明導電膜は、面抵抗(正方形当たりの抵抗
値)が、1×106 Ω/□以上と高いため、導電性が低
いという欠点がある。However, SnO 2
Since the transparent conductive film made of, for example, has a high sheet resistance (resistance value per square) of 1 × 10 6 Ω / □ or more, it has a drawback of low conductivity.
【0006】例えばSnO2 からなる透明導電膜として
は、一般に200〜400Åの膜厚を有するものが使用
されているが、これの面抵抗は、1×106 Ω/□であ
るため、導電性が低く、不要電磁波を完全に遮蔽するに
は不十分である。For example, as a transparent conductive film made of SnO 2, a film having a film thickness of 200 to 400 Å is generally used, but since the surface resistance of this is 1 × 10 6 Ω / □, it is conductive. Is low, which is insufficient to completely shield unwanted electromagnetic waves.
【0007】またこのようなSnO2 膜の形成方法とし
ては、各種の方法が存在するが、安価で大量生産に向い
ているという理由からCVD(Chemical Va
por Deposition)法が広く用いられてい
る。There are various methods for forming such an SnO 2 film, but since it is inexpensive and suitable for mass production, CVD (Chemical Vapor) is used.
The Por Deposition) method is widely used.
【0008】しかしながらCVD法によって、パネル外
表面に直接SnO2 膜を形成すると、パネルの加熱処理
により、ガラス中のアルカリ成分と、ケミカルソースで
あるSn原料中に含まれる塩素が反応し、導電性が損な
われる。このようなアルカリ成分と塩素の反応を防ぐた
めには、SnO2 膜の下層に、SiO2 膜からなるアン
ダーコートを設ければ良いが、このようなSiO2 膜を
形成することはコストが上昇する要因となるため好まし
くない。However, when the SnO 2 film is formed directly on the outer surface of the panel by the CVD method, the heat treatment of the panel causes the alkali component in the glass to react with chlorine contained in the Sn raw material which is the chemical source, resulting in conductivity. Is damaged. In order to prevent such a reaction between the alkaline component and chlorine, an undercoat made of a SiO 2 film may be provided as a lower layer of the SnO 2 film, but forming such a SiO 2 film increases the cost. It is not preferable because it becomes a factor.
【0009】本発明は、上記事情に鑑みなされたもので
あり、優れた電磁波遮蔽性を有し、しかも透明導電膜の
下層にアンダーコートを設ける必要のない陰極線管用パ
ネルを製造する方法を提供することを目的とするもので
ある。The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a method for producing a panel for a cathode ray tube which has an excellent electromagnetic wave shielding property and which does not require an undercoat under the transparent conductive film. That is the purpose.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明の陰極線管用パネ
ルの製造方法は、ケミカルソースとして、ハロゲンを含
まないZn有機化合物を使用し、CVD法によって外表
面にZnO膜を形成することを特徴とする。The method for manufacturing a panel for a cathode ray tube according to the present invention is characterized in that a halogen-free Zn organic compound is used as a chemical source and a ZnO film is formed on the outer surface by a CVD method. To do.
【0011】また本発明は、好ましくは、ハロゲンを含
まないZn有機化合物が、亜鉛アセチルアセトネートで
あることを特徴とし、さらにZnO膜が、100〜90
0Åの膜厚を有してなることを特徴とする。Further, the present invention is preferably characterized in that the halogen-free Zn organic compound is zinc acetylacetonate, and the ZnO film has a thickness of 100 to 90.
It is characterized by having a film thickness of 0Å.
【0012】[0012]
【作用】本発明においては、ケミカルソースとして、ハ
ロゲンを含まないZn有機化合物を使用するが、この化
合物は塩素を含まないため、これを使用してCVD法に
よってパネルガラスの外表面にZnO膜を直接形成して
も、ガラス中のアルカリ成分との反応が抑制されるた
め、SiO2 膜からなるアンダーコートが不要となる。In the present invention, a halogen-free Zn organic compound is used as a chemical source. Since this compound does not contain chlorine, it is used to form a ZnO film on the outer surface of the panel glass by the CVD method. Even if it is formed directly, the reaction with the alkaline component in the glass is suppressed, so that the undercoat made of the SiO 2 film is not necessary.
【0013】またこうしてパネル上に形成されたZnO
膜は、SnO2 膜とほぼ同等の2.0〜2.1の屈折率
(nd)を有し、またSnO2 膜と同様に透明導電膜と
して使用されるIn2 O3 膜に比べて安価で性能が安定
しており、しかも1×103Ω/□以下の面抵抗を得る
ことが可能である。ZnO thus formed on the panel
Film has a refractive index of substantially the same 2.0 to 2.1 and SnO 2 film (nd), also inexpensive compared to the In 2 O 3 film used as a SnO 2 film in the same manner as the transparent conductive film The performance is stable, and it is possible to obtain a sheet resistance of 1 × 10 3 Ω / □ or less.
【0014】本発明においては、ハロゲンを含まないZ
n有機化合物として、亜鉛アセチルアセトネートを使用
することが好ましいが、その理由は、亜鉛アセチルアセ
トネートを使用すれば、常圧のCVD法によってZnO
膜を形成することができるからである。因にハロゲンを
含まないZn有機化合物としては、ジメチル亜鉛やジエ
チル亜鉛等も存在するが、これらをケミカルソースとし
て使用する場合には、減圧のCVD法で行う必要があ
り、取り扱いや装置が複雑になる。In the present invention, Z containing no halogen is used.
It is preferable to use zinc acetylacetonate as the n-organic compound because the reason is that if zinc acetylacetonate is used, ZnO is produced by a CVD method under normal pressure.
This is because a film can be formed. As a Zn organic compound containing no halogen, for example, dimethyl zinc, diethyl zinc, and the like exist, but when these are used as a chemical source, it is necessary to use a reduced pressure CVD method, which makes handling and equipment complicated. Become.
【0015】また本発明においては、ZnO膜が、10
0〜900Åの膜厚を有してなることが好ましいが、そ
の理由は、膜厚が100Åより小さくなると、1×10
3 Ω/□以下の面抵抗が得難くなり、900Åより大き
くなると、パネルの表面反射が大きくなり、画像が見づ
らくなるためである。In the present invention, the ZnO film has a thickness of 10
It is preferable to have a film thickness of 0 to 900 Å because the reason is that when the film thickness is less than 100 Å, it is 1 × 10
This is because it becomes difficult to obtain a sheet resistance of 3 Ω / □ or less, and when the sheet resistance is more than 900 Å, the surface reflection of the panel becomes large and the image becomes difficult to see.
【0016】尚、パネルの表面反射を抑えるためには、
ZnO膜の上に、これより屈折率の低い反射防止膜を形
成することが有効である。反射防止膜としては、安価
で、膜強度が高く、性能が安定しているという理由か
ら、SiO2 膜が好適である。SiO2 膜の屈折率は、
1.46であり、ZnO膜の屈折率よりも低いため、光
の干渉効果によって反射を抑えることが可能となる。こ
のSiO2 膜の形成方法は、スピンコート法、ディップ
コート法、スプレーコート法のいずれかが適しており、
また膜厚としては、500〜1500Åの範囲が、光の
干渉効果による表面反射を最も低くできるため好まし
い。In order to suppress the surface reflection of the panel,
It is effective to form an antireflection film having a lower refractive index than the ZnO film. As the antireflection film, a SiO 2 film is preferable because it is inexpensive, has high film strength, and has stable performance. The refractive index of the SiO 2 film is
Since it is 1.46, which is lower than the refractive index of the ZnO film, it is possible to suppress reflection due to the light interference effect. As a method for forming this SiO 2 film, any one of a spin coating method, a dip coating method and a spray coating method is suitable.
Further, the film thickness is preferably in the range of 500 to 1500Å because the surface reflection due to the interference effect of light can be minimized.
【0017】さらにこのような反射防止膜の上に、微細
な凹凸を有するSiO2 膜を形成することによって外部
から光線が照射された際に、拡散反射が大きくなり、逆
に正反射が小さくなり、優れた防眩効果を得ることも可
能である。このようなSiO2 膜は、スプレーコート法
によって形成することができる。Further, by forming a SiO 2 film having fine irregularities on such an antireflection film, diffuse reflection becomes large and conversely reflection becomes small when a light ray is irradiated from the outside. It is also possible to obtain an excellent antiglare effect. Such a SiO 2 film can be formed by a spray coating method.
【0018】[0018]
【実施例】以下、実施例及び比較例に基づいて本発明の
陰極線管用パネルの製造方法を詳細に説明する。EXAMPLES Hereinafter, a method of manufacturing a cathode ray tube panel of the present invention will be described in detail based on Examples and Comparative Examples.
【0019】(実施例1)図1は、本発明の方法によっ
て製造された実施例の陰極線管用パネル1を示す概略縦
断面図である。(Embodiment 1) FIG. 1 is a schematic vertical sectional view showing a panel 1 for a cathode ray tube of an embodiment manufactured by the method of the present invention.
【0020】このパネルガラス(屈折率1.536)1
0の外表面には、270Åの膜厚を有するZnO膜(屈
折率2.0)11が形成されている。This panel glass (refractive index 1.536) 1
On the outer surface of 0, a ZnO film (refractive index 2.0) 11 having a film thickness of 270 Å is formed.
【0021】この陰極線管用パネル1は、まずパネルガ
ラス10を約450℃に予熱しておき、その外表面に亜
鉛アセチルアセトネートの蒸気を吹き付け、常圧のCV
D法によってZnO膜11を形成することによって製造
した。In this cathode ray tube panel 1, first, the panel glass 10 is preheated to about 450 ° C., and zinc acetylacetonate vapor is sprayed on the outer surface of the panel glass 10 to obtain a CV under normal pressure.
It was manufactured by forming the ZnO film 11 by the D method.
【0022】こうして得られた陰極線管用パネル1の面
抵抗を測定したところ、3×102Ω/□であり、優れ
た電磁波遮蔽性を備えていた。The sheet resistance of the thus obtained panel 1 for cathode ray tube was measured and found to be 3 × 10 2 Ω / □, which was excellent in electromagnetic wave shielding property.
【0023】(実施例2)図2は、本発明の方法によっ
て製造された他の実施例の陰極線管用パネル2を示す概
略縦断面図である。(Embodiment 2) FIG. 2 is a schematic vertical sectional view showing a cathode ray tube panel 2 of another embodiment manufactured by the method of the present invention.
【0024】このパネルガラス(屈折率1.536)2
0の外表面には、270Åの膜厚を有するZnO膜(屈
折率2.0)21が形成され、その上に、1000Åの
膜厚を有するSiO2 膜(屈折率1.46)22が形成
され、さらにその上に、微細な凹凸を有するSiO2 膜
(屈折率1.46)23が形成されている。This panel glass (refractive index 1.536) 2
A ZnO film (refractive index 2.0) 21 having a film thickness of 270Å is formed on the outer surface of 0, and a SiO 2 film (refractive index 1.46) 22 having a film thickness of 1000Å is formed thereon. Further, a SiO 2 film (refractive index 1.46) 23 having fine irregularities is formed thereon.
【0025】この陰極線管用パネル2は、次のようにし
て作製した。The cathode ray tube panel 2 was manufactured as follows.
【0026】まずパネルガラス20を約450℃に予熱
しておき、その外表面に、亜鉛アセチルアセトネートの
蒸気を吹き付け、常圧のCVD法によってZnO膜21
を形成した。次いでこのパネルガラス20を約30℃に
予熱した状態で、回転させながら、ZnO膜21のほぼ
中央に、SiO2 含有のアルコール溶液を滴下し、これ
を自然乾燥させた後、焼成することによってSiO2 膜
22を形成した。次いでSiO2 膜22の上に、SiO
2 を含むエタノール溶液をスプレーコート法により吹き
付けることによって、微細な凹凸を有するSiO2 膜2
3を形成した。First, the panel glass 20 is preheated to about 450 ° C., zinc acetylacetonate vapor is sprayed on the outer surface of the panel glass 20, and the ZnO film 21 is formed by the atmospheric pressure CVD method.
Was formed. Next, while the panel glass 20 is preheated to about 30 ° C., while being rotated, a SiO 2 -containing alcohol solution is dripped almost at the center of the ZnO film 21, and naturally dried and then baked to obtain SiO 2. Two films 22 were formed. Then, on the SiO 2 film 22, SiO
By spraying an ethanol solution containing 2 by a spray coating method, a SiO 2 film 2 having fine irregularities is formed.
3 was formed.
【0027】こうして作製した陰極線管用パネル2の面
抵抗を測定したところ、3×102Ω/□であり、これ
も優れた電磁波遮蔽性を備えていた。The sheet resistance of the cathode ray tube panel 2 thus produced was measured and found to be 3 × 10 2 Ω / □, which also had an excellent electromagnetic wave shielding property.
【0028】またこの陰極線管用パネル2と、外表面側
に何らの膜も形成していない陰極線管用パネル(比較
例)について、400〜700nmの波長における反射
率を測定し、その結果を図3に示した。Further, with respect to the cathode ray tube panel 2 and the cathode ray tube panel (comparative example) in which no film was formed on the outer surface side, the reflectance at a wavelength of 400 to 700 nm was measured, and the result is shown in FIG. Indicated.
【0029】図3から明らかなように、実施例2の陰極
線管用パネルは、広い波長域にわたって低い反射率を有
し、優れた反射防止性を備えているが、比較例の陰極線
管用パネルは、全ての波長域にわたって4.5%付近の
高い反射率を有していた。As is apparent from FIG. 3, the cathode ray tube panel of Example 2 has a low reflectance over a wide wavelength range and excellent antireflection properties, but the cathode ray tube panel of the comparative example is It had a high reflectance around 4.5% over the entire wavelength range.
【0030】[0030]
【発明の効果】以上のように本発明の方法によって製造
された陰極線管用パネルは、優れた電磁波遮蔽性を有
し、しかも透明導電膜であるZnO膜と、パネルガラス
中のアルカリ成分との反応が抑制されるため、ZnO膜
の下層にSiO2 膜からなるアンダーコートを設ける必
要もない。As described above, the panel for a cathode ray tube manufactured by the method of the present invention has an excellent electromagnetic wave shielding property and a reaction between a ZnO film which is a transparent conductive film and an alkaline component in the panel glass. Since it is suppressed, it is not necessary to provide an undercoat made of a SiO 2 film under the ZnO film.
【0031】しかも本発明においては、ZnO膜の上
に、SiO2 等の低屈折率材料からなる膜を形成するこ
とによって、反射防止性を付与したり、さらにその上に
微細な凹凸を有するSiO2 膜を形成することによって
防眩効果を付与することが可能である。Further, in the present invention, by forming a film made of a low refractive index material such as SiO 2 on the ZnO film, antireflection property is imparted, and further, SiO having fine irregularities is formed thereon. By forming two films, it is possible to impart an antiglare effect.
【図1】実施例の陰極線管用パネルを示す概略縦断面図
である。FIG. 1 is a schematic vertical sectional view showing a cathode ray tube panel of an example.
【図2】他の実施例の陰極線管用パネルを示す概略縦断
面図である。FIG. 2 is a schematic vertical sectional view showing a panel for a cathode ray tube of another embodiment.
【図3】実施例2と比較例の陰極線管用パネルの反射率
を示すグラフである。FIG. 3 is a graph showing the reflectance of the cathode ray tube panels of Example 2 and Comparative Example.
1、2 陰極線管用パネル 10、20 パネルガラス 11、21 ZnO膜 22 SiO2 膜 23 微細な凹凸を有するSiO2 膜1, 2 Cathode ray tube panel 10, 20 Panel glass 11, 21 ZnO film 22 SiO 2 film 23 SiO 2 film having fine irregularities
Claims (3)
ないZn有機化合物を使用し、CVD法によって外表面
にZnO膜を形成することを特徴とする陰極線管用パネ
ルの製造方法。1. A method of manufacturing a panel for a cathode ray tube, which comprises using a halogen-free Zn organic compound as a chemical source and forming a ZnO film on the outer surface by a CVD method.
亜鉛アセチルアセトネートであることを特徴とする請求
項1の陰極線管用パネルの製造方法。2. A halogen-free Zn organic compound,
It is zinc acetylacetonate, The manufacturing method of the panel for cathode ray tubes of Claim 1 characterized by the above-mentioned.
有してなることを特徴とする請求項1の陰極線管用パネ
ルの製造方法。3. The method for manufacturing a cathode ray tube panel according to claim 1, wherein the ZnO film has a film thickness of 100 to 900 Å.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23349495A JPH0963478A (en) | 1995-08-17 | 1995-08-17 | Manufacture of panel for cathode-ray tube |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23349495A JPH0963478A (en) | 1995-08-17 | 1995-08-17 | Manufacture of panel for cathode-ray tube |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0963478A true JPH0963478A (en) | 1997-03-07 |
Family
ID=16955903
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23349495A Pending JPH0963478A (en) | 1995-08-17 | 1995-08-17 | Manufacture of panel for cathode-ray tube |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0963478A (en) |
-
1995
- 1995-08-17 JP JP23349495A patent/JPH0963478A/en active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4563612A (en) | Cathode-ray tube having antistatic silicate glare-reducing coating | |
US5523649A (en) | Multilayer antireflective coating for video display panel | |
EP0626718B1 (en) | Display comprising an anti-reflection film,cathode-ray tube and liquid crystal display | |
US5652477A (en) | Multilayer antistatic/antireflective coating for display device | |
US5572086A (en) | Broadband antireflective and antistatic coating for CRT | |
US20020071903A1 (en) | Method for preparing transparent conductive thin film by rapid thermal annealing method | |
KR100363770B1 (en) | Antistatic and antireflective coating for video display panel | |
KR20010041423A (en) | Light-transmissive substrate having a light-transmissive, low-ohmic coating | |
JPH0963478A (en) | Manufacture of panel for cathode-ray tube | |
JPH0950775A (en) | Panel for cathode-ray tube | |
JPH087796A (en) | Panel for cathode-ray tube | |
KR950003458B1 (en) | Flat crt manufacturing method | |
US6638566B1 (en) | Method of manufacturing an electroconductive antireflection film and a glass faceplate with the antireflection film formed thereon | |
CN1307688A (en) | Glass product with conductive antireflection film and cathode ray tube using it | |
JPH1064453A (en) | Coating for display device | |
JP2861716B2 (en) | Transparent electrode, method for manufacturing the same, and apparatus for applying the same | |
JPH1097833A (en) | Panel for cathode-ray tube | |
JPH06119888A (en) | Panel for cathode-ray tube | |
US6323592B1 (en) | Cathode ray tube and method of manufacturing conductive antireflection film | |
JPH09147765A (en) | Cathode-ray tube panel | |
JP3292338B2 (en) | Panel for cathode ray tube | |
JPH0969345A (en) | Panel for cathode-ray tube | |
JPH06231704A (en) | Panel for cathode-ray tube, and its manufacture | |
JPH05182604A (en) | Cathode-ray tube | |
JPH08138580A (en) | Panel for cathode-ray tube |