JPH09311664A - Light emitting element controller using pnpn thyristor structure, controlling method therefor, and storage medium thereof - Google Patents

Light emitting element controller using pnpn thyristor structure, controlling method therefor, and storage medium thereof

Info

Publication number
JPH09311664A
JPH09311664A JP12598696A JP12598696A JPH09311664A JP H09311664 A JPH09311664 A JP H09311664A JP 12598696 A JP12598696 A JP 12598696A JP 12598696 A JP12598696 A JP 12598696A JP H09311664 A JPH09311664 A JP H09311664A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting element
light
cathode
light emission
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12598696A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Mitsuru Amimoto
満 網本
Toshihiko Otsubo
俊彦 大坪
Shigeo Hatake
茂雄 畠
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP12598696A priority Critical patent/JPH09311664A/en
Publication of JPH09311664A publication Critical patent/JPH09311664A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To approximately correct the luminance deviation between a plurality of light emitting elements so as to dispense with previous characteristic measurement. SOLUTION: For controlling the light quantity of a light emitting element array using a PNPN thyristor structure, the cathode resistance of a light emitting element is measured during light emission of a light emitting element Sr1, and the cathode resistance measurement result is fed back to a light emission control signal, so that a luminance deviation between respective light emitting elements is corrected approximatively. For example, a voltage V and a current I of the light emitting element are detected, and the voltage V and the current I are passed through a logarithmic conversion unit U3, a differential arithmetic unit U4, and an inverse logarithmic conversion unit U5, and as a result, a cathode resistance R(=V/I) of the light emitting element is obtained. The resistance R is inputted into one side of the comparison unit U6, while to the other terminal, a value C obtained by integrating an inverted pulse of the image data is inputted. When the resistance R corresponds to the value C, an output D of the unit U6 is reversed so as to turn off the light emitting element via an OR gate G1. Therefore, a lighting time is shortened as the resistance R lowered further (that is, as the light emitting luminance is larger).

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、PNPNサイリス
タ構造を用いた発光素子の制御装置、その制御方法およ
び記憶媒体に関し、その発光素子を利用した製品、例え
ば発光素子を直線状に配置して、露光装置として利用し
ている電子写真式画像形成装置(例えば、LED複写
機、LEDプリンタ)などに好適である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting element control device using a PNPN thyristor structure, a control method therefor, and a storage medium, and a product using the light emitting element, for example, a light emitting element arranged linearly, It is suitable for an electrophotographic image forming apparatus (for example, an LED copying machine or an LED printer) used as an exposure apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】電子写真方式の露光装置に利用される発
光素子には、例えばLEDアレイがある。各々のLED
(発光ダイオード)は、それぞれ発光輝度にばらつきが
あり、このばらつきを補正するために、従来では、あら
かじめそれぞれのLEDの発光特性を測定した後、この
測定結果をメモリに記憶しておき、露光実行時に、その
記憶情報をメモリから読みだして、LEDアレイの発光
を補正制御している。
2. Description of the Related Art A light emitting device used in an electrophotographic exposure apparatus is, for example, an LED array. Each LED
Each (light emitting diode) has a variation in light emission brightness. In order to correct this variation, conventionally, after measuring the light emission characteristics of each LED in advance, the measurement result is stored in a memory and exposure is performed. At that time, the stored information is read from the memory and the light emission of the LED array is corrected and controlled.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来例では、あらかじめLEDの発光特性を測定してメ
モリ等に記憶しておくので、測定を行う作業と、メモリ
などの記憶手段とが必要となる。
However, in the above-mentioned conventional example, since the light emission characteristic of the LED is measured and stored in the memory or the like in advance, the work of performing the measurement and the storage means such as the memory are required. Become.

【0004】本発明は、上記の点に鑑みてなされたもの
で、その目的は複数の発光素子の制御において、記憶手
段を用いずに各々の発光素子の輝度ばらつきを近似的に
補正することができるようにすることにある。
The present invention has been made in view of the above points, and an object thereof is to approximately correct the luminance variation of each light emitting element in the control of a plurality of light emitting elements without using a storage means. To be able to do it.

【0005】また、本発明の更なる目的は、点灯開始と
同時にリアルタイムで上記補正制御をできるようにし
て、あらかじめ各々の輝度を測定して記憶するような測
定作業を不要にし、製品生産の効率の向上を図ることに
ある。
Further, a further object of the present invention is to enable the above-mentioned correction control in real time at the same time as the start of lighting, thereby eliminating the need for a measuring operation for measuring and storing each brightness in advance, thereby improving the efficiency of product production. Is to improve.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明では、PNPNサイリスタ構造を用いた発光
素子アレイでは発光輝度と発光素子のカソード抵抗とで
相関があることを利用して、発光素子の発光中に、発光
素子のカソード抵抗を測定し、このカソード抵抗測定結
果を発光制御信号に帰還して、発光を制御している。
In order to achieve the above object, the present invention utilizes the fact that in a light emitting device array using a PNPN thyristor structure, there is a correlation between the emission brightness and the cathode resistance of the light emitting device, and During the light emission of the element, the cathode resistance of the light emitting element is measured, and the cathode resistance measurement result is fed back to the light emission control signal to control the light emission.

【0007】本発明は、上記構成により、各々の発光素
子の輝度ばらつきを近似的に補正でき、点灯開始と同時
にリアルタイムでこの補正制御を行うことができる。
According to the present invention, with the above structure, the variation in brightness of each light emitting element can be approximately corrected, and this correction control can be performed in real time at the same time as the start of lighting.

【0008】更に詳細には、本発明は、PNPNサイリ
スタ構造を用いた発光素子の制御装置において、PNP
Nサイリスタ構造を用いた発光素子と、該発光素子の発
光を制御する発光制御信号を出力する信号発生手段と、
前記発光素子のカソード抵抗を測定する測定手段と、前
記発光素子の発光中に、前記カソード抵抗を前記測定手
段により測定し、該測定結果を前記発光制御信号に帰還
して、前記発光素子の発光を制御する制御手段とを有す
る。
More specifically, the present invention relates to a control device for a light emitting element using a PNPN thyristor structure, which is a PNP.
A light emitting element using an N thyristor structure, and a signal generating means for outputting a light emission control signal for controlling light emission of the light emitting element,
Measuring means for measuring the cathode resistance of the light emitting element, and measuring the cathode resistance by the measuring means while the light emitting element is emitting light, and feeding back the measurement result to the light emission control signal to cause the light emitting element to emit light. And control means for controlling.

【0009】本発明は、好適なその一形態として、前記
測定手段は、前記発光素子のカソード電圧を検出する電
圧検出手段と、前記発光素子のカソード電流を検出する
電流検出手段と、前記電圧検出手段の出力と前記電流検
出手段の出力をそれぞれ対数変換する対数変換手段と、
該対数変換手段のそれぞれの出力を差分演算する差分演
算手段と、該差分演算手段の出力を逆対数変換する逆対
数変換手段とを有し、該逆対数変換手段の出力が前記測
定結果に相当することを特徴とすることができる。ま
た、その別の形態として、前記測定手段は、前記発光素
子のカソード電圧を検出する電圧検出手段と、前記発光
素子のカソード電流を検出する電流検出手段と、前記電
圧検出手段の出力と前記電流検出手段の出力から前記発
光素子のカソード抵抗値を演算する演算手段とを有する
とすることもできる。
As a preferred form of the present invention, the measuring means includes a voltage detecting means for detecting a cathode voltage of the light emitting element, a current detecting means for detecting a cathode current of the light emitting element, and the voltage detecting means. Logarithmic conversion means for respectively logarithmically converting the output of the means and the output of the current detection means,
The logarithmic conversion means has a difference calculation means for calculating a difference between the outputs and an inverse logarithmic conversion means for performing an inverse logarithmic conversion on the output of the difference calculation means, and the output of the antilogarithmic conversion means corresponds to the measurement result. It can be characterized by: As another form thereof, the measuring means includes a voltage detecting means for detecting a cathode voltage of the light emitting element, a current detecting means for detecting a cathode current of the light emitting element, an output of the voltage detecting means and the current. It is also possible to have a calculating means for calculating the cathode resistance value of the light emitting element from the output of the detecting means.

【0010】また、本発明は、好適な形態として、前記
制御手段は、前記発光制御信号を積分する積分手段と、
前記測定手段の測定出力と前記積分手段の出力を比較す
る比較手段と、前記比較手段の比較結果により前記発光
制御信号を抑制する論理手段とを有することを特徴とす
ることができる。
In a preferred mode of the present invention, the control means includes an integration means for integrating the light emission control signal,
It may be characterized by further comprising: comparing means for comparing the measurement output of the measuring means with the output of the integrating means; and logic means for suppressing the light emission control signal according to the comparison result of the comparing means.

【0011】また、本発明は、好ましい実施形態とし
て、前記発光制御信号は画像信号であることを特徴とす
ることができる。さらに、前記発光素子は、電子写真式
プリンタの露光装置を構成する発光素子アレイであると
することができる。また、前記発光素子は、電子写真式
プリント機構を内蔵した電子機器のプリント露光装置を
構成する発光素子アレイであるとすることもできる。そ
の前記電子写真式プリント機構を内蔵した電子機器は一
例としてファクシミリ装置であるとすることができる。
また、前記発光素子は、表示装置を構成する発光素子で
あるとすることもできる。
In a preferred embodiment of the present invention, the light emission control signal is an image signal. Further, the light emitting element can be a light emitting element array that constitutes an exposure device of an electrophotographic printer. Further, the light emitting element may be a light emitting element array which constitutes a print exposure apparatus of an electronic device having a built-in electrophotographic printing mechanism. The electronic device incorporating the electrophotographic printing mechanism may be, for example, a facsimile machine.
Further, the light emitting element may be a light emitting element that constitutes a display device.

【0012】本発明の方法は、PNPNサイリスタ構造
を用いた発光素子の制御方法において、発光サイリスタ
のカソード抵抗と発光輝度に相関があることを利用し
て、発光素子の発光中に、該発光素子のカソード抵抗を
測定し、該カソード抵抗の測定結果を該発光素子の発光
制御信号に帰還することで、各々の発光素子の輝度ばら
つきを近似的に補正する。そして、前記発光素子の発光
中に、前記発光素子のカソード抵抗を測定する測定ステ
ップと、前記測定ステップでの測定結果を前記発光制御
信号に帰還して、前記発光素子の発光を制御する制御ス
テップとを有することを特徴とすることができる。
According to the method of the present invention, in the method of controlling a light emitting device using a PNPN thyristor structure, the fact that there is a correlation between the cathode resistance of the light emitting thyristor and the light emission brightness is utilized, and the light emitting device is emitting light during the light emission. The cathode resistance is measured and the measurement result of the cathode resistance is fed back to the light emission control signal of the light emitting element to approximately correct the luminance variation of each light emitting element. Then, during the light emission of the light emitting element, a measurement step of measuring the cathode resistance of the light emitting element, and a control step of returning the measurement result of the measurement step to the light emission control signal to control the light emission of the light emitting element. And can have.

【0013】また、本発明の方法は、その好適な態様と
して、前記測定ステップは、前記発光素子のカソード電
圧を検出する電圧検出ステップと、前記発光素子のカソ
ード電流を検出する電流検出ステップと、前記電圧検出
ステップでの検出結果をそれぞれ対数変換する対数変換
ステップと、該対数変換ステップでのそれぞれの対数変
換結果を差分演算する差分演算ステップと、該差分演算
ステップでの演算結果を逆対数変換する逆対数変換ステ
ップとを有する。また、前記測定ステップは、前記発光
素子のカソード電圧を検出する電圧検出ステップと、前
記発光素子のカソード電流を検出する電流検出ステップ
と、前記電圧検出ステップでの検出結果と前記電流検出
ステップの検出結果から前記発光素子のカソード抵抗値
を演算する演算ステップとを有するとすることもでき
る。
In a preferred mode of the method of the present invention, the measuring step includes a voltage detecting step of detecting a cathode voltage of the light emitting element, and a current detecting step of detecting a cathode current of the light emitting element, A logarithmic conversion step for logarithmically converting the detection result in the voltage detection step, a difference calculation step for calculating a difference between the logarithmic conversion results in the logarithmic conversion step, and an inverse logarithmic conversion for the calculation result in the difference calculation step. And an inverse logarithmic transformation step. The measuring step includes a voltage detecting step of detecting a cathode voltage of the light emitting element, a current detecting step of detecting a cathode current of the light emitting element, a detection result of the voltage detecting step and a detection of the current detecting step. And a calculation step for calculating the cathode resistance value of the light emitting element from the result.

【0014】さらに、本発明の方法において、前記制御
ステップは、前記発光制御信号を積分する積分ステップ
と、前記測定ステップでの測定結果と前記積分での積分
結果を比較する比較ステップと、前記比較ステップでの
比較結果により前記発光制御信号を抑制する点灯制御ス
テップとを有することを特徴とすることができる。
Further, in the method of the present invention, the control step includes an integration step of integrating the light emission control signal, a comparison step of comparing the measurement result of the measurement step with an integration result of the integration, and the comparison. A lighting control step of suppressing the light emission control signal according to the comparison result of the step can be included.

【0015】本発明の方法の上記各ステップの処理手順
を記憶した記憶媒体は本発明に含まれる。
A storage medium storing the processing procedure of each step of the method of the present invention is included in the present invention.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0017】本発明の実施形態で使用したPNPNサイ
リスタ構造を用いた発光素子アレイの回路構成を図1に
示す。この発光素子アレイの発光素子は、発光点のシフ
トレジスタ機能を果たすことのできる自己走査型発光素
子(Self-scanning Light Emitting Device ;以下、S
LEDと称する)と呼ばれるものである。
FIG. 1 shows a circuit configuration of a light emitting element array using the PNPN thyristor structure used in the embodiment of the present invention. The light emitting elements of this light emitting element array are Self-scanning Light Emitting Devices (S:
It is called as LED).

【0018】このSLEDは、文献:特開平1−238
962号公報,特開平2−208067号公報,特開平
2−212170号公報,特開平3−20457号公
報,特開平3−194968号公報,特開平4−587
2号公報,特開平4−23367号公報,特開平4−2
96579号公報,特開平5−84971号公報、ジャ
パンハードコピー’91(A−17)「駆動回路を集積
した光プリンタ用発光素子アレイ」、および電子情報通
信学会・春季大会予稿集(’90.3.5)「PNPN
サイリスタ構造を用いた自己走査型発光素子(SLE
D)」等で紹介されている。
This SLED is disclosed in the literature: JP-A-1-238.
No. 962, No. 2-208067, No. 2-212170, No. 3-20457, No. 3-1994968, No. 4-587.
No. 2, JP-A-4-23367, JP-A-4-2.
96579, JP-A-5-84797, Japan Hardcopy '91 (A-17) "Light Emitting Element Array for Optical Printer Integrated with Driving Circuit", and Proceedings of IEICE Spring Conference ('90. 3.5) "PNPN
Self-scanning light emitting device (SLE) using thyristor structure
D) ”etc.

【0019】図1を参照して、このSLEDの構成を説
明する。各発光サイリスタT(1)〜T(5)は図1に
示すように、PNPN4層構造で、両側に2つのエミッ
タ層、中間に2つのベース層があり、基板(P形)がア
ノード1となり、エミッタ層である最上層(N形)にカ
ソード電極2がつき、ベース層であるP形中間層にゲー
ト電極3がついている。
The structure of this SLED will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 1, each of the light emitting thyristors T (1) to T (5) has a PNPN4 layer structure, has two emitter layers on both sides and two base layers in the middle, and the substrate (P type) serves as the anode 1. The cathode electrode 2 is attached to the uppermost layer (N type) which is the emitter layer, and the gate electrode 3 is attached to the P type intermediate layer which is the base layer.

【0020】サイリスタのアノードとカソード間にS字
負性抵抗特性ができており、そのカソードのターンオフ
電圧Vc-onは、ゲート電圧VG に依存することが知られ
ている。即ち、
It is known that an S-shaped negative resistance characteristic is formed between the anode and the cathode of the thyristor, and the turn-off voltage V c-on of the cathode depends on the gate voltage VG. That is,

【0021】[0021]

【数1】 Vc-on=VG −Vdif (Vdif :拡散電位) (1) と表される。サイリスタをターンオフさせるには、カソ
ード電圧をゼロボルトまで引き上げればよい。また、オ
ン状態のゲート端子は、アノード電位(ゼロボルト)ま
で引き上げられる。
## EQU1 ## V c-on = V G -V dif (V dif : diffusion potential) (1) To turn off the thyristor, the cathode voltage can be raised to zero volts. The gate terminal in the ON state is pulled up to the anode potential (zero volt).

【0022】SLEDである発光サイリスタのT(1)
からT(5)までのゲート端子3は、ダイオードDを介
して順次接続され、また負荷抵抗PL を通して電源VGA
に接続される。
T (1) of a light emitting thyristor which is an SLED
Gate terminals 3 from T to T (5) are sequentially connected via a diode D, and a power supply VGA is connected through a load resistance PL.
Connected to.

【0023】図2は、図1のSLEDに印加するパルス
を示す。転送動作のために転送クロックΦ1,Φ2がカ
ソード2に印加される。転送クロックΦ1が印加される
のはT(1),T(3)およびT(5)のサイリスタで
あり、転送クロックΦ2が印加されるのはT(2)およ
びT(4)のサイリスタである。転送開始にあたって
は、スタートパルスΦSがゲート3に印加される。
FIG. 2 shows the pulses applied to the SLED of FIG. Transfer clocks Φ1 and Φ2 are applied to the cathode 2 for the transfer operation. The transfer clock Φ1 is applied to the thyristors of T (1), T (3) and T (5), and the transfer clock Φ2 is applied to the thyristors of T (2) and T (4). . At the start of transfer, a start pulse ΦS is applied to the gate 3.

【0024】今、T(3)のサイリスタがΦ1クロック
のローレベル電圧によってオン状態であるとすると、オ
ン状態のゲート電位(ゼロボルト)は、ダイオードDを
通して、右隣のサイリスタT(4)に影響を与える。次
のΦ2クロックのローレベル電圧によって、右隣の素子
のみ選択的にターンオフされるため、右方向への発光の
転送が可能となる。
Now, assuming that the thyristor of T (3) is in the ON state by the low level voltage of the Φ1 clock, the gate potential (zero volt) in the ON state affects the thyristor T (4) on the right side through the diode D. give. Since only the element on the right side is selectively turned off by the low-level voltage of the next Φ2 clock, light emission can be transferred rightward.

【0025】図3は、発光サイリスタの上記のシフトレ
ジスタ機能と発光機能とを利用して、同一ウエハ上に発
光用サイリスタSr1〜Sr5と、この発光用サイリス
タを駆動するシフト用サイリスタ(転送用サイリスタ)
Sr1´〜Sr5´とを組み合わせた電子写真プリンタ
用SLEDの等価回路を示す。図2に示すパルスΦS,
Φ1,Φ2及び画像データに応じてパルスΦDをそれぞ
れの信号ラインに印加することで、画像データに応じた
発光サイリスタのみをオンできる。
FIG. 3 shows the light emitting thyristors Sr1 to Sr5 and the shift thyristor (transfer thyristor) for driving the light emitting thyristors on the same wafer by utilizing the above-described shift register function and light emitting function of the light emitting thyristors. )
The equivalent circuit of SLED for electrophotographic printers which combined Sr1'-Sr5 'is shown. The pulse ΦS shown in FIG.
By applying the pulse ΦD to each signal line according to Φ1, Φ2 and the image data, only the light emitting thyristor corresponding to the image data can be turned on.

【0026】上記の発光サイリスタの発光光量の制御
は、カソード電流の制御、あるいは、発光時間の制御を
することで行える。通常、各々の発光サイリスタは発光
効率がばらつくことから、電子写真プリンタ等に用いる
場合には、各々の発光サイリスタの光量を均一にするた
めの補正を行う必要がある。
The amount of light emitted from the light emitting thyristor can be controlled by controlling the cathode current or controlling the light emitting time. Usually, since the light emitting thyristors have different light emitting efficiencies, when used in an electrophotographic printer or the like, it is necessary to make a correction to make the light amounts of the respective light emitting thyristors uniform.

【0027】本発明においては、発光サイリスタのカソ
ード抵抗と発光輝度に相関があることを利用して、近似
的に光量均一のための補正を行う。カソード抵抗と輝度
はゆるやかな逆比例関係にあることがすでに分かってい
る。
In the present invention, the correlation for the cathode resistance of the light-emitting thyristor and the light-emission brightness is utilized to make an approximate correction for the light amount. It is already known that the cathode resistance and the brightness have a gentle inverse proportional relationship.

【0028】図4に本発明の一実施形態の発光制御回路
の構成を示す。画像データパルスのΦDがORゲートG
1の一方の端子に印加されると、PNPトランジスタT
r1がONして、発光サイリスタSr1を点灯させる。
電圧検出ユニットU1と、電流検出ユニットU2とによ
り発光サイリスタSr1の電圧と電流が検出され、それ
ぞれの検出値V,Iはそれぞれの対数(Log)変換ユ
ニットU3を通して、それぞれLogV,LogIの値
に変換される。
FIG. 4 shows the configuration of a light emission control circuit according to an embodiment of the present invention. ΦD of image data pulse is OR gate G
1 is applied to one terminal of the PNP transistor T
r1 is turned on, and the light emitting thyristor Sr1 is turned on.
The voltage and current of the light emitting thyristor Sr1 are detected by the voltage detection unit U1 and the current detection unit U2, and the respective detection values V and I are converted into LogV and LogI values through the respective logarithmic (Log) conversion units U3. To be done.

【0029】このLogV,LogIはさらに差分演算
ユニットU4においてLog(V/I)に演算されたあ
と、逆対数(Log-1)変換ユニットU5により、V/
Iすなわち抵抗値Rに変換される。この抵抗値Rは発光
サイリスタSr1のカソード抵抗の測定値に当る。
These LogV and LogI are further calculated to Log (V / I) in the difference calculation unit U4, and then V / V is calculated by the inverse logarithm (Log-1) conversion unit U5.
I, that is, the resistance value R is converted. The resistance value R corresponds to the measured value of the cathode resistance of the light emitting thyristor Sr1.

【0030】このRの値は、比較ユニットU6のマイナ
ス側に入力される。一方、画像データパルスΦDは、一
対の反転ゲートG2を通して積分ユニットU7にも入力
されている。このため、発光サイリスタSr1のONと
同時に積分ユニットU7の出力は時間と共に増加してい
く。積分ユニットU7の出力は、比較ユニットU6のプ
ラス側に入力され、この入力値がRの値を越えると、比
較ユニットU6の出力は反転する。この比較ユニットU
6の出力はORゲートG1の他方の端子に入力され、そ
の出力が反転した時点で、発光サイリスタSr1を消灯
するように働く。
The value of R is input to the minus side of the comparison unit U6. On the other hand, the image data pulse ΦD is also input to the integration unit U7 through the pair of inversion gates G2. Therefore, the output of the integration unit U7 increases with time at the same time when the light emitting thyristor Sr1 is turned on. The output of the integrating unit U7 is input to the plus side of the comparing unit U6, and when the input value exceeds the value of R, the output of the comparing unit U6 is inverted. This comparison unit U
The output of 6 is input to the other terminal of the OR gate G1, and when the output is inverted, it operates to turn off the light emitting thyristor Sr1.

【0031】図5は画像データパルスΦDと上記のOR
ゲートG1の出力点Aの波形、上記の比較ユニットU6
のマイナス入力のB点、プラス入力のC点、出力のD点
の波形をそれぞれ示す。
FIG. 5 shows the image data pulse ΦD and the above-mentioned OR.
Waveform of the output point A of the gate G1, the above comparison unit U6
Waveforms of a negative input point B, a positive input point C, and an output point D are shown respectively.

【0032】以上述べた構成により、抵抗値の小さい発
光サイリスタ、すなわち発光輝度の高い発光サイリスタ
になるほど、点灯時間が短くなり、近似的に発光サイリ
スタの光量を均一に補正できる。また、SLEDでは発
光サイリスタは連続的につながった構造になっているの
で、この図4の回路は、1つのSLEDチップに対し
て、1回路で済む。
With the configuration described above, the light emitting thyristor having a smaller resistance value, that is, the light emitting thyristor having a higher light emission luminance, has a shorter lighting time, and the light quantity of the light emitting thyristor can be approximately uniformly corrected. Further, in the SLED, since the light emitting thyristors are continuously connected, the circuit of FIG. 4 is required to be one circuit for one SLED chip.

【0033】(他の実施形態)本発明の制御装置は図4
の実施形態の構成のものに限定されない。例えば、電圧
検出ユニットU1と電流検出ユニットU2の出力をA/
D変換器でデジタル信号にし、そのデジタル信号と画像
データの反転信号をワンチップCPUに入力して、その
CPU内で発光素子のカソード抵抗Rの演算、また反転
信号の積算、その積算値とRの値との比較を行うことに
より、ORゲートG1に出力する消灯のための制御信号
を生成することも可能である。
(Other Embodiments) The control device of the present invention is shown in FIG.
It is not limited to the configuration of the embodiment. For example, the outputs of the voltage detection unit U1 and the current detection unit U2 are
The digital signal is converted by the D converter, the inverted signal of the digital signal and the image data is input to the one-chip CPU, the cathode resistance R of the light-emitting element is calculated in the CPU, the inversion signal is integrated, and the integrated value and R It is also possible to generate a control signal for extinguishing, which is output to the OR gate G1 by making a comparison with the value of.

【0034】また、図4の実施形態では複数のユニット
から構成されているとしたが、図4の制御回路全体をワ
ンチップにIC化して1つのユニットとすることも可能
である。
Further, although the embodiment of FIG. 4 is composed of a plurality of units, it is also possible to integrate the entire control circuit of FIG. 4 into a single chip to form one unit.

【0035】また、上述の本発明の実施形態では発光素
子の発光輝度ばらつきの補正のため制御として発光時間
を制御する構成としたが、発光素子のカソード電流を制
御するようにしてもよい。
Further, in the above-described embodiment of the present invention, the light emission time is controlled as the control for correcting the variation in the light emission luminance of the light emitting element, but the cathode current of the light emitting element may be controlled.

【0036】本発明は複数の発光素子を用いる機器に好
適である。従って、上記実施形態で例示したLED(発
光ダイオード)プリンタばかりでなく、マトリックス形
LEDディスプレイなどの表示用にも好適である。更
に、本発明は、プリンタだけでなく、プリント機構を内
蔵した複写機、ファクシミリ装置、発券機等の各種機器
に適用できる。本発明は、複数の機器から構成されるシ
ステムに適用しても、1つの機器からなる装置に適用し
ても良い。また、本発明はシステム或は装置にプログラ
ムを供給することによって達成する場合にも適用できる
ことは言うまでもない。この場合、本発明を達成するた
めのソフトウエアによって表されるプログラムを格納し
た記憶媒体を該システム或は装置に読み出すことによっ
て、そのシステム或は装置が、本発明の効果を享受する
ことが可能となる。
The present invention is suitable for a device using a plurality of light emitting elements. Therefore, it is suitable not only for the LED (light emitting diode) printer exemplified in the above embodiment but also for display of a matrix type LED display and the like. Further, the present invention can be applied not only to a printer but also to various devices such as a copying machine, a facsimile machine, a ticket issuing machine, etc., which incorporates a printing mechanism. The present invention may be applied to a system including a plurality of devices or an apparatus including one device. Further, it goes without saying that the present invention can be applied to the case where it is achieved by supplying a program to a system or an apparatus. In this case, by reading a storage medium storing a program represented by software for achieving the present invention into the system or the apparatus, the system or the apparatus can enjoy the effects of the present invention. Becomes

【0037】[0037]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
PNPNサイリスタ構造を用いた発光素子アレイの光量
を制御するにあたって、発光素子の発光中に、発光素子
のカソード抵抗を測定し、カソード抵抗測定結果を発光
制御信号に帰還することで、各々の発光素子の輝度ばら
つきを近似的に補正することができる。
As described above, according to the present invention,
In controlling the light quantity of the light emitting element array using the PNPN thyristor structure, the cathode resistance of the light emitting element is measured during the light emission of the light emitting element, and the cathode resistance measurement result is fed back to the light emission control signal, thereby each light emitting element. It is possible to approximately correct the brightness variation.

【0038】また、本発明は、点灯開始と同時にリアル
タイムで補正制御を行うことが可能であるので、あらか
じめ各々の輝度を測定し記憶するような作業が不要とな
り、製品生産の効率を向上することができる。
Further, according to the present invention, since the correction control can be performed in real time at the same time as the start of lighting, the work of previously measuring and storing each luminance is unnecessary, and the efficiency of product production is improved. You can

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施形態で使用したSLEDの構成
を示す概略回路図である。
FIG. 1 is a schematic circuit diagram showing a configuration of an SLED used in an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施形態で使用したSLEDに印加
するパルスの波形を示す波形図である。
FIG. 2 is a waveform diagram showing a waveform of a pulse applied to the SLED used in the embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施形態で使用した電子写真プリン
ター用SLEDの等価回路を示す回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of an SLED for an electrophotographic printer used in an embodiment of the present invention.

【図4】本発明の一実施形態での発光制御回路の構成を
示す回路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration of a light emission control circuit according to an embodiment of the present invention.

【図5】図4の発光制御回路の出力波形を示す波形図で
ある。
5 is a waveform diagram showing an output waveform of the light emission control circuit of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

G1 ORゲート G2 反転ゲート Tr1 トランジスタ Sr1 発光サイリスタ U1 電圧検出ユニット U2 電流検出ユニット U3 対数変換ユニット U4 差分演算ユニット U5 逆対数変換ユニット U6 比較ユニット U7 積分ユニット G1 OR gate G2 Inversion gate Tr1 Transistor Sr1 Light emitting thyristor U1 Voltage detection unit U2 Current detection unit U3 Logarithmic conversion unit U4 Difference calculation unit U5 Inverse logarithmic conversion unit U6 Comparison unit U7 Integration unit

Claims (15)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 PNPNサイリスタ構造を用いた発光素
子の制御装置において、 PNPNサイリスタ構造を用いた発光素子と、 該発光素子の発光を制御する発光制御信号を出力する信
号発生手段と、 前記発光素子のカソード抵抗を測定する測定手段と、 前記発光素子の発光中に、前記カソード抵抗を前記測定
手段により測定し、該測定結果を前記発光制御信号に帰
還して、前記発光素子の発光を制御する制御手段とを有
することを特徴とする発光素子の制御装置。
1. A light emitting element control device using a PNPN thyristor structure, a light emitting element using the PNPN thyristor structure, a signal generating means for outputting a light emission control signal for controlling light emission of the light emitting element, and the light emitting element. Measuring means for measuring the cathode resistance of the light emitting element, the cathode resistance is measured by the measuring means during light emission of the light emitting element, and the measurement result is fed back to the light emission control signal to control the light emission of the light emitting element. A control device for a light emitting element, comprising: a control means.
【請求項2】 請求項1の記載において、前記測定手段
は、 前記発光素子のカソード電圧を検出する電圧検出手段
と、 前記発光素子のカソード電流を検出する電流検出手段
と、 前記電圧検出手段の出力と前記電流検出手段の出力をそ
れぞれ対数変換する対数変換手段と、 該対数変換手段のそれぞれの出力を差分演算する差分演
算手段と、 該差分演算手段の出力を逆対数変換する逆対数変換手段
とを有し、 該逆対数変換手段の出力が前記測定結果に相当すること
を特徴とする発光素子の制御装置。
2. The measuring means according to claim 1, wherein the measuring means includes a voltage detecting means for detecting a cathode voltage of the light emitting element, a current detecting means for detecting a cathode current of the light emitting element, and a voltage detecting means of the voltage detecting means. Logarithmic conversion means for logarithmically converting the output and the output of the current detection means, difference calculation means for calculating the difference between the outputs of the logarithmic conversion means, and antilogarithmic conversion means for inverse logarithmic conversion of the output of the difference calculation means. And the output of the antilogarithmic conversion means corresponds to the measurement result.
【請求項3】 請求項1の記載において、前記測定手段
は、 前記発光素子のカソード電圧を検出する電圧検出手段
と、 前記発光素子のカソード電流を検出する電流検出手段
と、 前記電圧検出手段の出力と前記電流検出手段の出力から
前記発光素子のカソード抵抗値を演算する演算手段とを
有することを特徴とする発光素子の制御装置。
3. The measuring means according to claim 1, wherein the measuring means includes a voltage detecting means for detecting a cathode voltage of the light emitting element, a current detecting means for detecting a cathode current of the light emitting element, and a voltage detecting means of the voltage detecting means. A control device for a light emitting element, comprising: an output and an arithmetic means for calculating a cathode resistance value of the light emitting element from an output of the current detecting means.
【請求項4】 請求項1ないし3のいずれかの記載にお
いて、前記制御手段は、 前記発光制御信号を積分する積分手段と、 前記測定手段の測定出力と前記積分手段の出力を比較す
る比較手段と、 前記比較手段の比較結果により前記発光制御信号を抑制
する論理手段とを有することを特徴とする発光素子の制
御装置。
4. The control unit according to claim 1, wherein the control unit integrates the light emission control signal, and a comparison unit compares the measurement output of the measurement unit and the output of the integration unit. And a logic unit that suppresses the light emission control signal according to the comparison result of the comparison unit.
【請求項5】 請求項1ないし4のいずれかの記載にお
いて、前記発光制御信号は画像信号であることを特徴と
する発光素子の制御装置。
5. The control device for a light emitting element according to claim 1, wherein the light emission control signal is an image signal.
【請求項6】 請求項1ないし4のいずれかの記載にお
いて、前記発光素子は、電子写真式プリンタの露光装置
を構成する発光素子アレイであることを特徴とする発光
素子の制御装置。
6. The light emitting element control device according to claim 1, wherein the light emitting element is a light emitting element array that constitutes an exposure device of an electrophotographic printer.
【請求項7】 請求項1ないし4のいずれかの記載にお
いて、前記発光素子は、電子写真式プリント機構を内蔵
した電子機器のプリント露光装置を構成する発光素子ア
レイであることを特徴とする発光素子の制御装置。
7. The light-emitting element according to claim 1, wherein the light-emitting element is a light-emitting element array that constitutes a print exposure apparatus of an electronic device having a built-in electrophotographic printing mechanism. Device control device.
【請求項8】 請求項7の記載において、前記電子写真
式プリント機構を内蔵した電子機器はファクシミリ装置
であることを特徴とする発光素子の制御装置。
8. The control device for a light-emitting element according to claim 7, wherein the electronic device incorporating the electrophotographic printing mechanism is a facsimile device.
【請求項9】 請求項1ないし4のいずれかの記載にお
いて、前記発光素子は、表示装置を構成する発光素子ア
レイであることを特徴とする発光素子の制御装置。
9. The light emitting element control device according to claim 1, wherein the light emitting element is a light emitting element array constituting a display device.
【請求項10】 PNPNサイリスタ構造を用いた発光
素子の制御方法において、 発光サイリスタのカソード抵抗と発光輝度に相関がある
ことを利用して、発光素子の発光中に、該発光素子のカ
ソード抵抗を測定し、該カソード抵抗の測定結果を該発
光素子の発光制御信号に帰還することで、各々の発光素
子の輝度ばらつきを近似的に補正することを特徴とする
発光素子の制御方法。
10. A method of controlling a light emitting device using a PNPN thyristor structure, wherein the cathode resistance of the light emitting device is controlled during the light emission of the light emitting device by utilizing the fact that the cathode resistance of the light emitting thyristor and the emission brightness are correlated. A method of controlling a light emitting element, comprising: measuring and measuring the cathode resistance and feeding back the result of the measurement to a light emission control signal of the light emitting element to approximately correct the luminance variation of each light emitting element.
【請求項11】 請求項10の記載において、 前記発光素子の発光中に、前記発光素子のカソード抵抗
を測定する測定ステップと、 前記測定ステップでの測定結果を前記発光制御信号に帰
還して、前記発光素子の発光を制御する制御ステップと
を有することを特徴とする発光素子の制御方法。
11. The measurement step of measuring the cathode resistance of the light emitting element during the light emission of the light emitting element, the measurement result of the measurement step being fed back to the light emission control signal according to claim 10. And a control step of controlling light emission of the light emitting element.
【請求項12】 請求項11の記載において、前記測定
ステップは、 前記発光素子のカソード電圧を検出する電圧検出ステッ
プと、 前記発光素子のカソード電流を検出する電流検出ステッ
プと、 前記電圧検出ステップでの検出結果をそれぞれ対数変換
する対数変換ステップと、 該対数変換ステップでのそれぞれの対数変換結果を差分
演算する差分演算ステップと、 該差分演算ステップでの演算結果を逆対数変換する逆対
数変換ステップとを有することを特徴とする発光素子の
制御方法。
12. The measuring step according to claim 11, wherein the measuring step includes a voltage detecting step of detecting a cathode voltage of the light emitting element, a current detecting step of detecting a cathode current of the light emitting element, and the voltage detecting step. A logarithmic conversion step for performing logarithmic conversion of each detection result, a difference operation step for performing a difference operation for each logarithmic conversion result in the logarithmic conversion step, and an inverse logarithmic conversion step for performing an inverse logarithmic conversion on the operation result in the difference operation step A method for controlling a light-emitting element, comprising:
【請求項13】 請求項11の記載において、前記測定
ステップは、 前記発光素子のカソード電圧を検出する電圧検出ステッ
プと、 前記発光素子のカソード電流を検出する電流検出ステッ
プと、 前記電圧検出ステップでの検出結果と前記電流検出ステ
ップの検出結果から前記発光素子のカソード抵抗値を演
算する演算ステップとを有することを特徴とする発光素
子の制御方法。
13. The measuring method according to claim 11, wherein the measuring step includes a voltage detecting step of detecting a cathode voltage of the light emitting element, a current detecting step of detecting a cathode current of the light emitting element, and the voltage detecting step. And a calculation step of calculating a cathode resistance value of the light emitting element from the detection result of the current detection step and the detection result of the current detection step.
【請求項14】 請求項11ないし13のいずれかの記
載において、前記制御ステップは、 前記発光制御信号を積分する積分ステップと、 前記測定ステップでの測定結果と前記積分での積分結果
を比較する比較ステップと、 前記比較ステップでの比較結果により前記発光制御信号
を抑制する点灯制御ステップとを有することを特徴とす
る発光素子の制御方法。
14. The control step according to claim 11, wherein the control step compares an integration step of integrating the light emission control signal with a measurement result of the measurement step and an integration result of the integration. A method of controlling a light emitting element, comprising: a comparison step; and a lighting control step of suppressing the light emission control signal based on a comparison result of the comparison step.
【請求項15】 請求項11ないし14のいずれかに記
載の各ステップの処理手順を記憶したことを特徴とする
記憶媒体。
15. A storage medium storing the processing procedure of each step according to any one of claims 11 to 14.
JP12598696A 1996-05-21 1996-05-21 Light emitting element controller using pnpn thyristor structure, controlling method therefor, and storage medium thereof Pending JPH09311664A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12598696A JPH09311664A (en) 1996-05-21 1996-05-21 Light emitting element controller using pnpn thyristor structure, controlling method therefor, and storage medium thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12598696A JPH09311664A (en) 1996-05-21 1996-05-21 Light emitting element controller using pnpn thyristor structure, controlling method therefor, and storage medium thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09311664A true JPH09311664A (en) 1997-12-02

Family

ID=14923906

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12598696A Pending JPH09311664A (en) 1996-05-21 1996-05-21 Light emitting element controller using pnpn thyristor structure, controlling method therefor, and storage medium thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH09311664A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001287393A (en) * 2000-04-06 2001-10-16 Nippon Sheet Glass Co Ltd Method of driving self-scanning type light emitting element array
WO2001076883A1 (en) * 2000-04-06 2001-10-18 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Method for driving self-scanning light-emitting device array
US6323887B1 (en) * 1999-01-18 2001-11-27 Canon Kabushiki Kaisha Color image forming apparatus driving a recording-element array and a method for controlling the same
US6657651B2 (en) * 2000-03-16 2003-12-02 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Optical writing head and method of correcting the deviation of a line of light spots

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6323887B1 (en) * 1999-01-18 2001-11-27 Canon Kabushiki Kaisha Color image forming apparatus driving a recording-element array and a method for controlling the same
US6657651B2 (en) * 2000-03-16 2003-12-02 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Optical writing head and method of correcting the deviation of a line of light spots
JP2001287393A (en) * 2000-04-06 2001-10-16 Nippon Sheet Glass Co Ltd Method of driving self-scanning type light emitting element array
WO2001076883A1 (en) * 2000-04-06 2001-10-18 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Method for driving self-scanning light-emitting device array
KR100760173B1 (en) * 2000-04-06 2007-09-20 후지제롯쿠스 가부시끼가이샤 Method for driving self-scanning light-emitting device array

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS63270167A (en) Image forming method
JPS6371373A (en) Driver ic and recording head
US7692842B2 (en) Electro-optical device, electronic apparatus, and driving method
JPH09311664A (en) Light emitting element controller using pnpn thyristor structure, controlling method therefor, and storage medium thereof
JPS62218155A (en) Led array head
TW491774B (en) Correction method for line offset of optical pick-up and optical dots
JPH07223337A (en) Method of correcting optical conversion efficiency of led picture element in digital printer and led print bar
EP0367550B1 (en) A drive circuit for a printer
JP2527820B2 (en) Edge emitting EL printer
JP2648400B2 (en) Image processing device
JP3300033B2 (en) Light emitting element print head drive circuit
US20080055296A1 (en) Electro-optical device, method of driving the same, and electronic apparatus
JP2004106206A (en) Image forming apparatus
JPH09199760A (en) Light quantity control system and its method
JP4693199B2 (en) Recording device
JPS6356469A (en) Driver for light-emitting diode array
JP3486796B2 (en) Image forming method and image forming apparatus
JPH10258545A (en) Light emitting element array control unit and its controlling method
JP3471938B2 (en) Method of determining light intensity adjustment data for LED print head
JP3180972B2 (en) LED drive IC
JPH0649378B2 (en) Record head
JPH10297017A (en) Electrophotographic system
JPS63312172A (en) Light emitting element driver
JPH07214819A (en) Exposure device using led array
JPS61235168A (en) Light writing head of led printer