JPH09237420A - Optical recording method, optical recorder and optical recording medium - Google Patents

Optical recording method, optical recorder and optical recording medium

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JPH09237420A
JPH09237420A JP8288549A JP28854996A JPH09237420A JP H09237420 A JPH09237420 A JP H09237420A JP 8288549 A JP8288549 A JP 8288549A JP 28854996 A JP28854996 A JP 28854996A JP H09237420 A JPH09237420 A JP H09237420A
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JP
Japan
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pulse
signal
modulated
optical recording
exposure
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Application number
JP8288549A
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Japanese (ja)
Inventor
Fusaaki Endou
惣銘 遠藤
Keiko Suzuki
恵子 鈴木
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To expose a latent image so as to make the width of the latent image nearly constant regandlessly of the length of the latent image by supplying a driving signal obtained based on a modulated pulse signal converted into a pulse string to a light modulator and driving the light modulator. SOLUTION: This optical recorder 20 includes a pulse string converting circuit 22 provided between an EFM modulation circuit 21 and a driver. During the formation of pit recording, the EFM modulation circuit 21 supplies not only an EFM modulated high frequency recording signal S1 but also a channel clock signal CHCKO to the pulse string converting circuit 22. Thus, a pulse string converting signal S11 outputted from the circuit 22 becomes the signal for which a pit formation pulse based on the signal S1 is converted into a pulse string for each window. Succedingly, a driver 8 supplies a voltage signal S12 based on the signal S11 to a modulation optical unit 3. Thus, a plurality of pits nearly constant in pit width are formed.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【目次】以下の順序で本発明を説明する。[Table of Contents] The present invention will be described in the following order.

【0002】発明の属する技術分野 従来の技術(図13及び図14) 発明が解決しようとする課題(図15及び図16
(F)) 課題を解決するための手段 発明の実施の形態 (1)第1実施例(図1〜図7(F)) (2)第2実施例(図8〜図11(F)) (3)他の実施例(図12) 発明の効果
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION Conventional Technology (FIGS. 13 and 14) Problems to be Solved by the Invention (FIGS. 15 and 16)
(F)) Means for Solving the Problems Embodiments of the Invention (1) First Example (FIGS. 1 to 7 (F)) (2) Second Example (FIGS. 8 to 11 (F)) (3) Other Examples (FIG. 12) Effects of the Invention

【0003】[0003]

【発明の属する技術分野】本発明は、光学記録方法、光
学記録装置及び光学記録媒体に関し、例えばCD(Comp
act Disc)等の光デイスクを製造するためのレーザカツ
テイングマシーンに適用して好適なものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical recording method, an optical recording device and an optical recording medium, for example, a CD (Comp.
It is suitable for application to a laser cutting machine for manufacturing an optical disc such as an act disc).

【0004】[0004]

【従来の技術】従来、光デイスク及び光磁気デイスク等
の光学記録媒体の原盤作製、あるいはプリント配線基板
及び半導体集積回路等の作製に用いられるフオトレジス
トマスクの作製等においては、レーザ光を用いた光学記
録装置が使用されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, laser light has been used in the manufacture of a master for an optical recording medium such as an optical disk and a magneto-optical disk, or in the manufacture of a photoresist mask used in the manufacture of a printed wiring board and a semiconductor integrated circuit. An optical recording device is used.

【0005】ここで図13において、CD等の光学記録
媒体の原盤作製に用いられる光学記録装置を示す。光学
記録装置1においては、例えばヘリウム・カドミウム
(He-Cd )レーザ(波長 441.6〔nm〕)のように気体を
増幅媒質とするレーザ光源2からレーザ光L1が出射さ
れ、当該レーザ光L1はミラーM1に反射されて平行光
のまま変調光学ユニツト3に入射される。
FIG. 13 shows an optical recording apparatus used for producing a master of an optical recording medium such as a CD. In the optical recording device 1, for example, a laser light L1 is emitted from a laser light source 2 having a gas as an amplification medium, such as a helium-cadmium (He-Cd) laser (wavelength 441.6 [nm]), and the laser light L1 is a mirror. The light is reflected by M1 and enters the modulation optical unit 3 as parallel light.

【0006】変調光学ユニツト3は、例えば酸化テルル
(TeO2)からなる音響光学変調器(AOM:Acousto Op
tic Modulator )4を有し、当該音響光学変調器4の光
路の前後にビーム縮小レンズ5及びビーム拡大レンズ6
(共に焦点距離は80〔mm〕でなる)が設けられた構成か
らなる。ミラーM1を介して変調光学ユニツト3に入射
されたレーザ光L1は、ビーム縮小レンズ5において所
定のビーム径に縮小された後、音響光学変調器4に入射
される。
The modulation optical unit 3 is an acousto-optic modulator (AOM: Acousto Op) made of, for example, tellurium oxide (TeO 2 ).
tic modulator) 4, and a beam reduction lens 5 and a beam expansion lens 6 are provided in front of and behind the optical path of the acousto-optic modulator 4.
(Both have a focal length of 80 mm). The laser beam L1 incident on the modulation optical unit 3 via the mirror M1 is reduced to a predetermined beam diameter by the beam reduction lens 5, and then is incident on the acousto-optic modulator 4.

【0007】ここで図14に示すように音響光学変調器
4は、音響光学媒体(例えばPbMoO4結晶、TeO2結晶等)
4A上に圧電振動子(トランスジユーサ)(例えばLiNb
O3、ZnO 等でなる薄膜)4Bが接着された構成からな
る。この場合、ピツト記録形成時には、EFM変調回路
7においてEFM変調された高周波記録信号S1がドラ
イバ8を介して電圧信号S2に変換された後、音響光学
変調器4の圧電振動子4Bに入力される。
Here, as shown in FIG. 14, the acousto-optic modulator 4 is an acousto-optic medium (for example, PbMoO 4 crystal, TeO 2 crystal, etc.).
Piezoelectric transducer (transducer) on 4A (eg LiNb
A thin film 4B made of O 3 , ZnO or the like is adhered. In this case, at the time of forming the pit recording, the high frequency recording signal S1 EFM-modulated in the EFM modulation circuit 7 is converted into the voltage signal S2 via the driver 8 and then input to the piezoelectric vibrator 4B of the acousto-optic modulator 4. .

【0008】音響光学変調器4では、圧電振動子4Bに
よつて電圧信号S2は超音波信号に変換され、音響光学
媒体4A内において当該音響光学媒体4Aの屈折率を周
期的に変化させることにより、当該音響光学媒体4Aは
光に対して回折格子の役割を果たすこととなる(以下、
これを超音波回折格子と呼ぶ)。
In the acousto-optic modulator 4, the piezoelectric oscillator 4B converts the voltage signal S2 into an ultrasonic signal, and the refractive index of the acousto-optic medium 4A is periodically changed in the acousto-optic medium 4A. , The acousto-optic medium 4A serves as a diffraction grating for light (hereinafter,
This is called an ultrasonic diffraction grating).

【0009】この場合、ブラツグ回折では格子間隔d、
レーザ光波長λ、及びレーザ光と格子面とのなす角θで
なるとき、次式
In this case, in the Bragg diffraction, the lattice spacing d,
When the laser light wavelength λ and the angle θ between the laser light and the lattice plane are

【0010】[0010]

【数1】 [Equation 1]

【0011】を満たすときの角θ(以下、これをブラツ
グ角と呼ぶ)でレーザ光L1が入射し得るように音響光
学変調器4を配置するようにする。
The acousto-optic modulator 4 is arranged so that the laser beam L1 can be incident at an angle θ (hereinafter, referred to as a Bragg angle) when satisfying the condition.

【0012】この状態において、超音波波面にブラツグ
角で入射したレーザ光L1は、当該超音波波面と同じ角
度をなす方向にのみ回折され、当該レーザ光L1の光強
度を当該電圧信号S2に応じてオン状態又はオフ状態に
より断続させて変調する。
In this state, the laser light L1 incident on the ultrasonic wave front at the Bragg angle is diffracted only in the direction forming the same angle as the ultrasonic wave front, and the light intensity of the laser light L1 is changed according to the voltage signal S2. The modulation is intermittently performed depending on the ON state or the OFF state.

【0013】このように、音響光学変調器4は、ブラツ
グ回折における一次回折光強度が超音波パワーにほぼ比
例することを利用してなり、超音波パワーをドライバ8
から供給される電圧信号S2に基づいて変調することに
よりレーザ光L1の光変調を行うようになされている。
As described above, the acousto-optic modulator 4 utilizes the fact that the intensity of the first-order diffracted light in the Bragg diffraction is almost proportional to the ultrasonic power, and the ultrasonic power is transmitted to the driver 8
The optical modulation of the laser beam L1 is performed by performing modulation based on the voltage signal S2 supplied from.

【0014】続いて、電圧信号S2に基づき音響光学変
調器4によつて強度変調されたレーザ光L1は、ビーム
拡大レンズ6によつて、そのビーム径が元の大きさに拡
大された後、ミラーM2に反射されて移動光学テーブル
9上のレンズ10(焦点距離は90〔mm〕でなる)に入射
される。続いて、レーザ光L1Aは、レンズ10を介し
てミラーM3に反射された後、対物レンズ11(開口数
NA=0.9 )を介して集光され、フオトレジスト付ガラ
ス原盤(以下、これをガラス原盤と呼ぶ)12上に塗布
されたフオトレジスト膜12Aに照射される。
Subsequently, the laser beam L1 whose intensity is modulated by the acousto-optic modulator 4 based on the voltage signal S2 is expanded by the beam expanding lens 6 to its original size, and then the laser beam L1 is expanded. The light is reflected by the mirror M2 and is incident on the lens 10 (having a focal length of 90 mm) on the moving optical table 9. Subsequently, the laser beam L1A is reflected by the mirror M3 through the lens 10 and then condensed through the objective lens 11 (numerical aperture NA = 0.9) to obtain a glass master plate with a photoresist (hereinafter referred to as a glass master plate). The photoresist film 12A coated on the surface 12 is irradiated.

【0015】因みにこの場合、ガラス原盤12上に塗布
されるフオトレジスト膜12Aとしては、通常、半導体
製造用に一般的に用いられる水銀ランプg線(波長 437
〔nm〕)対応のポジ型タイプが用いられている。
Incidentally, in this case, as the photoresist film 12A applied on the glass master 12, a mercury lamp g line (wavelength: 437) which is generally used for semiconductor manufacturing is usually used.
[Nm]) compatible positive type is used.

【0016】ここで、移動光学テーブル9は、ガラス原
盤12の径方向に移動し得るようになされ、またガラス
原盤12は、モータ(図示せず)の出力軸の回転駆動に
伴つて矢印aで示す方向又はこれとは逆方向に線速度一
定(CLV:Constant Linear Velocity)で回転し得る
ようになされている。これにより、ガラス原盤12のフ
オトレジスト膜12Aにレーザ光L1Aがスパイラルに
照射され、かくして当該フオトレジスト膜12Aのうち
レーザ光L1Aの露光部分が現像処理により溶解してピ
ツトが記録形成される。
Here, the movable optical table 9 is adapted to be movable in the radial direction of the glass master disk 12, and the glass master disk 12 is indicated by an arrow a as the output shaft of a motor (not shown) is rotationally driven. It can rotate at a constant linear velocity (CLV) in the direction shown or in the opposite direction. As a result, the photoresist film 12A of the glass master 12 is spirally irradiated with the laser light L1A, and thus the exposed portion of the laser light L1A of the photoresist film 12A is dissolved by the development process to form a pit.

【0017】因みに、ピツトが形成されたガラス原盤1
2の複製をNiめつきすることにより金型(スタンパ
ー)を作製し、当該金型を用いてPMMA(ポリメチル
メタクリレート)及びPC(ポリカーボネイト)等の透
明樹脂に成形を行うことにより、微小な凹凸(信号に相
当するピツトパターン)が転写された透明基板を形成す
ることができる。これらピツトを含む透明基盤の表面に
は光を反射する金属膜が設けられ、さらに保護膜が信号
ピツトを保護するために設けられることにより、CD等
の光デイスクが製造されることとなる。
Incidentally, the glass master 1 having the pits formed thereon.
By forming a mold (stamper) by plating a duplicate of No. 2 with Ni and molding transparent resin such as PMMA (polymethylmethacrylate) and PC (polycarbonate) using the mold, minute irregularities are formed. It is possible to form a transparent substrate on which (a pit pattern corresponding to a signal) is transferred. A light-reflecting metal film is provided on the surface of the transparent substrate including these pits, and a protective film is provided to protect the signal pits, whereby an optical disc such as a CD is manufactured.

【0018】[0018]

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来、CD
等の光デイスクのスタンパを作製する際の露光処理工程
においては、最短ピツト長(3T)から最長ピツト長
(11T)までの複数種類のピツトが、各々のピツト長
に対応する露光パルスによつてフオトレジスト膜にそれ
ぞれ形成されるようになされている。
By the way, the conventional CD
In the exposure processing step when manufacturing a stamper of an optical disk such as the above, a plurality of types of pits from the shortest pit length (3T) to the longest pit length (11T) are generated by the exposure pulse corresponding to each pit length. Each is formed on the photoresist film.

【0019】この露光処理工程において、まずg線用ポ
ジ型フオトレジスト膜に各ピツト長に対応する露光パル
スに基づくピツトをそれぞれ形成する場合には、3Tピ
ツトと11Tピツトとではピツト幅(半径方向)がほと
んど変わらない。
In this exposure process, first, when the pits based on the exposure pulse corresponding to each pit length are formed on the g-line positive photoresist film, the pit width (radial direction) is set between the 3T pit and the 11T pit. ) Is almost unchanged.

【0020】これに対して、γ特性値が比較的高い(γ
特性値>4)(すなわち高解像度タイプの)フオトレジ
スト膜(以下、これを高ガンマフオトレジスト膜と呼
ぶ)に各ピツト長に対応する露光パルスに基づくピツト
をそれぞれ形成する場合には、3Tピツトから11Tピ
ツトまで光量を全て一定にして露光しても、3Tピツト
と11Tピツトとではピツトの幅が11Tピツトの方が
幅広くなる傾向が現れる。実際上この傾向は、線速度一
定(CLV)及び回転速度一定(CAV:Constant Ang
ular Velocity )のいずれの場合も現れる。
On the other hand, the γ characteristic value is relatively high (γ
Characteristic value> 4) (that is, a high resolution type) photoresist film (hereinafter, referred to as a high gamma photoresist film). When forming the pits based on the exposure pulse corresponding to each pit length, 3T pits are formed. Even if exposure is performed with a constant amount of light from 3 to 11T pits, there is a tendency that the width of pits becomes wider at 11T pits between 3T pits and 11T pits. In practice, this tendency is due to constant linear velocity (CLV) and constant rotational velocity (CAV).
Appears in both cases of (ular Velocity).

【0021】このように高ガンマフオトレジスト膜を用
いた場合にピツト長の長い方が幅広になる理由を以下に
説明する。まず実際上、フオトレジスト膜のγ特性値に
かかわらずフオトレジスト膜に形成されるピツト長の長
さに対応して露光レベルが上がることから、3Tピツト
よりも11Tピツトの方が露光量が若干多くなる。ここ
で通常のフオトレジスト膜を用いた場合には、このよう
なピツト長の長短に応じて露光量が若干相違してもピツ
ト幅に影響を及ぼすことはほとんどない。これに対して
高ガンマフオトレジスト膜を用いた場合には、γ特性値
が高くなることに伴つてピツト長の長短に応じた露光量
の若干の相違が増長され、この結果ピツト幅に影響が及
ぶこととなる。従つて高ガンマフオトレジスト膜を用い
た場合にはピツト長の長い方が幅広になる。
The reason why the longer pit length becomes wider when the high gamma photoresist film is used will be described below. First, in practice, the exposure level rises in accordance with the length of the pit length formed in the photoresist film regardless of the γ characteristic value of the photoresist film. Therefore, the exposure amount is slightly smaller in the 11T pit than in the 3T pit. More. Here, when a normal photoresist film is used, even if the exposure amount slightly differs depending on the length of the pit length, the pit width is hardly affected. On the other hand, when a high gamma photoresist film is used, a slight difference in the exposure amount depending on the length of the pit length is increased with an increase in the γ characteristic value, and as a result, the pit width is affected. Will be extended. Accordingly, when a high gamma photoresist film is used, the longer the pit length, the wider the width.

【0022】因みに図15において、ポジ型のフオトレ
ジスト膜を用いた場合における残膜率(現像後膜厚/塗
布膜厚)mと、対数表示された単位面積当たりの露光量
logEとの関係を表す特性曲線K1を示す。
Incidentally, in FIG. 15, the residual film rate (film thickness after development / coating film thickness) m and the exposure amount per unit area expressed in logarithm when a positive type photoresist film is used.
The characteristic curve K1 showing the relationship with logE is shown.

【0023】この場合、γ特性値は、特性曲線K1の直
線部分の傾斜で表され、すなわち、フオトレジスト膜を
感光させるのに必要な最小露光量をE0 とし、当該フオ
トレジスト膜が完全に感光されて現像後に無膜状態とな
るのに必要な最大露光量をE1 とした場合に、次式
In this case, the γ characteristic value is represented by the slope of the straight line portion of the characteristic curve K1, that is, the minimum exposure amount required for exposing the photoresist film to light is E 0, and the photoresist film is completely exposed. If the maximum exposure required to expose the film to a non-film state after development is E 1 ,

【0024】[0024]

【数2】 [Equation 2]

【0025】で表される。なお、特性曲線K1の直線部
分が少なく最小露光量E0 及び最大露光量E1 を推定し
難い場合には、m=1/2のときの露光量E1/2 近辺に
おける特性曲線K1の勾配で表すようにしても良い。
## EQU2 ## When the straight line portion of the characteristic curve K1 is small and it is difficult to estimate the minimum exposure amount E 0 and the maximum exposure amount E 1 , the slope of the characteristic curve K1 near the exposure amount E 1/2 when m = 1/2. It may be expressed as.

【0026】ここでピツト長の長い方が幅広になる具体
的な態様を、図16(A)〜(F)に示す。3Tピツト
及び11Tピツトは、それぞれEFM変調された高周波
記録信号S1に基づくパルス幅がP3T及びP11T でなる
ピツト形成パルス(すなわち露光時間に相当する高周波
記録信号S1のパルス露光部分)に応じて形成される
(図16(A)及び(D))。このとき3Tピツトと1
1Tピツトとでは、高ガンマフオトレジスト膜を用いて
いるため、11ピツトの露光レベルE11T が3Tピツト
の露光レベルE3Tよりも高い数値を示すこととなり(図
16(B)及び(E))、この結果11Tピツトのピツ
ト幅W11T の方が3Tピツトのピツト幅W3Tよりも幅広
になる(図16(C)及び(F))。
A concrete mode in which the longer pit length is wider is shown in FIGS. 16 (A) to 16 (F). The 3T pit and the 11T pit correspond to the pit forming pulse (that is, the pulse exposure portion of the high frequency recording signal S1 corresponding to the exposure time) whose pulse widths are P 3T and P 11T based on the EFM-modulated high frequency recording signal S1, respectively. Formed (FIGS. 16A and 16D). At this time, 3T pit and 1
With 1T pits, since a high gamma photoresist film is used, the exposure level E 11T of 11 pits is higher than the exposure level E 3T of 3T pits (FIGS. 16 (B) and (E)). As a result, the pit width W 11T of the 11T pit becomes wider than the pit width W 3T of the 3T pit (FIGS. 16C and 16F).

【0027】このため3Tピツトと11Tピツトとで
は、ピツト幅W3T及びW11T の差異に起因して信号振幅
にもさらに差異が広がることとなり、このため安定した
信号振幅を有する光デイスクを作製することが困難とな
る問題があつた。
Therefore, between the 3T pit and the 11T pit, the difference in signal amplitude is further widened due to the difference in the pit widths W 3T and W 11T , so that an optical disk having a stable signal amplitude is produced. There was a problem that made it difficult.

【0028】さらに11Tピツトの幅広を回避すべく、
露光光量を全体的に下げた場合には、3Tピツトが十分
に形成されず、この結果当該3Tピツトの変調度が十分
に確保し得なくなるおそれがあつた。実際上、実験結果
によれば、γ特性値=5でなる高ガンマフオトレジスト
膜、波長 441.6〔nm〕でなるヘリウム・カドミウムレー
ザ光源、及び開口数NA=0.9 でなる対物レンズを用い
て露光処理した場合には、3Tピツトのピツト幅は0.27
〔μm 〕、11Tピツトのピツト幅は0.35〔μm 〕とい
う値が得られる。このことは、3Tピツトと11Tピツ
トとでは約20〔%〕以上もピツト幅に差異が生じること
を表している。
Furthermore, in order to avoid the wide 11T pit,
When the amount of exposure light is reduced as a whole, the 3T pits are not sufficiently formed, and as a result, the modulation factor of the 3T pits may not be sufficiently secured. Actually, according to the experimental results, the exposure process was performed using a high gamma photoresist film with a γ characteristic value of 5, a helium / cadmium laser light source with a wavelength of 441.6 [nm], and an objective lens with a numerical aperture NA = 0.9. In case of doing, the pitch width of 3T pit is 0.27
A value of 0.35 [μm] is obtained for the pitch width of [μm] and 11T pits. This means that there is a difference of about 20% or more between the 3T pit and the 11T pit.

【0029】因みに、これに対してγ特性値= 2.7でな
る通常のフオトレジスト膜を用いて露光処理した場合に
は、3Tピツトのピツト幅は0.58〔μm 〕、11Tピツ
トのピツト幅は0.60〔μm 〕という値が得られる。この
ことから3Tピツトと11Tピツトとではピツト幅にほ
とんど差異は生じないことを表している。
On the other hand, when the exposure process is performed using a normal photoresist film having a γ characteristic value of 2.7, the 3T-pit width is 0.58 [μm] and the 11T-pit width is 0.60 [μm]. .mu.m] is obtained. This means that there is almost no difference in the pit width between the 3T pit and the 11T pit.

【0030】このようなピツト幅に差異が生じる問題を
解決する1つの方法として、高ガンマフオトレジスト膜
に各ピツト長に対応する露光パルスに基づくピツトをそ
れぞれ形成する場合には、11Tピツトのとき露光光量
を下げて3Tピツトと同じピツト幅になるように光量変
調して露光する方法が用いられている。
As one method for solving such a problem that the difference in the width of the pits occurs, when the pits based on the exposure pulse corresponding to each pit length are formed in the high gamma photo resist film, when the pits are 11T, A method is used in which the exposure light amount is reduced and the exposure is performed by modulating the light amount so that the pitch width becomes the same as the 3T pitch.

【0031】ところが、この方法によれば、CLV露光
では行い得るが、CAV露光の場合では、半径位置によ
り露光光量を変えるようにして変調していることから、
その変調信号をさらに制御する必要があり、装置全体と
して煩雑になるという問題があつた。
However, according to this method, although CLV exposure can be performed, in the case of CAV exposure, since the exposure light amount is modulated by changing the radial position,
It is necessary to further control the modulated signal, and there is a problem that the whole apparatus becomes complicated.

【0032】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、潜像の長さにかかわらず潜像の幅がほぼ一定となる
ように露光し得る光学記録方法、光学記録装置及び光学
記録媒体を提案しようとするものである。
The present invention has been made in consideration of the above points, and an optical recording method, an optical recording apparatus, and an optical recording capable of performing exposure so that the width of the latent image becomes substantially constant regardless of the length of the latent image. It is intended to propose a medium.

【0033】[0033]

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、レーザ光源から発射されたレーザ
光を光変調器を用いて所定のフオーマツトにに基づく変
調パルス信号に応じて強度変調した後、当該強度変調さ
れたレーザ光を被露光体の被露光面に照射することによ
り、変調パルス信号に応じた種々の長さでなる複数の潜
像からなる露光パターンを形成する光学記録方法、光学
記録装置及び光学記録媒体において、変調パルス信号の
各パルス露光部分を、所定のパルス幅に設定され、同一
周期に繰り返されるパルス列にそれぞれ変換し、各パル
ス列に変換された変調パルス信号に基づく駆動信号を光
変調器に供給して、当該光変調器を駆動制御するように
する。
In order to solve the above problems, according to the present invention, the intensity of laser light emitted from a laser light source is modulated by an optical modulator according to a modulation pulse signal based on a predetermined format. After that, by irradiating the exposed surface of the exposed body with the intensity-modulated laser light, an optical recording method for forming an exposure pattern composed of a plurality of latent images of various lengths according to the modulation pulse signal, In an optical recording device and an optical recording medium, each pulse-exposed portion of a modulated pulse signal is converted into a pulse train set to a predetermined pulse width and repeated in the same cycle, and driving based on the modulated pulse signal converted into each pulse train A signal is supplied to the optical modulator to drive and control the optical modulator.

【0034】また本発明においては、変調パルス信号の
各パルス露光部分を、所定のパルス幅に設定され、同一
周期に繰り返されるパルス列にそれぞれ変換すると共
に、当該変換後の各パルス露光部分の信号レベルを、変
換前の各パルス露光部分の長さに応じて調整するように
する。
Further, in the present invention, each pulse exposed portion of the modulated pulse signal is converted into a pulse train having a predetermined pulse width and repeated in the same cycle, and the signal level of each pulse exposed portion after the conversion is converted. Is adjusted according to the length of each pulse-exposed portion before conversion.

【0035】さらに本発明においては、変調パルス信号
の各パルス露光部分を、所定のパルス幅に設定され、同
一周期に繰り返されるパルス列にそれぞれ変換すると共
に、当該変換後の各パルス露光部分に割り当てられたパ
ルス列の各パルス幅の和を、変換前の各パルス露光部分
の長さに応じて調整するようにする。
Further, in the present invention, each pulse exposure portion of the modulated pulse signal is converted into a pulse train having a predetermined pulse width and repeated in the same cycle, and is assigned to each pulse exposure portion after the conversion. The sum of each pulse width of the pulse train is adjusted according to the length of each pulse exposed portion before conversion.

【0036】さらに本発明においては、変調パルス信号
の各パルス露光部分を、所定のパルス幅に設定され、同
一周期に繰り返されるパルス列にそれぞれ変換すると共
に、当該変換後のウインドウ毎に分割されたパルス露光
部分における当該各ウインドウに対応するパルス列の各
パルス幅を、変換前の各パルス露光部分の長さに応じて
調整するようにする。
Further, in the present invention, each pulse exposure portion of the modulated pulse signal is converted into a pulse train having a predetermined pulse width and repeated in the same cycle, and the pulse divided into windows after the conversion. Each pulse width of the pulse train corresponding to each window in the exposed portion is adjusted according to the length of each pulse exposed portion before conversion.

【0037】さらに本発明においては、変調パルス信号
の各パルス露光部分を、所定のパルス幅に設定され、同
一周期に繰り返されるパルス列にそれぞれ変換する際
に、当該各パルス露光部分に割り当てられるパルス列の
うち最初又は最後のパルスを消去するようにする。
Further, in the present invention, when converting each pulse exposure portion of the modulated pulse signal into a pulse train having a predetermined pulse width and repeated in the same cycle, the pulse train assigned to each pulse exposure portion is converted. The first or last pulse is erased.

【0038】さらに本発明においては、被露光体は、原
盤上に塗布されたγ特性値が4より大きいフオトレジス
トでなるようにする。
Further, in the present invention, the exposed body is made of a photoresist having a γ characteristic value of greater than 4 coated on the master.

【0039】さらに本発明においては、変調パルス信号
の各パルス露光部分に割り当てられたパルス列の各パル
ス幅の和は、パルス露光部分に対して10〔%〕〜75
〔%〕の割合で含まれるようにする。
Further, in the present invention, the sum of the pulse widths of the pulse trains assigned to the pulse exposed portions of the modulated pulse signal is 10% to 75% with respect to the pulse exposed portions.
It should be included in the ratio of [%].

【0040】このようにして種々の長さでなる複数の潜
像からなる露光パターンを被露光体の被露光面に形成す
る場合に、各潜像の長さにかかわらず全てほぼ同一の潜
像の幅にすることができ、かくして潜像の長さの長い方
が潜像の長さの短い方よりも潜像の幅が幅広になるのを
防止することができる。
In this way, when an exposure pattern consisting of a plurality of latent images of various lengths is formed on the exposed surface of the exposed body, all latent images are substantially the same regardless of the length of each latent image. The width of the latent image can be prevented from being wider than that of the latent image having a longer length than that of the latent image having a shorter length.

【0041】[0041]

【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施例を詳述する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0042】(1)第1実施例 図9との対応部分に同一符号を付して示す図1におい
て、光学記録装置20は、図9に示す光学記録装置1と
はEFM変調回路21及びドライバ8間にパルス列変換
回路22が設けられていることを除いてほぼ同様の構成
からなる。
(1) First Embodiment In FIG. 1 in which parts corresponding to those in FIG. 9 are assigned the same reference numerals, the optical recording device 20 differs from the optical recording device 1 shown in FIG. 9 in that the EFM modulation circuit 21 and the driver. It has substantially the same configuration except that the pulse train conversion circuit 22 is provided between the eight.

【0043】この場合図10との対応部分に同一符号を
付した図2に示すように、ピツト記録形成時にはEFM
変調回路21は、EFM変調された高周波記録信号S1
のみならずチヤンネルクロツク信号CHCK0もパルス
列変換回路22に供給するようになされている。
In this case, as shown in FIG. 2 in which parts corresponding to those in FIG.
The modulation circuit 21 uses the EFM-modulated high frequency recording signal S1.
Not only the channel clock signal CHCK0 is also supplied to the pulse train conversion circuit 22.

【0044】図3に示すように、パルス列変換回路22
において、第1の遅延回路30はチヤンネルクロツク信
号CHCK0の論理「H」の立上り時点t1 から時点t
2 まで遅延させた後、これを遅延クロツク信号CHCK
1としてエツジ抽出及び反転回路31に供給する(図4
(A)及び(C))。
As shown in FIG. 3, the pulse train conversion circuit 22
In the first delay circuit 30 is the time from the rising time t 1 of the logic "H" of the channel clock signal CHCK0 t
After delaying to two , this is delayed by the delayed clock signal CHCK.
1 to the edge extraction and inversion circuit 31 (see FIG. 4).
(A) and (C)).

【0045】エツジ抽出及び反転回路31は、遅延クロ
ツク信号CHCK1の論理「H」の立上り時点t2 から
所定時間分抽出した後、これを反転させてクロツクエツ
ジ信号CHCK2として第2の遅延回路32及びJK型
フリツプフロツプ回路33のセツト入力端に供給する
(図4(D))。
The edge extracting and inverting circuit 31 extracts a predetermined time from the rising time t2 of the logic "H" of the delayed clock signal CHCK1 and then inverts the inverted clock signal to generate a second clock signal CHCK2 as the second delay circuit 32 and JK. It is supplied to the set input terminal of the mold flip-flop circuit 33 (FIG. 4D).

【0046】第2の遅延回路32は、クロツクエツジ信
号CHCK2の論理「H」の立上り時点t2 から時点t
3 まで遅延させた後、これを遅延クロツクエツジ信号C
HCK3としてJK型フリツプフロツプ回路33のリセ
ツト入力端に供給する(図4(E))。
[0046] The second delay circuit 32, the time from the rising time t 2 of the logic "H" of the Kurotsukuetsuji signal CHCK2 t
After delayed until 3, delays this Kurotsukuetsuji signal C
HCK3 is supplied to the reset input terminal of the JK flip-flop circuit 33 (FIG. 4E).

【0047】このJK型フリツプフロツプ回路33は、
クロツクエツジ信号CHCK2の立下り(時点t2 )で
論理「H」に立上がると共に、遅延クロツクエツジ信号
CHCK3の立上り(時点t3 )で論理「L」に立下が
るクロツクパルス信号CHCK4がQ出力として得ら
れ、これがAND回路34の一入力端に与えられる(図
4(F))。
The JK type flip-flop circuit 33 is
Together it rises to a logic "H" at the fall of Kurotsukuetsuji signal CHCK2 (time t 2), clock pulses signal CHCK4 which falls to logic "L" is obtained as Q output at the rise of the delayed Kurotsukuetsuji signal CHCK3 (time t 3), This is given to one input terminal of the AND circuit 34 (FIG. 4 (F)).

【0048】一方、パルス列変換回路22において、D
型フリツプフロツプ回路35は、EFM変調回路21か
らチヤンネルクロツク信号CHCK0をクロツク入力端
に受けると共に、高周波記録信号S1をデータ入力端に
受ける(図4(A)及び(B))。このD型フリツプフ
ロツプ回路35は、チヤンネルクロツク信号CHCK0
の立上り時点t1 でトリガされ、高周波記録信号S1を
チヤンネルクロツク信号CHCK0に同期させた同期化
高周波記録信号S10をAND回路34の他入力端に与
える(図4(G))。
On the other hand, in the pulse train conversion circuit 22, D
The type flip-flop circuit 35 receives the channel clock signal CHCK0 from the EFM modulation circuit 21 at its clock input terminal and the high frequency recording signal S1 at its data input terminal (FIGS. 4A and 4B). This D-type flip-flop circuit 35 generates a channel clock signal CHCK0.
It is triggered at the rising time t 1, giving the synchronization frequency recording signal S10 in synchronization with the high-frequency recording signal S1 to the channel clock signal CHCK0 other input terminal of the AND circuit 34 (FIG. 4 (G)).

【0049】AND回路34は、同期化高周波記録信号
S10が論理「H」に立上つている時点t1 から時点t
6 までの間、クロツクパルス信号CHCK4を通過させ
た後、これをパルス列変換信号S11としてドライバ8
(図1及び図2)に送出する(図4(H))。
The AND circuit 34 operates from the time point t 1 to the time point t 1 when the synchronized high frequency recording signal S10 rises to the logic "H".
After passing the clock pulse signal CHCK4 up to 6 , it is used as the pulse train conversion signal S11 by the driver 8
(FIG. 4 (H)).

【0050】このようにパルス列変換信号S11は、高
周波記録信号S1に基づくピツト形成パルス(すなわち
露光時間に相当する高周波記録信号S1のパルス露光部
分)をウインドウ(1Tピツトすなわち3Tピツトの3
分の1又は11Tピツトの11分の1)毎のパルス列に
変換したものであり、所定のパルス幅に設定された同一
パルスが周期的に繰り返されてなるパルス列として波形
表示される。
As described above, the pulse train conversion signal S11 has a window (1T or 3T pits) of a pulse forming pulse based on the high frequency recording signal S1 (that is, a pulse exposure portion of the high frequency recording signal S1 corresponding to the exposure time).
It is converted into a pulse train for every 1 / 1th or 1 / 11T bit, and the waveform is displayed as a pulse train in which the same pulse set to a predetermined pulse width is periodically repeated.

【0051】例えば図5(A)に示すように、3Tピツ
トはEFM変調された高周波記録信号S1に基づくパル
ス幅がP3Tでなるピツト形成パルスに応じて形成され
る。
For example, as shown in FIG. 5A, the 3T pit is formed in accordance with the pit forming pulse having a pulse width of P 3T based on the EFM-modulated high frequency recording signal S1.

【0052】このパルス幅P3Tを3分の1にしたパルス
幅(以下、これを1ウインドウ幅と呼ぶ)P1Tは、高周
波記録信号S1をパルス列変換信号S11に変換したこ
とにより、1パルス幅P1T′でなるパルス数が3個のパ
ルス列に変換される(図5(B))。
A pulse width P 1T obtained by reducing the pulse width P 3T to 1/3 (hereinafter, referred to as one window width) P 1T is one pulse width by converting the high frequency recording signal S 1 into the pulse train conversion signal S 11. The number of pulses P 1T ′ is converted into a pulse train of 3 (FIG. 5 (B)).

【0053】このとき1パルス幅P1T′を1ウインドウ
幅P1Tで規格化した値としてDuty(デユーテイ)比
が定義され、当該デユーテイ比は、1ウインドウ幅P1T
とパルス列に変換された後の1パルス幅P1T′との比
(P1T′/P1T)で表される。因みに実験によれば、こ
のデユーテイ比を10〔%〕から75〔%〕までの間に設定
することにより、3Tピツトと11Tピツトとでピツト
幅の均一性を保ち得るという結果が得られる。
At this time, a duty (duty) ratio is defined as a value obtained by standardizing one pulse width P 1T ′ with one window width P 1T , and the duty ratio is one window width P 1T.
And the ratio (P 1T '/ P 1T ) of the pulse width P 1T ' after being converted into a pulse train. According to the experiment, by setting the duty ratio between 10% and 75%, it is possible to obtain a result that the uniformity of the pit width can be maintained between the 3T bit and the 11T bit.

【0054】続いてドライバ8では、パルス列変換信号
S11に基づく電圧信号S12を音響光学変調偏向器4
に供給する。
Subsequently, in the driver 8, the voltage signal S12 based on the pulse train conversion signal S11 is supplied to the acousto-optic modulation deflector 4.
To supply.

【0055】この音響光学変調偏向器4では、圧電振動
子4Bによつて電圧信号S12は超音波信号に変換さ
れ、音響光学媒体4A内において当該音響光学媒体4A
の屈折率を周期的に変化させることにより、当該音響光
学媒体4Aは光に対して超音波回折格子の役割を果た
す。なお、ブラツグ回折ではブラツグ角(式(1))で
レーザ光L1が入射し得るように音響光学変調偏向器4
を配置するようにする。
In the acousto-optic modulation deflector 4, the piezoelectric vibrator 4B converts the voltage signal S12 into an ultrasonic wave signal, and the acousto-optic medium 4A in the acousto-optic medium 4A.
The acousto-optic medium 4A plays a role of an ultrasonic diffraction grating for light by periodically changing the refractive index of. In the Bragg diffraction, the acousto-optic modulator / deflector 4 is arranged so that the laser beam L1 can enter at the Bragg angle (equation (1)).
To place.

【0056】この状態において、超音波波面にブラツグ
角で入射したレーザ光L1は、当該超音波波面と同じ角
度をなす方向にのみ回折され、当該レーザ光L1の光強
度を当該電圧信号S12に応じてオン状態又はオフ状態
により断続させて変調する。さらに超音波の周波数を変
えることによつて超音波回折格子の格子間隔dが変わ
り、すなわちブラツグ角が変わることにより、この結果
レーザ光L1Xの光偏向の角度を変えることができる。
In this state, the laser light L1 incident on the ultrasonic wave front at the Bragg angle is diffracted only in the direction forming the same angle as the ultrasonic wave front, and the light intensity of the laser light L1 is changed according to the voltage signal S12. The modulation is intermittently performed depending on the ON state or the OFF state. Further, by changing the frequency of the ultrasonic waves, the grating interval d of the ultrasonic diffraction grating is changed, that is, the Bragg angle is changed, and as a result, the angle of light deflection of the laser light L1X can be changed.

【0057】続いて、電圧信号S12に基づき音響光学
変調偏向器4によつて強度変調されると共に光偏向の角
度が変えられたレーザ光L1Xは、レーザ光L1のビー
ム水平高さを保ちつつレンズ11を介してミラーM3に
反射される。このミラーM3によつて反射されたレーザ
光L1Xは、対物レンズ12を介して集光され、ガラス
原盤13上に塗布されたフオトレジスト膜14に照射さ
れる。
Subsequently, the laser light L1X, whose intensity is modulated by the acousto-optic modulation deflector 4 on the basis of the voltage signal S12 and whose light deflection angle is changed, keeps the beam horizontal height of the laser light L1 and keeps the lens horizontal. It is reflected by the mirror M3 via 11. The laser light L1X reflected by the mirror M3 is condensed via the objective lens 12 and is applied to the photoresist film 14 applied on the glass master disk 13.

【0058】ここで図6において、デユーテイ比の変化
に対応する3Tピツト及び11Tピツトの各ピツト幅を
表に示す。この表によれば、デユーテイ比が12.5〔%〕
のとき、3Tピツト及び11Tピツトのピツト幅はそれ
ぞれ0.36〔μm 〕、0.37〔μm 〕となる。またデユーテ
イ比が30〔%〕のとき3Tピツト及び11Tピツトのピ
ツト幅はそれぞれ0.40〔μm 〕、0.41〔μm 〕となる。
さらにデユーテイ比が50〔%〕のとき3Tピツト及び1
1Tピツトのピツト幅はそれぞれ0.38〔μm 〕、0.40
〔μm 〕となる。このようにデユーテイ比が12.5〔%〕
から50〔%〕までは、3Tピツトのピツト幅と11Tピ
ツトのピツト幅との差は5〔%〕以下となり、3Tピツ
トと11Tピツトとで十分にピツト幅の均一性を保つこ
とができる。
Here, in FIG. 6, the table shows each of the 3T and 11T pit widths corresponding to the change of the duty ratio. According to this table, the duty ratio is 12.5 [%]
In this case, the widths of the 3T and 11T pits are 0.36 [μm] and 0.37 [μm], respectively. When the duty ratio is 30%, the widths of the 3T pit and the 11T pit are 0.40 [μm] and 0.41 [μm], respectively.
Furthermore, when the duty ratio is 50%, 3T pitch and 1
The 1T pit width is 0.38 [μm] and 0.40, respectively.
[Μm] In this way, the duty ratio is 12.5 [%]
From 50 to 50%, the difference between the width of the 3T pit and the width of the 11T pit is 5% or less, and the 3T pit and the 11T pit can sufficiently maintain the uniformity of the pit width.

【0059】ところが、デユーテイ比が80〔%〕のとき
は、3Tピツト及び11Tピツトのピツト幅はそれぞれ
0.36〔μm 〕、0.40〔μm 〕となり、3Tピツトのピツ
ト幅と11Tピツトのピツト幅との差は10〔%〕と多少
開きが生じることとなる。従つて、実験結果によれば、
デユーテイ比は10〔%〕から75〔%〕までの間に設定す
ることにより、3Tピツトと11Tピツトとでピツト幅
の均一性を保つことができる。
However, when the duty ratio is 80%, the pitch widths of the 3T and 11T pits are respectively.
It becomes 0.36 [μm] and 0.40 [μm], and the difference between the width of the 3T pit and the width of the 11T pit is 10 [%], which means that there is some difference. Therefore, according to the experimental results,
By setting the duty ratio between 10% and 75%, it is possible to maintain the uniformity of the pit width between the 3T pit and the 11T pit.

【0060】以上の構成において、EFM変調された高
周波記録信号S1をパルス列変換信号S11に変換する
ことにより、図7(A)〜(F)に示すように、3Tピ
ツト及び11Tピツトは、それぞれパルス幅がP3T及び
11T でなるピツト形成パルスがそれぞれウインドウ毎
に1パルス幅がP1T′でなる3個及び11個のパルス列
に変換される(図7(A)及び(D))。この場合、デ
ユーテイ比は10〔%〕から75〔%〕までの間に予め設定
されている。
In the above configuration, by converting the EFM-modulated high frequency recording signal S1 into the pulse train conversion signal S11, as shown in FIGS. 7A to 7F, the 3T and 11T bits are respectively pulsed. The pit forming pulse having a width of P 3T and P 11T is converted into 3 and 11 pulse trains having a pulse width of P 1T ′ for each window, respectively (FIGS. 7A and 7D). In this case, the duty ratio is preset between 10 [%] and 75 [%].

【0061】このときピツト長にかかわらず、ウインド
ウ(1Tピツト)毎にそれぞれ1パルス幅P1T′で繰り
返し露光することにより、高ガンマフオトレジスト膜を
用いた場合にピツト長の長短に応じた露光量の相違が増
長されることを回避することができる。この結果、3T
ピツトの露光レベルE3T′と11Tピツトの露光レベル
11T ′は、ほぼ同一の数値を示すこととなる(図7
(B)及び(E))。従つて、高ガンマフオトレジスト
膜を用いた場合でも、3Tピツトのピツト幅W3T′と1
1Tピツトのピツト幅W11T ′とをほぼ同一のピツト幅
(W3T′=W11T′)にすることができる(図7(C)
及び(F))。
At this time, regardless of the pit length, by repeatedly exposing each window (1T pit) with one pulse width P 1T ′, the exposure corresponding to the length of the pit length when a high gamma photoresist film is used. It is possible to avoid increasing the difference in quantity. As a result, 3T
The exposure level E 3T ′ of the pit and the exposure level E 11T ′ of the 11T pit show almost the same numerical value (FIG. 7).
(B) and (E)). Therefore, even when the high gamma photoresist film is used, the pitch width W 3T ′ of the 3T pit is 1 Wt.
The 1T pit width W 11T ′ can be made almost the same pit width (W 3T ′ = W 11T ′) (FIG. 7C).
And (F)).

【0062】このようにして3Tピツトから11Tピツ
トまでの複数種類のピツトをそれぞれ高ガンマフオトレ
ジスト膜に形成する場合に、各々のピツト長にかかわら
ず全てほぼ同一のピツト幅にすることができ、かくして
ピツト長の長い方がピツト長の短い方よりもピツト幅が
幅広になるのを防止することができる。
In this way, when a plurality of types of pits from 3T pits to 11T pits are formed on the high gamma photo resist film, all pit widths can be made almost the same regardless of each pit length. Thus, it is possible to prevent the pit width from becoming wider with a longer pit length than with a shorter pit length.

【0063】かくしてこのようなピツト長にかかわらず
ピツト幅がほぼ一定でなる複数種類のピツトが形成され
たガラス原盤12から金型(スタンパ)を作製した後、
当該金型に基づいてCD等の光デイスクを製造すること
により、当該光デイスクから得られる再生信号の信号特
性を格段と向上させることができる。
Thus, after making a die (stamper) from the glass master 12 on which a plurality of types of pits having a substantially constant pit width regardless of such pit length are formed,
By manufacturing an optical disk such as a CD based on the mold, the signal characteristics of the reproduction signal obtained from the optical disk can be significantly improved.

【0064】さらに光学記録装置20において、γ特性
値=6でなる高ガンマフオトレジスト膜を用いて、一般
的なCDに対して4倍の記録密度(トラツクピツチ 0.8
〔μm 〕、3Tピツトのピツト長0.41〔μm 〕)で、か
つデユーテイ比が50〔%〕となるように露光処理した場
合には、3Tピツトのピツト幅は0.29〔μm 〕、11T
ピツトのピツト幅は0.31〔μm 〕という値が得られる。
このことは、3Tピツトと11Tピツトとではピツト幅
にほとんど差異は生じないことを表しており、これによ
り4倍の記録密度のようなピツト幅が微小なピツトに対
しても本発明を適用することができる。
Further, in the optical recording device 20, a high gamma photoresist film having a γ characteristic value = 6 is used, and the recording density (track pitch 0.8
[Μm], the length of the 3T pit is 0.41 [μm]) and the exposure ratio is 50%, the pit width of the 3T pit is 0.29 [μm] and 11T.
The pit width of the pit is 0.31 [μm].
This means that there is almost no difference in the pit width between the 3T pit and the 11T pit, so that the present invention is applied to a pit with a small pit width such as a recording density of 4 times. be able to.

【0065】以上の構成によれば、3Tピツトから11
Tピツトまでの複数種類のピツトをそれぞれ高ガンマフ
オトレジスト膜に形成する場合に、各ピツトに対応する
ピツト形成パルスのパルス幅を、それぞれウインドウ
(1Tピツト)毎に1パルス幅が短い所定数のパルス列
に変換するようにしたことにより、各々のピツト長にか
かわらずピツト幅がほぼ一定となるように露光し得る光
学記録装置を実現することができる。
According to the above construction, 11 from 3T pits
When a plurality of types of pits up to T pits are formed on the high gamma photo resist film, the pulse width of the pit forming pulse corresponding to each pit is set to a predetermined number with a short pulse width for each window (1T pit). By converting to a pulse train, it is possible to realize an optical recording apparatus capable of performing exposure so that the pit width becomes substantially constant regardless of the pit length.

【0066】(2)第2実施例 図1との対応部分に同一符号を付して示す図8におい
て、光学記録装置40は、第1実施例における光学記録
装置20とはパルス列変換回路41の構成が異なること
を除いてほぼ同一の構成からなる。すなわち図2との対
応部分に同一符号を付した図9に示すように、パルス列
変換回路41は、EFM変調回路21から供給された高
周波記録信号S1及びチヤンネルクロツク信号CHCK
0に基づいて、ピツト長の長短に応じて信号レベルを変
化させてなるパルス列変換信号S21をドライバ8に供
給するようになされている。
(2) Second Embodiment In FIG. 8 in which parts corresponding to those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals, the optical recording device 40 differs from the optical recording device 20 in the first embodiment in a pulse train conversion circuit 41. It has almost the same configuration except that the configuration is different. That is, as shown in FIG. 9 in which parts corresponding to those in FIG. 2 are assigned the same reference numerals, the pulse train conversion circuit 41 includes a high frequency recording signal S1 and a channel clock signal CHCK supplied from the EFM modulation circuit 21.
Based on 0, the pulse train conversion signal S21 whose signal level is changed according to the length of the pit is supplied to the driver 8.

【0067】このドライバ8は、パルス列変換信号S2
1に基づく電圧信号S22を音響光学変調器4に供給す
る。
This driver 8 has a pulse train conversion signal S2.
The voltage signal S22 based on 1 is supplied to the acousto-optic modulator 4.

【0068】この場合、パルス列変換信号S21は、パ
ルス列変換信号S11(図1及び図2)と同様に、高周
波記録信号S1を所定のパルス幅に設定された同一パル
スが周期的に繰り返されてなるパルス列に変換したもの
である。これにより音響光学変調器4において電圧信号
S22に基づいて強度変調されるレーザ光L1の露光光
量は、デユーテイ比に応じて変化することとなる。
In this case, the pulse train conversion signal S21 is the same pulse as the pulse train conversion signal S11 (FIGS. 1 and 2) in which the high frequency recording signal S1 is periodically repeated with the same pulse set to a predetermined pulse width. It is converted into a pulse train. As a result, the exposure light amount of the laser light L1 that is intensity-modulated in the acousto-optic modulator 4 based on the voltage signal S22 changes according to the duty ratio.

【0069】このためパルス列変換回路41は、パルス
列変換信号S21の信号レベルを調整することにより、
レーザ光L1の露光光量を調整するようになされてい
る。
Therefore, the pulse train conversion circuit 41 adjusts the signal level of the pulse train conversion signal S21,
The exposure light amount of the laser light L1 is adjusted.

【0070】ここで実験結果として、図10において、
デユーテイ比を50〔%〕に設定しておき、各ピツト長に
対応してパルス列変換信号S21の信号レベルを変化さ
せたときの当該各ピツト長のピツト幅を表に示す。図1
0に示す表によれば、各ピツト長のピツト幅を0.30〔μ
m〕に設定するためには、パルス列変換信号S21の信
号レベルを、3Tピツトのときは 1.0〔V〕、5Tピツ
トのときは 0.8〔V〕、7Tピツト、9Tピツト及び1
1Tピツトのときはそれぞれ0.75〔V〕となるように調
整すればよい。このように実験結果によれば、各ピツト
のピツト幅を常に一定にするためには、ピツト長が長く
なるにつれてパルス列変調信号S21の信号レベルを下
げれば良いことがわかる。
Here, as an experimental result, in FIG.
The duty ratio is set to 50% and the pulse widths of the respective pulse lengths when the signal level of the pulse train conversion signal S21 is changed corresponding to the respective pulse lengths are shown in the table. FIG.
According to the table shown in 0, the pit width of each pit length is 0.30 [μ
m], the signal level of the pulse train conversion signal S21 is 1.0 [V] at 3T pits, 0.8 [V] at 5T pits, 7T pits, 9T pits and 1
At 1T pit, it may be adjusted to 0.75 [V]. Thus, according to the experimental results, in order to always keep the pit width of each pit constant, it is sufficient to lower the signal level of the pulse train modulation signal S21 as the pit length becomes longer.

【0071】以上の構成において、EFM変調された高
周波記録信号S1をパルス列変換信号S21に変換する
ことにより、図11(A)〜(F)に示すように、3T
ピツト及び11Tピツトは、それぞれパルス幅がP3T
びP11T でなるピツト形成パルスがそれぞれウインドウ
毎に1パルス幅がP1T′でなる3個及び11個のパルス
列に変換される(図11(A)及び(D))。この場
合、デユーテイ比は50〔%〕に予め設定されている。
In the above structure, by converting the EFM-modulated high frequency recording signal S1 into the pulse train conversion signal S21, as shown in FIGS.
In the pits and 11T pits, the pit forming pulses having pulse widths P 3T and P 11T , respectively, are converted into 3 and 11 pulse trains each having a pulse width P 1T ′ for each window (FIG. 11 (A ) And (D)). In this case, the duty ratio is preset to 50 [%].

【0072】このとき各ピツトをそれぞれウインドウ
(1Tピツト)毎にそれぞれ1パルス幅P1T′で繰り返
し露光すると共に、当該各ピツトのピツト長に対応して
パルス列変換信号S21の信号レベル(すなわちパルス
列変換されたピツト形成パルスの信号レベル)を調整す
ることにより、高ガンマフオトレジスト膜を用いた場合
にピツト長の長短に応じた露光量の相違が増長されるこ
とを回避し得ると共に、ピツト長にかかわらずピツト幅
を常に一定に保つことができる。
At this time, each pit is repeatedly exposed with one pulse width P 1T ′ for each window (1T pit), and at the same time, the signal level of the pulse train conversion signal S21 (that is, pulse train conversion) corresponding to the pit length of each pit. By adjusting the signal level of the generated pit forming pulse), it is possible to prevent the difference in the exposure amount depending on the length of the pit length from increasing when a high gamma photoresist film is used, and to increase the pit length. Nevertheless, the pit width can always be kept constant.

【0073】すなわちパルス列変換信号S21におけ
る、3Tピツトのときの信号レベルV3Tと11Tピツト
のときの信号レベルV11T とでは、11Tピツトのとき
の信号レベルV11T の方が低い値(V3T>V11T )を示
すこととなり(図11(A)及び(D))、この結果、
3Tピツトの露光レベルE3T′と11Tピツトの露光レ
ベルE11T ′は、同一の数値を示すこととなる(図11
(B)及び(E))。
That is, in the pulse train conversion signal S21, the signal level V 3T at 3T pits and the signal level V 11T at 11T pits are lower than the signal level V 11T at 11T pits (V 3T > V 11T ) (FIGS. 11A and 11D ), and as a result,
3T pits 'exposure levels E 11T and 11T pits' exposure levels E 3T of, and thus showing the same number (11
(B) and (E)).

【0074】従つて、高ガンマフオトレジスト膜を用い
た場合でも、3Tピツトのピツト幅W3T′と11Tピツ
トのピツト幅W11T ′とをほぼ同一のピツト幅(W3T
=W11T ′)にすることができる(図11(C)及び
(F))。
Therefore, even when the high gamma photoresist film is used, the pit width W 3T ′ of 3T pit and the pit width W 11T ′ of 11T pit are almost the same (W 3T ′).
= W 11T ′) (FIGS. 11C and 11F).

【0075】このようにして3Tピツトから11Tピツ
トまでの複数種類のピツトをそれぞれ高ガンマフオトレ
ジスト膜に形成する場合に、各々のピツト長にかかわら
ず全て同一のピツト幅に設定することができ、かくして
ピツト長の長い方がピツト長の短い方よりもピツト幅が
幅広になるのを防止することができる。
In this way, when a plurality of types of pits from 3T pits to 11T pits are formed on the high gamma photo resist film, the same pit width can be set regardless of each pit length. Thus, it is possible to prevent the pit width from becoming wider with a longer pit length than with a shorter pit length.

【0076】以上の構成によれば、3Tピツトから11
Tピツトまでの複数種類のピツトをそれぞれ高ガンマフ
オトレジスト膜に形成する場合に、各ピツトに対応する
ピツト形成パルスのパルス幅を、それぞれウインドウ
(1Tピツト)毎に1パルス幅が短い所定数のパルス列
に変換すると共に、各ピツトのピツト長に対応してパル
ス列に変換されたピツト形成パルスの信号レベルを調整
することにより、各々のピツト長にかかわらずピツト幅
が常に一定となるように露光し得る光学記録装置を実現
することができる。
According to the above construction, 11 from 3T
When a plurality of types of pits up to T pits are formed on the high gamma photo resist film, the pulse width of the pit forming pulse corresponding to each pit is set to a predetermined number with a short pulse width for each window (1T pit). By converting to a pulse train and adjusting the signal level of the pit forming pulse converted to a pulse train corresponding to the pit length of each pit, exposure is performed so that the pit width is always constant regardless of each pit length. The obtained optical recording device can be realized.

【0077】(3)他の実施例 なお上述の実施例においては、レーザ光源2としてヘリ
ウム・カドミウム(He-Cd )レーザを用いた場合につい
て述べたが、本発明はこれに限らず、アルゴン(Ar+
レーザ及びクリプトン(Kr+ )レーザ等のガスレーザを
用いても良い。また上述の実施例においては、ピツトを
形成する光学記録媒体としてCDに本発明を適用した場
合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば高
密度光デイスク(DVD:Digital Versatile Disc)等
に適用しても良い。
(3) Other Embodiments In the above-mentioned embodiments, the case where the helium / cadmium (He-Cd) laser is used as the laser light source 2 has been described, but the present invention is not limited to this, and argon ( Ar + )
A gas laser such as a laser and a krypton (Kr + ) laser may be used. Further, in the above-described embodiments, the case where the present invention is applied to a CD as an optical recording medium for forming a pit has been described, but the present invention is not limited to this, and for example, a high density optical disc (DVD: Digital Versatile Disc) or the like. May be applied to.

【0078】この場合、ドライバ8を介して音響光学変
調器4に入力する信号をEFM変調(8→14変調:Eigh
t to Fourteen Modulation)された高周波記録信号S1
ではなく、EFMプラス変調(8→16変調:Eight to S
ixteen Modulation )された高周波記録信号(図示せ
ず)に設定する必要がある。
In this case, the signal input to the acousto-optic modulator 4 via the driver 8 is EFM-modulated (8 → 14 modulation: Eigh).
t to Fourteen Modulation) High-frequency recording signal S1
Rather than EFM plus modulation (8 → 16 modulation: Eight to S
It is necessary to set the high-frequency recording signal (not shown) subjected to ixteen modulation.

【0079】さらに本発明は光デイスクに限らず、他の
光学素子、例えば光カード等に適用しても良い。
Further, the present invention is not limited to the optical disc, but may be applied to other optical elements such as an optical card.

【0080】さらに上述の実施例においては、CD等の
光デイスクのスタンパを作製する場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、例えばフオトマスクを作製
する場合に適用するようにしても良く、本発明を用いる
ことによつてピツトの長さにかかわらずその幅がほぼ一
定となるような高性能のフオトマスクパターンを形成す
ることができる。
Further, in the above-mentioned embodiment, the case of manufacturing the stamper of the optical disc such as the CD is described, but the present invention is not limited to this, and may be applied to the case of manufacturing the photomask, for example. By using the present invention, it is possible to form a high-performance photomask pattern whose width is almost constant regardless of the length of the pit.

【0081】さらに上述の実施例においては、パルス列
変換回路22及び41から得られるパルス列変換信号S
11及びS21をそれぞれメモリ(図示せず)に格納し
ておき、3Tピツトから11Tピツトまでの複数種類の
ピツトをそれぞれ高ガンマフオトレジスト膜に形成する
ときに、各メモリからパルス列変換信号S11及びS2
1を読み出すようにしても良い。この場合、パルス列変
換信号S11及びS21を一旦メモリに格納させること
により、露光記録時におけるメカニカルな制御を省略す
ることができると共に、ドライバ8に対する転送レート
を調整することができる。
Further, in the above-described embodiment, the pulse train conversion signal S obtained from the pulse train conversion circuits 22 and 41 is used.
11 and S21 are respectively stored in a memory (not shown), and when a plurality of types of 3T to 11T pits are formed on the high gamma photoresist film, pulse train conversion signals S11 and S2 from each memory are formed.
1 may be read. In this case, by temporarily storing the pulse train conversion signals S11 and S21 in the memory, mechanical control during exposure recording can be omitted and the transfer rate for the driver 8 can be adjusted.

【0082】さらに上述の実施例においては、ガラス原
盤12上に塗布されたγ特性値が4より大きい有機材料
として、高ガンマフオトレジスト膜12Aを適用した場
合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えばγ
特性値が4より大きい有機色素系を用いて、当該有機色
素系に本発明によるパルス露光を行つて所望の凹凸パタ
ーンを形成するようにしても良い。
Further, in the above-mentioned embodiments, the case where the high γ photoresist film 12A is applied as the organic material having the γ characteristic value of greater than 4 applied on the glass master 12 has been described. Not limited to, for example, γ
It is also possible to use an organic dye system having a characteristic value of more than 4 and subject the organic dye system to pulse exposure according to the present invention to form a desired uneven pattern.

【0083】さらに上述の実施例においては、光変調器
として音響光学変調器(AOM)4を用いた場合につい
て述べたが、本発明はこれに限らず、例えば電気光学変
調器(EOM:Electro Optic Modulator )等の他の光
変調器を用いるようにしても良い。
Further, in the above-mentioned embodiment, the case where the acousto-optic modulator (AOM) 4 is used as the optical modulator has been described, but the present invention is not limited to this, and for example, an electro-optic modulator (EOM: Electro Optic). Other optical modulators such as a modulator) may be used.

【0084】さらに上述の実施例においては、ガラス原
盤12をモータ(図示せず)の出力軸の回転駆動に伴つ
てCLVで回転させる場合について述べたが、本発明は
これに限らず、ガラス原盤12をCAVで回転させるよ
うにしても本発明を適用し得る。
Furthermore, in the above-mentioned embodiment, the case where the glass master disk 12 is rotated by the CLV along with the rotational driving of the output shaft of the motor (not shown) has been described, but the present invention is not limited to this, and the glass master disk is not limited thereto. The present invention can be applied even if 12 is rotated by CAV.

【0085】さらに第2実施例においては、デユーテイ
比を50〔%〕に設定した場合について述べたが、本発明
はこれに限らず、デユーテイ比を例えば33.3〔%〕等の
所望の値に設定するようにしても良い。要は、デユーテ
イ比の値にかかわらず、パルス列変換信号S21の信号
レベルを各ピツトのピツト長に応じて調整するようにす
れば良い。
Further, in the second embodiment, the case where the duty ratio is set to 50 [%] has been described, but the present invention is not limited to this, and the duty ratio is set to a desired value such as 33.3 [%]. It may be done. In short, regardless of the value of the duty ratio, the signal level of the pulse train conversion signal S21 may be adjusted according to the pit length of each pit.

【0086】さらに第2実施例においては、EFM変調
された高周波記録信号S1をパルス列変換信号S21に
変換すると共に、各ピツトのピツト長に対応してパルス
列変換信号S21の信号レベルを調整するようにした場
合について述べたが、本発明はこれに限らず、パルス列
変換信号S21の最初又は最後のパルス(すなわちパル
ス列変換されたピツト形成パルスの最初又は最後のパル
ス)を消去するようにしても良い。
Furthermore, in the second embodiment, the EFM-modulated high-frequency recording signal S1 is converted into the pulse train conversion signal S21, and the signal level of the pulse train conversion signal S21 is adjusted according to the pitch length of each pit. However, the present invention is not limited to this, and the first or last pulse of the pulse train conversion signal S21 (that is, the first or last pulse of the pulse train converted pit forming pulse) may be erased.

【0087】すなわちパルス列変換されたピツト形成パ
ルスの最初又は最後のパルスを消去することにより、ウ
インドウ毎に所定のパルス幅で繰り返し露光する際、隣
接するパルス間で生じる露光量の多重成分を取り除くこ
とができる。この結果、高ガンマフオトレジスト膜を用
いた場合にピツト長の長短に応じた露光量の相違が増長
されることを回避し得ると共に、ピツト長にかかわらず
ピツト幅を常に一定に保つことができる。
That is, by eliminating the first or last pulse of the pulse forming pulse-converted pit forming pulse, when multiple exposure is repeatedly performed with a predetermined pulse width for each window, a multiple component of the exposure amount generated between adjacent pulses is removed. You can As a result, it is possible to avoid increasing the difference in exposure amount depending on the length of the pit length when a high gamma photoresist film is used, and it is possible to always keep the pit width constant regardless of the pit length. .

【0088】具体的には光学記録装置40において、γ
特性値=6でなる高ガンマフオトレジスト膜を用いて、
一般的なCDに対して4倍の記録密度(トラツクピツチ
0.74〔μm 〕、3Tピツトのピツト長0.40〔μm 〕)
で、ハードデイスクメモリに記憶された高周波記録信号
S1をパルス列変換信号S21に変換すると共にデユー
テイ比が50〔%〕となるように露光処理する。この場合
において、上述した第2実施例のように、各ピツト長に
対応してパルス列変換信号S21の信号レベルを変化さ
せたときの当該各ピツト長のピツト幅を図12の表に示
す。
Specifically, in the optical recording device 40, γ
Using a high gamma photoresist film with a characteristic value of 6,
4 times the recording density (track pitch
0.74 [μm], 3T pit length 0.40 [μm])
Then, the high frequency recording signal S1 stored in the hard disk memory is converted into the pulse train conversion signal S21 and exposure processing is performed so that the duty ratio becomes 50%. In this case, the table of FIG. 12 shows the width of each pulse length when the signal level of the pulse train conversion signal S21 is changed corresponding to each length as in the second embodiment.

【0089】このように図12に示す表によれば、パル
ス列変換信号S21の信号レベルを、3Tピツトのとき
は 1.0〔V〕、5Tピツトのときは 0.7〔V〕、7Tピ
ツトのときは0.67〔V〕、9Tピツト及び11Tピツト
のときはそれぞれ0.65〔V〕となるように、すなわちピ
ツト長が長くなるにつれて下げるように調整することに
より、各ピツト長のピツト幅を全て0.28〔μm〕に設定
することができる。これにより4倍の記録密度のような
ピツト幅が微小なピツトに対しても本発明を適用するこ
とができる。
Thus, according to the table shown in FIG. 12, the signal level of the pulse train conversion signal S21 is 1.0 [V] at 3T pits, 0.7 [V] at 5T pits, and 0.67 at 7T pits. [V], 9T and 11T pits are adjusted to 0.65 [V], that is, as the pit length becomes longer, the pit width is adjusted to 0.28 [μm]. Can be set. As a result, the present invention can be applied to a pit having a minute pit width such as a recording density of 4 times.

【0090】さらに第2実施例においては、EFM変調
された高周波記録信号S1をパルス列変換信号S21に
変換すると共に、各ピツトのピツト長に対応してパルス
列変換信号S21の信号レベルを調整するようにした場
合について述べたが、本発明はこれに限らず、高周波記
録信号S1をパルス列変換信号S21に変換すると共
に、各ピツトのピツト長に対応してデユーテイ比を調整
するようにしても本発明と同様の効果を得ることができ
る。
Further, in the second embodiment, the EFM-modulated high frequency recording signal S1 is converted into the pulse train conversion signal S21, and the signal level of the pulse train conversion signal S21 is adjusted according to the pitch length of each pit. Although the present invention is not limited to this, the present invention is not limited to this, and the high frequency recording signal S1 is converted into the pulse train conversion signal S21, and the duty ratio is adjusted according to the pitch length of each pit. The same effect can be obtained.

【0091】すなわち各ピツトのピツト長に対応してパ
ルス列変換信号S21のパルス幅を調整することによ
り、デユーテイ比を調整することができ、この結果、パ
ルス列変換信号S21の信号レベルを調整する場合と同
様にレーザ光L1の露光光量を調整することができる。
かくしてこの場合も各々のピツト長にかかわらずピツト
幅が常に一定となるように露光することができる。
That is, the duty ratio can be adjusted by adjusting the pulse width of the pulse train conversion signal S21 corresponding to the pit length of each pit, and as a result, the case where the signal level of the pulse train conversion signal S21 is adjusted. Similarly, the exposure light amount of the laser light L1 can be adjusted.
Thus, also in this case, the exposure can be performed so that the pit width is always constant regardless of the pit length.

【0092】[0092]

【発明の効果】上述のように本発明によれば、レーザ光
源から発射されたレーザ光を光変調器を用いて所定のフ
オーマツトにに基づく変調パルス信号に応じて強度変調
した後、当該強度変調されたレーザ光を被露光体の被露
光面に照射することにより、変調パルス信号に応じた種
々の長さでなる複数の潜像からなる露光パターンを形成
する光学記録方法、光学記録装置及び光学記録媒体にお
いて、変調パルス信号の各パルス露光部分を、所定のパ
ルス幅に設定され、同一周期に繰り返されるパルス列に
それぞれ変換し、各パルス列に変換された変調パルス信
号に基づく駆動信号を光変調器に供給して、当該光変調
器を駆動制御するようにしたことにより、潜像の長さに
かかわらず潜像の幅がほぼ一定となるように露光し得る
光学記録方法、光学記録装置及び光学記録媒体を実現す
ることができる。
As described above, according to the present invention, the laser light emitted from the laser light source is intensity-modulated in accordance with a modulation pulse signal based on a predetermined format using an optical modulator, and then the intensity modulation is performed. Recording method, optical recording device and optical recording method for forming an exposure pattern composed of a plurality of latent images of various lengths according to a modulated pulse signal by irradiating the exposed surface of an exposed object with the generated laser light In the recording medium, each pulse-exposed portion of the modulated pulse signal is converted into a pulse train having a predetermined pulse width and repeated in the same cycle, and a drive signal based on the modulated pulse signal converted into each pulse train is used as an optical modulator. And an optical recording method capable of performing exposure control so that the width of the latent image becomes substantially constant regardless of the length of the latent image by controlling the drive of the optical modulator. It is possible to realize a recording apparatus and optical recording medium.

【0093】また本発明によれば、変調パルス信号の各
パルス露光部分を、所定のパルス幅に設定され、同一周
期に繰り返されるパルス列にそれぞれ変換すると共に、
当該変換後の各パルス露光部分の信号レベルを、変換前
の各パルス露光部分の長さに応じて調整するようにした
ことにより、潜像の長さにかかわらず潜像の幅が常に一
定となるように露光し得る光学記録方法、光学記録装置
及び光学記録媒体を実現することができる。
Further, according to the present invention, each pulse exposure portion of the modulated pulse signal is converted into a pulse train which has a predetermined pulse width and is repeated in the same cycle.
By adjusting the signal level of each pulse-exposed portion after the conversion according to the length of each pulse-exposed portion before conversion, the width of the latent image is always constant regardless of the length of the latent image. It is possible to realize an optical recording method, an optical recording device, and an optical recording medium that can be exposed to light.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】第1実施例における光学記録装置の構成を示す
ブロツク図である。
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of an optical recording device in a first embodiment.

【図2】第1実施例における音響光学変調器の構成を示
す略線図である。
FIG. 2 is a schematic diagram showing a configuration of an acousto-optic modulator in the first example.

【図3】第1実施例におけるパルス列変換回路の構成を
示すブロツク図である。
FIG. 3 is a block diagram showing the configuration of a pulse train conversion circuit in the first embodiment.

【図4】図3に示すパルス列変換回路の動作の説明に供
する信号波形図である。
FIG. 4 is a signal waveform diagram for explaining the operation of the pulse train conversion circuit shown in FIG.

【図5】デユーテイ比の説明に供する信号波形図であ
る。
FIG. 5 is a signal waveform diagram for explaining a duty ratio.

【図6】デユーテイ比の変化とピツト幅との関係を示す
図表である。
FIG. 6 is a chart showing the relationship between changes in duty ratio and pit width.

【図7】第1実施例による3Tピツト及び11Tピツト
の露光状態を示す略線図である。
FIG. 7 is a schematic diagram showing an exposure state of a 3T pit and an 11T pit according to the first embodiment.

【図8】第2実施例における光学記録装置の構成を示す
ブロツク図である。
FIG. 8 is a block diagram showing a configuration of an optical recording device in a second embodiment.

【図9】第2実施例における音響光学変調器の構成を示
す略線図である。
FIG. 9 is a schematic diagram showing a configuration of an acousto-optic modulator in a second example.

【図10】ピツト長と対応する信号レベルとの関係を示
す図表である。
FIG. 10 is a chart showing a relationship between a pit length and a corresponding signal level.

【図11】第2実施例による3Tピツト及び11Tピツ
トの露光状態を示す略線図である。
FIG. 11 is a schematic diagram showing an exposure state of a 3T pit and an 11T pit according to the second embodiment.

【図12】ピツト長と対応する信号レベルとの関係を示
す図表である。
FIG. 12 is a chart showing a relationship between a pit length and a corresponding signal level.

【図13】従来の光学記録装置の構成を示すブロツク図
である。
FIG. 13 is a block diagram showing the configuration of a conventional optical recording device.

【図14】従来の音響光学変調器の構成を示す略線図で
ある。
FIG. 14 is a schematic diagram showing a configuration of a conventional acousto-optic modulator.

【図15】γ特性値を表す特性曲線図である。FIG. 15 is a characteristic curve diagram showing a γ characteristic value.

【図16】従来の3Tピツト及び11Tピツトの露光状
態を示す略線図である。
FIG. 16 is a schematic diagram showing an exposure state of a conventional 3T pit and 11T pit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、20、40……光学記録装置、2……レーザ光源、
3……変調光学ユニツト、4……音響光学変調器、5…
…ビーム縮小レンズ、6……ビーム拡大レンズ、7、2
1……EFM変調回路、8……ドライバ、9……移動光
学テーブル、10……レンズ、11……対物レンズ、1
2……ガラス原盤、12A……フオトレジスト膜、2
1、41……パルス列変換回路、M1、M2、M3……
ミラー。
1, 20, 40 ... Optical recording device, 2 ... Laser light source,
3 ... Modulation optical unit, 4 ... Acousto-optic modulator, 5 ...
… Beam reduction lens, 6… Beam expansion lens, 7, 2
1 ... EFM modulation circuit, 8 ... Driver, 9 ... Moving optical table, 10 ... Lens, 11 ... Objective lens, 1
2 ... Glass master, 12A ... Photoresist film, 2
1, 41 ... Pulse train conversion circuit, M1, M2, M3 ...
mirror.

Claims (39)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】レーザ光源から発射されたレーザ光を光変
調器を用いて所定のフオーマツトにに基づく変調パルス
信号に応じて強度変調した後、当該強度変調されたレー
ザ光を被露光体の被露光面に照射することにより、上記
変調パルス信号に応じた種々の長さでなる複数の潜像か
らなる露光パターンを形成する光学記録方法において、 上記変調パルス信号の各パルス露光部分を、所定のパル
ス幅に設定され、同一周期に繰り返されるパルス列にそ
れぞれ変換する第1のステツプと、 上記各パルス列に変換された変調パルス信号に基づく駆
動信号を上記光変調器に供給して、当該光変調器を駆動
制御する第2のステツプとを具えたことを特徴とする光
学記録方法。
1. A laser beam emitted from a laser light source is intensity-modulated using an optical modulator in accordance with a modulation pulse signal based on a predetermined format, and the intensity-modulated laser beam is exposed on an object to be exposed. In an optical recording method for forming an exposure pattern consisting of a plurality of latent images of various lengths according to the modulated pulse signal by irradiating the exposed surface, each pulse exposed portion of the modulated pulse signal is given a predetermined value. The first step of converting each pulse train into a pulse train having a pulse width and repeating in the same cycle, and a drive signal based on the modulated pulse signal converted into each pulse train are supplied to the optical modulator, and the optical modulator. And a second step for controlling the drive of the optical recording method.
【請求項2】上記第1のステツプでは、上記変調パルス
信号の各パルス露光部分を、所定のパルス幅に設定さ
れ、同一周期に繰り返されるパルス列にそれぞれ変換す
ると共に、当該変換後の各パルス露光部分の信号レベル
を、上記変換前の各パルス露光部分の長さに応じて調整
することを特徴とする請求項1に記載の光学記録方法。
2. In the first step, each pulse exposure portion of the modulated pulse signal is converted into a pulse train having a predetermined pulse width and repeated in the same cycle, and each pulse exposure after the conversion is performed. 2. The optical recording method according to claim 1, wherein the signal level of the portion is adjusted according to the length of each pulse-exposed portion before the conversion.
【請求項3】上記第1のステツプでは、上記変調パルス
信号の各パルス露光部分を、所定のパルス幅に設定さ
れ、同一周期に繰り返されるパルス列にそれぞれ変換す
ると共に、当該変換後の各パルス露光部分に割り当てら
れた上記パルス列の各パルス幅の和を、上記変換前の各
パルス露光部分の長さに応じて調整することを特徴とす
る請求項1に記載の光学記録方法。
3. In the first step, each pulse exposure portion of the modulated pulse signal is converted into a pulse train having a predetermined pulse width and repeated in the same cycle, and each pulse exposure after the conversion is performed. 2. The optical recording method according to claim 1, wherein the sum of the pulse widths of the pulse trains assigned to the portions is adjusted according to the length of each pulse exposed portion before the conversion.
【請求項4】上記第1のステツプでは、上記変調パルス
信号の各パルス露光部分を、所定のパルス幅に設定さ
れ、同一周期に繰り返されるパルス列にそれぞれ変換す
ると共に、当該変換後のウインドウ毎に分割されたパル
ス露光部分における当該各ウインドウに対応する上記パ
ルス列の各パルス幅を、上記変換前の各パルス露光部分
の長さに応じて調整することを特徴とする請求項1に記
載の光学記録方法。
4. In the first step, each pulse-exposed portion of the modulated pulse signal is converted into a pulse train having a predetermined pulse width and repeated in the same period, and each converted window is converted. 2. The optical recording according to claim 1, wherein each pulse width of the pulse train corresponding to each window in the divided pulse exposed portion is adjusted according to the length of each pulse exposed portion before the conversion. Method.
【請求項5】上記第1のステツプでは、上記変調パルス
信号の各パルス露光部分を、所定のパルス幅に設定さ
れ、同一周期に繰り返されるパルス列にそれぞれ変換す
ると共に、当該変換後の各パルス露光部分の信号レベ
ル、及び上記変換後の各パルス露光部分に割り当てられ
た上記パルス列の各パルス幅の和を、上記変換前の各パ
ルス露光部分の長さに応じて調整することを特徴とする
請求項1に記載の光学記録方法。
5. In the first step, each pulse exposure portion of the modulated pulse signal is converted into a pulse train having a predetermined pulse width and repeated in the same cycle, and each pulse exposure after the conversion is performed. The sum of the signal levels of the portions and the pulse widths of the pulse trains assigned to the pulse-exposed portions after the conversion is adjusted according to the length of the pulse-exposed portions before the conversion. Item 2. The optical recording method according to Item 1.
【請求項6】上記第1のステツプでは、上記変調パルス
信号の各パルス露光部分を、所定のパルス幅に設定さ
れ、同一周期に繰り返されるパルス列にそれぞれ変換す
ると共に、当該変換後の各パルス露光部分の信号レベ
ル、及び上記変換後のウインドウ毎に分割されたパルス
露光部分における当該各ウインドウに対応する上記パル
ス列の各パルス幅を、上記変換前の各パルス露光部分の
長さに応じて調整することを特徴とする請求項1に記載
の光学記録方法。
6. In the first step, each pulse exposure portion of the modulated pulse signal is converted into a pulse train having a predetermined pulse width and repeated in the same cycle, and each pulse exposure after the conversion is performed. The signal level of the portion and each pulse width of the pulse train corresponding to each window in the pulse exposure portion divided for each window after the conversion are adjusted according to the length of each pulse exposure portion before the conversion. The optical recording method according to claim 1, wherein:
【請求項7】上記第1のステツプでは、上記変調パルス
信号の各パルス露光部分を、所定のパルス幅に設定さ
れ、同一周期に繰り返されるパルス列にそれぞれ変換す
る際に、当該各パルス露光部分に割り当てられる上記パ
ルス列のうち最初又は最後のパルスを消去することを特
徴とする請求項1に記載の光学記録方法。
7. In the first step, when each pulse-exposed portion of the modulated pulse signal is converted into a pulse train having a predetermined pulse width and repeated in the same cycle, each pulse-exposed portion is converted into a pulse train. The optical recording method according to claim 1, wherein the first or last pulse of the assigned pulse train is erased.
【請求項8】上記変調パルス信号は、EFM変調又はE
FMプラス変調された記録信号でなることを特徴とする
請求項1に記載の光学記録方法。
8. The modulated pulse signal is EFM modulated or E
The optical recording method according to claim 1, wherein the recording signal is FM plus modulated.
【請求項9】上記被露光体は、原盤上に塗布されたγ特
性値が4より大きい有機材料でなることを特徴とする請
求項1に記載の光学記録方法。
9. The optical recording method according to claim 1, wherein the object to be exposed is made of an organic material having a γ characteristic value of greater than 4 applied on a master.
【請求項10】上記変調パルス信号の各パルス露光部分
に割り当てられた上記パルス列の各パルス幅の和は、上
記パルス露光部分に対して10〔%〕〜75〔%〕の割合で
含まれることを特徴とする請求項1に記載の光学記録方
法。
10. The sum of the pulse widths of the pulse trains assigned to the pulse exposure portions of the modulated pulse signal is included in the pulse exposure portion at a rate of 10 [%] to 75 [%]. The optical recording method according to claim 1, wherein
【請求項11】上記被露光体は、原盤上に塗布されたγ
特性値が4より大きい有機材料でなると共に、上記変調
パルス信号の各パルス露光部分に割り当てられた上記パ
ルス列の各パルス幅の和は、上記パルス露光部分に対し
て10〔%〕〜75〔%〕の割合で含まれることを特徴とす
る請求項1に記載の光学記録方法。
11. The object to be exposed is γ coated on a master.
The sum of pulse widths of the pulse trains assigned to the pulse-exposed portions of the modulated pulse signal is 10% to 75 [%] with respect to the pulse-exposed portions. ] The optical recording method according to claim 1, wherein the optical recording method is included.
【請求項12】上記変調パルス信号の各パルス露光部分
をそれぞれウインドウ毎に分割してなる当該各ウインド
ウに対応する上記パルス列の各パルス幅は、上記ウイン
ドウに対して10〔%〕〜75〔%〕の割合で含まれること
を特徴とする請求項1に記載の光学記録方法。
12. The pulse width of the pulse train corresponding to each window obtained by dividing each pulse exposure portion of the modulated pulse signal for each window is 10% to 75% with respect to the window. ] The optical recording method according to claim 1, wherein the optical recording method is included.
【請求項13】上記被露光体は、原盤上に塗布されたγ
特性値が4より大きい有機材料でなると共に、上記変調
パルス信号の各パルス露光部分をそれぞれウインドウ毎
に分割してなる当該各ウインドウに対応する上記パルス
列の各パルス幅は、上記ウインドウに対して10〔%〕〜
75〔%〕の割合で含まれることを特徴とする請求項1に
記載の光学記録方法。
13. The object to be exposed is γ coated on a master.
Each pulse width of the pulse train, which is made of an organic material having a characteristic value larger than 4, and which corresponds to each window obtained by dividing each pulse exposure portion of the modulated pulse signal for each window is 10 with respect to the window. [%] ~
The optical recording method according to claim 1, wherein the optical recording method is contained in a ratio of 75 [%].
【請求項14】レーザ光源から発射されたレーザ光を光
変調器を用いて所定のフオーマツトにに基づく変調パル
ス信号に応じて強度変調した後、当該強度変調されたレ
ーザ光を被露光体の被露光面に照射することにより、上
記変調パルス信号に応じた種々の長さでなる複数の潜像
からなる露光パターンを形成する光学記録装置におい
て、 上記変調パルス信号の各パルス露光部分を、所定のパル
ス幅に設定され、同一周期に繰り返されるパルス列にそ
れぞれ変換するパルス列変換手段と、 上記パルス列変換手段によつて上記各パルス列に変換さ
れた変調パルス信号に基づく駆動信号を上記光変調器に
供給して、当該光変調器を駆動制御する駆動制御手段と
を具えたことを特徴とする光学記録装置。
14. A laser light emitted from a laser light source is intensity-modulated by an optical modulator according to a modulation pulse signal based on a predetermined format, and the intensity-modulated laser light is applied to an object to be exposed. In an optical recording device that forms an exposure pattern consisting of a plurality of latent images of various lengths according to the modulated pulse signal by irradiating the exposed surface, each pulse exposed portion of the modulated pulse signal is The pulse train is set to a pulse width and is converted into a pulse train that is repeated in the same cycle, and a drive signal based on the modulated pulse signal that is converted into each pulse train by the pulse train converter is supplied to the optical modulator. And a drive control means for controlling the drive of the optical modulator.
【請求項15】上記パルス列変換手段は、上記変調パル
ス信号の各パルス露光部分を、所定のパルス幅に設定さ
れ、同一周期に繰り返されるパルス列にそれぞれ変換す
ると共に、当該変換後の各パルス露光部分の信号レベル
を、上記変換前の各パルス露光部分の長さに応じて調整
することを特徴とする請求項14に記載の光学記録装
置。
15. The pulse train converting means converts each pulse-exposed portion of the modulated pulse signal into a pulse train which has a predetermined pulse width and is repeated in the same cycle, and each pulse-exposed portion after the conversion. 15. The optical recording apparatus according to claim 14, wherein the signal level of is adjusted according to the length of each pulse exposed portion before the conversion.
【請求項16】上記パルス列変換手段は、上記変調パル
ス信号の各パルス露光部分を、所定のパルス幅に設定さ
れ、同一周期に繰り返されるパルス列にそれぞれ変換す
ると共に、当該変換後の各パルス露光部分に割り当てら
れた上記パルス列の各パルス幅の和を、上記変換前の各
パルス露光部分の長さに応じて調整することを特徴とす
る請求項14に記載の光学記録装置。
16. The pulse train converting means converts each pulse-exposed portion of the modulated pulse signal into a pulse train having a predetermined pulse width and repeated in the same cycle, and each pulse-exposed portion after the conversion. 15. The optical recording apparatus according to claim 14, wherein the sum of the pulse widths of the pulse trains assigned to the pulse train is adjusted according to the length of each pulse exposed portion before the conversion.
【請求項17】上記パルス列変換手段は、上記変調パル
ス信号の各パルス露光部分を、所定のパルス幅に設定さ
れ、同一周期に繰り返されるパルス列にそれぞれ変換す
ると共に、当該変換後のウインドウ毎に分割されたパル
ス露光部分における当該各ウインドウに対応する上記パ
ルス列の各パルス幅を、上記変換前の各パルス露光部分
の長さに応じて調整することを特徴とする請求項14に
記載の光学記録装置。
17. The pulse train converting means converts each pulse-exposed portion of the modulated pulse signal into a pulse train having a predetermined pulse width and repeated in the same cycle, and divides each converted window. 15. The optical recording apparatus according to claim 14, wherein each pulse width of the pulse train corresponding to each window in the pulse exposed portion is adjusted according to the length of each pulse exposed portion before the conversion. .
【請求項18】上記パルス列変換手段は、上記変調パル
ス信号の各パルス露光部分を、所定のパルス幅に設定さ
れ、同一周期に繰り返されるパルス列にそれぞれ変換す
ると共に、当該変換後の各パルス露光部分の信号レベ
ル、及び上記変換後の各パルス露光部分に割り当てられ
た上記パルス列の各パルス幅の和を、上記変換前の各パ
ルス露光部分の長さに応じて調整することを特徴とする
請求項14に記載の光学記録装置。
18. The pulse train converting means converts each pulse exposure part of the modulated pulse signal into a pulse train which has a predetermined pulse width and is repeated in the same cycle, and each pulse exposure part after the conversion. And the sum of the pulse widths of the pulse trains assigned to the converted pulse-exposed portions is adjusted according to the length of the pulse-exposed portions before the conversion. 14. The optical recording device according to 14.
【請求項19】上記パルス列変換手段は、上記変調パル
ス信号の各パルス露光部分を、所定のパルス幅に設定さ
れ、同一周期に繰り返されるパルス列にそれぞれ変換す
ると共に、当該変換後の各パルス露光部分の信号レベ
ル、及び上記変換後のウインドウ毎に分割されたパルス
露光部分における当該各ウインドウに対応する上記パル
ス列の各パルス幅を、上記変換前の各パルス露光部分の
長さに応じて調整することを特徴とする請求項14に記
載の光学記録装置。
19. The pulse train converting means converts each pulse-exposed portion of the modulated pulse signal into a pulse train having a predetermined pulse width and repeated in the same cycle, and each pulse-exposed portion after the conversion. Signal level and each pulse width of the pulse train corresponding to each window in the pulse exposure portion divided for each window after the conversion according to the length of each pulse exposure portion before the conversion. The optical recording device according to claim 14, wherein:
【請求項20】上記パルス列変換手段は、上記変調パル
ス信号の各パルス露光部分を、所定のパルス幅に設定さ
れ、同一周期に繰り返されるパルス列にそれぞれ変換す
る際に、当該各パルス露光部分に割り当てられる上記パ
ルス列のうち最初又は最後のパルスを消去することを特
徴とする請求項14に記載の光学記録装置。
20. The pulse train converting means, when converting each pulse exposure part of the modulated pulse signal into a pulse train having a predetermined pulse width and repeated in the same cycle, is assigned to each pulse exposure part. The optical recording apparatus according to claim 14, wherein the first or last pulse of the pulse train to be erased is erased.
【請求項21】上記変調パルス信号は、EFM変調又は
EFMプラス変調された記録信号でなることを特徴とす
る請求項14に記載の光学記録装置。
21. The optical recording apparatus according to claim 14, wherein the modulated pulse signal is a recording signal that is EFM-modulated or EFM-plus-modulated.
【請求項22】上記被露光体は、原盤上に塗布されたγ
特性値が4より大きい有機材料でなることを特徴とする
請求項14に記載の光学記録装置。
22. The object to be exposed is γ coated on a master.
The optical recording device according to claim 14, wherein the optical recording device is made of an organic material having a characteristic value greater than 4.
【請求項23】上記変調パルス信号の各パルス露光部分
に割り当てられた上記パルス列の各パルス幅の和は、上
記パルス露光部分に対して10〔%〕〜75〔%〕の割合で
含まれることを特徴とする請求項14に記載の光学記録
装置。
23. The sum of the pulse widths of the pulse trains assigned to the pulse exposure portions of the modulated pulse signal is included in the pulse exposure portion at a rate of 10 [%] to 75 [%]. The optical recording device according to claim 14, wherein:
【請求項24】上記被露光体は、原盤上に塗布されたγ
特性値が4より大きい有機材料でなると共に、上記変調
パルス信号の各パルス露光部分に割り当てられた上記パ
ルス列の各パルス幅の和は、上記パルス露光部分に対し
て10〔%〕〜75〔%〕の割合で含まれることを特徴とす
る請求項14に記載の光学記録装置。
24. The object to be exposed is γ coated on a master.
The sum of pulse widths of the pulse trains assigned to the pulse-exposed portions of the modulated pulse signal is 10% to 75 [%] with respect to the pulse-exposed portions. ] The optical recording device according to claim 14, wherein the optical recording device is included.
【請求項25】上記変調パルス信号の各パルス露光部分
をそれぞれウインドウ毎に分割してなる当該各ウインド
ウに対応する上記パルス列の各パルス幅は、上記ウイン
ドウに対して10〔%〕〜75〔%〕の割合で含まれること
を特徴とする請求項14に記載の光学記録装置。
25. Each pulse width of the pulse train corresponding to each window obtained by dividing each pulse exposure portion of the modulated pulse signal for each window is 10% to 75% with respect to the window. ] The optical recording device according to claim 14, wherein the optical recording device is included.
【請求項26】上記被露光体は、原盤上に塗布されたγ
特性値が4より大きい有機材料でなると共に、上記変調
パルス信号の各パルス露光部分をそれぞれウインドウ毎
に分割してなる当該各ウインドウに対応する上記パルス
列の各パルス幅は、上記ウインドウに対して10〔%〕〜
75〔%〕の割合で含まれることを特徴とする請求項14
に記載の光学記録装置。
26. The object to be exposed is γ coated on a master.
Each pulse width of the pulse train, which is made of an organic material having a characteristic value larger than 4, and which corresponds to each window obtained by dividing each pulse exposure portion of the modulated pulse signal for each window is 10 with respect to the window. [%] ~
15. It is contained in a ratio of 75 [%].
The optical recording device according to.
【請求項27】レーザ光源から発射されたレーザ光を光
変調器を用いて所定のフオーマツトにに基づく変調パル
ス信号に応じて強度変調した後、当該強度変調されたレ
ーザ光を被露光体の被露光面に照射することにより、上
記変調パルス信号に応じた種々の長さでなる複数の潜像
からなる露光パターンを形成して得られる金型に基づい
て作製された光学記録媒体において、 上記変調パルス信号の各パルス露光部分を、所定のパル
ス幅に設定され、同一周期に繰り返されるパルス列にそ
れぞれ変換する第1のステツプと、 上記各パルス列に変換された変調パルス信号に基づく駆
動信号を上記光変調器に供給して、当該光変調器を駆動
制御する第2のステツプとを経ることにより作製された
ことを特徴とする光学記録媒体。
27. A laser beam emitted from a laser light source is intensity-modulated in accordance with a modulation pulse signal based on a predetermined format using an optical modulator, and then the intensity-modulated laser beam is applied to an object to be exposed. By irradiating the exposed surface, an optical recording medium produced based on a mold obtained by forming an exposure pattern composed of a plurality of latent images having various lengths according to the modulated pulse signal, A first step for converting each pulse-exposed portion of the pulse signal into a pulse train having a predetermined pulse width and being repeated in the same cycle, and a drive signal based on the modulated pulse signal converted into each pulse train are used as the optical signals. An optical recording medium produced by being supplied to a modulator and undergoing a second step for controlling the drive of the optical modulator.
【請求項28】上記第1のステツプでは、上記変調パル
ス信号の各パルス露光部分を、所定のパルス幅に設定さ
れ、同一周期に繰り返されるパルス列にそれぞれ変換す
ると共に、当該変換後の各パルス露光部分の信号レベル
を、上記変換前の各パルス露光部分の長さに応じて調整
することを特徴とする請求項27に記載の光学記録媒
体。
28. In the first step, each pulse exposure portion of the modulated pulse signal is converted into a pulse train having a predetermined pulse width and repeated in the same cycle, and each pulse exposure after the conversion is performed. 28. The optical recording medium according to claim 27, wherein the signal level of the portion is adjusted according to the length of each pulse-exposed portion before the conversion.
【請求項29】上記第1のステツプでは、上記変調パル
ス信号の各パルス露光部分を、所定のパルス幅に設定さ
れ、同一周期に繰り返されるパルス列にそれぞれ変換す
ると共に、当該変換後の各パルス露光部分に割り当てら
れた上記パルス列の各パルス幅の和を、上記変換前の各
パルス露光部分の長さに応じて調整することを特徴とす
る請求項27に記載の光学記録媒体。
29. In the first step, each pulse exposure portion of the modulated pulse signal is converted into a pulse train having a predetermined pulse width and repeated in the same cycle, and each pulse exposure after the conversion is performed. 28. The optical recording medium according to claim 27, wherein the sum of the pulse widths of the pulse trains assigned to the portions is adjusted according to the length of each pulse exposed portion before the conversion.
【請求項30】上記第1のステツプでは、上記変調パル
ス信号の各パルス露光部分を、所定のパルス幅に設定さ
れ、同一周期に繰り返されるパルス列にそれぞれ変換す
ると共に、当該変換後のウインドウ毎に分割されたパル
ス露光部分における当該各ウインドウに対応する上記パ
ルス列の各パルス幅を、上記変換前の各パルス露光部分
の長さに応じて調整することを特徴とする請求項27に
記載の光学記録媒体。
30. In the first step, each pulse exposure portion of the modulated pulse signal is converted into a pulse train having a predetermined pulse width and repeated in the same cycle, and each converted window is converted. 28. The optical recording according to claim 27, wherein each pulse width of the pulse train corresponding to each window in the divided pulse exposure portion is adjusted according to the length of each pulse exposure portion before the conversion. Medium.
【請求項31】上記第1のステツプでは、上記変調パル
ス信号の各パルス露光部分を、所定のパルス幅に設定さ
れ、同一周期に繰り返されるパルス列にそれぞれ変換す
ると共に、当該変換後の各パルス露光部分の信号レベ
ル、及び上記変換後の各パルス露光部分に割り当てられ
た上記パルス列の各パルス幅の和を、上記変換前の各パ
ルス露光部分の長さに応じて調整することを特徴とする
請求項27に記載の光学記録媒体。
31. In the first step, each pulse exposure portion of the modulated pulse signal is converted into a pulse train which has a predetermined pulse width and is repeated in the same cycle, and each pulse exposure after the conversion. The sum of the signal levels of the portions and the pulse widths of the pulse trains assigned to the pulse-exposed portions after the conversion is adjusted according to the length of the pulse-exposed portions before the conversion. Item 28. The optical recording medium according to item 27.
【請求項32】上記第1のステツプでは、上記変調パル
ス信号の各パルス露光部分を、所定のパルス幅に設定さ
れ、同一周期に繰り返されるパルス列にそれぞれ変換す
ると共に、当該変換後の各パルス露光部分の信号レベ
ル、及び上記変換後のウインドウ毎に分割されたパルス
露光部分における当該各ウインドウに対応する上記パル
ス列の各パルス幅を、上記変換前の各パルス露光部分の
長さに応じて調整することを特徴とする請求項27に記
載の光学記録媒体。
32. In the first step, each pulse exposure portion of the modulated pulse signal is converted into a pulse train having a predetermined pulse width and repeated in the same cycle, and each pulse exposure after the conversion is performed. The signal level of the portion and each pulse width of the pulse train corresponding to each window in the pulse exposure portion divided for each window after the conversion are adjusted according to the length of each pulse exposure portion before the conversion. The optical recording medium according to claim 27, wherein:
【請求項33】上記第1のステツプでは、上記変調パル
ス信号の各パルス露光部分を、所定のパルス幅に設定さ
れ、同一周期に繰り返されるパルス列にそれぞれ変換す
る際に、当該各パルス露光部分に割り当てられる上記パ
ルス列のうち最初又は最後のパルスを消去することを特
徴とする請求項27に記載の光学記録方法。
33. In the first step, when converting each pulse-exposed portion of the modulated pulse signal into a pulse train having a predetermined pulse width and repeated in the same cycle, each pulse-exposed portion is converted into a pulse train. 28. The optical recording method according to claim 27, wherein the first or last pulse of the assigned pulse train is erased.
【請求項34】上記変調パルス信号は、EFM変調又は
EFMプラス変調された記録信号でなることを特徴とす
る請求項27に記載の光学記録媒体。
34. The optical recording medium according to claim 27, wherein the modulated pulse signal is a recording signal that is EFM-modulated or EFM-plus-modulated.
【請求項35】上記被露光体は、原盤上に塗布されたγ
特性値が4より大きい有機材料でなることを特徴とする
請求項27に記載の光学記録媒体。
35. The object to be exposed is γ coated on a master.
The optical recording medium according to claim 27, wherein the optical recording medium is made of an organic material having a characteristic value greater than 4.
【請求項36】上記変調パルス信号の各パルス露光部分
に割り当てられた上記パルス列の各パルス幅の和は、上
記パルス露光部分に対して10〔%〕〜75〔%〕の割合で
含まれることを特徴とする請求項27に記載の光学記録
媒体。
36. The sum of the pulse widths of the pulse trains assigned to the pulse exposure portions of the modulated pulse signal is contained in a ratio of 10 [%] to 75 [%] with respect to the pulse exposure portions. The optical recording medium according to claim 27, wherein:
【請求項37】上記被露光体は、原盤上に塗布されたγ
特性値が4より大きい有機材料でなると共に、上記変調
パルス信号の各パルス露光部分に割り当てられた上記パ
ルス列の各パルス幅の和は、上記パルス露光部分に対し
て10〔%〕〜75〔%〕の割合で含まれることを特徴とす
る請求項27に記載の光学記録媒体。
37. The object to be exposed is γ coated on a master.
The sum of pulse widths of the pulse trains assigned to the pulse-exposed portions of the modulated pulse signal is 10% to 75 [%] with respect to the pulse-exposed portions. ] The optical recording medium according to claim 27, wherein the optical recording medium is contained in the following ratio.
【請求項38】上記変調パルス信号の各パルス露光部分
をそれぞれウインドウ毎に分割してなる当該各ウインド
ウに対応する上記パルス列の各パルス幅は、上記ウイン
ドウに対して10〔%〕〜75〔%〕の割合で含まれること
を特徴とする請求項27に記載の光学記録媒体。
38. Each pulse width of the pulse train corresponding to each window obtained by dividing each pulse exposure portion of the modulated pulse signal for each window is 10% to 75% with respect to the window. ] The optical recording medium according to claim 27, wherein the optical recording medium is contained in the following ratio.
【請求項39】上記被露光体は、原盤上に塗布されたγ
特性値が4より大きい有機材料でなると共に、上記変調
パルス信号の各パルス露光部分をそれぞれウインドウ毎
に分割してなる当該各ウインドウに対応する上記パルス
列の各パルス幅は、上記ウインドウに対して10〔%〕〜
75〔%〕の割合で含まれることを特徴とする請求項27
に記載の光学記録媒体。
39. The object to be exposed is γ coated on a master.
Each pulse width of the pulse train, which is made of an organic material having a characteristic value larger than 4, and which corresponds to each window obtained by dividing each pulse exposure portion of the modulated pulse signal for each window is 10 with respect to the window. [%] ~
28. It is contained in a ratio of 75%.
4. The optical recording medium according to claim 1.
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