JPH0942928A - Scanning dimension measuring device - Google Patents

Scanning dimension measuring device

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Publication number
JPH0942928A
JPH0942928A JP19667695A JP19667695A JPH0942928A JP H0942928 A JPH0942928 A JP H0942928A JP 19667695 A JP19667695 A JP 19667695A JP 19667695 A JP19667695 A JP 19667695A JP H0942928 A JPH0942928 A JP H0942928A
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JP
Japan
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movable plate
mirror
scanning
dimensional
coil
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Application number
JP19667695A
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Japanese (ja)
Inventor
Norihiro Asada
規裕 浅田
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Nippon Signal Co Ltd
Original Assignee
Nippon Signal Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH0942928A publication Critical patent/JPH0942928A/en
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  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To precisely measure two-dimensional dimensions with the use of an inexpensive and small-sized galvanomirror for deflecting a received laser beam, by locating an article to be measured between the galvanomirror and a light incident position detecting means. SOLUTION: When a scanning beam 111 is oscillated so as to scan an article 112 to be measured, which is located between a collimator lens 102 and a PSD (position sensitive device), by means of a two-dimensional galvanomirror 101, the scanning beam 111 which is not blocked by the article 112 to be measured can reach a detecting surface of the SPD 103, and X-axial and Y-axial data are delivered from the PSD 103. These X-axial and Y-axial data are amplified by amplifiers 104, 107, and are then converted by A-D converters 105, 106 into digital data which are then computed by a microcomputer 106. With this arrangement, dimensions of respective parts of the projected image shape 113 of the article 112 onto the PSD 103 can be measured. Further, a projected image area can be obtained from the dimensions of the respective parts thereof.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザビームによ
り被測定物を走査して寸法を測定する装置に関するもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a device for measuring an object by scanning an object to be measured with a laser beam.

【0002】[0002]

【従来の技術】図15は、例えば特開平6−3116号
公報に従来例として説明されている、従来の走査型寸法
測定装置の構成を示す図である。図15において、30
0〜305は、“走査型寸法測定装置”を構成する素子
で、300は半導体レーザの発光手段、301は前レン
ズ、302ポリゴンミラーの走査ミラー、303はコリ
メータレンズ、304は集光レンズ、305は受光素子
である。306はレーザ光、307は被測定物である。
2. Description of the Related Art FIG. 15 is a diagram showing a configuration of a conventional scanning type dimension measuring apparatus, which is described as a conventional example in Japanese Patent Laid-Open No. 6-3116. In FIG. 15, 30
Reference numerals 0 to 305 are elements constituting a "scanning type dimension measuring device", 300 is a light emitting means of a semiconductor laser, 301 is a front lens, 302 is a scanning mirror of a polygon mirror, 303 is a collimator lens, 304 is a condenser lens, 305 Is a light receiving element. 306 is a laser beam, and 307 is an object to be measured.

【0003】発光手段300から前ミラー301を経て
走査ミラー2に送られたレーザ光306は、走査ミラー
2の回転とコリメータレンズ3の屈折とによって、コリ
メータレンズ303の光軸と平行の走査光とされる。
The laser light 306 sent from the light emitting means 300 to the scanning mirror 2 through the front mirror 301 becomes scanning light parallel to the optical axis of the collimator lens 303 due to the rotation of the scanning mirror 2 and the refraction of the collimator lens 3. To be done.

【0004】なお、走査ミラー302における反射面が
焦点となるように配設されるコリメータレンズ303と
しては、一般にfθレンズと呼ばれるものが用いられ、
走査ミラー2を駆動するモータの等速回転によって、光
軸と直交する方向に等速で走査される走査光が得られる
ようになっている。
As the collimator lens 303 arranged so that the reflecting surface of the scanning mirror 302 becomes the focal point, what is generally called an fθ lens is used.
By scanning the scanning mirror 2 at a constant speed, the scanning light is scanned at a constant speed in the direction orthogonal to the optical axis.

【0005】前述の構成において、コリメータレンズ3
03と集光レンズ304との間に被測定物307を配置
すれば、被測定物307の寸法に応じた時間だけ受光素
子305への走査光の入射が遮られることになるため
に、被測定物307で走査光が遮られた時間と走査速度
との積から、被測定物307の寸法Dを測定できる。
In the above structure, the collimator lens 3
If the object to be measured 307 is arranged between the measuring lens 03 and the condensing lens 304, the incidence of the scanning light on the light receiving element 305 is blocked for a time corresponding to the dimension of the object to be measured 307. The dimension D of the object to be measured 307 can be measured from the product of the time when the scanning light is blocked by the object 307 and the scanning speed.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】前述の従来例では、ポ
リゴンミラーか、あるいは高価なfθレンズを使用しな
ければならない。またポリゴンミラーについても正確に
等速回転駆動する必要があるため、サーボモータとその
駆動回路の工夫によりfθレンズと同様装置が高価にな
るという問題がある。
In the above-mentioned conventional example, a polygon mirror or an expensive f.theta. Lens must be used. Further, since the polygon mirror also needs to be accurately rotated at a constant speed, there is a problem that the device becomes expensive as in the case of the fθ lens due to the devise of the servo motor and its drive circuit.

【0007】また、従来例ではレーザ光により1次元走
査しているので、そのままでは1次元の寸法しか測定で
きない。そこで、例えば穴の形状を測定するときは、被
測定物を正確に移動させる手段を別途設ける必要があ
る。この移動を自動的に行うには、高価で大型のX−Y
ステージを用意しなければならず、全システムとしては
高価でかつ大型の装置となるという問題がある。
Further, in the conventional example, since the laser beam is used for one-dimensional scanning, only the one-dimensional dimension can be measured as it is. Therefore, for example, when measuring the shape of a hole, it is necessary to separately provide a means for accurately moving the object to be measured. To perform this movement automatically, an expensive and large XY
A stage must be prepared, and there is a problem that the entire system becomes expensive and large-sized.

【0008】本発明は、このような問題を解消するため
になされたもので、安価で小型の走査型寸法測定装置を
提供することを第1の目的とし、2次元寸法の測定がで
きる走査型測定装置を提供することを第2の目的とする
ものである。
The present invention has been made in order to solve such a problem, and a first object thereof is to provide an inexpensive and compact scanning type dimension measuring device, and a scanning type capable of measuring two-dimensional dimensions. A second object is to provide a measuring device.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】前記第1の目的を達成す
るため、本発明では、走査型寸法測定装置を第(1)〜
(4)のとおり構成し、第1,第2の目的を達成するた
め走査型寸法測定装置を次の(3),(4)のとおりに
構成する。
In order to achieve the first object, the present invention provides a scanning type dimension measuring device (1) to (1).
In order to achieve the first and second objects, the scanning-type dimension measuring apparatus is configured as in (4) and as in (3) and (4) below.

【0010】(1)レザビーム発生手段と、このレーザ
ービーム発生手段からレーザービームを受けて偏向する
ガルバノミラーと、このガルバノミラーからのレーザー
ビームを受けてその入射位置を検出する光入射位置検出
手段とを備え、前記ガルバノミラーと前記光入射位置検
出手段との間に被測定物を配置しこの被測定物の寸法を
測定する走査型寸法測定装置。
(1) A laser beam generating means, a galvano mirror for receiving and deflecting a laser beam from the laser beam generating means, and a light incident position detecting means for receiving the laser beam from the galvano mirror and detecting its incident position. A scanning-type dimension measuring apparatus, comprising: an object to be measured between the galvanometer mirror and the light incident position detecting means, and measuring the dimension of the object to be measured.

【0011】(2)ガルバノミラーで偏向されたレーザ
ービームを平行光線とするコリメータレンズを備えた前
記(1)記載の走査型寸法測定装置。
(2) The scanning size measuring apparatus according to (1), further comprising a collimator lens for collimating a laser beam deflected by a galvanometer mirror.

【0012】(3)ガルバノミラーは2次偏向のできる
2次元ガルバノミラーであり、光入射位置検出手段は2
次元の光入射位置検出のできる2次元光入射位置検出手
段である前記(1)または(2)記載の走査型寸法測定
装置。
(3) The galvanometer mirror is a two-dimensional galvanometer mirror capable of secondary deflection, and the light incident position detecting means is 2
The scanning-type dimension measuring device according to (1) or (2), which is a two-dimensional light incident position detecting means capable of detecting a three-dimensional light incident position.

【0013】(4)ガルバノミラーは、半導体基板に、
可動板とこの可動板を前記半導体基板に対し揺動自在に
軸支するトーションバーとを一体に形成し、前記可動板
の周縁部に駆動コイルを設け、前記可動板上にミラーを
設け、前記駆動コイルに静磁界を与える磁界発生手段を
設けて、前記駆動コイルに電流を流すことにより前記ミ
ラーを駆動するものである前記(1)ないし(3)のい
ずれかに記載の走査型寸法測定装置。
(4) The galvanometer mirror is formed on the semiconductor substrate.
A movable plate and a torsion bar that pivotally supports the movable plate with respect to the semiconductor substrate are integrally formed, a drive coil is provided at a peripheral portion of the movable plate, and a mirror is provided on the movable plate. The scanning size measuring apparatus according to any one of (1) to (3), wherein the drive coil is provided with a magnetic field generating means for applying a static magnetic field, and the mirror is driven by passing a current through the drive coil. .

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明をその実施の形態に
より詳しく説明する。実施例による説明に先立って、本
発明で用いることができる主要素子について説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be described in detail below with reference to its embodiments. Prior to the description of the embodiments, the main elements that can be used in the present invention will be described.

【0015】本発明では、走査ミラーにガルバノミラー
を用い、光(スポット)検出素子にPSD(Position Se
nsitive Device) を用いる。本発明に好適なガルバノミ
ラーとPSDを関連技術例として順次説明する。
In the present invention, a galvanometer mirror is used as the scanning mirror, and a PSD (Position Sewing) is used as the light (spot) detecting element.
nsitive Device) is used. Galvanometer mirrors and PSDs suitable for the present invention will be sequentially described as related technology examples.

【0016】(ガルバノミラー)本出願人は、半導体製
造プロセスを利用して製造する、ガルバノメータの動作
原理で動作する、ガルバノミラーに関し、特願平5−3
20524号,特願平6−327369号,特願平7−
138081号等の提案をしている。
(Galvano Mirror) The applicant of the present invention relates to a galvano mirror manufactured by utilizing a semiconductor manufacturing process and operating according to the principle of operation of a galvanometer, and Japanese Patent Application No. 5-3.
No. 20524, Japanese Patent Application No. 6-327369, Japanese Patent Application No. 7-
Proposals such as No. 138081 are made.

【0017】各提案の内容を簡単に説明すると、前記特
願平5−320524号の内容は、半導体基板に、可動
板とこの可動板を前記半導体基板に対し揺動自在に軸支
するトーションバーとを一体に形成し、前記可動板の周
縁部に駆動コイルを設け、前記可動板上にミラーを設
け、前記駆動コイルに静磁界を与える磁界発生手段を設
けて、前記駆動コイルに電流を流すことにより前記ミラ
ーを駆動するガルバノミラーであり、この種の電磁アク
チュエータの基本形である。
The contents of the respective proposals will be briefly described. The contents of the above-mentioned Japanese Patent Application No. 5-320524 are as follows: a semiconductor substrate, a movable plate, and a torsion bar which pivotally supports the movable plate with respect to the semiconductor substrate. Are integrally formed, a drive coil is provided on the peripheral portion of the movable plate, a mirror is provided on the movable plate, and a magnetic field generating means for applying a static magnetic field to the drive coil is provided to supply a current to the drive coil. This is a galvanometer mirror that drives the mirror, and is the basic form of this type of electromagnetic actuator.

【0018】また、前記特願平6−327369号の内
容は、前述のガルバノミラー等の電磁アクチュエータに
おいて、トーションバー部分の配線パターンがトーショ
ンバーの捻れ運動の繰り返しにより断線するのを防止す
るため、トーションバー自体を導電性として電気接続を
行うものである。更に、特願平7−138081号の内
容は、この電磁アクチュエータの衝撃対策にかかるもの
で、可動板の少なくとも片面に対向して、衝撃を受けた
際の可動板の過度の変位を阻止するストッパを設けるも
のである。
Further, the content of the above-mentioned Japanese Patent Application No. 6-327369 is to prevent the wiring pattern of the torsion bar portion from breaking due to repeated twisting motions of the torsion bar in the electromagnetic actuator such as the galvanometer mirror described above. The torsion bar itself is electrically conductive to make an electrical connection. Further, the content of Japanese Patent Application No. 7-138081 relates to measures against impact of this electromagnetic actuator, and it is a stopper that opposes at least one surface of the movable plate and prevents excessive displacement of the movable plate when a shock is applied. Is provided.

【0019】前述のように、特願平5−320524号
の内容は、基本型なので、その実施例1〜3を関連技術
例1〜3として以下に説明する。
As described above, the content of Japanese Patent Application No. 5-320524 is a basic type, so that Examples 1 to 3 will be described below as related technical examples 1 to 3.

【0020】(関連技術例1)図3,図4は関連技術例
1である“ガルバノミラー”の構成を示す図である。本
関連技術例は、後述の関連技術例2,関連技術例3と同
様に、検流計(ガルバノメーター)と同じ原理で動作す
るものである。なお、図3,図4で判り易くするため大
きさを誇張して示している。後述の図5,図7,図8,
図9,図10についても同様である。
(Related Art Example 1) FIGS. 3 and 4 are views showing a configuration of a "galvano mirror" which is related art example 1. As shown in FIG. This related technology example operates on the same principle as a galvanometer like the related technology example 2 and the related technology example 3 described later. Note that the size is exaggerated in FIGS. 3 and 4 for the sake of clarity. 5, 7, and 8, which will be described later.
The same applies to FIGS. 9 and 10.

【0021】図3及び図4において、ガルバノミラー1
は、半導体基板であるシリコン基板2の上下面に、それ
ぞれ例えばホウケイ酸ガラス等からなる上側及び下側絶
縁基板としての平板状の上側及び下側ガラス基板3,4
を接合した3層構造となっている。前記上側ガラス基板
3は、後述する可動板5上部分を開放するようシリコン
基板2の左右端(図3における)に積層されている。
In FIGS. 3 and 4, the galvanometer mirror 1
Are flat upper and lower glass substrates 3 and 4 as upper and lower insulating substrates made of, for example, borosilicate glass on the upper and lower surfaces of the silicon substrate 2 which is a semiconductor substrate.
It has a three-layer structure in which The upper glass substrate 3 is laminated on the left and right ends (in FIG. 3) of the silicon substrate 2 so as to open the upper portion of the movable plate 5 described later.

【0022】前記シリコン基板2には、平板状の可動板
5と、この可動板5の中心位置でシリコン基板2に対し
て基板上下方向に揺動可能に可動板5を軸支するトーシ
ョンバー6とが半導体製造プロセスにおける異方性エッ
チングによって一体形成されている。従って、可動板5
及びトーションバー6もシリコン基板2と同一材料から
なっている。前記可動板5の上面周縁部には、可動板5
駆動用の駆動電流と、この駆動電流に重畳する変位角検
出用の検出用電流とを流すための銅薄膜からなる平面コ
イル7が、絶縁被膜で覆われて設けられている。前記検
出用電流は、下側ガラス基板4に後述するように設けら
れる検出コイル12A,12Bとの相互インダクタンス
に基づいて可動板5の変位を検出するためのものであ
る。
The silicon substrate 2 has a flat plate-shaped movable plate 5 and a torsion bar 6 which pivotally supports the movable plate 5 at the center of the movable plate 5 so that the movable plate 5 can swing vertically with respect to the silicon substrate 2. And are integrally formed by anisotropic etching in the semiconductor manufacturing process. Therefore, the movable plate 5
The torsion bar 6 is also made of the same material as the silicon substrate 2. A movable plate 5 is provided on an upper peripheral portion of the movable plate 5.
A plane coil 7 made of a copper thin film for supplying a driving current for driving and a detecting current for detecting a displacement angle superimposed on the driving current is provided by being covered with an insulating film. The detection current is for detecting the displacement of the movable plate 5 based on the mutual inductance with the detection coils 12A and 12B provided on the lower glass substrate 4 as described later.

【0023】ここで、コイルは抵抗分によってジュール
熱損失があり、抵抗の大きな薄膜コイルを平面コイル7
として高密度に実装すると発熱により駆動力が制限され
ることから、関連技術例では、公知の電解メッキによる
電鋳コイル法によって前記平面コイル7を形成してあ
る。電鋳コイル法は、基板上にスパッタで薄いニッケル
層を形成し、このニッケル層の上に銅電解めっきを行っ
て銅層を形成し、コイルに相当する部分を除いて銅層及
びニッケル層を除去することで、銅層とニッケル層から
なる薄膜の平面コイルを形成するもので、薄膜コイルを
低抵抗で高密度に実装できる特徴があり、マイクロ磁気
デバイスの小型化,薄型化に有効である。また、可動板
5の平面コイル7で囲まれた上面中央部には、ミラー8
がアルミニウム蒸着により形成されている。更に、シリ
コン基板2のトーションバー6の側方上面には、平面コ
イル7とトーションバー6の部分を介して電気的に接続
する一対の電極端子9,9が設けられており、この電極
端子9,9は、シリコン基板2に電鋳コイル法による平
面コイル7と同時に形成される。
Here, the coil has a Joule heat loss due to the resistance component, and a thin film coil having a large resistance is used as the plane coil 7.
Since the driving force is limited due to heat generation when mounted in high density, the plane coil 7 is formed by a known electroformed coil method by electrolytic plating in a related art example. In the electroformed coil method, a thin nickel layer is formed on a substrate by sputtering, copper electroplating is performed on the nickel layer to form a copper layer, and the copper layer and the nickel layer are removed except for the portion corresponding to the coil. By removing it, a thin-film planar coil consisting of a copper layer and a nickel layer is formed. It has the characteristic that the thin-film coil can be mounted with low resistance and high density, and it is effective for downsizing and thinning of micro magnetic devices. . In addition, a mirror 8 is provided at the center of the upper surface of the movable plate 5 surrounded by the plane coil 7.
Are formed by aluminum vapor deposition. Further, a pair of electrode terminals 9, 9 electrically connected to the planar coil 7 via the portion of the torsion bar 6 are provided on the lateral upper surface of the torsion bar 6 of the silicon substrate 2. , 9 are formed on the silicon substrate 2 at the same time as the plane coil 7 by the electroformed coil method.

【0024】上側及び下側ガラス基板3,4の左右側
(図3における)には、前記トーションバー6の軸方向
と平行な可動板5の対辺の平面コイル7部分に磁界を作
用させる、互いに対をなす円形状の永久磁石10A,1
0Bと11A,11Bが設けられている。上下の互いに
対をなす各3個づつの永久磁石10A,10Bは、上下
の極性が同じとなるよう、例えば図4に示すように、下
側がN極、上側がS極となるよう設けられている。ま
た、他方の各3個づつの永久磁石11A,11Bも、上
下の極性が同じとなるよう、例えば図4に示すように、
下側がS極、上側がN極となるよう設けられている。そ
して、上側ガラス基板3側の永久磁石10Aと11A及
び下側ガラス基板4側の永久磁石10Bと11Bは、図
4からも判るように、互いに上下の極性が反対となるよ
うに設けられる。
Magnetic fields are applied to the left and right sides (in FIG. 3) of the upper and lower glass substrates 3 and 4 (in FIG. 3) on the flat coil 7 portion on the opposite side of the movable plate 5 parallel to the axial direction of the torsion bar 6. Paired circular permanent magnets 10A, 1
0B, 11A, and 11B are provided. The upper and lower three permanent magnets 10A and 10B, which are paired with each other, are provided so that the upper and lower polarities are the same, for example, as shown in FIG. 4, the lower side is the N pole and the upper side is the S pole. There is. In addition, the other three permanent magnets 11A and 11B each have the same upper and lower polarities, for example, as shown in FIG.
The lower side is an S pole and the upper side is an N pole. The permanent magnets 10A and 11A on the upper glass substrate 3 side and the permanent magnets 10B and 11B on the lower glass substrate 4 side are provided so that the upper and lower polarities thereof are opposite to each other.

【0025】また、前述したように、下側ガラス基板4
の下面には、平面コイル7と電磁結合可能に配置され各
端部がそれぞれ対をなす電極端子13,14に電気的に
接続された一対のコイル12A,12Bがパターニング
されて設けられている(なお、図3では、模式的に1本
の破線で示したが実際は複数巻回してある)。検出コイ
ル12A,12Bは、トーションバー6に対して対称位
置に配置されて可動板5の変位角を検出するもので、平
面コイル7に駆動電流に重畳して流す検出用電流に基づ
く平面コイル7と検出コイル12A,12Bとの相互イ
ンダクタンスが、可動板5の角度変位により一方が接近
して増加し他方が離間して減少するよう変化するので、
例えば相互インダクタンスに基づいて出力される電圧信
号の変化を差動で検出することにより可動板5の変位角
をが検出できる。
Further, as described above, the lower glass substrate 4
A pair of coils 12A and 12B, which are arranged so as to be electromagnetically coupled to the planar coil 7 and whose ends are electrically connected to the paired electrode terminals 13 and 14, respectively, are provided on the lower surface of (1) by patterning ( In addition, in FIG. 3, one dashed line is schematically shown, but in reality, a plurality of windings are provided. The detection coils 12A and 12B are arranged at symmetrical positions with respect to the torsion bar 6 to detect the displacement angle of the movable plate 5, and the flat coil 7 based on the detection current passed through the flat coil 7 in a manner superimposed on the drive current. Since the mutual inductance between the detecting coil 12A and the detecting coil 12A and 12B changes so that one of them approaches and increases and the other of them separates and decreases by the angular displacement of the movable plate 5,
For example, the displacement angle of the movable plate 5 can be detected by differentially detecting the change in the voltage signal output based on the mutual inductance.

【0026】次に、動作について説明する。Next, the operation will be described.

【0027】例えば、一方の電極端子9を+極、他方の
電極端子9を一極として平面コイル7に電流を流す。可
動板5の両側では、永久磁石10Aと10B、永久磁石
11Aと11Bによって、図5の矢印Bで示すような可
動板5の平面に沿って平面コイル7を横切るような方向
に磁界が形成されており、この磁界中の平面コイル7に
電流が流れると、平面コイル7の電流密度と磁束密度に
応じて平面コイル7、言い換えれば可動板5の両端に、
電流・磁束密度・力のフレミングの左手の法則に従った
方向(図5の矢印Fで示す)に力Fが作用し、この力は
ローレンツ力から求められる。
For example, one electrode terminal 9 is used as a + pole and the other electrode terminal 9 is used as a pole, and a current is passed through the planar coil 7. A magnetic field is formed on both sides of the movable plate 5 by the permanent magnets 10A and 10B and the permanent magnets 11A and 11B in a direction crossing the plane coil 7 along the plane of the movable plate 5 as shown by an arrow B in FIG. Therefore, when a current flows through the plane coil 7 in the magnetic field, the plane coil 7, in other words, both ends of the movable plate 5, are moved in accordance with the current density and the magnetic flux density of the plane coil 7.
The force F acts in the direction (indicated by the arrow F in FIG. 5) according to the Fleming's left-hand rule of current, magnetic flux density, and force, and this force is obtained from the Lorentz force.

【0028】この力Fは、平面コイル7に流れる電流密
度をi、上下永久磁石による磁束密度をBとすると、下
記の(1)の式で求められる。
This force F is calculated by the following equation (1), where i is the current density flowing in the planar coil 7 and B is the magnetic flux density of the upper and lower permanent magnets.

【0029】F=i×B……(1) 実際には、平面コイル7の巻数nと、力Fが働くコイル
長w(図5中に示す)により異なり、下記の(2)の式
のようになる。
F = i × B (1) Actually, it depends on the number of turns n of the plane coil 7 and the coil length w (shown in FIG. 5) on which the force F acts. Like

【0030】F=nw(i×B)……(2) 一方、可動板5が回動することによりトーションバー6
が捩じられ、これによって発生するトーションバー6の
ばね反力F′と可動板5の変位角φの関係は、下記の
(3)式のようになる。
F = nw (i × B) (2) On the other hand, as the movable plate 5 rotates, the torsion bar 6
The relationship between the spring reaction force F ′ of the torsion bar 6 and the displacement angle φ of the movable plate 5 caused by this is expressed by the following equation (3).

【0031】 θ=(Mx/GIp)=F′L/8.5×1094 )×l1 ……(3 ) ここで、Mxは捩りモーメント、Gは横弾性係数、Ip
は極断面二次モーメントである。また、L、l1 、r
はそれぞれ、トーションバーの中心軸から力点までの距
離、トーションバーの長さ、トーションバーの半径であ
り、図3に示してある。
Θ = (Mx / GIp) = F′L / 8.5 × 10 9 r 4 ) × l 1 (3) where Mx is a torsional moment, G is a lateral elastic coefficient, and Ip
Is the polar moment of inertia. Also, L, l 1 , r
Are respectively the distance from the central axis of the torsion bar to the force point, the length of the torsion bar, and the radius of the torsion bar, which are shown in FIG.

【0032】そして、前記力Fとばね反力F′が釣り合
う位置まで可動板5が回動する。従って、(3)式の
F′に(2)式のFを代入することにより、可動板5の
変位角φは平面コイル7に流れる電流iに比例すること
が判る。
Then, the movable plate 5 is rotated to a position where the force F and the spring reaction force F'balance. Therefore, by substituting the F in the equation (2) into the F ′ in the equation (3), it is understood that the displacement angle φ of the movable plate 5 is proportional to the current i flowing in the plane coil 7.

【0033】従って、平面コイル7に流す電流を制御す
ることにより、可動板5の変位角φを制御するとができ
るので、例えば、トーションバー6の軸に対して垂直な
面内においてミラー8の光軸方向を自由に制御でき、連
続的にその変位角を変化させれば、監視対象を1次元に
走査できる。
Therefore, the displacement angle φ of the movable plate 5 can be controlled by controlling the current flowing through the plane coil 7, so that, for example, the light of the mirror 8 is reflected in a plane perpendicular to the axis of the torsion bar 6. The axial direction can be freely controlled, and if the displacement angle is continuously changed, the monitored object can be scanned one-dimensionally.

【0034】このミラー8の光軸の変位角φを制御する
際に、平面コイル7に、駆動電流に重畳して駆動電流周
波数に比べて少なくとも100倍以上の周波数で変位角
検出用の検出用電流を流す。すると、この検出用電流に
基づいて、平面コイル7と下側ガラス基板5に設けた検
出コイル12A,12Bとの間の相互インダクタンスに
よる誘導電圧がそれぞれの検出コイル12A,12Bに
発生する。検出コイル12A,12Bに発生する各誘導
電圧は、可動板5、いい換えれば、ミラー8が水平位置
にある時には、検出コイル12A,12Bと対応する平
面コイル7との距離が等しいことから等しくなりその差
は零である。可動板5が前述の駆動力でトーションバー
6を支軸として回動すると、一方の検出コイル12A
(または12B)では接近して相互インダクタンスの増
加により誘導電圧は増大し、他方の検出コイル12B
(又は12A)では離間して相互インダクタンスの減少
により誘導電圧は低下する。従って、検出コイル12
A,12Bに発生する誘導電圧はミラー8の変位に応じ
て変化し、この誘導電圧を検出することで、ミラー8の
光軸変位角φを検出することができる。
When the displacement angle φ of the optical axis of the mirror 8 is controlled, the plane coil 7 is superposed on the drive current and is used for detection for displacement angle detection at a frequency of at least 100 times the drive current frequency. Apply current. Then, based on this detection current, an induced voltage due to mutual inductance between the flat coil 7 and the detection coils 12A and 12B provided on the lower glass substrate 5 is generated in each of the detection coils 12A and 12B. The induced voltages generated in the detection coils 12A and 12B are equal because the distance between the detection coils 12A and 12B and the corresponding planar coil 7 is equal when the movable plate 5, in other words, the mirror 8 is in the horizontal position. The difference is zero. When the movable plate 5 is rotated about the torsion bar 6 by the driving force described above, the one detection coil 12A is rotated.
(Or 12B), the induced voltage increases due to the increase in mutual inductance, and the other detection coil 12B
(Or 12A), the induced voltage is lowered due to the reduction of mutual inductance. Therefore, the detection coil 12
The induced voltage generated in A and 12B changes according to the displacement of the mirror 8, and the optical axis displacement angle φ of the mirror 8 can be detected by detecting this induced voltage.

【0035】そして、例えば、図6に示すように、検出
コイル12A,12Bの他に2つの抵抗を設けて構成し
たブリッジ回路に電源を接続し、検出コイル12Aと検
出コイル12Bとの中点と2つの抵抗の中点との電圧を
入力とする差動増幅器を設けて構成した回路を用い、前
記両中点の電圧差に応じた差動増幅器の出力を、可動板
5の駆動系にフィートバックし、駆動電流を制御するよ
うにすれば、ミラー8の光軸変位角φを精度良く制御す
るとが可能である。
Then, for example, as shown in FIG. 6, a power source is connected to a bridge circuit configured by providing two resistors in addition to the detection coils 12A and 12B, and a midpoint between the detection coils 12A and 12B is set. The output of the differential amplifier according to the voltage difference between the two midpoints is fed to the drive system of the movable plate 5 by using a circuit configured by providing a differential amplifier having a voltage between the midpoint of the two resistors as an input. By moving back and controlling the drive current, the optical axis displacement angle φ of the mirror 8 can be accurately controlled.

【0036】以上説明したように、本関連技術例では、
ミラーを含む可動部を小型,軽量にできるので、ミラー
の光軸方向を高速で可変でき、監視対象を高速走査でき
る。また要部である可動板,トーションバー,ミラーを
同一半導体基板から半導体素子製造プロセスを利用して
形成できるので、量産によるコストダウンが期待でき
る。
As described above, in the related art example,
Since the movable part including the mirror can be made compact and lightweight, the optical axis direction of the mirror can be changed at high speed, and the monitoring target can be scanned at high speed. Further, since the movable plate, the torsion bar, and the mirror, which are the main parts, can be formed from the same semiconductor substrate using the semiconductor element manufacturing process, cost reduction due to mass production can be expected.

【0037】(関連技術例2)図7は関連技術例2であ
る“ガルバノミラー”の構成を示す図である。 前述し
た関連技術例1は、光軸方向を1次元で振るものである
が、この関連技術例は、2次元で振ることができるよう
に、トーションバーを互いに直交させて2つ設けた2軸
のガルバノミラーの例である。なお関連技術例1と同等
の要素には同一符号を付してある。
(Related Art Example 2) FIG. 7 is a diagram showing a configuration of a "galvano mirror" which is related art example 2. As shown in FIG. The related art example 1 described above is one in which the optical axis direction is shaken in one dimension. However, in this related art example, two torsion bars are provided so as to be orthogonal to each other so that the torsion bar can be shaken in two dimensions. It is an example of a galvanometer mirror. The same elements as those of the related art example 1 are designated by the same reference numerals.

【0038】図7において、本関連技術例のガルバノミ
ラー21は、半導体基板であるシリコン基板2の上下面
に、それぞれホウケイ酸ガラス等からなる上側及び下側
絶縁基板としての上側及び下側ガラス基板3,4を、矢
印で示すように重ねて接合した3層構造とする。上側及
び下側ガラス基板3,4は、図に示すように、それぞれ
中央部に例えば超音波加工によって形成した方形状の凹
部3A,4Aを設けた構造であり、シリコン基板2に接
合する場合、上側ガラス基板3では、凹部3Aを下側に
してシリコン基板2側に位置するようにして接合し、下
側ガラス基板4では、凹部4Aを上側にして同じくシリ
コン基板2側に位置するようにして接合する。これによ
り、後述するミラー8を設ける可動板5の揺動空間を確
保すると共に密閉する構成としている。
In FIG. 7, a galvano mirror 21 of the related art example has an upper and lower glass substrate as upper and lower insulating substrates made of borosilicate glass on the upper and lower surfaces of a silicon substrate 2 which is a semiconductor substrate, respectively. A three-layer structure in which 3 and 4 are overlapped and joined as indicated by an arrow is shown. As shown in the figure, the upper and lower glass substrates 3 and 4 each have a structure in which rectangular recesses 3A and 4A formed by, for example, ultrasonic processing are provided in the central portions, and when bonded to the silicon substrate 2, In the upper glass substrate 3, the recessed portion 3A is located on the silicon substrate 2 side with the recessed portion on the lower side, and in the lower glass substrate 4, the recessed portion 4A is located on the silicon substrate 2 side in the same manner. To join. Thus, the swinging space of the movable plate 5 provided with the mirror 8 described later is secured and hermetically sealed.

【0039】前記シリコン基板2には、枠状に形成され
た外側可動板5Aと、この外側可動板5Aの内側に軸支
される内側可動板5Bとからなる平板状の可動板5が設
けられている。前記外側可動板5Aは、第1のトーショ
ンバー6A,6Aによってシリコン基板2に軸支され、
前記内側可動板5Bは、前記第1のトーションバー6
A,6Aとは軸方向が直交する第2のトーションバー6
B,6Bで外側可動板5Aの内側に軸支されている。可
動板5A,5Bと第1及び第2の各トーションバー6
A,6Bは、シリコン基板2に異方性エッチングによる
一体形成されており、シリコン基板2と同一材料からな
っている。
The silicon substrate 2 is provided with a flat movable plate 5 composed of an outer movable plate 5A formed in a frame shape and an inner movable plate 5B axially supported inside the outer movable plate 5A. ing. The outer movable plate 5A is pivotally supported on the silicon substrate 2 by the first torsion bars 6A and 6A,
The inner movable plate 5B includes the first torsion bar 6
The second torsion bar 6 whose axial direction is orthogonal to A and 6A
B and 6B are pivotally supported inside the outer movable plate 5A. Movable plates 5A, 5B and first and second torsion bars 6
A and 6B are integrally formed on the silicon substrate 2 by anisotropic etching, and are made of the same material as the silicon substrate 2.

【0040】また、外側可動板5Aの上面には、シリコ
ン基板2上面に形成した一対の外側電極端子9A,9A
に一方の第1のトーションバー6Aの部分を介して両端
がそれぞれ電気的に接続する平面コイル7A(図では模
式的に1本線で示すが可動板5A上では複数の巻数とな
っている)が絶縁層で被覆されて設けられている。ま
た、内側可動板5Bの上面には、シリコン基板2に形成
された一対の内側電極端子9B,9Bに、一方の第2の
トーションバー6Bから外側可動板5A部分を通り、第
1のトーションバー6Aの他方側を介してそれぞれ電気
的に接続する平面コイル7B(図では模式的に1本線で
示すが外側可動板5Aと同様に内側可動板5B上では複
数の巻数となっている)が絶縁層で被覆されて設けられ
ている。これら平面コイル7A,7Bは関連技術例1と
同様に、前述した公知の電解めっきによる電鋳コイル法
によって形成してある。なお、前記外側及び内側電極端
子9A,9Bは、シリコン基板2上に電鋳コイル法によ
り平面コイル7A,7Bと同時に形成される。平面コイ
ル7Bで囲まれた内側可動板5Bの中央部には、アルミ
ニウム蒸着によりミラー8が形成されている。
On the upper surface of the outer movable plate 5A, a pair of outer electrode terminals 9A, 9A formed on the upper surface of the silicon substrate 2 are formed.
A flat coil 7A (both of which has a plurality of turns on the movable plate 5A is schematically shown by a single line in the drawing) whose both ends are electrically connected to each other through one of the first torsion bars 6A It is provided so as to be covered with an insulating layer. Further, on the upper surface of the inner movable plate 5B, a pair of inner electrode terminals 9B, 9B formed on the silicon substrate 2 is passed from the one second torsion bar 6B through the outer movable plate 5A portion to the first torsion bar. The flat coil 7B (which is schematically shown by a single line in the drawing, but has a plurality of turns on the inner movable plate 5B as well as the outer movable plate 5A) electrically connected to each other via the other side of 6A is insulated. It is provided covered with a layer. These plane coils 7A and 7B are formed by the known electroplating coil method by electrolytic plating as in the case of the related art example 1. The outer and inner electrode terminals 9A and 9B are formed on the silicon substrate 2 at the same time as the plane coils 7A and 7B by the electroformed coil method. At the center of the inner movable plate 5B surrounded by the plane coil 7B, a mirror 8 is formed by aluminum vapor deposition.

【0041】上側及び下側ガラス基板3,4には、2個
づつ対となったそれぞれ8個づつの円板状の永久磁石1
0A〜13A,10B〜13Bが、図示のように配置さ
れている。上側ガラス基板3の互いに向かい合う永久磁
石10A,11Aは、下側ガラス基板4の永久磁石10
B,11Bとで外側可動板5Aの平面コイル7Aに磁界
を作用して平面コイル7Aに流す駆動電流との相互作用
によって外側可動板5Aを回動駆動させるためのもので
あり、また、上側ガラス基板3の互いに向かい合う永久
磁石12Aと13Aは、下側ガラス基板4の永久磁石1
2B,13Bとで内側可動板5Bの平面コイル7Bに磁
界を作用させて平面コイル7Bに流す駆動電流との相互
作用によって内側可動板5Bを回動駆動させるためのも
のである。そして、互いに向き合った永久磁石10Aと
11Aは上下の極性が互いに反対、例えば永久磁石10
Aの上面がS極の時は永久磁石11Aの上面はN極とな
るように設けられ、しかも、その磁束が可動板5の平面
コイル部分に対して平行に横切るよう配置されている。
その他の互いに向き合っている永久磁石12Aと13
A、永久磁石10Bと11B及び永久磁石12Bと13
Bも同様である。更に、上下方向で対応する永久磁石1
0Aと10Bとの間の関係は、上下の極性は同じ、例え
ば永久磁石10Aの上面がS極の時は永久磁石10Bの
上面もS極となるように設ける。その他の上下で対応し
ている永久磁石11Aと11B、永久磁石12Aと12
B及び永久磁石13Aと13Bも同様であり、これによ
り、可動体5の両端部で互いに相反する方向に力が作用
するようになる。
On the upper and lower glass substrates 3 and 4, eight disk-shaped permanent magnets 1 each consisting of two pairs are provided.
0A to 13A and 10B to 13B are arranged as illustrated. The permanent magnets 10A and 11A facing each other on the upper glass substrate 3 are the permanent magnets 10 on the lower glass substrate 4.
B and 11B act on the plane coil 7A of the outer movable plate 5A by a magnetic field to drive the outer movable plate 5A by interaction with a drive current flowing in the plane coil 7A. The permanent magnets 12A and 13A facing each other on the substrate 3 are the permanent magnets 1 on the lower glass substrate 4.
2B and 13B are for rotating the inner movable plate 5B by interacting with a driving current flowing through the planar coil 7B by applying a magnetic field to the planar coil 7B of the inner movable plate 5B. The upper and lower polarities of the permanent magnets 10A and 11A facing each other are opposite to each other.
When the upper surface of A is the S pole, the upper surface of the permanent magnet 11A is provided so as to be the N pole, and the magnetic flux thereof is arranged so as to cross the plane coil portion of the movable plate 5 in parallel.
Other permanent magnets 12A and 13 facing each other
A, permanent magnets 10B and 11B and permanent magnets 12B and 13
The same applies to B. Furthermore, the corresponding permanent magnets 1 in the vertical direction
The relationship between 0A and 10B is such that the upper and lower polarities are the same, for example, when the upper surface of the permanent magnet 10A is the S pole, the upper surface of the permanent magnet 10B is also the S pole. Other upper and lower corresponding permanent magnets 11A and 11B, permanent magnets 12A and 12
The same applies to B and the permanent magnets 13A and 13B, whereby the forces act in opposite directions at both ends of the movable body 5.

【0042】そして、下側ガラス基板4の下面には、前
述した平面コイル7A,7Bとそれぞれ電磁結合可能に
配置された検出コイル15A,15Bと16A,16B
がパターニングされて設けられている。検出コイル15
A,15Bは、第1のトーションバー6Aに対して対称
位置に設けられ、検出コイル16A,16Bは第2のト
ーションバー6Bに対して対称位置に設けられそれぞれ
対をなしている。そして、一対の検出コイル15A,1
5Bは、外側可動板5Aの変位角を検出するもので、平
面コイル7Aに駆動電流に重畳して流す検出用電流に基
づく平面コイル7Aと検出コイル15A,15Bとの相
互インダクタンスが、外側可動板5Aの角度変位により
変化し、この変化に応じた電気信号を出力する。この電
気信号によって外側可動板5Aの変位角が検出できる。
一対の検出コイル16A,16Bは同様にして内側可動
板5Bの変位角を検出するものである。
Then, on the lower surface of the lower glass substrate 4, the detection coils 15A, 15B and 16A, 16B arranged so as to be electromagnetically coupled to the above-mentioned plane coils 7A, 7B, respectively.
Are provided by patterning. Detection coil 15
A and 15B are provided at symmetrical positions with respect to the first torsion bar 6A, and the detection coils 16A and 16B are provided at symmetrical positions with respect to the second torsion bar 6B and are paired with each other. Then, the pair of detection coils 15A, 1
Reference numeral 5B is for detecting the displacement angle of the outer movable plate 5A, and the mutual inductance between the flat coil 7A and the detection coils 15A and 15B based on the detection current which is superposed on the drive current in the flat coil 7A is detected by the outer movable plate. It is changed by the angular displacement of 5 A, and an electric signal corresponding to this change is output. The displacement angle of the outer movable plate 5A can be detected from this electric signal.
The pair of detection coils 16A and 16B similarly detect the displacement angle of the inner movable plate 5B.

【0043】次に動作を説明する。Next, the operation will be described.

【0044】外側可動板5Aの平面コイル7Aに駆動電
流を流せば、第1のトーションバー6A,6Aを支点と
して外側可動板5Aが電流方向に応じて回動し、この際
に内側可動板5Bも外側可動板5Aと一体に回動する。
この場合、ミラー8は、関連技術例1と同様の動きとな
る。一方、内側可動板5Bの平面コイル7Bに駆動電流
を流せば、外側可動板5Aの回動方向と直角方向に、外
側可動板5Aに対して内側可動板5Bが第2のトーショ
ンバー6B,6Bを支点として回動する。従って、例え
ば平面コイル7Aの駆動電流を制御して、外側可動板5
Aを1周期回動操作した後、平面コイル7Bの駆動電流
を制御し内側可動板5Bを一定角度変位させるように
し、この操作を周期的に繰り返せばミラー8の光軸を2
次元に振ることができ、監視対象を2次元に走査でき
る。
When a drive current is applied to the plane coil 7A of the outer movable plate 5A, the outer movable plate 5A rotates about the first torsion bars 6A, 6A as a fulcrum in accordance with the current direction, and at this time, the inner movable plate 5B. Also rotates integrally with the outer movable plate 5A.
In this case, the mirror 8 moves in the same manner as the related art example 1. On the other hand, when a drive current is applied to the plane coil 7B of the inner movable plate 5B, the inner movable plate 5B is moved to the second movable torsion bar 6B, 6B relative to the outer movable plate 5A in the direction perpendicular to the rotating direction of the outer movable plate 5A. Rotate around as a fulcrum. Therefore, for example, by controlling the drive current of the plane coil 7A, the outer movable plate 5
After rotating A for one cycle, the drive current of the plane coil 7B is controlled so that the inner movable plate 5B is displaced by a certain angle, and if this operation is repeated cyclically, the optical axis of the mirror 8 is changed to two.
It can be swung in two dimensions and the monitored object can be scanned in two dimensions.

【0045】なお、本関連技術例のように、ミラー8の
上方にガラスが存在する場合にはこのガラス面に反射防
止膜等を被覆しておくと良い。
When glass is present above the mirror 8 as in the case of the related art, it is advisable to coat the glass surface with an antireflection film or the like.

【0046】一方、平面コイル7A及び平面コイル7B
に流す各駆動電流に重畳させて、検出用電流を流せば、
検出コイル15A,15Bと平面コイル7A間及び検出
コイル16A,16Bと平面コイル7Bの相互インダク
タンスにより関連技術例1と同様の原理で、外側可動板
5Aの変位は例えば図4と同様の回路を介して検出コイ
ル15A,15Bの差動出力によって検出することがで
き、内側可動板5Bの変位検出コイル16A,16Bの
差動出力によって検出することができ、この差動出力を
外側可動板5A及び内側可動板5Bの各駆動系にフィー
ドバックさせれば、外側可動板5A及び内側可動板5B
の変位を精度よく制御することが可能となる。なお、言
うまでもないが、本関連技術例の2軸のガルバノミラー
の場合は、図4と同様の回路を、外側可動板変位検出用
と内側可動板変位検出用として2つ設けるものである。
On the other hand, the plane coil 7A and the plane coil 7B
If the detection current is passed by superimposing it on each drive current flowing in
Due to the mutual inductance between the detection coils 15A and 15B and the plane coil 7A and the mutual inductance between the detection coils 16A and 16B and the plane coil 7B, the displacement of the outer movable plate 5A is performed through a circuit similar to that of FIG. Can be detected by the differential output of the detection coils 15A and 15B, and can be detected by the differential output of the displacement detection coils 16A and 16B of the inner movable plate 5B. This differential output can be detected by the outer movable plate 5A and the inner side. By feeding back to each drive system of the movable plate 5B, the outer movable plate 5A and the inner movable plate 5B.
It is possible to accurately control the displacement of. Needless to say, in the case of the biaxial galvanometer mirror of the related art example, two circuits similar to those shown in FIG. 4 are provided for the outer movable plate displacement detection and the inner movable plate displacement detection.

【0047】かかる関連技術例2の構成によれば、関連
技術例1と同様の効果に加えて、監視対象の走査が2次
元的に行え、走査領域を関連技術例1の1軸の場合に比
べて増大させることができる。また、可動板5の揺動空
間を、上下のガラス基板3,4と周囲のシリコン基板2
とによって密閉するので、この密閉空間を真空状態とす
ることにより、可動板5の回動動作に対する空気抵抗が
なくなり、可動板5A,5Bの応答性が向上するという
効果を有する。
According to the structure of the related art example 2, in addition to the same effect as the related art example 1, the monitoring target can be two-dimensionally scanned, and the scanning area is the one axis of the related art example 1. Can be increased compared to. In addition, the swinging space of the movable plate 5 is defined by the upper and lower glass substrates 3 and 4 and the surrounding silicon substrate 2.
Since the space is hermetically closed by means of, the air resistance to the rotating operation of the movable plate 5 is eliminated by bringing the closed space into a vacuum state, and the responsiveness of the movable plates 5A and 5B is improved.

【0048】更に、平面コイル7A,7Bに流す駆動電
流を大きくして可動板5A,5Bの変位量を大きく設定
する場合には、密閉した可動板揺動空間内を真空とせ
ず、ヘリウム,アルゴン等の不活性ガスを封入するのが
望ましく、特に熱伝導性の良いヘリウムが好ましい。こ
れは、平面コイル7に流す電流量を大きくすると平面コ
イル7からの発熱量が多くなり、可動板5A,5B周囲
が真空状態では可動板からの放熱が悪くなるので、不活
性ガスを封入することによって可動板5A,5Bからの
放熱性を真空状態に比べて高め熱影響を低減させること
ができる。なお、不活性ガスを封入することで、可動板
5A,5Bの応答性に関しては、真空状態に比べて多少
低下することになる。
Further, when the drive current flowing through the plane coils 7A and 7B is increased to set the displacement amount of the movable plates 5A and 5B large, the sealed movable plate swing space is not made to be a vacuum, but helium and argon are used. It is desirable to enclose an inert gas such as helium, and helium having particularly good thermal conductivity is preferable. This is because when the amount of current flowing through the planar coil 7 is increased, the amount of heat generated from the planar coil 7 increases, and heat radiation from the movable plate deteriorates when the movable plates 5A and 5B are in a vacuum state. As a result, the heat radiation from the movable plates 5A and 5B can be enhanced as compared with the vacuum state, and the heat effect can be reduced. By filling the inert gas, the responsiveness of the movable plates 5A and 5B will be slightly lower than that in the vacuum state.

【0049】なお、前述の関連技術例1の上下のガラス
基板を、関連技術例2と同様の凹部を設ける構造として
可動板部分を密閉構造としてもよいことは言うまでもな
い。
It is needless to say that the upper and lower glass substrates of the above-mentioned related technology example 1 may have a structure similar to that of the related technology example 2 in which the movable plate portion is hermetically sealed.

【0050】(関連技術例3)図8,図9,図10は、
関連技術例3である“ガルバノミラー”の構成を示す図
である。
(Related Technique Example 3) FIGS. 8, 9 and 10 show
It is a figure which shows the structure of the "galvano mirror" which is the example 3 of a related technology.

【0051】本関連技術例は、関連技術例2と同様の2
軸の例である。なお、関連技術例2と同一要素には同一
符号を付して説明を省略する。
This related art example is similar to the related art example 2 in that
It is an example of an axis. The same elements as those of the related art example 2 are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

【0052】本関連技術例の2軸のガルバノミラー31
は、前述した関連技術例2と略同様の構成であるが、本
関連技術例では、図8〜図10に示すように、上下のガ
ラス基板3,4が、関連技術例2のものとは異なり、凹
部3A,4Aのない平板上なっている。そして、上側ガ
ラス基板3には、可動板5上方部分に可動板5の形状に
応じて角状の開口部3aを設け、ミラー8上方の部分を
開放状態としてレーザ光が直接ミラー8に入射できるよ
うにしてある。そして、上下のガラス基板3,4が平板
状としてあるため、中間のシリコン基板2を上下に別の
シリコン基板を積層して3層構造とし、その中間層に可
動板5を形成することで可動板5の回動スペースを確保
するようにしてある。
The biaxial galvanometer mirror 31 of the related art example.
Has substantially the same configuration as the related art example 2 described above, but in the related art example, as shown in FIGS. 8 to 10, the upper and lower glass substrates 3 and 4 are different from those of the related art example 2. Differently, it is a flat plate without the concave portions 3A and 4A. The upper glass substrate 3 is provided with a rectangular opening 3a in the upper portion of the movable plate 5 according to the shape of the movable plate 5, and the upper portion of the mirror 8 is opened so that laser light can directly enter the mirror 8. Is done. Since the upper and lower glass substrates 3 and 4 are flat, the intermediate silicon substrate 2 is laminated on top of another silicon substrate to form a three-layer structure, and the movable plate 5 is formed on the intermediate layer to move the silicon substrate. A space for rotating the plate 5 is ensured.

【0053】また、図8に破線で示すように、下側ガラ
ス基板4の下面に、外側可動板5Aの変位検出用の検出
コイル15A,15B及び内側可動板5Bの変位検出用
の検出コイル16A,16Bが、対応する平面コイル7
A,7Bと電磁結合可能な位置にパターニングされて設
けられている。
Further, as shown by a broken line in FIG. 8, on the lower surface of the lower glass substrate 4, the detection coils 15A and 15B for detecting the displacement of the outer movable plate 5A and the detection coil 16A for detecting the displacement of the inner movable plate 5B. , 16B is the corresponding planar coil 7
A and 7B are patterned and provided at positions where electromagnetic coupling is possible.

【0054】かかる構成の本関連技術例の動作,効果
は、関連技術例2と同様であり、説明を省略する。
The operation and effect of this related art example having such a configuration are the same as those of related art example 2, and the description thereof will be omitted.

【0055】(変形)関連技術例2では直線的に走査し
ているが、対象によっては同心円状,らせん状,あるい
はリサージュ図形状に走査することができる。
(Variation) In the related technology example 2, scanning is performed linearly, but depending on the object, scanning can be performed in a concentric circle shape, a spiral shape, or a Lissajous figure shape.

【0056】また、各関連技術例では、可動板の中央部
をトーションバーで軸支しているが、これら限らず、可
動板の端部たとえば図3における可動板5の右辺部を軸
支する形で実施することができ、この場合、左辺側に1
個の検出コイルを設けて変位角を検出することになる。
In each of the related art examples, the central portion of the movable plate is pivotally supported by the torsion bar. However, the present invention is not limited to this, and the end portion of the movable plate, for example, the right side portion of the movable plate 5 in FIG. 3 is pivotally supported. Can be implemented as a form, in this case 1 on the left side
Displacement angle is detected by providing a number of detection coils.

【0057】また各関連技術例では、可動板に設けた平
面コイルに駆動電流と検出用電流を流しているが、駆動
電流の周波数が数キロヘルツと高いときは駆動用電流を
検出用電流に兼用し、検出用電流を重畳しない形とする
ことができる。
In each of the related art examples, the drive current and the detection current are passed through the plane coil provided on the movable plate. However, when the frequency of the drive current is as high as several kilohertz, the drive current is also used as the detection current. However, it is possible to adopt a form in which the detection currents are not superimposed.

【0058】また各関連技術例では、2個の検出コイル
の出力の差により変位角を検出しているが、1個の検出
コイルを設けその出力により変位角を検出する形とする
ことができる。
In each related art example, the displacement angle is detected by the difference between the outputs of the two detection coils, but one detection coil may be provided and the displacement angle may be detected by the output. .

【0059】(PSD)PSDは、フォトダイオードの
表面抵抗を利用した光スポット位置検出センサであり、
CCDなどと異なる非分割型の素子なので、連続した電
気信号(X,Y座標信号)が得られ、位置分解能,応答
性に優れている。
(PSD) PSD is a light spot position detection sensor utilizing the surface resistance of a photodiode,
Since it is a non-divided type element different from a CCD or the like, continuous electric signals (X, Y coordinate signals) can be obtained, and position resolution and responsiveness are excellent.

【0060】このPSDは、図11に示すように、光
(スポット)が入射すると、入射位置に光エネルギに比
例した電荷が発生する。発生した電荷は光電流IO とし
て表面抵抗層を通り電極より出力される。抵抗層は全面
均一の抵抗値を持つように作られているので、光電流I
Oは電極までの距離(抵抗値)に逆比例して分割され取
り出され、この光電流の比I1/I2により、入射光エ
ネルギとは無関係に(4),(5)式より入射位置を求
めることができる。
As shown in FIG. 11, in this PSD, when light (spot) is incident, a charge proportional to the light energy is generated at the incident position. The generated charges pass through the surface resistance layer as photocurrent I O and are output from the electrodes. Since the resistance layer has a uniform resistance value over the entire surface, the photocurrent I
O is divided and extracted in inverse proportion to the distance (resistance value) to the electrode, and the incident position is obtained from the equations (4) and (5) regardless of the incident light energy by the photocurrent ratio I1 / I2. be able to.

【0061】このPSDは、1次元位置検出用と、2次
元位置検出用の2種類に分けられ、さらに2次元位置検
出用は構造により表面分割型と両面分割型に分けられ
る。両面分割型は位置検出誤差,分解能に優れている。
これらのPSDはたとえば浜松ホトニクス株式会社から
入手できる。この浜松ホトニクス株式会社のPSDを関
連技術4〜6として、そのパンフレットに基づいて説明
する。
This PSD is divided into two types, one for one-dimensional position detection and the other for two-dimensional position detection. Further, the two-dimensional position detection is divided into a surface division type and a double side division type depending on the structure. The double-sided split type has excellent position detection error and resolution.
These PSDs are available from Hamamatsu Photonics KK, for example. The PSD of Hamamatsu Photonics KK will be described as related technologies 4 to 6 based on the pamphlet.

【0062】(関連技術例4)図12は関連技術例4で
ある1次元SPDの説明図である。(a)は概略的構成
を示し、(b)は等価回路を示す。このPSDは、Cj
とRp の分布回路を持っているため、この時定数が応答
波形を決める要素になる。しかし、位置信号積分回路を
用いることで、パルス幅数100psのレーザ光の位置
検出にも利用できる。
(Related Technique Example 4) FIG. 12 is an explanatory diagram of a one-dimensional SPD which is a related technique example 4. (A) shows a schematic structure and (b) shows an equivalent circuit. This PSD is C j
Since it has a distribution circuit of R p and R p , this time constant is an element that determines the response waveform. However, by using the position signal integration circuit, it can be used for position detection of laser light having a pulse width of several hundred ps.

【0063】(関連技術例5)図13は表面分割型PS
Dの説明図で、(a)は概略的構成を示し、(b)は等
価回路を示す。
(Related Art Example 5) FIG. 13 shows a surface division type PS.
In the explanatory view of D, (a) shows a schematic configuration and (b) shows an equivalent circuit.

【0064】図示のように、フォトダイオードの表面に
4つの電極を付けた構成のものである。光電流は同一抵
抗層で4分割され位置信号として出力される。両面分割
型に比べ周辺部での歪が大きくなるが、バイアス印加が
容易なうえ、低暗電流,高速応答などの特徴を持ってい
る。
As shown in the figure, the structure is such that four electrodes are attached to the surface of the photodiode. The photocurrent is divided into four by the same resistance layer and output as a position signal. Distortion in the peripheral area is larger than that of the double-sided split type, but it has features such as easy bias application, low dark current, and high-speed response.

【0065】(関連技術例6)図14は両面分割型PS
Dの説明図で、(a)は概略的構成を示し(b)は等価
回路を示す。
(Related technology example 6) FIG. 14 shows a double-sided split type PS.
In the explanatory view of D, (a) shows a schematic configuration and (b) shows an equivalent circuit.

【0066】図示のように、フォトダイオードの表面と
裏面の両面に電極を付けた構成のものである。等価回路
から明らかなように、各位置信号(光電流)は、2つの
抵抗層で2分割されるだけですから位置検出能力(位置
検出誤差,分解能)が優れている。
As shown, electrodes are provided on both the front and back surfaces of the photodiode. As is clear from the equivalent circuit, each position signal (photocurrent) is only divided into two by two resistance layers, and therefore the position detection capability (position detection error, resolution) is excellent.

【0067】[0067]

【実施例】以下本発明を実施例により詳しく説明する。The present invention will be described in more detail with reference to the following examples.

【0068】(実施例1)図1は、実施例1である“2
次元走査型寸法測定装置”の概略的構成を示す図であ
る。図において、101は2次元走査(2次元偏向)の
できる関連技術例2,3に示すような2次元ガルバノミ
ラーであり、103は光スポット位置を2次元で検出で
きる関連技術例5,6に示すようなPSDである。
(Embodiment 1) FIG. 1 shows Embodiment 1 "2".
1 is a diagram showing a schematic configuration of a "dimensional scanning type dimension measuring device". In the figure, 101 is a two-dimensional galvanometer mirror as shown in related technical examples 2 and 3 capable of two-dimensional scanning (two-dimensional deflection), and 103 Is a PSD as shown in Related Art Examples 5 and 6 capable of detecting the light spot position in two dimensions.

【0069】102は、コリメータレンズで、2次元ガ
ルバノミラー101のミラー上の焦点から入射したレー
ザービーム110をその光軸に平行のレーザービームで
ある走査ビーム111に屈折する。104,107はP
SDの出力を所要のレベルまで増幅する増幅器、10
5,108はアナログ−デジタル変換器、106は所要
の演算を行うマイクロコンピュータである。
A collimator lens 102 refracts a laser beam 110 incident from the focal point on the mirror of the two-dimensional galvanometer mirror 101 into a scanning beam 111 which is a laser beam parallel to its optical axis. 104 and 107 are P
An amplifier for amplifying the SD output to a required level, 10
Reference numerals 5 and 108 are analog-to-digital converters, and 106 is a microcomputer for performing necessary calculations.

【0070】図示のように、コリメータレンズ102と
PSD103の間に被測定物112を置き、2次元ガル
バノミラー101により走査ビーム111を振って走査
すると、被測定物112で遮られなかった走査ビーム1
11がPSD103の検出面に達し、その位置に応じた
X軸データ,Y軸データがPSD103から出力され
る。このX軸データ,Y軸データを増幅器105,10
8により所要のレベルまで増幅し、A−D変換器10
5.108によりデジタルデータに変換し、マイクロコ
ンピュータ106に入力して演算することにより、被測
定物112のPSD103への投影形状113における
各部の寸法を求めることができる。またこの各部の寸法
により投影面積を求めることができる。
As shown in the figure, when the object to be measured 112 is placed between the collimator lens 102 and the PSD 103, the scanning beam 111 is swung by the two-dimensional galvanometer mirror 101 to scan, and the scanning beam 1 not blocked by the object to be measured 112.
11 reaches the detection surface of the PSD 103, and X-axis data and Y-axis data corresponding to the position thereof are output from the PSD 103. The X-axis data and the Y-axis data are fed to the amplifiers 105 and 10
Amplify to a required level by 8 and AD converter 10
The size of each part in the projected shape 113 of the object 112 to be measured onto the PSD 103 can be obtained by converting into digital data by 5.108 and inputting to the microcomputer 106 for calculation. In addition, the projected area can be obtained from the dimensions of each part.

【0071】ここで、PSDの測光面が10mm×10mm
で、A−D変換出力が8ビットであれば、256ドット
×256ドットで最小目盛は40μmとなる。12ビッ
トであれば最小目盛2.4μmとなる。
Here, the photometric surface of the PSD is 10 mm × 10 mm
Therefore, if the A / D conversion output is 8 bits, the minimum scale is 256 μm × 256 dots, which is 40 μm. With 12 bits, the minimum scale is 2.4 μm.

【0072】本実施例におけるPSDの検出位置毎の誤
差は固有の値となるので、この誤差を予め測定しメモリ
に入れておき、寸法測定時にこのメモリ内容により補正
することにより、より正確な寸法測定が可能となる。
Since the error for each PSD detection position in the present embodiment has a unique value, this error is measured in advance and stored in a memory, and is corrected by the contents of this memory at the time of dimension measurement, whereby a more accurate dimension is obtained. It becomes possible to measure.

【0073】以上説明したように、本発明によれば、高
価なポリゴンミラー,等速回転駆動装置を用いることな
く、安価で小型のガルバノミラーを用いて、正確な2次
元寸法を求めることのできる2次元走査型寸法測定装置
を提供することができる。 (実施例2)図2は実施例2である“2次元走査型寸法
測定装置”の構成を示す図である。増幅器,A−D変換
器,マイクロコンピュータ部は実施例1と同様であり、
図示を省略している。
As described above, according to the present invention, it is possible to obtain an accurate two-dimensional dimension by using an inexpensive and small galvanometer mirror without using an expensive polygon mirror or a constant velocity rotary drive device. A two-dimensional scanning type size measuring device can be provided. (Embodiment 2) FIG. 2 is a diagram showing the construction of a "two-dimensional scanning type dimension measuring apparatus" which is Embodiment 2. In FIG. The amplifier, the AD converter, and the microcomputer unit are the same as in the first embodiment,
Illustration is omitted.

【0074】本実施例では、図示のように、コリメータ
レンズを用いることなく、2次元ガルバノミラー101
の反射光111で直接被測定物112を走査している。
In this embodiment, as shown in the drawing, the two-dimensional galvanometer mirror 101 is used without using a collimator lens.
The object 112 to be measured is directly scanned by the reflected light 111 of

【0075】本実施例では、2次元ガルバノミラー10
1の反射点を点光源として被測定物112を照射する
(走査)する場合と等価であり、ガルバノミラー101
と被測定物112の前面との距離f1とし、ガルバノミ
ラー101とPSD103の検出面との距離をf1+f
2とすると、被測定物の投影像113の寸法は、被測定
物112の寸法の(f1+f2)/f1倍となる。
In this embodiment, the two-dimensional galvanometer mirror 10 is used.
This is equivalent to the case where the object to be measured 112 is irradiated (scanned) with the reflection point of No. 1 as a point light source, and the galvanometer mirror 101 is used.
And the front surface of the DUT 112 is f1, and the distance between the galvano mirror 101 and the detection surface of the PSD 103 is f1 + f.
If it is 2, the size of the projected image 113 of the object to be measured is (f1 + f2) / f1 times the size of the object to be measured 112.

【0076】たとえば、PSDの測光面が10mm×10
mm、A−D変換が8ビット、(f1+f2)/f1=1
0であれば最小目盛は4μmとなる。
For example, the photometric surface of PSD is 10 mm × 10
mm, A-D conversion is 8 bits, (f1 + f2) / f1 = 1
If 0, the minimum scale is 4 μm.

【0077】以上説明したように、本実施例によれば、
高価なポリゴンミラー,等速回転駆動装置,コリメータ
レンズを用いることなく、安価で小型の2次元ガルバノ
ミラーを用いて、正確な2次元寸法を求めることのでき
る2次元走査型寸法測定装置を提供することができる。
As described above, according to the present embodiment,
Provided is a two-dimensional scanning type dimension measuring device capable of obtaining an accurate two-dimensional dimension by using an inexpensive and small two-dimensional galvanometer mirror without using an expensive polygon mirror, a constant-speed rotation driving device, and a collimator lens. be able to.

【0078】(実施例3)以上の各実施例は、2次元の
寸法を測定するものであるが、本発明はこれに限らず、
1次元の寸法を測定する形で実施することができる。
(Embodiment 3) In each of the above embodiments, two-dimensional dimensions are measured, but the present invention is not limited to this.
It can be implemented in the form of measuring one-dimensional dimensions.

【0079】この際、実施例1,実施例2における、2
次元ガルバノミラー101のかわりに関連技術例1(図
3参照)のガルバノミラーを用い、2次元PSDのかわ
りに関連技術例4(図12参照)の1次元PSDを用い
る。
At this time, 2 in the first and second embodiments
The galvano mirror of Related Technique Example 1 (see FIG. 3) is used instead of the two-dimensional Galvano mirror 101, and the one-dimensional PSD of Related Technique Example 4 (see FIG. 12) is used instead of the two-dimensional PSD.

【0080】本実施例によれば、高価なポリゴンミラ
ー,等速回転駆動装置を用いることなく、正確な1次元
寸法を求めることのできる1次元走査型寸法測定装置を
提供することができる。
According to this embodiment, it is possible to provide a one-dimensional scanning type size measuring device which can obtain an accurate one-dimensional size without using an expensive polygon mirror or a constant-speed rotary driving device.

【0081】[0081]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
安価で小型の走査型寸法測定装置を提供することができ
る。さらに、請求項3,請求項4記載の発明によれば、
正確な2次元寸法を求めることのできる走査型寸法測定
装置を提供することができる。
As described above, according to the present invention,
It is possible to provide an inexpensive and compact scanning size measuring device. Further, according to the inventions of claims 3 and 4,
It is possible to provide a scanning-type dimension measuring device that can obtain accurate two-dimensional dimensions.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 実施例1の構成を示す図FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a first embodiment.

【図2】 実施例2の構成を示す図FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a second embodiment.

【図3】 関連技術例1の構成を示す図FIG. 3 is a diagram showing a configuration of Related Art Example 1;

【図4】 図3のA−A断面図FIG. 4 is a sectional view taken along line AA of FIG. 3;

【図5】 関連技術例1の動作説明図FIG. 5 is an operation explanatory diagram of Related Art Example 1

【図6】 関連技術例1における可動板の変位角検出の
説明図
FIG. 6 is an explanatory diagram of displacement angle detection of a movable plate in Related Art Example 1.

【図7】 関連技術例2の構成を示す図FIG. 7 is a diagram showing a configuration of Related Art Example 2;

【図8】 関連技術例3の構成を示す図FIG. 8 is a diagram showing a configuration of Related Art Example 3;

【図9】 図8のB−B断面図9 is a sectional view taken along line BB of FIG.

【図10】 図8のC−C断面図FIG. 10 is a sectional view taken along line CC of FIG.

【図11】 PSDの光入射位置検出の説明図FIG. 11 is an explanatory diagram of light incident position detection of PSD.

【図12】 1次元PSDの説明図FIG. 12 is an explanatory diagram of a one-dimensional PSD.

【図13】 表面分割型PSDの説明図FIG. 13 is an explanatory diagram of a surface division type PSD.

【図14】 両面分割型PSDの説明図FIG. 14 is an explanatory diagram of a double-sided split PSD.

【図15】 従来例の構成を示す図FIG. 15 is a diagram showing a configuration of a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

100 半導体レーザ 101 2次元ガルバノミラー 103 PSD 100 semiconductor laser 101 two-dimensional galvanometer mirror 103 PSD

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 レーザビーム発生手段と、このレーザー
ビーム発生手段からレーザービームを受けて偏向するガ
ルバノミラーと、このガルバノミラーからのレーザービ
ームを受けてその入射位置を検出する光入射位置検出手
段とを備え、前記ガルバノミラーと前記光入射位置検出
手段との間に被測定物を配置しこの被測定物の寸法を測
定する走査型寸法測定装置。
1. A laser beam generating means, a galvano mirror for receiving and deflecting a laser beam from the laser beam generating means, and a light incident position detecting means for receiving the laser beam from the galvano mirror and detecting its incident position. A scanning-type dimension measuring apparatus, comprising: an object to be measured between the galvanometer mirror and the light incident position detecting means, and measuring the dimension of the object to be measured.
【請求項2】 ガルバノミラーで偏向されたレーザービ
ームを平行光線とするコリメータレンズを備えたことを
特徴とする請求項1記載の走査型寸法測定装置。
2. The scanning size measuring apparatus according to claim 1, further comprising a collimator lens for collimating the laser beam deflected by the galvanometer mirror.
【請求項3】 ガルバノミラーは2次元偏向のできる2
次元ガルバノミラーであり、光入射位置検出手段は2次
元の光入射位置検出のできる2次元光入射位置検出手段
であることを特徴とする請求項1または請求項2記載の
走査型寸法測定装置。
3. The galvanometer mirror is capable of two-dimensional deflection.
The scanning dimension measuring apparatus according to claim 1 or 2, wherein the scanning dimension measuring device is a two-dimensional galvanometer mirror, and the light incident position detecting means is a two-dimensional light incident position detecting means capable of detecting a two-dimensional light incident position.
【請求項4】 ガルバノミラーは、半導体基板に、可動
板とこの可動板を前記半導体基板に対し揺動自在に軸支
するトーションバーとを一体に形成し、前記可動板の周
縁部に駆動コイルを設け、前記可動板上にミラーを設
け、前記駆動コイルに静磁界を与える磁界発生手段を設
けて、前記駆動コイルに電流を流すことにより前記ミラ
ーを駆動するものであることを特徴とする請求項1ない
し請求項3のいずれかに記載の走査型寸法測定装置。
4. A galvanometer mirror is such that a movable plate and a torsion bar that pivotally supports the movable plate with respect to the semiconductor substrate are integrally formed on a semiconductor substrate, and a drive coil is provided on a peripheral portion of the movable plate. And a mirror provided on the movable plate, magnetic field generating means for applying a static magnetic field to the drive coil is provided, and the mirror is driven by passing a current through the drive coil. The scanning size measuring apparatus according to any one of claims 1 to 3.
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