JPH09323255A - Polishing grit disk for polishing disk of chemical machine polisher - Google Patents

Polishing grit disk for polishing disk of chemical machine polisher

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Publication number
JPH09323255A
JPH09323255A JP14031896A JP14031896A JPH09323255A JP H09323255 A JPH09323255 A JP H09323255A JP 14031896 A JP14031896 A JP 14031896A JP 14031896 A JP14031896 A JP 14031896A JP H09323255 A JPH09323255 A JP H09323255A
Authority
JP
Japan
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grit
polishing
base
chemical
disk
Prior art date
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Pending
Application number
JP14031896A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Keiichi Fujimori
啓一 藤森
Junji Matsuo
淳次 松尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KONDO SEIMITSU KK
Fujimori Technical Laboratory Inc
Original Assignee
KONDO SEIMITSU KK
Fujimori Technical Laboratory Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by KONDO SEIMITSU KK, Fujimori Technical Laboratory Inc filed Critical KONDO SEIMITSU KK
Priority to JP14031896A priority Critical patent/JPH09323255A/en
Publication of JPH09323255A publication Critical patent/JPH09323255A/en
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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To fix grit for polishing polishing disk on a flay base formed by a resin having resistance against chemical abrasive material firmly so as to prevent its peeling off by distributing the grit uniformly in a predetermined region on the base and bonding the grit by using adhesive having resistance against chemical abrasive material. SOLUTION: A grit disk 1 polishes a polishing pad attached on a surface of a polishing disk of a chemical machine polisher. A base 2 of the grit disk 1 has a shape like a disk of which surface of flat, is formed by a Duracon resin such as, fir example, backbite, and has excellent resistance against chemical abrasive material. Moreover, a diamond grit 3 polishes a surface of a polishing pad. The diamonds grit 3 is made into one layer and press-contact with the base 2 before it is bonded by using adhesive, and a part of it is embedded into the base 2. The diamond grit 3 is bonded on the base 2 by using bond 4 as adhesive which excels in resistance against chemical abrasive material.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、被研磨物の表面を
研磨盤上で研磨するケミカルマシンポリッシャ装置の該
研磨盤を研磨する研磨盤研磨グリット盤に関し、特にグ
リットが基台から剥がれ落ちないようにする技術に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polishing plate polishing grit plate for polishing a polishing plate of a chemical machine polisher for polishing the surface of an object to be polished on a polishing plate, and in particular, grit does not fall off from a base. Technology to do.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、集積回路等の半導体の製造に
おいて、各半導体素子を配線する場合、例えば図9に示
すように、配線パターンに従ってシリコン基板31上に溝
32を形成し、この溝32にアルミニウム等の配線用金属33
を形成する方法が一般的に用いられている。そして、こ
れを多層に積層することにより集積回路が形成される。
2. Description of the Related Art Conventionally, in the manufacture of semiconductors such as integrated circuits, when wiring each semiconductor element, for example, as shown in FIG. 9, trenches are formed on a silicon substrate 31 according to a wiring pattern.
32, and wiring metal 33 such as aluminum is formed in this groove 32.
The method of forming is generally used. Then, an integrated circuit is formed by stacking this in multiple layers.

【0003】近年、集積回路の容量の増大化の要求に応
じて集積度が高まりつつあるが、それに伴って層間の絶
縁膜も薄くなりつつある。しかし、前記のような方法で
は、形成された配線用金属33の表面に凹凸ができるた
め、層間の絶縁膜を薄くすると、層間の距離が短い部分
で信号が相互に作用し合う場合がある。このため、図10
に示すように、シリコン基板31の全表面にアルミニウム
等の金属層34を形成し、この金属層34を研磨して平坦な
配線パターンを形成する技術が採用されつつある。
In recent years, the degree of integration has been increasing in response to the demand for increasing the capacity of integrated circuits, but the insulating film between layers is also becoming thinner accordingly. However, in the above method, since the surface of the formed wiring metal 33 has irregularities, when the insulating film between layers is thinned, signals may interact with each other in a portion where the distance between layers is short. For this reason,
As shown in FIG. 3, a technique of forming a metal layer 34 of aluminum or the like on the entire surface of the silicon substrate 31 and polishing the metal layer 34 to form a flat wiring pattern is being adopted.

【0004】図11は、かかる金属層34を研磨する際に用
いられるケミカルマシンポリッシャ(以後、「CMP」
と記す)を示す。この図に示すように、この装置では、
研磨盤35上に平坦な研磨パッド36を張り付けてある。そ
して、例えば酸等の化学研磨剤に微細な研磨材を混ぜ、
これをこの研磨パッド36の表面に供給し、研磨盤35を回
転させて金属層34をこの研磨パッド36の表面に接触させ
ることにより、金属層34を化学研磨剤及び研磨材で研磨
する。
FIG. 11 shows a chemical machine polisher (hereinafter referred to as "CMP") used for polishing the metal layer 34.
Is described). As shown in this figure,
A flat polishing pad 36 is attached on the polishing platen 35. Then, for example, a fine abrasive is mixed with a chemical abrasive such as acid,
This is supplied to the surface of the polishing pad 36, and the polishing plate 35 is rotated to bring the metal layer 34 into contact with the surface of the polishing pad 36, whereby the metal layer 34 is polished with the chemical polishing agent and the polishing agent.

【0005】一方、この研磨パッド36も金属層34の研磨
時に磨耗し、研磨パッド36の平坦度を維持できなくなる
ため、このCMP装置には、研磨パッド36を研磨する研
磨盤研磨装置が備えられている。そして、この装置に備
えられたグリット盤で研磨パッド36を研磨している。図
12に示すように、従来のグリット盤37は、シリコンから
なる基台38上に、微細なダイヤモンドグリット39を一様
に分布させ、このダイヤモンドグリット39を金属である
ニッケル40で固定することにより形成されている。
On the other hand, since the polishing pad 36 also wears during polishing of the metal layer 34 and the flatness of the polishing pad 36 cannot be maintained, the CMP apparatus is equipped with a polishing plate polishing apparatus for polishing the polishing pad 36. ing. Then, the polishing pad 36 is polished by the grit disc provided in this apparatus. Figure
As shown in FIG. 12, the conventional grit disk 37 is formed by uniformly distributing fine diamond grit 39 on a base 38 made of silicon and fixing the diamond grit 39 with nickel 40 which is a metal. Has been done.

【0006】そして、このグリット盤37で研磨パッド36
の表面を研磨することにより、研磨パッド36の平坦度を
維持するとともに、パッド表面のクリーニングも行って
いる。
Then, the grinding pad 37 is used to polish the polishing pad 36.
By polishing the surface of the pad, the flatness of the polishing pad 36 is maintained and the pad surface is also cleaned.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】ところで、ケミカルマ
シンポリッシャでは、化学研磨剤として酸等が用いら
れ、グリット盤のダイヤモンドグリット39が酸に弱いニ
ッケル40で固定されているため、パッド面上の酸でグリ
ット盤のニッケル40が腐蝕され、ダイヤモンドグリット
39が基台38から剥がれてしまうことがある。このダイヤ
モンドグリット39が剥がれてパッド面に付着すると、集
積回路の金属層34の研磨時にシリコン基板31に悪影響を
与えてしまう。
By the way, in the chemical machine polisher, acid or the like is used as the chemical polishing agent, and since the diamond grit 39 of the grit disk is fixed with nickel 40 which is weak against acid, the acid on the pad surface is Nickel 40 on the grit board is corroded by the diamond grit
39 may come off the base 38. If the diamond grit 39 peels off and adheres to the pad surface, it adversely affects the silicon substrate 31 when polishing the metal layer 34 of the integrated circuit.

【0008】本発明はこのような従来の課題に鑑みてな
されたもので、グリットが基台にしっかりと固定されて
剥がれ落ちないようなケミカルマシンポリッシャの研磨
盤研磨グリット盤を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of such conventional problems, and an object thereof is to provide a polishing machine polishing grit machine of a chemical machine polisher in which the grit is firmly fixed to the base and does not come off. And

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】このため、請求項1の発
明にかかるグリット盤は、平坦で回転可能な研磨盤の盤
面に化学研磨剤を供給し、該研磨盤上で被研磨物の表面
を研磨するケミカルマシンポリッシャの該研磨盤を研磨
するグリット盤において、前記化学研磨剤に対する耐性
を有した樹脂で形成された平坦な基台と、該基台上の所
定領域に均一に分布した前記研磨盤研磨用のグリット
と、該グリットを基台に接着する化学研磨剤に対する耐
性を有した接着剤と、を備えた。
Therefore, the grit disk according to the invention of claim 1 supplies a chemical polishing agent to the disk surface of a flat and rotatable polishing disk, and the surface of the object to be polished on the polishing disk. In a grit plate for polishing the polishing plate of a chemical machine polisher for polishing, a flat base formed of a resin having resistance to the chemical polishing agent and the uniform distribution in a predetermined area on the base. A grit for polishing a polishing plate and an adhesive having resistance to a chemical polishing agent that adheres the grit to a base were provided.

【0010】かかる構成によれば、基台、接着剤に、化
学研磨剤に対する耐性を有したものを用いているので、
グリットの剥がれ落ちが防止される。請求項2の発明に
かかるグリット盤では、前記基台に用いられる、化学研
磨剤に対する耐性を有した樹脂は、ジュラコン系樹脂で
ある。かかる構成によれば、基台が化学研磨剤に侵され
なくなる。
According to this structure, since the base and the adhesive have resistance to the chemical polishing agent,
The grit is prevented from peeling off. In the grit board according to the invention of claim 2, the resin having resistance to the chemical polishing agent used for the base is a Duracon-based resin. With this configuration, the base is prevented from being attacked by the chemical polishing agent.

【0011】請求項3の発明にかかるグリット盤では、
前記グリットを基台に圧着して該グリットの一部を基台
に埋め込むように構成している。かかる構成によれば、
グリットが基台にしっかりと固定される。請求項4の発
明にかかるグリット盤では、前記グリットを接着剤に混
ぜて、多層となるように基台に接着している。
According to the third aspect of the invention,
The grit is pressure-bonded to the base so that part of the grit is embedded in the base. According to this configuration,
The grit is firmly fixed to the base. In the grit board according to the invention of claim 4, the grit is mixed with an adhesive and adhered to the base so as to form a multilayer.

【0012】かかる構成によれば、グリットが磨耗して
も新しいグリットを露出させることにより、グリット面
が再生され、グリット盤の寿命を延ばすことが可能とな
る。請求項5の発明にかかるグリット盤では、前記グリ
ットは、ダイヤモンドグリットである。かかる構成によ
れば、化学研磨剤にも強く硬いので、研磨盤を研磨する
のに最適である。
According to this structure, even if the grit is worn, the new grit is exposed, so that the grit surface is regenerated and the life of the grit disc can be extended. In the grit disk according to the invention of claim 5, the grit is diamond grit. According to this structure, since it is strong and hard against a chemical polishing agent, it is most suitable for polishing a polishing plate.

【0013】請求項6の発明にかかるグリット盤では、
前記化学研磨剤に対する耐性を有した接着剤は、ガラス
ボンドである。かかる構成によれば、ガラスボンドは密
着性に優れているので、グリットの基台への密着性が向
上する。請求項7の発明にかかるグリット盤では、前記
化学研磨剤に対する耐性を有した接着剤は、レジンボン
ドである。
In the grit machine according to the invention of claim 6,
The adhesive having resistance to the chemical polishing agent is glass bond. According to this structure, since the glass bond has excellent adhesion, the adhesion of the grit to the base is improved. In the grit board according to the invention of claim 7, the adhesive having resistance to the chemical polishing agent is a resin bond.

【0014】かかる構成によれば、レジンボンドは耐熱
性に優れているので、研磨する際の摩擦で温度が上昇し
てもグリットが基台から剥がれ落ちることがない。
According to this structure, since the resin bond has excellent heat resistance, the grit does not peel off from the base even if the temperature rises due to friction during polishing.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図1
〜図8に基づいて説明する。まず、第1の実施の形態に
ついて説明する。このものは、グリットを基台に圧着し
て該グリットの一部を基台に埋め込むようにしたもので
ある。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to FIG.
This will be described with reference to FIG. First, the first embodiment will be described. This is one in which a grit is pressure-bonded to a base so that a part of the grit is embedded in the base.

【0016】第1の実施の形態を示すグリット盤1の断
面図,斜視図を、夫々、図1,2に示す。このグリット
盤1は、前述のようにCMP装置の研磨盤の表面に張り
付けた研磨パッドを研磨するものである。これらの図に
おいて、グリット盤1の基台2は、表面が平坦な円盤状
の形状を有しており、例えばベークライト等のジュラコ
ン樹脂で形成されている。このジュラコン樹脂は化学研
磨剤に対する耐性に優れている。
1 and 2 are a sectional view and a perspective view of the grit board 1 showing the first embodiment, respectively. The grit plate 1 is for polishing the polishing pad attached to the surface of the polishing plate of the CMP apparatus as described above. In these figures, the base 2 of the grit disc 1 has a disk-like shape with a flat surface, and is made of, for example, Duracon resin such as Bakelite. This Duracon resin has excellent resistance to chemical polishing agents.

【0017】ダイヤモンドグリット3は、研磨パッドの
表面を研磨するためのグリットであり、接着剤で接着す
る前にこのダイヤモンドグリット3を1層にしてこの基
台2に圧着し、その一部を基台2に埋め込むようにす
る。また、図1に示すように、グリット盤1の表面は市
松模様状に凹凸形成され、該表面の凸側の分布領域2a
にダイヤモンドグリット3を均一に分布させている。こ
のように市松模様状に分布することにより、研磨された
研磨屑等を凹側の非分布領域2bに退避させることがで
き、被研磨物であるシリコン基板への影響を極力低減で
きる。
The diamond grit 3 is a grit for polishing the surface of the polishing pad. Before the diamond grit 3 is bonded with an adhesive, the diamond grit 3 is made into one layer and pressure-bonded to the base 2, and a part of the diamond grit 3 is used as a base. It is embedded in the stand 2. Further, as shown in FIG. 1, the surface of the grit board 1 is formed in a checkered pattern, and the distribution area 2a on the convex side of the surface is formed.
The diamond grit 3 is evenly distributed on the surface. By distributing in a checkered pattern in this way, the polishing scraps and the like that have been polished can be evacuated to the non-distributed region 2b on the concave side, and the influence on the silicon substrate that is the object to be polished can be reduced as much as possible.

【0018】このダイヤモンドグリット3は、接着剤と
してのボンド4で基台2に接着されている。尚、このボ
ンド4に用いるものとしては、例えばガラスフリット49
%,アルミナ(Al2O3)49%を含有したガラスボンド、フ
ェノール50%,セルロース45%を含有したレジンボンド
等があり、ガラスボンド、レジンボンドのいずれも前記
化学研磨剤に対する耐性に優れている。両者を比較した
場合、レジンボンドは、耐熱性には優れているものの密
着性は劣り、ガラスボンドは、密着性には優れているも
のの熱には弱いという特性を有している。しかし、研磨
盤に冷却装置等を配設することにより、温度上昇を20〜
30度程度に抑えることができるので、本実施の形態で
は、密着性に優れているガラスボンドを使用する。
The diamond grit 3 is bonded to the base 2 with a bond 4 as an adhesive. As the material used for the bond 4, for example, a glass frit 49
%, Glass bond containing 49% of alumina (Al 2 O 3 ), resin bond containing 50% of phenol, 45% of cellulose, etc., both of which have excellent resistance to the chemical polishing agent. There is. When the two are compared, the resin bond has excellent heat resistance but poor adhesion, and the glass bond has excellent adhesion but weak heat. However, by installing a cooling device etc. on the polishing plate, the temperature rise can be reduced to 20
Since it can be suppressed to about 30 degrees, a glass bond having excellent adhesion is used in the present embodiment.

【0019】次にこのグリット盤1を用いたCMP装置
11の構成を図3及び図4に示す。図3において、ロード
ステーション12は、ウェーハカセット(図示せず)を載
置するために設けられた場所である。このウェーハカセ
ットには、シリコン基板31上に金属層34が形成された図
10に示すような処理前のウェーハが収納されている。
Next, a CMP apparatus using this grit board 1
The structure of 11 is shown in FIGS. In FIG. 3, the load station 12 is a place provided for mounting a wafer cassette (not shown). This wafer cassette has a metal layer 34 formed on a silicon substrate 31.
The unprocessed wafer as shown in 10 is stored.

【0020】クリーンステーション14は、アーム15にウ
ェーハ13を渡すために設けられた場所である。アーム15
は、クリーンステーション14でウェーハ13を吸着等して
支持し、図中、矢印方向に回転して各位置に搬送する。
プライマリプラテン16は、集積回路の金属層を研磨する
研磨盤であり、このプライマリプラテン16の表面には、
前述したような平坦な研磨パッドが張り付けられ、ま
た、温度上昇を抑えるための前述の冷却装置等(図示せ
ず)が配設されている。
The clean station 14 is a place provided to transfer the wafer 13 to the arm 15. Arm 15
Supports the wafer 13 by suction or the like at the clean station 14, and rotates in the direction of the arrow in the figure to convey the wafer 13 to each position.
The primary platen 16 is a polishing plate that polishes the metal layer of the integrated circuit.
The above-mentioned flat polishing pad is attached, and the above-mentioned cooling device or the like (not shown) for suppressing the temperature rise is arranged.

【0021】パッドコンディショナ17は、プライマリプ
ラテン16の研磨パッドを研磨するものであり、先端に
は、図4に示すように位置調節具18を介してグリット盤
1が回転自由に取り付けられている。そして、A−A’
矢印方向に回動するようになっている。尚、パッドコン
ディショナ17は、回動するのではなく、グリット盤1を
直角方向に移動させるような構成であってもよい。
The pad conditioner 17 is for polishing the polishing pad of the primary platen 16, and the grit disc 1 is rotatably attached to the tip of the pad conditioner via a position adjusting tool 18 as shown in FIG. . And A-A '
It is designed to rotate in the direction of the arrow. The pad conditioner 17 may be configured to move the grit disc 1 in a right angle direction instead of rotating.

【0022】スラリー供給ノズル19は、PHの高い硝酸
等の酸の化学研磨剤に研磨材を混合させたスラリーをプ
ライマリプラテン16上の研磨パッドに供給するノズルで
ある。ファイナルプラテン20は、回転可能な平坦な定盤
であり、ウェーハ表面に付着した研磨剤等を洗い落とす
ために設けられたものである。
The slurry supply nozzle 19 is a nozzle for supplying a slurry prepared by mixing an abrasive with a chemical abrasive such as nitric acid having a high PH to the polishing pad on the primary platen 16. The final platen 20 is a rotatable flat platen and is provided to wash off the polishing agent and the like adhering to the wafer surface.

【0023】純水供給ノズル21は、このファイナルプラ
テン20の表面に純水を供給するノズルである。アンロー
ドステーション22は、処理済みのウェーハ13を収納する
ウェーハカセットを載置するために設けられた場所であ
る。次に動作を説明する。
The pure water supply nozzle 21 is a nozzle for supplying pure water to the surface of the final platen 20. The unload station 22 is a place provided for mounting a wafer cassette that stores processed wafers 13. Next, the operation will be described.

【0024】研磨前のウェーハ13は、ウェーハカセット
にセットされてロードステーション12に載置される。ウ
ェーハ13は、ロボット等によりウェーハカセットから一
枚づつ取り出され、クリーンステーション14上に載置さ
れる。そしてアーム15によって吸着され、プライマリプ
ラテン16まで矢印方向に搬送される。プライマリプラテ
ン16は、常時、回転し、酸等の化学研磨剤に研磨材が混
合されたスラリがスラリー供給ノズル19からプライマリ
プラテン16の表面に供給される。ウェーハ13は、アーム
15によりプライマリプラテン16の表面に張り付けられた
研磨パッドに接触し、ウェーハ13の表面の金属層34は、
化学研磨剤及び微細な研磨剤によって研磨される。
The wafer 13 before polishing is set in the wafer cassette and placed on the load station 12. The wafers 13 are taken out one by one from the wafer cassette by a robot or the like and placed on the clean station 14. Then, it is adsorbed by the arm 15 and conveyed to the primary platen 16 in the arrow direction. The primary platen 16 is constantly rotated, and a slurry in which a polishing agent is mixed with a chemical polishing agent such as acid is supplied from the slurry supply nozzle 19 to the surface of the primary platen 16. Wafer 13 is arm
15 contacts the polishing pad attached to the surface of the primary platen 16 by 15, and the metal layer 34 on the surface of the wafer 13 is
It is polished by a chemical polishing agent and a fine polishing agent.

【0025】それと同時にパッドコンディショナ17は、
研磨パッド上で矢印A−A’方向に回動する。プライマ
リプラテン16が回転しているので、パッドコンディショ
ナ17の先端に取り付けられたグリット盤1は、プライマ
リプラテン16の回転に伴って回転する。また、グリット
盤1の基台2、ボンド4には、化学研磨剤に対して耐性
のものが用いられ、しかもボンド4にガラスボンドを使
用しているので、ダイヤモンドグリット3は基台2から
剥がれ落ちることなくしっかりと固定され、研磨パッド
はグリット盤1によって均一に研磨される。これにより
研磨パッドの平坦度は維持され、その表面がクリーニン
グされる。
At the same time, the pad conditioner 17
Rotate in the direction of arrow AA 'on the polishing pad. Since the primary platen 16 is rotating, the grit board 1 attached to the tip of the pad conditioner 17 rotates as the primary platen 16 rotates. Further, since the base 2 and the bond 4 of the grit board 1 are resistant to a chemical polishing agent and the glass bond is used for the bond 4, the diamond grit 3 is peeled from the base 2. It is firmly fixed without falling and the polishing pad is uniformly polished by the grit disc 1. This maintains the flatness of the polishing pad and cleans its surface.

【0026】ウェーハ13が研磨されて平坦な配線パター
ンが形成されると、ウェーハ13は、アーム17によりファ
イナルプラテン20まで搬送される。ファイナルプラテン
20は、常時、回転し、純水供給ノズル21からこのファイ
ナルプラテン20の表面に純水が供給される。ウェーハ13
の表面はこのファイナルプラテン20上で洗浄され、ウェ
ーハ13の表面に付着した研磨剤等は純水によりきれいに
洗い落とされる。
When the wafer 13 is polished to form a flat wiring pattern, the wafer 13 is carried to the final platen 20 by the arm 17. Final platen
The pure water is supplied to the surface of the final platen 20 from the pure water supply nozzle 21. Wafer 13
The surface of the wafer is cleaned on the final platen 20, and the polishing agent and the like adhering to the surface of the wafer 13 is cleaned off with pure water.

【0027】洗浄されたウェーハ13は、アーム15によっ
てアンロードステーション22まで搬送され、ここに載置
されたウェーハカセットに収納される。かかる構成によ
れば、基台2が化学研磨剤に対する耐性を有したジュラ
コン樹脂で形成され、化学研磨剤に対する耐性、密着性
に優れたガラスボンドでダイヤモンドグリット3が基台
2に接着されているので、ダイヤモンドグリット3が基
台2にしっかりと固定され、剥がれ落ちることもない。
The cleaned wafer 13 is transferred to the unload station 22 by the arm 15 and stored in the wafer cassette placed on the unload station 22. According to this structure, the base 2 is formed of the Duracon resin having resistance to the chemical polishing agent, and the diamond grit 3 is bonded to the base 2 with a glass bond having excellent resistance to the chemical polishing agent and excellent adhesion. Therefore, the diamond grit 3 is firmly fixed to the base 2 and is not peeled off.

【0028】また、ダイヤモンドグリット3を1層にし
て圧着し、その一部が基台2に埋め込まれているので、
さらにダイヤモンドグリット3を基台2に強固に固定す
ることができる。尚、本実施の形態では、ダイヤモンド
グリット3を基台2上に市松模様状に分布させたが、こ
れに限られるものではなく、効率よく研磨できるのであ
ればどのように分布させてもよい。
Since the diamond grit 3 is formed into a single layer and pressed, and a part of the diamond grit 3 is embedded in the base 2,
Further, the diamond grit 3 can be firmly fixed to the base 2. In the present embodiment, the diamond grit 3 is distributed on the base 2 in a checkered pattern, but the present invention is not limited to this, and any distribution may be used as long as it can be efficiently polished.

【0029】次に第2の実施の形態について説明する。
このものは、ダイヤモンドグリットを接着剤に混ぜて、
多層となるように基台に接着するようにしたものであ
る。図5は、第2の実施の形態を示す断面図である。こ
の図において、ダイヤモンドグリットは多層となって基
台上に接着され、接着剤の表面から露出している。
Next, a second embodiment will be described.
This one mixes diamond grit with glue,
It is configured so as to be adhered to the base so as to form a multi-layer. FIG. 5 is a sectional view showing the second embodiment. In this figure, the diamond grit is laminated in multiple layers and is adhered onto the base, and is exposed from the surface of the adhesive.

【0030】尚、本実施の形態では、図6に示すよう
に、グリット盤1の中央部に孔を設けてドーナツ状のグ
リット盤1を形成するものとする。第1の実施の形態の
ように、グリット盤1を円盤状にしてもよいが、グリッ
ト盤1が回転すると、その中央部と周辺部とで周速が異
なってくるため、ドーナツ状に形成した方が研磨パッド
をより均一に研磨することができるからである。
In this embodiment, as shown in FIG. 6, a donut-shaped grit disc 1 is formed by forming a hole in the central portion of the grit disc 1. As in the first embodiment, the grit disc 1 may be formed in a disc shape, but when the grit disc 1 rotates, the peripheral speeds of the central portion and the peripheral portion differ, so the grit disc 1 is formed in a donut shape. This is because the polishing pad can be more uniformly polished.

【0031】このグリット盤1は以下のような方法で形
成される。図7(A)に示すように、まず、基台2を形
成する。即ち、ガラス入りのベーク材25を型26に入れ、
ベーク材25を上から加圧する。基台2をこのように形成
するのは、基台2の平坦度を出すためである。また、ド
ーナツ状のグリット盤1を形成するため、型26には、孔
となる中央部の周囲に凹部を形成した型を用いる。
The grit disc 1 is formed by the following method. As shown in FIG. 7A, first, the base 2 is formed. That is, put the baking material 25 containing glass in the mold 26,
The bake material 25 is pressed from above. The base 2 is formed in this way in order to obtain the flatness of the base 2. Further, in order to form the doughnut-shaped grit disc 1, a mold having a concave portion formed around a central portion which becomes a hole is used as the mold 26.

【0032】次に、図7(B)に示すように、その上か
らダイヤモンドグリット3とボンド4とを型26に入れて
攪拌し、ダイヤモンドグリット3とボンド4とを混合す
る。その後、加圧して焼き入れする。焼き入れすること
によりダイヤモンドグリット3はボンド4と混合した状
態で固まる。固まったら、グリット盤1を型から外し、
ダイヤモンドグリット3とボンド4とのグリット面を、
例えばグリーンカーバイド等の研磨材で研磨する。この
グリーンカーバイドはダイヤモンドよりも軟らかいの
で、適度にボンド4を研磨し、ダイヤモンドグリット3
をボンド4から均一に露出させる。
Next, as shown in FIG. 7B, the diamond grit 3 and the bond 4 are put into the mold 26 from above and stirred to mix the diamond grit 3 and the bond 4. Then, pressurize and quench. By quenching, the diamond grit 3 mixes with the bond 4 and hardens. Once set, remove grit board 1 from the mold,
The grit surface of diamond grit 3 and bond 4
For example, it is polished with an abrasive such as green carbide. This green carbide is softer than diamond, so polish the bond 4 properly and use the diamond grit 3
Are uniformly exposed from the bond 4.

【0033】このようにしてダイヤモンドグリット3が
多層になったグリット盤1が形成される。図8に示すよ
うに、このグリット盤1を使用することによりダイヤモ
ンドグリット3が磨耗したときは、再度、グリーンカー
バイドで研磨する。これにより、ボンド4が研磨され、
磨耗した表面のダイヤモンドグリット3がとれ、その下
の新しいダイヤモンドグリット3’が露出してグリット
面が再生される。
In this way, the grit disk 1 in which the diamond grit 3 is multi-layered is formed. As shown in FIG. 8, when diamond grit 3 is worn by using this grit disc 1, it is ground again with green carbide. As a result, the bond 4 is polished,
The diamond grit 3 on the worn surface is removed, and a new diamond grit 3'underneath is exposed to regenerate the grit surface.

【0034】このように、第2の実施の形態の構成によ
れば、ダイヤモンドグリット3が磨耗しても、容易にグ
リット盤1のグリット面を再生することができ、グリッ
ト盤1の寿命を延ばすことができる。
As described above, according to the configuration of the second embodiment, even if the diamond grit 3 is worn, the grit surface of the grit disk 1 can be easily regenerated and the life of the grit disk 1 can be extended. be able to.

【0035】[0035]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1の発明に
かかるグリット盤によれば、基台、接着剤に、化学研磨
剤に対する耐性を有するものを用いているので、グリッ
トの剥がれ落ちを防止することができる。請求項2の発
明にかかるグリット盤によれば、基台が化学研磨剤で侵
されることがない。
As described above, according to the grit disk of the first aspect of the present invention, since the base and the adhesive have resistance to the chemical polishing agent, the grit peels off. Can be prevented. According to the grit disk of the invention of claim 2, the base is not attacked by the chemical polishing agent.

【0036】請求項3の発明にかかるグリット盤によれ
ば、グリットを基台にしっかりと固定することができ
る。請求項4の発明にかかるグリット盤によれば、グリ
ットが磨耗してもグリット面を再生することができ、グ
リット盤の寿命を延ばすことができる。請求項5の発明
にかかるグリット盤によれば、研磨盤を研磨するのに最
適である。
According to the grit disk of the third aspect of the present invention, the grit can be firmly fixed to the base. According to the grit disk of the fourth aspect, even if the grit is worn, the grit surface can be regenerated, and the life of the grit disk can be extended. The grit disk according to the invention of claim 5 is most suitable for polishing a polishing disk.

【0037】請求項6の発明にかかるグリット盤によれ
ば、密着性に優れたガラスボンドにより、グリットの基
台への密着性が向上する。請求項7の発明にかかるグリ
ット盤によれば、耐熱性に優れたレジンボンドにより研
磨する際の温度上昇によるグリットの基台からの剥がれ
落ちを防止することができる。
According to the grit disk of the sixth aspect of the present invention, the glass bond having excellent adhesion improves the adhesion of the grit to the base. According to the grit disk of the seventh aspect of the present invention, it is possible to prevent the grit from peeling off from the base due to a temperature rise during polishing with a resin bond having excellent heat resistance.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態のグリット盤の断面
図。
FIG. 1 is a sectional view of a grit disk according to a first embodiment of this invention.

【図2】図1の斜視図。FIG. 2 is a perspective view of FIG. 1;

【図3】図1のグリット盤を用いたCMP装置を示す平
面図。
FIG. 3 is a plan view showing a CMP apparatus using the grit disk of FIG.

【図4】同上斜視図。FIG. 4 is a perspective view of the same.

【図5】本発明の第2の実施の形態を示す断面図。FIG. 5 is a sectional view showing a second embodiment of the present invention.

【図6】図5のグリット盤の形状を示す斜視図。6 is a perspective view showing the shape of the grit disc of FIG.

【図7】図5のグリット盤の形成方法を示す図。FIG. 7 is a diagram showing a method for forming the grit disc of FIG.

【図8】図5の作用を説明するための断面図。FIG. 8 is a cross-sectional view for explaining the operation of FIG.

【図9】ウェーハの断面図。FIG. 9 is a sectional view of a wafer.

【図10】CMP装置によって研磨されるシリコン基板の
断面図。
FIG. 10 is a cross-sectional view of a silicon substrate polished by a CMP apparatus.

【図11】CMP装置の要部断面図。FIG. 11 is a cross-sectional view of a main part of the CMP apparatus.

【図12】従来のグリット盤の断面図。FIG. 12 is a cross-sectional view of a conventional grit board.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 グリット盤 2 基台 3 ダイヤモンドグリット 4 ボンド 1 Grit board 2 Base 3 Diamond grit 4 Bond

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】平坦で回転可能な研磨盤の盤面に化学研磨
剤を供給し、該研磨盤上で被研磨物の表面を研磨するケ
ミカルマシンポリッシャの該研磨盤を研磨するグリット
盤において、 前記化学研磨剤に対する耐性を有した樹脂で形成された
平坦な基台と、 該基台上の所定領域に均一に分布した前記研磨盤研磨用
のグリットと、 該グリットを基台に接着する化学研磨剤に対する耐性を
有した接着剤と、を備えたことを特徴とするケミカルマ
シンポリッシャの研磨盤研磨グリット盤。
1. A grit plate for polishing a polishing plate of a chemical machine polisher for supplying a chemical polishing agent to a plate surface of a flat and rotatable polishing plate and polishing the surface of an object to be polished on the polishing plate. A flat base formed of a resin having resistance to a chemical polishing agent, grit for polishing the polishing plate uniformly distributed in a predetermined area on the base, and chemical polishing for adhering the grit to the base. A polishing machine polishing grit machine for a chemical machine polisher, which comprises an adhesive having resistance to the agent.
【請求項2】前記基台に用いられる、化学研磨剤に対す
る耐性を有した樹脂は、ジュラコン系樹脂であることを
特徴とする請求項1に記載のケミカルマシンポリッシャ
の研磨盤研磨グリット盤。
2. The polishing machine polishing grit machine for a chemical machine polisher according to claim 1, wherein the resin having resistance to a chemical polishing agent used for the base is a Duracon resin.
【請求項3】前記グリットを基台に圧着して該グリット
の一部を基台に埋め込むように構成したことを特徴とす
る請求項1又は請求項2に記載のケミカルマシンポリッ
シャの研磨盤研磨グリット盤。
3. The polishing machine polishing of a chemical machine polisher according to claim 1, wherein the grit is pressure-bonded to a base so that a part of the grit is embedded in the base. Grit board.
【請求項4】前記グリットを接着剤に混ぜて、多層とな
るように基台に接着したことを特徴とする請求項1又は
請求項2に記載のケミカルマシンポリッシャの研磨盤研
磨グリット盤。
4. A polishing plate polishing grit plate for a chemical machine polisher according to claim 1, wherein the grit is mixed with an adhesive and adhered to the base so as to form a multi-layer structure.
【請求項5】前記グリットは、ダイヤモンドグリットで
あることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか1
つに記載のケミカルマシンポリッシャの研磨盤研磨グリ
ット盤。
5. The grit is diamond grit, according to any one of claims 1 to 4.
Chemical machine Polisher polishing machine polishing grit machine described in 1.
【請求項6】前記化学研磨剤に対する耐性を有した接着
剤は、ガラスボンドであることを特徴とする請求項1〜
請求項5のいずれか1つに記載のケミカルマシンポリッ
シャの研磨盤研磨グリット盤。
6. The adhesive having resistance to the chemical polishing agent is a glass bond.
A polishing machine polishing grit board of the chemical machine polisher according to claim 5.
【請求項7】前記化学研磨剤に対する耐性を有した接着
剤は、レジンボンドであることを特徴とする請求項1〜
請求項5のいずれか1つに記載のケミカルマシンポリッ
シャの研磨盤研磨グリット盤。
7. The adhesive having resistance to the chemical polishing agent is a resin bond.
A polishing machine polishing grit board of the chemical machine polisher according to claim 5.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103878683A (en) * 2014-03-06 2014-06-25 浙江工业大学 Grinding and polishing disk of multi-stage structure

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