JPH09314895A - Ion flow head - Google Patents

Ion flow head

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Publication number
JPH09314895A
JPH09314895A JP16101296A JP16101296A JPH09314895A JP H09314895 A JPH09314895 A JP H09314895A JP 16101296 A JP16101296 A JP 16101296A JP 16101296 A JP16101296 A JP 16101296A JP H09314895 A JPH09314895 A JP H09314895A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ion
ions
slit
electrodes
charge
Prior art date
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Pending
Application number
JP16101296A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masatoshi Noguchi
野口雅敏
Masatoshi Iguchi
井口正俊
Mitsuru Yokoyama
満 横山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Graphtec Corp
Original Assignee
Graphtec Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Graphtec Corp filed Critical Graphtec Corp
Priority to JP16101296A priority Critical patent/JPH09314895A/en
Publication of JPH09314895A publication Critical patent/JPH09314895A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable the rapid passage and obstruction of desired ions by eliminating the charge caused by the adhesion of ions to the surface of a slit by lowering the surface resistance value of the slit becoming the ion passage from an ion generating part generating ions by discharge. SOLUTION: The surface of an ion passage is coated with a resistance coating agent to form a charge preventing film 181 and the surface resistivity thereof is adjusted to '10<10> Ω or less' generating no charge. In this case, it is pref. to form the charge preventing film 181 so as to connect the same to either one of first and second control electrodes 171, 172. By this constitution, since ions are rapidly absorbed by either one of the electrodes 171, 172 even if bonded to the ion passage of a slit 18, charge is not accumulated. In this case, the charge preventing film 181 may be formed regardless of the electrodes 171, 172 to be grounded.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、イオンフロー記録装
置等に使用されるイオンフローヘッドに関するもので発
生させたイオンを効率良く利用することを目的としたも
のである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ion flow head used in an ion flow recording device or the like, and an object thereof is to efficiently use ions generated.

【0002】[0002]

【従来の技術】図3は、従来のイオンフローヘッドの一
例を示す構成図である。図中、11は上部絶縁基板、1
2は放電電極、13は上部誘電体、141及び142は
それぞれ左右絶縁基板、15は下部絶縁基板、16は下
部誘電体、171は第1の制御(共通)電極、172は
第2の制御電極、18はスリット、20は交流電源であ
る。このイオンフローヘッドは、図3に示すように上下
及び左右絶縁基板により囲まれた内部空間(イオン室)
を有する。
2. Description of the Related Art FIG. 3 is a block diagram showing an example of a conventional ion flow head. In the figure, 11 is an upper insulating substrate, 1
2 is a discharge electrode, 13 is an upper dielectric, 141 and 142 are left and right insulating substrates, 15 is a lower insulating substrate, 16 is a lower dielectric, 171 is a first control (common) electrode, and 172 is a second control electrode. , 18 is a slit, and 20 is an AC power supply. This ion flow head has an internal space (ion chamber) surrounded by upper and lower and left and right insulating substrates as shown in FIG.
Having.

【0003】上部絶縁基板11の下面には交流電源20
に接続された一対の放電電極12が例えば圧膜印刷方式
により形成されている。そして、この放電電極対12の
表面を覆うように上部誘電体13が設けられている。放
電電極対12に印加される高電圧により放電現象が生じ
イオン室内の空気を電離してイオンを発生させる。した
がって、これらはイオン発生部を形成する。
An AC power source 20 is provided on the lower surface of the upper insulating substrate 11.
A pair of discharge electrodes 12 connected to is formed by, for example, a pressure film printing method. An upper dielectric 13 is provided so as to cover the surface of the discharge electrode pair 12. The high voltage applied to the discharge electrode pair 12 causes a discharge phenomenon to ionize the air in the ion chamber to generate ions. Therefore, these form an ion generating part.

【0004】下部絶縁基板15の中央部にはイオン室内
に存在するイオンの外部への通過路となるスリット18
が設けられている。そして、このスリット18の近傍の
下部絶縁基板15の上面に第2の制御電極172、下部
誘電体16及び第1の制御電極171がこの順で形成さ
れている。
A slit 18 is formed in the central portion of the lower insulating substrate 15 and serves as a passage for the ions existing in the ion chamber to the outside.
Is provided. Then, on the upper surface of the lower insulating substrate 15 near the slit 18, the second control electrode 172, the lower dielectric 16 and the first control electrode 171 are formed in this order.

【0005】第1の制御電極171は通常一連のベタ電
極として構成され所定の電位V1に維持されて共通電極
として動作するよう構成される。また、第2の制御電極
172は、例えばこのイオンフローヘッドを記録ヘッド
として用いる場合、スリット18を挟んで対向するよう
配置される。このように対向配置された第2の制御電極
対が記録単位となる記録ドットを定義する。したがっ
て、これらの第2の制御電極対172を記録幅方向すな
わち図3の場合には紙面に垂直な方向に複数並列配置す
ることで記録ヘッドを構成することができる。
The first control electrode 171 is normally constructed as a series of solid electrodes, is maintained at a predetermined potential V1, and is constructed so as to operate as a common electrode. The second control electrodes 172 are arranged so as to face each other with the slit 18 in between when the ion flow head is used as a recording head. In this way, the second control electrode pair arranged so as to face each other defines a recording dot as a recording unit. Therefore, the recording head can be configured by arranging a plurality of these second control electrode pairs 172 in parallel in the recording width direction, that is, in the direction perpendicular to the paper surface in the case of FIG.

【0006】そして、作用させるべき記録ドットに対応
する第2の制御電極対172のみに電位V2(V2>V
1)を、他の第2の制御電極対172に電位V1を印加
する。これにより、作用させるべき記録ドットを定義す
るスリット18のイオン通過路のみに下方から上方に向
かう電界が生じる(他のイオン通過路には電界は生じな
い)。すなわち、イオン室内のより多くの負イオンを外
方に導く電界(正イオンについては閉じ込める作用をす
る電界)が生じ、図示しない電荷受像媒体に所望のイオ
ンによるイオン像を描くことができる。
The potential V2 (V2> V) is applied only to the second control electrode pair 172 corresponding to the recording dot to be operated.
1), the potential V1 is applied to the other second control electrode pair 172. As a result, an electric field from the lower side to the upper side is generated only in the ion passage of the slit 18 that defines the recording dot to be acted on (no electric field is generated in other ion passages). That is, an electric field for guiding more negative ions in the ion chamber to the outside (an electric field for confining positive ions) is generated, and an ion image of desired ions can be drawn on a charge receiving medium (not shown).

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】以上に示すように、第
1、第2の制御電極からなるイオン制御部は、イオンの
照射のオンオフを行うスイッチング作用を有するもので
ある。記録装置に使用する場合など高速かつクリアな画
像を描くためには、このスイッチング作用を際立たせる
ことが必要である。すなわち、所望のイオンについて上
記スリット18内を通過させる場合にはより多くの所望
のイオンを速やかに通過させる必要があり、また逆の場
合には所望のイオンの通過を十分に阻止できることが望
ましい。
As described above, the ion control section including the first and second control electrodes has a switching action for turning on / off the irradiation of ions. In order to draw a high-speed and clear image when it is used in a recording device, it is necessary to emphasize this switching action. That is, when desired ions are allowed to pass through the slit 18, more desired ions must be allowed to pass quickly, and in the opposite case, it is desirable that sufficient passage of desired ions can be blocked.

【0008】しかしながら、従来のこの種のイオンフロ
ーヘッドにおいては、図2に示すように、スリット18
のイオン通過路を構成する誘電体16(第1、第2の制
御電極支持体)面にイオンが付着してしまうことがあっ
た。第1、第2の制御電極171、172の間のスリッ
ト18内面に付着したイオンに生ぜられる電界がこれら
の電極間の電界に影響を及ぼし、上述したスイッチング
作用のクリアさが損なわれる欠点があった。この発明
は、この点を改善するためになされたものである。
However, in the conventional ion flow head of this type, as shown in FIG.
In some cases, the ions adhered to the surface of the dielectric 16 (the first and second control electrode supports) forming the ion passage. There is a drawback that the electric field generated by the ions attached to the inner surface of the slit 18 between the first and second control electrodes 171 and 172 affects the electric field between these electrodes, and the clearness of the above-mentioned switching action is impaired. It was The present invention has been made to improve this point.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】このため、この発明で
は、放電によりイオンを発生するイオン発生部と、この
イオン発生部からのイオン通過路となるスリットと、こ
のスリットに近接して一対の制御電極を設置しこれらの
電極に所定の電位差を付与して上記イオン発生部で発生
したイオンに所定の電界を与えて所望のイオンの選択的
取り出し作用を行うイオン制御部を有したイオンフロー
ヘッドにおいて、上記スリットのイオン通過路表面の表
面抵抗値を低くした。
For this reason, according to the present invention, an ion generating portion for generating ions by discharge, a slit serving as an ion passageway from the ion generating portion, and a pair of control elements close to the slit are provided. In an ion flow head having an ion control unit that is provided with electrodes and applies a predetermined potential difference to these electrodes to apply a predetermined electric field to the ions generated in the ion generation unit to selectively extract desired ions. The surface resistance value of the surface of the ion passage of the slit was lowered.

【0010】[0010]

【作用】イオン通過路表面の表面抵抗値を低くしたの
で、この通過路表面にイオンが付着して帯電することが
防止されるので、所望のイオン通過のオンオフ制御をク
リアに行うことができる。
Since the surface resistance of the surface of the ion passage is lowered, it is possible to prevent the ions from adhering to the surface of the passage and being charged, so that the desired on / off control of the passage of ions can be performed clearly.

【0011】[0011]

【実施例】以下、本発明について図面を参照して説明す
る。図1はこの発明の第1実施例を示す構成説明図であ
る。この実施例装置においては、イオン通過路の表面に
帯電防止膜181を設けている。この帯電防止膜181
は、この実施例装置では、抵抗塗料を塗布して形成して
いる。そして、その表面抵抗率が帯電が起こらない「〜
10の10乗Ω以下」となるよう調整している。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a structural explanatory view showing a first embodiment of the present invention. In this embodiment, the antistatic film 181 is provided on the surface of the ion passage. This antistatic film 181
Is formed by applying resistance paint in this embodiment. And the surface resistivity is such that charging does not occur "~
The value is adjusted to be 10 10 Ω or less ”.

【0012】この場合において、この帯電防止膜181
を第1、第2のいずれかの制御電極171、172に接
続するよう形成することが望ましい。このように構成す
ることで、スリット18のイオン通過路にイオンが付着
したとしても速やかにいずれかの電極171、172に
吸収されるため、電荷の蓄積が起こることはない。な
お、この場合において、電極171、172とは無関係
に帯電防止膜181を形成し、この帯電防止膜181を
接地するようにしてもよい。
In this case, the antistatic film 181
Is preferably formed so as to be connected to either one of the first and second control electrodes 171 and 172. With this configuration, even if the ions adhere to the ion passage of the slit 18, they are quickly absorbed by either of the electrodes 171 and 172, so that no charge is accumulated. In this case, the antistatic film 181 may be formed regardless of the electrodes 171 and 172, and the antistatic film 181 may be grounded.

【0013】また、以上のようにイオン通過路表面に帯
電防止膜を形成するものとは異なる方法として、スリッ
ト18が形成される部材そのものを低抵抗部材とするよ
うにしてもよい。この低抵抗部材としては、硬質塩化ビ
ニール材等の高分子材料に除電材(カーボン微粒子等)
を混入させて成形した材料を使用することができる。な
お、この場合においてもスリット18の表面の表面抵抗
率は「〜10の10乗Ω以下」にするとともに接地する
ことが望ましい。
As a method different from the method of forming the antistatic film on the surface of the ion passage as described above, the member itself in which the slit 18 is formed may be a low resistance member. As the low resistance member, a polymer material such as a hard vinyl chloride material and a static eliminator (carbon fine particles, etc.) are used.
It is possible to use a material formed by mixing the above. Even in this case, it is desirable that the surface resistivity of the surface of the slit 18 be "10 to the power of 10 or less" and be grounded.

【0014】[0014]

【発明の効果】以上、この発明によればイオンの出口と
なるスリット18の表面抵抗を低く形成したので、この
スリット表面にイオンが付着して帯電することがなく、
所望のイオンの速やかな通過及び阻止が可能になる利点
があり、記録装置等に使用することで切れの良い画像を
描くことができる。
As described above, according to the present invention, since the surface resistance of the slit 18 serving as an ion outlet is made low, ions are not attached to the surface of the slit to be charged.
It has an advantage that desired ions can be quickly passed and blocked, and a sharp image can be drawn by using it in a recording device or the like.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1実施例を示す構成説明図である。FIG. 1 is a configuration explanatory view showing a first embodiment of the present invention.

【図2】従来のイオンフローヘッドのスリット部構成を
示す構成説明図である。
FIG. 2 is a configuration explanatory view showing a configuration of a slit portion of a conventional ion flow head.

【図3】従来のイオンフローヘッドの全体の構成を示す
説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing an overall configuration of a conventional ion flow head.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

171:第1の制御電極(共通電極) 171:第2
の制御電極 18:スリット 181:低抵抗面
171: First control electrode (common electrode) 171: Second
Control electrode 18: Slit 181: Low resistance surface

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】放電によりイオンを発生するイオン発生部
と、このイオン発生部からのイオン通過路となるスリッ
トと、このスリットに近接して一対の制御電極を設置し
これらの電極に所定の電位差を付与して上記イオン発生
部で発生したイオンに所定の電界を与えて所望のイオン
の選択的取り出し作用を行うイオン制御部を有したイオ
ンフローヘッドにおいて、 上記スリットのイオン通過路表面の表面抵抗値を低くし
たことことを特徴とするイオンフローヘッド。
1. An ion generating part for generating ions by discharge, a slit serving as an ion passageway from the ion generating part, and a pair of control electrodes provided in proximity to the slit, and a predetermined potential difference between these electrodes. In the ion flow head having an ion control unit that imparts a predetermined electric field to the ions generated in the ion generation unit to selectively extract desired ions, the surface resistance of the surface of the ion passage of the slit. Ion flow head characterized by a low value.
JP16101296A 1996-05-31 1996-05-31 Ion flow head Pending JPH09314895A (en)

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