JPH09319666A - Semiconductor file memory device - Google Patents

Semiconductor file memory device

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Publication number
JPH09319666A
JPH09319666A JP8138008A JP13800896A JPH09319666A JP H09319666 A JPH09319666 A JP H09319666A JP 8138008 A JP8138008 A JP 8138008A JP 13800896 A JP13800896 A JP 13800896A JP H09319666 A JPH09319666 A JP H09319666A
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JP
Japan
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address
write
storage device
file storage
spare area
Prior art date
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Application number
JP8138008A
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Japanese (ja)
Inventor
Shigeru Endo
滋 遠藤
Yuji Miura
雄二 三浦
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPH09319666A publication Critical patent/JPH09319666A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the erasure of data even at the time of power supply stop during write by defining a 2nd address corresponding to the 1st address of write request before write as an auxiliary area for write corresponding to the 2nd address writing data into the 1st write requested address. SOLUTION: At the time of formatting a file storage device, an address translation table 9 is prepared and all the 2nd addresses of blocks included in the auxiliary area for reload are set to an auxiliary area table 13 for write. '0' showing the leading position of that auxiliary area table 13 for write is set to an auxiliary area pointer 11 for write and the 2nd address at the position of '0' shown by that auxiliary area pointer 11 for write is updated to the 2nd address corresponding to the 1st write requested address before write. Thus, the erasure of data can be prevented even when trouble such as power supply stop is generated during write.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体ファイル記憶
装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor file storage device.

【0002】[0002]

【従来の技術】電話交換機における呼処理プログラム、
局データ、課金情報等を格納するファイル記憶装置とし
ては従来ハードディスクドライブ(以下HDDと呼ぶ)
を使用することが一般的であったが、HDDは機械的部
分の磨耗等により交換保守作業が必要となることから、
近年では電気的に動作する半導体メモリがファイル記憶
装置として使用されつつある。
2. Description of the Related Art A call processing program in a telephone exchange,
A conventional hard disk drive (hereinafter referred to as HDD) is used as a file storage device for storing station data, billing information, and the like.
It was common to use HDDs, but HDDs require replacement and maintenance work due to wear of mechanical parts, etc.
In recent years, electrically operating semiconductor memories are being used as file storage devices.

【0003】読み書き可能で、電源断時にも記憶内容を
保持する不揮発性を有するEEPROMやフラッシュメ
モリに代表される半導体メモリは、書き込み動作の前に
書き込み領域を一旦消去後書き込まなければならないた
め、書き込み前の消去後もしくは書き込み中に電源断等
の障害が発生すると書き込みデータ及び書き込み領域に
格納されていた既存データは消去してしまうため、高信
頼性が要求されるファイル記憶装置として使用するため
には、データ消去の保護をするための対策が欠かせな
い。
In a semiconductor memory, which is readable and writable and retains stored contents even when power is turned off, represented by a non-volatile EEPROM or flash memory, a write area must be erased and then written before a write operation. If a failure such as power failure occurs after the previous erasure or during writing, the write data and the existing data stored in the write area will be erased, so that it can be used as a file storage device that requires high reliability. In order to protect data erasure, measures are essential.

【0004】EEPROMやフラッシュメモリを用いた
ファイル記憶装置の書き込み時のデータ保護対策として
は、システムにバックアップ電源を備え、書き込み中の
電源断自体を防止するという方式がある。
As a data protection measure at the time of writing to a file storage device using an EEPROM or a flash memory, there is a system in which a backup power supply is provided in the system to prevent power-off itself during writing.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】書き込み動作の前にそ
の書き込む領域を消去する必要がある。フラッシュメモ
リでは、一般的に書き込み単位領域より消去領域の方が
広いため、データの書き替えの場合、消去単位領域のデ
ータを一度データの一時格納領域であるバッファメモリ
に格納し、書き込み単位領域を含む消去単位領域を消去
後書き込むのだが、データの消去後、書き込む前もしく
は書き込み中に電源断等の障害が発生すると揮発性であ
るバッファメモリに格納されたデータは失われてしま
い、装置の信頼性を低下させる為、高信頼性が要求され
る交換機のファイルメモリとしてフラッシュメモリを用
いるには何らかの対策が必要となる。
It is necessary to erase the write area before the write operation. In flash memory, the erase area is generally larger than the write unit area. Therefore, when rewriting data, the data in the erase unit area is temporarily stored in the buffer memory, which is a temporary storage area, and the write unit area is Although the erase unit area containing the data is written after erasing, if a failure such as power failure occurs after erasing the data and before or during writing, the data stored in the volatile buffer memory will be lost and the reliability of the device will be lost. Therefore, some measures are required to use a flash memory as a file memory of an exchange that requires high reliability.

【0006】先に示した従来技術では、電源断自体の発
生を防ぎ書き込み時のデータ保護を図っているが、この
方式ではバックアップ電源の保守、交換が必要となり、
経済的に望ましくない。
In the prior art shown above, the power failure itself is prevented and the data is protected at the time of writing. However, this method requires maintenance and replacement of the backup power source,
Not economically desirable.

【0007】本発明の目的は、半導体メモリを使用した
信頼性の高いファイル記憶装置を、経済的な構成及び簡
単な制御方式で実現することにある。
An object of the present invention is to realize a highly reliable file storage device using a semiconductor memory with an economical structure and a simple control system.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明では半導体メモリ
素子の書き込み時に、CPUからファイル記憶装置に対
して仮想的な位置を示す第一のアドレスに対応した半導
体メモリチップの実際の物理的な位置を示す第二のアド
レスに対して直接書き込むのではなく、第一のアドレス
に対応していない書き込み用予備領域の第二のアドレス
に書き込み、書き込み終了後、書き込み要求のあった第
一のアドレスにはデータを書き込みした第2のアドレス
に対応させ、書き込み要求のあった第一のアドレスに書
き込み前まで対応していた第2のアドレスを書き込み用
予備領域にする。
According to the present invention, when writing to a semiconductor memory device, the actual physical position of the semiconductor memory chip corresponding to a first address indicating a virtual position from the CPU with respect to the file storage device. , Instead of directly writing to the second address, write to the second address in the write spare area that does not correspond to the first address, and after writing is complete, write to the first address that requested Makes the second address in which the data is written correspond to the second address, and the second address corresponding to the first address for which the write request has been made before the writing is set as the write spare area.

【0009】以上の手段により書き込み時に電源断など
の障害が発生した場合でも、既存データは保護され、装
置の信頼性を高める。
By the above means, even if a failure such as power failure occurs during writing, existing data is protected and the reliability of the device is improved.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下、本発明による半導体ファイ
ル記憶装置の実施例として、構内電話交換機(以下PB
Xと呼ぶ)に使用するファイル記憶装置として、フラッ
シュメモリを用いてファイル記憶装置を構成した例を取
り上げ、図面を用いて詳細に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A private telephone exchange (hereinafter referred to as PB) will be described below as an embodiment of a semiconductor file storage device according to the present invention.
As an example of a file storage device used for X), a flash memory is used to configure the file storage device, and a detailed description will be given with reference to the drawings.

【0011】図1は本発明による半導体ファイル記憶装
置を使用したPBXのブロック図である。PBXは、多
くの端末(電話等)の中から通信を希望する端末を相互
に接続して通信を可能にするものであり、端末間は加入
者の端末(内線)に接続される内線回路1と、電話局
(一般には公衆電話網)とのインターフェースである局
線トランク3との間に設置した通話路スイッチ2により
つながれるもので、制御装置4は、通話路スイッチ2の
接続等を行いPBXを制御するもので、後で示すように
本発明による半導体ファイル記憶装置を備えている。図
2は、図1で示したPBXの制御装置4のブロック図で
あり、PBXを制御する中央処理制御部(以下CPU)
5と、CPU5の動作プログラムやデータが格納される
揮発性メモリで構成された主記憶装置(MM)6と、C
PU5のプログラムやデータを格納しておく本発明によ
る半導体ファイル記憶装置7により構成した。
FIG. 1 is a block diagram of a PBX using a semiconductor file storage device according to the present invention. The PBX connects terminals that desire communication from among many terminals (telephones, etc.) to enable communication, and the extension circuit 1 connected between the terminals to the subscriber's terminal (extension). And a call line switch 2 installed between a telephone line (generally a public telephone network) and an office line trunk 3 which is an interface with a telephone station (generally a public telephone network). The control device 4 connects the call line switch 2 and the like. It controls the PBX and is equipped with a semiconductor file storage device according to the present invention as will be described later. FIG. 2 is a block diagram of the control device 4 of the PBX shown in FIG. 1, and a central processing control unit (hereinafter CPU) that controls the PBX.
5, a main memory (MM) 6 composed of a volatile memory for storing the operation program and data of the CPU 5, and C
The semiconductor file storage device 7 according to the present invention stores the program and data of the PU 5.

【0012】PBXは、一般に24時間連続で使用され
るものであり、そこに使用されるファイル記憶装置は、
24時間通電されデータの書き替えは頻繁に行われてい
る。このため従来の機械的に動作するHDDでは、機械
的部分の耐久性の限界からある期間ごとにHDDを交換
する必要があったため、運用保守上メンテナンスフリー
が望まれることから、本発明で詳細に示すような、機械
的に動作しない半導体メモリ素子であるフラッシュメモ
リからなる半導体ファイル記憶装置の使用が適してい
る。フラッシュメモリは書き込み動作の前にその書き込
み領域を消去する必要があり、一般的に書き込み単位領
域より消去単位領域の方が広いため、データの書き替え
の場合、消去単位領域のデータを一度データの一時格納
領域であるバッファメモリに格納し、書き込み単位領域
を含む消去単位領域を消去後書き込みのだが、データの
消去後、書き込む前もしくは書き込み中に電源断等の障
害が発生すると揮発性であるバッファメモリに格納され
たデータ及び書き込み前の既存データは失われてしま
い、装置の信頼性を低下させるため、交換機のファイル
記憶装置としてフラッシュメモリを単純に使用するだけ
では高信頼性を実現できない。そこで、本発明による半
導体ファイル記憶装置が有効なものとなる。以下、本発
明による半導体ファイル記憶装置について説明する。
The PBX is generally used continuously for 24 hours, and the file storage device used therein is
Data is rewritten frequently after being energized for 24 hours. For this reason, in the conventional mechanically operated HDD, it is necessary to replace the HDD every certain period due to the limit of the durability of the mechanical portion, so that maintenance-free is desired in operation maintenance. It is suitable to use the semiconductor file storage device including a flash memory, which is a semiconductor memory device that does not operate mechanically as shown. In the flash memory, it is necessary to erase the write area before the write operation. Generally, the erase unit area is wider than the write unit area. It is stored in the buffer memory which is a temporary storage area, and the erase unit area including the write unit area is written after erasing, but it is volatile if a failure such as power failure occurs after erasing data, before writing or during writing. Since the data stored in the memory and the existing data before writing are lost and the reliability of the device is deteriorated, high reliability cannot be realized by simply using the flash memory as the file storage device of the exchange. Therefore, the semiconductor file storage device according to the present invention becomes effective. The semiconductor file storage device according to the present invention will be described below.

【0013】図3は本発明の半導体ファイル記憶装置の
ハードウェア構成の一例を示したブロック図である。本
発明のファイル記憶装置は、ファイル記憶装置内の制御
をするプロセッサ8と、図2で示したCPU5からファ
イル記憶装置の仮想的な位置付けを示す第1のアドレス
を、実際のフラッシュメモリチップにおける物理的な位
置である第2のアドレスに変換するアドレス変換テーブ
ル9と、書き換え用予備領域のフラッシュメモリの最小
消去単位であるブロック毎の第2のアドレスを格納する
書き替え用予備領域テーブル13と、書き替え用予備領
域テーブル13に格納された第2のアドレスの内、最初
に書き替え用予備領域として使用するブロックの第2の
アドレスの書き替え用予備領域テーブル13内格納位置
を示す書き替え用予備領域ポインタ11と、フラッシュ
メモリに読み書きするデータを一時的に格納するバッフ
ァメモリ10と、実際にプログラムやデータを格納する
フラシュメモリ12により構成した。図4はアドレス変
換テーブル9の構成例を示したテーブル説明図であり、
以下のように作成して使用するものとした。まず、プロ
セッサがファイル記憶装置のフォーマット(初期設定)
時にフラッシュメモリ12の第2のアドレスであるブロ
ックを順に消去、書き込み、読み出しを行い、ブロック
が正常に使用できるか調べ(フォーマットチェック)、
正常なブロックを示す第2のアドレスを第1のアドレス
に割り付けていく。ここで、チェック結果が正常でない
NGと判断されたブロックは、以後使用しないようにす
る。この割り付けを繰り返し行い、最大の第1のアドレ
スに対する第2のアドレスの割付が終了するとアドレス
変換テーブル9が完成する。CPU5がファイル記憶装
置に対して仮想的な位置を示す第1のアドレスによりア
クセスしてくると、プロセッサ8がアドレス変換テーブ
ル9を参照し、その第1のアドレスに対応する第2のア
ドレスが示すフラッシュメモリチップの実際の物理的な
位置にアクセスする。
FIG. 3 is a block diagram showing an example of the hardware configuration of the semiconductor file storage device of the present invention. In the file storage device of the present invention, the processor 8 for controlling the file storage device and the first address indicating the virtual positioning of the file storage device from the CPU 5 shown in FIG. Address conversion table 9 for converting into a second address which is a specific position, and a rewriting spare area table 13 for storing a second address for each block which is the minimum erase unit of the flash memory in the rewriting spare area, Of the second addresses stored in the rewriting spare area table 13, for rewriting indicating the storage position in the rewriting spare area table 13 of the second address of the block used as the spare area for rewriting first. A spare area pointer 11 and a buffer memory 10 for temporarily storing data to be read from and written to the flash memory Was constructed by flash memory 12 actually stores programs and data. FIG. 4 is a table explanatory view showing a configuration example of the address conversion table 9.
It was created and used as follows. First, the processor formats the file storage (default)
At times, the second address block of the flash memory 12 is sequentially erased, written, and read to check whether the block can be used normally (format check).
A second address indicating a normal block is assigned to the first address. Here, a block whose check result is not normal is not used thereafter. This allocation is repeated, and when the allocation of the second address to the maximum first address is completed, the address conversion table 9 is completed. When the CPU 5 accesses the file storage device with the first address indicating the virtual position, the processor 8 refers to the address conversion table 9 and indicates the second address corresponding to the first address. Access the actual physical location of the flash memory chip.

【0014】次に図5、図6を用いて本発明による半導
体ファイル記憶装置の動作について説明する。図5は半
導体ファイル記憶装置の書き込み処理のフローチャー
ト、図6は半導体ファイル記憶装置の書き込み処理のデ
ータ遷移図である。
Next, the operation of the semiconductor file storage device according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 5 is a flowchart of the writing process of the semiconductor file storage device, and FIG. 6 is a data transition diagram of the writing process of the semiconductor file storage device.

【0015】まず、ファイル記憶装置のフォーマット
(初期設定)時に、上述のようにアドレス変換テーブル
9を作成し、書き替え用予備領域内に含まれるブロック
の第2のアドレスを全て書き込み用予備領域テーブル1
3に設定し、書き込み用予備領域テーブル13の先頭位
置を示す「0」を書き込み用予備領域ポインタ11に設
定する。
First, when the file storage device is formatted (initial setting), the address conversion table 9 is created as described above, and all the second addresses of blocks included in the rewriting spare area are written in the spare area table for writing. 1
3 is set, and “0” indicating the start position of the write spare area table 13 is set in the write spare area pointer 11.

【0016】次に、図5、図6を用いて書き込み処理動
作を説明する。
Next, the write processing operation will be described with reference to FIGS.

【0017】(A)ファイル記憶装置に対しCPU5か
ら書き込み要求が発生すると、書き込みデータを一旦バ
ッファメモリ10に格納する{図5(a)、図6
(a)}。
(A) When the CPU 5 issues a write request to the file storage device, the write data is temporarily stored in the buffer memory 10 (FIGS. 5A and 6).
(A)}.

【0018】(B)書き込み用予備領域テーブル13内
の書き込み用予備領域ポインタ11が示す位置の第2の
アドレスであるブロックを消去する{図5(b)、図6
(b)}。
(B) Erase the block that is the second address at the position indicated by the write spare area pointer 11 in the write spare area table 13 (FIGS. 5B and 6).
(B)}.

【0019】(C)バッファメモリ10内の書き込みデ
ータを、消去した書き替え用予備領域に書き込む{図5
(c)、図6(c)}。
(C) The write data in the buffer memory 10 is written in the erased spare area for rewriting {FIG.
(C), FIG. 6 (c)}.

【0020】(D)書き込み要求のあった第1のアドレ
スに対応する第2のアドレスを、データを書き込んだ第
2のアドレスに対応するようにアドレス変換テーブル9
を更新する。書き込み予備領域テーブル13内位置の書
き込み予備領域ポインタ11が示す位置の第2のアドレ
スを、書き込み前まで書き込み要求のあった第1のアド
レスに対応していた第2のアドレスに更新する。書き込
み用予備領域ポインタ11を次のテーブル位置を示すよ
うに更新する{図5(d)、図6(d)}。
(D) The address conversion table 9 so that the second address corresponding to the first address for which the write request has been made corresponds to the second address at which the data has been written.
To update. The second address at the position indicated by the write spare area pointer 11 in the write spare area table 13 is updated to the second address corresponding to the first address for which the write request was made before the writing. The write spare area pointer 11 is updated to indicate the next table position {FIG. 5 (d), FIG. 6 (d)}.

【0021】本発明による半導体ファイル記憶装置の書
き込み処理ではCUP5からの書き込みデータを書き込
み用予備領域に書き込み、書き込み終了まで書き込み要
求のあった第1のアドレスに対応した第2のアドレス内
既存データはそのまま保存されているため、書き込み前
に消去処理が必要なフラッシュメモリを使用した半導体
ファイル記憶装置に対する書き込み中に電源断等の障害
が発生してもデータ消失の心配はなく、信頼性が大変高
まっている。すなわち、PBXのファイル記憶装置とし
て、本実施例による半導体ファイル記憶装置は非常に有
効である。
In the write processing of the semiconductor file storage device according to the present invention, the write data from the CUP 5 is written in the write spare area, and the existing data in the second address corresponding to the first address for which the write request is made until the end of writing is Since it is stored as it is, there is no concern about data loss even if a failure such as power failure occurs during writing to the semiconductor file storage device that uses flash memory that requires erasing before writing, and reliability is greatly improved. ing. That is, the semiconductor file storage device according to the present embodiment is very effective as a PBX file storage device.

【0022】[0022]

【発明の効果】本発明によれば、半導体ファイル記憶装
置への書き込み時に、書き込みデータは第1のアドレス
に対応した第2のアドレスに書き込むのではなく書き込
み用予備領域に書き込まれ、書き込み終了後第1のアド
レスには書き込みを行った元々書き込み用予備領域であ
った第2のアドレスに対応させ、元々対応していた第2
のアドレスを書き込み用予備領域にするため、書き込み
中に電源断などの障害が発生しても、書き込み元の既存
データは保護される。
According to the present invention, at the time of writing to the semiconductor file storage device, the write data is not written to the second address corresponding to the first address but is written to the write spare area, and after the writing is completed. The first address is made to correspond to the second address which was originally the write-use spare area in which writing was performed, and the second address which was originally made to correspond.
Since the address of is used as the spare area for writing, existing data of the writing source is protected even if a failure such as power failure occurs during writing.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の半導体ファイル記憶装置を用いたPB
Xのブロック図。
FIG. 1 is a PB using a semiconductor file storage device of the present invention.
Block diagram of X.

【図2】本発明のPBXの制御装置のブロック図。FIG. 2 is a block diagram of a PBX controller according to the present invention.

【図3】本発明の半導体ファイル記憶装置の構成を示す
ブロック図。
FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor file storage device of the present invention.

【図4】本発明の半導体ファイル記憶装置のアドレス変
換テーブルの説明図。
FIG. 4 is an explanatory diagram of an address conversion table of the semiconductor file storage device of the present invention.

【図5】本発明の半導体ファイル記憶装置の書き込み処
理のフローチャート。
FIG. 5 is a flowchart of a writing process of the semiconductor file storage device of the present invention.

【図6】本発明の半導体ファイル記憶装置の書き込み処
理のデータ遷移の説明図。
FIG. 6 is an explanatory diagram of data transition of write processing of the semiconductor file storage device of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

5…中央制御装置、 6…主記憶装置、 7…半導体ファイル記憶装置、 8…プロセッサ、 9…アドレス変換テーブル、 10…バッファメモリ、 11…書き込み用予備領域ポインタ、 12…フラッシュメモリ、 13…書き込み用予備領域テーブル。 5 ... Central control device, 6 ... Main memory device, 7 ... Semiconductor file memory device, 8 ... Processor, 9 ... Address conversion table, 10 ... Buffer memory, 11 ... Write spare area pointer, 12 ... Flash memory, 13 ... Write Spare area table.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】プロセッサと、主記憶装置と、電気的に書
き替え可能かつ不揮発性を有するランダムアクセス可能
な半導体メモリ素子を複数個用いて構成した記憶装置を
備えてなる半導体ファイル記憶装置において、前記プロ
セッサから前記ファイル記憶装置をアクセスするための
第1のアドレスを入力し、前記第1のアドレスに対応し
て前記ファイル記憶装置を構成する前記半導体メモリ素
子の物理的な位置を示す第2のアドレスに変換するアド
レス変換手段と、前記ファイル記憶装置を制御する制御
プロセッサと、前記第1のアドレスに対応した第2のア
ドレス領域以外に書き込み用予備領域として、一つ以上
の所定の容量を有する記憶領域を備え、前記プロセッサ
から前記ファイル記憶装置に対して書き込み要求が発生
すると、前記制御プロセッサは、書き込みデータを前記
書き込み用予備領域に書き込み、書き込み要求のあった
前記第1のアドレスに対応した前記第2のアドレスを書
き込み用予備領域に、前記書き込みデータを書き込みし
た書き込み用予備領域の前記第2のアドレスを、書き込
み要求のあった前記第1のアドレスに対応する前記第2
のアドレスにすることを特徴とする半導体ファイル記憶
装置。
1. A semiconductor file storage device comprising a processor, a main storage device, and a storage device configured by using a plurality of electrically rewritable and nonvolatile nonvolatile semiconductor memory elements. A second address for inputting a first address for accessing the file storage device from the processor and indicating a physical position of the semiconductor memory element forming the file storage device corresponding to the first address is provided. Address conversion means for converting to an address, a control processor for controlling the file storage device, and one or more predetermined capacities as spare areas for writing other than the second address area corresponding to the first address When a write request is issued from the processor to the file storage device, the control is provided. The processor writes write data in the write spare area, writes the second address corresponding to the first address for which a write request has been made in the write spare area, and writes the write data in the write spare area. The second address corresponds to the second address corresponding to the first address for which a write request has been made.
The semiconductor file storage device is characterized in that
【請求項2】前記ファイル記憶装置の書き込み用予備領
域の管理手段として、前記書き込み用予備領域内に含ま
れる前記第2のアドレスを全て格納する管理テーブルを
備え、前記プロセッサから前記ファイル記憶装置に対し
て書き込み要求が発生すると、前記制御プロセッサは、
テーブル内に格納されている前記第2のアドレスを書き
込み用予備領域として使用し、書き込み終了後、書き込
み要求のあった前記第1のアドレスに対応した前記第2
のアドレスを書き込み用予備領域に書き込みデータを書
き込みした書き込み用予備領域の前記第2のアドレス
を、書き込み要求のあった前記第1のアドレスに対応す
る前記第2のアドレスにする請求項1に記載の半導体フ
ァイル記憶装置。
2. A management table for storing all the second addresses included in the write spare area is provided as a management means for the write spare area of the file storage device, and the management table is stored in the file storage device from the processor. When a write request is issued to the control processor, the control processor
The second address stored in the table is used as a spare area for writing, and after the writing is completed, the second address corresponding to the first address for which a write request is made.
2. The second address of the write spare area where the write data is written in the write spare area is set to the second address corresponding to the first address for which the write request is made. Semiconductor file storage device.
【請求項3】前記半導体ファイル記憶装置の前記書き込
み用予備領域の管理テーブルの管理手段として、前記管
理テーブル内の前記書き込み用予備領域として使用する
テーブル位置を示すポインタを備え、前記管理テーブル
内に格納された前記第2のアドレスを、書き込み用予備
領域として使用する順序と変更量を可変とした請求項1
または2に記載の半導体ファイル記憶装置。
3. A management table managing means for managing the spare write area of the semiconductor file storage device is provided with a pointer indicating a table position used as the spare write area in the management table. The order and the amount of change of the stored second address to be used as a write spare area are variable.
Alternatively, the semiconductor file storage device according to item 2.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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