JPH09305493A - Buffer memory circuit and memory switch - Google Patents

Buffer memory circuit and memory switch

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Publication number
JPH09305493A
JPH09305493A JP12000496A JP12000496A JPH09305493A JP H09305493 A JPH09305493 A JP H09305493A JP 12000496 A JP12000496 A JP 12000496A JP 12000496 A JP12000496 A JP 12000496A JP H09305493 A JPH09305493 A JP H09305493A
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JP
Japan
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address
memory
read
input
circuit
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP12000496A
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Japanese (ja)
Inventor
Shoki Shimizu
昭喜 清水
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Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent data from being disabled to correctly be read out after an error occurs in an address pointer area of a buffer memory circuit since write/read order is determined by an address chain. SOLUTION: This buffer memory circuit has an address memory 40 which stores write addresses, a free address memory 35 which stores free addresses of the buffer memory 31, and an error address detecting circuit 50 which has information regarding in-use addresses of the buffer memory 31. An error detecting circuit 50 detects an overlap of the in-use addresses of the buffer memory 31 and an address read out of the free address memory 35 and sends an error signal out to a control circuit 60 when there is the overlap.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、データを一時蓄
積するためのバッファメモリ回路またはメモリスイッチ
に関するものであり、特に、広帯域ISDNにおけるA
TM伝送や高速パケット通信に用いるバッファメモリ回
路またはメモリスイッチに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a buffer memory circuit or a memory switch for temporarily storing data, and more particularly to an A in a wide band ISDN.
The present invention relates to a buffer memory circuit or a memory switch used for TM transmission or high-speed packet communication.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、メモリスイッチに関する技術とし
て以下の文献に開示された技術があった。
2. Description of the Related Art Conventionally, there have been techniques disclosed in the following documents as techniques relating to memory switches.

【0003】”バッファを共通化したATM交換用メモ
リスイッチ”,電子情報通信学会論文誌 B−I Vo
l.J72−B−I No.11 pp1062−10
69 1989年11月 上記文献が開示するメモリスイッチは、バッファメモリ
内の同一アドレスにATMセルデータ(以下ATMセル
と呼ぶ。)書き込み領域とアドレスポインタ領域とを有
する。バッファメモリにATMセルデータを書き込む場
合は、ATMセルをATMセル書き込み領域に書き込む
とともに、同一アドレスのアドレスポインタ領域に、出
線単位に次に書き込むセルのアドレスも書き込む。この
ようにして、バッファメモリのアドレスポインタ領域に
は、出線単位に順次読み出しアドレスが参照されていく
アドレスチェーンが形成される。一方、バッファメモリ
からATMセルを読み出す場合には、出線単位に読み出
したATMセルと同一アドレスのアドレスポインタ領域
を参照することにより、次に読み出すべきATMセルが
格納されている領域のアドレスがわかり、バッファリン
グされたセルの順序を崩すことなく出線単位に順次セル
を読み出していくことができる。
"ATM switch memory switch with shared buffer", IEICE Transactions BI Vo
l. J72-BI No. 11 pp1062-10
69 November 1989 The memory switch disclosed in the above document has an ATM cell data (hereinafter referred to as ATM cell) write area and an address pointer area at the same address in the buffer memory. When the ATM cell data is written in the buffer memory, the ATM cell is written in the ATM cell writing area, and the address of the cell to be written next is also written in the address pointer area of the same address in units of output lines. Thus, in the address pointer area of the buffer memory, an address chain is formed in which the read addresses are sequentially referenced in units of outgoing lines. On the other hand, when reading an ATM cell from the buffer memory, the address of the area in which the ATM cell to be read next is stored can be found by referring to the address pointer area of the same address as the ATM cell read in line-out units. The cells can be sequentially read out in units of outgoing lines without breaking the order of the buffered cells.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成の回路では、読み出すATMセルの順序が、アドレス
ポインタ領域を用いて構成されるアドレスチェーンによ
り決まるため、バッファメモリ内のある一つのアドレス
ポインタ領域に誤りが発生すると、アドレスチェーンが
分断され、その出線において以後正しくATMセルを読
み出すことができなくなるという問題があった。さら
に、1つのアドレスチェーンのアドレスポインタ領域に
誤りが発生することにより、そのアドレスチェーンばか
りでなく、他の出線のアドレスチェーンに対しても誤っ
た読み出しが行われ、他の出線のアドレスチェーンをも
破壊し、バッファメモリ内に格納されているATMセル
が全て無効になる可能性があった。
However, in the circuit having the above-mentioned structure, the order of the ATM cells to be read is determined by the address chain formed by using the address pointer area, so that the address pointer area is stored in one address pointer area in the buffer memory. When an error occurs, there is a problem that the address chain is divided and the ATM cell cannot be read correctly after that at the outgoing line. Further, when an error occurs in the address pointer area of one address chain, not only that address chain but also the address chain of another outgoing line is erroneously read, and the address chain of another outgoing line is erroneously read. The ATM cells stored in the buffer memory may be invalidated.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】このような問題点を解決
するために、この発明のバッファメモリ回路は、入力ポ
ートと、入力ポートから入力される第1のデータを一時
記憶する第1のメモリと、第1のメモリの使用中のアド
レスについての情報を記憶する第2のメモリと、第1の
メモリの使用されていない空きアドレスを記憶する第3
のメモリと、第3のメモリから空きアドレスを読み出
し、空きアドレスを用いて第1のメモリに第1のデータ
を書き込み、読み出した空きアドレスを使用中のアドレ
スとして第2のメモリに記憶させる書き込み制御回路
と、第2のメモリが記憶する使用中のアドレスについて
の情報と第3のメモリが記憶する空きアドレスとの重複
を検出し、重複するときにアドレスエラー信号を送出す
る誤り検出回路とを有する。
In order to solve such a problem, a buffer memory circuit of the present invention has an input port and a first memory for temporarily storing first data input from the input port. A second memory for storing information about an in-use address of the first memory, and a third memory for storing an unused free address of the first memory.
Write control for reading an empty address from the first memory and the third memory, writing the first data to the first memory using the empty address, and storing the read empty address as the address in use in the second memory A circuit, and an error detection circuit that detects an overlap between information about an address in use stored in the second memory and an empty address stored in the third memory and sends an address error signal when the overlap occurs. .

【0006】[0006]

【発明の実施の形態例】この発明の形態例を図1、図2
及び図3を用いて説明する。図1は、この発明のバッフ
ァメモリ回路をメモリスイッチに適用した形態例を示す
図である。図1に示すメモリスイッチは、パケット通信
網において、通信網に接続される各種端末から送信され
る情報を一時蓄積し交換するスイッチである。この形態
例は、この発明を非同期転送モード(以下、ATMと呼
ぶ)のメモリスイッチに適用した形態例である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention are shown in FIGS.
3 and FIG. FIG. 1 is a diagram showing a mode example in which the buffer memory circuit of the present invention is applied to a memory switch. The memory switch shown in FIG. 1 is a switch for temporarily storing and exchanging information transmitted from various terminals connected to the communication network in the packet communication network. This form example is a form example in which the present invention is applied to a memory switch in an asynchronous transfer mode (hereinafter referred to as ATM).

【0007】図1中、この形態例のメモリスイッチは、
ATMセルを入力するn個の入力ポート10−1〜10
−nを有し、バッファリングした後ATMセルを出力す
るn個の出力ポート20−1〜20−nを有する。この
メモリスイッチは、入力されたATMセルをヘッダに基
づいて所定の出力ポートから出力する回路であり、出力
ポートに対応した複数のアドレスメモリ40のそれぞれ
に、ATMセルの出力順序が記憶されている。一例とし
てここでは、出力ポート20−1から出力すべきATM
セルの格納アドレスがアドレスメモリ40−1に出力順
に記憶されている。同様に、出力ポート20−2〜20
−nから出力すべきATMセルの格納アドレスが、それ
ぞれアドレスメモリ40−2〜40−nに出力順に記憶
されている。
In FIG. 1, the memory switch of this embodiment is
N input ports 10-1 to 10 for inputting ATM cells
-N, and has n output ports 20-1 to 20-n for outputting ATM cells after buffering. This memory switch is a circuit that outputs an input ATM cell from a predetermined output port based on a header, and the output order of the ATM cell is stored in each of the plurality of address memories 40 corresponding to the output port. . As an example, here, an ATM to be output from the output port 20-1
The storage addresses of the cells are stored in the address memory 40-1 in the output order. Similarly, the output ports 20-2 to 20
The storage addresses of the ATM cells to be output from -n are stored in the address memories 40-2 to 40-n in the output order.

【0008】入力ポート10は、ATM網を介して他の
通信装置に接続されており、入力ポート10から入力さ
れたATMセルは、セル多重部30に入力される。セル
多重部30は、各入力ポート10から入力されたATM
セルを時分割多重してバッファメモリ31に送出するた
めの回路であり、バッファメモリ31のポートWDと接
続されている。バッファメモリ31は、入力したATM
セルをバッファリングするためのメモリであり、ポート
WDは、書き込みデータを入力するポートである。ま
た、バッファメモリ31は、書き込みアドレスを入力す
るポートWAを有している。
The input port 10 is connected to another communication device via an ATM network, and the ATM cell input from the input port 10 is input to the cell multiplexer 30. The cell multiplexer 30 uses the ATM input from each input port 10.
A circuit for time-division multiplexing cells and sending them to the buffer memory 31, which is connected to the port WD of the buffer memory 31. The buffer memory 31 is the input ATM
It is a memory for buffering cells, and the port WD is a port for inputting write data. The buffer memory 31 also has a port WA for inputting a write address.

【0009】多重化されたATMセルは、出力ポート認
識部32にも入力され、出力ポート認識部32は、各A
TMセルのヘッダから出力すべき出力ポート番号を抽出
する。出力ポート認識部32により抽出された各ATM
セルの出力ポート番号は、書き込み制御回路33に入力
され、書き込み制御回路33は、この情報に基づいてア
ドレス分離部34を制御する。空きアドレスメモリ35
は、バッファメモリ31の空き領域を示すアドレス、つ
まり空きアドレスを記憶するメモリであり、空きアドレ
スの1つがバッファメモリ31のポートWAに出力され
る。なお、バッファメモリ31のアドレスはkビットか
らなる。バッファメモリ31は、ポートWAに入力され
たアドレスにポートWDから入力されたATMセルを格
納する。また、空きアドレスメモリ35から送出された
空きアドレスは、アドレス分離部34にも入力され、読
み出し制御回路33の制御により、アドレスメモリ40
−1〜40−nのうち1つのアドレスメモリに送出され
る。
The multiplexed ATM cells are also input to the output port recognizing unit 32, and the output port recognizing unit 32 outputs each A
The output port number to be output is extracted from the header of the TM cell. Each ATM extracted by the output port recognition unit 32
The output port number of the cell is input to the write control circuit 33, and the write control circuit 33 controls the address separating unit 34 based on this information. Free address memory 35
Is a memory that stores an address indicating a free area of the buffer memory 31, that is, a free address, and one of the free addresses is output to the port WA of the buffer memory 31. The address of the buffer memory 31 consists of k bits. The buffer memory 31 stores the ATM cell input from the port WD at the address input to the port WA. Further, the vacant address sent from the vacant address memory 35 is also input to the address separating unit 34, and under the control of the read control circuit 33, the address memory 40
It is sent to one of the address memories of -1 to 40-n.

【0010】複数のアドレスメモリ40は、それぞれ先
読み先出しメモリ(以下FIFOメモリと呼ぶ。)であ
り、すでに説明したように出力ポートに対応して設けら
れている。各アドレスメモリ40は、対応する出力ポー
トから出力されるATMセルの読み出しアドレスを読み
出す順序で格納している。
Each of the plurality of address memories 40 is a read-ahead read-out memory (hereinafter referred to as a FIFO memory), and is provided corresponding to the output port as already described. Each address memory 40 stores the read addresses of the ATM cells output from the corresponding output ports in the order of reading.

【0011】読み出し制御回路41は、セル分離部43
及びアドレス多重部42と接続されており、バッファメ
モリ31に格納されたATMセルを読み出し、出力ポー
ト20−1〜20−nのいづれか1つの出力ポートから
出力するための制御回路である。アドレス多重部42
は、読み出し制御回路41の制御のもとに、アドレスメ
モリ40−1〜40−nから読み出されるアドレスを時
分割多重し、バッファメモリ31のポートRAに供給す
るための回路である。セル分離部43は、読み出し制御
回路41の制御のもとに、バッファメモリ31のポート
RDから読み出されたATMセルを出力ポート20−1
〜20−nに振り分けるための回路である。出力ポート
20−1〜20−nは、ATM網を介して他の通信装置
に接続されている。
The read control circuit 41 includes a cell separation section 43.
Also, the control circuit is connected to the address multiplexing unit 42 and reads the ATM cells stored in the buffer memory 31 and outputs the ATM cells from any one of the output ports 20-1 to 20-n. Address multiplexer 42
Is a circuit for time-division multiplexing the addresses read from the address memories 40-1 to 40-n under the control of the read control circuit 41 and supplying the addresses to the port RA of the buffer memory 31. The cell separation unit 43 outputs the ATM cell read from the port RD of the buffer memory 31 to the output port 20-1 under the control of the read control circuit 41.
It is a circuit for allocating to 20-n. The output ports 20-1 to 20-n are connected to other communication devices via an ATM network.

【0012】誤りアドレス検出回路50は、バッファメ
モリ31のポートWAとポートRAにそれぞれ入力され
るアドレスを入力し、誤ったアドレスから読み出しまた
は書き込みを行っていないかを検出する回路である。制
御回路60は、メモリスイッチの各回路部を全体として
制御する回路であり、具体的にはメモリスイッチが後述
するように動作するように所望の制御を行う。なお、図
1において、制御回路60から各回路部への制御信号線
は省略されている。
The error address detection circuit 50 is a circuit for inputting the addresses respectively input to the port WA and the port RA of the buffer memory 31 and detecting whether reading or writing is performed from the incorrect address. The control circuit 60 is a circuit that controls each circuit portion of the memory switch as a whole, and specifically performs desired control so that the memory switch operates as described later. In FIG. 1, the control signal line from the control circuit 60 to each circuit section is omitted.

【0013】つぎに、図1に示すメモリスイッチにおけ
る共有バッファメモリの書き込み動作を説明する。ま
ず、初期設定時に、バッファメモリ31で使用される全
アドレスが空きアドレスメモリ35に書き込まれる。初
期設定後、他の通信装置から送出されたATMセルは、
ATM網を介して入力ポート10に入力される。複数の
入力ポート10から入力されたATMセルは、セル多重
部30において時分割多重化され、時分割多重化された
ATMセルが、出力ポート認識部32に1本のデータ列
として入力される。また、時分割多重化されたATMセ
ルは、バッファメモリ31のポートWDにも入力され
る。
Next, the write operation of the shared buffer memory in the memory switch shown in FIG. 1 will be described. First, at the time of initialization, all addresses used in the buffer memory 31 are written in the empty address memory 35. After initialization, ATM cells sent from other communication devices are
It is input to the input port 10 via the ATM network. ATM cells input from the plurality of input ports 10 are time-division multiplexed in the cell multiplexing unit 30, and the time-division-multiplexed ATM cells are input to the output port recognition unit 32 as one data string. The time-division multiplexed ATM cell is also input to the port WD of the buffer memory 31.

【0014】出力ポート認識部32は、時分割多重化さ
れ、逐次入力されるATMセルのヘッダをそれぞれ参照
し、複数の出力ポート20の中でそのATMセルが出力
すべきの出力ポート番号、例えば出力ポート20−2を
示す番号を検出する。さらに、出力ポート認識部32
は、検出した出力ポート番号を書き込み制御回路33に
送出する。
The output port recognizing unit 32 refers to the headers of the ATM cells which are time-division-multiplexed and sequentially input, and outputs the output port number of the ATM cell among the plurality of output ports 20, for example, the output port number. The number indicating the output port 20-2 is detected. Furthermore, the output port recognition unit 32
Sends the detected output port number to the write control circuit 33.

【0015】空きアドレスメモリ35には、上述したよ
うに、バッファメモリ31の未使用メモリ領域のアドレ
ス、つまり空きアドレスが格納されている。そこで、書
き込み制御回路33は、空きアドレスメモリに対して格
納されているアドレスの1つを読み出し、読み出した空
きアドレスをバッファメモリ31のポートWAに入力さ
せる。このように、バッファメモリのポートWD及びポ
ートWAにそれぞれ書き込むべきデータ、つまりATM
セルと書き込み領域を指定するアドレスが入力されるこ
とにより、所定のアドレスにATMセルが格納される。
As described above, the free address memory 35 stores the address of the unused memory area of the buffer memory 31, that is, the free address. Therefore, the write control circuit 33 reads one of the addresses stored in the empty address memory and inputs the read empty address to the port WA of the buffer memory 31. In this way, data to be written to the port WD and the port WA of the buffer memory, that is, ATM
An ATM cell is stored at a predetermined address by inputting an address designating a cell and a writing area.

【0016】さらに、空きアドレスメモリ35から読み
出された上述のアドレスは、アドレス分離部34にも入
力される。ここで、書き込み制御回路33は、出力ポー
ト認識部32により検出された出力ポート番号に対応す
るアドレスメモリ40の1つに上述のアドレスが入力さ
れるようアドレス分離部34を制御する。例えば、入力
されたATMセルの出力すべき出力ポートが出力ポート
20−1の場合、空きアドレスメモリ35から読み出さ
れた上述のアドレスは、アドレスメモリ40−1に入力
され格納される。このように、FIFO形式のアドレス
メモリ40に出力ポート単位にアドレスが書き込まれる
ため、各アドレスメモリ40において、出力ポート単位
のアドレスの待ち行列が形成される。また、空きアドレ
スメモリ35から読み出された上述のアドレスは、誤り
アドレス検出回路50にも入力される。
Further, the above-mentioned address read from the empty address memory 35 is also input to the address separating unit 34. Here, the write control circuit 33 controls the address separation unit 34 so that the above address is input to one of the address memories 40 corresponding to the output port numbers detected by the output port recognition unit 32. For example, when the output port of the input ATM cell to be output is the output port 20-1, the above-mentioned address read from the empty address memory 35 is input and stored in the address memory 40-1. As described above, since the address is written in the FIFO address memory 40 in units of output ports, a queue of addresses in units of output ports is formed in each address memory 40. Further, the above-mentioned address read from the empty address memory 35 is also input to the error address detection circuit 50.

【0017】図2は、誤りアドレス検出回路50の内部
回路の1例を示すブロック図である。誤りアドレス検出
回路50は、空きアドレスメモリ35からのアドレスを
入力するためのアドレス入力部101とアドレス多重部
42からのアドレスを入力するためのアドレス入力部1
02とを有する。また、誤りアドレス検出回路50は、
使用アドレス記憶部103を有し、使用アドレス記憶部
103は、バッファメモリ31においてATMセルを格
納するために現在使用している領域のアドレスをすべて
記憶している。
FIG. 2 is a block diagram showing an example of the internal circuit of the error address detection circuit 50. The error address detection circuit 50 includes an address input unit 101 for inputting an address from the empty address memory 35 and an address input unit 1 for inputting an address from the address multiplexing unit 42.
02. In addition, the error address detection circuit 50
It has a used address storage unit 103, and the used address storage unit 103 stores all the addresses of the areas currently used in the buffer memory 31 for storing ATM cells.

【0018】使用アドレス記憶部103は、バッファメ
モリ31の書き込み読み出し動作の度に記憶内容を更新
し、記憶しているアドレスとバッファメモリ31の使用
領域のアドレスとが常に一致するよう動作する。具体的
には、バッファメモリ31の書き込み時には、空きアド
レスメモリ35から出力される書き込みアドレスをアド
レス入力部101より入力し、使用アドレス記憶部10
3は、そのアドレスを記憶内容に追加する。また、バッ
ファメモリ31の読み出し時には、アドレス多重部42
から出力される読み出しアドレスをアドレス入力部10
2より入力し、使用アドレス記憶部103は、そのアド
レスを記憶内容から削除する。
The used address storage unit 103 updates the stored contents each time the buffer memory 31 is written or read, and operates so that the stored address and the address of the used area of the buffer memory 31 always match. Specifically, when writing to the buffer memory 31, the write address output from the free address memory 35 is input from the address input unit 101, and the used address storage unit 10 is input.
3 adds the address to the stored contents. Further, when reading the buffer memory 31, the address multiplexing unit 42
The read address output from the address input unit 10
2, the used address storage unit 103 deletes the address from the stored contents.

【0019】誤りアドレス検出回路50内の比較検出部
104は、アドレス入力部101を介して空きアドレス
メモリ35から入力されたアドレスと、使用アドレス記
憶部103が記憶しているアドレスのいづれかが重複す
るかどうかを比較検出する。重複する場合は、すでにA
TMセルが格納されているバッファメモリ31のメモリ
領域にATMセルをさらに格納しようとしていることを
示しているので、比較検出部104は、制御回路60に
対しエラー信号を送出する。
The comparison detection unit 104 in the error address detection circuit 50 overlaps either the address input from the empty address memory 35 via the address input unit 101 or the address stored in the used address storage unit 103. Compare and detect whether or not. If they overlap, it is already A
The comparison detection unit 104 sends an error signal to the control circuit 60 because it indicates that an ATM cell is to be further stored in the memory area of the buffer memory 31 in which the TM cell is stored.

【0020】図3は、図2で示す誤りアドレス検出回路
50の内部回路をさらに詳細に説明した回路図であり、
使用アドレス記憶部103及び比較検出部104の内部
構成の一例である。図2の使用アドレス記憶部103
は、図3の遅延回路111、112、デコーダ回路11
4、115及びセットリセットフリップフロップ回路
(以下SR−FFと呼ぶ。)117から構成されてい
る。図2の比較検出部104は、図3のデコーダ回路1
13、116AND回路群118、119、OR回路1
20、121から構成されている。
FIG. 3 is a circuit diagram showing in more detail the internal circuit of the error address detection circuit 50 shown in FIG.
3 is an example of an internal configuration of a used address storage unit 103 and a comparison detection unit 104. Used address storage unit 103 in FIG.
Are the delay circuits 111 and 112 and the decoder circuit 11 of FIG.
4, 115 and a set / reset flip-flop circuit (hereinafter referred to as SR-FF) 117. The comparison / detection unit 104 of FIG. 2 corresponds to the decoder circuit 1 of FIG.
13, 116 AND circuit groups 118 and 119, OR circuit 1
It is composed of 20, 121.

【0021】SR−FF117はmビットのSR−FF
であり、SR−FF117は、バッファメモリ31の各
メモリ領域について現在使用中か否かについての情報を
記憶している。具体的には、SR−FF117のm個の
出力Qa(a:0≦a≦m)のうち、バッファメモリ3
1の使用中のメモリ領域に対応した出力Qaのみハイレ
ベルの電位となるように、SR−FF117がデコーダ
ー回路114または115によりセットリセットされ
る。また、このセットリセット動作により、SR−FF
117のm個の反転出力QNa(a:0≦a≦m)のう
ち、バッファメモリ31の空きメモリ領域に対応した反
転出力QNaのみハイレベルの電位となる。バッファメ
モリ31の使用中のメモリ領域のアドレスの集合と空き
アドレスメモリ35に格納されているアドレスの集合と
は排他的であるため、言い換えれば、空きアドレスメモ
リ35に格納されているアドレスに対してはSR−FF
117はセットされており、空きアドレスメモリ35か
ら読み出されたアドレスに対してはリセットされてい
る。よって、初期設定時についていえば、使用できる全
てのアドレスが空きアドレスメモリ35に書き込まれて
いるので、SR−FF117のmビットすべてがリセッ
トされている。
The SR-FF 117 is an m-bit SR-FF.
The SR-FF 117 stores information about whether each memory area of the buffer memory 31 is currently in use. Specifically, among the m outputs Qa (a: 0 ≦ a ≦ m) of the SR-FF 117, the buffer memory 3
The SR-FF 117 is set and reset by the decoder circuit 114 or 115 so that only the output Qa corresponding to the memory area 1 in use is at the high level potential. In addition, this set-reset operation enables the SR-FF
Of the m inverted outputs QNa (a: 0 ≦ a ≦ m) 117, only the inverted output QNa corresponding to the empty memory area of the buffer memory 31 has a high-level potential. Since the set of addresses of the memory area in use of the buffer memory 31 and the set of addresses stored in the free address memory 35 are exclusive, in other words, with respect to the addresses stored in the free address memory 35, Is SR-FF
117 is set, and the address read from the empty address memory 35 is reset. Therefore, in the initial setting, all the usable addresses are written in the empty address memory 35, so that all m bits of the SR-FF 117 are reset.

【0022】それでは、図3に示す誤りアドレス検出回
路50の動作を説明する。アドレス入力部101から入
力されたkビットのアドレスは、デコーダ回路113に
入力され、デコーダ回路113は、m本の出線のうち、
入力されたkビット2進アドレスに対応する出線のみを
ハイレベルの電位にする。デコーダ回路113からの書
き込みアドレスを表す出力は、AND回路群118に入
力され、さらに、SR−FF117の使用アドレスを示
す出力もAND回路群118に入力される。AND回路
群118は、m個のAND回路により構成されている。
Now, the operation of the error address detection circuit 50 shown in FIG. 3 will be described. The k-bit address input from the address input unit 101 is input to the decoder circuit 113, and the decoder circuit 113 outputs the m output lines out of the m output lines.
Only the output line corresponding to the input k-bit binary address is set to the high level potential. The output indicating the write address from the decoder circuit 113 is input to the AND circuit group 118, and the output indicating the used address of the SR-FF 117 is also input to the AND circuit group 118. The AND circuit group 118 is composed of m AND circuits.

【0023】AND回路群118は、バッファメモリ3
1のポートWAに入力されるアドレスが使用中のアドレ
スの1つと一致するかどうかを検出する。具体的には、
デコータ回路113の出力とSR−FF117の対応す
る出力との論理積をそれぞれとることにより、アドレス
が一致するかどうかを検出する。アドレスエラーは、k
ビットアドレスのビット反転によって見かけ上、他のア
ドレスに変化することから生じるため、一致不一致を検
出することにより書き込みエラーを検出できる。一致す
る場合、つまり、アドレスエラーを起こした場合は、A
ND回路群118の出力の1つがハイレベルの電位とな
り、OR回路120を介してハイレベルの電位のエラー
信号が出力される。また、一致しない場合、つまり、正
常な状態の場合は、AND回路群118の出力はすべて
ローレベルの電位となり、エラー信号は出力されない。
アドレスエラーの発生箇所はいろいろと考えられるが、
例えば、アドレスメモリ40、空きアドレスメモリ3
5、アドレス多重部42または機能部間の配線上が挙げ
られる。
The AND circuit group 118 includes the buffer memory 3
It detects whether the address input to the port WA of 1 matches one of the addresses in use. In particular,
It is detected whether the addresses match by taking the logical product of the output of the decoder circuit 113 and the corresponding output of the SR-FF 117. Address error is k
The write error can be detected by detecting a match / mismatch because it apparently results from a change to another address due to bit inversion of the bit address. If they match, that is, if an address error occurs, A
One of the outputs of the ND circuit group 118 becomes a high-level potential, and an error signal of a high-level potential is output via the OR circuit 120. If they do not match, that is, in a normal state, the outputs of the AND circuit group 118 are all at a low level potential, and no error signal is output.
There are various possible places where the address error occurs,
For example, address memory 40, free address memory 3
5, on the wiring between the address multiplexing unit 42 or the functional units.

【0024】さらに、上述のエラー信号は、図1の制御
回路60に入力される。エラー信号を受信した場合、制
御回路60は、そのアドレスが以後使用されないよう
に、アドレス分離部34や空きアドレスメモリ35等を
制御する。さらに、制御回路60は、エラーを起こした
アドレスに代わり、代替のアドレスを空きアドレスメモ
リ35より読み出し、この代替アドレスがバッファメモ
リ31及びアドレス分離部34へ入力される。空きアド
レスメモリ35内で連続的にエラーが発生した場合は、
そのエラーアドレスの個数分の代替のアドレスを読み出
せばよいが、その代替のアドレスをバッファメモリ31
へ供給するまでに、セル多重部30から出力されるAT
Mセルを遅延してタイミングを調整する必要がある。こ
の許容できる遅延量によって代替アドレスの連続読み出
しの個数、すなわち対応し得る連続誤りの個数が決定さ
れる。このように、上述した制御を行うことにより、誤
りが検出されたアドレスは以後使用されず、これにより
当該アドレスに伴う障害は以後波及しない。
Further, the above error signal is input to the control circuit 60 of FIG. When the error signal is received, the control circuit 60 controls the address separating unit 34, the vacant address memory 35, etc. so that the address will not be used thereafter. Further, the control circuit 60 reads an alternative address from the vacant address memory 35 instead of the address in which the error has occurred, and the alternative address is input to the buffer memory 31 and the address separating unit 34. If errors occur continuously in the empty address memory 35,
It suffices to read as many alternative addresses as the number of the error addresses, but the alternative addresses are stored in the buffer memory 31.
AT output from the cell multiplexer 30 before being supplied to
It is necessary to delay M cells to adjust the timing. The allowable amount of delay determines the number of consecutive readings of the alternative address, that is, the number of consecutive errors that can be dealt with. In this way, by performing the above-mentioned control, the address in which the error is detected is not used anymore, so that the failure associated with the address does not propagate thereafter.

【0025】図3に戻って説明すると、アドレス入力部
101から入力されたkビットのアドレスは、遅延回路
111にも入力される。遅延回路111は、入力された
上記アドレスを1クロック遅延してデコーダ回路114
へ出力する。デコーダ回路113と同様、デコーダ回路
114は、m本の出線のうち、入力されたkビット2進
アドレスに対応する出線のみをハイレベルの電位にす
る。デコーダ回路114のm本の出線は、SR−FF1
17のセット入力Sa(a:0≦a≦m)にそれぞれ接
続されており、SR−FF117は、アドレス入力部1
01から入力されたアドレスをセットする。この動作に
より、SR−FF117の状態が更新され、つまり、現
在使用されているアドレスが記憶された状態となる。
Referring back to FIG. 3, the k-bit address input from the address input unit 101 is also input to the delay circuit 111. The delay circuit 111 delays the input address by one clock and outputs it to the decoder circuit 114.
Output to Similar to the decoder circuit 113, the decoder circuit 114 sets only the output line corresponding to the input k-bit binary address among the m output lines to the high level potential. The m output lines of the decoder circuit 114 are SR-FF1.
17 set inputs Sa (a: 0 ≦ a ≦ m), and the SR-FF 117 is connected to the address input unit 1
The address input from 01 is set. By this operation, the state of the SR-FF 117 is updated, that is, the currently used address is stored.

【0026】つぎに、図1に示すメモリスイッチにおけ
る共有バッファメモリ回路の読み出し動作を説明する。
バッファメモリ31からATMセルを読み出す際は、読
み出し制御回路41がアドレス多重部とセル分離部とを
制御する。各アドレスメモリ40に格納されているアド
レスは、メモリの先頭にそれぞれ格納されているアドレ
スから順次読み出され、読み出されたアドレスがアドレ
ス多重部42で時分割多重される。時分割多重されたア
ドレスは、バッファメモリ31のポートRAに供給さ
れ、供給されたアドレスに格納されているATMセル
が、バッファメモリ31のポートRDから順次出力され
る。
Next, the read operation of the shared buffer memory circuit in the memory switch shown in FIG. 1 will be described.
When reading an ATM cell from the buffer memory 31, the read control circuit 41 controls the address multiplexing unit and the cell separating unit. The addresses stored in each address memory 40 are sequentially read from the addresses stored at the beginning of the memory, and the read addresses are time-division multiplexed by the address multiplexing unit 42. The time-division multiplexed address is supplied to the port RA of the buffer memory 31, and ATM cells stored at the supplied address are sequentially output from the port RD of the buffer memory 31.

【0027】バッファメモリ31のポートRDから出力
されたATMセルは、セル分離部43に入力される。こ
こで、読み出し制御回路41は、読み出されたATMセ
ルが所望の出力ポート20の1つから出力されるように
セル分離部43を制御する。具体的には、アドレスメモ
リ40の1つから出力されたアドレスがバッファメモリ
31のポートRAに入力され、そのアドレスのATMセ
ルがポートRDから出力されると、アドレスを出力した
アドレスメモリ40に対応する出力ポート20の1つか
らそのATMセルが出力されるようにセル分離部43が
制御される。例えば、アドレスメモリ40−1からアド
レス多重部42を介してアドレスがバッファメモリ31
のポートRAに入力されると、ポートRDから出力され
るATMセルが出力ポート20−1から出力されるよう
にセル分離部43が制御される。このように、入力ポー
ト10から入力されたATMセルが所望の出力ポート2
0から出力されることにより、セルスイッチとして機能
することになる。
The ATM cell output from the port RD of the buffer memory 31 is input to the cell separation section 43. Here, the read control circuit 41 controls the cell separation unit 43 so that the read ATM cell is output from one of the desired output ports 20. Specifically, when an address output from one of the address memories 40 is input to the port RA of the buffer memory 31 and an ATM cell of that address is output from the port RD, it corresponds to the address memory 40 that outputs the address. The cell separating unit 43 is controlled so that the ATM cell is output from one of the output ports 20 that are connected to each other. For example, the address is transferred from the address memory 40-1 via the address multiplexing unit 42 to the buffer memory 31.
When it is input to the port RA, the cell separation unit 43 is controlled so that the ATM cell output from the port RD is output from the output port 20-1. In this way, the ATM cell input from the input port 10 is the desired output port 2
The output from 0 functions as a cell switch.

【0028】一方、アドレスメモリ40から出力された
アドレスは、バッファメモリ31の書き込みアドレスと
して以後使用されるために空きアドレスメモリ35にも
入力される。また、アドレスメモリ40から出力された
アドレスは、誤りアドレス検出回路50にも入力され
る。
On the other hand, the address output from the address memory 40 is also input to the vacant address memory 35 because it is used as a write address of the buffer memory 31 thereafter. The address output from the address memory 40 is also input to the error address detection circuit 50.

【0029】図2において、上記アドレスは、アドレス
入力部102から入力される。誤りアドレス検出回路5
0内の比較検出部104は、アドレス入力部101より
入力された上記アドレスと、使用アドレス記憶部103
が記憶しているアドレスのいづれかが重複するかどうか
を比較検出する。重複しない場合は、ATMセルが格納
されていないバッファメモリ31の領域からATMセル
を読み出したことを示しているので、比較検出部104
は、制御回路60に対しエラー信号を送出する。
In FIG. 2, the address is input from the address input unit 102. Error address detection circuit 5
The comparison / detection unit 104 in 0 stores the address input from the address input unit 101 and the used address storage unit 103.
Comparing and detecting whether or not any of the addresses stored by is duplicate. If they do not overlap, it indicates that the ATM cells have been read from the area of the buffer memory 31 in which the ATM cells are not stored, so the comparison and detection unit 104.
Sends an error signal to the control circuit 60.

【0030】この動作を図3を用いて以下に詳細に説明
する。すでに説明したように、SR−FF117はデコ
ーダー回路114または115によりセットリセットさ
れることにより、SR−FF117のm個のQa(a:
0≦a≦m)出力のうち、バッファメモリ31の使用中
のメモリ領域のアドレスに対応した出線のみハイレベル
の電位となっている。また、このセットリセット動作に
より、SR−FF117のm個のポートQNa(a:0
≦a≦m)のうち、バッファメモリ31の空きメモリ領
域のアドレスに対応した出線のみハイレベルの電位とな
っている。
This operation will be described in detail below with reference to FIG. As described above, the SR-FF 117 is set and reset by the decoder circuit 114 or 115, so that m Qa (a:
0 ≦ a ≦ m) Of the outputs, only the output line corresponding to the address of the memory area in use of the buffer memory 31 is at the high level potential. Further, by this set-reset operation, m ports QNa (a: 0 of SR-FF117
Among ≦ a ≦ m), only the outgoing line corresponding to the address of the empty memory area of the buffer memory 31 has the high level potential.

【0031】アドレス入力部102から入力されたkビ
ットのアドレスは、デコーダ回路116に入力され、デ
コーダ回路116は、m本の出線のうち、入力されたk
ビット2進アドレスに対応する出線のみをハイレベルの
電位にする。読み出しアドレスを表すデコーダ回路11
6からの出力は、AND回路群119に入力され、ま
た、バッファメモリ31の空きメモリ領域のアドレスを
示すSR−FF117の出力もAND回路群119に入
力される。AND回路群119は、m個のAND回路に
より構成されている。
The k-bit address input from the address input unit 102 is input to the decoder circuit 116, and the decoder circuit 116 outputs the k input bits out of the m output lines.
Only the output line corresponding to the bit binary address is set to the high level potential. Decoder circuit 11 representing a read address
The output from 6 is input to the AND circuit group 119, and the output of the SR-FF 117 indicating the address of the empty memory area of the buffer memory 31 is also input to the AND circuit group 119. The AND circuit group 119 is composed of m AND circuits.

【0032】AND回路群119は、バッファメモリ3
1のポートRAに入力されたアドレスが空きメモリ領域
のアドレスの1つと一致しないかどうかを検出する。一
致する場合、つまり、アドレスエラーを起こした場合
は、AND回路群119の出力の1つがハイレベルの電
位となり、OR回路121を介してハイレベルの電位の
エラー信号が出力される。SR−FF117のQNa
(a:0≦a≦m)出力はQa(a:0≦a≦m)の反
転出力であるので、言い換えれば、バッファメモリ31
のポートRAに入力されたアドレスが使用中のメモリ領
域のアドレスの1つと重複しない場合にエラー信号が出
力されることになる。また、一致しない場合、つまり、
正常な状態の場合は、AND回路群119の出力はすべ
てローレベルの電位となり、エラー信号は出力されな
い。
The AND circuit group 119 includes the buffer memory 3
It is detected whether the address input to the port RA of 1 does not match one of the addresses in the free memory area. When they match, that is, when an address error occurs, one of the outputs of the AND circuit group 119 becomes a high-level potential, and an error signal of a high-level potential is output via the OR circuit 121. SR-FF117 QNa
In other words, the (a: 0 ≦ a ≦ m) output is the inverted output of Qa (a: 0 ≦ a ≦ m).
An error signal will be output if the address input to the port RA of 1 does not overlap with one of the addresses of the memory area being used. Also, if they do not match, that is,
In the normal state, all the outputs of the AND circuit group 119 have a low level potential, and no error signal is output.

【0033】上述のエラー信号は、図1の制御回路60
に入力される。エラー信号を受信した場合、制御回路6
0は、そのアドレスが以後使用されないように、アドレ
ス分離部34や空きアドレスメモリ35等を制御する。
なお、誤りが検出されたアドレスは、バッファメモリ3
1へすでに供給されているため、1個のATMセルが誤
って読み出されることになる。これは、本実施例では避
けられない現象であるが、それによって被る障害は高々
1ATMセルの誤読み出しであり、さらに個の障害は以
後波及するものではない。
The above-mentioned error signal is generated by the control circuit 60 of FIG.
Is input to When the error signal is received, the control circuit 6
0 controls the address separating unit 34, the vacant address memory 35, etc. so that the address is not used thereafter.
The address where the error is detected is stored in the buffer memory 3
Since one has already been supplied to 1, one ATM cell will be erroneously read. This is an unavoidable phenomenon in the present embodiment, but the failure caused by it is erroneous reading of 1 ATM cell at the most, and the individual failures do not spread thereafter.

【0034】図3に戻って説明すると、アドレス入力部
102から入力されたkビットのアドレスは、遅延回路
112にも入力される。遅延回路112は、入力された
上記アドレスをデコーダ回路115へ1クロック遅延し
て出力する。デコーダ回路116と同様、デコーダ回路
115は、m本の出線のうち、入力されたnビット2進
アドレスに対応する出線のみをハイレベルの電位にす
る。デコーダ回路115のm本の出線は、SR−FF1
17のリセット入力SNa(a:0≦a≦m)にそれぞ
れ接続されており、SR−FF117は、アドレス入力
部102から入力されたアドレスをリセットする。この
動作により、SR−FF117の状態が更新され、つま
り、現在使用されているアドレスが記憶された状態とな
る。
Returning to FIG. 3, the k-bit address input from the address input unit 102 is also input to the delay circuit 112. The delay circuit 112 delays the input address by one clock and outputs it to the decoder circuit 115. Similar to the decoder circuit 116, the decoder circuit 115 sets only the output line corresponding to the input n-bit binary address among the m output lines to the high level potential. The m output lines of the decoder circuit 115 are SR-FF1.
The SR-FF 117 is connected to the reset inputs SNa (a: 0 ≦ a ≦ m) of the respective 17, and the SR-FF 117 resets the address input from the address input unit 102. By this operation, the state of the SR-FF 117 is updated, that is, the currently used address is stored.

【0035】以上のように、この形態例によれば、共有
バッファメモリ回路に誤りアドレス検出部を設け、バッ
ファメモリ31の書き込みアドレスまたは読み出しアド
レスに誤りが生じているかどうかを検出することとし
た。したがって、この構成を有することにより、誤りが
検出されたアドレスが以後使用されないため、従来のバ
ッファメモリ回路で問題となっていた発生した誤りアド
レスが装置内部を永久に巡回し続けることがない。よっ
て、誤りアドレスが発生した場合に被害を最小限に食い
止めることができ、その結果、回路の信頼性を大幅に向
上できる。
As described above, according to this embodiment, the shared buffer memory circuit is provided with the error address detection unit to detect whether or not the write address or the read address of the buffer memory 31 has an error. Therefore, with this configuration, the address in which an error has been detected is not used thereafter, so that the error address that has been a problem in the conventional buffer memory circuit does not continue to circulate inside the device forever. Therefore, when an error address occurs, the damage can be minimized, and as a result, the reliability of the circuit can be greatly improved.

【0036】また、この形態例で示したように、出線単
位にFIFO形式のアドレスメモリを複数有することに
より、アドレスチェーンを用いた方式に比べハードウエ
ア的な規模は大きくなるものの、一つのアドレスに誤り
が発生しても、他の出線のアドレスキューが分断される
ことはない。
Further, as shown in this embodiment, by having a plurality of FIFO type address memories for each output line, although the hardware scale becomes larger than the method using the address chain, one address is used. Even if an error occurs, the address queues of other outgoing lines are not divided.

【0037】この形態例は、この発明をメモリスイッチ
中の共有バッファメモリ回路に適用した形態例である
が、この発明はメモリスイッチにおける共有バッファメ
モリ回路に限らず、スイッチ動作をしない単一のバッフ
ァメモリ回路にも適用できる。この場合、図1におい
て、入力ポート10、出力ポート20はそれぞれ1つで
よく、また、セル多重部30、出力ポート認識部32、
アドレス分離部34、セル分離部43及びアドレス多重
部42は不必要となる。
This embodiment is an embodiment in which the present invention is applied to a shared buffer memory circuit in a memory switch. However, the present invention is not limited to the shared buffer memory circuit in the memory switch, and a single buffer that does not perform a switch operation. It can also be applied to memory circuits. In this case, in FIG. 1, the number of the input ports 10 and the number of the output ports 20 may each be one, and the cell multiplexing unit 30, the output port recognition unit 32,
The address separating unit 34, the cell separating unit 43, and the address multiplexing unit 42 are unnecessary.

【0038】また、この形態例は、バッファメモリ31
の使用中のアドレスについての情報を図1のアドレスメ
モリ40とは別に図2の使用アドレス記憶部103に記
憶する例であったが、この発明では、必ずしも図2の使
用アドレス記憶部103を有する必要はなく、誤りアド
レス検出回路50に入力される書き込みアドレス/読み
出しアドレスとアドレスメモリ40の記憶するアドレス
との重複を検出することによりアドレスエラーを検出す
ることもできる。
Further, in this embodiment, the buffer memory 31 is used.
The information about the address being used is stored in the used address storage unit 103 of FIG. 2 separately from the address memory 40 of FIG. 1, but the present invention does not necessarily include the used address storage unit 103 of FIG. It is not necessary to detect the address error by detecting the overlap between the write address / read address input to the error address detection circuit 50 and the address stored in the address memory 40.

【0039】[0039]

【発明の効果】この発明によれば、入力ポートから入力
されるデータを一時メモリに記憶するバッファメモリ回
路において、誤りアドレス検出回路を設けることによ
り、誤りアドレス検出回路が、上記メモリの使用中のア
ドレスと入力ポートから入力されたデータの書き込みア
ドレス/読み出しアドレスとが重複するかどうかを検出
し、重複する/重複しないときにエラー信号を送出する
ので、誤りが発生したアドレスを以後使用しないように
制御でき、回路の信頼性を大幅に向上できる。
According to the present invention, in the buffer memory circuit for storing the data inputted from the input port in the temporary memory, by providing the error address detecting circuit, the error address detecting circuit can be used while the memory is in use. It detects whether the address and the write address / read address of the data input from the input port overlap, and sends an error signal when it overlaps / does not overlap, so do not use the address where the error occurred again. It can be controlled and the reliability of the circuit can be greatly improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 この発明のバッファメモリ回路をメモリスイ
ッチに適用した形態例を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing an example in which a buffer memory circuit of the present invention is applied to a memory switch.

【図2】 誤りアドレス検出回路50の内部回路の1例
を示すブロック図である。
2 is a block diagram showing an example of an internal circuit of an error address detection circuit 50. FIG.

【図3】 アドレス検出回路50の内部回路を詳細に説
明した回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram illustrating in detail an internal circuit of the address detection circuit 50.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10−1〜10−n 入力ポート 20−1〜20−n 出力ポート 30 セル多重部 31 バッファメモリ 32 出力ポート認識部 33 書き込み制御回路 34 アドレス分離部 35 空きアドレスメモリ 40−1〜40−n アドレスメモリ 41 読み出し制御回路 42 アドレス多重部 43 セル多重部 50 誤りアドレス検出回路 60 制御回路 101、102 アドレス入力部 103 使用アドレス記憶部 104 比較検出部 111、112、113、114、115、116
デコーダ回路 117 セットリセットフリップフロップ 118、119 AND回路群 120、121 OR回路
10-1 to 10-n input port 20-1 to 20-n output port 30 cell multiplexing unit 31 buffer memory 32 output port recognition unit 33 write control circuit 34 address separation unit 35 free address memory 40-1 to 40-n address Memory 41 Read control circuit 42 Address multiplexing unit 43 Cell multiplexing unit 50 Error address detection circuit 60 Control circuit 101, 102 Address input unit 103 Used address storage unit 104 Comparison detection unit 111, 112, 113, 114, 115, 116
Decoder circuit 117 Set / reset flip-flop 118, 119 AND circuit group 120, 121 OR circuit

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 入力ポートと、 前記入力ポートから入力される第1のデータを一時記憶
する第1のメモリと、 前記第1のメモリの使用中のアドレスについての情報を
記憶する第2のメモリと、 前記第1のメモリの使用されていない空きアドレスを記
憶する第3のメモリと、 前記第3のメモリから前記空きアドレスを読み出し、前
記空きアドレスを用いて前記第1のメモリに前記第1の
データを書き込み、読み出した前記空きアドレスを使用
中のアドレスとして前記第2のメモリに記憶させる書き
込み制御回路と、 前記第2のメモリが記憶する使用中のアドレスについて
の前記情報と前記第3のメモリが記憶する前記空きアド
レスとの重複を検出し、重複するときにアドレスエラー
信号を送出する誤り検出回路とを有するバッファメモリ
回路。
1. An input port, a first memory for temporarily storing first data input from the input port, and a second memory for storing information about an address in use of the first memory. A third memory for storing an unused unused address of the first memory; reading the empty address from the third memory; and using the empty address to store the first address in the first memory. Write control circuit for storing the read and written empty address in the second memory as an in-use address, the information about the in-use address stored in the second memory and the third A buffer memory circuit having an error detection circuit that detects duplication with the empty address stored in the memory and sends an address error signal when the duplication occurs.
【請求項2】 請求項1記載のバッファメモリ回路にお
いて、 前記誤り検出回路は、前記第3のメモリから読み出され
た前記空きアドレスを入力し、入力された前記空きアド
レスが使用中のアドレスとして前記第2のメモリに記憶
される前に、入力された前記空きアドレスと前記第2の
メモリが記憶する使用中のアドレスについての前記情報
とを比較することにより重複を検出することを特徴とす
るバッファメモリ回路。
2. The buffer memory circuit according to claim 1, wherein the error detection circuit inputs the empty address read from the third memory, and the input empty address is used as an address in use. Before being stored in the second memory, the duplication is detected by comparing the input free address with the information about the address in use stored in the second memory. Buffer memory circuit.
【請求項3】 請求項2記載のバッファメモリ回路にお
いて、 前記第2のメモリは、セットリセットフリップフロップ
であり、前記セットリセットフリップフロップは前記書
き込み制御回路より読み出される前記空きアドレスを入
力し、入力された前記空きアドレスに対応するビットを
セットまたはリセットすることにより、前記第1のメモ
リの使用中のアドレスについての情報を記憶することを
特徴とするバッファメモリ回路。
3. The buffer memory circuit according to claim 2, wherein the second memory is a set-reset flip-flop, and the set-reset flip-flop inputs the empty address read from the write control circuit and inputs the empty address. A buffer memory circuit for storing information about an in-use address of the first memory by setting or resetting a bit corresponding to the empty address that has been stored.
【請求項4】 入力ポートと、 出力ポートと、 前記入力ポートから入力される第1のデータを一時記憶
する第1のメモリと、前記第1のメモリの使用中のアド
レスについての情報を記憶する第2のメモリと、 前記第1のメモリの使用されていない空きアドレスを記
憶する第3のメモリと、 前記第3のメモリから前記空きアドレスを読み出し、前
記空きアドレスを用いて前記第1のメモリに前記第1の
データを書き込み、読み出した前記空きアドレスを使用
中のアドレスとして前記第2のメモリに記憶させる書き
込み制御回路と、 前記第1のメモリから前記第1のデータを読み出し、前
記第1のデータを前記出力ポートから出力するととも
に、読み出しアドレスを使用されていないアドレスとし
て前記第2のメモリの前記情報から削除し、前記読み出
しアドレスを空きアドレスとして前記第3のメモリに記
憶させる読み出し制御回路と、 前記読み出しアドレスを入力し、前記読み出しアドレス
が前記第2のメモリの前記情報から削除される前に、前
記読み出しアドレスと前記第2のメモリが記憶する前記
情報とを比較することにより重複を検出し、重複しない
ときにアドレスエラー信号を送出する誤り検出回路とを
有するバッファメモリ回路。
4. An input port, an output port, a first memory for temporarily storing first data input from the input port, and information about an address in use of the first memory. A second memory; a third memory for storing an unused free address of the first memory; a read of the free address from the third memory; and a use of the free address for the first memory A write control circuit for writing the first data into the second memory and storing the read empty address in the second memory as an address in use; and reading the first data from the first memory, Of the data from the output port and delete the read address from the information in the second memory as an unused address, A read control circuit for storing the read address as an empty address in the third memory; and the read address and the read address before the read address is input and the read address is deleted from the information of the second memory. A buffer memory circuit having an error detection circuit that detects duplication by comparing the information stored in the second memory and outputs an address error signal when the duplication does not occur.
【請求項5】 複数の入力ポートと、 複数の出力ポートと、 複数の前記入力ポートから入力される第1のデータを一
時記憶する第1のメモリと、 前記第1のデータが記憶されているアドレスを記憶する
複数の第2の先読み先出しメモリと、 前記第1のデータを複数の前記第2の先読み先出しメモ
リに対応して分類するデータ認識部と、 前記第1のデータが記憶されていない空きアドレスを記
憶する第3のメモリと、 前記第1のメモリの使用中のアドレスについての情報を
記憶する第4のメモリと、 前記第3のメモリから前記空きアドレスを読み出し、読
み出した前記空きアドレスを用いて前記第1のメモリに
前記第1のデータを書き込むとともに、前記データ認識
部の分類に基づいて、複数の前記第2のメモリの1つを
選択し、選択された前記第2のメモリに前記空きアドレ
スを使用中のアドレスとして記憶させ、かつ、前記空き
アドレスを使用中のアドレスとして前記第4のメモリに
記憶させる書き込み制御回路と、 複数の前記第2のメモリの1つからアドレスを読み出
し、当該読み出しアドレスを用いて前記第1のメモリか
ら前記第1のデータを読み出し、複数の前記出力ポート
の1つへ出力するとともに、前記読み出しアドレスを使
用されていないアドレスとして前記第4のメモリの前記
情報から削除し、かつ、前記読み出しアドレスを空きア
ドレスとして前記第3のメモリに記憶させる読み出し制
御回路と、 前記書き込み制御回路によって読み出される前記空きア
ドレスを入力し、入力された前記空きアドレスが使用中
のアドレスとして前記第4のメモリに記憶される前に、
入力された前記アドレスと前記第4のメモリが記憶する
使用中のアドレスについての前記情報とを比較すること
により重複を検出し、重複するときにアドレスエラー信
号を送出し、前記読み出しアドレスを入力し、前記読み
出しアドレスが前記第4のメモリから削除される前に、
前記読み出しアドレスと前記第4のメモリが記憶する使
用中のアドレスについての前記情報とを比較することに
より重複を検出し、重複しないときに前記アドレスエラ
ー信号を送出する誤り検出回路とを有するメモリスイッ
チ。
5. A plurality of input ports, a plurality of output ports, a first memory for temporarily storing first data input from the plurality of input ports, and the first data stored therein. A plurality of second read-ahead read-out memories for storing addresses, a data recognition unit for classifying the first data in correspondence with the plurality of second read-ahead read-out memories, and the first data not stored A third memory that stores an empty address, a fourth memory that stores information about an address being used by the first memory, the empty address read from the third memory, and the read empty address Is used to write the first data to the first memory and select one of the plurality of second memories based on the classification of the data recognizing unit. A write control circuit for storing the empty address in the second memory as an in-use address and for storing the empty address in the fourth memory as an in-use address; An address is read from one, the first data is read from the first memory using the read address, and is output to one of the plurality of output ports, and the read address is set as an unused address. A read control circuit that deletes the read address from the information in the fourth memory and stores the read address in the third memory as an empty address, and inputs the empty address read by the write control circuit. The empty address is stored in the fourth memory as an address in use. To,
A duplication is detected by comparing the input address with the information about the address in use stored in the fourth memory, and when the duplication occurs, an address error signal is transmitted and the read address is input. , Before the read address is deleted from the fourth memory,
A memory switch having an error detection circuit that detects duplication by comparing the read address and the information about the address in use stored in the fourth memory, and outputs the address error signal when the duplication does not occur. .
【請求項6】 請求項5記載のバッファメモリ回路にお
いて、 前記第1のデータは、ATMセルであり、前記データ認
識部は、前記第1のデータのヘッダにより示される出力
ポート情報により前記第1のデータを分類し、複数の前
記第2のメモリは、前記出力ポートに1対1で対応して
いることを特徴とするメモリスイッチ。
6. The buffer memory circuit according to claim 5, wherein the first data is an ATM cell, and the data recognizing unit uses the output port information indicated by the header of the first data to output the first data. Memory switch, wherein a plurality of the second memories correspond to the output ports in a one-to-one correspondence.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9853919B2 (en) 2013-03-26 2017-12-26 Fujitsu Limited Data processing apparatus and data processing method

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