JPH09251205A - Phase shift mask blank and phase shift mask - Google Patents
Phase shift mask blank and phase shift maskInfo
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- JPH09251205A JPH09251205A JP9030673A JP3067397A JPH09251205A JP H09251205 A JPH09251205 A JP H09251205A JP 9030673 A JP9030673 A JP 9030673A JP 3067397 A JP3067397 A JP 3067397A JP H09251205 A JPH09251205 A JP H09251205A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、位相シフトマスク
ブランク、位相シフトマスクおよびそれを用いたリソグ
ラフィー方法に関する。さらに詳しくは、本発明は、簡
単な膜構成により、マスクパターンを形成する際のレジ
ストへの電子線描画時における電荷蓄積や静電気による
帯電を防止しうるハーフトーン型位相シフトマスクブラ
ンク、該位相シフトマスクブランクを素材とするハーフ
トーン型位相シフトマスク、およびこの位相シフトマス
クを用いてパターン転写を行うリソグラフィー方法に関
するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a phase shift mask blank, a phase shift mask and a lithographic method using the same. More specifically, the present invention relates to a halftone type phase shift mask blank capable of preventing charge accumulation and electrostatic charge due to static electricity during electron beam writing on a resist when forming a mask pattern with a simple film structure, and the phase shift. The present invention relates to a halftone type phase shift mask using a mask blank as a material, and a lithography method for performing pattern transfer using the phase shift mask.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体ＬＳＩ製造などにおいては、微細
パターンの転写を行うためのマスクであるフォトマスク
の１つとして位相シフトマスクが用いられる。この位相
シフトマスクのうち、特に単一のホール、ドット、又は
ライン、スペース等の孤立したパターン転写に適したも
のとして、ハーフトーン型位相シフトマスクが知られて
いる。2. Description of the Related Art In the manufacture of semiconductor LSIs, a phase shift mask is used as one of photomasks for transferring a fine pattern. Among these phase shift masks, a halftone type phase shift mask is known as one which is particularly suitable for transferring a single hole, dot, or isolated pattern such as a line or space.
【０００３】このハーフトーン型位相シフトマスクは、
透明基板の表面上に形成するマスクパターンを、実質的
に露光に寄与する強度の光を透過させる光透過部と、実
質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる光半透過
部とで構成し、かつ、光透過部を通過してきた光の位相
と、光半透過部を通過してきた光の位相を異ならしめる
ことにより光透過部と光半透過部の境界部近傍で通過し
てきた光が互いに打ち消し合うようにして境界部のコン
トラストを良好に保持できるようにしたものであり、例
えば特開平５−１２７３６１号公報には、位相差を１８
０°としたハーフトーン型位相シフトマスクが開示され
ている。[0003] This halftone type phase shift mask is
A mask pattern formed on the surface of the transparent substrate is composed of a light transmitting portion that transmits light having an intensity substantially contributing to exposure and a light translucent portion that transmits light having an intensity substantially not contributing to exposure. And, by making the phase of the light passing through the light transmitting portion different from the phase of the light passing through the light semi-transmitting portion, the light passing near the boundary between the light transmitting portion and the light semi-transmitting portion is reduced. The contrast of the boundary portion can be maintained well by canceling each other out. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-127361 discloses that the phase difference is 18
A halftone type phase shift mask with 0 ° is disclosed.
【０００４】この公報記載のハーフトーン型位相シフト
マスクにおいては、透明基板上に光半透過部を構成する
光半透過膜は、ＣｒＯx、ＣｒＮx、ＣｒＯxＮy、ＣｒＯ
xＮyＣz等の膜などの、均一な組成の材料からなる一層
の膜で構成されている。In the halftone type phase shift mask described in this publication, the light semi-transmissive film constituting the light semi-transmissive portion on the transparent substrate is made of CrO x , CrN x , CrO x N y , CrO x.
x N y C z-like film such as, and a layer of film made of uniform material composition.
【０００５】このように一層の膜からなる光半透過膜を
素材として形成した光半透過部を有するハーフトーン型
位相シフトマスクは、光半透過部を、主に位相角を制御
する透過率の高い層（例えばＳＯＧ）と主に光半透過性
を制御する透過率の低い層（例えばクロム）との複数種
類からなる積層構造としたハーフトーン型位相シフトマ
スクと比較すると、製造工程の減少、簡略化、欠陥発生
率の低減といった利点を有する。A halftone type phase shift mask having a light semi-transmissive portion formed of a light semi-transmissive film made of a single film as described above has a light transmissive portion which mainly has a transmittance which controls a phase angle. Compared with a halftone type phase shift mask having a multilayer structure composed of a plurality of types of a high layer (for example, SOG) and a low transmittance layer (for example, chromium) for mainly controlling light semi-transmission, the number of manufacturing steps is reduced. It has advantages such as simplification and reduction of the defect occurrence rate.
【０００６】このＣｒＯx、ＣｒＮx、ＣｒＯxＮy又はＣ
ｒＯxＮyＣz等からなる光半透過膜の形成法に関して、
上記公報には、クロムをスパッタリングターゲットとし
て、蒸着雰囲気中に酸素、窒素などのガスを入れること
で透明基板上にクロムの酸化物、窒化物、酸窒化物、酸
窒炭化物を堆積する方法、すなわち、いわゆる反応性ス
パッタによる方法が開示されている。This CrO x , CrN x , CrO x N y or C
Regarding the method of forming the light semitransmissive film made of rO x N y C z ,
The above publication discloses a method of depositing an oxide, nitride, oxynitride, or oxynitride carbide of chromium on a transparent substrate by putting a gas such as oxygen or nitrogen into a deposition atmosphere using chromium as a sputtering target, that is, A method using reactive sputtering is disclosed.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来の方法（反応性スパッタ法）によって形成されるＣ
ｒＯx、ＣｒＮx、ＣｒＯxＮy又はＣｒＯxＮyＣz等から
なる光半透過膜については、露光に寄与しない程度の光
を透過する性質、すなわち露光光に対する透過率が４〜
２０％という要件と、所定の位相差を与えるという光半
透過部の要件を同時に満たしたものは導電性が乏しい。
そのため、光半透過膜をパターニングするために行うレ
ジストへの電子線描画において、打ち込まれた電子がレ
ジスト中で帯電してしまい、正確なパターン形成ができ
ないという問題があった。However, the C formed by the above-described conventional method (reactive sputtering method) is not suitable.
The light semi-transmissive film made of rO x , CrN x , CrO x N y, or CrO x N y C z has a property of transmitting light that does not contribute to exposure, that is, the transmittance for exposure light is 4 to
Those satisfying both the requirement of 20% and the requirement of the light semi-transmissive portion to provide a predetermined phase difference have poor conductivity.
For this reason, in drawing an electron beam on a resist for patterning the light semi-transmissive film, the injected electrons are charged in the resist, resulting in a problem that an accurate pattern cannot be formed.
【０００８】また、導電性の欠如は静電気の帯電へとつ
ながり、マスクの製造工程や使用時においてゴミが吸着
しやすいという問題があった。したがって、帯電現象を
防止するためには電気を伝導し、拡散させる導電層を例
えば透明基板上に設ける必要があり、そのためには製造
工程が増加するといった欠点があった。[0008] Further, the lack of conductivity leads to the electrification of static electricity, so that there is a problem that dust is easily adsorbed during the manufacturing process and use of the mask. Therefore, in order to prevent the charging phenomenon, it is necessary to provide a conductive layer that conducts and diffuses electricity on, for example, a transparent substrate, which has a drawback that the number of manufacturing steps is increased.
【０００９】さらに、透明基板と光半透過膜との間に導
電層を形成する場合には、短波長の露光光に対して透明
である必要があり、特に、近年における高解像度のパタ
ーンが要求されることに伴う露光光の短波長化に対して
は、そのような露光光に対して透明である導電層材料を
新たに開発しなければならないという問題もあった。Furthermore, when a conductive layer is formed between the transparent substrate and the light semi-transmissive film, it must be transparent to exposure light of short wavelength, and in particular, a high resolution pattern in recent years is required. With respect to the shortening of the wavelength of the exposure light associated with this, there is also a problem that a conductive layer material that is transparent to such exposure light must be newly developed.
【００１０】本発明は、上述のような背景のもとでなさ
れたものであり、簡単な膜構成により電子線描画時の電
荷蓄積や静電気による帯電を防止できるハーフトーン型
位相シフトマスクブランク、上記位相シフトマスクブラ
ンクを素材としたハーフトーン型位相シフトマスク、お
よびこの位相シフトマスクを用いてパターン転写を行う
リソグラフィー方法を提供することを目的としたもので
ある。The present invention has been made under the above-mentioned background, and is a halftone type phase shift mask blank capable of preventing charge accumulation and static charge at the time of electron beam writing with a simple film structure. It is an object of the present invention to provide a halftone type phase shift mask using a phase shift mask blank as a material, and a lithography method for performing pattern transfer using this phase shift mask.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明者らは、簡単な膜
構成により、電子線描画時の電荷蓄積や静電気による帯
電を防止しうるハーフトーン型位相シフトマスクブラン
クについて鋭意研究を重ねた結果、透明基板上に、遷移
金属とケイ素とを少なくとも含み、かつシート抵抗が特
定の値以下である光半透過膜を有するハーフトーン型位
相シフトマスクブランクが、上記の好ましい性質を有す
ること、そしてこの位相シフトマスクブランクに、常法
に従ってパターニング処理を施すことにより、所望のマ
スクパターンを有するハーフトーン型位相シフトマスク
が得られることを見出し、この知見に基づいて本発明を
完成するに至った。Means for Solving the Problems As a result of intensive studies by the present inventors, a halftone type phase shift mask blank capable of preventing charge accumulation at the time of electron beam writing and electrostatic charge due to static electricity with a simple film structure is obtained. , A halftone phase shift mask blank having a light-semitransmissive film having at least a transition metal and silicon on a transparent substrate and having a sheet resistance of not more than a specific value, having the above-mentioned preferable properties, and It has been found that a halftone type phase shift mask having a desired mask pattern can be obtained by subjecting the phase shift mask blank to a patterning process according to a conventional method, and the present invention has been completed based on this finding.
【００１２】すなわち、本発明は、（１） 透明基板上
に光半透過膜を有し、この光半透過膜が、遷移金属とケ
イ素とを少なくとも含む膜からなり、かつ前記光半透過
膜のシート抵抗が５×１０7Ω／□以下であることを特
徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク、
（２）上記位相シフトマスクブランクにおける光半透過
膜に、所定のパターンに従ってその一部を除去するパタ
ーニング処理を施すことにより、光透過部と光半透過部
とからなるマスクパターンを形成してなることを特徴と
するハーフトーン型位相シフトマスク、および（３）上
記ハーフトーン型位相シフトマスクを用いてパターン転
写を行うことを特徴とするリソグラフィー方法、を提供
するものである。That is, the present invention (1) has a light-semitransmissive film on a transparent substrate, and the light-semitransmissive film is composed of a film containing at least a transition metal and silicon. A halftone type phase shift mask blank having a sheet resistance of 5 × 10 7 Ω / □ or less,
(2) The light-semitransmissive film in the phase shift mask blank is subjected to a patterning process of removing a part of the light-semitransmissive film in accordance with a predetermined pattern to form a mask pattern including a light-transmissive portion and a light-semitransmissive portion. A halftone phase shift mask characterized by the above, and (3) a lithography method characterized by performing pattern transfer using the halftone phase shift mask.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】本発明のハーフトーン型位相シフ
トマスクブランクは、透明基板上に光半透過膜を有する
ものであって、該透明基板の材料については特に制限は
なく、従来、位相シフトマスクブランクに慣用されてい
るもの、例えばソーダ石灰ガラスやホワイトクラウンの
ようなソーダライムガラス；ホウケイ酸ガラス、無アル
カリガラス、アルミノケイ酸ガラスのような低膨張ガラ
ス；合成石英のような石英ガラス、あるいはポリエステ
ルフィルムのようなプラスチックフィルムなどが用いら
れるが、ＬＳＩやＬＣＤ用マスクの基板材料としては、
ソーダ石灰ガラスおよび石英ガラスが好適である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The halftone type phase shift mask blank of the present invention has a light-semitransmissive film on a transparent substrate, and there is no particular limitation on the material of the transparent substrate. Conventional mask blanks such as soda lime glass such as soda lime glass or white crown; low expansion glass such as borosilicate glass, alkali-free glass, aluminosilicate glass; quartz glass such as synthetic quartz, or A plastic film such as a polyester film is used, but as a substrate material for an LSI or LCD mask,
Soda-lime glass and quartz glass are preferred.
【００１４】一方、上記透明基板上に設けられる光半透
過膜は、実質的に露光に寄与しない強度の光を透過する
性質と、露光光の位相を所定量シフトさせる性質とを有
するとともに、マスクパターンを形成する際のレジスト
への電子線描画時に電荷が帯電しない程度以上の導電性
を有するものである。本発明においては、このような特
性を有する光半透過膜としては、遷移金属とケイ素とを
少なくとも含む膜が用いられる。光半透過膜はさらに酸
素および／または窒素を含むことができる。On the other hand, the light semi-transmissive film provided on the transparent substrate has a property of transmitting light of an intensity not substantially contributing to exposure and a property of shifting the phase of exposure light by a predetermined amount, and a mask. It has a conductivity higher than an electric charge is not charged when drawing an electron beam on a resist when forming a pattern. In the present invention, a film containing at least a transition metal and silicon is used as the light-semitransmissive film having such characteristics. The light semi-transmissive film may further contain oxygen and / or nitrogen.
【００１５】上記遷移金属としては、特に制限はなく、
周期律表IVＢ族、ＶＢ族、VIＢ族に属する金属元素の中
から適宜選ぶのがよい。このような遷移金属の例として
は、チタニウム、ジルコニウム、バナジウム、ニオビウ
ム、タンタル、クロム、モリブデン、タングステンなど
を挙げることができるが、これらの中で、チタニウム、
タンタル、クロム、モリブデン、タングステンが性能の
面などから好適である。これらの遷移金属は単独で用い
てもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。The transition metal is not particularly limited,
It is preferable to appropriately select from metal elements belonging to groups IVB, VB and VIB of the periodic table. Examples of such transition metals include titanium, zirconium, vanadium, niobium, tantalum, chromium, molybdenum, tungsten, and the like. Among these, titanium,
Tantalum, chromium, molybdenum, and tungsten are preferable in terms of performance. These transition metals may be used alone or in combination of two or more.
【００１６】本発明のハーフトーン型位相シフトマスク
ブランクにおける光半透過膜の成膜方法としては特に制
限はなく、従来公知の方法、例えばスパッタリング法、
遷移金属とケイ素の組成を調整したタブレットを用いる
ＥＢ蒸着法、イオンプレーティング法などの中から、状
況に応じて適宜選ぶことができるが、これらの中で、特
にスパッタリング法が好適である。例えば、アルゴンな
どの不活性ガス、酸素、窒素および窒素酸化物の中から
選ばれる少なくとも１種を含むスパッタガス中におい
て、前記遷移金属とケイ素とを含有するターゲットをス
パッタリングして、透明基板上に、シート抵抗が５×１
０7Ω／□以下の光半透過膜を形成することにより、本
発明のハーフトーン型位相シフトマスクブランクを製造
することができる。ここで、スパッタガスとしてはアル
ゴンなどの不活性ガスのみまたはこれと酸素や窒素や窒
素酸化物ガスとの混合ガスが用いられる。酸素ガスおよ
び窒素ガスは、膜中にそれぞれ酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）
を導入するためのものであり、一方、窒素酸化物ガス
は、膜中に酸素（Ｏ）と窒素（Ｎ）とを導入するための
ものである。この窒素酸化物ガスとしては特に制限はな
いが、一酸化窒素（ＮＯ）ガスや二酸化窒素ガス（ＮＯ
2）が好ましい。The method for forming the light semi-transmissive film in the halftone type phase shift mask blank of the present invention is not particularly limited, and a conventionally known method such as a sputtering method,
The method can be appropriately selected from the EB vapor deposition method, the ion plating method, and the like using a tablet in which the composition of the transition metal and silicon is adjusted, and among these, the sputtering method is particularly preferable. For example, in a sputtering gas containing at least one selected from an inert gas such as argon, oxygen, nitrogen and nitrogen oxides, a target containing the transition metal and silicon is sputtered to form a transparent substrate on a transparent substrate. , Sheet resistance is 5 × 1
The halftone type phase shift mask blank of the present invention can be manufactured by forming a light semi-transmissive film having a resistance of 0 7 Ω / □ or less. Here, as the sputtering gas, only an inert gas such as argon or a mixed gas of this with an oxygen, nitrogen or nitrogen oxide gas is used. Oxygen gas and nitrogen gas are oxygen (O) and nitrogen (N) in the film, respectively.
On the other hand, the nitrogen oxide gas is for introducing oxygen (O) and nitrogen (N) into the film. The nitrogen oxide gas is not particularly limited, but nitric oxide (NO) gas or nitrogen dioxide gas (NO
2 ) is preferred.
【００１７】また、膜の透過率と導電率を制御するため
には、反応ガスとして酸素ガスのみを用いる場合には、
スパッタガス総流量の１５〜６０％程度の酸素ガスを導
入するのが望ましく、また反応ガスとして窒素ガスのみ
を用いる場合には、スパッタガス総流量の１５〜１００
％程度の窒素ガスを導入するのが望ましい。さらに、反
応ガスとして酸素ガスと窒素ガスを用いる場合には、ス
パッタガス総流量の１５〜５５％程度の酸素ガスおよび
１５〜８０％程度の窒素ガスを導入するのが望ましい。
なお、ＮやＯの膜中への導入方法は、上記の酸素ガスや
窒素ガスや窒素酸化物ガスの使用に限られるものではな
く、上述のような効果が期待できる場合、他の酸素化合
物や窒素化合物（例えばＮＨ3ガス）を使用してもよ
い。また、スパッタリング法としては特に制限はなく、
従来公知の方法、例えばＤＣスパッタリング法、ＲＦマ
グネトロンスパッタリング法などが好ましく用いられ
る。なお、スパッタリング時の基板加熱や、成膜後のア
ニーリングなどを適宜行ってもよい。さらに、ターゲッ
ト組成としては、遷移金属とケイ素との原子比が３０：
１〜１：２０の範囲にあるのが好ましい。Further, in order to control the permeability and conductivity of the film, when only oxygen gas is used as the reaction gas,
It is desirable to introduce oxygen gas in an amount of about 15 to 60% of the total sputter gas flow rate, and when only nitrogen gas is used as a reaction gas, the sputter gas total flow rate is 15 to 100%.
It is desirable to introduce nitrogen gas of about%. Further, when oxygen gas and nitrogen gas are used as the reaction gas, it is desirable to introduce oxygen gas of about 15 to 55% and nitrogen gas of about 15 to 80% of the total flow rate of the sputtering gas.
The method of introducing N or O into the film is not limited to the use of the above oxygen gas, nitrogen gas, or nitrogen oxide gas, and when the above effects can be expected, other oxygen compounds or Nitrogen compounds (eg NH 3 gas) may also be used. Moreover, there is no particular limitation as to the sputtering method,
A conventionally known method such as a DC sputtering method or an RF magnetron sputtering method is preferably used. Note that substrate heating during sputtering, annealing after film formation, and the like may be performed as appropriate. Further, the target composition has an atomic ratio of transition metal to silicon of 30:
It is preferably in the range of 1 to 1:20.
【００１８】このようにして形成された光半透過膜の膜
厚ｄは、位相シフト量をφ、屈折率をｎ、露光光の波長
をλとすると、次の（Ｉ）式で決定される。The film thickness d of the light-semitransmissive film thus formed is determined by the following equation (I), where φ is the phase shift amount, n is the refractive index, and λ is the wavelength of the exposure light. .
【００１９】 ｄ＝（φ／３６０）×｛λ／（ｎ−１）｝ …（１） （１）式において、位相シフト量φは１８０°であるこ
とが理想的であるが、実用的な位相シフト量は１６０°
≦φ≦２００°であればよい。D = (φ / 360) × {λ / (n−1)} (1) In the equation (1), the phase shift amount φ is ideally 180 °, but it is practical. Phase shift amount is 160 °
It is sufficient that ≦ φ ≦ 200 °.
【００２０】本発明のハーフトーン型位相シフトマスク
は、前記のようにして得られたハーフトーン型位相シフ
トマスクブランクにおける光半透過膜に、所定のパター
ンに従ってその一部を除去するパターニング処理を施
し、光透過部と光半透過部とからなるマスクパターンを
形成することにより得られる。In the halftone type phase shift mask of the present invention, the light semitransmissive film in the halftone type phase shift mask blank obtained as described above is subjected to a patterning process for removing a part thereof in accordance with a predetermined pattern. It can be obtained by forming a mask pattern including a light transmitting portion and a light semi-transmitting portion.
【００２１】図１は本発明のハーフトーン型位相シフト
マスクブランクおよびハーフトーン型位相シフトマスク
を示す図であり、更に具体的には図１（ａ）がハーフト
ーン型位相シフトマスクブランクの１例の断面図であ
り、図１（ｂ）がハーフトーン型位相シフトマスクの１
例の断面図である。FIG. 1 is a diagram showing a halftone type phase shift mask blank and a halftone type phase shift mask of the present invention. More specifically, FIG. 1A shows an example of a halftone type phase shift mask blank. FIG. 1B is a cross-sectional view of the halftone phase shift mask 1
It is sectional drawing of an example.
【００２２】ハーフトーン型位相シフトマスクブランク
は図１（ａ）に示されるように、透明基板１の上に光半
透過膜２ａが形成されたものである。また、ハーフトー
ン型位相シフトマスクは図１（ｂ）に示されるように、
図１（ａ）に示されるハーフトーン型位相シフトマスク
ブランクの光半透過膜２ａに所定のパターンにしたがっ
てその一部を除去するパターニング処理を施して、光半
透過部２と光透過部３とで構成されるマスクパターンを
形成したものである。As shown in FIG. 1A, the halftone type phase shift mask blank has a light semitransmissive film 2a formed on a transparent substrate 1. Further, as shown in FIG. 1 (b), the halftone type phase shift mask
The light semi-transmissive film 2a of the halftone type phase shift mask blank shown in FIG. 1A is subjected to a patterning process for removing a part of the light semi-transmissive film 2a according to a predetermined pattern. Is formed.
【００２３】本発明の位相シフトマスクブランクにおけ
る光半透過膜が遷移金属とケイ素と酸素および／または
窒素とから構成されている場合、該膜中の遷移金属とケ
イ素が、酸化ケイ素および／または窒化ケイ素中に含有
されているものが好ましく、また、露光光に対する光透
過率は、マスクパターンの光転写の際に用いるレジスト
の感度にもよるが、一般的には４〜２０％であるのが好
ましく、５〜１５％が特に好ましい。これは、光透過率
が４％未満の場合は、図１（ｂ）において、光半透過部
２と光透過部３との境界部を通過する光同士の位相ずれ
による相殺効果が充分得られず、また、２０％を超える
場合は、光半透過部２を通過してきた光によってもレジ
ストが感光してしまう恐れがあるためである。この光半
透過膜２ａ、光半透過部２の単位膜厚当たりの光透過率
は、遷移金属とケイ素あるいは遷移金属とケイ素と酸素
および／または窒素の含有率を選定することにより選ぶ
ことができる。When the light-semitransmissive film in the phase shift mask blank of the present invention is composed of a transition metal, silicon, oxygen and / or nitrogen, the transition metal and silicon in the film are silicon oxide and / or nitriding. It is preferably contained in silicon, and the light transmittance to exposure light is generally 4 to 20%, though it depends on the sensitivity of the resist used in the light transfer of the mask pattern. It is preferably 5% to 15%, and particularly preferably 5%. This is because when the light transmittance is less than 4%, in FIG. 1B, a sufficient offset effect due to a phase shift between lights passing through the boundary between the light semi-transmissive portion 2 and the light transmissive portion 3 can be obtained. On the other hand, if it exceeds 20%, the resist may be exposed even by light passing through the light semi-transmissive portion 2. The light transmittance of the light semi-transmissive film 2a and the light semi-transmissive portion 2 per unit film thickness can be selected by selecting the content rates of transition metal and silicon or transition metal, silicon and oxygen and / or nitrogen. .
【００２４】また、本発明のハーフトーン型位相シフト
マスクブランクとしては、光半透過膜の可視域における
透過率が３０〜７０％の範囲にあるものが好適である。
このような可視域における透過率を有することにより、
マスクの位置合わせ（アライメント）のために、新たに
アライメントマークを形成するための膜を形成する必要
がなくなる。As the halftone type phase shift mask blank of the present invention, it is preferable that the light semitransmissive film has a transmittance in the visible region of 30 to 70%.
By having such a transmittance in the visible range,
It is not necessary to form a new film for forming an alignment mark for mask alignment.
【００２５】さらに、本発明のハーフトーン型位相シフ
トマスクブランクとしては、光半透過膜のシート抵抗が
５×１０7Ω／□以下である。その理由は、シート抵抗
が５×１０7Ω／□を超えると、電子線照射により打ち
込まれた電子を充分に導電しがたいためである。この導
電性を得るためには、酸素（Ｏ）や窒素（Ｎ）の含有率
を選定することによって選ぶことができる。この場合、
先に述べたように酸素（Ｏ）や窒素（Ｎ）の含有率を増
せば光透過率は増加するが、反面、導電率は低下する傾
向にある。また屈折率、反射率、吸収係数等の特性を遷
移金属、Ｓｉ、Ｏ、Ｎの組成により好適に選ぶことがで
きる。Further, in the halftone type phase shift mask blank of the present invention, the sheet resistance of the light semi-transmissive film is 5 × 10 7 Ω / □ or less. The reason is that if the sheet resistance exceeds 5 × 10 7 Ω / □, it is difficult to sufficiently conduct electrons injected by electron beam irradiation. In order to obtain this conductivity, it can be selected by selecting the content rates of oxygen (O) and nitrogen (N). in this case,
As described above, increasing the content of oxygen (O) or nitrogen (N) increases the light transmittance, but on the other hand, the conductivity tends to decrease. Further, characteristics such as a refractive index, a reflectance and an absorption coefficient can be suitably selected depending on the composition of transition metal, Si, O and N.
【００２６】本発明のハーフトーン型位相シフトマスク
ブランクにおいて、光半透過膜における各構成元素の比
率については、該光半透過膜が前記した特性を有するよ
うに適宜選べばよく、特に制限はないが、一般的には、
遷移金属：ケイ素：酸素および／または窒素との割合
が、原子比で１０〜５５％：１５〜８０％：７０％以下
の範囲で選定される。In the halftone type phase shift mask blank of the present invention, the ratio of each constituent element in the light semi-transmissive film may be appropriately selected so that the light semi-transmissive film has the characteristics described above, and there is no particular limitation. But in general,
The ratio of transition metal: silicon: oxygen and / or nitrogen is selected in the atomic ratio range of 10 to 55%: 15 to 80%: 70% or less.
【００２７】次に、本発明のハーフトーン型位相シフト
マスクの製造方法の好適な例について、図２を参照しな
がら説明する。Next, a preferred example of the method of manufacturing the halftone type phase shift mask of the present invention will be described with reference to FIG.
【００２８】図２は、本発明のハーフトーン型位相シフ
トマスクの製造工程の１例の説明図であって、まず、透
明基板１の表面に上記のように光半透過膜２ａを形成し
て得られた位相シフトマスクブランクを用意する［図２
（ａ）参照］。次いで、この位相シフトマスクブランク
の光半透過膜２ａ上に、４０００〜６０００オングスト
ローム程度の厚さの電子線レジスト膜を形成し［（図２
（ｂ）参照］、所定のパターンに従って電子線を照射し
たのち、レジストの現像処理を行ってレジストパターン
４を形成する［（図２（ｃ）参照］。次に、レジストパ
ターン４をマスクとして、光半透過膜２ａをドライエッ
チング処理したのち［（図２（ｄ）参照］、残存レジス
トパターン４を剥離することにより、光半透過部２ａお
よび光透過部３を有する本発明のハーフトーン型位相シ
フトマスクが得られる［（図２（ｅ）参照］。FIG. 2 is an explanatory view of an example of the manufacturing process of the halftone type phase shift mask of the present invention. First, the light semitransmissive film 2a is formed on the surface of the transparent substrate 1 as described above. The obtained phase shift mask blank is prepared [Fig. 2
(A)]. Next, an electron beam resist film having a thickness of about 4000 to 6000 Å is formed on the light semi-transmissive film 2a of the phase shift mask blank [(FIG.
(See (b)], and after irradiating an electron beam according to a predetermined pattern, the resist is developed to form a resist pattern 4 [see FIG. 2 (c)]. Next, using the resist pattern 4 as a mask, After the light semi-transmissive film 2a is dry-etched [see FIG. 2 (d)], the residual resist pattern 4 is peeled off to obtain the half-tone phase of the present invention having the light semi-transmissive portion 2a and the light transmissive portion 3. A shift mask is obtained [(see FIG. 2E)].
【００２９】このようにして得られた本発明のハーフト
ーン型位相シフトマスクは、図３の説明図で示されるよ
うに、露光光Ｌ0が照射された場合、この露光光Ｌ0が、
光半透過部２を通過して図示していない被転写体に達す
る光Ｌ1と光透過部３を通過して同じく被転写体に達す
る光Ｌ2とに別れる。この場合、光半透過部２を通過し
た光Ｌ1の強度は、実質的にレジストの露光に寄与しな
い程度の弱い光である。一方、光透過部３を通過した光
Ｌ2は実質的に露光に寄与する強い光である。したがっ
て、これによりパターン露光が可能となる。この際、回
折現象によって光半透過部２と光透過部３との境界を通
過する光が互いに相手の領域に回り込みをおこすが、両
者の光の位相はほぼ反転した関係になるため、境界部近
傍では互いの光が相殺し合うことで実質的な光強度が減
衰する。これによって、境界が極めて明確となり解像度
が向上する。The halftone phase shift mask of the present invention obtained in this manner, as shown in the illustration of FIG. 3, when the exposure light L 0 is emitted, the exposure light L 0,
It breaks up into a light L 2 reaching the light semi-transmitting portion 2 passes through the through the light L 1 and the light transmitting portion 3 to reach the transfer object (not shown) similarly the transfer member. In this case, the intensity of the light L 1 that has passed through the light semi-transmissive portion 2 is weak so that it does not substantially contribute to the exposure of the resist. On the other hand, the light L 2 that has passed through the light transmitting portion 3 is a strong light that substantially contributes to the exposure. Therefore, this enables pattern exposure. At this time, the light passing through the boundary between the light semi-transmissive portion 2 and the light transmissive portion 3 wraps around to the other region due to the diffraction phenomenon. In the vicinity, the light cancels each other, so that the substantial light intensity is attenuated. This makes the boundaries very clear and improves the resolution.
【００３０】本発明はまた、前記ハーフトーン型位相シ
フトマスクを用いてパターン転写を行うリソグラフィー
方法をも提供するものである。The present invention also provides a lithographic method for transferring a pattern using the halftone type phase shift mask.
【００３１】このリソグラフィー方法については、マス
クとして本発明のハーフトーン型位相シフトマスクを用
いる方法であれば、特に制限されず、従来ＬＳＩなどの
製造において慣用されている方法を用いることができ
る。The lithography method is not particularly limited as long as it is a method using the halftone type phase shift mask of the present invention as a mask, and a method conventionally used in the manufacture of LSI or the like can be used.
【００３２】例えば、被加工層を表面に形成した基板上
にレジスト層を設けたのち、本発明のハーフトーン型位
相シフトマスクを介して、該レジスト層に紫外線、ｇ
線、ｉ線、Ｄｅｅｐ ＵＶ、エキシマレーザー光、エッ
クス線などを選択的に照射する。次いで現像工程におい
て不必要な部分のレジスト層を除去し、基板上にレジス
トパターンを形成させたのち、このレジストパターンを
マスクとして被加工層をエッチング処理し、次いで該レ
ジストパターンを除去することにより、マスクパターン
に忠実なパターンを基板上に形成することができる。For example, after a resist layer is provided on a substrate having a layer to be processed formed on it, ultraviolet rays and g are applied to the resist layer through the halftone type phase shift mask of the present invention.
Line, i-line, deep UV, excimer laser light, X-ray, etc. are selectively irradiated. Then, the resist layer of an unnecessary portion in the developing step is removed, after forming a resist pattern on the substrate, the layer to be processed is subjected to etching treatment using this resist pattern as a mask, and then the resist pattern is removed, A pattern faithful to the mask pattern can be formed on the substrate.
【００３３】[0033]
【作用】上述の本発明のハーフトーン型位相シフトマス
クブランクは、光半透過部を形成するための光半透過膜
を有し、この光半透過膜が、遷移金属とケイ素あるいは
遷移金属とケイ素と酸素および／または窒素とを主な構
成要素とする膜からなっており、この膜は、実質的に露
光に寄与しない強度の光を透過する性質と、露光光の位
相を所定量シフトさせる性質とを有するとともに、電子
線描画の際に電荷が帯電しない程度以上の導電性を有
し、かつ導電性の幅広い制御性をも兼ね備えたものであ
ることから、単純な膜構成により電子線描画時の電荷蓄
積や静電気の帯電による影響を防止しつつ再現性の高い
パターニングが可能となった。The halftone type phase shift mask blank of the present invention described above has a light-semitransmissive film for forming a light-semitransmissive portion, and the light-semitransmissive film is a transition metal and silicon or a transition metal and silicon. And a film containing oxygen and / or nitrogen as main constituents. This film has a property of transmitting light having an intensity that does not substantially contribute to exposure and a property of shifting the phase of exposure light by a predetermined amount. In addition to having, and having a conductivity not lower than the electric charge during electron beam drawing and having a wide controllability of conductivity, a simple film structure is used for electron beam drawing. It is possible to perform highly reproducible patterning while preventing the effects of charge accumulation and static electricity charging.
【００３４】また、本発明のハーフトーン型位相シフト
マスクブランクを用いることにより、好適な位相シフト
マスクを得ることができる。Further, a suitable phase shift mask can be obtained by using the halftone type phase shift mask blank of the present invention.
【００３５】[0035]
【実施例】次に、本発明を実施例により、さらに詳細に
説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定
されるものではない。EXAMPLES The present invention will now be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
【００３６】（実施例１） （１）ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造 図１（ａ）に示すハーフトーン型位相シフトマスクブラ
ンクを次のようにして製造した。Example 1 (1) Manufacture of Halftone Phase Shift Mask Blank The halftone phase shift mask blank shown in FIG. 1A was manufactured as follows.
【００３７】透明基板１として、主表面を鏡面研磨した
石英ガラス基板を用い、この基板上に、ターゲット組成
比がタングステン（Ｗ）とケイ素（Ｓｉ）との原子比で
１：１、スパッタガスの組成がアルゴンと酸素との容量
比で１：１である条件にて、ＲＦマグネトロンスパッタ
リング法により、膜厚１２４０オングストロームの光半
透過膜を形成し、ハーフトーン型位相シフトマスクブラ
ンクを製造した。形成された光半透過膜の屈折率ｎは
２．０、λ＝２４８ｎｍのときの透過率は８．０％、
Ｗ：Ｓｉ：Ｏの原子比は２６：２９：４５、シート抵抗
は３．０×１０6Ω／□未満であった。A quartz glass substrate whose main surface is mirror-polished is used as the transparent substrate 1, and a target composition ratio of tungsten (W) to silicon (Si) is 1: 1 on the substrate, and a sputtering gas is used. A half-tone phase shift mask blank was manufactured by forming an optical semi-transmissive film having a film thickness of 1240 Å by RF magnetron sputtering under the condition that the composition was 1: 1 by volume ratio of argon and oxygen. The formed light-semitransmissive film has a refractive index n of 2.0 and a transmittance of 8.0% when λ = 248 nm.
The atomic ratio of W: Si: O was 26:29:45, and the sheet resistance was less than 3.0 × 10 6 Ω / □.
【００３８】図４は、このようにして得られたハーフト
ーン型位相シフトマスクブランクの光半透過膜の波長に
対する光透過率の依存関係を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing the dependence of the light transmittance on the wavelength of the light semi-transmissive film of the halftone type phase shift mask blank thus obtained.
【００３９】また、この光半透過膜について、その膜表
面からの深さ方向への原子の分布を、ＥＳＣＡ（Ｅlect
ron Ｓpectroscopy for Ｃhemical Ａnalysis）により
分析した。その結果を図５に示す。図５において、Ｘ軸
が結合エネルギー（ＢＩＮＤＩＮＧ ＥＮＥＲＧＹ）
（ｅＶ）、Ｙ軸が原子数に対応する量、Ｚ軸がサイクル
数（ＣＹＣＬＥＳ）（膜表面からの深さに対応し、数字
が小さいほど初期の膜表面に近い）を示す。この図よ
り、膜中にＳｉＯ2が含まれていることが分かる。With respect to this light-semitransmissive film, the distribution of atoms in the depth direction from the film surface was determined by ESCA (Elect
ron Spectroscopy for Chemical Analysis). The result is shown in FIG. In FIG. 5, the X axis is the binding energy (BINDING ENERGY).
(EV), the Y axis represents the amount corresponding to the number of atoms, and the Z axis represents the cycle number (CYCLES) (corresponding to the depth from the film surface, the smaller the number, the closer to the initial film surface). From this figure, it can be seen that the film contains SiO 2 .
【００４０】（２）ハーフトーン型位相シフトマスクの
製造 上記（１）で得られたハーフトーン型位相シフトマスク
ブランクを用い、図２の工程図に従って、ハーフトーン
型位相シフトマスクを製造した。(2) Manufacture of halftone type phase shift mask Using the halftone type phase shift mask blank obtained in (1) above, a halftone type phase shift mask was manufactured according to the process chart of FIG.
【００４１】まず、位相シフトマスクブランクの光半透
過膜２ａ上に電子線レジスト膜４ａ（東ソー社製：ＣＭ
Ｓ−Ｍ８）を６０００オングストロームの厚さに形成し
（図２（ｂ）参照）、所定のパターンにしたがって電子
線を照射した後、レジストの現像処理を行なってレジス
トパターン４を形成した（図２（ｃ）参照）。First, an electron beam resist film 4a (manufactured by Tosoh Corporation: CM) is formed on the light semitransmissive film 2a of the phase shift mask blank.
S-M8) was formed to a thickness of 6000 angstroms (see FIG. 2B), irradiated with an electron beam according to a predetermined pattern, and then subjected to a resist developing process to form a resist pattern 4 (FIG. 2). (C)).
【００４２】次に、レジストパターン４をマスクとして
光半透過膜２ａを反応性ドライエッチング方式（ＲＩ
Ｅ）平行平板型ドライエッチング装置を用いて、ドライ
エッチング処理した（図２（ｄ）参照）。Next, using the resist pattern 4 as a mask, the light semi-transmissive film 2a is subjected to a reactive dry etching method (RI
E) Dry etching was performed using a parallel plate type dry etching apparatus (see FIG. 2D).
【００４３】ドライエッチング処理後、残存レジストパ
ターン４を剥離することにより、光半透過部２および光
透過部３を有する位相シフトマスクを得た（図２（ｅ）
参照）。After the dry etching treatment, the residual resist pattern 4 was peeled off to obtain a phase shift mask having a light semi-transmissive portion 2 and a light transmissive portion 3 (FIG. 2 (e)).
reference).
【００４４】本実施例によれば、位相シフトマスクブラ
ンクにおける光半透過膜２ａが、前述のように３．０×
１０6Ω／□未満のシート抵抗を有するため、位相シフ
トマスクブランクの作成においてレジストパターンの形
成のために行なう電子線照射によって打ち込まれた電子
が帯電することを充分に防止できるものであった。According to this embodiment, the light-semitransmissive film 2a in the phase shift mask blank is 3.0 × as described above.
Since it has a sheet resistance of less than 10 6 Ω / □, it is possible to sufficiently prevent the electrons hit by the electron beam irradiation for forming the resist pattern in the production of the phase shift mask blank from being charged.
【００４５】また、本実施例の位相シフトマスクブラン
クにおける光半透過膜２ａは、透明基板１とのエッチン
グ選択比（光半透過膜のエッチング速度／透明基板のエ
ッチング速度）が３以上であるため、適宜な条件でのエ
ッチングを行なうことにより、透明基板１をほとんど傷
つけずに光半透過膜２ａのエッチングを行なうことがで
きた。Further, the light semi-transmissive film 2a in the phase shift mask blank of this embodiment has an etching selection ratio (etching rate of the light semi-transmissive film / etching rate of the transparent substrate) of 3 or more with respect to the transparent substrate 1. By performing the etching under appropriate conditions, the light semi-transmissive film 2a could be etched with almost no damage to the transparent substrate 1.
【００４６】また、本実施例において、光半透過膜２ａ
（光半透過部２）は、透明基板１との充分な付着性を有
しており、通常のフォトマスク作成の洗浄工程で行なわ
れる超音波洗浄やスクラブ洗浄にも耐えることができ、
さらに耐酸性に優れているため、上記洗浄工程で行なわ
れる熱濃硫酸洗浄あるいは過酸化水素と濃硫酸との混合
液による洗浄に充分耐え得るものであった。Further, in this embodiment, the light semi-transmissive film 2a is used.
The (light-semitransmissive portion 2) has sufficient adhesiveness with the transparent substrate 1, and can withstand ultrasonic cleaning and scrub cleaning performed in a cleaning process for producing a normal photomask.
Further, since it is excellent in acid resistance, it can sufficiently withstand washing with hot concentrated sulfuric acid or washing with a mixed solution of hydrogen peroxide and concentrated sulfuric acid performed in the washing step.
【００４７】また、図４に示すように、可視域における
透過率が４２％程度であり、実施例１と同様にマスクの
位置合わせ（アライメント）のために新たにアライメン
トマークを形成するための膜を形成する必要がない。Further, as shown in FIG. 4, the transmittance in the visible region is about 42%, and a film for forming a new alignment mark for alignment (alignment) of the mask as in the first embodiment. Need not be formed.
【００４８】本実施例の位相シフトマスクを使用したと
ころ、従来の位相シフトマスクと同様の焦点深度が得ら
れた。When the phase shift mask of this embodiment was used, the same depth of focus as that of the conventional phase shift mask was obtained.
【００４９】（実施例２） （１）ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造 実施例１（１）において、ターゲット組成比をＷ：Ｓｉ
原子比＝１：２とした以外は、実施例１（１）と同様に
して、ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、透明
基板上に、膜厚１０７８オングストロームの光半透過膜
２ａを形成し、ハーフトーン型位相シフトマスクブラン
クを製造した。形成された光半透過膜の屈折率ｎは２．
１５、λ＝２４８ｎｍのときの透過率は７．０％、Ｗ：
Ｓｉ：Ｏの原子比は１３：３３：５４、シート抵抗は
４．０×１０6Ω／□未満であった。(Example 2) (1) Manufacture of halftone type phase shift mask blank In Example 1 (1), the target composition ratio was W: Si.
In the same manner as in Example 1 (1) except that the atomic ratio was 1: 2, the light semi-transmissive film 2a having a film thickness of 1078 angstrom was formed on the transparent substrate by the RF magnetron sputtering method to obtain the halftone type. A phase shift mask blank was manufactured. The refractive index n of the formed light translucent film is 2.
15, the transmittance at λ = 248 nm is 7.0%, W:
The atomic ratio of Si: O was 13:33:54 and the sheet resistance was less than 4.0 × 10 6 Ω / □.
【００５０】（２）ハーフトーン型位相シフトマスクの
製造 上記（１）で得られたハーフトーン型位相シフトマスク
ブランクを用い、実施例１（２）と同様にして、ハーフ
トーン型位相シフトマスクを製造した。(2) Manufacture of halftone type phase shift mask Using the halftone type phase shift mask blank obtained in the above (1), a halftone type phase shift mask was prepared in the same manner as in Example 1 (2). Manufactured.
【００５１】本実施例によれば、位相シフトマスクブラ
ンクにおける光半透過膜２ａが、前述のように４．０×
１０6Ω／□未満のシート抵抗を有するので、位相シフ
トマスクの作成においてレジストパターンの形成のため
に行なう電子線照射によって打ち込まれた電子が帯電す
ることを充分に防止できるものであった。According to the present embodiment, the light semi-transmissive film 2a in the phase shift mask blank is 4.0 × as described above.
Since it has a sheet resistance of less than 10 6 Ω / □, it is possible to sufficiently prevent the electrons hit by the electron beam irradiation for forming the resist pattern in forming the phase shift mask from being charged.
【００５２】また、本実施例の位相シフトマスクブラン
クにおける光半透過膜２ａは、透明基板１とのエッチン
グ選択比（光半透過膜のエッチング速度／透明基板のエ
ッチング速度）が３以上であり、適宜な条件でのエッチ
ングを行なうことにより、透明基板１をほとんど傷つけ
ずに光半透過膜２ａのエッチングを行なうことができ
た。Further, the light semi-transmissive film 2a in the phase shift mask blank of this embodiment has an etching selection ratio with respect to the transparent substrate 1 (etching rate of the light semi-transmissive film / etching rate of the transparent substrate) of 3 or more, By performing the etching under appropriate conditions, the light semi-transmissive film 2a could be etched with almost no damage to the transparent substrate 1.
【００５３】また、本実施例において、光半透過膜２ａ
（光半透過部２）は、透明基板１との充分な付着性を有
しており、通常のフォトマスク作成の洗浄工程で行なわ
れる超音波洗浄やスクラブ洗浄にも耐えることができ、
さらに耐酸性に優れているため、上記洗浄工程で行なわ
れる熱濃硫酸洗浄あるいは過酸化水素と濃硫酸との混合
液による洗浄に充分耐え得るものであった。Further, in this embodiment, the light semi-transmissive film 2a is used.
The (light-semitransmissive portion 2) has sufficient adhesiveness with the transparent substrate 1, and can withstand ultrasonic cleaning and scrub cleaning performed in a cleaning process for producing a normal photomask.
Further, since it is excellent in acid resistance, it can sufficiently withstand washing with hot concentrated sulfuric acid or washing with a mixed solution of hydrogen peroxide and concentrated sulfuric acid performed in the washing step.
【００５４】また、可視域における透過率が４１％程度
であり、実施例１と同様にマスクの位置合わせ（アライ
メント）のために新たにアライメントマークを形成する
ための膜を形成する必要がない。Further, since the transmittance in the visible region is about 41%, it is not necessary to form a new film for forming an alignment mark for the mask alignment (alignment) as in the first embodiment.
【００５５】本実施例の位相シフトマスクを使用したと
ころ、従来の位相シフトマスクと同様の焦点深度が得ら
れた。When the phase shift mask of this embodiment was used, the same depth of focus as that of the conventional phase shift mask was obtained.
【００５６】（実施例３） （１）ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造 図１（ａ）に示すハーフトーン型位相シフトマスクブラ
ンクを次のようにして製造した。Example 3 (1) Manufacture of Halftone Phase Shift Mask Blank The halftone phase shift mask blank shown in FIG. 1A was manufactured as follows.
【００５７】透明基板１として、主表面を鏡面研磨した
石英ガラス基板を用い、この基板上に、ターゲット組成
比がタングステン（Ｗ）とケイ素（Ｓｉ）との原子比で
１：１、スパッタガスの組成がアルゴンと窒素との容量
比で１：３である条件にて、ＲＦマグネトロンスパッタ
リング法により、膜厚１０３３オングストロームの光半
透過膜を形成し、ハーフトーン型位相シフトマスクブラ
ンクを製造した。形成された光半透過膜の屈折率ｎは
２．２、λ＝２４８ｎｍのときの透過率は７．５％、
Ｗ：Ｓｉ：Ｎの原子比は２９：３０：４１、シート抵抗
は３．８×１０4Ω／□未満であった。As the transparent substrate 1, a quartz glass substrate whose main surface is mirror-polished is used, and a target composition ratio of tungsten (W) to silicon (Si) is 1: 1 and a sputtering gas is used. A half-tone phase shift mask blank was manufactured by forming an optical semi-transmissive film having a film thickness of 1033 angstrom by an RF magnetron sputtering method under the condition that the composition is a volume ratio of argon to nitrogen of 1: 3. The refractive index n of the formed light semi-transmissive film is 2.2, and the transmittance at λ = 248 nm is 7.5%.
The atomic ratio of W: Si: N was 29:30:41, and the sheet resistance was less than 3.8 × 10 4 Ω / □.
【００５８】（２）ハーフトーン型位相シフトマスクの
製造 上記（１）で得られたハーフトーン型位相シフトマスク
ブランクを用い、実施例１（２）と同様にして、ハーフ
トーン型位相シフトマスクを製造した。(2) Manufacture of halftone type phase shift mask Using the halftone type phase shift mask blank obtained in (1) above, a halftone type phase shift mask was prepared in the same manner as in Example 1 (2). Manufactured.
【００５９】本実施例によれば、位相シフトマスクブラ
ンクにおける光半透過膜２ａが、前述のように３．８×
１０4Ω／□未満のシート抵抗を有するため、位相シフ
トマスクブランクの作成においてレジストパターンの形
成のために行なう電子線照射によって打ち込まれた電子
が帯電することを充分に防止できるものであった。According to this embodiment, the light semi-transmissive film 2a in the phase shift mask blank is 3.8 × as described above.
Since it has a sheet resistance of less than 10 4 Ω / □, it is possible to sufficiently prevent the electrons hit by the electron beam irradiation for forming the resist pattern in the production of the phase shift mask blank from being charged.
【００６０】また、本実施例の位相シフトマスクブラン
クにおける光半透過膜２ａは、透明基板１とのエッチン
グ選択比（光半透過膜のエッチング速度／透明基板のエ
ッチング速度）が３以上であるため、適宜な条件でのエ
ッチングを行なうことにより、透明基板１をほとんど傷
つけずに光半透過膜２ａのエッチングを行なうことがで
きた。Further, the light semi-transmissive film 2a in the phase shift mask blank of this embodiment has an etching selection ratio (etching rate of the light semi-transmissive film / etching rate of the transparent substrate) of 3 or more with respect to the transparent substrate 1. By performing the etching under appropriate conditions, the light semi-transmissive film 2a could be etched with almost no damage to the transparent substrate 1.
【００６１】また、本実施例において、光半透過膜２ａ
（光半透過部２）は、透明基板１との充分な付着性を有
しており、通常のフォトマスク作成の洗浄工程で行なわ
れる超音波洗浄やスクラブ洗浄にも耐えることができ、
さらに耐酸性に優れているため、上記洗浄工程で行なわ
れる熱濃硫酸洗浄あるいは過酸化水素と濃硫酸との混合
液による洗浄に充分耐え得るものであった。Further, in this embodiment, the light semi-transmissive film 2a is used.
The (light-semitransmissive portion 2) has sufficient adhesiveness with the transparent substrate 1, and can withstand ultrasonic cleaning and scrub cleaning performed in a cleaning process for producing a normal photomask.
Further, since it is excellent in acid resistance, it can sufficiently withstand washing with hot concentrated sulfuric acid or washing with a mixed solution of hydrogen peroxide and concentrated sulfuric acid performed in the washing step.
【００６２】また、可視域における透過率が５２％程度
であり、実施例１と同様にマスクの位置合わせ（アライ
メント）のために新たにアライメントマークを形成する
ための膜を形成する必要がない。Further, since the transmittance in the visible region is about 52%, it is not necessary to form a new film for forming an alignment mark for the mask alignment (alignment) as in the first embodiment.
【００６３】本実施例の位相シフトマスクを使用したと
ころ、従来の位相シフトマスクと同様の焦点深度が得ら
れた。When the phase shift mask of this embodiment was used, the same depth of focus as that of the conventional phase shift mask was obtained.
【００６４】（実施例４） （１）ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造 実施例３（１）において、ターゲット組成比をＷ：Ｓｉ
原子比＝１：２とした以外は、実施例３（１）と同様に
して、ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、透明
基板上に、膜厚９５４オングストロームの光半透過膜２
ａを形成し、ハーフトーン型位相シフトマスクブランク
を製造した。形成された光半透過膜の屈折率ｎは２．
５、λ＝２４８ｎｍのときの透過率は６．５％、Ｗ：Ｓ
ｉ：Ｎの原子比は１４：３０：５６、シート抵抗は５．
０×１０4Ω／□未満であった。(Example 4) (1) Manufacture of a halftone type phase shift mask blank In Example 3 (1), the target composition ratio was W: Si.
The light semi-transmissive film 2 having a film thickness of 954 Å was formed on the transparent substrate by the RF magnetron sputtering method in the same manner as in Example 3 (1) except that the atomic ratio was 1: 2.
a was formed, and a halftone type phase shift mask blank was manufactured. The refractive index n of the formed light translucent film is 2.
5, the transmittance at λ = 248 nm is 6.5%, W: S
The atomic ratio of i: N is 14:30:56, and the sheet resistance is 5.
It was less than 0 × 10 4 Ω / □.
【００６５】（２）ハーフトーン型位相シフトマスクの
製造 上記（１）で得られたハーフトーン型位相シフトマスク
ブランクを用い、実施例１（２）と同様にして、ハーフ
トーン型位相シフトマスクを製造した。(2) Manufacture of halftone type phase shift mask Using the halftone type phase shift mask blank obtained in (1) above, a halftone type phase shift mask was prepared in the same manner as in Example 1 (2). Manufactured.
【００６６】本実施例によれば、位相シフトマスクブラ
ンクにおける光半透過膜２ａが、前述のように５．０×
１０4Ω／□未満のシート抵抗を有するので、位相シフ
トマスクの作成においてレジストパターンの形成のため
に行なう電子線照射によって打ち込まれた電子が帯電す
ることを充分に防止できるものであった。According to this embodiment, the light semi-transmissive film 2a in the phase shift mask blank is 5.0 × as described above.
Since it has a sheet resistance of less than 10 4 Ω / □, it is possible to sufficiently prevent charging of the electron implanted by the electron beam irradiation for forming the resist pattern in forming the phase shift mask.
【００６７】また、本実施例の位相シフトマスクブラン
クにおける光半透過膜２ａは、透明基板１とのエッチン
グ選択比（光半透過膜のエッチング速度／透明基板のエ
ッチング速度）が３以上であり、適宜な条件でのエッチ
ングを行なうことにより、透明基板１をほとんど傷つけ
ずに光半透過膜２ａのエッチングを行なうことができ
た。Further, the light semi-transmissive film 2a in the phase shift mask blank of this embodiment has an etching selection ratio with respect to the transparent substrate 1 (etching rate of light semi-transmissive film / etching rate of transparent substrate) of 3 or more, By performing the etching under appropriate conditions, the light semi-transmissive film 2a could be etched with almost no damage to the transparent substrate 1.
【００６８】また、本実施例において、光半透過膜２ａ
（光半透過部２）は、透明基板１との充分な付着性を有
しており、通常のフォトマスク作成の洗浄工程で行なわ
れる超音波洗浄やスクラブ洗浄にも耐えることができ、
さらに耐酸性に優れているため、上記洗浄工程で行なわ
れる熱濃硫酸洗浄あるいは過酸化水素と濃硫酸との混合
液による洗浄に充分耐え得るものであった。Further, in this embodiment, the light semi-transmissive film 2a is used.
The (light-semitransmissive portion 2) has sufficient adhesiveness with the transparent substrate 1, and can withstand ultrasonic cleaning and scrub cleaning performed in a cleaning process for producing a normal photomask.
Further, since it is excellent in acid resistance, it can sufficiently withstand washing with hot concentrated sulfuric acid or washing with a mixed solution of hydrogen peroxide and concentrated sulfuric acid performed in the washing step.
【００６９】また、可視域における透過率が４０％程度
であり、実施例１と同様にマスクの位置合わせ（アライ
メント）のために新たにアライメントマークを形成する
ための膜を形成する必要がない。Further, since the transmittance in the visible region is about 40%, it is not necessary to form a film for forming a new alignment mark for the mask alignment (alignment) as in the first embodiment.
【００７０】本実施例の位相シフトマスクを使用したと
ころ、従来の位相シフトマスクと同様の焦点深度が得ら
れた。When the phase shift mask of this embodiment was used, the same depth of focus as that of the conventional phase shift mask was obtained.
【００７１】（実施例５） （１）ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造 図１（ａ）に示すハーフトーン型位相シフトマスクブラ
ンクを次のようにして製造した。Example 5 (1) Production of Halftone Phase Shift Mask Blank The halftone phase shift mask blank shown in FIG. 1A was produced as follows.
【００７２】透明基板１として、主表面を鏡面研磨した
石英ガラス基板を用い、この基板上に、ターゲット組成
比がタングステン（Ｗ）とケイ素（Ｓｉ）との原子比で
１：１、スパッタガスの組成がアルゴンと酸素と窒素と
の容量比で１：１：２である条件にて、ＲＦマグネトロ
ンスパッタリング法により、膜厚１０９７オングストロ
ームの光半透過膜を形成し、ハーフトーン型位相シフト
マスクブランクを製造した。形成された光半透過膜の屈
折率ｎは２．１３、λ＝２４８ｎｍのときの透過率は
７．８％、Ｗ：Ｓｉ：Ｏ：Ｎ＝１９：２２：３７：２
２、シート抵抗は５．２×１０5Ω／□未満であった。As the transparent substrate 1, a quartz glass substrate whose main surface is mirror-polished is used, and a target composition ratio of tungsten (W) to silicon (Si) is 1: 1 on the substrate. A half-tone phase shift mask blank was prepared by forming an optical semi-transmissive film having a film thickness of 1097 angstroms by RF magnetron sputtering under the condition that the composition is a volume ratio of argon: oxygen: nitrogen of 1: 1: 2. Manufactured. The formed light semi-transmissive film has a refractive index n of 2.13, a transmittance of 7.8% when λ = 248 nm, and W: Si: O: N = 19: 22: 37: 2.
2. The sheet resistance was less than 5.2 × 10 5 Ω / □.
【００７３】（２）ハーフトーン型位相シフトマスクの
製造 上記（１）で得られたハーフトーン型位相シフトマスク
ブランクを用い、実施例１（２）と同様にして、ハーフ
トーン型位相シフトマスクを製造した。(2) Manufacture of halftone type phase shift mask Using the halftone type phase shift mask blank obtained in the above (1), a halftone type phase shift mask was prepared in the same manner as in Example 1 (2). Manufactured.
【００７４】本実施例によれば、光半透過膜２ａが、前
述のようにシート抵抗５．２×１０5Ω／□未満である
ため、レジストパターンの形成のために行なう電子線照
射によって打ち込まれた電子が帯電することを充分に防
止できるものであった。According to this embodiment, since the light semi-transmissive film 2a has a sheet resistance of less than 5.2 × 10 5 Ω / □ as described above, it is implanted by electron beam irradiation for forming a resist pattern. It was possible to sufficiently prevent the generated electrons from being charged.
【００７５】また、本実施例において、光半透過膜２ａ
は、透明基板１とのエッチング選択比（光半透過膜のエ
ッチング速度／透明基板のエッチング速度）が３以上で
あり、適宜な条件でのエッチングを行なうことにより、
透明基板１をほとんど傷つけずに光半透過膜２ａのエッ
チングを行なうことができた。Further, in this embodiment, the light semi-transmissive film 2a is used.
The etching selectivity with respect to the transparent substrate 1 (the etching rate of the light semi-transmissive film / the etching rate of the transparent substrate) is 3 or more, and by performing etching under appropriate conditions,
The light translucent film 2a could be etched without substantially damaging the transparent substrate 1.
【００７６】また、本実施例において、光半透過膜２ａ
（光半透過部２）は、透明基板１との充分な付着性を有
しており、通常のフォトマスク作成の洗浄工程で行なわ
れる超音波洗浄やスクラブ洗浄にも耐えることができ、
さらに耐酸性に優れているため、上記洗浄工程で行なわ
れる熱濃硫酸洗浄あるいは過酸化水素と濃硫酸との混合
液による洗浄に充分耐え得るものであった。In the present embodiment, the light semi-transmissive film 2a is also used.
The (light-semitransmissive portion 2) has sufficient adhesiveness with the transparent substrate 1, and can withstand ultrasonic cleaning and scrub cleaning performed in a cleaning process for producing a normal photomask.
Further, since it is excellent in acid resistance, it can sufficiently withstand washing with hot concentrated sulfuric acid or washing with a mixed solution of hydrogen peroxide and concentrated sulfuric acid performed in the washing step.
【００７７】また、可視域における透過率が４５％程度
であり、実施例１と同様にマスクの位置合わせ（アライ
メント）のために新たにアライメントマークを形成する
ための膜を形成する必要がない。Since the transmittance in the visible region is about 45%, it is not necessary to form a new film for forming an alignment mark for the mask alignment (alignment) as in the first embodiment.
【００７８】本実施例の位相シフトマスクを使用したと
ころ、従来の位相シフトマスクと同様の焦点深度が得ら
れた。When the phase shift mask of this example was used, the same depth of focus as that of the conventional phase shift mask was obtained.
【００７９】（実施例６） （１）ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造 実施例５（１）において、ターゲット組成比をＷ：Ｓｉ
原子比＝１：２とした以外は、実施例５（１）と同様に
して、ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、透明
基板上に、膜厚９９２オングストロームの光半透過膜２
ａを形成し、ハーフトーン型位相シフトマスクブランク
を製造した。形成された光半透過膜の屈折率ｎは２．２
５、λ＝２４８ｎｍのときの透過率は６．８％、Ｗ：Ｓ
ｉ：Ｏ：Ｎ＝１３：２６：４０：２１、シート抵抗１．
３×１０6Ω／□未満であった。Example 6 (1) Manufacture of Halftone Phase Shift Mask Blank In Example 5 (1), the target composition ratio was W: Si.
The light semi-transmissive film 2 having a film thickness of 992 angstrom was formed on the transparent substrate by the RF magnetron sputtering method in the same manner as in Example 5 (1) except that the atomic ratio was 1: 2.
a was formed, and a halftone type phase shift mask blank was manufactured. The refractive index n of the formed light semi-transmissive film is 2.2.
5, the transmittance at λ = 248 nm is 6.8%, W: S
i: O: N = 13: 26: 40: 21, sheet resistance 1.
It was less than 3 × 10 6 Ω / □.
【００８０】（２）ハーフトーン型位相シフトマスクの
製造 上記（１）で得られたハーフトーン型位相シフトマスク
ブランクを用い、実施例１（２）と同様にして、ハーフ
トーン型位相シフトマスクを製造した。(2) Manufacture of halftone type phase shift mask Using the halftone type phase shift mask blank obtained in the above (1), a halftone type phase shift mask was prepared in the same manner as in Example 1 (2). Manufactured.
【００８１】本実施例によれば、位相シフトマスクブラ
ンクにおける光半透過膜２ａが、前述のように１．３×
１０6Ω／□未満のシート抵抗を有するので、位相シフ
トマスクの作成においてレジストパターンの形成のため
に行なう電子線照射によって打ち込まれた電子が帯電す
ることを充分に防止できるものであった。According to this embodiment, the light-semitransmissive film 2a in the phase shift mask blank is 1.3 × as described above.
Since it has a sheet resistance of less than 10 6 Ω / □, it is possible to sufficiently prevent the electrons hit by the electron beam irradiation for forming the resist pattern in forming the phase shift mask from being charged.
【００８２】また、本実施例の位相シフトマスクブラン
クにおける光半透過膜２ａは、透明基板１とのエッチン
グ選択比（光半透過膜のエッチング速度／透明基板のエ
ッチング速度）が３以上であり、適宜な条件でのエッチ
ングを行なうことにより、透明基板１をほとんど傷つけ
ずに光半透過膜２ａのエッチングを行なうことができ
た。Further, the light semi-transmissive film 2a in the phase shift mask blank of this embodiment has an etching selection ratio with respect to the transparent substrate 1 (etching rate of light semi-transmissive film / etching rate of transparent substrate) of 3 or more, By performing the etching under appropriate conditions, the light semi-transmissive film 2a could be etched with almost no damage to the transparent substrate 1.
【００８３】また、本実施例において、光半透過膜２ａ
（光半透過部２）は、透明基板１との充分な付着性を有
しており、通常のフォトマスク作成の洗浄工程で行なわ
れる超音波洗浄やスクラブ洗浄にも耐えることができ、
さらに耐酸性に優れているため、上記洗浄工程で行なわ
れる熱濃硫酸洗浄あるいは過酸化水素と濃硫酸との混合
液による洗浄に充分耐え得るものであった。Further, in this embodiment, the light semi-transmissive film 2a is used.
The (light-semitransmissive portion 2) has sufficient adhesiveness with the transparent substrate 1, and can withstand ultrasonic cleaning and scrub cleaning performed in a cleaning process for producing a normal photomask.
Further, since it is excellent in acid resistance, it can sufficiently withstand washing with hot concentrated sulfuric acid or washing with a mixed solution of hydrogen peroxide and concentrated sulfuric acid performed in the washing step.
【００８４】また、可視域における透過率が４３％程度
であり、実施例１と同様にマスクの位置合わせ（アライ
メント）のために新たにアライメントマークを形成する
ための膜を形成する必要がない。Further, since the transmittance in the visible region is about 43%, it is not necessary to form a new film for forming an alignment mark for the mask alignment (alignment) as in the first embodiment.
【００８５】本実施例の位相シフトマスクを使用したと
ころ、従来の位相シフトマスクと同様の焦点深度が得ら
れた。When the phase shift mask of this embodiment was used, the same depth of focus as that of the conventional phase shift mask was obtained.
【００８６】（実施例７） （１）ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造 実施例１（１）において、遷移金属としてタングステン
の代わりにタンタル（Ｔａ）を用い、ターゲット組成比
をＴａ：Ｓｉ原子比＝１：１とした以外は、実施例１
（１）と同様にして、ＲＦマグネトロンスパッタリング
法により、透明基板上に、膜厚１１２７オングストロー
ムの光半透過膜２ａを形成し、ハーフトーン型位相シフ
トマスクブランクを製造した。形成された光半透過膜の
屈折率ｎは２．１、λ＝２４８ｎｍのときの透過率は
９．５％、Ｔａ：Ｓｉ：Ｏの原子比は２５：３０：４
５、シート抵抗は２．５×１０6Ω／□未満であった。Example 7 (1) Production of Halftone Phase Shift Mask Blank In Example 1 (1), tantalum (Ta) was used as the transition metal instead of tungsten, and the target composition ratio was Ta: Si atom. Example 1 except that the ratio was 1: 1
In the same manner as (1), the light semi-transmissive film 2a having a film thickness of 1127 angstrom was formed on the transparent substrate by the RF magnetron sputtering method to manufacture a halftone type phase shift mask blank. The formed light semi-transmissive film has a refractive index n of 2.1, a transmittance of 9.5% when λ = 248 nm, and an atomic ratio of Ta: Si: O of 25: 30: 4.
5. The sheet resistance was less than 2.5 × 10 6 Ω / □.
【００８７】（２）ハーフトーン型位相シフトマスクの
製造 上記（１）で得られたハーフトーン型位相シフトマスク
ブランクを用い、実施例１（２）と同様にして、ハーフ
トーン型位相シフトマスクを製造した。(2) Manufacture of halftone type phase shift mask Using the halftone type phase shift mask blank obtained in the above (1), a halftone type phase shift mask was prepared in the same manner as in Example 1 (2). Manufactured.
【００８８】本実施例によれば、光半透過膜２ａが、前
述のようにシート抵抗２．５×１０6Ω／□未満である
ため、レジストパターンの形成のために行なう電子線照
射によって打ち込まれた電子が帯電することを充分に防
止できるものであった。According to this embodiment, since the light semi-transmissive film 2a has a sheet resistance of less than 2.5 × 10 6 Ω / □ as described above, it is implanted by electron beam irradiation for forming a resist pattern. It was possible to sufficiently prevent the generated electrons from being charged.
【００８９】また、本実施例において、光半透過膜２ａ
は、透明基板１とのエッチング選択比（光半透過膜のエ
ッチング速度／透明基板のエッチング速度）が３以上で
あり、適宜な条件でのエッチングを行なうことにより、
透明基板１をほとんど傷つけずに光半透過膜２ａのエッ
チングを行なうことができた。Further, in this embodiment, the light semi-transmissive film 2a is used.
The etching selectivity with respect to the transparent substrate 1 (the etching rate of the light semi-transmissive film / the etching rate of the transparent substrate) is 3 or more, and by performing etching under appropriate conditions,
The light translucent film 2a could be etched without substantially damaging the transparent substrate 1.
【００９０】また、本実施例において、光半透過膜２ａ
（光半透過部２）は、透明基板１との充分な付着性を有
しており、通常のフォトマスク作成の洗浄工程で行なわ
れる超音波洗浄やスクラブ洗浄にも耐えることができ、
さらに耐酸性に優れているため、上記洗浄工程で行なわ
れる熱濃硫酸洗浄あるいは過酸化水素と濃硫酸との混合
液による洗浄に充分耐え得るものであった。In this embodiment, the light semi-transmissive film 2a is also used.
The (light-semitransmissive portion 2) has sufficient adhesiveness with the transparent substrate 1, and can withstand ultrasonic cleaning and scrub cleaning performed in a cleaning process for producing a normal photomask.
Further, since it is excellent in acid resistance, it can sufficiently withstand washing with hot concentrated sulfuric acid or washing with a mixed solution of hydrogen peroxide and concentrated sulfuric acid performed in the washing step.
【００９１】また、可視域における透過率が５５％程度
であり、実施例１と同様にマスクの位置合わせ（アライ
メント）のために新たにアライメントマークを形成する
ための膜を形成する必要がない。Further, since the transmittance in the visible region is about 55%, it is not necessary to form a film for forming a new alignment mark for mask alignment (alignment) as in the first embodiment.
【００９２】本実施例の位相シフトマスクを使用したと
ころ、従来の位相シフトマスクと同様の焦点深度が得ら
れた。When the phase shift mask of this example was used, the same depth of focus as that of the conventional phase shift mask was obtained.
【００９３】（実施例８） （１）ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造 実施例１（１）において、遷移金属としてタングステン
の代わりにタンタル（Ｔａ）を用い、ターゲット組成比
をＴａ：Ｓｉ原子比＝１：２とした以外は、実施例１
（１）と同様にして、ＲＦマグネトロンスパッタリング
法により、透明基板上に、膜厚１０９７オングストロー
ムの光半透過膜２ａを形成し、ハーフトーン型位相シフ
トマスクブランクを製造した。形成された光半透過膜の
屈折率ｎは２．１３、λ＝２４８ｎｍのときの透過率は
７．７％、Ｔａ：Ｓｉ：Ｏの原子比は１２：３５：５
３、シート抵抗は３．２×１０6Ω／□未満であった。Example 8 (1) Production of Halftone Phase Shift Mask Blank In Example 1 (1), tantalum (Ta) was used as the transition metal instead of tungsten, and the target composition ratio was Ta: Si atoms. Example 1 except that the ratio was 1: 2
In the same manner as in (1), the light semitransmissive film 2a having a film thickness of 1097 angstrom was formed on the transparent substrate by the RF magnetron sputtering method to manufacture a halftone type phase shift mask blank. The formed light-semitransmissive film has a refractive index n of 2.13, a transmittance of 7.7% when λ = 248 nm, and an atomic ratio of Ta: Si: O of 12: 35: 5.
3. The sheet resistance was less than 3.2 × 10 6 Ω / □.
【００９４】（２）ハーフトーン型位相シフトマスクの
製造 上記（１）で得られたハーフトーン型位相シフトマスク
ブランクを用い、実施例１（２）と同様にして、ハーフ
トーン型位相シフトマスクを製造した。(2) Manufacture of halftone type phase shift mask Using the halftone type phase shift mask blank obtained in (1) above, a halftone type phase shift mask was prepared in the same manner as in Example 1 (2). Manufactured.
【００９５】本実施例によれば、光半透過膜２ａが、前
述のように、シート抵抗３．２×１０6Ω／□未満であ
るため、レジストパターンの形成のために行なう電子線
照射によって打ち込まれた電子が帯電することを充分に
防止できるものであった。According to this embodiment, since the light semi-transmissive film 2a has a sheet resistance of less than 3.2 × 10 6 Ω / □, as described above, the light semi-transmissive film 2a is exposed to the electron beam for forming the resist pattern. It was possible to sufficiently prevent charged electrons from being charged.
【００９６】また、本実施例において、光半透過膜２ａ
は、透明基板１とのエッチング選択比（光半透過膜のエ
ッチング速度／透明基板のエッチング速度）が３以上で
あり、適宜な条件でのエッチングを行なうことにより、
透明基板１をほとんど傷つけずに光半透過膜２ａのエッ
チングを行なうことができた。Further, in this embodiment, the light semi-transmissive film 2a is used.
The etching selectivity with respect to the transparent substrate 1 (the etching rate of the light semi-transmissive film / the etching rate of the transparent substrate) is 3 or more, and by performing etching under appropriate conditions,
The light translucent film 2a could be etched without substantially damaging the transparent substrate 1.
【００９７】また、本実施例において、光半透過膜２ａ
（光半透過部２）は、透明基板１との充分な付着性を有
しており、通常のフォトマスク作成の洗浄工程で行なわ
れる超音波洗浄やスクラブ洗浄にも耐えることができ、
さらに耐酸性に優れているため、上記洗浄工程で行なわ
れる熱濃硫酸洗浄あるいは過酸化水素と濃硫酸との混合
液による洗浄に充分耐え得るものであった。In this embodiment, the light semi-transmissive film 2a is also used.
The (light-semitransmissive portion 2) has sufficient adhesiveness with the transparent substrate 1, and can withstand ultrasonic cleaning and scrub cleaning performed in a cleaning process for producing a normal photomask.
Further, since it is excellent in acid resistance, it can sufficiently withstand washing with hot concentrated sulfuric acid or washing with a mixed solution of hydrogen peroxide and concentrated sulfuric acid performed in the washing step.
【００９８】また、可視域における透過率が４５％程度
であり、実施例１と同様にマスクの位置合わせ（アライ
メント）のために新たにアライメントマークを形成する
ための膜を形成する必要がない。Since the transmittance in the visible region is about 45%, it is not necessary to form a new film for forming an alignment mark for the mask alignment (alignment) as in the first embodiment.
【００９９】本実施例の位相シフトマスクを使用したと
ころ、従来の位相シフトマスクと同様の焦点深度が得ら
れた。When the phase shift mask of this embodiment was used, the same depth of focus as that of the conventional phase shift mask was obtained.
【０１００】（実施例９） （１）ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造 実施例３（１）において、遷移金属としてタングステン
の代わりにタンタル（Ｔａ）を用い、ターゲット組成比
をＴａ：Ｓｉ原子比＝１：１とした以外は、実施例１
（１）と同様にして、ＲＦマグネトロンスパッタリング
法により、透明基板上に、膜厚９９２オングストローム
の光半透過膜２ａを形成し、ハーフトーン型位相シフト
マスクブランクを製造した。形成された光半透過膜の屈
折率ｎは２．２５、λ＝２４８ｎｍのときの透過率は
６．８％、Ｔａ：Ｓｉ：Ｎの原子比は２７：３１：４
２、シート抵抗は３．８×１０4Ω／□未満であった。Example 9 (1) Manufacture of Halftone Type Phase Shift Mask Blank In Example 3 (1), tantalum (Ta) was used as the transition metal instead of tungsten, and the target composition ratio was Ta: Si atom. Example 1 except that the ratio was 1: 1
In the same manner as in (1), a light semi-transmissive film 2a having a thickness of 992 Å was formed on a transparent substrate by RF magnetron sputtering, and a halftone phase shift mask blank was manufactured. The refractive index n of the formed light translucent film is 2.25, the transmittance at λ = 248 nm is 6.8%, and the atomic ratio of Ta: Si: N is 27: 31: 4.
2. The sheet resistance was less than 3.8 × 10 4 Ω / □.
【０１０１】（２）ハーフトーン型位相シフトマスクの
製造 上記（１）で得られたハーフトーン型位相シフトマスク
ブランクを用い、実施例１（２）と同様にして、ハーフ
トーン型位相シフトマスクを製造した。(2) Manufacture of halftone type phase shift mask Using the halftone type phase shift mask blank obtained in the above (1), a halftone type phase shift mask was prepared in the same manner as in Example 1 (2). Manufactured.
【０１０２】本実施例によれば、光半透過膜２ａが、前
述のようにシート抵抗３．８×１０4Ω／□未満である
ため、レジストパターンの形成のために行なう電子線照
射によって打ち込まれた電子が帯電することを充分に防
止できるものであった。According to this embodiment, since the light semi-transmissive film 2a has a sheet resistance of less than 3.8 × 10 4 Ω / □ as described above, it is implanted by electron beam irradiation for forming a resist pattern. It was possible to sufficiently prevent the generated electrons from being charged.
【０１０３】また、本実施例において、光半透過膜２ａ
は、透明基板１とのエッチング選択比（光半透過膜のエ
ッチング速度／透明基板のエッチング速度）が３以上で
あり、適宜な条件でのエッチングを行なうことにより、
透明基板１をほとんど傷つけずに光半透過膜２ａのエッ
チングを行なうことができた。Further, in this embodiment, the light semi-transmissive film 2a is used.
The etching selectivity with respect to the transparent substrate 1 (the etching rate of the light semi-transmissive film / the etching rate of the transparent substrate) is 3 or more, and by performing etching under appropriate conditions,
The light translucent film 2a could be etched without substantially damaging the transparent substrate 1.
【０１０４】また、本実施例において、光半透過膜２ａ
（光半透過部２）は、透明基板１との充分な付着性を有
しており、通常のフォトマスク作成の洗浄工程で行なわ
れる超音波洗浄やスクラブ洗浄にも耐えることができ、
さらに耐酸性に優れているため、上記洗浄工程で行なわ
れる熱濃硫酸洗浄あるいは過酸化水素と濃硫酸との混合
液による洗浄に充分耐え得るものであった。Further, in this embodiment, the light semi-transmissive film 2a is used.
The (light-semitransmissive portion 2) has sufficient adhesiveness with the transparent substrate 1, and can withstand ultrasonic cleaning and scrub cleaning performed in a cleaning process for producing a normal photomask.
Further, since it is excellent in acid resistance, it can sufficiently withstand washing with hot concentrated sulfuric acid or washing with a mixed solution of hydrogen peroxide and concentrated sulfuric acid performed in the washing step.
【０１０５】また、可視域における透過率が４３％程度
であり、実施例１と同様にマスクの位置合わせ（アライ
メント）のために新たにアライメントマークを形成する
ための膜を形成する必要がない。Further, since the transmittance in the visible region is about 43%, it is not necessary to form a new film for forming an alignment mark for the mask alignment (alignment) as in the first embodiment.
【０１０６】本実施例の位相シフトマスクを使用したと
ころ、従来の位相シフトマスクと同様の焦点深度が得ら
れた。When the phase shift mask of this example was used, the same depth of focus as that of the conventional phase shift mask was obtained.
【０１０７】（実施例１０） （１）ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造 実施例３（１）において、遷移金属としてタングステン
の代わりにタンタル（Ｔａ）を用い、ターゲット組成比
をＴａ：Ｓｉ原子比＝１：２とした以外は、実施例３
（１）と同様にして、ＲＦマグネトロンスパッタリング
法により、透明基板上に、膜厚１１８１オングストロー
ムの光半透過膜２ａを形成し、ハーフトーン型位相シフ
トマスクブランクを製造した。形成された光半透過膜の
屈折率ｎは２．０５、λ＝２４８ｎｍのときの透過率は
６．０％、Ｔａ：Ｓｉ：Ｎの原子比は１３：３０：５
７、シート抵抗は５．０×１０4Ω／□未満であった。Example 10 (1) Manufacture of Halftone Phase Shift Mask Blank In Example 3 (1), tantalum (Ta) was used as the transition metal instead of tungsten, and the target composition ratio was Ta: Si atom. Example 3 except that the ratio was 1: 2
In the same manner as in (1), a light translucent film 2a having a film thickness of 1181 Å was formed on a transparent substrate by RF magnetron sputtering, and a halftone type phase shift mask blank was manufactured. The refractive index n of the formed light semi-transmissive film is 2.05, the transmittance at λ = 248 nm is 6.0%, and the atomic ratio of Ta: Si: N is 13: 30: 5.
7. The sheet resistance was less than 5.0 × 10 4 Ω / □.
【０１０８】（２）ハーフトーン型位相シフトマスクの
製造 上記（１）で得られたハーフトーン型位相シフトマスク
ブランクを用い、実施例１（２）と同様にして、ハーフ
トーン型位相シフトマスクを製造した。(2) Manufacture of halftone type phase shift mask Using the halftone type phase shift mask blank obtained in the above (1), a halftone type phase shift mask was prepared in the same manner as in Example 1 (2). Manufactured.
【０１０９】本実施例によれば、光半透過膜２ａが、前
述のように、シート抵抗５．０×１０4Ω／□未満であ
るため、レジストパターンの形成のために行なう電子線
照射によって打ち込まれた電子が帯電することを充分に
防止できるものであった。According to the present embodiment, since the light semi-transmissive film 2a has a sheet resistance of less than 5.0 × 10 4 Ω / □ as described above, it is possible to use the electron beam irradiation for forming the resist pattern. It was possible to sufficiently prevent charged electrons from being charged.
【０１１０】また、本実施例において、光半透過膜２ａ
は、透明基板１とのエッチング選択比（光半透過膜のエ
ッチング速度／透明基板のエッチング速度）が３以上で
あり、適宜な条件でのエッチングを行なうことにより、
透明基板１をほとんど傷つけずに光半透過膜２ａのエッ
チングを行なうことができた。Further, in this embodiment, the light semi-transmissive film 2a is used.
The etching selectivity with respect to the transparent substrate 1 (the etching rate of the light semi-transmissive film / the etching rate of the transparent substrate) is 3 or more, and by performing etching under appropriate conditions,
The light translucent film 2a could be etched without substantially damaging the transparent substrate 1.
【０１１１】また、本実施例において、光半透過膜２ａ
（光半透過部２）は、透明基板１との充分な付着性を有
しており、通常のフォトマスク作成の洗浄工程で行なわ
れる超音波洗浄やスクラブ洗浄にも耐えることができ、
さらに耐酸性に優れているため、上記洗浄工程で行なわ
れる熱濃硫酸洗浄あるいは過酸化水素と濃硫酸との混合
液による洗浄に充分耐え得るものであった。Further, in this embodiment, the light semi-transmissive film 2a is used.
The (light-semitransmissive portion 2) has sufficient adhesiveness with the transparent substrate 1, and can withstand ultrasonic cleaning and scrub cleaning performed in a cleaning process for producing a normal photomask.
Further, since it is excellent in acid resistance, it can sufficiently withstand washing with hot concentrated sulfuric acid or washing with a mixed solution of hydrogen peroxide and concentrated sulfuric acid performed in the washing step.
【０１１２】また、可視域における透過率が４０％程度
であり、実施例１と同様にマスクの位置合わせ（アライ
メント）のために新たにアライメントマークを形成する
ための膜を形成する必要がない。Further, since the transmittance in the visible region is about 40%, it is not necessary to form a new film for forming an alignment mark for the mask alignment (alignment) as in the first embodiment.
【０１１３】本実施例の位相シフトマスクを使用したと
ころ、従来の位相シフトマスクと同様の焦点深度が得ら
れた。When the phase shift mask of this example was used, the same depth of focus as that of the conventional phase shift mask was obtained.
【０１１４】（実施例１１） （１）ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造 実施例５（１）において、遷移金属としてタングステン
の代わりにタンタル（Ｔａ）を用い、ターゲット組成比
をＴａ：Ｓｉ原子比＝１：１とした以外は、実施例５
（１）と同様にして、ＲＦマグネトロンスパッタリング
法により、透明基板上に、膜厚１０５１オングストロー
ムの光半透過膜２ａを形成し、ハーフトーン型位相シフ
トマスクブランクを製造した。形成された光半透過膜の
屈折率ｎは２．１８、λ＝２４８ｎｍのときの透過率は
７．２％、Ｔａ：Ｓｉ：Ｏ：Ｎの原子比は１７：２３：
３７：２３、シート抵抗は４．８×１０5Ω／□未満で
あった。Example 11 (1) Manufacture of Halftone Phase Shift Mask Blank In Example 5 (1), tantalum (Ta) was used as the transition metal instead of tungsten, and the target composition ratio was Ta: Si atom. Example 5 except that the ratio was 1: 1
In the same manner as in (1), the light semi-transmissive film 2a having a film thickness of 1051 angstrom was formed on the transparent substrate by the RF magnetron sputtering method to manufacture a halftone type phase shift mask blank. The formed light semi-transmissive film has a refractive index n of 2.18, a transmittance of 7.2% when λ = 248 nm, and an atomic ratio of Ta: Si: O: N is 17:23:
At 37:23, the sheet resistance was less than 4.8 × 10 5 Ω / □.
【０１１５】（２）ハーフトーン型位相シフトマスクの
製造 上記（１）で得られたハーフトーン型位相シフトマスク
ブランクを用い、実施例１（２）と同様にして、ハーフ
トーン型位相シフトマスクを製造した。(2) Manufacture of halftone type phase shift mask Using the halftone type phase shift mask blank obtained in (1) above, a halftone type phase shift mask was prepared in the same manner as in Example 1 (2). Manufactured.
【０１１６】本実施例によれば、光半透過膜２ａが、前
述のようにシート抵抗４．８×１０5Ω／□未満である
ため、レジストパターンの形成のために行なう電子線照
射によって打ち込まれた電子が帯電することを充分に防
止できるものであった。According to this embodiment, since the light semi-transmissive film 2a has a sheet resistance of less than 4.8 × 10 5 Ω / □ as described above, it is implanted by electron beam irradiation for forming a resist pattern. It was possible to sufficiently prevent the generated electrons from being charged.
【０１１７】また、本実施例において、光半透過膜２ａ
は、透明基板１とのエッチング選択比（光半透過膜のエ
ッチング速度／透明基板のエッチング速度）が３以上で
あり、適宜な条件でのエッチングを行なうことにより、
透明基板１をほとんど傷つけずに光半透過膜２ａのエッ
チングを行なうことができた。Further, in this embodiment, the light semi-transmissive film 2a is used.
The etching selectivity with respect to the transparent substrate 1 (the etching rate of the light semi-transmissive film / the etching rate of the transparent substrate) is 3 or more, and by performing etching under appropriate conditions,
The light translucent film 2a could be etched without substantially damaging the transparent substrate 1.
【０１１８】また、本実施例において、光半透過膜２ａ
（光半透過部２）は、透明基板１との充分な付着性を有
しており、通常のフォトマスク作成の洗浄工程で行なわ
れる超音波洗浄やスクラブ洗浄にも耐えることができ、
さらに耐酸性に優れているため、上記洗浄工程で行なわ
れる熱濃硫酸洗浄あるいは過酸化水素と濃硫酸との混合
液による洗浄に充分耐え得るものであった。Further, in this embodiment, the light semi-transmissive film 2a is used.
The (light-semitransmissive portion 2) has sufficient adhesiveness with the transparent substrate 1, and can withstand ultrasonic cleaning and scrub cleaning performed in a cleaning process for producing a normal photomask.
Further, since it is excellent in acid resistance, it can sufficiently withstand washing with hot concentrated sulfuric acid or washing with a mixed solution of hydrogen peroxide and concentrated sulfuric acid performed in the washing step.
【０１１９】また、可視域における透過率が４４％程度
であり、実施例１と同様にマスクの位置合わせ（アライ
メント）のために新たにアライメントマークを形成する
ための膜を形成する必要がない。Further, since the transmittance in the visible region is about 44%, it is not necessary to form a new film for forming an alignment mark for the mask alignment (alignment) as in the first embodiment.
【０１２０】本実施例の位相シフトマスクを使用したと
ころ、従来の位相シフトマスクと同様の焦点深度が得ら
れた。When the phase shift mask of this example was used, the same depth of focus as that of the conventional phase shift mask was obtained.
【０１２１】（実施例１２） （１）ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造 実施例５（１）において、遷移金属としてタングステン
の代わりにタンタル（Ｔａ）を用い、ターゲット組成比
をＴａ：Ｓｉ原子比＝１：２とした以外は、実施例５
（１）と同様にして、ＲＦマグネトロンスパッタリング
法により、透明基板上に、膜厚１１１７オングストロー
ムの光半透過膜２ａを形成し、ハーフトーン型位相シフ
トマスクブランクを製造した。形成された光半透過膜の
屈折率ｎは２．２１、λ＝２４８ｎｍのときの透過率は
６．５％、Ｔａ：Ｓｉ：Ｏ：Ｎの原子比は１３：２７：
３９：２１、シート抵抗は９．２×１０5Ω／□未満で
あった。Example 12 (1) Manufacture of Halftone Type Phase Shift Mask Blank In Example 5 (1), tantalum (Ta) was used as the transition metal instead of tungsten, and the target composition ratio was Ta: Si atom. Example 5 except that the ratio was 1: 2.
In the same manner as in (1), the semitransparent film 2a having a film thickness of 1117 angstrom was formed on the transparent substrate by the RF magnetron sputtering method to manufacture a halftone type phase shift mask blank. The refractive index n of the formed light semi-transmissive film is 2.21, the transmittance is 6.5% when λ = 248 nm, and the atomic ratio of Ta: Si: O: N is 13:27:
At 39:21, the sheet resistance was less than 9.2 × 10 5 Ω / □.
【０１２２】（２）ハーフトーン型位相シフトマスクの
製造 上記（１）で得られたハーフトーン型位相シフトマスク
ブランクを用い、実施例１（２）と同様にして、ハーフ
トーン型位相シフトマスクを製造した。(2) Manufacture of halftone type phase shift mask Using the halftone type phase shift mask blank obtained in the above (1), a halftone type phase shift mask was prepared in the same manner as in Example 1 (2). Manufactured.
【０１２３】本実施例によれば、光半透過膜２ａが、前
述のように、シート抵抗９．２×１０5Ω／□未満であ
るため、レジストパターンの形成のために行なう電子線
照射によって打ち込まれた電子が帯電することを充分に
防止できるものであった。According to the present embodiment, since the light semi-transmissive film 2a has a sheet resistance of less than 9.2 × 10 5 Ω / □ as described above, it is possible to use the electron beam irradiation for forming the resist pattern. It was possible to sufficiently prevent charged electrons from being charged.
【０１２４】また、本実施例において、光半透過膜２ａ
は、透明基板１とのエッチング選択比（光半透過膜のエ
ッチング速度／透明基板のエッチング速度）が３以上で
あり、適宜な条件でのエッチングを行なうことにより、
透明基板１をほとんど傷つけずに光半透過膜２ａのエッ
チングを行なうことができた。In addition, in this embodiment, the light semi-transmissive film 2a is used.
The etching selectivity with respect to the transparent substrate 1 (the etching rate of the light semi-transmissive film / the etching rate of the transparent substrate) is 3 or more, and by performing etching under appropriate conditions,
The light translucent film 2a could be etched without substantially damaging the transparent substrate 1.
【０１２５】また、本実施例において、光半透過膜２ａ
（光半透過部２）は、透明基板１との充分な付着性を有
しており、通常のフォトマスク作成の洗浄工程で行なわ
れる超音波洗浄やスクラブ洗浄にも耐えることができ、
さらに耐酸性に優れているため、上記洗浄工程で行なわ
れる熱濃硫酸洗浄あるいは過酸化水素と濃硫酸との混合
液による洗浄に充分耐え得るものであった。Further, in this embodiment, the light semi-transmissive film 2a is used.
The (light-semitransmissive portion 2) has sufficient adhesiveness with the transparent substrate 1, and can withstand ultrasonic cleaning and scrub cleaning performed in a cleaning process for producing a normal photomask.
Further, since it is excellent in acid resistance, it can sufficiently withstand washing with hot concentrated sulfuric acid or washing with a mixed solution of hydrogen peroxide and concentrated sulfuric acid performed in the washing step.
【０１２６】また、可視域における透過率が４０％程度
であり、実施例１と同様にマスクの位置合わせ（アライ
メント）のために新たにアライメントマークを形成する
ための膜を形成する必要がない。Further, since the transmittance in the visible region is about 40%, it is not necessary to form a new film for forming an alignment mark for mask alignment (alignment) as in the first embodiment.
【０１２７】本実施例の位相シフトマスクを使用したと
ころ、従来の位相シフトマスクと同様の焦点深度が得ら
れた。When the phase shift mask of this example was used, the same depth of focus as that of the conventional phase shift mask was obtained.
【０１２８】（実施例１３） （１）ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造 図１（ａ）に示すハーフトーン型位相シフトマスクブラ
ンクを次のようにして製造した。Example 13 (1) Production of Halftone Phase Shift Mask Blank The halftone phase shift mask blank shown in FIG. 1A was produced as follows.
【０１２９】透明基板１として、主表面を鏡面研磨した
石英ガラス基板を用い、この基板上に、ターゲット組成
比がタングステン（Ｗ）とケイ素（Ｓｉ）との原子比で
１：１、スパッタガスとしてアルゴンのみを用いる条件
にて、ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、膜厚
８１０オングストロームの光半透過膜を形成し、ハーフ
トーン型位相シフトマスクブランクを製造した。形成さ
れた光半透過膜の屈折率ｎは２．５３、λ＝２４８ｎｍ
のときの透過率は５．１％、Ｗ：Ｓｉの原子比は４７：
５３、シート抵抗は１．５×１０-3Ω／□未満であっ
た。As the transparent substrate 1, a quartz glass substrate whose main surface is mirror-polished is used, and a target composition ratio of tungsten (W) to silicon (Si) is 1: 1 and a sputtering gas is used on the substrate. A half-tone phase shift mask blank was manufactured by forming a light semi-transmissive film with a film thickness of 810 angstroms by an RF magnetron sputtering method under the condition of using only argon. The refractive index n of the formed light semi-transmissive film is 2.53, λ = 248 nm
In this case, the transmittance is 5.1%, and the atomic ratio of W: Si is 47 :.
53, the sheet resistance was less than 1.5 × 10 −3 Ω / □.
【０１３０】（２）ハーフトーン型位相シフトマスクの
製造 上記（１）で得られたハーフトーン型位相シフトマスク
ブランクを用い、実施例１（２）と同様にして、ハーフ
トーン型位相シフトマスクを製造した。(2) Manufacture of halftone type phase shift mask Using the halftone type phase shift mask blank obtained in the above (1), a halftone type phase shift mask was prepared in the same manner as in Example 1 (2). Manufactured.
【０１３１】本実施例によれば、位相シフトマスクブラ
ンクにおける光半透過膜２ａが、前述のように１．５×
１０-3Ω／□未満のシート抵抗を有するため、位相シフ
トマスクブランクの作成においてレジストパターンの形
成のために行なう電子線照射によって打ち込まれた電子
が帯電することを充分に防止できるものであった。According to this embodiment, the light-semitransmissive film 2a in the phase shift mask blank is 1.5 × as described above.
Since it has a sheet resistance of less than 10 −3 Ω / □, it is possible to sufficiently prevent the electrons hit by the electron beam irradiation for forming the resist pattern in the production of the phase shift mask blank from being charged. .
【０１３２】また、本実施例の位相シフトマスクブラン
クにおける光半透過膜２ａは、透明基板１とのエッチン
グ選択比（光半透過膜のエッチング速度／透明基板のエ
ッチング速度）が３以上であるため、適宜な条件でのエ
ッチングを行なうことにより、透明基板１をほとんど傷
つけずに光半透過膜２ａのエッチングを行なうことがで
きた。Further, the light semi-transmissive film 2a in the phase shift mask blank of this embodiment has an etching selection ratio (etching rate of the light semi-transmissive film / etching rate of the transparent substrate) of 3 or more with respect to the transparent substrate 1. By performing the etching under appropriate conditions, the light semi-transmissive film 2a could be etched with almost no damage to the transparent substrate 1.
【０１３３】また、本実施例において、光半透過膜２ａ
（光半透過部２）は、透明基板１との充分な付着性を有
しており、通常のフォトマスク作成の洗浄工程で行なわ
れる超音波洗浄やスクラブ洗浄にも耐えることができ、
さらに耐酸性に優れているため、上記洗浄工程で行なわ
れる熱濃硫酸洗浄あるいは過酸化水素と濃硫酸との混合
液による洗浄に充分耐え得るものであった。Further, in this embodiment, the light semi-transmissive film 2a is used.
The (light-semitransmissive portion 2) has sufficient adhesiveness with the transparent substrate 1, and can withstand ultrasonic cleaning and scrub cleaning performed in a cleaning process for producing a normal photomask.
Further, since it is excellent in acid resistance, it can sufficiently withstand washing with hot concentrated sulfuric acid or washing with a mixed solution of hydrogen peroxide and concentrated sulfuric acid performed in the washing step.
【０１３４】また、可視域における透過率が３５〜４０
％であり、実施例１と同様にマスクの位置合わせ（アラ
イメント）のために新たにアライメントマークを形成す
るための膜を形成する必要がない。Further, the transmittance in the visible region is 35 to 40.
%, And it is not necessary to form a new film for forming an alignment mark for mask alignment (alignment) as in the first embodiment.
【０１３５】本実施例の位相シフトマスクを使用したと
ころ、従来の位相シフトマスクと同様の焦点深度が得ら
れた。When the phase shift mask of this example was used, the same depth of focus as that of the conventional phase shift mask was obtained.
【０１３６】（実施例１４） （１）ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造 実施例１３（１）において、ターゲット組成比をＷ：Ｓ
ｉ原子比＝１：２とした以外は、実施例１３（１）と同
様にして、ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、
透明基板上に、膜厚７７５オングストロームの光半透過
膜２ａを形成し、ハーフトーン型位相シフトマスクブラ
ンクを製造した。形成された光半透過膜の屈折率ｎは
２．６０、λ＝２４８ｎｍのときの透過率は５．５％、
Ｗ：Ｓｉの原子比は２８：７２、シート抵抗は２．０×
１０-3Ω／□未満であった。(Example 14) (1) Production of halftone type phase shift mask blank In Example 13 (1), the target composition ratio was W: S.
By an RF magnetron sputtering method in the same manner as in Example 13 (1) except that the i atomic ratio was 1: 2.
A light-semitransmissive film 2a having a film thickness of 775 Å was formed on a transparent substrate to manufacture a halftone type phase shift mask blank. The refractive index n of the formed light semi-transmissive film is 2.60, and the transmittance when λ = 248 nm is 5.5%,
W: Si atomic ratio is 28:72, sheet resistance is 2.0 ×
It was less than 10 −3 Ω / □.
【０１３７】（２）ハーフトーン型位相シフトマスクの
製造 上記（１）で得られたハーフトーン型位相シフトマスク
ブランクを用い、実施例１（２）と同様にして、ハーフ
トーン型位相シフトマスクを製造した。(2) Manufacture of halftone type phase shift mask Using the halftone type phase shift mask blank obtained in the above (1), a halftone type phase shift mask was prepared in the same manner as in Example 1 (2). Manufactured.
【０１３８】本実施例によれば、位相シフトマスクブラ
ンクにおける光半透過膜２ａが、前述のように２．０×
１０-3Ω／□未満のシート抵抗を有するので、位相シフ
トマスクの作成においてレジストパターンの形成のため
に行なう電子線照射によって打ち込まれた電子が帯電す
ることを充分に防止できるものであった。According to this embodiment, the light-semitransmissive film 2a in the phase shift mask blank is 2.0 × as described above.
Since it has a sheet resistance of less than 10 −3 Ω / □, it is possible to sufficiently prevent the electrons hit by the electron beam irradiation for forming the resist pattern in forming the phase shift mask from being charged.
【０１３９】また、本実施例の位相シフトマスクブラン
クにおける光半透過膜２ａは、透明基板１とのエッチン
グ選択比（光半透過膜のエッチング速度／透明基板のエ
ッチング速度）が３以上であり、適宜な条件でのエッチ
ングを行なうことにより、透明基板１をほとんど傷つけ
ずに光半透過膜２ａのエッチングを行なうことができ
た。The light semi-transmissive film 2a in the phase shift mask blank of this embodiment has an etching selection ratio (etching rate of the light semi-transmissive film / etching rate of the transparent substrate) of 3 or more with respect to the transparent substrate 1, By performing the etching under appropriate conditions, the light semi-transmissive film 2a could be etched with almost no damage to the transparent substrate 1.
【０１４０】また、本実施例において、光半透過膜２ａ
（光半透過部２）は、透明基板１との充分な付着性を有
しており、通常のフォトマスク作成の洗浄工程で行なわ
れる超音波洗浄やスクラブ洗浄にも耐えることができ、
さらに耐酸性に優れているため、上記洗浄工程で行なわ
れる熱濃硫酸洗浄あるいは過酸化水素と濃硫酸との混合
液による洗浄に充分耐え得るものであった。Further, in this embodiment, the light semi-transmissive film 2a is used.
The (light-semitransmissive portion 2) has sufficient adhesiveness with the transparent substrate 1, and can withstand ultrasonic cleaning and scrub cleaning performed in a cleaning process for producing a normal photomask.
Further, since it is excellent in acid resistance, it can sufficiently withstand washing with hot concentrated sulfuric acid or washing with a mixed solution of hydrogen peroxide and concentrated sulfuric acid performed in the washing step.
【０１４１】また、可視域における透過率が３５〜４０
％であり、実施例１と同様にマスクの位置合わせ（アラ
イメント）のために新たにアライメントマークを形成す
るための膜を形成する必要がない。Further, the transmittance in the visible region is 35 to 40.
%, And it is not necessary to form a new film for forming an alignment mark for mask alignment (alignment) as in the first embodiment.
【０１４２】本実施例の位相シフトマスクを使用したと
ころ、従来の位相シフトマスクと同様の焦点深度が得ら
れた。When the phase shift mask of this example was used, the same depth of focus as that of the conventional phase shift mask was obtained.
【０１４３】（実施例１５） （１）ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造 実施例１３（１）において、遷移金属としてタングステ
ンの代わりにタンタル（Ｔａ）を用い、ターゲット組成
比をＴａ：Ｓｉ原子比＝１：１とした以外は、実施例１
３（１）と同様にして、ＲＦマグネトロンスパッタリン
グ法により、透明基板上に、膜厚８００オングストロー
ムの光半透過膜２ａを形成し、ハーフトーン型位相シフ
トマスクブランクを製造した。形成された光半透過膜の
屈折率ｎは２．５５、λ＝２４８ｎｍのときの透過率は
５．１％、Ｔａ：Ｓｉの原子比は４９：５１、シート抵
抗は１．６×１０-3Ω／□未満であった。Example 15 (1) Production of Halftone Type Phase Shift Mask Blank In Example 13 (1), tantalum (Ta) was used as the transition metal instead of tungsten, and the target composition ratio was Ta: Si atom. Example 1 except that the ratio was 1: 1
In the same manner as 3 (1), the light semi-transmissive film 2a having a film thickness of 800 Å was formed on the transparent substrate by the RF magnetron sputtering method to manufacture a halftone type phase shift mask blank. The formed semi-transmissive film has a refractive index n of 2.55, a transmittance of 5.1% when λ = 248 nm, a Ta: Si atomic ratio of 49:51, and a sheet resistance of 1.6 × 10 −. It was less than 3 Ω / □.
【０１４４】（２）ハーフトーン型位相シフトマスクの
製造 上記（１）で得られたハーフトーン型位相シフトマスク
ブランクを用い、実施例１（２）と同様にして、ハーフ
トーン型位相シフトマスクを製造した。(2) Manufacture of halftone type phase shift mask Using the halftone type phase shift mask blank obtained in (1) above, a halftone type phase shift mask was prepared in the same manner as in Example 1 (2). Manufactured.
【０１４５】本実施例によれば、光半透過膜２ａが、前
述のようにシート抵抗１．６×１０-3Ω／□未満である
ため、レジストパターンの形成のために行なう電子線照
射によって打ち込まれた電子が帯電することを充分に防
止できるものであった。According to this embodiment, since the light semi-transmissive film 2a has a sheet resistance of less than 1.6 × 10 −3 Ω / □ as described above, the light semi-transmissive film 2a can be formed by electron beam irradiation for forming a resist pattern. It was possible to sufficiently prevent charged electrons from being charged.
【０１４６】また、本実施例において、光半透過膜２ａ
は、透明基板１とのエッチング選択比（光半透過膜のエ
ッチング速度／透明基板のエッチング速度）が３以上で
あり、適宜な条件でのエッチングを行なうことにより、
透明基板１をほとんど傷つけずに光半透過膜２ａのエッ
チングを行なうことができた。In the present embodiment, the light semi-transmissive film 2a is also used.
The etching selectivity with respect to the transparent substrate 1 (the etching rate of the light semi-transmissive film / the etching rate of the transparent substrate) is 3 or more, and by performing etching under appropriate conditions,
The light translucent film 2a could be etched without substantially damaging the transparent substrate 1.
【０１４７】また、本実施例において、光半透過膜２ａ
（光半透過部２）は、透明基板１との充分な付着性を有
しており、通常のフォトマスク作成の洗浄工程で行なわ
れる超音波洗浄やスクラブ洗浄にも耐えることができ、
さらに耐酸性に優れているため、上記洗浄工程で行なわ
れる熱濃硫酸洗浄あるいは過酸化水素と濃硫酸との混合
液による洗浄に充分耐え得るものであった。Further, in this embodiment, the light semi-transmissive film 2a is used.
The (light-semitransmissive portion 2) has sufficient adhesiveness with the transparent substrate 1, and can withstand ultrasonic cleaning and scrub cleaning performed in a cleaning process for producing a normal photomask.
Further, since it is excellent in acid resistance, it can sufficiently withstand washing with hot concentrated sulfuric acid or washing with a mixed solution of hydrogen peroxide and concentrated sulfuric acid performed in the washing step.
【０１４８】また、可視域における透過率が３５〜４０
％であり、実施例１と同様にマスクの位置合わせ（アラ
イメント）のために新たにアライメントマークを形成す
るための膜を形成する必要がない。Further, the transmittance in the visible region is 35 to 40.
%, And it is not necessary to form a new film for forming an alignment mark for mask alignment (alignment) as in the first embodiment.
【０１４９】本実施例の位相シフトマスクを使用したと
ころ、従来の位相シフトマスクと同様の焦点深度が得ら
れた。When the phase shift mask of this example was used, the same depth of focus as that of the conventional phase shift mask was obtained.
【０１５０】（実施例１６） （１）ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造 実施例１３（１）において、遷移金属としてタングステ
ンの代わりにタンタル（Ｔａ）を用い、ターゲット組成
比をＴａ：Ｓｉ原子比＝１：２とした以外は、実施例１
３（１）と同様にして、ＲＦマグネトロンスパッタリン
グ法により、透明基板上に、膜厚７６５オングストロー
ムの光半透過膜２ａを形成し、ハーフトーン型位相シフ
トマスクブランクを製造した。形成された光半透過膜の
屈折率ｎは２．６２、λ＝２４８ｎｍのときの透過率は
５．７％、Ｔａ：Ｓｉの原子比は３３：６７、シート抵
抗は２．３×１０-3Ω／□未満であった。(Example 16) (1) Production of halftone type phase shift mask blank In Example 13 (1), tantalum (Ta) was used as the transition metal instead of tungsten, and the target composition ratio was Ta: Si atoms. Example 1 except that the ratio was 1: 2
In the same manner as 3 (1), the light semi-transmissive film 2a having a film thickness of 765 Å was formed on the transparent substrate by the RF magnetron sputtering method to manufacture a halftone type phase shift mask blank. The refractive index n of the formed light semi-transmissive film is 2.62, the transmittance when λ = 248 nm is 5.7%, the Ta: Si atomic ratio is 33:67, and the sheet resistance is 2.3 × 10 −. It was less than 3 Ω / □.
【０１５１】（２）ハーフトーン型位相シフトマスクの
製造 上記（１）で得られたハーフトーン型位相シフトマスク
ブランクを用い、実施例１（２）と同様にして、ハーフ
トーン型位相シフトマスクを製造した。(2) Manufacture of halftone type phase shift mask Using the halftone type phase shift mask blank obtained in (1) above, a halftone type phase shift mask was prepared in the same manner as in Example 1 (2). Manufactured.
【０１５２】本実施例によれば、光半透過膜２ａが、前
述のように、シート抵抗２．３×１０-3Ω／□未満であ
るため、レジストパターンの形成のために行なう電子線
照射によって打ち込まれた電子が帯電することを充分に
防止できるものであった。According to this embodiment, since the light semi-transmissive film 2a has a sheet resistance of less than 2.3 × 10 −3 Ω / □ as described above, electron beam irradiation for forming a resist pattern is performed. It was possible to sufficiently prevent the charged electrons from being charged.
【０１５３】また、本実施例において、光半透過膜２ａ
は、透明基板１とのエッチング選択比（光半透過膜のエ
ッチング速度／透明基板のエッチング速度）が３以上で
あり、適宜な条件でのエッチングを行なうことにより、
透明基板１をほとんど傷つけずに光半透過膜２ａのエッ
チングを行なうことができた。Further, in this embodiment, the light semi-transmissive film 2a is used.
The etching selectivity with respect to the transparent substrate 1 (the etching rate of the light semi-transmissive film / the etching rate of the transparent substrate) is 3 or more, and by performing etching under appropriate conditions,
The light translucent film 2a could be etched without substantially damaging the transparent substrate 1.
【０１５４】また、本実施例において、光半透過膜２ａ
（光半透過部２）は、透明基板１との充分な付着性を有
しており、通常のフォトマスク作成の洗浄工程で行なわ
れる超音波洗浄やスクラブ洗浄にも耐えることができ、
さらに耐酸性に優れているため、上記洗浄工程で行なわ
れる熱濃硫酸洗浄あるいは過酸化水素と濃硫酸との混合
液による洗浄に充分耐え得るものであった。In this embodiment, the light semi-transmissive film 2a is also used.
The (light-semitransmissive portion 2) has sufficient adhesiveness with the transparent substrate 1, and can withstand ultrasonic cleaning and scrub cleaning performed in a cleaning process for producing a normal photomask.
Further, since it is excellent in acid resistance, it can sufficiently withstand washing with hot concentrated sulfuric acid or washing with a mixed solution of hydrogen peroxide and concentrated sulfuric acid performed in the washing step.
【０１５５】また、可視域における透過率が３５〜４０
％であり、実施例１と同様にマスクの位置合わせ（アラ
イメント）のために新たにアライメントマークを形成す
るための膜を形成する必要がない。Further, the transmittance in the visible region is 35 to 40.
%, And it is not necessary to form a new film for forming an alignment mark for mask alignment (alignment) as in the first embodiment.
【０１５６】本実施例の位相シフトマスクを使用したと
ころ、従来の位相シフトマスクと同様の焦点深度が得ら
れた。When the phase shift mask of this example was used, the same depth of focus as that of the conventional phase shift mask was obtained.
【０１５７】上述した実施例１〜１６における位相シフ
トマスクブランクの製造条件および物性を表１〜表４に
まとめて示す。Tables 1 to 4 collectively show the manufacturing conditions and physical properties of the phase shift mask blanks in Examples 1 to 16 described above.
【０１５８】[0158]
【表１】 [Table 1]
【０１５９】[0159]
【表２】 [Table 2]
【０１６０】[0160]
【表３】 [Table 3]
【０１６１】[0161]
【表４】 [Table 4]
【０１６２】（実施例１７）上記実施例の試料について
３６５ｎｍでの屈折率を測定し、ハーフトーン型位相シ
フトマスクブランクとしての条件を満たす膜厚において
光半透過膜を作成しその透過率を測定したところ、いず
れも５〜１５％の範囲であり、３６５ｎｍ波長において
もハーフトーン型シフトマスクブランクおよびハーフト
ーン型位相シフトマスクとして使用できることを確認し
た。Example 17 The refractive index at 365 nm was measured for the samples of the above examples, a light semi-transmissive film was formed at a film thickness satisfying the conditions as a halftone type phase shift mask blank, and the transmittance was measured. As a result, it was confirmed that each of them was in the range of 5 to 15% and could be used as a halftone type shift mask blank and a halftone type phase shift mask even at a wavelength of 365 nm.
【０１６３】（実施例１８）上記実施例においてガス導
入条件の内、酸素ガスおよび／または窒素ガスの導入量
を総量に対し各々５〜１０％程度減少させ光半透過膜を
作成し、４３６ｎｍにおける屈折率よりハーフトーン型
位相シフトマスクブランクとしての条件を満たす膜厚に
おいて透過率を測定したところ、いずれも５〜１５％の
範囲であり、導電率を含む他の特性についてもすべて充
分な特性値を満たした状態で４３６ｎｍ波長においても
ハーフトーン型シフトマスクおよびハーフトーン型位相
シフトマスクブランクとして使用できることを確認し
た。(Embodiment 18) Among the gas introduction conditions in the above embodiment, the introduction amount of oxygen gas and / or nitrogen gas was reduced by about 5 to 10% with respect to the total amount to prepare a light semi-transmissive film, and the light semi-transmissive film was formed at 436 nm. The transmittance was measured at a film thickness satisfying the conditions as a halftone type phase shift mask blank from the refractive index, and it was found to be in the range of 5 to 15%. It was confirmed that it can be used as a halftone type shift mask and a halftone type phase shift mask blank even at a wavelength of 436 nm while satisfying the above condition.
【０１６４】[0164]
【発明の効果】以上詳述したように、本発明のハーフト
ーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位
相シフトマスクは、透明基板上に光透過部を形成するた
めの光半透過膜を有し、この光半透過膜が、実質的に露
光に寄与しない強度の光を透過する性質と露光光の位相
を所定量シフトさせる性質とを有すると同時に、電子線
描画の際に電荷が帯電しない程度以上の導電性をも兼ね
備え、自由に制御できるものであることから、単純な膜
構成により電子線描画時の電荷蓄積や静電気による帯電
を防止することが可能となった。As described above in detail, the halftone type phase shift mask blank and the halftone type phase shift mask of the present invention have a light translucent film for forming a light transmissive part on a transparent substrate. The light translucent film has a property of transmitting light having an intensity that does not substantially contribute to exposure and a property of shifting the phase of exposure light by a predetermined amount, and at the same time, does not charge the electron beam at the time of drawing. Since it also has the above conductivity and can be freely controlled, it has become possible to prevent charge accumulation and electrification due to static electricity during electron beam drawing with a simple film configuration.
【図１】本発明のハーフトーン型位相シフトマスクブラ
ンクおよび本発明のハーフトーン型位相シフトマスクを
示す図であり、図１（ａ）がハーフトーン型位相シフト
マスクブランクの１例の断面図、図１（ｂ）がハーフト
ーン型位相シフトマスクの１例の断面図である。FIG. 1 is a diagram showing a halftone type phase shift mask blank of the present invention and a halftone type phase shift mask of the present invention. FIG. 1A is a cross-sectional view of an example of a halftone type phase shift mask blank. FIG. 1B is a sectional view of an example of a halftone type phase shift mask.
【図２】本発明のハーフトーン型位相シフトマスクの製
造工程の１例を示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory view showing an example of a manufacturing process of a halftone type phase shift mask of the present invention.
【図３】ハーフトーン型位相シフトマスクの作用説明図
である。FIG. 3 is an operation explanatory view of a halftone type phase shift mask.
【図４】実施例１で得られたハーフトーン型位相シフト
マスクブランクの光半透過膜の波長に対する光透過率の
依存関係を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing the dependence of the light transmittance on the wavelength of the light semi-transmissive film of the halftone type phase shift mask blank obtained in Example 1.
【図５】実施例１で得られたハーフトーン型位相シフト
マスクブランクにおける光半透過膜の膜表面から深さ方
向への原子の分布をＥＳＣＡによって分析した結果を示
す図である。5 is a diagram showing the results of ESCA analysis of atom distribution in the depth direction from the film surface of the light semitransmissive film in the halftone phase shift mask blank obtained in Example 1. FIG.
１ 透明基板 ２ 光半透過部 ２ａ 光半透過膜 ３ 光透過部 ４ レジストパターン ４ａ レジスト膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Transparent substrate 2 Light semi-transmission part 2a Light semi-transmission film 3 Light transmission part 4 Resist pattern 4a Resist film
Claims (4)
半透過膜が、遷移金属とケイ素とを少なくとも含む膜か
らなり、かつ前記光半透過膜のシート抵抗が５×１０7
Ω／□以下であることを特徴とするハーフトーン型位相
シフトマスクブランク。1. A transparent substrate having a light-semitransmissive film, the light-semitransmissive film comprising a film containing at least a transition metal and silicon, and the light-semitransmissive film having a sheet resistance of 5 × 10 7.
Halftone type phase shift mask blank characterized by being less than Ω / □.
素を含むものである請求項に記載のハーフトーン型位相
シフトマスクブランク。2. The halftone phase shift mask blank according to claim 2, wherein the light semipermeable film further contains oxygen and / or nitrogen.
スクブランクにおける光半透過膜に、所定のパターンに
従ってその一部を除去するパターニング処理を施すこと
により、光透過部と光半透過部とからなるマスクパター
ンを形成してなることを特徴とするハーフトーン型位相
シフトマスク。3. A light-transmissive portion and a light-semitransmissive portion are formed by subjecting the light-semitransmissive film in the phase shift mask blank according to claim 1 or 2 to a patterning process for removing a part thereof in accordance with a predetermined pattern. A halftone type phase shift mask, which is formed by forming a mask pattern consisting of
フトマスクを用いてパターン転写を行うことを特徴とす
るリソグラフィー方法。4. A lithography method, wherein pattern transfer is performed by using the halftone type phase shift mask according to claim 3.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9030673A JPH09251205A (en) | 1997-02-14 | 1997-02-14 | Phase shift mask blank and phase shift mask |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32384593A Division JP2719493B2 (en) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | Phase shift mask blank and phase shift mask |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09251205A true JPH09251205A (en) | 1997-09-22 |
Family
ID=12310250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9030673A Withdrawn JPH09251205A (en) | 1997-02-14 | 1997-02-14 | Phase shift mask blank and phase shift mask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09251205A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6613482B1 (en) | 2000-01-05 | 2003-09-02 | Advantest Corporation | Member used for charged beam processing apparatus, and mask |
| JP2009042742A (en) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | S & S Tech Co Ltd | Gray tone blank mask, gray tone photo-mask, and their manufacturing method |
| TWI400559B (en) * | 2007-01-11 | 2013-07-01 | S&S Tech Co Ltd | Process method of gray tone blankmask and photomask |
-
1997
- 1997-02-14 JP JP9030673A patent/JPH09251205A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6613482B1 (en) | 2000-01-05 | 2003-09-02 | Advantest Corporation | Member used for charged beam processing apparatus, and mask |
| TWI400559B (en) * | 2007-01-11 | 2013-07-01 | S&S Tech Co Ltd | Process method of gray tone blankmask and photomask |
| JP2009042742A (en) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | S & S Tech Co Ltd | Gray tone blank mask, gray tone photo-mask, and their manufacturing method |
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