JPH0936715A - Comparator circuit - Google Patents

Comparator circuit

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JPH0936715A
JPH0936715A JP7182304A JP18230495A JPH0936715A JP H0936715 A JPH0936715 A JP H0936715A JP 7182304 A JP7182304 A JP 7182304A JP 18230495 A JP18230495 A JP 18230495A JP H0936715 A JPH0936715 A JP H0936715A
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JP
Japan
Prior art keywords
transistor
base
current
comparator circuit
supplied
Prior art date
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Pending
Application number
JP7182304A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kiyoutarou Yanagisawa
恭太郎 柳澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH0936715A publication Critical patent/JPH0936715A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent a characteristic of the comparator circuit with a hysteresis characteristic from being affected by power fluctuation and to change the characteristic into a desired characteristic. SOLUTION: An on-current of a transistor(TR) Q2 is extracted by current mirror transistors(TRs) Q3 , Q6 and given to a base resistor R2 of the TR Q2 and an emitter output current of a TR Q7 whose base receives a reference voltage Vref is applied to the base resistor R2. A base voltage VA, when the TR Q2 is conductive, and a base voltage VB when the TR Q2 is nonconductive, are both independently of a power supply Vcc and dependent on the external voltage Vref.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はコンパレータ回路に
関し、特にヒステリシス特性を有して半導体集積回路に
適した差動回路構成のコンパレータ回路に関するもので
ある。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a comparator circuit, and more particularly to a comparator circuit having a hysteresis circuit and having a differential circuit configuration suitable for a semiconductor integrated circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のこの種のコンパレータ回路の構成
例を図2に示す。トランジスタQ1,Q2はエミッタが
互いに共通接続された差動対トランジスタであり、トラ
ンジスタQ1のベースへ入力信号INが供給され、トラ
ンジスタQ2のベースにはこのコンパレータ回路の閾値
となる基準電圧(VA またはVB )が印加されており、
そのために、トランジスタQ2のベースとアース電位と
の間に抵抗R2が接続されている。
2. Description of the Related Art FIG. 2 shows a configuration example of a conventional comparator circuit of this type. The transistors Q1 and Q2 are differential pair transistors whose emitters are commonly connected to each other. The input signal IN is supplied to the base of the transistor Q1. The base of the transistor Q2 has a reference voltage (VA or VB) as a threshold value of this comparator circuit. ) Is being applied,
Therefore, the resistor R2 is connected between the base of the transistor Q2 and the ground potential.

【0003】トランジスタQ1のコレクタと電源Vccと
の間には、抵抗R1が接続されており、トランジスタQ
1のコレクタとトランジスタQ2のベースとの間が共通
接続されることにより、コンパレータ回路の閾値である
基準電圧がVA またはVB に変化して、いわゆるヒステ
リシス特性を呈する様になっている。その作用について
は後述する。
A resistor R1 is connected between the collector of the transistor Q1 and the power supply Vcc and the transistor Q1 is connected.
By commonly connecting the collector of 1 and the base of the transistor Q2, the reference voltage, which is the threshold value of the comparator circuit, changes to VA or VB, and a so-called hysteresis characteristic is exhibited. The operation will be described later.

【0004】トランジスタQ2のコレクタ電流は、トラ
ンジスタQ3とQ4とからなるカレントミラー回路によ
り取出されて抵抗R3へ供給される。この抵抗R3に生
ずる電圧が出力トランジスタQ5のベースへ入力され
て、そのコレクタ負荷R4から出力OUTが導出される
ようになっている。
The collector current of the transistor Q2 is taken out by the current mirror circuit composed of the transistors Q3 and Q4 and supplied to the resistor R3. The voltage generated in the resistor R3 is input to the base of the output transistor Q5, and the output OUT is derived from the collector load R4.

【0005】トランジスタQ2のベースには、閾値電圧
VA として、 VA =R2・Vcc/(R1+R2) の電圧が始めに加わることになる。この状態で、トラン
ジスタQ1のベースに入力信号INが供給されて、トラ
ンジスタQ1のベースがトランジスタQ2のベース電圧
VA を越えると、トランジスタQ1がオンとなって抵抗
R2へ抵抗R1を介して電流Ib が流れる。
A voltage of VA = R2Vcc / (R1 + R2) is initially applied to the base of the transistor Q2 as a threshold voltage VA. In this state, when the input signal IN is supplied to the base of the transistor Q1 and the base of the transistor Q1 exceeds the base voltage VA of the transistor Q2, the transistor Q1 is turned on and the current Ib is supplied to the resistor R2 via the resistor R1. Flowing.

【0006】その結果、トランジスタQ2のベース電位
は変化して、 VB =Vcc−I0・R1 に低下することになる。ここに、I0は差動回路の定電
流源の電流値を示すものとする。このトランジスタQ2
のベース電位が変化することにより、コンパレータ回路
の切換え特性が変化することになり、ヒステリシス特性
を有するコンパレータ回路となるのである。
As a result, the base potential of the transistor Q2 changes, and it drops to VB = Vcc-I0.R1. Here, I0 indicates the current value of the constant current source of the differential circuit. This transistor Q2
The change in the base potential of changes the switching characteristic of the comparator circuit, resulting in a comparator circuit having a hysteresis characteristic.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】図2に示す従来のこの
種のコンパレータ回路においては、閾値電圧VB が電源
電圧Vccに依存するので、このVccの値が変動するとコ
ンパレータ回路のヒステリシス特性が変化するという欠
点がある。また、このヒステリシス特性を所望に制御で
きないという問題もある。
In the conventional comparator circuit of this type shown in FIG. 2, since the threshold voltage VB depends on the power supply voltage Vcc, the hysteresis characteristic of the comparator circuit changes when the value of this Vcc changes. There is a drawback that. There is also a problem that the hysteresis characteristic cannot be controlled as desired.

【0008】本発明の目的は、電源変動に対してヒステ
リシス特性が変動することなく安定な特性を得ることが
できるコンパレータ回路を提供することである。
An object of the present invention is to provide a comparator circuit that can obtain stable characteristics without changing hysteresis characteristics with respect to power supply fluctuations.

【0009】本発明の他の目的は、ヒステリシス特性を
所望に変化制御可能なコンパレータ回路を提供すること
である。
Another object of the present invention is to provide a comparator circuit which can control the change of the hysteresis characteristic as desired.

【0010】[0010]

【課題を提供するための手段】本発明によれば、差動接
続構成とされた一対の第1及び第2のトランジスタを有
し、前記第1のトランジスタのベースに入力信号が供給
され、前記第2のトランジスタのベースに基準電圧が供
給されたコンパレータ回路であって、前記第2のトラン
ジスタのベースと基準電位点との間に接続されたベース
バイアス用抵抗素子と、前記抵抗素子へ前記第2のトラ
ンジスタの導通時にそのコレクタ電流に等しい電流を供
給する第1の電流供給手段と、前記抵抗素子へ所定基準
電圧に比例した電流を供給する第2の電流供給手段とを
含むことを特徴とするコンパレータ回路が得られる。
According to the present invention, there is provided a pair of first and second transistors having a differential connection structure, an input signal is supplied to the base of the first transistor, and A comparator circuit in which a reference voltage is supplied to the base of a second transistor, wherein a base bias resistance element connected between the base of the second transistor and a reference potential point, and A second current supply means for supplying a current equal to a collector current of the second transistor when the second transistor is conductive, and a second current supply means for supplying a current proportional to a predetermined reference voltage to the resistance element. A comparator circuit that does

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】本発明の作用は次の如くである。
すなわち、基準電圧がベースに印加されるトランジスタ
のベースと基準電位点との間に、抵抗素子を設けてお
き、この抵抗素子に流れる電流を、電源Vccに無関係の
外部電圧に比例した電流とするのである。これにより、
電源Vccに依存せず、また外部電圧により所望に変化自
在なヒステリシス特性が得られることになる。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The operation of the present invention is as follows.
That is, a resistance element is provided between the base of the transistor to which the reference voltage is applied to the base and the reference potential point, and the current flowing through the resistance element is made a current proportional to the external voltage irrelevant to the power supply Vcc. Of. This allows
It is possible to obtain a hysteresis characteristic which does not depend on the power source Vcc and can be changed freely by an external voltage.

【0012】以下、図面を用いて本発明の実施例につい
て説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0013】図1は本発明の実施例の回路図であり、図
2と同等部分は同一符号にて示している。差動対トラン
ジスタQ1のベースには入力信号INが供給されてお
り、トランジスタQ2のベースとアース電位との間には
抵抗R2が接続されている。
FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention, and the same parts as those in FIG. 2 are designated by the same reference numerals. The input signal IN is supplied to the base of the differential pair transistor Q1, and the resistor R2 is connected between the base of the transistor Q2 and the ground potential.

【0014】この抵抗R2には、トランジスタQ2がオ
ンした時にこのトランジスタQ2のコレクタ電流(I
0)を、トランジスタQ3とQ6とによるカレントミラ
ー回路により取出して供給するようになっている。更
に、この抵抗R2には、トランジスタQ7によるエミッ
タ電流を抵抗R5を介して供給するようになっている。
The resistor R2 has a collector current (I) when the transistor Q2 is turned on.
0) is taken out and supplied by a current mirror circuit composed of transistors Q3 and Q6. Further, the emitter current of the transistor Q7 is supplied to the resistor R2 via the resistor R5.

【0015】トランジスタQ7のベースには外部より基
準電圧Vref が供給されており、そのコレクタは電源V
ccに接続されている。
A reference voltage Vref is externally supplied to the base of the transistor Q7, and its collector is a power supply Vref.
Connected to cc.

【0016】他の構成は図2のそれと同一でありその説
明は省略するものとする。
The other structure is the same as that of FIG. 2 and its explanation is omitted.

【0017】かかる構成において、入力信号INが印加
されていない状態では、トランジスタQ2がオンし、そ
のコレクタ電流I0はトランジスタQ3とQ6とのカレ
ントミラー回路により取出されて抵抗R2へ流れる。こ
の抵抗R2には、更にトランジスタQ7よりの一定電流
も流れることになる。
In such a structure, when the input signal IN is not applied, the transistor Q2 is turned on, and its collector current I0 is taken out by the current mirror circuit of the transistors Q3 and Q6 and flows to the resistor R2. A constant current from the transistor Q7 also flows through the resistor R2.

【0018】従って、この時のトランジスタQ2のベー
ス電圧VA は、 VA =I0・R2+(Vref −VBE)・R2/(R2+
R5) となる。VBEはトランジスタQ7のベースエミッタ間電
圧である。
Therefore, the base voltage VA of the transistor Q2 at this time is VA = I0.R2 + (Vref-VBE) .R2 / (R2 +
R5). VBE is the base-emitter voltage of the transistor Q7.

【0019】この状態で、入力信号INが印加され、V
A を越えると、トランジスタQ7はオフとなり、よって
抵抗R2にはトランジスタQ7よりの一定電流のみが流
れることになる。
In this state, the input signal IN is applied and V
When A is exceeded, the transistor Q7 is turned off, so that only a constant current from the transistor Q7 flows through the resistor R2.

【0020】その結果、トランジスタQ2のベース電圧
は、 VB =(Vref −VBE)・R2/(R2+R5) に低下する。従って、ヒステリシス特性が可能になるの
である。
As a result, the base voltage of the transistor Q2 drops to VB = (Vref-VBE) .multidot.R2 / (R2 + R5). Therefore, hysteresis characteristics are possible.

【0021】この場合のVB は、上式から明らかな如
く、電源電圧Vccに依存しないので、Vccが変動しても
何等特性に影響がない。また、外部からの基準電圧Vre
f を所望に変化させることで、ヒステリシス特性(VB
)を変化させることができるのである。尚、上記実施
例では、NPNトランジスタを用いているが、PNPト
ランジスタを用いても良いことは明らかである。
As is clear from the above equation, VB in this case does not depend on the power supply voltage Vcc, so that even if Vcc fluctuates, there is no effect on the characteristics. In addition, the reference voltage Vre from the outside
By changing f as desired, the hysteresis characteristic (VB
) Can be changed. Although the NPN transistor is used in the above embodiment, it is obvious that the PNP transistor may be used.

【0022】[0022]

【発明の効果】以上述べた如く、本発明によれば、コン
パレータの閾値を電源電圧に依存せずに、外部からの基
準電圧に依存する構成としたので、電源変動に強くかつ
ヒステリシス特性も所望に設定できるコンパレータ回路
が得られるという効果があり、また半導体集積回路化に
好適になるものである。
As described above, according to the present invention, the threshold value of the comparator does not depend on the power supply voltage but depends on the reference voltage from the outside. This has the effect of obtaining a comparator circuit that can be set to, and is suitable for semiconductor integrated circuits.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例の回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention.

【図2】従来のコンパレータの回路例を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a circuit example of a conventional comparator.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

Q1,Q2 差動対トランジスタ Q3,Q4,Q6 カレントミラートランジスタ Q5 出力トランジスタ Q7 エミッタフォロワトランジスタ R2〜R5 抵抗素子 Q1, Q2 Differential pair transistor Q3, Q4, Q6 Current mirror transistor Q5 Output transistor Q7 Emitter follower transistor R2-R5 Resistance element

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 差動接続構成とされた一対の第1及び第
2のトランジスタを有し、前記第1のトランジスタのベ
ースに入力信号が供給され、前記第2のトランジスタの
ベースに基準電圧が供給されたコンパレータ回路であっ
て、前記第2のトランジスタのベースと基準電位点との
間に接続されたベースバイアス用抵抗素子と、前記抵抗
素子へ前記第2のトランジスタの導通時にそのコレクタ
電流に等しい電流を供給する第1の電流供給手段と、前
記抵抗素子へ所定基準電圧に比例した電流を供給する第
2の電流供給手段とを含むことを特徴とするコンパレー
タ回路。
1. A pair of first and second transistors having a differential connection configuration, wherein an input signal is supplied to the base of the first transistor and a reference voltage is supplied to the base of the second transistor. A supplied comparator circuit, which includes a base bias resistance element connected between the base of the second transistor and a reference potential point, and a collector current for the resistance element when the second transistor is conductive. A comparator circuit comprising: a first current supply means for supplying an equal current and a second current supply means for supplying a current proportional to a predetermined reference voltage to the resistance element.
【請求項2】 前記第1の電流供給手段は、前記第2の
トランジスタのコレクタに接続されてこのコレクタ電流
を前記抵抗素子へ供給するカレントミラー回路であるこ
とを特徴とする請求項1記載のコンパレータ回路。
2. The first current supply means is a current mirror circuit which is connected to the collector of the second transistor and supplies the collector current to the resistance element. Comparator circuit.
【請求項3】 前記第2の電流供給手段は、ベースに前
記所定基準電位が供給されたトランジスタを有し、この
トランジスタのエミッタ電流を前記抵抗素子へ供給する
ようにしたことを特徴とする請求項1または2記載のコ
ンパレータ回路。
3. The second current supply means has a transistor to the base of which the predetermined reference potential is supplied, and the emitter current of the transistor is supplied to the resistance element. A comparator circuit according to item 1 or 2.
【請求項4】 前記エミッタ電流は第2の抵抗素子を介
して前記ベースバイアス用抵抗素子へ供給されるよう構
成されていることを特徴とする請求項3記載のコンパレ
ータ回路。
4. The comparator circuit according to claim 3, wherein the emitter current is configured to be supplied to the base bias resistance element via a second resistance element.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5883428A (en) * 1981-11-12 1983-05-19 Mitsubishi Electric Corp Schmitt circuit

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5883428A (en) * 1981-11-12 1983-05-19 Mitsubishi Electric Corp Schmitt circuit

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