JPH09249795A - Epoxy resin composition and semiconductor sealing device - Google Patents

Epoxy resin composition and semiconductor sealing device

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JPH09249795A
JPH09249795A JP8877096A JP8877096A JPH09249795A JP H09249795 A JPH09249795 A JP H09249795A JP 8877096 A JP8877096 A JP 8877096A JP 8877096 A JP8877096 A JP 8877096A JP H09249795 A JPH09249795 A JP H09249795A
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JP
Japan
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epoxy resin
resin composition
alumina powder
spherical alumina
butadiene
Prior art date
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Application number
JP8877096A
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Japanese (ja)
Inventor
Tsutomu Minowa
努 蓑輪
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Kyocera Chemical Corp
Original Assignee
Toshiba Chemical Corp
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Publication date
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  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a highly reliable epoxy resin composition excellent in humidity resistance, soldering-heat resistance, moldability, nonabrasiveness to molds, etc., by using a specified epoxy resin, a specified phenol polymer, a methyl methacrylate/butadiene/styrene copolymer resin and a spherical alumina powder. SOLUTION: This composition essentially consists of an epoxy resin (A) represented by formula I, a dicyclopentadiene/phenol polymer (B) represented by formula II (wherein R<1> is Cm H2m+1 ; and (m) and (n) are each 0 or an integer of 1 or greater), a methyl methacrylate/butadiene/styrene copolymer resin (C) and a spherical alumina powder (D) having a maximum particle diameter of 100μm and used in an amount of 25-90wt.% based on the entire composition. A semiconductor chip is sealed with a cured product of the composition.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、耐湿性、成形性、
半田耐熱性に優れ、特性バランスのよい、エポキシ樹脂
組成物および半導体封止装置に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to moisture resistance, moldability,
The present invention relates to an epoxy resin composition and a semiconductor encapsulation device that have excellent solder heat resistance and a good balance of properties.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、ダイオード、トランジスタ、集積
回路等の電子部品を熱硬化性樹脂を用いて封止する方法
が行われてきた。この樹脂封止は、ガラス、金属、セラ
ミックを用いたハーメチックシール方式に比較して経済
的に有利なため、広く実用化されている。封止樹脂とし
ては、熱硬化性樹脂の中でも信頼性と価格の点からエポ
キシ樹脂が一般的に用いられている。エポキシ樹脂に
は、酸無水物、芳香族アミン、ノボラック型フェノール
樹脂等の硬化剤が用いられるが、これらのなかでもノボ
ラック型フェノール樹脂を硬化剤としたエポキシ樹脂
は、他の硬化剤を利用したものに比べて、成形性、信頼
性に優れ、毒性がなく、かつ安価であるため、半導体封
止用樹脂として広く使用されている。また、充填剤とし
ては、一般的に溶融シリカ粉末や結晶性シリカ粉末が前
述の硬化剤とともに使用されている。近年、半導体部品
の表面実装化とさらなる大電力化に伴い、熱放散性がよ
く、半田耐熱性、低応力の半導体封止樹脂の開発が要望
されてきた。
2. Description of the Related Art Conventionally, a method of sealing electronic parts such as diodes, transistors and integrated circuits with a thermosetting resin has been used. This resin sealing is economically advantageous as compared with the hermetic sealing method using glass, metal, and ceramic, and is therefore widely used. As the sealing resin, an epoxy resin is generally used among the thermosetting resins in terms of reliability and price. Hardeners such as acid anhydrides, aromatic amines, and novolac-type phenolic resins are used as epoxy resins. Among these, epoxy resins using novolac-type phenolic resins as hardeners use other hardeners. It is widely used as a resin for semiconductor encapsulation because it is superior in moldability and reliability, has no toxicity, and is inexpensive as compared with the resin. As the filler, fused silica powder or crystalline silica powder is generally used together with the above-mentioned curing agent. In recent years, along with surface mounting of semiconductor components and further increase in power consumption, there has been a demand for development of a semiconductor encapsulating resin having good heat dissipation, solder heat resistance, and low stress.

【0003】しかしながら、ノボラック型フェノール樹
脂を硬化剤としたエポキシ樹脂と溶融シリカ粉末とから
なる樹脂組成物は、熱膨張係数が小さく、耐湿性がよ
く、また温寒サイクル試験によるボンディングワイヤの
オープン、樹脂クラック、ペレットクラック等に優れて
いるという特徴を有するものの、熱伝導率が小さいため
に熱放散性が悪く、消費電力の大きいパワー半導体で
は、その機能が果たせなくなるという欠点がある。一
方、ノボラック型フェノール樹脂を硬化剤としたエポキ
シ樹脂と結晶性シリカ粉末とからなる樹脂組成物は、結
晶性シリカ粉末の配合割合を上げると熱伝導率が大きく
なって、熱放散も良好となるが、熱膨張係数が大きく、
耐湿性に対する信頼性も悪くなるという欠点がある。さ
らにこの樹脂組成物から得られる封止品は、機械的特性
が低下し、また成形時に金型の摩耗が大きいという欠点
があった。従って結晶性シリカ粉末を用いる封止用樹脂
組成物の高熱伝導化にはおのずから限界があった。
However, a resin composition comprising an epoxy resin having a novolac type phenolic resin as a curing agent and a fused silica powder has a small coefficient of thermal expansion, good moisture resistance, and a bonding wire open by a hot and cold cycle test. Although it has a feature that it is excellent in resin cracks, pellet cracks, etc., it has a drawback that its function cannot be fulfilled in a power semiconductor with large heat consumption because of its poor heat dissipation due to its low thermal conductivity. On the other hand, in a resin composition comprising an epoxy resin using a novolac type phenol resin as a curing agent and crystalline silica powder, increasing the compounding ratio of the crystalline silica powder increases the thermal conductivity and also improves heat dissipation. However, the coefficient of thermal expansion is large,
There is a drawback in that the reliability with respect to moisture resistance also deteriorates. Further, the sealed product obtained from this resin composition has the drawbacks that the mechanical properties are deteriorated and that the die is largely worn during molding. Therefore, there is a limit to the high heat conductivity of the sealing resin composition using the crystalline silica powder.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の欠点
を解消するためになされたもので、耐湿性、半田耐熱
性、成形性、特に薄肉部の充填性、耐金型摩耗性に優
れ、熱膨張係数が小さく、熱伝導率、熱放散性がよく、
それらの特性バランスのとれた信頼性の高いエポキシ樹
脂および半導体封止装置を提供しようとするものであ
る。
The present invention has been made to solve the above-mentioned drawbacks, and is excellent in moisture resistance, solder heat resistance, moldability, especially filling property of thin portion, and die abrasion resistance. , Small thermal expansion coefficient, good thermal conductivity and heat dissipation,
It is an object of the present invention to provide a highly reliable epoxy resin and a semiconductor encapsulation device having a good balance of these characteristics.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、特定のエポキシ
樹脂、特定のフェノール性重合体、特定の球状アルミナ
粉末を用いることによって、上記目的が達成できること
を見いだし、本発明を完成したものである。
Means for Solving the Problems As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventor has found that by using a specific epoxy resin, a specific phenolic polymer and a specific spherical alumina powder, The inventors have found that the above objects can be achieved and completed the present invention.

【0006】即ち、本発明は、(A)次の一般式で示さ
れるエポキシ樹脂、
That is, the present invention provides (A) an epoxy resin represented by the following general formula:

【0007】[0007]

【化5】 (B)次の一般式で示されるジシクロペンタジエン・フ
ェノール重合体
Embedded image (B) Dicyclopentadiene / phenolic polymer represented by the following general formula

【0008】[0008]

【化6】 (但し、式中R2 はCm 2m+1を、m ,n は 0又は 1以
上の整数を、それぞれ表す) (C)メチルメタクリレート・ブタジエン・スチレン共
重合樹脂および(D)最大粒径 5〜100 μmの球状アル
ミナ粉末を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記
(D)の窒化ケイ素粉末を25〜90重量%の割合で含有し
てなることを特徴とするエポキシ樹脂組成物である。ま
た、このエポキシ樹脂組成物の硬化物によって、半導体
チップが封止されてなることを特徴とする半導体封止装
置である。
[Chemical 6] (However, in the formula, R 2 represents C m H 2m + 1 , and m and n each represent 0 or an integer of 1 or more.) (C) Methyl methacrylate / butadiene / styrene copolymer resin and (D) maximum particle size An epoxy resin composition comprising a spherical alumina powder of 5 to 100 μm as an essential component, and the silicon nitride powder of (D) described above in a proportion of 25 to 90% by weight with respect to the resin composition. is there. A semiconductor sealing device is characterized in that a semiconductor chip is sealed with a cured product of the epoxy resin composition.

【0009】以下、本発明を詳細に説明する。Hereinafter, the present invention will be described in detail.

【0010】本発明に用いる(A)エポキシ樹脂として
は、前記の化5で示されるものが使用される。
As the epoxy resin (A) used in the present invention, the one represented by the above chemical formula 5 is used.

【0011】本発明に用いる(B)ジシクロペンタジエ
ン・フェノール重合体としては、前記の一般式化6で示
される骨格構造を有し、分子構造、分子量等に特に制限
されることなく広く包含される。具体的な重合体として
例えば
The (B) dicyclopentadiene / phenol polymer used in the present invention has a skeleton structure represented by the above general formula 6 and is widely included without being particularly limited in molecular structure, molecular weight and the like. It As a specific polymer, for example,

【0012】[0012]

【化7】 Embedded image

【0013】[0013]

【化8】 等が挙げられ、これらは単独又は混合して使用すること
ができる。
Embedded image And the like, and these can be used alone or as a mixture.

【0014】また、フェノール、アルキルフェノール等
のフェノール類とホルムアルデヒドあるいはパラホルム
アルデヒドとを反応させて得られるノボラック型フェノ
ール樹脂およびこれらの変性樹脂を併用することができ
る。
Further, a novolac type phenol resin obtained by reacting phenols such as phenol and alkylphenol with formaldehyde or paraformaldehyde, and modified resins thereof can be used in combination.

【0015】本発明に用いる(C)メチルメタクリレー
ト・ブタジエン・スチレン共重合樹脂は、メチルメタク
リレートとブタジエンとスチレンとの共重合体であっ
て、各々のモノマーの組成比率に限定されるものではな
い。このメチルメタクリレート・ブタジエン・スチレン
共重合樹脂の配合割合は、全体の樹脂組成物に対して0.
1 〜10重量%含有するように配合することが好ましい。
より好ましくは1.0 〜5.0 重量%の範囲内である。その
割合が0.1 重量%未満では弾性率に効果なく、また10重
量%を超えると成形性が悪く実用に適さない。
The (C) methylmethacrylate / butadiene / styrene copolymer resin used in the present invention is a copolymer of methylmethacrylate, butadiene and styrene, and is not limited to the composition ratio of each monomer. The mixing ratio of this methyl methacrylate / butadiene / styrene copolymer resin is 0.
It is preferable to mix them so as to contain 1 to 10% by weight.
More preferably, it is in the range of 1.0 to 5.0% by weight. If the proportion is less than 0.1% by weight, there is no effect on the elastic modulus, and if it exceeds 10% by weight, the moldability is poor and it is not suitable for practical use.

【0016】本発明に用いる(D)球状アルミナ粉末と
しては、不純物濃度が低く、最大粒径が 5〜100 μmで
あるもので、特に平均粒径 5〜30μmのものが使用され
る。平均粒径が30μmを超えると耐湿性、成形性に劣り
好ましくない。球状アルミナ粉末の配合割合は、全体の
樹脂組成物に対して25〜90重量%の割合で含有させる。
その割合が25重量%未満では熱膨張係数が大きくなると
ともに、熱伝導率が小さくなり好ましくない。また90重
量%を超えるとカサバリが大きくなるとともに、成形性
が悪く実用に適さない。
The spherical alumina powder (D) used in the present invention has a low impurity concentration and a maximum particle size of 5 to 100 μm, and particularly an average particle size of 5 to 30 μm. If the average particle size exceeds 30 μm, the moisture resistance and the moldability are poor, which is not preferable. The mixing ratio of the spherical alumina powder is 25 to 90% by weight based on the total resin composition.
If the proportion is less than 25% by weight, the coefficient of thermal expansion increases and the thermal conductivity decreases, which is not preferable. Further, if it exceeds 90% by weight, the dryness becomes large and the moldability is poor and it is not suitable for practical use.

【0017】本発明のエポキシ樹脂組成物は、特定のエ
ポキシ樹脂、特定のフェノール樹脂、メチルメタクリレ
ート・ブタジエン・スチレン共重合樹脂および特定球状
アルミナの粉末を必須成分とするが、本発明の目的に反
しない限度において、また必要に応じて、例えば天然ワ
ックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸ア
ミド類、エステル類、パラフィン類等の離型剤、塩素化
パラフィン、ブロムトルエン、ヘキサブロムベンゼン、
三酸化アンチモン等の難燃剤、カーボンブラック、ベン
ガラ等の着色剤、種々の硬化剤等を適宜添加配合するこ
とができる。
The epoxy resin composition of the present invention contains, as essential components, a specific epoxy resin, a specific phenol resin, a methylmethacrylate / butadiene / styrene copolymer resin and a specific spherical alumina powder, which is contrary to the object of the present invention. Release agent such as natural waxes, synthetic waxes, metal salts of straight chain fatty acids, acid amides, esters, paraffins, chlorinated paraffins, bromotoluene, hexabromo benzene,
A flame retardant such as antimony trioxide, a coloring agent such as carbon black and red iron oxide, various curing agents and the like can be appropriately added and blended.

【0018】本発明のエポキシ樹脂組成物を成形材料と
して調製する場合の一般的方法は、前述した特定のエポ
キシ樹脂、特定のフェノール性樹脂、メチルメタクリレ
ート・ブタジエン・スチレン共重合樹脂、特定の球状ア
ルミナ粉末およびその他を所定の組成比に選択した原料
成分をミキサー等によって十分均一に混合した後、さら
に熱ロールによる溶融混合処理を行い、次いで冷却固化
させ適当な大きさに粉砕して成形材料とすることができ
る。こうして得られた成形材料は、半導体装置をはじめ
とする電子部品あるいは電気部品の封止・被覆・絶縁等
に適用すれば優れた特性と信頼性を付与させることがで
きる。
The general method for preparing the epoxy resin composition of the present invention as a molding material is as follows: specific epoxy resin, specific phenolic resin, methyl methacrylate / butadiene / styrene copolymer resin, specific spherical alumina. Powder and other raw materials selected to have a predetermined composition ratio are sufficiently mixed with a mixer or the like, and then melt-mixed with a heat roll, and then cooled and solidified and ground into a suitable size to obtain a molding material. be able to. If the molding material thus obtained is applied to sealing, coating, insulation, etc. of electronic parts or electric parts such as semiconductor devices, excellent properties and reliability can be imparted.

【0019】また、本発明の半導体封止装置は、上述の
成形材料を用いて半導体チップを封止することにより容
易に製造することができる。封止を行う半導体チップと
しては、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジス
タ、サイリスタ、ダイオード等で特に限定されるもので
はない。封止の最も一般的な方法としては、低圧トラン
スファー成形法があるが、射出成形、圧縮成形、注形等
による封止も可能である。エポキシ樹脂組成物は封止の
際に加熱して硬化させ、最終的にはこの組成物の硬化物
によって封止された半導体封止装置が得られる。加熱に
よる硬化は、150 ℃以上に加熱して硬化させることが望
ましい。
The semiconductor encapsulation device of the present invention can be easily manufactured by encapsulating a semiconductor chip using the above-mentioned molding material. The semiconductor chip to be sealed is not particularly limited to, for example, an integrated circuit, a large scale integrated circuit, a transistor, a thyristor, a diode and the like. The most common sealing method is a low pressure transfer molding method, but sealing by injection molding, compression molding, casting, or the like is also possible. The epoxy resin composition is heated and cured at the time of encapsulation, and finally a semiconductor encapsulating device encapsulated by the cured product of the composition is obtained. The curing by heating is desirably performed by heating to 150 ° C. or more.

【0020】本発明は、エポキシ樹脂組成物において、
特定のエポキシ樹脂、特定のフェノール性樹脂、メチル
メタクリレート・ブタジエン・スチレン共重合樹脂およ
び特定の球状アルミナ粉末を用いたことによって、耐湿
性、半田耐熱性、成形性、耐金型摩耗性に優れ、熱膨張
係数が小さく、熱伝導率、熱放散性がよく、それらの特
性バランスのとれた信頼性の高い樹脂組成物とすること
ができ、この樹脂組成物を用いることによって信頼性の
高い半導体装置を製造することができる。
The present invention provides an epoxy resin composition,
By using a specific epoxy resin, a specific phenolic resin, a methylmethacrylate / butadiene / styrene copolymer resin and a specific spherical alumina powder, excellent moisture resistance, solder heat resistance, moldability, and die abrasion resistance, It is possible to obtain a highly reliable resin composition having a small coefficient of thermal expansion, good thermal conductivity, and good heat dissipation, and a well-balanced characteristic thereof. By using this resin composition, a highly reliable semiconductor device can be obtained. Can be manufactured.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】次に本発明を実施例によって説明
するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるも
のではない。以下の実施例および比較例において「%」
とは「重量%」を意味する。
Next, the present invention will be described with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. "%" In the following examples and comparative examples
Means "% by weight".

【0022】実施例1 前記の化5に示したエポキシ樹脂13%、前記の化7に示
したフェノール性樹脂11%、球状アルミナ粉末(平均粒
径20μm、最大粒径100 μm以下)71%、メチルメタク
リレート・ブタジエン・スチレン共重合樹脂2 %および
離型剤等3 %を常温で混合し、さらに90〜95℃で混練冷
却した後、粉砕して成形材料を製造した。
Example 1 Epoxy resin 13% shown in Chemical formula 5 above, Phenolic resin 11% shown in Chemical formula 7 above, Spherical alumina powder (average particle size 20 μm, maximum particle size 100 μm or less) 71%, 2% of methyl methacrylate / butadiene / styrene copolymer resin and 3% of a release agent were mixed at room temperature, further kneaded and cooled at 90 to 95 ° C., and then pulverized to produce a molding material.

【0023】実施例2 実施例1で用いた球状アルミナ粉末粉末71%の代わりに
球状アルミナ粉末の31%と結晶性シリカ粉末(平均粒径
38μm)40%との混合粉末を用いた以外は、全て実施例
1と同一にして成形材料を製造した。
Example 2 Instead of 71% of the spherical alumina powder powder used in Example 1, 31% of the spherical alumina powder and crystalline silica powder (average particle size)
A molding material was manufactured in the same manner as in Example 1 except that a mixed powder of 38 μm) and 40% was used.

【0024】比較例1 クレゾールノボラックエポキシ樹脂(エポキシ当量215
)18%、ノボラック型フェノール樹脂(フェノール当
量107 )8 %、球状アルミナ粉末(平均粒径20μm、最
大粒径100 μm以下)71%および離型剤等3 %を常温で
混合し、実施例1と同様にして成形材料を製造した。
Comparative Example 1 Cresol novolac epoxy resin (epoxy equivalent 215
) 18%, novolac type phenolic resin (phenol equivalent 107) 8%, spherical alumina powder (average particle size 20 μm, maximum particle size 100 μm or less) 71% and release agent 3% were mixed at room temperature, and Example 1 was mixed. A molding material was produced in the same manner as in.

【0025】比較例2 比較例1において球状アルミナ粉末の代わりに、球状ア
ルミナ粉末(平均粒径50μm、最大粒径100 μmを超え
150 μm以下)を用いた以外は、全べて比較例1と同一
にして成形材料を製造した。
Comparative Example 2 Instead of the spherical alumina powder in Comparative Example 1, spherical alumina powder (average particle size of 50 μm, maximum particle size exceeding 100 μm) was used.
A molding material was manufactured in the same manner as in Comparative Example 1 except that (150 μm or less) was used.

【0026】実施例1〜2及び比較例1〜2で製造した
成形材料を用いて半導体チップを封止し、 170℃に加熱
硬化させて半導体封止装置を製造した。成形材料及び半
導体封止装置について、諸試験を行ったのでその結果を
表1に示したが、本発明のエポキシ樹脂組成物および半
導体封止装置は、熱的特性がよく、耐湿性、半田耐熱
性、成形性に優れており、本発明の顕著な効果を確認す
ることができた。
Semiconductor chips were encapsulated using the molding materials produced in Examples 1-2 and Comparative Examples 1-2, and cured by heating at 170 ° C. to produce semiconductor encapsulation devices. Various tests were performed on the molding material and the semiconductor encapsulation device, and the results are shown in Table 1. The epoxy resin composition and the semiconductor encapsulation device of the present invention have good thermal characteristics, moisture resistance, and solder heat resistance. It was excellent in moldability and moldability, and the remarkable effect of the present invention could be confirmed.

【0027】[0027]

【表1】 *1 :トランスファー成形によって直径50mm、厚さ3mm
の成形品を作り、これを127 ℃, 2.5気圧の飽和水蒸気
中に24時間放置し、増加した重量によって測定した。 *2 :吸水率の場合と同様な成形品を作り、175 ℃,8
時間の後硬化を行い、適当な大きさの試験片とし、熱機
械分析装置を用いて測定した。 *3 :JIS−K−6911に準じて試験した。 *4 :半導体封止装置を、迅速熱伝導計(昭和電工社
製、商品名QTM−MD)を用いて室温で測定した。 *5 :120 キャビティ取り16ピンP金型を用いて、成
形材料を170 ℃で3 分間トランスファー成形し、充填性
を評価した。○印…良好、×印…不良。 *6 :成形材料を用いて、2 本以上のアルミニウム配線
を有するシリコン製チップを、通常の42アロイフレーム
に接着し、175 ℃,2 分間トランスファー成形した後、
175 ℃,8 時間の後硬化を行った。こうして得た成形品
を、予め40℃,95%RH,100 時間の吸湿処理した後、
250 ℃の半田浴に10秒間浸漬した。その後、127 ℃,
2.5気圧の飽和水蒸気中でPCTを行い、アルミニウム
の腐蝕による50%断線を不良として評価した。 *7 :8 ×8mm ダミーチップをQ−FP(14×14× 1.4
mm)パッケージに納め、成形材料を用いて175 ℃,2 分
間トランスファー成形した後、175 ℃,8 時間の後硬化
を行った。こうして得た半導体封止装置を85℃,85%,
24時間の吸湿処理した後、240 ℃の半田浴に 1分間浸漬
した。その後、実体顕微鏡でパッケージ表面を観察し、
外部樹脂クラックの発生の有無を評価した。 *8 :成形材料をプレヒートし、径0.5mm の硬質クロム
メッキ材料流動穴を設けた金型により、175 ℃でトラン
スファー成形を行う。穴径が5 %摩耗したときのショッ
ト数によって評価した。
[Table 1] * 1: 50mm in diameter and 3mm in thickness by transfer molding
The molded article was left in a saturated steam at 127 ° C. and 2.5 atm for 24 hours, and measured by the increased weight. * 2: Make a molded product similar to that of the case of water absorption, 175 ℃, 8
After post-curing for a certain time, a test piece of an appropriate size was prepared and measured using a thermomechanical analyzer. * 3: Tested according to JIS-K-6911. * 4: The semiconductor sealing device was measured at room temperature using a rapid thermal conductivity meter (Showa Denko KK, trade name QTM-MD). * 5: Using a 120-cavity 16-pin P mold, the molding material was transfer-molded at 170 ° C. for 3 minutes, and the filling property was evaluated. ○ mark: good, × mark: bad * 6: Using a molding material, attach a silicon chip with two or more aluminum wires to a normal 42 alloy frame and transfer mold at 175 ° C for 2 minutes.
Post-curing was performed at 175 ° C for 8 hours. The molded article thus obtained was previously subjected to a moisture absorption treatment at 40 ° C. and 95% RH for 100 hours.
It was immersed in a 250 ° C. solder bath for 10 seconds. After that, 127 ℃
PCT was performed in 2.5 atm of saturated steam, and 50% disconnection due to aluminum corrosion was evaluated as defective. * 7: 8 × 8mm dummy chip with Q-FP (14 × 14 × 1.4
mm) package, transfer molding was performed using the molding material at 175 ° C for 2 minutes, and then post-curing was performed at 175 ° C for 8 hours. The semiconductor encapsulation device obtained in this way is 85 ℃, 85%,
After the moisture absorption treatment for 24 hours, it was immersed in a 240 ° C. solder bath for 1 minute. After that, observe the package surface with a stereo microscope,
The occurrence of external resin cracks was evaluated. * 8: The molding material is preheated, and transfer molding is performed at 175 ° C using a die with a 0.5 mm diameter hard chrome plating material flow hole. It was evaluated by the number of shots when the hole diameter was 5% worn.

【0028】[0028]

【発明の効果】以上の説明および表1から明らかなよう
に、本発明のエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置
は、樹脂組成物の耐湿性、半田耐熱性、成形性特に薄肉
部の充填性に優れ耐金型摩耗性に優れ、熱膨張係数が小
さく、熱伝導率、熱放散性がよく、それらの特性バラン
スのとれたもので、信頼性の高い半導体封止装置が製造
できたものである。
As is apparent from the above description and Table 1, the epoxy resin composition and the semiconductor encapsulating device of the present invention have the moisture resistance, the solder heat resistance, the moldability of the resin composition, especially the filling property of the thin portion. It has excellent mold wear resistance, small coefficient of thermal expansion, good thermal conductivity, and good heat dissipation, and has well-balanced characteristics of these, making it possible to manufacture highly reliable semiconductor encapsulation equipment. is there.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (A)次の一般式に示されるエポキシ樹
脂、 【化1】 (B)次の一般式に示されるジシクロペンタジエン・フ
ェノール重合体 【化2】 (但し、式中R1 はCm 2m+1を、m ,n は 0又は 1以
上の整数を、それぞれ表す) (C)メチルメタクリレート・ブタジエン・スチレン共
重合樹脂および(D)最大粒径 5〜100 μmの球状アル
ミナ粉末を必須成分とし、全体の樹脂組成物に対して前
記(D)の球状アルミナ粉末を25〜90重量%の割合で含
有してなることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
(A) an epoxy resin represented by the following general formula: (B) Dicyclopentadiene / phenolic polymer represented by the following general formula: (However, in the formula, R 1 represents C m H 2m + 1 , and m and n each represent 0 or an integer of 1 or more.) (C) Methyl methacrylate / butadiene / styrene copolymer resin and (D) maximum particle size An epoxy resin composition characterized by containing spherical alumina powder of 5 to 100 μm as an essential component and containing the spherical alumina powder of (D) in a proportion of 25 to 90% by weight with respect to the entire resin composition. Stuff.
【請求項2】 (A)次の一般式に示されるエポキシ樹
脂、 【化3】 (B)次の一般式に示されるジシクロペンタジエン・フ
ェノール重合体 【化4】 (但し、式中R1 はCm 2m+1を、m ,n は 0又は 1以
上の整数を、それぞれ表す) (C)メチルメタクリレート・ブタジエン・スチレン共
重合樹脂および(D)最大粒径 5〜100 μmの球状アル
ミナ粉末を必須成分とし、全体樹脂組成物に対して前記
(D)の球状アルミナ粉末を25〜90重量%の割合で含有
したエポキシ樹脂組成物の硬化物によって、半導体チッ
プが封止されてなることを特徴とする半導体封止装置。
2. An epoxy resin represented by the following general formula (A): embedded image (B) Dicyclopentadiene / phenolic polymer represented by the following general formula: (However, in the formula, R 1 represents C m H 2m + 1 , and m and n each represent 0 or an integer of 1 or more.) (C) Methyl methacrylate / butadiene / styrene copolymer resin and (D) maximum particle size A semiconductor chip is obtained by using a cured product of an epoxy resin composition containing spherical alumina powder of 5 to 100 μm as an essential component and containing the spherical alumina powder of (D) in a proportion of 25 to 90% by weight based on the entire resin composition. A semiconductor encapsulation device, comprising:
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