JPH0952721A - Formation of protective film of die - Google Patents

Formation of protective film of die

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JPH0952721A
JPH0952721A JP22965195A JP22965195A JPH0952721A JP H0952721 A JPH0952721 A JP H0952721A JP 22965195 A JP22965195 A JP 22965195A JP 22965195 A JP22965195 A JP 22965195A JP H0952721 A JPH0952721 A JP H0952721A
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JP
Japan
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film
die
protective film
diamond
forming
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JP22965195A
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Shinji Watanabe
伸二 渡辺
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Sony Corp
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    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B11/00Pressing molten glass or performed glass reheated to equivalent low viscosity without blowing
    • C03B11/06Construction of plunger or mould
    • C03B11/08Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses
    • C03B11/084Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses material composition or material properties of press dies therefor
    • C03B11/086Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses material composition or material properties of press dies therefor of coated dies
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2215/00Press-moulding glass
    • C03B2215/02Press-mould materials
    • C03B2215/08Coated press-mould dies
    • C03B2215/10Die base materials
    • C03B2215/12Ceramics or cermets, e.g. cemented WC, Al2O3 or TiC
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2215/00Press-moulding glass
    • C03B2215/02Press-mould materials
    • C03B2215/08Coated press-mould dies
    • C03B2215/14Die top coat materials, e.g. materials for the glass-contacting layers
    • C03B2215/24Carbon, e.g. diamond, graphite, amorphous carbon

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the durability of a die of non-porous silicon carbide ceramics held on a holder by inducing negative DC potential in this die and chemically depositing a diamond-like carbon film by evaporation on the forming die. SOLUTION: The die 5 of the non-porous silicon carbide ceramics is held on the holder 3 arranged in a vacuum chamber 2. After the inside of this chamber 2 is evacuated to vacuum, gaseous raw materials are introduced and a high-frequency voltage is impressed on the holder 3 from a high-frequency power source 4 to induce the DC voltage of 600 to 1000V. Next, the die 5 is irradiated with the plasma P generated by a plasma generating source 1 to form the protective film consisting of the diamond-like carbon film of a film thickness of 0.02 to 0.1μm on the surface of the die 5.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ガラスプレスレン
ズのような成形対象物を成形するための成形型の保護膜
形成方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a protective film on a molding die for molding a molding object such as a glass press lens.

【0002】[0002]

【従来の技術】ガラス製の光学素子、たとえばガラス製
のプリズムは、ガラスプレス成形型を用いて成形するこ
とがある。この成形型の保護膜としては、ダイアモンド
ライクカーボン(DLC;Diamond Like
Carbon)膜が用いられる。このダイアモンドライ
クカーボンは、貴金属系の保護膜が誘着しやすいランタ
ン系硝材に対しても誘着防止効果が高い等の利点があ
る。
2. Description of the Related Art An optical element made of glass, for example, a prism made of glass, may be molded by using a glass press mold. As a protective film of this molding die, Diamond Like Carbon (DLC; Diamond Like)
Carbon) membrane is used. This diamond-like carbon has an advantage that it has a high effect of preventing attraction even to a lanthanum glass material to which a precious metal-based protective film tends to attract.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
ダイアモンドライクカーボンは、適当な成形型用の材
料、たとえば超硬合金(WC)、アルミナ(Al
2 3 )、サイアロン等との密着力が弱く、ダイアモン
ドライクカーボン膜が剥離しやすく、結果として成形型
の耐久性が低くなってしまうという欠点がある。このこ
とは、特にエッジ形状(尖った形状)部分を持つ成形型
においては顕著であり、このようなエッジを起点とした
膜の剥離現象を抑制することが課題となっている。ダイ
アモンドライクカーボン膜に比較的適した型の材料とし
ては、多孔質の炭化珪素(SiC)があるが、一般的に
多孔質の炭化珪素は研磨しても面粗度の限界が低く光学
鏡面が得られない。このために、材料の全面もしくは機
能面に対してCVD−SiC層(化学的蒸着法による炭
化珪素層)を成長させて、その表面のポア(孔)を塞ぐ
等の対策を施しているが、コスト的に問題であり形状の
自由度も小さい。そこで本発明は上記課題を解消するた
めになされたものであり、成形型の耐久性を向上するこ
とができる成形型の保護膜形成方法を提供することを目
的としている。
However, such a diamond-like carbon is a suitable material for a molding die such as cemented carbide (WC) or alumina (Al).
2 O 3 ), sialon, etc. have weak adhesion, the diamond-like carbon film is easily peeled off, and as a result, the durability of the molding die is reduced. This is particularly remarkable in a mold having an edge shape (pointed shape) portion, and it is a problem to suppress such a film peeling phenomenon starting from an edge. Porous silicon carbide (SiC) is a type of material that is relatively suitable for the diamond-like carbon film, but in general, porous silicon carbide has a low surface roughness limit even if polished, and an optical mirror surface. I can't get it. For this reason, a CVD-SiC layer (silicon carbide layer formed by a chemical vapor deposition method) is grown on the entire surface or functional surface of the material to take measures such as closing pores (pores) on the surface. This is a cost problem and the degree of freedom in shape is small. Therefore, the present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a method for forming a protective film for a molding die, which can improve the durability of the molding die.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】上記目的は、請求項1の
発明にあっては、成形対象物を成形するための成形型の
面に保護膜を形成するための成形型の保護膜形成法であ
り、無孔質の炭化珪素セラミックの成形型をホルダに保
持して、このホルダに高周波電圧を印加して負の直流電
位を誘起することにより化学的蒸着法により、保護膜で
あるダイアモンドライクカーボン膜を成形型に形成する
成形型の保護膜形成方法により、達成される。
In order to achieve the above object, according to the invention of claim 1, a method for forming a protective film on a molding die for forming a protective film on the surface of a molding die for molding an object to be molded. By holding a mold of non-porous silicon carbide ceramic in a holder and applying a high frequency voltage to the holder to induce a negative DC potential, a diamond-like protective film, which is a protective film, is formed by a chemical vapor deposition method. This is achieved by a method for forming a protective film for a molding die in which a carbon film is formed on the molding die.

【0005】本発明では、無孔質の炭化珪素セラミック
の成形型を用いており、この成形型を保持している基板
に対して高周波電圧を印加して負の直流電位を誘起する
ことにより、化学的蒸着法により保護膜であるダイアモ
ンドライクカーボンを成形型に形成または成膜するよう
にしているので、成形型から保護膜が剥れにくく、成形
型の耐久性を向上することができる。
In the present invention, a non-porous silicon carbide ceramic molding die is used, and by applying a high frequency voltage to the substrate holding the molding die to induce a negative DC potential, Since the diamond-like carbon, which is the protective film, is formed or formed on the mold by the chemical vapor deposition method, the protective film is unlikely to peel off from the mold, and the durability of the mold can be improved.

【0006】[0006]

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述
べる実施の形態は、本発明の好適な具体例であるから、
技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明
の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨
の記載がない限り、これらの形態に限られるものではな
い。
Preferred embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. Note that the embodiments described below are preferred specific examples of the present invention,
Although various technically preferable limitations are given, the scope of the present invention is not limited to these modes unless otherwise specified to limit the present invention.

【0007】図1は、本発明の成形型の保護膜形成方法
を実施するための保護膜の成膜装置の一例を示してい
る。この図1の装置は、たとえばガラスプレス成形用の
成形型に対して、ダイアモンドライクカーボン膜を保護
膜としてコーティングするための装置である。図1にお
いて、この成膜装置は、プラズマ発生源1、真空チャン
バー2、ホルダ3、高周波電源(RF電源ともいう)4
等を有している。プラズマ発生源1は、原料ガスである
エチレンをECR条件によりプラズマPにする装置であ
り、このプラズマPは、反応基として成膜基板5に導か
れるようになっている。このECR(electro−
cyclotron resonance)条件とは、
マイクロ波と分子振動との共鳴であり、マイクロ波のエ
ネルギーを効率良くエチレンの分解にあて反応基を作り
出すことである。
FIG. 1 shows an example of a protective film forming apparatus for carrying out the method for forming a protective film on a mold according to the present invention. The apparatus of FIG. 1 is an apparatus for coating a diamond-like carbon film as a protective film on, for example, a mold for glass press molding. In FIG. 1, the film forming apparatus includes a plasma generation source 1, a vacuum chamber 2, a holder 3, a high frequency power source (also referred to as an RF power source) 4
Etc. The plasma generation source 1 is a device for converting ethylene, which is a raw material gas, into plasma P under ECR conditions, and the plasma P is introduced to the film formation substrate 5 as a reactive group. This ECR (electro-
The cyclotron resonance condition is
It is a resonance between microwaves and molecular vibrations, and it is to create a reactive group by efficiently applying microwave energy to the decomposition of ethylene.

【0008】真空チャンバー2の中には、上述した成膜
基板5を保持するホルダ3が収容されている。このホル
ダ3は真空チャンバー2の内部で成膜基板5を着脱可能
に保持するようになっている。ホルダ3上の成膜基板5
は、プラズマ発生源1に対面した位置にあり、ホルダ3
は高周波電源4により高周波電圧(RF電圧)が印加さ
れて、それによりホルダ3と成膜基板5には負の直流電
位を誘起し、その負の電位が帯電するようになってい
る。この負の直流電位は、600V以上1000V以下
であるのが好ましい。この負の直流電位が600Vより
小さいと、膜の密着力の低下を招くので好ましくない。
また、負の直流電位が1000Vより大きいと、DLC
膜硬度が低下したり、成膜の不均一性が増す等の点で好
ましくない。
A holder 3 for holding the above-mentioned film forming substrate 5 is housed in the vacuum chamber 2. The holder 3 detachably holds the film formation substrate 5 inside the vacuum chamber 2. Deposition substrate 5 on holder 3
Is at a position facing the plasma generation source 1, and the holder 3
A high-frequency voltage (RF voltage) is applied by the high-frequency power source 4, whereby a negative DC potential is induced in the holder 3 and the film formation substrate 5, and the negative potential is charged. This negative DC potential is preferably 600 V or more and 1000 V or less. If the negative DC potential is less than 600 V, the adhesion of the film will be reduced, which is not preferable.
If the negative DC potential is higher than 1000V, DLC
It is not preferable because the film hardness is lowered and the non-uniformity of film formation is increased.

【0009】次に、図1の成膜基板5をさらに詳しく図
3を参照して説明する。成膜基板5は、図3に示すよう
に、ホルダ3の上に設定された取付板3aと、その取付
板3aの上に着脱可能に設定される成形型20を備えて
いる。その成形型20は、たとえば成形対象物としての
光ディスク装置または光磁気ディスク装置用の光学素子
である対物レンズを成形するための凹凸を備える型であ
る。ホルダ3は、この成膜基板5を図1のプラズマ発生
源1の対応する位置に位置決めするために駆動手段30
を備えている。
Next, the film formation substrate 5 of FIG. 1 will be described in more detail with reference to FIG. As shown in FIG. 3, the film formation substrate 5 includes a mounting plate 3a set on the holder 3 and a molding die 20 detachably set on the mounting plate 3a. The molding die 20 is, for example, a mold having projections and depressions for molding an objective lens which is an optical element for an optical disk device or a magneto-optical disk device as a molding target. The holder 3 drives the film forming substrate 5 at a corresponding position of the plasma generation source 1 of FIG.
It has.

【0010】次に、図4を参照して成形型20の保護膜
であるダイアモンドライクカーボン、を図3の成形型2
0の成形面に成膜する手順について説明する。図4を参
照すると、図3のように精密加工された成形型20は、
有機溶剤で超音波洗浄される(ステップS1)。そして
超音波洗浄の後この成形型20は、専用の図3の取付板
(基板アダプタともいう)3aに取り付けて、図1の真
空チャンバー(成膜チャンバーともいう)2内に図3の
駆動手段30により送られて位置決めされる(ステップ
S2)。そして真空チャンバー2内の雰囲気が、1×1
0マイナス4乗Pa以下に真空排気した状態で(ステッ
プS3)、真空チャンバー2内を加熱する(ステップS
4)。そして図2に示すアルゴンガスをプラズマ発生源
1内に導入して、プラズマPを点火し、成形型20の表
面の汚れをエッチングにより除去し(ステップS5)、
そして引き続いてエチレンガスを導入して成形型20の
上に図5に示すようなダイアモンドライクカーボン膜5
0を成膜する(ステップS6)。そしてこの成形型20
は図1の真空チャンバー2内より取り出す(ステップS
7)。このようにして、図5に示すように成形型20の
表面20aには、ダイアモンドライクカーボン膜50が
確実に成膜される。
Next, referring to FIG. 4, the diamond-like carbon which is a protective film of the molding die 20 is used as the molding die 2 of FIG.
A procedure for forming a film on the 0 molding surface will be described. Referring to FIG. 4, the precision-molded mold 20 as shown in FIG.
Ultrasonic cleaning is performed with an organic solvent (step S1). After ultrasonic cleaning, the mold 20 is attached to a dedicated mounting plate (also referred to as a substrate adapter) 3a shown in FIG. 3, and is placed in a vacuum chamber (also referred to as a film forming chamber) 2 shown in FIG. It is sent by 30 and positioned (step S2). And the atmosphere in the vacuum chamber 2 is 1 × 1
The inside of the vacuum chamber 2 is heated in a state of being evacuated to 0 −4 Pa or less (step S3) (step S3).
4). Then, the argon gas shown in FIG. 2 is introduced into the plasma generation source 1, the plasma P is ignited, and the dirt on the surface of the molding die 20 is removed by etching (step S5).
Then, subsequently, by introducing ethylene gas, the diamond-like carbon film 5 as shown in FIG.
0 is deposited (step S6). And this mold 20
Is taken out from the vacuum chamber 2 of FIG. 1 (step S
7). In this way, the diamond-like carbon film 50 is reliably formed on the surface 20a of the molding die 20 as shown in FIG.

【0011】プラズマ発生源1からのプラズマPが反応
基として、成膜基板5の上に導かれると、成膜基板5の
上にはダイアモンドライクカーボン膜が成長するのであ
るが、このダイアモンドライクカーボン50の成膜条件
の実施例を図2に示している。図2において、成膜基板
5の温度はたとえば300℃であり、成膜基板は、無孔
質の炭化珪素(SiC)の成形型である場合に、まず先
にアルゴン放電を行い、次にエチレン放電を行う。
When the plasma P from the plasma generation source 1 is introduced as a reactive group onto the film-forming substrate 5, a diamond-like carbon film grows on the film-forming substrate 5. An example of 50 film forming conditions is shown in FIG. In FIG. 2, the temperature of the film-forming substrate 5 is, for example, 300 ° C., and when the film-forming substrate is a mold of non-porous silicon carbide (SiC), argon discharge is first performed, and then ethylene is used. Discharge.

【0012】このようにして、成膜基板5に対してダイ
アモンドライクカーボン膜を成長させた場合での、ホル
ダ3に誘起する直流電位は、たとえばおおよそ650な
いし700Vであった。この場合のダイアモンドライク
カーボン膜の膜厚は約50nmであった。ダイアモンド
ライクカーボン膜の膜厚としては、0.02μm以上で
あって0.1μm以下であることが好ましい。膜厚が
0.02μmより小さいと、DLC膜としての均一性が
悪くなり融着防止効果が下がるので好ましくない。また
膜厚が0.1μmを超えると、膜内応力の増加による密
着力の低下により剥離しやすくなるために好ましくな
い。この時エッジ部分を含む成形型20により光学素子
をプレス成形した場合には、5000ショット(sho
t)までの成形試験の場合では、ダイアモンドライクカ
ーボン膜50に変化が生じず、成膜基板5から剥離せず
成膜基板5の耐久性を確認することができた。
In this way, the DC potential induced in the holder 3 when the diamond-like carbon film was grown on the film formation substrate 5 was, for example, about 650 to 700V. The thickness of the diamond-like carbon film in this case was about 50 nm. The thickness of the diamond-like carbon film is preferably 0.02 μm or more and 0.1 μm or less. When the film thickness is less than 0.02 μm, the uniformity as a DLC film is deteriorated and the fusion preventing effect is lowered, which is not preferable. On the other hand, if the film thickness exceeds 0.1 μm, peeling is likely to occur due to a decrease in adhesion due to an increase in film stress, which is not preferable. At this time, when the optical element is press-molded by the molding die 20 including the edge portion, 5000 shots (sho
In the forming tests up to t), the diamond-like carbon film 50 did not change, and the durability of the film-forming substrate 5 could be confirmed without peeling from the film-forming substrate 5.

【0013】次に図5は、ダイアモンドライクカーボン
50で保護された成形型20により成形されたガラスプ
レス成形材料(成形対象物)60を示している。
Next, FIG. 5 shows a glass press molding material (molding object) 60 molded by the molding die 20 protected by the diamond-like carbon 50.

【0014】このように本発明の実施の形態では、無孔
質の炭化珪素セラミックの成形型を保持して、その保持
しているホルダに対して高周波電圧を印加してその直流
電位を誘起することにより、化学的蒸着法(CVD法)
により、保護膜であるダイアモンドライクカーボン膜を
成形型に形成することができる。無孔質の炭化珪素セラ
ミックにより成形型を作るので、成形型の表面を鏡面と
することができる。従って従来のような多孔質の炭化珪
素を成形型の材料として用いる場合に光学鏡面が得られ
ないのとは異なり、表面のポアを塞ぐ必要がないのでコ
ストを低減することができる。またこのような無孔質の
炭化珪素セラミックは、ダイアモンドライクカーボンの
膜剥離等により成形型としての寿命が一旦きたとして
も、その後にこの種のダイアモンドライクカーボンを酸
化雰囲気内で加熱除去して、さらに別のダイアモンドラ
イクカーボン膜を追加工することにより容易に成形型の
再生をすることができる。
As described above, in the embodiment of the present invention, a non-porous silicon carbide ceramic molding die is held, and a high-frequency voltage is applied to the holding holder to induce its DC potential. By chemical vapor deposition method (CVD method)
Thus, the diamond-like carbon film, which is a protective film, can be formed on the mold. Since the forming die is made of non-porous silicon carbide ceramic, the surface of the forming die can be a mirror surface. Therefore, unlike the conventional case where a porous silicon carbide is used as the material of the mold, an optical mirror surface cannot be obtained, and it is not necessary to close the pores on the surface, so that the cost can be reduced. In addition, even if such a non-porous silicon carbide ceramic has a life as a molding die once due to film peeling of diamond-like carbon, etc., after that, this kind of diamond-like carbon is removed by heating in an oxidizing atmosphere, By additionally processing another diamond-like carbon film, the mold can be easily regenerated.

【0015】また、成形型の寸法を補正可能な構造とす
ることでコストダウンを図っている。
Further, the cost is reduced by adopting a structure capable of correcting the dimensions of the molding die.

【0016】ところで本発明の上述した実施の形態で
は、光ディスク用対物レンズのような光学素子を成形す
る成形型に対する保護膜を形成しているが、これに限ら
ず他の分野のたとえば射出成形型に保護膜を形成するこ
とも可能である。またビデオテープレコーダのキャプス
タンやテープ等の摺動部材、あるいは切削工具等に対し
てダイアモンドライクカーボンを成膜するのにも適用で
き、それらの耐久性の向上が図れる。
By the way, in the above-described embodiment of the present invention, the protective film for the molding die for molding the optical element such as the objective lens for the optical disk is formed, but the present invention is not limited to this, and other fields such as an injection molding die are used. It is also possible to form a protective film on. Further, the invention can be applied to forming a diamond like carbon film on a sliding member such as a capstan or a tape of a video tape recorder, or a cutting tool, and the durability thereof can be improved.

【0017】[0017]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
成形型の耐久性を向上することができる。
As described above, according to the present invention,
The durability of the molding die can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の成形型の保護膜形成方法を実施するた
めの成膜装置の概略を示す図。
FIG. 1 is a view showing an outline of a film forming apparatus for carrying out a method for forming a protective film for a mold according to the present invention.

【図2】成膜条件の実施例を示す図。FIG. 2 is a diagram showing an example of film forming conditions.

【図3】成膜基板5の一例を示す図。FIG. 3 is a diagram showing an example of a film formation substrate 5.

【図4】成膜手順を示すフロー図。FIG. 4 is a flowchart showing a film forming procedure.

【図5】本発明により成膜されたダイアモンドライクカ
ーボン膜を有する成形型によりガラスプレス成形材料を
成形する状態を示す図。
FIG. 5 is a diagram showing a state where a glass press molding material is molded by a molding die having a diamond-like carbon film formed according to the present invention.

【符号の説明】 3 ホルダ 20 成形型 50 ダイアモンドライクカーボン(保護膜) 60 成形対象物[Explanation of Codes] 3 Holder 20 Mold 50 Diamond-like carbon (protective film) 60 Object

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 成形対象物を成形するための成形型の面
に保護膜を形成するための成形型の保護膜形成法であ
り、 無孔質の炭化珪素セラミックの成形型をホルダに保持し
て、 このホルダに高周波電圧を印加して負の直流電位を誘起
することにより化学的蒸着法により、保護膜であるダイ
アモンドライクカーボン膜を成形型に形成することを特
徴とする成形型の保護膜形成方法。
1. A method for forming a protective film of a molding die for forming a protective film on a surface of a molding die for molding an object to be molded, wherein a non-porous silicon carbide ceramic molding die is held in a holder. Then, a high-frequency voltage is applied to this holder to induce a negative DC potential, and a diamond-like carbon film, which is a protective film, is formed on the mold by a chemical vapor deposition method. Forming method.
【請求項2】 負の直流電位は600V以上1000V
以下である請求項1に記載の成形型の保護膜形成方法。
2. The negative DC potential is 600 V or more and 1000 V.
The method for forming a protective film for a molding die according to claim 1, wherein:
【請求項3】 ダイアモンドライクカーボン膜の膜厚
は、0.02μm以上0.1μm以下である請求項1に
記載の成形型の保護膜形成方法。
3. The method for forming a protective film for a mold according to claim 1, wherein the diamond-like carbon film has a thickness of 0.02 μm or more and 0.1 μm or less.
【請求項4】 成形型は鏡面研磨されている請求項1に
記載の成形型の保護膜形成方法。
4. The method of forming a protective film for a mold according to claim 1, wherein the mold is mirror-polished.
JP22965195A 1995-08-15 1995-08-15 Formation of protective film of die Pending JPH0952721A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1087199C (en) * 1996-12-10 2002-07-10 株式会社尼普洛 Method for washing hollow-fiber film

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CN1087199C (en) * 1996-12-10 2002-07-10 株式会社尼普洛 Method for washing hollow-fiber film

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