JPH0936288A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents

Manufacture of semiconductor device

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JPH0936288A
JPH0936288A JP18135795A JP18135795A JPH0936288A JP H0936288 A JPH0936288 A JP H0936288A JP 18135795 A JP18135795 A JP 18135795A JP 18135795 A JP18135795 A JP 18135795A JP H0936288 A JPH0936288 A JP H0936288A
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semiconductor device
semiconductor
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device having high reliability by connecting semiconductor pellet electrodes to the inner leads of a lead frame via a connecting material, improving the radiation properties and improving the surge resistance. SOLUTION: The method for manufacturing a semiconductor device comprises the inner lead forming step of position converting inner leads 4 on a semiconductor pellet electrodes 3 by molding to bent the leads 4, inner lead press bonding step of press bonding to connect the leads 4 to the electrodes 3, and the bump supplying step of supplying a connecting material 7, wherein the electrodes 3 can be connected to the leads 4 via the material 7.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法に関する。
The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の半導体装置の半導体ペレット電極
とインナリードの接合は、特開平1−184856号公
報に開示されている。この従来の技術は、図15
(A),(B),(C)および図16(A),(B),
(C)に示すように、それぞれ少くともその一端をモー
ルドパッケージ1に支持固定されて並列配置された導電
性弾性材(金属)からなる第1,第2のリード22,2
3と、第1のリード22の他端に設けられた半導体ペレ
ット5を搭載するリードフレームアイランド6およびリ
ードフレームアイランド6と対向して配置された第2の
リード23と一体のインナリード4で挟まれた半導体ペ
レット5を含んでなるというものである。
2. Description of the Related Art A conventional method of joining a semiconductor pellet electrode and an inner lead of a semiconductor device is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-184856. This conventional technique is shown in FIG.
(A), (B), (C) and FIGS. 16 (A), (B),
As shown in FIG. 1C, at least one end of each of the first and second leads 22 and 2 made of a conductive elastic material (metal) supported and fixed to the mold package 1 and arranged in parallel.
3 and the inner lead 4 integrated with the lead frame island 6 mounted with the semiconductor pellet 5 provided on the other end of the first lead 22 and the second lead 23 arranged so as to face the lead frame island 6. The semiconductor pellets 5 are included.

【0003】第2のリード23は、まず、図16(A)
に示すように、インナリード4の幅の狭い先端部を折り
曲げてアームとする。次に、図15(B)および図16
(B)に示すように、第2の曲げ工程でもう1箇所折り
曲げて中間部21を作る。次に、図15(C)および図
16(C)に示すように、アームをやや下向きに折り曲
げる。リードフレーム状態では第1,第2のリード2
2,23はタイバー(図示せず)で連結されていて、リ
ードフレームアイランド6とアームとが対峙している。
そこへ半導体ペレット5を狭みインナリード4のばね性
を利用して機械的に接合し、モールドで封止することに
より、図15に示した半導体装置が得られる。
The second lead 23 first has a structure shown in FIG.
As shown in (1), the narrow end of the inner lead 4 is bent to form an arm. Next, FIG. 15B and FIG.
As shown in (B), another portion is bent in the second bending step to form the intermediate portion 21. Next, as shown in FIGS. 15C and 16C, the arm is bent slightly downward. In the lead frame state, the first and second leads 2
Reference numerals 2 and 23 are connected by a tie bar (not shown), and the lead frame island 6 and the arm face each other.
The semiconductor device shown in FIG. 15 is obtained by narrowing the semiconductor pellet 5 and mechanically joining the semiconductor pellet 5 by utilizing the spring property of the inner lead 4 and sealing it with a mold.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体装置
の製造方法では、インナリードの曲げを行なった後、半
導体ペレットをリードフレームアイランドとインナリー
ド間に挿入するため、挿入工程の機構が複雑となる。ま
た、インナリード曲げ加工も所定の角度を付けて曲げイ
ンナリードを成形する工程の機構も複雑となり、製造設
備の自動化が困難である。また、半導体ペレット電極と
インナリードとの接合もインナリードのばね性を利用し
た機械的接合のため電気的特性,信頼性上大きな問題が
ある。
In this conventional method for manufacturing a semiconductor device, the semiconductor pellet is inserted between the lead frame island and the inner lead after the inner lead is bent. Become. Also, in the inner lead bending process, the mechanism of the step of forming a bent inner lead at a predetermined angle becomes complicated, and it is difficult to automate manufacturing equipment. In addition, the bonding between the semiconductor pellet electrode and the inner lead also has significant problems in electrical characteristics and reliability because of mechanical bonding utilizing the spring property of the inner lead.

【0005】本発明の目的は、インナリードの曲げ加工
の自動化が容易で、かつ半導体ペレット電極とインナリ
ードとの接合が強固で電気的特性,信頼性の優れた半導
体装置の製造方法を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device in which the bending of the inner lead is easily automated, the bonding between the semiconductor pellet electrode and the inner lead is strong, and the electrical characteristics and reliability are excellent. It is in.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、半導体ペット
電極とインナリードとを配線する組立工程を含む半導体
装置の製造方法において、前記組立工程が前記インナリ
ードを第1曲げ位置で直角に第1の曲げ加工を行う工程
と、さらに、前記第1の曲げ位置と平行な第2曲げ位置
でその断面がコの字状又は階段状になるように直角に第
2の曲げ加工を行い前記半導体ペレット上に位置変換す
る工程と、位置変換された前記インナリードを圧着し接
合材を介して前記半導体ペレット電極に接合する工程と
を含むことを特徴とする。
According to the present invention, in a method of manufacturing a semiconductor device, including a step of assembling a semiconductor PET electrode and an inner lead, the step of assembling the inner lead at a right angle at a first bending position. The step of performing the first bending process, and further, at the second bending position parallel to the first bending position, the second bending process is performed at a right angle so that the cross section has a U-shape or a step shape. The method is characterized by including a step of converting the position on the pellet and a step of pressure-bonding the position-converted inner lead and bonding it to the semiconductor pellet electrode via a bonding material.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面を参照して説明する。
Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings.

【0008】図1は本発明の半導体装置の組立方法の第
1の実施の形態によるモールド封入後のフープリードフ
レームの平面図、図2は図1のフープリードフレームの
第1例のインナリード部の平面図である。図1に示すよ
うに、本発明の半導体装置の組立方法(以下、組立方法
と記す)の第1の実施の形態によってフープリードフレ
ーム2に形成された半導体装置のモールドパッケージ1
は、1本のリードが1端面から導出された例である。
FIG. 1 is a plan view of a hoop lead frame after molding according to a first embodiment of a method of assembling a semiconductor device of the present invention, and FIG. 2 is an inner lead portion of a first example of the hoop lead frame of FIG. FIG. As shown in FIG. 1, a mold package 1 of a semiconductor device formed on a hoop lead frame 2 according to a first embodiment of a method of assembling a semiconductor device (hereinafter, referred to as an assembling method) of the present invention.
Is an example in which one lead is led out from one end face.

【0009】本発明の組立方法は、図2に示すように、
平行な第1曲げ位置11と第2曲げ位置14とを有する
インナリード4が形成されたフープリードフレーム2を
用いて行う。まず、半導体ペレット5をリードフレーム
アイランド6上にボンディングする。次に、パンプ供給
機能部(図示せず)により接合材7を半導体ペレット電
極3上に供給する。この接合材7はあらかじめ半導体ペ
レット電極3上に供給しておいてもよい。
The assembling method of the present invention, as shown in FIG.
This is performed using the hoop lead frame 2 on which the inner lead 4 having the first bending position 11 and the second bending position 14 which are parallel to each other is formed. First, the semiconductor pellet 5 is bonded onto the lead frame island 6. Next, the bonding material 7 is supplied onto the semiconductor pellet electrode 3 by a pump supply function unit (not shown). The bonding material 7 may be supplied on the semiconductor pellet electrode 3 in advance.

【0010】図3(A),(B)は図1のフープリード
フレームのインナリードの曲げ加工方法を説明する斜視
図、図4(A)〜(D)は図3(A)の曲げ加工方法を
説明する工程順に示したインナリード成形機能部の側面
図、図5(A)〜(D)は図3(B)の曲げ加工方法を
説明する工程順に示したインナリード成形機能部の側面
図、図6はインナリード圧着機能部の斜視図である。図
2に示したインナリード4を用いての組立方法は、ま
ず、図3(A)に示すインナリード4の第1の曲げ加工
が実施される。第1の曲げ加工は、接合材7供給後、図
4(A)に示すように、レール9,第1曲げ上金型8お
よび第1曲げ下金型10にて構成される第1インナリー
ド成形機能部のレール9上に半導体ペレット5を搭載し
たインナリード4を載置する。次に、図4(B)に示す
ように、第1曲げ上金型8が下降し、インナリード4を
レール9とで挟み固定する。次に、図4(C)に示すよ
うに、第1曲げ下金型10が上昇し、第1曲げ位置11
で直角に曲げられる。最後に、第1曲げ上金型8を上昇
させ、第1曲げ下金型10を下降させ、それぞれを元の
位置に戻すことにより、実施される。
FIGS. 3A and 3B are perspective views for explaining a method of bending the inner lead of the hoop lead frame of FIG. 1, and FIGS. 4A to 4D show the bending of FIG. 3A. FIG. 5A to FIG. 5D are side views of the inner lead forming function part shown in the order of steps for explaining the bending method of FIG. FIG. 6 and FIG. 6 are perspective views of the inner lead crimping function part. In the assembling method using the inner lead 4 shown in FIG. 2, first, the first bending process of the inner lead 4 shown in FIG. In the first bending process, after the bonding material 7 is supplied, as shown in FIG. 4A, a first inner lead formed by the rail 9, the first upper bending die 8, and the first lower die 10 is used. The inner lead 4 on which the semiconductor pellet 5 is mounted is placed on the rail 9 of the molding function unit. Next, as shown in FIG. 4B, the first bending upper die 8 is lowered, and the inner lead 4 is sandwiched and fixed by the rail 9. Next, as shown in FIG. 4 (C), the first bending lower mold 10 is raised, and the first bending position 11
At right angles. Finally, the first bending upper die 8 is raised, the first lower bending die 10 is lowered, and each is returned to the original position.

【0011】引き続いて、図3(B)に示すインナリー
ド4の第2の曲げ加工が実施される。第1の曲げ加工実
施後、図5(A)に示すように、レール9,第2曲げ上
金型12および第2曲げ下金型13にて構成される第2
インナリード成形機能部のレール9上に第1の曲げ加工
が実施されたインナリード4を載置する。次に、図5
(B)に示すように、第2曲げ上金型12が下降し、イ
ンナリード4をレール9とで挟み固定する。次に、図5
(C)に示すように、第2曲げ下金型13が上昇し、第
2曲げ位置14で直角に曲げられる。曲げられたインナ
リード4は、半導体ペレット電極3上に位置変換され
る。最後に、図5(D)に示すように、第2曲げ上金型
12を上昇させ、第2曲げ下金型13を下降させ、それ
ぞれを元の位置に戻すことにより実施される。
Subsequently, a second bending process of the inner lead 4 shown in FIG. 3B is performed. After the first bending process is performed, as shown in FIG. 5A, a second bending unit including a rail 9, a second upper bending die 12, and a second lower bending die 13.
The first bent inner lead 4 is placed on the rail 9 of the inner lead forming function unit. Next, FIG.
As shown in (B), the second upper mold 12 is lowered, and the inner lead 4 is sandwiched and fixed by the rail 9. Next, FIG.
As shown in (C), the second lower bending mold 13 moves up and is bent at a right angle at the second bending position 14. The position of the bent inner lead 4 is changed on the semiconductor pellet electrode 3. Finally, as shown in FIG. 5 (D), the second upper bending mold 12 is raised, the second lower bending mold 13 is lowered, and each is returned to the original position.

【0012】第2曲げ加工後、図6に示すように、イン
ナリード圧着機能部の圧着ツール15にて圧着し、半導
体ペレット電極3とインナリード4とを接合材7を介し
て接合する。この時、フープリードフレーム2はピッチ
送りされ、ダイボンディング供給部による接着材7の供
給,インナリード成形機能部によるインナリード4の曲
げ加工およびインナリード圧着機能部による圧着接合
は、同時処理される。
After the second bending process, as shown in FIG. 6, the semiconductor lead electrode 3 and the inner lead 4 are joined via the joining material 7 by crimping with the crimping tool 15 of the inner lead crimping function part. At this time, the hoop lead frame 2 is fed at a pitch, and the supply of the adhesive 7 by the die bonding supply unit, the bending of the inner lead 4 by the inner lead forming function unit, and the press bonding by the inner lead pressing function unit are performed simultaneously. .

【0013】図7は本発明の組立方法に用いるフープリ
ードフレームの第2の例のインナリードの斜視図、図8
は図7のインナリード成形機能部の斜視図、図9(A)
〜(D)は図7の曲げ加工方法を説明する工程順に示し
たインナリード成形機能部の側面図である。図7に示す
ように、第2の例のインナリード4は、図1に示すフー
プリードフレーム2と同様1本のリードが1端面から導
出され、横方向インナリード18が形成されてその領域
内に平行な2本の曲げ位置20を有している。
FIG. 7 is a perspective view of an inner lead of a second example of the hoop lead frame used in the assembling method of the present invention, and FIG.
Is a perspective view of the inner lead forming function portion of FIG. 7, and FIG.
7A to 7D are side views of the inner lead forming function part shown in the order of steps for explaining the bending method of FIG. 7. As shown in FIG. 7, in the inner lead 4 of the second example, one lead is led out from one end face in the same manner as the hoop lead frame 2 shown in FIG. It has two bending positions 20 parallel to each other.

【0014】このフープリードフレームの第2例を用い
た組立方法は、図7に示す横方向インナリード18を有
するインナリード4を用い、図8に示すレール9,曲げ
上金型16および曲げ下金型17によって構成されるイ
ンナリード成形機能部によって一工程で曲げ加工を行
う。まず、図9(A)に示すように、半導体ペレット5
のボンディング後、半導体ペレット電極3上に接着材7
を供給したインナリード4をレール9上に載置する。
The assembling method using the second example of the hoop lead frame uses the inner lead 4 having the lateral inner lead 18 shown in FIG. 7, and uses the rail 9, the upper bending die 16 and the lower bending die 16 shown in FIG. Bending is performed in one step by the inner lead forming function section configured by the die 17. First, as shown in FIG.
After bonding, the adhesive 7 is applied on the semiconductor pellet electrode 3.
The inner lead 4 supplied with is placed on the rail 9.

【0015】次に、図9(B)に示すように、曲げ上金
型16が下降し、インナリード4をレール9とで狭み固
定する。次に、図9(C)に示すように、曲げ下金型1
7が上昇し、図8に示すように、横方向インナリード1
8の2つの曲げ位置20で1回成形曲げでそれぞれ直角
に曲げられる。曲げられたインナリード4は、半導体ペ
レット5上に位置変換される。次に、曲げ上金型16を
上昇させ、曲げ下金型17を下降させてそれぞれを元の
位置に戻す。最後に、図6に示すように、インナリード
圧着機能部の圧着ツール15にて圧着し、半導体ペレッ
ト電極3とインナリード4とを接合材7を介して接合す
る。
Next, as shown in FIG. 9B, the upper bending die 16 is lowered, and the inner lead 4 is narrowed and fixed to the rail 9. Next, as shown in FIG. 9C, the bending lower mold 1
7 rises and as shown in FIG.
8 are bent at right angles by one forming bending at two bending positions 20. The position of the bent inner lead 4 is changed on the semiconductor pellet 5. Next, the bending upper mold 16 is raised, and the bending lower mold 17 is lowered to return them to their original positions. Finally, as shown in FIG. 6, the semiconductor pellet electrode 3 and the inner lead 4 are joined via the joining material 7 by crimping with the crimping tool 15 of the inner lead crimping function unit.

【0016】図10は本発明の組立方法に用いるフープ
リードフレームの第3例のインナリードの斜視図であ
る。図10に示すように、第3例のインナリードは縦方
向インナリード19が形成されてその領域内に平行な2
本の曲げ位置を有している。このインナリードも第2例
のインナリードと同様一工程で曲げ加工ができる。
FIG. 10 is a perspective view of an inner lead of a third example of the hoop lead frame used in the assembling method of the present invention. As shown in FIG. 10, in the inner leads of the third example, the longitudinal inner leads 19 are formed and are parallel to each other within the area.
The book has a bending position. Similar to the inner lead of the second example, this inner lead can be bent in one step.

【0017】図11(A)〜(C)は本発明の組立方法
によるインナリードの他の形状を示す側面図である。こ
のインナリード4の形状は、図11(A)〜(C)に示
すように、半導体装置の品種により、リードフレームア
イランド6,インナリード4の位置,大きさ等が異な
り、それに応じて位置変換距離の大,小が異なるので、
必要に応じて曲げ位置20の増,減および形状を変化さ
せそれぞれの品種に対応できる。
FIGS. 11A to 11C are side views showing other shapes of the inner lead according to the assembling method of the present invention. As shown in FIGS. 11A to 11C, the shape of the inner lead 4 is different in the position, size, etc. of the lead frame island 6, the inner lead 4 depending on the type of the semiconductor device, and the position conversion is performed accordingly. Since the distance is large and small,
The bending position 20 can be increased or decreased and the shape can be changed as needed to accommodate each type of product.

【0018】図12は本発明の組立方法の第2の実施の
形態によるモールド封止後のフープリードフレームの平
面図、図13は図12のフープリードフレームの一例の
インナリード部の平面図である。図12に示すように、
本発明の組立方法によってフープリードフレームに形成
された半導体装置のモールドパッケージ1は、一端面か
ら2本のリードが導出された例である。
FIG. 12 is a plan view of a hoop lead frame after mold sealing according to a second embodiment of the assembling method of the present invention, and FIG. 13 is a plan view of an inner lead portion of an example of the hoop lead frame of FIG. is there. As shown in FIG.
The mold package 1 of the semiconductor device formed on the hoop lead frame by the assembling method of the present invention is an example in which two leads are led out from one end surface.

【0019】この組立方法は、図13に示すように、平
行な第1曲げ加工位置11と第2曲げ加工位置14を有
する2本のインナリード4がリートフレームアイランド
6の中心線に対して対称に配置されたフープリードフレ
ーム2を用いて行う。
In this assembling method, as shown in FIG. 13, two inner leads 4 having parallel first bending positions 11 and second bending positions 14 are symmetrical with respect to the center line of the REIT frame island 6. This is performed using the hoop lead frame 2 arranged in the above.

【0020】図14(A),(B)は図12のフープリ
ードフレームのインナリードの曲げ加工方法を説明する
工程順に示したインナリード成形機能部の側面図であ
る。図13に示したインナリード4を用いての組立方法
は、接合材7を半導体ペレット電極3上に供給後、ま
ず、図14(A)に示すように、図13に示す2本のイ
ンナリード4を第1インナリード成形機能部の第1曲げ
上金型8が下降しインナリード4とレール9とで固定す
る。次に、第1曲げ金型10が上昇し2本のインナリー
ド4を第1曲げ位置11で同時に直角に曲げられる。次
に、図14(B)に示すように、第2インナリード成形
機能部の第2曲げ上金型12が下降しインナリード4を
レール9とで固定する。次に、第2曲げ下金型13が上
昇し、2本のインナリード4を第2曲げ位置14で同時
に直角に曲げられ2本のインナリード4は半導体ペレッ
ト電極3上に位置変換される。次に、図6に示すインナ
リード圧着機能部の圧着ツール15にて圧着し半導体ペ
レット電極3と2本のインナリード4を接合材7を介し
て接合する。
FIGS. 14A and 14B are side views of the inner lead forming function shown in the order of steps for explaining the method of bending the inner leads of the hoop lead frame of FIG. In the assembling method using the inner leads 4 shown in FIG. 13, after supplying the bonding material 7 onto the semiconductor pellet electrode 3, first, as shown in FIG. 14A, the two inner leads shown in FIG. The first upper die 8 of the first inner lead forming function part is moved down to be fixed with the inner lead 4 and the rail 9. Next, the first bending mold 10 is raised, and the two inner leads 4 are simultaneously bent at the first bending position 11 at right angles. Next, as shown in FIG. 14B, the second upper bending mold 12 of the second inner lead forming function part descends to fix the inner lead 4 to the rail 9. Next, the second lower mold 13 is raised, and the two inner leads 4 are simultaneously bent at right angles at the second bending position 14 so that the two inner leads 4 are repositioned on the semiconductor pellet electrode 3. Next, the semiconductor pellet electrode 3 and the two inner leads 4 are joined via the joining material 7 by crimping with the crimping tool 15 of the inner lead crimping function unit shown in FIG.

【0021】[0021]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、リードフ
レームのインナリードの成形曲げを行ない、半導体ペレ
ット電極上にインナリードを位置変換する複数のインナ
リード成形工程とインナリードと半導体ペレット電極と
を圧着接合するインナリード圧着工程および接合材を供
給するバンプ供給工程を有し、半導体ペレット電極とイ
ンナリードを接合材を介して接合できる機構にしたの
で、半導体装置の放熱性が良くなりサージ耐量の向上,
それぞれの工程の簡略化による設備の自動化およびワイ
ヤボンダが不要となり製造設備のコスト,フロアの削
減,半導体装置製造コスト低減という効果を有する。
As described above, according to the present invention, a plurality of inner lead forming steps for forming and bending the inner lead of the lead frame to change the position of the inner lead on the semiconductor pellet electrode are performed. And a bump supply step of supplying a bonding material, and a mechanism that can bond the semiconductor pellet electrode and the inner lead through the bonding material. Improvement,
The simplification of the respective steps makes it possible to automate the equipment and eliminate the need for a wire bonder, which has the effect of reducing the cost of the manufacturing equipment, the floor, and the manufacturing cost of the semiconductor device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の半導体装置の組立方法の第1の実施の
形態によるモールド封入後のフープリードフレームの平
面図である。
FIG. 1 is a plan view of a hoop lead frame after mold encapsulation according to a first embodiment of a method of assembling a semiconductor device of the present invention.

【図2】図1のフープリードフレームの第1例のインナ
リード部の平面図である。
FIG. 2 is a plan view of an inner lead portion of the first example of the hoop lead frame of FIG. 1;

【図3】(A),(B)は図1のフープリードフレーム
のインナリード曲げ加工方法を説明する斜視図である。
FIGS. 3A and 3B are perspective views illustrating a method of bending an inner lead of the hoop lead frame of FIG. 1;

【図4】(A)〜(D)は図3(A)の曲げ加工方法を
説明する工程順に示したインナリード成形機能部の側面
図である。
4 (A) to 4 (D) are side views of the inner lead forming function part shown in the order of steps for explaining the bending method of FIG. 3 (A).

【図5】(A)〜(D)は図3(B)の曲げ加工方法を
説明する工程順に示したインナリード成形機能部の側面
図である。
FIGS. 5A to 5D are side views of the inner lead forming function unit shown in the order of steps for explaining the bending method of FIG. 3B.

【図6】図3のインナリード圧着機能部の斜視図であ
る。
FIG. 6 is a perspective view of the inner lead crimping function unit of FIG. 3;

【図7】本発明の組立方法に用いるフープリードフレー
ムの第2例のインナリードの斜視図である。
FIG. 7 is a perspective view of an inner lead of a second example of the hoop lead frame used in the assembly method of the present invention.

【図8】図7のインナリード成形機能部の斜視図であ
る。
FIG. 8 is a perspective view of the inner lead forming function unit of FIG. 7;

【図9】(A)〜(D)は図7の曲げ加工方法を説明す
る工程順に示したインナリード成形機能部の側面図であ
る。
FIGS. 9A to 9D are side views of the inner lead forming function unit shown in the order of steps for explaining the bending method of FIG. 7;

【図10】本発明の組立方法に用いるフープリードフレ
ームの第3例のインナリードの斜視図である。
FIG. 10 is a perspective view of an inner lead of a third example of the hoop lead frame used in the assembling method of the present invention.

【図11】(A)〜(C)は本発明の組立方法に用いる
インナリードの他の形状を示す側面図である。
11A to 11C are side views showing another shape of the inner lead used in the assembling method of the present invention.

【図12】本発明の組立方法の第2の実施の形態による
モールド封入後のフープリードフレームの平面図であ
る。
FIG. 12 is a plan view of a hoop lead frame after mold encapsulation according to a second embodiment of the assembling method of the present invention.

【図13】図12のフープリードフレームの一例のイン
ナリード部の平面図である。
FIG. 13 is a plan view of an inner lead portion of an example of the hoop lead frame of FIG.

【図14】(A),(B)は、図12のフープリードフ
レームのインナリードの曲げ加工方法を説明する工程順
に示したインナリード成形機能部の側面図である。
14A and 14B are side views of the inner lead forming function unit shown in the order of steps for explaining a method of bending the inner lead of the hoop lead frame of FIG. 12;

【図15】(A),(B)および(C)はそれぞれ従来
の半導体ペレット電極とインナリードの接合方法を説明
するモールドパッケージの正面図,底面図および側面図
である。
FIGS. 15A, 15B, and 15C are a front view, a bottom view, and a side view, respectively, of a mold package for explaining a conventional method of bonding a semiconductor pellet electrode and an inner lead.

【図16】(A)〜(C)は図15の第2のリードの加
工方法を説明する工程順に示した平面図である。
16A to 16C are plan views showing the method of processing the second lead of FIG. 15 in order of process steps.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 モールドパッケージ 2 フープリードフレーム 3 半導体ペレット電極 4 インナリード 5 半導体ペレット 6 リードフレームアイランド 7 接合材 8 第1曲げ上金型 9 レール 10 第1曲げ下金型 11 第1曲げ位置 12 第2曲げ上金型 13 第2曲げ下金型 14 第2曲げ位置 15 圧着ツール 16 曲げ上金型 17 曲げ下金型 18 横方向インナリード 19 縦方向インナリード 20 曲げ位置 21 中間部 22 第1のリード 23 第2のリード DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Mold package 2 Hoop lead frame 3 Semiconductor pellet electrode 4 Inner lead 5 Semiconductor pellet 6 Lead frame island 7 Bonding material 8 First bending die 9 Rail 10 First bending die 11 First bending position 12 Second bending Mold 13 Second lower bending die 14 Second bending position 15 Crimping tool 16 Upper bending die 17 Lower bending die 18 Lateral inner lead 19 Vertical inner lead 20 Bending position 21 Intermediate part 22 First lead 23 First 2 Lead

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 リードフレームのアイランド上に載置さ
れた半導体ペレットの電極と前記リードフレームのイン
ナリードとを配線する組立工程を含む半導体装置の製造
方法において、前記組立工程が、前記インナリードを第
1曲げ位置で直角に第1の曲げ加工を行う工程と、さら
に、第2曲げ位置で直角に第2の曲げ加工を行って前記
インナリードの端部を前記半導体ペレット上に位置変換
する工程と、位置変換された前記インナリードの端部を
接合材を介して前記半導体ペレット電極に圧着し接合す
る工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方
法。
1. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: an assembly step of wiring an electrode of a semiconductor pellet placed on an island of a lead frame and an inner lead of the lead frame, wherein the assembling step comprises forming the inner lead Performing a first bending process at a right angle at a first bending position, and further performing a second bending process at a right angle at a second bending position to convert the end portion of the inner lead onto the semiconductor pellet. And a step of crimping and bonding the end portion of the position-converted inner lead to the semiconductor pellet electrode via a bonding material to bond the semiconductor lead electrode.
【請求項2】 前記第1曲げ位置と第2曲げ位置が平行
に形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導
体装置の製造方法。
2. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the first bending position and the second bending position are formed in parallel with each other.
【請求項3】 前記第1曲げ位置と第2曲げ位置は、そ
の断面がコの字形になるように形成されていることを特
徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
3. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the first bending position and the second bending position are formed so that their cross sections have a U-shape.
【請求項4】 前記第1曲げ位置と第2曲げ位置は、そ
の断面が階段状になるように形成されていることを特徴
とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
4. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the first bending position and the second bending position are formed so that their cross sections are stepwise.
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