JPH09290365A - Polishing device for wafer - Google Patents

Polishing device for wafer

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JPH09290365A
JPH09290365A JP10496696A JP10496696A JPH09290365A JP H09290365 A JPH09290365 A JP H09290365A JP 10496696 A JP10496696 A JP 10496696A JP 10496696 A JP10496696 A JP 10496696A JP H09290365 A JPH09290365 A JP H09290365A
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surface plate
wafer
polishing
platen
plate
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紀夫 工藤
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安雄 稲田
Makoto Nakajima
誠 中島
Masanori Fukushima
政法 福島
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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To facilitate mounting/demounting work of a surface plate, by providing a vacuum device mutually sucking a polishing surface plate and a surface plate receiving part so that the surface plate and the surface plate receiving part integrally formed can make a relative motion relating to a wafer. SOLUTION: In a surface mounting a surface plate 14 of a flat plate part 12a in a surface plate receiving part 12, a groove-shaped vacuum passage 15 for vacuum sucking the surface plate 14 is formed. Further, the vacuum passage 15 is formed in a surface of the flat plate part 12a, to communicate with a vacuum source through a passage 15a of a shaft part 16. A reason that an area of the vacuum passage 15 is widely set even as compared with an area receiving the surface plate 14 is for increasing suction force, the passage is formed almost uniformly in a total surface, so as to disperse suction force, deformation of the surface plate 14 is prevented.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ウェーハの研磨装
置に関する。ウェーハの研磨装置にはポリッシング装置
およびラッピング装置がある。ポリッシング装置の基本
的な構成としては、ウェーハの保持部、そのウェーハの
保持部に対向して配されウェーハを研磨する研磨面を有
する研磨定盤、ウェーハ表面を研磨面に当接させるべく
ウェーハの保持部と研磨定盤とを接離動させる接離動機
構、ウェーハの保持部に保持されたウェーハを研磨面に
所定の押圧力で押圧する押圧機構、ウェーハが研磨定盤
の研磨面に当接・押圧された状態で該ウェーハと研磨定
盤とを回転および/または往復動によって相対的に運動
させる駆動機構、スラリー等を含む液状の研磨剤の供給
機構等を備えている。研磨定盤は、金属板またはセラミ
ックス板からなる定盤本体の表面上に、布もしくはフェ
ルト状のクロス、またはスポンジもしくは短毛刷子状の
部材等が固定されて構成される定盤、およびその定盤を
受けて支持する定盤受け部を含む構成となっている。こ
のポリッシング装置によれば、薄板状の被研磨部材であ
るウェーハ(例えば、半導体装置用のシリコンウェー
ハ、ガラス薄板材等の脆性部材の表面)を鏡面状に研磨
することができる。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer polishing apparatus. The wafer polishing apparatus includes a polishing apparatus and a lapping apparatus. As a basic configuration of the polishing apparatus, a wafer holding portion, a polishing platen having a polishing surface arranged to face the wafer holding portion to polish the wafer, and a wafer surface to bring the wafer surface into contact with the polishing surface. A contact / separation mechanism for moving the holding part and the polishing platen in and out, a pressing mechanism for pressing the wafer held by the wafer holding part against the polishing surface with a predetermined pressing force, and the wafer contacting the polishing surface of the polishing platen. It is provided with a drive mechanism for relatively moving the wafer and the polishing platen by rotating and / or reciprocating in a state of being in contact with and being pressed, a supply mechanism of a liquid abrasive containing slurry and the like. The polishing platen is a platen composed of a platen body made of a metal plate or a ceramics plate and a cloth or felt-like cloth, or a sponge or brush-like member fixed on the surface of the platen, and the platen. It is configured to include a surface plate receiving portion that receives and supports the plate. According to this polishing apparatus, a wafer that is a thin plate-shaped member to be polished (for example, the surface of a brittle member such as a silicon wafer for a semiconductor device or a thin glass plate material) can be polished into a mirror surface.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のウェーハの研磨装置では、定盤
が、その定盤を受けて支持する定盤受け部に単に載置さ
れている。定盤の基体である定盤本体としては、ウェー
ハの研磨精度を向上させるために常に高い平坦度が要求
されるから、剛性の高いものが使用される。特に半導体
チップの原料となるシリコンウェーハの平坦度は、サブ
ミクロンの精度が要求されているため、定盤本体は僅か
な変形も許されず、定盤本体の剛性は非常に高いことが
要求される。剛性を高めるには、定盤本体の板厚を厚く
すればよいから、定盤本体は非常に重いものとなってい
る。なお、従来の定盤本体の材質は、一般的にポリッシ
ング装置の場合はその耐化学性からステンレススチール
が用いられ、ラッピング装置の場合は鋳鉄が用いられて
いる。
2. Description of the Related Art In a conventional wafer polishing apparatus, a surface plate is simply placed on a surface plate receiving portion that receives and supports the surface plate. As the surface plate main body, which is the base of the surface plate, high rigidity is used because high flatness is always required in order to improve the polishing accuracy of the wafer. In particular, the flatness of silicon wafers, which are the raw material for semiconductor chips, is required to have sub-micron accuracy, so the platen body is not allowed to undergo slight deformation, and the platen body is required to have extremely high rigidity. . In order to increase the rigidity, it is sufficient to increase the plate thickness of the platen body, so that the platen body is very heavy. As a material of the conventional surface plate main body, stainless steel is generally used in the case of a polishing apparatus because of its chemical resistance, and cast iron is used in the case of a lapping apparatus.

【0003】ところで、定盤本体が非常に重いことによ
って、次のような利点がある。すなわち、定盤は定盤受
け部に載置された場合に、ネジ締め等で固定することな
く単に載置されるだけでもその重量によって容易には浮
き上がったり、横滑りすることがない。また、定盤本体
と定盤受け部の材質が異なる場合には、熱膨張係数が異
なるため、定盤本体と定盤受け部とを完全に一体に固定
すると温度変化によってバイメタル状に反ることが考え
られる。しかし、定盤が定盤受け部に単に載置されてい
る場合は、熱膨張による力を逃がすことができるので上
記のような反りの問題は発生しない。また、定盤が定盤
受け部に載置されているだけであるため、研磨定盤を着
脱する際に固定手段(例えばねじ固定)にかかる作業工
程を要せず、クロスの張り替え等に伴う定盤の着脱作業
を簡便化できる。
By the way, the fact that the main body of the surface plate is very heavy has the following advantages. That is, when the surface plate is mounted on the surface plate receiving portion, it is not easily lifted or skid due to its weight even if it is simply mounted without being fixed by screwing or the like. If the surface plate body and the surface plate receiving part are made of different materials, the coefficients of thermal expansion will be different, so if the surface plate body and the surface plate receiving part are completely fixed together, they will warp in a bimetal state due to temperature changes. Can be considered. However, when the surface plate is simply placed on the surface plate receiving portion, the force due to thermal expansion can be released, so that the above-mentioned problem of warpage does not occur. Further, since the platen is only placed on the platen receiving portion, there is no need for a work process for fixing means (for example, screw fixing) when the polishing platen is attached and detached, and the replacement of the cloth is accompanied. The work of attaching and detaching the surface plate can be simplified.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、定盤が
非常に重いため、定盤の着脱作業は決して容易ではな
く、危険でもあった。特に、ポリッシング装置の場合に
は、クロスの張り替えは頻繁(例えば数日に一度)に行
う必要があり、その取り扱いに関して定盤の重量が問題
になっていた。また、定盤の重量が大きくなると、定盤
を駆動させる運動機構が大型化してしまうという課題が
あった。さらに、定盤本体と定盤受け部とを総合的に考
えた際に、その剛性が過剰に設定されている場合もあっ
た。
However, since the platen is very heavy, the work of attaching and detaching the platen is not easy and dangerous. In particular, in the case of a polishing apparatus, it is necessary to refill the cloth frequently (for example, once every several days), and the weight of the surface plate has been a problem in handling the cloth. Moreover, when the weight of the surface plate is increased, the movement mechanism for driving the surface plate becomes large in size. Further, when considering the surface plate body and the surface plate receiving portion as a whole, the rigidity may be excessively set.

【0005】そこで、本発明の目的は、従来どおり定盤
本体の平坦度を好適に維持できる共に定盤を定盤受け部
に確実に固定可能であり、且つ、定盤の重量を軽減する
ことでクロスの張り替えの際等の定盤の着脱作業を容易
にできるウェーハの研磨装置を提供することにある。
Therefore, it is an object of the present invention to maintain the flatness of the surface plate main body as it is conventionally, to securely fix the surface plate to the surface plate receiving portion, and to reduce the weight of the surface plate. It is therefore an object of the present invention to provide a wafer polishing apparatus that facilitates the work of attaching and detaching the surface plate when the cloth is reattached.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は次の構成を備える。すなわち、本発明は、
ウェーハ表面を研磨定盤の研磨面に当接させ、該ウェー
ハに所定の荷重を与えつつウェーハと研磨定盤とを相対
的に運動させてウェーハ表面を研磨するウェーハの研磨
装置において、前記研磨定盤は、研磨面が設けられた定
盤と、該定盤を受けて支持する定盤受け部とを備え、前
記定盤と前記定盤受け部とが一体となって前記ウェーハ
に対して相対的に運動できるように、研磨定盤と定盤受
け部とを相互に吸着させる真空装置が設けられている。
To achieve the above object, the present invention has the following arrangement. That is, the present invention
In a wafer polishing apparatus for polishing a wafer surface by bringing the wafer surface into contact with the polishing surface of a polishing surface plate and relatively moving the wafer and the polishing surface plate while applying a predetermined load to the wafer, The platen includes a surface plate provided with a polishing surface and a surface plate receiving portion that receives and supports the surface plate, and the surface plate and the surface plate receiving portion are integrated with each other with respect to the wafer. A vacuum device is provided for adhering the polishing platen and the platen receiving portion to each other so that the polishing platen and the platen can be moved manually.

【0007】また、前記定盤は、セラミックス板からな
る定盤本体の表面上に、布もしくはフェルト状のクロス
等の研磨面を構成する部材が固定されて設けられている
ことで、研磨定盤の重量をより軽くすることができる。
Further, the platen is provided by fixing a member constituting a polishing surface such as cloth or felt-like cloth to the surface of a platen body made of a ceramic plate, so that the platen can be polished. The weight of can be reduced.

【0008】また、一体に相互に吸着された前記定盤と
前記定盤受け部とを該定盤の研磨面に直交する軸線を中
心に回転可能に支持する支持台部と、該支持台部に搭載
され、支持台部に対して前記定盤を前記軸線を中心とし
て回転させる回転駆動手段と、前記支持台部を支持する
基台と、該基台に対して前記支持台部を前記研磨面と平
行な面内で自転しない円運動をさせる円運動装置とを具
備することで、ウェーハをより均一に好適に研磨でき
る。
Further, a support base portion for supporting the surface plate and the surface plate receiving portion, which are integrally attracted to each other, rotatably about an axis perpendicular to the polishing surface of the surface plate, and the support base portion. A rotary drive means for rotating the surface plate around the axis with respect to a support base, a base for supporting the support base, and the polishing of the support base for the base. A wafer can be more uniformly and suitably polished by including a circular motion device that performs a circular motion that does not rotate in a plane parallel to the plane.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施例を添
付図面に基づいて詳細に説明する。図1は本発明にかか
るウェーハの研磨装置の一実施例を示す模式的な断面図
であり、図2は図1の実施例の構成を模式的に示した平
面図である。この図1および図2では、ウェーハ表面を
研磨定盤10の研磨面10aに当接させ、該ウェーハ2
0に所定の荷重を与えつつウェーハ20と研磨定盤10
とを相対的に運動させてウェーハ表面を鏡面研磨するウ
ェーハの研磨装置における、研磨定盤10側の機構を示
してある。また、図3は研磨定盤10の構成の詳細を示
す断面図である。
Preferred embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a schematic sectional view showing an embodiment of a wafer polishing apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is a plan view schematically showing the configuration of the embodiment shown in FIG. 1 and 2, the wafer surface is brought into contact with the polishing surface 10a of the polishing platen 10, and the wafer 2
Wafer 20 and polishing platen 10 while applying a predetermined load to 0.
2 shows a mechanism on the side of the polishing platen 10 in a wafer polishing apparatus that performs relative movements of and to polish the wafer surface to a mirror surface. Further, FIG. 3 is a cross-sectional view showing details of the configuration of the polishing platen 10.

【0010】研磨定盤10は、定盤受け部12と、その
定盤受け部12上に載置される定盤14とに分割可能に
設けられており、定盤14は定盤受け部12上に吸着に
よって着脱可能に固定されている。すなわち、定盤14
と定盤受け部12とは、一体になってウェーハ20に対
して相対的に運動できるように、真空装置(図示せず)
によって相互に吸着されるように設けられている。
The polishing surface plate 10 is provided so as to be divided into a surface plate receiving portion 12 and a surface plate 14 placed on the surface plate receiving portion 12. The surface plate 14 is a surface plate receiving portion 12. It is detachably fixed on the top by suction. That is, the surface plate 14
A vacuum device (not shown) is provided so that the platen receiving part 12 and the platen receiving part 12 can move relative to the wafer 20 integrally.
It is provided so as to be mutually adsorbed by.

【0011】定盤14は、金属板またはセラミックス板
を基体(以下、定盤本体という)とし、その表面には布
もしくはフェルト状のクロス、またはスポンジもしくは
短毛刷子状の部材等が固定されて構成される。定盤14
をセラミックス板とすれば、重量を軽減できると共に剛
性を向上できる。また、例えば定盤14がアルミナを主
成分とするセラミックスであれば、密度が約3.9g/
ccであり、鋳鉄材の密度(約7.9g/cc)の約半
分になる。従って、重量を約半分にすることができ、ク
ロスの張り替えの際等の定盤14の着脱作業が容易にで
きるようになる。なお、このように定盤14がセラミッ
クス板である場合は軽量化されるため、重量による定盤
受け部12との一体化作用は低減する。しかしながら、
定盤14は、真空吸着によって定盤受け部12に固定さ
れるので、定盤14と定盤受け部12とは確実に一体化
できる。ところで、定盤14の軽量化は、その板厚を薄
くすることでも可能である。研磨定盤10の剛性は定盤
14および定盤受け部12の両者によるものであり、定
盤14に所定以上の剛性をもたせなくとも良い場合があ
る。
The platen 14 has a metal plate or a ceramic plate as a base (hereinafter referred to as a platen body), and a cloth or felt-like cloth, or a sponge or a short-hair brush-like member is fixed to the surface thereof. Composed. Surface plate 14
If is a ceramic plate, the weight can be reduced and the rigidity can be improved. Further, for example, if the platen 14 is a ceramic containing alumina as a main component, the density is about 3.9 g /
cc, which is about half the density of cast iron materials (about 7.9 g / cc). Therefore, the weight can be reduced to about half, and the work of attaching / detaching the surface plate 14 at the time of replacing the cloth can be facilitated. When the surface plate 14 is a ceramic plate as described above, the weight is reduced, so that the function of integrating the surface plate 14 with the surface plate receiving portion 12 is reduced. However,
Since the surface plate 14 is fixed to the surface plate receiving portion 12 by vacuum suction, the surface plate 14 and the surface plate receiving portion 12 can be reliably integrated. By the way, the weight of the surface plate 14 can be reduced by reducing the thickness thereof. The rigidity of the polishing platen 10 depends on both the platen 14 and the platen receiving portion 12, and it may not be necessary for the platen 14 to have a rigidity not lower than a predetermined value.

【0012】また、定盤受け部12は、二層の平板部1
2a、12bによって構成されている。平板部12b
に、軸部16が一体に固定されており、定盤14を受け
る側と反対面の方向に軸部16が一体に突設された定盤
受け部12が形成されている。定盤受け部12の材質
は、熱による変形の少ないものが望ましい。例えば、低
熱膨張材(例えば特殊な鋳鉄材)を用いることができ
る。その低熱膨張材としては、線膨張係数が3.0×1
-6/K・20−100°C以下、さらに高精度のもの
としては線膨張係数が1.0×10-6/K・20−10
0°C以下のものが知られている。このような熱による
変形が少ない材質を、定盤受け部12を採用することに
よって、ウェーハの研磨精度を向上することができる。
すなわち、定盤受け部12の変形が少なければ、定盤1
4は定盤受け部12の形状に倣って固定されているた
め、その平坦度が低下することを防止できる。なお、定
盤14が上記のようにアルミナを主成分とするセラミッ
クスの場合、線膨張係数が7.0×10-6/K・40−
500°C程度であるが、真空装置による吸着作用によ
れば、熱膨張による力を開放可能に定盤14を定盤受け
部12に固定した状態となるため、バイメタル状に反る
ことはなく、平坦度は低下しない。
The platen receiving portion 12 is a two-layer flat plate portion 1.
It is composed of 2a and 12b. Flat plate part 12b
Further, a shaft portion 16 is integrally fixed, and a surface plate receiving portion 12 is formed in which the shaft portion 16 is integrally projected in a direction opposite to a side for receiving the surface plate 14. It is desirable that the material of the platen receiving portion 12 is one that is less likely to be deformed by heat. For example, a low thermal expansion material (for example, a special cast iron material) can be used. The low thermal expansion material has a linear expansion coefficient of 3.0 × 1.
0 -6 / K ・ 20-100 ° C or less, and as a more accurate one, the linear expansion coefficient is 1.0 × 10 -6 / K ・ 20-10
Those below 0 ° C are known. By using the surface plate receiving portion 12 made of such a material that is less likely to be deformed by heat, the polishing accuracy of the wafer can be improved.
That is, if the surface plate receiving portion 12 is not largely deformed, the surface plate 1
Since 4 is fixed according to the shape of the surface plate receiving portion 12, it is possible to prevent the flatness thereof from being lowered. When the surface plate 14 is a ceramic containing alumina as the main component as described above, the linear expansion coefficient is 7.0 × 10 −6 / K · 40−.
Although the temperature is about 500 ° C., the suction action of the vacuum device causes the surface plate 14 to be fixed to the surface plate receiving portion 12 so that the force due to the thermal expansion can be released, so that it does not warp in a bimetal shape. , Flatness does not decrease.

【0013】定盤受け部12の平板部12aの定盤14
が載置される表面には、定盤14を真空吸着するための
溝状の真空通路15が形成されている。なお、真空通路
15は平板部12aの表面に図4の如く形成されてお
り、軸部16の通路15aを通って真空源(不図示)に
連通される。真空通路15は図4に示すように、その面
積が定盤14を受ける面積と比較しても広く設定してあ
るのは吸着力を高めるためであり、全面にほぼ均等に形
成されていることで、吸着力が分散して定盤14が変形
することを防止している。17はガスケットであり、断
面V字状でリング状に形成されている。また、図3に示
すように、定盤14が定盤受け部12に吸着される際に
機密シールする。
Surface plate 14 of flat plate portion 12a of surface plate receiving portion 12
A groove-shaped vacuum passage 15 for vacuum-sucking the surface plate 14 is formed on the surface on which is mounted. The vacuum passage 15 is formed on the surface of the flat plate portion 12a as shown in FIG. 4, and communicates with a vacuum source (not shown) through the passage 15a of the shaft portion 16. As shown in FIG. 4, the area of the vacuum passage 15 is set to be larger than the area for receiving the surface plate 14 in order to increase the suction force, and the vacuum passage 15 should be formed substantially evenly over the entire surface. Thus, the adsorption force is prevented from being dispersed and the surface plate 14 is deformed. Reference numeral 17 denotes a gasket, which has a V-shaped cross section and is formed in a ring shape. Further, as shown in FIG. 3, when the surface plate 14 is adsorbed to the surface plate receiving portion 12, the airtight seal is provided.

【0014】平板部12bには、平板部12aとの間に
冷却水が循環できる循環水路13が形成されている。循
環水路13は軸部16を貫通する冷却水供給路13aと
冷却水排出路13bに連通しており、不図示の冷却水供
給源および冷却水吸引装置によって冷却水が供給循環さ
れる。17aはリング状のパッキンであり、平板部12
aと平板部12bとの水密シールをしている。平板部1
2bの表面に設けられた循環水路13は図5に示すよう
な溝の形態になっている。このように、冷却水の導入口
13cと排出口13dとを溝の反対側同士となるように
設け、ひだ状に形成したのは、冷却水を方向性をもって
循環させると共に冷却水が全面に好適に循環してその冷
却効率を向上させるためである。なお、冷却水を導入す
る動力装置としては、例えば吸引装置であるトロコイド
ポンプを利用できる。吸引による場合は真空度をいくら
上げても一気圧にしかならず、研磨定盤の変形が一定以
上にならないという利点がある。但し、高圧流を利用し
ても良いのは勿論である。
A circulating water passage 13 is formed between the flat plate portion 12b and the flat plate portion 12a so that cooling water can circulate. The circulating water passage 13 communicates with the cooling water supply passage 13a and the cooling water discharge passage 13b which penetrate the shaft portion 16, and the cooling water is supplied and circulated by a cooling water supply source and a cooling water suction device (not shown). Reference numeral 17a denotes a ring-shaped packing, which is the flat plate portion 12
A watertight seal is made between a and the flat plate portion 12b. Flat plate part 1
The circulating water channel 13 provided on the surface of 2b is in the form of a groove as shown in FIG. In this way, the cooling water inlet 13c and the outlet 13d are provided so as to be on opposite sides of the groove, and are formed in a pleated shape so that the cooling water circulates in a directional manner and the cooling water is suitable for the entire surface. This is because it is circulated to improve the cooling efficiency. A trochoid pump, which is a suction device, can be used as the power unit for introducing the cooling water. In the case of suction, there is an advantage that no matter how much the degree of vacuum is raised, only one atmosphere is attained, and the deformation of the polishing platen does not exceed a certain level. However, it goes without saying that a high-pressure flow may be used.

【0015】12cは平板部12aに固定されたピンで
あり、定盤14に設けられた凹部14aに嵌入される。
このピン12cと凹部14aとは複数(本実施例では2
箇所)設けられており、定盤受け部12に対する定盤1
4の位置決めとして用いられる。また、このピン12c
は、定盤14の横滑りを防止する役割もある。定盤14
に形成された凹部14aは、ステンレススチール(SU
S)によって形成されている。このようにSUS材を介
してピン12cをセラミックスからなる定盤14に係合
させたのは、ピン12cによって脆いセラミックスに付
与される力を分散して定盤14を保護するためである。
Reference numeral 12c is a pin fixed to the flat plate portion 12a, and is fitted in a concave portion 14a provided in the surface plate 14.
The pin 12c and the recess 14a are plural (in this embodiment, 2
The surface plate 1 for the surface plate receiving portion 12 is provided.
4 is used for positioning. Also, this pin 12c
Also has a role of preventing side slip of the surface plate 14. Surface plate 14
The recess 14a formed in the
S). The reason why the pin 12c is engaged with the surface plate 14 made of ceramics via the SUS material in this manner is to protect the surface plate 14 by dispersing the force applied to the brittle ceramics by the pin 12c.

【0016】22は支持台部であり、研磨定盤10をそ
の研磨面10aに直交する軸線を中心に回転可能に支持
する。支持台部22の中央に貫通された貫通孔22aに
研磨定盤10の軸部16が挿通されており、スラスト軸
受23およびラジアル軸受18、18、19、19によ
って、研磨定盤10が支持台部22に対して、その軸線
を中心に回転可能に軸受けされている。
Reference numeral 22 denotes a support base which supports the polishing platen 10 rotatably about an axis perpendicular to the polishing surface 10a. The shaft portion 16 of the polishing platen 10 is inserted into a through hole 22a that penetrates through the center of the support table 22, and the polishing table 10 is supported by the thrust bearing 23 and the radial bearings 18, 18, 19, and 19. The portion 22 is rotatably supported about its axis.

【0017】25は回転駆動手段であり、支持台部22
に搭載され、その支持台部22に対して研磨定盤10を
前記軸線を中心として回転させる。この回転駆動手段2
5は、例えば本実施例のように、支持台部22に固定さ
れた回転動用モータ24(図2参照)と、その回転用駆
動モータ24の出力軸に固定されたウォームギア26
と、ウォームギア26に歯合し、研磨定盤10側に固定
されたウォームホイール27とからなる。なお、ウォー
ムホイール27は前記軸部16とキー28によって一体
に回転するように連結・固定されている。また、29は
ディストリビュータ部であり、後述するウェーハの押圧
装置40のディストリビュータ部92と略同様な機構に
よって、軸部16が回転しても、冷却水を循環水路13
に対して給排できると共に、真空源が真空通路15に連
通するように設けられている。
Reference numeral 25 denotes a rotation driving means, which is a support base 22.
And the polishing platen 10 is rotated about the axis with respect to the support base 22. This rotation driving means 2
Reference numeral 5 denotes a rotary motion motor 24 (see FIG. 2) fixed to the support base 22 and a worm gear 26 fixed to the output shaft of the rotary drive motor 24, as in this embodiment.
And a worm wheel 27 meshed with the worm gear 26 and fixed to the polishing platen 10 side. The worm wheel 27 is connected and fixed by the shaft 16 and the key 28 so as to rotate integrally. Reference numeral 29 denotes a distributor, which is substantially the same as a distributor 92 of the wafer pressing device 40 described later, and supplies cooling water to the circulating channel 13 even when the shaft 16 rotates.
And a vacuum source is provided so as to communicate with the vacuum passage 15.

【0018】30は基台であり、支持台部22を支持す
る。図1に図示した基台30は装置本体のフレームの一
部であり、実際には支柱フレーム(不図示)によって、
基礎面上に固定されている。32は円運動装置であり、
基台30に対して支持台部22を研磨面10aと平行な
面内で自転しない円運動をさせる。この円運動装置32
は、例えば本実施例のように、偏心アーム34と円運動
用モータ36からなる。
A base 30 supports the support base 22. The base 30 shown in FIG. 1 is a part of the frame of the main body of the apparatus, and in reality, a support frame (not shown)
It is fixed on the foundation surface. 32 is a circular exercise device,
The support table 22 is caused to make a circular motion that does not rotate with respect to the base 30 within a plane parallel to the polishing surface 10a. This circular motion device 32
Comprises an eccentric arm 34 and a circular motion motor 36 as in this embodiment, for example.

【0019】偏心アーム34は、研磨定盤10の軸線に
平行な軸線を中心に基台30に回転可能に設けられた基
台側の軸35と、その基台側の軸35に平行であると共
に所定の距離偏心した軸線を中心に支持台部22に回転
可能に設けられた支持台部側の軸38とがクランク状に
一体に形成されている。そして、基台側の軸35と支持
台部側の軸38との偏心距離Lが同一である同一形状の
偏心アーム34が、基台30と支持台部22の間に、図
2に示すように3ヵ所に配されている。なお、本実施例
では偏心アーム34を3ヵ所に配した場合を説明した
が、本実施例はこれに限らず、支持台部22をバランス
良く基台30上に支持するために4ヵ所以上に配しても
よいのは勿論である。
The eccentric arm 34 is parallel to the base-side shaft 35 rotatably provided on the base 30 about an axis parallel to the axis of the polishing platen 10, and the base-side shaft 35. At the same time, a shaft 38 on the support base portion side rotatably provided on the support base portion 22 about an axis decentered by a predetermined distance is integrally formed in a crank shape. Then, an eccentric arm 34 of the same shape in which the eccentric distance L between the base-side shaft 35 and the support-base-side shaft 38 is the same is provided between the base 30 and the support-base 22 as shown in FIG. It is distributed in three places. In the present embodiment, the case where the eccentric arms 34 are arranged at three places has been described. However, the present embodiment is not limited to this, and the eccentric arms 34 are provided at four or more places in order to support the support base 22 on the base 30 with good balance. Of course, they may be arranged.

【0020】円運動用モータ36は、少なくとも3ヵ所
に配された偏心アーム34を同期させて回転運動させ、
支持台部22を基台30に対して自転しない円運動させ
る円運動駆動手段として作動する。円運動用モータ36
は、各偏心アーム34に対応してそれぞれ配されてお
り、基台30に固定されている。なお、円運動用モータ
36は、一個でも支持台部22を駆動できる。また、円
運動駆動手段としては、円運動用モータのように偏心ア
ーム34に直結していなくてもよく、基台側の軸35を
好適に回転できる機構であればよいのは勿論である。
The circular motion motor 36 synchronously rotates the eccentric arms 34 arranged at least at three positions,
The support base 22 operates as a circular movement driving means for causing the support base 22 to make a circular movement without rotating with respect to the base 30. Circular motion motor 36
Are arranged corresponding to the respective eccentric arms 34, and are fixed to the base 30. The circular motion motor 36 can drive the support base 22 even with one motor 36. Further, the circular movement driving means need not be directly connected to the eccentric arm 34 like a circular movement motor, and needless to say, may be any mechanism capable of suitably rotating the shaft 35 on the base side.

【0021】次に、図6に基づいて、ウェーハの押圧装
置40について説明する。ウェーハの押圧装置40は、
研磨定盤10の上方に位置し、ウェーハ表面を研磨定盤
10の研磨面10aに当接させるようにウェーハ20を
保持し、ウェーハ20を研磨定盤10の研磨面10aに
押圧する。50は保持部材であり、表面50aにウェー
ハ20を水等の液体(本実施例では水)の表面張力によ
って保持できる。この保持部材50は、セラミックプレ
ートを基材とし、そのセラミックプレートの表面に弾性
材であってウェーハ20を吸着する吸着性の優れたバッ
キング材が接着等によって付着されて形成されている。
バッキング材の材質は、ポリウレタンを主体とする高分
子材料の微孔質シートであり、その弾性によってウェー
ハ20に好適に馴染んで密着し易い。
Next, the wafer pressing device 40 will be described with reference to FIG. The wafer pressing device 40 includes:
The wafer 20 is held above the polishing surface plate 10 so that the wafer surface is brought into contact with the polishing surface 10 a of the polishing surface plate 10, and the wafer 20 is pressed against the polishing surface 10 a of the polishing surface plate 10. Reference numeral 50 denotes a holding member, which can hold the wafer 20 on the surface 50a by the surface tension of a liquid such as water (water in this embodiment). The holding member 50 has a ceramic plate as a base material, and is formed by attaching a backing material, which is an elastic material and has an excellent adsorptivity for adsorbing the wafer 20, to the surface of the ceramic plate by adhesion or the like.
The material of the backing material is a microporous sheet made of a polymer material mainly composed of polyurethane.

【0022】また、保持部材50の表面には、テンプレ
ート52が接着によって装着されている。このテンプレ
ート52は、リング状に形成されており、ウェーハ20
の周囲を取り囲んでウェーハ20の滑り移動を防止して
いる。テンプレート52の内径は、ウェーハ20の横滑
りを抑え、ウェーハ20が容易に内嵌するように設定さ
れている。また、ウェーハ20の厚さの3分の2程度の
厚さに設定されている。なお、テンプレート52は嵌め
込み式に装着されていてもよい。
The template 52 is attached to the surface of the holding member 50 by adhesion. The template 52 is formed in a ring shape, and
To prevent sliding movement of the wafer 20. The inner diameter of the template 52 is set so that the side slip of the wafer 20 is suppressed and the wafer 20 is easily fitted inside. Further, the thickness is set to about two thirds of the thickness of the wafer 20. Note that the template 52 may be mounted in a fitting manner.

【0023】53は凹部であり、下方に向けて開放して
いる。54は板状の弾性部材であり、例えば硬質のゴム
板材によってドーナツ形の平板状に形成され、外周部が
凹部53の内上面の外周段部に固定されると共に内周部
が保持部材50の上面に固定されており、保持部材50
を上下方向及び水平方向への移動を微小範囲内で許容可
能に吊持する。55は圧力室であり、前記凹部53を保
持部材50および板状の弾性部材54によって画成して
設けられている。この圧力室55内に所定圧力の流体
が、流体の供給手段(図示せず)によって供給できる。
Reference numeral 53 is a concave portion, which is open downward. Numeral 54 denotes a plate-shaped elastic member, which is formed in a donut-shaped flat plate shape by, for example, a hard rubber plate material, and has an outer peripheral portion fixed to an outer peripheral step on the inner upper surface of the concave portion 53 and an inner peripheral portion of the holding member 50. The holding member 50 is fixed to the upper surface.
Is vertically suspended within a very small range in the vertical and horizontal directions. Reference numeral 55 is a pressure chamber, and the recess 53 is defined by the holding member 50 and the plate-shaped elastic member 54. A fluid having a predetermined pressure can be supplied into the pressure chamber 55 by a fluid supply means (not shown).

【0024】また、62は主軸であり、筒状に形成され
ており、その筒内に高圧流体源である圧縮空気源(図示
せず)に連通する管64が挿入されている。この管64
は前記圧力室55に連通しており、ウェーハ20の表面
を研磨定盤10の研磨面10a(図1参照)に当接させ
た際に、この圧力室55内に圧縮空気が導入されると、
保持部材50の上面の略全面に均一な圧力が負荷され
る。これにより、所望の圧力によってウェーハ20の表
面をその全面に均等な荷重を負荷しつつ、研磨面10a
に押圧することができる。このとき、圧力室55に充填
された圧縮空気は流体(本実施例では空気)であるた
め、保持部材50の全面を均等に押圧し、ウェーハ20
の表面を研磨面10aの傾斜に素早く追随させることが
できる。
Further, reference numeral 62 is a main shaft, which is formed in a cylindrical shape, and a tube 64 which communicates with a compressed air source (not shown) which is a high pressure fluid source is inserted in the cylindrical shape. This tube 64
Communicates with the pressure chamber 55, and when compressed air is introduced into the pressure chamber 55 when the surface of the wafer 20 is brought into contact with the polishing surface 10a of the polishing platen 10 (see FIG. 1). ,
A uniform pressure is applied to substantially the entire upper surface of the holding member 50. As a result, the polished surface 10 a
Can be pressed. At this time, since the compressed air filled in the pressure chamber 55 is a fluid (air in this embodiment), the entire surface of the holding member 50 is pressed evenly and the wafer 20 is pressed.
Can quickly follow the inclination of the polishing surface 10a.

【0025】66はベース部材であり、保持部材50に
よって保持されるウェーハ20を研磨面10a上へ供給
すると共にその研磨面10a上から排出するべく移動可
能に設けられている。また、主軸62の先端に固定され
たウェーハの保持部42を主軸62等を介して回転可能
に支持している。
Reference numeral 66 denotes a base member, which is movably provided so as to supply the wafer 20 held by the holding member 50 onto the polishing surface 10a and discharge it from the polishing surface 10a. Further, the wafer holding section 42 fixed to the tip of the main shaft 62 is rotatably supported via the main shaft 62 and the like.

【0026】68は係止部であり、主軸62の上部に設
けられ、下側よりも小径に形成されている。この係止部
68は、シリンダ装置70のロッド72に固定されたア
ーム部74に、回転及びスラスト方向の両方向に軸受け
する軸受部76、76を介して係止されている。また、
ウェーハの保持部42と一体に設けられた主軸62は、
ベース部材66に対して回転軸受78、78を介して回
転可能に設けられた回転伝達部材80内に挿入されてい
る。回転軸受78、78はベース部材66に一体に固定
された立設筒部82内に装着されている。この回転伝達
部材80と主軸62とは、主軸62側に固定されたキー
84が、回転伝達部材80側に設けられたキー溝81内
に臨むことで連繋されている。このため、回転伝達部材
80と主軸62とは一体的に回転動する。また、キー溝
81が長手方向である軸線方向に長く設けられているた
め、主軸62は、シリンダ装置70によって所定の範囲
内でベース部材66に対して上下方向に移動できる。な
お、図3では、ウェーハの保持部42はシリンダ装置7
0によって上方に移動した状態にある。86は駆動モー
タであり、ピニオンギア88及び従動ギア90を介し
て、その従動ギア90がキー91によって連結された回
転伝達部材80を回転させる。なお、この回転伝達部材
80は、ベース部材66との間に配設された回転軸受7
8、78によって、ベース部材66に対して回転可能に
設けられている。
Reference numeral 68 denotes a locking portion, which is provided on the upper portion of the main shaft 62 and has a smaller diameter than the lower side. The locking portion 68 is locked to the arm portion 74 fixed to the rod 72 of the cylinder device 70 via bearing portions 76 and 76 that bear in both the rotational and thrust directions. Also,
The main shaft 62 provided integrally with the wafer holding portion 42 includes:
It is inserted into a rotation transmission member 80 rotatably provided to the base member 66 via rotary bearings 78. The rotary bearings 78 are mounted in an upright cylindrical portion 82 integrally fixed to the base member 66. The rotation transmitting member 80 and the main shaft 62 are linked by a key 84 fixed on the main shaft 62 side facing a key groove 81 provided on the rotation transmitting member 80 side. Therefore, the rotation transmitting member 80 and the main shaft 62 integrally rotate. Further, since the keyway 81 is provided to be long in the axial direction, which is the longitudinal direction, the main shaft 62 can be moved up and down with respect to the base member 66 within a predetermined range by the cylinder device 70. In addition, in FIG. 3, the wafer holder 42 is a cylinder device 7.
The state has been moved upward by 0. Reference numeral 86 denotes a drive motor, which rotates a rotation transmission member 80 connected via a key 91 with the driven gear 90 via a pinion gear 88 and a driven gear 90. The rotation transmitting member 80 is provided between the rotation bearing 7 and the base member 66.
8, 78, it is provided rotatable with respect to the base member 66.

【0027】92はディストリビュータ部であり、圧縮
空気源と連通するための連結ポート部である。このディ
ストリビュータ部92に内嵌した主軸62の先端部62
aを、その先端部62aが回転できるように受けてい
る。94は連通路であり、管64に連通している。ま
た、96はシール部材であり、このシール部材96、9
6にシールされて全周のリング状の空間97が形成され
ており、そのリング状の空間97に連通して高圧源連結
ポート98が設けられている。このため、先端部62a
が回転しても、圧縮空気源は、高圧源連結ポート98、
リング状の空間97、連通路94、管64を通して常に
圧力室55に連通できる。また、100はエンコーダ装
置であり、主軸62の回転位置を検知し、ウェーハの保
持部42を所定の位置で停止させる定位置停止装置の検
知装置として作用する。
Reference numeral 92 is a distributor section, which is a connection port section for communicating with the compressed air source. The tip portion 62 of the main shaft 62 fitted in the distributor portion 92
a so that the tip 62a can rotate. A communication passage 94 communicates with the pipe 64. Further, 96 is a seal member, and these seal members 96, 9
6 to form a ring-shaped space 97 around the entire circumference, and a high-pressure source connection port 98 is provided in communication with the ring-shaped space 97. For this reason, the tip portion 62a
Rotates, the compressed air source remains at the high pressure source connection port 98,
It can always communicate with the pressure chamber 55 through the ring-shaped space 97, the communication passage 94, and the pipe 64. An encoder device 100 detects the rotational position of the main shaft 62 and functions as a detection device of a fixed position stop device that stops the wafer holding unit 42 at a predetermined position.

【0028】以上のような運動機構を備えるウェーハの
研磨装置によれば、研磨定盤10は、複数の偏心アーム
34による支持台部22を自転しないで円運動(この自
転しない円運動のことを、以下では単に円運動とい
う。)させる運動と、支持台部22に対して回転(自
転)する運動とが合成された運動をする。また、ウェー
ハの押圧装置40の側では、ウェーハ20を回転(自
転)させるよう、ウェーハの保持部42が運動する。円
運動は回転運動と異なり、研磨定盤10上のいかなる点
も同一の速度を発生させる運動であり、ウェーハ20の
いかなる点も同一の条件で研磨することができる。従っ
て、ウェーハ20の表面を非常に均一に精度よく研磨す
ることができる。他の条件を同一にした場合、従来のウ
ェーハの研磨装置では8インチのシリコンウェーハで
0.5μmだった平坦度が、本発明のウェーハの研磨装
置によれば0.2μm以下の平坦度が容易に得られるよ
うになった。また、このように均一に研磨できるので、
研磨定盤10の研磨面を構成するクロス等自体の磨耗が
均一化し、研磨定盤10の調整作業等が簡略化でき、研
磨作業を効率化できる。
According to the wafer polishing apparatus having the above-described movement mechanism, the polishing platen 10 is moved circularly without rotating the support base 22 by the plurality of eccentric arms 34 (this circular movement that does not rotate). , Which will be simply referred to as a circular motion below) and a motion of rotating (spinning) with respect to the support base 22. On the side of the wafer pressing device 40, the wafer holding unit 42 moves so as to rotate (rotate) the wafer 20. The circular motion is different from the rotary motion, in that any point on the polishing platen 10 generates the same speed, and any point on the wafer 20 can be polished under the same conditions. Therefore, the surface of the wafer 20 can be polished very uniformly and accurately. When the other conditions are the same, the flatness of 0.5 μm for an 8-inch silicon wafer in the conventional wafer polishing apparatus is easily 0.2 μm or less in the wafer polishing apparatus of the present invention. I got it. Also, because it can be uniformly polished in this way,
The wear of the cloth itself constituting the polishing surface of the polishing platen 10 is made uniform, the adjustment work of the polishing platen 10 can be simplified, and the polishing work can be made efficient.

【0029】以上に説明してきたウェーハの研磨装置
は、ウェーハの押圧装置のセラミックプレートとしてバ
ッキング材を接着させた保持部材50を利用している。
これは、セラミックスは、金属材に比べ線膨張係数の小
さく、変形しにくいため、ウェーハ20を均一に精度よ
く研磨するために有効であることによるが、セラミック
プレートに代えて、金属材または樹脂材からなるプレー
トを利用してもよいのは勿論である。また、保持部材と
しては、変形しにくいプレート状の形態を備えているも
のに限らず、弾性部材によって形成された薄膜状のもの
も含まれる。そのような保持部材でも、ウェーハ20を
液体圧を介して研磨面10aに均一な圧力で当接させる
ことが可能である。
The wafer polishing apparatus described above uses the holding member 50 to which the backing material is adhered as the ceramic plate of the wafer pressing apparatus.
This is because ceramics have a smaller coefficient of linear expansion and are less likely to be deformed than metal materials, and are therefore effective for uniformly and accurately polishing the wafer 20, but instead of ceramic plates, metal materials or resin materials are used. Of course, a plate made of Further, the holding member is not limited to a plate-shaped member that is not easily deformed, and includes a thin-film member formed of an elastic member. Even with such a holding member, it is possible to bring the wafer 20 into contact with the polishing surface 10a with a uniform pressure via the liquid pressure.

【0030】また、ウェーハの保持部42は、ウェーハ
20を水貼りで保持部材50に貼ることで保持するが、
これに限らず、他の構成からなるものでもよい。例え
ば、ウェーハ20を吸着して保持して供給排出を行い、
実際に研磨をする際には吸着しない状態でウェーハ20
を押圧するウェーハの保持部42でもよい。また、以上
に説明してきた実施例では、圧縮空気によって保持部材
50を介してウェーハ20を研磨面に押圧する場合を説
明したが、他の流体圧例えば水圧または油圧を利用する
こともできる。また、前記保持部材50が複数のウェー
ハ20を保持可能なように大型に設けられた場合には、
テンプレート52に、ウェーハ20が内嵌される複数の
穴を設け、複数のウェーハ20を同時に研磨することが
できる。
The wafer holder 42 holds the wafer 20 by pasting the wafer 20 onto the holding member 50 with water.
However, the present invention is not limited to this, and may have another configuration. For example, supply and discharge while holding the wafer 20 by suction,
In actual polishing, the wafer 20 is not sucked.
May be used as the wafer holding unit 42 that presses the wafer. In the embodiment described above, the case where the wafer 20 is pressed against the polishing surface by the compressed air via the holding member 50 has been described. However, other fluid pressure, for example, water pressure or oil pressure can be used. Further, when the holding member 50 is provided in a large size so as to hold a plurality of wafers 20,
A plurality of holes into which the wafers 20 are fitted are provided in the template 52, and the plurality of wafers 20 can be polished simultaneously.

【0031】以上の実施例では、研磨定盤が、その中心
軸を中心に回転運動すると共に、ウェーハの研磨むらを
防止するために上述した円運動させるウェーハの研磨装
置に適用する場合について説明したが、本発明はこれに
限らず、定盤の重量低減およびその交換作業の容易化と
いう点については、定盤を回転運動させると共に直線往
復運動(揺動運動)をさせてウェーハを均一に研磨する
運動機構を備えるウェーハの研磨装置にも好適に適用で
きるのは勿論である。以上、本発明の好適な実施例につ
いて種々述べてきたが、本発明はこの実施例に限定され
るものではなく、発明の精神を逸脱しない範囲内でさら
に多くの改変を施し得るのは勿論のことである。
In the above embodiments, the case where the polishing platen is applied to the wafer polishing apparatus which rotates about the central axis thereof and also has the above-mentioned circular motion to prevent uneven polishing of the wafer has been described. However, the present invention is not limited to this, and in terms of reducing the weight of the platen and facilitating the replacement work thereof, the platen is rotated and linearly reciprocated (oscillated) to uniformly polish the wafer. Of course, it can be suitably applied to a wafer polishing apparatus provided with a moving mechanism. As described above, various preferred embodiments of the present invention have been described. However, the present invention is not limited to these embodiments, and it goes without saying that many more modifications can be made without departing from the spirit of the invention. That is.

【0032】[0032]

【発明の効果】本発明のウェーハの研磨装置によれば、
定盤と定盤受け部とが一体となってウェーハに対して相
対的に運動できるように、真空装置によって研磨定盤と
定盤受け部とを取り外し可能に相互に吸着させることが
できる。従って、本発明によれば、従来どおり定盤本体
の平坦度を好適に維持できる共に定盤を定盤受け部に確
実に固定可能であり、且つ、定盤の重量を軽減すること
でクロスの張り替えの際等の定盤の着脱作業を容易にで
きるという著効を奏する。
According to the wafer polishing apparatus of the present invention,
The polishing surface plate and the surface plate receiving portion can be detachably attached to each other by a vacuum device so that the surface plate and the surface plate receiving portion can move relative to the wafer integrally. Therefore, according to the present invention, the flatness of the surface plate main body can be preferably maintained as it is, and the surface plate can be securely fixed to the surface plate receiving portion. It has a remarkable effect that the work of attaching and detaching the surface plate can be easily performed when re-installing.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明にかかるウェーハの研磨装置の一実施例
を示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of a wafer polishing apparatus according to the present invention.

【図2】図1の実施例の模式的な平面図である。FIG. 2 is a schematic plan view of the embodiment of FIG.

【図3】図1の実施例の研磨定盤の詳細を示す断面図で
ある。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing details of a polishing platen according to the embodiment of FIG.

【図4】図1の実施例の真空通路の一形態を示す平面図
である。
FIG. 4 is a plan view showing one form of the vacuum passage of the embodiment of FIG.

【図5】図1の実施例の循環水路の一形態を示す平面図
である。
5 is a plan view showing one form of the circulating water channel of the embodiment of FIG. 1. FIG.

【図6】本発明にかかるウェーハの研磨装置に用いられ
るウェーハの押圧装置の断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view of a wafer pressing device used in the wafer polishing apparatus according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 研磨定盤 10a 研磨面 12 定盤受け部 12a 平板部 12b 平板部 12c ピン 13 循環水路 14 定盤 14a 凹部 15 真空通路 16 軸部 20 ウェーハ 22 支持台部 24 回転用駆動モータ 25 回転駆動手段 26 ウォームギア 27 ウォームホイール 30 基台 32 円運動装置 34 偏心アーム 35 基台側の軸 36 円運動用モータ 38 支持台部側の軸 40 ウェーハの押圧装置 10 polishing surface plate 10a polishing surface 12 surface plate receiving portion 12a flat plate portion 12b flat plate portion 12c pin 13 circulating water channel 14 surface plate 14a recessed portion 15 vacuum passage 16 shaft portion 20 wafer 22 support base portion 24 rotation drive motor 25 rotation drive means 26 Worm gear 27 Worm wheel 30 Base 32 Circular movement device 34 Eccentric arm 35 Base side shaft 36 Circular movement motor 38 Support base side shaft 40 Wafer pressing device

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 福島 政法 長野県長野市松代町清野1650番地 不二越 機械工業株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── --- Continuation of the front page (72) Inventor Fukushima Government Law 1650 Kiyono, Matsushiro-cho, Nagano City, Nagano Prefecture Fujikoshi Machine Industry Co., Ltd.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ウェーハ表面を研磨定盤の研磨面に当接
させ、該ウェーハに所定の荷重を与えつつウェーハと研
磨定盤とを相対的に運動させてウェーハ表面を研磨する
ウェーハの研磨装置において、 前記研磨定盤は、研磨面が設けられた定盤と、該定盤を
受けて支持する定盤受け部とを備え、 前記定盤と前記定盤受け部とが一体となって前記ウェー
ハに対して相対的に運動できるように、研磨定盤と定盤
受け部とを相互に吸着させる真空装置が設けられている
ことを特徴とするウェーハの研磨装置。
1. A wafer polishing apparatus for polishing a wafer surface by bringing a wafer surface into contact with a polishing surface of a polishing surface plate and relatively moving the wafer and the polishing surface plate while applying a predetermined load to the wafer. In the above, the polishing surface plate includes a surface plate provided with a polishing surface and a surface plate receiving portion that receives and supports the surface plate, and the surface plate and the surface plate receiving portion are integrated with each other. A wafer polishing apparatus comprising a vacuum device for adhering a polishing platen and a platen receiving portion to each other so as to be able to move relative to the wafer.
【請求項2】 前記定盤は、セラミックス板からなる定
盤本体の表面上に、布もしくはフェルト状のクロス等の
研磨面を構成する部材が固定されて設けられていること
を特徴とする請求項1記載のウェーハの研磨装置。
2. The platen is characterized in that a member constituting a polishing surface such as cloth or felt-like cloth is fixedly provided on the surface of a platen body made of a ceramic plate. Item 2. A wafer polishing apparatus according to Item 1.
【請求項3】 一体に相互に吸着された前記定盤と前記
定盤受け部とを該定盤の研磨面に直交する軸線を中心に
回転可能に支持する支持台部と、 該支持台部に搭載され、支持台部に対して前記定盤を前
記軸線を中心として回転させる回転駆動手段と、 前記支持台部を支持する基台と、 該基台に対して前記支持台部を前記研磨面と平行な面内
で自転しない円運動をさせる円運動装置とを具備するこ
とを特徴とする請求項1または2記載のウェーハの研磨
装置。
3. A support base portion that supports the surface plate and the surface plate receiving portion, which are integrally adsorbed to each other, rotatably about an axis perpendicular to the polishing surface of the surface plate, and the support base portion. A rotation driving means for rotating the surface plate around the axis with respect to a support base, a base for supporting the support base, and the polishing for polishing the support base with respect to the base. 3. A polishing apparatus for a wafer according to claim 1, further comprising a circular motion device for performing a circular motion that does not rotate in a plane parallel to the plane.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2011092744A1 (en) * 2010-01-29 2011-08-04 エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社 Optical fiber polishing apparatus

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6544111B1 (en) 1998-01-30 2003-04-08 Ebara Corporation Polishing apparatus and polishing table therefor
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