JPH09231329A - Memory card - Google Patents
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- JPH09231329A JPH09231329A JP8065210A JP6521096A JPH09231329A JP H09231329 A JPH09231329 A JP H09231329A JP 8065210 A JP8065210 A JP 8065210A JP 6521096 A JP6521096 A JP 6521096A JP H09231329 A JPH09231329 A JP H09231329A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はＩＣメモリを利用し
たプリペイドカード等に係り、特に複数のメモリ領域の
各々に対して書込み禁止を設定することができるメモリ
カードに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a prepaid card or the like using an IC memory, and more particularly to a memory card in which write protection can be set for each of a plurality of memory areas.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、計数用メモリ領域を有するメモリ
カードは公衆電話のプリペイドカード等で利用されてい
る。計数用メモリ領域は、特定領域のメモリに計数値を
格納することでカウンタとして用いられるメモリ領域で
ある。この計数用メモリ領域には、メモリカードを使用
する度に書換えが行われる残度数、残金等のデータが格
納される。2. Description of the Related Art Conventionally, a memory card having a counting memory area has been used as a prepaid card for public telephones. The memory area for counting is a memory area used as a counter by storing the count value in the memory of the specific area. In this counting memory area, data such as the remaining number and the remaining amount of money that are rewritten each time the memory card is used are stored.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】これらのメモリカード
のメモリは、通常、計数用メモリ領域の他に、ＩＣ識別
領域、ユーザ領域等に分割されている。そして、各々の
メモリ領域は初期化処理以前には書換えが可能である
が、初期化処理後は自動的に全領域の書換えが不可とな
ってしまう。そのため、初期化処理後にユーザ等が照合
用のキーデータ等を希望の値に書換える等のように、メ
モリカードを使用することはできなかった。The memory of these memory cards is usually divided into an IC identification area, a user area, etc. in addition to the counting memory area. Then, each memory area can be rewritten before the initialization processing, but after the initialization processing, the entire area is automatically rewritten. Therefore, it is impossible to use the memory card so that the user or the like can rewrite the matching key data or the like to a desired value after the initialization processing.
【０００４】そこで本発明の目的は、メモリ領域ごとに
書換え禁止をいつでも設定できるメモリカードを提供す
ることにある。このメモリカードによれば、初期化処理
時に仮の値を書き込んでおき、カードの所持者自身が希
望の値に書換えた後、書換え禁止の設定を行うことがで
きる。Therefore, an object of the present invention is to provide a memory card in which rewrite inhibition can be set for each memory area at any time. According to this memory card, it is possible to write a temporary value at the time of the initialization processing, and after the cardholder himself rewrites it to a desired value, it is possible to set the rewriting prohibition.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】これらの問題を解決する
ために、本発明のメモリカードは書換禁止設定手段を有
する。この書換禁止設定手段により、メモリ領域に対す
る書換え禁止の設定は初期化処理の前後に係わらず、任
意の時期においてメモリ領域の書換え禁止の設定を行う
ことができる。また、複数のメモリ領域に対して個別に
書換え禁止の設定を行うことができる。In order to solve these problems, the memory card of the present invention has a rewrite prohibition setting means. By the rewrite prohibition setting means, the rewrite prohibition of the memory area can be set at any time regardless of before and after the initialization process. Further, it is possible to individually set the rewrite prohibition for a plurality of memory areas.
【０００６】[0006]
【発明の実施の形態】以下、本発明について実施の形態
により説明する。本発明のメモリカードは、すくなくと
も書換禁止設定手段と、禁止設定可能メモリ領域と、を
有する。書換禁止設定手段は、書換え可能な複数のメモ
リ領域に対して個別に書換え禁止を設定し以降の書換え
を禁止する。また、禁止設定可能メモリ領域は、書換禁
止設定手段により書換え禁止を設定することが可能なメ
モリ領域である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to embodiments. The memory card of the present invention has at least a rewrite prohibition setting means and a prohibition settable memory area. The rewrite prohibition setting means individually sets rewrite prohibition for a plurality of rewritable memory areas and prohibits subsequent rewrites. The prohibition-settable memory area is a memory area in which rewriting prohibition can be set by the rewriting prohibition setting means.
【０００７】また、本発明のメモリカードは、さらに上
記書換禁止設定手段により書換え禁止を設定することが
不可能な禁止設定不可メモリ領域を有する。その禁止設
定不可メモリ領域は、たとえば、特定領域のメモリに計
数値を格納することでカウンタとして用いられる計数用
メモリ領域である。また、本発明のメモリカードにおい
て、上記禁止設定可能メモリ領域は、照合用のキーデー
タを記憶するメモリ領域である。これにより重要データ
である照合用のキーデータを書換えから保護することが
できる。また、本発明のメモリカードにおいて、上記禁
止設定可能メモリ領域は、ＩＣ識別メモリ領域と、ユー
ザメモリ領域と、発行者メモリ領域である。それぞれの
メモリ領域に対してデータ設定する者が、そのデータ設
定したメモリ領域に対して書換え禁止の設定を行い書換
えから保護することができる。Further, the memory card of the present invention further has a prohibition non-setting memory area in which the rewriting prohibition cannot be set by the rewriting prohibition setting means. The prohibition-disabled memory area is, for example, a counting memory area used as a counter by storing the count value in the memory of the specific area. Further, in the memory card of the present invention, the prohibition-settable memory area is a memory area for storing key data for collation. This makes it possible to protect the key data for verification, which is important data, from being rewritten. In the memory card of the present invention, the prohibition-settable memory areas are an IC identification memory area, a user memory area, and an issuer memory area. A person who sets data in each memory area can protect the rewriting by setting rewrite prohibition in the memory area in which the data is set.
【０００８】本発明のメモリカードに用いられるメモリ
としては、書換え可能なメモリが用いられ、たとえば、
ＥＰＲＯＭ（erasable programmable read-only memor
y）、ＥＥＰＲＯＭ（electrically erasable programma
ble read-only memory ）のようなＲＯＭ（read only m
emory）、あるいは、ＳＲＡＭ（static random accessm
emory ）、ＤＲＡＭ（dynamic random access memor
y）、ＰＳＲＡＭ（疑似 random access memory ）、Ｎ
ＶＲＡＭ（nonvolatile random access memory）のよう
なＲＡＭ（random access memory）がある。本発明にお
いてはいずれを用いることも可能であるが、バッテリバ
ックアップの必要がなく、電気的に書換えを行うことが
できるＥＥＰＲＯＭは好適である。なお、書換え可能で
あれば上記のような半導体メモリに限らず、いかなる種
類のメモリであっても用いることが可能である。また、
メモリ領域とは、上記のメモリの番地を適当な範囲に区
切って、メモリを分割して得られる領域のことである。A rewritable memory is used as the memory used in the memory card of the present invention.
EPROM (erasable programmable read-only memor
y), EEPROM (electrically erasable programma
ROM (read only m) like ble read-only memory)
emory) or SRAM (static random accessm)
emory), DRAM (dynamic random access memor)
y), PSRAM (pseudo random access memory), N
There is a RAM (random access memory) such as a VRAM (nonvolatile random access memory). In the present invention, any of these can be used, but an EEPROM capable of electrically rewriting without the need for battery backup is preferable. Note that any type of memory can be used as well as the above semiconductor memory as long as it can be rewritten. Also,
The memory area is an area obtained by dividing the memory by dividing the address of the memory into an appropriate range.
【０００９】上記の書換禁止設定手段は、各メモリ領域
に対応するフラグを参照する。各メモリ領域に対応する
フラグが“ＯＦＦ”または“０”の場合は、そのメモリ
領域のデータは書換えることができる。また、各メモリ
領域に対応するフラグが“ＯＮ”または“１”に書換え
られた場合は書換え禁止の設定が行われたことになり、
そのメモリ領域のデータは書換えることができない。こ
のフラグもメモリであり、前述のメモリ領域の一つとし
て構成することができる。その場合は、そのフラグメモ
リ領域内に、自分自身（フラグメモリ領域）のフラグを
有することになる。フラグメモリ領域に対応するフラグ
を“ＯＮ”または“１”に書換えると、書換え禁止の設
定は固定され設定変更を不可とすることができる。ま
た、このフラグをＯＴＰ（ワンタイムプログラマブルＲ
ＯＭ）により構成することができる。ＯＴＰは、書込み
を一度だけ行って記憶内容の設定を行うことができるメ
モリである。したがって、フラグをＯＴＰで構成する
と、書換え禁止の設定を行ったメモリ領域は、以降の設
定の変更を不可とすることができる。The above-mentioned rewrite prohibition setting means refers to the flag corresponding to each memory area. When the flag corresponding to each memory area is "OFF" or "0", the data in that memory area can be rewritten. When the flag corresponding to each memory area is rewritten to "ON" or "1", it means that rewriting is prohibited.
The data in the memory area cannot be rewritten. This flag is also a memory and can be configured as one of the memory areas described above. In that case, the flag memory area has its own flag (flag memory area). When the flag corresponding to the flag memory area is rewritten to "ON" or "1", the rewrite prohibition setting is fixed and the setting cannot be changed. In addition, this flag is set to OTP (One-time programmable R
OM). The OTP is a memory that can be written only once to set the storage content. Therefore, if the flag is configured by OTP, the memory area in which the rewriting is prohibited cannot be changed.
【００１０】書換禁止設定手段はこのフラグを参照し、
このフラグが“ＯＮ”または“１”の場合は、各メモリ
領域の書換え禁止に関する処理を実行する。この処理と
しては、メモリの動作モードを読取モードだけに固定す
る方法で行うことができる。すなわち、メモリの動作モ
ードを読取り、または書込みのいずれかに制御するＲ／
Ｗ制御入力（リード／ライト制御入力）を各メモリ領域
ごとに分離しておく。そして、書換え禁止の設定が行わ
れたメモリ領域のＲ／Ｗ制御入力をＲ（読取）だけがア
クティブとなるように、またはＷ（書込）がアクティブ
とならないように固定する。このような書換禁止設定手
段は、ＣＰＵ（中央処理装置）のようなプログラムによ
って動作する処理ユニットによって構成することができ
る。また、純粋なハードウェア構成の論理回路（たとえ
ば、ワイヤードロジック）によっても構成することがで
きる。ハードウェア構成の論理回路にすると、構成が簡
略化され安価であるとともに信頼性が向上する。The rewrite prohibition setting means refers to this flag,
When this flag is "ON" or "1", the process for prohibiting rewriting of each memory area is executed. This processing can be performed by fixing the operation mode of the memory to only the reading mode. That is, R / which controls the operation mode of the memory to either read or write.
The W control input (read / write control input) is separated for each memory area. Then, the R / W control input of the memory area in which the rewrite inhibition is set is fixed so that only R (read) becomes active or W (write) does not become active. Such rewrite prohibition setting means can be configured by a processing unit operated by a program such as a CPU (central processing unit). It can also be configured by a logic circuit having a pure hardware configuration (for example, wired logic). When the logic circuit has a hardware configuration, the configuration is simplified, the cost is low, and the reliability is improved.
【００１１】[0011]
【実施例】以下、本発明について実施例により説明す
る。図１は本発明のメモリカードの構成を示す図であ
る。図１において、１は本発明のメモリカード、２はＥ
ＥＰＲＯＭ等のメモリと周辺回路によって構成される記
憶手段、３はワイヤードロジック等の論理回路によって
構成される演算手段、４はメモリカードを端末装置に接
続するためのインタフェース、５，６，７，８はメモリ
内を所定の番地範囲で区切って分割したメモリ領域であ
り、５はＩＣ識別領域、６はユーザ領域、７は発行者領
域、８はカウンタ領域、９はメモリ領域に対して書換え
禁止の設定を行う書換禁止設定手段、１０はメモリ領域
ごとにメモリのＲ／Ｗモード（読取／書込モード）を設
定するＲ／Ｗモード設定手段、１１はフラグ設定手段、
１２はフラグデータを記憶するメモリのフラグ領域であ
る。EXAMPLES The present invention will be described below with reference to examples. FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a memory card of the present invention. In FIG. 1, 1 is a memory card of the present invention, 2 is E
A memory means composed of a memory such as an EPROM and a peripheral circuit, 3 an arithmetic means composed of a logic circuit such as a wired logic, 4 an interface for connecting a memory card to a terminal device, 5, 6, 7, 8 Is a memory area obtained by dividing the memory into predetermined address ranges, 5 is an IC identification area, 6 is a user area, 7 is an issuer area, 8 is a counter area, and 9 is a rewrite prohibition for the memory area. Rewriting prohibition setting means for setting, 10 is an R / W mode setting means for setting a memory R / W mode (read / write mode) for each memory area, 11 is a flag setting means,
Reference numeral 12 is a flag area of the memory for storing flag data.
【００１２】記憶手段２は書換え可能なメモリであれば
特に限定されず、単一のメモリであっても、また、種類
の異なる複数のメモリの組合せであってもよいが、実施
の態様でも説明したように、電気的な方法で書換え可能
なＥＥＰＲＯＭが好適である。この実施例においては、
記憶手段２は５つのメモリ領域に分割されている。メモ
リ領域は、メモリの内の特定の番地範囲に対応してお
り、本発明においてはメモリ領域ごとに、メモリの読取
モードまたは書込モードのいずれかを設定することがで
きる。The storage means 2 is not particularly limited as long as it is a rewritable memory, and may be a single memory or a combination of a plurality of memories of different types. As described above, the EEPROM, which is rewritable by an electric method, is suitable. In this example,
The storage means 2 is divided into five memory areas. The memory area corresponds to a specific address range in the memory, and in the present invention, either the read mode or the write mode of the memory can be set for each memory area.
【００１３】メモリ領域の内のフラグ領域１２には本発
明を実施する上で特別な役割がある。フラグ領域１２に
は、各メモリ領域に対応するフラグのデータが記憶され
る。このフラグのデータが“ＯＦＦ”または“０”の場
合は、そのフラグに対応するメモリ領域は、読取モード
または書込モードのいずれに設定することもできる。と
ころが、そのフラグを立てる。すなわちフラグのデータ
を“ＯＮ”または“１”とすることにより、そのフラグ
に対応するメモリ領域は、読取モード専用となり、書込
モードで使用することができなくなる。すなわち、書換
えを行うことができなくなる。The flag area 12 of the memory area has a special role in implementing the present invention. The flag area 12 stores flag data corresponding to each memory area. When the data of this flag is "OFF" or "0", the memory area corresponding to the flag can be set to either the read mode or the write mode. However, the flag is set. That is, by setting the flag data to "ON" or "1", the memory area corresponding to the flag becomes exclusive to the read mode and cannot be used in the write mode. That is, rewriting cannot be performed.
【００１４】このように、フラグ領域１２には特別な役
割があるから、他のメモリ領域と同種のＥＥＰＲＯＭの
代わりに、一回だけ書込みを行えるＯＴＰを使用するよ
うにしてもよい。ＯＴＰを使用する場合は、書換え禁止
の設定を行ったメモリ領域は、以降の設定の変更は不可
となる。また、ＥＥＰＲＯＭを使用する場合は、フラグ
領域１２にフラグ領域１２自身に対応するフラグを設け
ており、そのフラグを“ＯＮ”または“１”とすること
により、書換え禁止の設定の変更は不可とすることがで
きる。上記のようにすることにより、書換え禁止に対す
るセキュリティが向上することとなる。As described above, since the flag area 12 has a special role, an OTP which can be written only once may be used instead of the EEPROM of the same kind as the other memory areas. When OTP is used, the setting of the memory area for which rewriting is prohibited cannot be changed thereafter. Further, when the EEPROM is used, the flag area 12 is provided with a flag corresponding to the flag area 12 itself, and by setting the flag to "ON" or "1", the rewrite prohibition setting cannot be changed. can do. By doing so, the security against rewriting is improved.
【００１５】フラグ領域１２へのデータの書込みは、書
換禁止設定手段３によって行われる。メモリカード１が
端末装置（図示せず）に装着された状態において、端末
装置から、記憶手段２のあるメモリ領域にデータが書込
まれる。さらに、端末装置から、そのメモリ領域に対し
て、書換え禁止の設定を行う命令が出力されると、イン
タフェース４を介してその命令は書換禁止設定手段３に
達し、書換禁止設定手段３はその命令を実行する。The writing of data to the flag area 12 is performed by the rewrite prohibition setting means 3. With the memory card 1 mounted in the terminal device (not shown), data is written from the terminal device to the memory area in which the storage unit 2 is provided. Further, when the terminal device outputs a command for setting rewrite prohibition to the memory area, the command reaches the rewrite prohibition setting means 3 via the interface 4, and the rewrite prohibition setting means 3 outputs the command. To execute.
【００１６】まず、書換禁止設定手段３におけるフラグ
設定手段１１がフラグ領域１２の、その命令によって特
定されるメモリ領域のフラグを立てる。すなわち“Ｏ
Ｎ”または“１”とする。そのメモリ領域のフラグが立
つと、次に、書換禁止設定手段３におけるＲ／Ｗモード
設定手段１０は、フラグ領域１２に記憶されているデー
タを参照する。そして、その参照データに基づいて、そ
のメモリ領域のメモリのＲ／Ｗ制御入力を操作して、Ｒ
（読取）モードだけがアクティブとなり、Ｗ（書込）モ
ードは絶対にアクティブとならないように設定を行う。
このようにして、書換え禁止の設定が本発明のメモリカ
ード１において行われる。First, the flag setting means 11 in the rewrite prohibition setting means 3 sets a flag in the memory area of the flag area 12 specified by the instruction. That is, "O
When the flag of the memory area is set, the R / W mode setting means 10 in the rewrite prohibition setting means 3 next refers to the data stored in the flag area 12. , The R / W control input of the memory of the memory area is operated based on the reference data, and R
Settings are made so that only the (read) mode is active, and the W (write) mode is never active.
In this way, the rewrite prohibition is set in the memory card 1 of the present invention.
【００１７】図２は、本発明のメモリカードにおける初
期化の過程を示す図である。図２において〜は過程
の順番に付された番号である。まずに示すように、製
造直後のメモリカードは初期化未処理状態のカードであ
る。次ににおいて、メモリカードの端末装置を使用し
て、そのメモリカードに対し、カード発行者がデータを
書込む。この例では「ＩＣ識別領域」、「ユーザ領
域」、「発行者領域」、「カウンタ領域」にデータを書
込む。このようにしてに示す初期化の完了したメモリ
カードが得られる。FIG. 2 is a diagram showing an initialization process in the memory card of the present invention. In FIG. 2, ~ are numbers assigned in the order of processes. As shown first, the memory card immediately after manufacturing is a card that has not been initialized yet. Next, the card issuer writes data to the memory card using the terminal device of the memory card. In this example, data is written in the "IC identification area", "user area", "issuer area", and "counter area". In this way, the memory card whose initialization has been completed is obtained.
【００１８】次ににおいて、カード発行者は、書換え
禁止すべきメモリ領域の「ＩＣ識別領域」、「発行者領
域」に関する書換え禁止の命令を端末装置からメモリカ
ードに転送する。この命令を受けて、メモリカードにお
いて「ＩＣ識別領域」、「発行者領域」に対する書換え
禁止の設定が行われる。次ににおいて、カードはユー
ザへ送付され、ユーザは端末装置において「ユーザ領
域」のデータの書換えを行う。次ににおいて、ユーザ
は「ユーザ領域」関する書換え禁止の命令を端末装置か
らメモリカードに転送し、この命令を受けて、メモリカ
ードにおいて「ユーザ領域」に対する書換え禁止の設定
が行われる。Next, the card issuer transfers a rewrite prohibition command relating to the "IC identification area" and the "issuer area" of the memory area to be rewritten from the terminal device to the memory card. In response to this instruction, rewriting is prohibited in the "IC identification area" and the "issuer area" in the memory card. Next, the card is sent to the user, and the user rewrites the data in the "user area" in the terminal device. Next, the user transfers a rewrite prohibition command for the "user area" from the terminal device to the memory card, and in response to this command, the rewrite prohibition setting for the "user area" is set in the memory card.
【００１９】この例では、カウンタ領域以外のメモリ領
域の全てを書換え禁止としたが、必要に応じて禁止せず
に使用することができる。また、書換え禁止の設定条件
として、ＰＩＮ（parsonal identification number）を
設けて照合するようにすることができ、そうすることに
より、むやみに書換え禁止の設定が行われることを避け
ることができる。In this example, the entire memory area other than the counter area is prohibited from being rewritten, but the memory area can be used without being prohibited if necessary. Further, as a rewriting prohibition setting condition, a PIN (parsonal identification number) can be provided to perform verification, and by doing so, it is possible to avoid unnecessarily setting rewriting prohibition.
【００２０】[0020]
【発明の効果】以上のとおりであるから本発明のメモリ
カードによれば、メモリ領域ごとに書換え禁止を任意の
時期に設定できる。また、照合用のキー情報が格納され
たメモリ領域も書換え禁止の設定を行うことができるた
め、暫定的に書き込まれたキー情報をカード所持者自身
が任意のキー情報に書換えた後、書換え禁止の設定を行
うことにより、セキュリティ性を向上させることができ
る。As described above, according to the memory card of the present invention, the rewrite inhibition can be set for each memory area at any time. In addition, the memory area that stores the key information for verification can also be set to prohibit rewriting, so after the card holder himself rewrites the provisionally written key information to any key information, rewriting is prohibited. The security can be improved by performing the setting of.
【図１】本発明のメモリカードの構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a memory card of the present invention.
【図２】本発明のメモリカードにおける初期化の過程を
示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a process of initialization in the memory card of the present invention.
１ メモリカード ２ 記憶手段 ３ 演算手段 ４ インタフェース ５ ＩＣ識別領域 ６ ユーザ領域 ７ 発行者領域 ８ カウンタ領域 ９ 書換禁止設定手段 １０ Ｒ／Ｗモード設定手段 １１ フラグ設定手段 １２ フラグ領域 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Memory card 2 Storage means 3 Computing means 4 Interface 5 IC identification area 6 User area 7 Issuer area 8 Counter area 9 Rewrite prohibition setting means 10 R / W mode setting means 11 Flag setting means 12 Flag area
Claims (7)
え禁止を設定し以降の書換えを禁止する書換禁止設定手
段と、 前記書換禁止設定手段により書換え禁止を設定すること
が可能な禁止設定可能メモリ領域と、 を有することを特徴とするメモリカード。1. A rewrite prohibition setting means for setting rewrite prohibition for each of a plurality of rewritable memory areas and prohibiting subsequent rewrites; and a rewritable settable memory capable of setting rewrite prohibition by the rewrite prohibition setting means. A memory card having a region.
記書換禁止設定手段により書換え禁止を設定することが
不可能な禁止設定不可メモリ領域を有することを特徴と
するメモリカード。2. The memory card according to claim 1, wherein the memory card has a prohibition non-settable memory area in which the rewrite prohibition setting means cannot set the rewrite prohibition.
記禁止設定不可メモリ領域は、計数用メモリ領域である
ことを特徴とするメモリカード。3. The memory card according to claim 2, wherein the non-prohibitable setting memory area is a counting memory area.
ドにおいて、前記禁止設定可能メモリ領域は、照合用の
キーデータを記憶するメモリ領域であることを特徴とす
るメモリカード。4. The memory card according to claim 1, wherein the prohibition-settable memory area is a memory area for storing key data for collation.
ドにおいて、前記禁止設定可能メモリ領域は、ＩＣ識別
メモリ領域と、ユーザメモリ領域と、発行者メモリ領域
であることを特徴とするメモリカード。5. The memory card according to claim 1, wherein the prohibition-settable memory area is an IC identification memory area, a user memory area, and an issuer memory area. card.
ドにおいて、メモリとしてＥＥＰＲＯＭを使用すること
を特徴とするメモリカード。6. The memory card according to claim 1, wherein an EEPROM is used as the memory.
ドにおいて、書換禁止設定手段はワイヤードロジックに
よって構成することを特徴とするメモリカード。7. The memory card according to claim 1, wherein the rewrite prohibition setting means is configured by a wired logic.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8065210A JPH09231329A (en) | 1996-02-28 | 1996-02-28 | Memory card |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8065210A JPH09231329A (en) | 1996-02-28 | 1996-02-28 | Memory card |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09231329A true JPH09231329A (en) | 1997-09-05 |
Family
ID=13280333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8065210A Pending JPH09231329A (en) | 1996-02-28 | 1996-02-28 | Memory card |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09231329A (en) |
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-
1996
- 1996-02-28 JP JP8065210A patent/JPH09231329A/en active Pending
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