JPH09257606A - Device for measuring precision shear stress - Google Patents

Device for measuring precision shear stress

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JPH09257606A
JPH09257606A JP6868196A JP6868196A JPH09257606A JP H09257606 A JPH09257606 A JP H09257606A JP 6868196 A JP6868196 A JP 6868196A JP 6868196 A JP6868196 A JP 6868196A JP H09257606 A JPH09257606 A JP H09257606A
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shear stress
spring
measuring device
sample
displacement
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Kazue Kurihara
和枝 栗原
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Kagaku Gijutsu Shinko Jigyodan
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Kagaku Gijutsu Shinko Jigyodan
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To measure rheology behavior by connecting a divided cylindrical priezo-element vertically disposed on a sample to a spring perpendicular to a sample surface, and driving the element by a battery to detect horizontal displacement of the spring. SOLUTION: A connection member 4 is connected to the free ends of two springs vertical to the measuring surface of a silica lens 1 to provide a four- divided cylindrical piezo-element 5 vertical to a lens 1 on the other end. A holding member 1 extends downward the element 5 to hold the lens 1. Displacement of the member 4 is detected with a displacement gage probe 7. In measurement of this electro-static capacity method, and electro-static capacity is measured to find a distance (d) between the probe 7 and an opposed wall. In this case, the power source of a capacitive displacement gage 25 connected to the probe 7 used a nickel cadmium battery 26 to reduce electric fluctuation and noise. This is effective particularly in a case where rheology behavior is researched in a minute space of a nanometer scale.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、試料表面の潤滑や
摩擦、高分子吸着層の変形、狭い空間に閉じ込められた
液体や液晶の構造形成や崩壊を、ずり応力の精密測定よ
りナノメータースケールで測定するための精密ずり応力
測定装置に関するものである。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to the lubrication and friction of a sample surface, the deformation of a polymer adsorption layer, the structure formation and the collapse of a liquid or a liquid crystal trapped in a narrow space, based on a precise measurement of shear stress on a nanometer scale. The present invention relates to a precision shear stress measuring device for measuring in.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、二つの表面の間の距離と相互作用
を精密に制御しながら、水平に周期的にずらし、その時
のずりに対する応力を測定する“ずり応力測定装置”
は、表面の潤滑や摩擦の研究を行うために開発がなされ
ている。図10はかかる従来のずり応力測定装置の構成
図である。
2. Description of the Related Art Conventionally, a "shear stress measuring device" is used to precisely control the distance and interaction between two surfaces and horizontally shift them periodically to measure the stress against shearing.
Is being developed to study surface lubrication and friction. FIG. 10 is a block diagram of such a conventional shear stress measuring device.

【0003】この図に示すように、101は狭い空間に
閉じ込められた液体の特性を調べる場合の液体や液晶状
などの試料である。102,104は試料表面、試料表
面102はピエゾ素子等により駆動され表面を平行に精
度良く移動する。103はずり応力検出用バネ、105
は表面力測定のためのバネを用いた測定系である。ここ
では、2つの試料表面102,104の間は、一定距離
dに設定されている。なお、試料101がなく、試料表
面102と104を直接ずらすようにしてもよい。
As shown in this figure, reference numeral 101 is a liquid or liquid crystal sample for examining the characteristics of a liquid confined in a narrow space. Numerals 102 and 104 are sample surfaces, and the sample surface 102 is driven by a piezo element or the like to move the surfaces in parallel with high precision. 103 spring for detecting shear stress, 105
Is a measuring system using a spring for measuring the surface force. Here, a constant distance d is set between the two sample surfaces 102 and 104. It should be noted that there may be no sample 101 and the sample surfaces 102 and 104 may be directly displaced.

【0004】[0004]

【課題を解決しようとする課題】ところで、Israe
lachvili等は『Science,240,18
9(1988)』に、(1)表面を平行に精度良く移動
する機構として、DCモータを、(2)表面応力測定の
ためにステンレスのバネと歪ゲージを用いるシステムを
報告している。
[Problems to be solved] By the way, Israel
Lachvili et al., “Science, 240, 18
9 (1988) ”, (1) as a mechanism for accurately moving the surface in parallel, (2) a system using a stainless steel spring and a strain gauge for surface stress measurement is reported.

【0005】このシステムは、“分”の時間オーダーで
数十μm移動する表面に対し、応力を10-6〜10-3
という大きなレンジで測定するものである。そのため、
このシステムは、弱い応力、早いずり変化の測定には適
さないという問題があった。また、Klein等は『N
ature,352,143(1991)』に、(1)
表面を平行に精度良く移動する機構として、ピエゾ素子
を、(2)表面応力測定のためにステンレスのバネと空
気静電容量法を用いて、非常に精密に水平方向に移動さ
せながら(±0.1nm、3μmの移動が可能)、10
-7N以上の応力を測定するシステムを報告している。
This system applies a stress of 10 −6 to 10 −3 N to a surface which moves several tens of μm on the order of “minute”.
That is the measurement range. for that reason,
This system has a problem that it is not suitable for measuring weak stress and rapid shear change. Also, Klein et al.
, 352, 143 (1991) ”, (1)
As a mechanism for accurately moving the surface in parallel, (2) using a stainless steel spring and an air capacitance method for surface stress measurement, while moving very precisely in the horizontal direction (± 0 (Transfer of 1 nm and 3 μm possible) 10
-A system for measuring stress of -7 N or more is reported.

【0006】しかし、このシステムでは、振動や電気系
からくるノイズのために、より高精度で弱い応力まで測
定するのは困難であるという問題点があった。本発明
は、上記問題点を除去し、電源としては外界より隔離さ
れて配置される電池を用いることにより、電気系からく
るノイズを低減することにより、ナノメータースケール
の微小空間でのレオロジー挙動をも高精度に測定可能な
精密ずり応力測定装置を提供することを目的とする。
However, this system has a problem that it is difficult to measure even a weak stress with higher accuracy due to vibration and noise from the electric system. The present invention eliminates the above-mentioned problems, and reduces the noise coming from the electric system by using a battery that is isolated from the outside as a power source, thereby reducing rheological behavior in a nanometer-scale minute space. It is also an object of the present invention to provide a precision shear stress measuring device capable of highly accurate measurement.

【0007】[0007]

【発明を解決するための手段】Means for Solving the Invention

(1)ナノメータースケールの精密ずり応力測定装置に
おいて、試料に対して垂直に配置されるバネと、このバ
ネに接続され、前記試料に対して垂直に配置される分割
された円筒状のピエゾ素子と、このピエゾ素子の駆動手
段と、前記バネの水平方向の変位を検出する容量型変位
計と、この容量型変位計の駆動用電池とを設けるように
したものである。
(1) In a nanometer-scale precision shear stress measuring device, a spring arranged vertically to a sample and a divided cylindrical piezo element connected to this spring and arranged vertically to the sample. The driving means for the piezo element, the capacitance type displacement gauge for detecting the displacement of the spring in the horizontal direction, and the drive battery for the capacitance type displacement gauge are provided.

【0008】このように、電源としては外界より隔離さ
れて配置される電池を用いることにより、外部の電気配
線や周辺機器からくるノイズの低減を図ることができ
る。特に、ナノメータースケールの微小空間でのレオロ
ジー挙動を研究するような場合には、そのノイズの低減
効果は大きい。ずり応力測定では、ピエゾ素子に加える
電圧の波形(すなわち、表面の移動の関数形)と、ずり
応力の出力の間に、強度だけでなく位相のずれも予測さ
れる場合が多く、位相がずれると、一般にノイズの低減
に用いられるロックインアンプ等の利用が難しくなり、
出力信号におけるノイズの低減は、本質的に重要であ
る。ただし、ずり応力の出力が、波形・位相ともにピエ
ゾ素子に加える電圧の波形に同じ場合には、ロックイン
アンプの利用も有効である。
[0008] As described above, by using the battery that is isolated from the outside as the power source, it is possible to reduce the noise coming from the external electrical wiring and peripheral equipment. In particular, when researching rheological behavior in a nanometer-scale minute space, the noise reduction effect is great. In shear stress measurement, not only the strength but also the phase shift is often predicted between the waveform of the voltage applied to the piezo element (that is, the functional form of the movement of the surface) and the output of the shear stress, and the phase shifts. And, it becomes difficult to use a lock-in amplifier, which is generally used for noise reduction,
The reduction of noise in the output signal is of essential importance. However, when the output of the shear stress is the same as the waveform of the voltage applied to the piezo element in both waveform and phase, the use of the lock-in amplifier is also effective.

【0009】(2)上記(1)記載の精密ずり応力測定
装置において、前記ピエゾ素子は、外側電極を4分割さ
れた形状を有し、内側電極の共通部をアースし、三角波
のV A =−Vc 電圧を印加するようにしたものである。
したがって、簡単な構成で、例えば、±27nm、30
Hz(1.6μm/sec)のX方向の表面駆動が可能
であり、そのときの摩擦力として、3×10-6Nを得る
ことができる。
(2) Precision shear stress measurement described in (1) above
In the device, the piezoelectric element has an outer electrode divided into four parts.
Has a curved shape, grounds the common part of the inner electrode, and
V A= -VcA voltage is applied.
Therefore, with a simple configuration, for example, ± 27 nm, 30
Surface drive in the X direction of Hz (1.6 μm / sec) is possible
And the frictional force at that time is 3 × 10-6Get N
be able to.

【0010】(3)上記(1)記載の精密ずり応力測定
装置において、試料部分はレンズ状の形状を持ち交換可
能であり、測定表面をその面に垂直な二つのバネで保持
し、さらに、前記ピエゾ素子で、表面を水平方向に一定
速度で駆動するようにしたものである。したがって、種
々の試料のずり応力測定を容易に設定することができ
る。
(3) In the precision shear stress measuring device described in (1) above, the sample portion has a lens-like shape and is exchangeable, and the measurement surface is held by two springs perpendicular to the surface, The piezo element is such that the surface is driven horizontally at a constant speed. Therefore, it is possible to easily set the shear stress measurement of various samples.

【0011】(4)上記(3)記載の精密ずり応力測定
装置において、前記試料はガラスや雲母などの固体表
面、あるいはそれを化学修飾したものを用いることがで
きる。したがって、試料のずり応力測定を高精度のナノ
メータースケールで実施することができる。 (5)上記(1)記載の精密ずり応力測定装置におい
て、前記容量型変位計にロックインアンプを設けるよう
にしたものである。
(4) In the precision shear stress measuring device described in (3) above, the sample may be a solid surface such as glass or mica, or a chemically modified solid surface thereof. Therefore, the shear stress of the sample can be measured with high precision on the nanometer scale. (5) In the precision shear stress measuring device according to (1) above, a lock-in amplifier is provided in the capacitive displacement meter.

【0012】したがって、より精度を高め、±0.3n
m程度の測定が可能である。 (6)ナノメータースケールの精密ずり応力測定装置に
おいて、試料表面に対して垂直に配置されるバネと、該
バネに接続され、前記試料に対して垂直に配置される分
割された円筒状のピエゾ素子と、このピエゾ素子の駆動
手段と、前記バネの水平方向の変位を検出する容量型変
位計とを交換アタッチメントとなし、必要に応じ、試料
表面間に液体を満たす、あるいは試料部を密閉容器内の
液体内に浸すようにしたものである。
Therefore, the accuracy is further increased to ± 0.3n.
It is possible to measure about m. (6) In a nanometer-scale precision shear stress measuring device, a spring arranged perpendicular to the sample surface and a divided cylindrical piezo connected to the spring and arranged perpendicular to the sample. An element, a driving means for this piezo element, and a capacitive displacement gauge for detecting the horizontal displacement of the spring are used as an exchange attachment, and if necessary, liquid is filled between the sample surfaces or the sample part is hermetically sealed. It is designed to be immersed in the liquid inside.

【0013】したがって、表面間の狭い空間に閉じ込め
られた液体の構造形式等の測定が可能である。特に、垂
直方向の力を精密測定する表面力測定装置〔図2(b)
及び図8〕の交換アタッチメントとしてその1つの試料
表面〔図2(b)のピエゾ素子チューブ15及び図8の
ずり応力測定部35〕と容易に取り換えることができ、
測定の信頼性を高めることができるとともに、そのため
2つの試料表面の垂直方向の距離や相互作用の設定も容
易である。
Therefore, it is possible to measure the structural type of the liquid confined in the narrow space between the surfaces. Particularly, a surface force measuring device for precisely measuring the force in the vertical direction [Fig. 2 (b)]
And FIG. 8] can be easily replaced with the one sample surface [the piezo element tube 15 of FIG. 2 (b) and the shear stress measuring portion 35 of FIG. 8] as a replacement attachment.
The reliability of the measurement can be enhanced, and therefore, the vertical distance and the interaction between the two sample surfaces can be easily set.

【0014】なお、表面力測定装置に組み込むことによ
り、2つの表面間の距離(例えば、白色光を用いる干渉
縞測定で決定、図8参照)と垂直にかかる力を制御(可
変)しながら、ずり応力を測定できる。静電容量法によ
る変位測定を行う場合、プローブと向かい合う面の間の
電気容量が距離d0(図1参照)に逆比例することを利
用し、距離を測定する。
By incorporating in the surface force measuring device, while controlling (variable) the distance between two surfaces (determined by interference fringe measurement using white light, see FIG. 8) and the force applied perpendicularly, Shear stress can be measured. When the displacement measurement is performed by the capacitance method, the distance is measured by utilizing that the capacitance between the surface facing the probe is inversely proportional to the distance d 0 (see FIG. 1).

【0015】この時、例えば、静電容量は、プローブ上
の電極から高周波の電位を与え、その時に流れる電流
(交流電流)から測定する。実際には、その電流を回路
で電圧に換算して出力する。測定される静電容量Cに
は、実際のプローブと向かい合う面の作る空間の容量C
s と、装置の回路からくる起源不明の静電容量C0 の和
である。
At this time, for example, the electrostatic capacity is measured from a current (AC current) flowing at that time by applying a high-frequency potential from the electrode on the probe. Actually, the current is converted into a voltage by the circuit and output. The measured capacitance C is the capacitance C of the space formed by the surface facing the actual probe.
It is the sum of s and the capacitance C 0 of unknown origin coming from the circuit of the device.

【0016】現在の測定では、図4に示すように、ある
一定の距離d0 からのナノメーターオーダーの微小な変
位を測定しなければならない。このように、高周波の電
位変化を与えているので、その時には、本発明による電
源としての電池により電気的なゆらぎを減少させること
が有効である。そうすることにより、起源不明の静電容
量C0 も安定となり、より精密な測定が可能となる。
In the present measurement, as shown in FIG. 4, it is necessary to measure a minute displacement of nanometer order from a certain constant distance d 0 . As described above, since the high-frequency potential change is applied, it is effective at that time to reduce the electrical fluctuation by the battery as the power source according to the present invention. By doing so, the capacitance C 0 of unknown origin is also stable, and more precise measurement is possible.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図1は本発明の実施
例を示す精密ずり応力測定装置の構成図、図2はその精
密ずり応力測定装置の組立状態を示す図、図3はその精
密ずり応力測定装置のブロック図、図4は静電容量法に
よる変位測定の説明図、図5はずり応力を発生させるピ
エゾ素子の構成図、図6はそのピエゾ素子に印加される
電圧を示す図、図6は変位計の出力を示す図である。こ
こでは、ガラス−雲母表面間の摩擦力を測定する例につ
いて説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram of a precision shear stress measuring device showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing an assembled state of the precision shear stress measuring device, FIG. 3 is a block diagram of the precision shear stress measuring device, and FIG. Is an explanatory diagram of displacement measurement by the capacitance method, FIG. 5 is a configuration diagram of a piezo element that generates shear stress, FIG. 6 is a diagram showing a voltage applied to the piezo element, and FIG. 6 is an output of a displacement meter. It is a figure. Here, an example of measuring the frictional force between the glass and the surface of the mica will be described.

【0018】図1及び図2において、1はシリカレン
ズ、2は固定部、3はシリカレンズ1の測定表面と垂直
な二つのバネ、4はバネ3の自由端に接続される接続部
材であり、その接続部材4は、他端は内方でかつ上方へ
と曲げられている。5はその接続部材4の他端に固定さ
れ、シリカレンズ1に対して垂直に配置されるピエゾ素
子(4分割円筒状のピエゾ素子、Morgon,PZT
8−8031−5H)、6はそのピエゾ素子5の下方に
延び、シリカレンズ1を保持する保持部材、7は接続部
材4の変位を検出する変位計プローブ、11はシリカレ
ンズ、12はシリカレンズ11の表面に固定した雲母、
13は垂直力(Z軸方向の力)の測定系を構成するバ
ネ、14はトッププレート、15はピエゾ素子チュー
ブ、16は測定表面、17はダブルカンチレバー(バネ
13と同じもの)、18はダイアグラム、19はシャフ
ト、20はトランスレーション・ステージである。
In FIGS. 1 and 2, 1 is a silica lens, 2 is a fixed portion, 3 is two springs perpendicular to the measurement surface of the silica lens 1, and 4 is a connecting member connected to the free end of the spring 3. The other end of the connecting member 4 is bent inward and upward. A piezoelectric element 5 is fixed to the other end of the connecting member 4 and is arranged perpendicularly to the silica lens 1 (a piezo element having a four-divided cylindrical shape, Morgon, PZT).
8-8031-5H), 6 extends below the piezoelectric element 5 and holds the silica lens 1, 7 is a displacement gauge probe for detecting the displacement of the connecting member 4, 11 is a silica lens, and 12 is a silica lens. Mica fixed on the surface of 11,
Reference numeral 13 is a spring constituting a vertical force (force in the Z-axis direction), 14 is a top plate, 15 is a piezo element tube, 16 is a measuring surface, 17 is a double cantilever (the same as the spring 13), and 18 is a diagram. , 19 is a shaft, and 20 is a translation stage.

【0019】図2(a)に示されるずり測定デバイスA
が、図2(b)の表面力測定装置の上部表面試料部15
と交換され、トッププレート14の部分に組付けられ
る。図3において、21は関数発生器、22はピエゾ素
子5にVA 電圧(図5上段参照)を発生する第1のピエ
ゾ電源、23はピエゾ素子5にVC 電圧(図5下段参
照)を発生する第2のピエゾ電源、24はずり応力測定
系、25は変位計プローブ7に接続される容量型変位
計、26は容量型変位計25の電源としての電池、例え
ば、ニッケル−カドミウム電池、27はオシロスコープ
であり、ピエゾ素子にかかる電源22,23の出力と容
量型変位計25の出力を時間の関数として同時に測定
し、画面上に表示することができる。
Shear measuring device A shown in FIG.
Is the upper surface sample portion 15 of the surface force measuring device of FIG.
And is assembled to the portion of the top plate 14. In FIG. 3, reference numeral 21 is a function generator, 22 is a first piezo power source that generates a V A voltage (see the upper part of FIG. 5) in the piezo element 5, and 23 is a V C voltage (see the lower part of FIG. 5) in the piezo element 5. A second piezo power source to be generated, 24 shear stress measurement system, 25 is a capacitance type displacement gauge connected to the displacement gauge probe 7, 26 is a battery as a power source of the capacitance type displacement gauge 25, for example, nickel-cadmium battery, Reference numeral 27 is an oscilloscope, which can simultaneously measure the outputs of the power supplies 22 and 23 for the piezo elements and the output of the capacitive displacement meter 25 as a function of time and display them on the screen.

【0020】ここで、静電容量法による変位測定につい
て述べると、変位計プローブ7と向かい合う面の間の電
気容量が距離d(図1参照)に逆比例することを利用
し、距離を測定する。この時、静電容量は、例えば、変
位計プローブ7上の電極から高周波の電位を与え、その
時に流れる電流(交流電流)から測定する。実際には、
その電流を回路で電圧に換算して出力する。測定される
静電容量Cには、実際の変位計プローブ7と向かい合う
面の作る空間の容量Cs と、測定装置の回路からくる起
源不明の静電容量C0 の和である。
Displacement measurement by the capacitance method will be described. The distance is measured by utilizing the fact that the capacitance between the surface facing the displacement gauge probe 7 is inversely proportional to the distance d (see FIG. 1). . At this time, the capacitance is measured, for example, by applying a high-frequency potential from the electrode on the displacement gauge probe 7 and measuring the current (AC current) flowing at that time. actually,
The current is converted into a voltage by the circuit and output. The capacitance C to be measured is the sum of the capacitance C s of the space formed by the surface facing the actual displacement gauge probe 7 and the capacitance C 0 of unknown origin coming from the circuit of the measuring device.

【0021】C=Cs +C0 =(KA/d)+C0 ここで、Kは誘電率、Aはプローブの面積 現在の測定では、図4に示すように、ある一定の距離d
0 からのナノメーターオーダーの微小な変位を測定しな
ければならない。このように、高周波の電位を与えてい
るので、その時には、本発明による電源としての電池よ
り電気的なゆらぎを減少させることが有効である。
C = C s + C 0 = (KA / d) + C 0 where K is the permittivity and A is the area of the probe. In the present measurement, as shown in FIG.
Small displacements on the order of nanometers from 0 must be measured. Since a high-frequency potential is applied in this manner, it is effective at that time to reduce electrical fluctuations than the battery as the power source according to the present invention.

【0022】そうすることにより、起源不明の静電容量
0 も安定となり、より精密な測定が可能となる。この
ように、ガラス−雲母の表面は、他の試料表面と自由に
交換でき、また、通常の表面力測定装置(図2)に組み
込めるシステムを設計した。交換アタッチメントは、測
定表面をその面に垂直な二つのバネ3で保持し、さら
に、ピエゾ素子5で、表面を水平方向に一定速度で駆動
することができるようにしたものである。
By doing so, the electrostatic capacitance C 0 of unknown origin is also stabilized, and more precise measurement becomes possible. In this way, the surface of the glass-mica can be freely exchanged with other sample surfaces, and a system designed to be incorporated in a usual surface force measuring device (FIG. 2) was designed. The exchange attachment holds the measurement surface with two springs 3 which are perpendicular to the surface, and further allows the surface to be driven horizontally at a constant speed by a piezo element 5.

【0023】図5に示すように、ピエゾ素子5は、外側
電極を4分割(A,B,C,D)した円筒状のピエゾ素
子であり、その内側電極はアース(E)されている。図
5(A)に示すその4分割(A,B,C,D)円筒状の
ピエゾ素子に、図6に示すように、三角波VA =−VC
の電圧を印加する。すると、図5(B)に示すように、
X方向の動きは最大数μm(208nm/100V)、
周期0〜数百Hzで駆動される。
As shown in FIG. 5, the piezo element 5 is a cylindrical piezo element in which the outer electrode is divided into four (A, B, C, D), and the inner electrode is grounded (E). Figure 5 (A) to indicate the four-division (A, B, C, D ) in a cylindrical piezoelectric element, as shown in FIG. 6, the triangular wave V A = -V C
Voltage is applied. Then, as shown in FIG.
The maximum movement in the X direction is a few μm (208 nm / 100V),
It is driven at a cycle of 0 to several hundred Hz.

【0024】表面の駆動は、図3に示すように、関数発
生器21の信号をピエゾ電源(エコー電気製、ENP−
2001A)22,23で増幅する。水平方向の力F1
は、垂直に表面を保持する2枚のバネ3の水平方向の変
位(ΔX)をエアギャップ静電容量法(日本エーディー
イー製、マイクロセンス非接触微小変位計3401HR
−01)で測定し、バネ定数(K1 〜320N/m)を
用い、F1 =K1 ΔXより計算した。下記に見るよう
に、現在のΔXの精度は、±1nmである。また、三角
波で駆動したときの表面の駆動振動数の上限は、装置の
共振周波数である100Hz付近を除けば、数百Hzで
ある。また、共振周波数は、保持部等の設計、使用する
バネ定数によって変化する。
For driving the surface, as shown in FIG. 3, the signal of the function generator 21 is supplied by a piezo power source (ENP-made by Echo Electric Co., Ltd.).
2001A) 22 and 23 are amplified. Horizontal force F 1
Refers to the horizontal displacement (ΔX) of the two springs 3 that hold the surface vertically, and the air gap capacitance method (manufactured by Japan ADE, Microsense non-contact micro displacement meter 3401HR).
-01) and the spring constant (K 1 to 320 N / m) was used to calculate from F 1 = K 1 ΔX. As will be seen below, the current ΔX accuracy is ± 1 nm. Further, the upper limit of the driving frequency of the surface when driven by a triangular wave is several hundreds Hz, except for the vicinity of 100Hz which is the resonance frequency of the device. Further, the resonance frequency changes depending on the design of the holding portion and the like and the spring constant used.

【0025】表面としては、分子レベルで平滑である雲
母12を円筒形(曲率、R−20mm)のシリカ(石
英)レンズ11上に固定したものを用いた。二つのレン
ズの軸を直行させて配置し、一方の面をバネ(K2 〜1
00N/m)13の一端で保持する。表面間の距離を等
色次数干渉法により測定し、バネ13の変位(Δz)よ
り垂直方向の力(F=KΔz)を求める。
As the surface, a mica 12 having a smooth molecular level was fixed on a cylindrical (curvature, R-20 mm) silica (quartz) lens 11. The two lenses are placed with their axes perpendicular to each other, and one surface is spring (K 2 ~ 1).
00 N / m) 13 is held at one end. The distance between the surfaces is measured by the color-order interferometry method, and the force (F = KΔz) in the vertical direction is obtained from the displacement (Δz) of the spring 13.

【0026】なお、上記三角波に代えて、正弦波、矩形
波などを用いるようにしてもよい。 〔測定例〕 (1)バネの変位 エアギャップ静電容量法を用いてバネ3の変位を測定し
た。ΔXを±1nmの精度で読むときには、電源からの
ノイズを無視することができず、安定した応答を得るた
めに、容量型変位計25の電源をDC電源26としての
蓄電池に変更した。さらに、ロックインアンプを用いれ
ば±0.3nm程度の測定が可能となることを確認し
た。
Note that a sine wave, a rectangular wave, or the like may be used instead of the triangular wave. [Measurement Example] (1) Displacement of Spring The displacement of the spring 3 was measured using the air gap capacitance method. When reading ΔX with an accuracy of ± 1 nm, noise from the power supply cannot be ignored, and in order to obtain a stable response, the power supply of the capacitive displacement meter 25 was changed to a storage battery as the DC power supply 26. Furthermore, it was confirmed that the measurement of about ± 0.3 nm is possible by using the lock-in amplifier.

【0027】ただし、今回の下記(2)の測定は、ロッ
クインアンプを使用せずに行っている。 (2)ガラスと雲母表面間の摩擦 ガラスと雲母表面を接触させ、X方向に表面を30Hz
で繰り返し運動させたときの摩擦による応力を調べた。
However, the following measurement (2) is performed without using the lock-in amplifier. (2) Friction between the glass and the surface of the mica The glass and the surface of the mica are brought into contact with each other, and the surface is 30 Hz in the X direction
The stress due to friction when repeatedly moved at was investigated.

【0028】図6には、ピエゾ素子への入力電圧(×1
/100)を、図7には、その時のバネの変位ΔXに対
応するモニター信号を示した。(2mV/divは5n
mの変位に対応)。二つの表面を離すと、ΔXはほとん
ど0になる。これらのデータから1.6μm/sec
(実際に動く距離±2.7nm)、30Hzで駆動した
ときの摩擦力は、3×10-6Nと得られる。
FIG. 6 shows the input voltage (× 1) to the piezo element.
/ 100), and FIG. 7 shows the monitor signal corresponding to the displacement ΔX of the spring at that time. (2 mV / div is 5n
It corresponds to the displacement of m). When the two surfaces are separated, ΔX becomes almost zero. 1.6 μm / sec from these data
The frictional force when driven at 30 Hz (actual moving distance ± 2.7 nm) is 3 × 10 −6 N.

【0029】上記したように、電源からのノイズを低減
するために、電池駆動を行うようにしたので、ノイズの
低減を実現することができた。特に、ナノメータースケ
ールの微小空間での周期的な表面の移動についてのレオ
ロジー挙動を研究する場合には、そのノイズの低減効果
は大きい。図8はAC駆動とDC駆動の場合のバネの変
位を示す図であり、縦軸には2mV/Div(一目盛り
2mV)、横軸には10msec/Div(一目盛り1
0msec)を示している。
As described above, since the battery is driven in order to reduce the noise from the power source, the noise can be reduced. In particular, when studying the rheological behavior of periodic surface movement in a nanometer-scale minute space, the noise reduction effect is great. FIG. 8 is a diagram showing the displacement of the spring in the case of AC drive and DC drive, where the vertical axis is 2 mV / Div (1 graduation 2 mV) and the horizontal axis is 10 msec / Div (1 graduation 1
0 msec).

【0030】この図から明らかなように、図8(a)に
示すAC駆動の場合に比して、図8(b)に示すDC駆
動の場合は、バネ3の変位が安定していることがわか
る。このDC駆動におけるバネ3の変位の安定度の向上
は、ナノメータースケールのずり応力測定の精度を高め
るには大きな効果を奏することができる。また、本発明
のずり応力測定装置で、応力の感度は10-7Nである
が、さらに、ローパスフィルタ、ハイパスフィルタなど
を入れることにより、更なる感度の向上を図ることがで
き、同等のシステムで、特に、長い時間スケールの電気
ゆらぎが入らないメリットを有する。
As is apparent from this figure, the displacement of the spring 3 is more stable in the case of DC drive shown in FIG. 8 (b) than in the case of AC drive shown in FIG. 8 (a). I understand. The improvement of the stability of displacement of the spring 3 in the DC drive can exert a great effect in improving the accuracy of shear stress measurement on the nanometer scale. Further, in the shear stress measuring device of the present invention, the sensitivity of stress is 10 −7 N, but by further including a low pass filter, a high pass filter, etc., it is possible to further improve the sensitivity, and an equivalent system. In particular, it has an advantage that electric fluctuations on a long time scale are not included.

【0031】図9は本発明の他の実施例を示す表面力測
定装置への組み込み方の構成断面図である。この図にお
いて、31は密閉容器、32はその密閉容器31内に封
入される水溶液、33はバネ、34はバネ33を有する
Z方向の距離駆動部、35は上記した交換アタッチメン
トを組み込むための試料部である。
FIG. 9 is a sectional view showing the construction of another embodiment of the present invention, which is incorporated into a surface force measuring apparatus. In this figure, 31 is an airtight container, 32 is an aqueous solution enclosed in the airtight container 31, 33 is a spring, 34 is a Z direction distance drive unit having a spring 33, and 35 is a sample for incorporating the above-mentioned exchange attachment. It is a department.

【0032】このように構成することにより、表面間の
狭い空間に閉じ込められた液体の構造形式等の測定が可
能である。特に、交換アタッチメントとして、ずり応力
測定部(X方向変位測定部)を容易に取り換えることが
でき、測定の信頼性を高めることができるとともに、そ
の設定も容易である。
With this configuration, it is possible to measure the structural form of the liquid confined in the narrow space between the surfaces. In particular, as the exchange attachment, the shear stress measuring unit (X-direction displacement measuring unit) can be easily replaced, the reliability of measurement can be improved, and the setting thereof is easy.

【0033】また、上記したガラス−雲母を接触させた
試料に代えて、種々の試料をセットすることができる。
例えば、ガラスや雲母などの固体表面とそれを化学修飾
した表面を接触させり、また、適当な液体試料を挟むよ
うにしてもよい。その意味では表面は必ずしも接触して
いる必要はない。なお、ずり応力測定では、ピエゾ素子
に加える電圧の波形(すなわち、表面の移動の関数形)
と、ずり応力の出力の間に、強度だけでなく位相のずれ
も予測される場合が多く、位相がずれると、一般にノイ
ズの低減に用いられるロックインアンプ等の利用が難し
くなり、出力信号におけるノイズの低減は、本質的に重
要である。ただし、ずり応力の出力が、波形・位相とも
にピエゾ素子に加える電圧の波形に同じ場合には、ロッ
クインアンプの利用も有効である。
Further, various samples can be set in place of the above-mentioned sample in which glass-mica is contacted.
For example, a solid surface such as glass or mica may be brought into contact with the chemically modified surface, and an appropriate liquid sample may be sandwiched. In that sense, the surfaces do not necessarily have to be in contact. In shear stress measurement, the waveform of the voltage applied to the piezo element (that is, the functional form of the surface movement)
In many cases, not only the strength but also the phase shift is predicted during the output of the shear stress, and if the phase shift occurs, it becomes difficult to use a lock-in amplifier, which is generally used for noise reduction, and the output signal Noise reduction is essentially important. However, when the output of the shear stress is the same as the waveform of the voltage applied to the piezo element in both waveform and phase, the use of the lock-in amplifier is also effective.

【0034】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
It should be noted that the present invention is not limited to the above embodiment, but various modifications are possible based on the spirit of the present invention, and these are not excluded from the scope of the present invention.

【0035】[0035]

【発明の効果】以上、詳細に示したように、本発明によ
れば、以下のような効果を奏することができる。 (1)請求項1記載の発明によれば、駆動用電源として
は駆動用電池を用いるようにしたので、AC電源に比し
て、外部の電気配線や周辺機器からくるノイズの低減を
図ることができる。特に、ナノメータースケールの微小
空間でのレオロジー挙動を研究するような場合には、そ
のノイズの低減効果は著大である。
As described in detail above, according to the present invention, the following effects can be achieved. (1) According to the first aspect of the invention, since the driving battery is used as the driving power source, it is possible to reduce the noise coming from the external electric wiring and peripheral devices as compared with the AC power source. You can In particular, when studying rheological behavior in a nanometer-scale minute space, the noise reducing effect is remarkable.

【0036】(2)請求項2記載の発明によれば、簡単
な構成で、±27nm、30Hz(1.6μm/se
c)のX方向の表面駆動が可能であり、そのときの摩擦
力として、3×10-6Nを得ることができた。 (3)請求項3記載の発明によれば、種々の試料のずり
応力測定を容易に設定することができる。
(2) According to the invention described in claim 2, ± 27 nm, 30 Hz (1.6 μm / se) with a simple structure.
Surface driving in the X direction of c) was possible, and 3 × 10 −6 N could be obtained as the frictional force at that time. (3) According to the invention described in claim 3, the shear stress measurement of various samples can be easily set.

【0037】(4)請求項4記載の発明によれば、ガラ
ス−雲母間、またはその間に設定される媒体のずり応力
測定を高精度のナノメータースケールで実現することが
できた。 (5)請求項5記載の発明によれば、より精度を高め、
±0.3nm程度の測定が可能となる。
(4) According to the invention described in claim 4, the shear stress of the medium set between the glass and the mica or between the glass and the mica can be measured with high precision on the nanometer scale. (5) According to the invention of claim 5, the accuracy is further improved,
It is possible to measure ± 0.3 nm.

【0038】(6)請求項6記載の発明によれば、表面
間の狭い空間に閉じ込められた液体の構造形式等の測定
が可能である。特に、交換アタッチメントとしてのずり
応力測定部(X方向変位測定部)と容易に取り換えるこ
とができ、測定の信頼性を高めることができるととも
に、その設定も容易である。
(6) According to the invention described in claim 6, it is possible to measure the structural form of the liquid confined in the narrow space between the surfaces. In particular, it can be easily replaced with a shear stress measuring unit (X-direction displacement measuring unit) as a replacement attachment, and the reliability of measurement can be improved and its setting is easy.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例を示す精密ずり応力測定装置の
構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram of a precision shear stress measuring device showing an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施例を示す精密ずり応力測定装置の
組立状態を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing an assembled state of a precision shear stress measuring device showing an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施例を示す精密ずり応力測定装置の
ブロック図である。
FIG. 3 is a block diagram of a precision shear stress measuring device showing an embodiment of the present invention.

【図4】本発明の実施例を示す静電容量法による変位測
定の説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram of displacement measurement by a capacitance method showing an example of the present invention.

【図5】本発明の実施例を示すずり応力を発生させるピ
エゾ素子の構成を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a configuration of a piezo element that generates shear stress according to an embodiment of the present invention.

【図6】本発明の実施例を示すピエゾ素子に印加される
電圧を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a voltage applied to a piezo element showing an example of the present invention.

【図7】本発明の実施例を示す変位計の出力を示す図で
ある。
FIG. 7 is a diagram showing an output of the displacement meter showing the embodiment of the present invention.

【図8】本発明の実施例を示すAC駆動と電池駆動の場
合の静電容量法による距離測定の安定性を示す図であ
る。
FIG. 8 is a diagram showing the stability of distance measurement by the capacitance method in the case of AC driving and battery driving showing an example of the present invention.

【図9】本発明の他の実施例を示す精密ずり応力測定装
置を交換組み込むための表面力測定装置の構成断面図で
ある。
FIG. 9 is a sectional view showing the configuration of a surface force measuring device for replacing and incorporating a precision shear stress measuring device according to another embodiment of the present invention.

【図10】従来のずり応力測定装置の構成図である。FIG. 10 is a configuration diagram of a conventional shear stress measuring device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 シリカレンズ 2 固定部 3,13,33 バネ 4 接続部材 5 ピエゾ素子(4分割筒状のピエゾ素子) 6 保持部材 7 変位計プローブ 11 シリカレンズの表面に固定した雲母 12 垂直力(Z軸方向の力)の測定系を構成するバ
ネ 21 関数発生器 22 第1のピエゾ電源 23 第2のピエゾ電源 24 ずり応力測定系 25 容量型変位計 26 電池 27 オシロスコープ 31 密閉容器 32 水溶液 34 Z方向の距離駆動機構 35 表面力測定装置におけるアタッチメント交換部
1 silica lens 2 fixing part 3,13,33 spring 4 connecting member 5 piezo element (a piezo element of a four-divided cylindrical shape) 6 holding member 7 displacement gauge probe 11 mica fixed on the surface of the silica lens 12 normal force (Z axis direction) Force generator 22 a function generator 22 a first piezo power supply 23 a second piezo power supply 24 a shear stress measurement system 25 a capacitive displacement meter 26 a battery 27 an oscilloscope 31 a closed container 32 an aqueous solution 34 a distance in the Z direction Drive mechanism 35 Attachment exchange part in surface force measuring device

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ナノメータースケールの精密ずり応力測
定装置において、(a)試料表面に対して垂直に配置さ
れるバネと、(b)該バネに接続され、前記試料表面に
対して垂直に配置される分割された円筒状のピエゾ素子
と、(c)該ピエゾ素子の駆動手段と、(d)前記バネ
の水平方向の変位を検出する容量型変位計と、(e)該
容量型変位計の駆動用電池とを具備することを特徴とす
る精密ずり応力測定装置。
1. In a nanometer-scale precision shear stress measuring device, (a) a spring arranged perpendicular to a sample surface, and (b) a spring connected to the spring and arranged perpendicular to the sample surface. Divided cylindrical piezo element, (c) driving means for the piezo element, (d) a capacitive displacement meter for detecting horizontal displacement of the spring, and (e) the capacitive displacement meter. A precision shear stress measuring device, comprising:
【請求項2】 請求項1記載の精密ずり応力測定装置に
おいて、前記ピエゾ素子は、4分割された形状を有し、
上端の共通部をアースし、三角波のVA =−Vc 電圧を
印加する精密ずり応力測定装置。
2. The precision shear stress measuring device according to claim 1, wherein the piezo element has a shape divided into four parts.
Grounding the common portion of the upper end, precise shear stress measurement apparatus for applying the V A = -V c voltage of the triangular wave.
【請求項3】 請求項1記載の精密ずり応力測定装置に
おいて、試料部分はレンズ状の形状を持ち交換可能であ
り、測定表面を該表面に垂直な二つのバネで保持し、さ
らに、前記ピエゾ素子で、表面を水平方向に一定速度で
駆動する精密ずり応力測定装置。
3. The precision shear stress measuring device according to claim 1, wherein the sample portion has a lens-like shape and is replaceable, the measurement surface is held by two springs perpendicular to the surface, and the piezo Precision shear stress measurement device that drives the surface horizontally at a constant speed with an element.
【請求項4】 請求項3記載の精密ずり応力測定装置に
おいて、前記試料はガラスや雲母などの固体表面、ある
いは該固体表面を化学修飾したものである精密ずり応力
測定装置。
4. The precision shear stress measuring device according to claim 3, wherein the sample is a solid surface such as glass or mica, or the solid surface is chemically modified.
【請求項5】 請求項1記載の精密ずり応力測定装置に
おいて、前記容量型変位計にロックインアンプを具備す
る精密ずり応力測定装置。
5. The precision shear stress measurement device according to claim 1, wherein the capacitive displacement gauge includes a lock-in amplifier.
【請求項6】 ナノメータースケールの精密ずり応力測
定装置において、 試料表面に対して垂直に配置されるバネと、該バネに接
続され、前記試料に対して垂直に配置される分割された
円筒状のピエゾ素子と、該ピエゾ素子の駆動手段と、前
記バネの水平方向の変位を検出する容量型変位計とを交
換アタッチメントとなし、試料部の2つの表面の間に液
体を挟む、あるいは試料部を密閉容器内の液体内に浸す
ことを特徴とする精密ずり応力測定装置。
6. A nanometer-scale precision shear stress measuring device, wherein a spring arranged perpendicular to a sample surface and a divided cylindrical shape connected to the spring and arranged perpendicular to the sample. The piezo element, the driving means for the piezo element, and the capacitive displacement gauge for detecting the horizontal displacement of the spring are used as an exchange attachment, and the liquid is sandwiched between the two surfaces of the sample section, or A precision shear stress measuring device characterized by immersing a liquid in a closed container.
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