JPH09299850A - Preparation of thin film and apparatus for the same - Google Patents

Preparation of thin film and apparatus for the same

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JPH09299850A
JPH09299850A JP12116096A JP12116096A JPH09299850A JP H09299850 A JPH09299850 A JP H09299850A JP 12116096 A JP12116096 A JP 12116096A JP 12116096 A JP12116096 A JP 12116096A JP H09299850 A JPH09299850 A JP H09299850A
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JP
Japan
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thin film
processing container
processing
container
coating solution
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Application number
JP12116096A
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Japanese (ja)
Inventor
Yukio Yoshida
吉田  幸生
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SEIWA DENKI KK
Seiwa Electric Mfg Co Ltd
Original Assignee
SEIWA DENKI KK
Seiwa Electric Mfg Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of preparing a thin film having a uniform film thickness at a low cost in preparing a thin film by employing a dip coating method and an apparatus for preparing the thin film by using the method. SOLUTION: A substrate (S) is immersed into a coating solution contained in a treating container 1 before the coating solution (L) in the treating container 1 is drained from a bottom of the container while the substrate (S) and the treating container are kept stationary so as to lower surface level of the solution at a constant speed. Thus, a thin film having a uniform thickness can be obtained without using complicated and expensive mechanisms for elevating the substrate and lowering the container.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はディップコーティン
グ法に基づく薄膜製造方法及び装置に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a thin film manufacturing method and apparatus based on a dip coating method.

【0002】[0002]

【従来の技術】基板表面に薄膜を形成する技術として
は、半導体製造プロセス等で一般に利用されているPV
D法、CVD法やスパッタリング法などが挙げられる。
2. Description of the Related Art As a technique for forming a thin film on the surface of a substrate, PV is generally used in the semiconductor manufacturing process and the like.
D method, CVD method, sputtering method and the like can be mentioned.

【0003】また、比較的厚い膜厚の薄膜(0.04μm〜
1μm程度)を得る技術としてディップコーティング法
(ゾル−ゲル法)があり、この方法は、最近注目を集め
ている光触媒薄膜(酸化チタン薄膜等)の形成などの各
種分野において広く利用されている。
Further, a thin film having a relatively large thickness (0.04 μm-
There is a dip coating method (sol-gel method) as a technique for obtaining about 1 μm), and this method is widely used in various fields such as the formation of a photocatalyst thin film (titanium oxide thin film, etc.), which has recently attracted attention.

【0004】ディップコーティング法は、基板をコーテ
ィング溶液に浸漬し、その基板を引き上げるか、または
コーティング溶液を収容した処理容器を降下させるとい
った処理により、基板表面に薄膜を得る方法で、基板両
面や複雑な形状をコーティングしたり、大面積の基板を
コーティングするのに適した方法である。
The dip coating method is a method of obtaining a thin film on the surface of a substrate by dipping the substrate in a coating solution and pulling up the substrate or lowering a processing container containing the coating solution. This method is suitable for coating various shapes and for coating large area substrates.

【0005】そして、このようなディップコーティング
法においては、基板表面と溶液面との接触角(ぬれ性)
を一定に保つこと、つまり基板の引き上げ速度(または
処理容器の降下速度)を一定に保つことが、均一な膜厚
のコーティング薄膜を得るために重要なポイントとな
る。
In such a dip coating method, the contact angle (wettability) between the substrate surface and the solution surface
Is kept constant, that is, the pulling rate of the substrate (or the descending rate of the processing container) is constant in order to obtain a coating thin film having a uniform film thickness.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところが、従来では、
基板の引き上げまたは処理容器の下降操作が、いずれも
機械的な装置で行われているため、均一な膜厚のコーテ
ィング薄膜を得るには、基板の引き上げ速度(または処
理容器の降下速度)を一定に制御するだけでは不十分
で、基板(または処理容器)の移動時における振動や溶
液面の揺れを可能な限り抑えることも必要となる。
However, in the prior art,
Since both the raising of the substrate and the lowering of the processing container are performed by mechanical devices, in order to obtain a coating thin film with a uniform thickness, the substrate lifting speed (or the processing container lowering speed) should be constant. However, it is not enough to control only the above, and it is also necessary to suppress the vibration during the movement of the substrate (or the processing container) and the shaking of the solution surface as much as possible.

【0007】このため、基板を引き上げる方式の場合、
基板を単に吊り下げて支持するのではなく、処理容器内
に剛性の高いガイドを設けこのガイドに沿って基板を上
下動させるという手法を採っているが、その移動機構は
構造が複雑かつ大型であり、しかも、そのような移動機
構を精密に制御することは難しいことから、駆動・制御
装置等が高価になるという問題がある。
Therefore, in the case of the method of pulling up the substrate,
Instead of simply suspending and supporting the substrate, a highly rigid guide is provided in the processing container and the substrate is moved up and down along this guide, but its moving mechanism has a complicated structure and a large size. However, since it is difficult to precisely control such a moving mechanism, there is a problem that the drive / control device and the like become expensive.

【0008】また、処理容器を降下させる方式の場合、
コーティング溶液を収容した大荷重の処理容器を上下動
させるので、その昇降機構を耐荷重性のある構造とする
必要があるため、上記した問題がより顕著となる。
In the case of the method of lowering the processing container,
Since the heavy-load processing container containing the coating solution is moved up and down, it is necessary to make the lifting mechanism have a load-bearing structure, so that the above-mentioned problem becomes more remarkable.

【0009】ここで、ディップコーティング法において
は、多数枚の基板を所定の間隔を空けて配列した状態
で、コーティング溶液中に浸漬して基板表面に薄膜を形
成するといったバッチ処理による大量生産も可能である
が、このようなバッチ処理を行う場合、互いに隣合う基
板間の相互作用により、上記した振動や溶液面の揺れの
問題が顕著となり、枚葉式の場合よりも更に精密な制御
が必要となる。
In the dip coating method, a large number of substrates can be mass-produced by a batch process in which they are immersed in a coating solution to form a thin film on the surface of the substrates in a state where they are arranged at a predetermined interval. However, when performing such batch processing, the above-mentioned problems of vibration and shaking of the solution surface become remarkable due to the interaction between the substrates adjacent to each other, and more precise control is required than in the single-wafer type. Becomes

【0010】そして、以上の問題点が、ディップコーテ
ィング法が大面積の基板をコーティングしたり、薄膜を
大量に生産するのに適した方法であるのにも関わらず、
その実現を妨げる要因となっていた。
[0010] And, although the above-mentioned problems are suitable for coating a large-area substrate or for mass-producing thin films, the dip coating method is
It was a factor that hindered its realization.

【0011】本発明はそのような実情に鑑みてなされた
もので、ディップコーティング法により薄膜を作製する
にあたり、膜厚が均一な薄膜を安価で得ることのできる
方法と、その方法を利用した薄膜製造装置の提供を目的
とする。
The present invention has been made in view of such circumstances, and in producing a thin film by the dip coating method, a method capable of obtaining a thin film having a uniform film thickness at low cost and a thin film utilizing the method. The purpose is to provide a manufacturing apparatus.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の薄膜製造方法は、ディップコーティング法
に基づいて基板表面に薄膜を形成する方法であって、処
理容器に収容したコーティング溶液中に基板を浸漬した
後、基板及び処理容器を静止させた状態で、処理容器内
のコーティング溶液を容器下部から抜き取り、その溶液
面を一定の速度で降下させて薄膜を形成することによっ
て特徴づけられる。
In order to achieve the above object, the thin film manufacturing method of the present invention is a method for forming a thin film on the surface of a substrate based on a dip coating method, which is a coating solution contained in a processing container. After the substrate is immersed in the substrate and the processing container is kept stationary, the coating solution in the processing container is extracted from the lower part of the container and the solution surface is lowered at a constant speed to form a thin film. To be

【0013】そして、このような方法を採用すること
で、薄膜形成過程において基板及び処理容器に機械的な
振動が加わることがなく、またコーティング溶液自体の
流出により溶液面が静かに下降するので溶液面の揺れも
少なくて済む。さらに、制御対象が溶液となるので、そ
の制御(流量調整)を精密に行うことも容易となる。
By adopting such a method, mechanical vibration is not applied to the substrate and the processing container during the thin film forming process, and the solution surface gently descends due to the outflow of the coating solution itself. It requires less shaking of the surface. Further, since the solution to be controlled is a solution, the control (flow rate adjustment) can be easily performed precisely.

【0014】しかも、処理容器を大型化しても、コーテ
ィング溶液の液面制御系(流量制御系)が複雑かつ大型
になることがなく、これにより大面積の基板をコーティ
ングする装置及びバッチ処理用の装置も容易に実現でき
る。
Further, even if the processing container is enlarged, the liquid level control system (flow rate control system) of the coating solution does not become complicated and large, which allows the apparatus for coating a large area substrate and the batch processing. The device can also be easily realized.

【0015】本発明の薄膜製造装置は、以上の本発明方
法を利用した装置であって、図1に例示するように、コ
ーティング溶液Lを収容する容器で下部に液出口1aが
設けられた処理容器1と、その液出口1aに接続された
弁2を備え、この弁2の開度調整により処理容器1内の
コーティング溶液Lを容器外部へと放出して、その溶液
面を一定の速度で降下させることで、処理容器1内に配
置した基板Sの表面に薄膜を形成するように構成したこ
とによって特徴づけられる。
The thin film manufacturing apparatus of the present invention is an apparatus utilizing the above-mentioned method of the present invention, and as shown in FIG. 1, a treatment in which the container for containing the coating solution L is provided with the liquid outlet 1a at the bottom thereof. The container 1 and the valve 2 connected to the liquid outlet 1a are provided, and the coating solution L in the processing container 1 is discharged to the outside of the container by adjusting the opening degree of the valve 2, and the solution surface is kept at a constant speed. It is characterized in that it is configured to form a thin film on the surface of the substrate S placed in the processing container 1 by lowering it.

【0016】この図1に示す装置によると、処理容器1
に液出口1aと弁2を設けるだけの簡単な構成であり、
しかも重力を利用してコーティング溶液Lを容器外部に
放出する方式で駆動源が不要なことから、非常に安価で
均一な膜厚の薄膜を得ることができる。
According to the apparatus shown in FIG. 1, the processing container 1
It has a simple structure in which the liquid outlet 1a and the valve 2 are provided in the
In addition, since the coating solution L is discharged to the outside of the container by using gravity, a driving source is not required, so that a very thin film having a uniform film thickness can be obtained.

【0017】また、本発明方法を利用した他の装置とし
て、複数の処理容器と、この各処理容器の下部に設けら
れた液出入口を相互に接続する配管系と、この配管系に
接続された液輸送手段(ポンプ等)を備え、その液輸送
手段の駆動により、複数の処理容器のうち、一つの処理
容器内に収容したコーティング液を、他の処理容器内へ
と一定の流量で送り出し、その送り出し側の処理容器の
コーティング液の液面を一定の速度で降下させること
で、送り出し側の処理容器内に配置した基板Sの表面に
薄膜を形成するように構成した装置も挙げられる。
As another apparatus utilizing the method of the present invention, a plurality of processing vessels, a piping system for interconnecting the liquid inlets and outlets provided at the bottom of each processing vessel, and a piping system connected to this piping system are connected. A liquid transporting means (pump or the like) is provided, and by driving the liquid transporting means, the coating liquid contained in one of the plurality of processing vessels is sent into another processing vessel at a constant flow rate. There is also an apparatus configured to form a thin film on the surface of the substrate S placed in the processing container on the sending side by lowering the liquid level of the coating liquid in the processing container on the sending side at a constant speed.

【0018】さらに、複数の処理容器を設ける場合、図
2に例示するように、処理容器の台数を2台とし、この
処理容器11と12との間に接続される液輸送手段(ポ
ンプユニット14)の駆動により、一方の処理容器11
から他方の処理容器12にコーティング溶液Lを送り出
した後、その他方の処理容器12に収容されたコーティ
ング溶液Lを、再度、一方の処理容器11に戻すといっ
た構成を採用してもよい。この図2に示す装置の場合、
2台の処理容器11と12において交互に薄膜を形成す
ることが可能となるので、薄膜を効率良く作製すること
ができる。
Further, when a plurality of processing vessels are provided, as shown in FIG. 2, the number of processing vessels is two, and the liquid transportation means (pump unit 14) connected between the processing vessels 11 and 12 is used. ) Drive one processing container 11
After the coating solution L is sent from the other processing container 12 to the other processing container 12, the coating solution L stored in the other processing container 12 may be returned to the one processing container 11 again. In the case of the device shown in FIG.
Since the thin films can be alternately formed in the two processing vessels 11 and 12, the thin films can be efficiently manufactured.

【0019】なお、このようにコーティング溶液を処理
容器間において循環させるといった技術思想は、処理容
器の台数が3台以上の場合にも適用可能である。ここ
で、本発明は、酸化チタン光触媒などの触媒機能薄膜の
ほか、例えば化学的・機械的保護膜(酸化防止膜、シリ
カガラス膜など)、光学機能膜(反射膜、反射防止膜、
着色膜など)、あるいは電磁気機能膜(透明電極膜、帯
電防止膜など)等、各種分野で用いられる薄膜を作製す
る際にも適用できる。
The technical idea of circulating the coating solution between the processing vessels in this way is also applicable to the case where the number of processing vessels is three or more. Here, in the present invention, in addition to a catalytic functional thin film such as a titanium oxide photocatalyst, for example, a chemical / mechanical protective film (antioxidation film, silica glass film, etc.), an optical functional film (reflection film, antireflection film,
It can also be applied to the production of thin films used in various fields such as colored films) or electromagnetic functional films (transparent electrode films, antistatic films, etc.).

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】図1は本発明の実施の形態の構成
図である。この例の薄膜製造装置は、重力を利用して処
理容器1内のコーティング液面を下降させる方式の装置
である。
FIG. 1 is a block diagram of an embodiment of the present invention. The thin film manufacturing apparatus of this example is an apparatus of a type in which gravity is used to lower the coating liquid level in the processing container 1.

【0021】処理容器1は、上方のみが開口された開放
型の容器で、側壁下部に液出口1aが設けられている。
この処理容器1の液出口1aには流量調整弁2が接続さ
れており、その流量調整弁2の操作により、処理容器1
内に収容したコーティング溶液Lを外部へと抜き取るこ
とができる。なお、使用時には、流量調整弁2から流出
するコーティング溶液Lの受け用のタンクTを、処理容
器1の下方に配置しておく。
The processing container 1 is an open type container whose upper part is opened, and a liquid outlet 1a is provided in the lower part of the side wall.
A flow rate adjustment valve 2 is connected to the liquid outlet 1a of the processing vessel 1, and the operation of the flow rate adjustment valve 2 causes the treatment vessel 1 to operate.
The coating solution L contained inside can be extracted to the outside. During use, the tank T for receiving the coating solution L flowing out from the flow rate adjusting valve 2 is arranged below the processing container 1.

【0022】次に、図1に示す装置の使用方法を述べ
る。まず、酸化チタンをエタノールで希釈してコーティ
ング溶液Lを予め作製しておき、そのコーティング溶液
Lを処理容器1内に収容する。このとき液出口1aの流
量調整弁2は閉じておく。次いで薄膜を形成するガラス
基板Sを支持部材3に装着して、その基板Sを処理容器
1内のコーティング溶液L中に浸漬する。
Next, a method of using the apparatus shown in FIG. 1 will be described. First, titanium oxide is diluted with ethanol to prepare a coating solution L in advance, and the coating solution L is housed in the processing container 1. At this time, the flow rate adjusting valve 2 at the liquid outlet 1a is closed. Next, the glass substrate S for forming a thin film is mounted on the support member 3, and the substrate S is immersed in the coating solution L in the processing container 1.

【0023】以上のセッティングが完了した後、流量調
整弁2を開く〔図1(A) 〕。この弁操作により処理容器
1内のコーティング溶液Lが、重力の作用により外部へ
と流出しその溶液面が一定速度で下降する。そして、コ
ーティング溶液Lの液面のレベルがガラス基板Sの下端
よりも低くなった時点〔図1(C) 〕で流量調整弁2を閉
じる。これで1回の作製処理が完了する。
After the above settings are completed, the flow rate adjusting valve 2 is opened [Fig. 1 (A)]. By this valve operation, the coating solution L in the processing container 1 flows out to the outside by the action of gravity, and the surface of the solution descends at a constant speed. Then, when the level of the liquid level of the coating solution L becomes lower than the lower end of the glass substrate S [FIG. 1 (C)], the flow rate adjusting valve 2 is closed. This completes one fabrication process.

【0024】ここで、図1の装置において、コーティン
グ溶液Lの液面下降速度を一定に保つ制御をより精密に
行うには、薄膜の形成過程において流量調整弁2の開度
を調整する必要がある。
Here, in the apparatus of FIG. 1, in order to perform more precise control of maintaining the liquid level lowering speed of the coating solution L, it is necessary to adjust the opening degree of the flow rate adjusting valve 2 in the process of forming the thin film. is there.

【0025】すなわち、薄膜の形成過程が、初期の状態
〔図1(A) 〕から、処理途中〔図1(B) 〕を経て最終段
階へと進行してゆくにしたがって、コーティング溶液L
の液面が低下し、その位置水頭(エネルギ)の変化に比
例して溶液Lの流出速度が変化するため、流量調整弁2
の開度を一定とすると、溶液Lの流出量が低下し、その
溶液面の降下速度が一定にならなくなる。従って溶液面
の降下速度を一定に保つには、コーティング溶液Lの流
路つまり流量調整弁2の開度をコーティング溶液Lの液
面の低下度合に応じて大きくすることが必要となる。
That is, as the thin film forming process progresses from the initial state [FIG. 1 (A)] to the final stage through the process [FIG. 1 (B)], the coating solution L is formed.
Of the solution L changes in proportion to the change of the head (energy) of the position of the liquid L. Therefore, the flow rate adjusting valve 2
If the opening degree of is constant, the outflow amount of the solution L decreases, and the descending speed of the solution surface becomes uneven. Therefore, in order to keep the descending speed of the solution surface constant, it is necessary to increase the flow path of the coating solution L, that is, the opening degree of the flow rate adjusting valve 2 in accordance with the degree of decrease of the liquid surface of the coating solution L.

【0026】なお、その開度調整の方法としては、例え
ば、流出量の較正曲線を予め計算や実験等によって求め
ておき、その較正曲線に基づいて流量調整弁2をコント
ローラ等により制御するといった方法が挙げられる。
As a method for adjusting the opening degree, for example, a calibration curve of the outflow amount is obtained in advance by calculation or experiment, and the flow rate adjusting valve 2 is controlled by a controller or the like based on the calibration curve. Is mentioned.

【0027】図2は本発明の他の実施の形態の構成図で
ある。この例の薄膜製造装置は、互いに等しい形状寸法
の2台の処理容器11,12と、その各処理容器11,
12の下部に設けられた液出入口11aと12aとを相
互に接続する配管系13と、この配管系13に接続され
たポンプユニット14及び流量制御装置15によって主
に構成されている。
FIG. 2 is a block diagram of another embodiment of the present invention. The thin film manufacturing apparatus of this example includes two processing vessels 11 and 12 having the same shape and size, and the respective processing vessels 11 and 12.
It is mainly configured by a pipe system 13 that connects the liquid inlets and outlets 11 a and 12 a provided in the lower part of 12 with each other, and a pump unit 14 and a flow rate control device 15 connected to the pipe system 13.

【0028】ポンプユニット14は、1台のポンプP及
びその吸込み側と吐出側に接続された4個の切換弁V1
a,V1b,V2a,V2bを備え、これら4個の切換弁V1
a,V1bとV2a,V2bの開閉操作により、ポンプPによ
る溶液Lの輸送の方向を、一方の処理容器11→他方の
処理容器12、またはその逆の方向;処理容器12→処
理容器11のいずれかに設定することができる。また、
流量制御装置15は、一般に使用されているもので、2
台の処理容器11と12の間において移動させるコーテ
ィング溶液Lの流量を一定に保つために設けている。
The pump unit 14 comprises one pump P and four switching valves V1 connected to the suction side and the discharge side thereof.
a, V1b, V2a, V2b, and these four switching valves V1
By opening and closing a, V1b and V2a, V2b, the direction of transport of the solution L by the pump P is changed from one processing container 11 to the other processing container 12 or vice versa; processing container 12 → processing container 11 You can set the crab. Also,
The flow rate control device 15 is generally used,
It is provided to keep the flow rate of the coating solution L moved between the processing vessels 11 and 12 of the table constant.

【0029】次に、図2に示す装置の使用方法を述べ
る。まず、酸化チタンをエタノールで希釈したコーティ
ング溶液Lを、処理容器11及び配管系13に満たして
おき、また処理容器12にもコーティング溶液Lを所定
量だけ収容しておく。次いで、2枚のガラス基板Sをそ
れぞれ支持部材3に装着して、その一方のガラス基板S
を処理容器11内のコーティング溶液L中に浸漬し、他
方のガラス基板Sを処理容器12内に配置する。
Next, a method of using the apparatus shown in FIG. 2 will be described. First, the processing solution 11 prepared by diluting titanium oxide with ethanol is filled in the processing container 11 and the piping system 13, and a predetermined amount of the coating solution L is also stored in the processing container 12. Next, the two glass substrates S are mounted on the supporting member 3, and one of the glass substrates S is attached.
Is immersed in the coating solution L in the processing container 11, and the other glass substrate S is placed in the processing container 12.

【0030】以上のセッティングが完了した後、ポンプ
ユニット14の切換弁V1a及びV1bを開き、切換弁V2a
及びV2bを閉じた状態でポンプPを駆動する。このポン
プ駆動により処理容器11内のコーティング溶液Lが、
配管系13を通じて処理容器12内へと送り出され、そ
の送り出し側の処理容器11内のコーティング溶液Lの
液面が一定速度で下降する。そして、処理容器11内の
コーティング溶液Lの液面のレベルがガラス基板Sの下
端よりも低くなった時点で、ポンプPの駆動を停止する
とともに、切換弁V1a及びV1bを閉じる。これで処理容
器11に配置したガラス基板Sの処理(薄膜形成)が完
了し、この時点で処理容器12内にコーティング溶液L
が満たされ、その溶液中にガラス基板Sが浸漬した状態
となる。
After the above setting is completed, the switching valves V1a and V1b of the pump unit 14 are opened to switch the switching valve V2a.
And the pump P is driven with V2b closed. The coating solution L in the processing container 11 is driven by the pump,
It is sent out into the processing container 12 through the piping system 13, and the liquid level of the coating solution L in the processing container 11 on the sending side is lowered at a constant speed. Then, when the level of the liquid level of the coating solution L in the processing container 11 becomes lower than the lower end of the glass substrate S, the driving of the pump P is stopped and the switching valves V1a and V1b are closed. This completes the processing (thin film formation) of the glass substrate S placed in the processing container 11, and at this point, the coating solution L is placed in the processing container 12.
And the glass substrate S is immersed in the solution.

【0031】次に、所定の時間だけ待機して、処理を終
えたガラス基板Sの乾燥(自然乾燥)を行い、次いでそ
のガラス基板Sを処理容器11から取り出した後、処理
容器11内に次のガラス基板Sをセッティングする。こ
の操作が完了した時点で、切換弁V2a及びV2bのみを開
いた状態でポンプPを駆動する。このポンプ駆動により
処理容器12内のコーティング溶液Lが、処理容器11
内に一定の流量で送り出され、先と同様に、処理容器1
2内に配置のガラス基板Sに薄膜が形成され、処理容器
11内にコーティング溶液Lが満たされた状態となる。
Next, after waiting for a predetermined time, the processed glass substrate S is dried (natural drying), and then the glass substrate S is taken out of the processing container 11 and then placed in the processing container 11. The glass substrate S of is set. When this operation is completed, the pump P is driven with only the switching valves V2a and V2b open. By driving the pump, the coating solution L in the processing container 12 is transferred to the processing container 11
Is delivered at a constant flow rate to the inside of the processing container 1 as before.
A thin film is formed on the glass substrate S disposed inside the processing container 2, and the processing solution 11 is filled with the coating solution L.

【0032】そして、処理容器12内のガラス基板Sの
乾燥・取り出しと、次のガラス基板Sのセッティングを
行うことで初期の状態(図2の状態)へと戻り、以後、
先と同じ操作を順次に繰り返して、2台の処理容器11
と12で交互に処理(薄膜形成)を実行してゆく。
Then, the glass substrate S in the processing container 12 is dried and taken out, and the next glass substrate S is set to return to the initial state (state of FIG. 2).
The same operation as above is sequentially repeated to obtain two processing vessels 11
The processes (thin film formation) are alternately performed in and.

【0033】なお、図2の実施の形態において、ポンプ
Pとして定容量形ポンプを使用すれば、配管系13の流
量制御装置15を省略することができる。また、図2の
実施の形態においては、2台の処理容器11及び12の
双方で薄膜を形成するという構成を採っているが、これ
に限られることなく、処理容器11または12のいずれ
か一方を、単なる溶液貯溜用の容器として、他方の処理
容器のみで薄膜を形成するといった構成を採ってもよ
い。
In the embodiment of FIG. 2, if a constant displacement pump is used as the pump P, the flow control device 15 of the piping system 13 can be omitted. Further, in the embodiment of FIG. 2, a configuration is adopted in which a thin film is formed by both of the two processing vessels 11 and 12, but the invention is not limited to this, and either one of the processing vessels 11 or 12 can be used. Alternatively, a configuration may be adopted in which the thin film is formed only by the other processing container as a container for storing a solution.

【0034】図3は本発明の更に別の実施の形態の構成
図(平面図)である。この図3に示す実施の形態は、処
理容器の台数を3台とした場合の例で、その各処理容器
21,22,23のそれぞれの底部には、先の実施の形
態と同様に、液出入口21a,22a,23aが設けら
れており、その各液出入口21a,22a,23aが、
溶液循環ユニット24を備えた配管系25によって相互
に接続されている。
FIG. 3 is a configuration diagram (plan view) of still another embodiment of the present invention. The embodiment shown in FIG. 3 is an example in which the number of processing vessels is three, and the bottom of each of the processing vessels 21, 22, and 23 has the same liquid as the previous embodiment. The inlets / outlets 21a, 22a, 23a are provided, and the respective liquid inlets / outlets 21a, 22a, 23a are
They are connected to each other by a piping system 25 having a solution circulation unit 24.

【0035】溶液循環ユニット24は、ポンプ、切換弁
並びに流量制御装置等を備え、その駆動により、第1の
処理容器21に収容したコーティング溶液を、第2の処
理容器22に一定の流量で送り出し、次いで第2の処理
容器22から第3の処理容器23に一定の流量で送り出
した後、第1の処理容器21に戻す、といった溶液の循
環を行うように構成されている。
The solution circulation unit 24 is provided with a pump, a switching valve, a flow rate control device, and the like, and when it is driven, the coating solution contained in the first processing container 21 is sent to the second processing container 22 at a constant flow rate. Then, the solution is circulated such that it is sent from the second processing container 22 to the third processing container 23 at a constant flow rate and then returned to the first processing container 21.

【0036】そして、この図3の実施の形態では、第2
の処理容器22から第3の処理容器23に溶液を送り出
している間において、第1の処理容器21が待機状態と
なるので、この間に、処理後のガラス基板の乾燥・取り
出しと、次のガラス基板のセッティングを行うことがで
き、また同様に、第2の処理容器22及び第3の処理容
器23が待機状態となる間にもガラス基板のセッティン
グ等を行うことができるので、ダウンタイムが少なくて
済む。その結果、量産時の効率化をはかることができ
る。
In the embodiment of FIG. 3, the second
While the solution is being sent from the processing container 22 to the third processing container 23, the first processing container 21 is in a standby state. During this time, the glass substrate after processing is dried and taken out, and the next glass is removed. The substrate can be set, and similarly, the glass substrate can be set while the second processing container 22 and the third processing container 23 are in the standby state, so that downtime is reduced. Complete. As a result, efficiency in mass production can be improved.

【0037】ここで、本発明の技術思想、つまり処理容
器及び基板を静止させた状態で処理容器内の溶液面のレ
ベルを変化させるといった技術思想は、基板を溶液中に
一定の速度で浸漬してゆくような処理法にも適用可能
で、この場合、処理容器内に基板を配置した状態で、そ
の容器下部に設けた液入口から溶液を供給して、容器内
の溶液面を一定の速度で上昇させてゆくという方法を採
ればよい。
Here, the technical idea of the present invention, that is, the technical idea of changing the level of the solution surface in the processing container in a state where the processing container and the substrate are stationary, immerses the substrate in the solution at a constant speed. It can also be applied to progressive processing methods.In this case, while the substrate is placed in the processing container, the solution is supplied from the liquid inlet provided at the bottom of the container, and the solution surface in the container is kept at a constant speed. You can use the method of raising it with.

【0038】[0038]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
処理容器に収容したコーティング溶液中に基板を浸漬し
た後、基板及び処理容器は静止させたままの状態で、処
理容器内のコーティング溶液を容器下部から抜き取り、
その溶液面を一定の速度で降下させて薄膜を形成するよ
うにしたから、基板の引き上げや処理容器の下降を行う
ための複雑で高価な機構が不要になる。その結果、均一
な膜厚の薄膜を安価で作製することができる。しかも、
本発明を適用することで、処理容器の大型化も容易に達
成でき、これにより、均一な膜厚の薄膜を大量にかつ効
率良く作製することのできる薄膜製造装置の実現が可能
となる。
As described above, according to the present invention,
After immersing the substrate in the coating solution housed in the processing container, with the substrate and the processing container still, the coating solution in the processing container was pulled out from the lower part of the container,
Since the solution surface is lowered at a constant speed to form a thin film, a complicated and expensive mechanism for raising the substrate and lowering the processing container is not required. As a result, a thin film having a uniform film thickness can be manufactured at low cost. Moreover,
By applying the present invention, it is possible to easily achieve an increase in the size of the processing container, and thus it is possible to realize a thin film manufacturing apparatus that can efficiently manufacture a large number of thin films having a uniform film thickness.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施の形態の構成図FIG. 1 is a configuration diagram of an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の他の実施の形態の構成図FIG. 2 is a configuration diagram of another embodiment of the present invention.

【図3】本発明の更に別の実施の形態の構成図FIG. 3 is a configuration diagram of still another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 処理容器 1a 液出口 2 電磁弁 3 支持部材 L コーティング溶液 S ガラス基板 11,12 処理容器 11a,12a 液出入口 13 配管系 14 ポンプユニット P ポンプ V1a,V1b,V2a,V2b 切換弁 15 流量制御装置 21,22,23 処理容器 21a,22a,23a 液出入口 24 溶液循環ユニット 25 配管系 1 Processing Container 1a Liquid Outlet 2 Solenoid Valve 3 Support Member L Coating Solution S Glass Substrate 11, 12 Processing Container 11a, 12a Liquid Inlet / Outlet 13 Piping System 14 Pump Unit P Pump V1a, V1b, V2a, V2b Switching Valve 15 Flow Control Device 21 , 22, 23 Processing vessels 21a, 22a, 23a Liquid inlet / outlet 24 Solution circulation unit 25 Piping system

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ディップコーティング法に基づいて基板
表面に薄膜を形成する方法であって、処理容器に収容し
たコーティング溶液中に基板を浸漬した後、その基板及
び処理容器を静止させた状態で、処理容器内のコーティ
ング溶液を容器下部から抜き取り、その溶液面を一定の
速度で降下させて薄膜を形成することを特徴とする薄膜
製造方法。
1. A method for forming a thin film on the surface of a substrate based on a dip coating method, which comprises immersing a substrate in a coating solution housed in a processing container and then leaving the substrate and the processing container stationary. A method for producing a thin film, characterized in that the coating solution in the processing container is drawn out from the lower part of the container and the surface of the solution is lowered at a constant speed to form a thin film.
【請求項2】 ディップコーティング法に基づいて基板
表面に薄膜を形成する装置であって、コーティング溶液
を収容する容器で下部に液出口が設けられた処理容器
と、その液出口に接続された弁を備え、この弁の開度調
整により処理容器内のコーティング溶液を容器外部へと
放出して、その溶液面を一定の速度で降下させるように
構成されていることを特徴とする薄膜製造装置。
2. A device for forming a thin film on the surface of a substrate based on a dip coating method, which is a container for containing a coating solution and provided with a liquid outlet at a lower portion, and a valve connected to the liquid outlet. The thin film manufacturing apparatus is characterized in that the coating solution in the processing container is discharged to the outside of the container by adjusting the opening of the valve, and the surface of the solution is lowered at a constant speed.
【請求項3】 ディップコーティング法に基づいて基板
表面に薄膜を形成する装置であって、複数の処理容器
と、この各処理容器の下部に設けられた液出入口を相互
に接続する配管系と、この配管系に接続された液輸送手
段を備え、その液輸送手段が、複数の処理容器のうち、
一つの処理容器内に収容したコーティング液を、他の処
理容器内に一定の流量で送り出すように構成されている
ことを特徴とする薄膜製造装置。
3. An apparatus for forming a thin film on a surface of a substrate based on a dip coating method, comprising a plurality of processing vessels, and a piping system interconnecting liquid inlets and outlets provided at the bottom of each processing vessel, A liquid transportation means connected to this piping system is provided, and the liquid transportation means is a plurality of processing vessels.
A thin film manufacturing apparatus, which is configured to send a coating liquid contained in one processing container to another processing container at a constant flow rate.
【請求項4】 請求項3に記載の装置において、処理容
器の台数が2台で、この処理容器間に接続される液輸送
手段が、一方の処理容器から他方の処理容器にコーティ
ング溶液を送り出した後、その他方の処理容器に収容さ
れたコーティング溶液を、一方の処理容器に戻すように
構成されていることを特徴とする薄膜製造装置。
4. The apparatus according to claim 3, wherein the number of processing vessels is two, and the liquid transportation means connected between the processing vessels sends the coating solution from one processing vessel to the other processing vessel. After that, the coating solution contained in the other processing container is returned to the one processing container.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008238035A (en) * 2007-03-27 2008-10-09 Seiko Epson Corp Dip coating apparatus and dip coating method
KR20150039013A (en) * 2013-10-01 2015-04-09 주식회사 엘지화학 Coating apparatus and method using gravity difference
KR20190017502A (en) * 2017-08-11 2019-02-20 한국기계연구원 Deposition device and method for particles

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