JPH0943638A - Liquid crystal display element - Google Patents

Liquid crystal display element

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Publication number
JPH0943638A
JPH0943638A JP21395795A JP21395795A JPH0943638A JP H0943638 A JPH0943638 A JP H0943638A JP 21395795 A JP21395795 A JP 21395795A JP 21395795 A JP21395795 A JP 21395795A JP H0943638 A JPH0943638 A JP H0943638A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
liquid crystal
substrate
insulating film
pixel
Prior art date
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Pending
Application number
JP21395795A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasushi Nakajima
靖 中島
Toshihiro Mannouji
敏弘 萬納寺
Hiroko Awata
浩子 粟田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Casio Computer Co Ltd
Original Assignee
Casio Computer Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Casio Computer Co Ltd filed Critical Casio Computer Co Ltd
Priority to JP21395795A priority Critical patent/JPH0943638A/en
Publication of JPH0943638A publication Critical patent/JPH0943638A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal element which is hardly affected by the parasitic capacitance of a TFT and has a wide angle of visibility. SOLUTION: A pixel electrode 22 is formed on a TFT substrate 11, a lower layer electrode 31 and an additional capacitance electrode 38 are formed on a counter substrate 12, a color filter 33, etc., are formed thereon and upper layer electrodes 35a, 35b are formed on a color filter 33, etc. The upper electrode 35a is connected to the lower electrode 31. Liquid crystal 13 is enclosed between the TUFT substrate 11 and the counter substrate 12 to constitute the liquid crystal display element. The driving voltage applied between the lower layer electrode 31 and the pixel electrode 22 is applied to the liquid crystal 13 as it is in a region where the upper layer electrode 35a is arranged, and is lowered by a color filter 33 and applied to the liquid crystal 13 in a region where the upper layer 35b is arranged. Further, the additional capacitance is individually connected to the liquid crystal capacitance in both regions. Consequently, the lowering of voltage of the pixel electrode 22 due to the parasitic capacitance of the TFT 21 is reduced.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は広視野角の液晶表
示素子に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device having a wide viewing angle.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示素子は、薄型軽量化が可能であ
り、種々の電子機器の表示装置として使用されている。
しかし、液晶表示素子は、CRT等に比べて視野角が狭
く、中間調表示時の視角依存性が顕著であるという欠点
を有する。例えば、TN(ツイストネマティック)液晶
セルを一対の偏光板で挟んで構成されるTN液晶表示素
子においては、2値表示時には実用上十分な視野角を持
つものの、多階調表示時には視野角が狭いという欠点を
持つ。
2. Description of the Related Art Liquid crystal display devices can be made thin and lightweight and are used as display devices for various electronic devices.
However, the liquid crystal display element has a drawback that the viewing angle is narrower than that of a CRT or the like, and that the viewing angle dependency during halftone display is remarkable. For example, in a TN liquid crystal display device configured by sandwiching a TN (twisted nematic) liquid crystal cell between a pair of polarizing plates, the viewing angle is practically sufficient in binary display, but the viewing angle is narrow in multi-gradation display. Has the drawback.

【0003】視野角を広くする手法として、各画素電極
を複数の部分画素電極に分割すると共に、部分画素電極
に対向する制御電極を配置することにより、液晶容量と
直列に電圧降下用の制御容量を接続する方法が提案され
ている。この方法では、各部分画素電極が液晶に印加す
る電圧が互いに異なるため、異なった配向状態の領域が
各画素内に形成され、視野角が広くなる。
As a method of widening the viewing angle, each pixel electrode is divided into a plurality of partial pixel electrodes, and a control electrode facing the partial pixel electrode is arranged, whereby a control capacitor for voltage drop is connected in series with the liquid crystal capacitor. A method of connecting to is proposed. In this method, since the voltages applied to the liquid crystal by the partial pixel electrodes are different from each other, regions having different alignment states are formed in each pixel, and the viewing angle is widened.

【0004】しかしこの方法は、TFTを形成する過程
で、制御電極を形成しなければならず、TFTの欠陥を
引き起こしやすくTFT基板の歩留まりを低下させる欠
点がある。
However, this method has a drawback that a control electrode must be formed in the process of forming a TFT, which easily causes a defect of the TFT and reduces the yield of the TFT substrate.

【0005】これらの欠点を改善するために、TFTが
形成される基板と対向する基板側で、対向電極を複数に
分割し、対向電極上に形成される絶縁膜(カラーフィル
タ、オーバーコート層等)を利用して電圧を降下させる
方法が提案されている。この方法においても、分割され
た各画素の液晶に印加される電圧が互いに異なるため、
異なった配向状態の領域が各画素に形成されることにな
り、視野角が広くなる。
In order to improve these drawbacks, an insulating film (color filter, overcoat layer, etc.) formed on the counter electrode is divided into a plurality of counter electrodes on the side of the substrate facing the substrate on which the TFT is formed. ) Has been proposed to lower the voltage. Even in this method, since the voltages applied to the liquid crystal of each divided pixel are different from each other,
Regions having different alignment states are formed in each pixel, and the viewing angle is widened.

【0006】また、このような液晶表示素子では、アク
ティブ素子としてのTFTのソース電極に制御容量及び
液晶容量がそれぞれ接続されている。従って、液晶容量
に印加される電圧は、ゲートパルスがオフした際に、T
FTのゲート・ソース間に存在する寄生容量により、画
素電極の電圧も降下する。このため、液晶に印加される
電圧も降下する。この電圧降下を小さくする方法とし
て、絶縁膜を介して画素電極に対向する付加電極を形成
することにより、付加容量(補償容量)を液晶容量に並
列に接続する方法が知られている。付加容量は一つの画
素に対して一つ形成され、分割された画素に共通に接続
される。
Further, in such a liquid crystal display element, the control capacitor and the liquid crystal capacitor are respectively connected to the source electrode of the TFT as an active element. Therefore, the voltage applied to the liquid crystal capacitance is T when the gate pulse is turned off.
The voltage of the pixel electrode also drops due to the parasitic capacitance existing between the gate and source of the FT. Therefore, the voltage applied to the liquid crystal also drops. As a method of reducing this voltage drop, there is known a method of connecting an additional capacitance (compensation capacitance) in parallel with a liquid crystal capacitance by forming an additional electrode facing the pixel electrode via an insulating film. One additional capacitor is formed for each pixel and is commonly connected to the divided pixels.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかし、TFT基板に
付加電極を形成する方法は、TFT基板に制御電極を形
成する場合と同様に、TFTの欠陥を引き起こしやす
く、TFT基板の歩留まりを低下させる欠点がある。ま
た、分割画素に対して一つの付加容量を共通に接続する
方法では、TFTの寄生容量の影響による画素電極の電
圧降下を十分に低減することができない。
However, the method of forming the additional electrode on the TFT substrate, like the case of forming the control electrode on the TFT substrate, is apt to cause defects of the TFT and lowers the yield of the TFT substrate. There is. Further, the method of commonly connecting one additional capacitance to the divided pixels cannot sufficiently reduce the voltage drop of the pixel electrode due to the influence of the parasitic capacitance of the TFT.

【0008】この発明は上記実状に鑑みてなされたもの
で、歩留まり率が高く、TFTの寄生容量の影響による
画素電極の電圧降下が小さく、且つ、広い視野角を有す
る液晶表示素子を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a liquid crystal display element having a high yield rate, a small voltage drop of a pixel electrode due to the influence of a parasitic capacitance of a TFT, and a wide viewing angle. With the goal.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の第1の観点にかかる液晶表示素子は、各
画素領域に第1の電極が形成され、且つ、対応する第1
の電極に接続されたアクティブ素子が形成された第1の
基板と、前記第1の基板に対向して配置された第2の基
板と、前記第2の基板の前記第1の基板に対向する面の
各画素領域の一部に形成された第2の電極と、前記第2
の電極の上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の上の各
画素領域の一部に、前記第2の電極と接続され且つ前記
代1の電極に対向して形成された第3の電極と、前記絶
縁膜の上の各画素領域の一部に、第2の電極と一部が対
向し且つ前記第1の電極と対向して形成された第4の電
極と、前記第2の基板上の各画素領域の一部に、対向す
る前記第1の電極に接続され且つ前記第4の電極に対向
して形成された第5の電極と、前記第1と第2の基板間
に封止された液晶と、を備えることを特徴とする。
In order to achieve the above object, a liquid crystal display element according to a first aspect of the present invention has a first electrode formed in each pixel region and a corresponding first electrode.
A first substrate on which an active element connected to the electrodes of the second substrate is formed, a second substrate arranged to face the first substrate, and a second substrate facing the first substrate of the second substrate. A second electrode formed on a part of each pixel region of the surface;
An insulating film formed on the electrode of the third electrode, and a third electrode formed on a part of each pixel region on the insulating film so as to be connected to the second electrode and to face the electrode of the first electrode. An electrode; a fourth electrode formed on a part of each pixel region on the insulating film so as to partly face the second electrode and to face the first electrode; A fifth electrode, which is connected to the opposing first electrode and is opposed to the fourth electrode, is formed in a part of each pixel region on the substrate, and between the first and second substrates. And a sealed liquid crystal.

【0010】上記目的を達成するため、この発明の第2
の観点にかかる液晶表示素子は、各画素領域に第1の電
極が形成され、且つ、対応する第1の電極に接続された
アクティブ素子が形成された第1の基板と、前記第1の
基板に対向して配置された第2の基板と、前記第2の基
板の前記第1の基板に対向する面の各画素領域の一部
に、前記第1の電極と対向して形成された第2の電極
と、前記第2の電極の上に形成された第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上の各画素領域の一部に、前記第2の
電極と接続され且つ前記第1の電極と対向して形成され
た第3の電極と、前記第1の絶縁膜上の各画素領域の一
部に、前記第2の電極と一部が対向し且つ前記第1の電
極と対向して形成された第4の電極と、前記第3及び第
4の電極の上に形成された第2の絶縁膜と、前記第2の
絶縁膜上の各画素領域の一部に前記第4の電極に対向し
て形成され、且つ対向する前記第1の電極に接続された
第5の電極と、前記第1と第2の基板間に封止された液
晶と、を備えることを特徴とする。
In order to achieve the above object, the second aspect of the present invention
According to another aspect of the liquid crystal display element, a first substrate on which a first electrode is formed in each pixel region, and an active element connected to the corresponding first electrode is formed, and the first substrate. And a second substrate formed so as to face the first electrode in a part of each pixel region of a surface of the second substrate facing the first substrate. A second electrode, a first insulating film formed on the second electrode,
On a part of each pixel region on the first insulating film, a third electrode connected to the second electrode and formed opposite to the first electrode, and on the first insulating film. A fourth electrode formed in a part of each pixel region of the second electrode and a part of the second electrode and the first electrode, and on the third and fourth electrodes. The formed second insulating film and the first insulating film formed in a part of each pixel region on the second insulating film so as to oppose the fourth electrode and connected to the opposing first electrode. 5 electrode, and a liquid crystal sealed between the first and second substrates.

【0011】上記目的を達成するため、この発明の第3
の観点にかかる液晶表示素子は、各画素領域に第1の電
極が形成され、且つ、対応する第1の電極に接続された
アクティブ素子が形成された第1の基板と、前記第1の
基板に対向して配置された第2の基板と、前記第2の基
板の前記第1の基板に対向する面の各画素領域の一部に
形成された第2の電極と、前記第2の電極の上に形成さ
れた絶縁膜と、前記絶縁膜上の各画素領域の一部に前記
第1の電極と対向して形成された第3の電極と、前記絶
縁膜の上に第2の電極と一部が対向し且つ前記第1の電
極と対向して形成された第4の電極と、前記第2の基板
上の各画素領域の一部に、対向する前記第1の電極に接
続され且つ前記第4の電極と対向して形成された第5の
電極と、前記第1と第2の基板間に封止された液晶と、
を備えることを特徴とする。
In order to achieve the above object, the third aspect of the present invention
According to another aspect of the liquid crystal display element, a first substrate on which a first electrode is formed in each pixel region, and an active element connected to the corresponding first electrode is formed, and the first substrate. A second substrate disposed to face each other, a second electrode formed in a part of each pixel region on a surface of the second substrate facing the first substrate, and the second electrode An insulating film formed on the insulating film, a third electrode formed on a part of each pixel region on the insulating film so as to face the first electrode, and a second electrode formed on the insulating film. A part of each pixel region on the second substrate, and a fourth electrode formed to partly face each other and to face the first electrode, and connected to the first electrode facing each other. A fifth electrode formed to face the fourth electrode; a liquid crystal sealed between the first and second substrates;
It is characterized by having.

【0012】上記目的を達成するため、この発明の第4
の観点にかかる液晶表示素子は、各画素領域に第1の電
極が形成され、且つ、対応する第1の電極に接続された
アクティブ素子が形成された第1の基板と、前記第1の
基板に対向して配置された第2の基板と、前記第2の基
板の前記第1の基板に対向する面の各画素領域に形成さ
れ、対向する前記第1の電極に接続された第2の電極
と、前記第2の電極の上に形成された第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上の各画素領域の一部に形成され、前
記第1と第2の電極に対向して形成された第3の電極
と、前記第3の電極の上に形成された第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上の各画素領域の一部に形成され、前
記第1乃至第3の電極に対向する第4の電極と、前記第
1と第2の基板間に封止された液晶と、を備えることを
特徴とする。
In order to achieve the above object, the fourth aspect of the present invention
According to another aspect of the liquid crystal display element, a first substrate on which a first electrode is formed in each pixel region, and an active element connected to the corresponding first electrode is formed, and the first substrate. And a second substrate that is formed in each pixel region on a surface of the second substrate that faces the first substrate and that is connected to the first electrode that faces the second substrate. An electrode, a first insulating film formed on the second electrode,
A third electrode formed on a part of each pixel region on the first insulating film and formed to face the first and second electrodes, and formed on the third electrode. A second insulating film,
A fourth electrode formed on a part of each pixel region on the second insulating film and facing the first to third electrodes, and a liquid crystal sealed between the first and second substrates. And are provided.

【0013】この発明の第1〜第4の観点にかかる液晶
表示素子によれば、各画素内に駆動電圧がほぼそのまま
印加される領域と、絶縁膜により降圧されて印加される
領域が形成される。従って、視野角が広くなる。また、
駆動電圧がほぼそのまま印加される領域と、絶縁膜によ
り降圧されて印加される領域に、それぞれ、独立して付
加容量が形成されるので、アクティブ素子の寄生容量の
影響を低減することができる。さらに、アクティブ素子
が形成された第1の基板側の構成が簡単なので、液晶表
示素子を比較的容易に歩留まりよく製造することができ
る。
According to the liquid crystal display device of the first to fourth aspects of the present invention, a region where the drive voltage is applied almost as it is and a region where the drive voltage is stepped down and applied by the insulating film are formed in each pixel. It Therefore, the viewing angle becomes wide. Also,
Since the additional capacitance is formed independently in each of the region where the drive voltage is applied almost as it is and the region where the drive voltage is stepped down by the insulating film, the influence of the parasitic capacitance of the active element can be reduced. Further, since the structure on the side of the first substrate on which the active element is formed is simple, the liquid crystal display element can be manufactured relatively easily with high yield.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態を、T
FT液晶表示素子を例に図面を参照して説明する。 (第1実施形態)図1は第1実施形態にかかるTN液晶
表示素子の断面構造を示し、図2はTFT基板の平面構
造を示し、図3は対向基板の平面構造を示す。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below.
An FT liquid crystal display device will be described as an example with reference to the drawings. (First Embodiment) FIG. 1 shows a sectional structure of a TN liquid crystal display element according to the first embodiment, FIG. 2 shows a planar structure of a TFT substrate, and FIG. 3 shows a planar structure of an opposite substrate.

【0015】図1に示すように、この液晶表示素子は、
シール材SCにより接合された一対の透明基板11、1
2と、一対の透明基板11、12間に封止されたTN
(ツイストネマティック)液晶13とより構成される液
晶セル16と、液晶セル16を挟んで配置された偏光板
14、15と、より構成される。
As shown in FIG. 1, this liquid crystal display device is
A pair of transparent substrates 11 and 1 joined by a sealing material SC
2 and a TN sealed between the pair of transparent substrates 11 and 12
A liquid crystal cell 16 including a (twisted nematic) liquid crystal 13 and polarizing plates 14 and 15 arranged with the liquid crystal cell 16 interposed therebetween.

【0016】透明基板11、12はガラス等から構成さ
れる。下側の透明基板(以下、TFT基板)11には、
図1及び図2に示すように、アクティブ素子としてのT
FT(薄膜トランジスタ)21と画素電極22とがマト
リクス状に配置され、これらの上に配向膜23が配置さ
れている。
The transparent substrates 11 and 12 are made of glass or the like. On the lower transparent substrate (hereinafter, TFT substrate) 11,
As shown in FIGS. 1 and 2, T as an active element
FTs (thin film transistors) 21 and pixel electrodes 22 are arranged in a matrix, and an alignment film 23 is arranged thereon.

【0017】各TFT21のソース電極は対応する画素
電極22に接続され、各行のTFT21のゲート電極は
対応するゲートラインGLに接続され、各列のTFT2
1のドレイン電極は対応するデータラインDLに接続さ
れている。画素電極22は、ITO(インジウムとスズ
の酸化物)等からなる透明導電膜から形成され、TFT
21を介して信号電圧(書き込み電圧)が印加される。
The source electrode of each TFT 21 is connected to the corresponding pixel electrode 22, the gate electrode of each row TFT 21 is connected to the corresponding gate line GL, and each row TFT 2 is connected.
The drain electrode of No. 1 is connected to the corresponding data line DL. The pixel electrode 22 is formed of a transparent conductive film made of ITO (oxide of indium and tin) or the like, and
A signal voltage (writing voltage) is applied via 21.

【0018】他方の透明基板(以下、対向基板)12に
は図3(A)に示すように、複数の画素電極22に対向
するストライプ状の下層電極(対向電極)31と各画素
領域で画素電極22に対向する付加容量電極38が形成
されている。下層電極31及び付加容量電極38は厚さ
0.08±0.02μm程度のITOから形成されてい
る。下層電極31は互いに接続されて共通電圧(コモン
電圧)Vcomが供給される電極端子37に接続されてい
る。付加容量電極38はTFT基板11上に形成されて
いる各画素電極22にそれぞれ接続されている。また、
対向基板12上のTFT21と対向する部分及び画素電
極22間の部分と対向する部分には、光遮蔽性のブラッ
クマスク32が配置されている。
As shown in FIG. 3A, on the other transparent substrate (hereinafter referred to as a counter substrate) 12, stripe-shaped lower layer electrodes (counter electrodes) 31 facing a plurality of pixel electrodes 22 and pixels in each pixel region are formed. An additional capacitance electrode 38 facing the electrode 22 is formed. The lower electrode 31 and the additional capacitance electrode 38 are formed of ITO having a thickness of about 0.08 ± 0.02 μm. The lower layer electrodes 31 are connected to each other and to an electrode terminal 37 to which a common voltage (common voltage) Vcom is supplied. The additional capacitance electrode 38 is connected to each pixel electrode 22 formed on the TFT substrate 11. Also,
A black mask 32 having a light-shielding property is arranged in a portion facing the TFT 21 on the counter substrate 12 and a portion facing the portion between the pixel electrodes 22.

【0019】下層電極31及び付加容量電極38上の各
画素領域には、RGB各色のカラーフィルタ33(33
R、33G、33B)が配置されている。カラーフィル
タ33は、厚さ1μm程度のアクリル系樹脂等から構成
され、顔料により、R、G、Bのいずれかに着色されて
いる。カラーフィルタ33の配置は、ストライプ、斜め
モザイク、三角型モザイク等のいずれの手法でもよい。
カラーフィルタ33(33R、33G、33B)の上に
は、基板全面に、オーバーコート層(保護層)34が配
置されている。オーバーコート層34は、厚さ1μm程
度のアクリル系樹脂、SiO2等から構成される。
In each pixel area on the lower layer electrode 31 and the additional capacitance electrode 38, color filters 33 (33) of RGB colors are provided.
R, 33G, 33B) are arranged. The color filter 33 is made of an acrylic resin or the like having a thickness of about 1 μm, and is colored R, G, or B with a pigment. The color filter 33 may be arranged by any method such as stripe, diagonal mosaic, or triangular mosaic.
An overcoat layer (protective layer) 34 is disposed on the entire surface of the substrate on the color filters 33 (33R, 33G, 33B). The overcoat layer 34 is made of acrylic resin, SiO2 or the like having a thickness of about 1 μm.

【0020】オーバーコート層34の上には、図3
(B)に示すように、複数の画素電極22と対向するス
トライプ状の上層電極35a、35bがそれぞれ形成さ
れている。上層電極35a、35bは、厚さ0.08±
0.02μm程度の厚さのITOより構成され、それぞ
れは電極の端部で接続されている。上層電極35aは下
層電極31と接続されており、共通電圧Vcomが印加さ
れる。上層電極35bは一部が下層電極31と対向する
ように配置されている。
Above the overcoat layer 34, FIG.
As shown in (B), stripe-shaped upper layer electrodes 35a and 35b facing the plurality of pixel electrodes 22 are formed, respectively. The upper layer electrodes 35a and 35b have a thickness of 0.08 ±
It is composed of ITO having a thickness of about 0.02 μm, and they are connected to each other at the ends of the electrodes. The upper layer electrode 35a is connected to the lower layer electrode 31, and the common voltage Vcom is applied. The upper layer electrode 35b is arranged so that a part thereof faces the lower layer electrode 31.

【0021】上層電極35a、35b及びオーバーコー
ト層34の上には、ポリイミド等からなる配向膜36が
形成されている。図1で下側の配向膜23には、図4の
破線で示す方向(0°の方向)にラビング等の配向処理
が施され、上側の配向膜36には、図4の実線で示す方
向(90°の方向)に配向処理が施されている。
An alignment film 36 made of polyimide or the like is formed on the upper layer electrodes 35a and 35b and the overcoat layer 34. The lower alignment film 23 in FIG. 1 is subjected to alignment treatment such as rubbing in the direction indicated by the broken line in FIG. 4 (direction of 0 °), and the upper alignment film 36 is subjected to the direction indicated by the solid line in FIG. The orientation treatment is applied to the (90 ° direction).

【0022】液晶13はカイラル剤が添加されたネマテ
ィック液晶から構成され、配向処理に従ってTFT基板
11から対向基板12に向けて時計回り方向に90°
(0°〜−90°)ツイストして配向している。
The liquid crystal 13 is composed of a nematic liquid crystal to which a chiral agent is added, and is 90 ° clockwise from the TFT substrate 11 toward the counter substrate 12 according to the alignment treatment.
(0 ° to −90 °) Twisted and oriented.

【0023】下側(光入射側)の偏光板14は、その透
過軸が下側の配向膜23に施された配向処理の方向に垂
直(90°)になるように設定され、上側(光出射側)
の偏光板15は、その透過軸が下側の偏光板14の透過
軸に垂直となるように設定されている。
The lower (light incident side) polarizing plate 14 is set so that its transmission axis is perpendicular (90 °) to the direction of the alignment treatment applied to the lower alignment film 23, and the upper (light incident side) polarizing plate 14 is set. Output side)
The polarizing plate 15 is set so that its transmission axis is perpendicular to the transmission axis of the lower polarizing plate 14.

【0024】次に、上記構成の液晶表示素子の作用を図
5及び図6を参照して説明する。図5に1画素の断面を
拡大して示す。図示するように、各画素は上層電極35
aが形成された領域(以下、通常画素)A1と上層電極
35bが形成された領域(以下、電圧降下画素)A2に
分割されている。なお、上層電極35aと35bの面積
比、即ち、通常画素A1と電圧降下画素A2の面積比は
7:3〜5:5の範囲になるように構成されている。
Next, the operation of the liquid crystal display device having the above structure will be described with reference to FIGS. FIG. 5 shows an enlarged cross section of one pixel. As shown, each pixel has an upper electrode 35.
It is divided into a region (hereinafter referred to as a normal pixel) A1 in which a is formed and a region (hereinafter referred to as a voltage drop pixel) A2 in which the upper layer electrode 35b is formed. The area ratio of the upper layer electrodes 35a and 35b, that is, the area ratio of the normal pixel A1 and the voltage drop pixel A2 is in the range of 7: 3 to 5: 5.

【0025】このような構成において、図5に示すよう
に、画素電極22と上層電極35aとの間の容量を第1
液晶容量CLC1、画素電極22と上層電極35bとの間
の容量を第2液晶容量CLC2、上層電極35aと付加容
量電極38との間の容量を第1付加容量CS1、上層電極
35bと下層電極31との間の容量を制御容量CCF、上
層電極35bと付加容量電極38との間の容量を第2付
加容量CS2とすると、各画素の等価回路は図6に示すよ
うになる。
In such a structure, as shown in FIG. 5, the capacitance between the pixel electrode 22 and the upper layer electrode 35a is set to the first value.
The liquid crystal capacitance CLC1, the capacitance between the pixel electrode 22 and the upper layer electrode 35b is the second liquid crystal capacitance CLC2, the capacitance between the upper layer electrode 35a and the additional capacitance electrode 38 is the first additional capacitance CS1, the upper layer electrode 35b and the lower layer electrode 31. When the capacitance between and is the control capacitance CCF, and the capacitance between the upper layer electrode 35b and the additional capacitance electrode 38 is the second additional capacitance CS2, the equivalent circuit of each pixel is as shown in FIG.

【0026】電極端子37と画素電極22との間に印加
される駆動電圧をV0とすると、第1液晶容量CLC1に印
加される電圧VLC1と第2液晶容量CLC2に印加される電
圧VLC2は数1と数2で表される。
When the drive voltage applied between the electrode terminal 37 and the pixel electrode 22 is V0, the voltage VLC1 applied to the first liquid crystal capacitor CLC1 and the voltage VLC2 applied to the second liquid crystal capacitor CLC2 are given by And expressed by the equation 2.

【0027】[0027]

【数1】VLC1=V0[Equation 1] VLC1 = V0

【数2】VLC2=V0×CCF/(CCF+CLC2+CS2)[Formula 2] VLC2 = V0 × CCF / (CCF + CLC2 + CS2)

【0028】数1及び数2に示すように、通常画素A1
の液晶13には、駆動電圧V0がほぼそのまま印加さ
れ、電圧降下画素A2の液晶13には、駆動電圧V0が分
圧されて印加される。従って、各画素内に、印加電圧の
異なる領域、即ち、配向状態の異なる領域が形成され、
これらの光学特性が平均化されるため、視野角が広くな
る。
As shown in the equations 1 and 2, the normal pixel A1
The drive voltage V0 is applied to the liquid crystal 13 of FIG. 3 as it is, and the drive voltage V0 is divided and applied to the liquid crystal 13 of the voltage drop pixel A2. Therefore, regions with different applied voltages, that is, regions with different alignment states are formed in each pixel,
Since these optical characteristics are averaged, the viewing angle becomes wide.

【0029】電圧降下画素A2の液晶13に印加される
電圧VLC2は、上層電極35bと下層電極31の対向部
分の面積、カラーフィルタ33及びオーバーコート層3
4の厚さ、付加容量電極38の面積等を変更することに
より、任意に変更、調整することができる。従って、実
験などにより、最適な電圧VLC2が得られる条件を予め
求めておき、条件に従ってそれぞれを配置または形成す
る。
The voltage VLC2 applied to the liquid crystal 13 of the voltage drop pixel A2 is the area of the facing portion of the upper layer electrode 35b and the lower layer electrode 31, the color filter 33 and the overcoat layer 3.
4 can be changed and adjusted arbitrarily by changing the thickness of No. 4, the area of the additional capacitance electrode 38, and the like. Therefore, the conditions for obtaining the optimum voltage VLC2 are obtained in advance by experiments or the like, and each is arranged or formed according to the conditions.

【0030】また、第1液晶容量CLC1には第1付加容
量CS1が並列に接続されており、第2液晶容量CLC2に
は第2付加容量CS2が並列に接続されている。従って、
TFT21のゲート・ソース間容量Cgsによるゲートパ
ルスのオフに伴う画素電極22の電圧の降下が緩和され
る。
The first additional capacitance CS1 is connected in parallel to the first liquid crystal capacitance CLC1, and the second additional capacitance CS2 is connected in parallel to the second liquid crystal capacitance CLC2. Therefore,
The voltage drop of the pixel electrode 22 due to the turning off of the gate pulse due to the gate-source capacitance Cgs of the TFT 21 is alleviated.

【0031】図7に図1〜図5の構成の液晶表示素子に
8階調表示を行わせる際の透過率−視野角特性を示す。
この特性は通常画素A1と電圧降下画素A2の面積比を
1:1として得られたものである。また比較のため、従
来の画素を分割しない構造での液晶表示素子の透過率−
視野角特性を図8に示す。図7、図8の横軸は視角角度
を示し、0゜〜50゜は上方向の角度を、0゜〜−50
゜は下方向の角度を示す。縦軸は透過率を示す。電圧V
1〜V8は、8階調表示を行う場合の各印加電圧を示
す。V1は明を表示する電圧を示し、V8は暗を表示す
る電圧を示し、V2〜V7の電圧は電圧V8を7等分し
た値である。
FIG. 7 shows the transmittance-viewing angle characteristics when the liquid crystal display device having the structure shown in FIGS. 1 to 5 is caused to perform 8-gradation display.
This characteristic is obtained when the area ratio of the normal pixel A1 and the voltage drop pixel A2 is 1: 1. For comparison, the transmittance of the liquid crystal display element in the conventional structure in which the pixel is not divided-
The viewing angle characteristics are shown in FIG. The horizontal axis in FIGS. 7 and 8 represents the viewing angle, 0 ° to 50 ° represents the upward angle, and 0 ° to −50.
° indicates a downward angle. The vertical axis represents the transmittance. Voltage V
1 to V8 represent applied voltages when performing 8-gradation display. V1 indicates a voltage for displaying light, V8 indicates a voltage for displaying dark, and the voltages V2 to V7 are values obtained by dividing the voltage V8 into seven equal parts.

【0032】図8の特性においては、下方向の30゜〜
50゜の視角では電圧V8に対する透過率が、電圧V3
〜V7に対する透過率よりも大きくなっており、表示階
調が反転している。
In the characteristics shown in FIG. 8, the downward 30 ° to
At a viewing angle of 50 °, the transmittance for voltage V8 is
The transmittance is higher than V7 to V7, and the display gradation is inverted.

【0033】これに対し、図7の特性においては、下方
向の視角30゜〜50゜では電圧V8に対する透過率
が、電圧V3〜V7に対する透過率よりも低く、表示階
調の反転は起こっていない。即ち、この実施形態におい
ては、視野角が拡大している。
On the other hand, in the characteristics of FIG. 7, the transmittance for the voltage V8 is lower than the transmittance for the voltages V3 to V7 at the downward viewing angle of 30 ° to 50 °, and the inversion of the display gradation occurs. Absent. That is, the viewing angle is expanded in this embodiment.

【0034】このように、この実施形態では、対向基板
12側でカラーフィルタ33及びオーバーコート層34
を利用して制御容量CFCと付加容量CS1とCS2を形成す
る。従って、TFT21のゲート・ソース間の寄生容量
等による画素電極22の電圧の降下が小さく、且つ、広
い視野角を有する液晶表示素子が実現できる。また、対
向基板12側に制御容量及び付加容量形成用の電極を構
成しているので、これらの電極を製造する過程でTFT
を破壊する事態を防止でき、液晶表示素子の製造歩留ま
りを向上させることができる。
As described above, in this embodiment, the color filter 33 and the overcoat layer 34 are provided on the counter substrate 12 side.
Is used to form the control capacitance CFC and the additional capacitances CS1 and CS2. Therefore, it is possible to realize a liquid crystal display device having a small voltage drop of the pixel electrode 22 due to the parasitic capacitance between the gate and the source of the TFT 21 and having a wide viewing angle. Further, since the electrodes for forming the control capacitance and the additional capacitance are formed on the side of the counter substrate 12, the TFT is manufactured in the process of manufacturing these electrodes.
It is possible to prevent the situation that the liquid crystal is destroyed and improve the manufacturing yield of the liquid crystal display element.

【0035】(第2実施形態)図9にこの発明の第2実
施形態の液晶表示素子の1画素分の断面を拡大して示
す。この実施形態の構成では、対向基板12上に下層電
極31が形成され、下層電極31の上にカラーフィルタ
33及びオーバーコート層34からなる第1の絶縁膜が
形成されている。オーバーコート層34の上には画素を
2分割する上層電極35a及び35bが面積比が7:3
〜5:5になるように形成されている。上層電極35a
は下層電極31よりも小さいサイズで形成され、下層電
極31と端部で接続されている。上層電極35bは一部
が下層電極31と対向するように形成されている。上層
電極35a及び35bの上には第2の絶縁膜39が形成
され、第2の絶縁膜39の上の各画素領域には、付加容
量電極38が上層電極35bの一部に対向して形成され
ている。付加容量電極38は対向する画素電極22に接
続されている。
(Second Embodiment) FIG. 9 shows an enlarged cross section of one pixel of a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention. In the configuration of this embodiment, the lower layer electrode 31 is formed on the counter substrate 12, and the first insulating film including the color filter 33 and the overcoat layer 34 is formed on the lower layer electrode 31. On the overcoat layer 34, upper layer electrodes 35a and 35b for dividing the pixel into two have an area ratio of 7: 3.
It is formed so as to be 5: 5. Upper layer electrode 35a
Is formed in a size smaller than the lower layer electrode 31 and is connected to the lower layer electrode 31 at the end. The upper layer electrode 35b is formed so that a part thereof faces the lower layer electrode 31. A second insulating film 39 is formed on the upper layer electrodes 35a and 35b, and an additional capacitance electrode 38 is formed in each pixel region on the second insulating film 39 so as to face a part of the upper layer electrode 35b. Has been done. The additional capacitance electrode 38 is connected to the opposing pixel electrode 22.

【0036】このような構成の液晶表示素子の等価回路
は、図6に示した第1実施形態の等価回路と同一にな
る。
The equivalent circuit of the liquid crystal display device having such a configuration is the same as the equivalent circuit of the first embodiment shown in FIG.

【0037】従って、この実施形態によっても、TFT
21のゲート・ソース間容量の影響が小さく、且つ、広
い視野角を有する液晶表示素子が実現できる。また、液
晶表示素子の製造歩留まりを向上させることができる。
Therefore, according to this embodiment as well, the TFT
It is possible to realize a liquid crystal display device having a wide viewing angle, which is less affected by the gate-source capacitance 21. In addition, the manufacturing yield of the liquid crystal display device can be improved.

【0038】(第3実施形態)図10にこの発明の第3
実施形態の液晶表示素子の1画素の断面を拡大して示
す。この実施形態の構成は、上層電極35aと下層電極
31が接続されておらず、駆動電圧V0が上層電極35
aと画素電極22との間に印加される点以外は、第1実
施形態の構成と同一である。図10の構成において、上
層電極35aと画素電極22との間の容量をCLC1、上
層電極35bと画素電極22との間の容量をCLC2、上
層電極35aと下層電極31との間の容量をCCF1、上
層電極35aと付加容量電極38との間の容量をCS1、
上層電極35bと下層電極31との間の容量をCCF2、
上層電極35bと付加容量電極38との間の容量をCS2
とすると、この構成の液晶表示素子の等価回路は図11
に示すようになる。このような構成において、通常画素
A1の液晶13に印加される電圧は数3で表され、電圧
降下画素A2の液晶13に印加される電圧は数4で表さ
れる。
(Third Embodiment) FIG. 10 shows a third embodiment of the present invention.
The cross section of 1 pixel of the liquid crystal display element of embodiment is expanded and shown. In the configuration of this embodiment, the upper layer electrode 35a and the lower layer electrode 31 are not connected, and the driving voltage V0 is equal to the upper layer electrode 35.
The configuration is the same as that of the first embodiment except that it is applied between a and the pixel electrode 22. In the configuration of FIG. 10, the capacitance between the upper layer electrode 35a and the pixel electrode 22 is CLC1, the capacitance between the upper layer electrode 35b and the pixel electrode 22 is CLC2, and the capacitance between the upper layer electrode 35a and the lower layer electrode 31 is CCF1. , The capacitance between the upper layer electrode 35a and the additional capacitance electrode 38 is CS1,
The capacitance between the upper layer electrode 35b and the lower layer electrode 31 is CCF2,
The capacitance between the upper layer electrode 35b and the additional capacitance electrode 38 is CS2
Then, the equivalent circuit of the liquid crystal display device having this configuration is shown in FIG.
It becomes as shown in. In such a configuration, the voltage applied to the liquid crystal 13 of the normal pixel A1 is expressed by Expression 3, and the voltage applied to the liquid crystal 13 of the voltage drop pixel A2 is expressed by Expression 4.

【0039】[0039]

【数3】VLC1=V0[Equation 3] VLC1 = V0

【数4】VLC2=VLC1×CCF/(CCF+CLC2+CS2)[Equation 4] VLC2 = VLC1 × CCF / (CCF + CLC2 + CS2)

【0040】即ち、通常画素A1の液晶13には、駆動
電圧V0がほぼそのまま印加され、電圧降下画素A2の液
晶13には駆動電圧V0を分圧した電圧が印加される。
従って、各画素内に配向状態の異なる領域が形成され、
これらの光学特性が平均化されるため、視野角が広くな
る。
That is, the drive voltage V0 is applied to the liquid crystal 13 of the normal pixel A1 almost as it is, and a voltage obtained by dividing the drive voltage V0 is applied to the liquid crystal 13 of the voltage drop pixel A2.
Therefore, regions with different alignment states are formed in each pixel,
Since these optical characteristics are averaged, the viewing angle becomes wide.

【0041】また、通常画素A1の液晶容量(第1液晶
容量)CLC1に第1付加容量CS1が並列接続され、電圧
降下画素A2の液晶容量(第2液晶容量)CLC2に第2付
加容量CS2が並列に接続されているので、TFT21の
ゲート・ソース間容量の影響を抑えることができる。
The first additional capacitance CS1 is connected in parallel to the liquid crystal capacitance (first liquid crystal capacitance) CLC1 of the normal pixel A1, and the second additional capacitance CS2 is connected to the liquid crystal capacitance (second liquid crystal capacitance) CLC2 of the voltage drop pixel A2. Since they are connected in parallel, the influence of the gate-source capacitance of the TFT 21 can be suppressed.

【0042】(第4実施形態)図12にこの発明の第4
実施形態の液晶表示素子の1画素分の断面を拡大して示
す。この実施形態では、対向基板12上の各画素領域の
全体には付加容量電極38(下層電極)が形成されてい
る。付加容量電極38は対向する画素電極22に接続さ
れている。付加容量電極38の上には絶縁膜39が形成
され、絶縁膜39の上に付加容量電極38より小さい面
積の中層電極40が形成されている。中層電極40には
液晶表示素子の共通電圧Vcomが印加される。中層電極
40の上には各画素領域にカラーフィルタ33が形成さ
れ、さらにその上にはオーバーコート層34が形成され
ている。オーバーコート層34の上には、付加容量電極
38と対向し、且つ中層電極40と一部が対向する上層
電極35が形成されている。
(Fourth Embodiment) FIG. 12 shows a fourth embodiment of the present invention.
The cross section for 1 pixel of the liquid crystal display element of embodiment is expanded and shown. In this embodiment, the additional capacitance electrode 38 (lower layer electrode) is formed over the entire pixel region on the counter substrate 12. The additional capacitance electrode 38 is connected to the opposing pixel electrode 22. An insulating film 39 is formed on the additional capacitance electrode 38, and an intermediate layer electrode 40 having an area smaller than that of the additional capacitance electrode 38 is formed on the insulating film 39. A common voltage Vcom of the liquid crystal display element is applied to the middle layer electrode 40. A color filter 33 is formed in each pixel region on the intermediate electrode 40, and an overcoat layer 34 is further formed thereon. An upper layer electrode 35 is formed on the overcoat layer 34 so as to face the additional capacitance electrode 38 and partially face the middle layer electrode 40.

【0043】各画素は、上層電極35が配置された領域
(電圧降下画素)A2と、その他の領域(通常画素)A1
に分割されている。通常画素A1と電圧降下画素A2の面
積比は5:5〜7:3程度に形成されている。中層電極
40と、オーバーコート層34と配向膜36との境界点
(以下、K1点)との間の第1制御容量をCCF1、K1
点と画素電極22との間の第1液晶容量をCLC1、中層
電極40と付加容量電極38との間の第1付加容量をC
S1、中層電極40と上層電極35との間の第2制御容量
をCCF2、上層電極35と画素電極22との間の第2液
晶容量をCLC2、上層電極35と付加容量電極38との
間の第2付加容量をCS2とし、中層電極40と画素電極
22との間に液晶表示素子の駆動電圧V0が印加される
とすると、各画素の等価回路は図13に示すようにな
る。
Each pixel has a region (voltage drop pixel) A2 in which the upper layer electrode 35 is arranged and another region (normal pixel) A1.
Is divided into The area ratio between the normal pixel A1 and the voltage drop pixel A2 is formed to be about 5: 5 to 7: 3. The first control capacitance between the middle layer electrode 40 and the boundary point (hereinafter, K1 point) between the overcoat layer 34 and the alignment film 36 is CCF1, K1.
The first liquid crystal capacitance between the point and the pixel electrode 22 is CLC1, and the first additional capacitance between the middle layer electrode 40 and the additional capacitance electrode 38 is CLC1.
S1, a second control capacitance between the middle electrode 40 and the upper electrode 35 is CCF2, a second liquid crystal capacitance between the upper electrode 35 and the pixel electrode 22 is CLC2, and a second liquid crystal capacitance between the upper electrode 35 and the additional capacitance electrode 38 is SLC. Assuming that the second additional capacitance is CS2 and the drive voltage V0 of the liquid crystal display element is applied between the middle layer electrode 40 and the pixel electrode 22, the equivalent circuit of each pixel is as shown in FIG.

【0044】図13より、通常画素A1の液晶13に印
加される電圧VLC1と電圧降下画素A2の液晶13に印加
される電圧VLC2はそれぞれ数5、数6で表される。
From FIG. 13, the voltage VLC1 applied to the liquid crystal 13 of the normal pixel A1 and the voltage VLC2 applied to the liquid crystal 13 of the voltage drop pixel A2 are expressed by equations 5 and 6, respectively.

【0045】[0045]

【数5】VLC1=V0×CCF1/(CCF1+CLC1)[Formula 5] VLC1 = V0 × CCF1 / (CCF1 + CLC1)

【数6】VLC2=V0×CCF2/(CCF2+CLC2+CS2)[Equation 6] VLC2 = V0 × CCF2 / (CCF2 + CLC2 + CS2)

【0046】即ち、通常画素A1の液晶13には駆動電
圧V0が第1制御容量CCF1と第1液晶容量CLC1とによ
り分圧されて印加され、電圧降下画素A2の液晶13に
は、駆動電圧V0が第2制御容量CCF2と、第2液晶容量
CLC2に第2付加容量CS2が並列接続された合成容量と
に分圧されて印加される。
That is, the drive voltage V0 is applied to the liquid crystal 13 of the normal pixel A1 after being divided by the first control capacitance CCF1 and the first liquid crystal capacitance CLC1 and applied to the liquid crystal 13 of the voltage drop pixel A2. Is divided and applied to the second control capacitance CCF2 and the combined capacitance in which the second additional capacitance CS2 is connected in parallel to the second liquid crystal capacitance CLC2.

【0047】従って、各容量の値を適切に設定すること
により、通常画素A1と電圧降下画素A2に異なった電圧
を印加して視野角を広くすることができる。また、第1
液晶容量CLC1と第2液晶容量CLC2とにそれぞれ補償容
量が接続されているので、さらにTFT21の寄生容量
の影響をそれぞれ適切に低減できる。
Therefore, by appropriately setting the value of each capacitance, different voltages can be applied to the normal pixel A1 and the voltage drop pixel A2 to widen the viewing angle. Also, the first
Since the compensation capacitances are connected to the liquid crystal capacitance CLC1 and the second liquid crystal capacitance CLC2, respectively, the influence of the parasitic capacitance of the TFT 21 can be further appropriately reduced.

【0048】電圧VLC1は第1制御容量CCF1の大きさ、
即ちカラーフィルタ33及びオーバーコート層34の厚
さを変更することにより、任意に変更、調整することが
できる。また、電圧VLC2は第2制御容量CCF2及び付加
容量CS2の大きさ、即ちカラーフィルタ33とオーバー
コート層34の厚さ、又は中層電極40と上層電極35
との対向部分の面積、及び絶縁膜39とカラーフィルタ
33とオーバーコート層34の厚さ、又は付加容量電極
38と上層電極35との対向部分の面積、をそれぞれ変
更することにより、任意に変更、調整することができ
る。従って、第1実施形態と同様に、実験などにより最
適な電圧VLC1及びVLC2が得られる条件を予め求めてお
き、条件に従ってそれぞれを配置または形成する。
The voltage VLC1 is the magnitude of the first control capacitor CCF1,
That is, by changing the thicknesses of the color filter 33 and the overcoat layer 34, they can be arbitrarily changed and adjusted. The voltage VLC2 is the size of the second control capacitance CCF2 and the additional capacitance CS2, that is, the thickness of the color filter 33 and the overcoat layer 34, or the middle layer electrode 40 and the upper layer electrode 35.
And the thickness of the insulating film 39, the color filter 33, and the overcoat layer 34, or the area of the facing portion of the additional capacitance electrode 38 and the upper layer electrode 35 are changed. , Can be adjusted. Therefore, similarly to the first embodiment, the conditions for obtaining the optimum voltages VLC1 and VLC2 are obtained in advance by experiments or the like, and each is arranged or formed according to the conditions.

【0049】この発明は上記実施形態に限定されず、種
々の変形及び応用が可能である。例えば、上記実施形態
によれば、各画素を2分割したが、3、4、6分割等し
て構成してもよい。
The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications and applications are possible. For example, according to the above embodiment, each pixel is divided into two, but may be divided into three, four, six, and so on.

【0050】また、対向基板12上に構成される下層電
極31、付加容量電極38、中層電極40、上層電極3
5a、35b、カラーフィルタ33、オーバーコート層
34、絶縁膜39の配置位置等は適宜変更してもよい。
また、構成に応じて省略、付け足ししてもよい。また、
付加容量電極38は金属で構成してもよく、さらに、ブ
ラックマスク32を利用して構成してもよい。
Further, the lower layer electrode 31, the additional capacitance electrode 38, the middle layer electrode 40 and the upper layer electrode 3 formed on the counter substrate 12 are formed.
The arrangement positions of 5a, 35b, the color filter 33, the overcoat layer 34, the insulating film 39, and the like may be appropriately changed.
Also, it may be omitted or added depending on the configuration. Also,
The additional capacitance electrode 38 may be made of metal or may be made of the black mask 32.

【0051】また、上記実施形態においては、カラーフ
ィルタを用いたカラー液晶表示素子にこの発明を適用し
たが、白黒階調表示の液晶表示素子にも同様に適用可能
である。この場合、カラーフィルタの代わりに比誘電率
が3.0乃至4.0の絶縁膜を1.0乃至2.0μmに
形成し、その上に上層電極35a、35bを形成する。
このような構成とすることにより、視野角が広いモノク
ローム型TN液晶表示素子を得ることができる。
Further, although the present invention is applied to the color liquid crystal display device using the color filter in the above-described embodiment, it is also applicable to the liquid crystal display device for monochrome gradation display. In this case, instead of the color filter, an insulating film having a relative dielectric constant of 3.0 to 4.0 is formed to 1.0 to 2.0 μm, and the upper layer electrodes 35a and 35b are formed thereon.
With such a structure, it is possible to obtain a monochrome TN liquid crystal display element having a wide viewing angle.

【0052】配向膜23、36に施す配向処理の方向、
液晶13のツイスト角、及び偏光板14、15の透過軸
の配置は上記実施形態に限定されず、任意に変更可能で
ある。例えば、液晶13のツイスト角を180゜〜27
0゜程度としてもよい。また、光入射側の偏光板14の
透過軸を下配向膜23の配向処理と平行としてもよい。
また、光出射側の偏光板15の透過軸を下偏光板14の
透過軸と平行としてもよい。
The direction of the alignment treatment applied to the alignment films 23 and 36,
The twist angle of the liquid crystal 13 and the arrangement of the transmission axes of the polarizing plates 14 and 15 are not limited to those in the above embodiment, and can be arbitrarily changed. For example, the twist angle of the liquid crystal 13 is 180 ° to 27
It may be about 0 °. Further, the transmission axis of the polarizing plate 14 on the light incident side may be parallel to the alignment treatment of the lower alignment film 23.
Further, the transmission axis of the polarizing plate 15 on the light emitting side may be parallel to the transmission axis of the lower polarizing plate 14.

【0053】上記実施形態においては、TFT液晶表示
素子を例にこの発明を説明したが、この発明は、MIM
をアクティブ素子とする液晶表示素子にも適用可能であ
る。また、アクティブ素子を使用しないパッシブマトリ
クス方式の液晶表示素子にも適用可能である。また、透
過型液晶表示素子に限らず、反射膜を備えた反射型液晶
表示素子にも適用可能である。
In the above embodiment, the present invention has been described by taking the TFT liquid crystal display element as an example. However, the present invention is not limited to this.
The present invention can be applied to a liquid crystal display device having an active element. Further, it is also applicable to a passive matrix type liquid crystal display element which does not use an active element. Further, the present invention is not limited to the transmissive liquid crystal display element, but can be applied to a reflective liquid crystal display element having a reflective film.

【0054】[0054]

【発明の効果】以上説明したように、アクティブ素子の
寄生容量の影響を受けにくく、且つ、広視野角な液晶表
示素子を提供することができる。また、制御容量及び付
加容量を第2基板側の絶縁膜で構成するため、第1基板
側に形成されたアクティブ素子を製造過程で破壊する欠
点を低減して、歩留まり率の高い液晶表示素子を提供す
ることができる。
As described above, it is possible to provide a liquid crystal display element which is hardly affected by the parasitic capacitance of the active element and has a wide viewing angle. In addition, since the control capacitor and the additional capacitor are formed by the insulating film on the second substrate side, the defect that the active element formed on the first substrate side is destroyed in the manufacturing process is reduced, and a liquid crystal display device with a high yield rate is obtained. Can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の実施形態にかかるカラーTN型液晶
表示素子の構成を示す断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a color TN type liquid crystal display element according to an embodiment of the present invention.

【図2】TFT基板の構成を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a configuration of a TFT substrate.

【図3】対向基板の電極の構成を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing a configuration of electrodes of a counter substrate.

【図4】配向処理の方向と液晶分子のツイスト方向の定
義を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing definitions of a direction of alignment treatment and a twist direction of liquid crystal molecules.

【図5】この発明にかかる第1実施形態の液晶表示素子
の1画素分の構成を示す断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a configuration of one pixel of the liquid crystal display element according to the first embodiment of the present invention.

【図6】第1実施形態の液晶表示素子の1画素分の等価
回路を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing an equivalent circuit of one pixel of the liquid crystal display element of the first embodiment.

【図7】第1実施形態の液晶表示素子の視角と透過率の
関係を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing the relationship between the viewing angle and the transmittance of the liquid crystal display element of the first embodiment.

【図8】従来構造の液晶表示素子の視角と透過率の関係
を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing a relationship between a viewing angle and a transmittance of a liquid crystal display element having a conventional structure.

【図9】この発明にかかる第2実施形態の液晶表示素子
の1画素分の構成を示す断面図である。
FIG. 9 is a cross-sectional view showing the structure of one pixel of the liquid crystal display element of the second embodiment according to the present invention.

【図10】この発明にかかる第3実施形態の液晶表示素
子の1画素分の構成を示す断面図である。
FIG. 10 is a cross-sectional view showing the configuration of one pixel of the liquid crystal display element of the third embodiment according to the present invention.

【図11】第3実施形態の液晶表示素子の1画素分の等
価回路を示す図である。
FIG. 11 is a diagram showing an equivalent circuit of one pixel of the liquid crystal display element of the third embodiment.

【図12】この発明にかかる第4実施形態の液晶表示素
子の1画素分の構成を示す断面図である。
FIG. 12 is a cross-sectional view showing a configuration of one pixel of a liquid crystal display element according to a fourth embodiment of the present invention.

【図13】第4実施形態の液晶表示素子の1画素分の等
価回路を示す図である。
FIG. 13 is a diagram showing an equivalent circuit for one pixel of the liquid crystal display element of the fourth embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11・・・TFT基板、12・・・対向基板、13・・・液晶、
14・・・偏光板、15・・・偏光板、16・・・液晶セル、2
1・・・TFT、22・・・画素電極、23・・・配向膜、31・
・・下層電極、32・・・ブラックマスク、33・・・カラーフ
ィルタ、34・・・オーバーコート層、35、35a、3
5b・・・上層電極、36・・・配向膜、37・・・電極端子、
38・・・付加容量電極、39・・・絶縁膜、40・・・中層電
極、SC・・・シール材、GL・・・ゲートライン、DL・・・
データライン、A1・・・通常画素、A2・・・電圧降下画素
11 ... TFT substrate, 12 ... counter substrate, 13 ... liquid crystal,
14 ... Polarizing plate, 15 ... Polarizing plate, 16 ... Liquid crystal cell, 2
1 ... TFT, 22 ... Pixel electrode, 23 ... Alignment film, 31 ...
.. Lower electrode, 32 ... Black mask, 33 ... Color filter, 34 ... Overcoat layer, 35, 35a, 3
5b ... upper layer electrode, 36 ... alignment film, 37 ... electrode terminal,
38 ... Additional capacitance electrode, 39 ... Insulating film, 40 ... Middle layer electrode, SC ... Sealing material, GL ... Gate line, DL ...
Data line, A1 ... Normal pixel, A2 ... Voltage drop pixel

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】各画素領域に第1の電極が形成され、且
つ、対応する第1の電極に接続されたアクティブ素子が
形成された第1の基板と、 前記第1の基板に対向して配置された第2の基板と、 前記第2の基板の前記第1の基板に対向する面の各画素
領域の一部に形成された第2の電極と、 前記第2の電極の上に形成された絶縁膜と、 前記絶縁膜の上の各画素領域の一部に、前記第2の電極
と接続され且つ前記第1の電極に対向して形成された第
3の電極と、 前記絶縁膜の上の各画素領域の一部に、第2の電極と一
部が対向し且つ前記第1の電極と対向して形成された第
4の電極と、 前記第2の基板上の各画素領域の一部に、対向する前記
第1の電極に接続され且つ前記第3の電極及び第4の電
極に対向して形成された第5の電極と、 前記第1と第2の基板間に封止された液晶と、を備える
ことを特徴とする液晶表示素子。
1. A first substrate in which a first electrode is formed in each pixel region and an active element connected to the corresponding first electrode is formed; and a first substrate facing the first substrate. A second substrate arranged, a second electrode formed in a part of each pixel region on a surface of the second substrate facing the first substrate, and formed on the second electrode An insulating film, a third electrode formed on a part of each pixel region on the insulating film, the third electrode being connected to the second electrode and facing the first electrode; A fourth electrode formed in a part of each pixel region above the second electrode so as to partly face the second electrode and face the first electrode; and each pixel region on the second substrate. A fifth electrode connected to the first electrode facing each other and formed to face the third electrode and the fourth electrode, And a liquid crystal sealed between the first substrate and the second substrate.
【請求項2】各画素領域に第1の電極が形成され、且
つ、対応する第1の電極に接続されたアクティブ素子が
形成された第1の基板と、 前記第1の基板に対向して配置された第2の基板と、 前記第2の基板の前記第1の基板に対向する面の各画素
領域の一部に、前記第1の電極と対向して形成された第
2の電極と、 前記第2の電極の上に形成された第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜上の各画素領域の一部に、前記第2の
電極と接続され且つ前記第1の電極と対向して形成され
た第3の電極と、 前記第1の絶縁膜上の各画素領域の一部に、前記第2の
電極と一部が対向し且つ前記第1の電極と対向して形成
された第4の電極と、 前記第3及び第4の電極の上に形成された第2の絶縁膜
と、 前記第2の絶縁膜上の各画素領域の一部に前記第3の電
極及び第4の電極に対向して形成され、且つ対向する前
記第1の電極に接続された第5の電極と、 前記第1と第2の基板間に封止された液晶と、 を備えることを特徴とする液晶表示素子。
2. A first substrate on which a first electrode is formed in each pixel region and an active element connected to the corresponding first electrode is formed, and facing the first substrate. A disposed second substrate, and a second electrode formed in a part of each pixel region of a surface of the second substrate facing the first substrate, the second electrode facing the first electrode. A first insulating film formed on the second electrode, and a part of each pixel region on the first insulating film connected to the second electrode and the first electrode. A third electrode formed to face each other, and a part of each pixel region on the first insulating film to face the second electrode and to face the first electrode. The formed fourth electrode, the second insulating film formed on the third and fourth electrodes, and the second insulating film formed on a part of each pixel region on the second insulating film. A fifth electrode formed to face the third electrode and the fourth electrode and connected to the first electrode that faces the third electrode; and a liquid crystal sealed between the first and second substrates, A liquid crystal display device comprising:
【請求項3】各画素領域に第1の電極が形成され、且
つ、対応する第1の電極に接続されたアクティブ素子が
形成された第1の基板と、 前記第1の基板に対向して配置された第2の基板と、 前記第2の基板の前記第1の基板に対向する面の各画素
領域の一部に形成された第2の電極と、 前記第2の電極の上に形成された絶縁膜と、 前記絶縁膜上の各画素領域の一部に前記第1の電極と対
向して形成された第3の電極と、 前記絶縁膜の上に前記第2の電極と一部が対向し且つ前
記第1の電極と対向して形成された第4の電極と、 前記第2の基板上の各画素領域の一部に、対向する前記
第1の電極に接続され且つ前記第3の電極及び第4の電
極と対向して形成された第5の電極と、 前記第1と第2の基板間に封止された液晶と、を備える
ことを特徴とする液晶表示素子。
3. A first substrate on which a first electrode is formed in each pixel region and an active element connected to the corresponding first electrode is formed, and facing the first substrate. A second substrate arranged, a second electrode formed in a part of each pixel region on a surface of the second substrate facing the first substrate, and formed on the second electrode An insulating film, a third electrode formed on a part of each pixel region on the insulating film so as to face the first electrode, and a part of the second electrode on the insulating film. And a fourth electrode formed to face the first electrode, and a part of each pixel region on the second substrate connected to the first electrode that faces the A fifth electrode formed so as to face the third electrode and the fourth electrode; and a liquid crystal sealed between the first and second substrates. Liquid crystal display device characterized by.
【請求項4】各画素領域に第1の電極が形成され、且
つ、対応する第1の電極に接続されたアクティブ素子が
形成された第1の基板と、 前記第1の基板に対向して配置された第2の基板と、 前記第2の基板の前記第1の基板に対向する面の各画素
領域に形成され、対向する前記第1の電極に接続された
第2の電極と、 前記第2の電極の上に形成された第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜上の各画素領域の一部に形成され、前
記第1と第2の電極に対向して形成された第3の電極
と、 前記第3の電極の上に形成された第2の絶縁膜と、 前記第2の絶縁膜上の各画素領域の一部に形成され、前
記第1乃至第3の電極に対向する第4の電極と、 前記第1と第2の基板間に封止された液晶と、を備える
ことを特徴とする液晶表示素子。
4. A first substrate in which a first electrode is formed in each pixel region and an active element connected to the corresponding first electrode is formed, and the first substrate is opposed to the first substrate. A second substrate arranged, a second electrode formed in each pixel region on a surface of the second substrate facing the first substrate, and connected to the first electrode facing the second substrate, A first insulating film formed on a second electrode, and formed on a part of each pixel region on the first insulating film, and formed so as to face the first and second electrodes. A third electrode, a second insulating film formed on the third electrode, a part of each pixel region on the second insulating film, and the first to third electrodes A liquid crystal display device, comprising: a fourth electrode facing the first substrate; and a liquid crystal sealed between the first and second substrates.
【請求項5】前記絶縁膜及び前記第1の絶縁膜及び前記
第2の絶縁膜はそれぞれカラーフィルタとオーバーコー
ト層の少なくとも一方より構成されることを特徴とする
請求項1乃至4のいずれか1つに記載の液晶表示素子。
5. The insulating film, the first insulating film, and the second insulating film each include at least one of a color filter and an overcoat layer. 1. The liquid crystal display element according to item 1.
【請求項6】前記絶縁膜及び前記第1の絶縁膜及び前記
第2の絶縁膜はそれぞれ比誘電率が3.0乃至4.0で
厚さが1.0乃至2.0μmに構成されていることを特
徴とする請求項1乃至5のいずれか1つに記載の液晶表
示素子。
6. The insulating film, the first insulating film, and the second insulating film have a relative permittivity of 3.0 to 4.0 and a thickness of 1.0 to 2.0 μm, respectively. The liquid crystal display element according to claim 1, wherein the liquid crystal display element is a liquid crystal display element.
JP21395795A 1995-08-01 1995-08-01 Liquid crystal display element Pending JPH0943638A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010152298A (en) * 2008-11-21 2010-07-08 Toppan Printing Co Ltd Thin film transistor, method for manufacturing the same, and image display apparatus

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2010152298A (en) * 2008-11-21 2010-07-08 Toppan Printing Co Ltd Thin film transistor, method for manufacturing the same, and image display apparatus

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