JPH09243620A - センサ - Google Patents
センサInfo
- Publication number
- JPH09243620A JPH09243620A JP7828396A JP7828396A JPH09243620A JP H09243620 A JPH09243620 A JP H09243620A JP 7828396 A JP7828396 A JP 7828396A JP 7828396 A JP7828396 A JP 7828396A JP H09243620 A JPH09243620 A JP H09243620A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor
- polymer
- electrode
- resonance
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
- Ultra Sonic Daignosis Equipment (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】薄型でしかも裏側に洩れる音を完全に消し高精
度で、非破壊領域における構造物や機器等の狭あい部や
複雑な隙間内の欠陥検出、材料評価、物性測定等に広く
利用できる実用性のあるセンサを提供する。 【解決手段】共振用反射板、高分子圧電体、電極および
保護部材からなるセンサ基材を、その共振用反射板との
間に密封された気体層を設けて支持部材に取付けたセン
サであって、前記高分子圧電体はλ／２モードおよび／
またはλ／４モード可能な高分子圧電体で構成されてい
る。
度で、非破壊領域における構造物や機器等の狭あい部や
複雑な隙間内の欠陥検出、材料評価、物性測定等に広く
利用できる実用性のあるセンサを提供する。 【解決手段】共振用反射板、高分子圧電体、電極および
保護部材からなるセンサ基材を、その共振用反射板との
間に密封された気体層を設けて支持部材に取付けたセン
サであって、前記高分子圧電体はλ／２モードおよび／
またはλ／４モード可能な高分子圧電体で構成されてい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、非破壊領域におけ
る各種構造物や機器等の欠陥検出、物性測定等に広く利
用できる高分子圧電材料を用いたセンサ、さらに詳しく
は各種構造物や機器等の特に狭あいな隙間の欠陥検出、
物性測定等に有利に利用できる高分子圧電材料を用いた
薄型センサに関するものである。
る各種構造物や機器等の欠陥検出、物性測定等に広く利
用できる高分子圧電材料を用いたセンサ、さらに詳しく
は各種構造物や機器等の特に狭あいな隙間の欠陥検出、
物性測定等に有利に利用できる高分子圧電材料を用いた
薄型センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、各種構造物や機器等について、信
頼性確保等の目的で各種の非破壊検査が行なわれてい
る。しかし近年の構造物、機器等はその精密性・複雑性
を増し、複雑な形状かつ狭合い部における検査も要求さ
れるようになってきた。
頼性確保等の目的で各種の非破壊検査が行なわれてい
る。しかし近年の構造物、機器等はその精密性・複雑性
を増し、複雑な形状かつ狭合い部における検査も要求さ
れるようになってきた。
【０００３】従来、かかる検査のため、超音波を利用し
たセンサとして、セラミックスの振動子を用いたセンサ
が知られている。セラミックスは振動子として、縦方
向、横方向、ズレ振動など種々なモードが合成され、ノ
イズの多いセンサとしてノイズ信号の除去は、全てセン
サ裏側に吸音材を取付けることによりノイズを消してい
る。
たセンサとして、セラミックスの振動子を用いたセンサ
が知られている。セラミックスは振動子として、縦方
向、横方向、ズレ振動など種々なモードが合成され、ノ
イズの多いセンサとしてノイズ信号の除去は、全てセン
サ裏側に吸音材を取付けることによりノイズを消してい
る。
【０００４】かかる従来のセラミックスの振動子では、
基本的にλ／２モードしかできないので、例えば、１０
ＭＨｚで構成するとセラミックス（ＰＺＴ）の音速は４
６００ｍ／秒であるから、圧電体の厚みは、ｖ／２ｆ＝
４６００×１０6 ／２×１０×１０6 ＝２３０（μｍ）
となり、さらに裏面側に吸収体を置くことになると、２
００μｍを越えることになり、完成品は約１ｍｍを超え
る厚さにもなってしまう。
基本的にλ／２モードしかできないので、例えば、１０
ＭＨｚで構成するとセラミックス（ＰＺＴ）の音速は４
６００ｍ／秒であるから、圧電体の厚みは、ｖ／２ｆ＝
４６００×１０6 ／２×１０×１０6 ＝２３０（μｍ）
となり、さらに裏面側に吸収体を置くことになると、２
００μｍを越えることになり、完成品は約１ｍｍを超え
る厚さにもなってしまう。
【０００５】このようにセラミックス振動子使用のセン
サでは、小型化、薄型化は困難で上述の要望に応えるこ
とがむずかしい。また、センサの肉厚を薄くすると完全
吸音は無理で多少の音が裏側に透過して出てゆくことに
なり、しかも吸収体を用いてもなお裏側に音が洩れると
いう問題があった。
サでは、小型化、薄型化は困難で上述の要望に応えるこ
とがむずかしい。また、センサの肉厚を薄くすると完全
吸音は無理で多少の音が裏側に透過して出てゆくことに
なり、しかも吸収体を用いてもなお裏側に音が洩れると
いう問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】一方、このセラミック
スに代わり、超音波振動子の材料として圧電効果を持た
せた高分子圧電材料が注目をあびている。この高分子圧
電材料を用いた振動子は、セラミックス振動子に比べ
て、薄膜化が可能で柔軟性に富むため、複雑な形状にも
対応できることが特徴である。したがって、かかる高分
子圧電体を用いたセンサでは薄型化は可能であるが、超
音波が放射しないように吸収体を用いてもなお裏側に音
が洩れるという課題が残り、超音波特性、超音波計測へ
の適用、あるいはセンサとして最も電気エネルギー効率
がよくノイズの少い良好なエコーを得て、高精度化する
には、なお問題があった。
スに代わり、超音波振動子の材料として圧電効果を持た
せた高分子圧電材料が注目をあびている。この高分子圧
電材料を用いた振動子は、セラミックス振動子に比べ
て、薄膜化が可能で柔軟性に富むため、複雑な形状にも
対応できることが特徴である。したがって、かかる高分
子圧電体を用いたセンサでは薄型化は可能であるが、超
音波が放射しないように吸収体を用いてもなお裏側に音
が洩れるという課題が残り、超音波特性、超音波計測へ
の適用、あるいはセンサとして最も電気エネルギー効率
がよくノイズの少い良好なエコーを得て、高精度化する
には、なお問題があった。
【０００７】本発明者らは、これらの問題点に鑑み、特
に高分子圧電体の特徴を生かす観点で鋭意検討した結
果、上記の課題をみごとに解決することに成功した。す
なわち、本発明は、薄くかつ裏側に洩れる音を完全に消
し、高精度で、非破壊領域における構造物や機器等の狭
あい部や複雑な隙間内の欠陥検出、材料評価、物性測定
等に広く利用できる、実用性のあるセンサを提供するこ
とを目的とするものである。
に高分子圧電体の特徴を生かす観点で鋭意検討した結
果、上記の課題をみごとに解決することに成功した。す
なわち、本発明は、薄くかつ裏側に洩れる音を完全に消
し、高精度で、非破壊領域における構造物や機器等の狭
あい部や複雑な隙間内の欠陥検出、材料評価、物性測定
等に広く利用できる、実用性のあるセンサを提供するこ
とを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決しようとする手段】本発明は、上記目的を
達成せんとするものであって、本発明のセンサは、共振
用反射板、高分子圧電体および電極からなるセンサ基材
を、該共振用反射板との間にエコーを反射する気体層を
設けて支持部材に取付けたことを特徴とするものであっ
て、好適には、前記高分子圧電体が（広帯域）λ／２モ
ード駆動および／または（狭帯域）λ／４モード駆動可
能な高分子圧電体で構成されていることを特徴とするも
のである。本発明のセンサ基材では、電極側を保護部材
で覆うことが好ましく、また、共振用反射板が相対する
側の電極を兼ねるようにすることもできる。
達成せんとするものであって、本発明のセンサは、共振
用反射板、高分子圧電体および電極からなるセンサ基材
を、該共振用反射板との間にエコーを反射する気体層を
設けて支持部材に取付けたことを特徴とするものであっ
て、好適には、前記高分子圧電体が（広帯域）λ／２モ
ード駆動および／または（狭帯域）λ／４モード駆動可
能な高分子圧電体で構成されていることを特徴とするも
のである。本発明のセンサ基材では、電極側を保護部材
で覆うことが好ましく、また、共振用反射板が相対する
側の電極を兼ねるようにすることもできる。
【０００９】本発明のセンサは、特に狭あい部や複雑な
隙間の探傷等に適用できるものであり、隙間部に挿入さ
れる、センサ基材、気体層および支持部材の積層位置に
おけるセンサの厚さを、例えば１ｍｍより小さく、好適
には０．１ｍｍ〜０．８ｍｍのように薄型とすることを
可能としたものである。
隙間の探傷等に適用できるものであり、隙間部に挿入さ
れる、センサ基材、気体層および支持部材の積層位置に
おけるセンサの厚さを、例えば１ｍｍより小さく、好適
には０．１ｍｍ〜０．８ｍｍのように薄型とすることを
可能としたものである。
【００１０】また、本発明センサの高分子圧電体を構成
する高分子材料としては、フッ素系高分子重合体が好ま
しく、特にポリフッ化ビニリデンまたはフッ化ビニリデ
ンと３フッ化エチレンとの共重合体が好適である。
する高分子材料としては、フッ素系高分子重合体が好ま
しく、特にポリフッ化ビニリデンまたはフッ化ビニリデ
ンと３フッ化エチレンとの共重合体が好適である。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して具体的に本
発明の実施態様について説明する。
発明の実施態様について説明する。
【００１２】本発明センサの最も好ましい態様としての
基本構造は、共振用反射板、高分子圧電体、電極および
保護部材を順次積層したセンサ基材と、そのセンサ基材
を支える支持部材とで構成されており、かつそのセンサ
基材を構成する共振用反射板と支持部材との間にエコー
を反射する音圧反射率の大きい密封された気体層を設け
た構造である。
基本構造は、共振用反射板、高分子圧電体、電極および
保護部材を順次積層したセンサ基材と、そのセンサ基材
を支える支持部材とで構成されており、かつそのセンサ
基材を構成する共振用反射板と支持部材との間にエコー
を反射する音圧反射率の大きい密封された気体層を設け
た構造である。
【００１３】図１はその本発明の典型的な薄型センサの
断面図であり、センサ基材１は、高分子圧電体２の一面
に共振用反射板３が、他面には電極４が配されており、
そして電極４の表面は保護部材５で覆われ構成されてい
る。これらの共振用反射板３、高分子圧電体２、電極４
および保護部材５は、図１に示されるように順次積層さ
れ、各層間は接着剤で接着される。本発明において、こ
のセンサ基材１は支持部材６に固定され一体化される
が、その際、共振用反射板３から透過してくるエコーを
さらに遮断するため、センサ基材１と支持部材６の間に
密封部材７等により気体層８を設けて一体化される。
断面図であり、センサ基材１は、高分子圧電体２の一面
に共振用反射板３が、他面には電極４が配されており、
そして電極４の表面は保護部材５で覆われ構成されてい
る。これらの共振用反射板３、高分子圧電体２、電極４
および保護部材５は、図１に示されるように順次積層さ
れ、各層間は接着剤で接着される。本発明において、こ
のセンサ基材１は支持部材６に固定され一体化される
が、その際、共振用反射板３から透過してくるエコーを
さらに遮断するため、センサ基材１と支持部材６の間に
密封部材７等により気体層８を設けて一体化される。
【００１４】本発明の高分子圧電体を構成する圧電性高
分子材料は、ＭＨｚ帯の周波数の送受信が可能なもの
で、本発明では特に圧電性高分子材料として、極性結晶
構造をもつ高分子化合物が用いられる。圧電性高分子材
料は、面積の大きい膜状物への加工も容易であり、柔軟
性に富み複雑な形状に製膜可能であること、可撓性があ
ること、耐衝撃性があること、高分子固有の特徴をもつ
ことの他に音響インピーダンスが小さいこと、誘電率が
小さいこと、などセラミックスなど圧電性無機材料には
ない特徴をもっている。
分子材料は、ＭＨｚ帯の周波数の送受信が可能なもの
で、本発明では特に圧電性高分子材料として、極性結晶
構造をもつ高分子化合物が用いられる。圧電性高分子材
料は、面積の大きい膜状物への加工も容易であり、柔軟
性に富み複雑な形状に製膜可能であること、可撓性があ
ること、耐衝撃性があること、高分子固有の特徴をもつ
ことの他に音響インピーダンスが小さいこと、誘電率が
小さいこと、などセラミックスなど圧電性無機材料には
ない特徴をもっている。
【００１５】本発明の実施において圧電性高分子材料と
しては、大きい双極子モーメントをもつＣＦ2基やＣＮ
基を有する化合物、例えば、ポリフッ化ビニリデン（Ｐ
ＶＤＦ）、フッ化ビニリデン（ＶＤＦ）と３フッ化エチ
レン（ＴｒＦＥ）との共重合体Ｐ（ＶＤＦ−ＴｒＦ
Ｅ）、フッ化ビニリデン（ＶＤＦ）と４フッ化エチレン
（ＴｅＦＥ）との共重合体Ｐ（ＶＤＦ−ＴｅＦＥ）およ
びシアノビニリデンと酢酸ビニルとの共重合体Ｐ（ＶＤ
ＣＮ−ＶＡｃ）等が挙げられるが、フッ素系高分子化合
物は強誘電体であり、フッ化ビニリデンと３フッ化エチ
レンの共重合体Ｐ（ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）が特に好まし
い。
しては、大きい双極子モーメントをもつＣＦ2基やＣＮ
基を有する化合物、例えば、ポリフッ化ビニリデン（Ｐ
ＶＤＦ）、フッ化ビニリデン（ＶＤＦ）と３フッ化エチ
レン（ＴｒＦＥ）との共重合体Ｐ（ＶＤＦ−ＴｒＦ
Ｅ）、フッ化ビニリデン（ＶＤＦ）と４フッ化エチレン
（ＴｅＦＥ）との共重合体Ｐ（ＶＤＦ−ＴｅＦＥ）およ
びシアノビニリデンと酢酸ビニルとの共重合体Ｐ（ＶＤ
ＣＮ−ＶＡｃ）等が挙げられるが、フッ素系高分子化合
物は強誘電体であり、フッ化ビニリデンと３フッ化エチ
レンの共重合体Ｐ（ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）が特に好まし
い。
【００１６】この共重合体Ｐ（ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）にお
けるフッ化ビニリデン（ＶＤＦ）成分の割合は、６５モ
ル％〜９０モル％の範囲のものが好ましく、７０モル％
〜８５モル％の範囲のものがより好ましい。ちなみに、
２０℃における高分子圧電体Ｐ（ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）の
密度ρは１．８８×１０3 ｋｇ／ｍ3 、また音速ｖは
２，４００ｍ／ｓ、音響インピーダンスＺは４．５１×
１０3 ｋｇ／ｍ2 ｓである。
けるフッ化ビニリデン（ＶＤＦ）成分の割合は、６５モ
ル％〜９０モル％の範囲のものが好ましく、７０モル％
〜８５モル％の範囲のものがより好ましい。ちなみに、
２０℃における高分子圧電体Ｐ（ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）の
密度ρは１．８８×１０3 ｋｇ／ｍ3 、また音速ｖは
２，４００ｍ／ｓ、音響インピーダンスＺは４．５１×
１０3 ｋｇ／ｍ2 ｓである。
【００１７】本発明の高分子圧電体は、基本的にはこの
ような圧電性高分子材料で構成されるが、本発明の効果
を妨げない範囲でさらに他の物質を配合したり、または
貼着したりして複合化し構成した圧電体も含まれる。例
えば、本発明の実施においては、本発明の効果を妨げな
い範囲でかかる誘電率の大きい圧電性高分子材料に、他
の材料、例えば強誘電性セラミックス粉末等を混入配合
して成形した複合圧電材料も用いることができる。配合
割合はセラミックス粉末の場合、目的に合わせ９５重量
％までの配合が可能である。
ような圧電性高分子材料で構成されるが、本発明の効果
を妨げない範囲でさらに他の物質を配合したり、または
貼着したりして複合化し構成した圧電体も含まれる。例
えば、本発明の実施においては、本発明の効果を妨げな
い範囲でかかる誘電率の大きい圧電性高分子材料に、他
の材料、例えば強誘電性セラミックス粉末等を混入配合
して成形した複合圧電材料も用いることができる。配合
割合はセラミックス粉末の場合、目的に合わせ９５重量
％までの配合が可能である。
【００１８】本発明で用いる高分子圧電体は、λ／２モ
ードおよびλ／４モードが可能である。高分子重合体Ｐ
（ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）内における音速は２４００ｍ／秒
なので、例えば５ＭＨｚでλ／４モードの場合、圧電素
子の厚み（ｔ）はｔ＝ｖ／４ｆ（ｆは周波数）なので、
これより、ｔ＝２４００×１０6 ／４×１０×１０6＝
１２０（μｍ）である。
ードおよびλ／４モードが可能である。高分子重合体Ｐ
（ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）内における音速は２４００ｍ／秒
なので、例えば５ＭＨｚでλ／４モードの場合、圧電素
子の厚み（ｔ）はｔ＝ｖ／４ｆ（ｆは周波数）なので、
これより、ｔ＝２４００×１０6 ／４×１０×１０6＝
１２０（μｍ）である。
【００１９】本発明のセンサにおいては、例えば周波数
が５ＭＨｚ、１０ＭＨｚ、１００ＭＨｚのような、ＭＨ
ｚ帯域における周波数の超音波が使用されるが、このよ
うなＭＨｚ帯域の周波数では、面内振動は束縛され厚み
振動だけが生じる。本発明の高分子圧電体については、
使用する超音波の周波数にもよるが、その膜厚は通常６
〜１２０μｍ、好ましくは４〜９０μｍである。
が５ＭＨｚ、１０ＭＨｚ、１００ＭＨｚのような、ＭＨ
ｚ帯域における周波数の超音波が使用されるが、このよ
うなＭＨｚ帯域の周波数では、面内振動は束縛され厚み
振動だけが生じる。本発明の高分子圧電体については、
使用する超音波の周波数にもよるが、その膜厚は通常６
〜１２０μｍ、好ましくは４〜９０μｍである。
【００２０】本発明の共振用反射板３は、基本的には高
分子圧電体２と音響インピーダンスの極めて異なる物質
を用いることが好ましく、また、電極も兼ねることで主
に金属が使用される。
分子圧電体２と音響インピーダンスの極めて異なる物質
を用いることが好ましく、また、電極も兼ねることで主
に金属が使用される。
【００２１】高分子圧電材料の音響インピーダンスＺ
は、４〜５（×１０6 ｋｇ／ｍ2 ｓ）と小さい。例え
ば、Ｐ（ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）の２０℃における音響イン
ピーダンスＺは４．５１×１０6 ｋｇ／ｍ2 ｓであり、
本発明では、音響インピーダンスＺがそれより大きい金
属、例えば、銅（音響インピーダンスＺ＝４５．８〜４
６．４×１０6 ｋｇ／ｍ2 ｓ）、真鍮（Ｚ＝３１×１０
6 ｋｇ／ｍ2 ｓ）、リンセイ銅（Ｚ＝３７．６〜３８．
４×１０6 ｋｇ／ｍ2 ｓ）等が挙げられるが、本発明で
はこれらに限定されない。本発明では音響インピーダン
スＺが高分子圧電体のそれより、１０×１０6 ｋｇ／ｍ
2 ｓ以上大きい材料から選択される。また、薄型センサ
用途として特に精密さが要求される場合は、機械加工性
の優れたものが好ましく使用される。
は、４〜５（×１０6 ｋｇ／ｍ2 ｓ）と小さい。例え
ば、Ｐ（ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）の２０℃における音響イン
ピーダンスＺは４．５１×１０6 ｋｇ／ｍ2 ｓであり、
本発明では、音響インピーダンスＺがそれより大きい金
属、例えば、銅（音響インピーダンスＺ＝４５．８〜４
６．４×１０6 ｋｇ／ｍ2 ｓ）、真鍮（Ｚ＝３１×１０
6 ｋｇ／ｍ2 ｓ）、リンセイ銅（Ｚ＝３７．６〜３８．
４×１０6 ｋｇ／ｍ2 ｓ）等が挙げられるが、本発明で
はこれらに限定されない。本発明では音響インピーダン
スＺが高分子圧電体のそれより、１０×１０6 ｋｇ／ｍ
2 ｓ以上大きい材料から選択される。また、薄型センサ
用途として特に精密さが要求される場合は、機械加工性
の優れたものが好ましく使用される。
【００２２】本発明の共振用反射板３はまた、音響的に
は反射板として電気エネルギー効率が最もよくノイズの
少い良好なエコー波形を得るため、厚み振動で決定され
る周波数ｆのλ／４の厚みに決定される。本発明の実施
において共振用反射板は、好ましくは１２〜２４０μｍ
である。
は反射板として電気エネルギー効率が最もよくノイズの
少い良好なエコー波形を得るため、厚み振動で決定され
る周波数ｆのλ／４の厚みに決定される。本発明の実施
において共振用反射板は、好ましくは１２〜２４０μｍ
である。
【００２３】本発明では、この共振用反射板３に上記の
ような金属ではなく、高分子圧電体の音響インピーダン
スと等しい特性を持つプラスチックなど、高分子圧電体
とほぼ同等と考えられる材料を用いることも可能である
が、この場合には、高分子圧電体の前面に薄い電極層を
形成し、高分子圧電体の裏側に共振用反射板３を設ける
ことができる。このときの共振用反射板３はλ／２の厚
みに決定する。
ような金属ではなく、高分子圧電体の音響インピーダン
スと等しい特性を持つプラスチックなど、高分子圧電体
とほぼ同等と考えられる材料を用いることも可能である
が、この場合には、高分子圧電体の前面に薄い電極層を
形成し、高分子圧電体の裏側に共振用反射板３を設ける
ことができる。このときの共振用反射板３はλ／２の厚
みに決定する。
【００２４】また、本発明の電極４は、高分子圧電体２
に電気エネルギーを送り込み応力歪みを与えると同時
に、電気エネルギーが遮断されそして応力歪みを受け電
気エネルギーを発生したりするとき、電気エネルギーの
送受信を行なう端子口となる。このように高分子圧電体
を駆動する電極は金、銅、アルミニウム等の各種金属を
用いて金属蒸着やスパッタリング等の手段で形成するこ
とができる。電極の厚さは、せいぜい１００オングスト
ローム〜１μｍ程度である 本発明の電極４は、好適にはその表面が保護部材５で覆
われる。保護部材は、電極４を水またはその他の媒体か
ら守る保護層の役目と、かかる接触媒体と高分子圧電体
の間の音響結合をスムーズに行なうマッチング層の役目
をもつ。
に電気エネルギーを送り込み応力歪みを与えると同時
に、電気エネルギーが遮断されそして応力歪みを受け電
気エネルギーを発生したりするとき、電気エネルギーの
送受信を行なう端子口となる。このように高分子圧電体
を駆動する電極は金、銅、アルミニウム等の各種金属を
用いて金属蒸着やスパッタリング等の手段で形成するこ
とができる。電極の厚さは、せいぜい１００オングスト
ローム〜１μｍ程度である 本発明の電極４は、好適にはその表面が保護部材５で覆
われる。保護部材は、電極４を水またはその他の媒体か
ら守る保護層の役目と、かかる接触媒体と高分子圧電体
の間の音響結合をスムーズに行なうマッチング層の役目
をもつ。
【００２５】保護部材は、好ましくはポリエチレン、ポ
リイミド、エポキシ樹脂等のプラスチックで構成され、
その厚さはオングストロームレベル〜約５０μｍ、より
好ましくはオングストロームレベル〜３０μｍである。
リイミド、エポキシ樹脂等のプラスチックで構成され、
その厚さはオングストロームレベル〜約５０μｍ、より
好ましくはオングストロームレベル〜３０μｍである。
【００２６】次に、本発明の気体層８は、共振用反射板
３からなお透過してくるエコーに対して、これをさらに
完全に遮断する完全反射体として機能することが期待さ
れるため、音圧反射率の大きい気体が使用される。具体
的には空気、窒素、アルゴン等があるが、１００％の空
気が最も好ましい。
３からなお透過してくるエコーに対して、これをさらに
完全に遮断する完全反射体として機能することが期待さ
れるため、音圧反射率の大きい気体が使用される。具体
的には空気、窒素、アルゴン等があるが、１００％の空
気が最も好ましい。
【００２７】気体層はこのように、後方への音の透過を
完全に遮断する目的をもつが、気体を閉じ込め密封する
には、例えば高分子圧電体と同じ大きさの穴を開けた板
状物を密封部材として、センサ基材と支持部材とで挟む
ことにより実施することができる。
完全に遮断する目的をもつが、気体を閉じ込め密封する
には、例えば高分子圧電体と同じ大きさの穴を開けた板
状物を密封部材として、センサ基材と支持部材とで挟む
ことにより実施することができる。
【００２８】本発明では高分子圧電体を用い、このよう
な積層構造としたことによって、例えば、本発明の薄型
センサを用いて水中にある構造物の狭あいな隙間で検査
を行なう場合、裏面からのバックエコーを完全になくす
ことができるの、確実で精度の高い検査の実施が可能と
なる。
な積層構造としたことによって、例えば、本発明の薄型
センサを用いて水中にある構造物の狭あいな隙間で検査
を行なう場合、裏面からのバックエコーを完全になくす
ことができるの、確実で精度の高い検査の実施が可能と
なる。
【００２９】本発明のセンサでは、このようにセンサ基
材が空気層を介して支持部材６で支えられるが、この支
持部材はセンサの支持体としての機能の他に、センサを
狭あいな隙間に導くガイドの働きも兼ねている。支持部
材はかかる機能のため、強度が大きく柔軟性があるもの
で、好適にはリンセイ銅や、炭素繊維強化プラスチック
またはガラス繊維強化プラスチックのような複合材料で
できており、厚さは０．０５ｍｍ〜０．３ｍｍ程度とす
ることができる。
材が空気層を介して支持部材６で支えられるが、この支
持部材はセンサの支持体としての機能の他に、センサを
狭あいな隙間に導くガイドの働きも兼ねている。支持部
材はかかる機能のため、強度が大きく柔軟性があるもの
で、好適にはリンセイ銅や、炭素繊維強化プラスチック
またはガラス繊維強化プラスチックのような複合材料で
できており、厚さは０．０５ｍｍ〜０．３ｍｍ程度とす
ることができる。
【００３０】本発明のセンサは、このように高分子圧電
体を用い上記のような積層構造にすることによっても、
なお、センサ機能部分の厚さを１ｍｍより薄くすること
が可能である。
体を用い上記のような積層構造にすることによっても、
なお、センサ機能部分の厚さを１ｍｍより薄くすること
が可能である。
【００３１】本発明で用いる典型的な高分子圧電体の厚
さ（ｔ）は、前述のように、例えば５ＭＨｚでλ／４モ
ードの場合で１２０μｍである。したがって、これに共
振用反射板、電極、保護部材、気体層および支持部材を
積層した状態におけるセンサ全体の厚さは、０．８ｍｍ
以下にすることができ、本発明で薄型センサとした場合
は、厚さを好適には０．１ｍｍ〜０．８ｍｍ、実用面か
らは例えば０．３ｍｍ〜０．５ｍｍとすることができ
る。
さ（ｔ）は、前述のように、例えば５ＭＨｚでλ／４モ
ードの場合で１２０μｍである。したがって、これに共
振用反射板、電極、保護部材、気体層および支持部材を
積層した状態におけるセンサ全体の厚さは、０．８ｍｍ
以下にすることができ、本発明で薄型センサとした場合
は、厚さを好適には０．１ｍｍ〜０．８ｍｍ、実用面か
らは例えば０．３ｍｍ〜０．５ｍｍとすることができ
る。
【００３２】図２は、本発明の典型的な薄型センサ装置
の実施態様を説明するための概略断面図である。ここで
は支持部材６の一端にはこれまで説明したように、セン
サ基材１が密封部材７により、空気層８を持って接着固
定されている。
の実施態様を説明するための概略断面図である。ここで
は支持部材６の一端にはこれまで説明したように、セン
サ基材１が密封部材７により、空気層８を持って接着固
定されている。
【００３３】一方、支持部材６の他端には、マッチング
台９が接合される。マッチング台９は、例えばポリイミ
ド等のフィルム状物に銅等の金属を貼着したものであ
り、厚さは数１０μｍである。また、高分子圧電体から
最大のエネルギーを取出すにあたり高分子圧電体との整
合をとるため、そのマッチング台９を介して、整合用コ
イル１０と共振用コイル１１とが支持部材６の他端に取
付けられる。さらに支持部材６他端にはコネクタ１２が
固定され、コネクタ１２から、整合用コイル１０と共振
用コイル１１およびセンサ部材（高分子圧電体２を挟持
している電源）の回路を接続する。
台９が接合される。マッチング台９は、例えばポリイミ
ド等のフィルム状物に銅等の金属を貼着したものであ
り、厚さは数１０μｍである。また、高分子圧電体から
最大のエネルギーを取出すにあたり高分子圧電体との整
合をとるため、そのマッチング台９を介して、整合用コ
イル１０と共振用コイル１１とが支持部材６の他端に取
付けられる。さらに支持部材６他端にはコネクタ１２が
固定され、コネクタ１２から、整合用コイル１０と共振
用コイル１１およびセンサ部材（高分子圧電体２を挟持
している電源）の回路を接続する。
【００３４】
（実施例１）ポリイミド樹脂保護部材５、銅蒸着電極
４、Ｐ（ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）膜高分子圧電体２、銅製の
共振用反射板（電極を兼ねる）３、空気層８およびリン
セイ銅板支持部材６を順次積層した、図３に示したモデ
ル図構造の全体の厚さが０．４５μｍのセンサを作成し
た。このセンサについて、保護部材側の振動子面の信号
と、空気層−支持部材側の振動子裏面へ透過するノイズ
信号（エコーの洩れ）を、次のようにして測定した。
４、Ｐ（ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）膜高分子圧電体２、銅製の
共振用反射板（電極を兼ねる）３、空気層８およびリン
セイ銅板支持部材６を順次積層した、図３に示したモデ
ル図構造の全体の厚さが０．４５μｍのセンサを作成し
た。このセンサについて、保護部材側の振動子面の信号
と、空気層−支持部材側の振動子裏面へ透過するノイズ
信号（エコーの洩れ）を、次のようにして測定した。
【００３５】水槽底面に設置したハイドロホン（５ＭＨ
ｚ，共振あり、受光面形状：φ１９平面）の上方１０ｍ
ｍの位置に上記センサを配置し、振動子面ａと振動子裏
面ｂから発生する音響エネルギーをハイドロホンで受
け、出力としてシンクロスコープで取出し表示した。そ
の結果、図４に示すように振動子面ａの出力は５００ｍ
Ｖ、また図５に示すように振動子裏面ｂの出力は３ｍＶ
であった。このように、共振用反射板下に空気層が挿入
された構造では、信号とノイズの比が約１／１６６であ
った。
ｚ，共振あり、受光面形状：φ１９平面）の上方１０ｍ
ｍの位置に上記センサを配置し、振動子面ａと振動子裏
面ｂから発生する音響エネルギーをハイドロホンで受
け、出力としてシンクロスコープで取出し表示した。そ
の結果、図４に示すように振動子面ａの出力は５００ｍ
Ｖ、また図５に示すように振動子裏面ｂの出力は３ｍＶ
であった。このように、共振用反射板下に空気層が挿入
された構造では、信号とノイズの比が約１／１６６であ
った。
【００３６】（参考例１）実施例１の空気層８の代わり
に、エポキシ樹脂内に金属粉を配したダンパー１３を配
した他は、実施例１と同様に図６に示したモデル図構造
のセンサ（参考センサ）を作成した。この参考センサに
ついて、実施例１と同様にハイドロホン出力を測定した
ところ、図７のように振振動子面ａの方の出力は実施例
１と同じ５００ｍＶであったが、ダンパー１３を配した
振動子裏面ｂ側のハイドロホン出力は図８のように２５
ｍＶであった。このように空気層８ではなくダンパー１
３を配した場合は、信号とノイズの比が約１／２０でバ
ックエコーが認められた。
に、エポキシ樹脂内に金属粉を配したダンパー１３を配
した他は、実施例１と同様に図６に示したモデル図構造
のセンサ（参考センサ）を作成した。この参考センサに
ついて、実施例１と同様にハイドロホン出力を測定した
ところ、図７のように振振動子面ａの方の出力は実施例
１と同じ５００ｍＶであったが、ダンパー１３を配した
振動子裏面ｂ側のハイドロホン出力は図８のように２５
ｍＶであった。このように空気層８ではなくダンパー１
３を配した場合は、信号とノイズの比が約１／２０でバ
ックエコーが認められた。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、圧電体として高分子圧
電体を用いると共に、共振用反射板と空気層を設けるこ
とにより、高分子圧電体後方への音の透過を実質的に全
て遮断でき、しかも例えば厚さが０．５ｍｍ程度の非常
に薄いセンサとすることができる。したがって、本発明
の薄型センサによれば、非破壊領域における構造物や機
器等の狭あいな隙間、複雑な隙間の欠陥検出、材料評
価、物性測定等が容易で、かつ的確で精度の高い結果を
得ることができる。
電体を用いると共に、共振用反射板と空気層を設けるこ
とにより、高分子圧電体後方への音の透過を実質的に全
て遮断でき、しかも例えば厚さが０．５ｍｍ程度の非常
に薄いセンサとすることができる。したがって、本発明
の薄型センサによれば、非破壊領域における構造物や機
器等の狭あいな隙間、複雑な隙間の欠陥検出、材料評
価、物性測定等が容易で、かつ的確で精度の高い結果を
得ることができる。
【００３８】本発明のセンサは、各種プラント、大型輸
送機器、建築物等の各種構造物の非破壊計測に使用され
る他、例えば１ｍｍの隙間があれば本発明のセンサを用
いて隙間内部の金属等の疲労クラック、腐食状態等の欠
陥が定量的に測定できる。
送機器、建築物等の各種構造物の非破壊計測に使用され
る他、例えば１ｍｍの隙間があれば本発明のセンサを用
いて隙間内部の金属等の疲労クラック、腐食状態等の欠
陥が定量的に測定できる。
【図１】 図１は、本発明の薄型センサの典型的な一実
施態様の構成を説明するための断面図である。
施態様の構成を説明するための断面図である。
【図２】 図２は、本発明の薄型センサ装置を示す概略
断面図である。
断面図である。
【図３】 図３は、本発明の薄型センサのモデル構造を
説明するための断面図である。
説明するための断面図である。
【図４】 図４は、シンクロスコープで取出した本発明
振動子面側のエコーの波形図である。
振動子面側のエコーの波形図である。
【図５】 図５は、シンクロスコープで取出した本発明
振動子裏面側のエコーの波形図である。
振動子裏面側のエコーの波形図である。
【図６】 図６は、参考例のセンサのモデル構造を説明
するための断面図である。
するための断面図である。
【図７】 図７は、シンクロスコープで取出した参考例
センサの振動子面側のエコーの波形図である。
センサの振動子面側のエコーの波形図である。
【図８】 図８は、シンクロスコープで取出した参考例
センサの振動子裏面側のエコーの波形図である。
センサの振動子裏面側のエコーの波形図である。
１・・・センサ基材 ２・・・高分子圧電体 ３・・・共振用反射板 ４・・・電極 ５・・・保護部材 ６・・・支持部材 ７・・・密封部材 ８・・・気体層 ９・・・マッチング台 １０・・整合用コイル １１・・共振用コイル １２・・コネクタ １３・・ダンパー
【手続補正書】
【提出日】平成９年３月６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】
【課題を解決しようとする手段】本発明は、上記目的を
達成せんとするものであって、本発明のセンサは、単一
または複数のエレメントからなる共振用反射板、高分子
圧電体および電極からなるセンサ基材を、該共振用反射
板との間にエコーを反射する気体層を設けて支持部材に
取付けたことを特徴とするものであって、好適には、前
記高分子圧電体が（広帯域）λ／２モード駆動および／
または（狭帯域）λ／４モード駆動可能な高分子圧電体
で構成されていることを特徴とするものである。本発明
のセンサ基材では、電極側を保護部材で覆うことが好ま
しく、また、共振用反射板が相対する側の電極を兼ねる
ようにすることもできる。
達成せんとするものであって、本発明のセンサは、単一
または複数のエレメントからなる共振用反射板、高分子
圧電体および電極からなるセンサ基材を、該共振用反射
板との間にエコーを反射する気体層を設けて支持部材に
取付けたことを特徴とするものであって、好適には、前
記高分子圧電体が（広帯域）λ／２モード駆動および／
または（狭帯域）λ／４モード駆動可能な高分子圧電体
で構成されていることを特徴とするものである。本発明
のセンサ基材では、電極側を保護部材で覆うことが好ま
しく、また、共振用反射板が相対する側の電極を兼ねる
ようにすることもできる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】本発明のセンサは、特に狭あい部や複雑な
隙間の探傷等に適用できるものであり、隙間部に挿入さ
れる、センサ基材、気体層および支持部材の積層位置に
おけるセンサの厚さを、例えば１ｍｍより薄く、好適に
は０．１ｍｍ〜０．８ｍｍのように薄型とすることを可
能としたものである。
隙間の探傷等に適用できるものであり、隙間部に挿入さ
れる、センサ基材、気体層および支持部材の積層位置に
おけるセンサの厚さを、例えば１ｍｍより薄く、好適に
は０．１ｍｍ〜０．８ｍｍのように薄型とすることを可
能としたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】本発明で用いる高分子圧電体は、λ／２モ
ードおよびλ／４モードが可能である。高分子重合体Ｐ
（ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）内における音速は２４００ｍ／秒
なので、例えば５ＭＨｚでλ／４モードの場合、圧電素
子の厚み（ｔ）はｔ＝ｖ／４ｆ（ｆは周波数）なので、
これより、ｔ＝２４００×１０6 ／４×５×１０6 ＝１
２０（μｍ）である。
ードおよびλ／４モードが可能である。高分子重合体Ｐ
（ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）内における音速は２４００ｍ／秒
なので、例えば５ＭＨｚでλ／４モードの場合、圧電素
子の厚み（ｔ）はｔ＝ｖ／４ｆ（ｆは周波数）なので、
これより、ｔ＝２４００×１０6 ／４×５×１０6 ＝１
２０（μｍ）である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２４】また、本発明の電極４と共振用反射板３
は、いずれも単一または複数の電極を兼ねることができ
る。高分子圧電体２に電気エネルギーを送り込み応力歪
みを与えると同時に、電気エネルギーが遮断されそして
応力歪みを受け電気エネルギーを発生したりするとき、
電気エネルギーの送受信を行なう端子口となる。本発明
においては、単一エレメントまたは複数のエレメントか
らなる電極とすることができる。具体的には、相対する
電極４と共振用反射板３（電極）は、いずれか一方が単
一エレメント、他方が複数のエレメントからなる電極で
あってよく、または両方が単一エレメントもしくは複数
のエレメントからなる電極であってもよい。複数エレメ
ントからなる電極としては、例えばタンザク状に分割さ
れた電極が例示される。この場合、電極の数（エレメン
ト）は、システムの構成により決定され、医療用や工業
用で用いられるアレー型探触子に類似する。本発明にお
いてこのように高分子圧電体を駆動する電極は金、銅、
アルミニウム等の各種金属を用いて金属蒸着やスパッタ
リング等の手段で形成することができる。電極の厚さ
は、せいぜい１００オングストローム〜１μｍ程度であ
る。◎本発明の電極４は、好適にはその表面が保護部材
５で覆われる。保護部材は、電極４を水またはその他の
媒体から守る保護層の役目と、かかる接触媒体と高分子
圧電体の間の音響結合をスムーズに行なうマッチング層
の役目をもつ。
は、いずれも単一または複数の電極を兼ねることができ
る。高分子圧電体２に電気エネルギーを送り込み応力歪
みを与えると同時に、電気エネルギーが遮断されそして
応力歪みを受け電気エネルギーを発生したりするとき、
電気エネルギーの送受信を行なう端子口となる。本発明
においては、単一エレメントまたは複数のエレメントか
らなる電極とすることができる。具体的には、相対する
電極４と共振用反射板３（電極）は、いずれか一方が単
一エレメント、他方が複数のエレメントからなる電極で
あってよく、または両方が単一エレメントもしくは複数
のエレメントからなる電極であってもよい。複数エレメ
ントからなる電極としては、例えばタンザク状に分割さ
れた電極が例示される。この場合、電極の数（エレメン
ト）は、システムの構成により決定され、医療用や工業
用で用いられるアレー型探触子に類似する。本発明にお
いてこのように高分子圧電体を駆動する電極は金、銅、
アルミニウム等の各種金属を用いて金属蒸着やスパッタ
リング等の手段で形成することができる。電極の厚さ
は、せいぜい１００オングストローム〜１μｍ程度であ
る。◎本発明の電極４は、好適にはその表面が保護部材
５で覆われる。保護部材は、電極４を水またはその他の
媒体から守る保護層の役目と、かかる接触媒体と高分子
圧電体の間の音響結合をスムーズに行なうマッチング層
の役目をもつ。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２８】本発明では高分子圧電体を用い、このよう
な積層構造としたことによって、例えば、本発明の薄型
センサを用いて水中にある構造物の狭あいな隙間で検査
を行なう場合、裏面からのバックエコーを完全になくす
ことができるので、確実で精度の高い検査の実施が可能
となる。
な積層構造としたことによって、例えば、本発明の薄型
センサを用いて水中にある構造物の狭あいな隙間で検査
を行なう場合、裏面からのバックエコーを完全になくす
ことができるので、確実で精度の高い検査の実施が可能
となる。
Claims (8)
- 【請求項１】 共振用反射板、高分子圧電体および電極
からなるセンサ基材を、該共振用反射板との間にエコー
を反射する気体層を設けて支持部材に取付けたことを特
徴とするセンサ。 - 【請求項２】 前記高分子圧電体がλ／２モードおよび
／またはλ／４モード可能な高分子圧電体で構成されて
いることを特徴とする請求項１記載のセンサ。 - 【請求項３】 前記センサ基材、該気体層および該支持
部材の積層位置におけるセンサの厚さが０．１ｍｍ〜
０．８ｍｍであることを特徴とする請求項１または２記
載のセンサ。 - 【請求項４】 前記高分子圧電体が、ポリフッ化ビニリ
デン、フッ化ビニリデンと３フッ化エチレンとの共重合
体、フッ化ビニリデンと４フッ化エチレンとの共重合
体、およびシアノビニリデンと酢酸ビニルとの共重合体
から選ばれた一つであることを特徴とする請求項１、２
または３記載のセンサ。 - 【請求項５】 前記高分子圧電体がフッ素系高分子重合
体からなることを特徴とする請求項１、２または３記載
のセンサ。 - 【請求項６】 前記フッ素系高分子重合体がフッ化ビニ
リデンと３フッ化エチレンとの共重合体であることを特
徴とする請求項５記載のセンサ。 - 【請求項７】 前記共振用反射板が電極を兼ねている請
求項１〜６記載のいずれかに記載のセンサ。 - 【請求項８】 共振用反射板、高分子圧電体、電極およ
び保護部材を順次積層した構造のセンサ基材を構成し、
該センサ基材を該共振用反射板との間にエコーを反射す
る密封された気体層を設けて支持部材に取付けたセンサ
であって、該高分子圧電体がλ／２およびλ／４モード
可能なフッ素系高分子重合体からなる高分子圧電体で構
成されていることを特徴とするセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07828396A JP3667426B2 (ja) | 1996-03-06 | 1996-03-06 | センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07828396A JP3667426B2 (ja) | 1996-03-06 | 1996-03-06 | センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09243620A true JPH09243620A (ja) | 1997-09-19 |
| JP3667426B2 JP3667426B2 (ja) | 2005-07-06 |
Family
ID=13657636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07828396A Expired - Lifetime JP3667426B2 (ja) | 1996-03-06 | 1996-03-06 | センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3667426B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003052697A (ja) * | 2001-08-20 | 2003-02-25 | Fuji Photo Optical Co Ltd | 超音波プローブ |
| JP2003061962A (ja) * | 2001-08-24 | 2003-03-04 | Fuji Photo Optical Co Ltd | 超音波プローブ |
| JP5083210B2 (ja) * | 2006-06-13 | 2012-11-28 | コニカミノルタエムジー株式会社 | アレイ型超音波探触子及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-03-06 JP JP07828396A patent/JP3667426B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003052697A (ja) * | 2001-08-20 | 2003-02-25 | Fuji Photo Optical Co Ltd | 超音波プローブ |
| JP4674425B2 (ja) * | 2001-08-20 | 2011-04-20 | 富士フイルム株式会社 | 超音波プローブ |
| JP2003061962A (ja) * | 2001-08-24 | 2003-03-04 | Fuji Photo Optical Co Ltd | 超音波プローブ |
| JP4674426B2 (ja) * | 2001-08-24 | 2011-04-20 | 富士フイルム株式会社 | 超音波プローブ |
| JP5083210B2 (ja) * | 2006-06-13 | 2012-11-28 | コニカミノルタエムジー株式会社 | アレイ型超音波探触子及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3667426B2 (ja) | 2005-07-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5389848A (en) | Hybrid ultrasonic transducer | |
| US20100192693A1 (en) | Acoustic transducer assembly | |
| KR102285486B1 (ko) | 플렉서블 초음파 어레이 변환기 제조 방법 | |
| US11890644B2 (en) | Ultrasonic devices including acoustically matched regions therein | |
| JP6552644B2 (ja) | 金属性保護構造を有する超音波トランスデューサのためのインピーダンス整合層 | |
| Toda | Cylindrical PVDF film transmitters and receivers for air ultrasound | |
| Platte | PVDF ultrasonic transducers | |
| Hurmila et al. | Ultrasonic transducers using PVDF | |
| JPH09243620A (ja) | センサ | |
| CN111403594A (zh) | 一种用于制作高灵敏度水声换能器的敏感元件及其制备方法 | |
| EP1452243A2 (en) | Ultrasonic transmitting/receiving device and method of fabricating the same | |
| Kharat et al. | Polymeric piezoelectric transducers for hydrophone applications | |
| CN112285202A (zh) | 一种面向变曲率pbx表面裂纹的无损检测方法及传感器 | |
| Savoia et al. | A low frequency broadband flexural mode ultrasonic transducer for immersion applications | |
| Herzog et al. | High-performance ultrasonic transducers based on PMN-PT single crystals fabricated in 1-3 Piezo-Composite Technology | |
| CN215932137U (zh) | 一种超声波传感器 | |
| US6946777B2 (en) | Polymer film composite transducer | |
| JP4942158B2 (ja) | 水中超音波利用装置付き船舶、及び、水中超音波利用装置 | |
| Vladišauskas et al. | Development of the non-damped wide-band ultrasonic transducers | |
| JPH09307998A (ja) | 斜角センサ | |
| KR101558921B1 (ko) | 초점심도조절이 가능한 분할형 초음파 센서 | |
| JPS59178378A (ja) | 超音波探触子 | |
| Sutor et al. | Research on ferroelectret based ultrasound transducers | |
| Sutor et al. | A8. 2-Research on Ferroelectret Based Ultrasound Transducers | |
| CN206300927U (zh) | 用于燃气轮机部件热障涂层弹性常数无损测量的pvdf探头 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040722 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040802 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040929 |
|
| RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20040929 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050405 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050406 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090415 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090415 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100415 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100415 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110415 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120415 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120415 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130415 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140415 Year of fee payment: 9 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |