JPH09270550A - Magnetoresistance effect element - Google Patents
Magnetoresistance effect elementInfo
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- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3268—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ヘッド、地磁
気センサ等に好適な磁気抵抗効果を示す磁気抵抗効果素
子に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetoresistive effect element which exhibits a magnetoresistive effect suitable for magnetic heads, geomagnetic sensors and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】Ｎｉ−Ｆｅ等の磁性体を利用した異方性
磁気抵抗効果素子（以下、ＡＭＲ素子と称す。）を用い
た異方性磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＡＭＲヘッ
ドと称す。）は、一般にハードディスク等の磁気記録媒
体の記録再生装置に用いられ、磁気記録媒体に記録され
た信号磁界を検出する。2. Description of the Related Art An anisotropic magnetoresistive effect magnetic head (hereinafter referred to as an AMR head) using an anisotropic magnetoresistive effect element (hereinafter referred to as an AMR element) using a magnetic material such as Ni-Fe. .) Is generally used in a recording / reproducing apparatus for a magnetic recording medium such as a hard disk, and detects a signal magnetic field recorded in the magnetic recording medium.
【０００３】このＡＭＲ素子１００は、一軸異方性を有
し、図９中矢印ＥＡで示す方向に磁化容易軸をもち、外
部磁界がないとき、磁化が矢印ＥＡの方向を向いてな
る。このＡＭＲ素子１００は、外部磁界が印加される
と、その外部磁界の大きさ及び方向に応じて、磁化方向
Ａが変化する。This AMR element 100 has uniaxial anisotropy, has an easy axis of magnetization in the direction indicated by arrow EA in FIG. 9, and has magnetization oriented in the direction of arrow EA when there is no external magnetic field. When an external magnetic field is applied to this AMR element 100, the magnetization direction A changes according to the magnitude and direction of the external magnetic field.
【０００４】そして、このＡＭＲ素子１００では、外部
磁界を検出する際、図９中矢印Ｂで示すように、磁化容
易軸方向ＥＡに対して略直角の方向に一定のセンス電流
が供給される。ＡＭＲ素子１００は、外部磁界が印加さ
れず、矢印Ａと矢印ＥＡとが平行な状態でセンス電流が
供給されると、センス電流に対する抵抗値が最小とな
る。ＡＭＲ素子１００は、外部磁界が印加されてその磁
化方向が変化すると、センス電流に対する抵抗値が変化
する。そして、ＡＭＲ素子１００は、外部磁界が印加さ
れることによって、その磁化方向がセンス電流に対して
平行な方向になったとき、センス電流に対する抵抗値が
最大となる。When detecting the external magnetic field, the AMR element 100 supplies a constant sense current in a direction substantially perpendicular to the easy-axis direction EA, as indicated by an arrow B in FIG. When the external magnetic field is not applied to the AMR element 100 and the sense current is supplied in a state where the arrow A and the arrow EA are parallel to each other, the resistance value with respect to the sense current becomes minimum. In the AMR element 100, when an external magnetic field is applied and its magnetization direction changes, the resistance value with respect to the sense current changes. Then, the AMR element 100 has the maximum resistance value to the sense current when the magnetization direction thereof becomes parallel to the sense current by the application of the external magnetic field.
【０００５】すなわち、ＡＭＲ素子１００は、図１０に
示すような磁気抵抗効果曲線を示している。なお、図１
０において、横軸は、外部磁界の大きさを示し、縦軸
は、ＡＭＲ素子１００のセンス電流に対する抵抗値の大
きさを示す。That is, the AMR element 100 exhibits a magnetoresistive effect curve as shown in FIG. FIG.
0, the horizontal axis represents the magnitude of the external magnetic field, and the vertical axis represents the magnitude of the resistance value of the AMR element 100 with respect to the sense current.
【０００６】ＡＭＲ素子１００は、外部磁界によって上
述のようにセンス電流に対する抵抗値が変化する。そこ
で、ＡＭＲ素子１００は、外部磁界を検出する際、一定
のセンス電流を供給し、抵抗値の変化を電圧変化として
検出する。これによって、外部磁界は、ＡＭＲ素子１０
０によって検出されることになる。In the AMR element 100, the resistance value with respect to the sense current changes as described above due to the external magnetic field. Therefore, when detecting the external magnetic field, the AMR element 100 supplies a constant sense current and detects a change in resistance value as a voltage change. As a result, the external magnetic field is applied to the AMR element 10
Will be detected by 0.
【０００７】このとき、ＡＭＲ素子１００において、外
部磁界に応じて抵抗値が変化する起点を動作点とする また、ＡＭＲ素子１００には、通常、外部磁界を検出す
る際、所定のバイアス磁界が印加される。ＡＭＲ素子１
００では、このバイアス磁界が印加されることによっ
て、図１０に示す磁気抵抗効果曲線における線形性に優
れ且つ抵抗値の変化の大きい領域に、動作点が移動す
る。これにより、ＡＭＲ素子１００では、外部磁界を感
磁する際、外部磁界の変化に対してより線形性をもって
抵抗値が変化することになる。At this time, in the AMR element 100, the operating point is the starting point where the resistance value changes in accordance with the external magnetic field. Further, the AMR element 100 is normally applied with a predetermined bias magnetic field when detecting the external magnetic field. To be done. AMR element 1
At 00, by applying this bias magnetic field, the operating point moves to a region where the magnetoresistance effect curve shown in FIG. 10 is excellent in linearity and has a large change in resistance value. As a result, in the AMR element 100, when the external magnetic field is sensed, the resistance value changes more linearly with respect to the change of the external magnetic field.
【０００８】一方、近年、磁気記録媒体は、いわゆるマ
ルチメディアデータ等を記録するために大容量化が進め
られている。そして、磁気記録媒体は、この大容量化を
実現するために、記録の高密度化が図られている。On the other hand, in recent years, the capacity of magnetic recording media has been increased in order to record so-called multimedia data and the like. The magnetic recording medium is designed for high density recording in order to realize this large capacity.
【０００９】磁気記録媒体の記録の高密度化にともない
巨大磁気抵抗効果素子（以下、ＧＭＲ素子と称す。）を
用いた巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッドが提案されてお
り、注目を集めている。このＧＭＲ素子は、磁気記録媒
体からの微弱な磁界に対して磁気抵抗効果がＡＭＲ素子
よりも大きく変化するといった特徴を有しており、高密
度記録された磁気記録媒体を再生するに際して好適であ
る。With the increase in recording density of magnetic recording media, a giant magnetoresistive effect magnetic head using a giant magnetoresistive effect element (hereinafter referred to as a GMR element) has been proposed and is attracting attention. This GMR element has a characteristic that the magnetoresistive effect changes more greatly than the AMR element with respect to a weak magnetic field from the magnetic recording medium, and is suitable for reproducing a magnetic recording medium recorded at high density. .
【００１０】ＧＭＲ素子１０１は、図１１に示すよう
に、磁性層１０２と非磁性層１０３とが複数積層されて
構成されている。このＧＭＲ素子１０１は、非磁性層１
０３を介して積層された隣合う磁性層１０２が反強磁性
結合して形成されている。したがって、ＧＭＲ素子１０
１では、図１１中矢印Ｃで示すように、隣合う磁性層１
０２の磁化方向が互いに正反対の方向を向いている。As shown in FIG. 11, the GMR element 101 is constructed by laminating a plurality of magnetic layers 102 and nonmagnetic layers 103. This GMR element 101 includes a non-magnetic layer 1
Adjacent magnetic layers 102, which are laminated via 03, are formed by antiferromagnetic coupling. Therefore, the GMR element 10
1, the magnetic layers 1 adjacent to each other as indicated by an arrow C in FIG.
The magnetization directions of 02 are opposite to each other.
【００１１】上述したように構成されたＧＭＲ素子１０
１では、外部磁界が印加されることによって、隣合う磁
性層１０２の磁化方向が変化する。そして、このＧＭＲ
素子１０１は、外部磁界を検出するために、一定のセン
ス電流が供給される。GMR element 10 constructed as described above
In No. 1, when the external magnetic field is applied, the magnetization directions of the adjacent magnetic layers 102 change. And this GMR
The element 101 is supplied with a constant sense current in order to detect an external magnetic field.
【００１２】このＧＭＲ素子１０１では、隣合う磁性層
１０２の磁化方向が互いに正反対の方向に向いていると
き、センス電流に対する抵抗値が最大となる。また、Ｇ
ＭＲ素子１０１では、外部磁界が印加されて隣合う磁性
層１０２の磁化方向が変化すると、センス電流に対する
抵抗値が変化する。そして、ＧＭＲ素子１０１では、外
部磁界が印加されて隣合う磁性層１０２の磁化方向が同
一の方向を向いているとき、センス電流に対する抵抗値
が最小となる。In this GMR element 101, when the magnetization directions of the adjacent magnetic layers 102 are opposite to each other, the resistance value to the sense current becomes maximum. G
In the MR element 101, when an external magnetic field is applied and the magnetization directions of the adjacent magnetic layers 102 change, the resistance value with respect to the sense current changes. Then, in the GMR element 101, when an external magnetic field is applied and the magnetization directions of the adjacent magnetic layers 102 are oriented in the same direction, the resistance value with respect to the sense current becomes minimum.
【００１３】すなわち、ＧＭＲ素子１０１は、外部磁界
の大きさに対して、図１２に示すような磁気抵抗効果曲
線を示す。なお、図１２において、横軸は、外部磁界の
大きさを示し、縦軸は、ＧＭＲ素子１０１のセンス電流
に対する抵抗値の大きさを示す。That is, the GMR element 101 exhibits a magnetoresistive effect curve as shown in FIG. 12 with respect to the magnitude of the external magnetic field. In FIG. 12, the horizontal axis represents the magnitude of the external magnetic field, and the vertical axis represents the magnitude of the resistance value of the GMR element 101 with respect to the sense current.
【００１４】ＧＭＲ素子１０１は、外部磁界によって上
述のようにセンス電流に対する抵抗値が変化する。そこ
で、ＧＭＲ素子１０１は、外部磁界を検出する際、一定
のセンス電流を供給し、抵抗値の変化を電圧変化として
示す。これによって、外部磁界は、ＧＭＲ素子１０１に
よって検出されることになる。In the GMR element 101, the resistance value with respect to the sense current changes as described above due to the external magnetic field. Therefore, the GMR element 101 supplies a constant sense current when detecting an external magnetic field, and indicates a change in resistance value as a voltage change. As a result, the external magnetic field is detected by the GMR element 101.
【００１５】このとき、ＧＭＲ素子１０１において、外
部磁界に応じて抵抗値が変化する起点を動作点とする。At this time, in the GMR element 101, the starting point at which the resistance value changes according to the external magnetic field is the operating point.
【００１６】また、ＧＭＲ素子１０１には、通常、外部
磁界を検出する際、所定のバイアス磁界が印加される。
ＧＭＲ素子１０１では、このバイアス磁界が印加される
ことによって、図１２に示す磁気抵抗効果曲線における
線形性に優れ且つ抵抗値の変化の大きい領域に、動作点
が移動する。これにより、ＧＭＲ素子１０１では、外部
磁界を感磁する際、外部磁界の変化に対してより線形性
をもって抵抗値が変化することになる。A predetermined bias magnetic field is usually applied to the GMR element 101 when detecting an external magnetic field.
In the GMR element 101, by applying this bias magnetic field, the operating point moves to a region where the magnetoresistance effect curve shown in FIG. 12 has excellent linearity and a large change in resistance value. As a result, in the GMR element 101, when the external magnetic field is sensed, the resistance value changes more linearly with respect to the change in the external magnetic field.
【００１７】[0017]
【発明が解決しようとする課題】上述したように、ＡＭ
Ｒ素子１００及びＧＭＲ素子１０１においては、バイア
ス磁界を印加することによって、センス電流に対する抵
抗値が外部磁界の変化に対して線形性よく変化してい
た。As described above, the AM
In the R element 100 and the GMR element 101, by applying the bias magnetic field, the resistance value with respect to the sense current was changed with good linearity with respect to the change of the external magnetic field.
【００１８】しかしながら、ＡＭＲ素子１００及びＧＭ
Ｒ素子１０１それぞれ単独では、動作点における磁界感
度、すなわち動作点における磁気抵抗効果曲線の傾きが
素子固有のものであった。したがって、ＡＭＲ素子１０
０及びＧＭＲ素子１０１では、外部磁界に応じた制御す
ることができないといった問題点があった。However, the AMR element 100 and the GM
With each R element 101 alone, the magnetic field sensitivity at the operating point, that is, the slope of the magnetoresistive effect curve at the operating point was unique to the element. Therefore, the AMR element 10
0 and the GMR element 101 have a problem that they cannot be controlled according to the external magnetic field.
【００１９】以上のことから、本発明は、外部磁界の種
類に応じて磁界感度等の磁気抵抗効果特性を自在に制御
することを可能とする磁気抵抗効果素子を提供すること
を目的に提案されたものである。From the above, the present invention is proposed for the purpose of providing a magnetoresistive effect element capable of freely controlling magnetoresistive effect characteristics such as magnetic field sensitivity according to the type of external magnetic field. It is a thing.
【００２０】[0020]
【課題を解決するための手段】この目的を達成した本発
明に係る磁気抵抗効果素子は、巨大磁気抵抗効果を示す
巨大磁気抵抗効果素子と、この巨大磁気抵抗効果素子に
対向して配される異方性磁気抵抗効果素子と、巨大磁気
抵抗効果素子と異方性磁気抵抗効果素子との間に配さ
れ、巨大磁気抵抗効果素子と異方性磁気抵抗効果素子と
に対して所定のバイアス磁界を付与するバイアス導体と
を備える。A magnetoresistive effect element according to the present invention which achieves this object is provided with a giant magnetoresistive effect element exhibiting a giant magnetoresistive effect and facing the giant magnetoresistive effect element. An anisotropic magnetoresistive effect element is arranged between the giant magnetoresistive effect element and the anisotropic magnetoresistive effect element, and a predetermined bias magnetic field is applied to the giant magnetoresistive effect element and the anisotropic magnetoresistive effect element. And a bias conductor for imparting.
【００２１】以上のように構成された本発明に係る磁気
抵抗効果素子において、バイアス磁界は、巨大磁気抵抗
効果素子と異方性磁気抵抗効果素子とに対してそれぞれ
逆方向に印加されることとなる。このとき、磁気抵抗効
果素子全体の磁気抵抗効果は、バイアス磁界が印加され
た巨大磁気抵抗効果素子の磁気抵抗効果と異方性磁気抵
抗効果素子の磁気抵抗効果とを合成したものとなる。In the magnetoresistive effect element according to the present invention configured as described above, the bias magnetic field is applied to the giant magnetoresistive effect element and the anisotropic magnetoresistive effect element in opposite directions. Become. At this time, the magnetoresistive effect of the entire magnetoresistive effect element is a combination of the magnetoresistive effect of the giant magnetoresistive effect element to which the bias magnetic field is applied and the magnetoresistive effect of the anisotropic magnetoresistive effect element.
【００２２】[0022]
【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる磁気抵抗効
果素子の具体的な実施の形態について図１乃至図８を参
照して詳細に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Specific embodiments of the magnetoresistive effect element according to the present invention will be described in detail below with reference to FIGS.
【００２３】実施の形態として示す磁気抵抗効果素子１
（以下、ＭＲ素子１と称す。）は、図１及び図２に示す
ように、巨大磁気抵抗効果素子２（以下、ＧＭＲ素子２
と称す。）と、異方性磁気抵抗効果素子３（以下、ＡＭ
Ｒ素子３と称す。）と、バイアス導体４とを有して構成
されている。このＭＲ素子１は、ＧＭＲ素子２とＡＭＲ
素子３との間にバイアス導体４が配されており、全体と
して３層構造を有している。そして、このＭＲ素子１
は、ＧＭＲ素子２とＡＭＲ素子３とが外部磁界に対する
感磁部となり、外部磁界を検出する。Magnetoresistive effect element 1 shown as an embodiment
(Hereinafter referred to as MR element 1), as shown in FIGS. 1 and 2, a giant magnetoresistive effect element 2 (hereinafter referred to as GMR element 2).
Called. ) And an anisotropic magnetoresistive effect element 3 (hereinafter referred to as AM
It is called R element 3. ) And a bias conductor 4. This MR element 1 is composed of a GMR element 2 and an AMR
The bias conductor 4 is arranged between the element 3 and the element 3 and has a three-layer structure as a whole. And this MR element 1
The GMR element 2 and the AMR element 3 serve as a magnetically sensitive portion against an external magnetic field, and detect the external magnetic field.
【００２４】ＧＭＲ素子２は、外部磁界に対して、いわ
ゆる巨大磁気抵抗効果を示すものである。ＧＭＲ素子２
は、略矩形に形成されており、その長手方向の一方端部
に電極５が配されている。また、ＧＭＲ素子２は、長手
方向の他方端部が後述するＡＭＲ素子３と電気的に接続
されている。The GMR element 2 exhibits a so-called giant magnetoresistive effect with respect to an external magnetic field. GMR element 2
Is formed in a substantially rectangular shape, and the electrode 5 is arranged at one end portion in the longitudinal direction thereof. The other end of the GMR element 2 in the longitudinal direction is electrically connected to the AMR element 3 described later.
【００２５】このＧＭＲ素子２は、例えば複数の磁性層
と複数の非磁性層とを積層してなる、いわゆる超格子巨
大磁気抵抗効果素子である。このＧＭＲ素子２は、非磁
性層を介して磁性層が積層され、隣合う磁性層間に反強
磁性結合を形成している。これにより、磁性層は、その
磁化方向が隣合う磁性層の磁化方向に対して正反対の方
向となっている。The GMR element 2 is, for example, a so-called superlattice giant magnetoresistive effect element formed by laminating a plurality of magnetic layers and a plurality of nonmagnetic layers. In this GMR element 2, magnetic layers are laminated with a non-magnetic layer interposed, and antiferromagnetic coupling is formed between adjacent magnetic layers. Thus, the magnetization direction of the magnetic layer is opposite to the magnetization direction of the adjacent magnetic layer.
【００２６】ＧＭＲ素子２の磁性層の磁化方向は、外部
磁界がないとき、上述したように、交互に逆方向とされ
ている。これに対して、ＧＭＲ素子２では、外部磁界が
あるとき、この外部磁界の影響によって、複数の磁性層
の磁化方向が変化する。The magnetization directions of the magnetic layers of the GMR element 2 are alternately set to opposite directions when there is no external magnetic field, as described above. On the other hand, in the GMR element 2, when there is an external magnetic field, the magnetization directions of the plurality of magnetic layers change due to the influence of the external magnetic field.
【００２７】ＡＭＲ素子３は、外部磁界に対して、いわ
ゆる異方性磁気抵抗効果を示すものである。ＡＭＲ素子
３は、上述したＧＭＲ素子２と略同形の略矩形に形成さ
れており、ＧＭＲ素子２と対向する位置に配されるとと
もにＧＭＲ素子２の長手方向とＡＭＲ素子３の長手方向
とが平行になるように配されている。また、ＡＭＲ素子
３には、その長手方向の一方端部に電極６が配されてお
り、他方端部が上述したＧＭＲ素子２と電気的に接続さ
れている。The AMR element 3 exhibits a so-called anisotropic magnetoresistive effect with respect to an external magnetic field. The AMR element 3 is formed in a substantially rectangular shape having substantially the same shape as the above-mentioned GMR element 2, is arranged at a position facing the GMR element 2, and the longitudinal direction of the GMR element 2 is parallel to the longitudinal direction of the AMR element 3. It is arranged to be. The AMR element 3 has an electrode 6 arranged at one end in the longitudinal direction thereof, and the other end thereof is electrically connected to the GMR element 2 described above.
【００２８】このＡＭＲ素子３は、所定の方向を磁化容
易軸とする軟磁性体を有している。なお、ＡＭＲ素子３
は、単層からなるものであってもよいし、下地層や磁化
安定化層等を備えた多層からなるものであってもよい。This AMR element 3 has a soft magnetic material whose easy axis is a predetermined direction. The AMR element 3
May be composed of a single layer, or may be composed of multiple layers including an underlayer, a magnetization stabilizing layer, and the like.
【００２９】ＡＭＲ素子３は、外部磁界がないとき、軟
磁性体の磁化が上述した方向に向いている。これに対し
て、ＡＭＲ素子３は、外部磁界があるとき、軟磁性体の
磁化方向が変化する。In the AMR element 3, the magnetization of the soft magnetic material is oriented in the above-mentioned direction when there is no external magnetic field. On the other hand, in the AMR element 3, the magnetization direction of the soft magnetic material changes when an external magnetic field is applied.
【００３０】バイアス導体４は、良導体からなり、上述
したＧＭＲ素子２とＡＭＲ素子３との間に、ＧＭＲ素子
２及びＡＭＲ素子３の長手方向に対して垂直な方向に配
されている。このバイアス導体４は、図示しない電源か
ら電流が供給される。これにより、バイアス導体４は、
ＧＭＲ素子２及びＡＭＲ素子３に対して、いわゆる右ネ
ジの法則に従ってバイアス磁界を印加する。The bias conductor 4 is made of a good conductor and is arranged between the GMR element 2 and the AMR element 3 described above in a direction perpendicular to the longitudinal directions of the GMR element 2 and the AMR element 3. A current is supplied to the bias conductor 4 from a power source (not shown). As a result, the bias conductor 4 is
A bias magnetic field is applied to the GMR element 2 and the AMR element 3 according to the so-called right-handed screw law.
【００３１】以上のように構成されたＭＲ素子１では、
外部磁界がＧＭＲ素子２及びＡＭＲ素子３の長手方向に
印加され、ＧＭＲ素子２及びＡＭＲ素子３が電気的に接
続された側から外部磁界を検出する。このとき、ＭＲ素
子１では、電気的に直列に接続されたＧＭＲ素子２とＡ
ＭＲ素子３とに対して、一定のセンス電流が供給され
る。In the MR element 1 constructed as above,
An external magnetic field is applied in the longitudinal direction of the GMR element 2 and the AMR element 3, and the external magnetic field is detected from the side where the GMR element 2 and the AMR element 3 are electrically connected. At this time, in the MR element 1, the GMR element 2 and A which are electrically connected in series are connected.
A constant sense current is supplied to the MR element 3.
【００３２】ＧＭＲ素子２は、上述したように外部磁界
がなく、隣合う磁性層の磁化方向が互いに正反対の方向
を向いているとき、非磁性層を介して隣合う磁性層間を
移動する電子が電子散乱を受ける。したがって、ＧＭＲ
素子２では、センス電流に対する抵抗値が最大となる。As described above, in the GMR element 2, when there is no external magnetic field and the magnetization directions of the adjacent magnetic layers are opposite to each other, electrons moving between the adjacent magnetic layers through the non-magnetic layer are generated. Subject to electron scattering. Therefore, GMR
The element 2 has the maximum resistance value with respect to the sense current.
【００３３】一方、ＧＭＲ素子２は、外部磁界が印加さ
れているときは、上述した磁性層の磁化方向が変化す
る。ＧＭＲ素子２では、磁性層の磁化方向が上述のよう
に変化すると、非磁性層を介して流れるセンス電流の電
子散乱が減少する。これにより、ＧＭＲ素子２では、セ
ンス電流に対する抵抗値が減少する。そして、ＧＭＲ素
子２は、外部磁界の影響により、隣合う磁性層の磁化方
向が同一の方向を向いたとき、電子散乱がほぼ起こらな
い。これにより、ＧＭＲ素子２は、センス電流に対する
抵抗値が最小となる。On the other hand, in the GMR element 2, when the external magnetic field is applied, the magnetization direction of the above-mentioned magnetic layer changes. In the GMR element 2, when the magnetization direction of the magnetic layer changes as described above, electron scattering of the sense current flowing through the nonmagnetic layer decreases. As a result, in the GMR element 2, the resistance value with respect to the sense current decreases. In the GMR element 2, when the magnetization directions of the adjacent magnetic layers face the same direction due to the influence of the external magnetic field, electron scattering hardly occurs. As a result, the GMR element 2 has a minimum resistance value with respect to the sense current.
【００３４】上述したようなセンス電流に対するＧＭＲ
素子の抵抗値と外部磁界との関係は、図３に示すような
上に凸の磁気抵抗効果曲線を示している。なお、図３に
示す特性図は、横軸が外部磁界の大きさを示し、縦軸が
センス電流に対する抵抗値の大きさを示している。GMR for sense current as described above
The relationship between the resistance value of the element and the external magnetic field shows an upwardly convex magnetoresistive effect curve as shown in FIG. In the characteristic diagram shown in FIG. 3, the horizontal axis represents the magnitude of the external magnetic field and the vertical axis represents the magnitude of the resistance value with respect to the sense current.
【００３５】ＡＭＲ素子３では、上述したように軟磁性
体の磁化方向が長手方向に対して垂直の方向に磁化され
ている。このＡＭＲ素子３において、センス電流は、軟
磁性体の磁化容易軸方向に対して垂直の方向に供給され
ることになる。したがって、ＡＭＲ素子３は、外部磁界
がないとき、センス電流が供給される方向と軟磁性体の
磁化方向とが垂直に交わるようになる。このとき、ＡＭ
Ｒ素子３では、センス電流に対する抵抗値が最小とな
る。In the AMR element 3, as described above, the soft magnetic material is magnetized in the direction perpendicular to the longitudinal direction. In the AMR element 3, the sense current is supplied in the direction perpendicular to the easy axis of magnetization of the soft magnetic material. Therefore, in the AMR element 3, when there is no external magnetic field, the direction in which the sense current is supplied and the magnetization direction of the soft magnetic material intersect perpendicularly. At this time, AM
In the R element 3, the resistance value to the sense current becomes the minimum.
【００３６】また、ＡＭＲ素子３では、外部磁界の影響
によって、その軟磁性体の磁化方向が外部磁界の磁化方
向と平行となるように変化される。このとき、ＡＭＲ素
子３では、センス電流に対する抵抗値が増大する。そし
て、ＡＭＲ素子で３は、外部磁界の影響により、軟磁性
体の磁化方向とセンス電流が供給される方向とが平行に
なると、センス電流に対する抵抗値が最大となる。Further, in the AMR element 3, the magnetization direction of the soft magnetic material is changed so as to be parallel to the magnetization direction of the external magnetic field due to the influence of the external magnetic field. At this time, in the AMR element 3, the resistance value with respect to the sense current increases. Then, in the AMR element 3, when the magnetization direction of the soft magnetic body and the direction in which the sense current is supplied are parallel to each other due to the influence of the external magnetic field, the resistance value with respect to the sense current becomes maximum.
【００３７】上述したようなＡＭＲ素子３のセンス電流
に対する抵抗値と外部磁界との関係は、図４に示すよう
に、下に凸の磁気抵抗効果曲線を示している。なお、図
４に示す特性図は、横軸が外部磁界の大きさを示し、縦
軸がセンス電流に対する抵抗値の大きさを示すものであ
る。As shown in FIG. 4, the relationship between the resistance value of the AMR element 3 with respect to the sense current and the external magnetic field exhibits a downwardly convex magnetoresistive effect curve. In the characteristic diagram shown in FIG. 4, the horizontal axis represents the magnitude of the external magnetic field and the vertical axis represents the magnitude of the resistance value with respect to the sense current.
【００３８】一方、バイアス導体４は、所定の電流が供
給されると、図２中矢印Ｈｂ1及びＨｂ2で示すように、
ＧＭＲ素子２ＡＭＲ素子３とに対して互いに逆方向にバ
イアス磁界を発生する。このバイアス磁界は、ＧＭＲ素
子２及びＡＭＲ素子３が外部磁界を検出する際の動作点
を移動することにより、動作点をより線形性の良い点に
移動することができる。ＧＭＲ素子２は、このバイアス
磁界（Ｈｂ1）が印加されることにより、図５に示すよ
うに、磁気抵抗効果曲線が移動する。これに対して、Ａ
ＭＲ素子３は、ＧＭＲ素子２に対して逆方向のバイアス
磁界（Ｈｂ2）が印加されるために、図６に示すように
その磁気抵抗効果曲線が移動する。On the other hand, when a predetermined current is supplied to the bias conductor 4, as shown by arrows Hb 1 and Hb 2 in FIG.
Bias magnetic fields are generated in the opposite directions to the GMR element 2 and the AMR element 3. This bias magnetic field can move the operating point to a point having better linearity by moving the operating point when the GMR element 2 and the AMR element 3 detect the external magnetic field. When the bias magnetic field (Hb 1 ) is applied to the GMR element 2, the magnetoresistive effect curve moves as shown in FIG. In contrast, A
Since the reverse bias magnetic field (Hb 2 ) is applied to the GMR element 2 in the MR element 3, the magnetoresistive effect curve moves as shown in FIG.
【００３９】ＭＲ素子１は、外部磁界を検出する際、上
述したようにバイアス磁界が印加されたＧＭＲ素子２及
びＡＭＲ素子３に対して直列にセンス電流が供給される
ために、センス電流に対する素子全体の抵抗値がＧＭＲ
素子２の抵抗値とＡＭＲ素子３の抵抗値の和となる。す
なわち、ＭＲ素子１は、図７に実線Ａで示すように、そ
の全体の磁気抵抗効果曲線が図７に点線Ｂで示すＧＭＲ
素子２の磁気抵抗効果曲線と図７に点線Ｃで示すＡＭＲ
素子３の磁気抵抗効果曲線との和となっている。When detecting the external magnetic field, the MR element 1 supplies a sense current in series to the GMR element 2 and the AMR element 3 to which the bias magnetic field is applied as described above, so that the element for the sense current is supplied. Overall resistance is GMR
It is the sum of the resistance value of the element 2 and the resistance value of the AMR element 3. That is, as shown by the solid line A in FIG. 7, the MR element 1 has a GMR whose entire magnetoresistive effect curve is shown by the dotted line B in FIG.
Magnetoresistance effect curve of element 2 and AMR shown by dotted line C in FIG.
It is the sum of the magnetoresistive effect curve of the element 3.
【００４０】また、ＭＲ素子１は、外部磁界の変化にと
もなって、抵抗値が変化する。ＭＲ素子１では、センス
電流が一定であるため、抵抗値が変化するとセンス電流
を供給する電圧が変化する。したがって、ＭＲ素子１で
は、外部磁界の変化をセンス電流の電圧変化として検出
することができる。The resistance value of the MR element 1 changes with the change of the external magnetic field. In the MR element 1, since the sense current is constant, the voltage for supplying the sense current changes when the resistance value changes. Therefore, the MR element 1 can detect a change in the external magnetic field as a voltage change in the sense current.
【００４１】上述したように、ＭＲ素子１は、ＧＭＲ素
子２の抵抗値とＡＭＲ素子３の抵抗値との和がセンス電
流に対する全体としての抵抗値となる。As described above, in the MR element 1, the sum of the resistance value of the GMR element 2 and the resistance value of the AMR element 3 becomes the total resistance value with respect to the sense current.
【００４２】一方、ＭＲ素子１は、バイアス導体４に対
して供給する電流を変化させることによって、バイアス
磁界の大きさを変化させることができる。これにより、
ＭＲ素子１は、ＧＭＲ素子２及びＡＭＲ素子３の磁気抵
抗効果曲線重ね合わせ量、つまり動作点での合成曲線の
傾きを自在に変化させることができる。すなわち、この
ＭＲ素子１では、外部磁界の大きさに応じて素子の磁界
感度を自在に設定することが可能である。On the other hand, the MR element 1 can change the magnitude of the bias magnetic field by changing the current supplied to the bias conductor 4. This allows
The MR element 1 can freely change the overlapping amount of the magnetoresistive effect curves of the GMR element 2 and the AMR element 3, that is, the slope of the combined curve at the operating point. That is, in this MR element 1, the magnetic field sensitivity of the element can be freely set according to the magnitude of the external magnetic field.
【００４３】上述した実施の形態にかかるＭＲ素子１
は、ＧＭＲ素子２とＡＭＲ素子３とを電気的に直列に接
続した。しかしながら、本発明にかかる実施の形態は、
このＭＲ素子１に限定されるものでなく、図８に示すよ
うな磁気抵抗効果素子１１（以下、ＭＲ素子１１と称
す。）であってもよい。なお、本実施の形態にかかるＭ
Ｒ素子１１において、上述したＭＲ素子１と同一の部材
は、同一の符号を付することでその構成及び動作の詳細
な説明は省略する。MR element 1 according to the above-described embodiment
Connected the GMR element 2 and the AMR element 3 electrically in series. However, the embodiment according to the present invention is
The MR element 1 is not limited to the MR element 1 and may be a magnetoresistive effect element 11 (hereinafter referred to as MR element 11) as shown in FIG. Note that M according to the present embodiment
In the R element 11, the same members as those of the MR element 1 described above are denoted by the same reference numerals, and detailed description of the configuration and operation thereof is omitted.
【００４４】このＭＲ素子１１は、図８に示すように、
ＧＭＲ素子２と、ＡＭＲ素子３と、バイアス導体４とを
有して構成されている。このＭＲ素子１１は、ＧＭＲ素
子２とＡＭＲ素子３との間にバイアス導体４が配されて
おり、全体として３層構造を有している。そして、この
ＭＲ素子１は、ＧＭＲ素子２とＡＭＲ素子３とが外部磁
界に対する感磁部となり、外部磁界を検出する。This MR element 11 has, as shown in FIG.
It has a GMR element 2, an AMR element 3, and a bias conductor 4. The MR element 11 has a bias conductor 4 arranged between the GMR element 2 and the AMR element 3, and has a three-layer structure as a whole. In the MR element 1, the GMR element 2 and the AMR element 3 serve as a magnetically sensitive portion against an external magnetic field and detect the external magnetic field.
【００４５】このＭＲ素子１１では、ＧＭＲ素子２の長
手方向の両端部とＡＭＲ素子３の長手方向の両端部とが
それぞれ電気的に接続されることによって、ＧＭＲ素子
２とＡＭＲ素子３とが並列に接続されている。In this MR element 11, both ends in the longitudinal direction of the GMR element 2 and both ends in the longitudinal direction of the AMR element 3 are electrically connected to each other, whereby the GMR element 2 and the AMR element 3 are arranged in parallel. It is connected to the.
【００４６】以上のように構成されたＭＲ素子１１で
は、外部磁界を検出する際、バイアス導体に対して所定
の電流が供給される。これにより、ＧＭＲ素子２及びＡ
ＭＲ素子３には、互いに逆方向のバイアス磁界が印加さ
れる。そして、ＧＭＲ素子２及びＡＭＲ素子３では、動
作点がそれぞれ移動することによって、抵抗値が外部磁
界の変化に対してより線形性を有して変化する。In the MR element 11 configured as described above, a predetermined current is supplied to the bias conductor when detecting the external magnetic field. Thereby, the GMR element 2 and the A
Bias magnetic fields in opposite directions are applied to the MR element 3. Then, in the GMR element 2 and the AMR element 3, the resistance value changes more linearly with respect to the change of the external magnetic field as the operating points move.
【００４７】また、ＭＲ素子１１は、センス電流がキル
ヒホフの第１法則に従ってＧＭＲ素子２及びＡＭＲ素子
３に対して供給される。これにより、ＭＲ素子１１で
は、所定の外部磁界に対するＧＭＲ素子２の抵抗値をＲ
1とし、ＡＭＲ素子３の抵抗値をＲ2とすると、その全体
の抵抗値が（Ｒ1×Ｒ2）／（Ｒ1＋Ｒ2）となる。In the MR element 11, the sense current is supplied to the GMR element 2 and the AMR element 3 according to Kirchhoff's first law. As a result, in the MR element 11, the resistance value of the GMR element 2 with respect to a predetermined external magnetic field becomes R
If the resistance value of the AMR element 3 is 1, and the resistance value of the AMR element 3 is R 2 , the total resistance value is (R 1 × R 2 ) / (R 1 + R 2 ).
【００４８】一方、ＭＲ素子１１は、バイアス導体４に
対して供給する電流を変化させることによって、バイア
ス磁界の大きさを変化させることができる。これによ
り、ＭＲ素子１は、ＧＭＲ素子２及びＡＭＲ素子３の磁
気抵抗効果曲線重ね合わせ量、つまり動作点での合成曲
線の傾きを自在に変化させることができる。すなわち、
このＭＲ素子１では、外部磁界の大きさに応じて素子の
磁界感度を自在に設定することが可能である。On the other hand, the MR element 11 can change the magnitude of the bias magnetic field by changing the current supplied to the bias conductor 4. As a result, the MR element 1 can freely change the overlapping amount of the magnetoresistive effect curves of the GMR element 2 and the AMR element 3, that is, the inclination of the combined curve at the operating point. That is,
In this MR element 1, the magnetic field sensitivity of the element can be freely set according to the magnitude of the external magnetic field.
【００４９】[0049]
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明にか
かる磁気抵抗効果素子は、巨大磁気抵抗効果素子と異方
性磁気抵抗効果素子に対して同一のバイアス磁界を印加
し、巨大磁気抵抗効果素子に抵抗値と異方性磁気抵抗効
果素子の抵抗値とで全体の抵抗値を検出することによっ
て、外部磁界に対して磁気抵抗効果特性を自在に制御す
ることができる。As described in detail above, the magnetoresistive effect element according to the present invention applies the same bias magnetic field to the giant magnetoresistive effect element and the anisotropic magnetoresistive effect element, By detecting the total resistance value of the effect element with the resistance value of the anisotropic magnetoresistive effect element, the magnetoresistive effect characteristics can be freely controlled with respect to the external magnetic field.
【図１】本発明にかかる磁気抵抗効果素子の構成を示す
模式図である。FIG. 1 is a schematic view showing a configuration of a magnetoresistive effect element according to the present invention.
【図２】同磁気抵抗効果素子を模式的に示す平面図であ
る。FIG. 2 is a plan view schematically showing the magnetoresistive effect element.
【図３】巨大磁気抵抗効果素子の磁気抵抗効果曲線を示
す特性図である。FIG. 3 is a characteristic diagram showing a magnetoresistive effect curve of a giant magnetoresistive effect element.
【図４】異方性磁気抵抗効果素子の磁気抵抗効果曲線を
示す特性図である。FIG. 4 is a characteristic diagram showing a magnetoresistive effect curve of an anisotropic magnetoresistive effect element.
【図５】バイアス磁界（Ｈｂ1）が印加された巨大磁気
抵抗効果素子の磁気抵抗効果曲線を示す特性図である。FIG. 5 is a characteristic diagram showing a magnetoresistive effect curve of a giant magnetoresistive effect element to which a bias magnetic field (Hb 1 ) is applied.
【図６】バイアス磁界（Ｈｂ2）が印加された異方性磁
気抵抗効果素子の磁気抵抗効果曲線を示す特性図であ
る。FIG. 6 is a characteristic diagram showing a magnetoresistive effect curve of an anisotropic magnetoresistive effect element to which a bias magnetic field (Hb 2 ) is applied.
【図７】本発明にかかる磁気抵抗効果素子の磁気抵抗効
果曲線を示す特性図である。FIG. 7 is a characteristic diagram showing a magnetoresistive effect curve of the magnetoresistive effect element according to the present invention.
【図８】本発明にかかる他の磁気抵抗効果素子を模式的
に示す平面図である。FIG. 8 is a plan view schematically showing another magnetoresistive effect element according to the present invention.
【図９】従来の磁気抵抗効果素子である異方性磁気抵抗
効果素子の斜視図である。FIG. 9 is a perspective view of an anisotropic magnetoresistive effect element which is a conventional magnetoresistive effect element.
【図１０】同異方性磁気抵抗効果素子の磁気抵抗効果曲
線を示す特性図である。FIG. 10 is a characteristic diagram showing a magnetoresistive effect curve of the anisotropic magnetoresistive effect element.
【図１１】従来の磁気抵抗効果素子である巨大磁気抵抗
効果素子の斜視図である。FIG. 11 is a perspective view of a giant magnetoresistive effect element which is a conventional magnetoresistive effect element.
【図１２】同巨大磁気抵抗効果素子の磁気抵抗効果曲線
を示す特性図である。FIG. 12 is a characteristic diagram showing a magnetoresistive effect curve of the giant magnetoresistive effect element.
【図１３】図１０に示す磁気抵抗効果曲線と図１２に示
す磁気抵抗効果曲線とを合成した磁気抵抗効果曲線を示
す特性図である。13 is a characteristic diagram showing a magnetoresistive effect curve obtained by combining the magnetoresistive effect curve shown in FIG. 10 and the magnetoresistive effect curve shown in FIG.
１ 磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）、２ 巨大磁気抵抗
効果素子（ＧＭＲ素子）、３ 異方性磁気抵抗効果素子
（ＡＭＲ素子）、４ バイアス導体1 magnetoresistive effect element (MR element), 2 giant magnetoresistive effect element (GMR element), 3 anisotropic magnetoresistive effect element (AMR element), 4 bias conductor
Claims (4)
果素子と、 上記巨大磁気抵抗効果素子に対向して配される異方性磁
気抵抗効果素子と、 上記巨大磁気抵抗効果素子と上記異方性磁気抵抗効果素
子との間に配され、上記巨大磁気抵抗効果素子と上記異
方性磁気抵抗効果素子とに対して所定のバイアス磁界を
付与するバイアス導体と、 を備えることを特徴とする磁気抵抗効果素子。1. A giant magnetoresistive effect element exhibiting a giant magnetoresistive effect, an anisotropic magnetoresistive effect element arranged facing the giant magnetoresistive effect element, the giant magnetoresistive effect element and the anisotropic body. And a bias conductor disposed between the giant magnetoresistive effect element and the giant magnetoresistive effect element and applying a predetermined bias magnetic field to the anisotropic magnetoresistive effect element. Resistance effect element.
るセンス電流の方向が、検出しようとする外部磁界に対
して略平行とされることを特徴とする請求項１記載の磁
気抵抗効果素子。2. The magnetoresistive effect element according to claim 1, wherein a direction of a sense current supplied to the magnetoresistive effect element is substantially parallel to an external magnetic field to be detected. .
磁気抵抗効果素子とは、電気的に直列に接続されること
を特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果素子。3. The magnetoresistive effect element according to claim 1, wherein the giant magnetoresistive effect element and the anisotropic magnetoresistive effect element are electrically connected in series.
磁気抵抗効果素子とは、電気的に並列に接続されること
を特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果素子。4. The magnetoresistive effect element according to claim 1, wherein the giant magnetoresistive effect element and the anisotropic magnetoresistive effect element are electrically connected in parallel.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8077996A JPH09270550A (en) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | Magnetoresistance effect element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8077996A JPH09270550A (en) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | Magnetoresistance effect element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09270550A true JPH09270550A (en) | 1997-10-14 |
Family
ID=13649429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8077996A Withdrawn JPH09270550A (en) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | Magnetoresistance effect element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09270550A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003110161A (en) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Nec Tokin Corp | Magnetic sensor |
| CN102073023A (en) * | 2009-11-19 | 2011-05-25 | Nxp股份有限公司 | Magnetic field sensor |
| WO2013161219A1 (en) * | 2012-04-23 | 2013-10-31 | 株式会社デンソー | Magnetic sensor |
-
1996
- 1996-03-29 JP JP8077996A patent/JPH09270550A/en not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003110161A (en) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Nec Tokin Corp | Magnetic sensor |
| CN102073023A (en) * | 2009-11-19 | 2011-05-25 | Nxp股份有限公司 | Magnetic field sensor |
| EP2330432A1 (en) | 2009-11-19 | 2011-06-08 | Nxp B.V. | Magnetic field sensor |
| US8587299B2 (en) | 2009-11-19 | 2013-11-19 | Nxp B.V. | Magnetic field sensor |
| WO2013161219A1 (en) * | 2012-04-23 | 2013-10-31 | 株式会社デンソー | Magnetic sensor |
| JP2013242299A (en) * | 2012-04-23 | 2013-12-05 | Denso Corp | Magnetic sensor |
| US20150042319A1 (en) * | 2012-04-23 | 2015-02-12 | Denso Corporation | Magnetic sensor |
| US9664768B2 (en) | 2012-04-23 | 2017-05-30 | Denso Corporation | Magnetic sensor |
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