JPH0954992A - Memory reading out method and device by electrostatic capacitance - Google Patents

Memory reading out method and device by electrostatic capacitance

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JPH0954992A
JPH0954992A JP7202569A JP20256995A JPH0954992A JP H0954992 A JPH0954992 A JP H0954992A JP 7202569 A JP7202569 A JP 7202569A JP 20256995 A JP20256995 A JP 20256995A JP H0954992 A JPH0954992 A JP H0954992A
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JP
Japan
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disk
contact
needle
contact needle
cantilever
Prior art date
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Application number
JP7202569A
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Japanese (ja)
Inventor
Nobuyuki Nakagiri
伸行 中桐
Hiroyuki Sugimura
博之 杉村
Takuma Yamamoto
琢磨 山本
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the surface density of data by actively controlling the contact pressure of a disk surface and a contact stylus. SOLUTION: The contact stylus 1 having a sharp tip is brought into contact with the surface of the disk 3 on which the data is previously recorded in a manner as to locally change an electrostatic capacitance and the displacement of this contact stylus 1 is measure. The contact pressure between the contact stylus 1 and the disk 3 surface is controlled from the displacement. The voltage is impressed between the contact stylus 1 and the disk 3, the position between the contact stylus 1 and the disk 3 is relatively changed and the electrostatic capacitance between the contact stylus 1 and the disk 3 is measured, by which the data recorded on the disk 3 is read.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ビデオディスクなどの
記録読みだし装置及び方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a recording / reading apparatus and method for a video disc or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】静電容量を用いたメモリーの読みだし
は、ビデオディスクに採用されている。この方法を用い
たRCAのCEDシステム、JVCのVHDシステムで
は、接触針を用いてディスク面に記録された凹凸を静電
容量変化として検出する方式である。接触針はスタイラ
スと呼ばれ、ダイヤモンドあるいはサファイヤの探針前
面部に金属電極を持つ。電極の厚さは100から200
nmで、幅は1000から2500nmである。
2. Description of the Related Art Reading of a memory using capacitance is adopted in a video disc. In the RCA CED system and the JVC VHD system using this method, the unevenness recorded on the disk surface is detected as a capacitance change using a contact needle. The contact needle is called a stylus and has a metal electrode on the front surface of the probe of diamond or sapphire. The electrode thickness is 100 to 200
In nm, the width is 1000 to 2500 nm.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来技術は、ディスク表面と接触針との接触圧はアク
ティブに制御されていないために接触圧を軽減するには
限界があるため、ディスク表面を傷つけてしまう等の問
題点がある。また、記録及び再生に際してデータの面密
度は電極の大きさで制限されているが、電極が大きいた
め、データの面密度が悪いという問題点がある。
However, in the above-mentioned prior art, since the contact pressure between the disk surface and the contact needle is not actively controlled, there is a limit to reducing the contact pressure. There are problems such as damage. Further, the surface density of data is limited by the size of the electrode during recording and reproduction, but there is a problem that the surface density of data is poor because the electrode is large.

【0004】本発明は上記問題点を鑑みて成されたもの
であり、接触針とディスク表面との接触圧をアクティブ
に制御し、データの面密度を向上させることの可能なメ
モリー読み出し方法及び読み出し装置を提供することを
目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and a memory reading method and a reading method capable of actively controlling the contact pressure between the contact needle and the disk surface to improve the surface density of data. The purpose is to provide a device.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】そのため、本発明のメモ
リー読み出し方法は、予め静電容量が局所的に変化する
ようにデータが記録されたディスク上に先端の鋭い接触
針を接触させ、接触針の変位量を計測し、変位量から接
触針とディスク表面との間の接触圧を制御し、接触針と
ディスクとの間に電圧を印加し、接触針とディスクとの
位置を相対的に変化させ、接触針とディスクとの間の静
電容量を測定することによって、ディスク上に記録され
たデータを読み取る(請求項1)。
Therefore, in the memory reading method of the present invention, a contact needle having a sharp tip is brought into contact with a disk on which data is recorded so that the capacitance locally changes beforehand, and the contact needle is contacted. The displacement amount of the contact needle and the disk surface is controlled from the displacement amount, a voltage is applied between the contact needle and the disk, and the positions of the contact needle and the disk are relatively changed. Then, the data recorded on the disc is read by measuring the electrostatic capacitance between the contact needle and the disc (claim 1).

【0006】また、この場合(請求項1)に、ディスク
は電気的特性の異なる材質が局所的に設けられており、
データの記録は材質の有無によって記録されていること
は好ましい(請求項2)。また、本発明のメモリー読み
出し装置は、接触針を有するカンチレバーと、カンチレ
バーの撓み量を検出する検出手段と、カンチレバーの撓
み量から接触針とディスクとの間の接触圧力を制御する
制御手段と、接触針とディスクとの間に電圧を印加する
電圧印加手段と、接触針とディスクとの間の静電容量を
計測する静電容量センサーと、接触針とディスクとの位
置を相対的に移動させる駆動系と、を有する(請求項
3)。
In this case (Claim 1), the disc is locally provided with materials having different electrical characteristics,
It is preferable that the data is recorded depending on the presence or absence of the material (claim 2). Further, the memory reading device of the present invention, a cantilever having a contact needle, a detecting means for detecting the amount of bending of the cantilever, a control means for controlling the contact pressure between the contact needle and the disk from the amount of bending of the cantilever, A voltage applying unit that applies a voltage between the contact needle and the disk, a capacitance sensor that measures the electrostatic capacitance between the contact needle and the disk, and the positions of the contact needle and the disk are relatively moved. And a drive system (claim 3).

【0007】[0007]

【作用】図1に示すような先端のRが100nm程度あ
るいはそれ以下の探針1を有する1mm以下の長さのカ
ンチレバー2を使用する。これにより10-6ニュートン
あるいはそれ以下の接触圧が容易に達成できる。この探
針付きカンチレバー2の探針1をディスク3表面に接触
させ、カンチレバー2にレーザー光を照射し、その反射
光を2分割ホトディテクター4で検出する。これにより
カンチレバー2の変位が検出される。この変位とカンチ
レバー2のバネ定数から接触圧が得られる。所定の接触
圧を保持するためにカンチレバー2をディスク3に対し
て相対的に接近あるいは遠ざける。このレーザー光を用
いたカンチレバーの変位計測は原子間力顕微鏡に用いら
れており、光てこ法として知られている。
A cantilever 2 having a length of 1 mm or less having a probe 1 having an R at the tip of about 100 nm or less as shown in FIG. 1 is used. As a result, a contact pressure of 10 −6 Newton or less can be easily achieved. The probe 1 of this cantilever 2 with a probe is brought into contact with the surface of the disk 3, the cantilever 2 is irradiated with laser light, and the reflected light is detected by the two-split photodetector 4. Thereby, the displacement of the cantilever 2 is detected. The contact pressure can be obtained from this displacement and the spring constant of the cantilever 2. The cantilever 2 is moved toward or away from the disk 3 in order to maintain a predetermined contact pressure. This cantilever displacement measurement using laser light is used in an atomic force microscope and is known as an optical lever method.

【0008】ディスク3と接触針1との間の静電容量が
ディスクの表面の場所により異なるように、例えば図2
のようなディスクを採用する。このディスクは金属ある
いは半導体の基板5上に絶縁物6が形成されている。こ
の絶縁膜6は基板5と接触針1との間の距離を変化させ
ることにより基板5と接触針1との間の静電容量を規定
する。また、この絶縁膜6はディスクに記録されたデー
タを保護する役目も果たす。さらに絶縁膜6の表面を平
坦に仕上げれば、接触針1とディスク3との相対運動を
も円滑にする。
The capacitance between the disk 3 and the contact needle 1 varies depending on the location on the surface of the disk, as shown in FIG.
Adopt a disc like. In this disk, an insulator 6 is formed on a metal or semiconductor substrate 5. The insulating film 6 defines the capacitance between the substrate 5 and the contact needle 1 by changing the distance between the substrate 5 and the contact needle 1. The insulating film 6 also serves to protect the data recorded on the disc. Further, if the surface of the insulating film 6 is finished to be flat, the relative movement between the contact needle 1 and the disk 3 is also smoothed.

【0009】図2のディスクにおいて、図3に示すよう
な位置Aと位置Bでは、接触針とディスクとの間の静電
容量が異なる。この静電容量を計測することにより、デ
ィスクからデータを読みだすことが可能となる。ディス
クへの記録方法は、他にも様々な方法が可能である。図
4にいくつかの可能な記録方式を示した。
In the disk of FIG. 2, the electrostatic capacitance between the contact needle and the disk is different between position A and position B as shown in FIG. By measuring this electrostatic capacitance, it becomes possible to read data from the disk. Various other methods can be used for recording on the disc. FIG. 4 shows some possible recording methods.

【0010】図4(a)は、半導体基板上に形成される
絶縁膜8、9の材料が異なる。従って、絶縁膜8、9の
膜厚は同じであるが、それぞれの誘電率が異なることに
よって接触針1とシリコン基板7との間の静電容量を変
化させることができる。具体的には、例えば、絶縁膜8
はSi34からなり、絶縁膜9はBaTiO3からな
る。
In FIG. 4A, the materials of the insulating films 8 and 9 formed on the semiconductor substrate are different. Therefore, although the insulating films 8 and 9 have the same film thickness, the capacitance between the contact needle 1 and the silicon substrate 7 can be changed by the different dielectric constants. Specifically, for example, the insulating film 8
Is made of Si 3 N 4 , and the insulating film 9 is made of BaTiO 3 .

【0011】図4(b)は、シリコン基板10上にSi
2からなる絶縁膜11を形成し、更に、絶縁膜11中
には金属膜12が形成されている。この金属膜12の有
無によりデータが記録される。図4(c)は、シリコン
基板13内に不純物をドーピングした領域15が形成さ
れ、更に、シリコン基板13及び領域15上に絶縁膜1
4が形成されている。つまり、領域15の有無によって
データは記録される。
FIG. 4B shows that Si is formed on the silicon substrate 10.
An insulating film 11 made of O 2 is formed, and a metal film 12 is formed in the insulating film 11. Data is recorded depending on the presence or absence of the metal film 12. In FIG. 4C, an impurity-doped region 15 is formed in the silicon substrate 13, and the insulating film 1 is formed on the silicon substrate 13 and the region 15.
4 are formed. That is, data is recorded depending on the presence or absence of the area 15.

【0012】図4(d)は、シリコン基板16内に金属
層18が形成され、シリコン基板16及び金属層18上
に絶縁膜17が形成されている。従って、金属層18の
有無によってデータは記録される。
In FIG. 4D, the metal layer 18 is formed in the silicon substrate 16, and the insulating film 17 is formed on the silicon substrate 16 and the metal layer 18. Therefore, data is recorded depending on the presence or absence of the metal layer 18.

【0013】[0013]

【実施例】以下、実施例により本発明をより具体的に説
明するが、本発明はこれに限るものではない。図5は、
静電容量によるディスク読みだしの実施に使用した装置
を示すブロック図である。
The present invention will be described in more detail with reference to the following examples, but the present invention is not limited thereto. FIG.
FIG. 3 is a block diagram showing an apparatus used for performing disk reading by capacitance.

【0014】この実施例ではdC/dVをシグナルとし
て使用した。交流電圧源29及び直流電圧源30により
100kHzで振幅1Vの三角波を発生させ、この三角
波を試料台25を介してディスク24に印可した。接触
針23とディスク24との間の静電容量は容量センサー
28で検出し、ノイズを低減するためのバンドパスフィ
ルター(不図示)を通した後、交流電圧源29で発生さ
せた三角波を参照信号として制御装置31内に配置され
るロックインアンプで信号強度を計測し、ロックインア
ンプからの出力をA/Dコンバータでデジタル信号にし
てパーソナルコンピュータ32でデータとして取り込ん
だ。
In this example, dC / dV was used as the signal. A triangular wave having an amplitude of 1 V was generated at 100 kHz by the AC voltage source 29 and the DC voltage source 30, and this triangular wave was applied to the disk 24 via the sample table 25. The capacitance between the contact needle 23 and the disk 24 is detected by the capacitance sensor 28, and after passing through a bandpass filter (not shown) for reducing noise, refer to the triangular wave generated by the AC voltage source 29. The signal strength was measured by a lock-in amplifier arranged in the control device 31 as a signal, and the output from the lock-in amplifier was converted into a digital signal by the A / D converter and captured by the personal computer 32 as data.

【0015】カンチレバーの変位は光てこ法を用いて検
出する。レーザ光源17から出射した光はカンチレバー
22で反射されて2分割フォトディテクター20に入射
する。個々のフォトディテクターからの出力は処理装置
21内に配置されるI/Vアンプで電圧に変換された
後、同様に処理装置21内に配置される差動アンプによ
り2分割フォトデテクターの個々の出力差を得る。この
信号は制御装置31に入力され、この信号に基づいて制
御装置31は3次元アクチュエータ26のZ方向の駆動
を制御するための信号を駆動源27に入力する。これに
よりカンチレバー22の変位を一定に保つフィードバッ
ク系が構成される。カンチレバー22の変位を一定に保
つのは、アクチュエータ26によりディスク24をカン
チレバーに対して接近あるいは遠ざける方向に移動させ
ることにより実現される。この際に、処理装置21から
制御装置31に入力される信号をコンピュータ32に取
り込むことによって、ディスクの表面形状も同時に測定
することができる。
The displacement of the cantilever is detected by using the optical lever method. The light emitted from the laser light source 17 is reflected by the cantilever 22 and enters the two-divided photodetector 20. The output from each photodetector is converted into a voltage by an I / V amplifier arranged in the processing device 21, and then each output of the two-divided photodetector is converted by a differential amplifier also arranged in the processing device 21. Get the difference. This signal is input to the control device 31, and based on this signal, the control device 31 inputs a signal for controlling the driving of the three-dimensional actuator 26 in the Z direction to the drive source 27. This constitutes a feedback system that keeps the displacement of the cantilever 22 constant. Keeping the displacement of the cantilever 22 constant is realized by moving the disk 24 in a direction toward or away from the cantilever by the actuator 26. At this time, the surface shape of the disk can be measured at the same time by capturing the signal input from the processing device 21 to the control device 31 into the computer 32.

【0016】尚、本実施例ではディスク24表面に対し
てカンチレバー22が互いに直行する独立な2方向に移
動させることができるように、ディスク24をXY方向
(X、Yはそれぞれ直交し、ディスク平面に軸を有す
る)に移動させるための2つの独立な信号が制御装置3
1から駆動電圧源27に入力される。図6に実施例にお
いて使用したディスクの断面図を模式的に示したもので
ある。リソグラフィー技術を用いてシリコン基板33上
に1ミクロンの繰り返しのドットを厚さ2nmのNiC
r34で形成したのち、スパッタリング蒸着により酸化
シリコンを厚さ50nmつけた。尚、シリコン基板33
の裏面には不図示であるが、電極とするため、NiCr
を蒸着したのちに、金を蒸着した。この膜の厚みは任意
である。
In this embodiment, the disk 24 is moved in two independent directions in which the cantilevers 22 are orthogonal to the surface of the disk 24. 2 independent signals for moving the controller 3
1 is input to the driving voltage source 27. FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of the disc used in the example. Using a lithographic technique, 1 micron repeated dots are formed on a silicon substrate 33 with a thickness of 2 nm of NiC.
After forming with r34, silicon oxide was applied to a thickness of 50 nm by sputtering vapor deposition. The silicon substrate 33
Although not shown on the back surface of the
Was vapor-deposited, and then gold was vapor-deposited. The thickness of this film is arbitrary.

【0017】このディスクを用いてdC/dVを計測す
ると、接触針がNiCr34の上にある場合バイアス電
圧依存が見られなかった。これに対し、接触針がNiC
rが無い場所においてはバイアス依存が観測された。信
号の差はバイアス電圧が4V付近と−1V付近で大き
く、これを模式的に示すと図6(b),(c)になる。
バイアスが4Vと−1Vで異なるのは基板のシリコンの
影響と考えられる。 ディスク面に記録するドットのサ
イズは0.1ミクロンあるいはさらに小さくすることが
可能で記録面密度が飛躍的に向上する。また、ディスク
表面の凹凸情報と組み合わせればさらに情報量が増加す
る。更に、本実施例で用いたディスクは表面が絶縁膜で
覆われているため、傷等の外乱に対して安定する。
When dC / dV was measured using this disk, no bias voltage dependency was observed when the contact needle was on NiCr34. In contrast, the contact needle is NiC
Bias dependence was observed in the absence of r. The signal difference is large when the bias voltage is around 4 V and around -1 V, and is schematically shown in FIGS. 6B and 6C.
The difference in bias between 4V and -1V is considered to be due to the silicon of the substrate. The size of the dots recorded on the disk surface can be reduced to 0.1 micron or smaller, and the recording surface density is dramatically improved. Further, the amount of information is further increased by combining it with the unevenness information on the disc surface. Furthermore, since the surface of the disk used in this example is covered with an insulating film, it is stable against external disturbance such as scratches.

【0018】[0018]

【発明の効果】以上のように、本発明は、接触針とディ
スク表面との接触圧をアクティブに制御することが可能
となり、また、先端の鋭い接触針を用いることによっ
て、データの面密度を向上させることが可能となる。
As described above, according to the present invention, the contact pressure between the contact needle and the disk surface can be actively controlled, and by using the contact needle having a sharp tip, the surface density of data can be improved. It is possible to improve.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】接触針付きカンチレバーとディスクを示す概略
構成図である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a cantilever with a contact needle and a disc.

【図2】ディスクの概略構成図である。FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a disc.

【図3】ディスクの情報読みだしの原理を示す概略図で
ある。
FIG. 3 is a schematic diagram showing the principle of reading information from a disc.

【図4】いくつかの情報記録方法を示す概略図である。FIG. 4 is a schematic diagram showing some information recording methods.

【図5】読みだし装置の概略ブロック図である。FIG. 5 is a schematic block diagram of a reading device.

【図6】実施例で用いたディスクの概略図と得られた信
号。
FIG. 6 is a schematic view of the disc used in the example and the obtained signal.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、23・・・接触針 2、22・・・カンチレバー 3、24・・・ディスク 4、20・・・2分割フォトディテクタ 5、7、10、13、16・・・基板 6、8、9、11、14、17・・・絶縁膜 19・・・レーザ 21・・・処理装置 25・・・試料台 26・・・3次元アクチュエータ 27・・・駆動電圧源 28・・・静電容量センサ 29・・・交流電圧源 30・・・直流電圧源 31・・・制御装置 32・・・コンピュータ 1, 23 ... Contact needle 2, 22 ... Cantilever 3, 24 ... Disk 4, 20, ... Two-divided photodetector 5, 7, 10, 13, 16 ... Substrate 6, 8, 9, 11, 14, 17 ... Insulating film 19 ... Laser 21 ... Processing device 25 ... Sample stage 26 ... Three-dimensional actuator 27 ... Driving voltage source 28 ... Capacitance sensor 29・ ・ ・ AC voltage source 30 ・ ・ ・ DC voltage source 31 ・ ・ ・ Control device 32 ・ ・ ・ Computer

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】予め静電容量が局所的に変化するようにデ
ータを記録されたディスク上に先端の鋭い接触針を接触
させ、 前記接触針の変位量を計測し、 前記変位量から前記接触針とディスク表面との間の接触
圧を制御し、 前記接触針とディスクとの間に電圧を印加し、 前記接触針とディスクとの位置を相対的に変化させ、 前記接触針と前記ディスクとの間の静電容量を測定する
ことによって、前記ディスク上に記録されたデータを読
み取るメモリー読み出し方法。
1. A contact needle having a sharp tip is brought into contact with a disk on which data is recorded so that the electrostatic capacitance locally changes, and the displacement of the contact needle is measured. The contact pressure between the needle and the disk surface is controlled, a voltage is applied between the contact needle and the disk, the positions of the contact needle and the disk are relatively changed, and the contact needle and the disk are A memory read method for reading the data recorded on the disk by measuring the capacitance between the two.
【請求項2】前記ディスクは電気的特性の異なる材質が
局所的に設けられており、前記データの記録は前記材質
の有無によって記録されていることを特徴とする請求項
1に記載の方法。
2. The method according to claim 1, wherein the discs are locally provided with materials having different electrical characteristics, and the data is recorded depending on the presence or absence of the material.
【請求項3】接触針を有するカンチレバーと、 前記カンチレバーの撓み量を検出する検出手段と、 前記カンチレバーの撓み量から前記接触針とディスクと
の間の接触圧力を制御する制御手段と、 前記接触針とディスクとの間に電圧を印加する電圧印加
手段と、 接触針とディスクとの間の静電容量を計測する静電容量
センサーと、 接触針とディスクとの位置を相対的に移動させる駆動系
と、を有することを特徴とするメモリー読みだし装置。
3. A cantilever having a contact needle, detection means for detecting the amount of bending of the cantilever, control means for controlling the contact pressure between the contact needle and the disk based on the amount of bending of the cantilever, and the contact. Voltage applying means for applying a voltage between the needle and the disc, a capacitance sensor for measuring the capacitance between the contact needle and the disc, and a drive for relatively moving the positions of the contact needle and the disc A memory reading device having a system.
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