JPH09265650A - Semiconductor laser driving circuit - Google Patents

Semiconductor laser driving circuit

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JPH09265650A
JPH09265650A JP8071707A JP7170796A JPH09265650A JP H09265650 A JPH09265650 A JP H09265650A JP 8071707 A JP8071707 A JP 8071707A JP 7170796 A JP7170796 A JP 7170796A JP H09265650 A JPH09265650 A JP H09265650A
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JP
Japan
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voltage
semiconductor laser
capacitor
circuit
power source
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JP8071707A
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Japanese (ja)
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Tomiyuki Numata
富行 沼田
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Sharp Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To drive a semiconductor laser by a lower power source voltage than a voltage in the forward direction of the semiconductor laser without using an inductance element by providing two switch circuits and a pulse width modulating circuit. SOLUTION: A changeover of the charge/discharge of a capacitor C1 is performed by the switch circuits 1 and 2, and an emitting light quantity of the semiconductor laser 3 is detected by a photodetector 4. The switch circuits 1 and 2 are controlled by the pulse width modulating circuit 5 based on a detecting current of the photodetector 4. Then, the capacitor C1 is connected with a power source 11 in series by the switch circuits 1 and 2, and a voltage charged in the capacitor C1 is added to a voltage Vcc of the power source 11, so as to drive the semiconductor laser 3. Thus, since the capacitor C1 is discharged by one switch circuit, and at this time, the voltage charged in this capacitor is added to the power source voltage Vcc, the higher voltage than the power source voltage Vcc can be obtained. Consequently, the semiconductor laser 3 can be driven by the lower power source voltage than the voltage in the forward direction of the semiconductor laser 3.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、コンパクトディス
クやミニディスク等の光ディスク装置の半導体レーザ駆
動回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser drive circuit for an optical disc device such as a compact disc or a mini disc.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から半導体レーザを光源とした、コ
ンパクトディスクやミニディスク等の光ディスク装置が
知られている。これらの光ディスク装置の中には、充電
式電池や乾電池を電源に用いた携帯型のものも多く市販
されている。電池を小型化し装置全体を小型化するため
に、携帯型の光ディスク装置に用いられる電気回路は、
低電源電圧で動作することが強く望まれる。
2. Description of the Related Art Optical disc devices such as compact discs and mini discs using a semiconductor laser as a light source have been known. Many of these optical disk devices are commercially available that use a rechargeable battery or a dry battery as a power source. In order to downsize the battery and downsize the entire device, the electric circuit used in the portable optical disk device is
It is highly desirable to operate at a low power supply voltage.

【0003】このため、集積回路(IC)は、1.5
[V]以下の低電源電圧で動作するものが数多く開発さ
れ、急速に実用化が進んでいる。
Therefore, an integrated circuit (IC) has a 1.5
Many devices that operate at a low power supply voltage of [V] or less have been developed and are being rapidly put into practical use.

【0004】しかしながら、半導体レーザの順方向電圧
(アノード・カソード間電圧)は2[V]程度であるた
め、半導体レーザ駆動回路をこのような低電源電圧で動
作させることが出来なかった。
However, since the forward voltage (voltage between the anode and the cathode) of the semiconductor laser is about 2 [V], the semiconductor laser drive circuit cannot be operated at such a low power supply voltage.

【0005】図5に示すように、半導体レーザ21は、
駆動回路23の出力電流I1によって駆動され、その出
射光Pは光検出器22に入射する。光検出器22は、半
導体レーザ21の出射光量を検出電流I2として検出す
る。検出電流I2は、駆動回路23を介して半導体レー
ザ21にフィードバックされ、入出力特性の温度依存性
が大きい半導体レーザ21の出射光量を一定に保つ制
御、いわゆるAPC(Automatic Power
Control)制御がなされる。
As shown in FIG. 5, the semiconductor laser 21 is
Driven by the output current I 1 of the drive circuit 23, the emitted light P enters the photodetector 22. The photodetector 22 detects the amount of light emitted from the semiconductor laser 21 as a detection current I 2 . The detection current I 2 is fed back to the semiconductor laser 21 via the drive circuit 23, and control is performed to keep the amount of light emitted from the semiconductor laser 21 whose input / output characteristics largely depend on temperature, that is, so-called APC (Automatic Power).
Control) control is performed.

【0006】半導体レーザ21の順方向電圧VOPは、2
[V]程度である。このため、従来の半導体レーザ駆動
回路23の電源電圧VCCはそれ以上の電圧が必要であ
る。例えば、このような駆動回路を集積化したIC“I
R3C07”(シャープ株式会社)の電源電圧は、+5
[V]が推奨されている。
The forward voltage V OP of the semiconductor laser 21 is 2
It is about [V]. Therefore, the power supply voltage V CC of the conventional semiconductor laser drive circuit 23 needs to be higher than that. For example, an IC "I" in which such a driving circuit is integrated
The power supply voltage of R3C07 "(Sharp Corporation) is +5
[V] is recommended.

【0007】図5では、半導体レーザ21のパッケージ
21aがレーザ素子21bのカソード端子に接続された
タイプ(カソードコモンタイプ)の半導体レーザを用い
ている。ここで、パッケージ21aをGNDに接続する
理由は、一般に半導体レーザのパッケージ21aは導電
性の金属でできており、GND以外の電位とすると、短
絡等によって半導体レーザが破損するので、これを防ぐ
為である。
In FIG. 5, a semiconductor laser of the type (cathode common type) in which the package 21a of the semiconductor laser 21 is connected to the cathode terminal of the laser element 21b is used. Here, the reason why the package 21a is connected to GND is generally that the package 21a of the semiconductor laser is made of a conductive metal, and if the potential other than GND is applied, the semiconductor laser is damaged due to a short circuit or the like. Is.

【0008】しかしながら、順方向電圧が2[V]程度
の半導体レーザを順方向電圧よりも低い電源電圧で駆動
する回路を実現することは、小型化が要求される携帯型
の光ディスク装置にとって重要なことであり、そのため
のさまざまな技術が開示されている。
[0008] However, it is important for a portable optical disk device, which is required to be miniaturized, to realize a circuit for driving a semiconductor laser having a forward voltage of about 2 [V] with a power supply voltage lower than the forward voltage. That is, various technologies for that purpose are disclosed.

【0009】例えば、実公平7−18018号公報に記
載された技術は、スイッチングトランジスタのオン時に
インダクタンス素子にエネルギーを蓄え、オフ時に蓄え
られたエネルギーによる電圧と電源電圧との和を半導体
レーザに印加している。そして、半導体レーザの出射光
量に応じてスイッチングトランジスタの動作をフィード
バック制御することにより、電源電圧が変動して半導体
レーザの順方向電圧より低くなっても半導体レーザを安
定に駆動している。
For example, in the technique disclosed in Japanese Utility Model Publication No. 7-18018, energy is stored in an inductance element when a switching transistor is turned on, and the sum of the voltage due to the energy stored when the switching transistor is turned off and a power supply voltage is applied to a semiconductor laser. are doing. Then, the operation of the switching transistor is feedback-controlled according to the amount of light emitted from the semiconductor laser, so that the semiconductor laser is stably driven even when the power supply voltage changes and becomes lower than the forward voltage of the semiconductor laser.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
インダクタンス素子にエネルギーを蓄え半導体レーザを
駆動する方法では、インダクタンス素子であるコイルが
必要である。コイルは小型化の難しい素子であり、コイ
ルを用いることは携帯型光ディスク装置を小型化出来な
いことになる。
However, the above-described method of storing energy in the inductance element and driving the semiconductor laser requires a coil which is an inductance element. The coil is an element that is difficult to miniaturize, and using the coil means that the portable optical disk device cannot be miniaturized.

【0011】本発明は、上記従来の問題点を解決するた
めになされたもので、その目的は、インダクタンス素子
を用いることなく、半導体レーザの順方向電圧よりも低
い電源電圧で、半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆
動回路を提供することにある。
The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and an object thereof is to drive a semiconductor laser with a power supply voltage lower than the forward voltage of the semiconductor laser without using an inductance element. Another object of the present invention is to provide a semiconductor laser driving circuit.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本件発明は、上記の目的
を達成するために、半導体レーザの出射光量を検出する
光検出器と、コンデンサと、該コンデンサを電源より充
電する第1の状態と、該コンデンサを該電源と直列に接
続し蓄えられた電圧を電源電圧に加算して放電する第2
の状態とを切り換えるスイッチ回路と、前記光検出器の
出力レベルに応じて、前記スイッチ回路を第1の状態又
は第2の状態に制御するパルスの幅を変調するパルス幅
変調回路とを備えたことを特徴としている。
In order to achieve the above object, the present invention provides a photodetector for detecting the amount of light emitted from a semiconductor laser, a capacitor, and a first state in which the capacitor is charged from a power source. A second connecting the capacitor in series with the power supply and adding the stored voltage to the power supply voltage for discharging
And a pulse width modulation circuit that modulates the width of the pulse that controls the switch circuit to the first state or the second state according to the output level of the photodetector. It is characterized by that.

【0013】上記構成によれば、スイッチ回路が一方の
状態にあるとき、コンデンサは電源電圧によって充電さ
れ、スイッチ回路が他方の状態にあるとき、コンデンサ
は放電される。この放電のとき、コンデンサは電源と直
列に接続され、蓄えられた電圧が電源電圧に加算される
ので、電源電圧より高い電圧を得ることが出来る。よっ
て、半導体レーザの順方向電圧よりも低い電源電圧で、
半導体レーザを駆動することが出来る。
According to the above construction, when the switch circuit is in one state, the capacitor is charged by the power supply voltage, and when the switch circuit is in the other state, the capacitor is discharged. At the time of this discharge, the capacitor is connected in series with the power supply and the stored voltage is added to the power supply voltage, so that a voltage higher than the power supply voltage can be obtained. Therefore, at a power supply voltage lower than the forward voltage of the semiconductor laser,
A semiconductor laser can be driven.

【0014】また、光検出器の出力レベルに応じて、パ
ルス幅変調回路によってコンデンサの充電時間と放電時
間の割合を制御しているので、半導体レーザの出射光量
を所定のパワーにすることが出来る。
Further, since the ratio of the charge time and the discharge time of the capacitor is controlled by the pulse width modulation circuit according to the output level of the photodetector, the emitted light quantity of the semiconductor laser can be set to a predetermined power. .

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態にかか
る半導体レーザ駆動回路について図1ないし図4に基づ
いて説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Semiconductor laser drive circuits according to embodiments of the present invention will be described below with reference to FIGS.

【0016】図1はこの実施の形態の半導体レーザ駆動
回路を示す。この駆動回路は、コンデンサC1、このコ
ンデンサC1の両端に取り付けられたスイッチ回路1、
およびスイッチ回路2、コンデンサC1の放電電圧を平
滑するコンデンサC2、半導体レーザ3の駆動電流を制
限する抵抗R1、半導体レーザ3の出射光量を検出する
光検出器4、光検出器4の検出電流を電圧に変換する抵
抗R2、パルス幅変調回路5が備えられる。
FIG. 1 shows a semiconductor laser drive circuit of this embodiment. This drive circuit includes a capacitor C1, a switch circuit 1 attached to both ends of the capacitor C1,
And a switch circuit 2, a capacitor C2 that smoothes the discharge voltage of the capacitor C1, a resistor R1 that limits the drive current of the semiconductor laser 3, a photodetector 4 that detects the amount of light emitted from the semiconductor laser 3, and a detection current of the photodetector 4. A resistor R2 for converting into a voltage and a pulse width modulation circuit 5 are provided.

【0017】なお、半導体レーザ3はカソードがパッケ
ージに接続されたカソードコモンタイプであり、カソー
ドはGNDに接続されている。
The semiconductor laser 3 is a cathode common type in which the cathode is connected to the package, and the cathode is connected to the GND.

【0018】スイッチ回路1およびスイッチ回路2はパ
ルス幅変調回路5の出力デジタル信号S1によって切り
換えられる。
The switch circuit 1 and the switch circuit 2 are switched by the output digital signal S 1 of the pulse width modulation circuit 5.

【0019】信号S1がローレベルのとき、スイッチ回
路1およびスイッチ回路2は接点a側に接続される。ス
イッチ回路1の接点aは電源11に接続されており、ス
イッチ回路2の接点aはGNDに接続されているので、
コンデンサC1は電源11の電源電圧VCCに応じて充電
される。
When the signal S 1 is at low level, the switch circuit 1 and the switch circuit 2 are connected to the contact a side. Since the contact a of the switch circuit 1 is connected to the power supply 11 and the contact a of the switch circuit 2 is connected to GND,
The capacitor C1 is charged according to the power supply voltage V CC of the power supply 11.

【0020】信号S1がローレベルからハイレベルに変
わると、スイッチ回路1およびスイッチ回路2は接点a
から接点bに切り換えられ、コンデンサC1は放電され
る。
When the signal S 1 changes from the low level to the high level, the switch circuit 1 and the switch circuit 2 contact the contact a.
To contact b, and the capacitor C1 is discharged.

【0021】スイッチ回路1の接点bには、GNDとの
間にコンデンサC2が接続されるとともに、抵抗R1を
介して半導体レーザ3が接続されている。スイッチ回路
2の接点bには電源11が接続されている。このとき、
コンデンサC1と電源11は直列に接続されるので、電
源電圧VCCとコンデンサC1に蓄えられた電圧との和の
電圧がスイッチ回路1の接点bに供給される。
To the contact b of the switch circuit 1, a capacitor C2 is connected between the switch circuit 1 and GND, and a semiconductor laser 3 is connected via a resistor R1. The power supply 11 is connected to the contact b of the switch circuit 2. At this time,
Since the capacitor C1 and the power supply 11 are connected in series, the sum of the power supply voltage V CC and the voltage stored in the capacitor C1 is supplied to the contact b of the switch circuit 1.

【0022】信号S1のレベルが繰り返し変化すると、
コンデンサC1の充放電が繰り返し行われ、スイッチ回
路1の接点bへの電圧の供給と遮断が繰り返される。こ
の供給と遮断が繰り返し行われる電圧を平滑するのが、
コンデンサC2の役割である。
When the level of the signal S 1 repeatedly changes,
The capacitor C1 is repeatedly charged and discharged, and the supply and interruption of the voltage to the contact b of the switch circuit 1 are repeated. To smooth the voltage that is repeatedly supplied and cut off,
This is the role of the capacitor C2.

【0023】信号S1と電圧V1の波形を示すのが図2で
ある。信号S1がハイレベルの期間、コンデンサC1か
らスイッチ回路1を介して、コンデンサC2および抵抗
R1に電圧が供給される。このとき電圧V1は若干上昇
する。信号S1がローレベルの期間、コンデンサC1か
らの電圧供給は遮断されるので、コンデンサC2に蓄え
られた電圧V1が抵抗R1に供給される。このとき電圧
1は若干減少する。
FIG. 2 shows the waveforms of the signal S 1 and the voltage V 1 . While the signal S 1 is at the high level, the voltage is supplied from the capacitor C1 to the capacitor C2 and the resistor R1 via the switch circuit 1. At this time, the voltage V 1 rises slightly. While the signal S 1 is at a low level, the voltage supply from the capacitor C1 is cut off, so that the voltage V 1 stored in the capacitor C2 is supplied to the resistor R1. At this time, the voltage V 1 decreases slightly.

【0024】半導体レーザ3は、この電圧V1によって
駆動される。つまり電圧V1と半導体レーザ3の順方向
電圧VOPとの差によって、抵抗R1に流れる電流I
1(I1=(V1−VOP)/R1)が半導体レーザ駆動電
流となる。
The semiconductor laser 3 is driven by this voltage V 1 . That is, due to the difference between the voltage V 1 and the forward voltage V OP of the semiconductor laser 3, the current I flowing through the resistor R 1
1 (I 1 = (V 1 −V OP ) / R 1 ) is the semiconductor laser drive current.

【0025】電源電圧VCCとコンデンサC1に蓄えられ
た電圧との和は、最大で電源電圧VCCの2倍となるの
で、電源電圧VCCが半導体レーザ3の順方向電圧VOP
り低くても、半導体レーザ3を駆動することが出来る。
The sum of the voltages stored as the power supply voltage V CC and the capacitor C1, since twice the supply voltage V CC at the maximum, the power supply voltage V CC is lower than the forward voltage V OP of the semiconductor laser 3 Also, the semiconductor laser 3 can be driven.

【0026】ここで、コンデンサC1やコンデンサC2
の値あるいは信号S1の周波数は、電圧V1の変動VZ
よる半導体レーザ3の出射パワー変動が、光ディスク装
置にとって問題のないレベルとなるように設定される。
Here, the capacitors C1 and C2
Or the frequency of the signal S 1 is set so that the fluctuation of the emission power of the semiconductor laser 3 due to the fluctuation V Z of the voltage V 1 is at a level that causes no problem for the optical disk device.

【0027】コンデンサC1の充電時間と放電時間の割
合つまり信号S1のデューティと、半導体レーザ駆動電
流I1との関係の一例を示したのが図3である。デュー
ティ50%のときを最大として、デューティを変える
と、電流I1が減少する。
FIG. 3 shows an example of the relationship between the ratio of the charging time and the discharging time of the capacitor C1, that is, the duty of the signal S 1 and the semiconductor laser drive current I 1 . When the duty is changed to the maximum when the duty is 50%, the current I 1 decreases.

【0028】つまり、信号S1のデューティを変えるこ
とによって、半導体レーザ3の出射パワーを制御するこ
とが出来る。
That is, the emission power of the semiconductor laser 3 can be controlled by changing the duty of the signal S 1 .

【0029】光検出器4は、カソード端子が電源11に
接続され電圧VCCで逆バイアスされている。アノード端
子は抵抗R2を介してGNDに接続されている。
The photodetector 4 has its cathode terminal connected to the power supply 11 and is reverse-biased with the voltage V CC . The anode terminal is connected to GND via the resistor R2.

【0030】半導体レーザ3の出射光Pは光検出器4で
受光され、出射パワーに比例した検出電流I2が流れ
る。電流I2は抵抗R2で電圧V2に変換され、パルス幅
変調回路5に送られる。
The emitted light P of the semiconductor laser 3 is received by the photodetector 4, and a detection current I 2 proportional to the emitted power flows. The current I 2 is converted into a voltage V 2 by the resistor R2 and sent to the pulse width modulation circuit 5.

【0031】パルス幅変調回路5では、電圧V2はオペ
アンプ6の非反転入力端子に入力される。オペアンプ6
は反転入力端子と出力端子が直接接続されたバッファ回
路であり、その出力は電圧V2と等しい。オペアンプ6
の出力端子は抵抗R3を介してオペアンプ7の反転入力
端子に接続され、オペアンプ7の反転入力端子と出力端
子は抵抗R4を介して接続されている。オペアンプ7の
非反転入力端子には基準電圧源10が接続されている。
基準電圧源10の電圧Vrefと電圧V2は差動増幅され、
オペアンプ7の出力端子には電圧V3(V3=Vref×
(R3+R4)/R3−V2×R4/R3)が出力され
る。電圧V3はコンパレータ8の反転入力端子に入力さ
れ、コンパレータ8の非反転入力端子には三角波発生回
路9の出力信号電圧(三角波信号電圧)V4が入力され
ている。コンパレータ8の出力はパルス幅変調回路5の
出力信号S1であり、スイッチ回路1およびスイッチ回
路2の制御端子に接続されている。
In the pulse width modulation circuit 5, the voltage V 2 is input to the non-inverting input terminal of the operational amplifier 6. Operational amplifier 6
Is a buffer circuit in which the inverting input terminal and the output terminal are directly connected, and the output thereof is equal to the voltage V 2 . Operational amplifier 6
The output terminal of is connected to the inverting input terminal of the operational amplifier 7 through the resistor R3, and the inverting input terminal and the output terminal of the operational amplifier 7 are connected through the resistor R4. The reference voltage source 10 is connected to the non-inverting input terminal of the operational amplifier 7.
The voltage V ref and the voltage V 2 of the reference voltage source 10 are differentially amplified,
The output terminal of the operational amplifier 7 has a voltage V 3 (V 3 = V ref ×
(R3 + R4) / R3- V 2 × R4 / R3) are outputted. The voltage V 3 is input to the inverting input terminal of the comparator 8, and the output signal voltage (triangle wave signal voltage) V 4 of the triangular wave generating circuit 9 is input to the non-inverting input terminal of the comparator 8. The output of the comparator 8 is the output signal S 1 of the pulse width modulation circuit 5 and is connected to the control terminals of the switch circuit 1 and the switch circuit 2.

【0032】電圧V3と電圧V4および信号S1の波形を
示すのが図4である。三角波発生回路9からは、一定の
三角波信号電圧V4が出力されている。コンパレータ8
では電圧V3と電圧V4が比較され、電圧V3が電圧V4
り高い期間はローレベル、電圧V3が電圧V4より低い期
間はハイレベルのデジタル信号S1が出力される。
FIG. 4 shows the waveforms of the voltage V 3 , the voltage V 4 and the signal S 1 . The triangular wave generating circuit 9 outputs a constant triangular wave signal voltage V 4 . Comparator 8
In the comparison voltage V 3 and the voltage V 4, the voltage V 3 higher duration low level than the voltage V 4, the voltage V 3 lower period than the voltage V 4 is the digital signals S 1 of high level is outputted.

【0033】いま、電圧V3が実線で示した値であると
き、信号S1のデューティは70%である。半導体レー
ザ3の出射パワーが温度変化によって減少すると、電圧
2も減少する。すると、基準電圧Vrefと電圧V2とが
差動増幅された電圧V3は上昇し破線で示した値とな
る。このとき、信号S1のデューティは60%となり、
半導体レーザ駆動電流I1が増加する(図3参照)の
で、レーザパワーが補正される。
Now, when the voltage V 3 has the value shown by the solid line, the duty of the signal S 1 is 70%. When the emission power of the semiconductor laser 3 decreases due to the temperature change, the voltage V 2 also decreases. Then, the voltage V 3 obtained by differentially amplifying the reference voltage V ref and the voltage V 2 rises and becomes a value shown by a broken line. At this time, the duty of the signal S 1 becomes 60%,
Since the semiconductor laser drive current I 1 increases (see FIG. 3), the laser power is corrected.

【0034】このようにして、光検出器4の検出電流I
2に応じて、信号S1のデューティ(パルス幅)を変える
ことにより、半導体レーザ駆動電流I1を制御出来るの
で、半導体レーザの出射パワーを一定に保つことが出来
る。
In this way, the detection current I of the photodetector 4 is
The semiconductor laser drive current I 1 can be controlled by changing the duty (pulse width) of the signal S 1 according to 2 , so that the emission power of the semiconductor laser can be kept constant.

【0035】半導体レーザの出射パワーは、基準電圧V
refの値を変えることにより調整される。
The emission power of the semiconductor laser is the reference voltage V
Adjusted by changing the value of ref .

【0036】なお、信号S1のデューティが50%を下
回ると、デューティと電流I1との関係の傾きが逆転す
る(図3参照)ので、図示しない制限回路によって電圧
3の値はVL[V]を越えないように制限が加えられて
いる。
When the duty of the signal S 1 falls below 50%, the slope of the relationship between the duty and the current I 1 is reversed (see FIG. 3), so that the value of the voltage V 3 is V L by the limiting circuit (not shown). Restrictions are added so that [V] is not exceeded.

【0037】上記構成において、例えば、電源電圧VCC
は1.5[V]、順方向電圧VOPは2.3[V]、コン
デンサーC1及びC2は100[μF]、抵抗R1は3
K[Ω]であり、三角波電圧V4の周波数は20[kH
z]であり、この条件での特性を図2〜図4で示してい
る。
In the above configuration, for example, the power supply voltage V CC
Is 1.5 [V], forward voltage V OP is 2.3 [V], capacitors C1 and C2 are 100 [μF], and resistor R1 is 3
K [Ω], and the frequency of the triangular wave voltage V 4 is 20 [kH
z], and the characteristics under this condition are shown in FIGS.

【0038】また、上述のように、コンデンサC2の値
は、電圧V1の変動VZ(図2参照)が、光ディスク装置
にとって問題のないレベルとなるように設定されるが、
信号S1の周波数(三角波信号電圧V4の周波数)が光デ
ィスク装置の再生信号周波数より十分高ければ、コンデ
ンサC2は無くてもよい。つまり、電圧V1は平滑され
なくても、その変動周波数が十分に高ければ(数十MH
z以上)問題とならない。ただし、一般にコンデンサC
1を高速に充放電することは難しいので、コンデンサC
2を備え低い周波数(数十kHz程度)を用いたほうが
容易である。
Further, as described above, the value of the capacitor C2 is set so that the fluctuation V Z of the voltage V 1 (see FIG. 2) is at a level that does not cause any problem for the optical disk device.
If the frequency of the signal S 1 (frequency of the triangular wave signal voltage V 4 ) is sufficiently higher than the reproduction signal frequency of the optical disk device, the capacitor C2 may be omitted. That is, even if the voltage V 1 is not smoothed, if its fluctuation frequency is sufficiently high (several tens of MH)
z or above) No problem. However, in general, capacitor C
Since it is difficult to charge and discharge 1 at high speed, capacitor C
It is easier to use 2 and to use a low frequency (several tens of kHz).

【0039】[0039]

【発明の効果】本発明の半導体レーザ駆動回路は、電源
電圧とコンデンサに蓄えられた電圧とを加算する構成で
ある。これにより、電源電圧が半導体レーザの順方向電
圧より低くても、半導体レーザを駆動することが出来
る。この結果、光ディスク装置を低電源電圧で動作させ
ることが出来るので、携帯型光ディスク装置に用いる電
池を小型化することも可能となるという効果を奏する。
The semiconductor laser drive circuit of the present invention has a structure for adding the power supply voltage and the voltage stored in the capacitor. As a result, the semiconductor laser can be driven even if the power supply voltage is lower than the forward voltage of the semiconductor laser. As a result, the optical disk device can be operated with a low power supply voltage, and the battery used in the portable optical disk device can be downsized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施の形態にかかる半導体レーザ駆動
回路の構成を示す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a semiconductor laser drive circuit according to an embodiment of the present invention.

【図2】上記半導体レーザ駆動回路における、信号S1
および電圧V1を示す波形図である。
FIG. 2 shows a signal S 1 in the semiconductor laser driving circuit.
And is a waveform diagram showing the voltage V 1.

【図3】上記半導体レーザ駆動回路における、信号S1
のデューティと半導体レーザ駆動電流I1との関係を示
すグラフである。
FIG. 3 shows a signal S 1 in the semiconductor laser driving circuit.
3 is a graph showing the relationship between the duty of the laser diode and the semiconductor laser drive current I 1 .

【図4】上記半導体レーザ駆動回路における、電圧V3
と三角波信号電圧V4および信号S1を示す波形図であ
る。
FIG. 4 shows a voltage V 3 in the semiconductor laser drive circuit.
FIG. 6 is a waveform diagram showing a triangular wave signal voltage V 4 and a signal S 1 .

【図5】従来の半導体レーザ駆動回路について説明する
ための構成図である。
FIG. 5 is a configuration diagram for explaining a conventional semiconductor laser drive circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 スイッチ回路 2 スイッチ回路 3 半導体レーザ 4 光検出器 5 パルス幅変調回路 9 三角波発生回路 11 電源 1 switch circuit 2 switch circuit 3 semiconductor laser 4 photodetector 5 pulse width modulation circuit 9 triangular wave generation circuit 11 power supply

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体レーザの出射光量を検出する光検
出器と、コンデンサと、該コンデンサを電源より充電す
る第1の状態と該コンデンサを該電源と直列に接続し蓄
えられた電圧を電源電圧に加算して放電する第2の状態
とを切り換えるスイッチ回路と、前記光検出器の出力レ
ベルに応じて、前記スイッチ回路を第1の状態又は第2
の状態に選択的に制御するパルスの幅を変調するパルス
幅変調回路とを備えたことを特徴とする半導体レーザ駆
動回路。
1. A photodetector for detecting the amount of light emitted from a semiconductor laser, a capacitor, a first state in which the capacitor is charged from a power source, and a voltage stored by connecting the capacitor in series with the power source. To a second state in which the switch circuit is switched between a second state in which it is discharged and a second state in which the switch circuit is discharged.
And a pulse width modulation circuit that modulates the width of a pulse to selectively control the semiconductor laser drive circuit.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2003047056A1 (en) * 2001-11-28 2003-06-05 Sharp Kabushiki Kaisha Nitride semiconductor laser device and semiconductor optical device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003047056A1 (en) * 2001-11-28 2003-06-05 Sharp Kabushiki Kaisha Nitride semiconductor laser device and semiconductor optical device
US7356059B2 (en) 2001-11-28 2008-04-08 Sharp Kabushiki Kaisha Nitride semiconductor laser device and semiconductor optical device

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