JPH09259797A - Beam index type cathode-ray tube - Google Patents

Beam index type cathode-ray tube

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JPH09259797A
JPH09259797A JP6650996A JP6650996A JPH09259797A JP H09259797 A JPH09259797 A JP H09259797A JP 6650996 A JP6650996 A JP 6650996A JP 6650996 A JP6650996 A JP 6650996A JP H09259797 A JPH09259797 A JP H09259797A
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JP
Japan
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electron
ray tube
octupole
cathode ray
lens
Prior art date
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Application number
JP6650996A
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Japanese (ja)
Inventor
Yukinobu Iguchi
如信 井口
Ichiro Uchiumi
一郎 内海
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Publication of JPH09259797A publication Critical patent/JPH09259797A/en
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2231/00Cathode ray tubes or electron beam tubes
    • H01J2231/12CRTs having luminescent screens
    • H01J2231/121Means for indicating the position of the beam, e.g. beam indexing

Landscapes

  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To form a halo ungenerating rectangular beam spot by adopting an electron beam to form a longitudinally long reactangular beam spot cross section, and controlling an orbit of the electron beam by an octpole electron lens means in an electron gun. SOLUTION: When an opening of a first grid G1 being a first control electrode is formed in a small rectangular shape, an electron beam 8 emitted from a cathode K is formed in a longitudinally long rectangular shape, and is accelerated by a second grid G2 being a first accelerating electrode. It receives the focus adjusting action by a third grid G3 being a focus electrode, and is accelerated by a fourth grid G4 being the final accelerating electrode, and is projected on a fluorescent screen 11. An octpole electron lens QP1 is arranged between a main lens part ML and the fluorescent screen 11 in the vicinity of the fourth grid G4. Therefore, a halo ungenerating rectangular beam spot can be obtained.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ビームインデック
ス形陰極線管(以下、「ビームインデックス管」とい
う。)に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a beam index type cathode ray tube (hereinafter referred to as "beam index tube").

【0002】[0002]

【従来の技術】[Prior art]

[ビームインデックス管の説明] (シャドウマスク管との比較)本発明に係るビームイン
デックス管の特徴を、現在広く実用化されているシャド
ウマスク形陰極線管(以下、「シャドウマスク管」とい
う。)との対比において説明するために、最初にシャド
ウマスク管に付いて概説する。
[Explanation of Beam Index Tube] (Comparison with Shadow Mask Tube) The characteristics of the beam index tube according to the present invention are a shadow mask type cathode ray tube (hereinafter, referred to as “shadow mask tube”) which is widely used at present. In order to explain in comparison with, the shadow mask tube will be first outlined.

【0003】現在広く実用化されているカラーブラウン
管(陰極線管)として、シャドウマスク管が知られてい
る。図7は全体でシャドウマスク管を説明する図であ
り、ここで図7Aはシャドウマスク管を上方より見た水
平方向切断面図、図7B及びCは異なるタイプのシャド
ウマスクを説明する図、図7Dは電子ビーム,シャドウ
マスク及びRGB蛍光体の相対関係を示す図である。
A shadow mask tube is known as a color cathode ray tube (cathode ray tube) which has been widely put into practical use at present. 7A and 7B are views for explaining the shadow mask tube as a whole, in which FIG. 7A is a horizontal sectional view of the shadow mask tube seen from above, and FIGS. 7B and 7C are views for explaining different types of shadow masks. 7D is a diagram showing the relative relationship between the electron beam, the shadow mask, and the RGB phosphors.

【0004】シャドウマスク管を簡単に説明すると、図
7Aに示すようにシャドウマスク管は、電子銃51から
発射される3本の電子ビーム53が、シャドウマスク
(機械的色選別機構)55のパララックス(視差)を利
用して、蛍光面57上に形成された3色の各蛍光体を選
択的に刺激・発光するようになっている。
The shadow mask tube will be briefly described. As shown in FIG. 7A, in the shadow mask tube, the three electron beams 53 emitted from the electron gun 51 are parallel to the shadow mask (mechanical color selection mechanism) 55. By utilizing the lux (parallax), the three color phosphors formed on the phosphor screen 57 are selectively stimulated and emitted.

【0005】図7Bに示すように、電子銃51は、三原
色R,G,Bに対応して3本用意され、またシャドウマ
スク55には2つのタイプがある。一般的にはシャドウ
マスクの開口がスロット状のもの55a(図7B図参
照)が用いられるが、目的によりドット状のもの55b
(図7C図参照)も用いられ、蛍光面57の蛍光体59
も夫々ストライプ状59a(図7B図参照)又はモザイ
ク状59b(図7C図参照)となっている。
As shown in FIG. 7B, three electron guns 51 are prepared corresponding to the three primary colors R, G, B, and there are two types of shadow masks 55. Generally, a shadow mask having a slot-like opening 55a (see FIG. 7B) is used, but a dot-like one 55b is used depending on the purpose.
(See FIG. 7C) is also used, and the phosphor 59 of the phosphor screen 57 is used.
Each has a stripe shape 59a (see FIG. 7B) or a mosaic shape 59b (see FIG. 7C).

【0006】(インデックス管)これに対して、近時、
シャドウマスク(機械的色選別機構)の無いビームイン
デックス管の開発が進められている。図8は全体でビー
ムインデックッス管を説明する図であり、ここで図8A
はビームインデックッス管を上方より見た水平方向切断
面図、図8Bは電子ビーム,蛍光体及びインデックス蛍
光体の関係を説明する図、そして図8Cはビームスポッ
ト寸法及び蛍光体寸法の関係を説明する図である。
(Index tube) On the other hand, recently,
A beam index tube without a shadow mask (mechanical color selection mechanism) is being developed. FIG. 8 is a view for explaining the beam index tube as a whole, and FIG.
Is a horizontal sectional view of the beam index tube seen from above, FIG. 8B is a view for explaining the relationship between the electron beam, the phosphor and the index phosphor, and FIG. 8C is for explaining the relationship between the beam spot size and the phosphor size. FIG.

【0007】図8Aに示すように、ビームインデックス
管は、蛍光面61上にR,G,Bの各蛍光体63を画面
上下方向に延在するストライプ状に形成し、更にその上
に一定間隔を空けてインデックス蛍光体(短残光蛍光
体)65をストライプ状に形成して構成される蛍光面を
有する。この蛍光面61を1本の電子ビーム67で走査
し、このときインデックス蛍光体65から発せられるイ
ンデックス信号(例えば紫外線)69をセンサ(例え
ば、フォトダイオード)71で検知して電子ビーム67
の位置情報を得たうえ、これに同期して色信号切換回路
73によりビデオ信号(三色の色信号)を切り換えてビ
ームを変調する。
As shown in FIG. 8A, in the beam index tube, R, G, and B phosphors 63 are formed on the phosphor screen 61 in stripes extending in the vertical direction of the screen, and further, at regular intervals. And has a phosphor screen formed by forming index phosphors (short afterglow phosphors) 65 in a stripe shape. This fluorescent screen 61 is scanned with one electron beam 67, and at this time, an index signal (for example, ultraviolet ray) 69 emitted from the index fluorescent substance 65 is detected by a sensor (for example, photodiode) 71 and the electron beam 67 is detected.
After the position information is obtained, the color signal switching circuit 73 switches the video signal (color signals of three colors) in synchronization with this to modulate the beam.

【0008】このビームインデックス管は、電子ビーム
を捕捉するシャドウマスク(図7の符号55)が不要で
あるため、電子ビーム67の利用率が高い長所を有して
いる。一例として、シャドウマスク管の電子ビーム利用
率が約20%であるのに対し、インデックス管のそれは
約70%と、約3.5倍程度高く、このため高輝度の画
面が実現できる。これに加えて、ビームインデックス管
は、消費電力が少ない、単一ビームであるためビーム集
中の問題がない、地磁気の影響が少ない、陰極線管の構
造が簡単である等の種々の長所も有している。
This beam index tube has an advantage that the utilization rate of the electron beam 67 is high because a shadow mask (reference numeral 55 in FIG. 7) for trapping the electron beam is unnecessary. As an example, the shadow mask tube has an electron beam utilization rate of about 20%, while the index tube has an electron beam utilization rate of about 70%, which is about 3.5 times higher. Therefore, a high-luminance screen can be realized. In addition to this, the beam index tube has various advantages such as low power consumption, no problem of beam concentration because it is a single beam, little influence of geomagnetism, and simple cathode ray tube structure. ing.

【0009】(ビームインデックス管の微細ビームスポ
ット)先に説明したシャドウマスク管では、図7Dによ
って明らかなように、蛍光体59の寸法W1に対応した
シャドウマスク55のスロット56の開口寸法が、蛍光
面57に衝突するビームサイズを決定しているので、電
子銃51から発射される電子ビーム53は各蛍光体59
の寸法W1より多少大きい寸法のビームスポットを使用
することができる。
(Fine Beam Spot of Beam Index Tube) In the shadow mask tube described above, the opening dimension of the slot 56 of the shadow mask 55 corresponding to the dimension W1 of the phosphor 59 is fluorescent as shown in FIG. 7D. Since the size of the beam that strikes the surface 57 is determined, the electron beam 53 emitted from the electron gun 51 is emitted from each phosphor 59.
It is possible to use a beam spot having a size slightly larger than the size W1 of.

【0010】これに対して、本発明が関連するビームイ
ンデックス管では、図8に示すように、シャドウマスク
が無いので電子ビーム67の利用率が高い半面、原理
上、三原色(RGB)蛍光体63の幅W2と同等以下の
幅の微細ビームスポットを必要とする。即ち、ビームス
ポット寸法(ビーム径)を蛍光面61のRGB蛍光体6
3の各ストライプ幅W2に適合するように小さくする必
要がある。ビームスポットが大きくなると隣接する蛍光
体を励起して色純度が劣化するだけでなく、インデック
ス信号幅が低下しインデックス信号69の検出エラーを
生じる。そのため、水平方向のビームスポットサイズ
は、低電流領域から高電流領域まで、しかも偏向歪みも
加味して蛍光面全域で小さくする必要がある。
On the other hand, in the beam index tube related to the present invention, as shown in FIG. 8, since there is no shadow mask, the utilization rate of the electron beam 67 is high, but in principle, the three primary color (RGB) phosphors 63 are used. A fine beam spot having a width equal to or smaller than the width W2 of is required. That is, the beam spot size (beam diameter) is set to the RGB phosphor 6 of the phosphor screen 61.
It is necessary to make it small so as to fit each stripe width W2 of No. 3. When the beam spot becomes large, not only the adjacent phosphors are excited to deteriorate the color purity, but also the index signal width is reduced and an index signal 69 detection error occurs. Therefore, it is necessary to reduce the beam spot size in the horizontal direction from the low current region to the high current region, and also in consideration of the deflection distortion, over the entire phosphor screen.

【0011】ビームインデックス管は、或る1つの時間
を取った場合(即ち、瞬間では)電子ビーム67は1つ
の蛍光体(色)63にのみ衝突するように、1本のビー
ム67を順次切り換えながらR,G,B各蛍光体63に
対して走査する。このため、ビームスポットの水平方向
寸法が、R,G,B各蛍光体63のピッチを制約するこ
とになる。
The beam index tube sequentially switches one beam 67 so that the electron beam 67 impinges on only one phosphor (color) 63 at a certain time (that is, at a moment). While scanning the R, G, B phosphors 63. Therefore, the horizontal dimension of the beam spot limits the pitch of the R, G, and B phosphors 63.

【0012】従って、R,G,B各蛍光体63のピッチ
が小さい高精細(ファインピッチ)な画像を得るために
は、必然的に電子ビーム67のビームスポットの水平方
向寸法を極めて小さくした、微細ビームスポットにする
ことが必要になる。このように、画像のファインピッチ
化が進めば進むほど、小さい蛍光体寸法に対応してビー
ムスポット寸法を一層小さくする必要がある。しかし、
ビームスポットを小さくすると、色純度(ピュリティ)
の確保(色を付けること。)と明るさの維持とを両立さ
せることが困難になってくる。
Therefore, in order to obtain a high-definition (fine pitch) image in which the pitch of the R, G, and B phosphors 63 is small, the horizontal dimension of the beam spot of the electron beam 67 is necessarily made extremely small. It is necessary to make a fine beam spot. Thus, as the image becomes finer in pitch, it is necessary to further reduce the beam spot size corresponding to the smaller phosphor size. But,
Color purity (purity) when the beam spot is reduced
It will be difficult to achieve both securing (coloring) and maintaining brightness.

【0013】また、この蛍光面61上のR,G,B各蛍
光体63は、図8Cに示すように、これらを分離するカ
ーボンのガードバンド(ブラック・ストライプ,カーボ
ン・ストライプともいう。)75間に延在している。従
って、ビームスポットの形状を各蛍光体寸法(カーボン
のガードバンド間寸法)W2に対して相対的に小さくで
きれば、符号77に示すような丸形形状の微細ビームス
ポットが好ましい。しかし実際問題としては、そこまで
ビームの電子密度を高めてしまうと、蛍光体63の飽和
が生じて色がまともに発色しなくなる。従って、現状に
おいては符号79に示すような概して縦長形状の微細ビ
ームスポットを採用せざる得ない。
Further, as shown in FIG. 8C, the R, G, B phosphors 63 on the phosphor screen 61 are separated from each other by a carbon guard band (also called a black stripe or a carbon stripe) 75. It extends in between. Therefore, if the shape of the beam spot can be made relatively small with respect to each phosphor size (dimension between carbon guard bands) W2, a round fine beam spot as shown by reference numeral 77 is preferable. However, as a practical problem, if the electron density of the beam is increased to that extent, the phosphor 63 is saturated and the color does not develop properly. Therefore, under the present circumstances, it is unavoidable to adopt a generally vertical fine beam spot as shown by reference numeral 79.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】[Problems to be Solved by the Invention]

[矩形形状ビームスポットのハローの発生] (楕円形状と矩形形状)このような縦長形状の微細ビー
ムスポットとして、楕円形状又は矩形形状の微細ビーム
スポットが考えられる。このうち、図9Aに示すような
楕円形状のビームスポット81は、図9Bに示すような
矩形形状のそれと比較して、幅方向寸法Weを相対的に
大きくしなければ同じスポット面積(即ち、同じビーム
電流)を確保できない。従って、ビーム電流が小さいと
きは問題ないが、ビーム電流を大きくすると、相対的に
幅方向寸法Weが大きくなり、色純度が劣化するという
欠点を有するので、採用できない。
[Occurrence of Halo of Rectangular Beam Spot] (Elliptical and Rectangular) As such a vertically long fine beam spot, an elliptical or rectangular fine beam spot can be considered. Of these, the elliptical beam spot 81 as shown in FIG. 9A has the same spot area (that is, the same spot area as long as the width direction dimension We is not relatively increased as compared with the rectangular beam spot 81 as shown in FIG. 9B. Beam current) cannot be secured. Therefore, there is no problem when the beam current is small, but when the beam current is increased, the width direction dimension We becomes relatively large and the color purity is deteriorated.

【0015】(矩形形状のビームスポットのハローの発
生)図9Bに示すように、ビームスポットを概して矩形
形状83とした場合、同じビーム電流を確保するのに幅
方向寸法Wrが相対的に小さくて済むという利点を有し
ている。従って、現状では、0.6mmH×0.25m
mW程度の矩形寸法のビームスポットを採用している。
しかし、矩形形状のビームスポット83においてもビー
ム電流を大きくした場合、矩形形状の斜め方向にハロー
85が出て、隣接する蛍光体ストライプを発光させ、色
純度が劣化するという問題が生じている。
(Generation of Halo of Rectangular Beam Spot) As shown in FIG. 9B, when the beam spot has a generally rectangular shape 83, the width direction dimension Wr is relatively small in order to secure the same beam current. It has the advantage of being completed. Therefore, at present, 0.6 mmH × 0.25 m
A rectangular beam spot of about mW is used.
However, when the beam current is increased even in the rectangular beam spot 83, the halo 85 appears in the diagonal direction of the rectangular shape to cause the adjacent phosphor stripes to emit light, which causes a problem of deterioration in color purity.

【0016】[従来技術の問題点の原因究明]本発明者
は、このビームスポットにハローが発生する原因を検討
した。この結果、ビームスポット形状を矩形にしたこと
により、ビームスポットを形成する個々の電子ビームの
軌道が、夫々のビームスポット断面方向の位置に依存し
てカソード近傍において差異が生じ、それが原因でハロ
ー85が発生することを究明した。
[Investigation of Cause of Problems in Prior Art] The present inventor examined the cause of the halo in the beam spot. As a result, by making the beam spot shape rectangular, the orbits of the individual electron beams forming the beam spot differ in the vicinity of the cathode depending on the position of each beam spot cross-sectional direction, which causes the halo. It was determined that 85 occurred.

【0017】ビームインデックス管の電子銃の構造に関
しては、後で図1を用いて詳述するが、ここではハロー
85の発生原因に関して簡単に説明する。図10Aに示
すように、ビームインデックス管の電子銃の内カソード
近傍の構造は、ファンネルガラスのネック部内に配置さ
れたカソードK,第1のグリッドG1及び第2のグリッ
ドG2から構成されている。ここで、カソードKは0〜
200〔V〕程度の変調電圧にあり、第1のグリッドG
1は0〔V〕、第2のグリッドは略30〔kV〕に保持
されている。なお、その他のグリッド等に関しては省略
する。また、図A,B及びCは、各々、上半分にY
(縦)方向とD(斜め)方向の電子ビームの軌道を示
し、下半分にX(横)方向の電子ビームの軌道を示して
いる。
The structure of the electron gun of the beam index tube will be described later in detail with reference to FIG. 1. Here, the cause of the halo 85 will be briefly described. As shown in FIG. 10A, the structure in the vicinity of the cathode of the electron gun of the beam index tube is composed of the cathode K, the first grid G1 and the second grid G2 arranged in the neck portion of the funnel glass. Here, the cathode K is 0 to
There is a modulation voltage of about 200 [V], and the first grid G
1 is held at 0 [V], and the second grid is held at about 30 [kV]. Note that other grids etc. are omitted. In addition, FIGS. A, B and C respectively show Y in the upper half.
The orbits of the electron beam in the (longitudinal) direction and the D (oblique) direction are shown, and the orbits of the electron beam in the X (horizontal) direction are shown in the lower half.

【0018】カソードKより発せられた熱電子は電子ビ
ームを形成し、この電子ビームは第1のグリッドG1の
概して矩形形状の通過孔により矩形形状のビームスポッ
トに形成され且つ集束作用を受け、第2のグリッドG2
で発散作用を受け、更に図に示していないその他のグリ
ッド電極の作用を受けながら蛍光面(図示せず。)に向
かって進行する。
The thermoelectrons emitted from the cathode K form an electron beam, and the electron beam is formed into a rectangular beam spot by the generally rectangular passage hole of the first grid G1 and is subjected to the focusing action. 2 grid G2
Under the action of other grid electrodes not shown in the figure, the light proceeds toward the phosphor screen (not shown).

【0019】このとき、電子ビームが全体としてその断
面形状が矩形形状になるようにビームスポットを形成す
ると、この矩形形状を構成する個々の電子ビームのカソ
ードK付近のにおける挙動に差異が生じるのである。典
型的な位置であるY軸方向(縦方向)端部に位置する電
子ビーム(以下、電子ビームとする。)と、D軸方向
(斜め方向)端部に位置する電子ビーム(以下、電子ビ
ームとする。)と、X軸方向(横方向)端部に位置す
る電子ビーム(以下、電子ビームとする。)とを例に
取って説明すると、これらの電子ビームの夫々の軌道は
次のように相異なったものとなる。
At this time, if a beam spot is formed so that the electron beam has a rectangular sectional shape as a whole, the behavior of the individual electron beams forming the rectangular shape near the cathode K is different. . An electron beam (hereinafter, referred to as an electron beam) located at a Y-axis direction (longitudinal direction) end that is a typical position and an electron beam (hereinafter, referred to as an electron beam) located at a D-axis direction (oblique direction) end. And an electron beam located at the end portion in the X-axis direction (transverse direction) (hereinafter referred to as an electron beam), the orbits of these electron beams are as follows. Will be different.

【0020】先ず、第1のグリッドG1では、これら電
子ビーム,,は集束作用を受けるのであるが、そ
の集束作用の影響は、第1のグリッドG1の縦長矩形形
状のビーム通過孔の電位分布により、横方向端部の電子
ビームが一番強く、次に縦方向端部の電子ビームが
中間の強さで、更に斜め方向端部の電子ビームが一番
弱く受ける。この結果、図10Aに示すように、電子ビ
ームの実クロスオーバ点(Z軸と交差する点)a3は
カソードKに最も近い第1のグリッドG1入り口付近に
形成され、次に電子ビームの実クロスオーバ点a1が
a3より蛍光面に向かって少し移動した位置に形成さ
れ、更に電子ビームの実クロスオーバ点a2が最も遠
くのa1よ少し移動した第2のグリッドG2に近い位置
に形成される。即ち、図10Aに示すように、電子ビー
ム,,の実クロスオーバ点は、カソードK側から
蛍光面側に向かってa3,a1,a2の順番で形成され
る。
First, in the first grid G1, these electron beams are subjected to the focusing action. The influence of the focusing action depends on the potential distribution of the vertically long rectangular beam passage holes of the first grid G1. , The electron beam at the lateral end is the strongest, the electron beam at the longitudinal end is the intermediate, and the electron beam at the diagonal end is weakest. As a result, as shown in FIG. 10A, the actual crossover point (point intersecting the Z axis) a3 of the electron beam is formed near the entrance of the first grid G1 closest to the cathode K, and then the actual crossover of the electron beam is performed. The over point a1 is formed at a position slightly moved from a3 toward the phosphor screen, and the actual crossover point a2 of the electron beam is formed at a position near the second grid G2 slightly moved from the farthest a1. That is, as shown in FIG. 10A, the actual crossover points of the electron beams are formed in the order of a3, a1, and a2 from the cathode K side toward the phosphor screen side.

【0021】次に、これら実クロスオーバ点a3,a
1,a2をもつ電子ビーム,,が、発散レンズ作
用を奏する第2のグリッドG2を通過するときの様子
は、先ず電子ビームは第2グリッドG2から最も遠方
の実クロスオーバ点a3から来るので離軸量(Z軸から
離れる量)が大きく、即ち第2のグリッドG2の最も近
くを通過するので一番強い発散作用を受けて進行する。
これに対して、電子ビームは、第2グリッドから最も
近い実クロスオーバ点a2から来るので離軸量が小さ
く、即ち第2のグリッドG2から遠いZ軸近傍を通過す
るので弱い発散作用を受けて進行する。電子ビームの
受ける影響は、電子ビームと電子ビームの中間にあ
る。
Next, these actual crossover points a3, a
When the electron beam with 1, a2, passes through the second grid G2 which has a diverging lens effect, the electron beam first comes from the farthest actual crossover point a3 from the second grid G2, Since the axial amount (the amount away from the Z axis) is large, that is, the axial amount passes the closest to the second grid G2, it proceeds with the strongest diverging action.
On the other hand, since the electron beam comes from the actual crossover point a2 closest to the second grid, the off-axis amount is small, that is, the electron beam passes in the vicinity of the Z axis far from the second grid G2 and is therefore subjected to a weak diverging action. proceed. The influence of the electron beam is between the electron beam and the electron beam.

【0022】電子ビーム,,が第2のグリッドG
2を通過し蛍光面(図示せず。)に向かって進行する軌
跡を逆にカソードKに向け延長し(破線で示す。)、Z
軸と交差する点を仮想物点とする。電子ビーム,,
の仮想物点は、夫々va3,va1,va2となる。
これら仮想物点va3,va1,va2は、メインレン
ズから見た実効的な物点の位置を表わしている。
The electron beam ,, is the second grid G
A trajectory passing through 2 and proceeding toward a phosphor screen (not shown) is extended toward the cathode K in reverse (shown by a broken line), and Z
A point that intersects the axis is a virtual object point. Electron beam,
The virtual object points of are va3, va1, and va2, respectively.
These virtual object points va3, va1, va2 represent the positions of effective object points viewed from the main lens.

【0023】これら仮想物点から発せられた電子ビーム
に対してこれ以降蛍光面に到達するまでに影響を与える
インデックス管の電子レンズは、後で詳述するように凸
レンズ作用(集束作用)のメインレンズMLを形成して
いる。このため、仮想物点va3,va1,va2がZ
軸方向に変位していると、図10Bに示すような焦点ズ
レを生じ、結像点が一致しなくなる。図10Bに示すよ
うに、カソードKから蛍光面に向かってZ軸上にva
3,va2,va1の順で変位した仮想物点から発せら
れた夫々の電子ビームは、電子レンズMLの凸レンズ作
用によって、f3,f2,f1の順でZ軸方向に変位し
た結像面を形成し、焦点ズレを生ずる。
The electron lens of the index tube which influences the electron beam emitted from these virtual object points until it reaches the phosphor screen thereafter, as will be described later in detail, has a convex lens action (focusing action). The lens ML is formed. Therefore, the virtual object points va3, va1, va2 are Z
If it is displaced in the axial direction, a focus shift as shown in FIG. 10B occurs, and the image formation points do not match. As shown in FIG. 10B, va on the Z axis from the cathode K toward the phosphor screen.
Each electron beam emitted from the virtual object point displaced in the order of 3, va2, va1 forms an image plane displaced in the Z-axis direction in the order of f3, f2, f1 by the convex lens action of the electron lens ML. However, defocus occurs.

【0024】本発明者は、この内のX方向とY方向の焦
点ズレに関して、特願平6−286708号,特願平7
−287527号(いずれも本出願時点で、未だ出願公
開されていない。)等により、四重極電子レンズ87を
採用して解決することを提案した。この既に提案された
発明の概略は、図10Cに示すように、電子ビームの集
束領域において、Y(縦)方向に対して凸レンズ作用を
奏し、X(横)方向に対して凹レンズ作用を奏する四重
極電子レンズ87を配置するものである。これにより、
電子ビーム(横方向端部の電子ビーム)に対しては、
四重極の凹レンズ作用により結像点f3を蛍光面61上
のf0にジャストフォーカスさせている。同様に、電子
ビーム(縦方向端部の電子ビーム)に対しては、四重
極の凸レンズ作用により結像点f1を蛍光面上のf0に
ジャストフォーカスさせている。
The inventor of the present invention is concerned with the defocusing in the X and Y directions among these, Japanese Patent Application No. 6-286708 and Japanese Patent Application No. 7-86708.
No. 287527 (all of which have not been published at the time of filing this application), and the like, proposed to adopt a quadrupole electron lens 87 to solve the problem. As shown in FIG. 10C, the outline of the already proposed invention is that a convex lens action is exerted in the Y (longitudinal) direction and a concave lens action is exerted in the X (horizontal) direction in an electron beam focusing region. The quadrupole electron lens 87 is arranged. This allows
For the electron beam (electron beam at the lateral end),
The image forming point f3 is just focused on f0 on the fluorescent screen 61 by the concave lens action of the quadrupole. Similarly, for the electron beam (electron beam at the end in the vertical direction), the image forming point f1 is just focused on f0 on the fluorescent screen by the action of the quadrupole convex lens.

【0025】しかし、四重極電子レンズの技術によって
も電子ビーム(斜め方向端部の電子ビーム)に関して
は、依然問題が残ることになる。即ち、四重極電子レン
ズ配置前においては、電子ビームは図10Bに示すよ
うに蛍光面より手前で焦点f2を結んでおり、オーバフ
ォーカス状態にある。このとき、四重極電子レンズ87
を採用すると、ビームスポット形状が縦長矩形状のた
め、四重極電子レンズの影響として、X方向(横方向)
の要因(凹レンズ作用)よりY方向(縦方向)の要因
(凸レンズ作用)が強く作用する。図10Bに示すよう
に電子ビームはオーバフォーカス状態であったのに対
して、図10Cに示すように、四重極電子レンズ87の
凸レンズ作用により一層結像点がメインレンズML側に
向かって移動した結像点f4に移動して、オーバフォー
カス状態が更に進んでしまう。
However, even with the technique of the quadrupole electron lens, the problem still remains with respect to the electron beam (electron beam at the end in the oblique direction). That is, before the quadrupole electron lens is arranged, the electron beam has a focal point f2 in front of the phosphor screen as shown in FIG. 10B, and is in an overfocus state. At this time, the quadrupole electron lens 87
Is adopted, the beam spot shape is a vertically long rectangular shape, so the effect of the quadrupole electron lens is that the X direction (horizontal direction)
The factor (convex lens action) in the Y direction is stronger than the factor (concave lens action). As shown in FIG. 10B, the electron beam was in the overfocused state, whereas as shown in FIG. 10C, the convex point action of the quadrupole electron lens 87 further moves the image forming point toward the main lens ML side. The image is moved to the image forming point f4, and the overfocus state is further advanced.

【0026】このように、カソードKの近傍における電
子ビーム,,の挙動を解明した段階で、更にこれ
らの問題点を解決すべく開発された技術が本発明であ
る。なお、以下の本発明に関する記載では、既に開発さ
れた特願平6−286708号等の四重極電子レンズの
技術は採用済みで、この結果、Y(縦)方向とX(横)
方向の電子ビームはジャストフォーカス状態にあること
を前提にして説明を進める。また、本発明の説明におい
ては、記載を簡単にし分かり易いものとするために、こ
の四重極電子レンズに関する記載は省略している。
The present invention is a technique developed in order to further solve these problems at the stage of elucidating the behavior of the electron beam in the vicinity of the cathode K, as described above. In the following description of the present invention, the technology of the quadrupole electron lens such as Japanese Patent Application No. 6-286708 already developed has been adopted, and as a result, the Y (longitudinal) direction and the X (horizontal) direction have been adopted.
The description will proceed assuming that the electron beam in the direction is in the just focus state. Further, in the description of the present invention, the description regarding the quadrupole electron lens is omitted for the sake of simplicity and easy understanding.

【0027】しかしながら本発明の意義は、必ずしも四
重極電子レンズと組み合わせて用いられる技術に限定さ
れるものでないことを承知されたい。本発明は、電子ビ
ームを構成する個々の電子ビームの内、主としてD(斜
め)方向に位置する電子ビームを選択的に制御し得るこ
とにある。
However, it should be understood that the meaning of the present invention is not necessarily limited to the technique used in combination with the quadrupole electron lens. The present invention is to selectively control the electron beam mainly located in the D (oblique) direction among the individual electron beams forming the electron beam.

【0028】[本発明の目的]従って、本発明は、上述
した問題点に鑑み、水平方向寸法を一層減少したビーム
スポットを形成し得る電子銃を備えたビームインデック
ス管を提供するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, in view of the above-mentioned problems, the present invention provides a beam index tube equipped with an electron gun capable of forming a beam spot whose horizontal dimension is further reduced.

【0029】更に本発明は、ハローを生じない矩形形状
のビームスポットを形成し得る電子銃を備えたビームイ
ンデックス管を提供するものである。
Further, the present invention provides a beam index tube equipped with an electron gun capable of forming a rectangular beam spot without causing a halo.

【0030】更に本発明は、精細な(ファインピッチ)
画像を実現し得るビームインデックス管を提供するもの
である。
Further, the present invention provides a fine (fine pitch)
A beam index tube capable of realizing an image is provided.

【0031】[0031]

【課題を解決するための手段】本発明は、ビームインデ
ックス形陰極線管において、該陰極線管に使用される電
子銃が、画面から見て概して縦長矩形形状のビームスポ
ット断面を形成する電子ビームを採用し、該電子ビーム
の軌道を八重極電子レンズ手段により制御している。
According to the present invention, in a beam index type cathode ray tube, an electron beam used in the cathode ray tube adopts an electron beam forming a beam spot cross section of a generally elongated rectangular shape when viewed from a screen. The orbit of the electron beam is controlled by the octopole electron lens means.

【0032】この八重極電子レンズ手段は、一の態様で
は、メインレンズの近傍又は該メインレンズに対して蛍
光面寄りの位置で電子ビームを取り囲むように配置さ
れ、ビームスポット断面内の斜め方向に位置する電子ビ
ームの軌道を発散形に修正している。
In one embodiment, the octupole electron lens means is arranged so as to surround the electron beam in the vicinity of the main lens or at a position closer to the fluorescent screen with respect to the main lens, and is obliquely arranged in the beam spot cross section. The orbit of the electron beam located is corrected to be divergent.

【0033】更に、この八重極電子レンズ手段は、他の
一の態様では、メインレンズの近傍又はメインレンズに
対してカソード寄りの位置で電子ビームを取り囲むよう
に配置され、ビームスポット断面内の斜め方向に位置す
る電子ビームの軌道を同じく発散形に修正している。
Further, in another aspect, the octupole electron lens means is arranged so as to surround the electron beam at a position near the main lens or near the cathode with respect to the main lens, and is oblique in the beam spot cross section. The orbit of the electron beam located in the direction is also corrected to be divergent.

【0034】このように、八重極電子レンズ手段を採択
することにより、ビームスポット断面内の斜め方向に位
置する電子ビームの軌道を選択的に制御することが出来
る。
As described above, by adopting the octopole electron lens means, it is possible to selectively control the trajectory of the electron beam positioned in the oblique direction within the beam spot cross section.

【0035】また、四重極電子レンズにより直交方向に
位置する電子ビームを選択的に制御し、八重極電子レン
ズにより斜め方向の電子ビームを選択的に制御し、これ
ら四重極電子レンズと八重極電子レンズの適切な組み合
わせにより、直交軸方向及び斜め方向の電子ビームを個
別的且つ総合的に制御することが出来る。
Further, the quadrupole electron lens selectively controls the electron beam positioned in the orthogonal direction, and the octopole electron lens selectively controls the electron beam in the oblique direction. With a proper combination of polar electron lenses, the electron beams in the orthogonal axis direction and the oblique direction can be individually and comprehensively controlled.

【0036】[0036]

【発明の実施の形態】以下、本発明にかかるビームイン
デックス管の実施例について、添付の図面を参照しなが
ら詳細に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of a beam index tube according to the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings.

【0037】[第1の実施例] (第1の実施例の構成)図1は、第1の実施例にかかる
インデックス形陰極線管の要部を上方から見た水平方向
切断面図である。図1において、ビームインデックス管
は、内部を高真空にされたファンネルガラス1に覆わ
れ、ファンネルガラス1はネック部3,ファンネル部4
及びパネル部6より形成される。ネック部3内部には電
子銃5が組み込まれており、この電子銃5は、電子ビー
ム発生源であるカソード(熱陰極)Kと、電子レンズ系
を構成する第1グリッド(第1制御電極)G1、第2グ
リッドG2(第1加速電極)、第3グリッドG3(フォ
ーカス電極)及び第4グリッド(最終加速電極)G4と
を備えている。
[First Embodiment] (Structure of First Embodiment) FIG. 1 is a horizontal cross-sectional view of a main part of an index type cathode ray tube according to the first embodiment, as viewed from above. In FIG. 1, the beam index tube is covered with a funnel glass 1 having a high vacuum inside, and the funnel glass 1 includes a neck portion 3 and a funnel portion 4.
And the panel portion 6. An electron gun 5 is incorporated inside the neck portion 3. The electron gun 5 includes a cathode (hot cathode) K which is an electron beam generation source and a first grid (first control electrode) which constitutes an electron lens system. G1, a second grid G2 (first acceleration electrode), a third grid G3 (focus electrode), and a fourth grid (final acceleration electrode) G4 are provided.

【0038】これら構成要素の配置関係は、ネック部3
後端のステム部7にカソードKがその端子9を外部に突
出させて取り付けられ、カソードKから蛍光面(図示せ
ず)に向かって順次第1グリッドG1、第2グリッドG
2、第3グリッドG3及び第4グリッドG4が配置され
ている。
The arrangement of these components is determined by the neck portion 3
The cathode K is attached to the stem portion 7 at the rear end with its terminal 9 protruding to the outside, and the first grid G1 and the second grid G are sequentially arranged from the cathode K toward the phosphor screen (not shown).
The second, third grid G3 and fourth grid G4 are arranged.

【0039】電子銃5の各電極に対する印加電圧は、一
例として、次の通りである。 ・カソードK…0〜200〔V〕程度の範囲で変調 ・第1グリッドG1…0〔V〕 ・第2グリッドG2…略30〔kV〕(アノード電圧) ・第3グリッドG3…数〔kV〕(フォーカス電圧) ・第4グリッドG4…略30〔kV〕(アノード電圧)
The voltage applied to each electrode of the electron gun 5 is as follows, for example. -Cathode K ... Modulation in the range of about 0 to 200 [V] -First grid G1 ... 0 [V] -Second grid G2 ... approximately 30 [kV] (anode voltage) -Third grid G3 ... number [kV] (Focus voltage) -Fourth grid G4 ... Approximately 30 [kV] (anode voltage)

【0040】なお、符号DYは偏向磁界を発生する偏向
ヨークDY(Deflection Yoke )であるが、偏向ヨーク
DYは、本発明及び従来技術のいずれにも採用されてお
り、そのレンズ作用及び効果は同一である。従って、図
面及び説明を簡略化して分かり易いものとするため、以
下の記載において特に断らない限りこの偏向ヨークDY
に関する事項は省略する。
Reference numeral DY is a deflection yoke DY (Deflection Yoke) for generating a deflection magnetic field, but the deflection yoke DY is adopted in both the present invention and the prior art, and its lens action and effect are the same. Is. Therefore, in order to simplify the drawings and the description for the sake of clarity, the deflection yoke DY will be described unless otherwise specified.
Items related to are omitted.

【0041】前述したように、第1制御電極である第1
グリッドG1の開口を小さい矩形形状とすることによっ
て、カソードKから発せられる電子ビーム8が縦長の矩
形形状(図9の符号83)にされ、第1加速電極である
第1グリッドG2により加速され、フォーカス電極であ
る第3グリッドG3により焦点調節作用を受け、最終加
速電極である第4グリッドG4により加速されて蛍光面
11に投射される。
As described above, the first control electrode, the first
By forming the opening of the grid G1 into a small rectangular shape, the electron beam 8 emitted from the cathode K is formed into a vertically long rectangular shape (reference numeral 83 in FIG. 9) and is accelerated by the first grid G2 which is the first accelerating electrode. The third grid G3, which is a focus electrode, receives a focus adjustment action, and the fourth grid G4, which is a final accelerating electrode, accelerates and focuses the light on the phosphor screen 11.

【0042】光学レンズ系で表現すると、第2〜第4グ
リッドG2,G3,G4によって凸レンズ作用を奏する
メインレンズMLが第3グリッドG3の箇所に形成さ
れ、光線(電子ビーム)を結像点(蛍光面)11に集束
する。以下、その位置を、メインレンズ部MLとして破
線で示す。
Expressed as an optical lens system, a main lens ML having a convex lens function is formed at the third grid G3 by the second to fourth grids G2, G3 and G4, and a light ray (electron beam) is formed at an image forming point ( Focus on the phosphor screen 11. Hereinafter, that position is shown by a broken line as the main lens portion ML.

【0043】なお、本発明を理解する上で直接関連のな
い図8Aで説明したインデックスパルス,センサ,色信
号切換回路等に関しては、図示せず又その説明を省略す
る。
It should be noted that the index pulse, sensor, color signal switching circuit, etc. described in FIG. 8A, which are not directly related to understanding the present invention, are not shown in the figure or their description is omitted.

【0044】このようなビームインデックス管に対し
て、本実施例では、第4グリッドG4の近傍で且つメイ
ンレンズ部MLと蛍光面11の間に、八重極電子レンズ
QP1を配置する。この八重極電子レンズQP1を具体
化する態様としては、主として次の静電八重極と電磁八
重極の2つがある。
For such a beam index tube, an octupole electron lens QP1 is arranged in the vicinity of the fourth grid G4 and between the main lens portion ML and the fluorescent screen 11 in this embodiment. There are mainly two modes of embodying the octupole electron lens QP1, namely the following electrostatic octupole and electromagnetic octupole.

【0045】(静電八重極)先ず、八重極電極QP1を
静電八重極として構成する場合について説明する。な
お、これより極数の少ない静電四重極の構成は従来から
知られているもので、その詳細は、例えばShoji Shirai
and Masakazu Fukusima, "Quadrupole Lens for Dynam
ic Forcus and Astigmatism Contorol in an Elliptica
l Aperture Lens Gun", Proceeding SID87 DIGEST Page
s 162-165 等を参照されたい。
(Electrostatic Octopole) First, the case where the octupole electrode QP1 is formed as an electrostatic octupole will be described. The configuration of the electrostatic quadrupole, which has a smaller number of poles than this, is well known in the art. For details, see Shoji Shirai.
and Masakazu Fukusima, "Quadrupole Lens for Dynam
ic Forcus and Astigmatism Contorol in an Elliptica
l Aperture Lens Gun ", Proceeding SID 87 DIGEST Page
s 162-165, etc.

【0046】静電八重極QP1は、例えば図2Aにその
斜視図を及び図2Bにその正面図を示すように、第4の
グリッドG4の内部に電子ビームの進行方向に直交する
ように配置された円盤状の電極であり、その内部には
X,Y方向に頂角をもち斜め方向に辺をもつ概して菱形
形状の開口であるビーム通過孔15が形成されている。
この静電八重極電極QP1は、第4グリッドG4に対し
て、溶接等のような適当な方法により取り付けられて、
同じ電圧が印加されている。この「概して菱形形状」と
は、必ずしも菱形形状のみを意味するものではなく、後
述するD方向(斜め方向)の電子ビームに対してX,Y
方向(直交軸方向)の電子ビームより一層強い影響を与
える形状を含むものとする。従って、第1のグッドG1
の矩形形状等に対応して、変形された菱形形状等を含む
ものとする。
The electrostatic octupole QP1 is arranged inside the fourth grid G4 so as to be orthogonal to the traveling direction of the electron beam, as shown in a perspective view of FIG. 2A and a front view of FIG. 2B, for example. A disk-shaped electrode having a vertical angle in the X and Y directions and a beam-passing hole 15, which is a generally rhombic opening having diagonal sides, is formed inside the electrode.
This electrostatic octupole electrode QP1 is attached to the fourth grid G4 by an appropriate method such as welding,
The same voltage is applied. The "generally rhombus shape" does not necessarily mean only the rhombus shape, but X, Y with respect to the electron beam in the D direction (oblique direction) described later.
A shape that exerts a stronger influence than the electron beam in the direction (orthogonal axis direction) is included. Therefore, the first good G1
The modified rhombus shape and the like are included in correspondence with the rectangular shape and the like.

【0047】図2Bに示すように、静電八重極電極QP
1ののビーム通過孔15は、概して菱形形状であるた
め、±X及び±Y方向の4方向に比較して、斜めのD
1,D2,D3,D4の4方向の辺は電子ビームの流れ
に対し位置的に一層近く、相対的に強い影響を与える。
(なおここでは説明のため、電子ビームの集合である電
子ビームスポットの形状を破線円で示している。)即
ち、菱形形状のビーム通過孔15をもつ静電八重極電極
は、第4グリッドG4と同じ電圧(略30〔kV〕程度
のアノード電圧)が印加されているため、±X及び±Y
方向の4方向の頂角近傍を通過する電子ビームに比較し
て、斜めのD1〜D4の4方向の近傍を通過する電子ビ
ームは一層強い引力を受ける。X,Y方向とD方向とを
相対的に考えれば(即ち、X,Y方向の電子ビームの受
ける引力を基準に考えれば)、電子ビーム8は斜め方向
D1〜D4の4方向において、選択的に発散作用を受け
るものといえる。
As shown in FIG. 2B, the electrostatic octupole electrode QP
Since the beam passage hole 15 of No. 1 has a generally rhombic shape, the beam passing hole 15 of No. 1 has an oblique D as compared with four directions of ± X and ± Y directions.
The edges in the four directions of 1, D2, D3 and D4 are positionally closer to the electron beam flow and have a relatively strong influence.
(Here, for the sake of explanation, the shape of the electron beam spot, which is a set of electron beams, is indicated by a broken line circle.) That is, the electrostatic octupole electrode having the diamond-shaped beam passage hole 15 is the fourth grid G4. Since the same voltage (anode voltage of about 30 [kV]) is applied as the above, ± X and ± Y
The electron beam passing in the vicinity of the oblique four directions D1 to D4 receives a stronger attractive force than the electron beam passing in the vicinity of the apex angle in the four directions. If the X and Y directions and the D direction are relatively considered (that is, based on the attractive force received by the electron beams in the X and Y directions as a reference), the electron beam 8 is selectively selected in the four oblique directions D1 to D4. Can be said to be divergent to.

【0048】八重極電子レンズとして、次に説明する電
磁八重極でなく静電八重極を用いた場合のメリットは、
電磁八重極では後述するようにコイルを駆動する電流発
生手段を別途設けなければならず、このため静電四重極
とした方が電子銃5の構成が簡単になり、製造コストが
廉価になる点にある。
The advantages of using an electrostatic octupole instead of the electromagnetic octupole described below as the octupole electron lens are:
In the electromagnetic octupole, a current generating means for driving the coil must be additionally provided as described later, and therefore the electrostatic quadrupole makes the structure of the electron gun 5 simpler and the manufacturing cost lower. In point.

【0049】(電磁八重極)次に、八重極電子レンズQ
P1を電磁八重極として構成した場合について説明す
る。図3は、電磁八重極QP1の詳細を説明する図であ
って、図1の静電八重極QP1の代わりに、図示のIII
−III 方向の箇所にこの電磁八重極が配置される。図3
に示すように、ファンネルガラスのネック部3の周辺
に、4つの電磁石17a,17b,17c,17dが配
置されている。直流電源Eがそれぞれ略U字形のコアを
持つ4つの電磁石17a,17b,17c,17dに順
次巻回されたコイル巻線に接続される。このように、電
磁八重極QP1は4つの電磁石17a〜17bから構成
され、図示するように八極の磁極(4極の磁極対)N
1,S1,N2,S2,N3,S3,N4,S4を形成
する。
(Electromagnetic octopole) Next, an octopole electron lens Q
A case where P1 is configured as an electromagnetic octupole will be described. FIG. 3 is a diagram for explaining the details of the electromagnetic octupole QP1, and instead of the electrostatic octupole QP1 of FIG.
This electromagnetic octupole is placed in the −III direction. FIG.
As shown in FIG. 4, four electromagnets 17a, 17b, 17c, 17d are arranged around the neck portion 3 of the funnel glass. The DC power source E is connected to the coil windings sequentially wound around four electromagnets 17a, 17b, 17c and 17d each having a substantially U-shaped core. In this way, the electromagnetic octupole QP1 is composed of the four electromagnets 17a to 17b, and as shown in the drawing, the eight-pole magnetic pole (four-pole magnetic pole pair) N.
1, S1, N2, S2, N3, S3, N4, S4 are formed.

【0050】ファンネルガラスのネック部3の中心付近
を図面に対し垂直方向で紙面表から裏向きに(カソード
Kから蛍光面11に向かって、)電子ビームが発射され
る。即ち、図示するように、ビーム電流が紙面裏から表
向きに流れる。なおここでは説明のため、電子ビームの
集合である電子ビームスポットの形状を破線円で示して
いる。
An electron beam is emitted near the center of the neck portion 3 of the funnel glass in a direction perpendicular to the drawing from the front to the back of the paper (from the cathode K to the phosphor screen 11). That is, as shown in the drawing, the beam current flows from the back side of the paper to the front side. For the sake of explanation, the shape of an electron beam spot, which is a set of electron beams, is shown by a broken line circle.

【0051】この電磁八重極により、±X,±Y方向で
はN4−S1間,N2−S3間,N1−S2間,N3−
S4間の夫々の磁界により、これらの磁界の影響を受け
る電子ビームはファンネルガラス管中心軸方向(半径方
向内向きに)に集束される。これに対して、斜め方向D
1〜D4の4方向ではN1−S1間,N2−S2間,N
3−S3間,N4−S4間の夫々の磁界により、電子ビ
ームは半径方向外向きに発散される。即ち、電磁八重極
の場合においても、静電八重極の場合と同様に、電子ビ
ームは相対的に考えると(X,Y方向の内向き集束力を
基準に考えると)、斜め方向D1〜D4の4方向におい
て発散作用を受けるものといえる。
Due to this electromagnetic octupole, in the ± X and ± Y directions, between N4 and S1, between N2 and S3, between N1 and S2, and N3.
Due to the respective magnetic fields between S4, the electron beams affected by these magnetic fields are focused in the central axis direction of the funnel glass tube (inward in the radial direction). On the other hand, diagonal direction D
In the four directions of 1 to D4, between N1 and S1, between N2 and S2, N
The electron beam is diverged radially outward by the magnetic fields between 3-S3 and N4-S4. That is, also in the case of the electromagnetic octupole, as in the case of the electrostatic octopole, when the electron beam is relatively considered (based on the inward focusing force in the X and Y directions), the oblique directions D1 to D4 are obtained. It can be said that it is subjected to divergence in the four directions.

【0052】この電磁石17a〜17dは磁界発生手段
であればよく、例えば永久磁石によっても構成し得る。
具体的には、例えば、可撓性を有する適当な4個の帯状
永久磁石片をネック部3の周囲に貼り付けて形成しても
よい。また、図3に示した電磁石の一部を永久磁石によ
って構成し、永久磁石と電磁石と組み合わせによって構
成することも出来る。
The electromagnets 17a to 17d may be magnetic field generating means, and may be constituted by, for example, permanent magnets.
Specifically, for example, four appropriate band-shaped permanent magnet pieces having flexibility may be attached to the periphery of the neck portion 3 to be formed. Further, a part of the electromagnet shown in FIG. 3 may be configured by a permanent magnet, and a combination of the permanent magnet and the electromagnet may be configured.

【0053】八重極QP1として、静電八重極ではなく
電磁八重極を用いた場合のメリットは、電磁八重極の磁
界強度(光学レンズ系のレンズパワーに相当する。)を
適当に調節することにより所望の斜め方向電子ビームの
発散を自由に調節できることにある。即ち、電磁八重極
QP1の磁界強度は、4つの電磁石17a〜17dの夫
々に印加する直流電源Eを別個に設けたり、又は電磁石
17a〜17dのコイル巻回数を変えることにより調整
し、各斜め方向D1,D2,D3,D4の通過する電子
ビームを別個独立に制御し得る。従って、インデックス
管によって各斜め方向の発散角が異なっていても、夫々
を独立してジャストフォーカス状態に調整することが出
来る。
The advantage of using an electromagnetic octupole instead of the electrostatic octupole as the octupole QP1 is that the magnetic field strength of the electromagnetic octupole (corresponding to the lens power of the optical lens system) is appropriately adjusted. The divergence of the desired oblique electron beam can be adjusted freely. That is, the magnetic field strength of the electromagnetic octupole QP1 is adjusted by separately providing the DC power source E to be applied to each of the four electromagnets 17a to 17d, or by changing the number of coil windings of the electromagnets 17a to 17d. The electron beams passing through D1, D2, D3 and D4 can be controlled independently. Therefore, even if the divergence angle in each oblique direction differs depending on the index tube, each can be independently adjusted to the just focus state.

【0054】更に、電磁八重極の各磁極の全部または任
意の一部の磁界強さを、偏向周期に同期した電流又は電
圧信号によりダイナミックに変調して、蛍光面(画像)
センターでのフォーカスを劣化させることなく、画像周
辺部でのフォーカスを改善維持して画面各位置のスポッ
ト形状を補正し、画面全域でのビームスポットを最適化
することも出来る。
Further, the magnetic field strength of all or an arbitrary part of each magnetic pole of the electromagnetic octupole is dynamically modulated by a current or voltage signal synchronized with the deflection cycle to obtain a fluorescent screen (image).
Without degrading the focus at the center, it is possible to improve and maintain the focus at the periphery of the image, correct the spot shape at each position on the screen, and optimize the beam spot over the entire screen.

【0055】このように八重極QP1は静電八重極又は
電磁八重極(又は永久磁石片又は電磁石と永久磁石との
共用)によって形成することが出来る。八重極電子レン
ズQP1のZ方向取付位置としては、メインレンズ部M
L付近又はメインレンズ部MLより蛍光面11に近い電
子ビーム8の集束領域であればいずれでもよい。好まし
くは、第3のグリッドG3又は第4のグリッドG4付近
に設けられる。
As described above, the octupole QP1 can be formed by an electrostatic octupole or an electromagnetic octupole (or a permanent magnet piece or an electromagnet and a permanent magnet are used in common). The mounting position of the octupole electron lens QP1 in the Z direction is as follows:
Any region near L or a focusing region of the electron beam 8 closer to the phosphor screen 11 than the main lens portion ML may be used. Preferably, it is provided near the third grid G3 or the fourth grid G4.

【0056】(実施例の原理)図4は、実施例1に係る
ビームインデックス管の電子レンズ系を光学レンズ系に
置き換えて表現したときの模式図であり、本実施例の原
理を説明するものである。一般に、陰極線管に適用され
る電子光学(Electron Optics )における電子レンズ系
の領域においても、光学レンズ系の収差論がほぼそのま
ま成立する。ここで、符号aはカソードK付近の物点を
示し、MLはメインレンズ、QP1は八重極電子レン
ズ、f1は蛍光面11上の結像点を夫々示す。また、光
軸中心をZ軸とし、このZ軸を境としてその上部はX及
びY方向(直交軸方向)のレンズ作用を示し、下部はD
方向(斜め方向)のレンズ作用を示す。前述したよう
に、この八重極QP1は、静電八重極又は電磁八重極
(又は永久磁石)によって実現される。
(Principle of Example) FIG. 4 is a schematic diagram when the electron lens system of the beam index tube according to Example 1 is replaced by an optical lens system to explain the principle of this example. Is. In general, the aberration theory of an optical lens system holds almost as is also in the area of an electron lens system in electron optics applied to a cathode ray tube. Here, symbol a indicates an object point near the cathode K, ML indicates a main lens, QP1 indicates an octopole electron lens, and f1 indicates an image forming point on the fluorescent screen 11. Further, the center of the optical axis is the Z axis, and the upper part of the Z axis serves as a lens function in the X and Y directions (orthogonal axis direction), and the lower part is D
It shows the lens action in the direction (oblique direction). As described above, this octupole QP1 is realized by an electrostatic octupole or an electromagnetic octupole (or a permanent magnet).

【0057】また実際は第1のグリッドG1の開口によ
り電子ビームスポットは水平軸方向が小さいスポット形
状であるが説明を簡単にするため、仮想物点及び結像点
の像を小さな点として説明する。
In reality, the electron beam spot has a small spot shape in the horizontal axis direction due to the opening of the first grid G1. However, for simplification of explanation, the image of the virtual object point and the image formation point will be described as a small point.

【0058】図4において、既に提案された先行技術に
相当するビームインデックス管の光学レンズ系の模式図
は、八重極QP1が無い場合、即ちメインレンズMLの
みの場合が該当する。
In FIG. 4, the schematic diagram of the optical lens system of the beam index tube corresponding to the prior art already proposed corresponds to the case without the octopole QP1, that is, the case with only the main lens ML.

【0059】先ず、先行技術に相当するメインレンズM
Lのみ存在し、八重極QP1が存在しない場合を想定す
ると、X,Y方向(直交軸方向)方向では、前述の四重
極補正を行う事によりスクリーン上でジャストフォーカ
スされる(f1)。これに対して、斜め方向(D)方向
では物点va2は、メインレンズMLの凸レンズ作用及
び前述の四重極との合成レンズ作用により集束された
後、結像点f2で結像し、オーバフォーカス状態となっ
ている。
First, the main lens M corresponding to the prior art.
Assuming that only L exists and the octopole QP1 does not exist, in the X and Y directions (orthogonal axis directions), just focus is achieved on the screen by performing the above-mentioned quadrupole correction (f1). On the other hand, in the oblique direction (D), the object point va2 is focused by the convex lens action of the main lens ML and the composite lens action with the above-mentioned quadrupole, and then is imaged at the image forming point f2, which is over. It is in focus.

【0060】これに対して第1の本実施例では、メイン
レンズMLに加えて、メインレンズMLと結像点の間に
八重極電子レンズQP1が配置される。この八重極電子
レンズQP1は、X,Y方向の作用とD方向との作用が
相異なるレンズ作用をなしている。相対的に考えれば、
八重極QP1は、斜め方向に対してのみ発散作用をなし
ている。これによって、X,Y方向と同様にD方向にお
いてもジャストフォーカスが達成される。
On the other hand, in the first embodiment, in addition to the main lens ML, the octopole electron lens QP1 is arranged between the main lens ML and the image formation point. The octupole electron lens QP1 has a lens action in which the action in the X and Y directions and the action in the D direction are different from each other. If you think relatively,
The octopole QP1 has a divergent effect only in the oblique direction. As a result, just focus is achieved not only in the X and Y directions but also in the D direction.

【0061】本実施例の変形として、八重極電子レンズ
QP1を、複数個の八重極で構成することもできる。具
体的には、八重極QP1を2つ以上の静電八重極及び電
磁八重極の一方又は双方の組み合わせをZ方向に配置し
て構成してもよい。これら複数個の八重極の組み合わせ
が、全体として八重極電子レンズQP1と実質的に同様
の作用、即ちX,Y方向に比較して、D方向では相対的
に凹レンズ作用を奏している限り本実施例と均等な技術
に該当する。
As a modification of this embodiment, the octupole electron lens QP1 may be composed of a plurality of octupoles. Specifically, the octupole QP1 may be configured by arranging one or both of two or more electrostatic octupoles and electromagnetic octupoles in the Z direction. As long as the combination of a plurality of octupoles has a substantially similar action as the octupole electron lens QP1 as a whole, that is, a relatively concave lens action in the D direction as compared with the X and Y directions, this embodiment is performed. This is a technology equivalent to the example.

【0062】このように第1の実施例にかかるビームイ
ンデックス管(図1)においては、先行技術の八重極電
子レンズQP1を入れない場合に比較して、X,Y方向
(直交軸方向)と同様にD方向(斜め方向)においても
ジャストフォーカス状態となり、ハローの生じない矩形
形状のビームスポットが得られる。このために、上述し
た第1の本実施例を採択することにより、一層高精細度
のインデックス形陰極線管が実現できる。
As described above, in the beam index tube (FIG. 1) according to the first embodiment, as compared with the case where the octupole electron lens QP1 of the prior art is not inserted, the X and Y directions (orthogonal axis directions) are Similarly, a just focus state is obtained also in the D direction (oblique direction), and a rectangular beam spot without halo is obtained. Therefore, by adopting the above-described first embodiment, an index type cathode ray tube with higher definition can be realized.

【0063】[第2の実施例] (第2の実施例の構成)図5は第2の実施例にかかるイ
ンデックス形陰極線管の要部を上方から見た断面を示し
た図である。第1の実施例(図1)と比較すると、八重
極電子レンズQP2の配置箇所がフォーカス電極G3上
に設置されている点で異なっている。なお、第1の実施
例と同じ部材要素に対しては同一の参照番号を付し、重
複した説明を省略する。
[Second Embodiment] (Structure of Second Embodiment) FIG. 5 is a cross-sectional view of a main portion of an index type cathode ray tube according to the second embodiment, as viewed from above. Compared with the first embodiment (FIG. 1), the difference is that the octopole electron lens QP2 is arranged on the focus electrode G3. In addition, the same reference numerals are given to the same member elements as those in the first embodiment, and the duplicated description will be omitted.

【0064】電子銃5は、カソード(熱陰極)Kと、電
子レンズ系を構成する第1グリッド(第1制御電極)G
1、第2グリッド(第1加速電極)G2、第3グリッド
(フォーカス電極)G3及び第4グリッド(最終加速電
極)G4と、第3グリッド上に配置された八重極QP2
とを備えている。
The electron gun 5 includes a cathode (hot cathode) K and a first grid (first control electrode) G which constitutes an electron lens system.
1, a second grid (first acceleration electrode) G2, a third grid (focus electrode) G3, a fourth grid (final acceleration electrode) G4, and an octopole QP2 arranged on the third grid.
And

【0065】光学レンズ系で表現すると、第2〜第4グ
リッドG2〜G4によってメインレンズMLが第3グリ
ッドG3の箇所に形成される。また、八重極QP2はメ
インレンズ部ML上に配置されている。八重極QP2
は、第1の実施例で説明したように、静電八重極及び電
磁八重極のいずれによっても達成できるが、第1に実施
例とはその構成及び作用が異なっている。
Expressed as an optical lens system, the main lens ML is formed at the third grid G3 by the second to fourth grids G2 to G4. The octopole QP2 is arranged on the main lens portion ML. Double pole QP2
Can be achieved by either an electrostatic octopole or an electromagnetic octopole, as described in the first embodiment, but the configuration and action are different from those of the first embodiment.

【0066】(静電八重極)図6Aは八重極QP2を静
電八重極で構成した場合を示している。図6Aに示すよ
うに静電八重極とした場合は、静電八重極QP2は、例
えば図6にその正面図を示すように、X,Y方向に辺を
もち斜め方向に頂角をもつ四辺形の開口を形成する電極
であり、概して矩形形状のビーム通過孔19が形成され
た電極である。この静電八重極電極QP2は、第3グリ
ッドG3に対して、溶接等のような適当な方法により取
り付けられて、同じ電圧が印加されている。
(Electrostatic octopole) FIG. 6A shows a case where the octopole QP2 is composed of an electrostatic octupole. When the electrostatic octopole is used as shown in FIG. 6A, the electrostatic octupole QP2 has four sides having sides in X and Y directions and an apex angle in an oblique direction as shown in the front view of FIG. Is an electrode that forms a rectangular opening, and is an electrode in which a generally rectangular beam passage hole 19 is formed. The electrostatic octupole electrode QP2 is attached to the third grid G3 by an appropriate method such as welding, and the same voltage is applied.

【0067】この「概して矩形形状」とは、必ずしも矩
形形状のみを意味するものではなく、D方向(斜め方
向)の電子ビームに対してX,Y方向(直交軸方向)の
電子ビームより一層強い影響を与える形状を含むものと
する。従って、第1のグッドG1の矩形形状等に対応し
て、変形された矩形形状を含むものとする。第2の実施
例における静電八重極QP2は、第1の実施例の静電八
重極OP1を1/8回転(角度45度)だけ回転した構
造に相当する。
The "generally rectangular shape" does not necessarily mean only a rectangular shape, and is stronger than the electron beam in the X and Y directions (orthogonal axis direction) with respect to the electron beam in the D direction (oblique direction). It shall include the shape that affects it. Therefore, the modified rectangular shape is included corresponding to the rectangular shape of the first good G1 and the like. The electrostatic octupole QP2 in the second embodiment corresponds to a structure obtained by rotating the electrostatic octupole OP1 in the first embodiment by 1/8 rotation (angle 45 degrees).

【0068】このビーム通過孔19は、概して矩形形状
であるため、実施例1の静電八重極QP1の作用に比較
して、電子ビーム8に対して逆に作用をする。即ち、矩
形形状のビーム通過孔19を形成する静電八重極電極Q
P2は、第3グリッドG3と同じ電圧(数〔kV〕程度
のフォーカス電圧)が印加されているため、±X,±Y
方向(直交軸方向)の4方向の頂角近傍を通過する電子
ビームの流れは強い引力を受けるのに比較して、斜め方
向(D1〜D4)の4方向は一層弱い引力しか受けな
い。従って、相対的に考えれば(即ち、X,Y方向の強
い引力を基準に考えれば)、電子ビーム8は斜め方向D
1〜D4の4方向において、選択的に発散作用を受ける
ものといえる。
Since the beam passage hole 19 has a generally rectangular shape, it acts on the electron beam 8 in the opposite manner as compared with the action of the electrostatic octupole QP1 of the first embodiment. That is, the electrostatic octupole electrode Q forming the rectangular beam passage hole 19
Since the same voltage as the third grid G3 (focus voltage of about several kV) is applied to P2, ± X, ± Y
The flow of the electron beam passing near the apex angle in the four directions of the directions (orthogonal axis directions) receives a strong attractive force, whereas the oblique directions (D1 to D4) receive a weaker attractive force. Therefore, if considered relatively (that is, based on the strong attractive forces in the X and Y directions), the electron beam 8 is directed in the oblique direction D.
It can be said that the divergent action is selectively exerted in the four directions of 1 to D4.

【0069】八重極電子レンズとして、電磁八重極では
なく静電八重極を用いた場合のメリットは、第1の実施
例で説明したのと同様である。
The merit of using an electrostatic octopole instead of an electromagnetic octopole as the octopole electron lens is the same as that described in the first embodiment.

【0070】この場合の実施例の原理は、第一実施例と
類似であり、D方向の主レンズの集束力を、XY方向の
集束力に比べて相対的に弱くする事により、結像位置f
1とf2を一致させる事ができる。
The principle of the embodiment in this case is similar to that of the first embodiment, and by making the focusing power of the main lens in the D direction relatively weaker than the focusing power in the XY directions, the imaging position f
1 and f2 can be matched.

【0071】本実施例の変形として、第1の実施例で説
明したように、八重極電極QP2は、複数個の静電八重
極及び電磁八重極の一方又は双方の組み合わせで構成し
てもよい。
As a modification of this embodiment, as described in the first embodiment, the octupole electrode QP2 may be composed of one or both of a plurality of electrostatic octupoles and electromagnetic octupoles. .

【0072】このように第2の実施例にかかるビームイ
ンデックス管(図5)においては、先行技術のビームス
ポットは八重極OP2を入れない場合に比較して、ハロ
ーの生じない矩形形状のビームスポットが得られ得る。
このために、上述した第2の実施例を採択することによ
り、一層高精細度のインデックス形陰極線管が実現でき
る。
As described above, in the beam index tube according to the second embodiment (FIG. 5), the beam spot of the prior art is a rectangular beam spot with no halo, as compared with the case where the octopole OP2 is not inserted. Can be obtained.
Therefore, by adopting the second embodiment described above, an index type cathode ray tube with higher definition can be realized.

【0073】[追加の実施例]以上、本発明に係る実施
例に関して説明したが、本発明は上述の実施例に限定さ
れることなく、当業者ならば取り得る種々の改良・変更
を成し得ることは勿論である。
[Additional Embodiments] The embodiments according to the present invention have been described above. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various improvements and modifications that can be made by those skilled in the art can be made. Of course you can get it.

【0074】即ち、本発明にかかるビームインデックス
管は、光学レンズ系として表現したとき、この陰極線管
に使用される電子銃が、メインレンズMLを有し、更
に、八重極QPを備え、結像点fにおけるビームスポッ
トの形状の斜め方向を相対的に補正して、ジャストフォ
ーカスするように補正することを特徴とするビームイン
デックス管である。
That is, when the beam index tube according to the present invention is expressed as an optical lens system, the electron gun used in this cathode ray tube has a main lens ML and further has an octopole QP to form an image. The beam index tube is characterized in that the oblique direction of the shape of the beam spot at the point f is relatively corrected so that the beam is just focused.

【0075】上述した第1の実施例では、メインレンズ
MLと結像点fの間である電子ビームの発散領域に、斜
め方向の電子ビームの集束力を相対的に強める八重極Q
P1を配置することにより実現する。
In the above-described first embodiment, the octopole Q for relatively enhancing the focusing force of the electron beam in the oblique direction is provided in the electron beam divergence region between the main lens ML and the image forming point f.
It is realized by arranging P1.

【0076】上述した第2の実施例では、メインレンズ
MLの集束領域に、斜め方向の電子ビームの集束力を相
対的に弱める八重極QP2を配置することにより実現す
る。
The above-described second embodiment is realized by disposing the octopole QP2 that relatively weakens the focusing power of the electron beam in the oblique direction in the focusing region of the main lens ML.

【0077】しかし、八重極電子レンズQPを電子ビー
ムの集束領域及び発散領域のいずれか一方又は両方に使
用して、D方向(斜め方向)の電子ビームを選択的に補
正することによりジャストフォーカスを達成すること
は、その作用・効果が実質的に同じである限り、本発明
と均等なものである。
However, the octupole electron lens QP is used for one or both of the focusing area and the diverging area of the electron beam to selectively correct the electron beam in the D direction (oblique direction) to achieve just focus. What is achieved is equivalent to the present invention as long as its action and effect are substantially the same.

【0078】また、先行技術で開示した四重極レンズ
と、上述した八重極電子レンズQPを組み合わせて、ビ
ームスポットを形成する電子ビームの内、X,Y方向
(直交方向)及びD方向(斜め方向)の各々の電子ビー
ムを選択的に補正することにより全体としてジャストフ
ォーカスを達成することは、その作用・効果が実質的に
同じである限り、そのような発明は本発明の技術的範囲
に含まれる。本発明の技術的範囲は、特許請求の範囲の
記載に基づいて定められる。
Further, by combining the quadrupole lens disclosed in the prior art with the octupole electron lens QP described above, among the electron beams forming the beam spot, the X and Y directions (orthogonal direction) and the D direction (oblique direction). In order to achieve just focus as a whole by selectively correcting each electron beam in each direction), such an invention is within the technical scope of the present invention as long as its action and effect are substantially the same. included. The technical scope of the present invention is determined based on the description of the claims.

【0079】[0079]

【発明の効果】本発明によれば、水平方向寸法を一層減
少したビームスポットを形成し得る電子銃を備えたビー
ムインデックス管を提供することが出来る。
According to the present invention, it is possible to provide a beam index tube equipped with an electron gun capable of forming a beam spot whose horizontal dimension is further reduced.

【0080】更に本発明によれば、ハローを生じない矩
形形状のビームスポットを形成し得る電子銃を備えたビ
ームインデックス管を提供することが出来る。
Further, according to the present invention, it is possible to provide a beam index tube equipped with an electron gun capable of forming a rectangular beam spot without causing a halo.

【0081】更に本発明によれば、精細な(ファインピ
ッチ)画像を実現し得るビームインデックス管を提供す
ることが出来る。
Further, according to the present invention, it is possible to provide a beam index tube capable of realizing a fine (fine pitch) image.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明にかかるビームインデックス管の第1の
実施例の構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing the configuration of a first embodiment of a beam index tube according to the present invention.

【図2】図1に示す第1の実施例に使用される静電八重
極電子レンズを説明するための、斜視図及び正面図であ
る。
2A and 2B are a perspective view and a front view for explaining an electrostatic octupole electron lens used in the first embodiment shown in FIG.

【図3】図1に示す第1の実施例に使用される電磁八重
極電子レンズを説明するための図である。
FIG. 3 is a diagram for explaining an electromagnetic octupole electron lens used in the first embodiment shown in FIG.

【図4】図1に示す第1の実施例の原理を説明する図で
ある。
FIG. 4 is a diagram illustrating the principle of the first embodiment shown in FIG.

【図5】本発明にかかるビームインデックス管の第2の
実施例の構成を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing the configuration of a second embodiment of the beam index tube according to the present invention.

【図6】図5に示す第2の実施例に使用される静電八重
極電子レンズを説明するための図である。
FIG. 6 is a diagram for explaining an electrostatic octopole electron lens used in the second embodiment shown in FIG.

【図7】インデックス形陰極線管と対比される従来のシ
ャドウマスク管の概要を説明する図である。
FIG. 7 is a diagram illustrating an outline of a conventional shadow mask tube, which is compared with an index type cathode ray tube.

【図8】インデックス形陰極線管の概要を説明する図で
ある。
FIG. 8 is a diagram illustrating an outline of an index type cathode ray tube.

【図9】蛍光面上における、楕円形状と縦長矩形形状の
ビームスポット及び第1グリッド形状の相違及び縦長矩
形形状のビームスポットで発生するハローに付いて説明
する図である。
FIG. 9 is a diagram for explaining a difference between the elliptical and vertically long rectangular beam spots and the first grid shape on the phosphor screen, and a halo generated in the vertically long rectangular beam spots.

【図10】図9に示す縦長矩形形状のビームスポットに
生じるハローの発生原因を説明する図である。ここで、
図10Aは、第1のグリッドG1電極の孔の等電位面を
説明する図であり、図9Bは、カソードK付近の横方向
(X),縦方向(Y)及び斜め方向(D)の電子ビーム
の軌道を説明する図である。
FIG. 10 is a diagram illustrating a cause of a halo that occurs in the vertically long rectangular beam spot shown in FIG. 9; here,
FIG. 10A is a diagram for explaining equipotential surfaces of the holes of the first grid G1 electrode, and FIG. 9B is a diagram showing electrons in the horizontal direction (X), vertical direction (Y), and diagonal direction (D) near the cathode K. It is a figure explaining the track of a beam.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ファンネルガラス、3 ネック部、4 ファンネル
部、5 電子銃、7ステム部、8 電子ビーム、9 端
子、11 蛍光面(結像面)、15 ビーム通過孔、1
7,17a,17b,17c,17d 電磁石、19
ビーム通過孔、21,21a,21b,21c,21d
電磁石、24a,24b,24c,24d 電磁石、
51 電子銃、53 電子ビーム、55,55a,55
b シャドウマスク、57 蛍光面、59 蛍光体、6
1 蛍光面、63 蛍光体、65 インデックス蛍光
体、65 スロット、67 電子ビーム、69 インデ
ックス信号、71 センサ、73 色信号切換回路、7
4 ビーム通過孔、75ガードバンド,ブラックストラ
イプ,カーボンストライプ,、77 丸形形状ビームス
ポット、79 縦長形状ビームスポット、81 楕円形
状ビームスポット、83 矩形形状ビームスポット、8
5 ハロー、87 四重極電子レンズ a,a1,a2,a3 物点、a1,a2,a3 実ク
ロスオーバ点、va1,va2,va3 仮想物点、D
斜め方向、DY 偏向ヨーク、E 直流電源、f,f
1,f2,f3 結像点、G1 第1のグリッド、G2
第2のグリッド、G3 第3のグリッド、G4 第4
のグリッド、ML メインレンズ部、QP1,QP2
八重極電子レンズ(八重極電極)、K カソード、WE
楕円形状ビームスポットの幅寸法、W1,W2 蛍光
体幅寸法、X,Y 直交軸方向
1 funnel glass, 3 neck part, 4 funnel part, 5 electron gun, 7 stem part, 8 electron beam, 9 terminal, 11 fluorescent screen (imaging surface), 15 beam passage hole, 1
7, 17a, 17b, 17c, 17d Electromagnet, 19
Beam passing holes 21, 21a, 21b, 21c, 21d
Electromagnets, 24a, 24b, 24c, 24d electromagnets,
51 electron gun, 53 electron beam, 55, 55a, 55
b shadow mask, 57 phosphor screen, 59 phosphor, 6
1 phosphor screen, 63 phosphor, 65 index phosphor, 65 slots, 67 electron beam, 69 index signal, 71 sensor, 73 color signal switching circuit, 7
4 beam passage hole, 75 guard band, black stripe, carbon stripe, 77 round beam spot, 79 vertically elongated beam spot, 81 elliptical beam spot, 83 rectangular beam spot, 8
5 halo, 87 quadrupole electron lens a, a1, a2, a3 object point, a1, a2, a3 real crossover point, va1, va2, va3 virtual object point, D
Diagonal direction, DY deflection yoke, E DC power supply, f, f
1, f2, f3 imaging point, G1 first grid, G2
2nd grid, G3 3rd grid, G4 4th
Grid, ML main lens, QP1, QP2
Octopole electron lens (octupole electrode), K cathode, WE
Width dimension of elliptical beam spot, W1 and W2 phosphor width dimension, X and Y orthogonal axis direction

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ビームインデックス形陰極線管におい
て、該陰極線管に使用される電子銃が、 画面から見て概して縦長矩形形状のビームスポット断面
を形成する電子ビームを採用し、該電子ビームの軌道を
八重極電子レンズ手段により制御することを特徴とする
ビームインデックス形陰極線管。
1. In a beam index type cathode ray tube, an electron gun used in the cathode ray tube adopts an electron beam which forms a generally vertically elongated rectangular beam spot cross section when viewed from a screen, and the trajectory of the electron beam is changed. A beam index type cathode ray tube characterized by being controlled by an octopole electron lens means.
【請求項2】 請求項1に記載のビームインデックス形
陰極線管において、 上記概して縦長矩形形状のビームスポット断面が、縦長
の電子ビーム通過孔を有する第1の制御電極により形成
されるビームインデックス形陰極線管。
2. The beam index type cathode ray tube according to claim 1, wherein the generally vertically long rectangular beam spot cross section is formed by a first control electrode having a vertically long electron beam passage hole. tube.
【請求項3】 請求項1に記載のビームインデックス形
陰極線管において、上記電子銃が、 少なくともメインレンズとして作用する1又は2個以上
のグリッドを備え、 上記八重極電子レンズ手段は、上記メインレンズの近傍
又は該メインレンズに対して蛍光面寄りの位置で上記電
子ビームを取り囲むように配置され、ビームスポット断
面内の斜め方向に位置する電子ビームの軌道を選択的に
発散形に修正しているビームインデックス形陰極線管。
3. The beam index type cathode ray tube according to claim 1, wherein the electron gun comprises at least one or more grids acting as a main lens, and the octupole electron lens means is the main lens. Is arranged so as to surround the electron beam at a position near the fluorescent surface with respect to the main lens or near the main lens, and the trajectory of the electron beam positioned in the oblique direction in the cross section of the beam spot is selectively corrected to be divergent. Beam index type cathode ray tube.
【請求項4】 請求項1に記載のビームインデックス形
陰極線管において、 上記八重極電子レンズ手段は、概して菱形又は略正方形
形状のビーム通過孔を有する静電八重極からなるビーム
インデックス形陰極線管。
4. The beam index cathode ray tube according to claim 1, wherein the octupole electron lens means comprises an electrostatic octupole having a beam passage hole of generally rhombic or substantially square shape.
【請求項5】 請求項1に記載のビームインデックス形
陰極線管において、 上記八重極電子レンズ手段は、電磁八重極からなるビー
ムインデックス形陰極線管。
5. The beam index type cathode ray tube according to claim 1, wherein the octupole electron lens means is an electromagnetic octupole.
【請求項6】 請求項5に記載のビームインデックス形
陰極線管において、 上記電磁八重極の各磁極の全部又は任意の一部の磁界強
さを、偏向周期に同期した電流又は電圧信号によりダイ
ナミックに変調して、蛍光面センターでのフォーカスを
劣化させることなく、画像周辺部でのフォーカスを改善
維持しているビームインデックス形陰極線管。
6. The beam index type cathode ray tube according to claim 5, wherein the magnetic field strength of all or any part of each magnetic pole of the electromagnetic octupole is dynamically changed by a current or voltage signal synchronized with a deflection cycle. A beam index cathode ray tube that modulates and maintains the focus in the peripheral area of the image without degrading the focus at the center of the phosphor screen.
【請求項7】 請求項1に記載のビームインデックス形
陰極線管において、 上記八重極電子レンズ手段は、複数個の永久磁石からな
るビームインデックス形陰極線管。
7. The beam index type cathode ray tube according to claim 1, wherein the octupole electron lens means comprises a plurality of permanent magnets.
【請求項8】 請求項1に記載のビームインデックス形
陰極線管において、 上記八重極電子レンズ手段は、電磁八重極と永久磁石の
組み合わせからなるビームインデックス形陰極線管。
8. The beam index type cathode ray tube according to claim 1, wherein the octupole electron lens means is a combination of an electromagnetic octupole and a permanent magnet.
【請求項9】 請求項1に記載のビームインデックス形
陰極線管において、上記電子銃が、 少なくともメインレンズとして作用する1又は2個以上
のグリッドを備え、 上記八重極電子レンズ手段は、上記メインレンズの近傍
又は該メインレンズに対してカソード寄りの位置で上記
電子ビームを取り囲むように配置され、ビームスポット
断面内の斜め方向に位置する電子ビームの軌道を選択的
に発散形に修正しているビームインデックス形陰極線
管。
9. The beam index type cathode ray tube according to claim 1, wherein the electron gun comprises at least one or more grids acting as a main lens, and the octupole electron lens means is the main lens. A beam which is arranged so as to surround the electron beam at a position near the cathode or close to the main lens with respect to the main lens and selectively corrects the trajectory of the electron beam located in the oblique direction in the cross section of the beam spot to a divergent form. Index type cathode ray tube.
【請求項10】 ビームインデックス形陰極線管におい
て、該陰極線管に使用される電子銃が、 少なくともメインレンズとして作用する1又は2個以上
のグリッドと、 ビームスポット断面内の直交軸方向端部に位置する電子
ビームの軌道を選択的に修正する四重極手段と、 上記ビームスポット断面内の斜め方向端部に位置する電
子ビームの軌道を修正する八重極電子レンズ手段とを備
えたことを特徴とするビームインデックス形陰極線管。
10. In a beam index type cathode ray tube, an electron gun used in the cathode ray tube is provided with at least one or more grids acting as main lenses, and positioned at an end portion in a cross section of a beam spot in an orthogonal axial direction. Quadrupole means for selectively correcting the trajectory of the electron beam to be used, and octupole electron lens means for correcting the trajectory of the electron beam located at the diagonal end in the beam spot cross section. Beam index type cathode ray tube.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100334715B1 (en) * 2000-06-13 2002-05-04 구자홍 Electronic Gun for Cathode Ray Tube
US6794807B2 (en) 2001-10-15 2004-09-21 Samsung Sdi Co., Ltd. Electron gun for cathode ray tube

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