JPH09281356A - Waveguide type fiber connector - Google Patents

Waveguide type fiber connector

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JPH09281356A
JPH09281356A JP8090870A JP9087096A JPH09281356A JP H09281356 A JPH09281356 A JP H09281356A JP 8090870 A JP8090870 A JP 8090870A JP 9087096 A JP9087096 A JP 9087096A JP H09281356 A JPH09281356 A JP H09281356A
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JP
Japan
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waveguide
optical
silica
fiber connector
face
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JP8090870A
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Japanese (ja)
Inventor
Kenichi Morosawa
健一 諸沢
Ryoji Suzuki
良治 鈴木
Kazuhisa Matsumoto
和久 松本
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Hitachi Cable Ltd
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Hitachi Cable Ltd
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  • Optical Integrated Circuits (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a waveguide type connector which connects high-refractive index optical waveguides of semiconductors, etc., and quartz optical fibers with low loss and embodies connectability with decreased variations even if the optical circuits to be connected are plural. SOLUTION: The waveguide type connector 5 formed by fusion splicing the quartz optical fibers 4a, 4b, 4c, 4d to one end of a connector chip 3 formed with the quartz optical waveguides 2a, 2b, 2c, 2d changing continuously in the diameters and shapes of mode fields 20a, 20b, 20c, 20d on a quartz substrate 1 and forming an end face at the other end is used.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はコネクタ、特に石英
系以外の材料を基板として光回路が形成された光素子の
入出力部に、石英系光ファイバを接続するための導波路
型ファイバコネクタに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a connector, and more particularly to a waveguide type fiber connector for connecting a silica optical fiber to the input / output portion of an optical element having an optical circuit formed of a material other than silica as a substrate. It is a thing.

【0002】[0002]

【従来の技術】石英系以外の材料、特に半導体材料を用
いた光素子の内で、フォトダイオードやレーザーダイオ
ード等は、単体で既に広く普及している。その他に、光
導波機構を利用した光変調器、光スイッチ、光増幅器等
も開発・実用化が急速に進んでいる。特に、光変調器や
光スイッチは、光信号を任意に制御・加工し、空間的に
処理できるため、光ジャイロ等の各種光センサから光通
信網におけるキーデバイスとして早期実用化が強く望ま
れている。
2. Description of the Related Art Among optical devices using materials other than quartz, especially semiconductor materials, photodiodes, laser diodes, etc. have already become widespread by themselves. In addition, development and commercialization of optical modulators, optical switches, optical amplifiers, etc. that use an optical waveguide mechanism are rapidly progressing. In particular, optical modulators and switches are capable of arbitrarily controlling and processing optical signals and processing them spatially. Therefore, early commercialization of various optical sensors such as optical gyros as key devices in optical communication networks is strongly desired. There is.

【0003】例えば半導体光スイッチではInP基板上
にInGaAsP系の混晶光導波路を形成して、キャリ
ア注入による局部的な屈折率の変化を利用する4×4光
スイッチが開発され、光の直接スイッチングによる高速
・高信頼性光交換への応用が検討されている。
In a semiconductor optical switch, for example, a 4 × 4 optical switch has been developed in which an InGaAsP-based mixed crystal optical waveguide is formed on an InP substrate and a local change in the refractive index due to carrier injection is utilized to develop a direct optical switching. The application to high-speed and high-reliability optical switching is being considered.

【0004】半導体材料で形成された光素子を広く適用
するためには、光の伝送路である石英系光ファイバとの
接続が不可欠である。一般に半導体材料の屈折率は3か
ら3.5と、石英材料の1.46に比べてはるかに大き
い。従って導波路を単一モードにした場合、波長1.5
5μmでモードフィールド径を比較した時、石英系光フ
ァイバでは約10μm、InGaAsP系の光導波路で
は約3μmと大きく異なり、そのまま接続すると、接続
点でモードフィールドのミスマッチにより大きな接続損
失や屈折率の違いに基づく反射損失が生じる。
In order to widely apply an optical element made of a semiconductor material, it is indispensable to connect it to a silica optical fiber which is a light transmission path. Generally, the refractive index of a semiconductor material is 3 to 3.5, which is much larger than 1.46 of a quartz material. Therefore, when the waveguide is set to a single mode, the wavelength of 1.5
When comparing the mode field diameters at 5 μm, the silica optical fiber is about 10 μm, and the InGaAsP optical waveguide is about 3 μm, which is a big difference. Reflection loss due to

【0005】半導体材料で形成された光導波路と石英系
光ファイバとの接続においては、図5に示すように、光
ファイバジャケット21を剥いだ光ファイバ22の先端
を球状に加工してレンズ効果を持たせた、先端球ファイ
バが用いられる。この先端球ファイバを半導体材料で形
成された光導波路の端面に近づけて光を結合する。な
お、先端を球状に加工する方法は、研磨による方法やエ
ッチングによる方法など、適宜用いることができる。
When connecting an optical waveguide made of a semiconductor material to a silica-based optical fiber, as shown in FIG. 5, the optical fiber 22 from which the optical fiber jacket 21 is peeled off is processed into a spherical shape to obtain a lens effect. The held spherical fiber is used. The tip spherical fiber is brought close to the end face of the optical waveguide made of a semiconductor material to couple light. As a method of processing the tip into a spherical shape, a polishing method, an etching method, or the like can be appropriately used.

【0006】図6は、複数の入出力端に複数の光ファイ
バを同時に接続する場合を示す。光ファイバジャケット
24を剥いで先端を球状に加工した光ファイバ25a〜
25dを、シリコンや石英基板の表面をV溝加工した治
具26に配列して並べ、このファイバアレイを半導体の
導波路端面に近づけて複数の光を同時に結合する。
FIG. 6 shows a case where a plurality of optical fibers are simultaneously connected to a plurality of input / output terminals. An optical fiber 25a whose optical fiber jacket 24 is peeled off and the tip is processed into a spherical shape
25d are arranged and arranged on a jig 26 in which the surface of a silicon or quartz substrate is V-grooved, and this fiber array is brought close to the end face of the waveguide of the semiconductor to couple a plurality of lights at the same time.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】上記の従来技術におい
ては、以下に述べる問題点があった。図5に示した、光
ファイバの先端を球状に加工して結合する方法では、屈
折率の違いや球状に加工するにも限界があるため、接続
損失が一ヶ所当たり4から6dBと非常に大きいという問
題があった。更に、先端球ファイバは直径125μmの
ガラスの円柱の先端を直径10μm程度に削るため、接
触等によって容易に破壊する等、取り扱い上の難しさが
あった。
The above-mentioned prior art has the following problems. In the method shown in FIG. 5 in which the tip of the optical fiber is processed into a spherical shape and coupled, there is a limit in the difference in refractive index and processing into a spherical shape, so the connection loss is extremely large at 4 to 6 dB per location. There was a problem. Further, since the tip spherical fiber has a tip of a glass cylinder with a diameter of 125 μm cut to a diameter of about 10 μm, it has a difficulty in handling such as being easily broken by contact or the like.

【0008】また、図6に示した、ファイバアレイを半
導体の導波路端面に近づけて複数の光を同時に結合する
方法では、各々のファイバと半導体の光導波路との光軸
が必ずしも一致せず、結合損失にばらつきが発生すると
いう問題があった。この損失のばらつきは、Siあるい
は石英基板の表面をV溝加工して治具を製作する際の、
加工ばらつきによるものである。
Further, in the method shown in FIG. 6 in which the fiber array is brought close to the end face of the semiconductor waveguide and a plurality of light beams are simultaneously coupled, the optical axes of the respective fibers and the semiconductor optical waveguide do not always match, There is a problem that the coupling loss varies. This loss variation is due to the V-groove processing of the surface of the Si or quartz substrate when manufacturing a jig.
This is due to processing variations.

【0009】従って、本発明は上記の問題点を解決すべ
く創案されたものであり、石英系以外の材料を基板とし
て光回路が形成された光素子、特に半導体光スイッチ等
の入出力端に、低損失かつ簡便に石英系光ファイバを接
続するための導波路型ファイバコネクタを提供すること
にある。
Therefore, the present invention was devised to solve the above-mentioned problems, and is applied to an optical element in which an optical circuit is formed by using a material other than quartz as a substrate, especially at an input / output end of a semiconductor optical switch or the like. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a waveguide type fiber connector for easily connecting a silica optical fiber with low loss.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
実現するために、石英基板上に形成された石英系のコア
と、該コアを埋め込む石英系のクラッドから光導波路が
形成された石英系光導波路素子の片端に、石英系光ファ
イバが融着接続され、他端に前記光導波路の端面が形成
されていることを特徴とする導波路型ファイバコネクタ
を用いた。
According to the present invention, in order to achieve the above object, an optical waveguide is formed from a silica-based core formed on a quartz substrate and a silica-based cladding that embeds the core. A silica-based optical fiber was fused to one end of a silica-based optical waveguide element, and an end face of the optical waveguide was formed at the other end of the silica-based optical waveguide element.

【0011】更に、上記導波路型ファイバコネクタにお
いて、上記光導波路のコアは複数本設けられ、該コアの
間隔は上記石英系光ファイバの融着接続側と上記光導波
路の端面形成側とで異なるように形成したことを特徴と
する導波路型ファイバコネクタを用いた。
Further, in the above-mentioned waveguide type fiber connector, a plurality of cores of the optical waveguide are provided, and the intervals between the cores are different between the fusion splicing side of the silica optical fiber and the end face forming side of the optical waveguide. A waveguide type fiber connector characterized by being formed as described above was used.

【0012】また、上記導波路型ファイバコネクタにお
いて、上記光導波路のモードフィールド径と形状は、上
記石英系光ファイバの融着接続側と上記光導波路の端面
形成側とで異なるように形成したことを特徴とする導波
路型ファイバコネクタを用いた。
In the above waveguide type fiber connector, the mode field diameter and shape of the optical waveguide are formed so as to be different between the fusion splicing side of the silica optical fiber and the end face forming side of the optical waveguide. A waveguide type fiber connector characterized by

【0013】更に、上記導波路型ファイバコネクタにお
いて、上記光導波路の端面にレンズや多層膜を形成した
ことを特徴とする導波路型ファイバコネクタを用いた。
Further, in the above waveguide type fiber connector, a waveguide type fiber connector characterized in that a lens or a multilayer film is formed on an end face of the above optical waveguide is used.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】本発明に係わる、第一の実施例を
図1に示す。石英基板1上にモードフィールド20a、
20b、20c、20dの径と形状が連続的に変化する
石英系光導波路2a、2b、2c、2dが形成されてい
る。その様に形成されたコネクタチップ3の片端に、石
英系光ファイバ4a、4b、4c、4dが融着接続さ
れ、コネクタチップ3の他端は端面が形成され、導波路
型コネクタ5が作製されている。フォトリソグラフ技術
により、導波路型コネクタ5の端面9の石英系光導波路
2a、2b、2c、2dは250μmピッチで形成さ
れ、石英系光ファイバ4a、4b、4c、4dを融着接
続する側は1mmピッチで形成されている。なお、ピッチ
はフォトリソグラフ技術により形成するため、任意の間
隔に設定できる。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A first embodiment according to the present invention is shown in FIG. Mode field 20a on the quartz substrate 1,
The silica-based optical waveguides 2a, 2b, 2c and 2d are formed in which the diameters and shapes of 20b, 20c and 20d are continuously changed. The silica-based optical fibers 4a, 4b, 4c, and 4d are fusion-spliced to one end of the connector chip 3 thus formed, and the end face is formed at the other end of the connector chip 3 to produce the waveguide connector 5. ing. By the photolithographic technique, the silica-based optical waveguides 2a, 2b, 2c, 2d on the end face 9 of the waveguide connector 5 are formed with a pitch of 250 μm, and the silica-based optical fibers 4a, 4b, 4c, 4d are fusion-spliced. It is formed with a 1 mm pitch. Since the pitch is formed by the photolithographic technique, it can be set at an arbitrary interval.

【0015】図2に、本発明の導波路型コネクタを4×
4半導体光スイッチに適用した例を示す。導波路型コネ
クタ5aと5bは同じものである。この導波路型コネク
タ5a、5bを4×4半導体光スイッチ7の入出力端に
突き合わせ、マウント8の上で固定した。半導体光スイ
ッチ7の導波路は幅3μmであり、半導体導波路6a、
6b、6c、6dは250μmピッチで形成されてい
る。半導体光スイッチ7と導波路型コネクタ5a、5b
の接続損失は一ヶ所当たり3.2から4dBであり、ばら
つきの少ない良好な接続が得られた。ばらつきが少ない
理由は、導波路型コネクタ5a、5bの導波路がフォト
リソグラフ技術により形成しているためであり、コアの
位置精度±0.2μm以下を容易に達成している。
FIG. 2 shows a waveguide type connector of the present invention 4 ×.
An example applied to a 4-semiconductor optical switch is shown. The waveguide connectors 5a and 5b are the same. The waveguide connectors 5a and 5b were butted against the input / output ends of the 4 × 4 semiconductor optical switch 7 and fixed on the mount 8. The waveguide of the semiconductor optical switch 7 has a width of 3 μm, and the semiconductor waveguide 6a,
6b, 6c and 6d are formed at a pitch of 250 μm. Semiconductor optical switch 7 and waveguide type connectors 5a and 5b
The connection loss was 3.2 to 4 dB per location, and good connection with little variation was obtained. The reason for the small variation is that the waveguides of the waveguide connectors 5a and 5b are formed by the photolithographic technique, and the core positional accuracy of ± 0.2 μm or less is easily achieved.

【0016】図3に、本発明の第二の実施例を示す。図
1で示したのと同様な導波路型コネクタ5の端面9に凸
レンズ10a、10b、10c、10dを形成したもの
である。この導波路型コネクタ5を前述の4×4半導体
光スイッチ7に、図2と同じように適用したところ、半
導体光スイッチ7と導波路型コネクタ5との接続損失は
一ヶ所当たり1.3から1.5dBと、低損失でばらつき
の少ない良好な接続特性が得られた。
FIG. 3 shows a second embodiment of the present invention. A convex lens 10a, 10b, 10c, 10d is formed on an end face 9 of a waveguide type connector 5 similar to that shown in FIG. When this waveguide type connector 5 is applied to the above-mentioned 4 × 4 semiconductor optical switch 7 in the same manner as in FIG. 2, the connection loss between the semiconductor optical switch 7 and the waveguide type connector 5 is 1.3 per location. Good connection characteristics with a low loss of 1.5 dB and less variation were obtained.

【0017】図4に本発明1の第三の実施例を示す。導
波路型コネクタ12は石英系光ファイバ4が1本のみ融
着接続されている。光ファイバ接続側のモードフィール
ド径は約10μmであり、導波路型コネクタ12の端面
13ではモードフィールド径が約8μmとなるよう形成
されている。そして、端面13に多層膜フィルタ14が
形成されている。図4では、この導波路型コネクタ12
を1.3/1.55μm双方向光伝送素子15に適用し
た様子を示している。
FIG. 4 shows a third embodiment of the present invention 1. In the waveguide connector 12, only one silica optical fiber 4 is fusion-spliced. The mode field diameter on the optical fiber connection side is about 10 μm, and the end face 13 of the waveguide connector 12 is formed so that the mode field diameter is about 8 μm. Then, the multilayer filter 14 is formed on the end face 13. In FIG. 4, this waveguide type connector 12
Is applied to the 1.3 / 1.55 μm bidirectional optical transmission element 15.

【0018】図4において、16は受光素子、17は発
光素子、18は送信信号光、19は受信信号光を表わ
す。1.3/1.55μm双方向光伝送素子15と導波
路型コネクタ12の接続損失は3.5dB、アイソレーシ
ョンは50dBと良好な接続特性が得られた。
In FIG. 4, 16 is a light receiving element, 17 is a light emitting element, 18 is transmission signal light, and 19 is reception signal light. The connection loss between the 1.3 / 1.55 μm bidirectional optical transmission element 15 and the waveguide connector 12 was 3.5 dB, and the isolation was 50 dB, which was a good connection characteristic.

【0019】[0019]

【発明の効果】石英基板上に形成された石英系コアと、
該コアを埋め込む石英系クラッドから形成された石英系
光導波路素子の片端に、石英系光ファイバが融着接続さ
れ、他端に前記石英系光導波路の端面が形成されている
ことを特徴とする導波路型ファイバコネクタを用いたこ
と、更に、上記導波路型ファイバコネクタにおいて、上
記石英系光導波路のコアは複数本設けられ、該コアの間
隔は上記光ファイバ融着接続側と上記光導波路端面形成
側とで異なるように形成したことを特徴とする導波路型
ファイバコネクタを用いたこと、また、上記導波路型フ
ァイバコネクタにおいて、上記石英系光導波路のモード
フィールド径と形状は、上記光ファイバ融着接続側と上
記光導波路端面形成側とで異なるように形成したことを
特徴とする導波路型ファイバコネクタを用いたこと、そ
れに、上記導波路型ファイバコネクタにおいて、上記光
導波路端面にレンズや多層膜を形成したことを特徴とす
る導波路型ファイバコネクタを用いたことで次の効果が
得られる。
A quartz-based core formed on a quartz substrate,
A silica-based optical waveguide element formed of a silica-based clad that fills the core is fused with a silica-based optical fiber at one end, and the end face of the silica-based optical waveguide is formed at the other end. A waveguide-type fiber connector is used, and further, in the above-mentioned waveguide-type fiber connector, a plurality of cores of the silica-based optical waveguide are provided, and the intervals between the cores are the optical fiber fusion splicing side and the optical waveguide end face. A waveguide-type fiber connector characterized by being formed differently on the formation side is used, and in the above-mentioned waveguide-type fiber connector, the mode field diameter and shape of the silica-based optical waveguide are Using a waveguide type fiber connector characterized in that the fusion splicing side and the optical waveguide end face formation side are formed differently, and the above waveguide In fiber connector, the following effects can be obtained by using a waveguide-type fiber connector, characterized in that the formation of the lens or multilayer film on the optical waveguide end face.

【0020】石英系光ファイバと半導体等の高屈折率光
導波路との、低損失接続が可能となる。また、多芯の接
続においても損失のばらつきが少ない良好な接続が達成
される。更に、導波路型コネクタの端面に多層膜フィル
タや各種の光デバイスを付与することができるため、接
続のみでなく、光信号の加工・処理等の機能を持たせる
ことができ、工業上有用である。
A low loss connection between a silica-based optical fiber and a high refractive index optical waveguide such as a semiconductor can be realized. In addition, even in a multi-core connection, good connection with less loss variation can be achieved. Furthermore, since a multilayer filter and various optical devices can be added to the end face of the waveguide connector, not only connection but also functions such as optical signal processing / processing can be provided, which is industrially useful. is there.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係わり、導波路型コネクタの第一の実
施例を示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing a first embodiment of a waveguide connector according to the present invention.

【図2】本発明に係わり、導波路型コネクタと半導体光
スイッチの結合方法を示す平面図である。
FIG. 2 is a plan view showing a method of coupling a waveguide type connector and a semiconductor optical switch according to the present invention.

【図3】本発明に係わり、導波路型コネクタの第二の実
施例を示す平面図である。
FIG. 3 is a plan view showing a second embodiment of the waveguide connector according to the present invention.

【図4】本発明に係わり、導波路型コネクタの第三の実
施例を示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing a third embodiment of the waveguide connector according to the present invention.

【図5】従来技術に係わり、先端球ファイバの外観を示
す平面図である。
FIG. 5 is a plan view showing the outer appearance of a tip spherical fiber according to a conventional technique.

【図6】従来技術に係わり、先端球ファイバアレイの概
略を示す平面図である。
FIG. 6 is a plan view showing an outline of a tip spherical fiber array according to a conventional technique.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 石英基板 2a、2b、2c,2d 石英系光導波路 3 コネクタチップ 4、4a、4b、4c、4d 石英系光ファイバ 5、5a、5b、12 導波路型コネクタ 6a、6b、6c、6d 半導体光導波路 7 半導体光スイッチ 8 マウント 9、13 端面 10a、10b、10c、10d 凸レンズ 14 多層膜フィルタ 15 双方向光伝送素子 16 受光素子 17 発光素子 18 送信信号光 19 受信信号光 20a、20b、20c、20d、23 モードフィー
ルド
1 Quartz substrate 2a, 2b, 2c, 2d Quartz optical waveguide 3 Connector chip 4, 4a, 4b, 4c, 4d Quartz optical fiber 5, 5a, 5b, 12 Waveguide connector 6a, 6b, 6c, 6d Semiconductor optical Waveguide 7 Semiconductor optical switch 8 Mount 9, 13 End surface 10a, 10b, 10c, 10d Convex lens 14 Multilayer film filter 15 Bidirectional optical transmission element 16 Light receiving element 17 Light emitting element 18 Transmission signal light 19 Reception signal light 20a, 20b, 20c, 20d , 23 Mode field

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】石英基板上に形成された石英系のコアと、
該コアを埋め込む石英系のクラッドから光導波路が形成
された石英系光導波路素子の片端に、石英系光ファイバ
が融着接続され、他端に前記光導波路の端面が形成され
ていることを特徴とする導波路型ファイバコネクタ。
1. A quartz-based core formed on a quartz substrate,
A silica optical fiber is fusion-spliced to one end of a silica optical waveguide element in which an optical waveguide is formed from a silica cladding clad to embed the core, and an end face of the optical waveguide is formed at the other end. A waveguide fiber connector.
【請求項2】請求項1記載の導波路型ファイバコネクタ
において、上記光導波路のコアは複数本設けられ、該コ
アの間隔は上記石英系光ファイバの融着接続側と上記光
導波路の端面形成側とで異なるように形成したことを特
徴とする導波路型ファイバコネクタ。
2. The waveguide type fiber connector according to claim 1, wherein a plurality of cores of the optical waveguide are provided, and the cores are spaced from each other by a fusion splicing side of the silica optical fiber and an end face of the optical waveguide. A waveguide type fiber connector characterized in that it is formed differently on the side.
【請求項3】請求項2記載の導波路型ファイバコネクタ
において、上記光導波路のモードフィールド径は、上記
石英系光ファイバの融着接続側と上記光導波路の端面形
成側とで異なるように形成したことを特徴とする導波路
型ファイバコネクタ。
3. The waveguide type fiber connector according to claim 2, wherein the mode field diameter of the optical waveguide is different between the fusion splicing side of the silica optical fiber and the end face forming side of the optical waveguide. A waveguide type fiber connector characterized by the above.
【請求項4】請求項3記載の導波路型ファイバコネクタ
において、上記光導波路のモードフィールド形状は、上
記石英系光ファイバの融着接続側と上記光導波路の端面
形成側とで異なるように形成したことを特徴とする導波
路型ファイバコネクタ。
4. The waveguide type fiber connector according to claim 3, wherein the mode field shape of the optical waveguide is formed so as to be different on the fusion splicing side of the silica optical fiber and the end face forming side of the optical waveguide. A waveguide type fiber connector characterized by the above.
【請求項5】請求項4記載の導波路型ファイバコネクタ
において、上記光導波路の端面にレンズを形成したこと
を特徴とする導波路型ファイバコネクタ。
5. The waveguide type fiber connector according to claim 4, wherein a lens is formed on an end face of the optical waveguide.
【請求項6】請求項4記載の導波路型ファイバコネクタ
において、上記光導波路の端面に多層膜フィルタが形成
されていることを特徴とする導波路型ファイバコネク
タ。
6. A waveguide type fiber connector according to claim 4, wherein a multilayer film filter is formed on an end face of the optical waveguide.
JP8090870A 1996-04-12 1996-04-12 Waveguide type fiber connector Pending JPH09281356A (en)

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JP8090870A JPH09281356A (en) 1996-04-12 1996-04-12 Waveguide type fiber connector

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018128100A1 (en) * 2017-01-04 2018-07-12 住友電気工業株式会社 Mode field conversion device, mode field conversion component, and method for producing mode field conversion device
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