JPH0936089A - Ashing method and device - Google Patents
Ashing method and deviceInfo
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- JPH0936089A JPH0936089A JP18255395A JP18255395A JPH0936089A JP H0936089 A JPH0936089 A JP H0936089A JP 18255395 A JP18255395 A JP 18255395A JP 18255395 A JP18255395 A JP 18255395A JP H0936089 A JPH0936089 A JP H0936089A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造プロセ
スや液晶製造プロセス、又はその他の分野の表面処理プ
ロセスにおいて、シリコン系の下地膜上に形成されたフ
ォトレジスト等の有機薄膜を混合ガスを用いて下地膜に
対して選択的に除去するアッシング方法及びその装置に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention uses a mixed gas of an organic thin film such as a photoresist formed on a silicon-based base film in a semiconductor manufacturing process, a liquid crystal manufacturing process, or a surface treatment process in other fields. The present invention relates to an ashing method and an apparatus for selectively removing the base film with respect to the underlying film.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体製造プロセス、液晶プロセスにお
ける微細加工技術、又はその他の分野の加工技術、例え
ばプリント基板加工、コンパクトディスク、レーザディ
スク等の加工プロセスにおいては、有機化合物をマスク
として加工を行うエッチングプロセスが重要かつ必須の
プロセスとなっている。2. Description of the Related Art In a semiconductor manufacturing process, a fine processing technique in a liquid crystal process, or a processing technique in another field, such as a printed circuit board processing, a compact disk, a laser disk, etc., etching is performed by using an organic compound as a mask The process is an important and mandatory process.
【０００３】この有機化合物は、半導体製造の微細加工
で用いられるフォトレジストのように下地膜を加工処理
するときのマスクとして用いられ、この下地膜の処理が
終わった段階で取り除かれるものである。This organic compound is used as a mask when processing a base film, such as a photoresist used in microfabrication of semiconductor manufacturing, and is removed at the stage when the base film is processed.
【０００４】この有機化合物の除去方法としては、例え
ばアルカリ系のレジスト剥離液、Ｈ2 ＳＯ4 とＨ2 Ｏの
混合溶液、或いはこれらに水を加えた溶液で除去する方
法がある。なお、これらの溶液を用いた除去方法は、例
えば液晶製造プロセスで用いられている。As a method of removing the organic compound, there is a method of removing with an alkaline resist stripping solution, a mixed solution of H 2 SO 4 and H 2 O, or a solution obtained by adding water thereto. The removal method using these solutions is used, for example, in a liquid crystal manufacturing process.
【０００５】又、これらの溶液を用いずに、Ｏ2 ガスを
反応容器内に導入し、高周波Ｒ．Ｆ又はマイクロ波等に
よりプラズマを発生させ、その活性酸素で有機薄膜を灰
化（アッシング）により除去する方法がある。Further, O 2 gas was introduced into the reaction vessel without using these solutions, and high frequency R.V. There is a method in which plasma is generated by F or microwaves and the organic thin film is removed by ashing with the active oxygen.
【０００６】このアッシングによる除去方法は、Ｓ，Ｍ
Ｉrving,”Ａ Ｐlasma Ｏxidation Ｐrocess for
Ｒemoving Ｐhotoresist Ｆilms”，Ｓolid Ｓtate
Ｔechnol.,Ｖol．14 June,pp. 47〜51,1971 に記載され
ている技術であり、例えば半導体製造工程に用いられ
る。This removal method by ashing uses S, M
Irving, "A Plasma Oxidation Process for
Removing Photoresist Films ”, Solid State
Technol., Vol. 14 June, pp. 47-51, 1971, and is used in the semiconductor manufacturing process, for example.
【０００７】又、上記の如くＯ2 ガスを反応容器内に導
入してプラズマを発生し、その活性酸素で有機薄膜をア
ッシングにより除去する方法において、Ｏ2 ガスの代わ
りにＯ2 ガスとフッ素ガス（ＣＦ4 など）の混合ガスを
用い、有機薄膜をアッシングにより除去する方法があ
る。[0007] Further, by introducing the above as O 2 gas into the reaction vessel to generate a plasma, a method of removing by ashing the organic thin film in its active oxygen, O 2 gas and fluorine gas instead of O 2 gas There is a method of removing the organic thin film by ashing using a mixed gas of CF 4 or the like.
【０００８】このアッシングによる除去方法は、Ｒ．
Ｇ．Ｐoulsen：Ｊ．Ｖac．Ｓci．Ｔechnol．14(1977) 2
66に記載されている技術である。しかしながら、溶液を
用いた除去方法では、これら溶液が高価かつ廃液処理に
手間がかかり、そのうえ高温で使用する場合が多く作業
の安全性において問題がある。This removal method by ashing is described in R.
G. FIG. Poulsen: J. Vac. Sci. Technol. 14 (1977) 2
The technology described in 66. However, in the removal method using a solution, these solutions are expensive and waste solution treatment is troublesome, and moreover, they are often used at high temperatures, which poses a problem in work safety.
【０００９】又、下地膜にアルミニウム等の金属がある
場合、溶液によりこれら金属が腐食してしまい、溶液を
使用する際の用途が限定されてしまう。一方、Ｏ2 ガス
を用いたアッシングでは、溶液を用いる除去方法に比べ
て、コストが低くかつ安全であるが、実用的な除去速度
を得るためには、有機薄膜の形成された下地膜等の処理
対象物を高温、例えば２００℃以上に加熱しなければな
らない。Further, when the base film contains a metal such as aluminum, the solution corrodes the metal, which limits the use of the solution. On the other hand, the ashing using O2 gas is lower in cost and safer than the removal method using a solution, but in order to obtain a practical removal rate, it is necessary to treat a base film having an organic thin film formed thereon. The object must be heated to a high temperature, for example above 200 ° C.
【００１０】ところが、液晶プロセス等では、処理対象
物を高温処理すると、下地膜が熱により劣化してしまう
ため、Ｏ2 ガスのみを用いたアッシングは好ましくない
場合がある。However, in a liquid crystal process or the like, when the object to be processed is subjected to a high temperature treatment, the underlying film is deteriorated by heat, so ashing using only O 2 gas may not be preferable.
【００１１】又、Ｏ2 ガスとフッ素ガスの混合ガスを用
いたアッシングでは、常温でも実用的な除去速度を得る
ことができるが、下地膜がアルモファスシリコン（ａ−
Ｓｉ）等のシリコン系の膜の場合、活性フッ素により下
地膜がエッチングされてしまう。In addition, with ashing using a mixed gas of O 2 gas and fluorine gas, a practical removal rate can be obtained even at room temperature, but the underlying film is made of alumophus silicon (a-
In the case of a silicon-based film such as Si), the base film is etched by active fluorine.
【００１２】[0012]
【発明が解決しようとする課題】以上のように溶液を用
いた除去方法では、溶液のコスト高、廃液処理の手間、
作業の安全性において問題があるばかりでなく、溶液の
用途が限定される。一方、Ｏ2 ガスを用いたアッシング
では、処理対象物を高温に加熱しなければならず、液晶
プロセス等には適さない。As described above, in the removal method using a solution, the cost of the solution is high, the labor of waste liquid treatment,
Not only are there problems in work safety, but the application of the solution is limited. On the other hand, in the ashing using O2 gas, the object to be treated must be heated to a high temperature, which is not suitable for the liquid crystal process and the like.
【００１３】又、Ｏ2 ガスとフッ素ガスの混合ガスを用
いたアッシングでは、下地膜がアモルファスシリコン
（ａ−Ｓｉ）等のシリコン系の膜の場合、活性フッ素に
より下地膜がエッチングされてしまう。Further, in the ashing using a mixed gas of O 2 gas and fluorine gas, when the base film is a silicon-based film such as amorphous silicon (a-Si), the base film is etched by the active fluorine.
【００１４】そこで本発明は、有機薄膜を下地膜に対し
て選択比を高くして除去できるアッシング方法を提供す
ることを目的とする。又、本発明は、有機薄膜を下地膜
に対して選択比を高くして除去できるアッシング装置を
提供することを目的とする。Therefore, an object of the present invention is to provide an ashing method capable of removing an organic thin film with a high selection ratio with respect to a base film. It is another object of the present invention to provide an ashing device that can remove an organic thin film with a high selection ratio with respect to a base film.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】請求項１によれば、反応
容器内にアッシング用ガスを導入してプラズマを発生さ
せ、このプラズマにより生じた活性種によりシリコン系
の下地膜上に形成された有機薄膜を除去するアッシング
方法において、アッシング用ガスとして酸素を含むガス
及びフッ素系ガスに、少なくとも窒素及び水素を含むガ
スを混合した混合ガスを用いて上記目的を達成しようと
するアッシング方法である。According to the first aspect of the present invention, an ashing gas is introduced into the reaction vessel to generate plasma, and active species generated by the plasma are formed on the silicon-based underlayer film. In the ashing method for removing the organic thin film, the ashing method is intended to achieve the above object by using a mixed gas in which a gas containing oxygen and a fluorine-based gas are mixed with a gas containing at least nitrogen and hydrogen as an ashing gas.
【００１６】請求項２によれば、シリコン系の下地膜
は、アモルファスシリコンであるアッシング方法であ
る。請求項３によれば、フッ素系ガスは、ＣＨＦ3 を含
むガス、ＣＦ4 を含むガス、ＳＦ6 を含むガス、ＮＦ3
を含むガスのうちいずれかのガスであるアッシング方法
である。According to a second aspect of the present invention, the ashing method in which the silicon-based underlayer film is amorphous silicon. According to claim 3, the fluorine-based gas is a gas containing CHF 3 , a gas containing CF 4 , a gas containing SF 6 , and NF 3
The ashing method is one of the gases containing
【００１７】請求項４によれば、少なくとも窒素及び水
素を含むガスは、ＮＨ3 を含むガス、ＨＮ3 を含むガ
ス、ＮＦ3 を含むガス及びＨ2 を含むガスの混合ガス、
Ｈ2 を含むガス及びＮ2 を含むガスの混合ガスのうちい
ずれかのガスであるアッシング方法ある。According to a fourth aspect, the gas containing at least nitrogen and hydrogen is a mixed gas of a gas containing NH 3 , a gas containing HN 3 , a gas containing NF 3 and a gas containing H 2 .
There is an ashing method which is one of a mixed gas of a gas containing H 2 and a gas containing N 2 .
【００１８】請求項５によれば、アッシング用ガスは、
Ｏ2 を含むガス及びＣＨＦ3 を含むガスに、ＮＨ3 を含
むガスを添加した混合ガスであるアッシング方法であ
る。請求項６によれば、アッシング用ガスは、Ｏ2 を含
むガス及びＣＨＦ3 を含むガスを１００に対し、ＮＨ3
を含むガスを０．５〜３の割合に混合するアッシング方
法である。According to claim 5, the ashing gas is
The ashing method is a mixed gas in which a gas containing NH 3 is added to a gas containing O 2 and a gas containing CHF 3 . According to claim 6, the ashing gas, relative to 100 gas containing gas and CHF 3 containing O 2, NH 3
It is an ashing method in which a gas containing is mixed in a ratio of 0.5 to 3.
【００１９】請求項７によれば、アッシング用ガスは、
Ｏ2 を含むガス及びＣＨＦ3 を含むガスを１００に対
し、ＮＨ3 を含むガスを１．５の割合に混合するアッシ
ング方法である。According to claim 7, the ashing gas is
This is an ashing method in which a gas containing NH 2 and a gas containing CHF 3 are mixed with a gas containing NH 3 at a ratio of 1.5 with respect to 100.
【００２０】請求項８によれば、アッシング用ガスは、
Ｏ2 を含むガス及びＣＦ4 を含むガスに、ＮＨ3 を含む
ガスを添加した混合ガスであるアッシング方法である。
請求項９によれば、アッシング用ガスは、Ｏ2 を含むガ
ス及びＣＦ4 を含むガスを１００に対し、ＮＨ3 を含む
ガスを０．５〜３の割合に混合するアッシング方法であ
る。According to claim 8, the ashing gas is
The ashing method is a mixed gas in which a gas containing NH 3 is added to a gas containing O 2 and a gas containing CF 4 .
According to the ninth aspect, the ashing gas is an ashing method in which the gas containing O 2 and the gas containing CF 4 are mixed with the gas containing NH 3 in a ratio of 0.5 to 3 with respect to 100.
【００２１】請求項１０によれば、アッシング用ガス
は、Ｏ2 を含むガス及びＣＦ4 を含むガスを１００に対
し、ＮＨ3 を含むガスを１．５の割合に混合するアッシ
ング方法である。According to the tenth aspect, the ashing gas is an ashing method in which the gas containing O 2 and the gas containing CF 4 are mixed with the gas containing NH 3 in a ratio of 1.5 to 100.
【００２２】請求項１１によれば、反応容器内にシリコ
ン系の下地膜上に有機薄膜を形成した被処理体を配置
し、この反応容器内にプラズマを発生させ、このプラズ
マにより生じた活性種により下地膜上に形成された有機
薄膜を除去するアッシング装置において、反応容器内に
導入する酸素を含むガス及びフッ素系ガスに、少なくと
も窒素及び水素を含むガスを混合したアッシング用ガス
と、反応容器内に導入されたアッシング用ガスを励起し
てプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、を備えて
上記目的を達成しようとするアッシング装置である。According to the eleventh aspect, an object to be processed having an organic thin film formed on a silicon-based base film is arranged in a reaction vessel, plasma is generated in the reaction vessel, and active species generated by the plasma are generated. In an ashing device for removing the organic thin film formed on the underlayer by means of an ashing gas in which a gas containing oxygen and a fluorine-based gas to be introduced into the reaction vessel are mixed with a gas containing at least nitrogen and hydrogen, the reaction vessel An ashing device, which is provided with a plasma generating means for exciting a gas for ashing introduced thereinto to generate a plasma, to achieve the above object.
【００２３】上記の如く請求項１によれば、反応容器内
に酸素を含むガス及びフッ素系ガスに、少なくとも窒素
及び水素を含むガスを混合したアッシング用ガスを導入
し、プラズマを発生させる。このプラズマにより生じた
活性種によりシリコン系の下地膜上に形成された有機薄
膜は除去される。As described above, according to the first aspect, the ashing gas in which the gas containing oxygen and the fluorine-containing gas are mixed with the gas containing at least nitrogen and hydrogen is introduced into the reaction vessel to generate plasma. The organic thin film formed on the silicon-based base film is removed by the active species generated by this plasma.
【００２４】このとき、下地膜の上には、アンモニウム
塩が形成され、このアンモニウム塩により下地膜のエッ
チングが抑制される。これにより、有機薄膜は、下地膜
に対して選択比高く除去される。At this time, an ammonium salt is formed on the base film, and the ammonium salt suppresses etching of the base film. As a result, the organic thin film is removed with a high selection ratio with respect to the base film.
【００２５】請求項２によれば、処理室内に酸素を含む
ガス及びフッ素系ガスに、少なくとも窒素及び水素を含
むガスを混合したアッシング用ガスを導入してプラズマ
を発生させ、このプラズマにより生じた活性種によりａ
−Ｓｉ膜の下地膜上に形成された有機薄膜を除去すると
き、このときａ−Ｓｉ膜上には、アンモニウム塩が形成
され、このアンモニウム塩によりａ−Ｓｉ膜のエッチン
グが抑制される。According to the second aspect of the present invention, an ashing gas, which is a mixture of oxygen-containing gas and fluorine-containing gas with at least nitrogen and hydrogen-containing gas, is introduced into the processing chamber to generate plasma, and the plasma is generated. A depending on the active species
When the organic thin film formed on the underlying film of the -Si film is removed, an ammonium salt is formed on the a-Si film at this time, and the ammonium salt suppresses etching of the a-Si film.
【００２６】このようなアッシングにおいて、請求項３
によれば、フッ素系ガスとしてＣＨＦ3 を含むガス、Ｃ
Ｆ4 を含むガス、ＳＦ6 を含むガス、ＮＦ3 を含むガス
のうちいずれかのガスを用いることにより、ａ−Ｓｉ等
の下地膜上にアンモニウム塩が形成され、このアンモニ
ウム塩によりａ−Ｓｉのエッチングが抑制される。In such ashing, the method according to claim 3
According to C, a gas containing CHF 3 as a fluorine-based gas, C
An ammonium salt is formed on a base film such as a-Si by using any one of a gas containing F 4 , a gas containing SF 6, and a gas containing NF 3 , and the ammonium salt forms a-Si. Is suppressed.
【００２７】又、請求項４によれば、少なくとも窒素及
び水素を含むガスとして、ＮＨ3 を含むガス、ＮＦ3 を
含むガス及びＨ2 を含むガスの混合ガス、Ｈ2 を含むガ
ス及びＮ2 を含むガスの混合ガスのうちいずれかのガス
を用いることにより、ａ−Ｓｉ等の下地膜上にアンモニ
ウム塩が形成され、このアンモニウム塩によりａ−Ｓｉ
のエッチングが抑制される。[0027] Also, according to claim 4, as a gas containing at least nitrogen and hydrogen, gas and N 2 containing gas mixture, H 2 gas containing gas, a gas and H 2 containing NF 3 containing NH 3 An ammonium salt is formed on the underlying film of a-Si or the like by using any one of the mixed gases of the gas containing a, and the ammonium salt forms a-Si.
Is suppressed.
【００２８】請求項５によれば、アッシング用ガスとし
て、Ｏ2 を含むガス及びＣＨＦ3 を含むガスにＮＨ3 を
含むガスを添加した混合ガスを用いることにより、ａ−
Ｓｉ等の下地膜上にアンモニウム塩が形成され、このア
ンモニウム塩によりａ−Ｓｉのエッチングが抑制され
る。According to the fifth aspect of the invention, as the ashing gas, by using a mixed gas obtained by adding a gas containing NH 3 to a gas containing O 2 and a gas containing CHF 3 , a-
An ammonium salt is formed on the underlying film of Si or the like, and the ammonium salt suppresses etching of a-Si.
【００２９】請求項６によれば、アッシング用ガスにお
ける混合の割合を、Ｏ2 を含むガス及びＣＨＦ3 を含む
ガスを１００に対し、ＮＨ3 を含むガスを０．５〜３と
することにより、有機薄膜のアッシング量を下地膜のア
ッシング量により除算した選択比を最適にできる。According to the sixth aspect, the mixing ratio in the ashing gas is set such that the gas containing O 2 and the gas containing CHF 3 are 100 to 100 and the gas containing NH 3 is 0.5 to 3. The selectivity ratio obtained by dividing the ashing amount of the organic thin film by the ashing amount of the base film can be optimized.
【００３０】請求項７によれば、アッシング用ガスにお
ける混合の割合を、Ｏ2 を含むガス及びＣＨＦ3 を含む
ガスを１００に対し、ＮＨ3 を含むガスを１．５とする
ことにより、有機薄膜のアッシング量を下地膜のアッシ
ング量により除算した選択比を最も高くできる。According to the seventh aspect, the mixing ratio in the ashing gas is 100% for the O 2 -containing gas and CHF 3 -containing gas, and 1.5 for the NH 3 -containing gas. The selectivity ratio obtained by dividing the ashing amount of the thin film by the ashing amount of the base film can be maximized.
【００３１】請求項８によれば、アッシング用ガスとし
て、Ｏ2 を含むガス及びＣＦ4 を含むガスにＮＨ3 を含
むガスを添加した混合ガスを用いることにより、ａ−Ｓ
ｉ等の下地膜上にアンモニウム塩が形成され、このアン
モニウム塩によりａ−Ｓｉのエッチングが抑制される。According to the present invention, as the ashing gas, by using a gas mixture containing O 2 gas and a gas containing CF 4 and a gas containing NH 3 added, a-S
An ammonium salt is formed on the underlying film such as i, and the ammonium salt suppresses the etching of a-Si.
【００３２】請求項９によれば、アッシング用ガスにお
ける混合の割合を、Ｏ2 を含むガス及びＣＦ4 を含むガ
スを１００に対し、ＮＨ3 を含むガスを０．５〜３とす
ることにより、有機薄膜のアッシング量を下地膜のアッ
シング量により除算した選択比を最適にできる。According to the ninth aspect, the mixing ratio in the ashing gas is set such that the gas containing O 2 and the gas containing CF 4 are 100 and the gas containing NH 3 is 0.5 to 3. The selectivity ratio obtained by dividing the ashing amount of the organic thin film by the ashing amount of the base film can be optimized.
【００３３】請求項１０によれば、アッシング用ガスに
おける混合の割合を、Ｏ2 を含むガス及びＣＦ4 を含む
ガスを１００に対し、ＮＨ3 を含むガスを１．５とする
ことにより、有機薄膜のアッシング量を下地膜のアッシ
ング量により除算した選択比を最も高くできる。According to the tenth aspect, the mixing ratio in the ashing gas is 100% for the O 2 -containing gas and CF 4 -containing gas, and 1.5 for the NH 3 -containing gas. The selectivity ratio obtained by dividing the ashing amount of the thin film by the ashing amount of the base film can be maximized.
【００３４】請求項１１によれば、反応容器内にシリコ
ン系の下地膜上に有機薄膜を形成した被処理体を配置
し、この反応容器内に酸素を含むガス及びフッ素系ガス
に少なくとも窒素及び水素を含むガスを混合したアッシ
ング用ガスを導入し、かつこのアッシング用ガスをプラ
ズマ発生手段により励起してプラズマを発生させる。According to the eleventh aspect, an object to be processed having an organic thin film formed on a silicon-based base film is arranged in a reaction vessel, and the gas containing oxygen and the fluorine-based gas contain at least nitrogen and nitrogen. An ashing gas mixed with a gas containing hydrogen is introduced, and the ashing gas is excited by the plasma generating means to generate plasma.
【００３５】これにより、このプラズマにより生じた活
性種によりシリコン系の下地膜上に形成された有機薄膜
は除去される。このとき、下地膜の上には、アンモニウ
ム塩が形成され、このアンモニウム塩により下地膜のエ
ッチングが抑制される。As a result, the organic thin film formed on the silicon-based base film is removed by the active species generated by this plasma. At this time, an ammonium salt is formed on the base film, and the ammonium salt suppresses etching of the base film.
【００３６】[0036]
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。本発明の請求項１に対応
するアッシング方法は、反応容器内にアッシング用ガス
を導入してプラズマを発生させ、このプラズマにより生
じた活性種によりａ−Ｓｉ膜の下地膜上に形成された有
機薄膜（レジスト）を除去する場合、アッシング用ガス
として酸素を含むガス及びフッ素系ガスに、少なくとも
窒素及び水素を含むガスを混合した混合ガスを用いるも
のとなっている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the ashing method according to claim 1 of the present invention, an ashing gas is introduced into a reaction vessel to generate plasma, and the organic species formed on the underlying film of the a-Si film by the active species generated by the plasma. When removing the thin film (resist), a mixed gas obtained by mixing a gas containing oxygen and a fluorine-based gas with a gas containing at least nitrogen and hydrogen is used as an ashing gas.
【００３７】図１は本発明の請求項１１に対応するダウ
ンフロー型アッシング装置の構成図である。なお、この
アッシング装置は、本発明の請求項１〜１０のアッシン
グ方法を適用している。FIG. 1 is a block diagram of a downflow type ashing apparatus according to claim 11 of the present invention. This ashing device applies the ashing method according to claims 1 to 10 of the present invention.
【００３８】反応容器１の内部には、ステージ２が設け
られ、このステージ２上に被処理体３が載置されてい
る。この被処理体３は、図２に示すようにガラス基板又
はＳｉ基板４の上に下地膜としてのａ−Ｓｉ膜５を形成
し、その上に有機薄膜であるレジスト６がパターニング
されている。A stage 2 is provided inside the reaction container 1, and an object 3 to be processed is placed on the stage 2. As shown in FIG. 2, the object 3 has an a-Si film 5 as a base film formed on a glass substrate or a Si substrate 4, and a resist 6 which is an organic thin film is patterned on the a-Si film 5.
【００３９】なお、この下地膜は、ａ−Ｓｉ膜５に限ら
ず、ｐ−Ｓｉ膜や単結晶シリコンでも適用できるもので
ある。この反応容器１内には拡散板７が設けられ、かつ
反応容器１の底部には各排気口８が設けられている。The base film is not limited to the a-Si film 5, but may be a p-Si film or single crystal silicon. A diffusion plate 7 is provided in the reaction container 1, and exhaust ports 8 are provided at the bottom of the reaction container 1.
【００４０】又、反応容器１の上部には、プラズマを発
生するための領域を形成するプラズマ発生室９が形成さ
れている。このプラズマ発生室９は、反応容器１に連通
しており、その側壁にはガス導入管１０が接続されてい
る。Further, a plasma generating chamber 9 which forms a region for generating plasma is formed above the reaction vessel 1. The plasma generation chamber 9 communicates with the reaction vessel 1, and a gas introduction pipe 10 is connected to the side wall of the reaction chamber 1.
【００４１】このガス導入管１０は、アッシング用ガス
をプラズマ発生室９の内部に導入するためのものであ
る。ここで、アッシング用ガスは、酸素を含むガス及び
フッ素系ガスに、少なくとも窒素及び水素を含むガスを
混合した混合ガスである。The gas introducing pipe 10 is for introducing the ashing gas into the plasma generating chamber 9. Here, the ashing gas is a mixed gas in which a gas containing oxygen and a fluorine-based gas are mixed with a gas containing at least nitrogen and hydrogen.
【００４２】具体的に酸素を含むガスはＯ2 を含むガス
であり、フッ素系ガスはＣＨＦ3 を含むガス、ＣＦ4 を
含むガス、ＳＦ6 を含むガス、ＮＦ3 を含むガスのうち
いずれか１つのガスを用いている。Specifically, the gas containing oxygen is a gas containing O 2 , and the fluorine-based gas is any one of a gas containing CHF 3 , a gas containing CF 4 , a gas containing SF 6, and a gas containing NF 3 . One gas is used.
【００４３】又、少なくとも窒素及び水素を含むガス
は、ＮＨ3 を含むガス、ＮＦ3 を含むガス及びＨ2 を含
むガスの混合ガス、Ｈ2 を含むガス及びＮ2 を含むガス
の混合ガスのうちいずれか１つのガスを用いている。Further, the gas containing at least nitrogen and hydrogen is a mixed gas of a gas containing NH 3 , a gas containing NF 3 and a gas containing H 2 , a mixed gas of a gas containing H 2 and a gas containing N 2 . Either one of these gases is used.
【００４４】具体的なアッシング用ガスを挙げると、例
えばＯ2 ガス及びＣＨＦ3 を含むガスに、ＮＨ3 を含む
ガスを添加した混合ガスである。このアッシング用ガス
は、Ｏ2 を含むガス及びＣＨＦ3 を含むガスを１００に
対し、ＮＨ3 を含むガスを０．５〜３の割合に混合した
ものである。A specific ashing gas is, for example, a mixed gas obtained by adding a gas containing NH 3 to a gas containing O 2 gas and CHF 3 . The ashing gas is a mixture of O 2 -containing gas and CHF 3 -containing gas at 100 to NH 3 -containing gas at a ratio of 0.5 to 3.
【００４５】なお、最適なアッシング用ガスにおける混
合の割合は、Ｏ2 を含むガス及びＣＨＦ3 を含むガスを
１００に対し、ＮＨ3 を含むガスを１．５の割合に混合
することである。The optimum mixing ratio in the ashing gas is to mix the gas containing O 2 and the gas containing CHF 3 with 100 and the gas containing NH 3 at a ratio of 1.5.
【００４６】プラズマ発生室９の開口部には、石英板１
１が配置され、かつプラズマ導波管１２を介してマイク
ロ波発振器１３が接続されている。次に上記の如く構成
された装置のアッシング作用について説明する。At the opening of the plasma generating chamber 9, the quartz plate 1
1 is arranged and a microwave oscillator 13 is connected via a plasma waveguide 12. Next, the ashing action of the apparatus configured as described above will be described.
【００４７】マイクロ波発振器１３でマイクロ波が発生
すると、このマイクロ波はプラズマ導波管１２により導
かれ、石英板１１を介してプラズマ発生室９内のプラズ
マ発生領域に導かれる。When the microwave is generated by the microwave oscillator 13, the microwave is guided by the plasma waveguide 12 and is guided to the plasma generation region in the plasma generation chamber 9 through the quartz plate 11.
【００４８】この際に、ガス導入管１０からプラズマ発
生室９内にアッシング用ガス、例えばＯ2 ガス及びＣＨ
Ｆ3 ガスにＮＨ3 ガスを添加した混合ガスが導入される
と、マイクロ波により励起されてプラズマが発生する。At this time, an ashing gas such as O 2 gas and CH is introduced from the gas introduction pipe 10 into the plasma generation chamber 9.
When a mixed gas in which NH 3 gas is added to F 3 gas is introduced, it is excited by microwaves and plasma is generated.
【００４９】このプラズマにより生じた活性種は、拡散
板７を通して反応容器１内の処理室１ａに入り、被処理
体３に対するアッシングを行う。すなわち、ａ−Ｓｉ膜
５上の有機薄膜６が除去される。The active species generated by this plasma enter the processing chamber 1a in the reaction container 1 through the diffusion plate 7 and ash the object 3 to be processed. That is, the organic thin film 6 on the a-Si film 5 is removed.
【００５０】なお、処理室１ａは、各排気口８から真空
ポンプ等により排気される。このようにＯ2 ガス及びＣ
ＨＦ3 ガスにＮＨ3 ガスを添加した混合ガスを用いて、
ａ−Ｓｉ膜５上に有機薄膜６の形成された被処理体３の
アッシングを行うと、ａ−Ｓｉ膜５上にアンモニウム塩
が形成され、ａ−Ｓｉ膜５に対するエッチングが阻止さ
れる。The processing chamber 1a is exhausted from each exhaust port 8 by a vacuum pump or the like. In this way, O 2 gas and C
Using a mixed gas obtained by adding NH 3 gas to HF 3 gas,
When the object 3 to be processed having the organic thin film 6 formed on the a-Si film 5 is ashed, an ammonium salt is formed on the a-Si film 5, and etching of the a-Si film 5 is blocked.
【００５１】すなわち、被処理体３の表面では、 ＮＨ3 ＋ＨＦ → ＮＨ4 Ｆ Ｓｉ＋ＣＦ4 → ＳｉＦ4 ↑ ２ＮＨ4 Ｆ＋ＳｉＦ4 → （ＮＨ4 ）2 ＳｉＦ6 の反応が進行する。That is, the reaction of NH 3 + HF → NH 4 F Si + CF 4 → SiF 4 ↑ 2NH 4 F + SiF 4 → (NH 4 ) 2 SiF 6 proceeds on the surface of the object 3.
【００５２】しかるに、この反応式からアンモニウム塩
（ＮＨ4 ）2 ＳｉＦ6 が生成されることが分かる。従っ
て、このアンモニウム塩（ＮＨ4 ）2 ＳｉＦ6 によりａ
−Ｓｉ膜５に対するエッチングが阻止され、有機薄膜６
のみが除去される。However, it can be seen from this reaction formula that the ammonium salt (NH 4 ) 2 SiF 6 is produced. Therefore, the ammonium salt (NH 4 ) 2 SiF 6
-Etching of the Si film 5 is blocked, and the organic thin film 6
Only those are removed.
【００５３】図３はＯ2 ガスとＣＨＦ3 ガスにＮＨ3 ガ
スを添加した混合ガスを使用してアッシングした後、ａ
−Ｓｉ膜５上に形成された生成膜を赤外分光法（ＦＴ−
ＩＲ）で分析したときの結果を示す。この分析結果に示
すようにＮ−Ｈのピークが現われ、アンモニウム塩が形
成されていることが確認できる。FIG. 3 shows that after ashing was performed using a mixed gas in which NH 3 gas was added to O 2 gas and CHF 3 gas,
-The formed film formed on the Si film 5 is subjected to infrared spectroscopy (FT-
The result when analyzed by (IR) is shown. As shown in this analysis result, a NH peak appears and it can be confirmed that an ammonium salt is formed.
【００５４】一方、図４は有機薄膜６をＯ2 ガスとＣＨ
Ｆ3 ガスにＮＨ3 ガスを添加した混合ガスでアッシング
したときのアッシングレート、ａ−Ｓｉ膜５のエッチン
グレート、及び選択比の実験結果を示す。On the other hand, in FIG. 4, the organic thin film 6 is treated with O 2 gas and CH.
The experimental results of the ashing rate, the etching rate of the a-Si film 5, and the selection ratio when ashing is performed with a mixed gas of NH 3 gas added to F 3 gas are shown.
【００５５】このアッシングの条件は、ガス流量Ｏ2 ／
ＣＨＦ3 ＝９７０／３０sccm、圧力４７Ｐａ、マイクロ
波出力１ｋｗ、温度を有機薄膜６において室温Ｒ．Ｔ、
ａ−Ｓｉ膜５において８０℃としている。The condition of this ashing is that the gas flow rate is O2 /
CHF 3 = 970/30 sccm, pressure 47 Pa, microwave output 1 kw, temperature at room temperature R. T,
The temperature of the a-Si film 5 is set to 80 ° C.
【００５６】このような条件下において、ＮＨ3 ガスの
流量を変化させ、このＮＨ3 流量を１０sccm添加した場
合、ＮＨ3 ガスを添加したかった場合（ＮＨ3 流量０sc
cm）に比べて選択比が２倍以上に向上している。Under such conditions, the flow rate of NH 3 gas was changed, and when this NH 3 flow rate was added at 10 sccm, when NH 3 gas was desired to be added (NH 3 flow rate 0 sc
The selection ratio is more than doubled compared to cm).
【００５７】なお、この選択比は、有機薄膜６のアッシ
ング量をａ−Ｓｉ膜５のアッシング量で除算した値であ
り、この値が大きい程ａ−Ｓｉ膜５に対して有機薄膜６
が除去されていることを示す。This selection ratio is a value obtained by dividing the ashing amount of the organic thin film 6 by the ashing amount of the a-Si film 5, and the larger this value is, the more the organic thin film 6 is compared with the a-Si film 5.
Indicates that the has been removed.
【００５８】そして、アッシング用ガスは、Ｏ2 を含む
ガス及びＣＨＦ3 を含むガスを１００に対し、ＮＨ3 を
含むガスを０．５〜３の割合で混合するのが最適である
ことが分かる。As the ashing gas, it is found that it is optimal to mix the gas containing O 2 and the gas containing CHF 3 with 100 and the gas containing NH 3 in a ratio of 0.5 to 3. .
【００５９】特にＯ2 を含むガス及びＣＨＦ3 を含むガ
スを１００に対しＮＨ3 を含むガスを１．５の割合に混
合することで、ａ−Ｓｉ膜５に対して選択性高く有機薄
膜６を除去できる。In particular, by mixing the gas containing O 2 and the gas containing CHF 3 with the gas containing NH 3 at a ratio of 1.5 to 100, the selectivity of the organic thin film 6 to the a-Si film 5 is high. Can be removed.
【００６０】なお、この実験結果からＮＨ3 ガスを１５
sccm以上添加すると、選択比が無限大になることが予測
される。以上のように被処理体３の有機薄膜６をＯ2 ガ
スとＣＨＦ3 ガスにＮＨ3 ガスを添加した混合ガスでア
ッシングし、この後、被処理体３に対して水で２分間超
音波洗浄が行われる。From the results of this experiment, NH 3 gas of 15
It is expected that the selection ratio will become infinite when sccm or more is added. As described above, the organic thin film 6 of the object 3 is ashed with a mixed gas of O 2 gas, CHF 3 gas and NH 3 gas, and then the object 3 is ultrasonically cleaned with water for 2 minutes. Done.
【００６１】図５はアッシング後においてａ−Ｓｉ膜５
をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）で分析した結果を示し、
図６は超音波洗浄後のａ−Ｓｉ膜５をＸ線光電子分光法
（ＸＰＳ）で分析した結果を示す。これらのＸＰＳ分析
結果から分かるように超音波洗浄後はＮのピークが消滅
しており、アンモニウム塩が除去されたことが確認でき
る。FIG. 5 shows the a-Si film 5 after ashing.
The results of analysis by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) are shown.
FIG. 6 shows the result of analyzing the a-Si film 5 after ultrasonic cleaning by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). As can be seen from these XPS analysis results, the peak of N disappeared after ultrasonic cleaning, and it can be confirmed that the ammonium salt was removed.
【００６２】次に別の条件下での実験結果について説明
する。図７は有機薄膜６をＯ2 ガスとＣＨＦ3 ガスにＮ
Ｈ3 ガスを添加した混合ガスでアッシングしたときのア
ッシングレート、ａ−Ｓｉ膜５のエッチングレート、及
び選択比の実験結果を示す。Next, the experimental results under different conditions will be described. FIG. 7 shows that the organic thin film 6 is converted into O 2 gas and CHF 3 gas with N
The experimental results of the ashing rate, the etching rate of the a-Si film 5, and the selection ratio when ashing is performed with a mixed gas containing H 3 gas are shown.
【００６３】このアッシングの条件は、ガス流量Ｏ2 ／
ＣＨＦ3 ＝９７０／３０sccm、圧力４７Ｐａ、マイクロ
波出力１ｋｗ、室温Ｒ．Ｔとしている。このような条件
下において、ＮＨ3 流量を５sccm添加した場合、ＮＨ3
ガスを添加しなかった場合（ＮＨ3 流量０sccm）に比べ
て選択比が向上していることが分かる。The condition of this ashing is that the gas flow rate is O2 /
CHF 3 = 970/30 sccm, pressure 47 Pa, microwave output 1 kw, room temperature R.I. T. Under these conditions, when NH 3 flow rate of 5 sccm is added, NH 3
It can be seen that the selection ratio is improved as compared with the case where no gas is added (NH 3 flow rate 0 sccm).
【００６４】図８はフッ素系のガスをＣＦ4 ガスに代
え、有機薄膜６をＯ2 ガスとＣＦ4 ガスにＮＨ3 ガスを
添加した混合ガスでアッシングしたときのアッシングレ
ート、ａ−Ｓｉ膜５のエッチングレート、及び選択比の
実験結果を示す。[0064] Figure 8 is instead a fluorine based gas to CF 4 gas, the ashing rate when ashing gas mixture the organic thin film 6 was added NH 3 gas to the O2 gas and CF 4 gas, the a-Si film 5 The experimental results of the etching rate and the selection ratio are shown.
【００６５】このアッシングの条件は、ガス流量Ｏ2 ／
ＣＦ4 ＝８５０／１５０sccm、圧力４７Ｐａ、マイクロ
波出力１ｋｗ、室温Ｒ．Ｔとしている。なお、アッシン
グ用ガスは、Ｏ2 を含むガス及びＣＦ4 を含むガスを１
００に対し、ＮＨ3 を含むガスを０．５〜３の割合に混
合したものである。The condition of this ashing is that the gas flow rate is O2 /
CF 4 = 850/150 sccm, pressure 47 Pa, microwave output 1 kw, room temperature R.I. T. The ashing gas is a gas containing O 2 and a gas containing CF 4.
A gas containing NH 3 is mixed with 00 in a ratio of 0.5 to 3.
【００６６】なお、最適なアッシング用ガスにおける混
合の割合は、Ｏ2 を含むガス及びＣＦ4 を含むガスを１
００に対し、ＮＨ3 を含むガスを１．５の割合に混合す
ることである。The optimum mixing ratio in the ashing gas is 1 for the gas containing O 2 and 1 for the gas containing CF 4.
A gas containing NH 3 is mixed in a ratio of 1.5 to 00.
【００６７】このような条件下においてでも、例えばＮ
Ｈ3 流量を１０sccm添加した場合、ＮＨ3 ガスを添加し
たかった場合（ＮＨ3 流量０sccm）に比べて選択比が２
倍以上向上していることが分かる。Even under such a condition, for example, N
When the H 3 flow rate is 10 sccm, the selection ratio is 2 compared to when NH 3 gas is desired to be added (NH 3 flow rate 0 sccm).
You can see that it is more than doubled.
【００６８】図９は下地膜をｎ+ａ−Ｓｉとしたとき
の、有機薄膜６をＯ2 ガスとＣＦ4 ガスにＮＨ3 ガスを
添加した混合ガスでアッシングしたときのアッシングレ
ート、ａ−Ｓｉ膜５のエッチングレート、及び選択比の
実験結果を示す。FIG. 9 shows the ashing rate when the organic thin film 6 is ashed with a mixed gas of O 2 gas and CF 4 gas with NH 3 gas when the base film is n + a-Si, a-Si film The experimental result of the etching rate of 5 and selection ratio is shown.
【００６９】このアッシングの条件は、ガス流量Ｏ2 ／
ＣＦ4 ＝８５０／１５０sccm、圧力４７Ｐａ、マイクロ
波出力１ｋｗ、室温Ｒ．Ｔとしている。下地膜をｎ+ａ
−Ｓｉとした場合でも、例えばＮＨ3 流量を１０sccm添
加した場合、ＮＨ3 ガスを添加したかった場合（ＮＨ3
流量０sccm）に比べて選択比が２倍以上向上しているこ
とが分かる。The condition of this ashing is that the gas flow rate is O2 /
CF 4 = 850/150 sccm, pressure 47 Pa, microwave output 1 kw, room temperature R.I. T. The underlying film is n + a
Even when -Si is used, for example, when the NH 3 flow rate is 10 sccm, or when NH 3 gas is desired to be added (NH 3
It can be seen that the selection ratio is more than doubled compared to the flow rate of 0 sccm).
【００７０】このように上記一実施の形態においては、
Ｏ2 ガスとＣＨＦ3 ガスにＮＨ3 ガスを混合したアッシ
ング用ガスを導入し、マイクロ波を導入してプラズマを
発生させ、このプラズマにより生じた活性種により下地
膜としてのａ−Ｓｉ膜５上に形成された有機薄膜（レジ
スト）６を除去するようにしたので、ａ−Ｓｉ膜５の上
には、アンモニウム塩（ＮＨ4 ）2 ＳｉＦ6 が形成さ
れ、このアンモニウム塩によりａ−Ｓｉ膜５のエッチン
グが抑制され、有機薄膜６をａ−Ｓｉ膜５に対して選択
比高く除去できる。As described above, in the above-mentioned one embodiment,
An ashing gas, which is a mixture of O 2 gas and CHF 3 gas with NH 3 gas, is introduced, and a microwave is introduced to generate plasma. The active species generated by the plasma cause the active species generated on the a-Si film 5 as a base film. Since the formed organic thin film (resist) 6 is removed, an ammonium salt (NH 4 ) 2 SiF 6 is formed on the a-Si film 5, and the ammonium salt forms a part of the a-Si film 5. The etching is suppressed, and the organic thin film 6 can be removed with a high selection ratio with respect to the a-Si film 5.
【００７１】この場合、Ｏ2 を含むガス及びＣＨＦ3 を
含むガスを１００に対し、ＮＨ3 を含むガスを０．５〜
３の割合で混合するのが最適であり、特にＯ2 を含むガ
ス及びＣＨＦ3 を含むガスを１００に対しＮＨ3 を含む
ガスを１．５の割合に混合することで、ａ−Ｓｉ膜５に
対して選択性高く有機薄膜６を除去できる。In this case, the gas containing O 2 and the gas containing CHF 3 are 100 to 100, and the gas containing NH 3 is 0.5 to 0.5.
It is optimal to mix them in a ratio of 3, and in particular, by mixing a gas containing O 2 and a gas containing CHF 3 with a gas containing NH 3 in a ratio of 1.5 to 100, the a-Si film 5 The organic thin film 6 can be removed with high selectivity.
【００７２】又、フッ素系ガスとしては、ＣＨＦ3 を含
むガス、ＣＦ4 を含むガス、ＳＦ6を含むガス、ＮＦ3
を含むガスのうちいずれか１つのガスを用いても、ａ−
Ｓｉ膜５の上にアンモニウム塩を形成し、このアンモニ
ウム塩によりａ−Ｓｉ膜５のエッチングを抑制して、有
機薄膜６をａ−Ｓｉ膜５に対して選択比高く除去でき
る。As the fluorine-based gas, a gas containing CHF 3 , a gas containing CF 4 , a gas containing SF 6 , and NF 3
Even if any one of the gases containing
An ammonium salt is formed on the Si film 5, the ammonium salt suppresses etching of the a-Si film 5, and the organic thin film 6 can be removed with a high selection ratio with respect to the a-Si film 5.
【００７３】一方、アンモニウム塩は、水洗い等により
容易に除去できるので、後工程に影響を与えることはな
い。なお、本発明は、上記一実施の形態に限定されるも
のでなく次の通り変形してもよい。On the other hand, since the ammonium salt can be easily removed by washing with water or the like, it does not affect the subsequent steps. The present invention is not limited to the above-mentioned one embodiment, and may be modified as follows.
【００７４】上記一実施の形態では、ダウンフロー型ア
ッシング装置に適用した場合について説明したが、これ
に限らずバレル型、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）
スパッタ装置、平行平板型プラズマアッシング装置に適
用してもよい。又、プラズマを発生させる手段として
は、マイクロ波に限らず、高周波Ｒ．Ｆを用いてもよ
い。In the above-described one embodiment, the case where the present invention is applied to the downflow type ashing device has been described, but the present invention is not limited to this, and the barrel type electron cyclotron resonance (ECR) is used.
It may be applied to a sputtering device or a parallel plate type plasma ashing device. Further, the means for generating plasma is not limited to microwaves, but high frequency R.R. F may be used.
【００７５】[0075]
【発明の効果】以上詳記したように本発明の請求項１〜
１０によれば、有機薄膜を下地膜に対して選択比を高く
して除去できるアッシング方法を提供できる。又、本発
明の請求項２によれば、有機薄膜（レジスト）を下地膜
としてのａ−Ｓｉ膜に対して選択比を高くして除去でき
るアッシング方法を提供できる。As described in detail above, claims 1 to 5 of the present invention.
According to 10, it is possible to provide an ashing method capable of removing the organic thin film with a higher selection ratio with respect to the base film. According to the second aspect of the present invention, it is possible to provide an ashing method capable of removing an organic thin film (resist) with a high selection ratio with respect to an a-Si film as a base film.
【００７６】又、本発明の請求項７によれば、Ｏ2 を含
むガス及びＣＨＦ3 を含むガスを１００に対し、ＮＨ3
を含むガスを１．５の割合に混合することにより最適な
選択比で有機薄膜を下地膜としてのａ−Ｓｉ膜に対して
選択比を高くして除去できるアッシング方法を提供でき
る。又、本発明の請求項１１によれば、有機薄膜を下地
膜に対して選択比を高くして除去できるアッシング装置
を提供できる。Further, according to claim 7 of the present invention, when the gas containing O 2 and the gas containing CHF 3 are added to 100 parts of NH 3
It is possible to provide an ashing method capable of removing an organic thin film with a high selection ratio with respect to an a-Si film as an underlayer with an optimum selection ratio by mixing a gas containing P in a ratio of 1.5. According to the eleventh aspect of the present invention, it is possible to provide an ashing device capable of removing the organic thin film with a high selection ratio with respect to the base film.
【図１】本発明に係わるアッシング装置の一実施の形態
を示す構成図。FIG. 1 is a configuration diagram showing an embodiment of an ashing device according to the present invention.
【図２】被処理体の構造図。FIG. 2 is a structural diagram of an object to be processed.
【図３】ａ−Ｓｉ膜上に形成された生成膜の赤外分光法
の分析結果を示す図。FIG. 3 is a view showing an analysis result of infrared spectroscopy of a produced film formed on an a-Si film.
【図４】Ｏ2 ／ＣＨＦ3 にＮＨ3 を添加したときのアッ
シングによる選択比などの実験結果を示す図。FIG. 4 is a diagram showing experimental results such as a selection ratio by ashing when NH 3 is added to O 2 / CHF 3 .
【図５】アッシング後のＸＰＳの分析結果を示す図。FIG. 5 is a diagram showing a result of XPS analysis after ashing.
【図６】水の超音波洗浄後のＸＰＳの分析結果を示す
図。FIG. 6 is a diagram showing XPS analysis results after ultrasonic cleaning of water.
【図７】アッシングによる選択比などの実験結果を示す
図。FIG. 7 is a diagram showing experimental results such as a selection ratio by ashing.
【図８】Ｏ2 ／ＣＦ4 にＮＨ3 を添加したときのアッシ
ングによる選択比などの実験結果を示す図。FIG. 8 is a diagram showing experimental results such as a selection ratio by ashing when NH 3 was added to O 2 / CF 4 .
【図９】ｎ+ａ−Ｓｉ膜に対するアッシングによる選択
比などの実験結果を示す図。FIG. 9 is a diagram showing experimental results such as a selection ratio by ashing with respect to an n + a-Si film.
１…反応容器、２…ステージ、３…被処理体、４…Ｓｉ
基板、５…ａ−Ｓｉ膜、６…有機薄膜（レジスト）、７
…拡散板、９…プラズマ発生室、１０…ガス導入管、１
２…プラズマ導波管、１３…マイクロ波発振器。1 ... Reaction container, 2 ... Stage, 3 ... Object to be treated, 4 ... Si
Substrate, 5 ... a-Si film, 6 ... Organic thin film (resist), 7
... Diffusion plate, 9 ... Plasma generation chamber, 10 ... Gas inlet tube, 1
2 ... Plasma waveguide, 13 ... Microwave oscillator.
Claims (11)
てプラズマを発生させ、このプラズマにより生じた活性
種によりシリコン系の下地膜上に形成された有機薄膜を
除去するアッシング方法において、 前記アッシング用ガスとして酸素を含むガス及びフッ素
系ガスに、少なくとも窒素及び水素を含むガスを混合し
た混合ガスを用いる、ことを特徴とするアッシング方
法。1. An ashing method in which an ashing gas is introduced into a reaction vessel to generate plasma, and an organic thin film formed on a silicon-based underlayer film is removed by active species generated by the plasma. An ashing method characterized in that a mixed gas obtained by mixing a gas containing oxygen and a fluorine-based gas with a gas containing at least nitrogen and hydrogen is used as a working gas.
スシリコンであることを特徴とする請求項１記載のアッ
シング方法。2. The ashing method according to claim 1, wherein the silicon-based base film is amorphous silicon.
ス、ＣＦ4 を含むガス、ＳＦ6 を含むガス、ＮＦ3 を含
むガスのうちいずれかのガスであることを特徴とする請
求項１記載のアッシング方法。3. The gas according to claim 1, wherein the fluorine-based gas is any one of a gas containing CHF 3 , a gas containing CF 4 , a gas containing SF 6, and a gas containing NF 3. The ashing method described.
ＮＨ3 を含むガス、ＨＮ3 を含むガス、ＮＦ3 を含むガ
ス及びＨ2 を含むガスの混合ガス、Ｈ2 を含むガス及び
Ｎ2 を含むガスの混合ガスのうちいずれかのガスである
ことを特徴とする請求項１記載のアッシング方法。4. A gas containing at least nitrogen and hydrogen,
It is any one of a gas containing NH 3 , a gas containing HN 3 , a mixed gas of a gas containing NF 3 and a gas containing H 2 , and a mixed gas of a gas containing H 2 and a gas containing N 2. The ashing method according to claim 1, wherein:
ス及びＣＨＦ3 を含むガスに、ＮＨ3 を含むガスを添加
した混合ガスであることを特徴とする請求項１記載のア
ッシング方法。5. The ashing method according to claim 1, wherein the ashing gas is a mixed gas obtained by adding a gas containing NH 3 to a gas containing O 2 and a gas containing CHF 3 .
ス及びＣＨＦ3 を含むガスを１００に対し、ＮＨ3 を含
むガスを０．５〜３の割合に混合することを特徴とする
請求項５記載のアッシング方法。6. The ashing gas is characterized in that a gas containing O 2 and a gas containing CHF 3 are mixed with a gas containing NH 3 in a ratio of 0.5 to 3 with respect to 100. The ashing method described in 5.
ス及びＣＨＦ3 を含むガスを１００に対し、ＮＨ3 を含
むガスを１．５の割合に混合することを特徴とする請求
項５記載のアッシング方法。7. The ashing gas is a mixture of an O 2 -containing gas and a CHF 3 -containing gas in a ratio of 100 to 100 and a gas containing NH 3 in a ratio of 1.5. Ashing method.
ス及びＣＦ4 を含むガスに、ＮＨ3 を含むガスを添加し
た混合ガスであることを特徴とする請求項１記載のアッ
シング方法。8. The ashing method according to claim 1, wherein the ashing gas is a mixed gas prepared by adding a gas containing NH 3 to a gas containing O 2 and a gas containing CF 4 .
ス及びＣＦ4 を含むガスを１００に対し、ＮＨ3 を含む
ガスを０．５〜３の割合に混合することを特徴とする請
求項５記載のアッシング方法。9. The ashing gas is characterized in that a gas containing O 2 and a gas containing CF 4 are mixed with a gas containing NH 3 in a ratio of 0.5 to 3 with respect to 100. The ashing method described in 5.
ガス及びＣＦ4 を含むガスを１００に対し、ＮＨ3 を含
むガスを１．５の割合に混合することを特徴とする請求
項５記載のアッシング方法。10. The ashing gas is a mixture of O 2 -containing gas and CF 4 -containing gas in a ratio of 100 to NH 3 -containing gas in a ratio of 1.5. Ashing method.
有機薄膜を形成した被処理体を配置し、この反応容器内
にプラズマを発生させ、このプラズマにより生じた活性
種により前記下地膜上に形成された前記有機薄膜を除去
するアッシング装置において、 前記反応容器内に導入する酸素を含むガス及びフッ素系
ガスに、少なくとも窒素及び水素を含むガスを混合した
アッシング用ガスと、 前記反応容器内に導入された前記アッシング用ガスを励
起してプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、を具
備したことを特徴とするアッシング装置。11. An object to be treated having an organic thin film formed on a silicon-based underlayer is disposed in a reaction vessel, plasma is generated in the reaction vessel, and active species generated by the plasma cause the above-mentioned underlayer to be deposited on the underlayer. In the ashing device for removing the organic thin film formed in, an ashing gas in which a gas containing oxygen and a fluorine-based gas to be introduced into the reaction vessel are mixed with a gas containing at least nitrogen and hydrogen, and in the reaction vessel An ashing apparatus, comprising: a plasma generating unit that excites the ashing gas introduced into the chamber to generate plasma.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18255395A JPH0936089A (en) | 1995-07-19 | 1995-07-19 | Ashing method and device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18255395A JPH0936089A (en) | 1995-07-19 | 1995-07-19 | Ashing method and device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0936089A true JPH0936089A (en) | 1997-02-07 |
Family
ID=16120295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18255395A Pending JPH0936089A (en) | 1995-07-19 | 1995-07-19 | Ashing method and device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0936089A (en) |
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