JPH0945265A - Color display device - Google Patents

Color display device

Info

Publication number
JPH0945265A
JPH0945265A JP19153395A JP19153395A JPH0945265A JP H0945265 A JPH0945265 A JP H0945265A JP 19153395 A JP19153395 A JP 19153395A JP 19153395 A JP19153395 A JP 19153395A JP H0945265 A JPH0945265 A JP H0945265A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphor
red
display device
panel
color
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP19153395A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tsuneo Kusuki
常夫 楠木
Katsutoshi Ono
勝利 大野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP19153395A priority Critical patent/JPH0945265A/en
Publication of JPH0945265A publication Critical patent/JPH0945265A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a low-cost color display device which enhances contrast without lowering brightness and is easy to manufacture. SOLUTION: This color display device has a transparent panel 12 and red, green, and blue phosphors, 15R, 15G, 15B, provided on the inside surface of the transparent panel 12 and made to emit red, green, and blue light by application of energy beams. A red filter 4R, composed of Fe2 O3 as main component and having a film thickness (d) of not less than 1μm and not more than 3.0μm, is mounted between the red phosphor 15R and the transparent panel 12. Desirably, the red phosphor is represented by the following general formula: A:B wherein A is Y2 O2 S, Y2 O3 , or a mixture of them and B is Eu or a mixture of Eu and Sm, the concentration [Eu] of Eu in the phosphor being not less than 0.1mol% and not more than 6.0mol%.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、たとえばカラー陰
極線管(CRT)およびカラー平面表示装置などのカラ
ー表示装置の改良に係り、さらに詳しくは、輝度および
コントラストの向上を図ることができるカラー表示装置
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an improvement in a color display device such as a color cathode ray tube (CRT) and a color flat panel display device, and more particularly to a color display device capable of improving brightness and contrast. Regarding

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、高コントラストのカラーCRTと
しては、たとえば内面に蛍光体層を有するパネルガラス
を、光透過率が40〜45%程度のダークガラスで構成
したカラーCRT、あるいは蛍光体粒子の表面にその蛍
光体の発光色と同色の顔料を付着させたいわゆる顔料付
蛍光体を用いてパネル内面に蛍光面を形成したカラーC
RT、あるいは赤(R)、緑(G)、青(B)蛍光体と
パネルガラスとの間にそれぞれの発光色にあったカラー
フィルターを設けたカラーCRTなどが知られている。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a high-contrast color CRT, for example, a panel C having a phosphor layer on its inner surface is made of dark glass having a light transmittance of about 40 to 45%, or a color CRT having phosphor particles. Color C in which a fluorescent surface is formed on the inner surface of the panel by using a so-called pigmented phosphor in which a pigment of the same color as the emission color of the phosphor is attached to the surface
There is known an RT or a color CRT in which a color filter suitable for each emission color is provided between a red (R), green (G), blue (B) phosphor and a panel glass.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで、ダークガラ
スでパネルガラスを構成したカラーCRTにおいては、
ダークガラスによって外光を吸収するため、コントラス
トを向上させることはできるが、同時に、蛍光面からの
発光もダークガラスのパネルガラスによって吸収される
ので輝度が低下する。
By the way, in the color CRT in which the panel glass is made of dark glass,
Since the dark glass absorbs external light, it is possible to improve the contrast, but at the same time, the light emitted from the fluorescent surface is also absorbed by the dark glass panel glass, so that the brightness is lowered.

【0004】また、顔料付蛍光体を用いて蛍光面を構成
したカラーCRTでは、顔料により外光を吸収するため
コントラストの向上が図られる。ところが、この場合、
蛍光体粒子が幾層(たとえば3〜4層)積み重なって蛍
光面が形成されるので、蛍光体粒子からの発光の一部が
顔料に吸収されることになり、輝度が10〜15%程度
低下する。
Further, in a color CRT having a phosphor screen formed of a pigmented phosphor, the pigment absorbs external light, so that the contrast is improved. However, in this case,
Since several layers (for example, 3 to 4 layers) of phosphor particles are stacked to form a phosphor screen, a part of light emitted from the phosphor particles is absorbed by the pigment, and the brightness is reduced by about 10 to 15%. To do.

【0005】すなわち、輝度を低下させずにコントラス
トを向上させる手段が求められていた。本発明は、この
ような実状に鑑みてなされ、輝度を低下させずにコント
ラストを向上させ、さらに製造が容易で低コストなカラ
ー表示装置を提供することを目的とする。
That is, there has been a demand for a means for improving the contrast without lowering the brightness. The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a color display device that improves contrast without lowering brightness, is easy to manufacture, and is low cost.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係るカラー表示装置は、透明パネルと、前
記透明パネルの内面側に設けられ、エネルギービームが
照射されることにより、それぞれ赤色、緑色および青色
の光を発する赤色蛍光体、緑色蛍光体および青色蛍光体
とを有するカラー表示装置であって、前記赤色蛍光体と
前記透明パネルとの間に、Fe23 を主成分とする赤
色フィルターが装着してあることを特徴とする。
In order to achieve the above object, a color display device according to the present invention is provided with a transparent panel and an inner surface of the transparent panel, and by irradiating with an energy beam, respectively. A color display device having a red phosphor, a green phosphor, and a blue phosphor that emits red, green, and blue light, wherein Fe 2 O 3 is a main component between the red phosphor and the transparent panel. It is characterized by having a red filter attached.

【0007】本発明に係るカラー表示装置において、前
記赤色蛍光体は次の一般式で表わされるものであること
が好ましい。 A:B (但し、式中AはY22 S、Y23 またはこれらの
混合物、BはEuまたはEuとSmの混合物であり、当
該蛍光体中のEu濃度[Eu]が0.1mol%≦[E
u]≦6.0mol%である) 本発明に係るカラー陰極線管は、パネルガラスと、前記
パネルガラスに接続されるファンネルガラスと、前記フ
ァンネルガラスのネック部内に装着される電子銃と、前
記パネルガラスの内面側に設けられ、電子銃からの電子
ビームが照射されることにより、それぞれ赤色、緑色お
よび青色の光を発する赤色蛍光体、緑色蛍光体および青
色蛍光体とを有するカラー陰極線管であって、前記赤色
蛍光体と前記パネルガラスとの間に、Fe23 を主成
分とする赤色フィルターが装着してあることを特徴とす
る。
In the color display device according to the present invention, the red phosphor is preferably represented by the following general formula. A: B (wherein A is Y 2 O 2 S, Y 2 O 3 or a mixture thereof, B is Eu or a mixture of Eu and Sm, and the Eu concentration [Eu] in the phosphor is 0. 1 mol% ≦ [E
u] ≦ 6.0 mol%) The color cathode ray tube according to the present invention includes a panel glass, a funnel glass connected to the panel glass, an electron gun mounted in a neck portion of the funnel glass, and the panel. A color cathode ray tube which is provided on the inner surface side of glass and has a red phosphor, a green phosphor, and a blue phosphor that emit red, green, and blue light when irradiated with an electron beam from an electron gun. Further, a red filter containing Fe 2 O 3 as a main component is mounted between the red phosphor and the panel glass.

【0008】本発明に係るカラー平面表示装置は、透明
パネルと、前記透明パネルの内面側に設けられ、エネル
ギービームが照射されることにより、それぞれ赤色、緑
色および青色の光を発する赤色蛍光体、緑色蛍光体およ
び青色蛍光体とを有するカラー平面表示装置であって、
前記赤色蛍光体と前記透明パネルとの間に、Fe2 3
を主成分とする赤色フィルターが装着してあることを特
徴とする。前記エネルギービームは、たとえば基板の上
に行列状に配置された複数の電界放出型マイクロカソー
ドから走査して発射される電子ビームである。または、
前記エネルギービームは、偏平な陰極線管内に内蔵され
た電子銃から放出される電子ビームであっても良い。
The color flat panel display device according to the present invention is transparent.
A panel and an inner surface of the transparent panel,
By irradiating the gee beam, red and green respectively
Red and green phosphors that emit color and blue light and
A color flat display device having a blue phosphor and
Between the red phosphor and the transparent panel, Fe2 O Three 
Is equipped with a red filter whose main component is
Sign. The energy beam is, for example, on the substrate.
Field emission type microcassaws arranged in a matrix
It is an electron beam that is emitted by scanning from the scanner. Or
The energy beam is built in a flat cathode ray tube.
It may be an electron beam emitted from an electron gun.

【0009】本発明において、前記赤色フィルターの膜
厚dは、0.1μm≦d≦3.0μmの範囲、好ましく
は0.5μm≦d≦2.0μmの範囲にあることが好ま
しい。
In the present invention, the film thickness d of the red filter is preferably in the range of 0.1 μm ≦ d ≦ 3.0 μm, more preferably in the range of 0.5 μm ≦ d ≦ 2.0 μm.

【0010】[0010]

【作用】本発明に係るカラー表示装置では、赤色蛍光体
と前記透明パネルとの間に、赤色フィルターが装着して
ある。このため、何等フィルターが装着されていない従
来使用のカラー表示装置に比較して、コントラストが向
上する。しかも、この赤色フィルターがFe23 を主
成分とする膜厚dが0.1μm≦d≦3.0μmの所定
範囲にあるものであるために、赤色に対する透過率に優
れ、輝度および色度の変化も少ない。
In the color display device according to the present invention, a red filter is mounted between the red phosphor and the transparent panel. Therefore, the contrast is improved as compared with the conventional color display device in which no filter is attached. Moreover, since the red filter has a film thickness d containing Fe 2 O 3 as a main component in a predetermined range of 0.1 μm ≦ d ≦ 3.0 μm, the red filter has excellent transmittance with respect to red, and the brightness and chromaticity are excellent. Change is small.

【0011】さらに、本発明では、赤色用カソードなど
のエネルギービーム照射手段に加わる負荷が少なく、
R,G,B用カソードなどの各エネルギービーム照射手
段に加わる負荷のバランスが良くなり、結果的に耐久性
が向上する。
Further, according to the present invention, the load applied to the energy beam irradiation means such as the red cathode is small,
The load applied to each energy beam irradiation means such as the R, G, and B cathodes is well balanced, and as a result, the durability is improved.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るカラー表示装
置を、図面に示す実施の形態に基づき、詳細に説明す
る。図1に示す実施形態は、カラー表示装置としてのカ
ラーCRTに本発明を適用したものである。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A color display device according to the present invention will be described below in detail based on an embodiment shown in the drawings. In the embodiment shown in FIG. 1, the present invention is applied to a color CRT as a color display device.

【0013】図1に示すように、本実施形態のカラーC
RT10は、内面に蛍光面が形成されたパネルガラス1
2と、このパネルガラスに接合され、ネック部内に電子
銃16が収容されるファンネルガラス14とを有する。
電子銃16から発射された電子ビームは、偏向ヨークに
より偏向されて、パネルガラス12の内面側に装着され
た色選別電極としてのアパーチャグリル20を通して、
蛍光面に当り発光させる。
As shown in FIG. 1, the color C according to the present embodiment.
RT10 is a panel glass 1 having a fluorescent surface formed on the inner surface thereof.
2 and a funnel glass 14 bonded to this panel glass and accommodating the electron gun 16 in the neck portion.
The electron beam emitted from the electron gun 16 is deflected by the deflection yoke, passes through the aperture grill 20 as a color selection electrode mounted on the inner surface side of the panel glass 12,
It emits light by hitting the fluorescent screen.

【0014】図2に示すように、パネルガラス12は、
光透過率が高い(たとえば透過率90%以上)ガラスで
構成され、その内面に蛍光面が形成してある。光透過率
が高いパネルガラスとしては、高透過率のガラスパネル
の表面に、高透過率のセーフティパネルを貼着したパネ
ルガラスが用いられる。高透過率のパネルガラスとして
は、具体的には、日本電気板硝子社製ティントパネル
(EIAJコードJP520AG11)にクリヤーのセ
ーフティパネル(EIAJコードJS520AA01)
を組み合わせたものを用いることができる。
As shown in FIG. 2, the panel glass 12 is
It is made of glass having a high light transmittance (for example, a light transmittance of 90% or more), and a fluorescent screen is formed on the inner surface thereof. As the panel glass having a high light transmittance, a panel glass in which a safety panel having a high transmittance is attached to the surface of a glass panel having a high transmittance is used. Specific examples of the high transmittance panel glass include a tint panel (EIAJ code JP520AG11) manufactured by Nippon Electric Sheet Glass Co., Ltd., and a clear safety panel (EIAJ code JS520AA01).
Can be used.

【0015】図2に示すように、本実施形態では、パネ
ルガラス12の内面に、黒色ストライプ(カーボンスト
ライプ)2が所定間隔で形成してあり、これらのストラ
イプ2間に、赤色(R)蛍光体15Rと、緑色(G)蛍
光体15Gと、青色蛍光体15Bとが、この順で交互に
配置してある。これら蛍光体15R,15G,15B
は、アルミニウム膜22で覆われている。
As shown in FIG. 2, in this embodiment, black stripes (carbon stripes) 2 are formed on the inner surface of the panel glass 12 at predetermined intervals, and red (R) fluorescent light is placed between these stripes 2. The body 15R, the green (G) phosphor 15G, and the blue phosphor 15B are alternately arranged in this order. These phosphors 15R, 15G, 15B
Are covered with an aluminum film 22.

【0016】本実施形態では、赤色蛍光体15Rとパネ
ルガラス12との間にのみ、赤色フィルター4Rが装着
してある。その他の蛍光体15B,15Gとパネルガラ
ス12との間には、カラーフィルターが装着されていな
い。しかしながら、これらの他の蛍光体15B、15G
とパネルガラス12との間にも適当なカラーフィルター
を装着することもできる。
In this embodiment, the red filter 4R is mounted only between the red phosphor 15R and the panel glass 12. No color filter is mounted between the other phosphors 15B and 15G and the panel glass 12. However, these other phosphors 15B, 15G
An appropriate color filter may be attached between the panel glass 12 and the panel glass 12.

【0017】本実施形態の赤色フィルター4Rは、Fe
2O3を主成分とするものであり、特に平均粒径0.3μ
m以下、より好ましくは0.1μm以下の超微粒子Fe
23を主成分とするものが望ましい。平均粒径が0.3
μmを越えるものであると、光の透過率が低下してしま
うなどといった不具合が生じる虞れがあるためである。
なお、平均粒径の下限値は特に限定なく小さい方が望ま
しいが、実質的に0.02μm程度が製造上の可能限界
である。この原料としては、具体的には、例えば、同和
鉱業(株)製のDEFIC−Rシリーズ、大日本精工業
(株)製の透明弁柄(TOR)シリーズなどが挙げられ
る。
The red filter 4R of this embodiment is made of Fe.
2O3 is the main component, especially the average particle size is 0.3μ
m or less, more preferably 0.1 μm or less ultrafine Fe
It is desirable that the main component is 2 O 3 . Average particle size is 0.3
This is because if it exceeds μm, there is a possibility that a problem such as a decrease in light transmittance may occur.
The lower limit of the average particle size is not particularly limited and is preferably as small as possible, but substantially 0.02 μm is a practically possible limit. Specific examples of this raw material include the DEFIC-R series manufactured by Dowa Mining Co., Ltd., the transparent valve pattern (TOR) series manufactured by Dainippon Seiko Co., Ltd., and the like.

【0018】また、この赤色フィルターにおいて、上記
したような顔料の含有割合(顔料固形分)としては、
2.0〜20.0重量%程度が適当である。そして、こ
の赤色フィルターの膜厚dは、0.1μm≦d≦3.0
μm、より好ましくは0.5μm≦d≦2.0μm程度
とされる。膜厚dが0.1μm未満であると、フィルタ
ーを設けたことによるコントラストの向上効果が望め
ず、また全体に均一な膜厚のフィルターとすることが困
難となり、一方、膜厚dが3.0μmを越えるものであ
ると輝度の低下が大きくなり、いずれも望ましくないた
めである。図3および図4にこのような所定膜厚dの赤
色フィルターを設けた場合の分光透過率曲線および分光
反射率曲線を示すが、これらの図に示されるように、赤
色光の波長において光の透過率ないし反射率が高い。
In the red filter, the content ratio of the above-mentioned pigment (pigment solid content) is as follows.
About 2.0 to 20.0% by weight is suitable. The film thickness d of this red filter is 0.1 μm ≦ d ≦ 3.0.
μm, and more preferably 0.5 μm ≦ d ≦ 2.0 μm. When the film thickness d is less than 0.1 μm, the effect of improving the contrast due to the provision of the filter cannot be expected, and it becomes difficult to form a filter having a uniform film thickness on the other hand. This is because when it exceeds 0 μm, the brightness is greatly reduced, and both are not desirable. FIG. 3 and FIG. 4 show the spectral transmittance curve and the spectral reflectance curve in the case where such a red filter having a predetermined film thickness d is provided. High transmittance or reflectance.

【0019】さらに本実施形態において、赤色(R)蛍
光体15Rとして、次の一般式で表されるものを使用
し、上記フィルターと組合せることが、より良好な色
度、輝度を得る上で望ましい。 A:B (但し、式中AはY22 S、Y23 またはこれらの
混合物、BはEuまたはEuとSmの混合物であり、当
該蛍光体中のEu濃度[Eu]が0.1mol%≦[E
u]≦6.0mol%である) 具体的には、イットリウム・オキシ・サルファイドを母
体結晶とし、ユーロピウムを付加剤として含有するも
の、イットリウム・オキシドを母体結晶とし、ユーロビ
ューを付加剤として含有するもの、イットリウム・オキ
シ・サルファイドを母体結晶とし、ユーロピウムおよび
サマリウムを付加剤として含有するものなどがある。
Further, in the present embodiment, as the red (R) phosphor 15R, the one represented by the following general formula is used and combined with the above filter in order to obtain better chromaticity and brightness. desirable. A: B (wherein A is Y 2 O 2 S, Y 2 O 3 or a mixture thereof, B is Eu or a mixture of Eu and Sm, and the Eu concentration [Eu] in the phosphor is 0. 1 mol% ≦ [E
u] ≦ 6.0 mol%) Specifically, those containing yttrium oxysulfide as a host crystal and europium as an additive, and yttrium oxide as a host crystal and euroview as an additive , Yttrium oxysulfide as a host crystal, and europium and samarium as an additive.

【0020】最も望ましくは、赤色蛍光体15Rとし
て、前記一般式で表わされる蛍光体であってEu濃度
[Eu]が2.8mol%≦[Eu]≦4.7mol%
のものを使用し、かつ上記赤色フィルターの膜厚dを
0.5μm≦d≦2.0μmとする。
Most preferably, the red phosphor 15R is a phosphor represented by the above general formula, and the Eu concentration [Eu] is 2.8 mol% ≦ [Eu] ≦ 4.7 mol%.
And the film thickness d of the red filter is set to 0.5 μm ≦ d ≦ 2.0 μm.

【0021】次に、本実施形態において、パネルガラス
の内面に蛍光面を作成する方法の一例を示す。まず、非
発光性光吸収性物質としてのカーボンブラックなどで構
成される図2に示す黒色ストライプ2の形成が行なわれ
る。黒色ストライプ2の形成は、まず、パネルガラスを
洗浄し、パネルガラス12の内面に、感光剤およびポリ
ビニルアルコール(PVA)などの水溶性高分子からな
るフォトレジストを塗布、乾燥してレジスト被膜を形成
する。次に、マスクを用いてレジスト被膜の所定部分を
露光により硬化させる。
Next, in this embodiment, an example of a method for forming a fluorescent screen on the inner surface of the panel glass will be described. First, the black stripe 2 shown in FIG. 2, which is made of carbon black or the like as a non-emissive light absorbing substance, is formed. To form the black stripe 2, first, the panel glass is washed, and a photoresist made of a water-soluble polymer such as a photosensitizer and polyvinyl alcohol (PVA) is applied to the inner surface of the panel glass 12 and dried to form a resist film. To do. Next, a predetermined portion of the resist film is exposed and cured using a mask.

【0022】次に、現像によりレジスト被膜の非露光部
分を除去し、乾燥してレジスト被膜のストライプを形成
し、次いでパネルガラス全面にカーボンブラック懸濁液
を塗布、乾燥後、反転液を塗布し、現像、乾燥してカー
ボンブラックから成る黒色ストライプ2を形成する(図
5(A)参照)。
Next, the non-exposed portion of the resist film is removed by development and dried to form a stripe of the resist film. Then, a carbon black suspension is applied to the entire surface of the panel glass, dried and then an inversion solution is applied. Then, it is developed and dried to form a black stripe 2 made of carbon black (see FIG. 5A).

【0023】次いで、赤色蛍光体15Bが装着される黒
色ストライプ2,2間の位置に、青色フィルター4Rを
形成する。そのために、まず、図5(B)に示すよう
に、例えばPVA−ADC系などのの感光膜3を全面に
形成する。次に、図5(C)に示すように、アパーチャ
グリルを光学マスクとして、BおよびGの位置の感光膜
3に対して紫外線露光を行い、温水で現像し、Rの位置
を除いて、他のBおよびGの位置に、マスキング用のレ
ジスト膜3Aを残す。
Then, a blue filter 4R is formed at a position between the black stripes 2 and 2 on which the red phosphor 15B is mounted. Therefore, first, as shown in FIG. 5B, a photosensitive film 3 of PVA-ADC system or the like is formed on the entire surface. Next, as shown in FIG. 5 (C), using the aperture grille as an optical mask, the photosensitive film 3 at the positions B and G is exposed to ultraviolet rays and developed with warm water. The masking resist film 3A is left at the positions B and G in FIG.

【0024】次に、第2の感光液、例えば、PVA−S
BQ系感光液に上記したようなFe 23 を主成分とす
る微粒子無機赤色顔料を分散して成る懸濁液(スラリ
ー)を全面塗布し、図6(D)に示すように、赤色フィ
ルター用の塗膜4を形成する。次に、図6(E)に示す
ように、パネルガラス12の内面より、アパーチャグリ
ル20を光学マスクとして、赤色(R)の位置の塗膜4
に対して紫外線露光を行う(内面露光6)。さらに、図
6(F)に示すように、黒色ストライプ2をマスクに、
赤色の位置の塗膜4に対してパネルガラス12の外面か
ら紫外線露光する(外面露光7)。この外面露光7を行
うことにより、塗膜4とパネルガラス12との接着性が
向上する。
Next, a second photosensitive liquid such as PVA-S is used.
Fe as described above in the BQ type photosensitive solution 2 OThree Is the main component
A suspension of finely divided inorganic red pigment (slurry
-) Is applied over the entire surface, and as shown in FIG.
A coating film 4 for Luther is formed. Next, as shown in FIG.
The inner surface of the panel glass 12
Coating film 4 in the red (R) position using the lens 20 as an optical mask.
Ultraviolet exposure is performed on the inner surface (inner surface exposure 6). Furthermore, the figure
As shown in FIG. 6 (F), the black stripe 2 is used as a mask,
Is it the outer surface of the panel glass 12 with respect to the coating film 4 in the red position?
UV exposure (external surface exposure 7). Perform this external exposure 7
By doing so, the adhesiveness between the coating film 4 and the panel glass 12 is improved.
improves.

【0025】次いで、未露光部分を温水でリンスする。
次に、過酸化水素水(H22 10重量%)などを用い
て、未露光PVA−ADC系のレジスト膜3Aを分解
し、次いで温水による反転現象を行って、図7(G)に
示すように、赤色フィルターストライプ4Rを形成す
る。次いで、図7(G)に示すように、例えば、タンニ
ン酸0.1重量%溶液で、赤色フィルターストライプ4
Rに対して硬膜処理8を施し、その後、例えばアンモニ
ア水溶液(アンモニア1.0重量%)で硬膜処理後の中
和処理を施し、その後温水でリンスする。
Next, the unexposed portion is rinsed with warm water.
Next, the unexposed PVA-ADC-based resist film 3A is decomposed using hydrogen peroxide water (H 2 O 2 10% by weight) and the like, and then the inversion phenomenon is performed with hot water to obtain the pattern shown in FIG. As shown, a red filter stripe 4R is formed. Then, as shown in FIG. 7G, for example, a red filter stripe 4 is formed by using a 0.1% by weight tannic acid solution.
Hardening treatment 8 is performed on R, and thereafter, a neutralization treatment is performed after the hardening treatment with, for example, an aqueous ammonia solution (1.0% by weight of ammonia), and then rinsed with warm water.

【0026】その後は、通常のスラリー法によって、図
2に示す蛍光体15R,15G,15Bとアルミニウム
膜22とを形成する。具体的には、まず、緑色蛍光体、
感光剤および水溶性高分子からなる緑色蛍光体スラリー
をパネルガラス全面に塗布、乾燥して緑色蛍光体レジス
ト被膜を形成する。次に、マスクを用いて前記レジスト
被膜の所定部分を露光により硬化させ、現像により前記
緑色蛍光体レジスト被膜の非露光部分を除去し、乾燥し
て緑色蛍光体ストライプを形成する。
After that, the phosphors 15R, 15G and 15B and the aluminum film 22 shown in FIG. 2 are formed by a normal slurry method. Specifically, first, a green phosphor,
A green phosphor slurry composed of a photosensitizer and a water-soluble polymer is applied to the entire surface of the panel glass and dried to form a green phosphor resist film. Next, a predetermined portion of the resist film is exposed and cured by using a mask, the unexposed portion of the green phosphor resist film is removed by development, and dried to form a green phosphor stripe.

【0027】緑色蛍光体としては、例えば母体結晶が硫
化亜鉛であり、銅、アルミニウムなどが付加剤として含
有されるものが用いられる。その後、青色蛍光体を含有
する青色蛍光体ストライプ、赤色蛍光体ストライプを、
緑色蛍光体ストライプの形成と同様にして、緑色蛍光体
ストライプの形成されたホール部分に隣接する別のホー
ル部分にそれぞれ形成していく。
As the green phosphor, for example, one whose base crystal is zinc sulfide and which contains copper, aluminum or the like as an additive is used. Then, a blue phosphor stripe containing a blue phosphor, a red phosphor stripe,
Similar to the formation of the green phosphor stripe, the green phosphor stripe is formed in another hole portion adjacent to the hole portion in which the green phosphor stripe is formed.

【0028】赤色蛍光体としては、上記したようなもの
が用いられ、また、青色蛍光体としては、例えば母体結
晶が硫化亜鉛であり、銀などが付加剤として含有される
ものが用いられる。このようにして、赤緑青三色の蛍光
体ストライプが形成された後で、その上に、中間膜を形
成する。中間膜は、有機物膜で構成され、蛍光面を平坦
化し、後工程で金属薄膜層としてのアルミニウム薄膜層
を被着し易くする。後工程のプリベーキングおよびフリ
ットシール時のベーキング処理後には、中間膜は、PV
Aなどと共に、アルミニウム膜を通して飛ばされる。
As the red phosphor, the above-mentioned one is used, and as the blue phosphor, for example, one in which the base crystal is zinc sulfide and silver or the like is contained as an additive is used. In this way, after the red, green, and blue phosphor stripes are formed, the intermediate film is formed thereon. The intermediate film is composed of an organic film and flattens the phosphor screen to facilitate the deposition of an aluminum thin film layer as a metal thin film layer in a later step. After the pre-baking in the subsequent process and the baking process at the time of frit sealing, the interlayer film is PV.
With A and the like, it is blown through the aluminum film.

【0029】その後、金属薄膜層としてのアルミニウム
薄膜層を中間膜の上に被着する。アルミニウム薄膜層を
形成することで、表示画面の輝度を向上させ、イオン化
を防止することができる。その後、プリベイキングを行
い、アパーチャグリルをパネルガラスの内面に装着した
後、パネルガラスのシールエッジ面とファンネルガラス
のシールエッジ面とをフリットシール接合する。プリベ
ーキングは、アパーチャグリルを装着した後でも良い。
このプリベーキングおよびフリットシール時のベーキン
グ処理(熱処理)により、中間膜の成分および蛍光体ス
トライプに含まれる有機成分を、アルミニウム膜を通し
て、蛍光面から除去し、蛍光面の被膜を固定化する。
Then, an aluminum thin film layer as a metal thin film layer is deposited on the intermediate film. By forming the aluminum thin film layer, the brightness of the display screen can be improved and ionization can be prevented. After that, pre-baking is performed, the aperture grill is attached to the inner surface of the panel glass, and then the seal edge surface of the panel glass and the seal edge surface of the funnel glass are frit-sealed. Pre-baking may be done after installing the aperture grill.
By the baking treatment (heat treatment) during the pre-baking and the frit sealing, the components of the intermediate film and the organic components contained in the phosphor stripes are removed from the phosphor screen through the aluminum film, and the film of the phosphor screen is fixed.

【0030】次に、カラー表示装置としての電界放出型
マイクロカソードを利用したカラー平面表示装置に本発
明を適用した実施形態について説明する。図8に示すよ
うに、本実施例のカラー平面表示装置60は、半導体基
板30の上に行列状に配置された複数の電界放出型マイ
クロカソード50から走査して発射される電子ビーム
が、ガラス基板などの透明パネル32の内面に形成され
た蛍光面に照射して発光させることにより、画像表示を
行う表示装置である。半導体基板30と透明基板32と
の間は、高真空に保持される。透明パネル32の内面に
形成してある蛍光面は、図2に示す実施形態と同様な蛍
光面であり、赤色蛍光体15Rと透明パネル32との間
にのみ赤色フィルター4Rが装着してある。
Next, an embodiment in which the present invention is applied to a color flat display device using a field emission type microcathode as a color display device will be described. As shown in FIG. 8, in the color flat panel display device 60 of this embodiment, an electron beam emitted by scanning from a plurality of field emission type micro-cathodes 50 arranged in a matrix on a semiconductor substrate 30 emits a glass. It is a display device that displays an image by irradiating a fluorescent surface formed on the inner surface of the transparent panel 32 such as a substrate to emit light. A high vacuum is maintained between the semiconductor substrate 30 and the transparent substrate 32. The fluorescent screen formed on the inner surface of the transparent panel 32 is the same fluorescent screen as in the embodiment shown in FIG. 2, and the red filter 4R is mounted only between the red fluorescent body 15R and the transparent panel 32.

【0031】半導体基板30の上にマイクロカソード5
0を製造するための方法の一例を次に説明する。本実施
形態では、まず、半導体基板30の上に、絶縁層31お
よびゲート電極35を順次成膜する。半導体基板30と
しては、たとえば単結晶シリコン基板が用いられる。
The microcathode 5 is formed on the semiconductor substrate 30.
An example of a method for manufacturing 0 will be described below. In this embodiment, first, the insulating layer 31 and the gate electrode 35 are sequentially formed on the semiconductor substrate 30. As the semiconductor substrate 30, for example, a single crystal silicon substrate is used.

【0032】本実施形態では、絶縁層31は、主絶縁層
32と水素含有層33とで構成される。主絶縁層32
は、たとえばCVD法により成膜される酸化シリコンで
構成され、水素含有層33は、主絶縁層32を成膜する
ためのCVDに引き続いて行われるプラズマCVDによ
り成膜される水素含有酸化シリコンで構成される。酸化
シリコン膜で構成される主絶縁層32は、たとえば以下
の条件でCVDにより成膜される。CVD原料ガスとし
て、SiH4 とO2 とを用い、SiH4 /O2 の流量比
が、たとえば300/300SCCM、雰囲気圧力が、たと
えば300Pa、基板温度がたとえば400°C、成膜
時間がたとえば4分の条件である。主絶縁層32の層厚
は、たとえば0.8μmである。
In this embodiment, the insulating layer 31 is composed of a main insulating layer 32 and a hydrogen containing layer 33. Main insulating layer 32
Is made of, for example, silicon oxide formed by a CVD method, and the hydrogen-containing layer 33 is made of hydrogen-containing silicon oxide formed by plasma CVD performed subsequent to the CVD for forming the main insulating layer 32. Composed. The main insulating layer 32 formed of a silicon oxide film is formed by CVD under the following conditions, for example. SiH 4 and O 2 are used as the CVD source gas, the flow rate ratio of SiH 4 / O 2 is, for example, 300/300 SCCM, the atmospheric pressure is, for example, 300 Pa, the substrate temperature is, for example, 400 ° C., the film formation time is, for example, 4 It is a condition of minutes. The layer thickness of the main insulating layer 32 is, for example, 0.8 μm.

【0033】引き続いてプラズマCVDにより成膜され
る水素含有酸化シリコン膜で構成される水素含有層33
は、たとえば以下の条件のプラズマCVDで成膜され
る。プラズマCVD原料ガスとして、SiH4 とO2
を用い、SiH4 /O2 の流量比が、たとえば400/
300SCCM、雰囲気圧力がたとえば300Pa、基板温
度がたとえば350°C、成膜時間がたとえば1分の条
件である。この水素含有層33の層厚は、たとえば0.
2μmである。
A hydrogen-containing layer 33 composed of a hydrogen-containing silicon oxide film subsequently formed by plasma CVD.
Is formed by plasma CVD under the following conditions, for example. SiH 4 and O 2 are used as the plasma CVD source gas, and the flow rate ratio of SiH 4 / O 2 is, for example, 400 /
The conditions are 300 SCCM, atmospheric pressure of 300 Pa, substrate temperature of 350 ° C., and film forming time of 1 minute, for example. The layer thickness of the hydrogen-containing layer 33 is, for example, 0.
2 μm.

【0034】ゲート電極35は、特に限定されないが、
本実施形態では、n+ の導電型のポリシリコン膜34と
タングステンシリサイド(WSix )膜36との積層膜
であるポリサイド膜が用いられる。このゲート電極35
は、たとえばマイクロカソードのグリッドとして機能す
る。なお、半導体基板30の表面に形成されるエミッタ
電極の形成工程は省略してある。
The gate electrode 35 is not particularly limited,
In this embodiment, a polycide film, which is a laminated film of a polysilicon film 34 of n + conductivity type and a tungsten silicide (WSix) film 36, is used. This gate electrode 35
Function as a grid of microcathodes, for example. The step of forming the emitter electrode formed on the surface of the semiconductor substrate 30 is omitted.

【0035】ポリシリコン膜34の膜厚は、たとえば1
00〜300nmである。タングステンシリサイド膜3
6の膜厚は、たとえば150〜300nmである。ポリ
シリコン膜34およびタングステンシリサイド膜36
は、たとえばCVDにより成膜される。ポリシリコン膜
34は、たとえば以下の条件で成膜される。CVD原料
ガスとして、SiH4 とPH3 とを用い、SiH4 /P
3 の流量比が、たとえば500/0.3SCCM、雰囲気
圧力がたとえば100Pa、基板温度がたとえば500
°Cの条件である。タングステンシリサイド膜36は、
たとえば以下の条件で成膜される。CVD原料ガスとし
て、WF6 とSiH4 とHeとを用い、WF6 /SiH
4 /Heの流量比がたとえば3/300/500SCCM、
雰囲気圧力がたとえば70Pa、基板温度がたとえば3
60°Cの条件である。
The thickness of the polysilicon film 34 is, for example, 1
It is 00-300 nm. Tungsten silicide film 3
The film thickness of 6 is, for example, 150 to 300 nm. Polysilicon film 34 and tungsten silicide film 36
Is formed by, for example, CVD. The polysilicon film 34 is formed under the following conditions, for example. SiH 4 and PH 3 are used as the CVD source gas, and SiH 4 / P is used.
The flow rate ratio of H 3 is, for example, 500 / 0.3 SCCM, the atmospheric pressure is, for example, 100 Pa, and the substrate temperature is, for example, 500.
The condition is ° C. The tungsten silicide film 36 is
For example, the film is formed under the following conditions. Using WF 6 , SiH 4, and He as the CVD source gas, WF 6 / SiH
4 / He flow rate ratio is 3/300 / 500SCCM,
The atmospheric pressure is, for example, 70 Pa, and the substrate temperature is, for example, 3
The condition is 60 ° C.

【0036】次に、このタングステンシリサイド膜36
の上にレジスト膜を成膜し、このレジスト膜に、フォト
リソグラフィー法により、カソード孔に対応する所定の
パターンで、開口部を形成する。この開口部の内径は、
カソード孔の内径に相当し、たとえば0.8μm程度で
ある。レジスト膜としては、特に限定されないが、たと
えばノボラック系のg線用レジストを用いることができ
る。
Next, this tungsten silicide film 36 is formed.
A resist film is formed thereon, and an opening is formed in the resist film by a photolithography method in a predetermined pattern corresponding to the cathode hole. The inner diameter of this opening is
It corresponds to the inner diameter of the cathode hole and is, for example, about 0.8 μm. The resist film is not particularly limited, but, for example, a novolac-based g-line resist can be used.

【0037】次に、このレジスト膜が形成された半導体
基板30を、たとえば一般のプラズマエッチング装置内
に設置し、レジスト膜38をマスクとして、エッチング
加工を行う。プラズマエッチング装置としては、特に限
定されないが、たとえばマイクロ波電子サイクロトロン
共鳴プラズマ(ECR)エッチング装置、誘導コイル型
プラズマ(ICP)エッチング装置、ヘリコン波利用プ
ラズマエッチング装置、トランス結合プラズマ(TC
P)エッチング装置などを例示することができる。
Next, the semiconductor substrate 30 on which this resist film is formed is placed in, for example, a general plasma etching apparatus, and etching processing is performed using the resist film 38 as a mask. The plasma etching apparatus is not particularly limited, but examples thereof include a microwave electron cyclotron resonance plasma (ECR) etching apparatus, an induction coil type plasma (ICP) etching apparatus, a helicon wave utilizing plasma etching apparatus, and a transformer coupled plasma (TC).
P) An etching device or the like can be exemplified.

【0038】まず、たとえばECRエッチング装置を用
い、下記の条件で、タングステンシリサイド膜36およ
びポリシリコン膜34を連続エッチングする。エッチン
グガスとしては、Cl2 とO2 との混合ガスを用い、C
2 /O2 の流量比を、たとえば75/5SCCMとする。
雰囲気圧力は、たとえば1.0Paである。また、マイ
クロ波パワーは、たとえば900Wであり、高周波(R
F)パワーは、たとえば50W(2MHz)であり、基
板温度は、たとえば20°Cである。
First, the tungsten silicide film 36 and the polysilicon film 34 are continuously etched under the following conditions using, for example, an ECR etching apparatus. As an etching gas, a mixed gas of Cl 2 and O 2 is used, and C
The flow rate ratio of l 2 / O 2 is, for example, 75/5 SCCM.
The atmospheric pressure is 1.0 Pa, for example. The microwave power is 900 W, for example, and the high frequency (R
F) The power is, for example, 50 W (2 MHz), and the substrate temperature is, for example, 20 ° C.

【0039】続いて、絶縁層31をエッチング加工す
る。エッチングに際しては、たとえばECR型プラズマ
エッチング装置を用いる。そのエッチング条件を、次に
示す。エッチングガスとしては、CHF3 とCH22
との混合ガスを用い、CHF 3 /CH22 の流量比
を、たとえば45/5SCCMとする。雰囲気圧力は、たと
えば0.27Paである。また、マイクロ波パワーは、
たとえば1200Wであり、高周波(RF)パワーは、
たとえば225W(800kHz)であり、基板温度
は、たとえば20°Cである。
Subsequently, the insulating layer 31 is etched.
You. For etching, for example, ECR type plasma
An etching device is used. The etching conditions are
Show. CHF is used as an etching gasThree And CH2 F2 
CHF with a mixed gas of Three / CH2 F2 Flow rate of
Is, for example, 45/5 SCCM. Atmospheric pressure is
For example, it is 0.27 Pa. Also, the microwave power is
For example, it is 1200 W, and the radio frequency (RF) power is
For example, 225W (800kHz), the substrate temperature
Is, for example, 20 ° C.

【0040】従来では、このような多層膜の連続エッチ
ングにおいて、高エネルギー条件の過剰なるオーバーエ
ッチングにより、レジスト膜38が後退し、その開口部
40の側壁も削られ、その下層に位置するタングステン
シリサイド膜36も一部エッチングされて、テーパ形状
が形成される。これは、ゲート電極35および絶縁層3
2を同一のレジスト膜でエッチング加工するために、レ
ジスト膜がプラズマエッチングに曝される時間が、従来
のコンタクトホール形成用エッチング技術に比較して長
くなったためと考えられる。しかしながら、本実施形態
では、絶縁層31中に水素含有層33を有するため、水
素リッチな(数十wt%)水素含有層33がエッチング
されている際生じたHが、ホール44近傍のC/F比を
増大させ堆積性雰囲気を形成する事により、通常のSi
2 エッチング時に見られる様なフロロカーボン系堆積
物が側壁保護膜となってフォトレジストの後退を防止す
る。したがって、ゲート電極35の開口部側壁までもオ
ーバエッチングされることはない。その結果、タングス
テンシリサイド膜36の肩落ちなども防止することがで
き、良好な異方性形状のカソード孔44を形成すること
ができる。
Conventionally, in continuous etching of such a multi-layer film, the resist film 38 recedes due to excessive over-etching under a high energy condition, the side wall of the opening 40 is also shaved, and the tungsten silicide located under the same. The film 36 is also partially etched to form a taper shape. This is the gate electrode 35 and the insulating layer 3.
It is considered that the time for exposing the resist film to the plasma etching is longer than that of the conventional etching technique for forming the contact hole because the same resist film is used for etching the two. However, in the present embodiment, since the hydrogen-containing layer 33 is included in the insulating layer 31, H generated during the etching of the hydrogen-rich (several tens wt%) hydrogen-containing layer 33 is C / n near the hole 44. By increasing the F ratio and forming a deposition atmosphere, normal Si
Fluorocarbon-based deposits as seen during O 2 etching serve as a side wall protective film to prevent the photoresist from receding. Therefore, the side wall of the opening of the gate electrode 35 is not over-etched. As a result, the shoulder drop of the tungsten silicide film 36 can be prevented, and the cathode hole 44 having a good anisotropic shape can be formed.

【0041】次に、レジスト膜をレジストアッシングに
より除去する。レジストアッシングは、たとえば500
SCCMのO2 を用い、雰囲気圧力が、たとえば3.0P
a、基板温度が、たとえば200°C、高周波(RF)
パワーが、たとえば300Wの条件で行う。このレジス
ト膜の除去時と同時またはその後の工程で、側壁保護膜
も除去する。
Next, the resist film is removed by resist ashing. The resist ashing is, for example, 500
Using SCCM O 2 and atmospheric pressure of 3.0P
a, substrate temperature is 200 ° C., high frequency (RF)
The power is, for example, 300 W. The sidewall protective film is also removed at the same time as or after the removal of the resist film.

【0042】次に、電子ビーム蒸着法などを用いて、タ
ングステンシリサイド膜36の上に、剥離層を形成す
る。剥離層は、たとえばアルミニウム金属層などで構成
される。その剥離層の層厚は、特に限定されないが、た
とえば50nm程度である。電子ビーム蒸着時の基板角
度は、約20度程度(斜め入射蒸着)が好ましい。雰囲
気圧力は、たとえば1.0Paである。
Next, a peeling layer is formed on the tungsten silicide film 36 by using the electron beam evaporation method or the like. The peeling layer is composed of, for example, an aluminum metal layer. The layer thickness of the release layer is not particularly limited, but is, for example, about 50 nm. The substrate angle during electron beam evaporation is preferably about 20 degrees (oblique incidence evaporation). The atmospheric pressure is 1.0 Pa, for example.

【0043】次に、たとえば電子ビーム蒸着法を用い
て、剥離層の上にカソード形成層を堆積させる。カソー
ド形成層としては、好適にはモリブデン(Mo)を用い
るが、その他の高融点金属、あるいはその他の金属、化
合物などを使用することもできる。電子ビーム蒸着時の
基板の角度は、たとえば約90度が好ましい。カソード
形成層を、たとえば約1.0μmの層厚で形成すること
で、カソード孔44の底部に位置する基板30の表面に
は、鋭角円錐状のカソード50が均一な形状および高さ
で形成される。各カソード50の形状、特に高さは、カ
ソード形成層の各開口部が閉じるまでの時間などに依存
する。本実施形態では、タングステンシリサイド膜36
の開口部の側壁に、テーパや肩落ちがないことから、カ
ソード形成層48のステップカバレッジも一定となり、
その各開口部48aが閉じるまでの時間も一定であり、
各カソード50の形状、特に高さを均一にすることがで
きる。
Next, a cathode forming layer is deposited on the release layer by using, for example, an electron beam evaporation method. Molybdenum (Mo) is preferably used for the cathode forming layer, but other refractory metals, other metals, compounds, or the like can also be used. The angle of the substrate during electron beam evaporation is preferably about 90 degrees, for example. By forming the cathode forming layer with a layer thickness of, for example, about 1.0 μm, an acute-angled cone-shaped cathode 50 is formed in a uniform shape and height on the surface of the substrate 30 located at the bottom of the cathode hole 44. It The shape of each cathode 50, in particular the height, depends on the time taken to close each opening of the cathode formation layer. In the present embodiment, the tungsten silicide film 36
Since there is no taper or shoulder drop on the side wall of the opening of, the step coverage of the cathode forming layer 48 becomes constant,
The time until each opening 48a is closed is constant,
The shape, especially the height, of each cathode 50 can be made uniform.

【0044】次に、水:フッ酸が約5:1の割合のフッ
酸でウエットエッチング(たとえば約30秒)を行い、
アルミニウムなどで構成される剥離層をエッチング除去
し、その上に位置するカソード形成層をリフトオフ除去
する。カソード孔44内には、均一形状および高さのマ
イクロカソード50が残る。
Next, wet etching (for example, for about 30 seconds) is performed with hydrofluoric acid in a ratio of water: hydrofluoric acid of about 5: 1.
The peeling layer made of aluminum or the like is removed by etching, and the cathode forming layer located thereon is lifted off. In the cathode hole 44, a micro cathode 50 having a uniform shape and height remains.

【0045】その後は、基板30の上に、蛍光面が形成
された透明パネルを真空状態で張り合せて、本実施例の
平面表示装置が形成される。本実施形態でも、前記実施
形態と同様に、赤色フィルターを装着していない従来の
平面表示装置に比較し、輝度およびコントラストが向上
し、色度は従来仕様のものとほとんど変わらない。
After that, a transparent panel having a phosphor screen is laminated on the substrate 30 in a vacuum state to form the flat display device of this embodiment. Also in this embodiment, as in the case of the above-described embodiment, the brightness and the contrast are improved and the chromaticity is almost the same as that of the conventional specification, as compared with the conventional flat display device without the red filter.

【0046】なお、本発明は、上述した実施形態に限定
されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変する
ことができる。たとえば、本発明は、前記実施形態に係
るCRTまたは平面表示装置に限らず、偏平CRTなど
のカラー陰極線管、あるいはプラズマディスプレイなど
のその他のカラー表示装置にも適用することができる。
It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, but can be variously modified within the scope of the present invention. For example, the present invention is not limited to the CRT or the flat panel display device according to the above-described embodiment, but can be applied to a color cathode ray tube such as a flat CRT, or another color display device such as a plasma display.

【0047】[0047]

【実施例】次に、本発明を実施例に基づき、より詳細に
説明する。実施例1 図9のような模式図で示される構造の蛍光面を作成し
た。なお、図9において、符号12はパネルガラス、符
号4Rは赤色フィルター、符号15Rは赤色蛍光体、符
号22はアルミニウム反射膜である。
EXAMPLES Next, the present invention will be described in more detail based on examples. Example 1 A phosphor screen having the structure shown in the schematic diagram of FIG. 9 was prepared. In FIG. 9, reference numeral 12 is a panel glass, reference numeral 4R is a red filter, reference numeral 15R is a red phosphor, and reference numeral 22 is an aluminum reflective film.

【0048】赤色フィルターは粒径0.05μ以下の超
微粒子Fe23 (同和鉱業(株)製のDEFIC−R
シリーズまたは大日本精工業(株)製の透明弁柄(TO
R)シリーズ)を水に分散させたものを使用し、乾燥
後、膜厚dが0.5μm(R1)、1.0μm(R
2)、2.0μm(R3)、3.0μm(R4)となる
ようにパネルガラス上に塗布した。なお、比較のため
に、このフィルターを形成しないものを別途用意した。
次に、蛍光体として、前記赤色フィルター(ないしフィ
ルターを形成しないパネルガラス)上にY22 S:E
uのEu濃度[Eu]が、6.0、4.7、3.8、
2.8、0.2、0.1、0.05mol%のものを塗
布し、その後アルミニウム反射膜を形成して合計35枚
のサンプルを作製して実験を行なった。図2のそれぞれ
のフィルターの透過率を、また図3に蛍光体を塗布した
後の分光反射率(管面拡散分光反射率)を示す。
The red filter is an ultrafine particle Fe 2 O 3 having a particle size of 0.05 μm or less (DEFIC-R manufactured by Dowa Mining Co., Ltd.).
Series or a transparent valve pattern (TO
(R) series) dispersed in water, and after drying, the film thickness d is 0.5 μm (R1), 1.0 μm (R
2), 2.0 μm (R3), and 3.0 μm (R4) so as to be applied on the panel glass. For comparison, a filter not having this filter was separately prepared.
Next, as a phosphor, Y 2 O 2 S: E was formed on the red filter (or the panel glass not forming the filter).
The Eu concentration [Eu] of u is 6.0, 4.7, 3.8,
2.8, 0.2, 0.1, and 0.05 mol% were applied, and then an aluminum reflective film was formed to prepare a total of 35 samples, and an experiment was conducted. 2 shows the transmittance of each filter, and FIG. 3 shows the spectral reflectance (tube surface diffusion spectral reflectance) after applying the phosphor.

【0049】これらの構造を持った蛍光面を陰極線に
し、それらの輝度、色度、管面反射率を測定し、それら
のデータからコントラストの改善効率の指標であるBC
P(ブライトコントラストパフォーマンス)を求めた。
BCPは以下の式で定義される。
The fluorescent screen having these structures is used as a cathode ray, and the luminance, chromaticity, and tube surface reflectance are measured, and from these data, BC, which is an index of contrast improvement efficiency, is measured.
P (bright contrast performance) was determined.
BCP is defined by the following formula.

【0050】[0050]

【数1】 [Equation 1]

【0051】Y22 S:3.8mol%Euで、フィ
ルターのないとき(従来例)のBCPを100にしたと
きのそれぞれのCRTのBCPを表1に示す。
Table 1 shows the BCP of each CRT when Y 2 O 2 S: 3.8 mol% Eu and the BCP without a filter (conventional example) was set to 100.

【0052】[0052]

【表1】 [Table 1]

【0053】表1に示す結果を定性的にまとめたのが表
2である。BCPが100以上のもの、つまり従来より
もコントラスト改善効率において優れたものが、表2に
おける○印と●印の場合である。なお、●印の場合の方
が輝度および色度の点から好ましいものであると考えら
れる。
Table 2 is a qualitative summary of the results shown in Table 1. The case where the BCP is 100 or more, that is, the case where the contrast improvement efficiency is superior to the conventional case is the case of the ◯ mark and the ● mark in Table 2. It is considered that the mark ● is more preferable in terms of brightness and chromaticity.

【0054】[0054]

【表2】 [Table 2]

【0055】なお、輝度Bは、ミノルタ(株)製カラー
アナライザCA−100により測定した。測定条件は、
CRTをセット(GDM19インチ)に組み込んだ状態
で、赤色カソードへの振込電圧を一定にし、9300K
の白色を出して測定した。また、管面拡散反射率RはC
RT表面の外光反射輝度を、CRT管面照度350lu
x時で測定した。色度は、ミノルタ(株)製カラーアナ
ライザーCA−100により測定した。測定条件は、加
速電圧27kV、カソード電流300μAであった。
The brightness B was measured by a color analyzer CA-100 manufactured by Minolta Co., Ltd. The measurement conditions are
With the CRT incorporated in the set (GDM 19 inches), the transfer voltage to the red cathode was made constant, and 9300K
The white color was measured and measured. The diffuse reflectance R of the tube surface is C
The ambient light reflection brightness of the RT surface is adjusted to 350 lu of the CRT tube surface.
It was measured at x hour. The chromaticity was measured by a color analyzer CA-100 manufactured by Minolta Co., Ltd. The measurement conditions were an acceleration voltage of 27 kV and a cathode current of 300 μA.

【0056】[0056]

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、何等フィルターが装着されていない従来使用のカラ
ー表示装置に比較して、コントラストが向上する。しか
も、使用する赤色蛍光体との適当な組合せを行なえば、
輝度を低下させることなくコントラストを改善させる、
あるいはコントラストを変化させることなく輝度を改善
させることが可能であった。
As described above, according to the present invention, the contrast is improved as compared with the conventional color display device in which no filter is attached. Moreover, if the proper combination with the red phosphor to be used is made,
Improve contrast without reducing brightness,
Alternatively, it was possible to improve the brightness without changing the contrast.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】図1は本発明の一実施形態に係るカラーCRT
の概略図である。
FIG. 1 is a color CRT according to an embodiment of the present invention.
FIG.

【図2】図2は図1に示すパネル内面の要部断面図であ
る。
2 is a cross-sectional view of a main part of the inner surface of the panel shown in FIG.

【図3】図3は本発明の実施形態に係る赤色フィルター
の分光透過率特性を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a spectral transmittance characteristic of a red filter according to an embodiment of the present invention.

【図4】図4は本発明の実施形態に係る赤色フィルター
の蛍光体を塗布した後の分光反射率特性を示す図であ
る。
FIG. 4 is a diagram showing spectral reflectance characteristics after applying a phosphor of a red filter according to an embodiment of the present invention.

【図5】図5(A)〜(C)は蛍光面の作成方法を示す
工程図である。
5A to 5C are process diagrams showing a method for forming a phosphor screen.

【図6】図6(D)〜(F)は図5(C)の続きの工程
を示す工程図である。
6 (D) to 6 (F) are process diagrams showing a process following that of FIG. 5 (C).

【図7】図7(G),(H)は図6(F)の続きの工程
を示す工程図である。
7 (G) and (H) are process drawings showing a process following that of FIG. 6 (F).

【図8】図8は本発明の他の実施形態に係るカラー平面
表示装置の要部断面図である。
FIG. 8 is a cross-sectional view of an essential part of a color flat panel display according to another embodiment of the present invention.

【図9】図9は本発明の一実形態において作製したカラ
ー蛍光面の要部断面図である。
FIG. 9 is a cross-sectional view of an essential part of a color phosphor screen manufactured according to an embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2… 黒色ストライプ 4R… 赤色フィルター 12… パネルガラス 14… ファンネルガラス 15R… 赤色蛍光体 15G… 緑色蛍光体 15B… 青色蛍光体 16… 電子銃 2 ... Black stripe 4R ... Red filter 12 ... Panel glass 14 ... Funnel glass 15R ... Red phosphor 15G ... Green phosphor 15B ... Blue phosphor 16 ... Electron gun

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 透明パネルと、 前記透明パネルの内面側に設けられ、エネルギービーム
が照射されることにより、それぞれ赤色、緑色および青
色の光を発する赤色蛍光体、緑色蛍光体および青色蛍光
体とを有するカラー表示装置であって、 前記赤色蛍光体と前記透明パネルとの間に、Fe23
を主成分とする赤色フィルターが装着してあるカラー表
示装置。
1. A transparent panel, and a red phosphor, a green phosphor and a blue phosphor which are provided on the inner surface side of the transparent panel and emit red, green and blue light when irradiated with an energy beam, respectively. A color display device including: Fe 2 O 3 between the red phosphor and the transparent panel.
A color display device equipped with a red filter whose main component is.
【請求項2】 前記赤色フィルターの膜厚dが0.1μ
m≦d≦3.0μmである請求項1に記載のカラー表示
装置。
2. The film thickness d of the red filter is 0.1 μm.
The color display device according to claim 1, wherein m ≦ d ≦ 3.0 μm.
【請求項3】 前記赤色蛍光体が次の一般式で表わされ
るものである請求項1または2に記載のカラー表示装
置。 A:B (但し、式中AはY22 S、Y23 またはこれらの
混合物、BはEuまたはEuとSmの混合物であり、当
該蛍光体中のEu濃度[Eu]が0.1mol%≦[E
u]≦6.0mol%である)
3. The color display device according to claim 1, wherein the red phosphor is represented by the following general formula. A: B (wherein A is Y 2 O 2 S, Y 2 O 3 or a mixture thereof, B is Eu or a mixture of Eu and Sm, and the Eu concentration [Eu] in the phosphor is 0. 1 mol% ≦ [E
u] ≦ 6.0 mol%)
【請求項4】 パネルガラスと、 前記パネルガラスに接続されるファンネルガラスと、 前記ファンネルガラスのネック部内に装着される電子銃
と、 前記パネルガラスの内面側に設けられ、電子銃からの電
子ビームが照射されることにより、それぞれ赤色、緑色
および青色の光を発する赤色蛍光体、緑色蛍光体および
青色蛍光体とを有するカラー陰極線管であって、 前記赤色蛍光体と前記パネルガラスとの間に、Fe2
3 を主成分とする赤色フィルターが装着してあるカラー
陰極線管。
4. A panel glass, a funnel glass connected to the panel glass, an electron gun mounted in a neck portion of the funnel glass, and an electron beam from the electron gun provided on an inner surface side of the panel glass. Is a color cathode ray tube having a red phosphor that emits red, green and blue light, a green phosphor and a blue phosphor, respectively, between the red phosphor and the panel glass. , Fe 2 O
A color cathode ray tube equipped with a red filter whose main component is 3 .
【請求項5】 前記赤色フィルターの膜厚dが0.1μ
m≦d≦3.0μmである請求項4に記載のカラー陰極
線管。
5. The film thickness d of the red filter is 0.1 μm.
The color cathode ray tube according to claim 4, wherein m ≦ d ≦ 3.0 μm.
【請求項6】 透明パネルと、 前記透明パネルの内面側に設けられ、エネルギービーム
が照射されることにより、それぞれ赤色、緑色および青
色の光を発する赤色蛍光体、緑色蛍光体および青色蛍光
体とを有するカラー平面表示装置であって、 前記赤色蛍光体と前記透明パネルとの間に、Fe23
を主成分とする赤色フィルターが装着してあるカラー平
面表示装置。
6. A transparent panel, and a red phosphor, a green phosphor and a blue phosphor which are provided on the inner surface side of the transparent panel and emit red, green and blue lights when irradiated with an energy beam, respectively. A color flat panel display device comprising: Fe 2 O 3 between the red phosphor and the transparent panel.
A flat-panel color display device with a red filter whose main component is.
【請求項7】 前記赤色フィルターの膜厚dが0.1μ
m≦d≦3.0μmである請求項6に記載のカラー平面
表示装置。
7. The film thickness d of the red filter is 0.1 μm.
The color flat display device according to claim 6, wherein m ≦ d ≦ 3.0 μm.
JP19153395A 1995-07-27 1995-07-27 Color display device Pending JPH0945265A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19153395A JPH0945265A (en) 1995-07-27 1995-07-27 Color display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19153395A JPH0945265A (en) 1995-07-27 1995-07-27 Color display device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0945265A true JPH0945265A (en) 1997-02-14

Family

ID=16276255

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19153395A Pending JPH0945265A (en) 1995-07-27 1995-07-27 Color display device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0945265A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007184255A (en) * 2006-01-04 2007-07-19 Samsung Sdi Co Ltd Lighting system for display element, backlight unit equipped with lighting system for display element, and liquid crystal display equipped with the backlight unit

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007184255A (en) * 2006-01-04 2007-07-19 Samsung Sdi Co Ltd Lighting system for display element, backlight unit equipped with lighting system for display element, and liquid crystal display equipped with the backlight unit

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100888671B1 (en) Fluorescent powder, display panel, and flat display
US7118927B2 (en) Cold cathode field emission device and process for the production thereof, and cold cathode field emission display and process for the production thereof
JPH09274103A (en) Color filter composition, color display device and its production
JP2001288467A (en) Oxide composite particle and method of its manufacture, fluorescent material and method of its manufacture, color filter and method of its manufacture, and color display unit
JPH07235264A (en) Manufacture of electrophotographically screening cathode-raytube in which baking and sealing are combined
KR100238906B1 (en) Method for forming phosphor screen
JPH0945265A (en) Color display device
EP0925598B1 (en) Color display device having color filter layers
KR20040093491A (en) Method for patterning thick-film paste material layer, method for manufacturing cold-cathode field electron emission device, and method for manufacturing cold-cathode field electron emission device, and manufacturing cold-cathode field electron emission display
JP2005209662A (en) Color filter composition, color display device, and manufacturing method
JPH097530A (en) Color display device
JP2002338959A (en) Phosphor particle, its production method, display panel, its production method, flat display, and its production method
JPH10172460A (en) Double layer phosphor film, and manufacture thereof
JPH11233018A (en) Forming method for fluorescent screen with filter for color cathode-ray tube
US7088037B2 (en) Field emission display device
JPH0887962A (en) Manufacture of color cathode-ray tube
JP2004214049A (en) Gas discharge panel and its manufacturing method
WO2004059686A1 (en) Display
JPH08106859A (en) Color cathode-ray tube
JP2003215327A (en) Color filter, method for producing the same and color display using the same
JP2000223019A (en) Forming method for color filter
JPH11354026A (en) Color filter forming method
KR20010018044A (en) Structure and method manufacturing phosphor layer in color CRT
KR20010018040A (en) Structure of phosphor layer and method manufacturing that in color image display device
KR19980060831A (en) Phosphor composition for cathode ray tube, method for preparing phosphor for cathode ray tube using same and phosphor for cathode ray tube manufactured according to the method